TW559579B - Method of polishing semiconductor wafers by using double-sided polisher - Google Patents

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Toru Taniguchi
Isoroku Ono
Seiji Harada
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Sumitomo Mitsubishi Silicon
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Description

559579 A7 _____Β7 ___ 五、發明說明（ί ) 發明說明 技術領域 習知的雙面硏磨之晶圓的製造中，係將單結晶矽塊切 片製作成矽晶圓後，對此矽晶圓依序進行去角、拋光、酸 蝕刻等各製程。然後，再施以將晶圓表裏兩面予以鏡面化 之雙面硏磨。欲進行此雙面硏磨，通常係使用一於中心部 配置著®星齒輪(sun gear)，而於外圍部配置著內齒輪之具 有行星齒輪構造之雙面硏磨裝置。於此雙面硏磨裝置中， 將各個矽晶圓插入保持在於載置板上所形成之複數個晶圓 保持孔的內部，一邊自其上方供給漿料至矽晶圓，一邊將 張覆於上盤、下盤之各對向面的硏磨布壓抵於各矽晶圓的 表裏兩面，使載置板在恆星齒輪與內齒輪間做自轉及公轉 ，藉此，將各矽晶圓的表裏兩面同時作硏磨。 另一方面，在此行星齒輪式之雙面硏磨裝置中，係於 其中央部設置恆星齒輪。欲製作對3〇〇mm晶圓等的大口徑 晶圓之雙面硏磨裝置之場合，由於設有此恆星齒輪，所以 有載置板乃至雙面硏磨裝置之全體大型化的問題。例如， 雙面硏磨裝置之直徑將成爲3m以上。 因此，爲了解決此問題，例如日本專利特開平11-254302號公報中記載之「雙面硏磨裝置」曾被提出。 此雙面硏磨裝置係具備：載置板，其具有複數個之晶 圓保持孔；上盤及下盤，係配置於此載置板之上下’在其 對向面，分別張覆著可對晶圓保持孔內的矽晶圓之表裏兩 面以相同硏磨速度進行硏磨的硏磨布；以及’載置板運動 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
n ϋ n n ϋ n^OJ n ϋ -ϋ ϋ I ϋ I ϋ n n n n n n n ϋ ϋ I n I n n I n n n n I 559579 A7 _ B7______ 五、發明說明) 機構，係讓保持於此等上盤及下盤間之載置板在與此載置 板的表面平行的面內進行運動。 此處所謂之載置板的運動，係意味著：保持於上盤及 下盤間之矽晶圓，在對應之保持孔內迴旋而不依隨載置板 的自轉之一種圓周運動。矽晶圓在保持孔內之迴旋，係藉 著硏磨中上盤對晶圓表面作用之摩擦阻力與下盤對晶圓裏 面作用之摩擦阻力之差距而進行。 硏磨時，矽晶圓係保持於載置板的各晶圓保持孔中， 將硏磨劑（漿料)供給至晶圓之同時，使上盤及下盤旋轉， 而進行不依隨載置板之自轉之一種圓周運動，如此，使各 矽晶圓同時受到雙面硏磨。 基於此雙面硏磨裝置中未組裝恆星齒輪之故，載置板 上之各晶圓保持孔的形成空間乃擴大。其結果，即使是同 樣大小的雙面硏磨裝置(以下稱作無恆星齒輪式雙面硏磨裝 置），其所能夠處理的矽晶圓的尺寸也可加大。 然而，使用習知之無恆星齒輪式雙面硏磨裝置之矽晶 圓之雙面硏磨方法中，有下述的問題存在。 亦即，於以習知之裝置進行之雙面硏磨方法中’在晶 圓硏磨中，對應之晶圓保持孔內的矽晶圓之迴旋方向與迴 旋數均不安定。此乃因上盤側對晶圓表面作用之摩擦阻力 與下盤側對晶圓裏面作用之摩擦阻力間之平衡狀態不安定 或兩者之差甚小之故。 因此，只要晶圓硏磨時之些許的問題’矽晶圓的旋轉 即甚易停止。又，即使不至於成爲停止狀態’若前述之晶 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· ϋ I n n n i i J J 詹 w· 言 •線丨— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559579 A7 ___B7___ 五、發明說明（々） .圓的迴旋速度及迴旋方向不安定，則各批次之各晶圓的平 坦度之參差會變大。其結果，有由於晶圓外圍部的錐狀及 過度硏磨而發生平坦度不良之顧慮。 於是，發明者等，經不斷硏究之結果，發現若將上盤 側對晶圓表面作用之摩擦阻力與下盤側對晶圓裏面作用之 摩擦阻力的差距刻意地加大，即使在硏磨中發生若干不適 當，此保持孔中的晶圓也不會停止。而且，若硏磨中的摩 擦阻力的差距爲安定，則晶圓保持孔內的矽晶圓之迴旋方 向及其速度得以安定化，其結果，可抑制晶圓外圍部的過 度硏磨，並抑制同批次內各晶圓的平坦度之參差。發現到 藉此可期晶圓之高度平坦化，而完成了本發明。 發明之掲示 本發明之目的在於：提供一種使用雙面硏磨裝置之半 導體晶圓硏磨方法，其可防止晶圓外圍部的過度硏磨，提 高半導體晶圓的平坦度。 申請專利範圍第1項中記述之發明爲，一種使用雙面 硏磨裝置之半導體晶圓之硏磨方法，其使用之雙面硏磨裝 置，係將半導體晶圓保持於在載置板上所形成之晶圓保持 孔內，一邊對半導體晶圓供給硏磨劑，一邊在彼此之對向 面分別張覆有硏磨布之上盤與下盤間、且爲與上述載置板 表面呈平行的面內，使該載置板進行圓周運動(使半導體晶 圓在對應之晶圓保持孔內迴旋但不伴隨載置板的自轉），而 能夠將上述半導體晶圓的表裏兩面同時硏磨；其特徵在於 7 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂ί 線丨-- 559579 A7 ----- -B7______ 五、發明說明（+ ) ’硏磨時，上述半導體晶圓係於晶圓保持孔內以 0·1〜l.Orpm做迴旋。 