JP2010182865A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線パターンの不良の誤検出が十分に低減された配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属製の長尺状基板１上にベース絶縁層２を形成する。ベース絶縁層２上に金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３を形成する。露出する配線パターン３の表面をエッチングにより粗面化処理する。その後、無電解錫めっきにより露出する配線パターン３の表面を覆うように錫めっき層３４を形成する。これにより、キャリアテープ１２が完成する。完成されたキャリアテープ１２について、配線パターン３に光を照射し、配線パターン３からの反射光に基づいて配線パターン３の不良検査を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。

配線回路基板の一形態として、電子部品実装用フィルムキャリアテープ（以下、キャリアテープと略記する。）がある。このキャリアテープは、絶縁性を有する長尺状のテープ基板上に導体層（配線パターン）が形成されたものであり、電子部品の実装部を有する。

キャリアテープの製造時においては、配線パターンの不良検査が行われる。不良検査は、例えば作業者がテープ基板上の配線パターンに断線、短絡、異物の付着、欠けおよび突起等の不良が発生しているか否を目視検査（透過光検査または反射光検査）することにより行われる。目視検査により不良部分が発見された場合には、キャリアテープにおける配線パターンの不良部分に、パンチングまたはインキング等のマーキング処理が施される。

特許文献１には、電子部品実装用フィルムキャリアテープの検査装置および検査方法が記載されている。この検査装置においては、配線パターンの不良検査として、反射光検査を行う旨が記載されている。

具体的には、リールに巻回されたキャリアテープが不良パターン検知装置に送られる。不良パターン検知装置においては、配線パターンが形成されたキャリアテープの表面に光が照射される。そして、キャリアテープの表面から反射される反射光に基づいて配線パターンの目視検査または自動外観検査が行われる。各検査は、例えば顕微鏡またはＣＣＤ（電荷結合素子）カメラを用いて行われる。その後、検査が終了されたキャリアテープは、マーキング装置を介して巻き取り装置に送られる。なお、マーキング装置においては、キャリアテープにおける配線パターンの不良部分にマーキングが施される。

特開２００４−３３３１６１号

上記のようなキャリアテープの不良検査においては、配線パターンに不良が発生していないにもかかわらず、配線パターンに不良が発生しているという誤った検査結果が得られる場合がある。このような誤検出が頻繁に発生すると、キャリアテープの歩留まりが低下する。

本発明の目的は、配線パターンの不良の誤検出が低減された配線回路基板の製造方法を提供することである。

（１）本発明に係る配線回路基板の製造方法は、長尺状の絶縁層上に配線パターンを形成することにより長尺状回路基板を形成する工程と、絶縁槽上に形成された配線パターンの表面を粗面化する工程と、粗面化された配線パターンに光を照射し、配線パターンからの反射光に基づいて配線パターンの不良部を検出する工程とを備えるものである。

この製造方法においては、長尺状の絶縁層上に配線パターンが形成されることにより長尺状回路基板が作製される。配線パターンの形成後には、配線パターンの表面が粗面化される。これにより、粗面化後の配線パターンの表面粗さが粗面化前の配線パターンの表面粗さよりも大きくなるとともに、配線パターンの表面粗さのばらつきが小さくなる。

その後、配線パターンに光が照射され、配線パターンからの反射光に基づいて配線パターンの不良部が検出される。ここで、配線パターンからの反射光の強度は、配線パターンの表面粗さに応じて変化する。そのため、上記のように配線パターンの表面全体に渡る表面粗さのばらつきが小さくなると、配線パターンの正常部における反射光の強度分布におけるばらつきを十分に小さくすることができる。また、配線パターンの正常部の表面粗さが大きくなることにより、配線パターンの正常部からの反射光の強度が高くなる。これらの結果、配線パターンの正常部を不良部であると誤って検出することが低減され、歩留まりが向上する。

（２）配線回路基板の製造方法は、粗面化する工程の後、不良部を検出する工程の前に、配線パターンに電子部品の端子を接合するための表面処理を施す工程をさらに備えてもよい。

この場合、長尺状回路基板の配線パターン上に電子部品を容易に実装することが可能となる。

（３）配線パターンを形成する工程は、銅からなる配線パターンを形成する工程を含み、表面処理を施す工程は、銅からなる配線パターンに錫めっきを施す工程を含み、粗面化する工程により粗面化された銅からなる配線パターンの表面粗さＲａの平均値は０．１μｍ以上であってもよい。

この場合、銅からなる配線パターンの表面粗さの平均値が０．１μｍ以上になるので、錫めっき後の配線パターンの表面粗さの平均値を容易に約１．５μｍ以上にすることが可能となる。それにより、不良検査時に、配線パターンの正常部からの反射光の強度を十分に高くすることができる。その結果、正常部と不良部との対比が容易となり、誤検出がより低減される。

