JP2013243331A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理方法は、加熱された硫酸と、過酸化水素水とを混合して、レジスト膜剥離効果のあるカロ酸を十分に含む第1温度のSPM液を生成する工程と、前記第1温度のSPM液を生成する工程の後、前記SPM液をフィルムロス低減効果のある第2温度まで冷却する工程と、前記第2温度のSPM液をレジスト膜に接触させて、レジスト膜を除去する工程と、を備えている。
【選択図】図1
Description
次に、第1の棒状ノズルユニット20を前進位置に移動し、駆動機構14によりウエハWを回転させる。この状態で、N2ガス供給部およびSPM液供給部を動作させ、図3中の矢印で示すように、ガス吐出口22aからN2ガスを、そして薬液吐出口23aからSPM液を、それぞれ吐出させる。N2ガスとSPM液はウエハWに到達する前に混合され、この混合流体によりウエハW表面の不要なレジスト膜が剥離される。剥離されたレジスト膜は遠心力によりウエハの外方に向かって流れるSPM液と一緒に、ウエハWの外方に流出する。このSPM処理の詳細については後述する。
上記のSPM処理を所定時間実行した後、N2ガスおよびSPM液の吐出を停止して、第1の棒状ノズルユニット20を後退位置に移動させる。次いで、第2の棒状ノズルユニット30を前進位置に移動させ、リンス液吐出口31aをウエハWの回転中心の真上に位置させる。そして、リンス液供給部を動作させ、リンス液としてのDIWをウエハに供給する。ウエハW表面上に残留しているSPM液、レジスト残渣、反応生成物等が、遠心力によりウエハの外方に向かって流れるDIWと一緒にウエハWの外方に流出する。
DIWリンス処理を所定時間行った後、リンス液吐出口31aからのDIWの吐出を停止し、第2の棒状ノズルユニット30を後退位置に移動させる。その後、ウエハWの回転速度を増し、ウエハW表面上にあるDIWを振り切って、ウエハWを乾燥させる。以上により1枚のウエハWに対する一連の液処理が終了する。その後、前述したウエハ搬入と逆の手順により、処理済みのウエハWが基板処理装置10から搬出される。
SPM液のレジスト剥離能力に大きな影響を及ぼす因子の一つとして、SPM液の温度がある。SPM液の温度を高くすると、SPM液のレジスト剥離能力は高くなるが、フィルムロスが増大することがわかった。なお、剥離能力およびフィルムロスに影響を及ぼすのはウエハ上にあるときのSPM液温度であり、従来技術で述べたようなヒータ等の加熱手段によりウエハ温度を上昇させた場合にも、フィルムロスはかなり増加する。従って、フィルムロスを低減しようとするなら、ウエハ上におけるSPM液の温度を下げることが必要である。
11 基板保持部
23c〜23g 硫酸供給部
24c〜24f 過酸化水素供給部
23h 混合部
23(23a,23a’)、60、71、147(148) SPM液供給手段
22、26、61、152 冷却手段
Claims (15)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法において、
加熱された硫酸と、過酸化水素水とを混合して、レジスト膜剥離効果のあるカロ酸を十分に含む第1温度のSPM液を生成する工程と、
前記第1温度のSPM液を生成する工程の後、前記SPM液をフィルムロス低減効果のある第2温度まで冷却する工程と、
前記第2温度のSPM液をレジスト膜に接触させて、レジスト膜を除去する工程と、
を備えた基板処理方法。 - 前記SPM液を第2温度まで冷却する工程は、前記基板に向けて流れるN2ガスに、前記SPM液を混合することにより行われる、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記SPM液を第2温度まで冷却する工程は、前記基板に向けて流れるN2ガスに、純水と前記SPM液とを混合することにより行われる、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記SPM液を第2温度まで冷却する工程は、純水の液滴およびN2ガスを混合してなり前記基板に向けて流れる二流体に、前記SPM液を混合することにより行われる、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記SPM液を第2温度まで冷却する工程は、前記硫酸と前記過酸化水素水とを混合した位置と、前記SPM液を基板に吐出するノズルとの間の管路に設けられた冷却器を用いて行われる、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記基板の表面に水の液膜を形成した状態で、前記第2温度に冷却されたSPM液が前記基板に供給される、請求項2〜5のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱しないで実施することを特徴とする、請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理装置において、
