JP2003234558A - 配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】微細配線パターンにおいても絶縁信頼性に優れ
た配線板を提供すること。 【解決手段】基材の少なくとも片面に配線パターンが形
成されている配線板であり、基材と配線パターンを接着
する接着剤が該配線パターン下部にのみ配置されている
ことを特徴とする配線板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は接着剤を用いた配線
板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、樹脂や金属を基材に用いた配
線板は、さまざまな分野で使用されている。例えば、基
材上に接着剤と金属層とを積層したＦＰＣ（フレキシブ
ルプリント基板）やＴＡＢ（tape automated bondin
g）用の樹脂付き金属箔、あるいは基材上に接着剤と配
線パターンとを順次積層してなるビルドアップ基板など
は周知である。これらは、基材としてステンレス板やポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド−
トリアジン）樹脂などの耐熱性樹脂を用い、エポキシ樹
脂系、アクリル樹脂系、ポリアミド樹脂系、ＮＢＲ（ア
クリロニトリル−ブタジエンゴム）系などの接着剤を用
いて配線パターンを貼り合わせたものである。

【０００３】このような配線パターンは、通常は、金属
層を基板に接着剤を用いて接着した後、エッチングによ
り所望の配線パターン以外の金属を除去するサブトラク
ティブ方式、金属層表面に配線パターン部を開口したメ
ッキレジストパターンを形成し、該開口部に金属メッキ
とエッチングレジスト形成を順次行い、その後にメッキ
レジストを剥離して、エッチングレジストをマスクとし
て下地金属層をエッチング除去し、エッチングレジスト
を除去するセミアディティブ方式にて形成する。

【０００４】微細な配線パターンを形成するにはセミア
ディティブ方式が有利であるが、それでも、配線ピッチ
が狭くなると配線の密着強度や絶縁信頼性において問題
があった。

【０００５】セミアディティブ方式において、メッキレ
ジストパターンの形状を開口部上部が張り出すようなオ
ーバーハング形状として開口部に金属メッキを行うこと
で、金属配線パターンの断面形状を短形に近づけ、配線
の密着強度と絶縁信頼性を向上させる製造方法が提案さ
れている（例えば特許文献１参照）。

【０００６】しかし、この方法でもエッチングにより金
属層のみが除去され、接着剤はエッチング後も塗布した
全面に存在するため、接着剤中に金属層の一部が除去さ
れずに残存する問題を有していた。配線パターンが比較
的粗い場合には金属層の一部が残存しても問題にならな
いが、配線パターンが微細化してくると金属層の残存は
配線間の絶縁信頼性を低下させる問題を有していた。

【０００７】

【特許文献１】特開平７−１５１１３号公報（第２−４
頁）

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の欠点に鑑み、微細配線パターンにおいても絶縁信頼
性に優れた配線板を提供することを目的とするものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、以
下の手段により達成される。すなわち、本発明の骨子は
次の通りである。

【００１０】基材の少なくとも片面に配線パターンが形
成されている配線板であり、基材と配線パターンを接着
する接着剤が該配線パターン下部にのみ配置されている
配線板によって達成される。

【００１１】また、本発明は、基材の少なくとも片面に
接着剤と金属層とをこの順に積層し、金属層上にレジス
ト層を形成し、レジスト層を露光・現像することにより
配線パターンに合致する形状にレジストをパターニング
し、パターニングしたレジストをエッチングマスクとし
て金属層及び接着剤を除去して配線パターンを形成し、
次いでレジストを除去することを特徴とする配線板の製
造方法である。

【００１２】また、別の本発明の製造方法は、基材の少
なくとも片面に接着剤と金属層とをこの順に積層し、金
属層上にレジスト層を形成し、レジスト層を露光・現像
することにより配線パターンを形成する部分のレジスト
を除去し、レジストを除去した部分にメッキにより配線
パターンを形成し、その後、残りのレジストと配線パタ
ーン以外の金属層及び接着剤を除去することを特徴とす
る配線板の製造方法である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の配線板は、配線パターン
下部にのみ接着剤が形成されている。このような配線板
を得るためには、あらかじめ接着剤を配線パターンと同
じ形状に塗布する方法も考えられるが、好ましくはまず
基材の上に接着剤を全面塗布し、その上に金属箔を形成
し、しかる後に配線パターン以外の金属層と接着剤を除
去する方法が挙げられる。この場合、金属層と接着剤と
を別々に除去してもよいが、金属層と接着剤とが実質的
に同一の処理で除去できることが好ましい。

【００１４】不要部分の金属層と接着剤の除去方法とし
ては、レーザーによる除去、プラズマによる除去、エッ
チング液による除去などが挙げられる。レーザーによる
除去としては炭酸ガスレーザーによる除去、ＹＡＧレー
ザーによる除去、エキシマレーザーによる除去、銅蒸気
レーザーによる除去などが挙げられる。プラズマによる
除去としては、酸素プラズマによる除去、フッ素化合物
プラズマによる除去などが挙げられる。また、エッチン
グ液による除去としては、金属層をエッチングできる各
種のエッチング液でまず金属層を除去し、その後に接着
剤をエッチングできる各種のエッチング液で接着剤を除
去、あるいは金属層と接着剤とを実質的に同じエッチン
グ液で除去する方法が挙げられる。これらの中では大面
積を一度に除去できる点からエッチング液での除去が好
ましく、とりわけ金属箔と接着剤とを実質的に同じエッ
チング液で除去する方法が好ましい。

【００１５】本発明に使用する金属層は特に限定されな
いが、例えば、銅、クロム、ニッケル、クロム−ニッケ
ル合金、クロムと銅の積層体、ニッケルと銅の積層体、
クロム−ニッケル合金と銅の積層体などを挙げることが
できる。

【００１６】また、金属箔のエッチング液としては、例
えば、フェリシアン化カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、
塩化銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、過硫酸ナト
リウム水溶液、過酸化水素水、フッ酸水溶液、及びこれ
らの組み合わせなどが挙げられる。

【００１７】また、本発明に使用する接着剤としては、
例えば、ポリイミド樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着
剤、アクリル樹脂系接着剤、ポリアミド樹脂系接着剤な
どが挙げられる。好ましくはアルカリ可溶あるいは酸可
溶あるいは有機溶剤可溶な接着剤である。

【００１８】さらに好ましくは、光および／または熱で
硬化する前の接着剤がアルカリ可溶性であり、光および
／または熱で硬化することでアルカリ不溶性になること
である。アルカリ以外も使用することができ、具体的に
は、例えば、アルカリ性水溶液、酸性水溶液、または有
機溶剤でエッチングし、パターン加工後、光照射および
／または加熱処理により硬化され、アルカリ性水溶液、
酸性水溶液、または有機溶剤に対して不溶となる接着剤
であることが好ましい。

【００１９】さらに本発明においては、耐熱性等の点か
らポリイミド系樹脂接着剤が好ましい。例えば、シロキ
サン骨格や長鎖アルキレン骨格を有するポリイミド系接
着剤、とりわけシロキサン骨格あるいはアルキレン骨格
を有する成分が全成分の２０％以上、より好ましくは４
０％以上含まれているポリイミド接着剤が用いられる。