所謂半導體晶圓，係矽晶圓、鎵砷晶圓等。半導體晶 圓的大小未有限制，例如300mm晶圓等大口徑晶圓亦可。 半導體晶圓的單面上以氧化膜被覆亦可。此場合，對與半 導體晶圓的氧化膜呈相反側之裸晶面進行選擇性硏磨亦可 〇 雙面硏磨裝置，只要是未組裝恆星齒輪，而是在一對 的硏磨盤之間使載置板運動，以對半導體晶圓的表裏兩面 同時進行硏磨之無恆星齒輪式雙面硏磨裝置即可，並無限 定。 形成於載置板上之晶圓保持孔的個數，1個(葉片式)或 複數個均可。至於晶圓保持孔的大小，可因應被硏磨之半 導體晶圓的大小而任意變更。 載置板之運動，係與載置板的表面（或裏面）平行的面 內之運動，其運動的方向，係使保持於一對的硏磨盤之間 的矽晶圓在對應之晶圓保持孔內迴旋，而不依隨載置板的 自轉之一種圓周運動。藉著此不依隨載置板的自轉之圓周 運動，載置板上的全部的點，可描劃出同樣大小的小圓之 軌跡。 使用之硏磨劑的種類，並無限定。例如，只爲不含游 離砥粒之鹼液亦可。又，於此鹼液中，分散著平均粒徑 0.02〜(U // m左右之矽膠粒子(硏磨砥粒)之漿料亦可。 此硏磨劑之供給量，依載置板的大小而異，並無限定 8 ^^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· 訂·丨 -線丨#丨丨 559579 A7 __一丨丨- —_ B7____ 五、發明說明（< ) 。例如’ 1·〇〜2.0 L/分。硏磨劑之對半導體晶圓之供給，可 於半導體晶圓的鏡面側進行。又，此硏磨劑，以供給至晶 圓的運動範圍內爲佳。 上盤與下盤的旋轉速度並無限定。例如，可使其以相 同速度旋轉，亦可爲不同速度旋轉。又，各旋轉方向亦無 限定°亦即，可使其以同方向旋轉，或使各自以相反方向 旋轉亦可。 一對的硏磨構件無須同時旋轉。此乃爲，本發明係採 用將各硏磨構件緊壓於半導體晶圓的表裏兩面上之狀態下 ，使載置板運動之構成使然。 上盤、下盤之施加至半導體晶圓之緊壓力，並無限定 。可爲例如150〜250g/cm2。 藉著此雙面硏磨裝置之半導體晶圓之硏磨，可單只對 晶圓表面或單只對晶圓裏面作選擇性硏磨，亦可對表裏兩 面同時硏磨。 張覆於上盤及下盤之各硏磨布的種類及材質，並無限 定。可爲例如硬質發泡聚氨酯泡綿墊、不織布以氨酯樹脂 含浸並使硬化的軟質之不織布墊等。亦可使用其他之由不 織布所成之基部上讓氨酯樹脂發泡之墊等。此場合，上盤 側之硏磨布與下盤側之硏磨布可採用同種類者，亦可採用 不同種類者。 此處所謂之不依隨自轉之圓周運動’係指載置板經常 保持在自上盤及下盤的軸線離開特定距離之偏心狀態而進 行迴旋之圓周運動。 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ϋ ϋ —Λ n n n^*OJ· I ϋ n ·ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ n ϋ n ϋ I ϋ ·ϋ n n ϋ ϋ n ϋ ϋ I ϋ ϋ I ϋ ϋ I I I 559579 A7 _____Β7__ 五、發明說明（b ) 半導體晶圓的迴旋速度若未滿O.lrpm，則晶圓之外圍 部容易成爲錐形。又，若超過l.Orpm，則同批次內的各晶 圓之加工形狀容易不安定。 如此般較習知者更高速度之迴旋，於硏磨時，藉由讓 上盤側對晶圓表面作用之摩擦阻力與下盤側對晶圓裏面作 用之摩擦阻力之差加大，而比較容易達到。 又，有關在摩擦阻力上賦予較大差之方法，並無限定 。例如，使上、下盤的直徑相異之方法、使兩硏磨布的形 狀相異之方法、使上、下盤的旋轉速度相異之方法皆可。
Ifc#’使上側、下側之硏磨布對晶圓之摩擦係數相異之方 法亦可。 又’申請專利範圍第2項中記述之發明，爲一種使用 甲請專利範圍第1項之雙面硏磨裝置所進行之半導體晶圓 之研1磨方法，係讓上述上盤的硏磨布對半導體晶圓之摩擦 係數’與上述下盤的硏磨布對半導體晶圓之摩擦係數不同 〇 串請專利範圍第3項中記述之發明，係一種使用申請 專利範圍第2項之雙面硏磨裝置所進行之半導體晶圓之硏 磨方法’係讓上述上盤的直徑與上述下盤的直徑不同。 上、下盤直徑之差，可依欲硏磨之半導體晶圓的大小 '1次的硏磨所處理之半導體晶圓的片數等條件而作適當 的選擇。 申請專利範圍第4項中記述之發明，係一種使用申請 專利範圍第2項之雙面硏磨裝置之所進行之半導體晶圓之 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · i-i n i-— n n^tfJI n I ϋ ϋ n n ·1 I I ϋ n i I ϋ I n ϋ I n ϋ ϋ n «ϋ ϋ «ϋ H ϋ n ϋ ϋ _ 559579 A7 ___B7_____ 五、發明說明（]) •硏磨方法，係讓上述上盤側的硏磨布之形狀與上述下盤側 的硏磨布之形狀不同。 作爲硏磨布之形狀，分別以俯視來看，可列舉例如圓 形、橢圓形、三角形或四角形以上的多角形，及其他之任 意形狀等。 申請專利範圍第5項中記述之發明，係使用申請專利 範圍第2項之雙面硏磨裝置所進行之半導體晶圓之硏磨方 法，係讓前述上盤的旋轉速度與前述下盤的旋轉速度不同 〇 申請專利範圍第6項中記述之發明，一種使用雙面硏 磨裝置之半導體晶圓之硏磨方法，其使用之雙面硏磨裝置 ，係將半導體晶圓保持於在載置板所形成之晶圓保持孔內 ，一邊對半導體晶圓供給硏磨劑，一邊在分別張覆著硏磨 布之上盤與下盤間、與上述載置板的表面呈平行的面內， 使該載置板運動，而可將上述半導體晶圓的表裏兩面同時 加以硏磨；其特徵在於，係在上述半導體晶圓的外圍部之 一部份(3〜15mm)露出於上述各硏磨布的外部之狀態下，對 半導體晶圓進行硏磨。 