JP2001232561A

JP2001232561A - 両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法

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Publication number: JP2001232561A
Application number: JP2000255018A
Authority: JP
Inventors: Etsuro Morita; 悦郎森田; Toru Taniguchi; 徹谷口; Isoroku Ono; 五十六小野; Mitsuhiro Endo; 光弘遠藤; Fumihiko Yoshida; 文彦吉田
Original assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority date: 1999-12-16
Filing date: 2000-08-25
Publication date: 2001-08-28

Abstract

(57)【要約】【課題】光沢度が異なる表裏面を有する半導体ウェー
ハを低コストで得る。その光沢度を任意に選択可能とす
る。【解決手段】両面研磨装置でキャリアプレート１１の
各保持孔１１ａにシリコンウェーハＷを挿入する。各ウ
ェーハの裏面は上向きとする。ウェーハ裏面に発泡ウレ
タンフォームパッド１４を、ウェーハ表面に不織布パッ
ド１５を押し付ける。上定盤１２側中央部からスラリー
を供給し、キャリアホルダ２０、キャリアプレート１１
が、水平面内で自転を伴わない円運動を行わせる。この
結果、各シリコンウェーハＷの表裏面はそれぞれ全面均
一に研磨される。このとき、ウレタンパッド１４は不織
布パッド１５よりもウェーハの沈み込み量が小さい。よ
って、裏面が梨地面で表面が鏡面の研磨ウェーハを得る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は両面研磨装置を用
いた半導体ウェーハの研磨方法、詳しくはサンギヤが組
み込まれていない両面研磨装置を用いて半導体ウェーハ
を研磨することで、光沢度が異なった表裏面を有する半
導体ウェーハが得られる両面研磨装置を用いた半導体ウ
ェーハの研磨方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の両面研磨ウェーハの製造では、単
結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコンウェー
ハを作製した後、このシリコンウェーハに対して面取
り、ラッピング、酸エッチングの各工程が順次なされ
る。次いで、ウェーハ表裏両面を鏡面化する両面研磨が
施される。この両面研磨には、通常、中心部にサンギヤ
が配置される一方、外周部にインターナルギヤが配置さ
れた遊星歯車構造を有する両面研磨装置が用いられてい
る。この両面研磨装置では、キャリアプレートに複数個
形成されたウェーハ保持孔の内部にシリコンウェーハを
挿入・保持する。そして、その上方から研磨砥粒を含む
スラリーをシリコンウェーハに供給しながら、それぞれ
の対向面に研磨布が展張された上定盤および下定盤を各
ウェーハの表裏両面に押し付けて、キャリアプレートを
サンギヤとインターナルギヤとの間で自転／公転させる
ことで、各シリコンウェーハの両面を同時に研磨してい
る。

【０００３】ところで、この遊星歯車式の両面研磨装置
では、その装置中央部にサンギヤが設けられている。こ
れにより、例えば３００ｍｍウェーハなどの大口径ウェ
ーハを両面研磨する装置を製作する場合、このサンギヤ
が設けられている分だけキャリアプレート、ひいては両
面研磨装置の全体が大型化する。例えばこの装置の直径
が３ｍ以上にもなってしまうといった問題点があった。

【０００４】そこで、これを解消する従来技術として、
例えば、特開平１１−２５４３０２号公報に記載の「両
面研磨装置」が知られている。この両面研磨装置は、シ
リコンウェーハが保持される複数個のウェーハ保持孔を
有するキャリアプレートと、このキャリアプレートの上
下方向に配置されて、それぞれの対向面に、各ウェーハ
保持孔内のシリコンウェーハの表裏両面を同じ光沢度に
研磨する研磨布が展張された上定盤および下定盤と、こ
れらの上定盤および下定盤の間に保持されたキャリアプ
レートを、このキャリアプレートの表面と平行な面内で
運動させるキャリア運動手段とを備えている。ここでい
うキャリアプレートの運動とは、上定盤および下定盤の
間に保持されたシリコンウェーハが、その対応するウェ
ーハ保持孔内で旋回させられるような、キャリアプレー
トの自転をともなわない円運動を意味する。また、ウェ
ーハ両面研磨中、上定盤および下定盤は、垂直な各回転
軸を中心にして互いに反対方向へ回転している。

【０００５】したがって、ウェーハ両面研磨時には、キ
ャリアプレートの各ウェーハ保持孔にシリコンウェーハ
を挿入・保持し、研磨砥粒を含むスラリーをシリコンウ
ェーハに供給しながら、しかも上定盤および下定盤を回
転させつつ、キャリアプレートに自転をともなわない円
運動を行わせることで、各シリコンウェーハが同時に両
面研磨される。この両面研磨装置にはサンギヤが組み込
まれていないので、その分だけ、キャリアプレート上に
おける各ウェーハ保持孔の形成スペースが拡大される。
その結果、サンギヤ式と同じ大きさ外径を有していて
も、この両面研磨装置（以下、無サンギヤ式両面研磨装
置という場合がある）では、取り扱い可能なシリコンウ
ェーハの寸法を大きくすることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無サンギヤ式両面研磨装置を用いたシリコンウェーハの
両面研磨方法では、以下の課題があった。すなわち、従
来のウェーハ両面研磨方法では、シリコンウェーハの表
裏両面が同じ光沢度で仕上げられていた。これは、上定
盤および下定盤にそれぞれ展張された研磨布として、同
じ種類、同じ材質の研磨布が使用されていた。ちなみ
に、汎用されている研磨布は、３つの異なる材質のタイ
プに大別される。第１は発泡ウレタンシートからなる発
泡ウレタンタイプ、第２はポリエステルなどの不織布に
ウレタン樹脂を含浸させた不織布タイプ、第３はスエー
ドタイプである。

【０００７】このように、従来のウェーハ両面研磨方法
では、シリコンウェーハの表裏両面が同じ光沢度でもっ
て仕上げられていたので、例えば、ウェーハ裏面の光沢
度を低下させてこの面を梨地面としたい場合、または、
シリコンウェーハの裏面をゲッタリング面とするために
ウェーハ表面だけに鏡面研磨を施したい場合などには、
対応することができなかった。

