TWI235629B - Processes for manufacturing flexible wiring circuit boards - Google Patents

Description

1235629 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] 本發明係關於軟性配線電路基板之製造方法。 [先前技術] 以往，將於厚度25//nl以下之聚醯亞胺基膜之單面所 積層之厚度35 // m以下的銅箔以減成法來圖案化做出配線 電路而得到之軟性配線電路基板係被廣泛使用。 μ輥對輥方式來製造前述軟丨工％ 公低 _____ 面’已提出將銅面積層板以受光照射時黏著性會降低之黏 著劑來黏著於載膜（carrier film)上之方法（參見專利文獻1 :特開平7-99379號公報）。 於該製造方法中，係將聚醯亞胺基膜上黏著有銅箔之 構造的銅面積層板，以其聚醯亞胺基膜側表面來貼合至塗 佈有文光照射時黏著性會降低之黏著劑的載膜上，於銅面 =層板之銅落形成配線電路之後，自載膜側照射紫外線使 浔#著背丨硬化來降低其黏著力，自黏著劑與聚醯亞胺基膜 界面將載臈剝離去除，藉以得到軟性配線電路基板。 口依據前述製造方法，由於銅面積層板保持於載帶上， 乃可抑制配線電路形成加工時折弯或敞摺的發生，又，由 黏著劑之黏著力，所以即使在載膜剝離時也可抑 制捲曲或折彎的發生。 電路^之^近年來電子儀器之高密度化，在軟性配線 使用；高密度化持續進行之現狀下，若依據 载^别述專利讀1所揭示之製造方法，-旦配線 1235629 電路之圖案間距在40 # m以下，則會出現因載帶之表面變 形或凹凸影響所致之圖案化精度下降之問題。又，尚存在 著因來自載帶兩端裁斷面之切屑或於裁斷面所露出之黏著 劑等而容易發生圖案不良之問題。 又’於實施專利文獻1所揭示之製造方法之際，由於 必須使用棍之送捲機、捲取機，故難以滿足設備小型化之 要求’附f设備之運轉成本也高，又，由於進行輥對輥的 操作，條件設定時間以及回捲時間等變長，製造前置時間 也會變長，此乃問題所在。 又，當銅箔之圖案化之後視情況對銅面積層板進行切 除加工的情況下，由於採用金屬模具切除加工法，或在裁 斷面端部出現毛邊、或是軟性配線電路基板本身發生變形 ，這些都是問題。又，針對每個具有不同配線電路之軟性 配線基板都必須製作昂貴的金屬模具，所以無法控制切除 加工成本，此為問題所在。 為了解決此問題，雖考慮採用可藉由程式變更而輕易 製作出各種切除圖案之雷射切割法，但雷射加工法會同時 將載帶裁斷，所以無法將軟性配線電路基板保持於載帶上 ，操作性大幅降低，不良品發生率也高，此為問題所在。 本發明係用以解決上述 目的在於提供一種軟性配線 對軟性配線電路基板之圖案 度也不會降低，不易發生圖 化也相對容易，可相對縮短 以在技術的問題所產生者，其 電路基板之製造方法，即使面 間距非常小的情況，圖案化精 案不良情形，製造設備之小型 前置時間’且能以雷射切割法 1235629 來實施切除加工。 [發明内容] 本發明為了避免使用輥對輥方式而能以單片式（single disc)來製造軟性配線電路基板，乃取代載帶改用平面性優 異之玻璃基板或丙烯酸基板等之透明硬質基板，且利用受 紫外線照射時黏著力會降低之黏著劑層，將在絕緣支持膜 上形成有導體層之積層體以絕緣支持膜側黏著於該透明硬 質基板上，於導體層之圖案化後，使得黏著劑層之黏著力 降低而自透明硬質基板將積層體剝離，或是在透明硬質基 板上直接以聚醯亞胺先驅體系黏著劑層來貼合導體層，在 該導體層之圖案化前或後將聚醯亞胺先驅體系黏著劑層醯 亞胺化，藉此做成絕緣性之聚醯亞胺支持膜且使得其黏著 力降低，之後自透明硬質基板將聚醯亞胺支持膜剝離；藉 由此種方式，可達成上述目的，從而完成了本發明。 