經濟部中央標準局員工消費合作社印製 293ί73 Λ7 Β7 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於一種電極配線形成於基板上之電極基板 ，例如關於一種使用於液晶顯示裝置之顯示裝置用陣列基 板及其製造方法。 〔以往之技術〕 近幾年，液晶顯示裝置所代表之平面顯示裝置，係與 CRT等之顯示裝置相比較，活用輕量，薄型，低耗電等 之特徵，被利用在電視顯示裝置，電腦顯示裝置，汽車導 航系統用顯示裝置等之各種領域。 其中，在每一各該顯示像素使用TFT (Thm-Film-Transistor)或 MIM(Meta.-Insulator-Metal )元件等之交 換元件所成的主動矩陣型顯示裝置，係可實現在鄰接像素 間之無串音的良好之顯示畫像，故盛行硏究與開發。 在每一各顯示像素作爲交換元件使用TF T所成的主 動矩陣型液晶顯示裝置爲例子，簡述以往之技術。 主動矩陣型液晶顯示裝置係在複數像素電極矩陣狀， 地配列之陣列基板，及與對向電極所形成之對向基板之間 隙封入作爲光調變層的液晶組成物所構成。該陣列基板係. 在玻璃基板等之透明絕緣基板上經由其源電極連接於複數 之TF T及這些TF T的複數之像素電極。在該陣列基板 上，配設有共通連接於行方向地配列之各TF T之閘電極 的4 8 0條掃描線，及共通連接於列方向地配列之各TF T之汲電極的6 4 0 X 3條之信號線，以及經由絕緣層配 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------f 裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ^93173 B7 五、發明説明（2 ) 成相對於像素電極而構成補動電容〇5的4 8 0條補助電 容線等。 然而，近幾年，在液晶顯示裝置所代表之平面顯示裝 置，對於顯示領域之對角超過例如10英吋之大型者被要 求實現高精細之顯示畫像°爲了實現該要求’須要大型又 高精細之顯示裝置用陣列基板。然而’因該陣列基板係大 型，因此，在陣列基板之製造過程的曝光處理過程中，因 受曝光裝置之大小之限制，無法一併曝光全面基板。因此 須將一陣列基板之全曝光禪域分成複數段領域，例如第1 圖所示，合成四個領域A 1至A4來施行曝光。 表示於第1 A圖之四個領域係分別表示：藉由第1曝 光過程所曝光的第1領域A1 ，藉由第2曝光過程所曝光 的第2領域A2，藉由第3曝光過程所曝光的第3領域 A3 ，及藉由第4曝光過程所曝光的第4領域A4。又， 在第1領域A 1及第2領域A2之間，形成有互相重複地 被曝光的雙重曝光領域A 1 +A 2。藉由形成有雙重曝光 領域，防止未曝光部分形成在曝光領域之間的曝光遺漏。 同樣地，在領域A1與領域A3，領域A3與領域A4， 領域A 2與領域A 4也具有分別互相重複地被曝光的雙重 曝光領域 A1+A3，A3+A4 ，A2+A4。 然而，因在上述段曝光方法之雙重曝光領域A 1 + A2 ，A1+A3，A3+A4 ，及 A2+A4 ，係至少 使用兩個不相同之掩蔽分別施以曝光，因此在這些雙重領 域之配線模式，係以掩蔽對準誤差等之曝光誤差作爲原因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） --------{威------，訂------(二 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印製 A7 ^3173 __B7 五、發明説明（3 ) 而與其他領域相比較，成爲產生斷線等之配線不良的比率 極高。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如，在玻璃基板上形成電極配線時，將堆稹於玻璃 基板上之鋁薄膜藉圖型形成有電極配線。在該圖型形成， 塗布光致抗蝕劑在鋁薄膜上，該光致抗蝕刻劑被烘乾後， 使用規定所定之配線圖型俾選擇性地曝光光致抗蝕劑。在 段曝光方法，準備具有相對應於形成在複數曝光領域之配 線之固有模式的複數掩蔽。在第1 B圖，分別表示藉由形 一電極配線所用之第1曝光過程所曝光的第1曝光像 RP 1 ，及藉由第2曝光過程所曝光的第2曝光像RP 2 。第1 B圖之第1曝光像RP 1及第2曝光像RP 2係相 當於藉由規定各該曝光領域用之配線模式的掩蔽，施以掩 蔽之領域。在該曝光過程所感光之領域的光致抗蝕劑，係 藉顯像處理加以除去，露出鋁薄膜。然後，藉蝕刻處理， 除去所露出之鋁薄膜，僅留相當於配線圖型之部分的鋁薄 膜。又，除去光致抗蝕劑，形成有電極配線。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 此時，因曝光像RP 1，RP 2係掩蔽間之對位精度 ，基板之偏位或掩蔽本體之精確度互相不同等之原因，而 如第1 B圖所示，第1曝光像RP 1之配線寬W1與第2 曝光像RP 2之配線寬W2不同，或是在曝光像互相產生 偏位之情事，由此，如第1C圖所示，依第1曝光像 RP1所圖型形成之電極配線之配線寬W1 0 ，及依第2 曝光像RP 2所圖型形成之電極配線之配線寬W2 0係互 相不同。 本紙浪尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） ^3173 A7 ___B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，在以第1曝光過程與第2曝光過程分別曝光的雙 重曝光領域A1+A2，因分別依第1曝光像RP1與第 2曝光像RP 2被圖型形成，因此如第1 C圖所示，隨掩 蔽間之對準精度，基板之偏位或掩蔽本體之精確度之相差 ，電極配線之配線鸾W 3變極挾小或有斷線等不良之問題 。這種問題係在其他之雙重曝光領域也有同樣發生之可能 性。 〔發明之概要〕 本發明之目的係在於提供一種具有難產生斷線等之缺 陷之構造的電極基板及其電極基板之製造方法。又，本發 明之目的係在於提供一種可確保高製造產品不良率的顯示 裝置。 依照本發明，提供一種電極基板，其特徵爲：具備 具有藉具導電性之構件所形成的第1配線圖型，及位 於與該第1配線圖型相同平面上，藉與第1配線圖型相同 構件所形成的第2配線圖型的第1導體層，及 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 具有積層於上述第1配線圖型之一部分，且藉具有導 體性之構件所形成的第3配線圖型。及積層於未積層有該. 第3配線圖型之上述第1配線圖型之其他一部分，上述第 2配線圖型，及上述第1配線圖型與第2 IB線圖型之境界 領域，藉與上述第3配線圖型相同構件所形成的第4配線 圖型的第2導體層。 