TW535033B - Novel photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same - Google Patents

Novel photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same Download PDF

Info

Publication number
TW535033B
TW535033B TW088114597A TW88114597A TW535033B TW 535033 B TW535033 B TW 535033B TW 088114597 A TW088114597 A TW 088114597A TW 88114597 A TW88114597 A TW 88114597A TW 535033 B TW535033 B TW 535033B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
carboxylic acid
chemical formula
orbornene
photoresist
patent application
Prior art date
Application number
TW088114597A
Other languages
English (en)
Inventor
Geun-Su Lee
Cha-Won Koh
Jae-Chang Jung
Min-Ho Jung
Ki-Ho Baik
Original Assignee
Hyundai Electronics Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR10-1998-0034694A external-priority patent/KR100448860B1/ko
Priority claimed from KR10-1998-0039079A external-priority patent/KR100400292B1/ko
Application filed by Hyundai Electronics Ind filed Critical Hyundai Electronics Ind
Application granted granted Critical
Publication of TW535033B publication Critical patent/TW535033B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/08—Bridged systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/74—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • C07C69/753—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring of polycyclic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F32/08—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having two condensed rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Description

535033 A7 _____B7__ _ 五、發明說明（ί ) 發明領域 本發明關於用於製備光阻劑共聚物之新穎單體，其共 聚物，及由彼等所製備之光阻劑組成物。更特別地，本發 明亦關於適合曝光於深紫外線之光譜區域的此類單體、共 聚物及光阻劑組成物。 發明背景 以使用深紫外線光，特別爲ArF雷射之光敏性膜必須 滿足數種要求；其必須具有在193nm波長下之低光吸收度 ，極佳抗蝕刻性及對基板之黏著性，且可在2.38%或2.6% 四甲基氫氧化銨（在此之後，簡稱爲TMAH)水溶液中顯影 。直至今日，硏究者已將焦點放在硏究具有高透明度及在 ，193nm之波長下具有抗蝕刻性的酚醛淸漆樹脂基板上。例 如，貝爾實驗硏究中心之硏究員已改善光阻劑共聚物之抗 蝕刻性，其是藉由添加脂環族單元至主鏈上來達成。此外 ，日本富士通及美國SpM之硏究員係活躍於硏究以甲基丙 烯酸酯及丙烯酸酯化合物作爲光阻劑聚合物。然而，上述 技術並沒有解決抗蝕刻性的問題，且又牽涉到因加入脂環 族基至聚合物中所增加的生產成本。此外，由先前技藝之 光阻劑所顯現之低黏著力爲不利的，因爲光微影圖案不能 建立150nm或更少整合度的L/S圖案。 發明摘述 本發明之目的爲解決前述之問題’並提供一種新穎單 體，其可被使用來形成具有極佳黏著力及感光度之共聚物 ，且可容易地以低生產成本生產，本發明亦提供一種用於 _^^ 一— --------— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·.--------線一 535033 A7 ____B7 _ 五、發明說明（1 ) 製備單體之方法。 本發明之另一目的爲提供新穎單體之共聚物，及製備 該共聚物之方法。 本發明之另一目的爲提供使用共聚物之光阻劑組成物 及製備該光阻劑組成物之方法。 本發明之又一目的爲提供使用該光阻劑組成物所製造 之半導體元件。 本發明提供一種以下列化學式1表示之新穎化合物： <化學式1>
OH 其中， 、R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(Ci_Ci。)烷基，取 代或未經取代(G-G。)醚，取代或未經取代(Ci_Ci。)酯，或取 代或未經取代(G-CW酮； X及Y分別爲CH2，CILCH”氧或硫；且 i爲0或爲1至2的整數。 爲了翻其它技術目的，本發明之另—具體實施例提 二巳括式1之賴之龍單元的光随共聚物。較佳共聚 物爲以下列化學式100及100a表示： <化學式100> i紙張尺家標準（cns)A4^^〇x 2975公餐） ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線 535033 A7 B7 五、發明說明（
OH <化學式100a> 0:
OH R* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中 訂、--------線 R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(ChG〇)烷基，取 代或未經取代(CVCi〇)醚，取代或未經取代(Cl_Cl。)酯，或取 代或未經取代(ChCuO酮； X ’ Y ’ V及w分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫； 1及j分別爲0或1至2的整數； R*爲酸可反應基；且 a，b及c表示單體之聚合反應的比例。 在化學式1〇〇之例中，a : b : c之較佳莫耳當量比例爲 (0·01 - 0.2) : (0.1 - 0.4) : 0.5。 根據本發明之光阻劑組成物包括⑴根據本發明之光阻 劑共聚物，光酸生成劑及傳統有機溶劑。 此後，本發明將更詳細說明。 發明詳述 已發現化學式1之化合物特別有用於製備化學增幅光 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 A7 B7 五、發明說明（t ) 阻劑共聚物。化學式1之化合物具有增進光阻劑與晶圓基 板間之黏著力的羥基’及具有同時可增進感光性之羧酸基 。此外’該化合物可以簡卓地合成而不會有有毒氣味’並 可在水中立即結晶而不需使用任何複雜分離裝置，例如蒸 餾或柱型色層分離法。因此’本發明之化合物在低成本大 量生產上爲有利的。 在化學式1之較佳化合物中，R爲下述化學式la所表 示： <化學式la> ΐ1 —(CH2)m—z—(CH2)n— 其中， z爲碳或氧； 1及R2分別爲H或(G-C5)烷基；且 m及n分別爲0或1至5之整數。 根據本發明之光阻劑單體的製備係可在有機溶劑，例 如四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二噁烷、苯及甲苯中，將(1) 二醇，例如乙二醇、1,3-丙二醇、1，4-丁二醇、1,5-戊二醇 、2,2-二乙基-ΐ，3-丙二醇、2,2-二甲基-1，3-丙二醇及二甘醇 與(η)酐，例如5-原冰片烯-2,3-二羧酸酐及外向-3,6-環氧-U，3,6-四氫肽酸酐進行反應。 例如，由下述化學式2所表示之化合物，其中一化合 物以上述式1所表示，可在酸催化劑或驗之存在下，將化 學式2a和2b之化合物進行反應來獲得式2化合物： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----f I 訂、--------| 535033 A7 ___ B7 五、發明說明（f ) <化學式2>
OH—(CH2)m—Z—(CH2)n—OH R2 <化學式2b>