基於前述見解之第1發明係一種軟性配線電路基板之 製造方法’係用以製造於絕緣支持膜上形成有配線電路之 軟性配線電路基板，具有下述製程（a)〜(d): (a) 利用黏著劑層，將在絕緣支持膜上形成有導體層之 積層體自其絕緣支持膜側貼合於透明硬質基板之製程； (b) 將該積層體之導體層圖案化以形成配線電路基板之 製程； (c) 使得該黏著劑層之黏著力降低之製程；以及 (d) 將形成有配線電路之積層體，以黏著劑層殘存於透 明硬質基板側的方式自透明硬質基板剝離之製程。 1235629 又’第2發明係一種軟性配線電路基板之製造方法， 係用以製造於絕緣性聚醯亞胺支持膜上形成有配線電路之 軟性配線電路基板，具有下述製程（aa)〜(dd): (aa)於透明硬質基板上，透過聚醯亞胺先驅體系黏著 劑層來積層導體層之製程； (bb)將該導體層圖案化以形成配線電路之製程； (cc)將該聚醯亞胺先驅體系黏著劑層醯亞胺化來做成 絕緣性聚醯亞胺支持膜之製程；以及 (dd)將形成有配線電路之聚醯亞胺支持膜自透明硬質 基板剝離之製程。 又，於第1本發明中，當以雷射切割法來實施切除加 工的情況下，以於製程（b)與製程（c)之間或是製程與製 程（d)之間進一步具備製程（e):對於形成有配線電路之積層 體以雷射切割法來進行切除加工之製程為佳。 同樣地，於第2本發明中，以於製程（bb)與製程勾之 間或是製程（cc)與製程（dd)之間進一步具備製程勾：對於 形成有聚醯亞胺支持膜之積層體以雷射切割法來進行切除 加工之製程為佳。 、 [實施方式] 以下一邊參照圖式一邊對本發明之在絕緣支持膜上形 成有配線電路之軟性配線電路基板之製造方法的實施形態 做詳細說明。 “ 第1發明之例可參照第i圖⑷〜⑷對每個製程做說明 1235629 製程（a) 首先’如第1圖⑷所示般，利用黏著劑層4將絕 持膜1上形成有導體層2之積層體3以其絕緣支持膜'丨側 貼合於基板G上。此時，具體上係藉由周知的做法、例如 旋塗法將黏著劑塗佈於透明硬質基板G上，推并妒斤+ 丄 延仃乾燥來形 成黏著劑層4，使用橡膠輥等自積層體3之絕緣支持膜丄 侧將積層體抵壓於黏著劑層4上來進行貼合。 、 此處，在透明硬質基板G方面，可舉出丙烯酸基板、 玻璃基板等，但以使用平坦性更優異、且耐熱性也優異之 玻璃基板為佳。又，黏著劑層4亦可於透明硬質基板G之 其中一整面上形成。 此製程（a)之重要特徵在於將平坦性優異之透明硬質基 板G以單片式來使用之事，以及所使用之黏著劑層4雖在 圖案化製程等加工中對於絕緣支持膜丨與透明硬質基板〇 保持良好之密合性，但一旦施行特定處理（例如紫外線照射 處理、加熱處理、冷卻處理、超音波照射處理、電子束照 射處理等），則黏著劑層4相對於絕緣支持膜丨之密合性相 較於黏著劑層4相對於透明硬質基板G之密合性會大幅降 低之事。 依據本實施形態，由於以單片式使用平坦性優異之透 明硬質基板G，所以即使軟性配線電路基板之圖案間距非 常的小，圖案化精度也不致降低，不易發生圖案不良，製 造設備之小型化也相對容易，能相對地縮短前置時間。又 ，藉由使用一旦被施行紫外線照射處理等之處理則相對於 1235629 、、邑緣支持膜1之密合性相較於相對於透明硬質基板G之密 合性會降低黏著劑層4，則於導體層2之圖案化之際，可 確實地將積層體3保持於透明硬質基板G上，且圖案化後 可‘易地將積層體3自透明硬質基板G做分離。 ;本毛月中在絕緣支持膜1方面可使用與以往銅面 積層板之、邑緣基膜為相同者，例如可適宜地使用聚酿亞胺 膜。