【０００８】

【発明の目的】この発明は、光沢度が異なった表裏面を
有する半導体ウェーハを、選択的にかつ低コストで得る
ことができる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研
磨方法を提供することを、その目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、キャリアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に
半導体ウェーハを保持し、研磨砥粒を含むスラリーをこ
の半導体ウェーハに供給しながら、研磨布がそれぞれ展
張された上定盤および下定盤の間で、上記キャリアプレ
ートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートを運動
させて、上記半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨す
る両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であ
って、上記上定盤の研磨布および下定盤の研磨布のうち
のいずれか一方に、残りの他方とは研磨時における半導
体ウェーハの沈み込み量が異なる研磨布を用いることに
より、半導体ウェーハの表面の光沢度と裏面の光沢度と
を異ならせた両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研
磨方法である。

【００１０】この両面研磨装置としては、サンギヤが組
み込まれておらず、上定盤および下定盤の間でキャリア
プレートを運動させることで半導体ウェーハの表裏両面
を同時に研磨する無サンギヤ式両面研磨装置であれば、
限定されない。ここでいう半導体ウェーハには、例えば
シリコンウェーハ、ガリヒ素ウェーハなどを挙げること
ができる。この半導体ウェーハの大きさも限定されな
い。例えば、３００ｍｍウェーハなどの大口径ウェーハ
でもよい。また、半導体ウェーハは、片面が酸化膜によ
って被覆されているものでもよい。この場合の研磨とし
て、半導体ウェーハの酸化膜とは反対側のベアウェーハ
面を選択的に研磨するようにしてもよい。キャリアプレ
ートに形成されるウェーハ保持孔の個数は、１個（枚葉
式）でも複数個でもよい。ウェーハ保持孔の大きさは、
研磨される半導体ウェーハの大きさにより、任意に変更
される。キャリアプレートの運動は、キャリアプレート
の表面（または裏面）と平行な面内での運動であれば良
く、運動の方向などは限定されない。例えば、上定盤お
よび下定盤の間で保持された半導体ウェーハがウェーハ
保持孔の内部で旋回するキャリアプレートの自転をとも
なわない円運動でもよい。その他、キャリアプレートの
中心線を中心とした円運動、偏心位置での円運動、直線
運動などでもよい。なお、この直線運動の場合には、上
定盤および下定盤をそれぞれの軸線を中心に回転させる
方が、ウェーハ表裏両面を均一に研磨することができ
る。

【００１１】使用するスラリーの種類は限定されない。
例えば、ｐＨ濃度が９〜１１のアルカリ性エッチング液
に、平均粒径０．１〜０．０２μｍ程度のコロイダルシ
リカ粒子（研磨砥粒）を分散させたものを採用すること
ができる。また、酸性エッチング液中に研磨砥粒を分散
させたものでもよい。スラリーの供給量はキャリアプレ
ートの大きさにより異なり、限定されない。通常は、
１．０〜２．０リットル／分である。スラリーの半導体
ウェーハへの供給は、キャリアプレートの中心部に対し
て行うことができる。

【００１２】上定盤および下定盤の回転速度は限定され
ない。例えば、同じ速度で回転させてもよいし、異なる
速度で回転させてもよい。また、それらの回転方向も限
定されない。すなわち、同じ方向に回転させてもよい
し、互いに反対方向へ回転させてもよい。ただし、必ず
しも上定盤および下定盤を同時に回転させなくてもよ
い。それは、この発明が、半導体ウェーハの表裏両面に
上定盤および下定盤の各研磨布を押し付けた状態でキャ
リアプレートを運動させる構成を採用しているためであ
る。上定盤および下定盤の半導体ウェーハに対しての押
圧力は限定されない。ただし、通常は１５０〜２５０ｇ
／ｃｍ^２である。また、ウェーハ表裏両面の研磨量およ
び研磨速度も限定されない。このウェーハ表面とウェー
ハ裏面との研磨速度の違いは、ウェーハ表裏両面の光沢
度に大きな影響を及ぼす。

【００１３】これらの上定盤および下定盤に展張される
研磨布の種類および材質は限定されない。例えば、硬質
発泡ウレタンフォームパッド、不織布にウレタン樹脂を
含浸・硬化させた不織布パッドが挙げられる。その他、
不織布からなる基布の上にウレタン樹脂を発泡させたパ
ッドなども挙げられる。これらの事項は、請求項１１に
記載した発明においても同様である。ここでは、上定盤
用の研磨布、下定盤用の研磨布として、ウェーハ研磨時
において、半導体ウェーハの沈み込み量が互いに異なる
ものが採用されている。なお、沈み込みの量は限定され
ない。この半導体ウェーハの沈み込み量を異ならせる方
法は限定されない。例えば、互いに硬度が異なる材質の
研磨布、互いに密度が異なる材質の研磨布、互いに圧縮
率が違う材質の研磨布、または、互いに圧縮弾性率が違
う材質の研磨布などを採用することができる。このよう
に硬度、密度、圧縮率または圧縮弾性率が異なる研磨布
を使用して、ウェーハ表裏両面を研磨するようにすれ
ば、半導体ウェーハの表裏両面が別々の光沢度に研磨さ
れる。

【００１４】なお、ここで、「光沢度が異なる」という
ことは、ウェーハの片面（通常、ウェーハ表面）がウェ
ーハの他面（通常、ウェーハ裏面）に比べて高光沢度で
あることを意味する。光沢度の測定は公知の測定器（例
えば日本電色社製測定器）を用いて行うことができる。
また、このように半導体ウェーハの沈み込み量を異なら
せる方法としては、例えば同じ材質の研磨布において、
硬度、密度、圧縮率、圧縮弾性率を異ならせるようにし
てもよい。ウェーハ表裏両面の光沢度の差の度合いは限
定されない。例えば、研磨されたウェーハ表面が鏡面研
磨面で、ウェーハ裏面が梨地面でもよい。また、ウェー
ハ表面が鏡面であり、ウェーハ裏面がまったく研磨され
ていない面でもよい。