載置板的運動，只要是在與載置板的表面（或裏面）平 行的面內之運動即可，運動之方向等並無限定。可爲例如 保持於上盤及下盤間之半導體晶圓，在晶圓保持孔的內部 迴旋之不依隨載置板的自轉所做之圓周運動。此外，以載 置板的中心線作爲中心之圓周運動、於偏心位置之圓周運 動、直線運動等亦可。於直線運動之場合，上盤及下盤分 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 ϋ ϋ n H ϋ n-^OJ0 n n I ί ϋ ϋ 1 I 線----------------------- 559579 A7 ___ B7_______ 五、發明說明（》） .別以其個別的的軸線爲中心而旋轉’可使得晶圓表裏兩面 有較均一的硏磨。 晶圓外圍部的露出量，宜爲3〜15mm。若未滿3mm， 則過度硏磨會變大。若超過15mm’則晶圓表面會產生圓 環狀之高低差之不適當的情況。 又，將載置板之厚度設定成：使得此載置板的硏磨布 側的端面與半導體晶圓的硏磨面之高度大致一致亦可。藉 此，於硏磨時，硏磨布之彈起量可減低，半導體晶圓的外 圍部較晶圓的中心部之單位面積的壓力相對地變小。其結 果，可抑制半導體晶圓的外圍部之過度硏磨。 使用之硏磨劑(漿料）的種類並無限定。可採用例如， 將平均粒徑爲0.1〜〇.〇2/zm程度之矽膠粒子(硏磨砥粒)分散 於PH濃度爲9〜11之鹼性蝕刻液中亦可。又，將硏磨砥粒 分散於酸性鈾刻液中亦可。漿料的供給量，可依載置板的 大小而異，並無限定。例如爲1·〇〜3.0 L/分。漿料之對半導 體晶圓之供給，可於半導體晶圓的鏡面之相反側(非硏磨面 側)施行。此場合，硏磨面係由下盤所硏磨。又，漿料供給 孔以配置於晶圓的運動範圍內爲佳。 上盤及下盤之旋轉速度並無限定。以相同速度旋轉亦 可’以不同速度旋轉亦可。又，各旋轉方向，亦無限定。 亦即’朝同方向旋轉亦可，相互以相反方向旋轉亦可。但 ’ 盤及下盤無須同時旋轉亦可。此乃因本發明係採用將 及下盤的各硏磨布抵接於半導體晶圓的表裏兩面之狀 態下使載置板運動之構成之故。 12 本纸張尺度適用中g家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐1 i n I「I 厂— n ί ·ϋ I n I n ϋ ϋ ϋ n n n^eJ9 n n ϋ >1 n I ϋ I ϋ ·ϋ 1 n n ϋ 1 ϋ ϋ ϋ ϋ I n H I ϋ n I ϋ n ϋ n I (請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) 559579 A7 __B7____ 五、發明說明（1 ) 上盤及下盤之對於半導體晶圓之緊壓力，並無限定。 可爲例如150〜250g/cm2。 又，晶圓表裏兩側之硏磨量及硏磨速度亦無限定。又 ，此晶圓表面與晶圓裏面的硏磨速度之差異’對於晶圓表 裏兩面的光澤度有大的影響。光澤度的測定’可使用公知 的測定器(例如日本電色社製造之測定器)施行。 此等之張覆於上盤及下盤之硏磨布的種類及材質，並 無限定。可列舉例如硬質發泡聚氨酯泡綿墊、對不織布以 氨酯樹脂含浸並使硬化之不織布墊。此外，亦可列舉如在 不織布所構成之基布上使氨酯樹脂發泡之墊等。又，亦可 使用上盤的硏磨布及下盤的硏磨布中的一方與另一方在硏 磨時半導體晶圓的吃入量相異之硏磨布，使半導體晶圓的 表裏面的光澤度相異。 又，申請專利範圍第7項中記述之發明，係使用申請 專利範圍第6項之雙面硏磨裝置所進行之半導體晶圓之硏 磨方法，其中，載置板的運動，係不依隨載置板自轉之圓 周運動。 此處所謂之不依隨自轉之圓周運動，係指載置板經常 保持於自上盤及下盤的軸線離開特定距離的偏心狀態下迴 旋之運動。藉著此不依隨自轉之圓周運動，可使載置板上 之全部的點，都描繪出同樣大小的小圓之軌跡。 再者，申請專利範圍第8項中記述之發明，係使用申 請專利範圍第6或第7項之雙面硏磨裝置所進行之半導體 晶圓之硏磨方法，其中半導體晶圓，係只有單面爲鏡面， 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i 線丨Φ---------------------- 559579 A7 ......... - - _ B7 --------- 五、發明說明) 而上述之硏磨劑，係自此半導體晶圓的鏡面的相反面側所 供給。亦即，此處之半導體晶圓，係裏面爲磨光（saUn finish)面之單面磨光面晶圓。 硏磨劑（漿料）的供給方法，並不限定爲自半導體晶圓 的鏡面之相反側的面來供給。例如，此漿料供給側的面爲 半導體晶圓的上面之場合，亦可經由漿料供給噴嘴自然落 下。此場合，於載置板上形成使漿料落下到下盤側之孔部 亦可。 申請專利範圍第9項中記述之發明，係使用申請專利 範圍第6至8項中任一項之雙面硏磨裝置所進行之半導體 晶圓之硏磨方法，其中，前述硏磨劑，係自位於保持在載 置板之半導體晶圓的運動軌跡上之供給孔所供給。 再者’申請專利範圍第10項中記述之發明，係使用申 請專利範圍第6至9項中任一項之用雙面硏磨裝置所進行 之半導體晶圓之硏磨方法，其中，半導體晶圓，係於單面 上以氧化膜被覆。 氧化膜的種類，並無限定。可列舉例如，於矽晶圓的 場合之矽氧化膜等。氧化膜的厚度，亦無限定。此氧化膜 側的晶圓面，可加以硏磨作爲磨光面，亦可不加硏磨作爲 非硏磨面。 