又，依照本發明，提供一種使用於顯示裝置之電極基 本紙張尺度逋用中國國家橾牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明説明（5 ) 板，其特徵爲：具備 具有至少一個實質上平坦面的絕緣體，及 矩陣狀地配列於上述絕緣體之平坦面上的複數像素電 極，及 形成於上述絕緣體之平坦面上，具有藉具導電性之構 件所形成的第1配線圚型，及位於與該第1配線圖型相同 平面上，藉與第1配線圖型相同構件所形成的第2配線圖 型的第1導體層，及 具有積層於上述第1配線圖型之一部分，且藉具有導 體性之構件所形成的第3配線圖型。及稹層於未積層有該 第3配線圖型之上述第1配線圖型之其他一部分，上述第 2配線圖型，及上述第1配線圖型與第2配線圖型之境界 領域，藉與上述第3配線圖型相同構件所形成的第4配線 圖型的第2導體層等。 又，依照本發明，提供一種顯示裝置，其特徵爲：具 備 具有至少一個實質上平坦面的絕緣體，及矩陣狀地配 列於上述絕緣體之平坦面上的複數像素電極，及形成於上 述絕緣體之平坦面上，具有藉具導電性之構件所形成的第. 1配線圖型，及位於與該第1配線圖型相同平面上，藉與 第1配線圖型相同構件所形成的第2配線圖型的第1導體 層，及具有積層於上述第1配線圖型之一部分，且藉具有 導電體性之構件所形成的第3配線圚型。及稹層於未積層 有該第3配線圖型之上述第1配線圖型之其他—部分，上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇 X 2们公釐） ---I - - I - - - - —m ------s H (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 1 A 7 B7 五、發明説明（6 ) 述第2配線圖型，及上述第1配線圖型與第2配線圖型之 境界領域，藉與上述第3配線圖型相同構件所形成的第4 配線圖型的第2導體層的顯示裝置用陣列基板，及 具備對向配置於上述顯示裝置用陣列基板之上述像素 電極之對向電極的對向基板，及 保持在上述顯示裝置用陣列基板與上述對向基板之間 的光調變層等。 又，依照本發明，提供一種使用於顯示裝置之電極基 板的製造方法，其特徵爲：具備 準備具有絕緣層之基板的第1過程，及 在上述絕緣層上堆積第1導電性構件的第2過程，及 將上述第1導電性構件分成複數段領域，且在每一各 段領域圖型形成之同時，藉由多重地圖型形成各段領域之 境界領域來形成第1導體層的第3過程，及 在上述絕緣層及上述第1導體層上堆積第2導體性構 件的第4過程，及 在與以上述第3過程所分成之複數段領域不相同之複 數段領域分成上述第2導電性構件，且在每一各段領域圖 型形成之同時，藉由多重地圖型形成各段領域之境界領域 來形成第2導體層的第5過程等。 具備於本發明之電極基板的電極配線，係具備第1及 第2配線圖型，及電氣性連接於該第1及第2配線圚型上 並予以積層的第3及第4配線圖型。而且，在第1配線圖 型與第2配線圖型之境界領域，稹層有一連串之第4配線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------^^------ΐτ------^ (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) -9 - A7 S93t73 _____B7 五、發明説明（7 ) 圖型，又在第3配線圇型與第4配線圖型之境界領域，稹 層有一連串之第1配線圖型。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，若即使在第1配線圚型與第2配線圖型之境界 領域，或第3配線圖型與第4配線圖型之境界領域之任何 —方產生斷線等之配線不良，也因各該第4配線圖型，或 第1配線圖型能冗餘地功能，故電極配線本體不會有斷線 之情形。 又，若即使在第1配線圚型與第2配線圚型之境界領 域，及第3配線圖型與第4配線圖型之境界領域同時地產 生斷線時，第1及第2配線圖型與第3及第4配線圖型係 因位於平面上互相不相同之領域，因此，電極配線本體仍 不會有斷線之情形。 〔實施例〕 以下，參照圇式說明本發明之一實施例的主動矩陣型 液晶顯示裝置。 經濟部"央標準局員工消費合作杜印製 第2圖係表示本發明之一實施例的顯示裝置用陣列基 板的一部分概略平面圖。又，第3圖係表示沿著第2圖之 I I I - I I I線切剖的主動矩陣型液晶顯示裝置的概略 剖面圇，第4圖係表示沿著第2圖之I V— I V線切割的 主動矩陣型液晶顯示裝置的概略剖面圖。 如第2圖所示，在顯示裝置用陣列基板1 〇 〇 ’胃（ 6 4 0X3 ) X4 8 0個之像素電極1 5 1矩陣狀地配列 在例如玻璃基板等之透明基板1 Ο 1上。又，6 4 0X3 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 經濟部t-央標準局負工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 條之信號線Xi (i=l，2，......... 1920)，係沿 著這些像素電極1 5 1之列分別形成。又，4 8 0條掃描 線Yj ( j =1 ，2，......... 4 8 0 )，係沿著這些像素 電極1 5 1之行分別形成。又，在顯示裝置用陣列基板 1 0 0，鄰接於各信號線X i與掃描線Yj之交點部分， 形成冇（640X3) X480個之TFT131 °藉由 I TO ( Indium Tin Oxide)膜所形成之各像素電極 151 ，係分別電氣地連接於各TFT131之源極 14 1° TFT1 3 1係形成在掃描線Yj上而將掃描線Yj 之一部分成爲閘極。該TFT131係具備半導體膜 1 2 3，通道保護膜1 2 5，歐姆接觸膜1 2 7，1 2 9 ，源極1 4 1及汲極1 4 3。半導體膜1 2 3係例如由非 晶質矽（a — S i :H)薄膜所形成，而且經由堆積於掃描 線Yj上之二氧化矽（S i 〇2)所形成之絕緣膜1 2 1 配成相對向於掃描線Yj之狀態。通道保護1 2 5係由矽 氮化膜（S i Nx)所形成，自己整合（self-align)而 .配置在半導體膜1 2 3上。歐姆接觸膜1 2 7，1 2 9係 由例如n+型非晶質矽薄膜（n+a — Si :H)所形成。 源極1 4 1及汲極1 4 3係由鉬（MO)膜與鋁（A1 ) 膜之積層體所形成。源極141係經由堆稹在半導體膜 1 2 3及通道保護膜1 2 5上之歐姆接觸膜1 2 7電氣連 接半導體膜1 2 3與像素電極1 5 1。汲極1 4 3係經由 堆稹在半導體膜1 2 3及通道保護膜1 2 5上之歐姆接觸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21QX297公釐） ( 裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 A7 B7 五、發明説明（9 ) 膜1 2 9電氣連接半導體膜1 2 3與信號線X i。