CN101449633B - 用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜 - Google Patents

用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种高直线性和非常小间距的铜布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。所述制备方法包括：(a)提供铜箔层压膜的步骤，所述铜箔层压膜包含在聚酰亚胺膜(2)的表面上的铜箔(4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜-侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案，(c)在从抗蚀剂暴露的铜箔部分上进行镀铜(10)的步骤，(d)去除的镀敷抗蚀剂的步骤，和(e)去除暴露在去除所述镀敷抗蚀剂的部分上暴露的所述铜箔以暴露聚酰亚胺膜(8)的步骤。

Description

用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜
技术领域
本发明涉及一种使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法(semi-additive method)制备具有精细布线的铜布线聚酰亚胺膜的方法。
背景技术
因为铜箔层压聚酰亚胺膜具有优异的性能，例如细薄和重量轻，因此它们已经用于高性能电子器件，特别是用于具有高密度布线的柔性印刷电路板(FPC)、带式自动接合(TAB)等，而高密度布线适合于减小尺寸和重量。随着电子器件的高密度集成和细化，需要布线板响应高密度装配。
作为用于对合成树脂膜和金属的层压体制备更加微细的布线图案的方法，已经提出了一种用于将金属层的厚度变薄的方法(例如，参考专利文件1至3)。专利文件1公开了一种覆金属层压体，该覆金属层压体具有在合成树脂膜的一侧或两侧上形成的金属层，其中金属层是不大于5微米的金属箔。具体而言，已经描述了使用厚度为3μm并且线和间隔为25μm和25μm(间距50μm)的铜箔形成电路。专利文件2公开了一种覆铜层压体，该覆铜层压体包含厚度为1至8μm的铜箔、含有作为主要组分的热塑性聚酰亚胺树脂的粘合剂层以及耐热性膜。专利文件3的权利要求公开了一种覆金属层压体，其中在非热塑性聚酰亚胺膜的至少一侧上形成热塑性聚酰亚胺膜，并且在热塑性树脂层的表面上层压铜箔，其中该铜箔的厚度不大于5μm。
然而，如果蚀刻图案形状不好，并且如果进一步追求精细的间距，则预期到绝缘性能和可靠性劣化。因此，据认为仅仅通过使铜箔变薄，对精细间距存在限制。此外，当铜箔过薄时，作为导体的可靠性也被认为降低。因此，作为最终产品，需要具有精细图案，同时具有适当的铜层厚度的铜布线聚酰亚胺膜。
顺便提及，在专利文件4至6中，为了改善布线图案的可见性，已经描述了使铜箔的与膜粘合的那一侧上的粗糙度变小(例如，Rz不大于1.0μm(参考专利文件4和5))。然而，既没有提出其对具有薄厚度的铜箔的任何应用，也没有提到其用于制备精细间距的任何应用。
专利文件1：国际公布WO2002/034509
专利文件2：日本公开专利公布2002-316386
专利文件3：日本公开专公布2003-071984
专利文件4：日本公开专公布2004-042579
专利文件5：日本公开专公布2004-098659
专利文件6：国际公布(WO)WO03/096776
发明内容
本发明所要解决的问题
本发明的一个目的是提供一种使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距超细并且直线性优异的布线。
解决问题的手段
本发明涉及下列内容：
1.一种用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距为20至45μm的铜布线部分，所述方法使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法进行，所述方法包括下列步骤：
(a)提供铜箔层压膜，所述铜箔层压膜包含直接层压在聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的一个或多个铜箔；所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，
(b)形成镀敷抗蚀剂图层，所述镀敷抗蚀剂图案层能够在步骤(a)中提供的铜箔层压膜的铜箔的表面上形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案；所述镀敷抗蚀剂图案层具有与布线图案相应的开口部分，
(c)在从开口暴露的铜箔部分上进行镀铜，
(d)去除在所述铜箔上的镀敷抗蚀剂图案层，和
(e)去除暴露在其中已经移除镀敷抗蚀剂图案层的部分上的铜箔，由此暴露出聚酰亚胺膜。
2.根据上述项1所述的方法，其中所述步骤(a)包括下列步骤：
(a-1)提供具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其中所述一个或多个铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述一个或多个铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度，
(a-2)从所述铜箔层压聚酰亚胺膜上剥离载体箔，和
(a-3)任选地，通过蚀刻将铜箔的厚度变薄至0.5至2μm的范围。
3.根据上述项1或2所述的方法，其中步骤(a)的厚度在0.5至2μm的范围内的铜箔是经过蚀刻处理的铜箔。
4.根据上述项1至3中任一项所述的方法，其中步骤(b)包括在铜箔的表面上形成镀敷抗蚀剂层的步骤、通过光掩模曝光的步骤，以及通过显影形成镀敷抗蚀剂图案层的开口部分的步骤。
5.根据上述项1至4中任一项所述的方法，其中步骤(e)是通过闪蚀刻进行的。
6.根据上述项1至5中任一项所述的方法，其中所提供的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔的厚度在2至4μm的范围内。
7.根据上述项1至6中任一项所述的方法，其中通过将一个或多个热压粘合聚酰亚胺层层压在高耐热性芳族聚酰亚胺层的一侧或两侧上并且形成整体，获得构成所提供的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的聚酰亚胺膜。
8.一种铜布线聚酰亚胺膜，所述铜布线聚酰亚胺膜包含间距为20至45μm的铜布线部分，并且是根据上述项1至7中任一项所述的方法制备的。
9.一种具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其包含聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔，所述具有载体的铜箔直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度。
10.一种具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其包含聚酰亚胺膜和具有 载体的铜箔，所述具有载体的铜箔直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，并且其中所述铜箔已经进行了蚀刻处理。
发明效果
根据本发明，可以通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，由半添加法形成直线性优异的超细间距铜布线。因此，可以制备长期可靠性(在布线之间的绝缘)优异并且聚酰亚胺膜上的可见性也优异的超细间距铜布线。
根据本发明制备的铜布线聚酰亚胺膜可以用作布线基板，如柔性印刷电路板(FPC)、自动接合带(TAB)、COF等。
而且，用于制备具有精细图案的铜布线聚酰亚胺膜的方法可以采用在本发明中规定的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜。因此，可以形成直线性优异的超细间距铜布线，并且获得布线的可见性优异的基板。
附图简述
图1是示出通过使用具有载体的单侧铜箔层压聚酰亚胺膜，由半添加法制备单侧铜布线聚酰亚胺膜的方法的一个实例的工艺图。
图2是示出通过使用具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜，由半添加法制备双侧铜布线聚酰亚胺膜的方法的一个实例的工艺图。
图3是示出使用具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺，在由具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜形成通孔之前，进行制备的方法的一个实例的工艺图。