絕緣支持m 1之厚度並無特別限定，通f在5G"m以 下、較佳為20〜25 // m。 又，在導體層2方面可適宜地使用電解銅箔、SUS3〇4 _ 猪、SUS430 、銘箱、鈹羯、填青銅箱等。又，亦可適· 线用銅-鎳合金電鍍層等。導體層2之厚度並無特別限 定，通常為35 以下、較佳為8〜12# m。 透明硬質基板G之厚度若過薄則容易受外部應力之影 響而變形或破壞，製造時之作業性會降低，若過厚則重= 變重，對於製造設備之負荷會增加，設備安定性會降低， 所以較佳為1.0mm〜5.0mm、更佳為1.5mm〜2.5mm。 若透明硬質基板G之厚度差異（平坦度1:以籲 TTV(Total Thickness Valuation)法所測定之結果）過大，則 進行細微圖案曝光之時，對焦變得困難，有發生圖案不良 之可能’所以厚度差異以控制在〇 〇2mm以下為佳。 此處，TTV法係對於測定對象物整體表面粗度進行測 疋之方法’係表示將測定對象物吸附固定之際所測定之粗 度的最大值一最小值之差。 ' 又’若透明硬質基板G之板彎（平坦庶9 . a z · 以 11 1235629 LTV(Local Thickness Valuation)法所測定之結果）過大，則 於後述製程（b)之導體層2之圖案化之際之曝光時，透明硬 質基板G難以真空夾來固定，有可能發生圖案不良，所以 控制在0· 1 mm以下為佳。 此處，LTV法係對測定對象物之表面粗度進行部份測 定之方法，表示將測定對象物吸附固定之際於既定領域（例 如15mmXl5mm[I|)所測定之粗度的最大值一最小值之差。 又，為了使得後述製程（c)中之做為黏著劑層4之紫外 線硬化型接著劑能硬化，在透明硬質基板G之材質方面， 以使用當自透明硬質基板G側照射紫外線時能使得紫外線 硬化型黏著劑充分硬化之具有紫外線穿透性質者為佳。 此處，透明硬質基板G之紫外線穿透率若過低則欲使 得紫外線硬化型黏著劑4硬化所需照射時間會變長、或是 照射量不得不增高，作業效率會顯著降低，所以至少設定 在30〇/〇(於250〜45〇nm之波長區域中使用紫外線分光光度 計時的測定結果）為佳。 在黏著劑層4方面可舉出紫外線硬化型黏著劑層、熱 固性黏著劑層等，從實現良好之熱安定性之觀點考量，以 紫外線硬化型黏著劑層為特佳。 做為此種紫外線硬化型黏著劑層，係使用紫外線照射 :具有某種程度之接著強度、而經紫外線照射硬化後之黏 低者。此時，相對於積層冑3之絕緣支持膜^的接 者，J離強度）必須較相對於透明硬質基板G之接著力（剝 離強度）來得小。 搔者刀⑺ 12 1235629 在紫外線硬化型黏著劑層方面，以使用由紫外線照射 別之初期剝離強度（JIS K6854)為3N/cm以上、經紫外線照 射後之剝離強度成為ΙΝ/cm以下之紫外線硬化型黏著劑所 形成之薄膜為佳。此時，在紫外線硬化型黏著劑方面可使 用光自由基聚合類型之丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑等。 _製程（b) 其次，如第1圖（b)所示般，將積層體3之導體層利用 諸如通常之光微影技術來圖案化而形成配線電路以。此時 ，具體上可於導體層2上將感光性光阻膜以其本身之黏著 力來進行貼合，透過未圖示之圖案化用光罩進行曝光、顯 像’形成導體| 2之蝕刻用光阻圖案之後，將導體層2蝕 刻來圖案化，之後去除感光性光阻圖案來形成配線電路“ 本發明中，酉己線電路2a可於積層冑3之絕緣支持膜！ 上僅开v成個’不過通常係形成複數個。若形成複數個配 線電路2a，則如後述般，利用切除加工來分出冑個軟性配 線電路基板。 製程（c) 其次，使得黏著劑層4之黏著力降低。例如，若黏著 劑層4使用紫外線硬化型黏著劑層的情況下，如第i圖⑷ 所不般自透明硬質基板G側照射紫外線uv，使得紫外 線硬化型黏著劑層硬化，關於絕緣支㈣i之密合強度 較對於透明硬f基板G之密合強度為低的方式使其黏著力 降低。 13 1235629 於本發明中，做為使 侍黏者劑層4之黏著力降低之其 他方法，可舉出藉由降低瑷 w -衣見/皿度以使得黏著劑層4之溫 度較貼合時之溫度為低者。 私―女丨g 藉此’黏者劑層4會變硬而使 传黏者力降低。 製程⑻ _^次’如第1圖（d)所示般，將形成有配線電路η之 積層體3，以經過硬化而黏 於透明廍暂A4 ^力已降低之黏著劑層4殘存 ;透月更質基板G側的方式自类 …式自透明硬質基板G剝離。藉此 ，传到軟性配線電路基板1〇。 其中，當對於一個積層體3形成了複數之配線電路h 下’必須對其進行切除加工做成個別之軟性配線電 路基板，此時，可將自透明 酉己綠雷改9 w基& Μ除之形成有複數 層體3以金屬模具切除法來分離成個別之 =Γ路…外在本發明中，以採用不易發生毛 /之可粒易形成各種衝裁圖案之雷 (e)為佳。 。彳成又表私

I 製程（e) 。第2圖所示般，此製程⑷係對於形成有配線電路^ 之積層體3以裁斷用之週知高輸出雷射光 做照射來進行切除加工。所使用之f射裝置、雷射== 件可依據所欲裁斷之材料而從週知者中適宜決定。 =月中，製程⑷雖可設於前述製程⑻與 間或疋製程⑷與製程⑷之間，惟基於防止硬 ^ 成之污染的觀點考量，以設於製程⑷與製程（d)之間為佳二 1235629 又，第1圖之態樣中，係以單層之勸著劑層4將透明 硬質基板0與積層體3做積層’惟亦可如第3圖所示般， 使侍透明硬質基板G與積層體3隔著—於塑膠薄膜&之 兩面已形成了展現與前述黏著㈣4相同特性之黏著劑声 5b(例如紫外線硬化型黏著劑層）之雙面黏著臈$來進行^ 層。此時，藉由進行與上述第1圖⑷〜⑷同樣製程，最後 在積層體3之絕緣支持膜i與雙面黏著膜$之黏著劑層“ 之間進行剝離。 在塑膠膜5a方面，可適宜你用 J迥且1更用例如厚度50〜125" m 之聚酯膜。又，在黏著劑層5b之材料方面，可適宜使用 展現與前述黏著劑層4相同特性之物，厚度較佳為ι〇〜3〇 // m。 又，第1圖之態樣係以減成法來進行導體層2之圖案 化之例’在本發明巾，亦可利用增厚 時可與第以所示例子同樣，經過以下所示製=製: (d)來得到軟性配線電路基板”匕時，可依需要進一步採 用製程(〇,亦即使用雷射切割法進行切除加工。 I 裎（a，\ 、如第4圖⑷所示般’與第i圖所說明之製程⑷同樣， 以利用週知做法所形成之黏著劑層4，將絕緣支持膜1上 形成有薄導體層2之積層體3以其絕緣支持膜"則貼合於 基板G上。或是亦可將絕緣支持冑】以黏著劑層貼合於透 明硬質基板G之後’以化學鍍法在絕緣支持膜i表面形成 金屬薄膜做為薄的導體層2(第4圖…)）。 15 1235629 此處’黏著劑層4以於透明硬質基板G之其中一整面 成為佳。藉此’可提升後述阻鐘圖案6對於透明硬質 基板G之密合性。 、 如第4圖（b 1)所示般，藉由諸如通常之光微影技術在 積層體3之薄的導體層2上形成阻鍍圖案6之後，如第4 圖（b2)所不般，以例如銅電鍍法在薄的導體層2上使得電 鍍金屬2,析出。 再者’如第4圖（b3)所示般，以蝕刻將阻鑛圖案6去 除之後，如第4圖（b4)所示般對薄的導體層2施以軟蝕刻 來形成配線電路圖案2a。 如第5圖（c)所示般，與第1圖所說明之製程（c)同樣， 自透明硬質基板G側照射紫外線UV來使得黏著劑層4之 黏著力降低。 製程（d，、 如第5圖（d)所示般，與第丨圖所說明之製程（d)同樣， 將形成有配線電路2a之積層體3，以黏著劑層4殘存於透 明硬質基板G側的方式自透明硬質基板G剝離。藉此，可 得到軟性配線電路基板1 〇。 在本例子之情況中同樣地可視情況於製程（b，）與製程 (c’）之間或是製程（c，）與製程（d，）之間（較佳為製程（c，）與製 程（d’）之間）與第2圖所說明之製程（e)同樣，採用雷射切割 法進行切除加工（製程（e，））。 16 1235629 其次’針對第2發明之例，一邊參照第6圖一邊說明 各製程。 首先’如第6圖（a)所示般，在透明硬質基板G上隔著 聚酿亞胺先驅體系黏著劑層41來積層導體層42。具體上 ’係將聚醯亞胺先驅體系黏著劑塗佈於透明硬質基板G上 進行乾燥’形成聚醯亞胺先驅體系黏著劑層41，然後將 銅羯等以加壓輥抵壓其上來做貼合。 此處’在聚醯亞胺先驅體系黏著劑層41方面可使用具 有經過例如250°C〜350°C加熱此種醯亞胺化處理而成為絕 緣性聚醯亞胺膜之性質者。 ^^醯亞胺先驅體系黏著劑層41如前述般係聚醢亞胺先 驅體系黏著劑所形成之薄膜。此種聚醯亞胺先驅體系黏著 劑’可使用由酸二酐與二胺所得之芳族聚醯胺酸類（參見特 開昭60-15 7286號公報、特開昭60-243120號公報、特開 昭63-239998號公報、特開平1-245 5 86號公報、特開平3-123093號公報、特開平5_ 139027號公報），由過量之酸二 酐與二胺所合成之末端為酸二酐之芳族聚醯胺酸預聚物與 二異氰酸酯化合物所得之部份醢亞胺化之芳族聚醯胺類（聚 醯胺樹脂手冊，日刊工業新聞社發行（536頁，1988年）； 高分子討論集，47(6)，1990參照）等。其中，可適宜使用由 酸二酐與二胺所得之芳族聚醯胺酸類。 此處，做為酸二酐之較佳例子，可舉出均苯四甲酸二 酐（PMDA)、3,4,3’，4’ 一聯苯基四竣酸二酐（bdPA)、 17 1235629 3,4,3’，4’一二苯甲酮四羧酸二酐（]3丁1：)八）、3,3，，4,4，一二苯 楓四羧酸二酐（DSDA)。又，做為二胺之較佳例子，可舉出 4,4’一 二胺基二苯醚（DPE)、對苯撐二胺（pDA)、4,4, 一二 胺基苯醯替苯胺（DABA)、4,4，一雙（對胺基苯氧基）二苯楓 (BAPS) 〇 又’在透明硬質基板G與導體層42方面係使用關於 第1圖之製程（a)所說明者。 製程（bb) 其次，如第6圖所示般，以與第1圖所說明之製程（b) 同樣的方法將導體層42圖案化來形成配線電路42a。 製裎（cc) 如第6圖（c)所示般，將聚醯亞胺先驅體系黏著劑層4 i 醯亞胺化做成絕緣性聚醯亞胺支持膜43。 此時’醯亞胺化條件可依據所使用之聚醯亞胺先驅體 系黏著劑層之種類來適宜設定。 此聚醯亞胺支持膜43不僅扮演導體層42之支持體的 功用’且相對於透明硬質基板G之接著力係較相對於導體 層42(配線電路42a)之接著力來得低，因而透明硬質基板 G與聚醯亞胺支持膜43之界面處可輕易剝離。 又’此製程（cc)除了如本例般在製程（bb)與製程（dd)之 間實施’尚可在製程（aa)與製程（bb)之間實施。

製程（dcH 其次’如第6圖（d)所示般，將形成有配線電路42a之 聚酿亞胺支持膜43自透明硬質基板剝離。藉此，得到軟 1235629 性配線電路基板40。 在本例之情況中，同樣地可視情況對於所得之軟性配 線電路基板40施以金屬模具切除加工，亦可如第2圖所己 况明之製程⑷同樣，藉由雷射切割法來實施切除加工。 此時，具體上以於製程（bb)與製程（cc)之間或是製程 (cc)與製程（dd)之間設置以下之製程（ee)為佳。 如第7圖所示般，與第2圖所說明之製程（e)同樣，

。所使用之雷射裝置、雷射照射條件可因應所欲裁斷之材 料從眾知之物當中適宜決定。 同樣，對 順沿切除圖 又’基於防止黏著劑飛散所造成之污染的觀點，此製 程（ee)以設置於製程（cc)與製程（dd)之間為較佳。 實施例 以下依據實施例來具體說明本發明。 <實施例1> 於紫外線穿透率98%之厚度imin的玻璃基板單面，以 乾燥厚度成為20〜30 μ m的方式來塗佈紫外線硬化型丙烯 酸系黏著劑（固體成分20%)，以60°C與100°C之2階段進 行乾燥來設置紫外線硬化型黏著劑層。 其次，使用橡膠輥將銅面積層板（銅箔12/z m厚/聚醯 亞胺25//m厚）以其聚醯亞胺面抵壓於玻璃基板上之紫外 線硬化型黏著劑層，將該銅面積層板之銅箔以過氧化氫與 19 1235629 爪馱之此口液進行軟蝕刻，將銅箔表面潔淨化。 X旋塗法對鋼箔表面塗佈液體狀光阻（PMER-P ’東京應化工業公司製造)，乾燥形成厚度7"m之阻餘層 ，對該阻餘層透過光罩進行曝光，以使用過之液體狀光阻 之專用顯像液(東京應化工業公司製造)進行顯像，進而以 氯化鐵水溶液將銅Μ刻，於銅簿上形成配線電路圖案， 將阻餘層去除之後，設置阻焊層，對圖案端子部施行鑛焊 料。 其次’自玻璃基板側對紫外線硬化型黏著劑層照射 4〇〇mj能量之紫外線，使得紫外線硬化型黏著劑層硬化。 最後’將在玻璃基板上硬化之紫外線硬化型黏著劑層 與銅面積層板之聚酿亞胺面之間做剝離得到軟性配線電路 基板。此時之剝離力為〇,2N/cm，製品並無彎自，黏著劑 並未轉印於聚醯亞胺面，可輕易地自玻璃基板做剝離。 <實施例2> 準備-於厚度 面刀別ax置有厚度1 5 # m之紫外線硬化型丙烯酸系黏著劑 層（D-203DF，林鐵克公司製造）所成之雙面黏著膜，將此 雙面黏著膜以溫度8(TC之條件利用橡膠輥抵壓黏合於紫外 線穿透率95%、厚度2mm之玻璃基板的單面上。 利用橡膠輥將於厚度25//m之聚醯亞胺膜的單面設置 有厚度0.25#m之種晶層（鎳—銅合金層）之積層體以其聚 醯亞胺膜側層壓於在玻璃基板上所貼合之雙面黏著膜上。 其次，自玻璃基板側對雙面黏著膜照射4〇〇mj能量之 20 1235629 紫外線’使得紫外線硬化型丙烯酸系黏著劑層硬化。其次 以方疋塗法對積層體之種晶層表面塗佈液體狀光阻（pmer_ p’東京應化工業公司製造），乾燥形成厚度之阻蝕 層’對該阻蝕層透過光罩進行曝光，以使用過之液體狀光 阻之專用顯像液（東京應化工業公司製造）進行顯像形成阻 錢圖案’然後以銅電鍍處理於種晶層上堆積厚度之 鋼。 其次，將阻鍍圖案去除之後，以過氧化氫與硫酸之混 5液進行軟I虫刻，將露出之種晶層去除。接著設置阻焊層 於圖案端子部施以鍍焊料。 最後，將在玻璃基板上之雙面黏著膜與積層體之聚醯 亞胺膜之間做剝離，得到軟性配線電路基板。此時之剝離 力為〇.4N/cm，製品並無彎曲，黏著劑並未轉印於聚醯亞 胺面。 產業上可利用十士 如上所述’依據本發明之軟性配線電路基板之製造方 法，由於可在平坦性優異之透明硬質基板上實施製程操作 ，所以可在整個製程中保持平坦性，即使配線電路微細化 ’品質變動仍彡，良率也可獲得大幅提昇。特別是，即使 以減成法形成圖案仍可穩定微細化，製品之阻抗控制變得 奋易。又，由於不使用載膜，所以可避免使用載膜造成之 :質等異物附著所導致之圖案不良。χ，由於可在透明硬 、土板上以單片式來製造，所以能以簡潔的設備來進行製 造。其結果，可減少製造空間與附加設備之空間，可謀求 21 1235629 電力、藥劑、水等之省資源化，亦可謀求前置時間之縮短 。再者，由於能以雷射加工法來進行切除加工，所以可避 免伴隨金屬模具切除加工所產生之各種問題。 【圖式簡單說明】 (一） 圖式部分 第1圖（a)〜(d)係本發明之實施形態之製造過程圖。 