TW583432B - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A7 B7 五、發明説明p ) 一 本發明係關於液晶顯示裝置，特別是關於主動矩陣方 式之液晶顯示裝置。 主動矩陣方式之液晶顯示裝置，係在介由液晶成對向 狀配置之各基板中之一方基板之液晶側之面上，以向X方 向延伸並排設於y方向之閘極信號線，及向y方向延伸並 排設於X方向之汲極信號線所圍之領域，作爲像素領域。 而在各像素領域備有，由一方之閘極信號線供給之閘 極信號驅動之轉接元件、及經由此轉接元件由汲極信號線 供給影像信號之像素電極。 習知之這種液晶顯示裝置包括有：在另一方之基板之 液晶側之面上形成各像素領域共同之對向電極，而與上述 像素電極之間產生大體上垂直於該基板之方向之電場，藉 .此電場控制液晶之光穿透率之所謂縱電場方式者，及在形 成像素電極之基板側，按各像素領域形成鄰接於像素電極 之對向電極，令其在此等電極間產生大體上平行於該基板 之方向之電場，藉此電場控制液晶之光穿透率之所謂橫電 場方式者。 惟隨著近年來之面板之大型化，這種液晶顯示裝置被 要求降低閘極信號線或汲極信號線之配線比電阻。 亦即，藉由降低此等信號線之配線比電阻，可以抑制 信號之延遲，以達成面板之大型化。 但是，縱使能達成降低信號線之配線比電阻，也必須 避免製造程序之增加。因爲產能會降低。 若考慮產能，而在基板之液晶側之面上以一定之圖案 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） I---^----^----Ί.--1T----- AW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 583432 A7 _ B7 _ 五、發明説明（2 ) 堆積導電層、半導體層及絕緣層時，必須儘可能將該等急 峻之台階差消除使其平滑。因爲會在該台階差部分發生皮 膜之跨越障礙。 本發明係依據此實情而完成者，其目的在提供，信號 線之配線比電阻很小之液晶顯示裝置。 同時，本發明之其他目的在提供，在基板之液晶側之 面上，急峻之台階差很少之液晶顯示裝置。 同時，本發明之其他目的在提供，可減少製造製程之 液晶顯示裝置。 簡單說明，本發明所揭示之發明中，具代表性者之槪 要如下。 本發明之液晶顯示裝置係，例如，在介由液晶成對向 狀配置之各基板中之一方基板之液晶側之像素領域，具備 有，藉由閘極信號線供給掃描信號而驅動之薄膜電晶體， 及經由此薄膜電晶體由汲極信號線供給影像信號之像素電 極，其特徵在於， 上述閘極信號線係至少由，形成在上述基板面之例如 I T ◦膜，及形成在此I T ◦膜上層之例如Μ ◦層之多層 構造，所構成。 如此構成之液晶顯示裝置，由於是使用比電阻小之 Μ 〇等，藉此可使閘極信號線之配線比電阻較小。 這時，若是形成Μ 〇等之單層，因爲跟基板之密接性 不好，因此在其間夾有I Τ〇膜等。 同時，如果以選擇性蝕刻形成這種多層構造之閘極信 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7_五、發明説明（3 ) 號線時，其側壁會形成向基板側展開之平緩之斜面，可以 減少急峻之台階差。 同時，本發明之液晶顯示裝置之製造方法係，例如， 包含有： 在基板上形成由透明導電膜及金屬膜之順序積層體構 成之閘極信號線之製程； 形成連同上述閘極信號線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 使用抗蝕劑回流（resist reflow )方式，選擇性蝕刻上 述導電層及高濃度層，形成薄膜電晶體之汲電極及源電極 、汲極信號線，同時選擇性蝕刻上述半導體層之製程； 形成一部分直接與上述薄膜電晶體之源電極重疊之透 明導電膜構成之像素電極之製程；以及， 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程 〇 如此構成之液晶顯示裝置之製造方法，半導體層之形 成及汲電極與源電極之形成係分別以各自之光蝕刻製程形 成，但由於使用抗蝕劑回流方式，一次光蝕刻製程便可以 完成，可以減少整體之製造程序。 兹參照附圖，說明本發明之液晶顯示裝置之實施例如 下。 實施例1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 583432 A7 B7 五、發明説明（4 ) 《等效電路》 第5 4圖係表示本發明之液晶顯示裝置之一實施例之 等效電路圖。該圖係電路圖，但，係對應實際上之幾何上 的配置描繪。 在該圖，有透明基板S U B 1，此透明基板s U B 1 係介由液晶與其他透明基板S U B 2成對向配置。 在上述透明基板S U B 1之液晶側之面上，形成有， 向圖中X方向延伸並排配設於y方向之閘極信號線G L， 及與此閘極信號線G L絕緣，而向y方向延伸並排配設於 X方向之汲極信號線D L，由此等個信號線所圍之矩形狀 之領域成爲像素領域，而以此等各像素領域之集合體構成 顯示部A R。 各像素領域形成有，由一方之閘極信號線G L供給之 掃描信號（電壓）驅動之薄膜電晶體T F T，及經由此薄 膜電晶體T F T從一方之汲極信號線D L供給影像信號（ 電壓）之像素電極PX。 同時，像素電極P X與上述一方之閘極信號線G L及 鄰接之另一方之閘極信號線G L之間形成有電容元件 Cadd，藉由此電容元件Cadd，在上述薄膜電晶體 T F T截斷時，長時間儲存供給像素電極p X之影像信號 〇 各像素領域之像素電極P X與，介由液晶成對向配置 之另一方之透明基板S U B 2之液晶側之面上對各像素領 域共同形成之對向電極C T (未圖示）之間，產生電場， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A7 B7 五、發明説明（5 ) 藉此控制各電極間之液晶之光穿透率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各閘極信號線G L之一端跨越顯示部A R，延伸至透 明基板之一邊側（圖中左側），其延伸部（以後稱作聞極 端子部G T Μ )連接在搭載於該透明基板S U B 1之垂直 掃描電路（半導體積體電路）V之突塊。 而，汲極信號線D L之一端也跨越顯示部A R，延伸 至透明基板之一邊側（圖中上側），其延伸部（以後稱作 汲極端子部D T Μ )連接在搭載於該透明基板S U B 1之 影像信號驅動電路（半導體積體電路）H e之突塊。 上述透明基板S U B 2係成對向狀配置在避開透明基 板S U B 1中之搭載垂直掃描電路V及影像信號驅動電路 H e之部分之領域（顯示部A R )。 將透明基板S U B 2固定在透明基板S U B 1之方法 ，係由形成在透明基板S U B 2周邊之封閉材S L固定之 ，此封閉材S L也兼具有封裝透明基板S U B 1、 S U B 2間之液晶之功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 《像素之架構》 第1圖表示透明基板S U B 1之液晶側之像素（相當 於第5 4圖之虛線框A )之架構，及向此像素供應掃描信 號及影像信號用之端子部之架構。再者，第2圖係第1圖 之2 - 2線之截面圖，第3圖係第1圖之3 - 3線之截面 圖，第4圖係第1圖之4 -4線之截面圖，第5圖係第1 圖之5 - 5線之截面圖，第6圖係第1圖之6 - 6線之截 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 583432 A7 B7 五、發明説明（6 ) 面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 首先，在透明基板S U B 1之液晶側之面上形成有向 圖中之X方向延伸並排設在y方向之閘極信號線G L。此 聞極fg號線G L呈雙層構造，以I τ〇（Indium-Tin-Oxide )膜作爲下層，以鉬（Μ ο )膜作爲上層。 同時，此閘極信號線G L之一端（圖中左側）延伸至 顯示部A R外，在其延伸部形成面積較大之閘極端子部 G T Μ。 閘極信號線G L與汲極信號線d L —起圍成矩形狀之 領域，以此領域構成像素領域。 同時，閘極信號線G L在其一部分有突出在像素領域 側之延伸部，此延伸部具有後述之薄膜電晶體T F Τ之聞 電極之功能。 而且，聞極fe號線G L在其他部分有突出在跟該像素 領域在（-)y方向鄰接之其他像素領域側之延伸部，此 延伸部具有後述之電容元件C a d d之一方電極（另一方 電極爲像素電極PX)之功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，像素領域內形成有鄰接於汲極信號線D L且平 行延伸之遮光膜S K D。此遮光膜S K D係與閘極信號線 G L平行形成，因此成爲以I T〇膜爲下層，以μ 〇層爲 上層之雙層構造。 此遮光膜S K D可以連同後述之透明基板s U Β 2側 之黑色矩陣Β Μ，以良好之可靠性遮蓋像素電極ρ X之周 邊（特別是平行於圖中y方向之邊）之液晶排向之混亂。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -9- 583432 A7 B7 五、發明説明（7 ) 如此，在形成閘極信號線G L及遮光膜S K D之透明 基板S U B 1之表面形成有絕緣層G I (參照第2圖至第 6圖）。此絕緣層G I對後述之汲極信號線D L具有，與 閘極信號線G L之層間絕緣膜之功能，對後述之薄膜電晶 體T F T具有其閘極絕緣膜之功能，對後述之電容元件 C a d d則具有其電介質膜之功能。 在此絕緣層G I之上面，以橫越閘極信號線G L之向 像素領域側之突出部狀，形成有例如非晶質矽S i ( a -Si)構成之半導體層AS。 此半導體層AS成薄膜電晶體TFT之半導體層，在 其上面形成汲電極SD1及源電極SD 2，而構成以上述 閘極信號線G L之突出部作爲閘電極之反交錯構造之 Μ I S型電晶體。 再者，此半導體層A S不僅形成在薄膜電晶體T F 丁 之形成領域，同時及於後述之汲極信號線D L之形成領域 ，而形成爲一整體。其目的是要強化汲極信號線D L對閘 極信號線G L之層間絕緣等。 半導體層A S上之汲電極SD 1及源電極SD 2係在 形成汲極信號線D L之同時形成。 亦即，上述絕緣層G I之上面形成有向圖中之y方向 延伸並排設在X方向之汲極信號線D L (其下層存在有半 導體層AS)，其一部分延伸至薄膜電晶體TFT之半導 體層AS之上面，而形成汲電極SD1。 再者，此汲極信號線D L之一端（圖中上側）延伸至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事 裳-- 項再填寫本頁} -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A7 __ B7 _ ___ 五、發明説明（8 ) 顯示部A R外，其延伸部形成爲面積較大之汲極端子部 D T Μ。 同時，在離開此汲電極S D 1之相當於薄膜電晶體 T F Τ之通道長之間隔處，形成源電極S D 2。 此源電極S D 2係從薄膜電晶體T F Τ之半導體層 A S上延伸形成在像素領域側，此延伸部成爲與後述之像 素電極P X之連接部。 在此，汲極信號線D L、汲電極S D 1、及源電極 S D 2係由例如鉬（Μ 〇 )構成。 