图4是示出在实施例2中获得的具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜的表面的SEM观察(1,000倍)的图。
图5是示出在实施例3中获得的具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜的表面的SEM观察(1,000倍)的图。
图6是示出在比较例1中获得的具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜的表面的SEM观察(1,000倍)的图。
附图标记说明
1：具有载体的单侧铜箔层压聚酰亚胺膜
2：聚酰亚胺膜
3，3’：具有载体的铜箔
4，4’：铜箔
5，5’：载体
8，8’：在去除铜箔之后出现的聚酰亚胺膜表面
9，9’：镀金属
10，10’：镀铜
17，17’：光致抗蚀剂层
21，21’：导电膜
100：具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜
101：双侧铜布线聚酰亚胺膜
102：在两侧上经过金属镀敷的双侧铜布线聚酰亚胺膜
实施本发明的最佳方式
将参考附图说明本发明中的方法。
实施方案1
图1示出了使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法制备铜布线聚酰亚胺膜的方法的一个实例。在本发明中，可以使用已知的半添加法。
在本发明的步骤(a)中，提供一种铜箔层压膜，该铜箔层压膜具有直接被层压在聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的一个或多个铜箔，其中铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且该铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度。该步骤(a)通常包括子步骤(a-1)至(a-3)，即(a-1)提供具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的步骤，其中一个或多个铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述一个或多个铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度；(a-2)从铜箔层压聚酰亚胺膜上剥离一个或多个载体箔的步骤；和(a-3) 通过蚀刻使铜箔的厚度变薄至0.5至2μm的范围的任选步骤。
如图1(a)中所示，在步骤(a-1)中提供的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜1具有其中聚酰亚胺膜2和具有载体的铜箔3被层压的结构。具有载体的铜箔3具有其中铜箔4和载体5被层压的结构。在此，铜箔的厚度在1至8μm的范围内，而铜箔与聚酰亚胺膜的层压表面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下。
接着，在步骤(a-2)中，如图1(b)中所示，将载体箔5从具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜1上剥离，以获得其中铜箔和聚酰亚胺膜被直接层压的铜箔层压聚酰亚胺膜。
然后，在步骤(a-3)中，如图1(c)中所示，为了将铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔变薄，根据需要进行蚀刻(半蚀刻)。根据该步骤，将铜箔的厚度变薄至0.5至2μm的范围(在图1中，变薄的铜箔由符号4b表示)。然而，当所提供的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔的厚度在该范围内时，可以省略半蚀刻步骤。通常，优选通过半蚀刻将铜箔变薄0.5μm以上。
对于铜箔的半蚀刻，可以适当地选择熟知的方法并且实施。例如，可以采用包括将铜箔层压聚酰亚胺膜浸入熟知的半蚀刻溶液中的方法、或包括使用喷淋装置喷淋半蚀刻溶液以将铜箔进一步变薄的方法。作为半蚀刻溶液，可以使用熟知的半蚀刻溶液，并且其实例包括其中将过氧化氢与硫酸混合的溶液或含有作为主要成分的过硫酸钠水溶液的溶液。其实例包括由Ebara-Udylite股份有限公司生产的DP-200和由Asahi Denka KogyoK.K.生产的ADEKA TEC CAP。
下一个步骤(b)是在步骤(a)中提供的铜箔层压膜的铜箔的上表面上形成镀敷抗蚀剂图案层的步骤。在该步骤中，通常，如图1(d)中所示，在铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔的上部分上形成光致抗蚀剂层17，随后，如图1(e)中所示，使用布线图案的掩模将光致抗蚀剂层曝光，随后显影并且去除待成为布线图案的部分。作为布线图案位置的铜箔从通过将抗蚀剂显影并且去除而得到的开口部分中显现。因为抗蚀剂开口部分(抗蚀剂去除部分)对应布线图案，因此开口部分被确定为具有能够形成间距为20至45μm的铜布线部分的图案，如开口线宽、间距等。
光致抗蚀剂可以是负性类型和正性类型的，并且可以是液态形式、膜 形式等。典型地，通过热层压负性干膜型抗蚀剂或者涂覆并且干燥正性液体型抗蚀剂，在铜箔上形成光致抗蚀剂。在负性类型的情况下，通过显影去除未曝光位置；另一方面，在正性类型的情况下，通过显影去除曝光位置。对于干膜型抗蚀剂，可以容易地获得更厚的抗蚀剂。例如，作为负性干膜型光致抗蚀剂，示例的是由Asahi Kasei股份有限公司生产的SPG-152和由Hitachi Chemical股份有限公司生产的RY-3215。
而且，作为将光致抗蚀剂层显影并且去除的方法，可以适当地选择用于将光致抗蚀剂层显影并且去除的已知化学品。例如，可以通过喷淋碳酸钠水溶液(1％等)等，将光致抗蚀剂层显影并且去除。
在下一步骤(c)中，如图1(f)中所示，在从去除光致抗蚀剂17的开口中显现的铜箔的上部分上形成镀铜层10。作为镀铜步骤，可以适当地选择已知的镀铜条件。例如，使用酸等洗涤铜箔的曝光位置，并且使用铜箔作为阴极电极，在典型地包含作为主要组分的硫酸铜的溶液中，在0.1至10A/dm2的电流密度下进行电解镀铜，由此形成铜层。作为电解溶液，可以使用其中加入180至240g/l的硫酸铜、45至60g/l的硫酸和20至80g/l的氯离子以及作为添加剂的硫脲、糊精或硫脲和糖浆的溶液。
在下一步骤(d)中，如图1(g)中所示，去除用作镀敷抗蚀剂的光致抗蚀剂层17，以暴露被镀敷抗蚀剂图案层覆盖的铜箔。
在下一步骤中(e)，如图1(h)中所示，从其中去除上述镀敷抗蚀剂图案层的这部分露出的铜箔被移除，以暴露聚酰亚胺膜表面8。通常通过闪蚀刻去除薄铜箔。以这种方式，可以制备铜布线聚酰亚胺膜。
作为用于闪蚀刻的闪蚀刻溶液，可以使用熟知的闪蚀刻溶液，并且其实例包括其中将过氧化氢与硫酸混合的溶液或者含有作为主要成分的稀氯化铁水溶液的溶液，例如，由Ebara Densan有限公司生产的FE-830和由Asahi Denka Kogyo K.K.生产的AD-305E。尽管此处在去除薄铜箔时电路部分(布线)的铜溶解，但是没有产生显著的缺陷，原因是去除薄铜箔所必需的蚀刻量小。
此外，如图1(i)中所示，形成金属镀层9，其中根据需要，将铜布线聚酰亚胺膜的铜布线的至少一部分通过镀锡等进行镀敷，由此可以制备经过金属镀敷的铜布线聚酰亚胺膜。
实施方案2
在该实施方案中，图2示出了使用在两侧上层压有具有载体的铜箔片的聚酰亚胺膜，通过半添加法形成电路的方法的一个实例。
在步骤(a-1)中，如图2(a)中所示，提供一种在两侧上层压有具有载体的铜箔片的聚酰亚胺膜100。在该铜箔层压聚酰亚胺膜100中，将具有载体的铜箔3、聚酰亚胺膜2和具有载体的铜箔3’以这种顺序层压，同时具有载体的铜箔3，3’分别为铜箔4，4’和载体5，5’的层压体。在此，铜箔的厚度在1至8μm的范围内，同时铜箔与聚酰亚胺膜的层压侧的表面粗糙度Rz为1.0μm以下。
在下一步骤中(a-2)，如图2(b)中所示，将载体箔5和载体箔5’从具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜100上剥离，以获得其中将铜箔4、聚酰亚胺膜和铜箔4’直接层压的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜。
在下一步骤中(a-3)，如图2(c)中所示，进行蚀刻(半蚀刻)，以使双侧铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔(4，4’)变薄。之后，通过使用激光等，形成穿过双侧铜箔层压聚酰亚胺膜的两侧的电解铜箔和聚酰亚胺层的一部分的通孔31。可以形成多个通孔。可以颠倒孔成形加工和半蚀刻的顺序。通过半蚀刻，可以将铜箔的厚度变薄至0.5至2μm的范围。