該汲極 1 4 3係形成作爲信號線X i之一部分。 又，4 8 0條之補助容量線C j ( j = 1 ，2 ......... 480)，係與掃描線Yi概平行地配置，且經由藉二氧 化矽（S i 〇2)所形成的絕緣膜1 2 1對向地配置於像 素電極1 5 1。在像素電極1 5 1與補助電容線C j之間 形成有補助電容C s。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 掃描線Yj係由配線寬5微米之第1導體層1 0 3 ， 及配線寬9微米之第2導體層1 0 7所形成。又，補助電 容線Cj也同樣地，由配線寬10微米之第1導體層 1 1 5，及配線寬1 4微米之第2導體層1 0 9所形成。 作爲掃描線之第1導體層1 0 3及作爲補助電容線之第1 導體靥1 0 5 ，係藉圖型形成堆稹在基板1 0 1上之鋁（ A1 )所形成，又，作爲掃描線之第2導體層1 0 7及作 爲補助電容線之第2導體層1 0 9 ，係由鉬（Mo )—钽 (Ta )合金所形成，爲了防止產生於第1導體層1 〇 3 ’ 1 〇 5之腐蝕等，被覆這些第1導體層1 〇 3，1 0 5 形成積層。作爲第1導體層1 〇 3，1 0 5藉使用鋁（ A1) ’即使裝匱成爲大型，裝置之配線層也充分地被低 電阻化。 又，作爲第2導體層1 0 7及1 0 9 ，可使用鉬與髙 融點金屬之合金，除了鉬一鉅合金之外，鉬一鎢合金也可 使用。 信號線Xi係由配線寬3微米之第1導體層111 ， 本紙浪尺度逋用中國國家榡準（CNS ) A4規格（21〇χ297公兼） 12 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 10) 1 | 具 有 與 第 1 導 體 層 1 1 1 相 同 之 配 線 寬 之 第 2 導 體靥 1 1 1 1 3 9 具 有 與 第 2 導 體層 1 1 3 相 同 之 配 線 寬 之第 3 導 1 1 體 層 1 1 5 及 配 線 寬 5 微 米 之 第 4 導 體 厝 1 1 7所 形 成 1 I 請 1 〇 作 爲 信 號 線 之 第 1 導 Htte 體 層 1 1 1 係 由 半 導 體 膜 1 2 3 9 先 閲 1 I 例 如 非 晶 質 矽 ( a — S i • Η ) 薄 膜 所 形 成 0 第 2導 糖 層 背 τέ \ 1 I 1 1 3 係 由 歐 姆 接 hta 觸 膜 1 2 7 > 例 如 η +型非晶質矽薄 之 注 意 1 1 1 膜 ( η 1 - -S * [ Η ) 所形成 ，堆積在第] L導體層 事 項 1 I 再 1 1 1 上 〇 第 3 導 體 層 1 1 5 ， 係 藉 由 圖 型 形 成 堆稹 於 第 填 寫 本 裝 2 導 體 層 1 1 3 上 之 I T 0 膜 所 形 成 〇 又 9 在 該 第3 導 體 頁 1 1 層 1 1 5 之 圖 型 形 成 過 程 中 9 藉 由 圖 型 形 成 堆 稹 於絕 緣 膜 1 | 1 2 1 上 之 I T 0 膜 > 與第 3 導 體 層 .1 1 5 同 時 地形 成 有 1 | 像 素 電 極 1 5 1 0 第 4 導 體 層 1 1 7 係 藉 由 鉬 ( Μ 〇 ) 與 訂 | 鋁 ( A 1 ) 之 稹 層 腰 所 形 成 5 堆 積 成 被 覆 第 1 導 體層 1 1 1 I 1 * 第 2 導 體 層 1 1 3 及 第 3 導 體 層 1 1 5 0 1 1 如 第 3 ΓΒΊ 圖 所 示 9 對 向 基 板 3 0 0 係 具 有 分 別 配置 於 玻 1 A 璃 基 板 等 之 透 明 絕 緣 基 板 3 0 1 上 的 遮 光 膜 3 1 1 ， 濾 色 Γ 片 3 2 1 9 保 護 膜 3 3 1 及 對 向 電 極 3 4 1 〇 遮 光膜 1 | 3 1 1 係 由 例 如 黑 色 樹 脂 鉻 ( C r ) 等 之 金 靥 材料 所 形 1 I 成 5 矩 陣 狀地 配 置 信 號 線 X Ϊ 與 像 素 電 極 1 5 1 之間 隙 9 1 1 I 掃 描 線 Y j 與 像 素 電 極 1 5 1 之 間 隙 及 遮 光 T FT 1 1 1 3 1 上 0 紅 ( R ) ， 綠 ( G ) 及 藍 ( Β ) 之 各 色之 濾 色 1 1 片 3 2 1 係 分 別 配 置 於 遮 光 膜 3 1 1 之 開 □ 部 0 保護 膜 1 1 3 3 1 係 配 置 在 遮 光 膜 3 1 1 及 濾 色 片 3 2 1 上 。對 向 電 1 | 極 3 4 1 係 藉 由 I Τ 0 膜 所 形 成 9 對 向 於 矩 陣 狀 地配 置 之 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -13 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（η ) 像素電極151而配置在保護膜331上。 在顯示裝置用陣列基板1 0 0與對向基板3 0 0之間 ，分別經由定向膜4 0 1 ，4 0 3保持有液晶組成物，例 如扭曲，絲狀型之液晶組成物4 0 0。在各基板1 0 0， 3 0 〇之外表面分別配置有極化板4 1 1 ，4 1 3。成爲 該極化軸互相正交之狀態。 然而，本實施例之液晶顯示裝置1係可顯示畫像的顯 示領域爲對角1 4英时以上。因此，組裝於該液晶顯示裝 置1之顯示裝置用陣列基板1 0 0之各薄膜被圖型形成時 ，無法將該基板1 0 0上之全曝光領域一併曝光成優異精 度。 擬圖型形成各薄膜時，透明絕緣基板1 0之全曝光領 域係分割成複數之段領域，依次選擇性地曝光這些段領域 。在本實施例，爲了圖型第1導體層，例如第5圖所示， 形成有藉第1曝光過程所曝光之第1曝光領域A 1 ，藉第 2曝光過程所曝光之第2曝光領域A2，藉第3曝光過程 所曝光之第3曝光領域A3，及藉第4曝光過程所曝光之 曝光領域A 4的四個段領域。 該透明絕緣基板101之全曝光領域，係爲了圖型形 成第2導體層，雖未予圖示惟分割成與表示於第5圖之四 個段領域不相同之四個段領域，亦即被分割成第1曝光領 域A1X，第2曝光領域A2X，第3曝光領域A3X及 第3曝光領域A 4 X。這些段領域係依次選擇性地被曝光 。藉由如上之過程，在先前四段領域施以園型形成之薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部t-央標準局貝工消費合作杜印製 A7 ____B7__ 五、發明説明（i2 ) 上。再被膜有其他之薄膜。 