JP2007048950A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に配置され、半導体基板とショットキ接合されたT字型又はΓ型のゲート電極と、ゲート電極の下部の柱状部分を覆う酸化膜とを有し、酸化膜とソース電極及びドレイン電極とは離間している。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。半絶縁性のGaAsからなる半導体基板11の表面に、Siをドープしたn型GaAsからなるチャネル層12が形成されている。そして、半導体基板11上に、Au等からなるソース電極13及びドレイン電極14が互いに離間して形成されている。
実施の形態2では、酸素プラズマにより、ゲート電極の下部の柱状部分にWO3膜を形成する。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は、実施の形態1に係る半導体装置の半導体基板11表面にスペーサ膜19を設けたものである。この半導体装置を製造するには、まず、ゲート電極を形成する前に半導体基板11上にスペーサ膜19を形成する。次に、スペーサ膜19を開口してゲート電極を形成する。
13 ソース電極
14 ドレイン電極
15 WSi電極(ゲート電極)
16 Au電極(ゲート電極)
17 酸化膜
18 保護膜
19 スペーサ膜
26 酸性溶液
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記半導体基板とショットキ接合されたT字型又はΓ型のゲート電極と、
前記ゲート電極の下部の柱状部分を覆う酸化膜とを有し、
前記酸化膜と前記ソース電極及び前記ドレイン電極とは離間していることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に、Wを含む物質からなるT字型又はΓ型のゲート電極を形成する工程と、
酸性溶液で処理することにより、前記ゲート電極の下部の柱状部分にWO3膜を形成する酸化工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、T字型又はΓ型のゲート電極を形成する工程と、
酸性溶液中で前記ゲート電極にプラス電位を与えることで、前記ゲート電極の下部の柱状部分に酸化膜を形成する酸化工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極に接続する金属配線を前記半導体基板のスクライブライン上に形成する工程と、
前記スクライブラインに沿って前記半導体基板をチップごとに切断する工程とを更に有し、
前記酸化工程において、前記金属配線を介して前記ゲート電極にプラス電位を与えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、Wを含む物質からなるT字型又はΓ型のゲート電極を形成する工程と、
酸素プラズマにより、前記ゲート電極の下部の柱状部分にWO3膜を形成する酸化工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 水素処理により前記WO3膜をWO2膜に還元する工程とを有することを特徴とする請求項2又は5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化工程の前に前記半導体基板を保護するためのスペーサ膜を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項2〜5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63132479A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH06112226A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09306989A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Sony Corp | 配線形成方法 |
JPH10204777A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-04 | Daikin Ind Ltd | 防汚加工剤 |
JPH11204777A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002094059A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-29 | Hynix Semiconductor Inc | Mosfet素子の製造方法 |
JP2002217196A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004186698A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 選択的な膜除去のための洗浄溶液及びその洗浄溶液を使用してシリサイド工程で膜を選択的に除去する方法 |
-
2005
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63132479A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-04 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH06112226A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09306989A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Sony Corp | 配線形成方法 |
JPH10204777A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-04 | Daikin Ind Ltd | 防汚加工剤 |
JPH11204777A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002094059A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-29 | Hynix Semiconductor Inc | Mosfet素子の製造方法 |
JP2002217196A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004186698A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 選択的な膜除去のための洗浄溶液及びその洗浄溶液を使用してシリサイド工程で膜を選択的に除去する方法 |
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