再者，在半導體層A S之表面中之形成汲電極S D 1 及源電極S D 2之界面，形成有摻雜有雜質之高濃度層d 〇 (參照第2圖）。這時之高濃度層d Q具有薄膜電晶體 .τ F T之接觸層之功能。 隨此，在形成於汲極信號線D L之下層之半導體層 A S之界面也形成有高濃度層d 〇 (參照第4圖）。 而在像素領域內之絕緣層G I上，除了很小之周邊以 外之中央部形成有例如由I T〇（I n d i u m - T i η -〇X i d e )膜構 成之像素電極PX。 此像素電極P X在該薄膜電晶體T F T側之一邊，迴 避該薄膜電晶體T F Τ之形成領域，重疊形成連接在源電 極S D 2之延伸部。 同時，此像素電極Ρ X在接近汲極信號線D L側之一 邊，將該邊之輪廓重疊形成在上述遮光膜s K D之中心軸 (大體上是中心軸）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -裝----Ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1、訂-----f -11 - 583432 A7 __B7 _ 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此遮光膜S K D主要是用以遮蓋產生於汲極信號線 DL與像素電極PX間之電場造成之漏光，及從像素電極 P X周邊之該汲極信號線D L之電場造成之液晶之排向混 亂。 而且，此像素電極P X係稍爲重疊形成在，以驅動上 述薄膜電晶體T F T之閘極信號線G L與該像素電極P X 爲中間而相鄰接之其他閘極信號線G L (圖中上側之閘極 信號線G L )。 上述其他閘極信號線G L係如上述，形成有突出在像 素領域側之延伸部，像素電極P X則介由上述絕緣層G I 與其他閘極信號線G L以較大之面積重疊。 在像素電極P X與其他閘極信號線G L之重疊部形成 .有以上述絕緣層G I爲電介質膜之電容元件C a d d，藉 此電容元件C a d d可以收到，例如薄膜電晶體τ F T截 斷時，仍能有儲存供給像素電極Ρ X之影像信號較長時間 之效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在如此形成之透明基板S U Β 1之表面形成有例如由 S i Ν構成之保護膜P S V。 此保護膜P S V係爲了避免薄膜電晶體τ F T與液晶 直接接觸等而設，在上述像素電極P X之形成領域形成有 開孑L。 換言之，保護膜P S V係形成爲可露出上述像素電極 Ρ X之至少周邊以外之中央部（參照第2圖）。藉此，因 像素領域中之光線通過之部分沒有該保護膜P S V存在， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 583432 A7 B7 五、發明説明（10 ) 因此可以避免光線被該保護膜p s V吸收。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在如此形成之透明基板s υ Β χ之表面，以覆蓋其顯 示部A R之整個領域狀形成有排向膜◦ r I (參照第4圖 )，用以決定直接接觸到此排向膜〇 r I之液晶L C之初 期排向方向。 如第4圖所不，在透明基板s U B 2之液晶L C側之 面上形成有分隔各像素領域與相鄰接之其他像素領域之黑 色矩陣B Μ，並有形成在此黑色矩陣b μ之各像素領域， 開口部對應各像素之色彩之彩色濾波器F I L。 而在如此形成之透明基板S U Β 2之表面形成有覆蓋 其顯不部A R之整個領域之排向膜◦ r I，用以決定直接 接觸到此排向膜〇R I之液晶L C之初期排向方向。 《閘極信號線G L》 閘極信號線G 1係例如第2圖或第3圖所示，呈雙層 構造，其下層由I TO膜gl構成，上層由Mo膜g2構 成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因近年來之液晶面板之大型化傾向，閘極信號線G L 被要求有較小之比電阻，其主要材料選擇Μ 〇膜g 2。但 以單層使用時，因爲與其底材基板之透明基板S U B 1之 密接性不太好，因此使用I T〇膜g 1做夾層膜。 雙層構造之聞極fg號線G L可以藉由考慮各層之触刻 率之選擇蝕刻（後述），在其側壁形成向透明基板 S U B 1側擴展開之錐形面，可以藉此迴避汲極信號線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~ 583432 A7 B7 五、發明説明（11 ) D L與閘極信號線G L之所謂跨越斷線，同時可以迴避保 護膜P S V之所謂跨越障礙。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 同時，在形成閘極信號線G L之閘極端子部G T Μ時 ，乾鈾刻保護膜P S V及絕緣層G I形成接觸孔時，會有 無法取得與上述Μ 〇膜g 2之選擇性之問題，但上述 I T ◦膜g 1殘存而成停止膜，而得以良好之效率形成閘 極端子部G T Μ。 第7圖（a )至（c )係表示上述閘極信號線G L之 形成方法之一實施例之製程圖。 首先如第7圖（a )所示，在透明基板S U B 1之主 表面形成IT◦膜gl，再於其上面形成Mo膜g2。而 在Μ ◦膜g 2之表面形成光致抗鈾膜P R E S，使用未圖 .示之光罩在光致抗蝕膜P R E S選擇曝光。然後，將光致 抗鈾膜P R E S顯像，令其在閘極信號線G L之形成領域 殘存光致抗蝕膜P R E S。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，以光致抗蝕膜P R E S作爲掩罩，選擇蝕刻從 此掩罩露出之Μ 〇膜g 2。這時之蝕刻液可以選用例如含 有磷酸及硝酸之混合酸，或硝酸鈽及硝酸之混合液。如此 ，在殘存之Μ 〇膜g 2之側面之透明基板S U B 1側形成 末端擴展狀之合緩之錐形面。 再以上述光致抗蝕膜P R E S作爲掩罩，選擇鈾刻從 此掩罩露出之I T 0膜g 1。這時之蝕刻液可以選用例如 王水（鹽酸與硝酸之混合液）。如此，也可以在殘存之 I T ◦膜g 1之側面之透明基板S U Β Γ側形成末端擴展 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 583432 A7 ____ B7____ 五、發明説明（12 ) 狀之合緩之錐形面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後去除上述光致抗蝕膜P R E S，便可以在透明基 板S U B 1上形成閘極信號線G L。此閘極信號線G L之 側壁在透明基板SUB 1側有末端擴展狀之合緩之錐形面 ，對此後之製程之積層體可以充分迴避有跨越台階等之障 礙。 《汲極信號線D L》 汲極信號線D L之截面淸楚示於第4圖。此汲極信號 線D L係與後述之以抗蝕劑回流方式製成之薄膜電晶體 TFT並行形成，由a - S i構成之半導體層AS、形成 在其表面之高濃度層d Q、Μ 〇膜d i之順序積層體所構成 〇 因此，如該圖所示，在汲極信號線D L之側壁形成向 透明基板S U B 1側呈末端擴展狀之緩和之錐形面，但會 在此錐形面之途中，詳情是，在高濃度層d 〇之下層之半導 體層A S之部分形成台階差。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，能以高可靠性迴避，對保護膜P S V及排向膜 〇R I等之汲極信號線D L之所謂跨越障礙。 這時之跨越障礙是，在汲極信號線D L之側壁附近於 保護膜P S V產生龜裂等，通過此龜裂使該汲極信號線 D L之材料離子化，溶出到液晶，使液晶之比電阻變化等 之事故。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2獻騰董） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A7 _ B7 _ 五、發明説明（13 ) 《薄膜電晶體T F T》 第2圖係表示薄膜電晶體T F T之截面圖。此薄膜電 晶體T F T係以後述之所謂抗鈾劑回流方式製成者。 成爲薄膜電晶體T F T之閘電極之一部分之閘極信號 線G L之側壁在透明基板S U B 1側成爲末端擴展狀之緩 和之錐形面狀，因此可以迴避積層體在該部分之絕緣層 G I 、汲電極S D 1、及源電極S D 2之台階差造成之障 礙。 以電氣方式連接在薄膜電晶體T F T之源電極S D 2 之像素電極P X係直接積層形成在該源電極S D 2。因此 ，用以防止薄膜電晶體T F T直接與液晶L C接觸之保護 膜P S V係形成在該像素電極P X之上層。 亦即，像素電極P X係定位於保護膜P S V之下層， 藉此，可以避免爲了薄膜電晶體TFT與源電極SD2及 像素電極P X之電氣連接而在保護膜P S V形成接觸孔。 同時，以抗蝕劑回流方式製成之薄膜電晶體T F 丁在 其半導體層AS、高濃度層do、汲電極SD1或源電極 S D 2之順序積層體之側壁形成有，在透明基板s U B 1 側成爲末端擴展狀之錐形面，但會在此錐形面之途中，詳 情是，在高濃度層之下層之半導體層AS之部分形成台 階差。 因此，能以高可靠性迴避，對保護膜P S V及排向膜 〇R I等之汲極信號線D L之所謂跨越障礙。 尤其是像素電極P X係以比較容易在跨越台階差時產 1紙張尺度適用中關家標準（〇叫八4規格（21()/297公釐) ~ " ----：----^^—^1-------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 583432 A7 _ B7 五、發明説明（14 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 生障礙之材料製成，而且是，需跨越上述積層體重疊形成 在其上層之源電極S D 2之架構，而對此，在該積層體側 壁之錐形面形成有台階差，將可充分迴避像素電極之跨越 台階差障礙。 第8圖（a )至（f )係表示上述薄膜電晶體TFT 之形成方法之一實施例之製程圖。 首先，如第8圖（a )所不，形成聞極信號線G L、 閘極絕緣層G I之後，在此閘極絕緣層G I之表面形成半 導體層AS，在此半導體層AS之表面形成高濃度層d〇， 再形成Mo膜d ◦。這時，半導體層AS、高濃度層do、 Μ 〇膜d。係在同一處理室連續成膜。 如第8圖（b)所示，在Mo膜do之表面形成光致抗 鈾膜P R E S，經使用光罩之選擇曝光，令相當於汲極信 號線D L、汲電極S D 1、及源電極S D 2之形成領域之 部分之上述光致抗鈾膜P R E S殘留下來。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第8圖（c )所示，以光致抗蝕膜P R E S作爲掩 罩，選擇蝕刻從此掩罩露出之Μ 〇膜d i (選用含磷酸及硝 酸之混合酸，或硝酸鈽與硝酸之混合液），並乾餓刻高濃 度層d (D。這時，半導體層A S之表面會被稍爲削掉。 再者，高濃度層d 〇之鈾刻並不限定爲此方法，也可以 例如在Μ 〇膜d i之選擇蝕刻後，以此Μ 〇膜d i爲掩罩進 行蝕刻。 如第8圖（d )所示，令光致抗蝕膜P R E S回流。 藉此，光致抗蝕膜P R E S之周邊會下垂，而此下垂部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -17- 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（15 ) 也具有掩罩之功能。