【００２０】金属層と接着剤を実質的に同じエッチング
液で除去するには、上記した金属層種、エッチング液
種、接着剤種を適切に組み合わせることが重要であり、
例えば、金属層としてクロム、エッチング液としてフェ
リシアン化カリウム水溶液、接着剤としてシロキサン骨
格を有する成分が全成分の６０％であるポリイミド系接
着剤を使用すれば、達成することができる。

【００２１】本発明の配線板は、配線パターン下部以外
には接着剤が存在しないので、配線パターン以外に金属
層の一部が残存する問題が解決され、高い絶縁信頼性を
得ることができる。また、配線パターンと基材とは、接
着剤により強固に接着しているので、配線パターンが基
材から剥離する問題も生じない。

【００２２】本発明に使用する基材としては特に限定さ
れず、例えば、硬質プラスチック、プラスチックフイル
ム、金属板などが挙げられる。硬質プラスチックとして
は、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂、エポキ
シ樹脂、ガラス繊維を含んだエポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。

【００２３】プラスチックフイルムとしては、例えば、
ビスフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリア
リレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンに代表
されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン酸と
芳香族イソシアネートとの縮合物、ビスフェノール類と
芳香族ジアミンとニトロフタル酸の反応から得られる熱
硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミ
ド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド、
液晶ポリマーなどの樹脂をフイルムにしたものなどが挙
げられる。

【００２４】また、金属板としては、例えば、ステンレ
ス板、アルミニウム板、銅板などが挙げられる。

【００２５】本発明に使用する基材としては、上記した
中では、配線パターンの微細化に優れたプラスチックフ
イルムを使用するのが好ましく、とりわけ鉛フリーハン
ダ対応の点から耐熱性を有するプラスチックフイルムを
用いるのが好ましい。耐熱性プラスチックフイルムの製
品としては、例えば、東レ・デュポン（株）製“カプト
ン”、宇部興産（株）製“ユーピレックス”、鐘淵化学
工業（株）製“アピカル”、東レ（株）製“ミクトロ
ン”、（株）クラレ製“ベクスター”などが挙げられ
る。

【００２６】本発明に使用する基材の表面に、コロナ放
電処理や低温プラズマ処理、あるいは公知のウエットプ
ロセス処理などを施すのは任意であり、とりわけプラズ
マ処理を施すことが基材と接着剤との接着力向上の点で
好ましい。

【００２７】本発明に使用する基材の厚みとしては特に
限定されないが、硬質プラスチックの場合には５〜９０
０μｍが好ましく、より好ましくは１０〜３００μｍ、
特に好ましくは２０〜１００μｍである。また、プラス
チックフイルムの場合には５〜２５０μｍが好ましく、
より好ましくは１２．５〜１２５μｍ、特に好ましくは
２５〜７５μｍである。また、金属板の場合には、５〜
２０００μｍが好ましく、より好ましくは２５〜１００
０μｍ、特に好ましくは５０〜５００μｍである。厚す
ぎるとそれだけコストが高くなり、薄すぎると搬送に支
障をきたすことがある。

【００２８】本発明の配線板において、接着剤の厚みは
特に限定されないが、０．０１〜５０μｍが好ましく、
より好ましくは０．０５〜１０μｍ、特に好ましくは
０．１〜１０μｍである。薄すぎると接着強度が低くな
り、厚すぎると配線部分以外の接着剤を除去する時間が
長くなったり反りの原因になることがある。

【００２９】本発明において、配線パターンの形成に使
用可能な金属層の形成方法としては、接着剤層を介し
て、例えば、銅箔などの金属箔を貼り付ける方法、スパ
ッタや蒸着により金属層を形成する方法、メッキにより
金属層を形成する方法、あるいはこれらを組み合わせる
方法などが挙げられるが、主としてメッキを用いて金属
層を形成する方法が好ましい。

【００３０】銅箔などの金属箔を貼り付ける場合、金属
箔と接着剤層を積層した基材の接着剤面を張り合わせ
て、加熱プレス、加熱ロールラミネーター等を用いて加
熱圧着させる方法を使用することができる。本発明にお
いては連続で加熱圧着させることのできる加熱ロールラ
ミネーターを用いるのが好ましい。

【００３１】加熱ロールラミネーターの条件は用いる接
着剤の組成により適宜選択することができる。ラミネー
ターロールの温度は通常８０〜４００℃、好ましくは１
２０〜３００℃、さらに好ましくは１４０〜２００℃で
ある。線圧は通常０．２〜２０ｋｇ／ｃｍ、好ましくは
０．５〜１４ｋｇ／ｃｍ、さらに好ましくは１〜８ｋｇ
／ｃｍである。ラミネーターロールの温度、線圧は高す
ぎると寸法安定性が悪くなり、低すぎると基材と金属層
との接着性が悪くなる。

【００３２】銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔のどち
らでも用いることができる。銅箔の厚みについても種々
にものを用いることができるが、通常２〜３６μｍ、好
ましくは３〜１８μｍ、さらに好ましくは５〜１２μｍ
である。銅箔の厚みが１０μｍ以下の薄銅箔について
は、厚みの厚い銅箔または樹脂フィルム等のキャリア
（支持体）に積層されたキャリア付き銅箔が好ましく使
用される。キャリア付き銅箔は、薄銅箔を目的とする基
材にラミネートした後、そのキャリアを容易に剥がせる
ものである。

【００３３】銅箔は、接着面が粗化処理されていても良
いし、粗化処理されていない両面光沢のものを用いても
良い。微細配線向けの配線板には両面光沢の銅箔を用い
る方が好ましい。銅箔の表面はニッケル、亜鉛、コバル
ト、錫等の金属または合金や酸化物で防錆処理されてい
ても良い。また、接着性改良のためシランカップリング
剤等を用いて表面処理されていても良い。

【００３４】メッキにより金属層を形成する場合、スパ
ッタ、蒸着、触媒付与と活性化などの処理によりまず核
付け層を形成し、しかる後に核付け層を利用してメッキ
を成長させる方法が好ましく用いられる。核付け層の厚
みとしては０．１〜１００ｎｍが好ましく、より好まし
くは０．５〜５０ｎｍ、特に好ましくは０．１〜１０ｎ
ｍである。

【００３５】メッキは無電解メッキのみでもよいが、無
電解メッキと電解メッキを併用してもよく、電解メッキ
のみでもよい。

【００３６】無電解メッキとして例えば銅をメッキする
場合は、硫酸銅とホルムアルデヒドの組み合わせなどが
好ましく用いられる。

【００３７】また、電解メッキとして例えば銅をメッキ
する場合は、硫酸銅メッキ液、シアン化銅メッキ液、ピ
ロりん酸銅メッキ液などが好ましく用いられる。

【００３８】メッキ厚みは、金属層をどのように加工し
配線パターンを得るかによって最適値が異なる。すなわ
ち、金属層を用いてアディティブ方式（セミアディティ
ブ方式あるいはフルアディティブ方式）にて配線板を形
成する場合、金属層の上に更にメッキにて金属を積層す
るので、初期のメッキ厚みは０．０５〜１０μｍの範囲
が好ましく、０．１〜５μｍの範囲がより好ましい。