然后，如图2(d)中所示，在铜箔层压聚酰亚胺膜的通孔31的聚酰亚胺表面上和在铜箔(4，4’)上形成导电膜21、21’、21”，以将铜箔4和铜箔4’电连接。导电膜和铜箔的总厚度也优选在0.5至2μm的范围内。
在下一步骤(b)中，在步骤(a)中提供的铜箔层压膜的铜箔的表面上形成镀敷抗蚀剂图案层，该镀敷抗蚀剂图案层能够形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案，其中镀敷抗蚀剂图案层具有与布线图案对应的开口。在该步骤中，如图2(e)中所示，在铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔(4，4’)的上部分上形成光致抗蚀剂层(17，17’)，随后，如图2(f)中所示，使用布线图案的掩模将光致抗蚀剂层曝光，随后将待成为布线图案的部分显影并且去除。从其中将抗蚀剂显影并且去除的开口部分中，显现出成为布线图案的多个铜箔部分(32，32’)。因为抗蚀剂开口部分(抗蚀剂去除部分)对应布线图案，因此开口部分被确定为具有能够形成间距为20至45μm的 铜布线部分的图案，如开口线宽、间距等。在此可以使用的光致抗蚀剂与实施方案1中所述的光致抗蚀剂相同。
在下一步骤中(c)，如图2(g)中所示，在其中去除光致抗蚀剂层(17，17’)的开口中显现的铜箔部分(32，32’)的上部分上形成镀铜层(10，10’)。
在下一步骤中(d)，如图2(h)中所示，去除用作镀敷抗蚀剂的光致抗蚀剂层17，以暴露被镀敷抗蚀剂图案层覆盖的铜箔。
在下一步骤中(e)，如图2(i)中所示，从其中去除镀敷抗蚀剂图案层的部分中露出的铜箔被去除，以暴露聚酰亚胺膜。通常通过闪蚀刻去除薄铜箔。以这种方式，可以制备双侧铜布线聚酰亚胺膜101。在图2(i)中，其中通过闪蚀刻去除双侧铜布线聚酰亚胺膜101的铜的那些部分由符号8和8’表示。将双侧铜布线聚酰亚胺膜101的通孔的外部上形成的两个表面上的铜布线电连接。作为用于闪蚀刻的闪蚀刻溶液，可以使用与实施方案1中所述那些相同的溶液。
而且，如图2(j)中所示，形成金属镀层(9，9’)，其中根据需要，双侧铜布线聚酰亚胺膜101的铜布线的至少一部分被镀敷，如进行镀锡等，由此可以制备经过金属镀敷的双侧铜布线聚酰亚胺膜102。
实施方案3
图3(a)至(d)描述实施方案2的第一部分中用于形成通孔31的方法(图2(a)至(c))的另一个实例。
如图3(a)中所示，以与实施方案2相同的方式提供在两个表面上层压有具有载体的铜箔片的聚酰亚胺膜100。
如图3(b)中所示，仅将在一个表面上的载体箔5从具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜100上剥离，以获得其中将铜箔4和聚酰亚胺膜，以及铜箔4’和载体5’直接层压的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜。
如图3(c)中所示，通过使用激光等，形成穿过双侧铜箔层压聚酰亚胺膜的两侧上的电解铜箔和聚酰亚胺层的部分的通孔31。在这种情况下，通孔也可以形成穿过载体5’。而且，通孔可以形成不穿过铜箔4’和载体5’，以形成盲通孔(blind via hole)。可以形成多个通孔或盲通孔。在通孔的加工过程中，处于图3(b)或3(c)中的状态的载体5’可以被有效地用作膜的 载体或保护层。
然后，如图3(d中所示)，将载体5’剥离，并且根据需要进一步进行蚀刻(半蚀刻)，以将双侧铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔(4，4’)变薄。
在随后的步骤中，使用与在图4(d)以及实施方案2的后续图的步骤中相同的方法。
在实施方案1至3的上述步骤中，辊至辊加工可以用于连续操作。
在实施方案2和3中，其中没有特别提及的，使用与实施方案1相同的方法，但是将描述涉及通孔的变化。
将一侧或两侧上的载体箔剥离之前或之后，例如，通过使用UV-YAG激光，同时将穿过一侧或两侧的铜箔和聚酰亚胺膜的一部分去除，可以形成通孔或盲通孔。作为选择，通过蚀刻等预先去除在被钻孔的聚酰亚胺膜的那部分上的铜箔，然后可以通过使用二氧化碳激光的辐照去除聚酰亚胺膜，以形成盲通孔，或者可以通过冲孔或钻孔形成穿透两个表面的孔。
而且，在实施方案2和3中，当通过图案镀敷方法形成布线部分(步骤(c))时，优选同时进行通孔的形成，该通孔的形成通过使用电解电镀方法穿过该孔电连接而形成。在该步骤中，在对通孔或盲通孔的内部进行去污之后，通过使用钯-锡胶体催化剂形成钯-锡膜的所谓DPS(直接镀敷系统)方法，在通孔或盲通孔内部形成导电膜。之后，通过下列步骤在孔中并且在两个表面上的电路位置上形成铜层：(i)在铜箔的两侧上涂覆或者层压光敏型干膜镀敷抗蚀剂；(ii)穿过布线图案的光掩模曝光；(iii)喷淋1％的碳酸钠水溶液等并且显影以在成为布线图案的位置和成为电连接孔的位置上去除镀敷抗蚀剂层；(iv)使用酸等洗涤薄铜箔的暴露位置；和(v)在典型地含有硫酸铜作为主要试剂的溶液中，使用薄铜箔作为阴极电极，在0.1至10A/dm2的电流密度下，典型地进行电解镀铜。这种情况是在图2(g)中示出的结构。
在此，作为DPS步骤，可以示例的有由Ebara-Udylite股份有限公司生产的RISERTRON DPS系统。在此，使用含有作为主要试剂的单乙醇胺的水溶液的表面处理产生了其中钯-锡胶体催化剂容易吸附的状态。随后，使用软蚀刻溶液去除通过处理而具有易吸附性的薄铜箔的表面，以抑制在铜箔表面上的钯-锡膜的形成，并且确保铜箔表面的粘合强度和电解电镀。 将其浸入氯化钠、盐酸等中。在这些步骤之后，在包括浸入到钯-锡胶体液体中的活化步骤中形成Pd-Sn膜。在含有碳酸钠、碳酸钾和铜离子的碱性促进剂浴和含有硫酸的酸性促进剂浴中的最终活化期间，可以将还原剂加入到用于活化的碱性促进剂浴中。可以添加的还原剂的实例包括例如醛，如甲醛、乙醛、丙醛和苯甲醛，以及儿茶酚、间苯二酚、抗坏血酸等。其中加入还原剂的碱性促进剂浴优选包含碳酸钠、碳酸钾和铜离子。通过已经描述的方法，可以获得由Pd-Sn组成的低电阻膜。
说明使用其中将具有载体的铜箔层压在其两个表面上的聚酰亚胺膜，通过半添加法形成电路的所述方法的一个具体实例。从其中将具有载体的铜箔片层压在两侧上的卷起聚酰亚胺膜中，切割出10.5x25cm的矩形样品，并且剥离双侧载体箔。为了形成通孔VIA，使用UV-YAGLASER[Electro Scientific Industries公司(ESI公司)的产品，型号：5320，波长：355μm]，将双侧电解铜箔和聚酰亚胺层进行激光加工以形成通孔。使用由Ebara-Udylite股份有限公司生产的DP-200作为半蚀刻溶液，将铜箔在25℃浸渍2分钟，使得铜箔的厚度变为1μm。通过由Ebara-Udylite股份有限公司制备的RISERTRON DS(去污)方法去除在孔等中的激光污点，然后通过同样的Ebara-Udylite股份有限公司的RISERTRON DPS方法形成导电膜。通过在110℃的热辊，将干膜型负性类型的光致抗蚀剂(SPG-152，Asahi Kasei股份有限公司的产品)层压在DPS处理的铜箔上，然后除了其中预期形成电路(布线图案)的部分和成为通孔的部分以外，将光致抗蚀剂曝光，并且将未曝光的抗蚀剂用1％碳酸钠水溶液喷淋显影，并且在30℃去除20秒。在将薄铜箔的曝光位置和其中形成导电膜的通孔内部脱脂并且酸洗之后，在25℃下，在硫酸铜镀敷浴中，以薄铜箔为阴极电极，在2A/dm2的电流密度下进行30分钟的电解镀铜，并且在导电膜形成的通孔内部进行厚度为10μm的镀铜的图案镀敷。随后，当使用42℃的2％氢氧化钠水溶液通过喷淋处理去除抗蚀剂层达15秒，然后使用30℃的闪蚀刻溶液(AD-305E，Asahi Denka Kogyo K.K.的产品)通过喷淋处理去除在不必要部分中的薄膜铜达30秒时，获得了在其两个表面上都具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜。
通过本发明的方法形成的铜布线聚酰亚胺膜包含间距为20至45μm、 优选间距为22至42μm、还优选间距为24至40μm、更优选间距为25至36μm，并且特别优选间距为26至30μm的铜布线部分。在此，术语间距是指铜布线和铜布线之间的间隔的总宽度。例如，30μm间距指15μm的铜布线和在铜布线之间的15μm的间隔。
在铜布线聚酰亚胺膜的情况下，可以在铜布线的至少一部分上进一步进行金属镀敷如镀锡等。
