JP2007328153A - レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 硫酸及び可溶性ケイ素化合物を含んでなる組成物を用いる。
【選択図】 選択図なし
Description
濃硫酸にヘキサフルオロケイ酸を0.025重量%添加したレジスト除去液を調製した。この除去液を150℃に加熱し、これに、砒素を1016ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを5分間浸漬した。5分後にはレジストは完全に除去されていた。
濃硫酸に酸化膜を成膜したシリコンウエハを浸漬し、150℃で1時間加熱し、濃硫酸にシリコン化合物を溶解させた。このようにして調製したレジスト除去液を80℃にし、これに砒素を1014ドープしたi線レジストを成膜したシリコンウエハを1時間浸漬したところ、レジストは完全に除去されていた。
濃硫酸を150℃に加熱し、これに、砒素を1016ドープしたKrFレジストを成膜したシリコンウエハを5分間浸漬した。5分後にはレジストは完全に除去されていた。
Claims (6)
- 硫酸及び可溶性ケイ素化合物を含んでなるレジスト除去用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物が、ケイ酸、ケイ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸塩から成る群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト除去用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物の含有量が、0.0001〜0.5重量%であることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト除去用組成物。
- 燐酸及びアミン化合物をさらに含んでなることを特徴とする請求項1〜3に記載のレジスト除去用組成物。
- レジストが、砒素がドープされたレジストであることを特徴とする請求項1〜4に記載のレジスト除去用組成物。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のレジスト除去用組成物を使用し、20℃以上180℃以下でレジストを除去することを特徴とするレジストの除去方法。
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