【００３９】一方、金属層を用いてサブトラクティブ方
式にて配線板を形成する場合、金属層をそのまま配線と
して使用するので、メッキ厚みは１〜４０μｍの範囲が
好ましく、３〜１８μｍの範囲がより好ましい。

【００４０】従って、無電解メッキを施す場合のメッキ
厚みとしては通常０．０５〜１８μｍが選ばれ、電解メ
ッキを施す場合のメッキ厚みとしては通常０．１〜４０
μｍが選ばれる。

【００４１】本発明において、配線パターンの厚みは特
に限定されないが、１〜４０μｍの範囲が好ましく、３
〜１８μｍの範囲がより好ましい。

【００４２】次に、本発明の配線板の製造方法の好まし
い態様を挙げて説明する。

【００４３】まず、基材の上に接着剤を含む溶媒溶液を
製膜用スリットから吐出させて均一に塗布する。塗布方
法としては、例えば、ロールコーター、ナイフコータ
ー、コンマコーター、ドクターブレード、フロートコー
ターなどによるものが挙げられる。次に、基材の上に塗
布した接着剤溶液の溶媒を１００℃前後の加熱により除
去した後、必要に応じて更に１００℃を越える温度での
加熱処理を行う。次に、形成された接着剤層の上に核付
け層を形成し、しかる後に無電解メッキと電解メッキを
併用して金属層を形成する。または、銅箔などの金属箔
をラミネーターで加熱圧着することにより金属層を形成
する。

【００４４】形成した金属層を利用して配線パターンを
形成する方法は、以下の２つの方法がある。すなわち、
サブトラクィブ方式あるいはセミアディティブ方式であ
る。

【００４５】サブトラクティブ方式としては、金属層上
にレジスト層を形成し、レジスト層を露光・現像するこ
とにより配線パターンに合致する形状にレジストをパタ
ーニングし、パターニングしたレジストをエッチングマ
スクとして金属層及び接着剤を除去して配線パターンを
形成し、次いでレジストを除去することにより配線板を
得る。

【００４６】また、セミアディティブ方式としては、金
属層上にレジスト層を形成し、レジスト層を露光・現像
することにより配線パターンを形成する部分のレジスト
を除去し、レジストを除去した部分にメッキにより配線
パターンを形成し、その後、残りのレジストと配線パタ
ーン以外の金属層及び接着剤を除去することにより配線
板を得る。

【００４７】本発明において、基材と配線パターンを接
着する接着剤は、該配線パターンの下部にのみ配置され
ている必要がある。配線パターンの接着に寄与する部分
以外に接着剤を配さないことにより、配線パターン以外
の導電性物質の残存や付着を防ぐことができ、結果とし
て、配線パターン間の絶縁信頼性を向上させることがで
きる。

【００４８】ただし、接着剤は、配線パターン領域を離
れた場所など、絶縁信頼性を損なわない場所であれば、
接着剤除去の工程簡略化等の理由により、一部の残存が
あってもかまわない。

【００４９】上記した配線板の製造方法を用いることに
より、微細配線パターンにおいても絶縁信頼性に優れた
配線板を提供することができる。

【００５０】本発明において、配線パターンのピッチは
特に限定されないが、好ましくは０．１〜６０μｍであ
り、より好ましくは１〜５０μｍである。また、配線の
幅は、好ましくは０．０５〜３０μｍであり、より好ま
しくは０．５〜２５μｍである。微細パターンに本発明
を適用することで、本発明の効果がより鮮明になるので
ある。

【００５１】本発明においては、基材の少なくとも片面
に半硬化状態の接着剤層と金属層をこの順に積層し、配
線パターンを形成し、レジストを除去した後に光照射お
よび／または加熱処理により接着剤層を硬化させる方法
が好ましく使用される。具体的には、例えば、基材の上
に接着剤層を塗布、乾燥した後、半硬化状態の接着剤層
の上に金属箔ラミネート、スパッタおよび／またはメッ
キなどの方法で金属層を積層し、サブトラクティブ方式
またはセミアディティブ方式で配線パターンを形成、さ
らに配線パターン以外の場所にある接着剤層を除去した
後、光照射および／または加熱処理することにより接着
剤層を硬化させ、接着剤層をアルカリ性水溶液、酸性水
溶液、または有機溶剤などに不溶化させることにより、
配線基板を得る方法が好ましく使用される。

【００５２】接着剤層の半硬化状態とは、アルカリ性溶
液、酸性溶液、または有機溶剤などで溶解させることの
できる状態を言う。例えば、ポリイミド系樹脂の場合、
ポリアミド酸やポリアミド酸エステルなどのポリイミド
前駆体の状態であり、これはアルカリ性溶液で溶解させ
ることができるので、パターン加工を施すことが可能で
ある。

【００５３】アルカリ性水溶液としては、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、エチ
ルアミン、ジエチルアミン、テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の水溶液が挙げられ
る。アルカリ水溶液の濃度は好ましくは０．０１〜１０
重量％、より好ましくは０．１〜５重量％である。これ
らのアルカリ性水溶液には、メタノール、エタノール、
界面活性剤等を適量添加しても良い。

【００５４】半硬化状態の接着剤の硬化は、接着剤層に
用いている樹脂の光および／または熱による重合反応、
架橋反応、閉環反応等により達成される。例えば、ポリ
イミド樹脂系接着剤の場合、加熱処理によりアミド酸が
閉環してイミド環を形成する。

【００５５】硬化された接着剤層は、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、エチルアミン、
ジエチルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液、塩酸、硫
酸、酢酸等の酸性水溶液、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケト
ン、トルエン等の有機溶剤にさらされても溶解すること
なく、また接着剤層表面が白濁等の変化を起こさないこ
とが重要である。

【００５６】ポリイミド樹脂系接着剤の場合、硬化のた
めの加熱条件はポリイミド樹脂の組成により適宜選択さ
れるが、通常１５０〜４５０℃、好ましくは１８０〜３
５０℃、さらに好ましくは２００〜３００℃の温度、処
理時間は通常５分〜４８時間、好ましくは３０分〜２０
時間である。この時、空気中で加熱処理すると金属層が
酸化するので、窒素雰囲気下で加熱処理するのが好まし
い。また、加熱処理は段階的に目標到達温度まで昇温し
ても良い。

【００５７】光照射の条件も接着剤の組成により適宜選
択される。使用する光源としては、紫外線から可視光線
が好ましく、特に２００〜５００ｎｍの波長の光源が好
ましい。光の発生源としては、例えば、低圧水銀ラン
プ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライ
ドランプ、水銀−キセノンランプ、エキシマーランプ、
ヘリウム・カドミウムレーザー、アルゴンレーザー等が
挙げられる。

