TWI230561B - Manufacturing apparatus for organic EL display device and manufacturing process for organic EL display device using the apparatus - Google Patents

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TWI230561B
TWI230561B TW90106031A TW90106031A TWI230561B TW I230561 B TWI230561 B TW I230561B TW 90106031 A TW90106031 A TW 90106031A TW 90106031 A TW90106031 A TW 90106031A TW I230561 B TWI230561 B TW I230561B
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TW
Taiwan
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organic
display device
manufacturing
substrate
Prior art date
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TW90106031A
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Toshio Sakai
Mitsuru Eida
Hiroshi Tokailin
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
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Description

1230561 A7
五、發明說明(1 ) 【技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明’係有關有機EL顯示裝置之製造裝置及有機EL 顯示裝置的製造方法。更詳細而言’係有關可製造有機el 顯示裝置之製造裝置’及如此有機EL顯示裝置之製造方法 ’可用以抑制畫素中之無發光領域或無發光部位(有稱爲 黑點(dark spot )之情形)。 尙有,記載於本說明書之專利申請範圍等的「EL」, 係「Electro Luminescence」簡稱。 【背景技術】 習知技術,有機EL顯示裝置中,用以排除由於空氣中 之水分影響,爲了用以抑制長期驅動時之發光領域中的無 發光領域或無發光部位等之發生,被檢討有各種封止裝置 或防濕裝置。 而且,在製造階段,也被檢討不要曝露在空氣用以製 造有機EL顯示裝置,如此之製造裝置係被揭示在曰本專利 (案)特開平8-1 1 1 285號,及特開平10-2 14682號,及特 開平 10 — 33506 1 號。 象濟部智§*財蓋局員工消費合作社印製 譬如,被揭示於特開平8-111 285號之有機EL顯示裝置 的製造裝置25 0,係如圖20所示,對一個之真空裝置110 ,使複數之作業用真空室Π1〜116連接於其周邊,又在真空 裝置內係設有搬送用之可動柄102,使真空裝置或作業用 真空室在減壓狀態下,使基板1 〇 4構成可移動。 因此,一邊通過一個真空裝置’ 一邊在各作業用真空 本i張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1230561 B7____ 五、發明說明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 室中,在基板上可用以形成有機EL元件之各層。即,由成 膜工程,到形成保護膜爲止,不要曝露於空氣,形成可用 以製造有機EL顯示裝置。 又,被揭示於特開平1 0-2 14682號之有機EL顯示裝置 之製造裝置300,係如圖21所示,具有獨立之第1〜第η作 業用真空室222a〜226a,及對此等之作業用真空室,分別通 過閘閥222d〜226d被連接第1〜第η搬送用真空室222〜226。 又,各搬送用真空室222〜226,係通過閘閥222c〜227c被連 接成水平方向,藉由被設於各搬送用真空室之機器人柄 222b〜226b,由在搬入口之第1乾燥箱221,到在搬出口之 第2乾燥箱227爲止構成可用以移送基板等。 因此,各作業用真空室中,用以形成有機EL元件之各 層,同時通過搬送用真空室,在減壓狀態下,將各作業用 真空室依順序可進行移動。即,由成膜工程,到封止工程 爲止,不要曝露於空氣中,形成可用以製造有機EL顯示裝 置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,被揭示於特開平10-335061號之有機EL顯示裝置 之製造裝置350,係如圖22所示,具有:真空室315;真空裝 置307,被連接於該真空室;搬送推壓裝置316,爲了用以 搬送該真空室內之有機EL元件309或封止用構件312;及硬 化裝置311,爲了使有機EL元件309及封止用構件312之 間的粘接劑層3 1 3硬化。 因此,在真空室3 1 5內用以形成有機EL元件之各層’ 同時預先在真空室內將準備好放著的封止用構件312 ’藉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^ " 1230561 A7 B7 五、發明說明(3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由搬送推壓裝置316進行位置合對之後,由上方推壓之狀 態下,進而藉由硬化裝置(紫外線曝光裝置)3 1 1,可使 粘接劑層3 1 3硬化。即,由成膜工程,到封止工程爲止, 不要曝露於空氣中,在減壓狀態下,形成可用以製造有機 EL顯示裝置。 可是,被揭示於特開平8-1 1 1 285號之有機EL顯示裝置 之製造裝置,係在真空槽之周圍,譬如,設有5個作業用 真空室(蒸鍍室或噴鍍室),使製造裝置會有大型化之問 題。 又,在玻璃基板未設有爲了用以脫水形成透明電極或 有機膜等有機EL晶圓之單元,被取得之有機EL顯示裝置 中,要使有機發光媒體中之含水率下降係有所困難,做爲 無發光領域會有容易產生黑點之問題。 進而,在有機EL晶圓形成保護膜之後,因爲曝露於空 氣中,所以會容易形成封止不完全之問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印f 又,被揭示於特開平1 0-2 14682號之有機EL顯示裝置 之製造裝置,係含第1〜第η之作業用真空室,第1〜第η之 搬送用真空室,及第1及第2之乾燥箱,因爲使此等被連接 成水平方向,所以使製造裝置會有顯著大型化之問題。 又,該製造裝置,係被設有第1乾燥箱,而該第1乾燥 箱,係僅有使水分量被控制降低的空間,因爲未設有加熱 裝置等,所以將被含於基板等水分未能積極性的脫水。 因此,被取得之有機EL顯示裝置中,要使有機發光媒 體中之含水率下降係有所困難,做爲無發光領域要完全抑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 1230561 A7 — B7 五、發明說明(4 ) 制黑點等之發生,經過長期間要取得高的發光亮度尙有困 難。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,對於被揭示於特開平1 0-33506 1號之有機EL顯示 裝置之製造裝置,也未被設有脫水工程,所以將被含於基 板等水分未具有積極性的脫水之功能。因此,被取得之有 機EL顯示裝置中,要使有機發光媒體中之含水率下降係有 所困難,做爲無發光領域要完全抑制黑點等之發生,經過 長期間要取得高的發光亮度尙有困難。 另外,若依據被揭示於特開2000-1 33446號之有機EL 顯示裝置之製造裝置400,則如圖23所示,其構成含有:裝 載側收納室412,413;裝載側常壓搬送室411;裝載室421;真 空搬送室431;複數之製膜室432〜435;非裝載室441;非裝載側 常壓搬送室451;非裝載側收納室452,453;及氣密作業室 454;而其特徵,係使至少非裝載室441,及非裝載側常壓搬 送室451,在水分含有量lOOppm以下之不活性氣體大氣, 同時裝載側收納室4 1 2 ’ 4 1 3中,揭示有用以加熱基板及基 板上之有機物質,並進行脫水爲較佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可是,被揭示之有機EL顯示裝置之製造裝置,係因爲 用以共用基板之搬入場所,及基板之加熱場所,所以將裝 載側收納室一旦進行加熱時,使裝載側收納室之溫度進行 下降爲止,會有不能用以搬入下次基板之問題。又,同樣 ,用以共用基板之搬入場所,及基板之加熱場所,而且, 因爲在加熱後設有裝載側常壓搬送室,所以用以減壓,或 冷卻裝載側收納室,或設有精密天秤係有所困難。因此, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A/ _ B7 五、發明說明(5) 要完全用以脫水基板等,或在脫水工程會有需要長時間之 問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此,提案有將裝載側收納室設置複數,但含加熱裝 置及精密天秤會有使製造裝置全體之規模變大的問題,又 ,在複數之裝載側收納室中因爲加熱溫度偏差,使被取得 之有機EL顯示裝置之性能會有偏差之問題。 進而,在被揭示之有機EL顯示裝置之製造裝置,係因 爲用以共用基板之搬入場所,及基板之加熱場所,相反, 不能用以共用基板之加熱場所及基板之洗淨裝置,使製造 裝置全體之規模愈變愈大,或將基板由加熱場所,到基板 之洗淨裝置進行移動時會進行吸水,會有使脫水效果進行 下降等之問題。 因此,本發明之發明人等人,將該問題進而認真檢討 之後,與基板之搬入場所之外,另設有脫水單元,藉由將 支持基板等之脫水處理根據加熱處理以積極性的進行,可 使有機發光媒體中之含水率顯著下降,結果,可發現做爲 畫素周圍中之無發光領域以進步性的可抑制黑點等之發生 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即,本發明之目的,係提供一種有機EL顯示裝置之製 造裝置,在高溫環境下即使進行長時間驅動,也可抑制黑 點等之發生被有效取得有機EL顯示裝置。 又,本發明之另外目的,係提供一種有機EL顯示裝置 之製造方法,在高溫環境下即使進行長時間驅動,也可抑 制黑點等之發生被有效取得有機EL顯示裝置。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 ____B7 五、發明說明(6 ) 【發明之揭示】 〔1〕若依據本發明,則一種有機EL顯示裝置之製造 裝置’係在支持基板上,至少具有下部電極,有機發光媒 體,及上部電極,同時使周圍藉由封止構件被封止之爲了 用以製造有機EL顯示裝置之製造裝置中,係具備有: 第1單元,爲了用以搬入支持基板; 第2單元,在有機發光媒體之形成前至少將支持基板 進行加熱爲了進行脫水處理; 第3單元,爲了用以形成有機發光媒體及上部電極;及 第4單元,藉由封止用構件爲了用以封止周圍;同時 在各單元間設有搬送裝置,可用以解決上述問題。 即,若依據如此之製造裝置,則與基板之搬入場所之 外,因爲另構成含第2單元以積極性進行脫水處理,所以 有機EL顯示裝置之組合後,容易形成有機發光媒體中之含 水率的調節,可容易取得耐久性優異,做爲無發光領域使 黑點等發生進行性的減少之有機EL顯示裝置。 〔2〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,在第2單元,及第3單元之間,設有第1單元爲較 佳。 若依據如此之製造裝置,則通過第1單元,將第2單元 ,及第3單元之間因爲可使基板等重複進行而來,所以無 論幾次皆可重複進行成膜,及脫水。 又,若依據如此之製造裝置,則使第1單元,也可在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 — A7 — B7 五、發明說明(7 ) 第2單元中之加熱時,或第3單元中之減壓時做爲緩衝發揮 作用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔3〕又用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造裝 置時,使第2單元,由加熱室,及冷卻室進行構成爲較佳 〇 藉由進行如此構成,在加熱室以減壓下將基板進行加 熱時,也在冷卻室中可迅速用以冷卻基板。 〔4〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,係在第2單元,至少設有一個不活性氣體之循環 裝置,減壓裝置及冷卻裝置爲較佳。 藉由進行如此構成,根據加熱進行脫水處理,並因爲 可使用不活性氣體,實質上在不曝露於空氣中之狀態下, 可更有效實施脫水處理。 又,藉由進行如此構成,在減壓狀態下,因爲根據加 熱可用以實施脫水處理,可更有效實施脫水處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進而,藉由進行如此構成,根據加熱在脫水處理後, 因爲可容易用以冷卻基板,所以可使移送到次工程爲止之 時間顯著減少。尙有,減壓狀態中藉由加熱在進行脫水處 理時,則爲了不進行自然冷卻,所以該冷卻裝置,係形成 特別有效裝置。 〔5〕又,甩以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,係在第1單元,至少設有一個不活性氣體之循環 裝置,減壓裝置及冷卻裝置爲較佳。 藉由進行如此構成,在第1單元中,也形成可使用不 -10- 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A/ B7 五、發明說明(8) 活性氣體,在基板等之搬送中,或冷卻中,形成不會被曝 露於空氣中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,藉由進行如此構成,因爲可將第1單元做爲減壓 狀態,所以在減壓狀態之第3單元形成容易用以搬送基板 等。 進而,藉由進行如此構成,根據第2單元中之加熱在 脫水處理後,在第1單元中因爲也可容易用以冷卻基板, 所以可使移送到次工程爲止之時間顯著減少。 〔6〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,在第1單元,連接有第4單元爲較佳。 藉由進行如此構成,將第1〜第4單元可配置成放射狀 ,而且因爲可用以共用第1搬送裝置,及第2搬送裝置,所 以可將製造裝置更小型化。 〔7〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,用以共用第2單元,及第4單元爲較佳。 