在上述方法的说明中，在步骤(a)中提供的铜箔层压膜是这样的铜箔层压膜：其中将一个或多个铜箔直接层压在聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，并且其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有(1)1.0μm以下、还优选0.8μm以下并且更优选0.7μm以下的表面粗糙度Rz；并且所述铜箔具有(2)在0.5至2μm的范围内、优选在0.7m至2μm的范围内，还优选在0.8至1.8μm的范围内并且特别优选在0.8至1.5μm的范围内的厚度，所述厚度优选由蚀刻处理形成。通常通过上述步骤(a-1)至(a-3)进行蚀刻处理。如上所述和实施例中说明，这种铜箔层压膜对于制备超细间距铜布线聚酰亚胺膜是非常有用的。
下面描述在本发明的上述步骤(a-1)中使用的具有载体的单侧或双侧铜箔层压聚酰亚胺膜。在具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜中，如上所述，将一个或多个具有载体的铜箔直接层压在聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有1至8μm的范围内的厚度。
在具有载体的铜箔中，对载体的厚度没有特别限制，但是它可以被选择使得可以加强薄铜箔；并且载体的厚度优选为10至40μm，还优选为10至35μm，并且更优选为10至18μm。铜箔4的厚度优选为1至8μm，还优选为1至6μm，更优选为2至5μm并且更优选为2至4μm，同时铜箔在被层压到聚酰亚胺膜上的那一侧的表面粗糙度Rz优选为1.0μm以下，还优选为0.8μm以下并且更优选为0.7μm以下。
通过使用具有载体的铜箔3和聚酰亚胺，特别优选多层聚酰亚胺的层压体，可以获得即使在150℃加热168小时之后也具有优异的粘合强度的布线基板，其中所述多层聚酰亚胺是通过将热压粘合聚酰亚胺膜层压在高耐热性芳族聚酰亚胺层的一侧或两侧上并且形成整体而获得的。
作为具有载体的铜箔中的铜箔，可以使用铜、铜合金等，如电解铜箔、轧制铜箔等。可以特别优选使用轧制铜箔。
对具有载体的铜箔中载体的材料没有特别限制，但是它可以被选择使得它可以附着到铜箔上，起加强并且保护铜箔的作用，容易从铜箔上剥离，并且经得住用于层压聚酰亚胺的层压温度。可以使用例如，铝箔、铜箔、具有金属涂覆表面的树脂箔等。
在具有载体的电解铜箔的情况下，因为将铜组分电沉积在载体箔表面上以形成电解铜箔，因此载体箔需要至少具有导电性。
可以使用的载体箔是经过一系列制备步骤并至少在完成铜箔层压聚酰亚胺膜的制备之前与铜箔层一直保持接合，以及便于处理的载体箔。
可以使用的载体箔通过在将具有载体箔的铜箔层压到聚酰亚胺箔上之后剥离载体箔而被去除，或者可以在将具有载体箔的铜箔层压到聚酰亚胺膜之后通过蚀刻方法被去除。
在具有载体的铜箔中，可以适当地使用通过金属或陶瓷的粘合剂粘合载体和铜箔而获得的那些，因为它们具有优异的耐热性。
对于具有载体的铜箔，使用选自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一种金属或包含这些金属中至少一种的合金，对层压有聚酰亚胺膜的至少一侧进行表面处理，如粗糙化处理、防腐蚀处理、耐热处理、耐化学品处理等。而且，可以将表面进行硅烷偶联处理。
具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜1中的聚酰亚胺膜可以与具有载体的铜箔中的铜箔直接层压，并且其实例包括用作电子部件如印刷线路板、柔性印刷电路板、TAB带、COF基板等的基底材料的聚酰亚胺膜；和由构成这些聚酰亚胺膜的酸组分和二胺组分获得的聚酰亚胺，或包含构成这些聚酰亚胺膜的酸组分和二胺组分的聚酰亚胺。
作为聚酰亚胺膜2，其线性膨胀系数(50至200℃)优选接近于与该聚酰亚胺膜层压的铜箔的线性膨胀系数，并且聚酰亚胺膜的线性膨胀系数(50至200℃)优选为0.5×10-5至2.8×10-5cm/cm/℃。
作为聚酰亚胺膜，由于小的热变形，优选使用具有不大于0.05％的热收缩率的聚酰亚胺膜。
聚酰亚胺膜可以以单层膜、层压有两个以上的层和片的多层膜的形式 使用。
聚酰亚胺膜的厚度没有特别限制，但是优选它可以在使得聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔的层压可以在没有任何问题的情况下进行、可以进行制备和处理并且可以足够地支撑铜箔的范围内。它优选为1至500μm，更优选为2至300μm，还优选为5至200μm，更优选为7至175μm，并且特别优选8至100μm。
作为聚酰亚胺膜，可以通过例如至少在基板的一侧上的电晕放电处理、等离子体处理、化学粗糙化处理、物理粗糙化处理等处理基板表面。
对于具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜中的聚酰亚胺膜，可以使用至少具有两层以上的多层聚酰亚胺膜，所述两层以上包括在耐热性聚酰亚胺层(b)的一侧或两侧上通过压缩或热压缩直接与铜箔层压的热压缩粘合聚酰亚胺层(a)。
而且，对于具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，可以使用通过压缩或热压缩，经由热压缩粘合聚酰亚胺层(a)将耐热性聚酰亚胺层(b)和具有载体的铜箔层压而获得的那些。
耐热性聚酰亚胺层(b)和聚酰亚胺膜的具体实例包括比如产品名：Upilex(S或R)(Ube Industries有限公司的产品)，产品名：Kapton(DuPont-TORAY股份有限公司的产品)，产品名：Apical(Kaneka Corp.的产品)等的聚酰亚胺膜；或由组成这些膜的酸组分和二胺组分获得的聚酰亚胺。
可以通过熟知的方法制备聚酰亚胺膜，并且例如对于单层聚酰亚胺膜，可以使用下列方法：
(1)包括将作为聚酰亚胺前体的聚(酰胺酸)溶液流延或涂覆在载体上，并且将它酰亚胺化的方法；和
(2)包括将聚酰亚胺溶液流延或涂覆在载体上，然后在必要时将它加热的方法。
可以通过下列方法获得两层以上的聚酰亚胺膜：
(3)包括下列步骤的方法：将作为聚酰亚胺前体的聚(酰胺酸)的溶液流延或者涂覆在载体上，以及，进一步地将用于第二层或后面的层的作为聚酰亚胺前体的聚(酰胺酸)的溶液依次流延或者涂覆在之前流延或涂覆在载 体上的聚(酰胺酸)层的上表面上，并且将它们酰亚胺化；
(4)包括将作为聚酰亚胺前体的用于两层或更多层的聚(酰胺酸)的溶液同时流延或涂覆在载体上，以及将它们酰亚胺化的方法；
(5)包括下列步骤的方法：将聚酰亚胺溶液流延或涂覆在载体上，此外将用于第二层或后面的层的聚酰亚胺的溶液依次流延或者涂覆在之前流延或涂覆于载体上的聚酰亚胺膜的上表面上，并且在必要时将它们加热；
(6)包括将用于两层或更多层的聚酰亚胺溶液同时流延或涂覆在载体上，并且在必要时将它们加热的方法；和
(7)包括直接或通过粘合剂将由上述方法(1)至(6)获得的两个以上的聚酰亚胺膜层压的方法。
当层压具有载体的铜箔和聚酰亚胺膜时，可以使用加热机、压缩机或热压缩机，并且优选根据所用的材料适当地选择加热或压缩条件。尽管制备方法没有特别限制，只要可以使用连续或分批层压即可，但是优选通过使用辊层压机、双压带机等连续进行。
作为具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的制备方法的一个实例，下列方法是示例的。即，将长的具有载体的铜箔(200至2,000m的长度)、长的聚酰亚胺膜和长的具有载体的铜箔以这种顺序堆叠成三层，此外在需要时在外部堆叠保护膜。优选通过使用预加热机如热空气鼓风机或红外线加热机，在即将引入机器之前，将它们在约150至250℃，特别是在高于150℃并且等于或低于250℃的温度下在线预加热约2至120秒。通过使用一对压缩粘合辊或双压带机，在压力下将具有载体的铜箔/聚酰亚胺膜/具有载体的铜箔这三层进行热粘合，其中在压缩粘合辊或双压带机的加热和压缩粘合区中的温度在比聚酰亚胺的玻璃化转变温度高20℃以上并且低于400℃的范围内，特别是在比该玻璃化转变温度高30℃以上并且低于400℃的范围内。特别是，在双压带机的情况下，层压体在冷却区中被连续冷却，同时被压制。将层压体适当地冷却至比聚酰亚胺的玻璃化转变温度低20℃以上，特别是低30℃以上的温度，以完成层压，并且再卷绕成卷形式。因此，可以制备卷形式的具有载体的单侧或双侧铜箔层压聚酰亚胺膜。
在热压缩粘合之前聚酰亚胺膜的预热对于防止因在电子电路的形成过程中，由于在聚酰亚胺中含有的水分，在热压缩粘合之后的层压体发泡，或在浸入金属熔化浴(solder bath)中时的发泡而出现的缺陷外观是有效的。因此，可以防止生产率的下降。
双压带机可以进行加热至高温和在施加压力的同时进行冷却，并且优选使用加热载体的静水力学类型的双压带机。
在制备具有载体箔的双侧铜箔层聚酰亚胺膜的过程中，优选通过使用双压带机，在压力下热压缩粘合并且冷却，以1m/min以上的牵引速率进行层压。这样获得的具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜是连续长的，并且具有约400mm以上、特别是约500mm以上的宽度，以及高的粘合强度(金属箔和聚酰亚胺膜的剥离强度不小于0.7N/mm，并且在150℃热处理168小时之后，剥离强度的保持率不小于90％)，并且还具有良好的外观，使得在铜箔表面上基本上没有观察到皱褶。因此，可以获得具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜。