（４）配線回路基板の製造方法は、長尺状回路基板が巻回された第１のロールから長尺状回路基板を繰り出すとともに、第１のロールから繰り出された長尺状回路基板を第２のロールに巻き取る工程をさらに備え、粗面化する工程は、第１のロールと第２のロールとの間で行われてもよい。

この場合、第１のロールと第２のロールとの間で、長尺状回路基板に配線パターンの粗面化が行われる。これにより、配線回路基板の生産効率が向上するとともに、配線回路基板の低コスト化が実現される。

（５）不良部を検出する工程は、第１のロールと第２のロールとの間で行われてもよい。

この場合、第１のロールと第２のロールとの間で、長尺状回路基板に配線パターンの粗面化および不良部の検出が行われる。そのため、配線パターンの粗面化後で不良部の検出までの間に、粗面化された配線パターンの表面に他の部材が接触することがない。したがって、粗面化された配線パターンの表面には擦れが発生しない。これにより、不良部の検出時においては、擦れに起因する配線パターンの表面粗さのばらつき、および表面粗さの低下が発生することが確実に防止される。その結果、配線パターンの不良部の誤検出がさらに十分に低減され、歩留まりが向上する。

（６）配線回路基板の製造方法は、長尺状回路基板が巻回された第３のロールから長尺状回路基板を繰り出すとともに、第３のロールから繰り出された長尺状回路基板を第４のロールに巻き取る工程をさらに備え、不良部を検出する工程は、第３のロールと第４のロールとの間で行われてもよい。

この場合、第３のロールと第４のロールとの間で、配線パターンの不良検査が行われる。これにより、配線回路基板の生産効率がさらに向上するとともに、配線回路基板のさらなる低コスト化が実現される。

本発明によれば、配線パターンの不良の誤検出が低減される。

本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法を説明するための製造工程図である。 本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法を説明するための製造工程図である。 本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法に用いられるロールトゥロール装置を説明するための図である。 本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法に用いられるロールトゥロール装置を説明するための図である。 本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法に用いられるロールトゥロール装置の他の例を説明するための図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を図面を参照しつつ説明する。なお、本発明の一実施の形態においては、配線回路基板の製造方法として、電子部品実装用フィルムキャリアテープ（以下、キャリアテープと略記する。）の製造方法について説明する。なお、キャリアテープは、絶縁性を有する長尺状のテープ基板上に導体層（配線パターン）が形成されたものであり、電子部品の実装部を有する。

また、以下の説明においては、後述する配線パターン３の表面のうちの断線、短絡、異物の付着、欠けおよび突起等の不良が発生していない部分を正常部と称し、不良が発生している部分を不良部と称する。

（１）キャリアテープの製造方法
図１および図２は、本発明の一実施の形態に係るキャリアテープの製造方法を説明するための製造工程図である。

まず、図１（ａ）に示すように、例えばステンレスからなる長尺状基板１を用意する。

次に、図１（ｂ）に示すように、長尺状基板１上に例えばポリイミドからなるベース絶縁層２を形成する。ベース絶縁層２の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、２５μｍである。

続いて、図１（ｃ）に示すように、ベース絶縁層２上にスパッタリングにより例えば銅からなる金属薄膜３１を形成する。金属薄膜３１の厚さは、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、０．１μｍである。

そして、図１（ｄ）に示すように、金属薄膜３１上にめっきレジスト３２を形成する。めっきレジスト３２は、例えば、ドライフィルムレジスト等により金属薄膜３１上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光した後、現像することにより形成される。

次に、図１（ｅ）に示すように、金属薄膜３１上のめっきレジスト３２が形成されていない領域に、電解めっきにより導体層３３を形成する。導体層３３としては、例えば銅を用いることができる。導体層３３の厚さは、５μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では、８μｍである。

続いて、図２（ｆ）に示すように、めっきレジスト３２を化学エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去する。

そして、図２（ｇ）に示すように、金属薄膜３１の露出する領域をエッチングにより除去する。これにより、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３が形成される。なお、以下の説明においては、本工程で作製される積層体を、適宜第１の積層体１０と称する。

次に、図２（ｈ）に示すように、露出する配線パターン３の表面をエッチングにより粗面化処理する。粗面化処理は、例えば第１の積層体１０を、主として硫酸と過酸化水素水との混合液からなる表面粗化液中に所定時間浸漬することにより行う。なお、以下の説明においては、本工程で作製される積層体を、適宜第２の積層体１１と称する。