依據申請專利範圍第1至5項中記述之發明，在將硏 磨劑供給至半導體晶圓之同時，於固定砥粒體與硏磨布之 間，使載置板在與此板的表面平行之面內運動。藉此，半 導體晶圓的表裏兩面，可藉著此等固定砥粒體及硏磨布進 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂ί 線丨-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559579 A7 _____B7 _ 五、發明說明（l\ ) 行硏磨。 此際，須設法使晶圓硏磨時，上盤側對晶圓表面作用 之摩擦阻力與下盤側對晶圓裏面作用之摩擦阻力積極地做 出差距。其結果，在晶圓硏磨中，半導體晶圓可於晶圓保 持孔內確實地迴旋。藉此，即使在此硏磨中，有若干硏磨 的不適當情形發生，在晶圓保持孔內半導體晶圓的迴旋也 不會停止。而且，藉著此般確實的迴旋之硏磨，於晶圓的 外圍部，不易發生局部的硏磨量的偏差。因此，可抑制晶 圓外圍部的過度硏磨，而可期晶圓的高度平坦化。 爲了積極地做出上、下盤側對半導體晶圓的表面或裏 面作用之摩擦阻力的差距，有下述的方法。例如，於直徑 相異的上、下盤間對半導體晶圓進行硏磨之方法、在形狀 ,相異之硏磨布間對半導體晶圓進行硏磨之方法、使上、下 盤的旋轉速度不同進行硏磨之方法。 依據申請專利範圍第6至10項中記述之發明，於供給 硏磨劑至半導體晶圓之同時，在上盤及下盤間，使載置板 於與該板的表面平行的面內運動。藉此，半導體晶圓的兩 面(有時爲單面)可藉著硏磨布加以硏磨。 此際，讓晶圓的外圍部的一部份露出到硏磨布的外部 ，同時使半導體晶圓旋轉，對該硏磨面進行硏磨。硏磨中 ，晶圓外圍部係在每當半導體晶圓以既定角度旋轉時通過 其非硏磨區域來硏磨。藉此，晶圓之外圍部與晶圓中心部 相比較，對於硏磨布之單位時間的接觸面積會減低。其結 果，可抑制晶圓外圍部的過度硏磨，而提高晶圓平坦度。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐) ' _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 訂.丨 •線丨— 559579 A7 ___B7___ 五、發明說明（xV ) 尤其是，依據申請專利範圍第7項之發明，將半導體 晶圓保持於上盤及下盤間，在維持此狀態之下，使載置板 作不依隨載置板的自轉之圓周運動，對晶圓面進行硏磨。 依據不依隨自轉之圓周運動，載置板上的所有的點進行著 完全同樣的圓周運動。此亦可說是一種搖動運動。亦即， 可以認爲搖動運動的軌跡係成爲圓。藉著此般的載置板的 運動，硏磨中，半導體晶圓係在晶圓保持孔內一邊迴旋一 邊進行硏磨。藉此，可對涵蓋晶圓硏磨面的幾乎全區域均 一地施行硏磨，而可使晶圓外圍部的過度硏磨更加減低。 又，依據申請專利範圍第8項中記述之發明，於晶圓 硏磨之_，一邊將硏磨劑自半導體晶圓的鏡面之相反的面 側供給、一邊進行硏磨。又，藉著將此等漿料供給孔設置 形成於半導體晶圓的運動軌跡上，可對半導體晶圓確實地 供給硏磨劑。 進而，依據申請專利範圍第1〇項中記述之發明，半導 體晶圓的單面係由氧化膜所被覆的面。可將與此氧化膜呈 相反側的面硏磨至既定程度。 圖式之簡單說明 第1圖，爲本發明的第1實施例之雙面硏磨裝置之全 體立體圖。 第2圖，爲本發明的第1實施例之使用雙面硏磨裝置 之半導體晶圓硏磨方法之雙面硏磨中的縱截面圖。 第3圖，爲本發明的第1實施例之半導體晶圓之硏磨 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 I n n ϋ 1 ϋ n ϋ ϋ n I ϋ ϋ n I ί n 霜 ββ* βββ βββ β··蜃 ϋ >_ϋ n n ϋ ·ϋ I ϋ ·ϋ ϋ ϋ 1_1 ϋ I ι ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ I 1 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 559579 A7 ______B7__ 五、發明說明（〇l ) 方法中，表示硏磨中的狀態之截面圖。 第4圖，爲本發明的第1實施例之雙面硏磨裝置的槪 略俯視圖。 第5圖，爲本發明的第1實施例之對載置板傳達運動 力之運動力傳達系統之重要部位放大截面圖。 第6圖，爲表示本發明的第1實施例之硏磨中的半導 體晶圓之軌跡及硏磨劑供給孔的位置之俯視圖。 第7圖，爲表示本發明的第1實施例之半導體晶圓的 外圍部之露出硏磨之俯視圖。 第8圖，爲說明本發明的第1實施例之於晶圓保持孔 內讓半導體晶圓迴旋的原理之立體圖。 第9圖，爲本發明的第2實施例之雙面硏磨裝置的重 要部位之立體圖。 第10圖，爲本發明的第3實施例之雙面硏磨裝置的重 要部位之立體圖。 第11圖，爲表示本發明的第4實施例之硏磨中的半導 體晶圓之軌跡及漿料供給孔的位置之俯視圖。 第12圖，爲表示本發明的第4實施例之使用雙面硏磨 裝置之半導體晶圓之硏磨時’晶圓外圍部的露出量與外圍 過度硏磨間的關係之曲線圖。 甲丨Μ眘輞發明之最佳形篮 下面，參照圖式就本發明之實施例加以說明。第1圖 〜第8圖係用以說明本發明之第1實施例者。於第1實施例 17
