JP2002220255A - 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 - Google Patents
無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製で
きる低誘電率、低誘電損失の無鉛ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、ＳｉＯ2：４８〜６０％、
Ｂ2Ｏ3：０．５〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：５〜１８％、Ｍｇ
Ｏ：５〜４０％、ＣａＯ：０．５〜１０％、ＺｎＯ：
０．５〜１０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ：０〜１０％、ＴｉＯ
2：０〜５％、ＺｒＯ2：０〜５％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋
Ｋ2Ｏ：０〜５％からなる無鉛ガラス。
きる低誘電率、低誘電損失の無鉛ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、ＳｉＯ2：４８〜６０％、
Ｂ2Ｏ3：０．５〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：５〜１８％、Ｍｇ
Ｏ：５〜４０％、ＣａＯ：０．５〜１０％、ＺｎＯ：
０．５〜１０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ：０〜１０％、ＴｉＯ
2：０〜５％、ＺｒＯ2：０〜５％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋
Ｋ2Ｏ：０〜５％からなる無鉛ガラス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼成して電子回路
基板を作製するのに好適な無鉛ガラスおよび電子回路基
板用組成物に関する。
基板を作製するのに好適な無鉛ガラスおよび電子回路基
板用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子回路基板として、アルミ
ナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用さ
れている。
ナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記アルミナ基板にお
いては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高い
ために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料
としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン
（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できず、
比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融
点：９６２℃）等の非・高融点金属を基板作製と同時に
焼成する電極材料として使用できない問題があった。
いては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高い
ために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料
としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン
（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できず、
比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融
点：９６２℃）等の非・高融点金属を基板作製と同時に
焼成する電極材料として使用できない問題があった。
【０００４】近年、前記アルミナ粉末に代わる、９００
℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる無鉛ガラス
粉末が求められている。本発明は、以上の課題を解決す
る無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基
板の提供を目的とする。
℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる無鉛ガラス
粉末が求められている。本発明は、以上の課題を解決す
る無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基
板の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準のモル％表示で、本質的に、 ＳｉＯ2 ４８〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０．５〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ０．５〜１０％、 ＺｎＯ ０．５〜１０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2 ０〜５％、 ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラスを提供する。
準のモル％表示で、本質的に、 ＳｉＯ2 ４８〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０．５〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ０．５〜１０％、 ＺｎＯ ０．５〜１０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2 ０〜５％、 ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラスを提供する。
【０００６】また、質量百分率表示で、本質的に、前記
無鉛ガラスの粉末：６０〜１００％、セラミックフィラ
ー：０〜４０％、からなる電子回路基板用組成物を提供
する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成して得ら
れる電子回路基板を提供する。
無鉛ガラスの粉末：６０〜１００％、セラミックフィラ
ー：０〜４０％、からなる電子回路基板用組成物を提供
する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成して得ら
れる電子回路基板を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の無鉛ガラス（以下本発明
のガラスという。）は通常、粉末化してガラス粉末とさ
れる。該ガラス粉末は、必要に応じてフィラー等と混合
し、焼成して電子回路基板を作製するのに好適である。
のガラスという。）は通常、粉末化してガラス粉末とさ
れる。該ガラス粉末は、必要に応じてフィラー等と混合
し、焼成して電子回路基板を作製するのに好適である。
【０００８】本発明のガラスの軟化点ＴSは９１０℃以
下であることが好ましい。９１０℃超では、本発明のガ
ラスの粉末を９００℃以下で焼成して電子回路基板を作
製することが困難になるおそれがある。より好ましくは
９００℃以下である。
下であることが好ましい。９１０℃超では、本発明のガ
ラスの粉末を９００℃以下で焼成して電子回路基板を作
製することが困難になるおそれがある。より好ましくは
９００℃以下である。
【０００９】本発明のガラスの１ＭＨｚでの比誘電率ε
は７以下であることが好ましい。７超では電子回路基板
に用いることが困難になるおそれがある。
は７以下であることが好ましい。７超では電子回路基板
に用いることが困難になるおそれがある。
【００１０】本発明のガラスの１ＭＨｚでの誘電損失ｔ
ａｎδは０．０１以下であることが好ましい。０．０１
超では電子回路基板に用いることが困難になるおそれが
ある。より好ましくは０．００５以下である。
ａｎδは０．０１以下であることが好ましい。０．０１
超では電子回路基板に用いることが困難になるおそれが
ある。より好ましくは０．００５以下である。
【００１１】本発明のガラスの５０〜３５０℃における
平均線膨張係数αは６０×１０-7／℃以下であることが
好ましい。６０×１０-7／℃超では、電子回路基板上に
シリコンチップを形成する場合に、シリコンチップとの
膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。より好
ましくは５０×１０-7／℃以下である。また、αは３０
×１０-7／℃以上であることが好ましい。３０×１０-7
／℃未満では、やはりシリコンチップとの膨張係数マッ
チングが困難になるおそれがある。
平均線膨張係数αは６０×１０-7／℃以下であることが
好ましい。６０×１０-7／℃超では、電子回路基板上に
シリコンチップを形成する場合に、シリコンチップとの
膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。より好
ましくは５０×１０-7／℃以下である。また、αは３０
×１０-7／℃以上であることが好ましい。３０×１０-7
／℃未満では、やはりシリコンチップとの膨張係数マッ
チングが困難になるおそれがある。
【００１２】本発明のガラスは、その粉末を９００℃で
焼成したときにコーディエライトが析出するものである
ことが好ましい。９００℃で焼成したときにコーディエ
ライトを析出しないものであると、本発明のガラスの粉
末を用いて作製した電子回路基板のεまたはαが大きく
なるおそれがある、またはその強度が低下するおそれが
ある。
焼成したときにコーディエライトが析出するものである
ことが好ましい。９００℃で焼成したときにコーディエ
ライトを析出しないものであると、本発明のガラスの粉
末を用いて作製した電子回路基板のεまたはαが大きく
なるおそれがある、またはその強度が低下するおそれが
ある。
【００１３】次に、本発明のガラスの組成について、モ
ル％を単に％と記して以下に説明する。ＳｉＯ2はネッ
トワークフォーマであり、またεを低下させる成分であ
り、またコーディエライトの構成成分であり、必須であ
る。４８％未満ではコーディエライトが析出しにくくな
る。好ましくは５０％以上である。６０％超ではＴSが
高くなりすぎる。好ましくは５８％以下である。
ル％を単に％と記して以下に説明する。ＳｉＯ2はネッ
トワークフォーマであり、またεを低下させる成分であ
り、またコーディエライトの構成成分であり、必須であ
る。４８％未満ではコーディエライトが析出しにくくな
る。好ましくは５０％以上である。６０％超ではＴSが
高くなりすぎる。好ましくは５８％以下である。
【００１４】Ｂ2Ｏ3は、ＴSまたはガラス溶融温度を低
下させるための成分であり、必須である。０．５％未満
ではＴSまたはガラス溶融温度が高くなる。好ましくは
１％以上、より好ましくは２％以上である。１０％超で
は化学的耐久性が低下する。好ましくは８％以下、より
好ましくは５％以下、特に好ましくは４％以下である。
下させるための成分であり、必須である。０．５％未満
ではＴSまたはガラス溶融温度が高くなる。好ましくは
１％以上、より好ましくは２％以上である。１０％超で
は化学的耐久性が低下する。好ましくは８％以下、より
好ましくは５％以下、特に好ましくは４％以下である。
【００１５】Ａｌ2Ｏ3は、ガラスを安定化させ、また化
学的耐久性を向上させる成分であり、またコーディエラ
イトの構成成分であり、必須である。５％未満ではガラ
スが不安定になる、化学的耐久性が低下する、またはコ
ーディエライトが析出しにくくなる。好ましくは８％以
上である。１８％超ではガラス溶融温度が高くなる。好
ましくは１７％以下、より好ましくは１５％以下であ
る。
学的耐久性を向上させる成分であり、またコーディエラ
イトの構成成分であり、必須である。５％未満ではガラ
スが不安定になる、化学的耐久性が低下する、またはコ
ーディエライトが析出しにくくなる。好ましくは８％以
上である。１８％超ではガラス溶融温度が高くなる。好
ましくは１７％以下、より好ましくは１５％以下であ
る。
【００１６】ＭｇＯは、ガラスを安定化させ、またガラ
ス溶融温度を低下させる成分であり、またコーディエラ
イトの構成成分であり、必須である。５％未満ではガラ
スが不安定になる、ガラス溶融温度が高くなる、または
コーディエライトが析出しにくくなる。好ましくは１０
％以上、より好ましくは１５％以上、特に好ましくは２
０％以上である。４０％超ではガラスが不安定になる。
好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、特
に好ましくは２５％以下である。
ス溶融温度を低下させる成分であり、またコーディエラ
イトの構成成分であり、必須である。５％未満ではガラ
スが不安定になる、ガラス溶融温度が高くなる、または
コーディエライトが析出しにくくなる。好ましくは１０
％以上、より好ましくは１５％以上、特に好ましくは２
０％以上である。４０％超ではガラスが不安定になる。
好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、特
に好ましくは２５％以下である。
【００１７】ＣａＯは、ガラス溶融温度を低下させる成
分であり、必須である。０．５％未満ではガラス溶融温
度が高くなる。好ましくは１％以上、より好ましくは３
％以上である。１０％超では失透しやすくなる。好まし
くは９％以下、より好ましくは８％以下、特に好ましく
は７％以下である。
分であり、必須である。０．５％未満ではガラス溶融温
度が高くなる。好ましくは１％以上、より好ましくは３
％以上である。１０％超では失透しやすくなる。好まし
くは９％以下、より好ましくは８％以下、特に好ましく
は７％以下である。
【００１８】ＭｇＯの含有量とＣａＯの含有量のモル比
ＭｇＯ／ＣａＯは２．５以上であることが好ましい。
２．５未満ではｔａｎδが大きくなるおそれがある。好
ましくは３以上、より好ましくは３．５以上である。
ＭｇＯ／ＣａＯは２．５以上であることが好ましい。
２．５未満ではｔａｎδが大きくなるおそれがある。好
ましくは３以上、より好ましくは３．５以上である。
【００１９】ＺｎＯは、ガラス溶融温度を低下させる、
または結晶化を促進する成分であり、必須である。０．
５％未満ではガラス溶融温度が高くなる、または結晶化
しにくくなる。好ましくは１％以上、より好ましくは４
％以上である。１０％超では化学的耐久性、特に耐酸性
が低下する。好ましくは７％以下である。
または結晶化を促進する成分であり、必須である。０．
５％未満ではガラス溶融温度が高くなる、または結晶化
しにくくなる。好ましくは１％以上、より好ましくは４
％以上である。１０％超では化学的耐久性、特に耐酸性
が低下する。好ましくは７％以下である。
【００２０】ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではな
いが、ガラス溶融温度を低下させるためにこれら２成分
の含有量の合計が１０％までの範囲で含有してもよい。
１０％超ではガラスが失透しやすくなる、またはεが大
きくなる。好ましくは５％以下である。
いが、ガラス溶融温度を低下させるためにこれら２成分
の含有量の合計が１０％までの範囲で含有してもよい。
１０％超ではガラスが失透しやすくなる、またはεが大
きくなる。好ましくは５％以下である。
【００２１】ＴｉＯ2およびＺｒＯ2はいずれも必須では
ないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼
成時の結晶析出を促進するために、それぞれ５％までの
範囲で含有してもよい。５％超ではガラスが不安定にな
る、またはεが大きくなる。好ましくはそれぞれ３％以
下である。
ないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼
成時の結晶析出を促進するために、それぞれ５％までの
範囲で含有してもよい。５％超ではガラスが不安定にな
る、またはεが大きくなる。好ましくはそれぞれ３％以
下である。
【００２２】Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏはいずれも
必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるためにこ
れら３成分の含有量の合計が５％までの範囲で含有して
もよい。５％超では電気絶縁性が低下する、εが大きく
なる、またはｔａｎδが大きくなる。好ましくは１％以
下、より好ましくは０．５％以下である。電気絶縁性を
向上させたい場合、前記含有量の合計は０．１％以下と
することが好ましい。
必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるためにこ
れら３成分の含有量の合計が５％までの範囲で含有して
もよい。５％超では電気絶縁性が低下する、εが大きく
なる、またはｔａｎδが大きくなる。好ましくは１％以
下、より好ましくは０．５％以下である。電気絶縁性を
向上させたい場合、前記含有量の合計は０．１％以下と
することが好ましい。
【００２３】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は、好まし
くは１０％以下であることが好ましい。１０％超ではガ
ラスが失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは
５％以下である。
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は、好まし
くは１０％以下であることが好ましい。１０％超ではガ
ラスが失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは
５％以下である。
【００２４】前記「他の成分」として次のようなものが
例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させるた
めにＢｉ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ等を含有してもよい。また、
ガラスを着色するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＣｕＯ、
ＣｏＯ、Ｖ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3等の着色成分を含有してもよ
い。なお、本発明のガラスはＰｂＯを含有しない無鉛ガ
ラスである。
例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させるた
めにＢｉ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ等を含有してもよい。また、
ガラスを着色するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＣｕＯ、
ＣｏＯ、Ｖ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3等の着色成分を含有してもよ
い。なお、本発明のガラスはＰｂＯを含有しない無鉛ガ
ラスである。
【００２５】次に、本発明の電子回路基板用組成物の組
成について、質量百分率表示を用いて以下に説明する。
本発明のガラスの粉末は必須である。６０％未満では焼
結しにくくなり、９００℃以下で焼成して電子回路基板
を作製することが困難になる。好ましくは７０％以上で
ある。
成について、質量百分率表示を用いて以下に説明する。
本発明のガラスの粉末は必須である。６０％未満では焼
結しにくくなり、９００℃以下で焼成して電子回路基板
を作製することが困難になる。好ましくは７０％以上で
ある。
【００２６】セラミックフィラーは必須ではないが、本
発明の電子回路基板用組成物を焼成して得られる焼成体
のαを低下させるために、または該焼成体の強度を大き
くするために４０％まで含有してもよい。４０％超では
焼結しにくくなる。好ましくは３０％以下である。
発明の電子回路基板用組成物を焼成して得られる焼成体
のαを低下させるために、または該焼成体の強度を大き
くするために４０％まで含有してもよい。４０％超では
焼結しにくくなる。好ましくは３０％以下である。
【００２７】セラミックフィラーは、融点が１０００℃
以上であるセラミックス粉末または軟化点が１０００℃
以上であるガラス粉末であることが好ましい。
以上であるセラミックス粉末または軟化点が１０００℃
以上であるガラス粉末であることが好ましい。
【００２８】セラミックフィラーは、α−石英（転移温
度：１４５０℃）、非晶質シリカ（ＴS：１５００
℃）、アルミナ（融点：２０５０℃）、マグネシア（融
点：２８２０℃）、フォルステライト（融点：１８９０
℃）、コーディエライト（転移温度：１４５０℃）、ム
ライト（融点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８
０℃）およびジルコニア（融点：２７１０℃）からなる
群から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることが好
ましい。
度：１４５０℃）、非晶質シリカ（ＴS：１５００
℃）、アルミナ（融点：２０５０℃）、マグネシア（融
点：２８２０℃）、フォルステライト（融点：１８９０
℃）、コーディエライト（転移温度：１４５０℃）、ム
ライト（融点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８
０℃）およびジルコニア（融点：２７１０℃）からなる