藉由進行如此構成,因爲可用以省略第1或第4單元之 空間,所以可將製造裝置更小型化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔8〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,使第3單元,係具有複數之蒸鍍源的真空蒸鍍裝 置爲了用以同時蒸鍍或逐次蒸鍍複數試料爲較佳。 藉由進行如此構成,將有機EL元件之各層,因爲可用 以形成保持固定真空狀態下’所以不僅形成容易有機發光 媒體中之含水率的調整,將第3單元與由複數之蒸鍍裝置 等構成時進行比較,可將製造裝置更小型化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A/ B7 五、發明說明(9) 尙有,爲了取得具有均勻厚度之有機發光媒體等,係 使基板及複數之蒸鍍源’分別進行獨自之旋轉運動爲較佳 〇 〔9〕又,用以構成本發明之有機£1^顯示裝置之製造 裝置時,係使第3單元,含緩衝室,真空蒸鍍裝置,及噴 鍍裝置爲較佳。 藉由進行如此構成,將有機EL元件之各層,使對應於 使用材料之種類,可用以適當選擇成膜方法。 又,因爲含緩衝室,所以通過該緩衝室,因爲可用以 連接真空蒸鍍裝置,及噴鍍裝置之間,所以各自中形成容 易真空度等之調整。 進而,藉由利用該緩衝室,因爲形成可複數之基板的 調換,所以在真空蒸鍍裝置及噴鍍裝置中,也形成容易同 時用以處理各自不同的基板。 〔10〕又,用以構成本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,係使第3單元,進而含等離子體洗淨裝置爲較佳 〇 藉由進行如此構成,進而以精密,可做爲優異耐久性 的有機EL顯示裝置。 〔1 1〕又,本發明之另外態樣,係使用上述任何之一 的製造裝置之有機EL顯示裝置之製造方法,其特徵在於: 在第1單元,用以搬入支持基板; 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) H A7 1230561 B7____ 五、發明說明(1〇) 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元移送到第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 藉由進行如此實施,在有機EL顯示裝置之組合後,形 成容易有機發光媒體中之含水率的調節,使黑點等之發生 非常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 〔12〕又,用以實施本發明之有機EL顯示裝置之製造 裝置時,係使第2單元,形成含加熱室,及冷卻室,在該 加熱室中,將支持基板進行加熱並進行脫水處理,同時在 該冷卻室中,用以冷卻脫水處理後之支持基板爲較佳。 藉由進行如此實施,第2單元之加熱室中,在減壓下 即使進行加熱脫水處理,但在第2單元之冷卻室中,因爲 可容易冷卻,所以可用以短縮製造時間。 〔1 3〕又,本發明進而別的態樣,係使用上述之製造 裝置的有機EL顯示裝置之製造方法,其特徵在於: 在第1單元,用以搬入支持基板; 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------------- 訂·——1111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -13- 1230561 A7 B7 五、發明說明(11) 行脫水處理; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板,由第2 單元通過第1單元,並移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元移送到第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍爲較佳 〇 如此將支持基板因爲使用不同搬入場所,及脫水場所 之製造裝置,可用以短縮製造時間,同時使製造裝置之配 置自由度提高,進而形成容易有機發光媒體中之含水率的 調節。 〔14〕又,本發明進而別的態樣,係使用上述之製造 裝置的有機EL顯示裝置之製造方法,其特徵在於: 在第1單元用以搬入支持基板; 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; M-濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元通過第1單元,並移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到第4單元; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 一 A7 B7 五、發明說明(12) 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 藉由進行如此實施,可用以短縮製造時間,同時使製 造裝置之配置自由度提高,進而形成容易有機發光媒體中 之含水率的調節。 〔15〕又,本發明進而別的態樣,係使用上述之製造 裝置的有機EL顯示裝置之製造方法,其特徵在於: 在第1單元用以搬入支持基板; 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到與第2單元共 用之第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 藉由進行如此實施,可用以短縮製造時間,同時使製 造裝置之配置自由度提高,進而形成容易有機發光媒體中 之含水率的調節。 〔16〕又,用以實施本發明之有機EL顯示裝置之製造 方法時,係將第2單元中之被脫水處理後之支持基板,移 送到第1單元進行冷卻後,移送到第3單元爲較佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 . A/ B7 五、發明說明(13) 如此藉由第1單元中進行冷卻,在第2單元中之減壓狀 態下進行脫水處理,但可有效用以冷卻支持基板’可用以 短縮移送到弟3單兀爲止之時間。 又,在第1單元藉由用以冷卻脫水處理後之基板,而 在第2單元中,係因爲可同時用以脫水處理別的基板,所 以也可提高製造效率。 〔1 7〕又,用以實施本發明之有機EL顯示裝置之製造 方法時,藉由第3單元,用以形成有機發光媒體後,將被 形成有機發光媒體後之支持基板移送到第2單元並進行脫 水處理後,再度移送到第3單元,用以形成上部電極爲較 佳。 藉由進行如此實施,在有機EL顯示裝置之組合後,形 成更容易有機發光媒體中之含水率的調節,使黑點等之發 生非常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 〔1 8〕又,用以實施本發明之有機EL顯示裝置之製造 方法時,藉由封止用構件將封止後之有機發光媒體的含水 率做爲0.05重量%以下之値爲較佳。 藉由進行如此實施,不僅室溫,連在高溫(譬如8 〇 )之放置條件中,也使黑點等之發生非常的少可有效取得 有機EL顯示裝置。 【圖式之簡單說明】 圖1係顯示有機EL顯示裝置之製造裝置圖(其1)。 圖2係顯示有機EL顯示裝置之製造裝置圖(其2)。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16 · ' -- , --------^------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 着· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 _ B7 五、發明說明(14) 圖3係顯示有機EL顯示裝置之製造裝置圖(其3)。 圖4係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其1 )。 圖5係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其2 )。 圖6係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其3 )。 圖7係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其4 )。 圖8係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其5 )。 圖9係顯示有機EL顯示裝置之剖面圖(其6 )。 圖1 〇係第1單元之槪略圖。 圖11係第2單元之槪略圖。 圖12係第3單元之槪略圖(其1)。 圖丨3係第3單元之槪略圖(其2)。 圖14係第3單元之槪略圖(其3)。 圖1 5係第4單元之槪略圖。 圖1 6係顯示第2實施形態之有機EL顯示裝置之製造裝 置圖。 圖17係顯示有機發光媒體之含水率,及發光面積比之 關係圖。 圖1 8係供於全自動水分解吸測定裝置之說明圖。 圖1 9係根據圖1 8所示全自動水分解吸測定裝置進行測 定後之水分測定圖。 圖20係顯示先前之有機EL顯示裝置之製造裝置圖(其 1 ) ° 圖21係顯示先前之有機EL顯示裝置之製造裝置圖(其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- ------------裝--------訂--------- f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁} 1230561 A7 B7 五、發明說明(15) 圖22係顯示先前之有機£1_顯示裝置之製造裝置圖(其 3 ) ° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖23係顯不先則之有機£[顯示裝置之製造裝置圖(其 4 ) ° 【元件編號之說明】 21…第1單元,22…第3單元,23…第2單元, 24…第4單元,25 ···第1搬送裝置,26…間隔板(擋 隔板),27…桌2搬送裝置,30、40 ···真空泵,34 、44…加熱板,35、36、67…乾燥氣體循環裝置, 37、47…支持台,38、48…冷卻裝置,39、63…等 離子體洗淨I置’ 42 ·.·套,43…基板台,45…露點 計,46、51…全自動水分解吸測定裝置,52…油通路 ,53…天秤,54 ···溫度感應器,55 ···濕度感應器, 56…乾燥箱,57…加熱裝置,58…注入口(封止用構件 )’ 59…有機EL元件,60…蒸鍍裝置,61…循 環路,62…天秤室(噴鍍裝置),63 ···精密天秤, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 64…比較g式料室(緩衝室),65…控制室,66…濕潤 氣體循環裝置’ 68…氣體貯藏部,7 1…加熱室,72 …緩衝單元’ 1〇〇、250、300、350、400…有機EL顯示 裝置之製造裝置,102…可動柄,104、203…基板, 110、307…真空裝置,1 11〜1 16…複數之作業用真空室 ’ 201…真空蒸鍍裝置,210…真空槽,211…基板 夾具,212A〜212F…複數之蒸鍍源,213…旋轉軸部, 18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 Α7 Β7 Μ.濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(26) 6個)之蒸鍍源21 2A〜21 2F,被對置配置於該基板夾具211 之下方,爲了用以充塡蒸鍍材料。 該真空槽210,係藉由排氣裝置(未圖示),將內部 形成可維持預定之減壓狀態。尙有,蒸鍍源數,係圖面上 被顯示6個,但並非限定於此,5個以下也可,或7個以下 也無妨。 又,基板夾具2 1 1,係具備保持部2 1 5用以支持基板 203之周緣部,在真空槽210內,將基板203被構成能保持 於水平。 在該基板夾具211之上面的中央部分,係爲了使基板 203旋轉(自轉)使旋轉軸部21 3被設立成垂直方向。又, 在該旋轉軸部213,係被連接旋轉驅動裝置之馬達214,並 藉由馬達2 1 4之旋轉動作,使被保持於基板夾具2 1 1之基板 203,與該基板夾具21 1 —起將旋轉軸部213做爲旋轉中心 能形成自轉。 即,在基板203之中心,係藉由旋轉軸部2 1 3使旋轉軸 線213A被設定成垂直方向。 又,該蒸鍍裝置中,基板203之形狀係無特別限定, 但譬如,如圖1 2及圖1 3所示,使基板203係短形平板狀時 ,則將該基板203之旋轉軸線21 3A做爲中心沿著虛擬圓 221之圓周上用以配設複數之蒸鍍源212A〜212F,將虛擬圓 221之半徑做爲Μ,將基板203之一邊長度做爲L時,用以 滿足Μ> ( 1/2 ) X L爲較佳。尙有,使基板203之邊長分別 做爲不同,在不同時,則將最長之邊長做爲L。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 ^ Β7 五、發明說明(27) 藉由如此之構成,由複數之蒸鍍源212A〜212F,對基 板203可將蒸鍍材料之入射角度相互做爲同樣,所以將蒸 鍍材料之組成比可更容易進行控制。 又,藉由如此構成,使蒸鍍材料,對基板203爲了以 固定之入射角度被蒸鍍,使入射成垂直消失,在膜面內可 使組成比之均勻性更進一步提高。 又,該蒸鍍裝置中,如圖1 2所示,將複數之蒸鍍源 212A〜212F,以基板203之旋轉軸線213A做爲中心配設於 虛擬圓221之圓周上,並將複數之蒸鍍源2 12A〜21 2F的配設 數(個數)做爲η時,將各蒸鍍源212A〜212F,由虛擬圓 221之中心以360 ° /η之角度進行配設爲較佳。 譬如,用以配設6個蒸鍍源2 1 2時,則由虛擬圓22 1之 中心以60°之角度進行配設爲適當。 進行如此配置,則對基板203之各部分,將複數之蒸 度材料依順序重疊可成膜,所以在膜厚方向,使組成比以 規則性的可容易用以成膜不同之薄膜層。 (2)蒸鍍裝置及噴鍍裝置之共用裝置 又,第3單元,係如圖14所示,以蒸鍍裝置60、61及 噴鍍裝置62之共用裝置22爲較佳。 藉由如此之構成,將有機EL元件之各層,使對應於使 用材料之種類,可適宜用以選擇成膜方法。譬如,對於有 機材料係使用蒸鍍裝置60、6 1進行成膜爲較佳,對於無機 材料,係使用噴鍍裝置62進行成膜爲較佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -30- -----------^---I----^------I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智,«*財產局員工消費合作社印製 1230561 … B7 五、發明說明(28) 又,第3單元係共用裝置時,則如圖14所示,設有緩 衝室64,同時通過該緩衝室64,將蒸鍍裝置60、61 ’噴 鍍裝置62,或等離子體洗淨裝置63藉由連接構件65進行 連接爲較佳。如此藉由設置緩衝室64 ’將基板搬入到各蒸 鍍裝置時,也藉由用以調節緩衝室64之真空度放著’可用 以防止各蒸鍍裝置等之真空度的下降。 又,藉由設有如此緩衝室64,對應於所要之有機EL顯 示裝置,可進行成膜。即’對某基板’係與等離子體洗淨 裝置63,蒸鍍裝置60、61 ’噴鍍裝置62依順序也可進行 處理,又對別的基板,與等離子體洗淨裝置63 ’蒸鍍裝置 60,噴鍍裝置62也可以部分進行處理。 