为了在供给热压粘合聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔的一种或多种的组合的同时，大规模制备具有良好外观的具有载体的双侧铜箔层压聚酰亚胺膜，在两侧的顶表面层和皮带之间设置保护层(即，两个保护层片)，并且优选通过在压力下的热压缩粘合和冷却将这些一起粘合，并且进行层压。
对于保护层，其材料的使用没有特别限制，只要它是非热压缩粘合，并且具有良好的表面光滑度即可，并且其优选实例包括厚度约5至125μm的金属箔，特别是铜箔、不锈钢箔、铝箔和高耐热性聚酰亚胺膜(由UbeIndustries有限公司生产的Upilex S，由DuPont-TORAY股份有限公司生产的Kapton H)等。
在热压粘合聚酰亚胺膜中，作为耐热性聚酰亚胺层(b)，优选使用构成基底膜的耐热性聚酰亚胺，所述基底膜可以用被作电子部件如印刷线路板、柔性印刷电路板、TAB带、COF基板等的带材。
在热压粘合聚酰亚胺膜中，用于耐热性聚酰亚胺层(层b)的耐热性聚酰亚胺可以选自具有至少一种下列性能的那些或者具有至少两种下列性能{即，1)和2)、1)和3)或2)和3)的组合}的那些，特别是选自具有全部下 列性能的那些：
1)在单独的聚酰亚胺膜的情况下，玻璃化转变温度等于或高于300℃，优选等于或高于330℃，并且还优选玻璃化转变温度是不可检测的；
2)在单独的聚酰亚胺膜的情况下，线性膨胀系数(50至200℃)(MD)优选接近层压在耐热性树脂基板上的金属箔如铜箔的热膨胀系数，并且在使用铜箔作为金属箔时，耐热性树脂基板的热膨胀系数优选为5×10-6至28×10-6cm/cm/℃，更优选为9×10-6至20×10-6cm/cm/℃，并且还优选为12×10-6至18×10-6cm/cm/℃；和
3)在单独的聚酰亚胺膜的情况下，拉伸模量(MD，ASTM-D882)为300kg/mm2以上，优选为500kg/mm2以上并且还优选为700kg/mm2以上。
作为耐热性聚酰亚胺层(b)的耐热性聚酰亚胺，可以使用由下列的组合获得的聚酰亚胺：
(1)含有选自3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐和1，4-氢醌二苯甲酸酯-3，3’，4，4’-四甲酸二酐中的至少一种的酸组分，并且优选这些酸组分以至少不小于70摩尔％、还优选不小于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含的酸组分；和
(2)含有选自对苯二胺、4，4’-二氨基二苯醚、间-联甲苯胺和4，4’-二氨基N-苯甲酰苯胺中的至少一种的二胺组分，并且优选这些二胺组分以至少不小于70摩尔％、还优选不小于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含的二胺组分。
作为构成耐热性聚酰亚胺层(b)的酸组分和二胺组分的组合，可以示例的是通过含有作为主要成分组分(在总共100摩尔％中不小于50摩尔％)的下列组合而获得的那些：
1)3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐和对苯二胺或(对苯二胺和4，4-二氨基二苯醚)，
2)3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐和均苯四甲酸二酐以及对苯二胺或(对苯二胺和4，4-二氨基二苯醚)，
3)均苯四甲酸二酐，以及对苯二胺和4，4-二氨基二苯醚，和
4)3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐和对苯二胺。它们用作电子部件如印刷线路板、柔性印刷电路板、TAB带等的材料，并且它们是优选的，原因是它 们具有在宽的温度范围内的优异机械性能、长期耐热性、优异的耐水解性、高的热分解起始温度、小的热收缩率和线性膨胀系数，以及优异的阻燃性。
作为能够获得耐热性聚酰亚胺层(b)的耐热性聚酰亚胺的酸组分，除上述酸组分以外，在不损害本发明的特性的范围内，还可以使用酸二酐组分，如2，3，3’，4’-联苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)醚二酐、双(3，4-二羧基苯基)硫醚二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙烷二酐、2，2-双[(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐等。
作为能够获得耐热性聚酰亚胺层(b)的耐热性聚酰亚胺的二胺组分，除上述二胺组分以外，在不损害本发明的特性的范围内，还可以使用二胺组分，如间苯二胺、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯硫醚、3，4’-二氨基二苯硫醚、4，4’-二氨基二苯硫醚、3，3’-二氨基二苯基砜、3，4’-二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基二苯甲酮、3，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，4’-二氨基二苯基甲烷、2，2-二(3-氨基苯基)丙烷、2，2-二(4-氨基苯基)丙烷等。
作为热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)，可以使用具有如下性能的已知聚酰亚胺：能够将电子部件如印刷线路板、柔性印刷电路板、TAB带、COF基板等的带材或耐热性聚酰亚胺和铜箔热密封粘合(hest-seal bonding)的性能(热压缩粘合性)，或者具有能够在压力下进行热密封粘合的性能(热压缩粘合性)。
用于热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的热压缩粘合聚酰亚胺优选为具有能够在热压缩粘合聚酰亚胺的玻璃化转变温度至400℃的范围内的温度下与铜箔进行层压的热压缩粘合性的聚酰亚胺。
作为用于热压粘合聚酰亚胺膜的热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)中的热压缩粘合聚酰亚胺，可以使用具有至少一种下列性能的那些、具有至少两种下列性能{即，1)和2)；1)和3)；或2)和3)的组合}的那些，具有至少三种下列性能{即，1)、2)和3)；1)，3)和4)；2)，3)和4)；1)，2)和4)的组合；等}的那些，并且特别是具有全部下列性能的那些：
1)热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)在铜箔和“层a”之间，或者在铜箔和热压粘合聚酰亚胺膜之间的剥离强度为0.7N/mm以上，以及在150℃热处理168小时后剥离强度的保持率为90％以上，进一步为95％以上，并且特别是100％以上；
2)其玻璃化转变温度为130至330℃；
3)其拉伸模量为100至700Kg/mm2；以及
4)其线性膨胀系数(50至200℃)(MD)为13×10-6至30×10-6cm/cm/℃。
作为热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的可熔融粘合聚酰亚胺，可以使用由以下获得的聚酰亚胺：
(1)含有选自比如下列的酸二酐中的至少一种组分的酸组分：3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、2，3，3’，4’-联苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)醚二酐、双(3，4-二羧基苯基)硫醚二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、1，4-氢醌二苯甲酸酯-3，3’，4，4’-四甲酸二酐等，并优选以至少不小于70摩尔％、还优选不小于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含这些酸组分的酸组分；和
(2)含有作为二胺组分的选自比如下列的二胺中至少一种组分的二胺组分：1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、3，3’-二氨基二苯甲酮、4，4’-双(3-氨基苯氧基)联苯、4，4’-双(4-氨基苯氧基)联苯、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]酮、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]硫醚、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷等，并且优选以至少不小于70摩尔％、还优选不小于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含这些二胺组分的二胺组分。