【００５８】本発明の配線板において、配線パターンの
接着力は高いことが好ましい。接着力とは、ＪＩＳ Ｃ
５０１６ ７．１項に準じ、導体幅３ｍｍのパターンを
使用し、金属箔を１８０度の方向に５０ｍｍ／分の速度
で引き剥がした時の値を意味し、通常５Ｎ／ｃｍ以上が
好ましく、より好ましくは１０Ｎ／ｃｍ以上である。

【００５９】本発明の製造方法で得られた配線板におい
ては、容易に１０Ｎ／ｃｍ以上の接着力を得ることが可
能であり、基材と配線パターンとが強固に接着してい
る。

【００６０】本発明の配線板は、絶縁信頼性の極めて高
いものである。絶縁信頼性とは、ＪＩＳ Ｚ３１９７に
準じ、１３０℃、８５％ＲＨ、１００Ｖで絶縁抵抗値を
測定し、絶縁抵抗値が１×１０⁹ Ω以上を持続する時
間を測定したものである。持続時間は５００時間以上で
あることが好ましく、６００時間以上であることがより
好ましい。

【００６１】本発明の製造方法で得られた配線板におい
ては、絶縁信頼性が容易に５００時間以上絶縁抵抗値１
×１０⁹ Ω以上を持続することが可能であり、極めて
良好な絶縁信頼性を示す。

【００６２】本発明の配線板は、基材の少なくとも片面
に配線パターンが形成されたものである。基材の両面に
配線が形成されていても良く、本発明の配線板は、片面
あるいは両面配線板用途に幅広く使用できる。

【００６３】

【実施例】以下実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【００６４】合成例１（接着剤の合成） ５００ｍｌのフラスコ内を窒素雰囲気下に置換し、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド１８３ｇを入れ、１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）ジシロキサン１９．８８ｇ（０．０８ｍｏｌ）を
溶解し、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物２５．７６ｇ（０．０８ｍｏｌ）を加
え、窒素雰囲気下で１０℃で１時間、引き続いて５０℃
で３時間撹拌しながら反応させ、シロキサン骨格を有す
るポリイミド前駆体ワニスを得た。

【００６５】合成例２（接着剤の合成） ５００ｍｌのフラスコ内を窒素雰囲気下に置換し、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド１７５ｇを入れ、１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）ジシロキサン１７．４０ｇ（０．０７ｍｏｌ）及
びエチレンジアミン０．６０ｇ（０．０１ｍｏｌ）を溶
解し、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物２５．７６ｇ（０．０８ｍｏｌ）を加
え、窒素雰囲気下で１０℃で１時間、引き続いて５０℃
で３時間撹拌しながら反応させ、シロキサン骨格を有す
るポリイミド前駆体ワニスを得た。

【００６６】合成例３（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２００ｇを入れ、１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノ
エチル）ジシロキサン１３．２３ｇ（０．０６ｍｏ
ｌ）、パラフェニレンジアミン２．１６ｇ（０．０２ｍ
ｏｌ）、ヘキサメチレンジアミン２．３２ｇ（０．０２
ｍｏｌ）を溶解し、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物３２．２０ｇ（０．１０ｍ
ｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１０℃で１時間、引き続
いて５０℃で３時間撹拌しながら反応させ、シロキサン
骨格を有するポリイミド前駆体ワニスを得た。

【００６７】合成例４（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１４０ｇを入れ、ヘキサ
メチレンジアミン６．９７ｇ（０．０６ｍｏｌ）、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル４．００ｇ（０．０
２ｍｏｌ）、パラフェニレンジアミン２．１６ｇ（０．
０２ｍｏｌ）を溶解し、ピロメリット酸二無水物２１．
８１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１０
℃で１時間、引き続いて５０℃で３時間撹拌しながら反
応させ、アルキレン骨格を有するポリイミド前駆体ワニ
スを得た。

【００６８】合成例５（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１７８ｇを入れ、ヘキサ
メチレンジアミン６．９７ｇ（０．０６ｍｏｌ）、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル４．００ｇ（０．０
２ｍｏｌ）、ベンゾフェノンジアミン４．２５ｇ（０．
０２ｍｏｌ）を溶解し、ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物２９．４０ｇ（０．１０ｍｏｌ）を加え、窒素雰
囲気下で１０℃で１時間、引き続いて５０℃で３時間撹
拌しながら反応させ、アルキレン骨格を有するポリイミ
ド前駆体ワニスを得た。

【００６９】合成例６（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１７８ｇを入れ、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル８．０１ｇ（０．０
４ｍｏｌ）、ベンゾフェノンジアミン８．５０ｇ（０．
０２ｍｏｌ）を溶解し、１，３−ビス（３，４−ベンゼ
ンジカルボン酸無水物）プロパン３３．６３ｇ（０．１
０ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１０℃で１時間、引
き続いて５０℃で３時間撹拌しながら反応させ、アルキ
レン骨格を有するポリイミド前駆体ワニスを得た。

【００７０】合成例７（接着剤の合成） 油化シェルエポキシ（株）エポキシ化合物”エピコー
ト”８２８ １００ｇ、熱により硬化剤として働くジア
ミノジフェニルメタン１０ｇ、本硬化用触媒である四国
化成（株）製”イミダゾール”２ＭＡ−ＯＫを混合し、
エポキシ樹脂系接着剤組成物を得た。

【００７１】合成例８（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２８３ｇを入れ、ビス
（３−アミノフェノキシフェニル）エーテル３８．４４
ｇ（０．１０ｍｏｌ）を溶解し、３，３’、４，４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２２ｇ
（０．１０ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１０℃で１
時間、引き続いて５０℃で３時間撹拌しながら反応さ
せ、ポリイミド前駆体ワニスＡを得た。

【００７２】合成例９（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２０８ｇを入れ、（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン９．９４ｇ
（０．０４ｍｏｌ）、４，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル１２．０１ｇ（０．０６ｍｏｌ）を溶解し、３，
３’、４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物６．４４ｇ（０．０２ｍｏｌ）、３，３’、４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２３．５４
ｇ（０．０８ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１０℃で
１時間、引き続いて５０℃で３時間撹拌しながら反応さ
せ、ポリイミド前駆体ワニスＢを得た。

【００７３】合成例１０（接着剤の合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２０７ｇを入れ、（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１７．４０
ｇ（０．０７ｍｏｌ）、４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル２．００ｇ（０．０１ｍｏｌ）、パラフェニレ
ンジアミン２．１６ｇ（０．０２ｍｏｌ）を溶解し、
３，３’、４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物２５．７８ｇ（０．０８ｍｏｌ）、ピロメリッ
ト酸二無水物４．３６ｇ（０．０２ｍｏｌ）を加え、窒
素雰囲気下で１０℃で１時間、引き続いて５０℃で３時
間撹拌しながら反応させ、ポリイミド前駆体ワニスＣを
得た。

