JPH08202051A - フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法Info
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- JPH08202051A JPH08202051A JP1064795A JP1064795A JPH08202051A JP H08202051 A JPH08202051 A JP H08202051A JP 1064795 A JP1064795 A JP 1064795A JP 1064795 A JP1064795 A JP 1064795A JP H08202051 A JPH08202051 A JP H08202051A
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- stripping
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- peeling
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路の製造工程におけるフォトレジ
スト膜、レジスト層、レジスト残渣物等を低温でかつ短
時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水の
みでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供す
る。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜５
０重量％、酸アミドを１〜３０重量％、糖類または糖ア
ルコール類を０．５〜１５重量％を含み、残部が水であ
るフォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いる
剥離方法。
スト膜、レジスト層、レジスト残渣物等を低温でかつ短
時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水の
みでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供す
る。 【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルア
ミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜５
０重量％、酸アミドを１〜３０重量％、糖類または糖ア
ルコール類を０．５〜１５重量％を含み、残部が水であ
るフォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いる
剥離方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物およびフォトレジスト剥離方法に関するものであ
る。
程においてフォトレジスト層を剥離するための剥離剤組
成物およびフォトレジスト剥離方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、無機質基体上にフォ
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体から
剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した
後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無機
質基体から剥離する方法によって製造される。
トレジストを塗布し、露光・現像によりパターンを形成
し、次いで該フォトレジストパターンをマスクとし、非
マスク領域の無機質基体をエッチングを行い、微細回路
を形成した後、上記フォトレジスト膜を無機質基体から
剥離する方法、あるいは同様にして微細回路を形成した
後、アッシングを行い、残存するレジスト残渣物を無機
質基体から剥離する方法によって製造される。
【０００３】従来、これら方法のフォトレジスト用の剥
離液としては酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類からなる剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離液は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
離液としては酸性剥離剤とアルカリ剥離剤とが一般的に
使用されている。酸性剥離剤としては、例えばベンゼン
スルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸
等のアリールスルホン酸類、フェノール類及び塩素系有
機溶剤からなる剥離剤（米国特許３，５８２，４０１
号）、ナフタレン等の芳香族炭化水素類、フェノール
類、及びアリールスルホン酸類からなる剥離剤（特開昭
６２−３５３５７号）等が挙げられる。これらの酸性剥
離液は剥離力が弱く、また微細配線加工の配線材料に多
用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作用が強いの
で、近年の寸法精度が厳しい微細加工には好ましくな
い。またこれらの酸性剥離液は、水に対する溶解度が低
いため、フォトレジスト剥離の後にアルコールのような
有機溶剤でリンスし、次いで水洗を行う必要があり、工
程が煩雑になる等の問題を有している。
【０００４】一方、アルカリ性剥離液はアルカノールア
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルからなる剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物からなる剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離液の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
ミンまたはポリアルキレンポリアミンのエチレンオキサ
イド付加物、スルホン化合物及びグリコールモノアルキ
ルエーテルからなる剥離剤（特開昭６２−４９３５５
号）、ジメチルスルホキシドを主成分とし、ジエチレン
グリコールモノアルキルエーテル及び含窒素有機ヒドロ
キシ化合物からなる剥離剤（特開昭６４−４２６５３
号）等が挙げられる。しかしながら上記のアルカリ性剥
離剤は、使用時に吸湿した水分によりアミンが解離して
アルカリ性を呈し、剥離の後にアルコール等の有機溶剤
を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ
性を呈する。またアルカリ性剥離剤は微細配線加工の配
線材料に多用されるアルミニウム、銅等に対する腐食作
用が強く、近年寸法精度が厳しい超微細配線の加工には
好ましくない。更にアルカリ性剥離剤はフォトレジスト
剥離の後にアルコール等の有機溶剤によるリンスが必要
で、酸性剥離液の場合と同様、工程が複雑になる等の問
題を有している。
【０００５】更に近年、配線工程における超微細化に伴
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従って以上の様な問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等の剥離が容
易で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤
が要求されている。
い、配線材料のエッチング条件が厳しくなり、使用した
フォトレジストが変質する傾向にあり、先に述べた酸性
剥離液、あるいはアルカリ性剥離液では剥離性が弱く、
フォトレジストが無機質基体上に残存するという問題が
生じている。従って以上の様な問題を防止するために、
レジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等の剥離が容
易で、しかもその際配線材料を腐食しないような剥離剤
が要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食しないために超微細加工が可能であ
り、さらにリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を
使用する必要がなく、水のみでリンスすることができ、
高精度の回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥
離剤組成物を提供することである。
技術における上記の如き剥離剤の問題点を解決し、無機
質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質
基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチン
グ後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッ
チング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残
渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際