ο 广請先閱讀背面M注意事頊存瓖寫本 其中， Υ 爲 CH2，CH2CH2，氧或硫； Z爲碳或氧； R:及R2分別爲Η或(CVG)烷基；且 m及η分別爲0或1至5的整數。 化學式2a之化合物可以相對於化學式2b之化合物的 相同份量或過量來使用。
NaH，KH，CaHb，NasCCb，LDA(二異丙基醯胺鋰 (lithium diisopropylamide))或其類似之物可被用來作爲鹼’ 且硫酸、醋酸或硝酸可被用來作爲酸催化劑。 根據本發明之新穎單體（由化學式1所表示之化合物) 亦可由狄爾斯-阿德爾(Diels-Alder)反應來製備。 例如，由上述化學式2所表示之化合物可由下列反應 式（1)及(2)來製備： _____« ______ 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公度^ "~ 線，·----.——Ί------- 535033 A7 B7 五、發明說明（6 ) <反應式1>
其中， Y 爲 CH2，CH2CH2，氧或硫； z爲碳或氧； Ri及分別爲Η或(CVC0烷基；且 m及η分別爲〇或1至5之整數。 亦即，首先，中間產物的獲得係在酸催化劑之存在下 ，於有機溶劑，例如苯，四氫呋喃、二甲基甲醯胺或二嚼 烷中，將馬來酐與二醇進行反應，如反應式1所顯示，且 然後，最終產物物質的獲得係在有機溶劑，例如苯及四氫 呋喃中進行狄爾斯-阿德爾反應，如反應式2所顯示。 根據本發明之較佳光阻劑共聚物包括作爲第一共聚單 體之化學式1化合物的重複單元及包括作爲第二共聚單體 之下述化學式3之化合物的重複單元： <化學式3> Μ · Aw — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 —μ -線 ___ 2_ 本·紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格297公釐） 535033 A7 ____B7 五、發明說明（rj )
..——1_________#11 ^ < -ίν (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A* 其中， v及W分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫； j爲0或1至2之整數；且 Μ爲酸可反應基。 在化學式3中，當在光阻劑組成物中之酸生成劑產生 酸時，R*會被釋放與酸反應。因此，雖然在光阻劑層之曝 光區域中，光阻劑聚合物變爲可溶於顯影溶液中，在未曝 光區域中之聚合物則不溶於顯影溶液中，因爲酸並無生成 於其中且因此酸可反應基仍鍵結至光阻劑聚合物上。結果， 形成預先決定之圖案。 ，-線. 因此，化學式3之化合物具有增進光阻劑聚合物感光 性的能力，其藉由增加在曝光區域和未曝光區域之間於顯 影溶液中的溶解度差異。 合適酸可反應(酸不安定(acid labile))基包括特丁基，2-四氫呋喃基扣的1^(11*(^1^1171)，2-四氬卩比喃基，2-乙氧基乙 基，特-丁氧基乙基等。在最佳具體實施例中，第二共聚單 體爲特-丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯，下述化學式3a之化合 物爲： <化學式3a> 各纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
535033 A7 -------- B7 五、發明說明u ) 宁=〇 〇 十 可添加馬來酐或馬來醯亞胺衍生物作爲促進聚合反應 之單體，其用於使環烯烴化合物間之聚合反應更爲有效率 。然而，當使用金屬催化劑進行聚合反應時，並不一定需 要此類促進聚合反應之單體。 包含於根據本發明之光阻劑共聚物之式1第一共聚單 體及式3之第二共聚單體，每個包含具有大型位阻現象之 取代基。因此，在較佳共聚物中，間隔基(spacer)共聚單體 ，例如下述化學式4之化合物，係加至聚合物主鏈中，不 只是爲了使位阻現象降低（因此增加合成產率，較佳超過 40%)，亦可適當調整分子量至所欲範圍內（較佳在7,000 * 8,000 內）。 <化學式4>
其中， U爲CH2，CH2CH2，氧或硫；且 R’爲氫或Ci-Cs烷基。 更佳地，R’爲氫或甲基。 下述化學式100，200，100a及200a代表根據本發明 之較佳光阻劑共聚物。 <化學式100> ^!^尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂L-------線J 535033 A7 B7 五、發明說明（？）
<化學式200>
Ύ'
-ο—RIC
-C丨OIR <化學式l〇〇a>
OH (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I Hi n - Ξ ϋ n 一 n n I n Hi n n I I* n n V n . 其中， X，Y，V，W及U分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫； R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(CVG。)烷基，取 ί、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~J_ 五、發明說明（卜） ^或未經職(GA)醚，取代或未經職(GA)酯，或取 代或未經取代(Ci-Go)酮； R*爲酸可反應基； R’爲氫或eves烷基； i及j分別爲0或1至2之整數；且 a，b，〇及d分別爲共聚單體之聚合反應的比例。 根據本發明之光阻劑共聚物之分子量爲3,⑻0至 12,0〇〇，較佳爲5,〇〇〇至1〇,〇〇〇。 雖然由化學式100及2〇〇所表示之共聚物主要是由使 用聚合反應引發劑之合成方法來獲得，由化學式100a及 200a所表不之共聚物主要是由使用金屬觸媒之合成方法來 獲得。 使用聚合反應引發劑之合成方法的進行是在有機溶劑 中於聚合反應引發劑之存在下將共聚單體進行反應。現今 較佳有機溶劑包括四氫呋喃，二甲基甲醯胺，二甲基亞硼 ’二噁烷，甲基乙基酮，苯，甲苯或可使用二甲苯。傳統 自由基聚合反應引發劑，例如2,2-偶氮雙異丁腈(AIBN)， 乙醯基過氧化物，月桂基過氧化物及特丁基過氧化物可被 使用在本發明之共聚物之合成中。 此外，使用金屬觸媒之合成方法係藉由在有機溶劑中 於金屬觸媒存在下反應除了馬來酐或馬來醯亞胺以外之共 聚單體來進行的。此外，示範性金屬觸媒爲六氟銻酸銀 (AgSF6)或烯丙基氯化鈀(CH2=CHCH2-PdCl)。 根據本發明之光阻劑組成物於使用深紫外光源，例如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ίδι‘ * - -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 535033 A7 ___B7 五、發明說明（（丨） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ArF之光微影方法中爲有用地，該光阻劑組成物的製備可 將根據本發明之光阻劑共聚物與傳統光酸生成劑一起溶於 傳統有機溶劑中。 -線· 較佳以硫化合物或鎗類型化合物作爲光酸生成劑。光 酸生成劑可爲一或多個化合物，其選擇自由二苯基碘六氟 憐酸鹽’ 一苯基确六氟砷酸鹽，、二苯基澳六氣鍊酸鹽，二 苯基對-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三 氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二 苯基對-特丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽 ，三苯基銃六氟砷酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃 三氟甲烷磺酸鹽及二丁基萘基毓三氟甲烷磺酸鹽所組成之 族群中。所使用之光酸生成劑的量爲所使用之光阻劑共聚 物的0.05至10重量％。若光酸生成劑的量少於〇.〇5重量％ 時，光阻劑之感光性變爲較弱。另一方面，若超過10%之 量時，光酸生成劑立即吸收深紫外線以提供具有較差剖面 表面之圖案。 可使用在本發明之光阻劑組成物中之傳統有機溶劑， 例如乙基3-乙氧基丙酸酯，甲基3-甲氧基丙酸酯，環己酮 ，丙二醇甲基醚醋酸酯，或其類似之物。使用之溶劑量爲 光阻劑共聚物的200至1000重量％，以獲得所欲厚度之光 阻層。根據本發明之實驗，當溶劑量爲600重量％時，獲 得具有0.5/zm厚度之光阻層。 傳統形成光阻劑圖案之方法可以使用根據本發明所製 備之光阻劑組成物，例如下述所示； 本紙張尺度適《中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 A7 ___ B7____ 五、發明說明（R ) 首先’將本發明之光阻劑組成物旋轉塗覆於矽晶圓上 以形成薄膜，然後將該薄膜進行軟烤(亦即，在烤箱中或熱 板上於70至200°C下加熱歷時1至5分鐘，較佳在80至 150°C) ’且使用利用深紫外線光源，例如具有小於25〇nm 之波長的ArF光及KrF光之曝光裝置將其進行曝光。