光致抗蝕膜p R E s之迴流有烘烤、 在有機溶劑環境中之溶解，或浸泡在水中等方法。 在此，光致抗蝕膜P R E s之下垂必須能夠完全被覆 汲電極S D 1及源電極S D 2之間（通道領域）°因此， 在第8圖（b)，這一部分之光致抗蝕膜PRES之圖案 必須儘可能狹窄。 並且，以此光致抗蝕膜p R E S爲掩罩，選擇蝕刻從 此掩罩露出之半導體層AS。 而去除該光致抗蝕膜p R E s。若在回流時進行烘烤 ，此光致抗蝕膜p R E S會較難剝離，因此可以在去灰（ a s h i n g )後進行所謂Μ E A剝離。 如第8圖（e )所示，形成I T ◦膜I T〇1，在相 當於像素電極Ρ X之形成領域（及汲極端子部D Τ Μ )之 部分形成光致抗蝕膜P R E S。以此光致抗蝕膜P R E S 爲掩罩，去除從此掩罩露出之IT ◦膜I T〇1。然後， 去除該光致抗鈾膜P R E S。 如第8圖（f )所示，形成保護膜P S V，形成在像 素領域之周邊部（包含薄膜電晶體T F T之形成領域）以 外之中央部有開口之光致抗蝕膜P R e s。 以此光致抗蝕膜P R E S爲掩罩，去除從此掩罩露出 之保護膜P S V。再者，在此保護膜P S V開孔時，也同 時進行閘極端子部G T Μ及汲極端子部D T Μ之開孔。然 後，去除該光致抗蝕膜P R E S。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210'〆297公釐） -18- 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7__五、發明説明（16 ) 《電容元件C a d d》 電容元件C a d d之截面示於第3圖。在聞極信號線 G L之一部分之上層，介由絕緣層G I重疊形成像素電極 P X之一部分，其電介質膜係上述絕緣層G I。 如上述，像素電極P X係定位形成在保護膜P S V之 下層，因此，電容元件C a d d之電介質膜不會成爲該保 護膜P S V與絕緣層G I之雙層構造，僅有該絕緣層G I 〇 因此，電容元件C a d d之電容値可以由絕緣層G I 之膜厚度，及閘極信號線G L與像素電極之重疊面積而設 定，可以很容易設定。 由於電介質膜僅有絕緣層G I，其表面很容易顯現出 .閘極信號線G L之台階差，但因閘極信號線G L ‘呈下層爲 I T ◦膜g 1上層爲Μ 〇膜g 2之雙層構造，其側壁形成 緩和之錐形面，因此，在使一部分之像素電極P X重疊在 閘極信號線G L時，可以充分迴避因該像素電極p X之跨 越台階差造成之障礙。 《黑色矩陣B Μ》 黑色矩陣ΒΜ之截面示於第4圖。在圖上，僅表示黑 色矩陣Β Μ係以覆蓋汲極信號線D L狀形成，但事實上是 同時覆蓋閘極信號線G L及薄膜電晶體T F Τ。 藉此可以提高對比，並迴避薄膜電晶體T F Τ因受外 來光之照射引起之特性變化。 1紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ' -19 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 583432 Α7 Β7 五、發明説明（17 ) 汲極信號線D L之兩側形成有與閘極信號線G L之同 時形成之遮光膜S K D，覆蓋該汲極信號線D L之黑色矩 陣BM之寬度兩端分別定位形成在上述遮光膜SKD上。 《閘極端子部G T Μ》 閘極端子部G Τ Μ之截面示於第5圖。閘極端子部 G 丁 Μ係藉由對保護膜P S V及絕緣層G I之順序開孔（ 以乾蝕刻之選擇性鈾刻）使閘極信號線G L之延伸部露出 而形成。此項開孔係與像素領域之保護膜P S V之開孔之 同時進行。 從該圖可以淸楚看出，以下層爲I TO膜gl，上層 爲Μ 0膜g 2形成之閘極信號線G L，係在其閘極端子部 G Τ Μ之上層之Μ 〇膜g 2被去除之狀態下形成。因爲， 保護膜P S V及絕緣層G I之藉乾蝕刻之開孔時，無法取 得選擇比之Μ 〇膜g 2會被蝕刻掉。 但下層之I T ◦膜g 1具有該蝕刻之停止膜之功能而 殘留下來，藉由此I T ◦膜g 1而充分具有作爲閘極端子 部G Τ Μ之功能。而且，由於此I 丁 ◦膜g 1係由不易氧 化之材料製成，因此可以形成例如對電鈾具有可靠性之閘 極端子部G Τ Μ。 《汲極端子部D Τ Μ》 汲極端子部D Τ Μ之截面示於第6圖。汲極端子部 D Τ Μ係藉由對保護膜P S V之開孔（選擇性蝕刻）使汲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---IT----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 極信號線D L之延伸部露出而形成。此項開孔係與像素領 域之保護膜P S V之開孔之同時進行° 在此，汲極端子部D T Μ之汲極信號線D L上被覆形 成有I T〇膜I T〇1 。此I T ◦膜I T〇1係在形成像 素電極P X時同時形成，係爲了迴避在汲極端子部D T M 發生電鈾而形成。 如上述，汲極信號線D L係藉由抗蝕劑回流方式形成 薄膜電晶體T F T時並行形成，因此是以半導體層A s、 高濃度層d。、Μ 〇膜d i之順序積層體形成，其側壁成爲 緩和之錐形狀。 因此，在汲極端子部D T Μ，於該汲極信號線D L上 覆蓋I Τ ◦膜I Τ〇1時，可以消除此I Τ〇膜I Τ〇1 .之跨越台階等之問題。 《製造方法》 第9圖（a )至（h)表示上述之液晶顯示裝置之製 造方法之一實施例之製程圖。 曰亥圖係在弟8圖之製彳壬圖之外，一*併描繪闊極端子部 G Τ Μ部分之製程圖者。 第9圖（a )對應第8圖（a )，第9圖（b )對應 第8圖（d )，第9圖（e )對應第8圖（e )，第9圖 (g)對應第8圖（f)。 一連串製程係如第1 0圖之表所示，從此表可以看出 ，光處理製程可以經由形成聞極信號線G L之圖案，形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）- •21 - -裝----Ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .—1T—---- 583432 A7 — _ B7 五、發明説明P9 ) 汲極信號線D L (汲電極源電極）之圖案，形成像素電 極PX之圖案、形成保護膜P SV之圖案之4次而完成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例2 上述實施例1係表示，使用抗蝕劑回流方式形成薄膜 電晶體T F T之液晶顯不裝置。但也可以適用於使用所謂 半曝光方式形成薄膜電晶體T F T之液晶顯示裝置。 以下所示之架構以外，其餘均與實施例1相同。 《薄膜電晶體T F T》 第1 1圖係表示使用所謂半曝光方式形成之薄膜電晶 體TFT之截面圖。 此薄膜電晶體T F T之半導體層A S、高濃度層d 〇、 Μ 〇膜d i之順序積層體之側壁，形成有向透明基板 S U B 1側成末端擴展開之緩和之錐形面。 第1 5圖（a )至（e )係例示上述薄膜電晶體 T F T之形成方法之一實施例之製程圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，如第8圖（a )所示，形成閘極信號線G L、 閘極絕緣層G I之後，在此閘極絕緣層G I之表面形成半 導體層AS，在此半導體層AS之表面形成高濃度層do, 再形成Μ 〇膜.d i。這時，半導體層A S、高濃度層d 〇、 Μ 〇膜d i係在同一處理室內連續成膜。 如第8圖（b )所示，在Μ 〇膜d Q之表面形成光致抗 蝕膜P R E S，進行使用光罩之選擇曝光。這時之光罩使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -22- 583432 A7 B7 五、發明説明（20) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用格子構造之掩罩，或使用控制如Μ 〇 S i之半穿透型膜 之厚度製成之掩罩，而令相當於汲極信號線D L、汲電極 S D 1、源電極之形成領域，及汲電極S D 1及源電極間 之領域（通道部）之部分上之光致抗蝕膜P R E S殘存下 來。這時之通道部上之光致抗蝕膜P R E S之膜厚度要比 其餘之光致抗蝕膜P R E S之膜厚度小。 亦即，控制抗鈾劑之條件，使其在通道部，光致抗蝕 膜、Μ 〇膜d i、高濃度層d。之結束蝕刻之時間，大致上 與Mo膜01、高濃度層do、半導體層A S之結束蝕刻之 時間相同（大致相同）。 如第8圖（c )所示，以光致抗蝕膜P R E S爲掩罩 ，選擇蝕刻從此掩罩露出之Μ 〇膜d i (可以選用例如含磷 .酸與硝酸之混合酸，或硝酸鈽與硝酸之混合液），再乾蝕 刻局濃度層d〇、半導體層A S。迫時，通道部要触刻Μ 〇 膜d i、高濃度層d 〇、以及半導體層A S，但其表面僅被 削去稍許。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，高濃度層d。之蝕刻不限定爲此方法，也可以例 如在Μ 〇膜d i之選擇蝕刻後，以此Μ 〇膜d i作爲掩罩， 進行鈾刻。 然後去除光致抗蝕膜P R E S。 如第8圖.（d )所示，形成I T ◦膜I T〇1，在相 當於像素電極P X之形成領域（及汲極端子部[)Y Μ )之 部分形成光致抗蝕膜P R E S。以此光致抗蝕膜P R E s 爲掩罩，去除從此掩罩露出之I T ◦膜Γ T〇1 。然後， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '-- 23 - 583432 Α7 Β7 _ 五、發明説明（21) 去除光致抗鈾膜P R E S。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第8圖（e )所示，形成保護膜P S V，形成在像 素領域之周邊部（包含薄膜電晶體T F T之形成領域）以 外之中央部有開口之光致抗蝕膜P R E S。 以此光致抗蝕膜P R E S爲掩罩，去除從此掩罩露出 之保護膜P S V。再者，在此保護膜P S V開孔時，一倂 進行閘極端子部G Τ Μ及汲極端子部D Τ Μ之開孔。然後 去除光致抗蝕膜P R E S。 《汲極信號線D L》 閘極信號線G L之截面示於第1 2圖。汲極信號線 DL係由半導體層AS、高濃度層do、“〇膜〇11之順序 積層體構成，與藉由半曝光方式製成之上述薄膜電晶體 丁 F T之形成並行形成，因此其側壁形成有向透明基板 S U B 1側成末端擴展開之緩和之錐形面。 《閘極端子部G Τ Μ》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 閘極端子部G Τ Μ之截面示於第1 3圖。此閘極端子 部G Τ Μ係與實施例1同樣構成。 《汲極端子部D Τ Μ》 汲極端子部D Τ Μ之截面示於第1 4圖。汲極信號線 DL係由半導體層AS、高濃度層d。、^1〇膜（11之順序 積層體構成，因此其側壁形成有向透明基板S ϋ B 1側成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 583432 A7 ______ B7___ 五、發明説明（22) 末端擴展開之緩和之錐形面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而汲極信號線D L之汲極端子部D Τ Μ， I Τ〇膜 I Τ〇1形成到其側壁。