更具體而言，因各曝光領域係經圓形透鏡而被曝光， 如第5圖所示之圓形領域形成作爲可曝光之領域S1 ， s 2，s 3，S 4 ° 這些領域SI ，S2，S3，S43係爲了分別形成 長方形狀之曝光領域A1 ，A2，A3，A4，遮蔽有各 領域S 1 ，S2，S3 ，S4之周邊部分。同樣地，雖未 予圖示，在形成有與曝光領域A1 ，A2，A3，A4不 相同的其他之長方形狀之曝光領域A1X，A2X，A3 X，A4X的曝光領域A1 ，A2，A3，A4，分別配 設形成有對應於第1導體層之配線圖型之掩蔽，經由這些 之掩蔽，依次各曝光領域被曝光。亦即，爲了圖型形成第 1導體層，藉由第1曝光過程選擇性地曝光第1曝光領域 A1 ，以下依次選擇性地曝光第2曝光領域A 2，第3曝 光領域A3，第4曝光領域A4。然後，在曝光領域A1 X，A2X，A3X，A4X，分別配置有形成對應於第 2導體層之配線圖型之掩蔽，經由這些之掩蔽，依次曝光 各曝光領域。亦即，爲了圖型形成第2導體層，藉由未予 圖示之其他之第1曝光過程選擇性地曝光第1曝光領域 A1X，以下依次，選擇性曝光第2曝光領域A2X，第 3曝光領域A3X，及第4曝光領域A4X。 在各曝光領域之境界，爲了防止遺漏曝光而未形成未 曝光部分，形成有經雙重曝光之雙重曝光領域。亦即，在 第1曝光領域A1與第2曝光領域A2之境界領域，形成 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ，·ιτ A7 B7 393173 五、發明説明（13 ) (请先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 有互相重複被曝光的雙重曝光領域A 1 +A 2。同樣地， 第1曝光領域A 1與第3曝光領域A3，第3曝光領域A 3與第4曝光領域A4，第2曝光領域A2與第4曝光領 域A 4也具有分別互相重複被曝光的雙重曝光領域A 1 + A3，A3+A4，A2+A4。又在各雙重曝光領域之 一部分形成有多重曝光之領域A1+A2+A3+A4。 在各雙重曝光領域A1.+ A2，A1+A3，A3 + A4，A2+A4 及 A1X + A2X，A1X+A3X， A3X + A4X，A2X + A4X，這些領域之配線寬形 成比其他狹窄，或是產生斷線等之配線不良的可能性較高 。在本實施例，各曝光領域重複地被曝光之寬度，亦即將 重複長度OLL均設成6微米，重複長度〇L L係沒有遺 漏曝光之程度最小者較理想，而形成比相鄰接之像素電極 之一邊長度短較理想。又，這些雙重曝光領域係避開形成 有TFT 1 3 1之領域來設定較理想。 以下，參照第6A圖至第6F圖及第7圖及第1 0圖 ，詳述液晶顯示裝置用陣列基板1 0 0之製造方法。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 首先，如第6A圖所示，在透明絕緣基板101 ，亦 即在玻璃基板上，藉由濺射鋁（A1 )膜被堆稹，又藉由. 圖型形成一併形成作爲4 8 0條掃描線之第1導體層 1 0 3及作爲4 8 0條補助電容線之第1導體層1 0 5。 藉由鋁（A1 )膜所形成之第1導體層1 03 ，1 05之 圖型形成係經由如下過程實行。 亦即，在透明絕緣基板1 0 1上堆積鋁（A1 )膜之 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - A7 ___B7_ 五、發明説明（丨4 ) 後，光致抗蝕劑塗布在該鋁（A1 )膜上，並經烘乾。之 後，該光致抗蝕劑係由第1〜第4曝光過程，依次選擇性 地曝光在如第7圖所示之四個曝光領域Al ，A2，A3 ，A 4。此時，在光致抗蝕劑上，配置規定第1導體層 1 〇 3及1 0 5之配線圖型的掩蔽，經由該掩蔽各曝光領 域被曝光。然後，藉顯像該光致抗蝕劑，僅殘餘對應於配 線圖型之部分的光致抗蝕劑。之後，被除去光致抗蝕劑之 部分的鋁膜藉蝕刻處理被除去。如此，除去所殘餘之光致 抗蝕劑，形成有作爲配線寬5微米之掃描線的第1導體層 1 〇 3及作爲配線寬1 〇微米之補助電容線的第1等體層 10 5° _經濟部"-央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在以第1〜第4曝光過程所曝光之各曝光領域之境界 ’形成有2以上多重曝光之領域。亦即，領域1與領域2 係具有互相地重複且被曝光之雙重曝光領域A 1 +A 2。 同樣地，領域A1與領域A3，領域A3與領域A4，領 域A 2與領域a 4也分別具有互相地重複且被曝光之雙重 曝光領域 A1+A3，A3+A4，A2+A4，又，在 各雙重曝光領域之一部分，包括有被多重曝光之領域。各 雙重曝光領域A1+A2，A1+A3，A3+A4 ， A2+A4之重複長度〇LL係均設定在6微米。雙重曝 光領域Al+A3，A2+A4係設成爲相鄰接之第1導 體層1 〇 3間，更具體而言，設成爲相鄰接之第1導體層 1 〇 3與1 〇 5之間。各雙重領域A1+A2，A1 + A3，A2+A4 ，A3+A4之重複長度〇LL，係可 本紙張尺度適用中國國家榡率（CNS〉A4規格（2ΐ()χ297公慶） ' -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 at B7 五、發明説明（15 ) 隨著掩蔽間之對位精度來決定，惟在1 0微米以下較理想 0
如此所形成之第1導體層1 0 3 ，1 0 5 ，在相當於 雙重曝光領域A1 +A2，A3 + A4之領域Y (A1 + A 2 ) > Y ( A 3 + A 4 ) » C ( A 1 + A 2 ) * C ( A 3+A4)有因掩蔽精度，掩蔽對準偏位，或基板i〇i 之變形等而配線寬變狹窄，或產生斷線。例如在Yj ( A 1 + A 2 )產生斷線。 然後，在形成有該第1導體層1 0 3 ，1 0 5之透明 絕緣基板1Q1上，鉬（Mo)—鉅（Ta)合金膜被堆 積，並被圖型形成。由該圖型形成過程，如第6 B圖所示 ，——併形成有作爲被覆第1導體層1 0 3之配線寬9微米 之掃描線的第2導體層1 0 7，及作爲被覆第1導體層 1 0 5之配線寬1 4微米之補助電容線的第2導體層 10 9° 藉鉬（Mo ) -鉅（Ta )合金膜所形成之第2導體 層1 0 7，1 0 9之圖型形成係經以下所述之過程所實行 。亦即，在形有第1導體層1 0 3 ，1 0 5之透明絕緣基 板1 0 1上，鉬（Mo )-钽（Ta )合金膜被堆積之後 ，在該合金膜上塗佈光致抗蝕劑，並加以烘乾。然後，該 光致抗蝕劑係在如第8圖所示之四個曝光領域A1X， A2X，A3X，A4X依次選擇性地被曝光。此時，在 光致抗蝕劑上，配置有規定第2導體層1 〇 7，1 0 9之 配線圖型的掩蔽。經由該掩蔽，各曝光領域被曝光。