【００１５】また、請求項２に記載の発明は、上記キャ
リアプレートの運動は、キャリアプレートの自転をとも
なわない円運動である請求項１に記載の両面研磨装置を
用いた半導体ウェーハの研磨方法である。ここでいう自
転をともなわない円運動とは、キャリアプレートが上定
盤および下定盤の軸線から所定距離だけ偏心した状態を
常に保持して旋回するような円運動のことをいう。この
自転をともなわない円運動によって、キャリアプレート
上の全ての点は、同じ大きさの小円の軌跡を描くことに
なる。これらの事項は、請求項１２に記載の発明にあっ
ても同様である。

【００１６】さらに、請求項３に記載の発明は、上記研
磨布のうちのいずれか一方は、残りの他方の研磨布とは
異なる硬度を有する請求項１または請求項２に記載の両
面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法である。
これらの研磨布の各硬度は限定されない。ただし、通
常、５０〜１００゜（Ａｓｋｅｒ硬度計）のものが使用
される。一方の研磨布と他方の研磨布との硬度比も限定
されない。ただし、通常、１：１．０５〜１．６０のも
のが使用される。

【００１７】さらにまた、請求項４に記載の発明は、上
記いずれか一方の研磨布には、残りの他方の研磨布とは
異なる密度を有する材質の研磨布を使用した請求項１ま
たは請求項２に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェ
ーハの研磨方法である。これらの研磨布の各密度は限定
されない。ただし、通常、０．３０〜０．８０ｇ／ｃｍ
^３のものが使用される。一方の研磨布と他方の研磨布と
の密度比も限定されない。ただし、通常、１：１．１〜
２．０のものが使用される。

【００１８】そして、請求項５に記載の発明は、上記い
ずれか一方の研磨布には、残りの他方の研磨布とは異な
る圧縮率を有する材質の研磨布を使用した請求項１また
は請求項２に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェー
ハの研磨方法である。それぞれの研磨布の圧縮率は限定
されない。通常、１．０〜８．０％の範囲のものが使用
される。これらの研磨布の圧縮率の比率も限定されな
い。通常、１：１．２〜８．０のものが使用される。

【００１９】また、請求項６に記載の発明は、上記いず
れか一方の研磨布には、残りの他方の研磨布とは異なる
圧縮弾性率を有する材質の研磨布を使用した請求項１ま
たは請求項２に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェ
ーハの研磨方法である。それぞれの研磨布の圧縮弾性率
は限定されない。通常、６０〜９０％の範囲のものが使
用される。一方の研磨布の圧縮弾性率と他方のそれとの
比率も限定されない。通常、１：１．１〜１．５のもの
が使用される。

【００２０】また、請求項７に記載の発明は、上記いず
れか一方の研磨布が発泡ウレタンフォームパッドで、残
りの他方の研磨布が不織布パッドである請求項３〜請求
項６のうちのいずれか１項に記載の両面研磨装置を用い
た半導体ウェーハの研磨方法である。発泡ウレタンフォ
ームパッドおよび不織布パッドの硬度、密度、圧縮率お
よび圧縮弾性率は限定されない。好ましい値は、発泡ウ
レタンフォームパッドの場合で、硬度（Ａｓｋｅｒ）８
０〜９５゜、密度０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３、圧縮率
１．０〜３．５％、圧縮弾性率５０〜７０％である。こ
れに対して不織布パッドの場合は、硬度（Ａｓｋｅｒ）
６０〜８２゜、密度０．２〜０．６ｇ／ｃｍ^３、圧縮率
２．５〜８．５％、圧縮弾性率７０〜８８％である。

【００２１】さらに、請求項８に記載の発明は、上記ス
ラリーは、上記上定盤の略中心部に位置するスラリー供
給孔より供給される請求項１〜請求項７のうちのいずれ
か１項に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの
研磨方法である。スラリーを供給する方法は限定されな
い。例えば、このスラリー供給側の面が半導体ウェーハ
の上面である場合には、スラリー供給ノズルによる自然
落下でもよい。この場合、キャリアプレートにスラリー
が下定盤側へ落下する孔部を形成してもよい。

【００２２】請求項９に記載の発明は、上記半導体ウェ
ーハの沈み込み量が小さな研磨布を用いて、半導体ウェ
ーハの一方の面を軽く研磨することで軽ポリッシュ面と
した請求項１〜請求項８のうちのいずれか１項に記載の
両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であ
る。軽ポリッシュ面の研磨の程度は限定されない。

【００２３】次いで、請求項１０に記載の発明は、上記
半導体ウェーハは、その片面が酸化膜によって被覆され
ている請求項１〜請求項９のうちのいずれか１項に記載
の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であ
る。酸化膜の種類は限定されない。例えば、シリコンウ
ェーハの場合におけるシリコン酸化膜などが挙げられ
る。酸化膜の厚さも限定されない。この酸化膜側のウェ
ーハ面を、梨地面として研磨してもよいし、研磨しない
で非研磨面としてもよい。これらの事項は、請求項１３
に記載の発明にも該当する。

【００２４】続いて、請求項１１に記載の発明は、キャ
リアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に半導体ウ
ェーハを保持し、研磨砥粒を含むスラリーを半導体ウェ
ーハに供給しながら、それぞれ研磨布が展張され、かつ
各回転軸を中心にして回転する上定盤および下定盤の間
で、上記キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキ
ャリアプレートを運動させて、上記半導体ウェーハの表
裏両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いた半導体ウ
ェーハの研磨方法であって、上記上定盤および下定盤の
うちのいずれか一方の回転速度を、残りの他方とは異な
る回転速度にすることで、半導体ウェーハの表面の光沢
度とその裏面の光沢度とを異ならせた両面研磨装置を用
いた半導体ウェーハの研磨方法である。上定盤および下
定盤の回転速度は限定されない。ただし、通常、低速で
回転させられる側の定盤の回転速度は５〜１５ｒｐｍの
範囲内で変化し、高速で回転させられる側の定盤の回転
速度は２０〜３０ｒｐｍで変化する。このときの上定盤
および下定盤の回転速度比も限定されない。通常は、
１：４から１：５までとする。なお、一方の定盤を回転
させずに、半導体ウェーハの片面だけを研磨するように
してもよい。

【００２５】そして、請求項１２に記載の発明は、上記
キャリアプレートの運動は、キャリアプレートの自転を
ともなわない円運動である請求項１１に記載の両面研磨
装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法である。

【００２６】次いで、請求項１３に記載の発明は、上記
半導体ウェーハは、その片面が酸化膜によって被覆され
ている請求項１１または請求項１２に記載の両面研磨装
置を用いた半導体ウェーハの研磨方法である。

【００２７】

【作用】この発明によれば、両面研磨装置においてスラ
リーを半導体ウェーハに供給しながら、上定盤および下
定盤の間で、キャリアプレートをそのプレートの表面と
平行な面内で運動させる。これにより、半導体ウェーハ
の片面または両面が研磨布により研磨される。この際、
上定盤および下定盤に展張された研磨布の一方を、他方
の研磨布とはウェーハ研磨時における半導体ウェーハの
沈み込み量が異なるものとしたので、無サンギヤ式両面
研磨装置を用いて、ウェーハ表裏両面の光沢度が異なる
研磨を行うことができる。

【００２８】特に、請求項２および請求項１２の発明に
よれば、上定盤および下定盤の間で半導体ウェーハを保
持し、この状態を維持したまま、キャリアプレートをこ
のプレートの自転をともなわない円運動をさせてウェー
ハ面を研磨する。自転しない円運動によれば、キャリア
プレート上のすべての点がまったく同じ運動をする。こ
れは、一種の揺動運動ともいえる。すなわち、揺動運動
の軌跡が円になると考えることもできる。このようなキ
ャリアプレートの運動により、研磨中、半導体ウェーハ
はウェーハ保持孔内で旋回しながら研磨される。これに
より、ウェーハ研磨面の略全域にわたって均一に研磨を
行うことができる。例えば、ウェーハ外周部の研磨ダレ
なども低減させることができる。

【００２９】また、請求項３〜請求項６の発明によれ
ば、一方の研磨布に、他方の研磨布とは異なる硬度（請
求項３）、密度（請求項４）、圧縮率（請求項５）、圧
縮弾性率（請求項６）を有する材質の研磨布を使用して
半導体ウェーハの研磨を行う。これにより、簡単かつ低
コストに、両研磨布の半導体ウェーハの沈み込み量を異
ならせることができる。また、既存の無サンギヤ式両面
研磨装置にも、上定盤および下定盤の研磨布を張り替え
るという簡単な作業を行うだけで、平易かつ低コスト
に、この発明方法を実施することができる。

【００３０】さらに、請求項７に記載の発明によれば、
上定盤および下定盤に発泡ウレタンフォームパッドまた
は不織布パッドを展張して半導体ウェーハを両面研磨す
ると、ウェーハ片面が鏡面で、ウェーハ他面が梨地面の
良好な半導体ウェーハを得ることができる。

【００３１】さらに、請求項８に記載の発明によれば、
ウェーハ研磨に際して、スラリーをキャリアプレートの
中心部から供給する。スラリー供給孔は上定盤および下
定盤の中心部に位置している。

【００３２】そして、請求項９に記載の発明によれば、
半導体ウェーハの一面を、半導体ウェーハの沈み込み量
が小さな研磨布によって軽く研磨することで軽ポリッシ
ュ面とすることができる。

【００３３】また、請求項１０に記載の発明および請求
項１３に記載の発明によれば、半導体ウェーハの片面が
酸化膜によって被覆された面としている。この酸化膜と
反対側の面を所定の度合いで研磨することができる。こ
のベアシリコン面を任意の光沢度を有する面に研磨する
ことができる。

【００３４】さらに、請求項１１に記載の発明によれ
ば、スラリーを半導体ウェーハに供給しながら、無サン
ギヤ式両面研磨装置の上定盤および下定盤の間におい
て、キャリアプレートを、このプレートの表面と平行な
面内で運動させる。これにより、半導体ウェーハの表面
およびまたは裏面が研磨布によって研磨される。このと
き、上定盤および下定盤のうち、一方の定盤の回転速度
を、他方の定盤とは異なる回転速度とする。これによ
り、無サンギヤ式両面研磨装置を用いて、ウェーハ表裏
両面の光沢度が異なる研磨を行うことができる。また、
このように、上定盤および下定盤の回転速度を互いに異
ならせる構成としたので、既存の無サンギヤ式両面研磨
装置に対しても、平易かつ低コストでこの発明を適用す
ることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１〜図６はこの発明の第１の実施
例を説明する図である。第１の実施例では、シリコンウ
ェーハの表面を鏡面とし、その裏面を梨地面とする研磨
を例にとって説明する。

【００３６】図１，図２において、１０は第１の実施例
に係る半導体ウェーハの研磨方法が適用される両面研磨
装置（以下、両面研磨装置という）である。この両面研
磨装置１０は、５個のウェーハ保持孔１１ａがプレート
軸線回りに（円周方向に）７２度ごとに穿設された平面
視して円板形状のガラスエポキシ製のキャリアプレート
１１と、それぞれのウェーハ保持孔１１ａに旋回自在に
挿入されて保持された直径３００ｍｍのシリコンウェー
ハＷを、上下から挟み込むとともに、シリコンウェーハ
Ｗに対して相対的に移動させることでウェーハ面を研磨
する上定盤１２および下定盤１３とを備えている。シリ
コンウェーハＷは、その片面がシリコン酸化膜により覆
われていてもよい。また、このキャリアプレート１１の
厚さ（６００μｍ）は、シリコンウェーハＷの厚さ（７
３０μｍ）よりも若干薄くなっている。