作为能够获得热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺的酸组分和二胺组分的组合，可以使用由以下获得的聚酰亚胺：
(1)含有选自如3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐和2，3，3’，4’-联苯四甲酸二酐中的至少一种组分的酸组分，并优选以至少不小于70摩尔％、还优选不小 于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含这些酸组分的酸组分；和
(2)含有作为二胺组分的选自比如下列的二胺中的至少一种组分的二胺组分：1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、4，4’-双(3-氨基苯氧基)联苯、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷等，并且优选以至少不小于70摩尔％、还优选不小于80摩尔％并且更优选不小于90摩尔％的量包含这些二胺组分的二胺组分。
作为能够获得热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺的所述二胺组分，除上述二胺组分以外，在不损害本发明的特性的范围内，还可以使用比如如下的二胺组分：间苯二胺、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯硫醚、3，4’-二氨基二苯硫醚、4，4’-二氨基二苯硫醚、3，3’-二氨基二苯基砜、3，4’-二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基二苯甲酮、3，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，4’-二氨基二苯基甲烷、2，2-二(3-氨基苯基)丙烷，2，2-二(4-氨基苯基)丙烷等。
通过已知的方法，如无规聚合或者嵌段聚合或者通过包括将多种聚酰亚胺前体溶液或预先合成的聚酰亚胺溶液组合，混合该多种溶液，然后在反应条件下混合以得到均匀的溶液的方法，可以合成耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺和可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺。
可以通过下列这样的方法，制备耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺和可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺：在约不高于100℃，进一步不高于80℃，并且进一步为0至60℃的温度下，特别是在20至60℃的温度下，使酸组分和二胺组分在有机溶剂中反应约0.2至60小时，以得到聚酰亚胺前体溶液，然后使用这种聚酰亚胺前体溶液作为涂料液体，形成涂料液体的薄膜，并且将其溶剂从薄膜中蒸发和移除，同时将聚酰亚胺前体进行酰亚胺化。
而且，在使用溶解性优异的聚酰亚胺的情况下，通过在150至250℃加热聚酰亚胺前体溶液，或者在不高于150℃加入酰亚胺化试剂，特别是在15至50℃的温度反应，随后在酰亚胺环化后蒸发溶剂，或者随后在 不良溶剂中沉淀以得到粉末，并且将该粉末溶解在有机溶液中，可以获得聚酰亚胺的有机溶剂溶液。
当在溶液中的聚酰亚胺前体进行聚合反应时，可以根据应用目的或者制备目的，适当地选择在有机极性溶剂中的全部单体的浓度。例如，对于耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺前体溶液，在有机极性溶剂中的全部单体的浓度优选为5至40质量％，还优选6至35质量％，并且特别优选为10至30质量％。对于可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺前体溶液，在有机极性溶剂中的全部单体的浓度优选为1至15质量％，并且特别为2至8质量％。
当聚酰亚胺前体溶液进行聚合反应时，可以根据应用目的(涂覆、流涂等)或制备目的适当地选择溶液粘度。从处理这种聚(酰胺酸)的溶液的可加工性考虑，聚(酰胺酸)(聚酰亚胺前体)的溶液优选具有约0.1至5,000泊、特别是约0.5至2,000泊并且还优选为约1至2,000泊的旋转粘度，该旋转粘度是在30℃测量的旋转粘度。因此，上述聚合反应优选进行至所产生的聚(酰胺酸)表现出上述粘度的程度。
对于可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)，可以以上述方法制备聚酰亚胺前体溶液，并且可以添加另外的有机溶剂进行稀释。
对于耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺和可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺，使几乎等摩尔量的二胺组分和四羧酸二酐、两者的量中二胺组分的量略过量或两者的量中酸组分的量略过量的情况下，在有机溶剂中反应，使得可以获得聚酰亚胺前体溶液(它可以被部分酰亚胺化，只要获得均匀的溶液状态即可)。
通过加入二羧酸酐如邻苯二甲酸酐及其取代化合物、六氢邻苯二甲酸酐及其取代化合物、琥珀酸酐及其取代化合物等，特别是加入邻苯二甲酸酐，以将胺末端封端，可以合成耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺和可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺。
对于耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚酰亚胺和可熔融粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺，基于酸酐的总摩尔数(以四酸二酐和二羧酸酐的酸酐基团的总摩尔数计)，在有机溶剂中使用的二胺的量(以氨基的摩尔数计)为0.95至1.05，特别是0.98至1.02，并且尤其是0.99至1.01。当使用 二羧酸酐时，使各种组分以这样的比率反应：以相对于四酸二酐的酸酐基团的摩尔数的比率计，二酸酐的量不大于0.05。
为了抑制聚酰亚胺前体的凝胶化，可以在聚(酰胺酸)的聚合过程中，以在0.01至1％的固体(聚合物)浓度的范围内加入磷基稳定剂，例如亚磷酸三苯酯、磷酸三苯酯等。
另外，为了促进酰亚胺化，可以将碱性有机化合物加入到涂料液体中。例如，可以以基于聚(酰胺酸)为0.05至10重量％并且特别是0.1至2重量％的比例使用咪唑、2-咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、苯并咪唑、异喹啉、取代的吡啶等，以作为酰亚胺化促进剂。因为这些化合物可以在较低温度下形成聚酰亚胺膜，因此它们可以被使用以避免不充分的酰亚胺化。
而且，为了稳定粘合强度，可以将有机铝化合物、无机铝化合物、或者有机锡化合物加入到聚(酰胺酸)的溶液中，特别是加入到用于可熔融粘合聚酰亚胺的聚(酰胺酸)的溶液中。例如，可以将氢氧化铝、三乙酰基丙酮化铝等作为铝金属以1ppm以上，并且特别是以1至1,000ppm加入到聚(酰胺酸)中。
对用于制备聚(酰胺酸)的有机溶剂，可以使用示例的N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、N-甲基己内酰胺、甲酚等。这些有机溶剂可以单独或以多于两种一起使用。
具有热压缩粘合性的聚酰亚胺膜可以是优选通过方法(i)或(ii)获得的，即：
(i)通过共挤出流延膜形成方法(也简称为多层挤出方法)，将耐热性聚酰亚胺层(层b)的涂料液体和热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的涂料液体进行层压，干燥并且酰亚胺化，以获得多层聚酰亚胺膜；或
(ii)将耐热性聚酰亚胺层(层b)的涂料液体流延在载体上，并且干燥以得到自支撑膜(凝胶膜)，接着，在其一侧或两侧上，涂覆热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的涂料液体，进行干燥并且酰亚胺化，以得到多层聚酰亚胺膜。
对于共挤出方法，可以使用熟知的方法，例如，在日本公开专利公布H03-180343(日本Kokoku专利公布H07-102661)中描述的方法。
将说明制备在两侧上都具有热压缩粘合性的三层热压粘合聚酰亚胺膜的制备的实施方案。