然後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇x 297公釐） ---------^ 袭-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -18 A7 ____B7_ 五、發明説明（16 ) ，藉該光致抗蝕劑被顯像，僅殘餘對應於配線圖型之部分 的光致抗蝕劑。又，光致抗蝕劑被除去之部分的鉬（Mo 〉_鉅（Ta )合金膜藉蝕刻處理。然後，因所殘餘之光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 致抗蝕劑被除去，而形成第2導體層1 0 7，1 0 9。經 由這種過程，形成4 8 0條掃描線Y j及補助電容線C j 〇 如第8圖所示，第2導體層之圖型形成時之曝光領域 A1X，A2X，A3X，A4X，係設成與第1導體層 之圖型形成時之曝光領域A1 ，A2，A3，A4不相同 。因此，第1導體層之各雙重曝光領域係與第2導體層之 各雙重曝光領域不相同。這些雙重曝光領域係設成爲相鄰 接之第2導體層1 0 7間，更具體而言，設成作爲相鄰接 之掃描線的第2導體層1 0 7與作爲補助電容線的第1導 體層1 0 9之間。 經濟部扣央標隼局員工消費合作社印製 在相當於第2導體層1 0 7，1 0 9之雙重曝光領域 A1X + A2X，A3X，A4X 的領域 Y (A1X + A 2 X ) >Y (Α3Χ+Α4Χ) >C (A1X + A2X) ，C (A3X + A4X) ，也有因掩蔽精度，掩蔽對位偏 位或玻璃基板101之變形等而配線寬變狹窄，或產生斷 線。 因此，例如在作爲掃描線之第2導體層1 0 7之領域 Y i (A1X+A2X)也產生斷線。 在本實施例，第1導體層1 〇 3，1 0 5之雙重曝光 領域A1+A2，A3+A4，與第2導體層1 0 7， 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4规格（210X297公釐) -19 - 293173 at _B7_ 五、發明説明（17 ) 1 0 9之雙重曝光領域A1X+A2X，A3X+A4X ，係形成在平面上互相不相同之位置。亦即，在雙重曝光 領域 Y(A1+A2) ，Y(A3+A4) > C ( A 1 + A 2 ) ，C (A3+A4 )上，形成有一連串之第2導體 層1 0 7，1 0 9，而在雙重曝光領域Y (A1X + A 2 X ) ，Y(A3X + A4X) ，C(A1X + A2X )，（：（A3X + A4X)之下方，形成有一連串之第1 導體層1 0 3，1 0 5。 因此，即使在相當於掃描線Yj之第1導體層1 0 3 之雙重曝光領域A1+A2之領域Yj (A1+A2)產 生斷線，也使掃描線Yj之第2導體層1 〇 7會冗餘地作 用，而防止掃描線Y j之斷線。又，即使在相當於掃描線 Yj之第2導體層1 0 7之雙重曝光領域A1X+A2X 之領域Yj (A1X+A2X)產生斷線，也使掃描線 Yj之第1導體層1 0 3會冗餘地作甩，而防止掃描線 Y j之斷線。 經濟部祚央標隼局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，如第6 C圖所示，在掃描線及補助電容線所形 成之絕緣性基板101上，依次堆積作爲絕緣膜121之 二氧化矽（Si02)，非晶質矽（a — Si :H)薄膜 122,及矽氮化膜（SiNx) 124。然後，矽氮化 膜（SiNx) 12 4係對掃描線丫]_自己整合，該矽氮 化膜1 2 4被圖型形成爲對應於掃描線Yj之配線圖型。 亦即，在矽氮化膜1 2 4上塗佈光致抗蝕劑，經烘乾後， 從玻璃基板101之背面該光致抗蝕劑被曝光。此時，因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐) 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 掃描線Y j作用作爲掩蔽。故光致抗蝕劑係被曝光成相對 應於掃描線之配線圖型。該光致抗蝕劑被顯像之後，矽氮 化膜1 2 4被蝕刻。藉除去所殘餘之光致抗蝕劑，形成有 自己整合於掃描線Yj之二氧化矽1 2 4 ，亦即形成有通 道保護膜1 2 5。 然後，在非晶質矽（a — S i : Η )薄膜1 2 2，及 通道保護膜1 2 5上堆積η+型非晶質矽薄膜（n*a — Si :H) 126。然後，藉非晶質矽（a — Si :H) 薄膜1 2 2及n+型非晶質矽薄膜（n+a_S i : Η) 1 2 6圖型形成，如第6D圖所示，非晶質矽（a — S i :Η)薄膜，亦即半導體膜1 2 3及η +型非晶質矽薄膜 (11+3-3丨：11)12 6島型地形成。又，在該圖型 形成過程，堆積在配線有信號線X i之領域的非晶質矽 薄膜（a_Si :H) 122及n+型非晶質矽薄膜（ n*a_S i : Η) 1 2 6被圖型形成，而以配線寬3微 米形成作爲信號線之第1導體層111及第2導體層 113° 非晶質矽（a — S i : Η )薄膜1 2 2及η —型非晶 質矽薄膜（n*a — Si :Η) 12 6之圖型形成，係分 割成如第7圖所示之4領域A1 ，Α2 ，Α3 ，Α4並實 行0 然後，在絕緣膜1 2 1及η+型非晶質矽薄膜（n+a —S i : Η) 1 2 6上堆積ITO膜，又，藉被圖型形成 ，同時地形成像素電極151及作爲信號線之第3導體層 ^紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) Α4说格（210Χ297公釐） ： -21 - ---------^装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -* 經濟部t-央標準局負工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（19 ) 1 1 5。像素電極1 5 1係配設在絕緣膜1 2 1上，而第 3導體層115係以與第2導體113大約相同之配線寬 配置在相當於第2導體層1 1 3之n+型非晶質矽薄膜（ n+a — S i : Η) 1 2 6上。ITO膜之圖型形成係經 以下所述之過程被實行。 亦即，堆積I TO膜之後，在I TO膜上塗佈光致抗 蝕劑並經烘乾。然後，與第7圖同樣地，光致抗蝕劑係經 由規定配線圖型之掩蔽依次曝灯:如第9圚所示之4領域 A1，A2，A3，A4之後，並被顯像。然後，藉顯像 處理蝕刻被除去光致抗蝕劑之部分的I TO。之後，除去 所殘留之光致抗蝕劑，如第6 E圖及第8圖所示，形成有 像素電極1 5 1及第3導體層1 1 5。 在用於曝光如第9圖所示之4領域A1 ，A2 ，A3 ，A4所用的第1〜第4曝光過程中，領域A1與領域 A 2係具有互相重複地曝光之雙重曝光領域a 1 +A 2。 