続いて、図２（ｉ）に示すように、無電解錫めっきにより露出する配線パターン３の表面を覆うように錫めっき層３４を形成する。これにより、キャリアテープ１２が完成する。なお、錫めっき層３４は、キャリアテープ１２上に電子部品を実装する際に、電子部品の金バンプを配線パターン３上に熱圧着するために用いられる。

その後、完成されたキャリアテープ１２について、金属薄膜３１、導体層３３および錫めっき層３４からなる配線パターン３の不良検査を行う。不良検査は、例えば次のように行う。

まず、配線パターン３が形成されたキャリアテープ１２の一面に光を照射し、配線パターン３の表面から反射される光をＣＣＤ（電荷結合素子）カメラで撮像する。この場合、配線パターン３の不良部から反射される光の強度は、正常部から反射される光の強度に比べて小さくなる。これにより、ＣＣＤカメラにより得られた画像を目視または画像処理により検査することにより、配線パターン３の不良部が検出される。

ところで、本実施の形態において、上記の電解めっき（図１（ｅ））、めっきレジスト３２の除去処理（図２（ｆ））、金属薄膜３１のエッチング処理（図２（ｇ））は、それぞれ個別のロールトゥロール装置を用いて行われる。また、上記の粗面化処理（図２（ｈ））、無電解錫めっき（図２（ｉ））、および配線パターン３の不良検査は、１台のロールトゥロール装置を用いて行われる。これらのロールトゥロール装置について説明する。

（２）ロールトゥロール装置
図３および図４は、本発明の一実施の形態に係るキャリアテープ１２の製造方法に用いられるロールトゥロール装置を説明するための図である。

図３（ａ）に電解めっきに用いられるロールトゥロール装置が示されている。図３（ａ）に示すように、このロールトゥロール装置１００は、供給ロール１０１、電解めっき装置１０２および巻き取りロール１０３を備える。

図３（ａ）の供給ロール１０１には、予め長尺状基板１、ベース絶縁層２、金属薄膜３１およびめっきレジスト３２からなる積層体（図１（ｄ）参照）が巻回されている。供給ロール１０１が回転することにより、供給ロール１０１から繰り出された積層体が電解めっき装置１０２に送られる。電解めっき装置１０２においては、金属薄膜３１の露出する領域に電解めっきにより銅からなる導体層３３が形成される。電解めっきが施された積層体は、巻き取りロール１０３により巻き取られる。

図３（ｂ）にめっきレジスト３２の除去処理に用いられるロールトゥロール装置が示されている。図３（ｂ）に示すように、このロールトゥロール装置１１０は、供給ロール１１１、レジスト除去装置１１２および巻き取りロール１１３を備える。

図３（ｂ）の供給ロール１１１には、予め長尺状基板１、ベース絶縁層２、金属薄膜３１、めっきレジスト３２および導体層３３からなる積層体（図１（ｅ）参照）が巻回されている。供給ロール１１１が回転することにより、供給ロール１１１から繰り出された積層体がレジスト除去装置１１２に送られる。レジスト除去装置１１２においては、金属薄膜３１上に形成されているめっきレジスト３２が除去される。めっきレジスト３２が除去された積層体は、巻き取りロール１１３により巻き取られる。

図３（ｃ）に金属薄膜３１のエッチング処理に用いられるロールトゥロール装置が示されている。図３（ｃ）に示すように、このロールトゥロール装置１２０は、供給ロール１２１、エッチング装置１２２および巻き取りロール１２３を備える。

図３（ｃ）の供給ロール１２１には、予め長尺状基板１、ベース絶縁層２、金属薄膜３１および導体層３３からなる積層体（図２（ｆ）参照）が巻回されている。供給ロール１２１が回転することにより、供給ロール１２１から繰り出された積層体が、エッチング装置１２２に送られる。エッチング装置１２２においては、金属薄膜３１の露出する領域がエッチングにより除去される。これにより、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３が形成され、第１の積層体１０が形成される。形成された第１の積層体１０は、巻き取りロール１２３により巻き取られる。

図４（ａ）に粗面化処理、無電解錫めっきおよび配線パターン３の不良検査に用いられるロールトゥロール装置が示されている。図４（ａ）に示すように、このロールトゥロール装置２００は、供給ロール２０１、粗面化処理装置２０２、無電解めっき装置２０３、不良検査装置２０４および巻き取りロール２０５を備える。

図４（ａ）の供給ロール２０１には、予め上述の第１の積層体１０が巻回されている。供給ロール２０１は矢印Ｒ１の方向に回転する。これにより、供給ロール２０１から繰り出された第１の積層体１０は、粗面化処理装置２０２に送られる。

粗面化処理装置２０２においては、第１の積層体１０の配線パターン３に上述の粗面化処理が施される。配線パターン３に粗面化処理が施された第２の積層体１０は、無電解めっき装置２０３に送られる。

無電解めっき装置２０３においては、粗面化処理が施された配線パターン３に無電解錫めっきが施される。これにより作製されたキャリアテープ１２は、不良検査装置２０４に送られる。

図４（ｂ）に、不良検査装置２０４をキャリアテープ１２の進行方向に沿って見たときの構成図が示されている。図４（ｂ）に示すように、不良検査装置２０４は、テープガイド５１、ＣＣＤカメラ５２および光源５３を備える。

テープガイド５１の上方にＣＣＤカメラ５２が設けられている。これにより、テープガイド５１およびＣＣＤカメラ５２は、互いに対向するように上下に配置されている。光源５３はＣＣＤカメラ５２の側方に設けられている。

不良検査装置２０４において、キャリアテープ１２は、配線パターン３の形成面がＣＣＤカメラ５２に対向する状態でテープガイド５１上を移動する。

キャリアテープ１２の不良検査時には、テープガイド５１上のキャリアテープ１２に、光源５３から所定の波長を有する光が所定の照射角度θで照射される。これにより、キャリアテープ１２からの反射光がＣＣＤカメラ５２により撮像される。

不良検査装置２０４はさらに図示しない画像表示装置を有する。画像表示装置は、ＣＣＤカメラにより得られた画像を所定のしきい値で二値化し、二値化された画像を表示する。これにより、キャリアテープ１２に形成された配線パターン３の不良部の有無が目視または画像処理により検査される。

ここで、キャリアテープ１２に照射する光として青色光（４３５ｎｍ〜４８０ｎｍ）を用いる場合には、キャリアテープ１２に対する光の照射角度θ（図４参照）を５０°〜８０°の範囲となるように調整する。また、キャリアテープ１２に照射する光として赤色光（６１０ｎｍ〜７５０ｎｍ）を用いる場合には、キャリアテープ１２に対する光の照射角度θ（図４参照）を３０°〜８０°の範囲となるように調整する。

なお、上記の不良検査装置２０４の光源５３としては、リング照明を用いてもよいし、同軸照明を用いてもよい。

不良検査装置２０４による不良検査済みのキャリアテープ１２は、図示しないマーキング装置を介して巻き取りロール２０５により巻き取られる。なお、マーキング装置においては、不良検査装置２０４により配線パターン３の不良が検出された場合に、キャリアテープ１２に配線パターン３の不良部を示すマーキングが施される。

（３）不良検査前に配線パターンの粗面化処理を行う理由
上述のように、本実施の形態に係るキャリアテープの製造方法においては、配線パターン３の粗面化処理が行われる。この理由について説明する。

図３（ａ）のロールトゥロール装置１００の巻き取りロール１０３においては、導体層３３が形成されている積層体の一面が、積層体の他面と接触する。そのため、巻き取りロール１０３による積層体の巻き取り時には、巻き取られる積層体の他面と既に巻き取られた積層体の一面（導体層３３の形成面）との間で擦れが生じる場合がある（図３（ａ）点線部ｋ２参照）。

また、図３（ｂ）のロールトゥロール装置１１０の供給ロール１１１においては、導体層３３が形成されている積層体の一面が、積層体の他面と接触した状態で保持される。そのため、供給ロール１１１による積層体の繰り出し時には、繰り出される積層体の他面とその他面に接触していた積層体の一面（導体層３３の形成面）との間で擦れが生じる場合がある（図３（ｂ）点線部ｋ１参照）。

さらに、ロールトゥロール装置１１０の巻き取りロール１１３においては、導体層３３が形成されている積層体の一面が、積層体の他面と接触する。そのため、巻き取りロール１１３による積層体の巻き取り時には、巻き取られる積層体の他面と既に巻き取られた積層体の一面（導体層３３の形成面）との間で擦れが生じる場合がある（図３（ｂ）点線部ｋ２参照）。

また、図３（ｃ）のロールトゥロール装置１２０の供給ロール１２１においては、導体層３３が形成された積層体の一面が、積層体の他面と接触した状態で保持される。そのため、供給ロール１２１による積層体の繰り出し時には、繰り出される積層体の他面とその他面に接触していた積層体の一面（導体層３３の形成面）との間で擦れが生じる場合がある（図３（ｃ）点線部ｋ１参照）。

さらに、ロールトゥロール装置１２０の巻き取りロール１２３においては、配線パターン３が形成されている第１の積層体１０の一面が、第１の積層体１０の他面と接触する。そのため、巻き取りロール１１３による第１の積層体１０の巻き取り時には、巻き取られる第１の積層体１０の他面と既に巻き取られた第１の積層体１０の一面（配線パターン３の形成面）との間で擦れが生じる場合がある（図３（ｃ）点線部ｋ２参照）。

また、図４（ａ）のロールトゥロール装置２００の供給ロール２０１において、配線パターン３が形成された第１の積層体１０の一面は、その第１の積層体１０の他面と接触した状態で保持される。この状態で、第１の積層体１０が供給ロール２０１から繰り出されると、繰り出される第１の積層体１０の他面とその他面に接触していた第１の積層体１０の一面との間で擦れが生じる場合がある（図４（ａ）点線部ｋ１参照）。

これらの場合、導体層３３における擦れが生じた部分および配線パターン３における擦れが生じた部分が局部的に磨耗する。そのため、配線パターン３の表面粗さにばらつきが生じる場合がある。特に、上記のように、導体層３３および配線パターン３が露出した状態でロールトゥロール装置を用いた処理が複数回繰り返して行われると、完成した配線パターン３に累積的な擦れが生じ、配線パターン３の表面粗さに大きなばらつきが生じる。

例えば、第１の積層体１０の作製時にベース絶縁層２上に形成された配線パターン３の表面粗さが平均値で０．０８μｍ程度である場合、上記の擦れが生じた部分の表面粗さは０．０３μｍ程度となる。なお、ここでいう表面粗さは、「ＪＩＳ（日本工業規格） Ｂ ０６０１」の表面粗さ（Ｒａ）に基づく。

配線パターン３の表面に光を照射した場合の配線パターン３からの反射光の強度は、配線パターン３の表面粗さに応じて変化する。そのため、上記の擦れが発生した配線パターン３に光を照射すると、反射光の強度分布に大きなばらつきが発生する。この場合、正確な不良検査を行うことが困難となる。

そこで、本実施の形態においては、１台のロールトゥロール装置２００により配線パターン３の粗面化処理および不良検査がこの順で行われる。これにより、図３（ａ）〜図３（ｃ）のロールトゥロール装置１００，１１０，１２０において導体層３３の表面に上記の擦れが発生し、図３（ｃ）および図４（ａ）のロールトゥロール装置１２０，２００において配線パターン３に上記の擦れが発生した場合でも、配線パターン３の表面全体が粗面化処理装置２０２により粗面化処理されるので、配線パターン３の表面粗さが均一化される。すなわち、配線パターン３の正常部における表面粗さのばらつきが十分に小さくなる。

上述のように、粗面化処理後の第２の積層体１１は、無電解めっき装置２０３により無電解錫めっきが施された後、キャリアテープ１２として不良検査装置２０４に送られる。このように、ロールトゥロール装置２００においては、粗面化処理から不良検査までの間では配線パターン３に擦れが発生しない。そのため、不良検査装置２０４には、粗面化処理により表面粗さがほぼ均一化された配線パターン３が送られる。その結果、不良検査時に配線パターン３の正常部における反射光の強度分布のばらつきが十分に抑制されるので、正確な不良検査を行うことが可能となる。

（４）表面粗さの好ましい範囲
以下の説明においては、光の強度を０から２５５の値で表記する。光の強度が弱いほど表記される値が小さく、光の強度が強くなるほど表記される値が大きい。

ここで、無電解錫めっき後の配線パターン３に関して、表面粗さと反射光の強度との関係を調査した。その結果、表面粗さが０．０６μｍのときの反射光の強度は約１１０であり、表面粗さが０．１４μｍのときの反射光の強度は約１８０であり、表面粗さが０．１６μｍのときの反射光の強度は約２２０であり、表面粗さが０．１７μｍのときの反射光の強度は約２３０であった。

不良部からの反射光の強度は、断線、短絡、異物の付着、欠けおよび突起等の不良の形態に応じて異なるが、不良検査においては、反射光の強度が１２０よりも小さい場合に不良が発生していると判断される。

そこで、本実施の形態においては、無電解錫めっき後の配線パターン３の表面粗さが平均値で約０．１５μｍ以上となるように調整する。このように表面粗さを調整することにより、不良検査時に正常部からの反射光の強度を約１８０以上にすることができる。

それにより、配線パターン３における正常部の反射光の強度と不良部の反射光の強度との差を十分に大きくすることができるので、不良検査を正確かつ容易に行うことが可能となる。

金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３の粗面化処理時には、配線パターン３の表面粗さを平均値で０．１μｍ以上となるように調整する。これにより、擦れにより生じる配線パターン３の表面粗さのばらつきをなくすことができる。また、粗面化処理後の配線パターン３に対して無電解錫めっきを行うことにより、無電解錫めっき後の配線パターン３の表面粗さの平均値を容易に約０．１５μｍ以上に調整することができる。