本紙張尺度適用中¥获標準(。難4規格(21〇 X 297公E (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n ί n H 一：0, I ϋ I n 1^1 ϋ I n I n ·ϋ ϋ n n .1 n ϋ ·ϋ ϋ n n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n n ϋ ϋ ϋ II _ 559579 A7 ___B7____ 五、發明說明（外） 中，係就將矽晶圓的表面作爲鏡面，而將其裏面作爲磨光 面而進行硏磨的例子來作說明。 於第1圖、第2圖中，10爲第1實施例之半導體晶圓 的硏磨方法所使用之雙面硏磨裝置(以下稱作雙面硏磨裝置 )。此雙面硏磨裝置10，具備：俯視爲圓板形狀的玻璃環 氧樹脂製的載置板11，其5個晶圓保持孔11a係繞著載置 板之軸線(沿圓周方向)每隔72度來穿孔設置；以及，上盤 12及下盤13 ’係將可自由迴旋地插入並保持於各個晶圓保 持孔11a之直徑300mm的矽晶圓W自上下夾住，並藉由 對矽晶圓做相對移動而對晶圓面進行硏磨。矽晶圓W，係 採用其一面以氧化膜被覆者。又，載置板11的厚度(600 /zm)，係較矽晶圓W的厚度（73〇/zm)略薄。 於上盤12的下面，張覆著用以將晶圓裏面硏磨成磨光 面之硬質發泡聚氨酯泡綿墊14 ° 又於下盤13的上面，張覆著用以使晶圓表面鏡面化之 對不織布以氨酯樹脂含浸並使硬化之軟質不織布墊15。硬 質發泡聚氨酯泡綿墊14(羅岱爾公司製造之MHS15A)的硬 度爲85° (Asker硬度計）、密度爲0.53g/cm3、壓縮率爲 3.0%、其厚度爲1000//Π1。另一方面，軟質不織布墊15( 羅岱爾公司製造之Suba600)的硬度爲80° (Asker硬度計) 、壓縮率爲3·5%、壓縮彈性率爲75.0%，厚度爲1270/zm 〇 如第1圖及第2圖所示般，上盤12係經由向上方延伸 之旋轉軸l2a ’藉著上側旋轉馬達16於水平面內被旋轉。 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--- 線丨-- 559579 A7 _ B7_____ 五、發明說明（\< ) 又，此上盤12，係藉著沿軸線方向進退之升降裝置 18在垂直方向升降。此升降裝置18，係被使用於將矽晶圓 W供給排列至載置板之際等。又’上盤12及下盤13之對 矽晶圓W的表裏兩面之緊壓，係經由未圖示之組裝於上盤 12及下盤13之氣囊方式等之加壓機構來進行。 下盤13，經由其輸出軸17a，藉著下側旋轉馬達17而 在水平面內旋轉。此載置板11係以1自身不自轉的方式 ，藉著載置板圓周運動機構19，在與板11的面平行的面( 水平面）內進行圓周運動。 接著，參照第1圖、第2圖、第4圖、第5〜7圖，就 此載置板圓周運動機構19作詳細地說明。 如此等圖中所示般，此載置板圓周運動機構19，具有 將載置板Π自外方保持之環狀的載置板支撐體20。此等 構件11、20，係經由連結構造體21而被連結著。此處所 謂之連結構造體21，係以使載置板11不自轉、且可吸收 此板11之熱膨脹時的伸長之方式將載置板Π連結到載置 板支撐體20之裝置。 亦即，此連結構造體21，具有：於載置板支撐體20 的內周凸緣20a處，沿支撐體的圓周方向每隔既定角度突 出設置之多根的插銷23 ;以及，可穿入各對應插銷23之 於載置板Π的外圍部處與各插銷23對應之位置處之相對 數目之長孔形狀的插銷孔lib。 此等插銷孔Hb，係以使得經由插銷23連結到載置板 支撐體20之載置板11可沿其半徑方向作若干移動的方 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 訂·1 _線丨-- 559579 A7 _____B7 __ 五、發明說明（A ) 式，讓其孔長方向與板的半徑方向一致。藉由將插銷23遊 插到各個插銷孔lib處而將載置板裝到載置板支撐體20 ，則於雙面硏磨時的載置板11之因熱膨脹之伸長可被吸收 。又，各插銷23的基部係經由刻設於此部份的外周面之外 螺，螺合於在上述內周凸緣20a處所形成之螺孔。又，於 各插銷23的基部的外螺旋之正上方處，環設著將載置板 11加以載置之凸緣23a。因此，經由調整插銷23的螺進量 ，載置於凸緣23a上之載置板11的高度位置之調整成爲可 肯g 。 在此載置板支撐體20的外圍部，每隔90度配置有朝 外方突出之4個軸承部20b。於各軸承部20b係插著偏心 軸24a，此偏心軸24a係突出設置於小徑圓板形狀的偏心 臂24的上面之偏心位置處。又，在此等4個偏心臂24的 各自下面的中心部處，垂直設置著旋轉軸24b。此等旋轉 軸24b，係使各前端部朝下方突出之狀態下，插設於在環 狀之裝置基體25處每隔90度設置之合計4個軸承部25a 處。於突出至各旋轉軸24b的下方之前端部處，分別固定 著鏈輪26。且，於各鏈輪26處，以水平狀態跨設著一連 串的定時鏈27。又，亦可將此定時鏈27變更爲齒輪構造 之動力傳達系統。此等4個鏈輪26與定時鏈27係以使4 個偏心臂24同步進行圓周運動的方式來構成讓4根旋轉軸 24b作同步旋轉之同步機構。 又，此等4根之旋轉軸24b中，有1根旋轉軸24b係 形成爲更長，其前端部突出至較鏈輪26更下方處。動力傳 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