通过三层共挤出方法，将用于耐热性聚酰亚胺层(层b)的聚(酰胺酸)溶液和用于热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的聚(酰胺酸)溶液供给到三层挤塑模头中，以使得耐热性聚酰亚胺层(层b)的厚度为4至45μm，并且在两侧上的热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的厚度总共为3至10μm；浇铸在载体上，并且这是流延和涂覆在平滑的载体表面如不锈镜表面和不锈皮带表面上，并且这是在100至200℃进行的，可以获得处于半固化状态或在半固化前的干燥状态的自支撑膜形式的聚酰亚胺膜A。
对于作为自支撑膜的聚酰亚胺膜A，如果在高于200℃的温度处理流延膜，则在具有热压缩粘合性的聚酰亚胺膜的制备过程中，趋向于产生一些缺陷，如粘附性降低。这种半固化状态或在半固化前的状态是指通过加热和/或化学酰亚胺化的自支撑状态。
在不低于热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的玻璃化转变温度(Tg)并且不高于降解发生温度的温度，优选250至420℃的温度(通过表面温度计测量出的表面温度)，将所获得的自支撑膜形式的聚酰亚胺膜A进行加热(优选在该温度加热0.1至60分钟)、干燥并且酰亚胺化。因此，制备出在耐热性聚酰亚胺层(层b)的两侧具有热压缩粘合聚酰亚胺层(层a)的聚酰亚胺膜。
在所获得的自支撑膜形式的聚酰亚胺膜A中，溶剂和所产生的水保持在优选约20至60质量％并且特别优选30至50质量％。这种自支撑膜在被加热至干燥温度时，优选被加热较短的时间。例如，加热速率优选不小于10℃/min。当干燥时，通过增加施加给自支撑膜上的张力，使得这样最终获得的聚酰亚胺膜A的线性膨胀系数降低。
然后，在上述干燥步骤之后，在通过能够与自支撑膜一起连续或间歇地移动的固定设备固定该自支撑膜的至少一对侧边的状态下，在高于干燥温度的高温下，优选在200至550℃的范围内并且特别优选在300至500℃的范围内，将该自支撑膜连续或者间歇地干燥和热处理，优选该热处理进行1至100分钟，并且特别是1至10分钟。通过从自支撑膜中充分去除溶剂等，并且同时将构成该膜的聚合物充分酰亚胺化，可以形成在两侧 具有热压缩粘合性的聚酰亚胺膜，以使得在最终得到的聚酰亚胺膜中由有机溶剂和产生的水组成的挥发性组分的含量优选不大于1重量％。
例如，本文中优选使用的自支撑膜的固定设备配备有一对带或链，并且该对带或链沿着在被连续或间歇地供给的固化膜的纵向上的两个侧边具有多个间隔均匀的针或固定器，并且所述固定设备在该对带或链随着膜的移动连续或间歇地移动的同时能够固定膜。另外，上述固化膜的固定设备可以能够在热处理下使膜在横向或纵向上以适合的伸长百分比或收缩率(特别优选为约0.5至5％的伸长百分比或收缩率)伸长或收缩。
顺带提及，通过将在上述步骤中制备出的在两侧具有热压缩粘合性的聚酰亚胺膜再在100至400℃的温度，在优选不高于4N以及特别优选不高于3N的低张力或零张力下，进行优选0.1至30分钟的热处理，可以获得具有特别优异的尺寸稳定性的两侧具有热压缩粘合性的聚酰亚胺膜。另外，可以通过适当的已知方法，将由此制备出的在两侧具有热压缩粘合性的长聚酰亚胺膜再卷绕成卷形式。
上述自支撑膜的热损失是指由在干燥前测量的重量W1和在将目标膜在420℃下干燥20分钟时干燥后所测量的重量W2，根据下列方程获得的值。
热损失(质量％)＝{(W1-W2)/W1}×100
而且，通过如在日本公开专利公布H09-316199中所述那样，通过使用Karl Fischer湿度计的方法，获得上述自支撑膜的酰亚胺化转化率。
可以根据需要将细小无机或有机添加剂加入到自支撑膜内部或其表面层中。作为无机添加剂，可以示例的有粒状或片状的无机填料。作为有机添加剂，可以示例的有聚酰亚胺粒子、热固性树脂粒子等。优选根据使用目的选择所述量和形状(尺寸、高宽比)
可以通过使用各种已知设备如热空气炉、红外线炉等进行热处理。
本发明的单侧或双侧铜布线聚酰亚胺膜可以用作柔性印刷电路板(FPC)、自动接合带(TAB)、COF等的布线材料。
实施例
现在，下面参考实施例详细说明本发明。然而，本发明并不限于这些 实施例。
根据下方法评价物理性能。
1)聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度(Tg)：它是通过动态粘弹性方法(拉伸方法；频率：6.28rad/sec；升温速率：10℃/min)由峰tan δ值确定的。
2)聚酰亚胺膜的线性膨胀系数(50至200℃)：通过TMA方法(拉伸方法；升温速率：5℃/min)测量在20至200℃下的平均线性膨胀系数。
3)金属箔层压聚酰亚胺膜(已制造出的)的剥离强度、聚酰亚胺膜和胶粘膜的剥离强度：根据JIS-C6471，制备在相同的测试方法中限定的宽度为3mm的引线(样件)，并且对于各自来自卷内侧和卷外侧的金属的9个试件，以50mm/min的十字头速率测量90°剥离强度。对于聚酰亚胺膜和铜箔层压聚酰亚胺膜，其剥离强度为9个值的平均数。对于聚酰亚胺膜和胶粘片的层压体，其剥离强度为3个值的平均数。如果金属箔的厚度小于5μm，则将它电镀增加20μm的厚度，再进行测量。(卷内侧指重绕的金属箔层压聚酰亚胺膜的内部的剥离强度，并卷外侧指重绕的金属箔层压聚酰亚胺膜的外部的剥离强度)。
4)金属箔层压聚酰亚胺膜的布线间绝缘电阻，体积电阻：它们是根据JIS-C6471测量的。
5)聚酰亚胺膜的力学性能
-拉伸强度：它是根据ASTM-D882测量的(十字头速率：50mm/min)。
-伸长百分比：它是根据ASTM-D882测量的(十字头速率：50mm/min)。
-拉伸模量：它是根据ASTM-D882测量的(十字头速率：5mm/min)。
6)MIT抗弯曲性(聚酰亚胺膜)：根据JIS-C6471切割出横跨整个宽度的15mm宽的试件，并且测量在0.38mm的曲率半径处、在9.8N的负荷、175次/min的弯曲速率和135度的左/右挠曲角下，测量聚酰亚胺膜在断裂之前的弯曲次数。
参考实施例1
--热压缩粘合多层聚酰亚胺膜的制备实施例--
在N-甲基-2-吡咯烷酮中，以1,000:998的摩尔比率加入对苯二胺(PPD)和3，3′，4，4′-联苯四甲酸二酐(s-BPDA)，使得单体浓度为18％(重量％，以 下相同)。将得到的混合物在50℃反应3小时，得到在25℃下具有约1,500泊的溶液粘度的聚(酰胺酸)溶液(用于耐热性聚酰亚胺的涂料)。
另一方面，向N-甲基-2-吡咯烷酮中，以1,000:1,000的摩尔比率加入1，3-双(4-氨基苯氧基)苯(TPE-R)和2，3，3′，4′-联苯四甲酸二酐(a-BPDA)，使得单体浓度为22％。此外，将相对于单体重量为0.1％的磷酸三苯酯加入到其中，然后将得到的混合物在5℃连续反应1小时，以得到在25℃具有约2,000泊的溶液粘度的聚(酰胺酸)溶液的涂料(用于热压缩粘合聚酰亚胺的涂料)。
通过使用配置有三层挤出模头(多歧管型模头)的成膜设备，同时改变三层挤出模头的厚度，将用于耐热性聚酰亚胺的涂料和用于热压缩粘合聚酰亚胺的涂料流延在金属载体上，并且在140℃的热空气下连续干燥以形成固化膜。在这种固化膜从载体剥离之后，通过在加热炉中从200℃逐渐加热至450℃以去除溶剂，并且进行酰亚胺化，并且将所得到的长的三层挤出聚酰亚胺膜卷绕到卷起辊上。所得到的三层挤出聚酰亚胺膜表现出下列物理性能。
(热压缩粘合多层聚酰亚胺膜)
-厚度构造：3μm/9μm/3μm(总共15μm)
-静摩擦系数：0.37。
-热压缩粘合聚酰亚胺的Tg：240℃(动态粘弹法，峰tanδ值，以下相同)
-耐热性聚酰亚胺的Tg：不低于340℃
-线性膨胀系数(50至200℃)：18ppm/℃(TMA方法)
-拉伸强度，伸长百分比：460MPa，90％(ASTM-D882)
-拉伸模量：7080MPa(ASTM-D882)
-MIT抗弯曲性：在100,000次之前不断裂
实施例1
--具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜--
在双压带机的加热区温度(最高加热温度：330℃)和冷却区温度(最低冷却温度：180℃)，以及连续使用40kg/cm2的压缩粘合压力和2分钟的压缩粘合时间的情况下，将Nippon Denkai有限公司生产的卷起的具有载体的 铜箔(YSNAP-3S：载体厚度为18μm，铜厚度为3μm，铜箔的聚酰亚胺侧的表面粗糙度Rz为0.65μm)、在双压带机正前方通过200℃的热空气在线预热30秒的热压粘合聚酰亚胺膜，以及Ube Industries有限公司生产的聚酰亚胺膜(UPILEX-S：25μm)通过相继的热压缩粘合和冷却，以进行层压，然后将其卷绕在卷起辊周围，以形成在一侧具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(宽度：540mm，长度：1,000m)。