尙有,圖14中,由緩衝室64之中心位置,以箭頭A〜D 及F顯示基板之各進行方向’但使用搬送裝置(未圖示) ,譬如,使用蒸鍍裝置60、6 1時,若將基板移送到箭頭A 或B之方向即可。 (3 )等離子體洗淨裝置 又,第3單元,係如圖14所示,設有等離子體洗淨裝 置6 3爲較佳。 藉由使用如此之等離子體洗淨裝置63,在第2單元23 ,將被脫水處理之基板等的表面可更有效進行洗淨。因此 ,以更精密,可用以製造耐久性優異的有機EL顯示裝置。 又,藉由等離子體洗淨裝置63對於等離子體洗淨條件 ,也並無特別限制,但譬如,做爲等離子氣體,使用氬/氧 本ϋ長尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) _ 31 - ' 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I濟部智1財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(29) 之情形,將分別之流量做爲20〜1,000sccm/10〜500sccm範 圍內之値爲較佳。對於等離子體洗淨時之壓力,係做爲 0.1〜10Pa範圍內之値爲較佳。進而,將等離子體洗淨時之 高頻(RF )的頻率做爲13.56MHz時,將輸出做爲10〜200W 範圍內之値爲較佳。而且,在如此之等離子體洗淨條件中 ,將洗淨時間做爲1〜60分鐘範圍內之値爲較佳。 該理由,若有該等離子體洗淨條件,則在度過ITO等 之透明電極表面不會產生損傷,因爲有效用以除去附著於 表面的有機物質等之污染物質。又,若有該等離子體洗淨 條件,則可以最適當之狀態用以改質透明電極表面,爲了 可使正孔注入性增加。 尙有,使用等離子體洗淨裝置63時,藉由該等離子體 洗淨裝置63,在成膜前用以洗淨基板爲較佳,但在成膜後 ,用以除去低分子量物等之目的,使用同裝置,進行等離 子體處理爲較佳。 (4 )精密天秤 又,將成膜後之有機發光媒體的含水率(W ),由後 述之理由因爲做爲〇·05重量%以下之値,精密天秤,譬如 設有具備精密天秤之全自動水分解吸測定裝置爲較佳。 但,在有機發光媒體之周圍,使層間絕緣膜,平坦化 層,螢光媒體,彩色濾光膜等有機膜存在,要用以區別有 機發光媒體及該以外之有機膜有困難時。在該情形,係做 爲含一部分有機發光媒體之混合物用以測定重量,由此將 ϋΓ張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>< 297公.爱) -32 - " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----I--訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社祖製 1230561 A7 B7 五、發明說明(3〇) 被取得之値做爲有機發光媒體之含水率也可。因爲,將如 此之混合物含水率藉由做爲0.05重量%以下之値,也可有 效達成發光面積比之下降因爲另外進行判明。即,做爲以 如此被測定後之含水率的水分,譬如,非局部存在於層間 絕緣膜等之有機發光媒體以外之有機膜而係進行擴散,並 侵入到有機發光媒體,達到平衝狀態,同時被認爲使有機 發光媒體或對置電極氧惡化。因此,譬如,用以採取有機 發光媒體,及層間絕緣膜等之混合物時,也被認爲使該有 機發光媒體之含水率在0.05重量%以下。 因此,在有機發光媒體之周圍,譬如在設有層間絕緣 膜時,則將有機發光媒體及層間絕緣膜做爲任意混合物進 行採取,並用以測定對於此等之重量A及重量B,由此將 算出後之含水率做爲0.05重量%以下即可。 但是,也藉由有機EL顯示裝置之構成,不用以採用有 機發光媒體將含有機發光媒體之含水率,或有機發光媒體 之有機膜含水率也可大致進行掌握。 即,在含支持基板等之狀態下將有機發光媒體之乾燥 前之重量C,及乾燥後之重量D,用以全自動水分解吸測 定裝置等進行測定,同時預先使用全自動水分解吸測定裝 置用以附加進行測定放著之有機發光媒體以外的支持基板 等之重量E,或含有機發光媒體之有機膜以外的支持基板 等之重量E,由下式,可用以推定有機發光媒體,或含有 機發光媒體之有機膜的含水率(W )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(31) W=〔(重量C —重量D ) / (重量D —重量E ) 〕X 100 4.第4單元 第4單元24,係爲了用以防止水分侵入到有機EL元件 內部,在第3單元22之終了時點將被取得之有機EL元件的 周圍,藉由封止用構件進行被覆之封止單元(封止裝置) 〇 該第4單元24,係譬如,如圖1 5獨立所示,具備有套 52,基板台55,熱加板54,推壓裝置53,粘接劑硬化用 曝光裝置51,乾燥氣體循環裝置35、36,真空泵50,露 點計45,及全自動水分解吸測定裝置46爲較佳。 即,使用乾燥氣體循環裝置35、36,在套52內充分 使氮或氬等乾燥氣體循環之後,在該狀態下,將封止用構 件58能覆蓋有機EL元件59之周圍,進而將其周圍藉由粘 接劑5 7,譬如,藉由遊離基硬化型之粘接劑,陽離子硬化 型之粘接劑,熱硬化型粘接劑,或濕氣硬化型之粘接劑等 進行密封爲較佳。 又,在使粘接劑57硬化時,不要產生位置偏差,使用 推壓構件53,以9.8 X 104Pa〜4.9 X l〇5pa之壓力,進行加 壓爲較佳。 其他,由粘接劑5 7,及封止用構件5 8之界面使水分不 要侵入,在此等之粘接劑57中,將矽烷耦合劑,譬如,將 氨丙基三乙氧基矽烷,或7環氧丙氧基三乙氧基矽烷等 ’對全體量,以0.1〜5重量%之範圍內進行添加爲較佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵0 x 297公髮1 m " 裝--------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # A7 1230561 B7 五、發明說明(32) 又,由外部到有機EL元件59爲止爲了將沿面距離加長 ’在基板設有溝部(未圖不)’在此用以充塡粘者劑57之 後,用以壓接封止用構件58,並進行固定爲較佳。 5.連接部 . 第1單元,及第2單元之^,第1單元,及第3單元之 間,以及第2單元,及第3單元之間,係分別設有連接部 26,由閘閥或擋板機構(間隔板)等所構成爲較佳。 而且,此等之連接部26,係與第1及第2搬送裝置( 未圖示)之動作同步進行爲較佳。 譬如,由大氣壓狀態之第1單元,用以移送基板到大 氣壓狀態之第2單元時,則第1搬送裝置係將基板進行把持 之後,進行到第2單元方向,與此同步進行,使第1單元, 及第2單元之間的連接部打開。因此,第1搬送裝置,係通 過連接部,到達第2單元後,用以中止基板之把持,在第2 單元中之預定場所可用以載置基板。 又,由大氣壓狀態之第1單元,用以移送基板到低壓 狀態之第2單元時,則首先,使大氣壓狀態之第1單元,及 低壓狀態之第2單元之間的連接部打開,同時使第1搬送裝 置由第1單元進行移動到第2單元,並用以把持基板。 其次,使第1搬送裝置,在用以把持基板之狀態下, 由第1單元進行到第2單元方向,並在此停止。接著,使第 1單元,及第2單元之間的連接部關閉,同時使第1單元之 真空泵進行作動。而且,使第1單元之真空度,與第3單元 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -35- " " --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 ^ A/ B7 五、發明說明(33) 之真空度在形成相同之時點,使第1單元,及第3單元之間 的連接部打開,同時再度使第1搬送裝置,在用以把持基 板之狀態下,由低壓狀態之第1單元進行到低壓狀態之第3 單元。因此,第1搬送裝置,係到達第3單元後,用以中止 基板之把持,在第3單元中之預定場所可用以載置基板。 6.有機E L顯示裝置 藉由第1實施形態之製造裝置被取得之有機EL顯示裝 置,係具有如下之構成爲較佳。 (1 )支持基板 有機EL顯示裝置中之支持基板(以下,有稱爲基板之 情形),係爲了用以支持有機EL元件,或TFT等之構件, 因此具有優異的機械性強度,或尺寸穩定性爲較佳。 做爲如此基板,具體而言,係可例舉玻璃板,金屬板 ,陶瓷板,或塑膠板(聚碳酸酯樹脂,丙烯樹脂,氯化乙 烯樹脂,聚對苯二酸乙二醇酯樹脂,聚先胺樹脂,聚酯樹 脂,環氧樹脂,苯芬樹脂,矽樹脂,氟樹脂等)等。 又,由此等之材料所構成之基板,係爲了避免水分侵 入到有機EL顯示裝置內,進而用以形成無機膜,或藉由用 以塗布氟樹脂,實施防濕處理或疏水性處理爲較佳。 特別是,爲了避免水分侵入到有機發光媒體,將基板 中之含水率及氣體透過係數變小爲較佳。具體而言,分別 將支持基板之含水率做爲0.000 1重量%以下之値及將氣體透 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -36 - 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 A7 __ B7 五、發明說明(34) 過係數做爲1 X 10-13cc.cm/cm2.sec.cmHg以下之値爲較佳 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尙有,第1實施形態,係基板及相反側,即,由上部 電極側爲了取出EL發光,基板係不一定必要具有透明性。 (2 )有機發光媒體 有機發光媒體,係使電子及正孔進行再結合,含可EL 發光之有機發光層可與媒體加以定義。該有機發光媒體, 係譬如,在下部電極上,用以積層以下之各層可加以構成 1) 有機發光層 2) 正孔注入層/有機發光層 3) 有機發光層/電子注入層 4) 正孔注入層/有機發光層/電子注入層 5) 有機半導體層/有機發光層 6) 有機半導體層/電子障壁層/有機發光層 7) 正孔注入層/有機發光層/附著改善層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等之中,4〉之構成,係被取得更高發光亮度,由 於也具有優異耐久性所以通常被使用。 (1)構成材料 做爲有機發光媒體中之發光材料’譬如’係可例舉P一 聯四苯衍生物,P-聯二苯衍生物,苯並塞唑系化合物,苯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(35) 並咪唑系化合物,苯並噁唑系化合物,金屬螯合化羥化合 物,噁比唑系化合物,苯乙烯基苯系化合物,丁間二烯系 化合物,奈二甲亞胺系化合物,二奈嵌苯衍生物,氯甲橋 奈衍生物,皮酢林衍生物,環茂二烯衍生物,氮雜物衍生 物,苯乙烯基胺衍生物,香豆素系化合物,芳香族二甲苯 系化合物,將8-羥基奎林做爲配位置之金屬絡合物,聚苯 酚系化合物等1種或2種以上之組合。 (2 )含水率 又,爲了有效用以抑制黑點之發生,以下式將被定義 之有機發光媒體的含水率(W )做爲0.05重量以下之値爲 較佳,做爲0.0001〜0.04重量%範圍內之値爲尙佳,做爲 0.0001〜0.03重量%範圍內之値爲更佳,做爲 0.0001 -0.01 重量%範圍內之値爲最佳。 重量A:由有機EL顯示裝置對於被採取之有機發光媒體 ,藉由全自動水分解吸測定裝置(附精密天秤)被測定重 量。 重量B :將有機發光媒體,在乾燥箱內,以7 5 °C,3 0分 鐘之條件對於進行加熱處理後之有機發光媒體,藉由全自 動水分解吸測定裝置被測定重量。 尙有,重量A及重量B,係分別使用被設定於全自動 水分解吸測定裝置之精密天秤進行測定爲較佳,但其他, 藉由ASTM D570-63方法,或熱分析(儀表讀數差異熱分析 DTA,儀表讀數差異掃描熱量測定DSC)或藉由卡爾費歇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -38- 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(36) 爾法也可用以測定含水率。 又,在有機發光媒體之周圍,使層間絕緣膜,平坦化 層,螢光媒體,彩色濾光膜等有機膜存在,要用以區別有 機發光媒體及該以外之有機膜有困難時。在該情形,係做 爲含一部分有機發光媒體以外之有機膜的混合物用以測定 重量A及重量B,由此將被取得之値做爲有機發光媒體之 含水率也可。因爲,將如此之混合物含水率藉由做爲 0.05重量%以下之値,也可有效達成發光面積比之下降因爲 另外進行判明。 因此,在有機發光媒體之周圍,譬如設有層間絕緣膜 時,則將有機發光媒體及層間絕緣膜以任意做爲混合物進 行採取,用以測定對於此等之重量A及重量B,由此將算 出後之含水率做爲0.05重量%以下之値即可。 於此,將有機發光媒體之含水率限制於0.05重量%以 下之値的理由,參考圖1 7並詳細加以說明。 圖17係顯示有機發光媒體(有一部分,含其他有機膜 之情形)之含水率,及由於黑點之發生發光領域之變化率 的關係,在橫軸,係顯示測定有機發光媒體之含水率(重 量% ),在縱軸,係顯示將發光領域之變化率(黑點發生後 之發光領域的面積/黑點發生前之發光領域的面積)做爲發 光面積比。 又,圖17中,▲記號,係顯示以大氣中,室溫(2 5 °C ),2星期之條件用以放置有機EL顯示裝置時的發光面積 比,•記號,係顯示以75 °C之恒溫槽,2星期之條件用以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -39- --------^---------. (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 1230561 A7 B7 五、發明說明(巧 放置有機EL顯示裝置時的發光面積比。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且,由圖17容易被理解,可發現使有機發光媒體之 含水率愈少,則發光面積比之値變成愈大,相反使有機發 光媒體之含水率愈多,則發光面積比之値變成愈小的傾向 。但,發光面積比,係對有機發光媒體之含水率並非以直 線進行變化,含水率超過〇.〇5重量%,則被發現發光面積 比顯著匪降的現象。 因此,將有機發光媒體之含水率,藉由限制於具有如 此臨界性意義0.05重量%以下之値,可有效達成防止發光 面積比之下降,即,用以抑制黑點之發生,經長期間可取 得高的發光亮度。 尙有,若有相同含水率,則被發現75 t之恒溫槽,2 星期之放置條件,比大氣中,室溫(25 t ) ,2星期之放 置條件,使發光面積比變成更小的傾向,但含水率起過 0.05重量%則使發光面積會有顯著下降的現象,係在任何之 放置條件中也被觀察到。 反過來說,將有機發光媒體之含水率藉由限制於 0.05重量%以下,則不僅大氣中,室溫(25 °C ) ,2星期之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 放置條件,連75 t之恒溫槽,2星期之放置條件也形成可 顯著抑制黑點之發生。因此,將有機EL顯示裝置,以高溫 條件進行使用時,則將含水率做爲0.05重量%以下之値, 係成爲更有用。 (3 )電極 • 40 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 五、發明說明(3今 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下,對於上部電極及下部電極加以說明。