559579 A7 _^_^B7_____ 五、發明說明（^ ) ，達用齒輪28則固定於此部份。齒輪28，係與例如朝齒輪 式馬達等的圓周運動用馬達29之上方延伸之輸出軸處固定 著之大徑區動用齒輪30相嚙合。又，即使不如此地經由定 時鏈27使之同步，亦可例如對4個偏心臂24分別設置圓 周運動用馬達29，而使各偏心臂24個別旋轉。惟，各馬 達29的旋轉必須爲同步。 因而，若使圓周運動用馬達29的輸出軸旋轉，則其旋 轉力會透過齒輪30、28及固定於長旋轉軸24b之鏈輪26 而傳達到定時鏈27，經由此定時鏈27的周轉，透過其他 的3個鏈輪26，4個偏心臂24會同步以旋轉軸24b爲中心 於水平面內進行旋轉。藉此，將各偏心軸24a統括連結之 載置板支撐體20,及進而保持於此支撐體20之載置板11 ，會於與此板11平行的水平面內，進行不依隨自轉之圓 周運動。亦即，載置板11係保持於自上盤12及下盤13 的軸線a離開距離L之偏心狀態下迴旋。此距離L，係和 偏心軸24a與旋轉軸24b間的距離相同。藉著此不依隨自 轉之圓周運動，載置板11上的全部的點，都描劃出相同 大小的軌跡。 又，於第6圖中，顯示此裝置中之漿料供給孔的位置 。例如形成於上盤12處之複數的漿料供給孔，係配置於矽 晶圓W所經常存在之既定寬度的圓環狀之區域X中。構成 爲即使矽晶圓搖動，亦可對其裏面經常供應著漿料。此結 果，於硏磨中，藉著矽晶圓W裏面的漿料可保持著薄膜。 又，如第6圖及第7圖所示般，係構成爲：被保持於 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #
一 δ、· I n ϋ n ϋ n 1 I ϋ n n n n n n ϋ n n ϋ ·ϋ —Mu n n ϋ ϋ ϋ ϋ n ·ϋ n ϋ I 559579 A7 ___ B7_____ 五、發明說明（彳） .載置板11之各矽晶圓W，於進行不依隨載置板11的自轉 之圓周運動之際，各矽晶圓w的外圍部的一部份，每當各 矽晶圓W以既定角度旋動時，係一邊自上盤12及下盤13 的外部露出一邊進行硏磨。亦即，各矽晶圓W的外圍部’ 由於係斷斷續續地通過非硏磨區域來進行硏磨，因此’此 部份的硏磨量可被抑制。因此，各矽晶圓W的平坦度 (TTV等)可更提高。 接著，就使用此雙面硏磨裝置10之矽晶圓W的硏磨 方法加以說明。 首先，如第1、2圖所示般，將各矽晶圓W迴旋自在 地插入於下盤13側的載置板11的各晶圓保持孔11a處。 此時，使各矽晶圓的裏面朝上。然後，在此狀態下，將上 盤12以200g/cm2壓抵於載置板11。 其後，將兩墊14、15壓抵到晶圓表裏兩面之狀態下 ，自上盤12側供給漿料之同時，經由圓周運動用馬達29 使定時鏈27進行周轉。藉此，各偏心臂24於水平面內作 同步旋轉，統括連結到各偏心軸24a之載置板支撐體20及 載置板11，則在與此載置板11表面平行的水平面內，以 24rpm進行不依隨自轉之圓周運動。 此時，如第3圖所示般，各矽晶圓W，係被包夾於摩 擦阻力小的硬質發泡聚氨酯泡綿墊14與摩擦阻力大的軟質 不織布墊15間之狀態下，與不依隨此載置板11的自轉之 圓周運動連動旋轉。此時，如第8圖所示般，上盤12側的 硬質發泡聚氨酯泡綿墊14，對矽晶圓W之摩擦係數小， 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨丨丨丨丨丨丨訂·1丨丨丨丨丨--I .^^1 — 559579 A7 ___B7____ 五、發明說明（1) 而下盤13側的軟質不織布墊15對矽晶圓W之摩擦係數則 大。且兩盤12、13並未旋轉。其結果，可積極地做出 晶圓表裏兩面的摩擦阻力之差距。依此，各矽晶圓W 於對應之保持孔11a內，以0.1〜l.Orpm的旋轉速度確實地 於水平面內旋轉之同時，其表裏兩面也被硏磨。 藉此，即使於硏磨中有若干硏磨不適當的情形發生， 在此晶圓保持孔11a內之矽晶圓W的迴旋也不會停止。而 且，經由此般確實的迴旋之硏磨，在晶圓外圍部處之部份 性的硏磨量的偏差也不易發生。因此，與習知者相比，可 進而抑制晶圓外圍部的過度硏磨，而可期更佳的晶圓之高 度平坦化。 又，此處使用之漿料，係在ρΗΙΟ.6的鹼性鈾刻液中分 散有由粒度0.05/zm的矽膠所成之硏磨砥粒者。 又，此處，於雙面硏磨時，係使載置板11進行不依 隨載置板11的自轉之圓周運動而對晶圓表裏兩面進行硏 磨。由於藉著此般載置板11的特殊之運動而將矽晶圓W 的兩面進行硏磨，因此在晶圓的表裏兩面的幾乎全區域可 大致均一地施以硏磨。 且，由於各硏磨布(墊）14、15的材質相異，來加大對 矽晶圓W表裏兩面之摩擦阻力的差距，因此可在簡單且低 成本下防止晶圓外圍部的過度硏磨，而使矽晶圓W的平坦 度較以往提高。 又，此第1實施例的雙面硏磨裝置10，即使不使載置 板11進行圓周運動，只靠經由上側旋轉馬達16使上盤12 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
559579 A7 ____B7____ 五、發明說明（，） 以25rpm旋轉之同時，經由下側旋轉馬達17使下盤13以 30rpm旋轉，亦可對各晶圓W進行雙面硏磨。 此場合，各矽晶圓W，係迴旋自在地插入並保持於晶 圓保持孔Ha中’因此，硏磨中，各晶圓係往與旋轉速度 較快的一方的盤之旋轉方向爲同方向進行迴旋（自轉）。 又，亦可使上盤12及下盤13以相同旋轉速度旋轉， 來製造晶圓表面爲鏡面、晶圓裏面爲磨光面的矽晶圓W。 此場合，兩硏磨布14、15的摩擦阻力之差距若作成更大， 則可在比較短時間內製得表面爲鏡面而裏面爲磨光面的矽 晶圓W。 再者，使此載置板11進行圓周運動之同時，亦使上盤 12及下盤13旋轉’來對矽晶圓W進行雙面硏磨亦可。此 場合，上盤12及下盤13的旋轉速度，以不使晶圓表裏兩 面發生硏磨不均之程度的較慢速度爲佳。如此，則可對矽 晶圓W的表裏兩面之各面之全區域均一地硏磨。又，若使 上盤12及下盤13旋轉，則與矽晶圓W接觸之盤面可經常 更新，則漿料可平均地供給至矽晶圓W的全面上，是較佳 者。 其次，依據第9圖，就本發明之第2實施例之使用雙 面硏磨裝置之半導體晶圓之硏磨方法加以說明。 如第9圖所示般，在此實施例中，取代第1實施例的 上盤12，係採用較下盤13直徑更大的盤12A之例。 此般的方法，於晶圓硏磨時，上盤12A側作用於矽晶 圓W表面之摩擦阻力與下盤13側作用於矽晶圓W裏面之 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
