TWI242811B - Cleaning solution and method for selectively removing layers in a silicidation process - Google Patents

Cleaning solution and method for selectively removing layers in a silicidation process Download PDF

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Description

1242811 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致有關於在半導俨奘 、 f v奴衣置中移除不良層的方法， 且尤其有關於一種移除矽化製 ^, 衣担宁形成的不良層之溶液及 万法。 【先前技術】 習知的半導體製程包括在基板，微影製程等中形成一絕 緣^及-導電層，微影製程包括：在待定圖案的底層上形 、光p圖案，將光阻圖案曝露的層姓刻’及接著移除光 P圖案&外’可以從待蝕刻的底層與蝕刻氣體之間的反 應而產生有機物或聚合物，4常可用氧電襞灰化及硫帶製 程而移除有機物或聚合物。 •、的操作速度舆源極/汲極區域的電阻有密切關係，因 ^ 3加裳置的無作速度而使用金屬石夕化製程以形成半 導版羞置，矽化製程包括形成矽化鈷層，其具有的電阻小 於石夕的雷阳，# θ i &夕疋在預設溫度下由鈷與矽之間的反應而 產生在石夕化製程’在不移除矽化鈷層之下應該移除未反 應話。 此外在智知話石夕化製程中形成一氮化鈦層，以防止在矽 化衣中銘的氧化及矽化層的堆積，因此形成矽化層之後 應該移除氮化鈦層。 #未移除該等層’該等層會成為污染源而導致相鄰導體 的電氣短路。 11 $在石夕化製程中藉由混合溶液包括雙氧水（h2o2)，即
O:\89\89760 D〇C 1242811 強氧：劑而移除未反應金屬層及氮化鈦層。 同才由方:以經潸的觀點來看’半導體裝置是高度積體化 的，所以習知多a々 ， 夕日日矽閘極不能滿足正常操作速度及閘極板 狀電㈣徵的需求。因此—金屬層如制（其具有比多晶石夕 曰氐，包阻係數)堆積在多晶矽閘極上以形成金屬閘極。因 此不此钱刻（或移除）低電阻的鎢閘，此外清洗溶液也不該钱 刻含鎢的金屬線（如字線或位元線）。 相反的1化製程中常用的雙氧水可㈣僞，因此使用 習知雙氧水不能製造出高速裝置。 因此由於高度裝置的需求增加，所以極需要-種新清洗 溶液’其能在不移除金屬層（如石夕化钻層或鶴層）之下，選擇 性移除金屬層如氮化鈦層及鈷層。 【發明内容】 本發明的-特點是提供-種清洗溶液可以在石夕化製程中 選擇性糝除一氮化鈦層及一未反應金屬層，及一種使用相 同清洗溶液而移除氮化鈦層及未反應金屬層的方法。 本發明的另一特點是提供一種清洗溶 稭由在一矽化 衣程施以鎢閘製程，於不移除鎢及矽化厣 曰心卜，選擇性移 除氮化鈦及未反應金屬㉟’及―種使用相同清洗溶液 除該等層的方法。 本發明的又一特點是提供一種清洗溶液， 選 用 在石夕化製程中 擇性移除金屬層及也移除一光阻層及有 令機物，及一種使 相同清洗溶液的移除層的方法。 根據本發明的至少-實例’清洗溶液包括—酸性溶液及
