KR102284471B1 - 처리액 노즐 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되, 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 바 형상의 처리액 노즐을 갖는 바 형상의 처리액 분사 유닛을 포함하되, 상기 처리액 노즐은 그 길이 방향을 따라 배열되는 복수 열의 토출구들을 갖되, 각 열의 상기 토출구들은 서로 다른 방향으로 상기 처리액을 분사하는 토출홀을 가질 수 있다.

Description

처리액 노즐 및 기판 처리 장치{CHEMICAL NOZZLE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 처리액 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에서는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
일반적으로 포토 레지스트막 도포 후, 그 표면의 파티클을 처리액을 사용하여 세정한다. 이 때, 처리액 노즐이 기판 상을 스캔하며 처리액을 도포하나, 기판의 영역에 따라 도포량이 균일하지 못하여 중앙 영역의 크롬(Cr)막이 식각될 수 있다. 또한, 포토 레지스트막 보호를 위해 펠리클(Pelicle)을 부착할 경우, 이물질이 발생할 수 있다.
본 발명은 세정 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 직사각 형상의 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징, 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되, 상기 처리액 노즐은 상기 기판의 장변의 길이의 반 내지 상기 장변의 길이 사이의 길이를 갖는 바 형상으로 제공될 수 있다.
상기 처리액 노즐은, 상기 기판의 중앙부에 대응되는 제 1 영역, 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제 2 영역, 상기 제 1 영역에 형성된 복수 개의 제 1 토출구, 그리고 상기 제 2 영역에 형성된 복수 개의 제 2 토출구를 갖되, 상기 제 1 토출구의 간격은 상기 제 2 토출구의 간격보다 넓게 제공될 수 있다.
상기 처리액 노즐은, 상기 기판의 중앙부에 대응되는 제 1 영역, 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제 2 영역, 상기 제 1 영역에 형성된 복수 개의 제 1 토출구, 그리고 상기 제 2 영역에 형성된 복수 개의 제 2 토출구를 갖되, 상기 제 1 토출구의 개수는 상기 제 2 토출구의 개수보다 적게 제공될 수 있다.
상기 제 1 토출구의 개수는 상기 제 2 토출구의 개수보다 적게 제공될 수 있다.
상기 제 1 토출구와 상기 제 2 토출구는 상기 처리액 노즐의 길이 방향을 따라 복수 개의 열로 제공되고, 각각의 토출구는 서로 어긋나는 방향으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 토출구와 상기 제 2 토출구는 상기 처리액 노즐의 길이 방향을 따라 이열로 제공되고, 상기 각 열의 상기 제 1 토출구와 상기 제 2 토출구는 서로 상기 처리액 노즐의 외부 방향을 향해 형성될 수 있다.
상기 제 1 토출구와 상기 제 2 토출구는 상기 기판 상으로 경사지게 상기 처리액을 토출할 수 있다.
상기 처리액 노즐은 상기 중앙부를 기준으로 회전이 가능하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 처리액 분사 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 처리액 노즐을 저면에서 바라본 도면이다.
도 5는 처리액 노즐의 토출구를 바라본 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 도 5의 처리액 노즐이 처리액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 도 5의 처리액 노즐이 처리액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 처리액 노즐이 기판 상으로 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다. 이하, 기판(W)은 직사각 형상의 기판을 예로 들어 설명한다. 그러나, 선택적으로, 기판(W)은 원형 등 다양한 형상의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판처리장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 기판처리장치(300)는 하우징(200), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 처리액 분사유닛(380)을 포함한다. 도 2를 참조하면, 하우징(200)은 공정이 수행되는 처리공간을 제공하고, 그 상벽 중앙부는 개방된다. 하우징(200)은 복수의 회수통(220,240,260)을 가진다. 일 예에 의하면, 하우징(320)은 내부회수통(220), 중간회수통(240), 그리고 외부회수통(260)을 가진다. 내부회수통(220), 중간회수통(240), 그리고 외부회수통(260)은 공정에 사용된 약액 중 서로 상이한 약액을 분리 회수한다. 내부회수통(220)은 스핀헤드(340)를 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공되고, 중간회수통(240)은 내부회수통(220)을 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공되며, 외부회수통(260)은 중간회수통(240)을 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공된다. 내부회수통(220)의 내측공간, 내부회수통(220)과 중간회수통(240)의 사이공간, 그리고 중간회수통(240)과 외부회수통(260)의 사이 공간은 각각 내부회수통(220), 중간회수통(240), 그리고 외부회수통(260)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 내부회수통(220), 중간회수통(240), 그리고 외부회수통(260) 각각에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(225,245,265)이 연결된다. 각각의 회수라인(225,245,265)은 내부회수통(220), 중간회수통(240), 그리고 외부회수통(260) 각각을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 선택적으로, 내부회수통(220)은 약액의 유입을 방지하는 방지벽(228)을 포함할 수 있다.