此I τ〇膜I Τ〇1係在形成像 素電極Ρ X時同時形成。其目的在防止電蝕。 汲極端子部D Τ Μ係藉由在保護膜P S V開孔，令上 述ΙΤΟ膜ΙΤ0 1露出而形成。 《製造方法》 第1 6圖（a )至（g )表示上述之液晶顯示裝置之 製造方法之一實施例之製程圖。 該圖係在第1 5圖之製程圖之外，一倂描繪閘極端子 部G Τ Μ部分之製程圖者。 第16圖（a)對應第15圖（b)，第16圖（c )對應第15圖（c)，第16圖（d)對應第15圖（ d)，第16圖（f)對應第15圖（e)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一連串製程係如第1 7圖之表所示，從此表可以看出 ，光處理製程可以經由形成閘極信號線G L之圖案，形成 汲極信號線D L (汲電極 源電極）之圖案，形成像素電 極PX之圖案、形成保護膜p SV之圖案之4次而完成。 實施例3 同時，本發明之液晶顯示裝置也可以適用於，使用所 謂I T〇掩罩方式形成其薄膜電晶體T F T時。 以下所示之架構以外，其餘均與實施例1相同。 本紙張尺度1^^國國家標準（（:奶）八4規格（210/ 297公釐) " 〜' 一 -25- 583432 A7 ~____B7 五、發明説明（23 ) 《薄膜電晶體T F T》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 8圖係表示使用I T ◦掩罩方式形成之薄膜電晶 體TFT之截面圖。 此薄膜電晶體T F T不僅在其源電極S D 2之表面整 個領域直接重疊有像素電極PX之ITO膜IT01，同 時，在汲極信號線D L (及汲電極S D 1 )之表面也直接 重疊有IT ◦膜IT0 1。 同時與其他實施例一樣，在半導體層A S、高濃度層 d ◦、Μ 〇膜d i之順序積層體之側壁，形成有向透明基板 s u B 1側成末端擴展開之緩和之錐形面。 第2 2圖（a )至（g )係例示上述薄膜電晶體 TFT之形成方法之一實施例之製程圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，如第2 2圖（a )所示，形成閘極信號線G L 、聞極絕緣層G I之後，在此閘極絕緣層G I之表面形成 半導體層AS、高濃度層d。，再形成Mo膜di。這時， 半導體層AS、高濃度層do、Mo膜（^係在同一處理室 內連續成膜。 如第22圖（b)所示，在Mo膜dii表面形成光致 抗蝕膜P R E S，經由使用光罩之選擇曝光，令相當於汲 極信號線D L .、汲電極S D 1 、源電極S D 2之形成領域 ，及此等各電極間之領域（通道部）之部分上之光致抗蝕 膜PRES殘存下來。

而，以此光致抗蝕膜P R E S爲掩罩，順序選擇鈾亥U 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 -26- 583432 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（24) 從此掩罩露出之Mo膜（11、高濃度層d。，半導體餍AS 。然後去除光致抗蝕膜P R E S。 如第2 2圖（c )所示，形成I T〇膜I T〇，在此 I TO膜IT〇之上面形成光致抗蝕膜PRES，令相當 於汲極信號線D L、汲電極S D 1、像素電極P X之形成 領域之部分之光致抗蝕膜P R E S殘存下來。 如第2 2圖（d )所示，以上述光致抗蝕膜P R E s 爲掩罩，蝕刻從此掩罩露出之I T ◦膜。然後，去除光致 抗蝕膜P R E S。 如第2 2圖（e )所示，以上述I T〇膜I T〇爲掩 罩，蝕刻從此掩罩露出之Μ 〇膜d !，再選擇蝕刻高濃度層 do，露出半導體層AS之表面。 如第2 2圖（f )所示，形成保護膜P S V ,形成在 像素領域之周邊部（包含薄膜電晶體T F 丁之形成領域） 以外之中央部有開口之光致抗蝕膜P R E S。 以此光致抗蝕膜P R E S爲掩罩，去除從此掩罩露出 之保護膜P S V。再者，在此保護膜P S V開孔時，一倂 進行閘極端子部G T Μ及汲極端子部D T Μ之開孔。然後 ，如第8圖（g )所示，去除該光致抗蝕膜P R E S。 《汲極信號線D L》 閘極信號線G L之截面示於第1 9圖。此汲極信號線 〇乙係由半導體層八8、高濃度層（1〇、^1〇膜〇11、 Ϊ T 0膜I T〇1之順序積層體構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X 297公釐） -27- 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25 ) 《閘極端子部》 閘極端子部G T Μ之截面示於第2 0圖。此閘極端子 部G Τ Μ具有與實施例1及實施例2之閘極端子部G Τ Μ 同樣之架構。 《汲極端子部》 汲極端子部D Τ Μ之截面示於第2 1圖。此汲極端子 部D Τ Μ因極信號線D L係由上述之積層體構成，因此在 保護膜PSV之開口之表面露出有IT ◦膜ΙΤ01，係 對電蝕具可靠性之架構。 《製造方法》 第2 3圖（a )至（g)表示上述之液晶顯示裝置之 製造方法之一實施例之製程圖。 該圖係在第2 2圖之製程圖之外，一倂描繪閘極端子 部G Τ Μ部分之製程圖者。 第23圖（a)對應第22圖（b)，第23圖（c )對應第22圖（c)，第23圖（d)對應第22圖（ d)，第23圖（e)對應第22圖（e)，第23圖（ ί )對應第2.2圖（f )，第2 3圖（g )對應第2 2圖 ()。 一連串製程係如第2 4圖之表所示，從此表可以看出 ，光處理製程可以經由形成閘極信號線G L之圖案，形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公餐） •裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂----- -28- 583432 Μ Β7 五、發明説明（26) 像素電極Ρ X (汲極信號線D L )之圖案，形成汲電極及 源電極之圖案，形成保護膜P S V之圖案之4次而完成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例4 上述之各實施例，係說明在透明基板S U Β 1側之各 像素領域分別形成像素電極，在透明基板S U Β 2側之各 像素領域形成共同之對向電極，藉由產生在各電極間之大 致垂直於該各基板之電場，控制液晶之光穿透率之所謂縱 電場方式之液晶顯示裝置。 惟並不限定爲這種縱電場方式之液晶顯示裝置，也可 以適用在，在透明基板S U Β 1側之各像素領域形成像素 電極及對向電極，藉由產生在各電極間之大致平行於該透 .明基板S U Β之電場成分，控制液晶之光穿透率之所謂橫 電場方式之液晶顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2 5圖係表示這種橫電場方式之液晶顯示裝置之像 素之架構之平面圖，係對應第1圖之圖。再者，第2 5圖 之2 6 - 2 6線之截面示於第2 6圖，2 7 - 2 7線之截 面示於第2 7圖。 與第1圖比較，其不同的架構如下。 在第25圖，首先，像素電極ΡΧ及對向電極CT係 由分別與汲極信號線D L成平行延伸之多條之條紋形狀構 成，該等成交互配置形成。 本實施例之像素電極Ρ X有2條，對向電極C Τ有3 條，該等成交互配置之結果，各對向電極C Τ中之2條形 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -29- 583432 A7 ___ B7 五、發明説明（27 ) 成在兩側，換言之，形成爲鄰接於汲極信號線D L。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此配置在兩側之對向電極C T具有遮蔽功能，使汲極 信號線D L之電場不致於影響到像素電極P X，其寬度較 其他電極寬。 同時，對向電極C T係與閘極信號線G L同時形成， 跟該閘極信號線G L相同之材料形成。因此，呈雙層構造 ，其下層由IT〇膜形成，上層由Mo膜形成。 3條之各對向電極C T與在像素領域之中央平行於閘 極信號線G L形成之對向電壓信號線C L成一體，因此共 同連接在一起，而經由對向電壓信號線C L供給對向電壓 信號。因此，此對向電壓信號線C L也呈雙層構造，其下 層由I TO膜形成，上層由Mo膜形成。 此對向電壓信號線C L係對並排設在圖中X方向之像 素群共同形成，與並排設在圖中y方向之各像素群之其他 對向電壓信號線C L共同連接，而從形成在延伸至顯示部 外之共同連接線之共同端子部C T Μ供給對向電壓信號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 像素電極Ρ X係對對向電極C Τ (對向電壓信號線 C L )形成爲，介由絕緣層G I之不同層。 2條之像素電極Ρ X在對向電壓信號線c L上形成爲 相互連接之圖案，在此連接部形成與該對向電壓信號線 C L之間以上述絕緣層G I爲電介質之電容元件C s t g ο

2條像素電極中之靠近薄膜電晶體τ F Τ之像素電極 Ρ X，其端部延伸至該薄膜電晶體T F Τ之半導體層A S 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一 -30 - 583432 A7 __ B7 _ 五、發明説明（28) 之上面，構成該薄膜電晶體TFT之源電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而此薄膜電晶體T F T係如實施例1所示之以抗鈾劑 回流方式形成之薄膜電晶體。 《電容元件C s t g》 第2 6圖係表示電容元件C s t g之截面之圖。在對 向電壓信號線C L之一部分之上層，介由絕緣層G I重疊 形成像素電極P X之一部分，其電介質膜係上述絕緣層 G I 。 像素電極P X係定位形成在保護膜P S V之下層，因 此，電容元件C s t g之電介質膜不會成爲該保護膜 P S V與絕緣層G I之雙層構造，僅有該絕緣層G I。 因此，電容元件C s t g之電容値可以由絕緣層G I 之膜厚度，及對向電壓信號線C L與像素電極之重疊面積 而設定，可以很容易設定。 《對向電極C T》 對向電極C T之截面示於第2 7圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雙層構造之對向電極C T可以考慮各層之蝕刻率，而 藉由選擇蝕刻，在其側壁形成向透明基板S U B 1側成末 端擴展開之錐.形面。藉此，可以迴避在絕緣層G I之跨越 部之龜裂等之障礙，可以使與像素電極P X間之電場之分 布等之穩定化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 583432 Α7 Β7 五、發明説明（29 ) 《汲極信號線D L》 汲極信號線D L之截面示於第2 7圖。 此汲極信號線D L係與以抗蝕劑回流方式製成之薄膜 電晶體T F T並行形成，由半導體層A S、高濃度層d 〇、 Μ 〇膜d i之順序積層體所構成，在其側壁形成有，向透明 基板S U B 1側成末端擴展狀之錐形面，而且，在此錐形 面之途中，詳情是，在高濃度層d。