群から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることが好
ましい。
【００２９】本発明の電子回路基板用組成物は本質的に
上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわ
ない範囲で含有してもよい。該「他の成分」の含有量の
合計は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以
下である。前記「他の成分」として、たとえば耐熱着色
顔料が挙げられる。
上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわ
ない範囲で含有してもよい。該「他の成分」の含有量の
合計は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以
下である。前記「他の成分」として、たとえば耐熱着色
顔料が挙げられる。
【００３０】本発明の電子回路基板用組成物を電子回路
基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使
用される。すなわち、該電子回路基板用組成物は樹脂と
混合される。次に、溶剤等を添加してスラリーとし、ポ
リエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブ
レード法等によってこのスラリーをシート状に成形す
る。最後に乾燥して溶剤等を除去しグリーンシートとさ
れる。なお、前記樹脂として、ポリビニルブチラール、
アクリル樹脂等が、前記溶剤として、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等
が、それぞれ例示される。前記グリーンシートは焼成さ
れて電子回路基板とされる。
基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使
用される。すなわち、該電子回路基板用組成物は樹脂と
混合される。次に、溶剤等を添加してスラリーとし、ポ
リエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブ
レード法等によってこのスラリーをシート状に成形す
る。最後に乾燥して溶剤等を除去しグリーンシートとさ
れる。なお、前記樹脂として、ポリビニルブチラール、
アクリル樹脂等が、前記溶剤として、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等
が、それぞれ例示される。前記グリーンシートは焼成さ
れて電子回路基板とされる。
【００３１】本発明の電子回路基板は、たとえば、先に
述べたように本発明の電子回路基板用組成物をグリーン
シート化し、焼成して作製される。
述べたように本発明の電子回路基板用組成物をグリーン
シート化し、焼成して作製される。
【００３２】本発明の電子回路基板のεは８．５以下で
あることが好ましい。本発明の電子回路基板のｔａｎδ
は０．０２以下であることが好ましい。本発明の電子回
路基板のαは３０×１０-7〜７０×１０-7／℃であるこ
とが好ましい。
あることが好ましい。本発明の電子回路基板のｔａｎδ
は０．０２以下であることが好ましい。本発明の電子回
路基板のαは３０×１０-7〜７０×１０-7／℃であるこ
とが好ましい。
【００３３】
【実施例】表１のＳｉＯ2〜ＴｉＯ2の欄にモル％表示で
示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合さ
れた原料を白金ルツボに入れて１５００℃で１２０分間
溶融後、溶融ガラスを流し出した。得られたガラスの一
部をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕してガラス粉
末とした。残りのガラスは塊の状態でガラス転移点付近
の温度で徐冷した。例１〜３は実施例、例４は比較例で
ある。
示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合さ
れた原料を白金ルツボに入れて１５００℃で１２０分間
溶融後、溶融ガラスを流し出した。得られたガラスの一
部をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕してガラス粉
末とした。残りのガラスは塊の状態でガラス転移点付近
の温度で徐冷した。例１〜３は実施例、例４は比較例で
ある。
【００３４】例１〜４のガラス粉末について、ＴS（単
位：℃）、焼結性、析出結晶、ε、ｔａｎδ、α（単
位：１０-7／℃）を測定または評価した。結果を表に示
す。 ＴS：示差熱分析により昇温速度１０℃／分で室温から
１０００℃までの範囲で測定した。なお、アルミナ粉末
を標準物質とした。
位：℃）、焼結性、析出結晶、ε、ｔａｎδ、α（単
位：１０-7／℃）を測定または評価した。結果を表に示
す。 ＴS：示差熱分析により昇温速度１０℃／分で室温から
１０００℃までの範囲で測定した。なお、アルミナ粉末
を標準物質とした。
【００３５】焼結性：ガラス粉末２ｇを直径１２．７ｍ
ｍの円柱状に加圧成形したものを試料とした。この試料
を９００℃に６０分間保持して得た焼成体を肉眼で観察
した。該焼成体が緻密に焼結しており、また該焼成体に
クラックが認められない場合を○、そうでない場合を×
で示す。
ｍの円柱状に加圧成形したものを試料とした。この試料
を９００℃に６０分間保持して得た焼成体を肉眼で観察