但,對應 於有機EL元件之構成,使此等之上部電極及下部電極,屬 於陽極層及陰極層,或,屬於陰極層及陽極層的情形。 1〉下部電極 下部電極,係對應於有機EL顯示裝置之構成屬於陽極 層或陰極層,譬如,屬於陽極層時,則使用功率函數大的 (譬如,4. OeV以上)金屬,合金,導電性化合物或此等之 混合物爲較佳。具體而言,將銦鍚氧化物(I T 0 ),銦鋅 氧化物(I Z〇),銦銅(C u I η ),氧化鍚(S η 〇2 ), 氧化鋅(ΖηΟ),金,白金,鈀(Pd)等電極材料以單 獨進行使用,或將此等電極材料以2種以上組合使用爲較 佳。 藉由使用此等之電極材料,在真空蒸鍍法,噴鍍法, 離子電鍍法,電子束蒸鍍法,CVD法,MOCVD法,等離子 體CVD法等之乾燥狀態下使用可成膜之方法,可用以形成 具有均勻厚度的下部電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 >上部電極 另外,對於上部電極,也對應於有機EL顯示裝置之構 成屬於陽極層或陰極層’譬如,屬於陰極層’則與陽極層 進行比較,使用功率函數小的(譬如,未達4.0eV )金屬’ 合金,導電性化合物或此等之混合物或含有較佳。 具體而言,將由鈉,鈉鉀合金,絶,鎂,鋰’鎂_銀合 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(39) 金,鋁,氧化鋁,鋁-鋰合金,銦,稀土金屬,此等之金屬 及有機發光媒體材料之混合物,及此等之金屬及電子注入 層材料之混合物等所構成電極材料以單獨使用,或將此等 之電極材料2種以上組合進行使用爲較佳。 (4 )層間絕緣膜 第1實施形態之有機EL顯示裝置中的層間絕緣膜,係 存在於有機EL元件(也含TFT等之周邊元件)之近傍或 其周邊,主要,用以平坦化螢光媒體或採色濾光膜之凹凸 ,用以形成有機EL元件之下部電極時做爲被平坦化之底子 被使用。又,層間絕緣膜,係將爲了用以形成高精細的配 線材料之電氣絕緣,有機EL元件之下部電極及上部電極之 間的電氣絕緣(防止短路),T F T之電氣絕緣或機械性 保護,進而,T F T及有機EL元件之間的電氣絕緣等目的 被使用。 因此,第1實施形態中,層間絕緣膜,係根據必要, 有以平坦化膜,電氣絕緣膜,隔壁,隔板,斜行構件等之 名稱稱呼之情形,在本發明,係皆包含之。 構成材料 做爲使用於層間絕緣膜之構成材料,通常係可例舉, 丙烯樹脂,聚碳酸酯樹脂,聚先亞胺樹脂,氟化聚先亞胺 樹脂,苯並脈胺樹脂,三聚氰胺樹脂,環狀聚烯烴,甲階 酚醛樹脂,聚肉桂酸酯乙烯,環化橡膠,聚氯乙烯樹脂, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -42· ------------^ · I------^ . I---I---. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(40) 聚苯乙烯,苯酚樹脂,醇酸樹脂,環氧樹脂,聚氨酯樹脂 ,聚酯樹脂,馬來酸樹脂,聚先胺樹脂等。 又,將層間絕緣膜由無機氧化物進行構成時,做爲較 佳無機氧化物,係可例舉氧化矽(Si〇2或Si〇x),氧化鋁 (Al2〇3或A1CK ),氧化鈦(Ti〇2 ),氧化釔(Y2〇3或Y〇x ),氧化鍺(Ge〇2或Ge〇x ),氧化鋅(ΖηΟ ),氧化鎂( Mg〇或Mg〇x ),氧化鈣(CaO ),硼酸(Β2〇3 ),氧化緦 (Sr〇),氧化鋇(Ba〇),氧化鉛(Pb〇),氧化鉻( Zr〇2 ),氧化鈉(Na2〇),氧化鋰(LhO ),及氧化鉀( K2〇)等。尙有,顯示無機氧化物構造式中之X,係1〜3範 圍內之値。 形成方法 層間絕緣膜之形成方法係無特別被限制,但譬如,使 用旋轉塗布法,壓出法,網版印刷法等方法進行成膜,或 以噴鍍法,蒸鍍法,化學蒸鍍法(CVD ),離子電鍍法等 方法進行成膜爲較佳。 含水率 又,將層間絕緣膜之含水率,與有機發光媒體同樣, 做爲0.05重量%以下之値爲較佳,做爲0.03重量%以下之値 爲尙佳,做爲0.01重量%以下之値爲更佳。 該理由,係使層間絕緣膜之含水率超過0.05重量%, 則使被含水分用以促進上部電極或有機發光媒體之氧化惡 -----------裝 i I-----訂----I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4^ - 1230561 A7 B7 五、發明說明(42) 2〉螢光媒體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 主動驅動型有機EL顯示裝置中之螢光媒體,係用以吸 收有機EL元件之發光,具有用以發光更長波長之螢光的功 能,被構成以平面做爲被分離配置之層狀物。各螢光媒體 ,係有機EL元件之發光領域,譬如對應於下部電極及上部 電極之交叉部分的位置加以配置爲較佳。 藉由如此之構成,使下部電極及上部電極之交叉部分 中的有機發光層進行發光時,將其光使各螢光媒體進行受 光,形成將不同色(波長)之發光可取出到外部。特別是 ,使有機EL元件進行藍色發光,同時藉由螢光媒體,做爲 可變換成綠色,紅色發光之構成,即使以1個之有機EL元 件,也能取得藍色,綠色,紅色之光的三原色,由於可全 色顯示爲較佳。 又,螢光媒體,主要係由螢光色素所構成時,則使所 要之螢光媒體的模式被取得通過掩膜,以真空蒸鍍或噴鍍 法進行成膜爲較佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 另外,使螢光媒體,由螢光色素及樹脂所構成時,則 使螢光色素及樹脂及適當的溶劑混合,分散或可溶化做爲 液狀物,並將該液狀物,以旋轉塗布,滾筒塗布,壓出法 等方法進行成膜,之後,以光平版印刷法在所要之螢光媒 體的模式進行模式化,以網版印刷等之方法在所要之模式 進行模式化,用以形成螢光媒體爲較佳。 又,將螢光媒體之含水率,與有機發光媒體同樣,做 本纸張尺度適用中國國家標準(CNTS)A4規格(210 X 297公釐) · 45 - 1230561 A7 B7 五、發明說明(43) 爲0.05重量%以下之値爲較佳,做爲0.03重量%以下之値爲 尙佳,做爲0.01重量%以下之値爲更佳。 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 該理由,係使螢光媒體之含水率超過0.05重量%,則 使被含水分因爲用以促進上部電極或有機發光媒體之氧化 惡化,並因爲會有難以抑制黑點發生之情形。 尙有,螢光媒體之含水率,係與有機發光媒體之含水 率同樣可進行測定。 (6 )有機EL顯示裝置之構成例 本發明之有機EL顯示裝置,係可將上述之構成要素進 行構成基本上之組合,但該以外之其他構成要素,譬如使 正孔注入層或電子注入層進行組合也較佳。 以下顯示對於典型之有機EL顯示裝置構成例,但並非 限定於此。 1〉支持基材/陽極層/有機發光層/陰極層/封止用構件 2〉支持基材/陽極層/層間絕緣膜/有機發光層/陰極層/ 封止用構件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3〉支持基材/螢光媒體/陽極層/層間絕緣膜/有機發光 層/陰極層/封止用構件 4〉支持基材/螢光媒體/平坦化層/陽極層/層間絕緣膜/ 有機發光層/陰極層/封止用構件 5〉支持基材/彩色濾光膜/陽極層/層間絕緣膜/有機發 光層/陰極層/封止用構件 6〉支持基材/彩色濾光膜/平坦化層/陽極層/層間絕緣 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 五、發明說明(44) 膜/有機發光層/陰極層/封止用構件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7〉支持基材/彩色濾光膜/螢光媒體/平坦化層/陽極層/ 層間絕緣膜/有機發光層/陰極層/封止用構件 8〉支持基材/陽極層/有機發光層/陰極層/螢光媒體/封 止用構件 9〉支持基材/陽極層/有機發光層/陰極層/彩色濾光膜/ 封止用構件 尙有,圖4係顯示2〉之構造的有機EL顯示裝置18, 圖5係顯示4〉或6〉之構造的有機EL顯示裝置1 8,圖6 係顯示8〉或9 >之構造的有機EL顯示裝置1 8,圖7係顯 示3〉或5〉之構造的有機EL顯示裝置,圖8係顯示圖5之 有機EL顯示裝置1 8的變形例,4〉或6〉之構造的有機EL 顯示裝置,圖9係顯示圖6之有機EL顯示裝置1 8之變形例 ,8〉或9〉之構造的有機EL顯示裝置。 〔第2實施形態〕 圖1 6係顯示第2實施形態中之有機EL顯示裝置之製造 裝置1 30槪略圖,依順序具備有: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1單元(搬入口)21,爲了用以入支持基板; 第2單元23中之加熱室71,在有機發光媒體之形成前 至少用以加熱支持基板並爲了進行脫水處理; 第2單元23中之冷卻室70,爲了用以冷卻被加熱後之 支持基板; 第3單元22,爲了用以形成有機發光媒體及上部電極; -47- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 ^ A/ B7 五、發明說明(45) 緩衝單元72; 第4單元24,藉由封止用構件爲了用以封止周圍; 又,在各單元間,設有搬送裝置(未圖示)。 以下適當參考圖1 6,並對於第2實施形態中之製造裝 置1 3 0之特徵性的構成,或其動作加以說明。 構成 (1 )第1單元 第2實施形態中之第1單元(搬入口)21,係與第1 實施形態中之第1單元的內容同樣,所以於此省略說明。 (2 )第2單元 第2實施形態中之第2單元(脫水單元)23,係由加 熱室7 1,冷卻室70,及用以連接其間之連接部26被構成 ,所以與加熱裝置,及冷卻裝置設於同室之第1實施形態 不同。 如此使第2單元23進行分離,則在加熱室7 1中’以減 壓狀態即使做爲用以加熱基板,但藉由用以移送基板到冷 卻室70,成爲可迅速進行冷卻。 又,如此進行分離,則將加熱後之基板在冷卻室70進 行冷卻,並將下次之基板在加熱室中因爲可進行加熱,所 以可使生產性提高。 尙有,在加熱室7 1,係設有加熱裝置,支持台,乾燥 氣體循環裝置,露點計,及全自動水分解吸測定裝置爲較 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝--------訂------- f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁} 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(46) 佳。又,冷卻室70,係設有冷卻裝置,支持台,乾燥氣體 循環裝置,真空泵’露點計’及全自動水分解吸測定裝置 爲較佳。 (3 )第3單元 第2實施形態中之第3單元(成膜單元)22 ’係與第1 實施形態中之第3單元的內容同樣’所以於此省略說明。 (4 )緩衝單元 緩衝單元72,係設於第3單元22,及第4單元24之間 ,但與未設置時進行比較,被取得形成容易用以調節第3 單元22中之真空度的效果。即’第4單元24中,係爲了進 行通常大氣壓下的封止作業’未被設有緩衝單元72,則由 減壓狀態之第3單元22,用以移送基板到第4單元24後, 使第3單元22中之真空度的調整會有形成困難之情形。 又,藉由設有如此緩衝單元72,做爲工程及工程之間 的基板等退避場所也可進行使用。 進而,藉由設有如此緩衝單元72,在事前將有機EL顯 示裝置之成膜狀態,或配線狀態等,使用電氣性的裝置, 或顯微鏡等因爲可進行確認,所以對於不良品,係不會移 送到下次工程之第4單元24,將此做爲搬出□,可取出到 外部。 尙有,在緩衝單元72,也設有搬出口,加熱裝置,冷 卻裝置,支持台,乾燥氣體循環裝置,真空泵,露點計等 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1230561 B7 五、發明說明(47) 爲較佳。 (5 )第4單元 第2實施形態中之第4單元(封止單元)24 ’係與第1 實施形態中之第4單元的內容同樣’所以於此省略說明。 動作 使第2實施形態中之製造裝置動作時’首先’將基板 做爲前工程,進行濕式洗淨’紅外線洗淨及紫外線洗淨之 後,載置於第1單元21之預定場所。尙有,在前工程之階 段,在基板上,用以形成上部電極’或層間絕緣膜’或螢 光媒體等放著爲較佳。 接著,使設於第1單元2 1,及第2單元23之加熱室7 1 之間的第1搬送裝置(未圖示)動作,將基板移送到加熱 室71。 尙有,使第1搬送裝置之動作開始進行,同時爲了使 第1單元2 1,及第2單元23之加熱室7 1之間的擋板打開, 第1搬送裝置係用以把持基板之狀態下,用以通過擋板, 在加熱室7 1之預定場所,可用以載置基板。 其次,使基板被載置於預定場所,則第1搬送裝置, 係返回到第1單元2 1之預定位置,同時使使第1單元2 1, 及第2單元23之加熱室7 1之間的擋板關閉。而且,使加熱 室7 1之加熱開始進行。 根據該加熱做爲脫水條件,係與第1實施形態同樣, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ϋ ϋ ϋ n ϋ —.1 I 一:0, n I I ϋ t I n I # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -50- 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(48) 譬如,做爲50〜300 °C,10分〜24小時爲較佳,又,譬如使 用乾燥氣體循環裝置,藉由露點計將露點調節成-1 0 °C以下 之値,並將不活性氣體進行流量1 0公升/分程度導入爲較佳 〇 接著,將被脫水後之基板,使用搬送裝置,進行移送 到冷卻室70。因此,將加熱室7 1及冷卻室70之間的擋板 打開,使用搬送裝置,由加熱室7 1之預定位置,到冷卻室 70之預定位置,用以移送基板。而且,用以載置基板,同 時使加熱室7 1及冷卻室70之間的擋板關閉,將基板之冷卻 開始進行。 因此,如此藉由用以冷卻基板,在加熱室7 1中,即使 做爲將基板在減壓狀態下進行加熱,但形成可迅速冷卻。 而且,使基板溫度至少形成成膜溫度附近爲止繼續冷卻爲 較佳,更佳,係形成室溫附近爲止繼續冷卻。 尙有,對於冷卻室70中之冷卻條件也並無特別被限制 ,但譬如,做爲10〜40 °C,10分〜12小時爲較佳。 其次,用以確認使基板溫度形成預定溫度之後,將該 基板,藉由搬送裝置移送到第3單元(成膜單元)22。 於此,使用第3單元22,成爲用以成膜有機發光媒體 ,或上部電極,但與第1實施形態可做爲同樣之成膜條件 ,所以省略詳細說明。 其次,將被形成有機發光媒體或上部電極後之基板, 由第3單元22,使用搬送裝置,移送到緩衝單元72。即, 由減壓狀態之第3單元22,在同樣減壓狀態之緩衝單元72 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—— 111111.