559579 A7 ___B7__ 五、發明說明（) 摩擦阻力，較習知更積極地做出差距。其結果，在各晶圓 保持孔11a內的矽晶圓的迴旋可變得更爲確實。 至於其他的構成、作用、效果，則與第1實施例大致 相同，故省略其說明。 其次，依據第10圖，就本發明之第3實施例之使用雙 面硏磨裝置之半導體晶圓硏磨方法加以說明。 如第10圖所示般，在此第3實施例中，取代第1實施 例中之張覆於上盤12之俯視爲圓形的硬質發泡聚氨酯泡綿 墊I4,係採用俯視爲六角形的硬質發泡聚氨酯泡綿墊14A 之例。 亦即，由於硏磨布14爲六角形之故，可在與下盤13 的圓形之軟質不織布墊15之間積極地做出摩擦阻力之差距 。其結果，於晶圓硏磨時，對於上盤12側作用於矽晶圓 W表面之摩擦阻力與下盤13側作用於矽晶圓w裏面之摩 擦阻力，可較習知者確實地做出差距。 至於其他的構成、作用、效果，則與第1實施例大致 相同，故省略其說明。 依據本發明，於硏磨中，由於半導體晶圓在晶圓保持 孔內可確實地迴旋之故，可抑制晶圓外圍部的過度硏磨， 而可期晶圓之高度平坦化。 其次，就第1圖等所示之使用雙面硏磨裝置10之矽晶 圓W之雙面硏磨方法之第4實施例，參照第11、π圖加 以說明。 首先，將各矽晶圓W迴旋自在地插入載置板11的各 25 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I ϋ ϋ 1 n n n^OJ· n ϋ I I n ϋ n I ϋ ·ϋ n ϋ ϋ n ϋ n ϋ I n ϋ ϋ n n n n n I 1_1 I n I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559579 A7 ___B7 __ 五、發明說明（/Λ •晶圓保持孔11a中。此時，各晶圓裏面係使朝上。然後， 保持於此狀態下，以200g/cm2將軟質不織布墊14壓抵於 各晶圓裏面，同時以200g/cm2將軟質不織布墊15壓抵於 各晶圓表面。 其後，於此等之兩墊14、15壓抵於晶圓表裏兩面之 狀態下，自上盤12側供給漿料，同時經由圓周運動用馬達 29使定時鏈27進行周轉。藉此，各偏心臂24 ’可於水平 面內同步旋轉，統括連結於各偏心軸24a之載置板支撐體 20及載置板11，則於與此板11平行的水平面內’以 24rpm進行不依隨著自轉之圓周運動。其結果’各矽晶圓 W於對應之晶圓保持孔Ha內在水平面內進行迴旋’同時 對各晶圓表裏兩面作硏磨。又，此處使用之漿料，係於 ρΗΙΟ.6的鹼性蝕刻液中，分散有由粒度〇.05#m的矽膠所 構成之硏磨砥粒者。 此時，如前述般，於載置板11旋轉時，矽晶圓w的 外圍部的一部份，以偏移量Q露出至軟質不織布墊14、15 之外部，同時晶圓表裏兩面受到硏磨(參照第11圖(B))。 若進行此般的硏磨，則硏磨中的晶圓外圍部’每當砂晶圓 旋轉既定角度時，乃通過非硏磨區域而受到硏磨。又，於 習知之未有露出作法之硏磨裝置中，較之晶圓中央部’晶 圓外圍部的硏磨量係較大。與此相對照’於此雙面硏磨裝 置1〇中，與晶圓中心部比較，晶圓外圍部與硏磨布11之 單位時間的接觸面積爲減少。其結果’可提高晶圓平坦度 〇 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1· ^^1 I— n I n n 一 δ，I ϋ n ·ϋ I ·ϋ I ϋ I n ϋ n n ϋ 1_1 ϋ I ·ϋ ϋ_1 ^^1 —^1 ϋ m n i^i ϋ ϋ «ϋ ϋ ϋ ϋ ι _ 559579 A7 ______B7____ 五、發明說明（/^ ) 又，此處，於雙面硏磨時，係使載置板11進行不依 隨此載置板11的自轉之圓周運動，而使晶圓表裏兩面進 行硏磨。如此般，由於經由載置板11的特殊運動而對政 晶圓W作雙面硏磨，因此，對晶圓表裏兩面的大致全區域 可均一地進行硏磨。 此處，對實際上使用此實施例的雙面硏磨裝置10，將 矽晶圓W之自硏磨布之露出量作適宜的變更而進行雙面硏 磨之場合的外圍過度硏磨的變動量作報告。第12圖，爲表 示之第4實施例之使用雙面硏磨裝置之半導體晶圓硏磨方 法中，於硏磨時之晶圓外圍部露出量與外圍過度硏磨間的 關係之曲線圖。 由此曲線圖可明白地知道，晶圓外圍部的露出量爲未 滿3mm之場合，外圍過度硏磨會變大。另一方面，此露出 量爲3mm以上之場合，過度硏磨則安定於低的數値，而得 到良好的結果。 依據本發明，於半導體晶圓硏磨時，由於將晶圓外圍 部的一部份露出至硏磨布的外部之同時進行硏磨之故’晶 圓外圍部較晶圓中心部，在對硏磨布之單位時間的接觸面 積會減少，而可抑制晶圓外圍部之過度硏磨，提高晶圓平 坦度。 