之下層之半導體層AS 之部分形成台階差。再者，薄膜電晶體T F T之形成也可 以用上述之半曝光方式取代抗蝕劑回流方式。 因此，能夠充分迴避，形成在此汲極信號線D L之上 層之保護膜P S V及排向膜〇R I等之跨越障礙。 《閘極端子部G T Μ、共同端子部C T Μ》 其架構與實施例1所示之閘極端子部G Τ Μ (第5圖 )相同。同時，在共同端子部C Τ Μ，因其對向電壓信號 線C L係與聞極信號線G L在同一層且是相同材料構成之 雙層構造，因此其架構與該閘極端子部G Τ Μ相同。 《汲極端子部D Τ Μ》 其架構與實施例1所示之汲極端子部D Τ Μ (第6圖 )相同。 《薄膜電晶體T F Τ》 其架構與實施例1所示之薄膜電晶體T F Τ (第2圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝----Ί—--訂------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 583432 A7 _ B7 ___ 五、發明説明（30 ) )相同。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例5 第2 8圖係表示橫電場方式之液晶顯示裝置之像素之 其他實施例之平面圖。 該圖係以例如I T ◦膜等之透明導電層形成像素電極 P X及對向電極C T，同時，例如對向電極C T係與像素 電極PX重疊，形成在像素領域之大致上整個領域。 亦即，對向電極C T係在透明基板S U B 1面形成於 除了像素領域之稍許周邊以外之中央部之整個領域。

對此對向電極C T，經由在像素領域之中央向圖中X 方向延伸形成之對向電壓信號線C L，供應對向電壓信號 〇 此對向電壓信號線C L係直接形成在對向電極C T上 ，係在形成閘極信號線G L時同時形成。因此，此對向電 壓信號線C L也呈雙層構造，其下層由I T 0膜形成，上 層由Μ 〇膜形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，像素電極Ρ X係形成在覆蓋對向電極C Τ (對 向電壓信號線C L )之絕緣層G I上，形成例如與汲極信 號線D L平行延伸之條紋狀之圖案，並排設在與該汲極信 號線D L垂直之方向之多數電極構成。 此等各像素電極Ρ X在薄膜電晶體T F Τ之端部共同 連接，同時，延伸至薄膜電晶體TFT之半導體層AS面 ，構成該薄膜電晶體T F T之源電極S D 2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 583432 A7 B7 五、發明説明（31 ) 此薄膜電晶體T F T係與實施例1同樣，以抗鈾劑回 流方式形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 《對向電壓信號線c L》 對向電壓信號線C L之截面示於第3 0圖。 由雙層構造構成之對向電壓信號線C L可以藉由考慮 各層之蝕刻率之選擇蝕刻，在其側壁形成向透明基板 S U B 1側成末端擴展狀之錐形面。藉此，可以迴避在絕 緣層G I之跨越障礙。 同時，對向電壓信號線C L係形成在由I T ◦膜構成 之對向電極CT之上面，其下層由IT〇膜構成，因此可 以確保與該對向電極C T之密接性。 《汲極信號線D L》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 汲極信號線D L之截面示於第2 9圖。此汲極信號線 D L係與以抗蝕劑回流方式製成之薄膜電晶體T F T並行 形成，由半導體層AS、高濃度層d。、Mo膜（11之順序 積層體所構成，在其側壁形成有，向透明基板S U B 1側 成末端擴展狀之錐形面，而且，在此錐形面之途中，詳情 是，在高濃度層do之下層之半導體層AS之部分形成台階 差。再者，薄膜電晶體TFT之形成也可以用上述之半曝 光方式取代抗蝕劑回流方式。 因此，能能夠充分迴避，形成在此汲極信號線D L之 上層之保護膜P S V及排向膜〇R I等之跨越障礙。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐〉 -34- 583432 A7 B7 五、發明説明（32 ) 《閘極端子部G τ M、共同端子部C T Μ》 其架構與貫施例1所不之聞極端子部G Τ Μ (第5圖 )之架構相同。 《汲極端子部D Τ Μ》 其架構與實施例1所示之汲極端子部D Τ Μ (第6圖 )之架構相同。 《薄膜電晶體T F Τ》 其架構與實施例1所示之薄膜電晶體T F Τ (第2圖 )之架構相同。 實施例6 第3 1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之其他 實施例之平面圖，係對應第2 5圖之圖。 第3 1圖係表示經由半曝光方式製成之像素之架構。 在此，閘極信號線G L係與上述實施例同樣之I Τ〇膜與 Mo層之雙層構造，但其架構未圖示。 《電容元件C s t g》 電容元件C s t g之截面示於第3 2圖。 電容元件C s t g係介由絕緣層G I在對向電壓信號 線C L上面重疊形成像素電極p x而構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "" -35 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（33) 對向電壓信號線C L與閘極信號線g L同樣，下層爲 I TO膜g 1而上層爲Mo膜g 2之雙層構造，像素電極 PX係由半導體層AS、筒濃度層、M〇膜di、 I T〇膜I T〇1之順序積層體所構成。 《像素電極Ρ X》 像素電極ΡΧ之截面明確示於第3 3圖。 如上述，像素電極ΡΧ係由半導體層AS、高濃度層 d 〇、Μ 〇膜d i、I T ◦膜I τ ◦ 1之順序積層體所構成 〇 這個時候可能會因像素電極P X之台階差而造成不妥 ，但因在其側壁形成有，向透明基板s U B 1側成末端擴 展狀之錐形面，因此，能夠充分緩和，形成在其上面之保 護膜P S V及排向膜〇R I等之跨越障礙。 《汲極信號線D L》 汲極信號線D L之截面示於第3 3圖。 汲極信號線D L也與像素電極Ρ X —樣由半導體層 A S、高濃度層d Q、Μ 〇膜d i、I T ◦膜之順序積層體 所構成。 因此，可能會因有汲極信號線D L形成之台階差而造 成不妥，但因在其側壁形成有，向透明基板S U B 1側成 末端擴展狀之錐形面，因此，能夠充分緩和，形成在其上 面之保護膜P S V及排向膜〇R I等之跨越障礙。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局Κ工消費合作社印製 583432 A7 __ B7 _ 五、發明説明（34) 《閘極端子部G T Μ》 閘極端子部G Τ Μ之截面示於第3 5圖。 閘極端子部G Τ Μ係藉由對保護膜P S V及絕緣層 G I之順序開孔（以乾鈾刻之選擇性蝕刻）使閘極信號線 G L之延伸部露出而形成。 從該圖可以淸楚看出，以下層爲I Τ ◦膜g 1，上層 爲Μ 〇膜g 2形成之閘極信號線G L，係在其閘極端子部 G Τ Μ之上層之Μ 〇膜g 2被去除之狀態下形成。因爲， 保護膜P S V*及絕緣層G I之藉乾蝕刻之開孔時，無法取 得選擇比之Μ 〇膜g 2會被蝕刻掉。 但下層之I T 0膜g 1具有該蝕刻之停止膜之功能而 殘留下來，藉由此I T ◦膜g 1而充分具有作爲閘極端子 部G Τ Μ之功能。而且，由於此I τ〇膜g 1係由不易氧 化之材料製成，因此可以形成例如對電蝕具有可靠性之閘 極端子部G Τ Μ。 《汲極端子部D Τ Μ》 汲極端子部D Τ Μ之截面示於第3 6圖。 汲極信號線D L係由半導體層A S、高濃度層d ◦、 Μ 〇膜d i、I T ◦膜I Τ ◦ 1之順序積層體所構成，因此 ，在保護膜P S V開孔便可以形成汲極端子部D Τ Μ。 藉由在保護膜P S V開孔便可以使汲極信號線D L表 面之I Τ〇膜露出，因此不必特別形成防止電蝕用之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） I-------辦衣----：---1Τ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -37- 583432 A7 B7 五、發明説明（35 ) I T〇膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 《薄膜電晶體T F T》 本實施例之薄膜電晶體T F T係以半曝光方式形成。 第3 7圖（a )至（f )係表示上述薄膜電晶體 T F T之形成方法之一實施例之製程圖。 首先，如第3 7圖（a )所示，形成閘極信號線G L 、閘極絕緣層G I之後，在此閘極絕緣層G I之表面形成 半導體層AS，在此半導體層AS之表面形成高濃度層do ，“〇膜（11，再形成IT ◦膜IT〇1。這時，半導體層 八8、高濃度層（1〇、^1〇膜（11, IT ◦膜IT〇1係在 同一處理室連續成膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3 7圖（b )所示，在I T ◦膜之表面形成光致 抗蝕膜P R E S，進行使用光罩之選擇曝光。這時之光罩 使用格子構造之掩罩，或使用控制如Μ 〇 S i之半穿透型 膜之厚度製成之掩罩，而令相當於汲極信號線D L、汲電 極S D 1、源電極之形成領域，及此等各電極間之領域（ 通道部）之部分之光致抗蝕膜P R E S殘存下來。這時之 通道部上之光致抗蝕膜P R E S之膜厚度要比其他領域之 光致抗蝕膜P R E S之膜厚度小。 亦即，控制抗蝕劑之條件，使其在通道部，光致抗蝕 膜、Μ 〇膜d i、高濃度層d。之結束蝕刻之時間，大致上 與Mo膜（1 i、高濃度層do、半導體層A S之結束蝕刻之 時間相同（大致相同）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) " ' 583432 A7 _ B7 ____ 五、發明説明（36 ) 如第3 7圖（c )所示，以光致抗蝕膜P R E S爲掩 罩，選擇蝕刻從此掩罩露出之I T〇膜、Μ 〇膜d :、高濃 度層do、半導體層AS (例如選用SF6、CF4等之氟 系列氣體作爲半導體層A S及高濃度層d Q之選擇鈾刻用氣 體）。 藉此，構成薄膜電晶體T F T之半導體層A S被蝕刻 成島狀，但其通道部則只是至少蝕刻高濃度層d 〇便停止下 來。然後去除上述光致抗鈾膜P R E S。 如第3 7圖（d )所示，形成保護膜P S V。 如第3 7圖（e )所示，在保護膜P S V之表面形成 在像素領域之周邊部（包含薄膜電晶體T F T之形成領域 )以外之中央部有開口之光致抗蝕膜P R E S。 如第3 7圖（f )所示，以此光致抗蝕膜P R E S爲 掩罩，去除從此掩罩露出之保護膜P S V。再者，在此保 護膜P S V開孔時，也同時進行閘極端子部G T Μ及汲極 端子部D Τ Μ之開孔。然後去除該光致抗蝕膜P R E S。 《製造方法》 第3 8圖（a )至（e )表示上述之液晶顯示裝置之 製造方法之一實施例之製程圖。 該圖係在第3 7圖之製程圖之外，一倂描繪閘極端子 部G Τ Μ部分之製程圖者。 