然後 ，晶圓進行後烘烤(亦即，於70至200 °C下加熱，更佳於 100至200 T下）。然後，晶圓浸漬在2.38%水性TMAH顯 影溶液中L5分鐘以獲得光阻劑圖案。 在上述步驟中’曝光能量較佳爲0.1至30 mJ/cm2且， 可使用E-電子束，X-射線，EUV，vuv(真空紫外線)或相 似光源以代替深紫外線光源。 藉由利用根據本發明之光阻劑組成物，可獲得具有極 佳黏著性及解析度之線/間隙(L/S)光阻劑圖案，而圖案不會 崩潰’即使分離時亦不超過70 nm。 根據本發明，具有極佳抗蝕刻性及黏著性之光阻劑組 成物可以低成本大量生產，且可從其製備具有極佳可靠度 之半導體元件。 較佳具體實施例詳述 本發明將以下列實施例更詳細說明，應注意本發明不 被該實施例所限制。 光阻劑單體之合成 實成5-原冰片H羧酸-3-(2-羥乙基酸西旨 將乙二醇(0.1莫耳)加至1〇〇毫升四氫呋喃中，將混合 物冷卻至-20 °C。經冷卻混合物在鹼催化劑，例如，〇.丨莫 τ、纸張尺度刺+關家鮮（CNS)A4祕（21Q χ 29^公爱]~一 '奪 — I — r---------0 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜訂*l· A7 535033 ____B7 五、發明說明（6 ) 耳氫化鈉存在下進行攪拌20至3Q分鐘。然後，將0.1莫 耳5-原冰片烯-2,3-二羧酸酐緩慢加入該混合物中，且將溫 度升至室溫以進行反應24小時。當反應完成時，將四氫呋 喃蒸餾去除，且殘餘物與0.2 N氫氯酸溶液(500毫升)混合 ，且混合物在冷凍機中結晶數天。然後，過濾所得物質， 以冷水（100毫升)淸洗，再乾燥以獲得如純無色固體之化學 式11化合物（19.4克/產率：86%)。 <化學式11>
^ ^y^COOH ^-coo-ch2ch2oh 在上述說明之方法中，結晶步驟需要進行長時間(不少 於一星期）。爲了解決此問題，以氫氯酸處理而得之物質係 以500毫升醋酸乙酯進行萃取，再以脫水劑乾燥，例如無 水硫酸鎂，並且過濾。在經降低壓力下蒸發濾液，獲得一 白色固體物，其之後再從丙酮/石油醚中進行再結晶以提供 爲純狀態之化學式11化合物(17.6克/產率：78%)。 實施例2;合成5-原冰片烯-2-雜酸-3-(3-¾基丙基)錢酸酷 重複實施例1之步驟，但使用1，3-丙二醇代替乙二醇 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式12的化合物(21.1 克/產率：88%)。 <化學式12〉 __________nil (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： •線'
實施例3;合成原冰片烯-2-羧酸-3-(4·麗基丁基)羧酸酷 重複實施例1之步驟，但使用1，3-丁二醇代替乙二醇 幸、纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 A7 --- —___B7____ 五、發明說明（,* ) 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式13的化合物(22.6 克/產率：89%)。 <化學式13>
广 ^^^-COOH ^^-coo-ch2ch2ch2ch2oh 實施例4;合成5-原冰片烯-2-羧酸-3-(5-羥某戊某)羧酸酯 重複實施例1之步驟，但使用1，5-戊二醇代替乙二醇 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式14的化合物(22.8 克/產率：85%)。 <化學式14〉
^ -^-^COOH ^^1 ^-coo-ch2ch2ch2ch2ch2oh 實應例5;合成5-原冰片烯-2-羧酸-3-C3-羥某-(2,2-二乙基） 基1羧酸酯 重複實施例1之步驟，但使用2,2-二乙基-U-丙二醇 代替乙二醇作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式15的 化合物(26.9克/產率：91%)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -.線· <化學式15>
Ξ·基1羧酸酯 重複實施例1之步驟，但使用2,2-二甲基-1，3-丙二醇 代替乙二醇作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式16的 本·紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 A7 _________B7 五、發明說明（) 化合物(24.1克/產率：90%)。 <化學式16>
___________·丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 合成5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥某氧基）乙某 羧酸酯 重複實施例1之步驟，但使用二甘醇代替乙二醇作爲 反應物，以獲得如無色固體之化學式17的化合物（19.2克/ 產率：71%)。 <化學式17> ^,^-coo-ch2ch2och2ch2oh 實施例8;合成D萌雙環「2.2J1-庵-5-烯-2-羧酸K2-羥甚7,甚 )羧酸酯 -線· 將乙二醇(0.1莫耳)加至1〇〇毫升四氫呋喃中，將混合 物冷卻至-20 °C。將氫化鈉(〇.1莫耳)加入，且攪拌所得混合 物20至30分鐘。然後，將Q.i莫耳外向_3,6胃環氧-1，2,3,6-四氫酞酐緩慢加入該混合物中，且將溫度升至室溫以進行 反應24小時。當反應完成時，將四氫呋喃蒸餾去除，且殘 餘物與0.2 N氫氯酸溶液(5〇〇毫升)混合，且混合物在冷凍 機中結晶數天。然後，過濾所得物質，以冷水（1〇〇毫升)淸 洗’再乾燥以獲得如無色固體之化學式18的化合物（19.4 克/產率：86%)。 <化學式18> -— ---------- 1 Q _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29Γ公tT ' 535033 A7 ________B7 _ ___ 五、發明說明（…） 1 -coo，ch2ch2oh 在上述說明製備化學式18之化合物之方法中’結晶步 驟需要進行不少於一星期之長時間。爲了解決此問題，以 氫氯酸處理而得之物質係以500毫升醋酸乙酯進行萃取’ 再以脫水劑乾燥，例如無水硫酸鎂，並且過濾。在經降低 壓力之下蒸發濾液之後，獲得一白色固體物，其之後再從 丙酮/石油醚中進行再結晶以提供純狀態之化學式18的化 合物（17.6克/產率：78%)。 實施例9;合成噁雙環「2.2.11-庚-5-烯-2-羧酸-3-(3-羥基丙_基 )羧酸酯. 重複實施例8之步驟，但使用1,3-丙二醇代替乙二醇 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式19的化合物(20.8 克/產率：86%)。 <%學式19> ^^^-coo-ch2ch2ch2oh 亶旒篮10;合成噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基_ )羧酸酯 重複實施例8之步驟，但使用1,4-丁二醇代替乙二醇 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式20的化合物(22.3 克/產率：87%)。 <化學式20> 〇
^^^-"CO〇-CH2CH2CH2CH2OH ^-----— ] 9____ ... -- T、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----^訂- l· —------線|肩 535033 A7 _B7_______ 五、發明說明（ΙΊ ) 實施例11;合成噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊某 )羧酸酯 重複實施例8之步驟，但使用1，5-戊二醇代替乙二醇 作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式19的化合物(23.8 克/產率：88%)。 <化學式21〉 Q ' /COOH coo-ch2ch2ch2ch2ch2oh 實施例12;合成噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-f3-羥基-(2,2-二乙基)丙基l羧酸酯 重複實施例8之步驟，但使用2,2-二乙基-1,3-丙二醇 代替乙二醇作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式22的 化合物(27.7克/產率：93%)。 <化學式22〉 〇
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂.