第2圖係本發明之附加製程圖。 第3圖係本發明之附加製程圖。 第4圖（a)〜(b4)係本發明之其他實施形態之製造過程圖 〇 第5圖（c)〜（d)係本發明之其他實施形態之製造過程圖 〇 第6圖（a)〜（d)係本發明之製造方法之其他實施形態之 製造過程圖。 第7圖係本發明之附加製程圖。 (二） 元件代表符號 1 絕緣支持膜 2,42 導體層 2a，42a 配線電路 3 積層體 4 黏著劑層 5 雙面黏著膜 5a 塑膠膜 5b 黏著劑層 22 1235629 6 阻鍍圖案 10,40 軟性配線電路基板 41 聚醯亞胺先驅體系黏著劑層 43 聚醯亞胺支持膜 G 透明硬質基板 UV 紫外線 L 雷射光

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Claims (1)

1235629 拾、申請專利範圍： 1 · 一種軟性配線電路基板之製造方法，係用以製造於 絕緣支持膜上形成有配線電路之軟性配線電路基板；其特 徵在於，具有下述製程（a)〜（d): (a) 利用黏著劑層，將在絕緣支持膜上形成有導體層之 積層體自其絕緣支持膜側貼合於透明硬質基板之製程； (b) 將该積層體之導體層圖案化以形成配線電路基板之 製程； (c) 使得該黏著劑層之黏著力降低之製程；以及 (d) 將形成有配線電路之積層體，以黏著劑層殘存於透 明硬質基板側的方式自透明硬質基板剝離之製程。 2_如申請專利範圍第丨項之軟性配線電路基板之製造 方法，其中，於製程（b)中所使用之黏著劑層係紫外線硬化 型黏著劑層，於製程⑷中，為了使得該黏著劑層之黏著力 降低乃自透明硬質基板側對該黏著劑層照射紫外線使其 硬化。 ^ 3·如申請專利範圍第1項之軟性配線電路基板之製造 方法，其中，於製程（b)中所使用之黏著劑層，係於塑膠膜, 的兩面形成有紫外線硬化型黏著劑層之雙面黏著膜，於製 程（C)中’為了使得該黏著劑層之黏著力降低，乃自透明硬 質基板側對該黏著劑層照射紫外線使其硬化。 4·如申明專利範圍第1項之軟性配線電路基板之製造 方法’其中’於製程（b)與製程⑷之間或是製程⑷與製程 (d)之間，進一步具備製程（e): 24 1235629 于於形成有配線電路之積層體，以雷射切匈φ决 彳f y忒术進 除加工之製程。 、5·如申請專利範圍第2項之軟性配線電路基板之製造 方法，甘-L /、中，於製程（b)與製程（C)之間或是製程（c)與製程 (d)之間’進一步具備製程（e): (e)對於形成有配線電路之積層體，以雷射切割法來進 行切除加工之製程。 6.如申凊專利範圍第3項之軟性配線電路基板之製造 方法，其中，於製程（b)與製程（c)之間或是製程（c)與製程 (d)之間，進一步具備製程（e): (0對於形成有配線電路之積層體，以雷射切割法來進 行切除加工之製程。 7·種軟性配線電路基板之製造方法，係用以製造於 絕緣性聚醯亞胺支持膜上形成有配線電路之軟性配線電路 基板，其特徵在於，具有下述製程（aa)〜(dd): (aa)於透明硬質基板上，透過聚醯亞胺先驅體系黏著 劑層來積層導體層之製程； (bb)將該導體層圖案化以形成配線電路之製程； (cc)將該聚酿亞胺先驅體系黏著劑層醯亞胺化來做成 絕緣性聚醯亞胺支持膜之製程；以及 (dd)將形成有配線電路之聚醯亞胺支持膜自透明硬質 基板剝離之製程。 8 ·如申清專利範圍第7項之軟性配線電路基板之製造 方法’其中’於製程（bb)與製程（cc)之間或是製程（cc)與製 25 1235629 程（dd)之間，進一步具備製程（ee): (ee)對於形成有配線電路之聚醯亞胺支持膜，以雷射 切割法來進行切除加工之製程。 拾壹、圖式： 如次頁 26