第38圖（a)對應第37圖（b)，第38圖（c )對應第3 7圖（c )，第3 8圖（d )對應第3 7圖（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 583432 A7 B7 五、發明説明（37) e)，第38圖（e)對應第37圖（f)。 一連串製程係如第3 9圖之表所示，從此表可以看出 ，光處理製程可以經由形成閘極信號線G L之圖案，形成 汲極信號線D L (汲電極、源電極）之圖案，形成保護膜 PSV之圖案之3次而完成。 實施例7 第4 0圖係表示本發明液晶顯示裝置之像素之其他實 施例之平面圖。係對應第2 8圖之圖。亦即，在像素領域 之大部分形成例如I T ◦膜構成之對向電極C T，並排配 設多數例如由I T〇膜構成之條紋狀之像素電極P X。本 實施例之對向電極C T與像素電極P X間之絕緣膜呈絕緣 層G I與保護膜p s V之雙層構造。而薄膜電晶體T F T 係以抗蝕劑回流方式形成。 再者，第40圖之41-41線之截面圖示於第41 圖，4 2 - 4 2線之截面圖示於第4 2圖，4 4 - 4 4線 之截面圖示於第44圖，45-45線之截面圖示於第 4 5圖。 《汲極信號線D L》 汲極信號線D L示於第4 1圖。汲極信號線D L形成 在絕緣層G I上，係由半導體層AS、高濃度層d〇、Mo 膜d i之順序積層體所構成。 而因爲是與藉由抗蝕劑回流方式形成之薄膜電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐） -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40 - 583432 A7 B7 -—-—---—-------- 五、發明説明（38) T F T並行形成，因此，汲極信號線D L之側壁在其半_ 體層A S面形成有台階差之緩和之錐形面（向透明基板 S ϋ B 1側成末端擴展狀）。 《閘極信號線G L》 .閘極信號線G L示於第4 2圖。閘極信號線G L形成 在透明基板SUB1上，由ΙΤ〇膜gl與Mo膜g2$ 順序雙層膜構成。其側壁形成有向透明基板S U B 1側成 末端擴展狀之錐形面。 《對向電壓信號線C L》 對向電壓信號線C L示於第4 2圖。對向電壓信號線 .C L與閘極信號線G L同樣由I T ◦膜g 1與〇膜g 2 之順序雙層膜構成，但其中之I T ◦膜g 1之寬度較M Q 膜g 2寬，而具有對向電極C T之功能。 如此，雖然對向電極C Τ呈單層構造，對向電壓信號 線C L係呈在構成該對向電極C Τ之層上再形成別的材料 層之雙層構造，而此對向電壓信號線C L與對向電極C 丁 之形成係採用半曝光方式，以一次光處理製程完成。 第4 3圖（a )至（d )係表示這個時候之製程圖。 首先，如第4 3圖（a )所示，在透明基板S U B 1 之表面形成有例如I T〇膜g 1與Μ 〇膜g 2之順序積層 體。 而在此積層體之表面選擇性形成有光致抗蝕膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' Γ請先閱讀背面之注意事¾再填寫本頁，> -訂_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ____ 五、發明説明（39) P R E S，但如第4 3圖（b )所示，此等在不同領域之 厚度均不相同。如此，不同厚度之光致抗蝕膜之形成係使 用格子構造之光罩，或控制Mo S i等之半穿透型膜之膜 厚度製成之光罩，進行所謂半曝光而達成。 然後，如第4 3圖（c )所示，以光致抗蝕膜 P R E S爲掩罩進行蝕刻，即可選擇蝕刻上層之Μ 〇膜 g 2。這時，厚度較大之光致抗蝕膜會變薄而殘存下來， 而厚度較薄之光致抗鈾膜便消失掉。 而如第4 3圖（d )所示，以殘存下來之光致抗蝕膜 P R E S爲掩罩進行鈾刻，即可選擇鈾刻下層之I T〇膜 g 1。這時，光致抗蝕膜消失之一側之Μ 〇膜g 2會在這 時被蝕刻。 《閘極端子部G T Μ》 閘極端子部G Τ Μ之截面示於第4 4圖。而在被覆閘 極信號線G L之絕緣層G I 、保護膜P S V開孔，便可以 形成閘極端子部G Τ Μ。 這時，因開孔可以去除閘極信號線G L之上層之Μ 〇 膜g 2，再藉由形成在該孔及其周邊之I TO膜可以更有 效迴避閘極端子部G Τ Μ之電蝕。 再者，上述I τ ◦膜係在形成像素電極Ρ X之同時形 成。 《汲極端子部D Τ Μ》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝_ 、訂 -42- 583432 A7 B7 --—-------- 五、發明説明（4Q) 汲極端子部D TM之截面示於第4 5圖。在覆蓋汲極 信號線D L之保護膜P S V開孔，即可形成閘極端子部 G 丁 Μ。 這時，係藉由形成在該孔及其周邊之IT〇膜以迴避 閘極端子部G T Μ之電蝕。 此I TO膜也在形成像素電極ΡΧ之同時形成。 《製造方法》 第46圖（a)至（d),第47圖（a)至（d) ，第48圖係表示上述液晶顯示裝置之製造方法之一實施 例之製程圖，係表示薄膜電晶體T F T及對向電極C T之 咅[分。 首先，如第4 6圖（a )所示，形成閘極信號線G L 、閘極絕緣層G I之後，在此閘極絕緣層G I之表面形成 半導體層AS，高濃度層d〇, “〇膜（11。這時，半導體 層AS、高濃度層d。、Mo膜d。係在同一處理室連續成 膜。 如第4 6圖（b )所示，在I T〇膜之表面形成光致 抗蝕膜PRES,進行使用光罩之選擇曝光。這時之光罩 使用格子構造之掩罩，或使用控制如Μ 〇 S i之半穿透型 膜之厚度製成之掩罩，而令相當於汲極信號線D L、汲電 極S D 1 、源電極之形成領域，及此等各電極間之領域（ 通道部）之部分之上述光致抗蝕膜P R E S殘存下來。這 時之通道部上之光致抗蝕膜P R E S之膜厚度要比其他領 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 583432 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（41) 域之光致抗蝕膜P R E S之膜厚度小。 亦即，控制抗蝕劑之條件，使其在通道部，光致抗触 膜、Μ 〇膜d i、高濃度層d。之結束蝕刻之時間，大致上 與Mo膜d 1、高濃度層do、半導體層A S之結束蝕刻之 時間相同（大致相同）。 如第4 6圖（c )所示，以光致抗蝕膜p r e S爲掩 罩，選擇蝕刻從此掩罩露出之Μ 〇膜d i、高濃度層d 〇、 半導體層A S (例如選用S F 6、C F 4等之氟系列氣體作 爲半導體層AS及高濃度層d〇之選擇鈾刻用氣體）。 藉此，使構成薄膜電晶體丁 F T之領域以外之領域之 半導體層A S露出，光致抗蝕膜P R E S在其整個領域之 厚度變小。而在其通道部，從該光致抗蝕膜P R E S露出 Μ〇膜d丄。 如第4 6圖（d )所示，以殘存之光致抗蝕膜 P R E S爲掩罩進行蝕刻。 藉此，在構成薄膜電晶體T F T之領域以外之領域蝕 刻半導體層A S，使絕緣層G I露出。 同時，在通道部，Μ 〇膜d :、高濃度層d。被蝕刻， 使半導體層A S露出。 如第4 7圖（a )所示，形成保護膜P S V。 如第4 7圖（b )所示，在保護膜P SV之上面形成 在薄膜電晶體T F T之源電極S D 2之接觸孔形成部分開 孔之光致抗蝕膜P R E S。而，以此光致抗蝕膜P R E S 爲掩罩蝕刻保護膜P S V。再者，在此保護膜P S V開孔 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44- 583432 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（42) 時’也同時進行閘極端子部G 丁 Μ及汲極端子部D T Μ之 開孔。然後去除該光致抗蝕膜P r E S。 如第4 7圖（c )所示，在保護膜p S v形成接觸孔 ，薄膜電晶體T F T之源電極s D 2之一部分從此接觸孔 露出。 如第47圖（d)所示，在保護膜pSv上形成 1 丁 〇膜，在此I T 0膜上之形成連接像素電極p X與薄 膜電晶體T F T之源電極s D 2之像素電極P X之延伸部 之領域上，形成光致抗蝕膜p r E S。 如第4 8圖所示，以上述光致抗蝕膜p r E s爲掩罩 貪虫刻I T〇膜，然後，去除光致抗蝕膜p r e S。 實施例8 第4 9圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之其他 實施例#之平面圖，係對應第4 〇圖之圖。 與第4 0圖不同的部分是採用抗蝕劑回流方式，以及 ，在保護膜P S V未形成接觸孔之構造。 再者，第49圖之50-50之截面示於第50圖， 5 1 - 5 1之截面示於第5 1圖。 《汲極信號線D L》 汲極信號線D L之截面示於第5 〇圖。此汲極信號線 D L係由半導體層A S、高濃度層d。、Mo膜d 1、 I 丁 0膜I T〇1之順序積層體所構成。在此，I τ〇膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、11

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΐ〇Χ297公麓） -45- 583432 A7 B7 五、發明説明（43 ) I T 0 1係一直形成到積層體之側壁，換言之，以覆蓋整 個汲極信號線D L狀形成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 《閘極信號線G L》 閘極信號線G L之截面示於第5 1圖。閘極信號線 GL形成在透明基板SUB 1上，由IT ◦膜gl與Mo 膜g 2之順序雙層膜構成。其側壁形成有向透明基板 S U B 1側成末端擴展狀之緩和之錐形面。 《對向電壓信號線C L》 對向電壓信號線C L之截面示於第5 1圖。對向電壓 信號線C L與閘極信號線G L同樣由I T ◦膜g 1與Μ 〇 膜g 2之順序雙層膜構成，但其中之I Τ 0膜g 1之寬度 較Μ 〇膜g 2寬，而具有對向電極C T之功能。 《汲極端子部D T Μ》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 汲極端子部D Τ Μ之截面示於第5 2圖。汲極信號線 DL係由半導體層AS、高濃度層do、Μο膜cU、 I T ◦膜I Τ〇1之順序積層體所構成，該I Τ〇膜 I Τ ◦ 1係一直形成到積層體之側壁。 在覆蓋此汲極信號線D L之保護膜P S V開孔，使上 述I Τ ◦膜之表面露出，便可形成閘極端子部G Τ Μ。 《製造方法》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 6 583432 A7 B7 五、發明説明（44) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 第5 3圖（a )至（d )係表示上述液晶顯示裝置之 製造方法之一實施例之製程圖，係表示薄膜電晶體T F T 及對向電極C T之部分。 首先，如第5 3圖（a )所示，在透明基板sub 1 之表面形成閘極信號線G L、 對向電極C T、對向電壓信號線C L後，形成覆蓋這 些之閘極絕緣層G I 〇 在絕緣層G I之上面依序積層半導體層a S ,高濃度 層d 〇，Μ 〇膜d 1 ,以上述之抗鈾劑回流方式形成薄膜電 晶體T F T及汲極信號線D L。 在如此形成之透明基板S U B 1之整個表面形成 I T ◦膜I TO 1，再於其表面之相當於像素電極ρχ之 .形成領域部分形成光致抗蝕膜P R E S。 接著，以此光致抗蝕膜P R E S爲掩罩，蝕刻I T〇

