JP2002220256A - 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 - Google Patents
無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板Info
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- JP2002220256A JP2002220256A JP2001013645A JP2001013645A JP2002220256A JP 2002220256 A JP2002220256 A JP 2002220256A JP 2001013645 A JP2001013645 A JP 2001013645A JP 2001013645 A JP2001013645 A JP 2001013645A JP 2002220256 A JP2002220256 A JP 2002220256A
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- glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製で
きる低誘電率、低誘電損失の無鉛ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、本質的に、ＳｉＯ2：４５
〜６０％、Ｂ2Ｏ3：０〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：５〜１８
％、ＭｇＯ：５〜４０％、ＣａＯ：７〜４０％、ＳｒＯ
＋ＢａＯ：０〜２０％、ＺｎＯ：０〜１０％、ＴｉＯ2
＋ＺｒＯ2：０〜５％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜
５％、からなる無鉛ガラス。
きる低誘電率、低誘電損失の無鉛ガラスの提供。 【解決手段】モル％表示で、本質的に、ＳｉＯ2：４５
〜６０％、Ｂ2Ｏ3：０〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：５〜１８
％、ＭｇＯ：５〜４０％、ＣａＯ：７〜４０％、ＳｒＯ
＋ＢａＯ：０〜２０％、ＺｎＯ：０〜１０％、ＴｉＯ2
＋ＺｒＯ2：０〜５％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜
５％、からなる無鉛ガラス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼成して電子回路
基板を作製するのに好適な無鉛ガラスおよび電子回路基
板用組成物に関する。
基板を作製するのに好適な無鉛ガラスおよび電子回路基
板用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子回路基板として、アルミ
ナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用さ
れている。
ナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記アルミナ基板にお
いては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高い
ために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料
としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン
（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できず、
比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融
点：９６２℃）等の非・高融点金属を基板作製と同時に
焼成する電極材料として使用できない問題があった。
いては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高い
ために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料
としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン
（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できず、
比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融
点：９６２℃）等の非・高融点金属を基板作製と同時に
焼成する電極材料として使用できない問題があった。
【０００４】近年、前記アルミナ粉末に代わる、９００
℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる無鉛ガラス
粉末が求められている。本発明は、以上の課題を解決す
る無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基
板の提供を目的とする。
℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる無鉛ガラス
粉末が求められている。本発明は、以上の課題を解決す