同樣地，領域A1與領域A3，領域A3與領域A4，領 域A 2與領域A 4也分別具有互相重複地曝光之雙重曝光 領域A1+A3，A3+A4，A2+A4。各雙重曝光 領域 A1+A2，A1+A3，A3+A4，A2+A4 之重複長度O L L係均設成6微米。又，雙重曝光領域 A1+A2 ，A3+A4係相鄰接之第1導體層1 1 1間 ，且設成避開配設有TFT131之領域。又，雙重曝光 領域A 1 + A 3 ，A 2 + A 4係相鄰接之掃描線γ j間， 且設成避開配設有TFT131之領域。又，如上所述， 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS〉A4規格（210X297公慶〉 --------^ _裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 22 經濟部"央標準局員Η消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明（20 ) 各雙重曝光領域A1+A2，A1+A3 ，A2+A4 ， A 3 + A 4之重複長度〇L L，係可隨掩蔽間之對準精度 予以決定，惟在10微米較理想。 在本實施例中，作爲信號線之第1導體層111及第 2導體層113之雙重曝光領域係位於與第3導體層 1 1 5之雙重曝光領域大約相同之位置，惟爲了提髙冗餘 性，各雙重曝光領域係配置在相同平面內互相不相同之位 置較理想。 在相當於如此所形成之第1 ，第2及第3導體層 1 1 1 ，1 1 3 ，1 1 5之雙重曝光領域A1 +A3 ， A2+A4 之領域 X (A1+A3) X (A2+A4)， 因掩蔽精度，掩蔽對準偏位，或基板101之變形等而有 配線寬變狹窄或產生斷線。例如在Xi (A1+A3)會 產生斷線。 然後，連續地藉濺射堆積鋁（Mo )膜與鋁（A1 ) 膜，並予以圖型形成。該圖型形成過程係在如第10圖所 示之4領域A1X，A2X，A3X，A4X實行。藉該 過程，如第6 F圖所示，形成有作爲藉鉬（Mo )膜與鋁 (A1 )膜之積層體所形成之信號線的第4導體層1 1 7 ，及與該第4導體層1 1 7 —體之汲極1 4 3。同時形成 有藉鉬（Mo )膜與鋁（A 1 )膜之積層體所形成之電氣 連接於像素電極1 5 1的源極1 4 1。 又，在該圖型形成過程中，藉將島型之η +型非晶矽 薄膜（n+a — Si :Η) 126與積層體一起施以圖型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐) ---------^ -裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ -23 - 經 濟 部 中· 央 準 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 形成，形成有介設在汲極1 4 3與半導體膜1 2 3之間的 歐姆接觸層1 2 9，及介設在源極1 4 1與半導體膜 1 2 3之間的歐姆接觸層1 2 7。 鉬（Mo )膜與鋁（A1 )膜之積層體，以及島型之 11+型非晶質矽薄膜（11+3-5 1:11)12 6之圖型形 成時的曝光領域A1 X，A2X，A3X，A4X，係如 第1 0圖所示，與ITO膜之圖型形成時之曝光領域A1 ，A2，A3 ，A4，雙重曝光領域設成不相同。又，雙 重曝光領域A1X + A2X，A3X+A4X係相鄰接之 第4導體層117間，且設成避開配設有TFT131之 領域。又，雙重曝光領域AX1+A3X，A2X + A 4 X係相鄰接之掃描線Y j間，且設成避免配設有 T F T 1 3 1之領域。 在相當於藉由鉬（Mo )膜與鋁（A 1 )膜之積層體 所形成的第4導體層117之雙重曝光領域A1X+ A3X，A2X+A4X的領域X(A1X+A3X)， X ( A 2 X + A 4 X )，也在掩蔽精度，掩蔽對準偏位或 基板1 0 1之變形等有配線寬變狹窄，或產生斷線。 又，例如作爲信號線之第4導體層1 1 7之領域X i (A2X+A4X)假定也有產生斷線之情事。 在本實施例中，第1 ，第2及第3導體層111 ， 1 1 3 ，1 1 5之雙重曝光領域A1+A3 ，A2+A4 與第4導體層1 1 7之雙重曝光領域A1X+A3X，A 2X+A4X，係形成平面上互相不相同之位置。亦即， 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 24 - A 7 __ _B7_ 五、發明説明（22) 在第1 ，第2及第3導體層1 1 1 ，1 1 3 ，1 1 5之雙 重曝光領域X(A1+A3) ，X(A2+A4)上，形 成有一連串之第4導體層1 1 7 ，在第4導體層1 1 7之 雙重曝光領域X (A1X + A3X) ，X’（A2X + A4X)之下方，形成有一連串之第1 ’第2及第3導體 1111，113，115° 因此，信號線Xi之第1，第2及第3導體層111 ，：L 1 3 ，1 1 5之雙重曝光領域，例如即使在Xi ( A1 +A3 )產生斷線，則信號線X i之第4導體層 1 1 7也冗餘地作用，而防止信號線X i之斷線。又同樣 地，信號線X i之第4導體層1 1 7之雙重曝光領域，例 如即使在領域Xi (A2X+A4X)產生斷線，則信號 線Xi之第1，第2及第3導體層111 ，113， 1 1 5也冗餘地作用，而防止信號線X i之斷線。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉如第6 A圖至第6 F圖所示之過程，在顯示裝置用 陣列基板1 0 0上形成有TFT1 3 1及像素電極1 5 1 等之配線圖型之後，在陣列基板1 0 0全面地配設定向膜 俾覆蓋這些構件。 又，在玻璃基板1 0 0之背面，亦即在來堆稹TFT 等之面設有所定極化方向的極化板411。 