膜I T〇1，如第5 3圖（b )所示，形成像素電極p X 〇 如第53圖（c)所示，形成保護膜PSV。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而如第5 3圖（d )所示，經由未圖示之光處理製程 在保護膜P S V上開孔，形成在像素領域之周邊以外之中 央部未形成保護膜P S V之架構。 再者，在此保護膜P S V開孔時，也同時進行閘極端 子部G T Μ及汲極端子部D T Μ之開孔。 再者，上述實施例係以鉬（Μ 〇 )構成汲極信號線 DL、汲電極SD1、源電極SD2之導電層3!，但以其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -47 - 583432 A7 B7 五、發明説明（45 ) 他之咼融點金屬，例如鎢（W )、絡（c r )、鈦（T i )、鉬（T a )取代此材料時，也可以收到同樣之效果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 也可以用I Z〇（Indium-Zinc-Oxide)膜取代I T〇膜。 從以上之說明可以暸解，依據本發明之液晶顯示裝置 時，可以獲得配線比電阻很小之信號線。 同時，依據本發明之液晶顯示裝置時，基板之液晶側 之面不會有很多急峻之台階差。 同時，依據本發明之液晶顯示裝置之製造方法時，可 以減少其製程數。 / 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之一實施 例之平面圖。 第2圖係第1圖之2 - 2線之截面圖。 第3圖係第1圖之3 - 3線之截面圖。 第4圖係第1圖之4 - 4線之截面圖。 第5圖係第1圖之5 - 5線之截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖係第1圖之6 - 6線之截面圖。 第7圖係表示第1圖所示閘極信號線之製造方法之一 實施例之製程圖。 第8圖係表示第1圖所示薄膜電晶體之製造方法之一 實施例之製程圖。 第9圖係表示第1圖所示液晶顯示裝置之製造方法之 一實施例之製程圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 48 583432 A7 ____ B7 五、發明説明（46 ) 第1 0圖係表示第1圖所示液晶顯示裝置之製造方法 之一實施例之表。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其薄膜電晶體之截面之圖。 第1 2圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其汲極信號線及其附近之截面之圖。 第1 3圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其閘極端子部之截面之圖。 第1 4圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其汲極端子部之截面之圖。 第1 5圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其薄膜電晶體之製造方法之一實施例之製程 .圖。 第1 6圖係表示本發明之液晶顯示裝置之製造方法之 一實施例之製程圖。 第1 7圖係表示本發明之液晶顯示裝置之製造方法之 一實施例之表。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 8圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其薄膜電晶體之截面之圖。 第1 9圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其汲極信號線及其附近之截面之圖。 第2 0圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其閘極端子部之截面之圖。 第2 1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -49- 583432 A7 ___ B7__ 五、發明説明（47) 之圖，係表不其汲極端子部之截面之圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 2圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 之圖，係表示其薄膜電晶體之製造方法之一實施例之製程 圖。 第2 3圖係表示本發明之液晶顯示裝置之製造方法之 一實施例之製程圖。 第2 4圖係表示本發明之液晶顯示裝置之製造方法之 一實施例之表。 第2 5圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之一實 施例之平面圖。 第2 6圖係第2 5圖之2 6 - 2 6線之截面圖。 第2 7圖係第2 5圖之2 7 - 2 7線之截面圖。 第2 8圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之一實 施例之平面圖。 第2 9圖係第2 5圖之2 9 - 2 9線之截面圖。 第3 0圖係第2 5圖之3 0 - 3 0線之截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3 1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之像素之一實 施例之平面圖。 第3 2圖係第2 5圖之3 2 - 3 2線之截面圖。 第3 3圖係第2 5圖之3 3 - 3 3線之截面圖。 第34圖係第25圖之34-34線之截面圖。 第3 5圖係表示第2 5圖所示液晶顯示裝置之閘極端 子部之一實施例之截面圖。 第3 6圖係表示第2 5圖所示液晶顯示裝置之汲極端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） " -50- 583432 A7 B7 五、發明説明（48 ) 子部之一實施例之截面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3 7圖係表示第2 5圖所示液晶顯示裝置之薄膜電 晶體之製造方法之一實施例之製程圖。 第3 8圖係表示第2 5圖所示液晶顯示裝置之一實施 例之製程圖。 第3 9圖係表示第2 5圖所示液晶顯示裝置之一實施 例之表。 第4 0圖係表示本發明液晶顯示裝置之像素之一實施 例之平面圖。 第4 1圖係第4 0圖之4 1 - 4 1線之截面圖。 第4 2圖係第4 0圖之4 2 - 4 2線之截面圖。 第4 3圖係表示半曝光方式之說明圖。 第44圖係40圖之44-44線之截面圖。 第45圖係40圖之45 - 45線之截面圖。 第4 6圖係表示第4 0圖所示薄膜電晶體之製造方法 之一實施例之製程圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4 7圖係表示第4 0圖所示薄膜電晶體之製造方法 之一實施例之製程圖，係第4 6圖之續圖。 第4 8圖係表示第4 0圖所示薄膜電晶體之製造方法 之一實施例之製程圖，係第4 7圖之續圖。 第4 9圖係表示本發明液晶顯示裝置之像素之其他寶 施例之平面圖。 第5 0圖係第4 9圖之5 0 - 5 0線之截面圖。 第5 1圖係第49圖之5 1 - 5 1線之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 51 583432 A7 B7 '--------- 五、發明説明（49 ) 第5 2圖係第4 9圖所示之汲極端子部之截面圖。 第5 3圖係表示第4 9圖所示薄膜電晶體之製造方法 $〜實施例之製程圖。 第5 4圖係表示本發明之液晶顯示裝置之等效電路之 〜實施例之圖。 主要元件對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S u B 透 明 基 板 G L 閘 極 信 號 線 D L 汲 極 信 號 線 T F T 薄 膜 電 晶 體 C a d d、 C S t g P X 像 素 電 極 C T 對 向 電 極 C L 對 向 電 壓 信 號線 I T 〇 I T 〇 膜 A S 半 導 體 層 d 0 高濃度層 d c ) Mo 層 B M 里 y i \ \ 色矩 陣 G I 絕 緣 層 S K D 遮 光 膜 P s V 保 護 膜 〇 R I 排 向 膜 電容元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 52

Claims (1)

1. 583432 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 :——一…-:第90122362號專利申請案 :乂、4 ' 中文申請專利範圍修正本 \ , 民國92年8月22日修正 1 · 一種液晶顯示裝置，其特徵在於， 在介由液晶（L C )成對向狀配置之各基板（S U B 1 ，S U B 2 )中之一方基板之液晶側之像素領域，具備有 :藉由閘極信號線（G L )供給掃描信號而驅動之薄膜電 晶體（T F T );及經由此薄膜電晶體（T F T )由汲極 信號線（D L )供給影像信號之像素電極（P X )， 上述閘極信號線（G L )係至少由，形成在上述基板 面之ITO膜、IZO膜中之任一種（gl)，及形成在 此I T ◦膜或I Z ◦膜之上層之Mo層、W層、Cr層、 T i層、T a層中之任一種，或該等之合金層之多層構造 C g 2 )，所構成。 2 . —種液晶顯示裝置，其特徵在於， 在介由液晶（L C )成對向狀配置之各基板（S U B 1 ，S U B 2 )中之一方基板（S U B 1 )之液晶側之像素 領域，具備有：藉由閘極信號線供給掃描信號（G L )而 驅動之薄膜電晶體（T F T );及經由此薄膜電晶體（ T F T )由汲極信號線（D L )供給影像信號之像素電極 (P X )， 上述閘極信號線（G L )係至少由，形成在上述基板 面之IT ◦膜、IZ0膜中之任一種（gl)，及形成在 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 此IT〇膜或I Z〇膜之上層之Mo層、W層、Cr層、 T i層、T a層中之任一種，或該等之合金層之多層構造 (g 2 )，所構成， 上述像素電極（P X )係形成在以上述薄膜電晶體（ T F T )之閘極絕緣膜（G I )作爲一領域之絕緣膜上。 3 ·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中， 薄膜電晶體係由，連接在閘極信號線之閘電極、閘極絕緣 膜、半導體層、形成在此半導體層之上面之一對電極之順 序積層體構成，上述像素電極因其延伸端形成在上述半導 體層之上面，藉此構成上述電極中之一方。 