る無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基
板の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準のモル％表示で、本質的に、 ＳｉＯ2 ４５〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ７〜４０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜２０％、 ＺｎＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラスを提供する。
準のモル％表示で、本質的に、 ＳｉＯ2 ４５〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ７〜４０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜２０％、 ＺｎＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラスを提供する。
【０００６】また、質量百分率表示で、本質的に、前記
無鉛ガラスの粉末：６０〜１００％、セラミックフィラ
ー：０〜４０％、からなる電子回路基板用組成物を提供
する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成して得ら
れる電子回路基板を提供する。
無鉛ガラスの粉末：６０〜１００％、セラミックフィラ
ー：０〜４０％、からなる電子回路基板用組成物を提供
する。また、前記電子回路基板用組成物を焼成して得ら
れる電子回路基板を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の無鉛ガラス（以下本発明
のガラスという。）は通常、粉末化してガラス粉末とさ
れる。該ガラス粉末は、必要に応じてフィラー等と混合
し、焼成して電子回路基板を作製するのに好適である。
のガラスという。）は通常、粉末化してガラス粉末とさ
れる。該ガラス粉末は、必要に応じてフィラー等と混合
し、焼成して電子回路基板を作製するのに好適である。
【０００８】本発明のガラスの軟化点ＴSは９１０℃以
下であることが好ましい。９１０℃超では、本発明のガ
ラスの粉末を９００℃以下で焼成して電子回路基板を作
製することが困難になるおそれがある。より好ましくは
９００℃以下である。
下であることが好ましい。９１０℃超では、本発明のガ
ラスの粉末を９００℃以下で焼成して電子回路基板を作
製することが困難になるおそれがある。より好ましくは
９００℃以下である。
【０００９】本発明のガラスの１ＭＨｚでの比誘電率ε
は８．５以下であることが好ましい。８．５超では電子
回路基板に用いることが困難になるおそれがある。より
好ましくは８以下である。
は８．５以下であることが好ましい。８．５超では電子
回路基板に用いることが困難になるおそれがある。より
好ましくは８以下である。
【００１０】本発明のガラスの１ＭＨｚでの誘電損失ｔ
ａｎδは０．０２以下であることが好ましい。０．０２
超では電子回路基板に用いることが困難になるおそれが
ある。より好ましくは０．０１以下である。
ａｎδは０．０２以下であることが好ましい。０．０２
超では電子回路基板に用いることが困難になるおそれが
ある。より好ましくは０．０１以下である。
【００１１】本発明のガラスをシリコンチップ形成用電
子回路基板に用いる場合、本発明のガラスの５０〜３５
０℃における平均線膨張係数αは３０×１０-7〜８０×
１０ -7／℃であることが好ましい。８０×１０-7／℃超
では、電子回路基板上にシリコンチップを形成する場合
に、シリコンチップとの膨張係数マッチングが困難にな
るおそれがある。より好ましくは７０×１０-7／℃以下
である。３０×１０-7／℃未満ではやはりシリコンチッ
プとの膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。
子回路基板に用いる場合、本発明のガラスの５０〜３５
０℃における平均線膨張係数αは３０×１０-7〜８０×
１０ -7／℃であることが好ましい。８０×１０-7／℃超
では、電子回路基板上にシリコンチップを形成する場合
に、シリコンチップとの膨張係数マッチングが困難にな
るおそれがある。より好ましくは７０×１０-7／℃以下
である。３０×１０-7／℃未満ではやはりシリコンチッ
プとの膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。
【００１２】本発明のガラスは、その粉末を９００℃で
焼成したときにアノーサイトが析出するものであること
が好ましい。９００℃で焼成したときにアノーサイトを
析出しないものであると、本発明のガラスの粉末を用い
て作製した電子回路基板の強度が低下するおそれがあ
り、また、該電子回路基板がシリコンチップ形成用であ
る場合、そのαが大きくなってシリコンチップとの膨張
係数マッチングが困難になるおそれがある。
焼成したときにアノーサイトが析出するものであること
が好ましい。９００℃で焼成したときにアノーサイトを
析出しないものであると、本発明のガラスの粉末を用い
て作製した電子回路基板の強度が低下するおそれがあ
り、また、該電子回路基板がシリコンチップ形成用であ