【００３７】上定盤１２の下面には、ウェーハ裏面を梨
地面に研磨する硬質の発泡ウレタンフォームパッド１４
が展張されている。また、下定盤１３の上面には、ウェ
ーハ表面を鏡面化するための不織布にウレタン樹脂を含
浸・硬化させた軟質の不織布パッド１５が展張されてい
る。硬質発泡ウレタンフォームパッド１４（ロデール社
製ＭＨＳ１５Ａ）の硬度は８５゜（Ａｓｋｅｒ硬度
計）、密度は０．５３ｇ／ｃｍ^３、圧縮率は３．０
％、その厚さは１０００μｍである。一方、軟質不織布
パッド１５（ロデール社製Ｓｕｂａ６００）の硬度は８
０゜（Ａｓｋｅｒ）、圧縮率は３．５％、圧縮弾性率は
７５．０％であって、厚さは１２７０μｍとなってい
る。このように、上定盤１２側の硬質発泡ウレタンフォ
ームパッド１４の方が硬いので、所定の研磨圧でのウェ
ーハ両面研磨時に、シリコンウェーハＷがパッドの内部
に沈み込みにくく、反対に軟質不織布パッド１５の方が
軟らかいので、ウェーハ両面研磨時に、シリコンウェー
ハＷがパッドの内部に沈み込みやすい。

【００３８】なお、これらの硬質発泡ウレタンフォーム
パッド１４と軟質不織布パッド１５との密度、圧縮率お
よび圧縮弾性率の各関係においても、同じように硬質発
泡ウレタンフォームパッド１４の方が、高密度で、高圧
縮率、低圧縮弾性率であって、いずれもシリコンウェー
ハＷがパッドの内部に沈み込みやすい条件となってい
る。このことは、図３を参照しても明らかである。すな
わち、硬質発泡ウレタンフォームパッド１４側の沈み込
み量ｄ１に比べて、軟質不織布パッド１５の沈み込み量
ｄ２の方が大きくなっている。なお、両パッド１４，１
５に関して、研磨砥粒を含むスラリーの保持力について
言及すると、当然、軟らかい軟質不織布パッド１５の方
が、硬い硬質発泡ウレタンフォームパッド１４と比較し
てスラリーの保持力は大きくなる。スラリーの保持力が
大きいほど、研磨砥粒がパッド面に多量に付着して、研
磨速度は大きくなる。

【００３９】図１および図２に示すように、上定盤１２
は、上方に延びた回転軸１２ａを介して、上側回転モー
タ１６により水平面内で回転駆動される。また、この上
定盤１２は軸線方向へ進退させる昇降装置１８により垂
直方向に昇降させられる。この昇降装置１８は、シリコ
ンウェーハＷをキャリアプレート１１に給排する際など
に使用される。なお、上定盤１２および下定盤１３のシ
リコンウェーハＷの表裏両面に対する押圧は、上定盤１
２および下定盤１３に組み込まれた図示しないエアバッ
ク方式などの加圧手段により行われる。下定盤１３は、
その出力軸１７ａを介して、下側回転モータ１７により
水平面内で回転させられる。このキャリアプレート１１
は、そのプレート１１自体が自転しないように、キャリ
ア円運動機構１９によって、そのプレート１１の面と平
行な面（水平面）内で円運動する。次に、図１，図２，
図４，図５および図６を参照して、このキャリア円運動
機構１９を詳細に説明する。

【００４０】これらの図に示すように、このキャリア円
運動機構１９は、キャリアプレート１１を外方から保持
する環状のキャリアホルダ２０を有している。これらの
部材１１，２０は、連結構造２１を介して連結されてい
る。ここでいう連結構造２１とは、キャリアプレート１
１を、そのキャリアプレート１１が自転せず、しかもこ
のプレート１１の熱膨張時の伸びを吸収できるようにキ
ャリアホルダ２０に連結させる手段である。すなわち、
この連結構造２１は、図５に示すように、キャリアホル
ダ２０の内周フランジ２０ａに、ホルダ周方向へ所定角
度ごとに突設された多数本のピン２３と、各対応するピ
ン２３を、キャリアプレート１１の外周部に各ピン２３
と対応する位置に対応する数だけ穿設された長孔形状の
ピン孔１１ｂとを有している。

【００４１】これらのピン孔１１ｂは、ピン２３を介し
てキャリアホルダ２０に連結されたキャリアプレート１
１が、その半径方向へ若干移動できるように、その孔長
さ方向をプレート半径方向と合致させている。それぞれ
のピン孔１１ｂにピン２３を遊挿させてキャリアプレー
ト１１をキャリアホルダ２０に装着することで、両面研
磨時のキャリアプレート１１の熱膨張による伸びが吸収
される。なお、各ピン２３の元部は、この部分の外周面
に刻設された外ねじを介して、上記内周フランジ２０ａ
に形成されたねじ孔にねじ込まれている。また、各ピン
２３の元部の外ねじの直上部には、キャリアプレート１
１が載置されるフランジ２３ａが周設されている。した
がって、ピン２３のねじ込み量を調整することで、フラ
ンジ２３に載置されたキャリアプレート１１の高さ位置
が調整可能となる。

【００４２】このキャリアホルダ２０の外周部には、９
０度ごとに外方へ突出した４個の軸受部２０ｂが配設さ
れている。各軸受部２０ｂには、小径円板形状の偏心ア
ーム２４の上面の偏心位置に突設された偏心軸２４ａが
挿着されている。また、これら４個の偏心アーム２４の
各下面の中心部には、回転軸２４ｂが垂設されている。
これらの回転軸２４ｂは、環状の装置基体２５に９０度
ごとに合計４個配設された軸受部２５ａに、それぞれ先
端部を下方へ突出させた状態で挿着されている。各回転
軸２４ｂの下方に突出した先端部には、それぞれスプロ
ケット２６が固着されている。そして、各スプロケット
２６には、一連にタイミングチェーン２７が水平状態で
架け渡されている。なお、このタイミングチェーン２７
をギヤ構造の動力伝達系に変更してもよい。これらの４
個のスプロケット２６とタイミングチェーン２７とは、
４個の偏心アーム２４が同期して円運動を行うように、
４本の回転軸２４ｂを同時に回転させる同期手段を構成
している。