O:\89\89760 DOC 1242811 一含埃氣健卜清洗職又可增㈣性溶夜及 :雄乳化』之♦ 牛度’因阳提高氧化劍及酸性溶液的清洗 力在典土貝例中，清洗溶液約含有至多％重量ο,。的量 ，而含蛾氧化劑含有的埃量是〇〇〇3至1〇重4%，酸性㈣ 包括硫酸，碟酸及其混合物，含蛾氧化劑包括至少一峨酸 鹽如 KI〇3 ’ NH4l〇3 ’ LlI〇3，CaI〇3，Bai〇3。若清洗溶液包 括水，則含蛾氧化劑除了埃酸鹽之外可更包括κι,ΝΗ4ί及其 混合物，亦即，含蛾氧化劑包括從κι〇3 ,題41〇3，L叫 ’ CaI〇3 ’ BaI〇3，KI，NH4l組成之群中選出至少一者，若 用硫酸作為酸性溶液，則硫酸濃度約為至少。 酸性溶液及切氧化劑可有效移除氮化鈦及钻，及也移 除一光阻層及有機物。相反的’酸性溶液及含峨氧化劑不 I虫刻石夕化钻層及鎢’含峨氧化劑與金屬石夕化物層之石夕起反 應以在其上形成氧化石夕（sl0x)作為一純化層，氧化石夕層對 於硫酸有.極強的抗酸性，因此可保護金屬石夕化物層，此外 ’含碘氧化，與鶴反應而在其上形成一鈍化層如三氧化鶴 (W03)’三氧化鶴鈍化層在酸性溶液中是極穩定層，因此可 防止鶴受到腐钱。 清洗溶液的清洗力與溫度成正比，如可以在約12(rc室溫 的溫度範圍中作清洗，清洗溶液的清洗力也與加入的水量 成正比，加入清洗溶液的水量約為至多30重量。/〇。 -種根據本發明實例的選擇性移除一金屬層的方法包括 以下步驟··在一石夕基板上形成_電晶體，電晶體包括源極/ >及極區及，形成料層之金屬層形成在曝露基板上
Ο \89\89760 DOC 1242811 ’-氮化鈦層形成在金屬μ ’執行―⑦化熱製程俾將石夕 與金屬層起反應，亦即，曝露源極/汲極區之矽及與其直接 接觸之金屬層互相反應以形成一金屬矽化物層，使用一清 洗溶液可移除不參與梦化反應之未反應金屬層及氮化欽層月 ’在此例’清洗溶液包括一酸性溶液及一含碘氧化劑，較 :的’清洗溶液更包括水，清洗溶液包括約至多30重量％ S的水’而含埃氧化劑含有的蛾量是〇.〇〇3至1〇重量％。 形成電晶體之方法的典型實例包括以下步驟。 aa 厂甲]絕緣層 久一卓盍氮化層循 序形成在石夕基板上’一光阻圖案形成在罩蓋氮化層上，及 使用光阻圖案作為一㈣光罩，將在其下形成之層連續敍 刻下形成閘極’接著移除光阻圖t，藉由執行一離子植入 製程而在問極二側之石夕基板中形成源極/汲極區，及在間極 之側壁上形成氮化間隔層。在此例，使用清洗溶液可移除 先阻圖案.，金屬層包括鈷’鈦及鎳其中至少一者。 根據上述方法’清洗溶液不敍刻一金屬石夕化物層及嫣， …组成-低電阻難’但選擇性姓刻一氮化鈦層及一未反 應金屬層，因此可以將一石夕化 I %及一鎢金屬閘製程一起 便用。 :一閘絕緣層及一 ’一光阻圖案形成 钱刻光罩，將在其 ’接著移除光阻圖 二側之矽基板中形 形成電晶體的方法實例包括以下步驟 夕BB矽層，一鎢層循序形成在矽基板上 在多晶發層上，及使用光阻圖案作為— 下形成之層藉由一連續蝕刻而形成閘極 案，藉由執行一離子植入製程而在問極