る場合、そのαが大きくなってシリコンチップとの膨張
係数マッチングが困難になるおそれがある。
【００１３】本発明のガラスは、電子回路基板のｔａｎ
δをより低下させるためには、その粉末を９００℃で焼
成したときにディオプサイドまたはエンスタタイトが析
出するものであることが好ましい。なお、電子回路基板
がシリコンチップ形成用である場合、本発明のガラス
は、その粉末を９００℃で焼成したときにディオプサイ
ドおよびエンスタタイトのいずれか１種以上とアノーサ
イトとが析出するものであることが好ましい。ディオプ
サイドおよびエンスタタイトのいずれもが析出しないも
のであるとｔａｎδが大きくなるおそれがある。アノー
サイトが析出しないものであるとαが大きくなり、シリ
コンチップとの膨張係数マッチングが困難になるおそれ
がある。
δをより低下させるためには、その粉末を９００℃で焼
成したときにディオプサイドまたはエンスタタイトが析
出するものであることが好ましい。なお、電子回路基板
がシリコンチップ形成用である場合、本発明のガラス
は、その粉末を９００℃で焼成したときにディオプサイ
ドおよびエンスタタイトのいずれか１種以上とアノーサ
イトとが析出するものであることが好ましい。ディオプ
サイドおよびエンスタタイトのいずれもが析出しないも
のであるとｔａｎδが大きくなるおそれがある。アノー
サイトが析出しないものであるとαが大きくなり、シリ
コンチップとの膨張係数マッチングが困難になるおそれ
がある。
【００１４】次に、本発明のガラスの組成について、モ
ル％を単に％と記して以下に説明する。ＳｉＯ2はネッ
トワークフォーマであり、またεを低下させる成分であ
り、またアノーサイトの構成成分であって、必須であ
る。４５％未満では、εが大きくなる、またはアノーサ
イトが析出しにくくなる。好ましくは４７．５％以上、
より好ましくは５０％以上である。６０％超ではＴSが
高くなりすぎる。
ル％を単に％と記して以下に説明する。ＳｉＯ2はネッ
トワークフォーマであり、またεを低下させる成分であ
り、またアノーサイトの構成成分であって、必須であ
る。４５％未満では、εが大きくなる、またはアノーサ
イトが析出しにくくなる。好ましくは４７．５％以上、
より好ましくは５０％以上である。６０％超ではＴSが
高くなりすぎる。
【００１５】Ｂ2Ｏ3は必須ではないが、ＴSを低下させ
るために１０％まで含有してもよい。１０％超では化学
的耐久性が低下する。好ましくは８％以下、より好まし
くは４％以下である。
るために１０％まで含有してもよい。１０％超では化学
的耐久性が低下する。好ましくは８％以下、より好まし
くは４％以下である。
【００１６】Ａｌ2Ｏ3は、ガラスを安定化させ、また化
学的耐久性を向上させる成分であり、またアノーサイト
の構成成分であって、必須である。５％未満ではガラス
が不安定になる、化学的耐久性が低下する、またはアノ
ーサイトが析出しにくくなる。好ましくは５．６％以
上、より好ましくは７％以上、特に好ましくは８％以上
である。１８％超ではガラス溶融温度が高くなる、また
はＴSが高くなる。好ましくは１７％以下、より好まし
くは１５％以下、特に好ましくは１３％以下である。
学的耐久性を向上させる成分であり、またアノーサイト
の構成成分であって、必須である。５％未満ではガラス
が不安定になる、化学的耐久性が低下する、またはアノ
ーサイトが析出しにくくなる。好ましくは５．６％以
上、より好ましくは７％以上、特に好ましくは８％以上
である。１８％超ではガラス溶融温度が高くなる、また
はＴSが高くなる。好ましくは１７％以下、より好まし
くは１５％以下、特に好ましくは１３％以下である。
【００１７】ＭｇＯは、εまたはｔａｎδを低下させ
る、ガラスを安定化させる、またはガラス溶融温度を低
下させる効果を有し、必須である。５％未満では前記効
果が小さい。好ましくは９％以上、より好ましくは１２
％以上である。４０％超ではかえってガラスが不安定に
なる。αを小さくしたい場合、好ましくは３５％以下、
より好ましくは２７％以下である。
る、ガラスを安定化させる、またはガラス溶融温度を低
下させる効果を有し、必須である。５％未満では前記効
果が小さい。好ましくは９％以上、より好ましくは１２
％以上である。４０％超ではかえってガラスが不安定に
なる。αを小さくしたい場合、好ましくは３５％以下、
より好ましくは２７％以下である。
【００１８】ＣａＯは、ガラス溶融温度を低下させる成
分であり、またアノーサイトの構成成分であって、必須
である。７％未満ではガラス溶融温度が高くなる、また
はアノーサイトが析出しにくくなる。好ましくは７．１
％以上、より好ましくは１０％以上である。４０％超で
は失透しやすくなる。好ましくは３５％以下、より好ま
しくは３０％以下、特に好ましくは２５％以下である。
分であり、またアノーサイトの構成成分であって、必須
である。７％未満ではガラス溶融温度が高くなる、また
はアノーサイトが析出しにくくなる。好ましくは７．１
％以上、より好ましくは１０％以上である。４０％超で
は失透しやすくなる。好ましくは３５％以下、より好ま
しくは３０％以下、特に好ましくは２５％以下である。
【００１９】Ａｌ2Ｏ3の含有量と、ＭｇＯおよびＣａＯ
の含有量の合計のモル比Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）
は、本発明のガラスの粉末を９００℃で焼成したときの
アノーサイトの析出しやすさを示す指標である。Ａｌ2
Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）のモル比が０．１２未満では
アノーサイトが析出しにくくなるおそれがある。好まし
くは０．１４以上、より好ましくは０．１５以上であ
る。
の含有量の合計のモル比Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）
は、本発明のガラスの粉末を９００℃で焼成したときの
アノーサイトの析出しやすさを示す指標である。Ａｌ2
Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）のモル比が０．１２未満では
アノーサイトが析出しにくくなるおそれがある。好まし
くは０．１４以上、より好ましくは０．１５以上であ
る。
【００２０】ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではな
いが、ガラス溶融温度を低下させるためにこれら２成分
の含有量の合計が２０％までの範囲で含有してもよい。
２０％超ではガラスが失透しやすくなる、またはεが大
きくなる。好ましくは１０％以下である。
いが、ガラス溶融温度を低下させるためにこれら２成分
の含有量の合計が２０％までの範囲で含有してもよい。
２０％超ではガラスが失透しやすくなる、またはεが大
きくなる。好ましくは１０％以下である。
【００２１】ＺｎＯは必須ではないが、ガラス溶融温度
を低下させるために１０％まで含有してもよい。１０％
超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましく
は５％以下である。耐酸性を向上させたい場合、ＺｎＯ
を含有しないことが好ましい。
を低下させるために１０％まで含有してもよい。１０％
超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましく
は５％以下である。耐酸性を向上させたい場合、ＺｎＯ
を含有しないことが好ましい。
【００２２】ＴｉＯ2およびＺｒＯ2はいずれも必須では
ないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼
成時の結晶析出を促進するためにこれら２成分の含有量
の合計が５％までの範囲で含有してもよい。５％超では
ガラスが不安定になる、またはεが大きくなる。好まし
くは３％以下、より好ましくは２％以下である。
ないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼
成時の結晶析出を促進するためにこれら２成分の含有量
の合計が５％までの範囲で含有してもよい。５％超では
ガラスが不安定になる、またはεが大きくなる。好まし
くは３％以下、より好ましくは２％以下である。
【００２３】Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏはいずれも
必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるために、
またはＴSを低下させるために、これら３成分の含有量
の合計が５％までの範囲で含有してもよい。５％超では
電気絶縁性が低下する、εが大きくなる、またはｔａｎ
δが大きくなる。好ましくは１％以下、より好ましくは
０．５％以下である。基板作製と同時に焼成する電極材
料として銀を使用する場合、Ｌｉイオン、Ｎａイオンま
たはＫイオンの銀への拡散を防止するために前記含有量
の合計は０．１％以下とすることが好ましい。
必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるために、
またはＴSを低下させるために、これら３成分の含有量
の合計が５％までの範囲で含有してもよい。５％超では
電気絶縁性が低下する、εが大きくなる、またはｔａｎ
δが大きくなる。好ましくは１％以下、より好ましくは
０．５％以下である。基板作製と同時に焼成する電極材
料として銀を使用する場合、Ｌｉイオン、Ｎａイオンま
たはＫイオンの銀への拡散を防止するために前記含有量
の合計は０．１％以下とすることが好ましい。
【００２４】本発明のガラスは本質的に上記成分からな
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は、好まし
くは１０％以下であることが好ましい。１０％超ではガ
ラスが失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは
５％以下である。
るが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有
してもよい。該「他の成分」の含有量の合計は、好まし
くは１０％以下であることが好ましい。１０％超ではガ
ラスが失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは
５％以下である。
【００２５】前記「他の成分」として次のようなものが
例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させるた
めにＢｉ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ等を含有してもよい。また、
ガラスを着色するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＣｕＯ、
ＣｏＯ、Ｖ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3等の着色成分を含有してもよ
い。なお、本発明のガラスはＰｂＯを含有しない無鉛ガ
ラスである。
例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させるた
めにＢｉ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、Ｆ等を含有してもよい。また、
ガラスを着色するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＣｕＯ、
ＣｏＯ、Ｖ2Ｏ5、Ｃｒ2Ｏ3等の着色成分を含有してもよ
い。なお、本発明のガラスはＰｂＯを含有しない無鉛ガ
ラスである。
【００２６】次に、本発明の電子回路基板用組成物の組
成について、質量百分率表示を用いて以下に説明する。
本発明のガラスの粉末は必須である。６０％未満では焼
結しにくくなり、９００℃以下で焼成して電子回路基板
を作製することが困難になる。好ましくは７０％以上で
ある。
成について、質量百分率表示を用いて以下に説明する。
本発明のガラスの粉末は必須である。６０％未満では焼
結しにくくなり、９００℃以下で焼成して電子回路基板
を作製することが困難になる。好ましくは７０％以上で
ある。
【００２７】セラミックフィラーは必須ではないが、本
発明の電子回路基板用組成物を焼成して得られる焼成体
のαを低下させるために、または該焼成体の強度を大き
くするために４０％まで含有してもよい。４０％超では
焼結しにくくなる。好ましくは３０％以下である。
発明の電子回路基板用組成物を焼成して得られる焼成体
のαを低下させるために、または該焼成体の強度を大き
くするために４０％まで含有してもよい。４０％超では
焼結しにくくなる。好ましくは３０％以下である。
【００２８】セラミックフィラーは、融点が１０００℃
以上であるセラミックス粉末または軟化点が１０００℃
以上であるガラス粉末であることが好ましい。また、前
記焼成体のαを低下させたい場合、セラミックフィラー
のαは９０×１０-7／℃以下であることが好ましい。
以上であるセラミックス粉末または軟化点が１０００℃
以上であるガラス粉末であることが好ましい。また、前
記焼成体のαを低下させたい場合、セラミックフィラー
のαは９０×１０-7／℃以下であることが好ましい。
【００２９】セラミックフィラーは、α−石英（転移温
度：１４５０℃）、非晶質シリカ（ＴS：１５００
℃）、アルミナ（融点：２０５０℃）、マグネシア（融
点：２８２０℃）、フォルステライト（融点：１８９０
℃）、コージエライト（転移温度：１４５０℃）、ムラ
イト（融点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８０
℃）およびジルコニア（融点：２７１０℃）からなる群
から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることが好ま
しい。前記焼成体のαを低下させたい場合、セラミック
フィラーは、非晶質シリカ、アルミナ、コージエライ
ト、ムライトおよびジルコンからなる群から選ばれた無
機物の１種以上の粉末であることがより好ましい。
度：１４５０℃）、非晶質シリカ（ＴS：１５００
℃）、アルミナ（融点：２０５０℃）、マグネシア（融
点：２８２０℃）、フォルステライト（融点：１８９０
℃）、コージエライト（転移温度：１４５０℃）、ムラ
イト（融点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８０
℃）およびジルコニア（融点：２７１０℃）からなる群
から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることが好ま
しい。前記焼成体のαを低下させたい場合、セラミック
フィラーは、非晶質シリカ、アルミナ、コージエライ
ト、ムライトおよびジルコンからなる群から選ばれた無
機物の１種以上の粉末であることがより好ましい。
【００３０】本発明の電子回路基板用組成物は本質的に
上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわ
ない範囲で含有してもよい。該「他の成分」の含有量の
合計は１０％以下であることが好ましい。より好ましく
は５％以下である。前記「他の成分」として、たとえば
耐熱着色顔料が挙げられる。
上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわ
ない範囲で含有してもよい。該「他の成分」の含有量の
合計は１０％以下であることが好ましい。より好ましく
は５％以下である。前記「他の成分」として、たとえば
耐熱着色顔料が挙げられる。
【００３１】本発明の電子回路基板用組成物を電子回路
基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使
用される。すなわち、該電子回路基板用組成物は樹脂と
混合される。次に、溶剤等を添加してスラリーとし、ポ
リエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブ
レード法等によってこのスラリーをシート状に成形す
る。最後に乾燥して溶剤等を除去しグリーンシートとさ
れる。なお、前記樹脂として、ポリビニルブチラール、
アクリル樹脂等が、前記溶剤として、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等
が、それぞれ例示される。前記グリーンシートは焼成さ
れて電子回路基板とされる。
基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使
用される。すなわち、該電子回路基板用組成物は樹脂と
混合される。次に、溶剤等を添加してスラリーとし、ポ
リエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブ
レード法等によってこのスラリーをシート状に成形す
る。最後に乾燥して溶剤等を除去しグリーンシートとさ
れる。なお、前記樹脂として、ポリビニルブチラール、
アクリル樹脂等が、前記溶剤として、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等
が、それぞれ例示される。前記グリーンシートは焼成さ
れて電子回路基板とされる。
【００３２】本発明の電子回路基板は、たとえば、先に
述べたように本発明の電子回路基板用組成物をグリーン
シート化し、焼成して作製される。本発明の電子回路基
板のεは８．５以下であることが好ましい。本発明の電
子回路基板のｔａｎδは０．０２以下であることが好ま
しい。本発明の電子回路基板がシリコンチップ形成用で
ある場合、そのαは４０×１０-7〜７０×１０-7／℃で
あることが好ましい。
述べたように本発明の電子回路基板用組成物をグリーン
シート化し、焼成して作製される。本発明の電子回路基
板のεは８．５以下であることが好ましい。本発明の電
子回路基板のｔａｎδは０．０２以下であることが好ま
しい。本発明の電子回路基板がシリコンチップ形成用で
ある場合、そのαは４０×１０-7〜７０×１０-7／℃で
あることが好ましい。
【００３３】
【実施例】表１のＳｉＯ2〜Ｋ2Ｏの欄にモル％表示で示
した組成となるように原料を調合、混合し、該混合され
た原料を白金ルツボに入れて１５００℃で１２０分間溶
融後、溶融ガラスを流し出した。得られたガラスの一部
をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕してガラス粉末
とした。残りのガラスは塊の状態でガラス転移点付近の
温度で徐冷した。なお、表１中の「Ａｌ2Ｏ3／ＲＯ」は
Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）を、表２は質量百分率表
示組成を示す。
した組成となるように原料を調合、混合し、該混合され
た原料を白金ルツボに入れて１５００℃で１２０分間溶
融後、溶融ガラスを流し出した。得られたガラスの一部
をアルミナ製ボールミルで１０時間粉砕してガラス粉末
とした。残りのガラスは塊の状態でガラス転移点付近の
温度で徐冷した。なお、表１中の「Ａｌ2Ｏ3／ＲＯ」は
Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）を、表２は質量百分率表
示組成を示す。
【００３４】例１〜７のガラス粉末について、ＴS（単
位：℃）、焼結性、析出結晶、ε、ｔａｎδ、α（単
位：１０-7／℃）を測定または評価した。結果を表１に
示す。 ＴS：示差熱分析により昇温速度１０℃／分で室温から
１０００℃までの範囲で測定した。なお、アルミナ粉末
を標準物質とした。
位：℃）、焼結性、析出結晶、ε、ｔａｎδ、α（単
位：１０-7／℃）を測定または評価した。結果を表１に
示す。 ＴS：示差熱分析により昇温速度１０℃／分で室温から
１０００℃までの範囲で測定した。なお、アルミナ粉末
を標準物質とした。
【００３５】焼結性：ガラス粉末２ｇを直径１２．７ｍ
ｍの円柱状に加圧成形したものを試料とした。この試料
を９００℃に６０分間保持して得た焼成体を肉眼で観察
した。該焼成体が緻密に焼結しており、また該焼成体に
クラックが認められないこと（表１では○で示す。）が
好ましい。
ｍの円柱状に加圧成形したものを試料とした。この試料
を９００℃に６０分間保持して得た焼成体を肉眼で観察
した。該焼成体が緻密に焼結しており、また該焼成体に
クラックが認められないこと（表１では○で示す。）が
好ましい。
【００３６】析出結晶：ガラス粉末を９００℃で３０分
間焼成して得られた焼成体を粉砕して、Ｘ線回折により
析出結晶を同定した。表１中、Ａはアノーサイトを、Ｅ
はエンスタタイトを、Ｄはディオプサイドをそれぞれ示
す。
間焼成して得られた焼成体を粉砕して、Ｘ線回折により
析出結晶を同定した。表１中、Ａはアノーサイトを、Ｅ
はエンスタタイトを、Ｄはディオプサイドをそれぞれ示
す。
【００３７】ε、ｔａｎδ：ガラス粉末４０ｇを６０ｍ
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを、９０
０℃で６０分間焼成した。得られた焼成体を５０ｍｍ×
５０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使用し