【００４３】また、これらの４本の回転軸２４ｂのう
ち、１本の回転軸２４ｂはさらに長尺に形成されてお
り、その先端部がスプロケット２６より下方に突出され
ている。この部分に動力伝達用のギヤ２８が固着されて
いる。このギヤ２８は、例えばギヤドモータなどの円運
動用モータ２９の上方へ延びる出力軸に固着された大径
な駆動用のギヤ３０に噛合されている。なお、このよう
にタイミングチェーン２７により同期させなくても、例
えば４個の偏心アーム２４のそれぞれに円運動用モータ
２９を配設させて、各偏心アーム２４を個別に回転させ
てもよい。ただし、各モータ２９の回転は同期させる必
要がある。

【００４４】したがって、円運動用モータ２９の出力軸
を回転させると、その回転力は、ギヤ３０，２８および
長尺な回転軸２４ｂに固着されたスプロケット２６を介
してタイミングチェーン２７に伝達され、このタイミン
グチェーン２７が周転することで、他の３個のスプロケ
ット２６を介して、４個の偏心アーム２４が同期して回
転軸２４ｂを中心に水平面内で回転する。これにより、
それぞれの偏心軸２４ａに一括して連結されたキャリア
ホルダ２０、ひいてはこのホルダ２０に保持されたキャ
リアプレート１１が、このプレート１１に平行な水平面
内で、自転をともなわない円運動を行う。すなわち、キ
ャリアプレート１１は上定盤１２および下定盤１３の軸
線ａから距離Ｌだけ偏心した状態を保って旋回する。こ
の距離Ｌは、偏心軸２４ａと回転軸２４ｂとの距離と同
じである。この自転をともなわない円運動により、キャ
リアプレート１１上の全ての点は、同じ大きさの小円の
軌跡を描く。また、図６にはこの装置にあってそのスラ
リー供給孔の位置を示す。例えば上定盤１２に形成され
る複数のスラリー供給孔は、これらシリコンウェーハＷ
の中心位置に配置されている。すなわち、スラリー供給
孔（ＳＬ）は、上定盤１２の中心部、すなわちキャリア
プレート１１の中心部に位置している。この結果、研磨
中においてシリコンウェーハＷの裏面にはスラリーによ
る薄膜が常に保持されることとなる。

【００４５】次に、この両面研磨装置１０を用いたシリ
コンウェーハＷの研磨方法を説明する。まず、キャリア
プレート１１の各ウェーハ保持孔１１ａにそれぞれ旋回
自在にシリコンウェーハＷを挿入する。このとき、各ウ
ェーハ裏面は上向きとする。次いで、この状態のまま、
各ウェーハ裏面に硬質発泡ウレタンフォームパッド１４
を２００ｇ／ｃｍ^２で押し付けるとともに、各ウェー
ハ表面に軟質不織布パッド１５を２００ｇ／ｃｍ^２で
押し付ける。その後、これらの両パッド１４，１５をウ
ェーハ表裏両面に押し付けたまま、上定盤１２側からス
ラリーを供給しながら、円運動用モータ２９によりタイ
ミングチェーン２７を周転させる。これにより、各偏心
アーム２４が水平面内で同期回転し、各偏心軸２４ａに
一括して連結されたキャリアホルダ２０およびキャリア
プレート１１が、このプレート１１表面に平行な水平面
内で、自転をともなわない円運動を２４ｒｐｍで行う。
その結果、各シリコンウェーハＷは、対応するウェーハ
保持孔１１ａ内で水平面内で旋回しながら、それぞれの
ウェーハ表裏両面が両面研磨される。なお、ここで使用
するスラリーは、ｐＨ１０．６のアルカリ性エッチング
液中に、平均粒度０．０５μｍのコロイダルシリカから
なる研磨砥粒が分散されたものである。

【００４６】このとき、前述したように上定盤１２の硬
質発泡ウレタンフォームパッド１４は、下定盤１３の軟
質不織布パッド１５よりもシリコンウェーハＷの沈み込
み量が小さい。そのため、従来の無サンギヤ式の両面研
磨装置による両面研磨のように、上定盤および下定盤
に、同じ材質、同じ種類の研磨パッドが展張されて、ウ
ェーハ両面研磨が同じ光沢度の研磨としかならなかった
ものに比べて、この第１の実施例の両面研磨装置１０を
用いた両面研磨では、ウェーハ裏面が梨地面で、ウェー
ハ表面が鏡面となった、表裏両面の光沢度が異なる両面
同時研磨を実現することができる。また、ここでは、両
面研磨時に、キャリアプレート１１を、このプレート１
１の自転をともなわない円運動をさせてウェーハ表裏両
面を研磨する。このようなキャリアプレート１１の特殊
な運動によりシリコンウェーハＷを両面研磨したので、
ウェーハ表裏両面の略全域において均一に研磨を行うこ
とができる。そして、このように研磨布１４，１５の材
質を異ならせて、シリコンウェーハＷの沈み込み量を異
ならせるように構成したので、簡単にかつ低コストで、
ウェーハ表裏両面の光沢度が異なるシリコンウェーハＷ
が得られる。なお、このように光沢度を異ならせたウェ
ーハ表裏面は、その光沢度に応じて所定の平坦度が達成
されている。

【００４７】なお、この第１の実施例の両面研磨装置１
０は、キャリアプレート１１を円運動させなくても、上
側回転モータ１６により上定盤１２を５ｒｐｍで回転さ
せるとともに、下側回転モータ１７により下定盤１３を
２５ｒｐｍで回転させるだけで、各シリコンウェーハＷ
を両面研磨することもできる。この場合、各シリコンウ
ェーハＷがウェーハ保持孔１１ａの中で旋回自在に挿入
・保持されているので、この研磨中、各シリコンウェー
ハＷは回転速度が速い側の定盤の回転方向へ連れ回り
（自転）する。このようにシリコンウェーハＷを自転さ
せることで、上定盤１２および下定盤１３による研磨で
はウェーハ外周へ向かうほど周速度が大きくなるという
影響をなくすことができる。その結果、ウェーハ表裏両
面のそれぞれの面全域を均一に研磨することができる。
このように、上定盤１２と下定盤１３とに回転速度の差
をつけるようにして両面研磨をしても、無サンギヤ式両
面研磨装置を用いて、鏡面仕上げのウェーハ表面と、梨
地仕上げのウェーハ裏面とを有するシリコンウェーハを
得ることができる。また、上定盤１２および下定盤１３
を同じ回転速度で回転させて、ウェーハ表面が鏡面でウ
ェーハ裏面が梨地面のシリコンウェーハＷを製造するよ
うにしてもよい。