COOH CH2CH3 coo-ch2cch2oh ch2ch3 實施例13;合成噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-「3-羥基-(2,2^·二甲某)丙基l羧酸酯 重複實施例8之步驟，但使用2,2-二甲基-1,3-丙二醇 代替乙二醇作爲反應物，以獲得如無色固體之化學式23的 化合物(23.6克/產率：86%)。 <化學式23〉 Q 、-COOH CH3 coo-ch2cch2oh ch3 _90 ____
-線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 535033 A7 B7
五、發明說明（以） 實施例14;合成噁雙環「2.2.11庚-5:烯-2^^3_(2_@其7^ 基）乙_基羧酸酯 工土 重複實施例8之步驟，但使用二甘醇代替乙二醇作爲 反應物，以獲得如無色固體之化學式24的化合物(21.2克/ 產率：78%)。 <化學式24> Q
-COOH -coo-ch2ch2och2ch2oh 合成光阻劑共聚物 實施例15:合成聚（5-原冰片烯-2-羧酸-羥基彳7 基)丙基1羧酸酯/特丁某5-原冰片烯-2-羧Μ旨/馬夾Bfl 將5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基)丙基]殘酸 酯(〇·2莫耳），特丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯(〇·8莫耳），與馬 來酐（1.0莫耳)溶於四氫呋喃中。然後，添加0.5至1〇克 ΑΙΒΝ(偶氮雙異丁腈)作爲聚合反應引發劑，且所得混合物 係在氮氣或氬氣下於約60-70 °C進行反應4至24小時。 因此所得聚合物係在乙醚或正己烷中進行沉澱，再乾 燥以獲得下述化學式101的化合物(產率：39%)。
HO (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « l·訂· —線· 實施例 成聚（星-I經甚-(2.2-二乙基)丙基雙^2^1 拿、纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 B7 五、發明說明（) 辛-5-烯-2,3-二羧酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬夾酐） 重複實施例15的步驟但使用單-3-羥基-(2,2-二乙基)丙 基雙環[2,2,2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酯(0.2莫耳)以代替5-原冰 片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基）丙基]羧酸酯（0.2莫耳) ，以獲得下述化學式102所代表的化合物(產率：36%)。
HO 實施例17;合成聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-Π-羥某-(2.2-二乙 基)丙基酸酯/特丁基雙環「2,2,21辛-5-內向-2-羧酸酯/馬來 酐) 重複實施例15的步驟但使用特丁基雙環[2,2,2]辛-5-內 向-2-羧酸酯(0.8莫耳）以代替特丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯 (0.8莫耳），以獲得下述化學式1〇3所代表的化合物(產率: 38%)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1«·丨丨丨丨—丨卜；π-丨丨丨丨丨I--線丨^^-
1施例18;合成聚羥某-(2·2-二乙某)丙基雙環「2,2.21 辛:i-_烯-273-二羧酸酯^丁基雙環「2,2,21辛_5_內向_2_羧酸酯 木纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 1210 X 29Γ公餐） -- 535033 A7 r---*----------B7________ 五、發明說明（/ ) /MMMl 重複實施例16的步驟但使用特丁基雙環[2,2,2]辛內 向-2-f酸酯(〇·8莫耳）以代替特丁基5_原冰片烯羧酸酯 (0.8旲耳），以獲得下述化學式1〇4所代表的化合物(產率: 42%)。 .<化學式104>
酯原冰片蓋-碰酸酯/馬夾酐/堅述片嫌) 將5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)羧酸酯（1〇毫莫耳 )’馬來酐（100毫莫耳），原冰片烯(2〇毫莫耳），特丁基-5_ 原冰片細-2-羧酸目日(70毫吴耳)及AIBN (〇·3〇克)溶解在25 耄升四氫呋喃中，且溶液在65 °C下反應1〇小時。當反應 完成時，反應混合物倒入結晶用溶劑，例如石油醚中，以 獲得純固體，其之後進行過濾與乾燥以得到化學式1〇5所 表示之化合物（11.3克/產率：42%)。 <化學式1〇5>
實施例20:合庞藍(1^冰片烯-2-羧酸羥某丙某）雜西芳 ______1'___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n n ϋ n ϋ I ϋ n n 9l f— I n f— 535033 A7 B7 五、發明說明（W )酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片輝、 重複實施例19之步驟但使用5-原冰片烯-2-竣酸-3-(3-羥基丙基)羧酸酯作爲反應物，以取代5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)羧酸酯，以獲得化學式1〇6所代表之無色固 體的化合物(11.58克/產率：41%)。 <化學式106> 〇=Ρ〇ΟΗ 4τ· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .0
OH 實施例21:合成聚（5-原冰片烯-2-簿酶-K4-·某丁基）雜酸 酯/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬速酐/原冰片烯、 重複實施例19之步驟但使用5-原冰片烯羧酸-3-(4_ 羥基丁基)羧酸酯作爲反應物，以取代5-原冰片烯羧酸_ 3-(2-羥基乙基)竣酸酯，以獲得化學式1〇7所代表之無色固 體的化合物（11.36克/產率：40%)。 <化學式107> '〇^〇
| 貫J也例_22:合成聚(5-原冰片嫌-2-錄酸K5-羯某戊墓)雜酸 廬/特丁基-5-原冰片烯-2-錢酸醋/馬皇軒/原冰片;歸、 重複實施例19之步驟但使用5-原冰片烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊基)羧酸酯作爲反應物，以取代孓原冰片烯羧酸_ 3-(2-羥基乙基)羧酸酯，以獲得化學式ι〇8所代表之無色固 74 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ..
--------線U 535033 A7 B7 五、發明說明（y>) 體的化合物（11.7克/產率：41%) <化學式108>
OH
COOH 寛施例23:合成聚〜原冰片烯门 一了 勤遜遭麵歷X棊-5-原冰片稀-通2祕 片烯) 重複實施例19之步驟但使用5-原冰片你q 〇 一 Λ庁烯I羧酸-3-[3- 羥基-(2,2-二乙基)丙基]羧酸酯作爲反應物， ^ ^ J 以取代5-原冰 片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)羧酸酯，以獲徨 心㈠化學式1〇9所 代表之無色固體的化合物(27.6克/產率：45%)。 <化學式1〇9> 丄
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------線—邊 實施例24:合成聚（5-原冰 二甲— ^夾肝 / 酿 片烯） -n I n n 重複實施例19之步驟但使用^ 所冰片烯-2-羧酸-3- (2,2-二甲基)羥基丙基羧酸酯作爲反應物，以取代5原冰片 烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)竣酸酯，以獲得化擧式11〇'所代 表之無色固體的化合物（H.7克/產率：43%)。 <化學式11〇>
9S 衣纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 535033 A7 ___— _B7 五、發明說明（A )
1ML25:合成聚（5-原冰片烯:2-羧酸-3-(2-羥某乙氣基）乙 墓逡盤廳/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬夾酐/原冰片烯） 重複實施例19之步驟但使用5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-乙氧基）乙醇羧酸酯作爲反應物，以取代5-原冰片烯羧酸 -3-(2-羥基乙基)羧酸酯，以獲得化學式ιη所代表之無色 固體的化合物（10.9克/產率：39%)。
貫·施例26:合成聚（卩惡望里[2.2.1]麼^^嫌_2-錢酸冬(2_羥基 乙基)殘酸酯/特丁棊:5-原冰片烯-2-霞既酯/馬來酐/原冰片烯 1 將嚼雙環[2.2.1]羊-5-烯-2-殘酸1(2-羥基乙基）殘酸酯 (10鼋旲耳）’馬來野（100晕；旲耳）’原冰片嫌(2〇毫莫耳）， 特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯(70毫莫耳)及BN(() 3〇克)溶 ^ 25 ^ 65 ? * 當反應完成之後’反應混合物倒入二乙酸中以獲得純固體 ’其之後進行乾燥以得到下述化學式U2所表示之化合物 (11 克/產率：41%)。 _______If,___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
l· 訂-I-------線U
535033 A7 __B7 五、發明說明（W ) <化學式112>
HO 實施例27:合成聚（噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-(3-羥基 丙基)羧酸酯/馬來酐/原冰片烯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯 1 重複實施例26之步驟.，但使用噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(3-羥基丙基）羧酸酯作爲反應物，以取代噁雙環 [2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）羧酸酯，以獲得下述 化學式113所代表之無色固體的化合物(11.3克/產率：42%)
OH 實施例28:合成聚（噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羚酸-3-(4-羥某 丁某)羧酸酯/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬夾酐/!¥冰 1 重複實施例26之步驟，但使用噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基）羧酸酯作爲反應物，以取代嚼雙環 [2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）羧酸酯，以獲得下述 化學式114所代表之無色固體的化合物(11.1克/產率：42%) ____22__ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n 1 n n n n 一-OJe l· n I n n n I I 1- 535033 A7 B7 五、發明說明（ <化學式114>
o=c HO 實施例29:合成聚（噁雙環「2.2.11庚-5-烯-2-羧酸-3-(5-羥某 戌基)靈酸酯/特丁基-5 J：冰片烯-2-羧酸酯/馬夾酐/原冰片烯 1 重複實施例26之步驟，但使用噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊基）羧酸酯作爲反應物，以取代噁雙環 [2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）羧酸酯，以獲得下述 化學式115所代表之無色固體的化合物(10.9克/產率：40%)
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 |線· wm.m 30: 二乙基)丙某1羧酸酯/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來 gf/厘冰片烯） 重複實施例26之步驟，但使用噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-0羥基-(2,2-二乙基)丙基]羧酸酯作爲反應物，以取 代噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）竣酸酯，以 獲得下述化學式116所代表之無色固體的化合物(12.1克/產 28_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）
