WO2021019911A1 - 支持ガラス基板 - Google Patents

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WO2021019911A1
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ratio
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support glass
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幹雄 長野
稲葉　誠二
康成 齋藤
玉井　喜芳
和孝 小野
悠波 小林
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Ａｇｃ株式会社
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    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates

Definitions

  • the present invention relates to a supporting glass substrate.
  • FOWLP Fan-out wafer level package
  • FOPLP Fan-out panel level package
  • a supporting glass substrate that supports the processed substrate may be used in order to suppress the deflection of the processed substrate on which the semiconductor device is laminated (see, for example, Patent Document 1).
  • Support glass substrates used to support members are required to be lightweight as well as to suppress deflection.
  • the mass of the support glass substrate increases when the thickness is increased in order to suppress the deflection, and the support glass substrate tends to be bent when the thickness is reduced in order to reduce the weight. Therefore, it may be difficult to achieve both suppression of deflection and weight reduction.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a supporting glass substrate capable of suppressing deflection and reducing weight.
  • the support glass substrate according to the present disclosure has a Young ratio ⁇ (GPa) ratio ⁇ / d (GPa ⁇ cm 3 / g) to a density d (g / cm 3 ).
  • GPa Young ratio
  • ⁇ (GPa ⁇ cm 3 / g) Is 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more
  • the ratio calculated value ⁇ (GPa ⁇ cm) which is the ratio of the Young ratio (GPa) calculated from the composition to the density (g / cm 3 ). It is a value larger than 3 / g).
  • the ratio calculation value ⁇ (GPa ⁇ cm 3 / g) is expressed by the following formula.
  • V i is the packing parameter of the metal oxide contained in the supporting glass substrate
  • G i is the dissociation energy of the metal oxide contained in the supporting glass substrate
  • M i is the supporting glass It is the molecular weight of the metal oxide contained in the substrate
  • X i is the molar ratio of the metal oxide contained in the supporting glass substrate.
  • FIG. 1 is a schematic view of a support glass substrate according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a graph for explaining the performance of the support glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic view showing a method of measuring deflection in Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 4 is a graph showing the characteristics of the supporting glass substrates of Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 1 is a schematic view of a support glass substrate according to this embodiment.
  • the support glass substrate 10 according to the present embodiment is used as a glass substrate for manufacturing a semiconductor package, and more specifically, it is a support glass substrate for manufacturing FOWLP and the like. ..
  • the use of the support glass substrate 10 is not limited to the production of FOWLP and the like, and may be any, and may be a glass substrate used for supporting a member.
  • FOWLP and the like include FOWLP and FOPLP as described above.
  • the support glass substrate 10 makes it possible to suppress deflection and reduce the weight at the same time.
  • the support glass substrate 10 has a ratio ⁇ / d of 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and satisfies the following equation (1).
  • the ratio calculation value ⁇ in the formula (1) is a calculated value of the ratio of Young's modulus to the density of the support glass substrate 10 calculated from the composition of the support glass substrate 10, and the details will be described later.
  • the ratio ⁇ / d is a value calculated by using the measured value of Young's modulus ⁇ of the supporting glass substrate 10 and the measured value of the density d of the supporting glass substrate 10.
  • the Young's modulus ⁇ of the support glass substrate 10 is a value measured based on the propagation of ultrasonic waves using 38DL PLUS manufactured by OLYMPUS.
  • the density d of the support glass substrate 10 is a value measured by using the Archimedes method in the present embodiment.
  • the ratio ⁇ / d is calculated by dividing the Young's modulus ⁇ thus measured by the measured density d.
  • the unit of the Young ratio ⁇ is GPa
  • the unit of the density d is g / cm 3
  • the unit of the ratio ⁇ / d is GPa ⁇ cm 3 / g.
  • the ratio calculated value ⁇ is a value calculated from the composition of the support glass substrate 10 without using the measured values of Young's modulus ⁇ and the density d. .. Since it is known that the Young's modulus of glass can be calculated from its composition, the calculated value ⁇ of the Young's modulus with respect to the density of the supporting glass substrate 10 can be calculated from the composition of the supporting glass substrate 10.
  • the composition of the support glass substrate 10 here refers to the composition when the composition contained in the support glass substrate 10 is converted into a metal oxide.
  • the ratio calculation value ⁇ is a value obtained by multiplying the size of the ion of the metal oxide and the binding force by the weight of the ion, totaling each metal oxide, and multiplying by 2.
  • the ratio calculation value ⁇ is calculated by the following equation (2).