【００４８】さらには、このキャリアプレート１１を円
運動させながら、上定盤１２および下定盤１３を回転さ
せて、シリコンウェーハＷを両面研磨してもよい。この
場合、上定盤１２および下定盤１３の回転速度は、ウェ
ーハ表裏両面に研磨ムラが発生しない程度に遅くした方
が好ましい。このようにすれば、シリコンウェーハＷの
表裏両面をその各面の全域において均一に研磨すること
ができる。なお、上定盤１２および下定盤１３を回転さ
せれば、シリコンウェーハＷに接触する定盤面を常に新
しくさせて、スラリーをシリコンウェーハＷの全面に平
均的に供給することができて好ましい。

【００４９】ここで、実際に、第１の実施例の無サンギ
ヤ式両面研磨装置１０およびその両面研磨条件に基づ
き、シリコンウェーハＷを両面研磨した際の、鏡面化さ
れたシリコンウェーハ表面の光沢度と、梨地面とされた
ウェーハ裏面の各光沢度を測定した。その結果、鏡面化
されたウェーハ表面の光沢度は、日本電色社の測定器で
３３０％以上であった。これに対して、ウェーハ裏面の
それは２００〜３００％であった。

【００５０】次に、図７に基づいて、この発明の第２の
実施例に係る両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研
磨方法を説明する。図７に示すように、この第２の実施
例では、第１の実施例の上定盤１２に展張された硬質発
泡ウレタンフォームパッド１４に代えて、スラリーがほ
とんど表面に付着しない硬質プラスチック板４０を採用
した例である。これにより、その研磨作業中、シリコン
ウェーハＷの表面は軟質不織布パッド１５によってだ
け、沈み込み量ｄ２でパッドの内部に沈み込んで鏡面研
磨されるものの、硬質プラスチック板４０に当接された
シリコンウェーハＷの裏面はまったく研磨されない。こ
れにより、例えば酸エッチングによるうねりがそのまま
残ったウェーハに仕上げられる。その他の構成、作用、
効果は、第１の実施例と略同様であるのでその説明を省
略する。

【００５１】次に、この発明の第３の実施例に係る両面
研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法を説明す
る。この第３の実施例では、図１に示す第１の実施例に
おける上定盤１２に展張された研磨布と、下定盤１３に
展張された研磨布とを同じ軟質不織布パッド１５とし、
しかも上側回転モータ１６による上定盤１２を低速回転
（５ｒｐｍ）させる一方、下側回転モータ１７による下
定盤１３を高速回転（２５ｒｐｍ）させて両面研磨を行
った例である。このとき、スラリーの供給量は２．０リ
ットル／分、ウェーハ表面の研磨量は１０μｍ、ウェー
ハ裏面の研磨量は１μｍ以下である。これにより、ウェ
ーハ表裏両面の研磨速度に違いが現出され、シリコンウ
ェーハＷの表裏両面の光沢度が異なる。この際、キャリ
アプレート１１は円運動させていない。

【００５２】実際に、このような条件によりシリコンウ
ェーハＷを両面研磨したところ、ウェーハ表面の研磨速
度が０．５μｍ／分という試験結果が得られた。そし
て、得られたシリコンウェーハＷの光沢度は、ウェーハ
表面が３３０％以上、ウェーハ裏面が２００〜３００％
であり、ウェーハ裏面の光沢度に低下が見られた。な
お、この研磨時に、上定盤１２および下定盤１３に展張
された研磨布のうちの一方の研磨布を、他方の研磨布に
比べてシリコンウェーハの沈み込み量が違う研磨布とし
てもよい。その他の構成、作用、効果は、第１の実施例
と略同様であるのでその説明は省略する。

【００５３】次に、この発明の第４の実施例に係る両面
研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法を説明す
る。この第４の実施例では、第３の実施例の両定盤１
２，１３を回転させてのウェーハ両面研磨時に、第１の
実施例の場合と同じように、キャリアプレート１１を自
転をともなわない円運動を行わせた例である。この場合
のキャリアプレート１１の円運動速度は２４ｒｐｍであ
る。また、上定盤１２の回転速度を５ｒｐｍとし、下定
盤１３の回転速度を２５ｒｐｍとする。スラリーの供給
量は２．０リットル／分、ウェーハ表面の研磨量は１０
μｍ、ウェーハ裏面の研磨量は１μｍ以下である。

【００５４】実際に、このような条件でシリコンウェー
ハＷを両面研磨したところ、ウェーハ表面の研磨速度が
０．５μｍ／分という試験結果が得られた。そして、得
られたシリコンウェーハＷの光沢度は、ウェーハ表面が
３３０％以上、ウェーハ裏面が２００〜３００％であっ
た。その他の構成、作用、効果は、第１の実施例と略同
様であるので説明を省略する。

【００５５】

【発明の効果】この発明によれば、上定盤および下定盤
に展張された研磨布のうち、一方の研磨布を、他方の研
磨布とはウェーハ研磨時における半導体ウェーハの沈み
込み量が異なる研磨布としたので、無サンギヤ式両面研
磨装置を使用して、光沢度が異なったウェーハ表裏面を
有する半導体ウェーハを、選択的にかつ低コストで得る
ことができる。

【００５６】特に、請求項２および請求項１２の発明に
よれば、キャリアプレートを、このプレートの自転をと
もなわない円運動をさせて半導体ウェーハを研磨するよ
うにしたので、ウェーハ表裏両面の略全域にわたって均
一に研磨を行うことができる。