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) •51 - 1230561 A7 B7 五、發明說明(49) 之預定場所,以打開狀態用以移送設於其間的擋板26。 尙有,如此因爲設有緩衝單元72,所以將基板進行移 送到第4單元爲止時,即使用以開關緩衝單元72,及第4 單元24之間的擋板,也可以預定値用以維持第3單元22中 之真空度。即,因爲在緩衝單元72,及第3單元22之間也 有擋板,所以將緩衝單元72之真空度,與第3單元22之真 空度藉由調節成同等水平,對於第3單元22中之真空度也 可加以維持。 最後,將被形成有機發光媒體或上部電極後之基板, 由緩衝單元72,使用搬送裝置,同時打開設於其間之擋板 26進行移送到第4單元(封止單元)24。 於此,也做爲與第1實施形態同樣之封止條件爲較佳 。即,如圖1 5所示第4單元24中,譬如,在不活性氣體中 ,用以推壓基板,及封止條件之狀態下,藉由使紫外線硬 化型粘接劑硬化,用以密封此等之構件間。 〔第3實施形態〕 第3實施形態,係有關有機EL顯示裝置之製造方法, 以下所示係含第1〜第4工程之特徵。 藉由如此進行實施,因爲不會露出於大氣中,所以用 以排除外部之濕度等的影響不僅形成容易含水率之調整, 進而可使有機EL顯示裝置之生產效率提高。 (1 )第1工程 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝--------訂---------線g 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -52- 1230561 A7 B7 五、發明說明(50) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1工程,係將有機發光媒體之形成前的基板載置於 第1單元的搬入口之工程,也根據有機EL顯示裝置之構成 ,但在基板上預先用以形成下部電極放著爲較佳。 尙有,做爲前工程,將基板載置於圖1所示第1單元的 搬入口之前,在該基板上,預先用以形成層間絕緣膜(平 坦化膜),螢光媒體,及彩色濾光膜放著爲較佳。 又,對如此之支持基板之下部電極的形成,係使用真 空蒸鍍裝置等進行爲較佳,使用上述之第3單元的製造裝 置可進行。 進而又,層間絕緣膜,螢光媒體,及彩色濾光膜之形 成,係分別使用光平版印刷法進行爲較佳。 (2 )第2工程 第2工程,係圖1 1所示第2單元中,附著於支持基板 之水分,及,在該基板上用以形成彩色濾光膜,螢光媒體 ,層間絕緣膜等之有機膜時,則用以脫水被含於此等之有 機膜水分的工程。具體而言進行以下之加熱處理,或與該 加熱處理同時,使其他脫水處理組合進行實施爲較佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尙有,第2工程中,脫水處理之前後,或在其中之一 方時,使用設於第2單元之等離子體洗淨裝置及超音波洗 淨裝置,用以除去附著於基板表面之不純物或灰塵爲較佳 1〉加熱處理 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(51) 將脫水工程之加熱溫度做爲40〜300 °C範圍內之値爲較 佳。該理由,係加熱溫度未達40t,則因爲脫水效率會有 明顯下降的情形,另外,加熱溫度超過300 °C,則因爲對 螢光媒體等之有機膜會賦予熱損傷。 因此,將脫水工程之加熱溫度做爲50〜250 °C範圍內之 値更佳,做爲60〜200 °C範圍內之値爲最佳。 又,考慮有機EL顯示裝置之保管環境或驅動環境,用 以決定脫水工程之加熱溫度也較佳。即,比此等之保管環 境或驅動環境中之溫度更高的溫度,更佳係比該溫度至少 高出1 0 °C溫度藉由預先處理,.可用以抑制保管環境或驅動 環境中之黑點的發生。 尙有,藉由加熱進行脫水處理時之脫水時間,係被影 響到彩色濾光膜,螢光媒體,第1及第2層間絕緣膜之面積 或膜厚,但譬如將該脫水時間,做爲1 0分鐘〜1 2小時範圍 內之値爲較佳。 該理由,係脫水時間形成未達10分鐘,則形成脫水處 理不充分,將組合後之有機發光媒體之含水率因爲要成爲 0.05重量%以下會有所困難。另外,脫水時間即使超過12 小時,但只有處理時間變長,因爲被取得效果並無改變。 因此,將脫水時間,做爲30〜10小時範圍內之値爲更佳 ,做爲1〜6小時範內之値爲最佳。 2 >不活性氣體導入 在脫水工程,將氨,氬,氮等不活性氣體,導入到脫 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝----I---訂------I--線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 1230561 A7 ______ B7 五、發明說明(52) 水單元’並在此等之不活性氣體中進行脫水爲較佳。又, 由於要形成廉價的製造成本,所以使用氮爲較佳。 藉由使用該不活性氣體,使含有機發光媒體之有機層 或陰極等進行反應用以抑制氧化,並可實施脫水處理爲較 佳。 又,爲了取得更優異之脫水效果,對不活性氣體,也 預先實施脫水處理爲較佳。 尙有,藉由不活性氣體進行脫水處理時之脫水時間, 係分別被影響到不活性氣體之流入速度,或,彩色濾光膜 ,螢光媒體,第1及第2層間絕緣膜等之面積或膜厚,但譬 如將該脫水時間,做爲10分鐘〜40小時範圍內之値爲較佳 〇 該理由,係脫水時間未達10分鐘,則形成脫水處理不 充分,將組合後之有機發光媒體之含水率因爲要成爲 0.05重量%以下會有所困難。另外,脫水時間即使超過40 小時,但只有處理時間變長,因爲被取得效果並無改變。 因此,將脫水時間,做爲30〜24小時範圍內之値爲更佳 ,做爲1〜1 2小時範內之値爲最佳。 露點調整 將脫水工程之露點做爲-10 °C以下之値’用以促進支持 基板等之脫水處理。該理由,係使露點超過-1 〇 °C ’則因爲 會使脫水效率顯著下降的情形。 因此,將脫水工程之露點做爲-50 °C以下之値爲更佳’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝--------訂---------線k 經濟部智¾.財產局員工消費合作社印製 1230561 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(5今 將露點做爲-50 °C〜-150 °C範圍內之値爲最佳。 尙有,脫水工程之露點,係藉由不活性氣體之導入, 真空度之下降,脫水單元內之溫度的調節,用以監視露點 計,可容易進行用以調節脫水單元內的水分量。 又,將露點做爲-1 0 °c以下之値時的脫水時間,係被影 響到彩色濾光膜,螢光媒體,層間絕緣膜等之面積或膜厚 ,但譬如將該脫水時間,做爲1 0分鐘〜40小時範圍內之値 爲較佳。 該理由,係脫水時間未達10分鐘,則形成脫水處理不 充分,將組合後之有機發光媒體之含水率因爲要成爲 0.05重量%以下會有所困難。另外,脫水時間即使超過40 小時,但只有處理時間變長,因爲被取得效果並無改變。 因此,將脫水時間,做爲30〜24小時範圍內之値爲更佳 ,做爲1〜1 2小時範內之値爲最佳。 真空度調整 將脫水工程之真空度做爲13.3Pa以下之値爲較佳。該 理由,係該真空度超過13.3Pa,則因爲會有脫水效率顯著 下降的情形。 因此,將脫水工程之真空度做爲13.3 X 10 〃Pa以下之 値爲更佳,做爲13.3 X 10 _4Pa〜13.3 X 10 _8Pa範圍內之値 爲最佳。 又,將脫水工程之真空度做爲13.3 X 10 _4Pa以下之値 時的脫水時間,係被影響到彩色濾光膜,螢光媒體,層間 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -56 - 裝--------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5今 絕緣膜等之面積或膜厚’但譬如將該脫水時間’做爲1 〇分 鐘〜1 2小時範圍內之値爲較佳。 該理由,係脫水時間未達1 〇分鐘,則形成脫水處理不 充分,將組合後之有機發光媒體之含水率因爲要成爲 0.05重量%以下會有所困難。另外,脫水時間即使超過12 小時,但只有處理時間變長,因爲被取得效果並無改變。 因此,將脫水時間,做爲30〜10小時範圍內之値爲更佳 ,做爲1〜6小時範內之値爲最佳。 第3工程 第3工程,係圖12及圖13所示第3單元22中,用以形 成有機發光媒體之工程或用以形成上部電極之工程。 有機發光媒體之形成工程或上部電極之形成,具體而 言,係在真空蒸鍍法或噴鍍法等之乾燥狀態下使用可成膜 之方法加以形成爲較佳。 於此,使用第3單元中說明之真空蒸鍍裝置20 1,將電 子注入區14對於在基板203上進行成膜之方法,以具體加 以說明。 首先,用以準備如圖13所示平面正方形狀之基板203 ,並將該基板203進行卡止於基板夾具211之保持部215呈 水平狀態。 接著,用以成膜電子注入區14時,在虛擬圓221上, 在鄰接之二個蒸鍍源212A及212D,分別用以充塡電子輸 送性化合物及電子注入性材料之後,藉由排氣裝置,將真 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I IAW ^--— — — — — — ^» — — — — — 1 — —^«^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1230561 B7____ 五、發明說明(5弓 空槽210內預定之真空度,譬如進行減壓形成到13.3 X 10-5Pa ( 1·0 X l〇_6Torr)爲止。 其次,用以加熱蒸鍍源2 1 2A及2 1 2D,由各蒸鍍源 2 1 2A及2 1 2D分別使電子輸送性化合物及電子注入性材料同 時蒸發,同時使馬達214旋轉驅動,將基板203沿著旋轉軸 線213A以預定速度,譬如以1〜lOOrpm ( revolutions per nnnutes )使旋轉。以如此,使基板203自轉並用以共蒸鍍 電子輸送性化合物及電子注入性材料將電子注入區1 4進行 成膜。 此時,如圖13所示,蒸鍍源212A及212D,係由基板 203之旋轉軸線21 3A,在水平方向被設於僅偏移預定距離 Μ之位置,所以藉由基板203之旋轉,對電子輸送性化合物 及電子注入性材料之基板203可使射入角度規則性的變化 〇 因此,將蒸鍍材料對基板203使一樣可附著,在電子 注入區1 4之膜面內,使蒸鍍材料之組成比均勻,譬如,使 濃度不均確實可用以成膜± 10% ( mol換算)之薄膜層。 又,藉由用以實施如此蒸鍍,不使基板203進行公轉 也可,所以形成不要其空間或設備,以最小限度的空間以 最經濟可進行成膜。尙有,所謂使基板公轉,係指使旋轉 存在於基板以外之旋轉軸的周圍稱之,比使自轉時形成必 要廣大的空間。 (4 )第4工程 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(5¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4工程,係在第3工程之終了時點將被取得之有機 EL元件的周圍,藉由封止用構件進行被覆之工程,使用圖 15所示第4單元進行爲較佳。 因此,第4工程,係在第4單元內以乾燥氣體,譬如, 將乾燥氮或乾燥氬以0.01〜6m3/分之條件使循環之狀態下, 將封止用構件,能覆蓋有機EL元件之周圍,接著,一邊進 行推壓,一邊將其周圍藉由粘接劑等加以密封爲較佳。 於此,使用游離基硬化型之粘接劑,及陽離子硬化型 之粘接劑時,係使用粘接劑硬化用曝光裝置,藉由用以照 射紫外線,可在1 0秒以內之短時間使硬化。 又,使用熱硬化型粘接劑時,係使用加熱板,以 5 0〜15CTC,30秒〜1小時之條件藉由進行加熱,可使硬化。 進而,使用濕氣硬化型粘接劑時,係封止後,藉由使 曝露於外氣,可使慢慢進行硬化。 (5 )各工程之組合 以下,係顯示將上述之第1〜第4各工程進行組合,用 以製造有機EL顯示裝置之例,但並不限定於該例示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 >第1組合 使用第4單元被連結於第3單元之製造裝置, 在第1單元用以搬入支持基板, 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元, -59 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 五、發明說明(57) 在第2單元中,用以加熱被移送後之支持基板並進行 脫水處理, 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元移送到第3單元, 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極, 使用搬送裝置,將用以形成有機發光媒體及上部電極 之支持基板由第3單元移送到第4單元, 在第4單元中,將周圍藉由封止用構件加以封止。 藉由如此進行實施,有機EL顯示裝置之組合後,使有 機發光媒體中之含水率的調節成爲容易,使黑點之發生非 常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 2〉第2組合 使用第4單元被連結於第1單元之製造裝置, 在第1組合中, 使用搬送裝置,將用以形成有機發光媒體及上部電極 之支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到第4單元, 在第4單元中,將周圍藉由封止用構件加以封止。 藉由如此進行實施,有機EL顯示裝置之組合後,使有 機發光媒體中之含水率的調節成爲容易,使黑點之發生非 常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 3〉第3組合 使用第4單元與第2單元被共同之製造裝置,在第1組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝-------I訂-------- 级濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(58) 合中,使用搬送裝置,將用以形成有機發光媒體及上部電 極之支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到與第2單 元共用之第4單元,在第4單元中’將周圍藉由封止用構件 加以封止。 藉由如此進行實施,有機EL顯示裝置之組合後,使有 機發光媒體中之含水率的調節成爲容易,使黑點之發生非 常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 4〉第4組合 在第1〜第3組合中,使用搬送裝置,將被脫水處理後 之支持基板由第2單元,移送到第1單元進行冷卻後,進行 移送到第3單元。 如此將被脫水處理後之支持基板在第1單元藉由進行 冷卻,在第2單元中減壓狀態下即使進行脫水處理,也可 將支持基板有效進行冷卻,可用以短縮移送到第3單元爲 止之時間。 又,在該第1單元藉由用以冷卻脫水處理後之基板, 在第2單元中,係因爲同時可用以脫水處理別的基板,所 以可提高製造效率。 5〉第5組合 第1〜第4組合中,用以形成第3單元中之有機發光媒 體之後,藉由搬送裝置,將被形成有機發光媒體後之支持 基板由第3單元移送到第2單元並進行脫水處理後,再度由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝--------訂---------線t 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -61 - 1230561 A7 B7 五、發明說明(59) 第2單元移送到第3單元,用以形成上部電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由如此進行實施,有機EL顯示裝置之組合後,使有 機發光媒體中之含水率的調節成爲容易,使黑點之發生非 常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 6〉第6組合 第1〜第5組合中,第2單元,係形成含加熱室,及冷 卻室,在該加熱室中,用以加熱支持基板並進行脫水處理 ,同時在該冷卻室中,用以冷卻進行脫水處理後之支持基 板。 藉由如此進行實施,有機EL顯示裝置之組合後,使有 機發光媒體中之含水率的調節成爲容易,使黑點之發生非 常的少可有效取得有機EL顯示裝置。 實施例 〔實施例1〕 (1 )有機EL元件之製作 1〉陽極(下部電極)之形成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在縱112mm,橫143mm,厚度1.1mm之玻璃基板 (〇A2玻璃,日本電氣玻璃(股)製)上,將膜厚130nm 之ITO膜藉由噴鍍裝置以全面性進行成膜。在該IT〇膜 上,將正片型保護層HPR204 (富士 Hunt