535033 A7 _________________________________ 一J_____ 五、發明說明（4 ) 率：44%) 〇 <化學式116> c=o 丄 丁 實施例31:合成聚（噁零擐「2.2.11审-5-烯-2-羧酸-3丄3-羥隻^ C2,2-二甲基)丙基1羧酸_/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬！ 酐/原冰片烯） 重複實施例26之步驟，但使用噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二甲基)丙基]竣酸酯作爲反應物，以取 代噁雙環[2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）羧酸酯，以 獲得下述化學式117所代表之無色固體的化合物(11.7克/產 率：43%)。
實施例32:合成聚（噁雙環庚-5-烯-2-羧酸-3-Q-Z氧 基,)乙醇羧酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬夾酐/原冰片 組 重複實施例26之步驟，但使用噁雙環[2·2·ι]辛烯 羧酸-3-(2-乙氧基）乙醇竣酸酯作爲反應物，以取代嚼雙環 [2.2.1]辛-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基）羧酸酯，以獲得下述 化學式118所代表之無色固體的化合物（ι〇·7克/產率：39%) __7Q_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '^ '一^—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----l· ------- 535033 A7 _________Β7 五、發明說明（刈） <化學式118>
在前述實施例中，利用石油醚或二乙醚作爲結晶用溶 劑。另外，亦可利用醇類，例如甲醇，乙醇或異丙醇。 製備實施例1:製備金屬觸媒溶液 在100毫升氯苯中，加入烯丙基氯二聚物 chloride dimmer)(0.60 克)及 AgSbF6(1.7 克），並反應歷時 4 小時。在反應後，所得溶液係通過注射過濾器以獲 得金屬觸媒溶液。 一 實施例33合成聚（5-原冰片烯-2-羧酸各(2-羥乙基1殘_酸_ 西旨/特丁某-5-原冰片烯-2-羧酸酯/原冰片烯1 在150毫升氯苯中，溶解5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥乙 基)羧酸酯（1克），原冰片烯（10克），特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯(9克），將在前述製備實施例1所製備之金屬觸媒溶 液加入於其中，而溶液在室溫下反應歷時24小時。當反應 完成時，沉澱反應混合物於乙醚中，以獲得純固體物，其 然後過濾去除並乾燥以得到標題化合物(Mwl4650/多分散性 1.87) 製備光阻劑組成物及形成光阻劑圖案 實施例Μ 在40克3-甲氧基甲基丙酸酯中溶解來自實施例15之 _________ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l·訂·
-n n n I ϋ ϋ n Ί— n n n n II ·ϋ n n ϋ n ·ϋ ϋ· n -ϋ n n ϋ n I 535033 A7 _____B7__ 五、發明說明（d ) 10g聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基)丙基]羧酸 酯/特丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐），且添加三苯基銃 三氟甲烷磺酸鹽或二丁基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽(〇.〇1-1克 )作爲光酸生成劑。在攪拌之後，將所得混合物經過0.10/Z m過濾器進行過濾以獲得光阻劑組成物。因此獲得之光阻 劑組成物係塗覆在表面上至約0.3/zm厚，並使用193 nm 之ArF光源進行曝光。然後，後烘烤光阻劑，將半導體元 件浸漬在2.38%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中進行顯影 ，並因此獲得0.13/zm L/S圖案。 窨施例35 重複實施例34之步驟，但使用來自實施例16之光阻 劑共聚物以取代實施例15的共聚物，並因此獲得0.13//m L/S圖案。 奮施例36 將實施例19之共聚物（10克)與作爲光酸生成劑之三苯 基銃三氟甲烷磺酸鹽(0.12克)溶於乙基3-乙氧基丙酸酯溶 劑(60克）中，且所得混合物經由0.10/zm過濾器過濾以製 備光阻劑溶液。因此所得光阻劑溶液係旋轉塗覆在矽晶圓 上，並在110 °C下軟烤90秒。在烘烤之後，使用ArF雷射 曝光機(exposer)並以0.1至1〇 mJ7cm2的曝光能量照射晶圓 ，且晶圓再於110 °C下後烘烤90秒。當完成後烘烤時，將 其在2.38重量％TMAH(四甲基氫氧化銨)水溶液中顯影40 秒，以獲得0.11 Am L/S圖案。 眚施例37 -----—---— ----- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂L-------線丨- 535033 A7 ___B7_ 五、發明說明（>1 ) 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例20之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13/zm L/S 圖案。 實施例38 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例21之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13/z m L/S 圖案。 實施例39 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例22之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13/zm L/S 圖案。 實施例40 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例23之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13// m L/S 圖案。 實施例41 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例24之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13//m L/S 圖案。 實施例42 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例25之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.12 // m L/S 圖案。 實施例43 ___12____ 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • --------L 訂 ------------- A7 535033 _B7 _ 五、發明說明（P ) 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例26之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 〇· 12 // m L/S 圖案。 實施例44 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例27之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.11 # m L/S 圖案。 實施例45 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例28之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13 // m L/S 圖案。 實施例46 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例29之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0· 13 /z m L/S 圖案。 實施例47 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例30之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.12/z m L/S 圖案。 實施例48 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例31.之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13 // m L/S 圖案。 實施例49 ___n —____ _ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
• n n n n n n n^OJI n n n n n n n I >1 n n n n n ΙΊ n n n n ϋ n n I 535033 A7 ______B7___ 五、發明說明（？丨） 重複實施例36之步驟，但使用來自實施例32之相同 份量的共聚物以取代實施例19之共聚物，並因此獲得 0.13 /Z m L/S 圖案。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------L 訂.！
-n 1>1 ·ϋ 11 I ·1 I 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 535033
    申請專利範園 Lί 1· 一種下述化學式1所代表之光阻劑單體， <化學式1>
    OH 其中， 、&爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(OCi。)烷基，取 代或未經取代(G-G。)醚，取代或未經取代(Ci_Ci。)酯，或 代或未經取代(G-Cu))酮； ’ X及Y分別爲Cm，CH2CH2，氧或硫；且 i爲0或爲1至2的整數。 2·根據申請專利範圍第1項之光阻劑單體，其中該r 由下述化學式la所代表： & ^ ^ <化學式la> ΐ1 —(CH2)m—z—(CH2)n— R2 其中， z爲碳或氧； l及R2分別爲H或(G-C5)烷基；且 m及η分別爲0或爲1至5之整數。 3.根據申請專利範圍第1項之光阻劑單體，其中該土 爲零。 4·根據申請專利範圍第1項之光阻劑單體，其中該光 用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、\二口 535033 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 阻劑單體由下述化學式2所代表: <化學式2>
    (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) Y 爲 CH2，CH2CH2，氧或硫； Z爲碳或氧； h及R2分別爲Η或(CVC5)烷基；且 m及η分別爲0或1至5的整數。 I 5.根據申請專利範圍第1項之光阻劑單體，其中該光 阻劑單體係選擇自由下述所組成之族群： 5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)殘酸酯； 5-原冰片烯-2-羧酸-3-(3-羥基丙基)羧酸酯； 5-原冰片烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基)羧酸酯； 5-原冰片烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊基)竣酸酯； 5-原冰片烯I羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基)丙基]殘酸酯 5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二甲基)丙基]錢酸酯 j 5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙氧基)乙基羧酸酯； 噁雙環[2.2.1]-庚-5-烯-2-羧酸各(2-羥基乙基)竣酸酯； 噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(3-羥基丙基)殘酸酯； 噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基)殘酸酯； 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) 535033 _S 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 口惡雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-駿酸經基戊基)羧酸酯； 噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸1[3-羥基_(2,二乙基）丙 基]羧酸酯； 噁雙環[2_2.1]庚-5-烯-2-羧酸羥基_(2,2_二甲基）丙 基]羧酸酯；及 螺雙環[2·2·1]庚-5-烯-2-狻酸-3-(2-羥基乙氧基）乙基竣 酸酯。 6· —種合成由下述化學式1所代表的光阻劑單體之方 法，其包括： (a) 在有機溶劑中溶解下列化學式5之二醇化合物； (b) 在攪拌之下，添加酸催化劑或鹼催化劑至所得溶液 中，其中該酸催化劑爲選擇自由硫酸、醋酸及硝酸所組成 之族群中，而鹼催化劑爲選擇自由NaH、KH、CaH2、 Na2C〇3及LDA(二異丙基醯胺鋰)所組成之族群中；且 (c) 添加下列化學式6之酐化合物至所得溶液中以獲得 式1的化合物： <化學式1>
    OH <化學式5> HO-R-OH ^_ 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 、申凊專利範圍
    其中， 代或未取代之直鍵或支鏈(C1_C1°)垸基，取 代或未經取代取代或未經取代(C1_C1D)酯’或取 x^Y分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫；且 1爲〇或爲1至2的整數。 择6处方法，其中該酐化合物 =5-原冰片落外心，㈣氧^认四錄 酸酐。 8·讎申騎卿_ 6啦方法，其巾該二醇化合 物係選擇自由乙二醇，}，用二醇，um5_戊二醇 ，2,2-一乙基4,3-丙一醇，2,2-二甲基」,3-丙二醇及二甘醇 所組成之族群中。 9·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該有機溶劑 係選擇自由四氫呋喃，二甲基甲醯胺，二嚼院，苯及甲苯 所組成之族群中。 10.—種合成下述化學式2所代表的光阻劑單體之方法 ，其包括： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、一工口 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 535033
    OH-feH2)m —ί—(CH2)n-〇H A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 (a) 如下述反應式1所表示，在酸催化劑存在之下，將 馬來酐與二醇化合物進行反應；及 (b) 如下述反應式2所表示，以所得產物進行狄爾斯-阿 德爾(Diels-Alder)反應： <化學式2> Y
    (CH2)n—OH <反應式1> 广 OOH R, L^OC>(Cm)m-Z—(CH2)n-〇H .!」......r----------------裝------ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) <反應式2> c< ：OOH ：00KCH2)m-Z--(CH2)n--0H
    〇〇H R, ：〇〇(CH2)m-i—(CH2)n-〇H 、1T·， 其中， Y 爲 CH2，CH2CH2，氧或硫； z爲碳或氧； L及R2分別爲H或(G心)院基；且 m及η分別爲0或1至5的整數。 11·一種光阻劑聚合物，其包括由化學式1所代表的第 單體，及由化學式3所代表之第二單體： <化學式1> 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 六、申請專利範園
    OH 其中， 代妹經取代(c，醚 呱基’取 或取 代或未經取代(Cl句酮；_未經取代(C,酷 ^及^別爲CH2’CH.2，氧或硫；且 1爲〇或爲1至2的整數； <化學式3>
    L· 其中， v及w分別爲cm，cmcH”氧或硫 R*爲酸可反應基，·且 j爲0或1至2之整數。 gra㈣副則丨項之光咖共 『二爲特丁基，2铺呋喃基—2_:随_基中 2_乙氧基乙基，或-丁氧基乙基。 13·根據申請專利範圍第U項之光阻劑共聚物，其中 該 i ：= j = 〇 〇 535033 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 Η·根據申請專利範圍第u項之光阻劑共聚物，宜中 表示爲化學式3之該化合物_丁基.5_原冰片烯销酸酯 ，下述化學式3a之化合物，或下述化學式3b之化合物： <化學式3a>
    15·根據申請專利範圍第π之光阻劑共聚物，其進一 步包括促進聚合反應之單體，其係選擇自由馬來酐及馬來 醯亞胺衍生物所組成之族群中。 16.根據申請專利範圍第11項之光阻劑共聚物，該光 阻劑共聚物進一步包括間隔基(spacer)物質，其由下述化學 式4所表示： <化學式4> Q Rf 其中， U爲CH2，CH愚，氧或硫；且 R’爲氫或CVC5烷基。 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） '^----- — — — — — · · I I- 1 ϋ I (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、一 έ 535033 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 17.根據申請專利範圍第11項之光阻劑共聚物，其中 該光阻劑共聚物係選擇自由下述化學式100，200，100a及 200a所組成之族群中： (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁)
    其中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 033 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 X，Y，V及w分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫； R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(Cl_c一烷基，取 代或未經取代(Ci-Cl。)醚，取代或未經取代(Ci-Cl。)醋，或取 代或未經取代(OGo)酮； R*爲酸可反應基； R’爲氫或cvg烷基； i及j爲獨立的0或爲獨立之1至2的整數；且 a ’ b，c及d分別爲單體聚合反應的比例。 其中 18. 根據申請專利範圍第η項之光阻劑共聚物 該光阻劑共聚合物之平均分子量爲3,〇〇〇至12,000。 其中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 19. 根據申請專利範圍第11項之光阻劑共聚物 該光阻劑共聚合物係選擇自由下述所組成之族群： 聚（5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基）丙基]竣 酸酯/特丁基5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐）； 聚（單-3-羥基-(2,2-二乙基）丙基雙環[2,2,2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐）； 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基）丙基靡 酸酯/特丁基雙環[2,2,2]辛-5-內向=2-羧酸酯/馬來酐）； 聚（單-3-羥基-(2,2-二乙基)丙基雙環[2,2,2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酯/特丁基雙環[2,2,2]辛-5-內向-2-羧酸酯/馬來酐）； 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)竣酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-H3-羥基丙基)竣酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 535033 C8 D8 六、申請專利範圍 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基)羧酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； — — — — — 11111111111 — — — — — — — — — — · - — — — 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊基)殘酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚（5-原冰片烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基）丙基]羧 酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-[羥基-(2,2-二甲基)丙基]羧酸 酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(5-原冰片烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙氧基）乙基羧酸酯/特 丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(螺雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(2-羥基乙基)竣酸酯/ 特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(卩惡雙環[2·2·1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(3-羥基丙基)竣酸酯/ 馬來酐/原冰片烯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯）； 聚（卩惡雙環[2·2·1]庚烯-2-羧酸-3-(4-羥基丁基)竣酸酯/ 特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚(卩惡雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(5-羥基戊基)殘酸酯/ 特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）； 聚（嚼雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二乙基) 丙基]羧酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯 )； 聚(卩惡雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-[3-羥基-(2,2-二甲基) 丙基]竣酸酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯 );及 10 本紙張ϋ適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公^--- 535033 A8 B8 C8 、申請專利範圍 聚（螺雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸-3-(2-乙氧基）乙醇殘酸 酯/特丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/馬來酐/原冰片烯）。 20.—種合成光阻劑共聚合物之方法，其包括： (a) 在有劑溶劑中溶解⑴由下述化學式1所代表之化 合物，（ii)由下述化學式3所代表之化合物，且(出)至少一 馬來酐及馬來醯亞胺衍生物；及 (b) 添加聚合反應自由基引發劑至所得溶液中以誘導聚 合反應； <化學式1> 一/=\
    、R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(Ci-Ci())烷基，取 代或未經取代(Cl_Cl°)醚，取代或未經取代(CVC!。)酯，或取 代或未經取代(CVGo)酮； 氧或硫；且 •L.....,,.................裝------- (請先閲讀背面之注意事項济塡f本貢) X及Y分別爲CH2，CH2CH2 i爲0或爲1至2的整數； <化學式3>
    R* 11 本紙張尺度國家標準(CNS)AiiF(Ii_0 X 297公^7 535033 C8 D8 六、申請專利範圍 其中， V及w分別爲CH2，CH2CH2，氧或硫； R*爲酸可反應基；且 j爲0或1至2之整數。 21·根據申請專利範圍第20項之方法，其中該有機溶 劑係選擇自由四氫呋喃，二甲基甲醯胺，二甲基亞礪，二 噁烷’甲基乙基酮，苯，甲苯及二甲苯所組成之族群中。 22·根據申請專利範圍第20項之方法，其中該聚合反 應引發劑係選擇自由2,2-偶氮雙異丁腈(AIBN)，乙醯基過 氧化物，月桂基過氧化物及特丁基過氧化物所組成之族群 中0 23·根據申請專利範圍第20項之方法，其中該⑻步驟 進一步包括添加由下述化學式4代表之間隔基單體至有機 溶劑中： <化學式4> 其中， U爲CH2，CH2CH2，氧或硫；且 R’爲氫或CVC5烷基。 24.—種合成光阻劑共聚物之方法，其包栝： (a)在有劑溶劑中溶解⑴由下述化學式1所代表之化合 物，（π)由下述化學式3所代表之化合物，及視需要之(111) 由下列化學式4所代表之間隔基單體；且 12 度適用中國國家i準(CNS)七―規格(210 X 297公愛)一 --------— — — ^------.-------------______ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： W5〇33 A8 B8 C8 D8 六 、申請專利範圍 (b)添加金屬催化劑至所得溶液中以誘導聚合反應 <化學式1>
    HO OH 其中， 、R爲經取代或未經取代之直鏈或支鏈(G-G。)烷基，取 代或未經取代(G-Go)醚，取代或未經取代((：1<1())酯，或取 代或未經取代(Cl-Cl())酮； X及Y分別爲CH2 ’ CH2CH2，氧或硫；且 i爲0或爲1至2的整數； <化學式3>
    其中， v及W分別爲cm，CmciL，氧或硫； R*爲酸可反應基；且 j爲0或1至2之整數， <化學式4> Rf (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 馨- 13 535033 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中， U爲CH2，CH2CH2，氧或硫；且 R’爲氫或G-C5烷基。 25.根據申請專利範圍第24項之方法，其中該金屬觸 媒爲六氟銻酸銀(AgSbFO或烯丙基氯化鈀(CH2=CHCH2-PdCl) 〇 26·—種光阻劑組成物，其包括⑴如申請專利範圍第11 、15或16項之光阻劑共聚物；（ii)光酸生成劑，其份量範 圍爲光阻劑共聚物之〇.〇5到10重量％，及(iii)有機溶劑， 其份量範圍爲光阻劑共聚物之200到1000重量％。 27. 根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該光酸生成劑爲硫化合物或錄類型化合物。 28. 根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該光酸生成劑係選擇自由二苯基碘六氟磷酸鹽，二苯基碘 六氟砷酸鹽，二苯基碘六氟銻酸鹽，二苯基對-甲氧基苯基 三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯 基對-異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-特丁基苯基 三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽，三苯基銃六氟砷 酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽及 二丁基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽所組成之族群中。 29·根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該有機溶劑係選擇自由乙基3-乙氧基丙酸酯，甲基3-甲氧 S丙酸酯，環己酮，及丙二醇甲基醚醋酸酯所組成之族群 中。 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公變） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝 -vtl 轉· 535033 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 30·根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其係 用於形成一種以下列步驟之方法所形成之光阻劑圖案，該 方法包括： (a) 將申請專利範圍第26項之光阻劑組成物塗覆於半 導體基板上以形成光阻膜； (b) 使用曝光裝置將光阻膜曝光·，且 (c) 顯影光阻膜。 31.根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其進 一步包括在該步驟(a)之後進行軟烤的步驟。 32·根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該軟烤在70-200°C下進行。 33. 根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其進 一步包括在該步驟(b)之後進行後烘烤的步驟。 34. 根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該後烘烤在70-200°C下進行 35·根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該曝光裝置利用具有小於250nm波長的光源。 36.根據申請專利範圍第26項之光阻劑組成物，其中 該曝光裝置利用選自由ArF，KrF，E-電子束，離子束， VUV(真空紫外線），EUV及X-射線所組成之光源族群之中 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） il· i:卜.............N 裝.！_! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一έ] 轉·
TW088114597A 1998-08-26 1999-08-26 Novel photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same TW535033B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1998-0034694A KR100448860B1 (ko) 1998-08-26 1998-08-26 포토레지스트단량체,그의공중합체및이를포함하는포토레지스트조성물
KR10-1998-0039079A KR100400292B1 (ko) 1998-09-21 1998-09-21 신규의포토레지스트용모노머,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW535033B true TW535033B (en) 2003-06-01

Family

ID=26634051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088114597A TW535033B (en) 1998-08-26 1999-08-26 Novel photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6410670B1 (zh)
JP (1) JP3587743B2 (zh)
CN (1) CN1240666C (zh)
DE (1) DE19940516A1 (zh)
FR (1) FR2782715B1 (zh)
GB (1) GB2340831B (zh)
IT (1) IT1307051B1 (zh)
NL (1) NL1012916C2 (zh)
TW (1) TW535033B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100634973B1 (ko) 1999-04-09 2006-10-16 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법
KR100301063B1 (ko) * 1999-07-29 2001-09-22 윤종용 감광성 중합체 및 이들을 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물
KR100535149B1 (ko) * 1999-08-17 2005-12-07 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
US6306554B1 (en) * 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
KR100527533B1 (ko) 2000-06-21 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR100506882B1 (ko) * 2000-07-13 2005-08-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ용 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
JP2002091003A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 薄膜形成用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料
US6469220B2 (en) * 2000-12-25 2002-10-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Tertiary alcohol compounds having an alicyclic structure
JP2003020313A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 脂環構造を有する新規エポキシ化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2006511628A (ja) * 2002-05-07 2006-04-06 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フッ素化ポリマー
US7674847B2 (en) 2003-02-21 2010-03-09 Promerus Llc Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof
JP5756672B2 (ja) * 2010-04-27 2015-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP6445525B2 (ja) * 2014-03-06 2018-12-26 住友ベークライト株式会社 ポリマー、感光性樹脂組成物および電子装置
KR102084433B1 (ko) * 2017-02-23 2020-03-04 동우 화인켐 주식회사 네가티브형 컬러필터의 제조방법, 이로부터 제조된 네가티브형 컬러필터 및 화상표시장치
CN115785443B (zh) * 2022-12-01 2024-03-19 无锡阿科力科技股份有限公司 一种光学级聚合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB768813A (en) 1954-05-07 1957-02-20 Geigy Ag J R Substituted 1.2-diphenyl-3.5-dioxo-pyrazolidines and processes for the production thereof
US3370047A (en) 1964-09-03 1968-02-20 Union Carbide Corp Pour point depressants and lubricating compositions thereof
NL6914466A (zh) 1969-09-24 1971-03-26
US3715330A (en) 1970-05-20 1973-02-06 Asahi Chemical Ind Self-thermoset unsaturated polyesters and method for preparation thereof
US3672025A (en) 1970-12-04 1972-06-27 Artos Engineering Co Terminal applicator
GB1335095A (en) 1971-01-14 1973-10-24 Kodak Ltd Polycondensation copolymers
JPS5818369B2 (ja) 1973-09-05 1983-04-12 ジェイエスアール株式会社 ノルボルネンカルボンサンアミドオヨビ ／ マタハイミドルイノ （ キヨウ ） ジユウゴウタイノセイゾウホウホウ
US4106943A (en) 1973-09-27 1978-08-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition
JPS5628257B2 (zh) 1973-09-27 1981-06-30
US4202955A (en) 1975-12-16 1980-05-13 Borg-Warner Corporation Copolymers of cyclic conjugated dienes and maleic anhydride
US4126738A (en) 1976-02-17 1978-11-21 Borg-Warner Corporation Copolymers of 5-norbornene 2,3-dicarboxylic anhydride and maleic anhydride
JPS57165420A (en) * 1981-04-07 1982-10-12 Seiko Kagaku Kogyo Co Ltd Production of water-dispersed urethane polymer
US4440850A (en) 1981-07-23 1984-04-03 Ciba-Geigy Corporation Photopolymerisation process with two exposures of a single layer
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4857435A (en) 1983-11-01 1989-08-15 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist thermally stable compositions and elements having deep UV response with maleimide copolymer
JPH0717740B2 (ja) 1986-10-01 1995-03-01 帝人株式会社 架橋重合体成型物の製造方法
US4948856A (en) 1987-05-22 1990-08-14 B. F. Goodrich Company Homogeneous addition copolymers of ethylene and cycloolefin monomers and method for producing same
US4986648A (en) 1987-06-18 1991-01-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Lens and optical disc base plate obtained from copolymer of norbornyl (meth)acrylate
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
KR900700923A (ko) 1988-02-17 1990-08-17 야마구찌 도시아끼 포토레지스트 조성물
JPH0251511A (ja) 1988-08-15 1990-02-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd 極性基含有環状オレフイン系共重合体およびその製法
DE3922546A1 (de) 1989-07-08 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren
US5252427A (en) 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
EP0485631B1 (en) 1990-06-06 1995-11-15 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Polyolefin resin composition
JP3000745B2 (ja) 1991-09-19 2000-01-17 富士通株式会社 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
TW304235B (zh) 1992-04-29 1997-05-01 Ocg Microelectronic Materials
JP2715881B2 (ja) 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP3495503B2 (ja) 1995-04-21 2004-02-09 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド 架橋されたポリマー
US5705503A (en) 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
DE69520052T2 (de) 1995-08-10 2001-08-23 Mitsubishi Rayon Co Wärmehärtbare überzugszusammensetzung
JP3804138B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
WO1997033198A1 (en) 1996-03-07 1997-09-12 The B.F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
CA2199567C (en) * 1996-03-20 2003-01-14 Volker Rheinberger Functionalized and polymerizable polymer
US5763556A (en) 1996-05-21 1998-06-09 Exxon Chemical Patents Inc. Copolymers of ethylene and geminally disubstituted olefins
US6034150A (en) 1996-08-23 2000-03-07 University Of Southern Mississippi Polymerization processes using aliphatic maleimides
KR100261022B1 (ko) 1996-10-11 2000-09-01 윤종용 화학증폭형 레지스트 조성물
JP3880151B2 (ja) * 1996-10-11 2007-02-14 キヤノン株式会社 水溶性付加重合体、それを用いた水系インク、該水系インクを用いたインクジェット記録方法及びインクジェット捺染方法
KR100211548B1 (ko) 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100265597B1 (ko) 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
KR100220953B1 (ko) 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지
KR100225956B1 (ko) 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
KR100195583B1 (ko) 1997-04-08 1999-06-15 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
EP0878738B1 (en) 1997-05-12 2002-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition
KR100254472B1 (ko) 1997-11-01 2000-05-01 김영환 신규한 말레이미드계 또는 지방족 환형 올레핀계 단량체와 이들 단량체들의 공중합체수지 및 이수지를 이용한 포토레지스트
KR100252546B1 (ko) 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100334387B1 (ko) 1997-12-31 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
KR19990081722A (ko) 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
KR100376984B1 (ko) 1998-04-30 2003-07-16 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR100376983B1 (ko) 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR100419028B1 (ko) 1998-05-13 2004-07-19 주식회사 하이닉스반도체 옥사비시클로화합물,이화합물이도입된포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트미세패턴의형성방법
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US20020091216A1 (en) 2002-07-11
IT1307051B1 (it) 2001-10-23
NL1012916C2 (nl) 2002-12-03
GB2340831B (en) 2004-05-12
JP2000086726A (ja) 2000-03-28
US6410670B1 (en) 2002-06-25
NL1012916A1 (nl) 2000-02-29
ITTO990725A1 (it) 2001-02-26
FR2782715A1 (fr) 2000-03-03
GB2340831A (en) 2000-03-01
CN1247858A (zh) 2000-03-22
US6586619B2 (en) 2003-07-01
GB9920124D0 (en) 1999-10-27
FR2782715B1 (fr) 2004-09-10
CN1240666C (zh) 2006-02-08
JP3587743B2 (ja) 2004-11-10
DE19940516A1 (de) 2000-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW535033B (en) Novel photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same
US6987155B2 (en) Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
US6369181B1 (en) Copolymer resin, preparation thereof, and photoresist using the same
TWI282035B (en) Negative resist composition
JPH11286469A (ja) 単量体、重合体、単量体製造方法、重合体製造方法、フォトレジスト、フォトレジスト製造方法および半導体素子
TWI261730B (en) Cross-linker monomer comprising double bond and photoresist copolymer containing the same
US6235447B1 (en) Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
JPH11171935A (ja) 共重合体樹脂とその製造方法、前記共重合体樹脂を含むフォトレジストとその製造方法、および半導体素子
JP3646020B2 (ja) フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び、半導体素子
JP3835506B2 (ja) フォトレジスト用共重合体樹脂、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子の製造方法
TWI284782B (en) Polymers, resist compositions and patterning process
US6200731B1 (en) Photoresist cross-linking monomers, photoresist polymers and photoresist compositions comprising the same
KR20000015014A (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR20000009572A (ko) 신규한 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3536015B2 (ja) フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
TWI295284B (zh)
TW576948B (en) Resin for forming resist, chemically amplified resist, and method for forming patterns by using the same
TWI274230B (en) Novel photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
TWI251115B (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
TW574605B (en) Maleimide-photoresist monomers containing halogen, polymers thereof and photoresist compositions comprising the same
TW589512B (en) Ether monomers having multi-ring structure, and photosensitive polymer and resist compositions obtained from the same
JP2004059844A (ja) 含フッ素高分子化合物
KR100241116B1 (ko) 포토레지스트용 공중합체 및 그 제조방법
KR100249453B1 (ko) 초고집적 반도체의 고해상도 레지스트 재료용 지환족 유도체 및그의 제조 방법
KR100520167B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees