TW524785B - Alkali-free aluminoborosilicate glass - Google Patents

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Description

524785 五、發明說明（l) 本發明係為一種不含鹼之矽酸鋁硼玻璃及其用途 對於在液晶平面顯示技術，例如在以（扭轉向列）/ STN(超扭轉向列）顯示、主動陣列液晶顯示（amlcd)、薄膜 ，晶體或電漿定址液晶（PALC)中應用作為基材之玻、 呙有相¥向的要求。除了咼而于熱驟變性及對使用於平面螢 幕製程中之具侵蝕性化學物質的良好抵抗力之外，此玻璃 應，寬廣的光譜範圍（VIS，uv)内具有高透明度，及具有 低密度以減少重量。為在積體半導體電路中，例如在tft 顯不（「晶片負載玻璃（chip 〇n glass)」）中作為基材， 其另需要與薄膜材料a一矽或多晶矽在熱行為上相似“ =3·7 X 10-VK)，及不含鹼金屬離子。有鑑於由於Ν&+擴 散至半導體層中-般所會產生的「毒化」#用，因而並無 法容忍低於1 0 0 0 ppm之由製造所產生之氧化鈉含量。 應可於，例如，浮法工廠中，或利用拉製方法，以大型 工業規模經濟地製造出適切品質（無氣泡、節瘤、夾雜物） =適當的玻璃。尤其，利用拉製方法製造具低表面起伏之 /專的（< 1笔米）無V色條紋基材需要玻璃有高結晶化安定 性三會對半導體微結構有不利影響之基材在製造過程中的 密實化可經由設定玻璃之適當的溫度相關黏度特性線而消 除：至於熱處理及形狀穩定性，其應具有高廡 在黏度為lOlUdPas下之溫度），理想上為於π 1 ’ 一 玻璃轉移溫度 過高的熔點及工作（vA)點，即vA ‘ 133〇t。此外，須要 低密度的玻璃以使顯示保持低整體重量，尤其係在大榮幕
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規格的情況下。 關於供LCD顯示技術用之玻璃基材的需求亦說明於 J C Lapp， 「供AMLCD用途用之玻璃基材：性質及相關事 項（Glass substrates f0r AMLCD applications: properties and implications)」，SPIE 會議記錄（31>1^： Proceedings)，3014 卷，徵求論文（ 1 9 97 )。 大體而s ’對作為薄膜光電動勢元件中之基材之玻璃的 相關需求尤其係以微晶型矽（# c — S i)為主。 薄膜光電動勢元件可超越以結晶矽晶圓為主之高成本的 太陽能技術而獲致商業成效之重要的先決條件為存在廉價 的财南溫基材。 目前已知兩種用於製造Ac-Si太陽電池之不同的塗布方 法。一種經證實在高沈積速率方面特別有利之方法係使用 廉價的三氯矽烷作為矽源之高溫CVD方法。此方法需要將 適當的基材加熱至1 0 〇 〇 °C以上。唯一適當的基材則為相當 昂貴的陶瓷、石墨、矽或類似材料。文獻中亦已論述使用 透明的玻璃陶瓷（L· R. Pinckney ·· 「透明的高應變點玻璃 陶瓷（Transparent, High Strain Point Glass - Ceramics)」，國際玻璃研討會第18屆會議記錄 (Proc· 18th Intern· Conf· Glass)，舊金山；美國陶兗 學會（Amer. Ceram. Soc.)，俄亥俄，1 9 98 ;及L. R. Pinckney，G· H· Beall : 「奈米結晶型非鹼玻璃陶瓷 (Nanocrystalline Non-Alkali Glass-Ceramics)」，非 結晶固體期刊（J· Non-Cryst· Solids) 2 1 9 ( 1 9 97 ))。目
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前利用高溫CVD方法在小面積上逵& 已發展出低溫石夕沈積方法作為達二效/約為1?。 可使用較不昂貴的玻璃基材。在 /之替代遠擇，其 3001之低溫下沈積非晶形矽，及力一種可能性為在直至 射或帶域熔化（zone-melt ing)方法、、只步驟中，使用雷 止玻璃板在調理程序中所普遍採用二再=晶。為防 —種熱行為與矽相似之具有非常$ :二下的k形，需要 等玻璃可適當地具有至少75Λν破