基板を保持する基板保持部と、
硫酸供給部と、
過酸化水素供給部と、
前記硫酸供給部から供給された硫酸と、前記過酸化水素供給部から供給された過酸化水素水とを混合してSPM液を生成する混合部と、
前記SPM液を前記基板に供給するSPM液供給手段と、
前記混合部を出てレジスト膜剥離効果のあるカロ酸を十分に含むようになった第1温度の前記SPM液を、前記SPM液が基板に触れる前にフィルムロス低減効果のある第2温度まで冷却する冷却手段と、
を備えた基板処理装置。 - 前記冷却手段は、前記SPM液を冷却することができる冷却流体を基板に向けて吐出する冷却流体吐出手段を有しており、
前記SPM液供給手段は、前記冷却流体が前記基板の表面に到達する前に、前記SPM液の流れを前記冷却流体の流れに合流させる手段を有している、
請求項8記載の基板処理装置。 - 前記SPM液の流れを前記冷却流体の流れに合流させる手段は、基板に向けてSPM液を吐出する薬液ノズルを有しており、
前記冷却流体吐出手段は、基板に向けてN2ガスを吐出するガスノズルを有しており、
前記ガスノズルは、前記ガスノズルから吐出されたN2ガスが、前記薬液ノズルから吐出されたSPM液が基板に到達する前に、当該SPM液と混合されるように設けられている、請求項9記載の基板処理装置。 - 前記SPM液の流れを前記冷却流体の流れに合流させる手段は、基板に向けてSPM液を吐出する薬液ノズルを有しており、
前記冷却流体吐出手段は、基板に向けてN2ガスを吐出するガスノズルを有しており、
前記ガスノズルは、前記ガスノズルから吐出されたN2ガスが、前記薬液ノズルから吐出されたSPM液が基板に到達する前に、当該SPM液と混合されるように設けられている、請求項9記載の基板処理装置。 - 前記SPM液の流れを前記冷却流体の流れに合流させる手段は、基板に向けてSPM液を吐出する薬液ノズルを有しており、
前記冷却流体吐出手段は、基板に向けてN2ガスを供給するガスノズルと、基板に向けて純水を吐出する純水ノズルと、を有しており、
前記ガスノズルは、前記ガスノズルから吐出されたN2ガスが、前記薬液ノズルから吐出されたSPM液が基板に到達する前に、当該SPM液と混合されるように設けられており、
前記純水ノズルは、前記純水ノズルから吐出された純水が、前記薬液ノズルから吐出されたSPM液が基板に到達する前に、当該SPM液と混合されるように設けられている、請求項9記載の基板処理装置。 - 前記SPM液の流れを前記冷却流体の流れに合流させる手段は、基板に向けてSPM液を供給する薬液ノズルを有しており、
前記冷却流体吐出手段は、純水の液滴とN2ガスとを混合してなる二流体を基板に向けて吐出する二流体ノズルを有しており、
前記二流体ノズルは、前記二流体ノズルから吐出された二流体が、前記薬液ノズルから吐出されたSPM液が基板に到達する前に、当該SPM液と混合されるように設けられている、請求項9記載の基板処理装置。 - 前記SPM液供給手段は、基板に向けてSPM液を供給する薬液ノズルを有しており、 前記冷却手段は、前記混合部から前記薬液ノズルまでSPM液を流す管路に設けられた冷却器を有している、請求項8記載の基板処理装置。
- 基板に純水を供給する純水ノズルをさらに備え、
前記純水ノズルから基板に純水が供給されて基板の表面に純水の液膜が形成されているときに、前記SPM液供給手段により供給されるとともに前記冷却手段により冷却されたSPM液が基板に向けて吐出されるように、前記基板処理装置の動作を制御する制御部をさらに備えた、請求項8〜14のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
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