（５）効果
（５−ａ）
本実施の形態に係るキャリアテープ１２の製造方法においては、配線パターン３の形成後に粗面化処理が行われる。

これにより、導体層３３および配線パターン３を含む積層体にロールトゥロール装置を用いて処理を行うことにより配線パターン３の表面に擦れが生じた場合でも、配線パターン３の正常部における表面粗さのばらつきを十分に小さくすることができる。それにより、配線パターン３の不良検査時に、配線パターン３の正常部における反射光の強度分布のばらつきが十分に抑制される。

また、粗面化処理により配線パターン３の正常部における表面粗さの平均値が大きくなる。これにより、配線パターン３の不良検査時に、配線パターン３の正常部における反射光の強度を十分に大きくすることができる。

これらより、配線パターン３の正常部と不良部との区別が容易となる。その結果、配線パターン３の不良の誤検出が十分に低減され、キャリアテープ１２の歩留まりが向上する。

（５−ｂ）
本実施の形態においては、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３の粗面化処理後に無電解錫めっきが行われる。これにより、作製されたキャリアテープ１２上に電子部品を実装する際に、電子部品の金バンプを配線パターン３上に容易に熱圧着することができる。

なお、キャリアテープ１２において、例えば幅１５μｍの配線パターン３を１５μｍピッチで形成する場合に、錫めっき層３４の厚みが０．１μｍ以下であると、電子部品の金バンプを錫めっき層３４上に熱圧着するときに、錫めっき層３４の厚みが足らないことによる接合不良が発生することがある。

また、例えば幅１５μｍの配線パターン３を１５μｍピッチで形成する場合に、錫めっき層３４の厚みが０．２５μｍ以上であると、電子部品の金バンプを錫めっき層３４上に熱圧着するときに、錫ボールが発生することにより配線パターン３が短絡することがある。

したがって、幅１５μｍの配線パターン３を１５μｍピッチで形成する場合には、錫めっき層３４の厚みは０．１μｍよりも大きく０．２５μｍよりも小さくなるように調整することが好ましい。

（６）変形例
（６−ａ）
本実施の形態において、キャリアテープ１２の作製は、図４（ａ）のロールトゥロール装置２００に代えて、以下のロールトゥロール装置を用いて行ってもよい。

図５は、本発明の一実施の形態に係るキャリアテープ１２の製造方法に用いられるロールトゥロール装置の他の例を説明するための図である。本例では、図４（ａ）のロールトゥロール装置２００に代えて、２つのロールトゥロール装置が用いられる。

図５（ａ）に配線パターン３の粗面化処理および無電解錫めっきに用いられるロールトゥロール装置が示されている。図５（ａ）に示すように、このロールトゥロール装置２１０は、供給ロール２１１、粗面化処理装置２０２、無電解めっき装置２０３および巻き取りロール２１２を備える。

図５（ａ）の供給ロール２１１には、予め第１の積層体１０（図２（ｇ）参照）が巻回されている。供給ロール２１１が回転することにより、供給ロール２１１から繰り出された第１の積層体１０が粗面化処理装置２０２に送られる。粗面化処理装置２０２においては、配線パターン３に粗面化処理が施される。粗面化処理後の第２の積層体１１は、無電解めっき装置２０３に送られる。無電解めっき装置２０３においては、粗面化処理が施された配線パターン３に無電解錫めっきが施される。これにより作製されたキャリアテープ１２は、巻き取りロール２１２により巻き取られる。

図５（ｂ）に配線パターン３の不良検査に用いられるロールトゥロール装置が示されている。図５（ｂ）に示すように、このロールトゥロール装置２２０は、供給ロール２２１、不良検査装置２０４および巻き取りロール２２２を備える。

図５（ｂ）の供給ロール２２１には、予めキャリアテープ１２（図２（ｉ）参照）が巻回されている。供給ロール２２１が回転することにより、供給ロール２２１から繰り出されたキャリアテープ１２が不良検査装置２０４に送られる。不良検査装置２０４においては、配線パターン３の不良検査が行われる。不良検査後のキャリアテープ１２は、巻き取りロール２２２により巻き取られる。

上記のロールトゥロール装置２１０，２２０を用いた場合においても、配線パターン３の形成後に、粗面化処理が行われる。これにより、配線パターン３の形成前に導体層３３に累積的に擦れが生じることに起因する配線パターン３の表面粗さのばらつきが十分に低減される。