自a-Si改變成多晶石夕塗層之趨勢的結；由: 術之基材亦需要基材有最高可能的耐執性。、頌不技 /zc-Si技術，目前的發展係在基材概念的方向前進， 形成太陽電池之基礎’ i對入射光不透明之基材材料。缺 而’其並不包括朝向較廉價上層配置（光通過基 而不需要覆蓋玻璃）之發展。為獲致高效率，則在vis 中之玻璃需要有高透明度，其意謂使用半透明的玻璃陶 瓷，除了前述的成本理由之外，也證實有缺點。 鹼土金屬矽酸銘爛玻璃可最接近地滿足該條件分佈。然 而，在以下說明書中所描述之已知的顯示或太陽電池玻^ 基材仍有缺點’且並不滿足整個範圍的需求。
在許多說明書中皆具有相對為高之ΙΑ含量之玻璃，例 如，DE 1 9 6 0 1 922 A、JP 58- 1 20 53 5 A、jp 6〇一141 642 A 、 JP 8-295 530 A 、JP 9-169 538 A 、jp 1〇一59 741 A 、 JP 10-722 37 A 、EP 714 862 A1 、EP 34i 3i3
Bl、US 5,374，595。此專玻璃並不具有必需的高玻璃轉移
89104553.ptd 第6頁 524785 五、發明說明（4) 溫度或應變點。 JP 6卜1 3 2 536 A之低-Si02玻璃，及包含最多60重量百 分比之Si 02及至少6. 5重量百分比之B2〇3之DE 1 97 39 9 1 2 C1之玻璃亦同。 相對地，US 4,6 07,0 1 6、JP 1- 1 26 23 9 A、JP 61-236 631 A及JP 6 1 -2 6 1 232 A說明不含匕03之玻璃。由於不含 B2〇3，因而此玻璃具有不好的熔融性質，且有玻璃結晶化 的傾向。專利WO 9 7/30 0 0 1中所用之玻璃同樣地不含β2〇 。 DE 44 30 710 C1說明具有低删酸含量及高Si〇2含量（> 7 5重量百分比）之矽酸硼玻璃，其即使係在高温下亦具有 高黏度，此意謂其熔融及澄清需要高成本。此外，此等具 有自5 0 0至6 0 0 °C之玻璃轉移溫度\之玻璃僅具有相對為低^ 的耐熱性。 本申請人之DE 1 96 1 7 344 C1 及DE 1 96 03 6 98 C1 揭厂、 具有約3. 7 · 10-VK之熱膨脹係數心0/咖及非常良好的耐: 學劑性之不含驗、含錫的玻璃。其適用於顯示技術。然 而，由於其必定包含至少1或2重量百分比之網絡調整=化 物（network modifier)Zn〇，因而其並不完全適當，卢复 係對於使用浮法加工的工廠而言。 田 L ^ 因此 ，一 υ ,π a钓南急、篁C - 3. 5重量石 分比）之JP 6卜295 25 6 Α中之玻璃同樣並不非常 … 法，因為Ζη〇及PbO或Pb之塗層會由於蒸發而在還 體環境中容易產生於玻璃表面上，及接著濃 凝結。 、门日h辰度下
524785 五、發明說明（5) JP 3-164 445 A說明供顯示及太陽電池用之具有—5重 量百分比之ZnO含量的玻璃陶瓷。其具有期望的高玻璃轉 移溫度’但其熱膨脹大於4· 〇 · 1 〇_6/K，與# c —si並不相 似。 此外，JP 1 -208 343 A說明具有相對為高之zn含量（^8 重量百分比）’且另包含Pb之玻璃陶瓷。其同樣具有過高 的熱膨脹。相對地，EP 1 68 1 89 A2說明含有- ZnO 2%之 重量百分比之玻璃陶瓷。 DE 37 30 4 1 0 A1中說明具有高BaO及低A 1 203含量之不含
MgO的玻璃。其所描述的應變點太低，且玻璃將有密度高 的缺點。PCT申請案W0 97/ 1 1 9 1 9及W0 97/ 1 1 920亦提及不 含鹼、不含MgO或低MgO的玻璃基材。 US 5, 116, 788之玻璃具有自23至28莫耳百分比之R〇的高 含量的鹼土金屬氧化物，其意謂其對S丨有過高的熱膨脹。 同理適用於使用作為函素燈之燈泡玻璃之不含驗、財高溫 的玻璃。其在熱膨脹方面與M〇相似。在此提及的例子為在 說明書US 4, 0 60, 423 (BaO 6-16重量百分比）、US 3,978,362(CaO 14-21 重量百分比）及EP 261 819 Al(CaO 10.5-12.5重量百分比；BaO 8.5-14重量百分比）中之玻 EP 6 72 6 29 A2及US 5,508,237說明供平面顯示用之矽 酸鋁玻璃。其具有各種熱膨脹係數之各種組成物範圍。其 聲稱此等玻璃不僅可利用溢流熔融拉製方法加工，並且可 利用用於製造平板玻璃之其他方法加工。然而，此具有與