O:\89\89760.DOC !242811 成源極/沒極區’在開極之側壁上形成氮化間隔層。藉由一 石夕化熱處理而在源極/沒極區t形成金屬續化物層時，也在 閉極之上方部分之多晶石夕上形成—金屬石夕化物層，因此本 發明適用於CMOS電晶體’其使用雙多晶石夕間，雙多晶石夕間 是藉由將P型雜質植入PM0S及將n型雜質植入nm〇s而形 成在此例，使用清洗溶液可移除光阻圖案。 【貫施方式】 以下將蒼考附圖以更詳細說明本發明，#中顯示本發明 的較佳實 <列，惟本發明可以在許多不同形式中實作，所以 不省解釋為本务明僅限於這些實例，相反的，提供這些實 例以使本發明更透徹及完整，且將本發明的範圍完全表達 給一般熟於此技術者，在圖中，為了明晰已將層及區域的 厚度加大，也該了解當提及一層在另一層或基板上時，它 可直接在其他層或基板上，或是也可出現中間層。 圖1示噫的說明一基板u，其含有：層13其不該被蝕刻（ 或移除），及層1 5其形成在上面且應該被選擇性蝕刻（或移除 )。不該姓刻的層1 3是未被本發明清洗溶液蝕刻的任一層。 例如層1 3包括鎢或金屬矽化物。然而層丨5包括例如氮化鈦 ’録’有機物或光阻層材料。 中間層可插入基板11與未蝕刻層丨3之間，及在未蝕刻層 13與蝕刻層15之間。 參考圖2 ’根據本發明的實例而使用清洗溶液，只有應該 被姓刻的層15在適當溫度下被選擇性蝕刻。清洗溶液包括 一酸性溶液及一含碘（I)氧化劑。硫酸，磷酸，其混合物等
O:\89\89760.DOC -10- 1242811 可作為酸性溶液使用。含峨氧化劑包括從κΙ〇3 ’ NH4l〇3 ’ iI〇3 CalOj BaI03，Kl，NH4I等組成之群中選出至少一 者。 ’月洗岭液更包括水以提高酸性溶液及含碘氧化劑的清洗 力。水可增加酸性溶液及含峨氧化劑的溶解度。因此加入 的水與清洗溶液的清洗力成正比。清洗溶液可包括約至多 3〇重篁％的水。清洗溶液包括約含〇〇〇3至1〇重量％的含埃 氧化劑。 清洗時間與溫度成反比，亦即清洗力與溫度成正比。可 以在約120 c室溫下作清洗。惟依處理，可改變處理條件， 而這是熟於該技藝者可了解的。 圖3至6的剖面圖顯示在半導體製程的矽化製程中選擇性 移除不良層的步驟。 在圖3,設置一基板31其包括含矽的傳導圖案35。不含矽 的層33又.插入矽圖案35與基板31之間。形成含矽的傳導圖 案35其在未含；ε夕的層33表面上具有任一形狀。傳導圖案35 可形成在層33中。在傳導圖案35形成在層33的例子中，石夕 傳導圖案35僅在其上表面曝露。此外，另一層如絕緣層更 可形成在石夕傳導圖案3 5的二側壁上。在此例，石夕傳導圖案 35僅在其上表面曝路。在上述任一例，曝露的石夕傳導圖宰 3 5及直接在上面接觸的金屬層，互相反應以形成石夕化層。 接著在後續製程中藉由連線而電氣連接該形成的石夕化層。 參考圖4，金屬層37及氮化鈦層39循序形成在未含石夕的層 33上，以覆蓋矽傳導圖案35，金屬層37可由鈷，鈦，錄等 O:\89\89760.DOC -11 - 1242811 形成。 參考圖5 ’執行⑦化熱處理以便在曝露的料導圖案μ 上形成金屬石夕化物層41 ’在此例，金屬層37a(其形成在不 含矽的層3 3上）未回應矽化反應。 清洗溶液可料氮化鈦39及未反應金屬層37a，因此如圖 6所示，可完整的形成含金屬石夕化物層41的傳導圖案& 清洗溶液是混合溶液其包括酸性溶液及 此典型實例中，清洗溶液更包括水，清洗溶液:含;1至J 30重量％的量，此外清洗溶液包括約請3至1()重量％的含 蛾氧化劑，清洗日㈣與溫度成反比，㈣卩，清洗力與溫度 成正比，可以在約12(TC的室溫執行清洗製程。 不含矽的層33更包括一鎢圖案，清洗溶液與鎢圖案反應 以便在其表面上形成薄的三氧化鎢（WOO層，此外，清洗溶 液與金屬石夕化物層41反應以便在其表面上形成薄的氧化石夕 層（Si〇xy作為一鈍化層，藉由保護金屬矽化物層。 