このように、配線パターン３の形成後、配線パターン３の粗面化処理を行うことにより、累積的な擦れに起因する配線パターン３の表面粗さのばらつきが十分に低減される。これにより、粗面化処理後のキャリアテープ１２に対してロールトゥロール装置を用いた処理が行われた場合でも、粗面化処理を行わない場合に比べて配線パターン３の表面粗さのばらつきが低減される。その結果、配線パターン３の不良の誤検出が低減される。

（６−ｂ）
本実施の形態において、無電解錫めっきは必ずしも行う必要はない。ここで、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３に関して、正常部の表面粗さと反射光の強度との関係を調査した。その結果、表面粗さが０．０３μｍのときの反射光の強度は約１２０であり、表面粗さが０．０６μｍ、０．０９μｍ、０．１１μｍ、０．１３μｍおよび０．１６μｍ、０．１９μｍのときの反射光の強度はともに約２５０であった。

上記と同様に、不良検査においては、反射光の強度が１２０よりも小さい場合に不良が発生していると判断される。

そこで、本例においては、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３の表面粗さが平均値で０．０９μｍ以上となるように調整する。このように表面粗さを調整することにより、不良検査時に正常部からの反射光の強度を約２５０以上にすることができる。それにより、配線パターン３における正常部の反射光の強度と不良部の反射光の強度との差を十分に大きくすることができるので、不良検査を正確かつ容易に行うことが可能となる。

なお、本例では、はんだボール等を用いてキャリアテープ１２上に電子部品を実装する。

（６−ｃ）
長尺状基板１の材料は、ステンレスに限らず、銅またはニッケル等の金属材料を用いることができる。また、キャリアテープ１２において、長尺状基板１は必ずしも必要ではない。ベース絶縁層２の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の樹脂材料を用いてもよい。

また、配線パターン３の材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。この場合、表面粗化液としては、配線パターン３の金属材料をエッチング可能な処理液を用いる。

配線パターン３の無電解錫めっき後、ベース絶縁層２および配線パターン３上にカバー絶縁層を形成してもよい。カバー絶縁層の材料としては、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の樹脂材料を用いることができる。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、ベース絶縁層２が長尺状の絶縁層の例であり、第１の積層体１０が長尺状回路基板の例であり、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３が銅からなる配線パターンの例であり、供給ロール２０１が第１のロールの例であり、巻き取りロール２０５が第２のロールの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

以下、実施例および比較例におけるキャリアテープ１２の製造方法について説明する。なお、本例のキャリアテープ１２の製造方法は、上記のキャリアテープ１２の製造方法に基づいているため、図面の説明については省略する。

[実施例]
実施例においては、まずステンレスからなる厚み２５μｍの長尺状基板１を用意した。そして、長尺状基板１上にポリイミドからなる厚み２５μｍのベース絶縁層２を形成した。

続いて、ベース絶縁層２上にスパッタリングにより銅からなる金属薄膜３１を形成した。金属薄膜３１の厚さは、０．１μｍであった。そして、金属薄膜３１上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光した後、現像した。このようにして、金属薄膜３１上にめっきレジスト３２を形成した後、金属薄膜３１上のめっきレジスト３２が形成されていない領域に、電解めっきにより銅からなる導体層３３を形成した。導体層３３の厚みは、８μｍであった。

めっきレジスト３２をウェットエッチングにより除去した後、金属薄膜３１の露出する領域をエッチングにより除去し、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３を有する第１の積層体１０を得た。そして、得られた第１の積層体１０をローラに巻回した。

次に、ローラに巻回された第１の積層体１０をローラから繰り出し、露出する配線パターン３の表面に粗面化処理を施した。

粗面化処理は、例えば第１の積層体１０を、主として硫酸と過酸化水素水との混合液からなる表面粗化液中に０．５分間浸漬することにより行った。なお、本実施例において、表面粗化液は、純水９４０ｍｌに、９６ｖｏｌ％の硫酸６０ｍｌ、および３５ｗｔ％の過酸化水素３５ｍｌを加え、この混合液に添加剤（上村工業株式会社製：アディティブＭＳＥ−７）を５０ｍｌ加えることにより作製した。また、粗面化処理時において、表面粗化液の温度は２３℃に保持した。

その後、粗面化処理後の配線パターン３の表面粗さを４個所測定した。表面粗さの測定は、Ｖｅｅｃｏ株式会社製のＷＹＫＯ ＮＴ−３３００を用いて行った。

次に、粗面化処理後の配線パターン３に無電解錫めっきを施し、キャリアテープ１２を完成した。そして、錫めっき層３４が形成された配線パターン３の表面粗さを４個所測定した。表面粗さの測定は、上記と同様に、Ｖｅｅｃｏ株式会社製のＷＹＫＯ ＮＴ−３３００を用いて行った。