  • V i is a (V i ⁇ G i / M i).
  • V i (cm 3 / mol) is a filling parameter of the metal oxide contained in the support glass substrate 10, G i (kJ / cm 3) with a dissociation energy of metal oxide contained in the support glass substrate 10
  • M i (g / mol) is the molecular weight of the metal oxide contained in the support glass substrate 10
  • X i is the metal oxide contained in the support glass substrate 10
  • Unit of X i is a dimensionless.
  • the ratio calculated value alpha the value calculated for each of the metal oxides contained in the supporting glass substrate 10 ⁇ (V i ⁇ G i) / M i) ⁇ X i ⁇ , the support It is a value obtained by multiplying the total of all the metal oxides contained in the glass substrate 10 by 2.
  • the unit of the ratio calculation value ⁇ is GPa ⁇ cm 3 / g.
  • V i is calculated by the following equation (3)
  • G i is calculated by the following equation (4).
  • V i 6.02 ⁇ 10 23 ⁇ (4/3) ⁇ ⁇ ⁇ (x ⁇ r 3 M + y ⁇ r 3 O) ⁇ (3)
  • G i d i / M i ⁇ ⁇ x ⁇ ⁇ Hf (M gas) + y ⁇ ⁇ Hf (O gas) - ⁇ Hf (M x O ycrystal) - (x + y) ⁇ RT ⁇ ⁇ (4)
  • M is a metal element
  • O is an oxygen element
  • x is the valence of the metal element M
  • y is the valence of the oxygen element O
  • r M is the ionic radius of Shannon of the metal element M in the metal oxide M x O y
  • r O is the ionic radius of Shannon of the oxygen element O in the metal oxide M x O y
  • d i is the density of the metal oxide M x O y.
  • ⁇ Hf (M gas ) is the standard standard enthalpy of formation of the metallic element M in the gaseous state
  • ⁇ Hf (O gas ) is the standard standard enthalpy of formation of the oxygen element O in the gaseous state
  • ⁇ Hf (M x Oycrystal ) is the metal. It is a standard enthalpy of oxide M x O y.
  • R is a gas constant and T is an absolute temperature.
  • the support glass substrate 10 has a ratio ⁇ / d of 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, which is larger than the ratio calculation value ⁇ calculated based on the composition. That is, in the support glass substrate 10, the ratio ⁇ / d of Young's modulus and density obtained by actual measurement is larger than the ratio calculation value ⁇ which is the ratio of Young's modulus and density calculated based on the composition. It can be said that it is a member.
  • the ratio ⁇ / d of the support glass substrate 10 to 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, even if the support glass substrate 10 is made thinner and lighter, it becomes highly rigid, so that deflection is suppressed.
  • the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ calculated based on the composition, in other words, the Young's modulus per unit density is a value expected based on the composition. It's getting bigger. Therefore, the support glass substrate 10 can suppress the deflection and reduce the weight to a degree higher than expected.
  • FIG. 2 is a graph for explaining the performance of the support glass substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a graph showing the range of the ratio ⁇ / d described above, with the horizontal axis representing the ratio calculation value ⁇ and the vertical axis representing the ratio ⁇ / d.
  • the ratio ⁇ / d of the support glass substrate 10 is plotted above the line segment L1a and the line segment L2a in the vertical direction, in other words, the ratio ⁇ / d is shown in FIG. It can be said that it is plotted in the shaded area.
  • the support glass substrate 10 preferably has a ratio ⁇ / d of 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and further preferably 40.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more. preferable.
  • the ratio ⁇ / d is 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, it is possible to more preferably suppress the deflection and reduce the weight, and the ratio ⁇ / d is 40.0 (GPa ⁇ cm 3).
  • it is / g) or more it is possible to more preferably suppress the deflection and reduce the weight.
  • the ratio ⁇ / d of the support glass substrate 10 satisfies the following formula (5), and further preferably the ratio ⁇ / d satisfies the formula (6).
  • the support glass substrate 10 preferably has a packing density Vt of less than 13.8 (cm 3 / mol), more preferably less than 13.6 (cm 3 / mol), and more preferably 13.3 (cm). It is more preferably less than 3 / mol).
  • the packing density Vt refers to the filling degree of the molecule, and in the present embodiment, it refers to the filling degree of the metal oxide contained in the support glass substrate 10.
  • the packing density Vt is a value calculated based on the composition of the support glass substrate 10.
  • the packing density Vt is calculated from the following equation (7).
  • Vt ⁇ (V i ⁇ X i) ⁇ (7)
  • V i of Equation (7) a filling parameter of the metal oxide contained in the support glass substrate 10, X i of Equation (7), as described above, included in the supporting glass substrate 10 It is the molar ratio of the metal oxide to the whole supporting glass substrate 10. That is, the packing density Vt is a value obtained by multiplying the filling parameter calculated for each metal oxide by the molar ratio and totaling all the metal oxides contained in the support glass substrate 10.
  • the support glass substrate 10 preferably has a calculated ratio ⁇ of 31.6 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and a packing density Vt of less than 13.8 (cm 3 / mol). Further, it is more preferable that the support glass substrate 10 has a ratio calculation value ⁇ of 32.8 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and a packing density Vt of less than 13.8, and the ratio calculation value ⁇ is It is more preferable that the filling density is 33.1 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and the packing density Vt is less than 13.6 (cm 3 / mol), and the ratio calculation value ⁇ is 33.5 (GPa ⁇ cm).
  • the packing density Vt is less than 13.3 (cm 3 / mol).
  • the ratio of the ratio ⁇ / d to the ratio calculated value ⁇ that is, the value obtained by dividing the ratio ⁇ / d by the ratio calculated value ⁇ is defined as the structural factor M. That is, the structural factor M refers to the ratio of the measured value of the specific elastic modulus to the specific elastic modulus calculated from the composition.
  • the structural factor M of the supporting glass substrate 10 is preferably larger than 1, more preferably 1.1 or more, and further preferably larger than 1.12. When the structural factor M is within this range, it is possible to suitably realize suppression of deflection and weight reduction.
  • the ratio of the average molecular weight V to the density d of the supporting glass substrate 10, that is, the value obtained by dividing the average molecular weight V by the density d is defined as the molecular weight Vm (cm 3 / mol).
  • the average molecular weight V is a calculated value of the average molecular weight of the support glass substrate 10, and is calculated based on the composition of the support glass substrate 10. For example, a supporting glass substrate containing 50% of Al 2 O 3 and 50% of SiO 2 in molar ratio has an average molecular weight V of (101.96 ⁇ 0.5) + (60.08 ⁇ ). It becomes 0.5).
  • the molecular weight Vm is the ratio of the average molecular weight calculated from the composition to the measured value of the density d.
  • the support glass substrate 10 preferably has a molecular content Vm of less than 24.1 (cm 3 / mol), more preferably less than 23.2 (cm 3 / mol), and 22.7 (cm 3). It is more preferably less than / mol).
  • Vm molecular content
  • the support glass substrate 10 can have a ratio ⁇ / d of 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and larger than the ratio calculation value ⁇ by configuring the support glass substrate 10 with the composition described below.
  • the composition described below is an example.
  • the support glass substrate 10 may have any composition as long as the ratio ⁇ / d is 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and larger than the ratio calculation value ⁇ .
  • the support glass substrate 10 contains a base material and an additive material.
  • the support glass substrate 10 preferably contains SiO 2 and Al 2 O 3 as a base material.
  • the support glass substrate 10 preferably has a total content of SiO 2 and Al 2 O 3 of 50% to 85%, more preferably 60% to 75%, in terms of molar% based on oxides. ..
  • 50% to 85% here means that it is 50% or more and 85% or less when the molar% of the total amount of the supporting glass substrate 10 is 100%, and the same applies thereafter.
  • the support glass substrate 10 may contain B 2 O 3 in addition to SiO 2 and Al 2 O 3 as a base material.
  • the content of B 2 O 3 is preferably 1% to 30%, more preferably 3% to 10%, in terms of molar% based on the oxide.
  • the ratio ⁇ / d can be increased, and deflection suppression and weight reduction can be suitably realized.
  • the support glass substrate 10 may contain at least one of P 2 O 5 , Ga 2 O 3 , Al N and Si 3 N 4 as a base material.
  • the additive material is a metal oxide.
  • Supporting glass substrate 10 as an additive material, comprising at least one of MgO and CaO and Y 2 O 3.
  • Supporting glass substrate 10 the content of the additive material, MgO other words, CaO, and Y the total content of one or more components selected from the group consisting of 2 O 3 is represented by mol% based on oxides, 15 It is preferably in the range of% to 50%, more preferably 20% to 45%.
  • the support glass substrate 10 preferably contains 11% to 35% of MgO, more preferably 20% to 30%, in terms of molar% based on oxides. Further, the support glass substrate 10 preferably contains 7% to 32% of CaO, more preferably 8% to 15%, in terms of molar% based on the oxide.