經由上述之過程形成有液晶顯示裝置用陣列基板 10 0° 如上所述，依照本實施例之顯示裝置用陣列基板 1 0 0，可大幅度減輕在段曝光時之信號線X i或掃描線 本紙張尺度適用中國國家棟準（CNS ) A4規格（210X297公慶) 293173 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 23 ) 1 1 Y j 之 斷 線 不 良 等 之 缺 陷 9 可 提 高 製 造 良 品 率 〇 尤 其 是 y 1 1 即 使 將 信 號 線 X i 之 配 線 寬 形 成 5 微 米 9 將 掃 描 線 Y i 之 1 1 配 線 寬 形 成 9 微 米 9 均 形 成 比 1 0 微 米 之 小 又 微 細 之 配 線 1 | 請 1 I 寬 > 也 可 大 幅 地 減 輕 斷 線 不 良 0 藉 如 此 所 製 造 之 顯 示 裝 置 先 閱 1 | 用 陣 列 基 板 1 0 0 組 裝 於 液 晶 顯 示 裝 置 9 可 提 供 可 靠 性 高 讀 背 1 之 1 之 裝 置 0 注 意 1 1 在 本 實 施 例 中 9 信 號 線 X i 係 作 爲 藉 非 晶 質 矽 ( a — 事 項 再 1 S 1 • Η ) 薄 膜 所 形 成 之 第 1 導 體 層 1 1 1 9 及 藉 η +型 填 寫 本 ά 非 晶 質 矽 薄 膜 ( η + j 1 _ -S L Η ) 所形成之第2導體層 頁 1 1 1 1 3 9 及 藉 I Τ 0 膜 所 形 成 之 第 3 導 體 層 1 1 5 9 及 藉 1 1 鉬 ( Μ 0 ) 與 鋁 ( A 1 ) 之 積 層 體 所 形 成 之 第 4 導 體 層 1 | 1 1 7 的 積 層 構 造 〇 但 是 9 第 1 9 第 2 導 體 層 1 1 1 9 訂 | 1 1 3 係 與 T F Τ 1 3 1 之 製 作 同 時 地 形 成 〇 又 9 第 3 導 1 1 I 體 層 1 1 5 係 與 像 素 電 極 1 5 1 之 圖 型 形 成 同 時 地 形 成 〇 1 1 1 因 此 9 製 造 過 程 與 以 往 者 相 比 較 並 不 增 大 〇 1 在 上 述 之 實 施 例 中 ， 雙 重 曝 光 領 域 A 1 + A 2 與 乂 1 A 1 X + A 2 X 9 或 雙 重 曝 光 領 域 A 3 + A 4 與 A 3 X + 1 1 A 4 X 1 係 在 平 面 上 不 曹 互 相 重 複 9 尤 其 是 隔 ΓΤΠ 著 一 信 號 1 | 線 X 1 施 以 曝 光 9 惟 若 在 平 面 上 未 重 複 則 未 隔 信 m 線 1 I X i 也 可 以 〇 同 樣 地 UkUk 雙 重 曝 光 領 域 A 1 + A 3 與 A 1 X 1 1 1 十 A 3 X 或 雙 重 曝 光 領 域 A 2 十 A 4 與 A 2 X 十 A 4 X 9 1 1 係 在 平 面 上 不 會 重 複 9 尤 其 是 9 隔 著 一 掃 描 線 Υ i 施 以 曝 1 1 光 9 惟 若 在 平 面 上 未 重 複 ， 則 未 隔 掃 描 線 Y j 也 可 以 〇 然 1 1 而 9 各 雙 重 曝 光 領 域 至 少 隔 著 一 信 號 線 X 1 或 — 掃 描 線 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26 - 經濟部t-央橾準局員工消費合作杜印製 A7 _B7_ 五、發明説明（24 ) Y j者，未顯著地形成曝光領域之境界。亦即，如此所形 成之陣列基板裝入液.晶顯示裝置時，則在該顯示畫面不容 易視覺地認識曝光領域之境界。 又，在上述之實施例中，因將各曝光領域A1 ，A2 ，A3 ，A4及A1X，A2X，A3X作爲長方形狀， 因此，各曝光領域之境界係成爲直線狀。在依據曝光領域 A 1與A 1 X所形成之領域，及依據曝光領域A 2與 A 2 X所形成之領域，因其掩蔽之精度，基板之變形等之 影礬，因此對TFT之特性，像素電極之影響之寄生電容 等不相同，在顯示狀態產生若平差異，而有各曝光領域之 境界被視覺地認識之情形。 如此，各曝光領域A1 ，A2 ，A3，A4及A1X ，A2X，A3X，A4X並不形成如上述之長方形狀， 例如如第1 1圖所示具有凹凸，藉將各曝光領域之境界成 爲非直線狀，而不容易視覺地認識各曝光領域之境界。亦 即，形成如上述之構成，由於曝光領域之境界領域混存與 曝光領域A 1與A 1 X對應之顯示像素，與曝光領域A 2 與A 2 X對應之顯示像素，與曝光領域A 1與A 2 X對應 之顯示像素，與曝光領域A 1與A 1 X對應之顯示像素， 因此，境界領域係成爲呈現與曝光領域A 1與A 1 X對應 之顯示像素及與曝光領域A 2與A 2 X對應之顯示像素之 中間的顯示狀態之領域。因此，不容易視覺地認識境界。 以下，參照&式說明本發明之其他實施例之主動矩陣 型液晶顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 27 - '經濟部f-央樣準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（25 ) 如第1 0圖所示，本實施例之顯示裝置用陣列基板 5 0 0，係與上述之實施例同樣地，具有例如玻璃等之透 明絕緣基板5 0 1 ，及未予圖示之6 4 0 X 3條的信號線 X i ( i =1，2，......... 1 9 2 0 )及 4 8 0 條掃描線 Y j ( J = 1 ’ 2 ，......... 4 8 0 )。又’顯不裝置用陣 列基板5 0 0 ，係如第1 1圖所示，矩陣狀地配設於透明 絕緣基板5 0 1上，具有藉I TO所形成之複數像素電極 6 7 1。各信號線X i係沿著各像素電極6 7 1之列所形 成。又，各掃描線Yj係沿著各像素電極6 7 1之行所形 成。這些之各信號線X i及各掃描線Y j係配設在透明絕 緣基板5 0 1上成爲互相大的正交之狀態。該顯示裝置用 陣列基板5 0 0係在各信號線X i與各掃描線Y j之交點 部分近旁，具備配設有TFT6 2 1之顯示像素領域 5 1 1。該TFT6 2 1之源極6 8 1係如第1 1圖所示 ，電氣連接於像素電極671。 TFT6 2 1係如第11圖所示，在藉多結晶矽（p _S i )薄膜所形成的半導體膜6 3 1之通道領域6 3 3 上，具有經由藉二氧化矽（S i 02)所形成之閘極絕緣 膜6 4 1所配置的閘極6 5 1。該閘極係電氣連接於掃描 線Y j 。半導體膜6 3 1之汲極領域6 3 5係經由閘極絕 緣膜6 4 1及層間絕緣膜6 6 1電氣連接於信號線X丨。 該信號線X i係具有與像素電極6 7 1同時形成之第1導 體層5 5 1，及配設於該第1導體層5 5 1上之第2導體 層5 5 3。第1導體層5 5 1係與像素電極6 7 1同樣地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------^ i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-28 - 經濟部t-央棣準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（26 ) 藉I TO所形成，而第2導體層5 5 3係藉由鋁所形成。 半導體膜6 3 1之源極領域6 3 7係經由閘極絕緣膜6 4 1 ，及層間絕緣膜6 6 1 ，藉鋁所形成之源極6 8 1電氣 連接在像素電極6 7 1。 各信號線X i係電氣連接在設於透明絕緣基板5 0 1 上之信號線驅動電路部5 2 1。各掃描線Yj係電氣連接 在設於基板5 0 1上之掃描線驅動電路部5 3 1。