て、２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率と誘電損失を測定
した。
ｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを、９０
０℃で６０分間焼成した。得られた焼成体を５０ｍｍ×
５０ｍｍ×３ｍｍに加工し、ＬＣＲメーターを使用し
て、２０℃、１ＭＨｚにおける誘電率と誘電損失を測定
した。
【００３８】α：ガラス粉末を９００℃で３０分間焼成
して得られた焼成体を直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱
状に加工したものを試料とし、示差熱膨張計を使用して
測定した。
して得られた焼成体を直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱
状に加工したものを試料とし、示差熱膨張計を使用して
測定した。
【００３９】また、例１のガラス粉末：７０質量部とア
ルミナ粉末：３０質量部を混合してガラスセラミックス
組成物（実施例）を作製し、上記と同様にして、焼結
性、析出結晶、ε、ｔａｎδを測定または評価した。そ
の結果、焼結性は○、析出結晶はアノーサイト、エンス
タタイト、ディオプサイドおよびアルミナ、εは７．
５、ｔａｎδは０．００９であった。
ルミナ粉末：３０質量部を混合してガラスセラミックス
組成物（実施例）を作製し、上記と同様にして、焼結
性、析出結晶、ε、ｔａｎδを測定または評価した。そ
の結果、焼結性は○、析出結晶はアノーサイト、エンス
タタイト、ディオプサイドおよびアルミナ、εは７．
５、ｔａｎδは０．００９であった。
【００４０】さらに、例１のガラス粉末および前記ガラ
スセラミックス組成物をそれぞれ金型を用いて加圧成形
し、得られた成形体を９００℃で３０分間焼成して得ら
れた焼成体を厚さ５００ｍｍの平板状試料に加工して、
空洞共振法を用いて２０ＧＨｚにおける誘電率、誘電損
失を測定した。誘電率、誘電損失は、例１のガラス粉末
を用いて得られた焼成体についてはそれぞれ４．６、
０．００９、前記ガラスセラミックス組成物を用いて得
られた焼成体についてはそれぞれ４．６、０．００４で
あった。
スセラミックス組成物をそれぞれ金型を用いて加圧成形
し、得られた成形体を９００℃で３０分間焼成して得ら
れた焼成体を厚さ５００ｍｍの平板状試料に加工して、
空洞共振法を用いて２０ＧＨｚにおける誘電率、誘電損
失を測定した。誘電率、誘電損失は、例１のガラス粉末
を用いて得られた焼成体についてはそれぞれ４．６、
０．００９、前記ガラスセラミックス組成物を用いて得
られた焼成体についてはそれぞれ４．６、０．００４で
あった。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、焼成温度が９００℃以
下であって、１ＭＨｚでの誘電率および誘電損失が小さ
い電子回路基板が得られる。さらに、シリコンチップと
の膨張係数マッチングが可能な電子回路基板が得られ
る。また、焼成温度が９００℃以下であって、２０ＧＨ
ｚでの誘電率および誘電損失も小さい電子回路基板が得
られる。
下であって、１ＭＨｚでの誘電率および誘電損失が小さ
い電子回路基板が得られる。さらに、シリコンチップと
の膨張係数マッチングが可能な電子回路基板が得られ
る。また、焼成温度が９００℃以下であって、２０ＧＨ
ｚでの誘電率および誘電損失も小さい電子回路基板が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 恒夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA01 AA10 AA11 AA15 BB01 CC01 DA05 DA06 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DD01 DD02 DD03 DE01 DE02 DE03 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED03 ED04 ED05 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FF02 FF03 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH04 HH07 HH08 HH09 HH10 HH11 HH12 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN30 NN32 NN40 PP01 PP02 PP03 PP06 PP09 QQ17
Claims (6)
- 【請求項１】下記酸化物基準のモル％表示で、本質的
に、 ＳｉＯ2 ４５〜６０％、 Ｂ2Ｏ3 ０〜１０％、 Ａｌ2Ｏ3 ５〜１８％、 ＭｇＯ ５〜４０％、 ＣａＯ ７〜４０％、 ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜２０％、 ＺｎＯ ０〜１０％、 ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2 ０〜５％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜５％、 からなる無鉛ガラス。 - 【請求項２】Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）のモル比が