配線材料を全く腐食しないために超微細加工が可能であ
り、さらにリンス液としてアルコールの様な有機溶媒を
使用する必要がなく、水のみでリンスすることができ、
高精度の回路配線を製造できるようなフォトレジスト剥
離剤組成物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、酸アミド類、さらには糖類ま
たは糖アルコール類を含む水溶液からなる剥離剤組成物
が、無機質期体に塗布されたフォトレジスト膜、または
無機質期体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエ
ッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドラ
イエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジ
スト残渣物等を、低温でかつ短時間で容易に剥離できる
こと、さらに該剥離剤組成物が配線材料を全く腐食しな
い非腐食性と作業の簡便性を備えた極めて優れた特性を
有することを見い出し本発明を成すに至った。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、アルカノールア
ミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシ
アルカノールアミン類と、酸アミド類、さらには糖類ま
たは糖アルコール類を含む水溶液からなる剥離剤組成物
が、無機質期体に塗布されたフォトレジスト膜、または
無機質期体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエ
ッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドラ
イエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジ
スト残渣物等を、低温でかつ短時間で容易に剥離できる
こと、さらに該剥離剤組成物が配線材料を全く腐食しな
い非腐食性と作業の簡便性を備えた極めて優れた特性を
有することを見い出し本発明を成すに至った。
【０００８】即ち本発明は、一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 およびＲ2 は水素原子、炭素数１〜４
のアルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類を５〜５０重量％、酸アミド類を１〜３０重量％、糖
類または糖アルコール類を０．５〜１５重量％を含み、
残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤
組成物である。
Ｈ2mＯＲ3 （Ｒ1 およびＲ2 は水素原子、炭素数１〜４
のアルキル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原
子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４
の整数）で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類を５〜５０重量％、酸アミド類を１〜３０重量％、糖
類または糖アルコール類を０．５〜１５重量％を含み、
残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤
組成物である。
【０００９】本発明において一般式Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm Ｈ
2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類としては、例えば、エタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノ
ールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロパノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミン、Ｎ
−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロパ
ノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−エトキ
シエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エ
トキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エ
タノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール、
２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロ
パノール等が挙げられる。上記アルカノールアミン類、
アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカノール
アミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノー
ルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が
好ましい。これらのアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類は全溶液中５〜５０重量％であり、好ましくは１０〜
４０重量％である。アルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類の濃度が該範囲より低い場合にはフォトレジストの剥
離速度が遅く、またこの濃度が該範囲よりも高い場合に
は配線材料の腐食を防止できない。
2mＯＲ3 で表されるアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類としては、例えば、エタノールアミン、Ｎ−メチルエ
タノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノ
ールアミン、プロパノールアミン、Ｎ−メチルプロパノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミン、Ｎ
−エチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロパ
ノールアミン、２−メトキシエチルアミン、２−エトキ
シエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、３−エ
トキシプロピルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エ
タノール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール、
２−アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロ
パノール等が挙げられる。上記アルカノールアミン類、
アルコキシアルキルアミン類、アルコキシアルカノール
アミン類の中でエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノー
ルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が
好ましい。これらのアルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類は全溶液中５〜５０重量％であり、好ましくは１０〜
４０重量％である。アルカノールアミン類、アルコキシ
アルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類の濃度が該範囲より低い場合にはフォトレジストの剥
離速度が遅く、またこの濃度が該範囲よりも高い場合に
は配線材料の腐食を防止できない。
【００１０】本発明で使用される酸アミド類としては、
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルホルムアミド等のホルムアミド類、アセトアミ
ド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
アセトアミド等のアセトアミド類、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−プロピルピロリドン、
Ｎ−ブチルピロリドン等のピロリドン類が挙げられる。
この酸アミドの使用量は全溶液中１〜３０重量％であ
り、好ましくは５〜３０重量％の濃度の範囲で使用され
る。酸アミドが該濃度範囲より低い場合には配線材料の
腐食が進行し、また該濃度範囲より高い場合にはフォト
レジストの剥離速度が低下する。
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルホルムアミド等のホルムアミド類、アセトアミ
ド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
アセトアミド等のアセトアミド類、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−プロピルピロリドン、
Ｎ−ブチルピロリドン等のピロリドン類が挙げられる。
この酸アミドの使用量は全溶液中１〜３０重量％であ
り、好ましくは５〜３０重量％の濃度の範囲で使用され
る。酸アミドが該濃度範囲より低い場合には配線材料の
腐食が進行し、また該濃度範囲より高い場合にはフォト
レジストの剥離速度が低下する。
【００１１】次に本発明において使用される糖類または
糖アルコールとしては、単糖類、多糖類等の糖類、具体
的には例えば、炭素数３〜６のグリセリンアルデヒド、
トレオース、アラビノース、キシロース、リボース、リ
ブロース、キシルロース、グルコース、マンノース、ガ
ラクトース、タガトース、アロース、アルトロース、グ
ロース、イドース、タロース、ソルボース、プシコー
ス、果糖、等が挙げられる。また糖アルコールとして
は、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、タリトール、ソルビトー
ル、マンニトール、イジトール、ズルシトールなどが挙
げられる。これらのうち、グルコース、マンノース、ガ
ラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトー
ル等が溶解性あるいは分解性などの点から好適である。
これら糖類または糖アルコールは全溶液中０．１〜１５
重量％、好ましくは１〜１０重量％の濃度範囲で使用さ
れ、糖類または糖アルコールが該濃度範囲より低い場合
には配線材料の腐食を充分に防止できない。一方、該濃
度範囲よりも高くても格別な利点はなく、経済的な面か
ら得策でない。
糖アルコールとしては、単糖類、多糖類等の糖類、具体
的には例えば、炭素数３〜６のグリセリンアルデヒド、
トレオース、アラビノース、キシロース、リボース、リ
ブロース、キシルロース、グルコース、マンノース、ガ
ラクトース、タガトース、アロース、アルトロース、グ
ロース、イドース、タロース、ソルボース、プシコー
ス、果糖、等が挙げられる。また糖アルコールとして
は、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、タリトール、ソルビトー
ル、マンニトール、イジトール、ズルシトールなどが挙
げられる。これらのうち、グルコース、マンノース、ガ
ラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトー
ル等が溶解性あるいは分解性などの点から好適である。
これら糖類または糖アルコールは全溶液中０．１〜１５
重量％、好ましくは１〜１０重量％の濃度範囲で使用さ
れ、糖類または糖アルコールが該濃度範囲より低い場合
には配線材料の腐食を充分に防止できない。一方、該濃
度範囲よりも高くても格別な利点はなく、経済的な面か
ら得策でない。
【００１２】本発明に使用される無機質基体としては、
シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステ
ン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線材料ある
いはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リ
ン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使
用される。本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
等を剥離する際に用いられ、これらの剥離を行う際に
は、必要に応じて適宜加熱あるいは超音波等を併用する
ことができる。また本発明に係る剥離剤による処理方法
は、浸漬法が一般的であるが、その他の方法、例えばス
プレーによる方法を使用しても良い。本発明による剥離
剤の処理後のリンスとしては、アルコールの様な有機溶
媒を使用する必要はなく、水でリンスするだけで充分で
ある。
シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タングステ
ン、窒化チタン、タングステン等の半導体配線材料ある
いはガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リ
ン等の化合物半導体、さらにＬＣＤのガラス基板等が使
用される。本発明のフォトレジスト剥離剤は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
等を剥離する際に用いられ、これらの剥離を行う際に
は、必要に応じて適宜加熱あるいは超音波等を併用する
ことができる。また本発明に係る剥離剤による処理方法
は、浸漬法が一般的であるが、その他の方法、例えばス
プレーによる方法を使用しても良い。本発明による剥離
剤の処理後のリンスとしては、アルコールの様な有機溶
媒を使用する必要はなく、水でリンスするだけで充分で
ある。
【００１３】
【実施例】次に実施例および比較例により本発明を更に
具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により
制限されるものではない。なお各実施例および比較例に
おけるＳＥＭ観察による判断基準は次の通りである。 （剥離性） ◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性） ◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
具体的に説明する。但し本発明はこれらの実施例により
制限されるものではない。なお各実施例および比較例に
おけるＳＥＭ観察による判断基準は次の通りである。 （剥離性） ◎：完全に除去された。 △：一部残存物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性） ◎：腐食は全く認められなかった。 △：一部腐食が認められた。 ×：激しい腐食が認められた。
【００１４】実施例１〜９、比較例１〜４ 図−１はレジスト膜４をマクスとしてドライエッチング
を行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の
断面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２
に被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護
膜５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す
組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスし
て乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジ
スト膜４および残渣物５の剥離性と、アルミニム配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表１に示す。
を行い、アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の
断面を示す。図１において半導体装置基板１は酸化膜２
に被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護
膜５が形成されている。図１の半導体装置を表１に示す
組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水でリンスし
て乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。レジ
スト膜４および残渣物５の剥離性と、アルミニム配線体
３の腐食性について評価を行った結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例１０〜１５、比較例５〜８ 図２は実施例１で用いた半導体装置を、酸素プラズマを
用いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４
を除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては
残渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは、除
去されず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中
心に対して開くように変形されているだけである。図２
のレジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２
表に示す組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水で
リンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残査物５の剥離性およびアルミニウム配線体３の腐
食性についての評価を行った結果を表２に示す。
用いてレジストアッシングを行い、図１のレジスト膜４
を除去した半導体装置の断面図を示す。図２においては
残渣物（側壁保護堆積膜）５は酸素系プラズマでは、除
去されず、残渣物５の上側はアルミニウム配線体３の中
心に対して開くように変形されているだけである。図２
のレジストアッシングを行った後の半導体装置を、第２
表に示す組成の剥離剤に所定時間浸漬した後、超純水で
リンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。残査物５の剥離性およびアルミニウム配線体３の腐
食性についての評価を行った結果を表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。すな
わち本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、さらにドライエッチング
後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物等
を無機質基体に損傷を全く与えることなく、容易にフォ
トレジスト剥離することができる。従って本発明のフォ
トレジスト剥離剤組成物は、高精度の加工が要求される
電子材料分野全般において好適に用いることができる。
使用することにより、無機質基体上に塗布されたフォト
レジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレ
ジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジス
ト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い
残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間
に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超
微細加工が可能であり、更にリンス液としてアルコール
の様な有機溶媒を使用する必要がなく、水のみでリンス
することができ、高精度の回路配線を製造できる。すな
わち本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、無機質基
体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後
に残存するフォトレジスト層、さらにドライエッチング
後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物等
を無機質基体に損傷を全く与えることなく、容易にフォ
トレジスト剥離することができる。従って本発明のフォ
トレジスト剥離剤組成物は、高精度の加工が要求される
電子材料分野全般において好適に用いることができる。
【図１】断面図 レジスト膜４をマスクとしてドライエッチングを行い、
アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断面を示
す。
アルミニウム配線体３を形成した半導体装置の断面を示
す。
【図２】断面図 図１の半導体装置を酸素プラズマを用いてレジストアッ
シングを行い、図１のレジスト膜４を除去した半導体装
置の断面図を示す。
シングを行い、図１のレジスト膜４を除去した半導体装
置の断面図を示す。
１：半導体装置基板 ２：酸化膜 ３：アルミニウム配線体 ４：レジスト膜 ５：残渣物（側壁保護堆積膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 英俊 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式 Ｒ1 Ｒ2 −ＮＣm Ｈ2mＯＲ
3 （Ｒ1 およびＲ2 は水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基またはヒドロキシエチル基、Ｒ3 は水素原子、炭素
数１〜４のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシ
エチル基またはエトキシエチル基、m は２〜４の整数）
で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアルキル
アミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を５〜
５０重量％、酸アミド類を１〜３０重量％、糖類または
糖アルコール類を０．５〜１５重量％を含み、残部が水
であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載された剥離剤組成物を用
いてフォトレジストを剥離することを特徴とするフォト
レジスト剥離方法。 - 【請求項３】 無機質基体上に塗布されたフォトレジス
ト膜を請求項１に記載された剥離剤組成物を用いて剥離
する請求項２記載のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項４】 無機質基体上にフォトレジスト膜を用い
てマスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層を、請求項１に
記載された剥離剤組成物を用いて剥離する請求項２記載
のフォトレジスト剥離方法。 - 【請求項５】 無機質基体上にフォトレジスト膜を用い
てマスク形成を行い、非マスク領域をドライエッチング
し、マスク形成されたフォトレジスト層をさらにアッシ
ングを行い、残存するフォトレジスト残渣を、請求項１
に記載された剥離剤組成物を用いて剥離する請求項２記
載のフォトレジスト剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064795A JPH08202051A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064795A JPH08202051A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08202051A true JPH08202051A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11756021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064795A Pending JPH08202051A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08202051A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012469A (en) * | 1997-09-17 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean |
| SG82677A1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Resist stripping agent and process of producing semiconductor devices using the same |
| KR100335484B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2002-05-04 | 윤종용 | 알콕시 ｎ-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| JP2012113101A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP1064795A patent/JPH08202051A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6012469A (en) * | 1997-09-17 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean |
| US6192899B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Etch residue clean with aqueous HF/organic solution |
| KR100335484B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2002-05-04 | 윤종용 | 알콕시 ｎ-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
| SG82677A1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Resist stripping agent and process of producing semiconductor devices using the same |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| JP2012113101A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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