스핀헤드(340)는 하우징(200)의 처리공간에서 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 하우징(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(200)이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 하우징(200)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동 축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(200)의 외벽(262)에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어 올릴 때 스핀 헤드(340)가 하우징(200)의 상부로 돌출되도록 하우징(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(220, 240, 260)으로 유입될 수 있도록 하우징(200)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(360)은 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 3은 처리액 분사 유닛(380)을 상부에서 바라본 도면이다. 처리액 분사유닛(380)은 기판(W)을 세정처리 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 지지축(386), 구동기(388), 노즐 지지대(382), 그리고 처리액 노즐(384)을 가진다. 지지축(386)은 하우징(200)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 처리액 노즐(384)은 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 예컨대, 처리액은 황산(H2SO4) 및 과산화수소(H2O2)을 포함하는 혼합유체일 수 있다.
도 4는 처리액 노즐(384)을 저면에서 바라본 도면이다. 도 5는 처리액 노즐(384)의 토출홀을 보여주는 도면이다. 도 6 은 일 실시예에 따른 도 5의 처리액 노즐(384)이 처리액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 7은 일 실시예에 따른 도 5의 처리액 노즐(384)이 처리액을 토출하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 8은 처리액 노즐(384)이 기판(W) 상으로 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 처리액 노즐(384)은 바 형상으로 제공된다. 일 예로, 처리액 노즐(384)은 기판(W)의 장변의 길이의 반 내지 장변의 길이를 갖는 바 형상으로 제공된다. 처리액 노즐(384)은 그 길이 방향을 따라 배열되는 복수 열의 토출구들을 가진다. 각 열의 토출구들은 서로 다른 방향으로 처리액을 분사한다. 일 예로, 처리액 노즐(384)은 이열로 제공되는 복수 개의 제 1 토출구(385a) 및 제 2 토출구(385b)를 가진다. 제 1 토출구(385a)들은 제 일측을 향해 처리액을 하향 경사지게 분사하는 제 1 토출홀()을 가진다. 제 2 토출구(385b)들은 제 이측을 향해 처리액을 하향 경사지게 분사하는 제 2 토출홀()을 가진다. 일 예로, 제 일측은 처리액 노즐(384)의 일 외측을 향하는 방향이고, 제 이측은 처리액 노즐(384)의 타 외측을 향하는 방향이다. 제 1 토출구(385a)들과 제 2 토출구(385b)들은 서로 일직선에서 벗어나게 배열된다. 일 예로, 상부에서 바라볼 때, 제 1 토출구(385a)들과 제 2 토출구(385b)들은 지그재그 형상으로 배열될 수 있다. 처리액 노즐(384)은 처리액을 복수 개의 토출구들이 서로 상이한 방향으로 토출하여, 액적 간의 뭉침 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 전 영역에 균일하게 처리액이 공급될 수 있다. 또한, 기판(W)이 저속으로 회전되며 공정 진행하는 경우에도, 처리액 노즐(384)은 기판(W) 상으로 경사지게 처리액을 공급하여 처리액이 가장자리 영역까지 도달할 수 있다. 또한, 처리액을 기판에 대해 경사지게 도포하여, 기판의 충격량을 감속시킬 수 있다. 또한, 기판(W) 상의 파티클 등의 이물질이 처리액 노즐(384)에 의해 가장자리 영역으로 이동되며 세정될 수 있다.
처리액 노즐(384)은 처리액 노즐(384)은 제 1 영역(384a) 및 제 2 영역(384b)을 가진다. 제 1 영역(384a)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 중앙부에 대응되는 영역이다. 제 2 영역(384b)은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 가장자리 영역에 대응되는 영역이다. 처리액 노즐(384)은 제 1 영역(384a)을 중심으로 회전 운동할 수 있다. 제 1 영역(384a)에 배치되는 제 1 토출구(385a) 및 제 2 토출구(385b)는 제 2 영역(384b)에 배치되는 제 1 토출구(385a) 및 제 2 토출구(385b)보다 그 개수가 적게 제공된다. 선택적으로, 제 1 영역(384a)에 배치되는 제 1 토출구(385a) 및 제 2 토출구(385b)는 제 2 영역(384b)에 배치되는 제 1 토출구(385a) 및 제 2 토출구(385b)보다 그 간격이 넓게 제공된다. 따라, 기판(W)의 중앙 영역에 처리액이 편중되지 않고 전 영역에 균일하게 도포할 수 있다.
선택적으로, 도 7과 같이, 처리액 노즐(384)은 제 3 토출구(385c)를 더 포함할 수 있다. 제 3 토출구(385c)는 제 2 영역(384b)의 단부에 형성될 수 있다. 제 3 토출구(385c)는 제 일측 및 제 2 측과 상이한 제 삼측을 향해 처리액을 분사하는 제 3 토출홀(386c)을 가질 수 있다. 일 예로, 제 삼측은 처리액 노즐(384)의 또 다른 타측을 향하는 방향일 수 있다. 선택적으로, 처리액 노즐(384)은 이열이 아닌 상이한 복수 개의 열의 토출구들을 가질 수 있다.
