JP2008084883A - 半導体製造装置洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 硫酸及びポリリン酸を含む組成物を用いる。
【選択図】 なし
Description
濃硫酸を98重量%、ポリリン酸を2重量%含有するレジスト除去液を調製した。この除去液を150℃に加熱し、これに、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを5分間浸漬した。5分後にはレジストは完全に除去されていた。
濃硫酸を150℃に加熱し、これに、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを5分間浸漬した。5分後にはレジストは完全に除去されていた。
濃硫酸にポリリン酸として、三メタリン酸を0.1重量%添加した他は、実施例1と同様の方法で実施した。その結果、5分間でレジストは完全に除去され、酸化膜のダメージは1.24オングストロームであった。
濃硫酸とポリリン酸を表1に記載の量含有するレジスト除去剤を調製し、表1記載の温度、時間で、砒素を1016ion/cm2ドープしたKrFレジストの剥離及び酸化膜へのダメージを評価した。その結果を表1に示す。なお、レジスト剥離は、レジストが完全に剥離した場合を◎、90%以上剥離した場合を○と評価した。
Claims (8)
- 硫酸及びポリリン酸を含むレジスト除去用組成物。
- ポリリン酸が、鎖状ポリリン酸、及び環状リン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト除去用組成物。
- ポリリン酸の含有量が、0.01〜50重量%の範囲であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のレジスト除去用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレジスト除去用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物が、ケイ酸、ケイ酸塩、ハロゲン化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩、アルコキシシラン類、及びアルキルシラン類からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項4に記載のレジスト除去用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物の含有量が、0.0001〜0.5重量%の範囲であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のレジスト除去用組成物。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のレジスト除去用組成物を使用し、20〜180℃の範囲でレジストを除去することを特徴とするレジストの除去方法。
- レジストが、砒素がドープされたレジストであることを特徴とする請求項7に記載のレジストの除去方法。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
WO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
KR20160098462A (ko) * | 2013-12-20 | 2016-08-18 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003122027A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | 剥離剤組成物 |
JP2003330205A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液 |
JP2005531139A (ja) * | 2002-06-22 | 2005-10-13 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | サイドウォール残渣を除去するための組成物 |
JP2005292288A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | レジスト剥離剤組成物 |
JP2007328153A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Tosoh Corp | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003122027A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | 剥離剤組成物 |
JP2003330205A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液 |
JP2005531139A (ja) * | 2002-06-22 | 2005-10-13 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | サイドウォール残渣を除去するための組成物 |
JP2005292288A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | レジスト剥離剤組成物 |
JP2007328153A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Tosoh Corp | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160098462A (ko) * | 2013-12-20 | 2016-08-18 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도 |
JP2017508187A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-03-23 | インテグリス・インコーポレーテッド | イオン注入レジストの除去のための非酸化性の強酸の使用 |
US10347504B2 (en) | 2013-12-20 | 2019-07-09 | Entegris, Inc. | Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist |
KR102352475B1 (ko) | 2013-12-20 | 2022-01-18 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도 |
WO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
KR20170069274A (ko) * | 2014-11-27 | 2017-06-20 | 후지필름 가부시키가이샤 | 제거액, 이를 이용한 제거 방법 및 반도체 기판 제품의 제조 방법 |
JPWO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
KR101958691B1 (ko) * | 2014-11-27 | 2019-03-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 제거액, 이를 이용한 제거 방법 및 반도체 기판 제품의 제조 방법 |
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