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多晶矽相似之熱膨脹係數之玻璃尤其呈右古 V，使得其並不適用於浮法製程。如同、二 玻璃，由於並未指出可特別有效用於浮法相容澄清1述的 法，因而在此的視覺品質同樣不高。舉例說明=^= SbA及AsA由於其容易還原，因而並不適用於浮法:= 此對選擇性的玻璃成份Ta2〇5及Nb2〇5亦同。 與供硬碟用之玻璃有關的說明書jp 9一123 33 A，一 Si〇2、AIJ3、CaO及其他非必需成份之組成物。豆所 的玻璃具有高的鹼土金屬含量，因此具有高的熱膨脹， 使付其不適用於LCD及PV技術。其之視覺品質可能亦不適 、JP 9- 156 953 A 及W0 尤其係並未指出有效澄 後者亦適用於JP 9-486 3 2 A 98/270 1 9之相對富含B2〇3之玻璃 清之方法。 JP 9 - 2 6 3 42 1 A及JP 1〇 - 454 22 A說明可利用浮法加 工，以在平面顯示系統中使用作為基材之不含鹼的玻璃。 其所列出的玻璃具有非常高的工作點及非常高之在黏度 102 dPas下之溫度’由於必需的溫度範圍亦意謂對於儲存 槽及分配器材料之耐腐蝕性有非常高的要求，因而其熔融 性質將受損，且將使得廉價的製造成為不可能。 JP 1 0-454 22 A 之玻璃不含 Ti〇2、Zr〇2&Ce〇2。含 Ba〇 之玻 璃的密度相對為高，其為p > 2· 6克/立方公分。 JP 9-263 421 A 之玻璃以不含Ba〇 及不含Ti〇2、Zr〇2、Ce02 及Sn02較佳。
89104553.ptd 第9頁 524785 五、發明說明（7) 本發明之-目的在於提供滿足供液晶顯示用 TFT顯示用’及供薄膜太陽電池用之破填基材的物理及化 學條件之玻璃’尤其係以^-Si為主，具有高耐熱性、有 利於製程的加工範圍及高玻璃結晶化安定性之玻璃。 :匕：的係由如定義於主申請專利範圍中之矽酸鋁硼玻璃 所達成。 士此玻璃包含高比例的網絡形成成份_ si〇2m2〇3，同 日π僅包含低比例的62〇3。 ^玻璃包含自6〇.5至69之叫重量百分比。當其含量較 ，财化學劑性將受損，然而當其含量較高日寺，熱膨脹 】，且玻璃之結晶傾向增加。直至68重量百分比之含量 較佺，直至6 6重量百分比之s丨〇2為特佳。 此玻璃包含自15至24之Al2〇3重量百分比。當其含量較低 可，玻璃之結晶敏感性將增加。在較高含量下，由於工作 Γ燮將大t地增力1，因而將對熱成形時之製程溫度有不利 =二至/ 1 6重1百分比之八丨2〇3之含量為較佳，至少1 6. 5 里百分比之ΑΙΑ為特佳。最大含量為23重量百分比較 土: < 22.5重量百分比之Al2〇3為特佳。 璃：ϋ含$限制於4. 5重量百分比之最大值，卩獲致高玻 八旦夕/皿度Tg。Β2〇3含量以低於4· 〇重量百分比較佳。將其 ::進-步限制為至多3·5重量百分比，尤其係低於3〇重 里百分比之Β2〇3較佳。 重fB2〇3、元全省略並不可能，但即使係低比例，即至少〇 · 5 Ϊ百分比’即足以大大地改良助熔及結晶安定性。由於