信號線 驅動電路部5 2 1及掃描線驅動電路部5 3 1係與顯示像 素領域511同時地形成。 本實施例之顯示裝置用陣列基板5 0 0係成膜，光致 抗蝕劑之塗佈及供乾之過程後，如第1 〇圖所示，區劃成 大約4個段領域而重複曝光及圖型形成之過程所形成。 信號線驅動電路部5 2 1及掃描線驅動電路部5 3 1 係分別在內部包括複數之電極配線，惟在各電極配線之雙 重曝光領域，配線變細或產生斷線之可能性較高。 因此，在本實施例之電極配線係以如第1 2圖所示之 構造所形成。在此，將信號線驅動電路部5 2 1內之電極 配線作爲例子加以說明，惟也以同樣之構造形成掃描線驅 動電路部5 3 1之電極配線等之其他電極配線。 亦即，如第1 2圖所示，該電極配線層5 2 3係具有 藉配線寬5微米之I TO所形成之第1配線層5 2 5 ，及 積層於該第1配線層5 2 5上，且藉由與第1配線層 5 2 5相同之配線寬之鋁所形的第2配線層5 2 7。第1 配線層5 2 5係與顯示像素領域5 1 1之像素電極6 7 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 經濟部t·央標準局員工消費合作杜印製 S93173 A7 B7 五、發明説明（27) 同時地形成。在該實施例，雖將第1配線層5 2 5與第2 配線層5 2 7作成相同之配線寬，惟例如將第1配線層 5 2 5之配線寬作爲3微米，並使5微米之配線寬之第2 配線層5 2 7形成被覆第1導體層5 2 5也可以。 第1配線層5 2 5及第2配線層5 2 7係被分割成複 數之段領域而施以圖型形成。此時，相當於第1配線層 5 2 5的雙重曝光領域A1 +A2之領域（A1 +A2 ) 及相當於第2配線層5 2 7的雙重曝光領域A 1X + A2X之領域E (A1X + A2X)，係形成在相同平面 內之互相不相同之領域。 如此，電極配線層5 2 3係藉由至少兩層之導電體層 52 5及5 2 7所形成。且互相電氣地連接。又，各導電 體層之雙重曝光領域，例如A1+A2，及A1X + A 2 X，係形成在相同平面內之互相不相同之領域。因此 ’即使在至少一方之導電體層產生斷線等之配線不良，也 因另一方之導電體層會冗餘地作用，故不會有電極配線層 本體斷線之情事。 這種雙重曝光領域A1+A2，A1X+A2X，係 與顯示像素領域511同樣地，避開構成各驅動電路部 5 2 1 ，5 3 1之TFT等之開關元件予以配置較理想。 此乃位於雙重曝光領域之T F T係與其他T F T相比較有 通路長度或通路寬度不相同，而有損及動作特性本體之可 能性。 又，在本實施例係省略說明，惟在顯示像素領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I ^ I裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -30 - 經濟部t-央標準局員工消费合作社印裝 293173 μ B7 五、發明説明（狀） 5 1 1 ，係可構成與上述之實施例大約同樣。 又，電極配線之構成材料係並不被限定於本實施例者 ，可使用各種電極材料。 上述之實施例，係將非晶質矽（a — S i : H)薄膜 使用作爲半導體層之TFT，及將多結晶矽（p 一 s i ) 薄膜使用作爲半導體之TFT，使用作爲開關元件之情形 爲例子加以說明，惟作爲半導體層除了非晶質矽（a _ S i : Η)薄膜之外，當然也可使用單結晶矽或微結晶矽 者0 又，將作爲開關元件使用TFT之顯示裝置用陣列基 板裝配該基板之主動矩陣型液晶顯示裝置作爲例子加以說 明，惟作爲開關元件係除了 TFT之外，也可適當使用 Μ I Μ等之兩端子非線形元件等。 又，作爲液晶組成物若爲使用聚合物分散型液晶等， 則可不需要定向膜或極化板。 又，在本實施例，係將透過型液晶顯示裝置作爲例子 加以說明，惟若以反射型所構成，則將像素電極代替 I TO膜而以鋁（A 1 )等之高反射材料所形成，或在陣 列基板背面張貼反射板等即可以。 〔圖式之簡單說明〕 第1 A圖係表示用於說明將大型基板曝光所用之段曝 光過程的概略平面圖， 第1 B圖係表示藉由段曝光所形成之一電極配線之曝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） ----.-----------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 經濟部t-央標準局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（29 ) 光像的平面圖， 第1C圖係表示隨表示於第1B圖之曝光像所形成之 配線圖型的平面圖， 第2圖係概略地表示本發明之一實施例之液晶顯示裝 置用陣列基板之一部分的平面圖， 第3圖係概略地表示沿著第2圖中之I I I_I I I 線切剖之主動矩陣型液晶顯示裝置的剖面圖， 第4圖係概略地表示沿著第2圖中之I V_ I V線切 剖之主動矩陣型液晶顯示裝置的剖面圖， 第5圖係表示用於說明本發明之一實施例的顯示裝置 用陣列基板之段曝光過程的概略平面圖， 第6A圖至第6 F圖係表示用於說明表示於第2圖的 顯示裝置用陣列基板之製造過程的一部分概略剖面圖， 第7圖係表示用於說明將包括在表示於第3圖之液晶 顯示裝置之掃描線及補助電容線的第1導體層予以圖型形 成所用之第1段曝光過程的一部分概略平面圖， 第8圖係表示用於說明在表示於第7圖之第1導體層 上再積層第2導體層所用之第2段曝光過程的一部分概略 平面圖， 第9圖係表示用於說明將包括於表示在第4圖之液晶 顯示裝置之信號線的第1導體層及像素電極予以圖型形成 所用之第1段曝光過程的一部分概略平面圖。 第1 0圖係表示用於說明在表示於第9圖之第1導體 層上再積層第2導體層所用之第2段曝光過程的一部分概 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---.--^---—裝------訂------^ 乂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 略平面圖， 第1 1圖係表示用於說明在第2圖的顯示裝置用陣列 基板之製造過程之其他段曝光過程的一部分概略平面圖， 第1 2圖係概略地表示本發明之其他實施例之液晶顯 示裝置用陣列基板之一部分的平面圖， 第1 3圖係概略表示第1 2圖之顯示像素領域之 T F T的剖面圖， 第1 4圖係概略表示第1 2圖之信號線驅動電路部之 一電極配線的平面圖。 ---.-----p-装------訂------^ (請先閲诗背面之注意事項再填寫本育) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐} -33 -