JPS60141642A - 高温度安定低膨脹ガラス - Google Patents
高温度安定低膨脹ガラスInfo
- Publication number
- JPS60141642A JPS60141642A JP58245559A JP24555983A JPS60141642A JP S60141642 A JPS60141642 A JP S60141642A JP 58245559 A JP58245559 A JP 58245559A JP 24555983 A JP24555983 A JP 24555983A JP S60141642 A JPS60141642 A JP S60141642A
- Authority
- JP
- Japan
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- less
- glass
- mgo
- al2o3
- low expansion
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスク、エレクトロルネツセンス（ＥＬ）
、Ｌ ＣＤ、ＣＣＤカメラレンズ等に用いられるガラス
に関する。
、Ｌ ＣＤ、ＣＣＤカメラレンズ等に用いられるガラス
に関する。
従来、ＩＣ（集積回路）の製造には一般にフォトマスク
が用いられている。このようなフォトマスクはガラス基
板に各種の物理的及び化学的処理を繰返して行った後、
クロム、酸化クロム、酸化鉄、鉄などの膜を焼付け、更
にそれに複雑な配線図を５簡角程度に縮小したものを焼
込み、その後ＩＣの配線部分岐あたる酸化クロム等の膜
を削り取ること尾より製造される。こうして製作された
フォトマスクを、アルミ箔をシリコンにプリントするた
めのネガとして用いて光をシリコーン基板上へ投影して
その配線を焼付け、その後各種の処理を行い、製品とす
る。この工程で最終製品であるＩＣは５鰭角のシリコン
基板上に数万個のトランジスターやコンデンサー等が埋
め込まれているような微小スケールであるため、ガラス
表面に５μｍ以上の凹凸や２μｍ以上の穴その他の欠陥
があると、シリコン基板上のアルミニウム線が断線して
ＩＣとして使用することができなくなる。
が用いられている。このようなフォトマスクはガラス基
板に各種の物理的及び化学的処理を繰返して行った後、
クロム、酸化クロム、酸化鉄、鉄などの膜を焼付け、更
にそれに複雑な配線図を５簡角程度に縮小したものを焼
込み、その後ＩＣの配線部分岐あたる酸化クロム等の膜
を削り取ること尾より製造される。こうして製作された
フォトマスクを、アルミ箔をシリコンにプリントするた
めのネガとして用いて光をシリコーン基板上へ投影して
その配線を焼付け、その後各種の処理を行い、製品とす
る。この工程で最終製品であるＩＣは５鰭角のシリコン
基板上に数万個のトランジスターやコンデンサー等が埋
め込まれているような微小スケールであるため、ガラス
表面に５μｍ以上の凹凸や２μｍ以上の穴その他の欠陥
があると、シリコン基板上のアルミニウム線が断線して
ＩＣとして使用することができなくなる。
ＩＣの生産歩留り及び品質を左右するフォトマスクの優
劣は、ガラス自体の欠陥の有無及び酸化クロム等の膜が
ガラス基板に十分な接着強度で均一に（例えば１μｍ厚
）形成できるが否かなどにより支配される。その他、Ｅ
Ｌ、ＬＣＤ、ＣＣＤカメラレンズその他の用途に用いら
れるガラスにおいても欠陥、表面凹凸、泡などを極力抑
制しなければならないことが多い。
劣は、ガラス自体の欠陥の有無及び酸化クロム等の膜が
ガラス基板に十分な接着強度で均一に（例えば１μｍ厚
）形成できるが否かなどにより支配される。その他、Ｅ
Ｌ、ＬＣＤ、ＣＣＤカメラレンズその他の用途に用いら
れるガラスにおいても欠陥、表面凹凸、泡などを極力抑
制しなければならないことが多い。
ラスと称される硼珪酸系低熱膨張ガラスが主に用いられ
てきたが、この系統のガラスはガラス自体に泡、ストー
ン、脈理などの主としてガラスの高温熔解に起因する欠
陥を持っている。さらに、この系統のガラスが熱的に変
形しブｊい温度は５５０℃以下であり、例えば上述のフ
ォトマスクの例における膜焼付の処理はこの温度以下で
行われている。しかし、この温度領域での処理ではガラ
スと膜の間の接着強度が十分に得られず、また膜の厚ミ
ノコントロールも十分行えず、前述のガラス自体の持つ
欠陥と相俟って後工程での問題発生は避は難く、ＩＣの
生産歩留り及び品質向上がこれ以上期待されないのが現
状である。ＩＣ製造に限らず、他の用途においても熱変
形が小さく、欠陥のないすぐれたガラス材料が要求され
ている。
てきたが、この系統のガラスはガラス自体に泡、ストー
ン、脈理などの主としてガラスの高温熔解に起因する欠
陥を持っている。さらに、この系統のガラスが熱的に変
形しブｊい温度は５５０℃以下であり、例えば上述のフ
ォトマスクの例における膜焼付の処理はこの温度以下で
行われている。しかし、この温度領域での処理ではガラ
スと膜の間の接着強度が十分に得られず、また膜の厚ミ
ノコントロールも十分行えず、前述のガラス自体の持つ
欠陥と相俟って後工程での問題発生は避は難く、ＩＣの
生産歩留り及び品質向上がこれ以上期待されないのが現
状である。ＩＣ製造に限らず、他の用途においても熱変
形が小さく、欠陥のないすぐれたガラス材料が要求され
ている。
従って、本発明の目的は熱的に安定でしかも欠陥のない
すぐれたガラスを提供することにある。
すぐれたガラスを提供することにある。
本発明のより特定的な目的は、線膨張係数が３゜〜５５
ｘ１ｏ’ｃＩｒＬ／礪℃でしかも高温度（例えば６５０
℃以上）で熱変形しない上記ガラスを提供することにあ
る。
ｘ１ｏ’ｃＩｒＬ／礪℃でしかも高温度（例えば６５０
℃以上）で熱変形しない上記ガラスを提供することにあ
る。
本発明の目的は、重量百分率で５ｉ０２４５．０〜６５
．０％、Ｂ２Ｑ、 ５．０〜１５％、Ａ、１２Ｑ、１５
．０〜２５０％、ＭｇＯ５，ｏ〜１５０％から成る基本
組成を有し、モル比でＭｇＯ／ＡＩ ２０３＝ ０．４
！ ｓ〜１７９の範囲にあるガラスにより達成される。
．０％、Ｂ２Ｑ、 ５．０〜１５％、Ａ、１２Ｑ、１５
．０〜２５０％、ＭｇＯ５，ｏ〜１５０％から成る基本
組成を有し、モル比でＭｇＯ／ＡＩ ２０３＝ ０．４
！ ｓ〜１７９の範囲にあるガラスにより達成される。
上記構成のガラスは線膨張係数が５０〜５５×１Ｏ−７
ｃ＃／傭℃のように低く、しかも６５０℃以上の転移点
を有することが分った。従って、６５０℃以上のように
高温で使用することが必要な例えばフォトマスクなどに
応用してすぐれた作用を提供する。しかも、本発明のガ
ラスは欠陥や凹凸のないすぐれた特性を有するものであ
る。
ｃ＃／傭℃のように低く、しかも６５０℃以上の転移点
を有することが分った。従って、６５０℃以上のように
高温で使用することが必要な例えばフォトマスクなどに
応用してすぐれた作用を提供する。しかも、本発明のガ
ラスは欠陥や凹凸のないすぐれた特性を有するものであ
る。
本発明者は、従来のガラスがもつ欠陥を改善し、高温度
で膜焼付が可能なガラスを開発するために種々の研究を
重ねた結果、５１０２−Ｂ、、０５−ＡＩ ２０３−Ｍ
ｇ０系のガラスにおいて、Ａｌ２Ｏ３を大量に導入すれ
ば、６５０℃以上の高温度でガラスが変形しないこと−
を見出した。通常、ＡＩ ２０．の大量導入はガラスの
溶融温度を極端に上昇させるために、ガラスの欠陥であ
る泡、ストーン、及び脈理の発生を防止することが不可
能であった。しかるに、本発明において大量のＡ、＋２
０．の導入と共に、モル比でＭｇＯ／Ａ１２Ｑ、 ＝
０．６３〜１．７９の範囲でＭｇＯを導入することによ
り、通常溶融されている低膨張ガラスよりもはるかに低
温度の１４７０〜１５００℃で溶融可能でしかも泡、ス
トーン、及び脈理のない高温度安定型の低膨張ガラスを
製作することに成功した。
で膜焼付が可能なガラスを開発するために種々の研究を
重ねた結果、５１０２−Ｂ、、０５−ＡＩ ２０３−Ｍ
ｇ０系のガラスにおいて、Ａｌ２Ｏ３を大量に導入すれ
ば、６５０℃以上の高温度でガラスが変形しないこと−
を見出した。通常、ＡＩ ２０．の大量導入はガラスの
溶融温度を極端に上昇させるために、ガラスの欠陥であ
る泡、ストーン、及び脈理の発生を防止することが不可
能であった。しかるに、本発明において大量のＡ、＋２
０．の導入と共に、モル比でＭｇＯ／Ａ１２Ｑ、 ＝
０．６３〜１．７９の範囲でＭｇＯを導入することによ
り、通常溶融されている低膨張ガラスよりもはるかに低
温度の１４７０〜１５００℃で溶融可能でしかも泡、ス
トーン、及び脈理のない高温度安定型の低膨張ガラスを
製作することに成功した。
すなわち、本発明は重量に基づき、５ｉＯ２４５０〜６
５．０％、Ｂ２０３５０〜１５％、Ａｌ２０５１５０〜
２５．０％、ＭｇＱ ５．０〜１５．０％からなる基本
組成を有し、かつＡｌ２Ｏ３とＭｇＯのモル比がＭｇＯ
／Ａｌ２Ｏ，＝ ０．５０〜２５０なる値を有し、低温
度溶融において、６５０℃以上の温度で各種処理が可能
な、高温度安定型の低膨張ガラスを提供するものである
。
５．０％、Ｂ２０３５０〜１５％、Ａｌ２０５１５０〜
２５．０％、ＭｇＱ ５．０〜１５．０％からなる基本
組成を有し、かつＡｌ２Ｏ３とＭｇＯのモル比がＭｇＯ
／Ａｌ２Ｏ，＝ ０．５０〜２５０なる値を有し、低温
度溶融において、６５０℃以上の温度で各種処理が可能
な、高温度安定型の低膨張ガラスを提供するものである
。
本発明の基本成分中の５ＩＯ２は、全重量に基づき４５
０〜６５０％の範囲にあることが必要である。この量は
４５０％未満では、化学的耐久性が劣化するし、また、
６５．０％より多くなると、溶融温度が急激に上昇し、
泡及び脈理の発生原因となる。
０〜６５０％の範囲にあることが必要である。この量は
４５０％未満では、化学的耐久性が劣化するし、また、
６５．０％より多くなると、溶融温度が急激に上昇し、
泡及び脈理の発生原因となる。
次に、Ｂ２０．は、溶融ガラスの粘性調節及び、化学的
耐久性向上のために使用されるが、５．０％未満では、
これらの効果が不十分であるし、また１５．０％より多
くなると、化学的耐久性が急激に劣化し、ガラス溶融時
にＢ２０．の揮発が激しくなり脈理及びストーンの原因
になるので好ましくない。
耐久性向上のために使用されるが、５．０％未満では、
これらの効果が不十分であるし、また１５．０％より多
くなると、化学的耐久性が急激に劣化し、ガラス溶融時
にＢ２０．の揮発が激しくなり脈理及びストーンの原因
になるので好ましくない。
さらにＡＩ ２０．は、ガラスが６５０℃以上の高温度
域で熱的に安定になるために大量に導入されるが、その
量が、１５．０％未満では、その効果が認められず、ま
た、２ ｓ、 ＯＸより多くなると溶融ガラスの粘性が
急激に増大しもはやＭｇＯの導入では、低温度溶融が不
可能になり、泡、ストーン及び脈理のないガラスを得る
ことができなくなるので好ましくない。
域で熱的に安定になるために大量に導入されるが、その
量が、１５．０％未満では、その効果が認められず、ま
た、２ ｓ、 ＯＸより多くなると溶融ガラスの粘性が
急激に増大しもはやＭｇＯの導入では、低温度溶融が不
可能になり、泡、ストーン及び脈理のないガラスを得る
ことができなくなるので好ましくない。
また、大量のＡｌ ２０３の導入により著しく増大する
ガラスの難溶性を改善するために導入されるＭｇＯは全
重量に基づいて５０〜１５０Ｘの範囲内にあることが必
要であり、かつ’ＭｇＯ／ＡＩ ２０．のモル比が０５
０〜２．５０の範囲にあることが必要である。すなわち
、ＭｇＯが５０％未満（モル比０５０）では、Ａｔ ２
０．大量導入によるガラスの離溶性の改善効果が不十分
であるし、また１５％（モル比２５０）よりも多くなる
と、ＭｇＯが有している塩基性が強くなり、製造装置の
腐食を起し、均質で泡、ストーン及び脈理のないガラ不
を得ることができなくなるので好ましくない。
ガラスの難溶性を改善するために導入されるＭｇＯは全
重量に基づいて５０〜１５０Ｘの範囲内にあることが必
要であり、かつ’ＭｇＯ／ＡＩ ２０．のモル比が０５
０〜２．５０の範囲にあることが必要である。すなわち
、ＭｇＯが５０％未満（モル比０５０）では、Ａｔ ２
０．大量導入によるガラスの離溶性の改善効果が不十分
であるし、また１５％（モル比２５０）よりも多くなる
と、ＭｇＯが有している塩基性が強くなり、製造装置の
腐食を起し、均質で泡、ストーン及び脈理のないガラ不
を得ることができなくなるので好ましくない。
本発明の高温度安定低膨張ガラスには前記の基本組成に
加えて、さらＫ Ｒ２０、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ。
加えて、さらＫ Ｒ２０、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ。
ｚｎＱ、ｐｂ□、’ｒ ｉ ｏ ２、Ｚ ｒＯ２、Ｔａ
２０５、Ｎｂ２ｏ５、Ｗｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３％
及び（３ｄ ２０．の中から逍ばれた少なくとも１種の
任意成分を含有させることができる。これらはガラス溶
融性、泡切れ性などを改善するために加えられるが、重
量に基づき、Ｒ２０については５．０％以下、ＣａＯＫ
ツいては１０．０％以下、ＳｒＯについては５． ［
７Ｘ以下、 ＢａＯについては５．０％以下、ＺｎＱに
ついては５．’ＯＮ以下、ＰｂＱについては５．０％以
下、ＴｉＯ２については５０％以下、Ｚ ｒＯ２につい
ては５．０ Ｘ以下、Ｔａ２ｏ５については３．０％以
下、Ｎｂ２ｏ５については５．０ Ｘ以下、ＷＯ５１ｃ
ツいてはｉ０Ｘ以下、Ｌａ２ｏ３にツいては３０％以下
、Ｙ２Ｏ，にツいては！１． ＯＸ以下、Ｇｄ２Ｏ３に
ついては５．０ Ｘ以下の範囲で含有させても、線膨張
係数及び６５０ ’Ｃ以上の高温度安定性になんら悪影
響を与えることはない。
２０５、Ｎｂ２ｏ５、Ｗｏ５、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３％
及び（３ｄ ２０．の中から逍ばれた少なくとも１種の
任意成分を含有させることができる。これらはガラス溶
融性、泡切れ性などを改善するために加えられるが、重
量に基づき、Ｒ２０については５．０％以下、ＣａＯＫ
ツいては１０．０％以下、ＳｒＯについては５． ［
７Ｘ以下、 ＢａＯについては５．０％以下、ＺｎＱに
ついては５．’ＯＮ以下、ＰｂＱについては５．０％以
下、ＴｉＯ２については５０％以下、Ｚ ｒＯ２につい
ては５．０ Ｘ以下、Ｔａ２ｏ５については３．０％以
下、Ｎｂ２ｏ５については５．０ Ｘ以下、ＷＯ５１ｃ
ツいてはｉ０Ｘ以下、Ｌａ２ｏ３にツいては３０％以下
、Ｙ２Ｏ，にツいては！１． ＯＸ以下、Ｇｄ２Ｏ３に
ついては５．０ Ｘ以下の範囲で含有させても、線膨張
係数及び６５０ ’Ｃ以上の高温度安定性になんら悪影
響を与えることはない。
さらに本発明においては、前記基本組成及び任意成分に
加えて通常のガラス製造の際、脱泡剤として慣用されテ
イルＡｓ２ｏ３．５ｂ２ｏ３、（ＮＩ（４）２ｓｏ４、
ＮａＣｌ 及び弗化物などを２．０ Ｘまで単独で用い
てもよいし、２種以上併用してもよい。
加えて通常のガラス製造の際、脱泡剤として慣用されテ
イルＡｓ２ｏ３．５ｂ２ｏ３、（ＮＩ（４）２ｓｏ４、
ＮａＣｌ 及び弗化物などを２．０ Ｘまで単独で用い
てもよいし、２種以上併用してもよい。
以上の記述から、５ｉＯ２−Ｂ、、０．− Ａｌ □０
３−ＭｇＯ系において、大量のＡｌ ２０５を導入し、
さらにモル比にてＭｇＯ／Ａｌ Ｏ＝ｏ、６５〜ｔ ７
９（７）範囲”’ＱＭｇＯを導３ 入することにより、公知の低膨張ガラスでは不可能であ
った低温度溶融において泡、ストーン及び脈理等がなく
均質で、４５０℃以上の温度で各種処理が可能となった
。
３−ＭｇＯ系において、大量のＡｌ ２０５を導入し、
さらにモル比にてＭｇＯ／Ａｌ Ｏ＝ｏ、６５〜ｔ ７
９（７）範囲”’ＱＭｇＯを導３ 入することにより、公知の低膨張ガラスでは不可能であ
った低温度溶融において泡、ストーン及び脈理等がなく
均質で、４５０℃以上の温度で各種処理が可能となった
。
本発明の高温度安定竺膨張ガラスの製造は常法に従い各
成分の供給原判を粉砕混合し、ガラス溶融炉に投入し１
４７０〜１５００’Ｃで溶融し、１１５０〜１２５０℃
で均質なガラスを成型することができる。
成分の供給原判を粉砕混合し、ガラス溶融炉に投入し１
４７０〜１５００’Ｃで溶融し、１１５０〜１２５０℃
で均質なガラスを成型することができる。
本発明の組成範囲に入る各種ガラスを製作した。
これらをサンプルｌＩ＆１ｉないしＮＣｆ６とし、表１
にガラス組成（重量比）を挙げる。対照のため公知の低
膨張ガラス５ｉｎ２７７． ＯＸ、 Ｂ２０．１３．
ｓ Ｘ、Ａｌ２０５２．９％、Ｎａ２ｏ ｔｓ％、ＡＳ
２０３０． ｓ Ｘ組成のものを用意し、これをサンプ
ルＡとする。サンプルｔ＆ｌ〜階１６は上述した方法に
従って製作したとき、泡、ストーン及び脈理がなく均質
のものとなった。
にガラス組成（重量比）を挙げる。対照のため公知の低
膨張ガラス５ｉｎ２７７． ＯＸ、 Ｂ２０．１３．
ｓ Ｘ、Ａｌ２０５２．９％、Ｎａ２ｏ ｔｓ％、ＡＳ
２０３０． ｓ Ｘ組成のものを用意し、これをサンプ
ルＡとする。サンプルｔ＆ｌ〜階１６は上述した方法に
従って製作したとき、泡、ストーン及び脈理がなく均質
のものとなった。
表１中の階２のサンプルと公知のサンプルＡとを用いて
熱膨張曲線を測定したところ第１図の結果を得た。
熱膨張曲線を測定したところ第１図の結果を得た。
この図で、ガラスの熱的安定性をあられす転移点（Ｔｇ
）及び屈伏点（ＴＣ）が、公知のガラスにくらべ本発明
のガラスがそれぞれ１４５℃以上、１００℃以上高くな
っており高温度に対して著しく安定なガラスであること
は明確である。この効果により、ホトマスク及びＥＬ、
ＬＣＤ等の膜焼付が、６５０℃以上の高温で処理するこ
とが可能となり、前述のように、ガラスと膜の強度が従
来のガラスにくらべて大幅に大きぐなり、これによって
本発明ガラスを使う各種製品の品質及び歩留りの点で大
幅の改善を行うことができ、さらには従来にない機能を
もつ製品開発も可能となる。
）及び屈伏点（ＴＣ）が、公知のガラスにくらべ本発明
のガラスがそれぞれ１４５℃以上、１００℃以上高くな
っており高温度に対して著しく安定なガラスであること
は明確である。この効果により、ホトマスク及びＥＬ、
ＬＣＤ等の膜焼付が、６５０℃以上の高温で処理するこ
とが可能となり、前述のように、ガラスと膜の強度が従
来のガラスにくらべて大幅に大きぐなり、これによって
本発明ガラスを使う各種製品の品質及び歩留りの点で大
幅の改善を行うことができ、さらには従来にない機能を
もつ製品開発も可能となる。
第１表にはザングルＮＱ１〜１６０線膨張係数、転移点
（Ｔｇ）、屈伏点（ＴＣ）、及び使用可能な最高膜焼付
処理温度（フォトマスクとして）を測定した結果を示し
た。
（Ｔｇ）、屈伏点（ＴＣ）、及び使用可能な最高膜焼付
処理温度（フォトマスクとして）を測定した結果を示し
た。
以上の結果から明らかなよ５に、本発明によるとＡＩ
２０．が多Ｊ１． Ｋ用いられるととＫより熱安定性が
大きく向上し、Ａｌ２Ｏ５が多ｆｔＫ用いられるにも拘
らずＭｇＯの併存により泡、ストーン、脈理の発生が防
止でき、また線膨張係数も十分に小さいものにすること
ができた。
２０．が多Ｊ１． Ｋ用いられるととＫより熱安定性が
大きく向上し、Ａｌ２Ｏ５が多ｆｔＫ用いられるにも拘
らずＭｇＯの併存により泡、ストーン、脈理の発生が防
止でき、また線膨張係数も十分に小さいものにすること
ができた。
第１図は本発明と従来例によるガラスの熱膨張を示すグ
ラフである。
ラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量百分率で５ＩＯ２４５，０〜６５０％、Ｂ２０
゜５．０〜１５ Ｘ、 Ａ、ｊ、２０．１５．０〜２５
．０％、ＭｇＯ５，０〜１５．０％から成る基本組成を
有し、モル比でＭｇＯ／Ａ、＋２０． ＝ ｏ６３〜１
．７９の範囲にある高温度安定低膨張ガ□ラス。 ２、線膨張係数が３０〜５５ Ｘ １０−７叡’ｅｒａ
℃である特許請求の範囲第１項記載のガラス。 ６６５０℃以上の転移点を有する特許請求の範囲第１項
または第２項記載のガラス。 ４、基本組成に加えてＲ２０（ただしＲはアルカリ金属
）５．０％以下、ＣａＱ１０．０％以下、５ｒＯ５，０
％以下、ＢａＱ ５．０％以下、ＺｎＱ ５．０％以下
、ＰｂＱ ５．０％以下、Ｔｉ０２５．０％以下、Ｚｒ
０ｚ ｓ、 ０％以下、’ｒａ２ｏ５５． ＯＸ以下、
Ｎｂ２Ｑ５３．０％以下、ＷＱ、 ５．０％以下、Ｌａ
２ＱＳ３．０％以下、￥２０３５０％以下、Ｇ（１２０
５１０Ａ以下の中から選ばれた少なくとも１種の任意成
分を含有する特許請求の範囲第１項、第２項または第６
項記載のガラス。 ５ 基本組成あるいは基本組成と任意成分に加えて脱泡
剤として、Ａｓ２Ｏ３，５ｂ２０３、（団４）２ＳＯ４
、ＮａｃＩ 及び弗化物の中から選ばれた少なくとも１
種の成分を２％まで含有する特許請求の範囲第１項、第
２項、第３項又は第４項記載のガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245559A JPS60141642A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 高温度安定低膨脹ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245559A JPS60141642A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 高温度安定低膨脹ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141642A true JPS60141642A (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=17135504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245559A Pending JPS60141642A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 高温度安定低膨脹ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141642A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171943A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス粉末焼結体 |
| JPS62216939A (ja) * | 1986-03-15 | 1987-09-24 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラス粉末焼結体の製造方法 |
| US4994415A (en) * | 1986-09-17 | 1991-02-19 | Nippon Electric Glass Company, Limited | SiO2 -Al2 O3 -BaO glass substrates with improved chemical resistance for use in display panels and others having thin films |
| JPH1072237A (ja) * | 1996-06-03 | 1998-03-17 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル |
| DE19916296C1 (de) * | 1999-04-12 | 2001-01-18 | Schott Glas | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendung |
| WO2001017921A1 (de) | 1999-09-04 | 2001-03-15 | Schott Glas | Erdalkalialuminoborosilicatglas und dessen verwendungen |
| JP2002220255A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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