移除氮化鈦層3 9及未反應金屬層3 7 a之後，堆疊一絕緣層 (未不）且接著定圖案以形成一開孔以曝露金屬矽化物層4工 的預°又°卩分，接著用傳導材料如金屬填充該開孔以形成金 屬傳‘圖案（或傳導栓），其與矽傳導圖案35電連接。 矽化層插入矽傳導圖案35與金屬傳導圖案（或傳導栓）之 間，以改良矽傳導圖案35的接觸電阻特徵或電阻特徵。 參考圖7至12,將說明根據典型實例以移除不良層的方法。 圖7至12的剖面圖顯示在根據一典型實例的矽化製程中 藉由本發明的清洗溶液，而移除不良層的步驟。為了明晰
0 \89\89760 D0C -12- 1242811 及簡化，圖中僅顯示一電晶體。 茶考圖7、，藉由摻雜雜質而在矽基板100中形成一井，執 二▲置^離製程以形成裝置隔離層120及接著植入通道 離子’因為^置隔離製程是習知所以將省去裝置隔離製程 的。羊細5兄明，連績地，循序形成一閘絕緣層140，一多晶矽 ^ 160 嫣層180 ’及一罩蓋氮化層200，更可在鎢層180 舁夕日日矽層160之間形成一傳導障壁層，鎢層18〇可加速裝 置的細作’傳導障壁層可防止鎢層與多晶矽層之間的反應。 形成光阻層圖案220以便在罩蓋氮化層2〇〇上界定一閘 極，光阻圖案220曝露的底層再蝕刻以形成閘極24〇，其對 應光阻圖案220(11 8) ’移除光阻圖案22()後，植入離子以便 在閘極240二側的基板丨〇〇中形成雜質擴散層26〇，植入的離 子具有與矽基板100相反的傳導型，如若矽基板100是p型， 則植入的離子疋n型，雜質擴散層26〇對應源極/汲極區，可 以用習知.方式移除光阻圖案22〇,如用氧電聚灰化及硫酸帶 製程，此外使用本發明的清洗溶液可移除光阻圖案22〇，以 下將說明清洗溶液。 氮化間隔層280形成在間極24〇的二側壁上，亦即’形成 一氮化矽層且接著蝕刻回以形成氮化間隔層28〇。 參考圖9’執行預清洗後，形成—鈷層3〇〇以形成一矽化 層，執行預清洗以移除石夕基板100的本質氧化層及石夕基板 1⑻的破壞層，如在雙步驟處理中執行預清洗製裎。 亦即，使用ΝΗ4〇Η及Η2〇2的混合物而作第—次處理，及 使用硫酸（HF)而持續執行第二次處理’如固化本質氧化層
O:\89\89760.DOC -13 - 1242811 及基板，同時清洗製程包括使用cf4及02混合氣體的第一次 處理及使用HF的第二次處理。 欽層或錄層可取代钻層3 0 0，可由任何習知方法如；賤擊法 而形成敍層3 0 0。 I考圖10，氮化鈦320形成在鈷層300上，可由任何習知 方法如濺擊法而形成氮化鈦320，形成氮化鈦層320以防止 鈷層3 00的氧化及防止矽化層的堆積。 參考圖11，執行矽化熱製程以使鈷層3〇〇與鈷層300正下 面的石夕基板的石夕（即源極/沒極區260)反應，因而形成一石夕化 始層（CoSid ’結果，因為未直接接觸石夕所以源極/沒極區26〇 以外區域的鈷層300a未反應。 參考圖12，藉由清洗製程而移除氮化鈦層32〇及未反應始 層300a ’該清洗製程利用含酸性溶液及含碘氧化劑的清洗 溶液’如上所述可利用清洗溶液以移除光阻圖案220。 酸性溶·液包括硫酸，磷酸或其混合物，含碘氧化劑包括 以下其中至少之一 KI〇3 , NH4I〇3，LlI〇3，CaI〇3，BaI〇3 ，KI，NHJ等，這只是例子，可使用任何其他含碘氧化劑 ’含蛾氧化劑移除氮化鈦層320及未反應鈷層34〇a，但未移 除（或银刻）矽化鈷層340及鎢層180a其包括閘極24〇,亦即， 含埃氧化劑與矽化鈷層的矽反應以形成薄的氧化層（Si〇x) 如二氧化矽層在矽化鈷層表面上作為一鈍化層，此外，含 峨氧化劑與鎢反應以形成薄的三氧化鎢（w〇3)，其在其表面 上對於酸是穩定的，如同一鈍化層。 清洗溶液包括水，若水加入清洗溶液，則參與移除反應 O:\89\89760 DOC -14- 1242811 的離子會增加，在典 重量0/ 、 q洗溶液的含水量約至多30 重里/〇，而含碘氧化劑的 主 勺為0·0〇3至約10重量。/〇。 >月洗溶液時間與溫度成反 ，如开、— 。 反比/亦即清洗力與溫度成正比 了以在約12 0 C室溫的、、拉痒μ 至/里的，皿度乾圍中作清洗。 更明確地，以下將說明矽 、/ 并穿1 熟處理，百先於適當溫度執 仃弟—熱處理，第一埶處理 …處理形成-中間狀態矽化層其化學 计置地包括幾乎都是單矽 ⑴以·、— 平^化鈷⑷吣^及一些二矽化鈷 (〇Si2)，弟一熱處理後生 — 便用β冼浴液以執行第一清洗製 呈:移=未反應钻層及氮化鈦層，又形成氮化欽層及接著 適田Ζ皿度下執行第二熱處理，第二熱處理形成-低電 ^夕化録層340其化學計量地包括幾乎都是二石夕化钻 =12)’最後’用清洗溶液執行第二清洗製程以移除氮化 鈦層及未反應鈷層。 圖’ 14的剖面圖顯示在根據另一典型實例的矽化製程 ~吏用本♦發明的清洗溶液’而移除不良層的步驟。與上述 方法成對比’含有閘極的傳導材料僅包括多晶彳，問極使 在又閘技術，其摻雜雜質的傳導類型與一通道的傳導類 型相同’該通道在含閘極的多晶矽中，雙閘的優點是可增 強通道的表面功能及產生對稱的低功率操作。 多考θ 1 3簡3之，藉由雜質摻雜而在矽基板丨〇〇中形成 一井，接著藉由裝置隔離製程而形成裝置隔離層12〇，且植 入通道離子，形成多晶矽閘極16〇&其藉由閘絕緣層MM而 ”矽基板1〇〇電絕緣，接著植入離子以形成雜質擴散層26〇 ，形成多晶矽閘極l6〇a的側壁上形成側壁間隔層28〇。
O:\89\89760.DOC -15 - 1242811 接著執行矽化製程，形成金屬層及氮化鈦層以形成矽化 物’金屬層不僅與雜質擴散層26〇直接接觸而且與多晶矽閘 極160a的上面部分的矽直接接觸，執行矽化物熱處理以分 別在雜質擴散區260及閘極160a分別形成金屬矽化物層34〇 及 360。 苓考圖14，以相同於上述方法相同的方式用包括酸性溶 液及含碘氧化劑的清洗溶液移除未反應金屬層及氮化 鈦層3 2 0。 祀據本^月使用清洗浴液可以在石夕化製程中有效的移 除未反應金屬如鈷及鈦及氮化鈦層。 此外清洗溶液不蝕刻鎢層，以便能使用鎢閘製程，因此 可改良裝置操作特徵，而且可有效移除光阻層及有機物。 雖然已用特定及典型實例來說明本發明，但是可以在不 違反本發明的精神及範圍下作各種變化及改良，該了解的 是本發㈣範圍不限於上述本發明的詳細說明，它只是說 明性’唯有以下申請專利範圍才能定義本發明，此外，該 將它解釋為包括符合申請專利範圍的所有方法及裝置。 【圖式簡單說明】 & 以上藉由詳細說明魏合附圖以揭示本發明时例，即 可更明瞭本發明的其他特點及特徵’惟該了解附圖只是說 明目的，並不是要作為本發明定義的限制。 圖1疋基板的示意剖面圖，其具有鶴層及氮化欽層，姑層 ，或光阻層’其根據本發明的實射選擇性移除。 圖2是無氮化欽層’始層’或光阻層（其已從圖2的基板選
O:\89\89760.DOC -16- 1242811 擇性移除）的基板的最後結構的剖面圖。 圖3至6的剖面圖顯示使用本發明的清洗溶液實例而選擇 性移除金屬層的步驟。 圖7至12的剖面圖顯示在根據一典型實例的矽化製程中 使用本^明的清洗溶液，而選擇性移除金屬層的步驟。 圖13 14的剖面圖顯示在根據另一典型實例的矽化制。 中使用本發明的清洗溶液，而選擇性移除金屬層的+衣^ 【圖式代表符號說明】 驟。 11，31，33 基板 13, 15 層 35 傳導圖案 37, 37a 金屬層 39 氮化鈦層 41，340, 360 金屬石夕化物層 100 - $夕基板 120 裝置隔離層 140, 140a 閘絕緣層 160 多晶矽層 160a 多晶石夕閘極 180, 180a 鎢層 200 罩蓋氮化層 220 光阻層圖案 240 閘極 260 雜質擴散層
O:\89\89760 DOC 1242811 280 側壁間隔層 300, 300a 鈷層 320 氮化鈦層 O:\89\89760.DOC -18 -

Claims (1)

  1. I24Z811 ^樣充丨 弟002134353號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年5月） 拾、申請專利範圍·· 1 ·種在製造半導體裝置製程中選擇性移除多個金屬層之 方法，包括： 提供一具有多個金屬層之基底； 用/月；先/合液移除該等金屬層，清洗溶液 包括一酸性 溶液及一含碘氧化劑。 2·々申明專利乾圍第！項之方法，其中該等金屬層包括一欽 層及一始層之中至少之一。 3 ·如申請專利範圍第& . ^ ^ ^ 乐1貝之方法，其中該清洗溶液更包括水。 4·如申請專利範圍箆彳 ^ 、之方法’其中該酸性溶液包括硫酸 及磷酸之中至少夕_ 工人 ’而含碘氧化劑包括從ΚΙ03，NH4I〇3 ，LiI03，CaI〇3，Bam , ^ 〇3 κι ’及nhj組成之群中選出之 至少之一。 5.如申料利範圍第3項之方法，其中該清洗溶液包括至多 30重量％之水量’而該切氧化劑包含^侧錢 之碘量。 6·如申請專利範圍第5項之方 、 法’其中鈦層包括氮化鈦及鈦 之中至少之一。 7. ==製程中選擇性移除光阻層及多個有機 提供一具有光阻層及多個有機物之基底； 該 ^-清洗溶液選擇性移除該光阻層及該等有機物 /月洗洛液包括—酸性溶液及—含峨氧化劑。 8.如申請專利範圍第7項之方法，苴击# + 万法其中該清洗溶液更包括水 89760-940516.doc 1242811 9.如申請專利第7項之方法，其中該酸性溶液包括硫酸 及忪酸之中至少之—，而該含碘氧化劑包括從ΚΙ03， 聰41〇3 ’ L1IO3 ’ CaI〇3 ’ BaI〇3，ΚΙ，及丽41 組成之群中 出之至少之--- 10·如申請專利範圍第8項之方法，纟中該清洗溶液包括至多 3〇重量％之水量，而含碘氧化劑包含〇〇〇3至1〇重量％之碘 曰 置0
    η. -種在形成—石夕化層之製程中選擇性移除一金屬層之方 法，包括： 在一基板上形成一矽圖案； 在該基板上形成一金屬層； 從該石夕與該金屬層間之石夕化反應而執行一石夕化物熱處 理以形成一金屬矽化物層； 使用- >青洗溶液以移除未參與該石夕化反應之未反應金 屬層，