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此低的1〇3含量，因而玻璃具有非常高的耐酸性。 必要的玻璃成份為鹼土金屬氧化物。為獲致自2· 8 · 10-6/K 至4.0 ·1〇-νκ 之熱膨脹係數 ，&〇、Ca〇、Sr〇 ^BaO之總和應自8至19重量百分比，自8至18重量百分比 個別的氧化物係以相對於彼此為均衡 自，◦重量百分比，以直至9重量；分『匕較 ·5重里百分比為特佳之Mg〇，及自05至8重量百 ^比，以直至7重量百分比較佳，自15至 為特佳之Sr〇，及白壬旦〇.3里里白刀比 百八 自0· 5至5· 5重s百^刀比，以直至4. 5重量 之do ^ a〇 °此玻璃可更包含直至10重量百分比 將可d四種驗土金屬氧化物皆存在較佳’由於如此 對玻璃結晶化安定性，&由於個別的氧化物各會 少〇 5重二質造成有利的影響。因此，玻璃亦包含至 i量百分里比為 刀比為特佳，以CaO而言。 質i:面ΐ i例的Mg〇及㈤對低密度及低工作點之期望性 ::正面影響’然而相對為高的Ba0含 性 安定性方面幾二 r_a0為佳，且其係在結晶 此玻璃= :;ΐ以有㈣成份。 佳之Zr02。Zr〇接古里百刀比，以直至1重量百分比較 百分比‘人1 2 玻璃之对熱性。然而，在大於2重量 生熔融殘。下7’。由於ΖΓ〇2之低溶解度’而會在玻璃中產 歹讀物。Zr〇2以至少〇1重量百分比之量存在較
524785 五、發明說明（9) 佳。 此玻辦可包3直至2重量百分比，以直至1重量百分比較 佺’直至0 · 5重$百分比為特佳之τ丨〇2。τ丨〇2可降低玻璃之 日日鹿作用傾向。在大於2重量百分比之含量下，由於與Fe3+ 離子之錯合物生成，而會產生有色形成物。T i 〇2以至少 0.1重量百分比之量存在較佳。 "此玻璃可包含直至< 1重量百分比之Zn〇。作為網絡調整 氧化物之ZnO具有結構鬆他— 之功
能，且較鹼土金屬氧化物對熱膨脹具有較低影響。尤其， 在利用浮法加工玻璃之情況中，將Zn〇省略較佳。 此玻璃不含鹼。術語「不含鹼」在此係指其基本上不 鹼金屬氧化物，雖然其可包含低於1〇〇〇 ppm之不純物。 此玻璃包含自〇· 1至2重量百分比之Sn〇2。Sn〇2在高熔點 之不含鹼的玻璃系統中係高度有效的澄清劑。^化錫係以
Sn〇2使用，及經由加入其他氧化物，諸如，比方說，μ
Ti〇2，或經由加入硝酸鹽，而使其四價狀態穩定。Sn〇人 量由於其在低於工作點八之溫度下的低溶解度，而限^ ^ 該上限。以此方式，可避免含有微晶型Sn之相的沈積。i
多1重量百分比之含量為較佳，至多〇·7重量百分比之 為特佳。 3 $ 此玻璃可另包含直至1重量百分比之Ce〇2。至少〇1重旦 百分比之Ce〇2含量為較佳。Sn〇2與Ce〇2之結合可使Sn〇2 /里 SnO氧化還原安定，並加&Sn〇2之非常良好的澄清作^。 將Ce〇2含量限制為至多〇· 5重量百分比較佳。 °
524785 五、發明說明GO) 尤其，由於澄清劑As203及Sb203可因此而省略，及玻璃除 了無可避免的不純物之外，皆不含此等成份，以及實質上 不含其他易還原的成份，因而此等玻璃不僅可利用各種拉 製方法加工，並且亦可利用浮法加工。如不打算使用最後 提及的程序，則玻璃可包含直至1. 5重量百分比之As203及 /或Sb2〇3作為額外的澄清劑。不管加工方法為何’亦可加 入1 · 5重量百分比之各C1 —(例如以BaCl2加入）、F-(例如以 CaF2加入）或S042_(例如以BaS04加入）。然而，As203、
Sb203、Cl_、F-及S042·之總和不應超過1. 5重量百分比。
工作實施例L 在Pt/Ir坩堝中在I 6 20 t下自除了無可避免的不純物之 外基本上不含鹼的習知原料製造玻璃。使熔體在此溫度下 澄清一個半小時，然後移至感應加熱鉑坩堝中，並在1 5 5 0 °C下攪拌3 0分鐘以使其均質化。 表顯示根據本發明之玻璃之六個實施例的組成物（單位 重量百分比，以氧化物計）及其主要性質。列出以下性 質： •密度P[克/立方公分] •熱膨脹係數 a2()/3()Q[l〇-6/K] •根據D I N 5 2 3 2 4之膨脹玻璃轉移溫度Tg [ °C ] •在黏度1〇4 dPas下之溫度（稱為T4[ °C ]) •在黏度l〇i3 dPas下之溫度（稱為T13[ t])，根據din 5 2 3 1 2，第4部分測量 •在黏度約1 〇〗3.2 dPas下之溫度，即退火點AP[。〇]，根壚
89104553.ptd 第13頁 524785 五、發明說明（11) DIN 523 1 2，第7 部分測量（ISO 788 4-7 ) •在黏度1014.7 dPas下之溫度，即應變點SP[ °C ]，由AP值 計算 •玻璃結晶化上限UDL [ °C ]，即液相線溫度 •最大晶體成長速率vmax [微米/小時] •根據ISO 719「H」之耐水解性[微克Na20 /克]。在$31 微克/克之每克玻璃粉末之以Na2〇表示之鹼當量下，玻璃 係屬於水解種類1 (「高度耐化學劑性玻璃」） •以各面皆經拋光之尺寸5 〇毫米X 5 〇毫米X 2毫米之玻璃 板於經5%強度氫氯酸在95 °C下處理24小時後之失重（材料 移除值）表示之耐酸性[毫克/平方公分]。
89104553.ptd 第14頁 524785 五、發明說明（12) 表 實施例：根據本發明之玻璃的組成物（單位重量百分比 以氧化物計）及基本性質。
1 2 3 4 5 6 Si〇2 61.1 63.0 65.0 65.0 65.0 62.1 B 2 〇3 2.9 2.0 1.0 1.0 1.0 4.4 Al2〇3 2 1.0 19.0 17.0 17.0 17.7 21.9 MgO 3.5 4.5 5.5 8.0 8.0 6.0 CaO 8.0 8.0 8.0 5.5 5.5 1.1 SrO 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.9 BaO 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 1.0 Zr02 0.2 0.2 0.2 0.2 - - Sn〇2 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.5 Ti〇2 0.2 0.2 0.2 0.2 - - C e 〇2 0.3 0.3 0.3 0.3 - - p [g/cm3] 2.540 2.545 2.553 2.55 1 2.533 2.500 a 20/3 0〇[l〇"6/K] 3.73 3.83 3.9 4 3.7 8 3.72 3.00 Tg[°C] 765 762 765 762 772 7 72 T4[°C] 1296 1301 1295 1290 1295 13 11 T13[°C] 775 772 770 77 1 111 78 1 AP[°C] 770 7 68 767 765 7 69 776 SP[°C] 722 720 721 719 7 22 730 TJDL[°C ] -1300 1285 1295 1300 -1300 n. m. Vmax[ β m/h] 59 34 2 7 26 24 n . m. 「H」[//gNa20/g] 6 9 10 10 10 5 HC1 [mg/cm2] 0.11 0.04 0.0 1 0.03 0.02 0.27 n.m.=未測量 89104553.ptd 第15頁 524785 五、發明說明（13) ' 如工作實施例所說明，根據本發明之玻璃具有以下的 利性質· • ^ 2· 8 · 10 /K 至4· 0 · lO-6/κ 之熱膨脹^，與 矽、多晶矽及// c-Si)之膨脹行為相當相似 • Tg > 72 0 C -非常高的玻璃轉移溫度。此點對於由 於製造所產生之最低可能的密實化，及對於將玻璃在高溫 沈積方法中使用作為基材是必要的。 • p < 2 6 0 0克/立方公分-低密度 •至多1 3 3 0 °C當在黏度104 dPas下二直音挪 的加工範圍，及良好的玻璃钍曰化农^二心明有利灰製程 旧敬嘴、《口日日化女定性。此兩性 J可：用$種拉製方法’例如，微片下拉⑷ -較佳具謝，如其不含二為平板玻璃，及在 法製造。 小3AS2〇asm3 ’則其亦可利用浮 •由優異的对酸性所明_矣_ 對用於製造平面螢幕之化學物質具性’其使其 熱：:性此玻璃具有高曰囉作用安定性、“明度及高耐 因此’此玻璃極度適合在顯示技 件，及在薄膜光電動勢元件中 其係TFT顯^ 以Vc-Si為主。 乍為破璃基材’尤其係
89104553.ptd
524785 圖式簡單說明 89104553.ptd 第17頁
89104553.ptc 第1頁

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  1. (2?785 公 口 號 89104553 A_ 曰 修正耆d 2:S f年;本 請專利範"® 其具有以下組成（單位 1. 一種不含驗之石夕酸紹删玻璃 重量百分比，以氧化物計）： Si〇2 60.5-69 〇3 0.5-4.1 A 12 〇3 15-24 Mg〇 3 - 10 Ca〇 0 - 10 SrO 0.5-8 Ba〇 0.5-5. 其中MgO 1 卜 CaO + SrO + BaO 8-19 Sn02 - 2 - 2 - 1 -< 0 Zr〇2 Τι〇2 Ce02 ZnO 2.如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃，其 中此玻璃具有以下之組成（單位重量百分比，以氧化物 計）： Si02 60. 5 - 68 B2 〇3 0. 5 - 4· ί A 12 O3 16 - 23 MgO 3 - 9 CaO 1 - 9 SrO 0. 5 -7
    89104553.ptc 第18頁 524785 案號 89104553 曰 修正 六、申請專利範圍 BaO 其中MgO Sn02 Z r 〇2 Ti〇2 Ce02 ZnO CaO + Sr0 + BaO 0· 5 -8 - 18 0· -1 - 1 - 1 一 < 3 ·如申請專利範圍第1或2項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃 其中包含至少0.1重量百分比之Zr02。 其 4. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃， 中包含至少0 . 1重量百分比之T i 02。 其 5. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃， 中包含至少0. 1重量百分比之Ce02。 其 6. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃， 中包含< 4.0重量百分比之B2 03。 其 7. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃， 中此玻璃具有以下之組成（單位重量百分比，以氧化物 .ft 3 02 03 02 • 1± ΊA s A 5 ο 6 ο ο ο gar Μ c S 0 6 3 2 <
    \\326\2d-\91-06\89104553.ptc 第19頁 524785 _案號 89104553_年月日_修正 六、申請專利範圍 BaO 0. •5-4.5 其中MgO + Ca〇 + Sr〇 + BaO 8 -18 Sn02 0· 1-0.7 Zr 02 0. 1 - 1 Ti〇2 0· 1-0.5 Ce02 0. 1 - 0 · 5 o 8. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃，其 中包含< 3.0重量百分比之B2 03。 9. 如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃，其 可於浮法工廠中製造，其中除了無可避免的不純物之外， 其不含氧化钟及氧化録。 1 0.如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃，其 中另包含： A s2 〇3 0 - 1. S b2 〇3 0 - 1. Cl- 0 - 1 F- 0 - 1 so/— 0 - 1 其中 As2〇3 + Sb2〇3 + Cl- + F- + S042_ S 1.5。 1 1.如申請專利範圍第1項之不含鹼之矽酸鋁硼玻璃，其 中具有 2 · 8 · 1 0_6 / K - 4 · 0 · 1 0-6 / K 之熱膨脹係數 a 2Q/3QQ，> 72 0 °C之玻璃轉移溫度％，及< 2. 6 0 0克/立方公分之密度 P 。 1 2.如申請專利範圍第1項之不含驗之石夕酸I呂硼玻璃，其
    89104553.ptc 第20頁 524785
    89104553.ptc 第21頁
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