所得到的具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的铜箔和聚酰亚胺膜之间的粘合强度为1.2N/mm。
实施例2
--通过半添加法制备铜箔层压聚酰亚胺膜和铜布线聚酰亚胺膜--
使用在实施例1中获得的被卷起的具有载体的单侧铜箔层压聚酰亚胺膜，切割出10.5x25cm的矩形样品，并且剥离载体箔。
使用由Ebara-Udylite股份有限公司生产的DP-200作为半蚀刻溶液，将载体箔被剥离的铜箔层压聚酰亚胺膜中的铜箔在25℃下浸渍2分钟，使得铜箔的厚度变为1μm。
在通过在110℃下的热辊将干膜型负性光致抗蚀剂(由AsahiKasei股份有限公司生产的SPG-152)层压在半蚀刻处理过的铜箔上之后，将除预期形成电路(布线图案)的部分以外的位置曝光，并且将未曝光的抗蚀剂用30℃的1％碳酸钠水溶液喷淋显影20秒，并且去除。在将薄铜箔的裸露位置脱脂并且酸洗之后，使用薄铜箔作为阴极电极，在2A/dm2的电流密度和在25℃的情况下，在硫酸铜镀敷浴中进行30分钟的电解镀铜，并且进行厚度为10μm的镀铜的图案镀敷。
随后，在通过在42℃用2％氢氧化钠水溶液喷淋处理15秒而剥离抗蚀剂层之后，通过用30℃的闪蚀刻溶液(由Asahi Denka Kogyo K.K.生产的AD-305E)喷淋处理30秒，以去除在不必要位置中的薄铜箔，从而得到具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜。
所得到的铜布线聚酰亚胺膜的表面的SEM(放大倍数：1,000倍)图像显示于图4中。可以证实到其中在铜布线之间去除铜箔的聚酰亚胺膜表面是干净的，并且将电路形成为在铜布线的底部的非常直的线。
而且，从具有铜布线的聚酰亚胺膜的相反侧穿过聚酰亚胺膜，可以清楚地观察到所得到的具有铜布线的聚酰亚胺膜的铜布线。
实施例3
--通过半添加法制备铜箔层压聚酰亚胺膜和铜布线聚酰亚胺膜—
以与实施例1中相同的方式制备具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，不同之处在于使用由Nippon Denkai有限公司生产的具有载体的铜箔(YSNAP-2S：载体厚度为18μm，铜厚度为2μm，铜箔的聚酰亚胺侧的表面粗糙度Rz为0.65μm)作为在实施例1中的具有载体的铜箔。使用这种具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，以与实施例2中相同的方式制备铜布线聚酰亚胺膜。这里，在半蚀刻时，调节时间使得铜箔的厚度变为1μm。
将所制备的铜布线聚酰亚胺膜浸渍到镀锡溶液(LT-34H，Rohm andHaas Co.的产品)中，并且在铜布线的表面上进行镀锡。铜布线聚酰亚胺膜的镀锡表面的SEM图像示出在图5中。可以证实，布线的直线性高，并且聚酰亚胺膜的表面也是干净的。
长期稳定性试验：
使用在实施例3中的铜布线聚酰亚胺膜，进行电可靠性试验。在电可靠性试验中，在85℃、85％RH的环境中施加52V的DC电压以测量电阻。最初的电阻值为1013Ω，并且即使当超过1,000小时时，也保持1013Ω的值。
比较例1
以与实施例1中相同的方式制备具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，不同之处在于使用Nippon Denkai有限公司生产的具有载体的铜箔(YSNAP-3B：载体厚度为18μm，铜厚度为3μm，铜箔的表面粗糙度Rz为1.29μm)代替在实施例1和2中使用的由Nippon Denkai有限公司生产的具有载体的铜箔(YSNAP-3S：载体厚度为18μm，铜厚度为2μm，铜箔的表面粗糙度Rz为0.65μm)。以与实施例2中相同的方式获得具有间距为30μm的铜布线的聚酰亚胺膜。
对于所得到的具有铜布线的聚酰亚胺膜，通过SEM(放大倍数：1,000 倍)拍摄的其中去除了在布线之间的铜箔的铜布线和聚酰亚胺膜的表面的图像显示于图6中。
尽管可以从具有铜布线的聚酰亚胺膜的相反侧穿过聚酰亚胺膜，观察到所得到的具有铜布线的聚酰亚胺膜中的铜布线，但是它不能像在实施例2和3中观察到的一样被清楚地观察到。
当比较图4至6时，在比较例(图6)中，与图4和5相比，其中去除铜箔的聚酰亚胺膜表面是粗糙的，并且铜布线底部的直线性低于图4和5。
当以与实施例3的铜布线聚酰亚胺膜相同的条件，对在实施例2中制备的铜布线聚酰亚胺膜进行电可靠性试验，即，在85℃、85％RH的环境中施加52V的DC电压以测量电阻时，最初的电阻值为1013Ω，并且认为即使在超过1,000小时时也保持1013Ω的值。

Claims (10)

1.一种用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距为20至45μm的铜布线部分，所述方法使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法进行，所述方法包括下列步骤：
a.提供铜箔层压膜，所述铜箔层压膜包含一个或多个被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的铜箔；所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，
b.形成镀敷抗蚀剂图案层，所述镀敷抗蚀剂图案层能够在所述步骤a中提供的所述铜箔层压膜的所述铜箔的表面上形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案；所述镀敷抗蚀剂图案层具有与所述布线图案相应的开口部分，
c.在从所述开口暴露的铜箔部分上进行镀铜，
d.去除在所述铜箔上的所述镀敷抗蚀剂图案层，和
e.去除暴露在其中已经去除所述镀敷抗蚀剂图案层的部分上的所述铜箔，由此暴露出所述聚酰亚胺膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a包括下列步骤：
a-1.提供具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其中一个或多个铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述一个或多个铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度，
a-2.从所述铜箔层压聚酰亚胺膜上剥离所述载体，和
a-3.任选地，通过蚀刻将所述铜箔的厚度变薄至在0.5至2μm的范围。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a的所述厚度在0.5至2μm的范围内的铜箔是已经进行了蚀刻处理的铜箔。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤b包括：在所述铜箔的表面上形成镀敷抗蚀剂层的步骤、通过光掩模曝光的步骤、以及通过显影以形成所述镀敷抗蚀剂图案层的开口部分的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤e是通过闪蚀刻进行的。 
6.根据权利要求2所述的方法，其中所提供的所述具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜中的所述铜箔的厚度在2至4μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中通过将一个或多个热压粘合聚酰亚胺层层压在高耐热性芳族聚酰亚胺层的一侧或两侧上并且形成整体，获得构成所提供的所述具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的所述聚酰亚胺膜。
8.一种铜布线聚酰亚胺膜，所述铜布线聚酰亚胺膜包含间距为20至45μm的铜布线部分，并且是通过权利要求1至7中任一项所述的方法制备的。
9.一种具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，所述铜箔层压聚酰亚胺膜包含聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔，所述具有载体的铜箔被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度。
10.一种铜箔层压聚酰亚胺膜，所述铜箔层压聚酰亚胺膜包含聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔，所述具有载体的铜箔被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有0.5至2μm的范围内的厚度，并且其中所述铜箔已经进行了蚀刻处理。 
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