した。該焼成体が緻密に焼結しており、また該焼成体に
クラックが認められない場合を○、そうでない場合を×
で示す。
【００３６】析出結晶：ガラス粉末を９００℃で３０分
間焼成して得られた焼成体を粉砕して、Ｘ線回折により
析出結晶を同定した。表１中、Ｃはコーディエライト
を、Ｆはフォルステライトを、Ａはアノーサイトをそれ
ぞれ示す。
間焼成して得られた焼成体を粉砕して、Ｘ線回折により
析出結晶を同定した。表１中、Ｃはコーディエライト
を、Ｆはフォルステライトを、Ａはアノーサイトをそれ
ぞれ示す。
【００３７】ε、ｔａｎδ：ガラス粉末４０ｇを６０ｍ
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを、例１
〜３については９００℃で、例４については１０００℃
で、それぞれ６０分間焼成した。得られた焼成体を５０
ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使
用して、２０℃で１ＭＨｚにおける誘電率と誘電損失を
測定した。
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを、例１
〜３については９００℃で、例４については１０００℃
で、それぞれ６０分間焼成した。得られた焼成体を５０
ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使
用して、２０℃で１ＭＨｚにおける誘電率と誘電損失を
測定した。
【００３８】α：ガラス粉末を、例１〜３については９
００℃で、例４については１０００℃で、それぞれ６０
分間焼成して得られた焼成体を直径２ｍｍ、長さ２０ｍ
ｍの円柱状に加工したものを試料とし、示差熱膨張計を
使用して測定した。
００℃で、例４については１０００℃で、それぞれ６０
分間焼成して得られた焼成体を直径２ｍｍ、長さ２０ｍ
ｍの円柱状に加工したものを試料とし、示差熱膨張計を
使用して測定した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、１ＭＨｚでの誘電率お
よび誘電損失が小さく、電子回路基板上にシリコンチッ
プを形成する場合に、シリコンチップとの膨張係数マッ
チングが可能な電子回路基板が得られる。
よび誘電損失が小さく、電子回路基板上にシリコンチッ
プを形成する場合に、シリコンチップとの膨張係数マッ
チングが可能な電子回路基板が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 恒夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA02 AA03 AA04 AA07 AA08 AA09 AA10 AA16 AA17 AA32 AA35 AA36 AA37 BA09 BA12 CA01 CA08 4G062 AA01 AA10 AA11 AA15 BB01 CC01 DA05 DA06 DB03 DB04 DC02 DC03 DD01 DD02 DD03 DE02 DE03 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED03 ED04 ED05 EE02 EE03 EF01 EF02 EF03 EG01 EG02 EG03 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FF02 FF03 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH08 HH09 HH10 HH11 HH12 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN30 NN32 NN40 PP01 PP02 PP03 PP06 PP09 QQ16
Claims (5)
- 【請求項１】下記酸化物基準のモル％表示で、本質的
に、 ＳｉＯ2 ４８〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０．５〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ０．５〜１０％、 ＺｎＯ ０．５〜１０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2 ０〜５％、 ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラス。 - 【請求項２】ＭｇＯ／ＣａＯがモル比で２．５以上であ
る請求項１に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の無鉛ガラスであ
って、粉末化して９００℃で焼成したときにコーディエ
ライトが析出する無鉛ガラス。 - 【請求項４】質量百分率表示で、本質的に、請求項１、
２または３に記載の無鉛ガラスの粉末：６０〜１００
％、セラミックフィラー：０〜４０％、からなる電子回
路基板用組成物。 - 【請求項５】請求項４に記載の電子回路基板用組成物を
焼成して得られる電子回路基板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013644A JP2002220255A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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