ElectronicsTechnology (股)製)進行旋轉塗布,以溫度80 °C,時間10分鐘之條件進行乾燥。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 五、發明說明(% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著,通過具有條紋狀模式(線寬90 // m,間隙寬20 μ m)之光掩膜,使露光量能形成lOOmJ/cm2,將高壓水銀 燈做爲光源進行接觸曝光。做爲顯像液係使用TMAH (四 甲銨羥),將曝光部進行顯像。 其次,使用烤爐,以溫度1 30 °C之條件進行後乾燥處 理後,將溴化氫酸水溶液(濃度47重量% )做爲蝕刻液使 用,將I T〇膜進行蝕刻後。之後,使用剝離液N303 (長 瀨產業(股)製)用以除去正片型保護層,用以形成做爲 陽極(下部電極)之條紋狀的I T 0模式(線數960條)。 2〉第1層間絕緣膜之形成 接著,在ITO模式上,將負片型保護層259PA (新曰 鐵化學(股)製)進行旋轉塗布,通過具有垂直於IT〇模 式之條紋狀模式的光掩膜(線寬90 // m,間隙寬20 // m ) ,以溫度80 °C,時間1 0分鐘之條件進行乾燥後,使露光量 能形成100mJ/cm2,將高壓水銀燈做爲光源進行接觸曝光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,做爲顯像液使用TMAH,將未曝光部進行顯像 ,進而,使用烤爐,以溫度1 60 °C之條件進行後乾燥處理 ,做爲第1層間絕緣膜(I T〇之開口部70 // m X 290 // m 3〉第2層間絕緣膜之形成 接著,由第1層間絕緣膜之上,將負片型保護層 ZPN1100 (日本Zeon (股)製)進行旋轉塗布,對下部電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(61) 極之I T 0模式通過具有平行的條紋狀模式的光掩膜(線寬 2 0 // m,間隙寬310 // m )之光掩膜’以溫度8 0 °C,時間 1 0分鐘之條件進行乾燥後’使露光量能形成1 J/cm2 ’將 高壓水銀燈做爲光源進行接觸曝光。 其次,做爲顯像液使用TMAH,將未曝光部進行顯像 ,進而,使用烤爐,以溫度1 60 °C之條件進行後乾燥處理 ,做爲隔壁並做爲第2層間絕緣膜(線寬20 // m ,間隙寬 310//m,膜厚 5/zm)。 4〉脫水工程 其次,對被形成I T〇模式等之玻璃基板(以下,有僅 稱玻璃基板之情形),實施異丙醇洗淨及紫外線洗淨之後 ,將該玻璃基板,進行載置於圖3所示製造裝置中之第1 單元(搬入口)的預定位置。 接著,使用設於第1單元之搬送裝置(可動柄),將 玻璃基板由第1單元移送到第2單元(脫水單元)。 而且,將第1單元內之玻璃基板,使用加熱板進行加 熱到60 °C,並在該狀態下用以導入乾燥氮,並使露點下降 到-5 0 °C爲止,約放置2小時,用以除去第1及第2層間絕 緣膜中之水分及附著於玻璃基板表面的水分。 5〉有機發光媒體之形成 其次,用以停止加熱板之加熱,使玻璃基板之溫度下 降到室溫爲止之後,使用設於第1單元之搬送裝置,將脫 I I^-----— II β-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -b4- 1230561 A7 B7 五、發明說明(6弓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 水處理後之玻璃基板由第2單元,經由第1單元,進行移送 到第3單元(真空蒸鍍裝置),同時固定於圖π所示之基 板夾具。 尙有’在第3單元內之加熱板,預先將以下之材料分 別加以充塡放入。 正孔注入材料:4,4,,4 / / -3個〔N— ( 3 —苯甲) 一N —苯胺〕二苯胺(MTDATA )及4,4 / -雙〔N—(卜奈 )-N_苯胺〕-聯苯(NPD ), 有機發光材料:4,4 / -雙(2,2-聯苯乙烯)苯( DPVTP ) 電子注入材料:3個(8-羥基奎林)鋁(Alq ) 上部電極材料:A卜Li合金(Li濃度10a t m% )
接著’將第3單元內之真空度減壓到665 X 1 0 _7Pa爲 止,形成如下之蒸鍍速度及膜厚,由正孔注入層到上部電 極之形成爲止,在途中不要弄破真空狀態,在一次抽成真 空依順序進行積層,用以形成有機發光媒體(正孔注入層 ,有機發光層,電子注入層),及上部電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 MTDATA:蒸鍍速度 0.1 〜0.3nm/sec.,膜厚 60nm NPD :蒸鍍速度 0.1 〜0.3nm/sec.,膜厚 20nm DPVTP :蒸鍍速度 0.1 〜0.3nm/sec.,膜厚 40nm Alq :蒸鍍速度 0.1 〜0.3nm/sec.,膜厚 20nm
Al-Li :蒸鍍速度 0.5〜1 .Onm/sec.,膜厚 1 50nm 6 >封止工程 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 — B7 五、發明說明(63) 其次,使用設於第1單元之搬送裝置,將用以形成有 機發光媒體及上部電極之玻璃基板,由第3單元,經由第1 單元,進行移送到與第2單元共用之第4單元(封止單元) 〇 在該第4單元內,將封止用玻璃基板(藍色玻璃, Geomatic (股)製)進行積層到上部電極側後,將其周圍 使用陽離子硬化型之粘接劑TB3102 ( Three Bond (股)製 ),根據紫外線曝光藉由使硬化進行封止,形成發光性能 測定用之有機EL顯示裝置。 尙有,以同樣之製造條件,分別用以作成含水率測定 用之有機EL顯示裝置及耐久性試驗用之有機EL顯示裝置 (2 )有機EL元件之評價 1〉含水率之測定 將被取得之有機EL顯示裝置,在連續性用以導入乾燥 氮之狀態的乾燥箱內進行分解,使用刮刀用以採取有機發 光媒體(一部分,含層間絕緣膜。以下相同),同時使用 設於該乾燥箱內之全自動水分解吸測定裝置IGA S0RP (英 國Hiden公司製)並用以測定重量。其結果,採取後之有機 發光媒體之重量A,係有43.9194mg。 接著,將採取後之有機發光媒體,在乾燥箱內,以75 °C,30分鐘之條件進行加熱處理,將該處理後之重量使用 上述之全自動水分解吸測定裝置加以測定。其結果,加熱 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -66 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-裝--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 B7 五、發明說明(64) 處理後之有機發光媒體的重量B,係有43.9 1 90mg。 因此,將被取得之重量A及重量B導入於算出式,用 以算出有機發光媒體之含水率(W ( %))。其結果,有 機發光媒體之含水率(W)係0.0009重量%。 即,在用以形成有機發光媒體之前設有第2單元(脫 水工程,用以除去支持基板表面,及由第1及第2層間絕緣 膜水分,係使有機發光媒體之含水率下降所以判明有效的 裝置。 2〉發生性能之測定 在被取得之有機EL顯示裝置之下部電極(I T 0模式 、陽極),及上部電極(陰極)之間,用以外加DC10V之 電壓,使各電極之交叉部分的各畫素(約23萬畫素)發光 。而且,使用色彩色差計CS 1000 ( MINOLUDA (股)製) 用以測定發光売度時,被取得300cd/m2之値。尙有,將發 光面之全面積做爲100%時,則畫素面積之比率的開口率係 有 56%。 又,以同樣條件使有機EL裝置之各畫素發光用以測定 C I E色度時,在C I E色度座標中,用以確認被取得 CIEx = 0.15,CIEy 二 0.18 之藍色發光。 3〉耐久性試驗 將被取得之2組的有機EL顯示裝置,在大氣中,室溫 (25 °C )之條件,及恒溫槽中,75 t之條件,分別放置2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁)
-裝--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -67- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 A7 _ B7 五、發明說明(65) 星期後。其後,以上述之電壓條件使有機EL顯示裝置之各 畫素發光’而不會有黑點之發生,以適當用以測定有發光 之領域(以下,稱爲發光領域)的面積,與放置前之發光 領域的面積做比較獲得耐久性的評價。 其結果,將放置前之發光領域的面積做爲1時,則在 大氣中’室溫(25 °C )之條件下進要放置時,則放置後之 發光領域的面積,係有0.98,以恒溫槽中,75 t條件下進 行放置時’則放置後之發光領域的面積,係有0.97。 即’將有機發光媒體中之含水率藉由做爲預定値( 0.05重量% )以下之値,已知在大氣中,室溫(25 °C )之 條件下係不用說,即使在75 °C之高溫環境下經過長時間由 於黑點之發生也可抑制發光面積之縮小。 〔比較例1〕 實施例1中,在有機EL元件之形成前,藉由第2單元 未進行脫水處理以外,係以同一條件用以製作有機EL顯示 裝置,並做了評價。將取得之結果顯示於表1。 由結果能被理解,因爲未設有脫水工程,所以有機發 光媒體之含水率係0.0713重量%,未能下降到0.05重量%以 下之値。 又,將被取得之有機EL顯示裝置以大氣中,室溫(25 °C ),及恒溫槽,75 t條件分別進行放置2星期時,則使 分別發光面積比成爲0.80及0.55。 即,在比較例1,係在有機EL元件之形成前因爲未設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---------線』 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 ” B7 五、發明說明(66) 有脫水工程進行脫水處理,所以將有機發光媒體之含水率 不能做爲〇. 〇 5重量%以下之値,在大氣中,室溫(2 5 °c ) 條件及75 °之高溫環境下,由於黑點之發生要甩以抑制發 光面積之縮小係有所困難。 〔實施例2〕 實施例1中,在有機EL元件之形成前,設有紅色濾光 膜,及螢光媒體,同時將下部電極之形成材料由I T 0改變 成I Z 0以外,係以同一條件用以製作有機EL顯示裝置, 並進行評價。將被取得之結果顯示於表1。 由結果能被理解,在實施例2,係被認爲因爲必要形 成紅色濾光膜,或螢光媒體之形成工程,但有機發光媒體 之含水率係0.03 85重量%,與實施例1做比較,則爲稍高的 値。 可是,在大氣中,室溫(25 °C )條件,及75 °C之高溫 環境條件下分別放置2星期,但發光面積比分別在0.9以上 。即,在實施例2中,也設有脫水工程藉由進行脫水處理 ,被確認可抑制黑點之發生。 〔比較例2〕 實施例2中,在有機EL元件之形成前,藉由第2單元 未進行脫水處理以外,係以同一條件用以製作有機EL顯示 裝置,並做了評價。將取得之結果顯示於表1。 由結果能被理解,因爲未設有脫水工程,所以有機發 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -69- ------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 1230561