선택적으로, 처리액 분사유닛(380)은 복수 개로 제공될 수 있으며, 이 때, 서로 상이한 종류의 처리액을 분사할 수 있다. 일 예로, 처리액 분사유닛(380)은 린스액을 분사하는 린스액 분사유(390)닛 및 건조유체를 분사하는 건조유체 분사유닛(395)을 포함할 수 있다. 린스액 분사유닛(390) 및 건조유체 분사유닛(395)은 처리액 분사유닛(380)과 동일한 구성으로 제공된다. 따라서 린스액 분사유닛(390) 및 건조유체 분사유닛(395)에 대한 상세한 설명은 생략한다. 예컨대, 린스액분사유닛(390)의 린스액노즐이 분사하는 린스액은 순수일 수 있다. 건조유체 분사유닛(395)의 건조유체 노즐이 분사하는 건조유체는 이소프로필알코올액(IPA)일 수 있다.
이상의 본 실시예에서는, 기판 상에 처리액을 도포하여 세정하는 공정을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 본 공정에 국한되는 것이 아닌 회전하는 기판 상에 처리액을 제공하여 진행되는 다양한 공정에도 적용될 수 있다. 또한 하우징(200)은 복수 개의 회수통(220,240,260)을 가지고, 각각의 회수통(220,240,260)이 스핀헤드(340)를 감싸도록 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 하우징(200)은 외부회수통(260)으로 제공될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
200: 하우징 340: 스핀헤드
380: 처리액 분사유닛 384: 처리액 노즐

Claims (18)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징;
    상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
    상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 바 형상의 처리액 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되,
    상기 처리액 노즐은 그 길이 방향을 따라 배열되는 복수 열의 토출구들을 갖되, 각 열의 상기 토출구들은 서로 다른 방향으로 상기 처리액을 분사하는 토출홀을 포함하며,
    상기 처리액 노즐은 상부에서 바라볼 때,
    상기 기판의 중앙부에 대향되는 제 1 영역; 및 상기 기판의 가장자리 영역에 대향되는 제 2 영역을 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 토출구들은 이열로 제공되는 복수 개의 제 1 토출구 및 복수 개의 제 2 토출구를 포함하고, 상기 제 1 토출구들은 제 일측을 향해 상기 처리액을 하향 경사지게 분사하고 상기 제 2 토출구들은 제 이측을 향해 상기 처리액을 하향 경사지게 분사하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 일측은 상기 처리액 노즐의 일 외측을 향하는 방향이고, 상기 제 이측은 상기 처리액 노즐의 타 외측을 향하는 방향인 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 상기 제 1 영역을 중심으로 회전 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 토출구들과 상기 제 2 토출구들은 서로 일직선에서 벗어나게 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 상기 2 영역의 단부에 형성되는 제 3 토출구를 더 포함하고,
    상기 제 3 토출구는 상기 제 일측 및 상기 제 이측과 상이한 제 삼측을 향해 상기 처리액을 분사하는 제 3 토출홀을 갖는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구는, 상기 제 2 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구보다 그 개수가 적게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구는, 상기 제 2 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구보다 그 간격이 넓게 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 스핀헤드 상에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 바 형상의 처리액 노즐에 있어서, 상기 처리액 노즐은 그 길이 방향을 따라 배열되는 복수 열의 토출구들을 갖되, 각 열의 상기 토출구들은 서로 다른 방향으로 상기 처리액을 분사하는 토출홀을 포함하고,
    상기 처리액 노즐은 상부에서 바라볼 때,
    상기 기판의 중앙부에 대향되는 제 1 영역; 및 상기 기판의 가장자리 영역에 대향되는 제 2 영역을 갖는 처리액 노즐.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 토출구들은 이열로 제공되는 복수 개의 제 1 토출구 및 복수 개의 제 2 토출구를 포함하고, 상기 제 1 토출구들은 제 일측을 향해 상기 처리액을 하향 경사지게 분사하고 상기 제 2 토출구들은 제 이측을 향해 상기 처리액을 하향 경사지게 분사하는 처리액 노즐.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 일측은 상기 처리액 노즐의 일 외측을 향하는 방향이고, 상기 제 이측은 상기 처리액 노즐의 타 외측을 향하는 방향인 처리액 노즐.
  13. 삭제
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 상기 제 1 영역을 중심으로 회전 가능하게 제공되는 처리액 노즐.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 토출구들과 상기 제 2 토출구들은 서로 일직선에서 벗어나게 형성되는 처리액 노즐.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은 상기 2 영역의 단부에 형성되는 제 3 토출구를 더 포함하고,
    상기 제 3 토출구는 상기 제 일측 및 상기 제 이측과 상이한 제 삼측을 향해 상기 처리액을 분사하는 처리액 노즐.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구는, 상기 제 2 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구보다 그 개수가 적게 제공되는 처리액 노즐.
  18. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구는, 상기 제 2 영역에 배치되는 상기 제 1 토출구 및 상기 제 2 토출구보다 그 간격이 넓게 제공되는 처리액 노즐.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP5836906B2 (ja) * 2012-04-26 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894888B1 (ko) * 2002-12-16 2009-04-30 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 회전식 분배 아암을 갖는 액체 분배용 장치 및 액체 분배방법

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