【００５７】また、請求項３〜請求項６の発明によれ
ば、一方の研磨布に、他方の研磨布とは異なる硬度、密
度、圧縮率または圧縮弾性率を有する材質の研磨布を使
用して半導体ウェーハの研磨を行うようにしたので、簡
単かつ低コストで、それぞれの研磨布の半導体ウェーハ
の沈み込み量を異ならせることができる。しかも、既存
の無サンギヤ式両面研磨装置にも、平易かつ低コストで
この発明を適用することができる。

【００５８】さらに、請求項７に記載の発明によれば、
半導体ウェーハの一方の面を発泡ウレタンフォームパッ
ドにより梨地研磨し、他方の面を不織布パッドにより鏡
面研磨するようにしたので、高精度の片面梨地の鏡面ウ
ェーハを容易に得ることができる。

【００５９】請求項１１に記載の発明によれば、上定盤
および下定盤のうち、一方の定盤の回転速度を、他方の
定盤とは異なる回転速度として半導体ウェーハを研磨す
るようにしたので、無サンギヤ式両面研磨装置を用い
て、光沢度が異なったウェーハ表裏両面を有する半導体
ウェーハを、選択的にかつ低コストで得ることができ
る。しかも、既存の無サンギヤ式両面研磨装置に対して
も、平易かつ低コストで、この発明を適用することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係る両面研磨装置の
全体斜視図である。

【図２】この発明の第１の実施例に係る両面研磨装置を
用いた半導体ウェーハの研磨方法の両面研磨中の縦断面
図である。

【図３】この発明の第１の実施例に係る半導体ウェーハ
の研磨方法における研磨中の状態を示すその断面図であ
る。

【図４】この発明の第１の実施例に係る両面研磨装置の
概略平面図である。

【図５】この発明の第１の実施例に係るキャリアプレー
トに運動力を伝達する運動力伝達系の要部拡大断面図で
ある。

【図６】この発明の第１の実施例に係るスラリー供給孔
の位置を示す断面図および平面図である。

【図７】この発明の第２の実施例に係る半導体ウェーハ
の研磨中の状態を示すその断面図である。

【符号の説明】

１０両面研磨装置、１１キャリアプレート、１１ａウェーハ保持孔、１２上定盤、１２ａ回転軸、１３下定盤、１４硬質発泡ウレタンフォームパッド、１５軟質不織布パッド、Ｗシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小野五十六東京都千代田区大手町１丁目５番１号三菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者遠藤光弘東京都千代田区大手町１丁目５番１号三菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者吉田文彦東京都千代田区大手町１丁目５番１号三菱マテリアルシリコン株式会社内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 AB01 AB06 AB08 AC04 BA02 BA04 DA06 DA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キャリアプレートに形成されたウェーハ
保持孔内に半導体ウェーハを保持し、研磨砥粒を含むス
ラリーをこの半導体ウェーハに供給しながら、研磨布が
それぞれ展張された上定盤および下定盤の間で、上記キ
ャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレ
ートを運動させて、上記半導体ウェーハの表裏両面を同
時に研磨する両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研
磨方法であって、上記上定盤の研磨布および下定盤の研磨布のうちのいず
れか一方に、残りの他方とは研磨時における半導体ウェ
ーハの沈み込み量が異なる研磨布を用いることにより、
半導体ウェーハの表面の光沢度と裏面の光沢度とを異な
らせた両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方
法。
【請求項２】上記キャリアプレートの運動は、キャリ
アプレートの自転をともなわない円運動である請求項１
に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方
法。
【請求項３】上記研磨布のうちのいずれか一方は、残
りの他方の研磨布とは異なる硬度を有する請求項１また
は請求項２に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェー
ハの研磨方法。
【請求項４】上記いずれか一方の研磨布には、残りの
他方の研磨布とは異なる密度を有する材質の研磨布を使
用した請求項１または請求項２に記載の両面研磨装置を
用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項５】上記いずれか一方の研磨布には、残りの
他方の研磨布とは異なる圧縮率を有する材質の研磨布を
使用した請求項１または請求項２に記載の両面研磨装置
を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項６】上記いずれか一方の研磨布には、残りの
他方の研磨布とは異なる圧縮弾性率を有する材質の研磨
布を使用した請求項１または請求項２に記載の両面研磨
装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項７】上記いずれか一方の研磨布が発泡ウレタ
ンフォームパッドで、残りの他方の研磨布が不織布パッ
ドである請求項３〜請求項６のうちのいずれか１項に記
載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。
【請求項８】上記スラリーは、上記上定盤の略中心部
に位置するスラリー供給孔より供給される請求項１〜請
求項７のいずれか１項に記載の両面研磨装置を用いた半
導体ウェーハの研磨方法。
【請求項９】上記半導体ウェーハの沈み込み量が小さ
な研磨布を用いて、半導体ウェーハの一方の面を軽く研
磨することで軽ポリッシュ面とした請求項１〜請求項８
のうちのいずれか１項に記載の両面研磨装置を用いた半
導体ウェーハの研磨方法。
【請求項１０】上記半導体ウェーハの片面が酸化膜に
よって被覆されている請求項１〜請求項９のうちのいず
れか１項に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハ
の研磨方法。
【請求項１１】キャリアプレートに形成されたウェー
ハ保持孔内に半導体ウェーハを保持し、研磨砥粒を含む
スラリーを半導体ウェーハに供給しながら、それぞれ研
磨布が展張され、かつ各回転軸を中心にして回転する上
定盤および下定盤の間で、上記キャリアプレートの表面
と平行な面内でこのキャリアプレートを運動させて、上
記半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨
装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であって、上記上定盤および下定盤のうちのいずれか一方の回転速
度を、残りの他方とは異なる回転速度にすることで、半
導体ウェーハの表面の光沢度とその裏面の光沢度とを異
ならせた両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方
法。
【請求項１２】上記キャリアプレートの運動は、キャ
リアプレートの自転をともなわない円運動である請求項
１１に記載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研
磨方法である。
【請求項１３】上記半導体ウェーハの片面が酸化膜に
よって被覆されている請求項１１または請求項１２に記
載の両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。