At __Β7_____ 五、發明說明(67) 光媒體之含水率係0.3215重量%,未能下降到0.05重量%以 下之値。 又,將被取得之有機EL顯示裝置以大氣中,室溫(25 °C )之條件進行放置時,則發光面積比成爲0.3 3,在恒溫 槽,75 °C條件進行放置時,則成爲0.15。即,在有機EL 元件之形成前因爲未設有脫水工程進行脫水處理,所以將 有機發光媒體之含水率不能做爲0.05重量%以下之値,在 大氣中,室溫(25 °C )條件及75 °之高溫環境下,由於黑 點之發生要用以抑制發光面積之縮小係有所困難。 ------------,1^11 裝--------訂---------線ijF (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1230561 A7 B7 五、發明說明(68) 〔表1〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例1 比較例1 實施例2 比較例2 有 彩色濾光膜 並 ^ \w Μ j\w 有 有 機 螢光媒體 Μ > \ \\ Μ j\\\ 有 有 E 陽極(上部電極) ΙΤΟ ΙΤΟ IZO IZ0 L 正孔注入層 MTDATA/NPD 同左 同左 同左 顯 發光層 DPVTP 同左 同左 同左 示 電子注入層 Alq 同左 同左 同左 裝 陰極(上部電極) Al/Li 同左 同左 同左 置 封止用玻璃基板 有 有 有 有 脫水工程 露點-50 °C Μ j w\ 露點-50 〇C j \ \\ N260 °C加熱 N260 °C加熱 姐 j \ w ①含水率 (L0009 0.0713 0.0009 0.3215 初 ②發光亮度 300 300 70 70 期 ©CIEx 0.15 0.15 0.65 0.65 ④ CIEy 0.18 0.18 0.32 0.32 室溫 ⑤發光面積比 0.98 0.80 0.94 0.33 2星期 ⑥發光亮 294 240 65.8 23.1 80 °C ⑦發光面積比 0.97 0.55 0.91 0.15 2星期 ⑧發光亮度 291 165 63.7 10.5 〔實施例〕 實施例1中,取代圖3所示製造裝置,如圖1 6所示, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝--------訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -71 - 1230561 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6弓 除了使用由加熱室及冷卻室所構成含脫水單元之製造裝置 外,與實施例1同樣,用以作成有機EL顯示裝置,並進行 評價。 即,對被形成第1及第2層間絕緣膜之玻璃基板,實施 異丁醇洗淨及紫外線洗淨後,將該玻璃基板載置於圖1 6所 示裝造裝置中第1單元(搬入口)之預定位置。 其次,使用設於第1單元之搬送裝置(可動柄),將 玻璃基板由第1單元移送到第2單元(脫水單元)之加熱室 。而且,將加熱室內之玻璃基板,使用加熱板加熱到60 °C ,在該狀態下用以導入乾燥氮,並使露點下降到-50 °C爲止 ,放置2小時,用以除去第1及第2層間絕緣膜中的水分及 附著於玻璃基板表面等之水分。 其次,使用搬送裝置(可動柄),將被加熱到60 °C之 玻璃基板由加熱室移送到冷卻室。而且,用以導入乾燥氮 ,並使冷卻室內之玻璃基板,間接接觸於不銹鋼製冷卻板 (溫度10 °C ) 30分鐘,使玻璃基板之溫度下降到室溫(25 °C )爲止。 該結果,在實施例3被取得之有機EL顯示裝置中之有 機發光媒體的含水量係0、0009重量%,又,與實施例1同 樣發光時,發光亮度有3 00cd/m2,用以確認被取得C I Ex 二 0.15、CIEy = 0.18 之藍色發光。 進而,將被取得之有機EL顯示裝置,在大氣中’室溫 (25 t:)條件,及75。(:之高溫環境條件分別進行放置2星 期,也與初期値進行比較發光面積比則分別爲〇·9 8及〇·97 裝--------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -(Z - 1230561 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(7¾ 〇 即,在實施例3中,也設有脫水工程,將有機發光媒 體之含水率藉由進行脫水處理成爲預定値以下,被確認可 抑制黑點之發生。 又,在實施例3,係因爲使用由加熱室及冷卻室所構 成脫水單元,所以將實施例1需要2小時程度脫水處理後的 基板溫度之降低處理,以30分鐘極迅速可進行,也被確認 有效可作成有機EL顯示裝置。 〔實施例4〕 在實施例1中,在第3單元,在成膜前將脫水後之基板 進行等離子氣體洗淨以外,與實施例1同樣,用以作成有 機EL顯示裝置,並進行評價。 即,做爲等離子氣體係使用氬/氧,並將分別之氣體流 量做爲200sccm/75sccm。又,將等離子氣體洗淨時之壓力 做爲1.18Pa,並將高頻(13·56ΜΗζ )之輸出做爲50W,將 等離子氣體洗淨做爲10分鐘。 該結果,在實施例4被取得之有機EL顯示裝置中之有 機發光媒體的含水量係〇、0009重量%,又,與實施例1同 樣發光時,發光亮度有3 00c d/m2,用以確認被取得C I Ex = 0.15、C I Ey = 0.18 之藍色發光。 進而,將被取得之有機EL顯示裝置,在大氣中,室溫 (25 °C )條件,及75 °C之高溫環境條件分別進行放置2星 期,也與初期値進行比較發光面積比則分別爲〇·99及0.98 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝--------訂---------線I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230561 B7 五、發明說明(71) 〇 即,在實施例4中,也設有脫水工程,將有機發光媒 體之含水率藉由進行脫水處理成爲預定値以下,同時在成 膜前將脫水後之基板藉由進行等離子氣體洗淨,被確認更 有效可抑制黑點之發生。 【產業上之利用性】 以上,若依據本發明之有機EL顯示裝置之製造裝置。 則藉由設有第2單元以積極用以脫水處理基板等,使有機 發光媒體中之含水率下降,具體而言,形成有效取得做爲 0.05重量%以下之値的有機EL顯示裝置。因此,室溫條件 係勿庸多贅,即使在高溫環境下也可長時間進行驅動,形 成有效可抑制無發光領域之黑點的發生。 又,若依據本發明之有機EL顯示裝置之製造裝置,則 通過做爲搬入口之第1單元,藉由用以連接脫水處理之第2 單元,及用以實施成膜工程之第3單元,成爲可改善使用 方法,或生產效率。 進而,若依據本發明之有機EL顯示裝置之製造裝置, 則使用用以實施成膜工程之第3單元及具有複數之蒸鍍源 的蒸鍍裝置,或,藉由用以共用脫水處理之第2單元,及 用以實施封止工程之第4單元,將有機EL顯示裝置容易形 成小型化。 又,若依據本發明之有機EL顯示裝置之製造方法,則 藉由設有第2工程用以脫水處理基板等,在高溫環境下即 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -74- ——·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線; 1230561 A7 B7
五、發明說明(72) 使長時間進行驅動,也形成有效取得有機EL顯示裝®可抑 制黑點等之發生。 因此,爲了有效取得耐久性優異之2〜30型(吋)的有 機EL顯示裝置,可廣泛使用於小型顯示攜帶終端裝置(行 動電話),車載用顯示裝置,儀表板裝置,筆記型個人電 腦,掛壁電視機等民生用顯示機器,或辦公室自動顯示裝 置,工廠自動顯示裝置,計算裝置用螢幕等之產業用顯示 機器等。 請 先 閱 讀 背 面 意 事 項 經 濟 部 智 慧、 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 75

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1. 一種有機EL顯示裝置之製造裝置,係在支持基板上 ,至少具有下部電極,有機發光媒體,及上部電極’同時 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使周圍藉由封止構件被封止之爲了用以製造有機EL顯示裝 置之製造裝置中,其特徵係具備有: 第1單元,爲了用以搬入前述支持基板; 第2單元,在前述有機發光媒體之形成前至少將支持 基板進行加熱爲了進行脫水處理; 第3單元,爲了用以形成前述有機發光媒體及上部電 極;及 第4單元,藉由前述封止用構件爲了用以封止周圍; 同時在各單元間設有搬送裝置。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,係在前述第2單元,及第3單元之間,設有前述 第1單元者。 3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之有機EL顯示裝 置之製造裝置,其中前述第2單元,係由加熱室,及冷卻 室所構成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,係在前述第2單元,至少設有一個不活性氣體 之循環裝置,減壓裝置及冷卻裝置者。 5. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,係在前述第1單元,至少設有一個不活性氣體 之循環裝置,減壓裝置及冷卻裝置者。 6. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 •76- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1230561 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 製造裝置,係在前述第1單元,連接有前述第4單元者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,係用以共用前述第2單元,及前述第4單元者。 8·如申請專利範圍第1項所記載之有機El顯示裝置之 製造裝置,其中前述第3單元,係具有複數之蒸鍍源的真 空蒸鍍裝置爲了用以同時蒸鍍或逐次蒸鍍複數試料者。 9. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,其中前述第3單元,係含緩衝室,真空蒸鍍裝 置,及噴鍍裝置者。 10. 如申請專利範圍第1項所記載之有機EL顯示裝置之 製造裝置,其中前述第3單元,係進而含等離子氣體洗淨 裝置者。 11·一種有機EL顯示裝置之製造方法,係使用申請專 利範圍第1項所記載之製造裝置的有機EL顯示裝置之製造 方法中,其特徵在於: 在第1單元,用以搬入支持基板; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 -77- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1230561 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 支持基板由第3單元移送到第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 12. 如申請專利範圍第1 1項所記載之有機EL顯示裝置 之製造方法,其中前述第2單元,係形成含加熱室,及冷 卻室,在該加熱室中,將前述支持基板進行加熱並進行脫 水處理,同時在該冷卻室中,用以冷卻脫水處理後之支持 基板者。 13. —種有機EL顯示裝置之製造方法,係使用申請專 利範圍第2項所記載之製造裝置的有機EL顯示裝置之製造 方法中,其特徵在於: 在第1單元,用以搬入支持基板; 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板,由第2 單元通過第1單元,並移送到第3單元; 經济部智慧时產局員工消費合作社印製 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元移送到第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 14. 一種有機EL顯示裝置之製造方法,係使用申請專 利範圍第6項所記載之有機EL顯示裝置之製造裝置的製造 方法中,其特徵在於: -78 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1230561 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 在第1單元用以搬入支持基板; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用搬送裝置,將被搬入後之支持基板由第1單元移 送到第2單元; 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置’將被脫水處理後之支持基板由第2單 元通過第1單元,並移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 15·—種有機EL顯示裝置之製造方法,係使用申請專 利範圍第7項所記載之有機EL顯示裝置之製造裝置的製造 方法中,其特徵在於: 在第1單元用以搬入支持基板; 使用搬迭裝置》將被搬入後之支持基板由第1單兀移 送到第2單元; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第2單元中,將被移送後之支持基板進行加熱並進 行脫水處理; 使用搬送裝置,將被脫水處理後之支持基板由第2單 元移送到第3單元; 在第3單元中,用以形成有機發光媒體及上部電極; 使用搬送裝置,將形成有機發光媒體及上部電極後之 支持基板由第3單元通過第1單元,並移送到與第2單元共 -79- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1230561 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 用之第4單元; 在第4單元中,藉由封止用構件用以封止周圍。 16. 如申請專利範圍第1 1至15項中任何一項所記載之 有機EL顯示裝置之製造方法,係將前述第2單元中之被脫 水處理後之支持基板,移送到第1單元進行冷卻後,移送 到前述第3單元者。 如此藉由第1單元中進行冷卻,在第2單元中之減壓狀 態下進行脫水處理,但可有效用以冷卻支持基板,可用以 短縮移送到第3單元爲止之時間。 17. 如申請專利範圍第11項所記載之有機EL顯示裝置 之製造方法,係在前述第3單元中用以形成有機發光媒體 後,將被形成該有機發光媒體後之支持基板移送到第2單 元並進行脫水處理後,再度移送到第3單元,用以形成前 述上部電極者。 18. 如申請專利範圍第11項所記載之有機EL顯示裝置 之製造方法,係藉由前述封止用構件將封止後之有機發光 媒體的含水率做爲0.05重量%以下之値者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -80- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI459607B (zh) * 2011-08-22 2014-11-01 Univ St Johns 有機發光二極體蒸鍍機之定位遮罩與封裝系統整合裝置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機elディスプレイの製造方法
JP4797285B2 (ja) * 2001-06-18 2011-10-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices
US20030146692A1 (en) * 2002-01-11 2003-08-07 Seiko Epson Corporation Organic EL device and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic apparatus
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US20050151457A1 (en) * 2002-05-15 2005-07-14 Marcus Schrijvers Method of manufacturing a flat panel display
US20040040504A1 (en) 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
GB0222649D0 (en) * 2002-09-30 2002-11-06 Microemissive Displays Ltd Passivation layer
US7452257B2 (en) * 2002-12-27 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a display device