最後に、キャリアテープ１２に形成された配線パターン３について、不良検査を行った。不良検査は、赤色光（６１０ｎｍ〜７５０ｎｍ）を照射角度３０°以上８０°以下でキャリアテープ１２に照射し、その反射光をＣＣＤカメラで撮像し、所定のしきい値で二値化された画像を画像処理することにより行った。

[比較例]
比較例においては、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３の形成後、配線パターン３の粗面化処理を行わなかった点を除き、実施例と同様にしてキャリアテープ１２の作製を行った。

[評価]
実施例においては、無電解錫めっき前の配線パターン３の正常部における表面粗さは、０．１０μｍ以上０．１１μｍ以下の範囲でばらついた。平均値は０．１１μｍであった。また、無電解錫めっき後の配線パターン３の正常部における表面粗さは、０．１５μｍ以上０．１７μｍ以下の範囲でばらついた。平均値は０．１６μｍであった。これにより、不良検査時においては、正常部からの反射光の強度が約１８０よりも大きくなった。その結果、正常部を誤って不良部と判定する誤検出が生じなかった。

一方、比較例においては、無電解錫めっき前の配線パターン３の正常部における表面粗さは、０．０３μｍ以上０．０９μｍ以下の範囲でばらついた。平均値は０．０８μｍであった。具体的には、配線パターン３の正常部のうち、ロールからの繰り出し時に擦れが発生した部分の表面粗さが平均値で０．０３μｍであった。また、擦れが発生していない部分の表面粗さが平均値で０．０８μｍであった。

これにより、粗面化処理が行われない比較例の配線パターン３は、粗面化処理が行われる実施例の配線パターン３に比べて、表面粗さが大きくばらつくことが明らかとなった。

また、比較例において、無電解錫めっき後の配線パターン３の正常部における表面粗さは、０．０６μｍ以上０．１５μｍ以下の範囲でばらついた。平均値は０．１４μｍであった。

このように、無電解錫めっき前に粗面化処理が行われない場合には、無電解錫めっき後の配線パターン３の表面粗さを平均値で約０．１５μｍ以上にすることができなかった。そのため、不良検査時においては、正常部からの反射光の強度が約１８０よりも大きくならなかった。その結果、正常部を誤って不良部と判定する誤検出が発生した。

上記の結果から、金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン３の形成後に粗面化処理を行うことにより、配線パターン３の正常部における表面粗さのばらつきが十分に低減され、正常部の表面粗さが大きくなることにより、正常部を誤って不良部と判定する誤検出が十分に低減されることが明らかとなった。

本発明は、配線回路基板を製造する場合に有用である。

２ ベース絶縁層
３ 配線パターン
１０ 第１の積層体
１２ キャリアテープ
３１ 金属薄膜
３３ 導体層
３４ 錫めっき層
１００，１１０，１２０，２００，２１０，２２０ ロールトゥロール装置
２０１，２１１，２２１ 供給ロール
２０５，２１２，２２２ 巻き取りロール

Claims (6)

1. 長尺状の絶縁層上に配線パターンを形成することにより長尺状回路基板を形成する工程と、
   前記絶縁槽上に形成された配線パターンの表面を粗面化する工程と、
   前記粗面化された配線パターンに光を照射し、前記配線パターンからの反射光に基づいて前記配線パターンの不良部を検出する工程とを備えることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
2. 前記粗面化する工程の後、前記不良部を検出する工程の前に、前記配線パターンに電子部品の端子を接合するための表面処理を施す工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記配線パターンを形成する工程は、銅からなる配線パターンを形成する工程を含み、
   前記表面処理を施す工程は、前記銅からなる配線パターンに錫めっきを施す工程を含み、
   前記粗面化する工程により粗面化された前記銅からなる配線パターンの表面粗さＲａの平均値は０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項２記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記長尺状回路基板が巻回された第１のロールから前記長尺状回路基板を繰り出すとともに、前記第１のロールから繰り出された長尺状回路基板を第２のロールに巻き取る工程をさらに備え、
   前記粗面化する工程は、前記第１のロールと前記第２のロールとの間で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記不良部を検出する工程は、前記第１のロールと前記第２のロールとの間で行われることを特徴とする請求項４記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記長尺状回路基板が巻回された第３のロールから前記長尺状回路基板を繰り出すとともに、前記第３のロールから繰り出された長尺状回路基板を第４のロールに巻き取る工程をさらに備え、
   前記不良部を検出する工程は、前記第３のロールと前記第４のロールとの間で行われることを特徴とする請求項４記載の配線回路基板の製造方法。

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