    其中該清洗溶液包括-酸性溶液及-含峨氧化劑。 12 ·如申請專利範圍第11頂夕士 ^ ^ 啤乐11 J貝之方法，其中該金屬層包括鈷， 鈦，及鎳之中至少之一。 13.如申請專利範圍笫^頊夕古、土 ^ ^ ^ ^ ㈤乐i i貝之方法，其中該清洗溶液更包括 水。 !4_如申請專利範圍第"項之方法，其中該酸性溶液包括硫 酸及填酸，而含峨氧化劑包括從KI〇3，NH4I〇3，LiI〇3， CaI〇3 ’ BaI〇3 ’ Kl，及簡丄组成之群中選出之至少之一。 1 5 ·如申請專利範圍望1 4工百> 士 固弟14項之方法，其中該清洗溶液包括至 89760-940516.doc -2- 1242811 多30重量％之水量，而含碘氧化劑包含0.003至10重量％ 之鐵量。 16, 17. 18. 19. 20. 21. 如申請專利範圍第11項之方法，其中在約室溫至1 2〇°C之 溫度範圍中執行清洗。 如申請專利範圍第11項之方法，更包括以下步驟： 在形成金屬層之前，循序地使用NH4OH及H202之混合 物執行第一次處理及使用HF執行第二次處理，或循序地 使用CF4及〇2混合氣體執行第一次處理及使用HF執行第 二次處理，以移除一天然氧化層及固化對基板之破壞。 如申請專利範圍第11項之方法，其中該梦化物熱處理包 括： 執行一第一次熱處理； 使用該清洗溶液以執行一第一次清洗以移除一未反應 金屬層；及 執行一第二次熱處理。 如申請專利範圍第18項 甘Λ #、土 & <万法，其中該清洗溶液包括至 多3 0重量％之水量，而冬 & s峨虱化劑包含0.003至10重量％ 之碘量。 如申請專利範圍第19項之太、土 . ^ ^ 、夂方法，其中該酸性溶液包括硫 酸及石粦酸之中至少之—， 而έ碘氧化劑包括從KI〇3， NH4I〇3，LiI〇3，CaI〇 ， 叫〇3，KI，及NH4I組成之群中 選出之至少之一。 其中在約室溫至12〇°c之 如申請專利範圍第19項之方法 溫度範圍中執行第一次清洗。 89760-940516.doc Ϊ242811 士申巧專利範圍第丨丨項之方法，其中該基板更包括一鎢 層，及該清洗溶液其不移除該鶴層。 23. 如申請專利範圍第11項之方法，更包括： 在形成金屬層之後及執行該矽化物熱處理之前，形成 氮化鈦層於該金屬層上， 其中該清洗溶液移除該氮化鈦層。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中㈣化物熱處理包 括： 執行一第一次熱處理； 使用該清洗溶液以執行一第一次清洗以移除該氮化鈦 層及該未反應金屬層； 形成一第二氮化鈦層；及 執行一第二次熱處理， 其中該清洗溶液移除該形成之氮化鈦層及該未反應石夕。 25 — 〜 • ~種在形成矽化層之製程中選擇性移除金屬層之方法， 包括： 在一矽基板上形成一電晶體，其包括複數個源極/汲極 區及一閘極； 在該基板上形成一金屬層； 在該金屬層上形成一氮化鈦層； 從源極/汲極區之矽及與矽直接接觸之金屬層間之反應 而執行一熱處理以形成一金屬層；及 使用一清洗溶液以執行一清洗，以移除該氮化鈦層及 不直接接觸源極/汲極區之矽之未反應金屬層， 89760-940516.doc -4- 1242811 其中該清洗溶液包括一酸性 26 Φ ^ ^ ，合液，一含碘氧化劑及水。 如甲清專利範圍第25 包括： 、 法，其中形成電晶體之步驟 在該矽基板上形成一閑絕 ，另” 网、巴緣層，-多晶矽層，-鎢層 及一罩盍絕緣層； 在該罩蓋氮化層上形成-光阻圖案； 使用該光阻圖案作為一 九罩猎由連績蝕刻其下形成之 層而形成该閘極； 移除該光阻圖案； 執行一離子植人制寂& + " 在閘極側壁之該矽基板中形成 遺源極/汲極區；及 在該閘極之側壁上形成多個氮化間隔層。 