尤其是，使載置板進行不依隨此板的自轉之圓周運動 ，而對半導體晶圓進行硏磨之故，對晶圓表裏兩面的大致 全區域可均一地進行硏磨，並可使外圍過度硏磨更加減低 〇 27 1紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 訂--- _線丨-- 559579 A7 B7 五、發明說明（4) 元件符號說明 10 11 lib 12a 12 13 14 15 16 17 17a 18 19 20 20a, 23a 23 24 24a 24b 25 26 27 雙面硏磨裝置 載置板 插銷孔 旋轉軸 上盤 下盤 硬質發泡聚氨酯泡綿墊 軟質不織布墊 上側旋轉馬達 下側旋轉馬達 輸出軸 升降裝置 載置板圓周運動機構 載置板支撐體 凸緣 插銷 偏心臂 偏心軸 旋轉軸 環狀的裝置基體 鏈輪 定時鏈 28 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參 訂·1 線丨-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559579 A7 _B7 五、發明說明（/) 29 馬達 28,30 齒輪 29 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I H I ϋ / n 一：0’ · n n I I ϋ n n I ϋ — ϋ n n ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 559579 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種使用雙面硏磨裝置之半導體晶圓之硏磨方法， 其使用之雙面硏磨裝置，係將半導體晶圓保持於在載置板 上所形成之晶圓保持孔內，一邊對半導體晶圓供給硏磨劑 ，一邊在彼此之對向面分別張覆有硏磨布之上盤與下盤間 、且爲與上述載置板表面呈平行的面內，使該載置板進行 圓周運動(使半導體晶圓在對應之晶圓保持孔內迴旋但不伴 隨載置板的自轉），而能夠將上述半導體晶圓的表裏兩面同 時硏磨；其特徵在於，硏磨時，上述半導體晶圓係於晶圓 保持孔內以0·1〜l.Orpm做迴旋。 2. 如申請專利範圍第1項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，係讓上述上盤的硏磨布對半導體晶圓 之摩擦係數與上述下盤的硏磨布對半導體晶圓之摩擦係數 不同。 3. 如申請專利範圍第2項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，係讓上述上盤的直徑與上述下盤的直 徑不同。 4. 如申請專利範圍第2項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，係讓上述上盤的硏磨布之形狀與上述 下盤的硏磨布之形狀不同。 5. 如申請專利範圍第2項之使用雙面硏磨裝置之半導 _晶圓之硏磨方法，係讓上述上盤的旋轉速度與上述下盤 的旋轉速度不同。 6· —種使用雙面硏磨裝置之半導體晶圓之硏磨方法， 其使用之雙面硏磨裝置，係將半導體晶圓保持於在載置板 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） ..................ΙΛΨ...............1T................t· (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 559579 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所形成之晶圓保持孔內，一邊對半導體晶圓供給硏磨劑， 一邊在分別張覆著硏磨布之上盤與下盤間、且爲與上述載 置板的表面呈平行的面內，使該載置板運動’而可將上述 半導體晶圓的表裏兩面同時加以硏磨；其特徵在於，係在 上述半導體晶圓的外圍部之一部份露出於上述各硏磨布的 外部3〜15mm之狀態下，對半導體晶圓進行硏磨。 7. 如申請專利範圍第6項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，其中，上述載置板的運動，係不依隨 載置板自轉而進行之圓周運動。 8. 如申請專利範圍第6或7項之使用雙面硏磨裝置之 半導體晶圓之硏磨方法，其中，上述半導體晶圓僅有單面 爲鏡面，而上述硏磨劑係自此半導體晶圓的鏡面的相反面 側來供給。 9·如申請專利範圍第6或7項之使用雙面硏磨裝置之 半導體晶圓之硏磨方法，其中，上述硏磨劑係自位於半導 體晶圓(保持於載置板)的運動軌跡上之供給孔來供給。 10·如申請專利範圍第8項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，其中，上述硏磨劑係自位於半導體晶 圓(保持於載置板)的運動軌跡上之供給孔來供給。 11·如申請專利範圍第6或7項之使用雙面硏磨裝置之 半導體晶圓之硏磨方法，其中，上述半導體晶圓，其單面 係由氧化膜被覆著。 12.如申請專利範圍第8項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，其中，上述半導體晶圓，其單面係由 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 398 8 95 ABCD 559579 六、申請專利範圍 氧化膜被覆著。 13. 如申請專利範圍第9項之使用雙面硏磨裝置之半導 體晶圓之硏磨方法，其中，上述半導體晶圓，其單面係由 氧化膜被覆著。 14. 如申請專利範圍第10項之使用雙面硏磨裝置之半 導體晶圓之硏磨方法，其中，上述半導體晶圓，其單面係 由氧化膜被覆著。 3 ---------------1T----------------t· (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐）
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