０．１２以上である請求項１に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項３】Ａｌ2Ｏ3／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）のモル比が
０．１４以上である請求項１に記載の無鉛ガラス。 - 【請求項４】請求項１、２または３に記載の無鉛ガラス
であって、粉末化して９００℃で焼成したときにアノー
サイトが析出する無鉛ガラス。 - 【請求項５】質量百分率表示で、本質的に、請求項１、
２、３または４に記載の無鉛ガラスの粉末：６０〜１０
０％、セラミックフィラー：０〜４０％、からなる電子
回路基板用組成物。 - 【請求項６】請求項５に記載の電子回路基板用組成物を
焼成して得られる電子回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013645A JP2002220256A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013645A JP2002220256A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004308247A Division JP2005094026A (ja) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | 電子回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002220256A true JP2002220256A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18880462
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001013645A Withdrawn JP2002220256A (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002220256A (ja) |
Cited By (15)
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|---|---|---|---|---|
| WO2004071982A1 (ja) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Asahi Glass Company, Limited | 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
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| JP2006056768A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 屈折率分布型ロッドレンズ用クラッドガラス組成物、およびそれを用いた屈折率分布型ロッドレンズ母ガラスロッド、ならびに屈折率分布型ロッドレンズ、およびその製造方法 |
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| JP2007176741A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | セラミック焼結体及び配線基板 |
| WO2011155362A1 (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | 日東紡績株式会社 | ガラス繊維 |
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| WO2013181925A1 (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | Yang Dening | 低热膨胀系数的玻璃的制备工艺及其玻璃制品 |
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| US11332405B2 (en) | 2018-07-23 | 2022-05-17 | Corning Incorporated | Magnesium aluminosilicate glass ceramics |
| CN115784616A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 常熟佳合显示科技有限公司 | 一种mas微晶玻璃及其制备方法 |
| US12017947B2 (en) | 2022-04-20 | 2024-06-25 | Corning Incorporated | Magnesium aluminosilicate glass ceramics |
-
2001
- 2001-01-22 JP JP2001013645A patent/JP2002220256A/ja not_active Withdrawn
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