【００７４】合成例１１（接着剤の合成） プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６
７２ｇを入れ、窒素雰囲気下で８０℃まで昇温した後、
メタクリル酸３４．４４ｇ（０．４０ｍｏｌ）、スチレ
ン３１．２６ｇ（０．３０ｍｏｌ）、ベンジルメタクリ
レート５２．８６ｇ（０．３０ｍｏｌ）を加え、同温度
で８時間撹拌しながら反応させ、アクリル樹脂ワニスＤ
を得た。

【００７５】実施例１ 基材として７５μｍ厚の宇部興産（株）製ポリイミド
“ユーピレックス”Ｓを用い、基材の片面上に合成例１
で合成したポリイミド前駆体ワニスを乾燥後の膜厚が５
μｍになるように塗布し、まず８０℃で５分間乾燥し、
次に１５０℃で５分間乾燥し、更に２５０℃で５分間イ
ミド化処理を行い、アルカリ性水溶液で除去可能なシロ
キサン骨格を有するポリイミド接着剤を基材上に積層し
た。次に、ポリイミド接着剤の上にクロム−ニッケル合
金スパッタを１０ｎｍ、銅スパッタを２００ｎｍ施して
核付け層を形成し、この核付け層を電極として電解銅メ
ッキにより最終的に厚さ１８μｍの金属層を形成した。
得られた金属層上にフォトレジストを乾燥膜厚が５μｍ
になるように塗布・乾燥し、配線幅が５〜１００μｍで
あるような配線パターンに合ったマスクを用いて露光・
現像を施し、配線パターン部分のみが残ったレジストパ
ターンを得た。次に、レジストが除去された部分の銅及
びクロム−ニッケル合金を、３７重量％塩化鉄水溶液に
てエッチングして除去し片面配線板を得たが、この段階
では電子顕微鏡観察において配線パターンが形成されて
いない部分にクロム−ニッケル合金の残存が見られた。

【００７６】得られた片面配線板を更にフェリシアン化
カリウム７８ｇ、水酸化ナトリウム１４ｇ、水２５８ｇ
を混合したアルカリ性フェリシアン化カリウム水溶液に
て処理し、配線パターンが形成されていない部分に残存
するクロム−ニッケル合金及び接着剤とをエッチングし
て除去した。その結果、基材の配線パターンが形成され
ている部分には基材と配線パターンとの間に接着剤が配
置されている一方、配線パターンが形成されていない部
分には基材上に接着剤が配置されていない片面配線板を
得た。

【００７７】得られた配線板では、５μｍ幅の細い配線
も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着し
ており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間に
接着剤や金属の残存もなかった。ＪＩＳ Ｚ３１９７に
準じ、１３０℃、８５％ＲＨ、１００Ｖで絶縁抵抗値を
測定したところ、５００時間で絶縁抵抗値が１×１０ ¹⁰
Ω以上を持続しており、６００時間でも絶縁抵抗値が１
×１０⁹Ω以上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有
していた。

【００７８】比較例１ 実施例１において、配線パターンが形成されていない部
分に残存するクロム−ニッケル合金及びポリイミド接着
剤とをエッチング除去する処理を行わない以外は全て実
施例１と同様にして片面配線板を得た。実施例１と同様
にして絶縁抵抗値を調べたところ、配線幅が８０μｍ以
上１００μｍ以下の部分では５００時間以上でも絶縁抵
抗値が１×１０⁹Ω以上を持続したが、５０μｍ以上〜
８０μｍ未満の部分では残存するクロム−ニッケル合金
の影響で５００時間未満で絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω未
満となり、５μｍ以上５０μｍ未満の部分ではやはり残
存するクロム−ニッケル合金の影響で３００時間未満で
抵抗値が１×１０⁹Ω未満となり、絶縁信頼性は不良で
あった。

【００７９】実施例２ 合成例１で合成したポリイミド前駆体ワニスの代わりに
合成例２で合成したポリイミド前駆体ワニスを使用し、
実施例１と同様にして塗布、乾燥、イミド化処理を行
い、アルカリ性水溶液で除去可能なシロキサン骨格を有
するポリイミド接着剤を基材上に積層した。次に、ポリ
イミド接着剤の上にクロムスパッタを１０ｎｍ、銅スパ
ッタを２００ｎｍ施して核付け層を形成し、この核付け
層を電極として電解銅メッキにより最終的に厚さ３μｍ
の金属層を形成した。

【００８０】得られた金属層上にフォトレジストを乾燥
膜厚が５μｍになるように塗布・乾燥し、線幅が５〜１
００μｍであるような配線パターンに合ったマスクを用
いて露光・現像を施し、配線パターン部分のみが除去さ
れたレジストパターンを得た。次に、レジストが除去さ
れた部分の金属に無電解銅メッキと電解銅メッキを施
し、４．５μｍまでメッキした。その後に銀メッキを施
し、最終的にレジストと同じ高さである５μｍまでメッ
キを施した。

【００８１】メッキ終了後、レジストを除去し、次いで
１０重量％塩化鉄水溶液を用いて配線パターン部分以外
の銅をエッチングして除去し、更に実施例１で用いたア
ルカリ性フェリシアン化カリウム水溶液を用いて配線パ
ターン部分以外のクロムと接着剤とをエッチングして除
去し、基材の配線パターンが形成されている部分には基
材と配線パターンとの間に接着剤が配置されている一
方、配線パターンが形成されていない部分には基材上に
接着剤が配置されていない片面配線板を得た。得られた
配線板では、５μｍ幅の細い配線も１００μｍ幅の比較
的太い配線も基材と強固に接着しており、配線パターン
の欠落などは見られず、配線間に接着剤や金属の残存も
なかった。実施例１と同様にして絶縁抵抗値を調べたと
ころ、５００時間で絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以上を持
続しており、７００時間でも絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω
以上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【００８２】実施例３ 基材としての５０μｍ厚の東レ・デュポン（株）製ポリ
イミド“カプトン”ＥＮの両面上にまずプラズマ処理を
施し、しかる後に合成例３で合成したポリイミド前駆体
ワニスを乾燥後の膜厚が９μｍになるように基材の両面
に塗布し、まず８０℃で５分間乾燥し、次に１５０℃で
５分間乾燥し、更に２５０℃で５分加熱処理を施してイ
ミド化処理を行い、シロキサン骨格を有するポリイミド
接着剤を基材上に積層した。

【００８３】次に、ポリイミド接着剤の上にニッケルス
パッタを１０ｎｍ、銅スパッタを２００ｎｍ施して核付
け層を形成し、この核付け層を電極として電解銅メッキ
を施し、厚さ８μｍの金属層を両面に形成した。

【００８４】得られた両面の金属層の上に実施例１と同
様のレジストとマスクを用いてレジストパターンを作製
し、配線パターン部分のみが残ったレジストパターンを
得た。次に、レジストが除去された部分の銅及びニッケ
ルを３０重量％塩化銅水溶液にてエッチングして除去し
た。この段階では電子顕微鏡観察において配線パターン
が形成されていない部分にニッケルの残存が見られた。
更に、炭酸ガスレーザーを用いて配線パターンが形成さ
れていない部分に残存するニッケル及び接着剤とを除去
し、基材の配線パターンが形成されている部分には基材
と配線パターンとの間に接着剤が配置されている一方、
配線パターンが形成されていない部分には基材上に接着
剤が配置されていない両面配線板を得た。

【００８５】得られた配線板では、５μｍ幅の細い配線
も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着し
ており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間に
接着剤や金属の残存もなかった。実施例１と同様にして
絶縁抵抗値を調べたところ、５００時間でも絶縁抵抗値
が１×１０⁹Ω以上を持続しており、良好な絶縁信頼性
を有していた。

【００８６】実施例４ 合成例３で合成したポリイミド前駆体ワニスの代わりに
合成例４で合成したポリイミド前駆体ワニスを使用し、
実施例３と同様にして基材の両面に塗布、乾燥、イミド
化処理を行い、アルカリ性水溶液で除去可能なアルキレ
ン骨格を有するポリイミド接着剤を基材上に積層した。
次に、ポリイミド接着剤の上にクロムスパッタを５ｎｍ
施して核付け層を形成し、この核付け層の上に無電解銅
メッキを０．５μｍ施し、続いて電解銅メッキを施し、
最終的に厚さ２μｍの金属層を両面に形成した。

【００８７】得られた両面の金属層上に実施例２と同様
のレジストとマスクを用いて厚さ１５μｍのレジストパ
ターンを作製し、電解銅メッキを施してレジストと同じ
高さである厚さ１５μｍまでメッキした。その後にレジ
ストを除去し、次いで全体を１０重量％過硫酸アンモニ
ウム水溶液を用いて配線パターン部分以外の銅をエッチ
ングして除去した。更に実施例１で用いたアルカリ性フ
ェリシアン化カリウム水溶液を用いて配線パターン部分
以外のクロムと接着剤とをエッチングして除去し、両面
配線板を得た。得られた配線板では、５μｍ幅の細い配
線も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着
しており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間
に接着剤や金属の残存もなかった。実施例１と同様にし
て絶縁抵抗値を調べたところ、５００時間で絶縁抵抗値
が１×１０¹¹Ω以上を持続しており、７００時間でも絶
縁抵抗値が１×１０⁹Ω以上を持続しており、良好な絶
縁信頼性を有していた。

【００８８】実施例５ 基材としての２５μｍ厚の鐘淵化学工業（株）製ポリイ
ミド“アピカル”ＮＰＩの両面上にまずプラズマ処理を
施し、しかる後に合成例５で合成したポリイミド前駆体
ワニスを乾燥後の膜厚が３μｍになるように基材の両面
に塗布し、まず８０℃で５分間乾燥し、次に１５０℃で
５分間乾燥した。更に２５０℃で５分加熱処理を施して
イミド化処理を行い、アルカリ性水溶液で除去可能なア
ルキレン骨格を有するポリイミド接着剤を基材上に積層
した。

【００８９】次に、ポリイミド接着剤の上にクロム−ニ
ッケル合金スパッタを１０ｎｍ施して核付け層を形成
し、この核付け層の上に無電解銅メッキを施し、最終的
に厚さ１μｍの金属層を両面に形成した。

【００９０】得られた両面の金属層上に実施例２と同様
のレジストとマスクを用いて厚さ１０μｍのレジストパ
ターンを作製し、無電解銅メッキを施して厚さ８μｍま
でメッキした。その後にスズメッキと金メッキを施し、
最終的にレジストと同じ高さである１０μｍまでメッキ
を施した。

【００９１】メッキ終了後、レジストを除去し、次いで
１０重量％過硫酸ナトリウム水溶液を用いて配線パター
ン部分以外の銅とクロム−ニッケル合金を除去した。こ
の段階では電子顕微鏡観察において配線パターンが形成
されていない部分にクロム−ニッケルの残存が見られ
た。更に実施例１で用いたアルカリ性フェリシアン化カ
リウム水溶液を用いて配線パターン部分以外のクロム−
ニッケル合金と接着剤とをエッチングして除去し、両面
配線板を得た。得られた配線板では、５μｍ幅の細い配
線も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着
しており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間
に接着剤や金属の残存もなかった。実施例１と同様にし
て絶縁抵抗値を調べたところ、５００時間で絶縁抵抗値
が１×１０ ¹⁰Ω以上を持続しており、６００時間でも絶
縁抵抗値が１×１０⁹Ω以上を持続しており、良好な絶
縁信頼性を有していた。

【００９２】実施例６ 合成例５で合成したポリイミド前駆体ワニスの代わりに
合成例６で合成したポリイミド前駆体ワニスを使用し、
実施例５と同様にして塗布、乾燥、イミド化処理を行
い、アルキレン骨格を有するポリイミド接着剤を基材の
両面に積層した。

【００９３】次に、ポリイミド接着剤の上にニッケルス
パッタを５ｎｍ施して核付け層を形成し、この核付け層
の上に無電解銅メッキにて厚さ１２μｍの金属層を両面
に形成した。

【００９４】得られた両面の金属層の上に実施例１と同
様のレジストとマスクを用いてレジストパターンを作製
し、配線層パターン部分のみが残ったレジストパターン
を得た。

【００９５】次に、レジストが除去された部分の銅とニ
ッケルを２０重量％塩化鉄水溶液にてエッチングして除
去した。この段階では電子顕微鏡観察において配線パタ
ーンが形成されていない部分にクロム−ニッケルの残存
が見られた。更に波長変換したＵＶ−ＹＡＧレーザーを
用いて配線パターン部分以外のニッケルと接着剤とを除
去し、両面配線板を得た。

【００９６】得られた配線板では、５μｍ幅の細い配線
も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着し
ており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間に
接着剤や金属の残存もなく、良好な絶縁信頼性が得られ
た。実施例１と同様にして絶縁抵抗値を調べたところ、
５００時間で絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω以上を持続して
おり、良好な絶縁信頼性を有していた。

【００９７】実施例７ 実施例１において、基材として７５μｍ厚の宇部興産
（株）製ポリイミド“ユーピレックス”Ｓの代わりに３
００μｍ厚のＢＴ樹脂を用いた。合成例７で合成したエ
ポキシ樹脂系接着剤組成物を使用し、実施例１と同様の
条件にて塗布、乾燥、硬化処理を行い、エポキシ樹脂系
接着剤を基材上に積層した。その後、実施例３と同様の
方法で片面配線板を形成し、実施例３と同様の方法で配
線パターン部分以外のニッケルと接着剤とを除去した。

【００９８】得られた配線板では、５μｍ幅の細い配線
も１００μｍ幅の比較的太い配線も基材と強固に接着し
ており、配線パターンの欠落などは見られず、配線間に
接着剤や金属の残存もなく、良好な絶縁信頼性が得られ
た。実施例１と同様にして絶縁抵抗値を調べたところ、
５００時間で絶縁抵抗値が１×１０⁹ Ω以上を持続し
ており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【００９９】実施例８ 基材として宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓ
を用い、基材の片面上に合成例８で合成したポリイミド
前駆体ワニスＡを乾燥後の膜厚が３μｍになるように塗
布し、まず８０℃で５分間乾燥し、次に１５０℃で５分
間乾燥して、アルカリ性水溶液で除去可能な接着剤層を
基材上に積層した。次に、ポリイミド前駆体層の上にク
ロム−ニッケル合金スパッタを１０ｎｍ、銅スパッタを
２００ｎｍ施して核付け層を形成し、この核付け層を電
極として電解銅メッキにより最終的に厚さ５μｍの金属
層を形成した。

【０１００】得られた金属層上にフォトレジストを乾燥
膜厚が５μｍになるように塗布・乾燥し、配線ピッチ
（ライン／スペース）が２０μｍ（１０μｍ／１０μ
ｍ）、５０μｍ（２５μｍ／２５μｍ）、１００μｍ
（５０μｍ／５０μｍ）であるような配線パターンに合
ったマスクを用いて露光・現像を施し、配線パターン部
分のみが残ったレジストパターンを得た。次に、レジス
トが除去された部分の銅及びクロム−ニッケル合金を、
３７重量％塩化鉄水溶液にてエッチングして除去し片面
配線板を得た。

【０１０１】得られた片面配線板を更に、配線パターン
が形成されていない部分に残存する接着剤層を２．５％
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液でエッチングして除去した後、片面配線板を
窒素雰囲気中で（８０℃ １時間）＋（１５０℃ ３時
間）＋（２７０℃ ２時間）で段階的に熱処理した。そ
の結果、基材の配線パターンが形成されている部分には
基材と配線パターンとの間に接着剤層が配置されている
一方、配線パターンが形成されていない部分には基材上
に接着剤層が配置されていない片面配線板を得た。

【０１０２】得られた配線板では、配線も基材と強固に
接着しており配線パターンの欠落などは見られず、配線
間に接着剤や金属の残存もなかった。ＪＩＳ Ｚ３１９
７に準じ、１３０℃、８５％ＲＨ、１００Ｖで絶縁抵抗
値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッチに
おいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以上を
持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１０３】実施例９〜１１ 基材、接着剤の種類と膜厚、金属層の膜厚、配線形成時
の金属層と接着剤層のエッチング液を表１の通りとした
以外は実施例８と同様の操作を行い、片面配線板を得
た。

【０１０４】得られた配線板では、全てにおいて、配線
も基材と強固に接着しており配線パターンの欠落などは
見られず、配線間に接着剤や金属の残存もなかった。ま
た実施例８と同様にして絶縁抵抗値を測定し、結果を表
１に示した。全ての配線ピッチにおいて５００時間での
絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以上を持続しており、良好な
絶縁信頼性を有していた。

【０１０５】実施例１２ 基材として宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓ
を用い、基材の片面上に合成例９で合成したポリイミド
前駆体ワニスＢを乾燥後の膜厚が２μｍになるように塗
布し、まず８０℃で５分間乾燥し、次に１５０℃で５分
間乾燥して、アルカリ性水溶液で除去可能な接着剤層を
基材上に積層した。次に、ポリイミド前駆体層の上にク
ロムスパッタを１０ｎｍ、銅スパッタを２００ｎｍ施し
て核付け層を形成し、この核付け層を電極として電解銅
メッキにより最終的に厚さ３μｍの金属層を形成した。

【０１０６】得られた金属層上にフォトレジストを乾燥
膜厚が５μｍになるように塗布・乾燥し、配線ピッチ
（ライン／スペース）が２０μｍ（１０μｍ／１０μ
ｍ）、５０μｍ（２５μｍ／２５μｍ）、１００μｍ
（５０μｍ／５０μｍ）であるような配線パターンに合
ったマスクを用いて露光・現像を施し、配線パターン部
分のみが除去されたレジストパターンを得た。

【０１０７】次に、レジストが除去された部分の金属に
無電解銅メッキと電解銅メッキを施し、４．５μｍまで
メッキした。その後、銀メッキを施し、最終的にレジス
トと同じ高さである５μｍまでメッキを施した。メッキ
終了後、レジストを除去し、次いで１０重量％塩化鉄水
溶液を用いて配線パターン部分以外の銅をエッチングし
て除去した。更に２．５％ＴＭＡＨ水溶液を用いて配線
パターン部分以外の接着剤層をエッチングして除去した
後、片面配線板を窒素雰囲気中で（８０℃ １時間）＋
（１５０℃ ３時間）＋（２７０℃ ２時間）で段階的に
熱処理した。その結果、基材の配線パターンが形成され
ている部分には基材と配線パターンとの間に接着剤が配
置されている一方、配線パターンが形成されていない部
分には基材上に接着剤が配置されていない片面配線板を
得た。

【０１０８】得られた配線板では、配線パターンの欠落
などは見られなかった。また実施例８と同様にして絶縁
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッ
チにおいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以
上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１０９】比較例２ 基材として宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓ
を用い、基材の片面上に合成例８で合成したポリイミド
前駆体ワニスＡを乾燥後の膜厚が３μｍになるように塗
布し、まず８０℃で５分間乾燥し、次に１５０℃で５分
間乾燥した後、２６０℃で１０分加熱処理を行ない、ポ
リイミド接着剤層を基材上に積層した。次に、接着剤層
の上にクロム−ニッケル合金スパッタを１０ｎｍ、銅ス
パッタを２００ｎｍ施して核付け層を形成し、この核付
け層を電極として電解銅メッキにより最終的に厚さ８μ
ｍの金属層を形成した。

【０１１０】得られた金属層上にフォトレジストを乾燥
膜厚が５μｍになるように塗布・乾燥し、配線ピッチ
（ライン／スペース）が２０μｍ（１０μｍ／１０μ
ｍ）、５０μｍ（２５μｍ／２５μｍ）、１００μｍ
（５０μｍ／５０μｍ）であるような配線パターンに合
ったマスクを用いて露光・現像を施し、配線パターン部
分のみが残ったレジストパターンを得た。次に、レジス
トが除去された部分の銅及びクロム−ニッケル合金を、
３７重量％塩化鉄水溶液にてエッチングして除去し片面
配線板を得た。

【０１１１】得られた配線板を実施例８と同様にして絶
縁抵抗値を測定し、結果を表１に示した。配線パターン
下部以外の領域にも接着剤が残存する本比較例は、狭ピ
ッチになると絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω未満となり絶縁
信頼性は不良であった。

【０１１２】比較例３ 東レ・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ上にク
ロム−ニッケル合金スパッタを１０ｎｍ、銅スパッタを
２００ｎｍ施して核付け層を形成し、この核付け層を電
極として電解銅メッキにより最終的に厚さ８μｍの金属
層を形成した。後は比較例２と同様の操作を行い、片面
配線板を得た。

【０１１３】得られた配線板を実施例８と同様にして絶
縁抵抗値を測定し、結果を表１に示した。配線パターン
下部以外の領域にも接着剤が残存する本比較例は、狭ピ
ッチになると絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω未満となり絶縁
信頼性は不良であった。