US7372069B2 (en) * 2003-01-14 2008-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Interface for UV-curable adhesives
JPWO2004068446A1 (ja) * 2003-01-27 2006-05-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 有機elディスプレイの製造方法
KR100515955B1 (ko) * 2003-11-18 2005-09-23 주식회사 에이디피엔지니어링 상부 커버를 개폐할 수 있는 개폐장치가 구비된평판표시소자 제조장치의 공정챔버
TWI225008B (en) * 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP4557755B2 (ja) * 2004-03-11 2010-10-06 キヤノン株式会社 基板、導電性基板および有機電界効果型トランジスタの各々の製造方法
JP4476073B2 (ja) * 2004-04-08 2010-06-09 東北パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法及び製造装置
US7867396B2 (en) * 2004-07-09 2011-01-11 Black & Grey Holdings Pty Ltd Water treatment apparatus, method and system
JP2006085933A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
US7343080B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US20060154654A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Cisco Technology, Inc. Method and system for the automated answering and holding of a call
TWI334313B (en) * 2005-02-23 2010-12-01 Au Optronics Corp Organic electroluminiscent display and fabricating method thereof
JP2006244901A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子の製造方法および製造装置
JP4780983B2 (ja) * 2005-03-17 2011-09-28 株式会社アルバック 有機el素子製造方法
CN100461492C (zh) * 2005-03-21 2009-02-11 友达光电股份有限公司 有机电致发光显示器及其封装方法
JP4840186B2 (ja) * 2007-02-19 2011-12-21 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置
US20100044738A1 (en) * 2007-04-20 2010-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Preparation of organic light emitting diodes by a vapour deposition method combined with vacuum lamination
US20090061833A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Junius Ho System, method and device to use messaging to implement programmatic actions
AU2009234506B2 (en) * 2008-04-09 2013-11-21 Agency For Science, Technology And Research Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices
TWI426964B (zh) * 2008-09-17 2014-02-21 Hitachi High Tech Corp Organic EL mask cleaning device, organic EL display manufacturing device, organic EL display and organic EL mask cleaning method
TWI401832B (zh) * 2008-12-15 2013-07-11 Hitachi High Tech Corp Organic electroluminescent light making device, film forming apparatus and film forming method, liquid crystal display substrate manufacturing apparatus, and calibration apparatus and calibration method
WO2011132591A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE102011005612A1 (de) * 2011-03-16 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Bauelements
JP2012094922A (ja) * 2012-02-15 2012-05-17 Sharp Corp 組立装置
DE102012210484B4 (de) * 2012-06-21 2017-02-02 Osram Oled Gmbh Verfahren für ein schlüssiges Verbinden eines organischen optoelektronischen Bauelementes mit einem Verbindungsstück, Verbindungsstruktur für ein kraftschlüssiges Verbinden und optoelektronische Bauelementevorrichtung
CN103855105B (zh) * 2012-12-06 2017-04-26 财团法人工业技术研究院 环境敏感电子元件封装体及其制作方法
US20160005994A1 (en) * 2013-02-28 2016-01-07 Nippon Hoso Kyokai Organic electroluminescence device
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
WO2015186367A1 (ja) * 2014-06-05 2015-12-10 ユースエンジニアリング株式会社 リチウムイオン電池生産方法およびリチウムイオン電池生産用ドライボックス
US10008497B2 (en) 2016-11-29 2018-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
US10770286B2 (en) * 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7221110B2 (ja) * 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US150147A (en) * 1874-04-28 Improvement in bed-plates for paper-engines
US133446A (en) * 1872-11-26 Improvement in linings for metallurgy and other furnaces
US357586A (en) * 1887-02-15 Invalid-bedstead
US111285A (en) * 1871-01-24 Improvement in elevators
US214682A (en) * 1879-04-22 Improvement in hydraulic rams
US126686A (en) * 1872-05-14 franklin
US335061A (en) * 1886-01-26 Water-elevator
US182766A (en) * 1876-10-03 Improvement in game apparatus
JPS6458221A (en) * 1987-08-29 1989-03-06 Ibiden Co Ltd Corner system
JPH0594132A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Toshiba Corp ナビゲーシヨン装置
US5433639A (en) * 1993-08-18 1995-07-18 Santa Barbara Research Center Processing of vacuum-sealed dewar assembly
JP2713132B2 (ja) * 1993-12-22 1998-02-16 双葉電子工業株式会社 排気装置
JPH07268621A (ja) * 1994-03-31 1995-10-17 Nippondenso Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
JPH08213442A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Hitachi Ltd マルチチャンバプロセス装置
JP3212837B2 (ja) * 1995-06-30 2001-09-25 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5813893A (en) * 1995-12-29 1998-09-29 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Field emission display fabrication method
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
DE69722664T2 (de) * 1996-09-18 2003-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Herstellungsverfahren einer Plasmaanzeigetafel, geeignet für winzige Zellstrukturen, und Plasmaanzeigetafel
JPH10214682A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
JP3288242B2 (ja) * 1997-02-17 2002-06-04 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JPH10255972A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置
JP2845856B2 (ja) * 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH10335061A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法及びその製造装置
JP4434481B2 (ja) * 1997-10-01 2010-03-17 コンプリート マルチレイヤ− ソリューションズ リミテッド ディスプレー装置
JPH11126686A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子の製造装置
KR100255129B1 (ko) * 1997-12-26 2000-05-01 박호군 유리기판 사이의 접합을 이용한 전계방출표시소자 진공 실장 장치 및 방법
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
JP2000150147A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Toray Ind Inc 有機電界発光素子の製造方法
JP3028951B1 (ja) * 1998-12-16 2000-04-04 日本電気株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法
JP2000357586A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Sharp Corp 薄膜el素子の製造方法および薄膜el素子
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP3531597B2 (ja) * 1999-11-02 2004-05-31 東レ株式会社 有機電界発光装置
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI459607B (zh) * 2011-08-22 2014-11-01 Univ St Johns 有機發光二極體蒸鍍機之定位遮罩與封裝系統整合裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1199909A9 (en) 2002-08-07
KR20020005049A (ko) 2002-01-16
EP1199909A4 (en) 2007-04-18
US7210979B2 (en) 2007-05-01
US7632164B2 (en) 2009-12-15
JP4608172B2 (ja) 2011-01-05
US20020038997A1 (en) 2002-04-04
CN1264387C (zh) 2006-07-12
US6786789B2 (en) 2004-09-07
US20040192154A1 (en) 2004-09-30
EP1199909A1 (en) 2002-04-24
US20070167103A1 (en) 2007-07-19
KR100816197B1 (ko) 2008-03-21
CN1365595A (zh) 2002-08-21
WO2001072091A1 (fr) 2001-09-27

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