4 · 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於，包 含有： 在基板上形成由透明導電膜及金屬膜之順序積層體構 成之閘極信號線之製程； 形成連同上述閘極信號線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 使用抗鈾劑回流（resist reflow )方式，選擇性飽刻上 述導電層及高濃度層，形成薄膜電晶體之汲電極及源電極 、汲極信號線，同時，選擇性蝕刻上述半導體層之製程； 形成一部分直接與上述薄膜電晶體之源電極重疊之透 明導電膜構成之像素電極之製程；以及， 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   -2- 583432 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 在保護膜開孔時，同時在閘極端子部及汲極端子部開 5 ·如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置之製造方 法，其中，抗蝕刻劑回流方式包含：在薄膜電晶體之汲電 極及源電極、汲極信號線之形成領域上形成光致抗鈾（ photo-resist)膜之製程；以該光致抗蝕膜作爲掩罩進行鈾 刻之製程；令該光致抗鈾膜下垂使其至少在汲電極與源電 極之間有光致抗蝕膜存在之製程；以及，以下垂之光致抗 蝕膜作爲掩罩進行蝕刻之製程。 6 .如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置之製造方 法，其中，在形成像素電極時，在汲極信號線之汲極端子 部之形成領域，同時被覆透明導電膜。 7 · —種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於，包 含有： . 在基板上形成由透明導電膜及金屬膜之順序積層體構 成之閘極信號線之製程； 形成連同上述閘極信號線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 使用半曝光方式，選擇性蝕刻上述導電層及高濃度層 ，形成薄膜電晶體之汲電極及源電極、汲極信號線，同時 選擇性蝕刻上述半導體層之製程； 形成一部分直接與上述薄膜電晶體之源電極重疊之透 明導體膜構成之像素電極之製程；以及， 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一" -3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程 ϊ 在保護膜開孔時，同時在閘極端子部及汲極端子部開 孔。 8 ·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置之製造方 法，其中，半曝光方式包含：在薄膜電晶體之汲電極及源 電極、汲極信號線之形成領域上形成膜厚度很厚之光致抗 蝕膜，及在上述汲電極與源電極間之領域上形成膜厚度很 薄之光致抗蝕膜之製程；以及，以該光致抗蝕膜作爲掩罩 進行蝕刻之製程。 9 _如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置之製造方 法，其中，在形成像素電極時，在汲極信號線之汲極端子 部之形成領域，同時被覆透明導電膜。 1 〇 · —種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於，· 包含有： 在基板上形成由透明導電膜及金屬膜之順序積層體構 成之閘極信號線之製程； 形成連同上述閘極信號線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 令薄膜電晶體之汲電極之形成領域、源電極之形成領 域、此等各電極間之領域、汲極信號線之形成領域之上述 半導體層、高濃度層、導電層殘存下來，而進選擇性蝕刻 之製程； 本紙張;？Jt適用中國國家標率（CNS ) A4胁（210X297公瘦) "" -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 形成構成像素電極之透明導體電膜之製程； 令薄膜電晶體之汲電極之形成領域、源電極之形成領 域、汲極信號線之形成領域、像素電極之形成領域之上述 透明電極膜殘存下來，而進行蝕刻之製程； 以殘存下來之上述透明電極作爲掩罩，選擇性蝕刻汲 電極及源電極間之上述導電層、高濃度層之製程；以及， 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程； 在保護膜開孔時，同時在閘極端子部及汲極端子部開 孔。 · 1 1 · 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於， 包含有： 在基板上形成透明導電膜及一部分重疊在此透明導電 膜之導電層，藉由上述透明導電膜之單層形成對向電極， 及藉由上述透明導電膜與導電層之積層體形成閘極信號線 及對向電壓信號線之製程； 形成連同上述對向電極、對向電壓信號線、閘極信號 線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 使用抗蝕劑回流方式，選擇性蝕刻上述導電層及高濃 度層形成薄膜電晶體之汲電極及源電極、汲極信號線，同 時選擇性蝕刻上述半導體層之製程； 形成一部分直接重疊在上述薄膜電晶體之源電極之透 明導電膜構成之像素電極之製程；以及， 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -5- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 6 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程 在保護膜開孔時，同時在閘極端子部及汲極端子部開 孔。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置之製 造方法，其中，抗蝕刻劑回流方式包含：在薄膜電晶體之 汲電極及源電極、汲極信號線之形成領域上形成光致抗鈾 膜之製程；以該光致抗蝕膜作爲掩罩進行鈾刻之製程；令 該光致抗蝕膜下垂使其至少在汲電極與源電極之間有光致 抗蝕膜存在之製程；以及，以下垂之光致抗蝕膜作爲掩罩 ，進行蝕刻之製程。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置之製 造方法，其中，在形成像素電極時，在汲極信號線之汲極 端子部之形成領域同時被覆透明導電膜。 1 4 · 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於， 包含有： 在基板上形成透明導電膜及與此透明導電膜部分重疊 之導電層，藉由上述透明導電膜之單層形成對向電極，及 藉由上述透明導電膜與導電層之積層體形成閘極信號線及 對向電壓信號線之製程； 形成連同上述對向電極、對向電壓信號線、閘極信號 線一倂覆蓋之絕緣膜之製程； 在上述絕緣膜上形成半導體層、高濃度層、導電層之 順序積層體之製程； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 583432 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 使用半曝光方式，選擇性蝕刻上述導電層及高濃度層 ，形成薄膜電晶體之汲電極及源電極、汲極信號線，同時 選擇性蝕刻上述半導體層之製程； 形成一部分直接與上述薄膜電晶體之源電極重疊之透 明導電膜構成之像素電極之製程；以及， 形成保護膜，在此保護膜開孔供像素電極露出之製程 在保護膜開孔時，同時在閘極端子部及汲極端子部開 孔。 · 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示裝置之製 造方法，其中，半曝光方式包含：在薄膜電晶體之汲電極 及源電極、汲極信號線之形成領域上形成膜厚度很厚之光 致抗蝕膜，及在上述汲電極與源電極間之領域上形成膜厚 度很薄之光致抗蝕膜之製程；以及，以該光致抗蝕膜作爲 掩罩進行蝕刻之製程。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示裝置之製 造方法，其中，在形成像素電極時，在汲極信號線之汲極 端子部之形成領域，同時被覆透明導電膜。 1 7 · —種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於， 包含有： 在基板上形成第1材料層及第2材料層之順序積層體 之製程； 在上述積層體之上面形成光致抗蝕膜，使用半曝光， 在第1領域形成膜厚度很厚之光致抗蝕膜，在第2領域形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇ϋ97公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   -7 - 583432 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成膜厚度很薄之光致抗蝕膜之製程； 以上述光致抗蝕膜作爲掩罩蝕刻第2材# g _ {吏 上述膜厚度小之光致抗蝕膜消失之製程；以及^ 以上述第2材料層作爲掩罩蝕刻第1材料μ $ _胃> 而在上述基板上之第1領域形成第1材料層&胃2材· 料層之順序積層體，在第2領域形成第1材料層上@i 材料層爲I TO膜，上述第2材料層爲M〇層、w層、c r層、Ti層的其中之一層或該等的合金層。 1 8 · —種液晶顯示裝置之製造方法，該液晶顯示裝 置係在藉由液晶成對向狀配置之各基板中之一方基板之液 晶側之面上，由向X方向延伸並排設於y方向之聞極信號 線，及向y方向延伸並排設於X方向之汲極信號線所圍之 像素領域， 備有，由一方之閘極信號線之聞極信號所驅動之轉接 元件、經由此轉接元件供給汲極信號線之影像信號之像素 電極、及與此像素電極之間產生電場之對向電極，其特徵 在於，包含有： 在上述一方之基板上形成第1材料層及第2材料層之 順序積層體之製程； 在上述積層體之上面形成光致抗蝕膜，使用半曝光方 式，在閘極信號線之形成領域形成膜厚度很厚之光致抗蝕 膜，在對向電極之形成領域形成膜厚度很薄之光致抗蝕膜 之製程； 以上述光致抗蝕膜作爲掩罩，蝕刻第2材料層，同時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ

   8 583432 〇 層或該等 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 9 使上述膜厚度小之光致抗蝕膜消失之製程；以及， 以上述第2材料層作爲掩罩，蝕刻第1材料層之製程 上述第1材料層爲I TO膜，上述第p料、r 声w ^ Γ 上述弟2材料層爲Μ W層、Cr層、Ti層、丁 a層的其中之 的合金層。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項 示裝曆：> 制、、生卡、土 廿r+n /.a* _ 8項之液晶顯 丁欢置之製坦方法，其中，第丨材料層係 2材料層係由Μ 〇層，所構成。 '、 Τ〇膜，第 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 一 9-