【０１１４】実施例１３ 基材に東レ・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ
を用い、合成例９で合成したポリイミド前駆体ワニスＢ
を乾燥後の厚みが３μｍになるように塗布し、８０℃で
５分、次に１５０℃で５分間乾燥した。接着剤面に片面
粗化した厚み１２μｍの電解銅箔を表面温度１８０℃に
加熱したロールラミネーターで線圧６ｋｇ/ｃｍ、速度
１ｍ/分で張り合わせた。この時、銅箔の粗化面が接着
剤層側にくるようにして張り合わせた。後は実施例８と
同様の操作を行い、片面配線板を得た。

【０１１５】得られた配線板では、配線パターンの欠落
などは見られなかった。また実施例８と同様にして絶縁
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッ
チにおいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以
上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１１６】実施例１４ 基材に宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓを用
い、合成例１０で合成したポリイミド前駆体ワニスＣを
乾燥後の厚みが８μｍになるように塗布し、８０℃で５
分、次に１５０℃で５分間乾燥した。接着剤面に片面粗
化した厚み１２μｍの電解銅箔を表面温度１７０℃に加
熱したロールラミネーターで線圧６ｋｇ/ｃｍ、速度１
ｍ/分で張り合わせた。この時、銅箔の粗化面が接着剤
層側にくるようにして張り合わせた。後は実施例８と同
様の操作を行い、片面配線板を得た。

【０１１７】得られた配線板では、配線パターンの欠落
などは見られなかった。また実施例８と同様にして絶縁
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッ
チにおいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以
上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１１８】実施例１５ 基材に宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓを用
い、合成例１０で合成したポリイミド前駆体ワニスＣを
乾燥後の厚みが２μｍになるように塗布し、８０℃で５
分、次に１５０℃で５分間乾燥した。接着剤面に両面光
沢面で厚み９μｍの電解銅箔を表面温度１７０℃に加熱
したロールラミネーターで線圧６ｋｇ/ｃｍ、速度１ｍ/
分で張り合わせた。後は実施例８と同様の操作を行い、
片面配線板を得た。

【０１１９】得られた配線板では、配線パターンの欠落
などは見られなかった。また実施例８と同様にして絶縁
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッ
チにおいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹¹Ω以
上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１２０】実施例１６ 合成例１１で合成したアクリル樹脂ワニスＤ３００ｇに
対し、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２１
ｇを加え混合した。該混合液を宇部興産（株）製“ユー
ピレックス”２５Ｓに乾燥後の厚みが３μｍになるよう
に塗布し、８０℃で５分、次に１２０℃で５分間乾燥し
た。接着剤面に両面光沢面で厚み９μｍの電解銅箔を表
面温度１６０℃に加熱したロールラミネーターで線圧６
ｋｇ/ｃｍ、速度１ｍ/分で張り合わせた。

【０１２１】接着剤のエッチング液に０．５％ＴＭＡＨ
水溶液を用いた以外は実施例８と同様の操作を行い配線
パターンを形成し、レジストを除去した後、片面配線板
を窒素雰囲気中で（８０℃ １時間）＋（１５０℃ ３時
間）＋（２２０℃ ２時間）で段階的に熱処理し、片面
配線板を得た。

【０１２２】得られた配線板では、配線パターンの欠落
などは見られなかった。また実施例８と同様にして絶縁
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。全ての配線ピッ
チにおいて５００時間での絶縁抵抗値が１×１０¹⁰Ω以
上を持続しており、良好な絶縁信頼性を有していた。

【０１２３】比較例４ 基材として東レ・デュポン（株）製“カプトン”１００
ＥＮを用い、合成例１０で合成したポリイミド前駆体ワ
ニスを乾燥後の厚みが２μｍになるように塗布し、８０
℃で５分、次に１５０℃で５分間乾燥した後、２６０℃
で１０分加熱処理を行ないポリイミド接着剤層を基材上
に積層した。接着剤面に両面光沢面で厚み９μｍの電解
銅箔を表面温度１８０℃に加熱したロールラミネーター
で線圧６ｋｇ/ｃｍ、速度１ｍ/分で張り合わせた。比較
例２と同様の操作を行い、片面配線板を得た。

【０１２４】得られた配線板を実施例８と同様にして絶
縁抵抗値を測定し、結果を表１に示した。配線パターン
下部以外の領域にも接着剤が残存する本比較例は、１０
０μｍピッチ、５０μｍピッチでは５００時間での絶縁
抵抗値が１×１０⁹Ωであったが、２０μｍピッチでは
絶縁抵抗値が１×１０⁹Ω未満となり、絶縁信頼性は不
良であった。

【０１２５】

【表１】

【０１２６】

【発明の効果】微細配線パターンにおいても絶縁信頼性
に優れた配線板を提供することができ、その実用性は多
大である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 徹也 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ株 式会社滋賀事業場内 Ｆターム(参考） 5E339 AA02 AB02 AB07 AD01 AD03 BC02 BD03 BD08 BD11 BE13 CC01 CC02 CD01 CE11 CE14 CF16 CF17 CG01 DD03 DD04 GG01 GG10 5E343 AA17 AA18 AA22 BB24 BB38 BB44 BB67 CC03 CC04 CC63 DD43 DD63 DD76 EE21 ER18 ER43 GG02 GG14

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基材の少なくとも片面に配線パターンが形
   成されている配線板であり、基材と配線パターンを接着
   する接着剤が該配線パターン下部にのみ配置されている
   配線板。
2. 【請求項２】接着剤が光および／または熱硬化性の耐熱
   性樹脂である請求項１記載の配線板。
3. 【請求項３】光および／または熱で硬化する前の前記接
   着剤がアルカリ可溶性である請求項２記載の配線板。
4. 【請求項４】光および／または熱硬化性の耐熱性樹脂が
   ポリイミド系樹脂である請求項２記載の配線板。
5. 【請求項５】接着剤の厚みが０．０５〜１０μｍである
   請求項１記載の配線板。
6. 【請求項６】基材の少なくとも片面に接着剤と金属層と
   をこの順に積層し、金属層上にレジスト層を形成し、レ
   ジスト層を露光・現像することにより配線パターンに合
   致する形状にレジストをパターニングし、パターニング
   したレジストをエッチングマスクとして金属層及び接着
   剤を除去して配線パターンを形成し、次いでレジストを
   除去することを特徴とする配線板の製造方法。
7. 【請求項７】基材の少なくとも片面に接着剤と金属層と
   をこの順に積層し、金属層上にレジスト層を形成し、レ
   ジスト層を露光・現像することにより配線パターンを形
   成する部分のレジストを除去し、レジストを除去した部
   分にメッキにより配線パターンを形成し、その後、残り
   のレジストと配線パターン以外の金属層及び接着剤を除
   去することを特徴とする配線板の製造方法。
8. 【請求項８】基材の少なくとも片面に半硬化状態の接着
   剤層と金属層をこの順に積層し、配線パターンを形成
   し、レジストを除去した後に光照射および／または加熱
   処理により接着剤層を硬化させる請求項６または７記載
   の配線板の製造方法。