27.如申請專利範圍第 ? 貝乏方法，其中使用該清洗溶液以 移除光阻圖案。 28·如申請專利範圍第乃 甘士 , , Θ之方法，其中該酸性溶液包括硫 酉夂及鱗酸之中至少之一 少 < 一，而含碘氧化劑包括從〇〇3， ^41〇3 ’ LlI〇3 ’ CaI〇3，BaI〇3，ΚΙ，及 NHJ 組成之群中 選出之至少之一’而該清洗溶液包括至多30重量％之水量 ，及含礙氧化劑包含〇_至1G重量％之埃量。 29·如申請專利範圍第28 貝之方法，其中在約室溫至120°C之 溫度範圍中執行清洗。 30·如申請專利範圍第 ㈤矛貝之方法，其中該金屬層包括鈷， 鈦’及鎳之中至少之一。 31·如申請專利範圍第 貝之方法，其中形成電晶體之步驟 89760-940516.doc -5- 1242811 包括.· 在該矽基板上循序形成一閘絕緣 y aa pj 在該多晶矽層上形成一光阻圖案； 钱刻其下形 使用該光阻圖案作為一蝕刻光罩藉由連續 成之層而形成該閘極； 移除該光阻圖案； 執行一離子植入製程而在該閘極 形成該源極/汲極區；及 之二側之該矽基板 中 32. 33. 34. 35. 在該閘極之側壁上形成多個氮化物間隔層，其中藉由 執行石夕化物熱處理而在該源脑極區中形成金屬石夕：物 在閘極上方邛分之多晶石夕上形成一金屬石夕化物層。 如申請專利範圍㈣項之方法，其中使用該清洗溶液以 移除該光阻圖案。 ^申請專利範圍第31項之方法，其中該酸性溶液包括硫 及4 s文之中至少之一，而含埃氧化劑包括從， 則41〇3 ’ LiI〇3，CaI〇3，BaI〇3，ΚΙ，及丽41 組成之群中 選出之至少之一，而該清洗溶液包括至多30重量％之水量 ’及含碟氧化劑包含0.003至10重量％之碘量。 士申明專利範圍第33項之方法，其中在約室溫至1 20°C之 溫度範圍中執行清洗。 一種清洗溶液，在一矽化製程中選擇性移除一未反應金 屬層’其中該矽化製程包含形成一金屬在一具有一矽圖 案之基底上；從該金屬層與該矽間之反應執行一熱處理 以形成一金屬矽層；及用該清洗溶液移除該未反應金屬 89760-9405l6.doc 1242811 層，其中該清洗溶液包括一酸性溶液，一含峨氧化劑， 及水。 36. 如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該酸性溶液包 括硫酸及填酸之中至少之’而含峨氧化劑包括從κι〇3 ’ NH4l〇3 ’ LiI〇3 ’ CaI〇3，BaI03 ’ ΚΙ，及丽41組成之群 中選出之至少之一。 37. 如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該清洗溶液包 括至多30重量％之水量，及該含碘氧化劑包含〇〇〇3至1〇 重量％之碘量。 38·如申請專利範圍第35項之清洗溶液，其中該未反應金屬 層包括始，I大，及鎳之中至少之一。 3 W請專利範圍第35項之清洗溶液，進—步包含在執行 〆…、處理削在—金屬層上形成—氮化鈦層，其中該清洗 溶液在移除該非反應金屬層時，同時地移除該氮化鈦層。 89760-9405I6.doc
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