  • the support glass substrate 10 as an additive material, MgO, CaO, and in addition to at least one member selected from the group consisting of Y 2 O 3, from ZrO 2, TiO 2, Li 2 O, and the group consisting of ZnO It may contain at least one selected.
  • the support glass substrate 10 has a SiO 2 content of 40% to 60%, an Al 2 O 3 content of 20% to 30%, and an MgO in mol% representation based on oxides.
  • the content of is preferably 20% to 30%.
  • the support glass substrate 10 preferably contains only SiO 2 , Al 2 O 3 , and Mg O, except for unavoidable impurities.
  • the preferable composition of the support glass substrate 10 will be described more specifically.
  • the support glass substrate 10 preferably has parameters such as the ratio ⁇ / d, the structural factor M, and the molecular volume Vm within the range specified above, and the composition is not particularly limited. That is, various supporting glass substrates are manufactured with an arbitrary composition, and parameters such as the ratio ⁇ / d, the structural factor M, and the molecular volume Vm are measured and calculated for the manufactured supporting glass substrates, and the calculated parameters are obtained. Can be adopted as the support glass substrate 10 in the range specified above.
  • the support glass substrate 10 has an oxide-based molar% representation, a SiO 2 content of 20% to 66%, an Al 2 O 3 content of 6% to 30%, and MgO content.
  • the content is preferably 25% to 30%.
  • the support glass substrate 10 has a SiO 2 content of 20% to 66%, an Al 2 O 3 content of 6% to 30%, and an oxide-based molar% representation.
  • the total content of MgO and CaO is preferably 19% to 46%.
  • the support glass substrate 10 has a SiO 2 content of 20% to 66%, an Al 2 O 3 content of 6% to 30%, and an oxide-based molar% representation.
  • the total content of B 2 O 3 and Y 2 O 3 is 5.8% to 50%, and the total content of B 2 O 3 and Y 2 O 3 is 25 to 50% Is more preferable.
  • the support glass substrate 10 having the first composition has a SiO 2 content of 48% to 52%, an Al 2 O 3 content of 20% to 25%, and an MgO content of 25%. It is preferably to 30%, excluding unavoidable impurities, and containing no other than SiO 2 , Al 2 O 3 , and Mg O.
  • composition An example of a preferable composition of the support glass substrate 10 is a second composition.
  • the support glass substrate 10 having the second composition has a SiO 2 content of 43% to 58%, an Al 2 O 3 content of 12% to 17%, and an Mg O content of 14%. It is preferably to 27%, the CaO content is 7% to 32%, and it is preferable that it contains only SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, and CaO, excluding unavoidable impurities.
  • An example of a preferable composition of the support glass substrate 10 is a third composition.
  • the support glass substrate 10 having the third composition has a SiO 2 content of 64% to 68%, an Al 2 O 3 content of 10% to 14%, and an MgO content of 9%.
  • a ⁇ 13% the content of CaO is from 6% to 10% content of B 2 O 3 is 1 to 5%, except for unavoidable impurities, SiO 2, Al 2 O 3 , MgO, CaO, and it is preferable that does not include the non-B 2 O 3.
  • the support glass substrate 10 having the fourth composition has a SiO 2 content of 55.7% to 59.7%, an Al 2 O 3 content of 15% to 19%, and an MgO content.
  • the content of CaO is 13% to 17%
  • the content of CaO is 7% to 11%
  • the content of SrO is 0.1% to 1%
  • the support glass substrate 10 having the fifth composition has a SiO 2 content of 58% to 59%, an Al 2 O 3 content of 13% to 14%, and an MgO content of 17%. ⁇ 19%, CaO content 7% -8%, TiO 2 content 2% -4%, excluding unavoidable impurities, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO , CaO, and TiO 2 are preferably contained.
  • the support glass substrate 10 having the sixth composition has a SiO 2 content of 58% to 62%, an Al 2 O 3 content of 11% to 15%, and an MgO content of 15%. ⁇ 19%, CaO content is 6% ⁇ 10%, ZrO 2 content is 0.5% ⁇ 2%, excluding unavoidable impurities, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, CaO, and ZrO 2 are preferably contained.
  • the support glass substrate 10 having the seventh composition has a SiO 2 content of 48% to 50%, an Al 2 O 3 content of 6% to 10%, and an MgO content of 12%. a ⁇ 16%, the content of CaO is at 7% to 11%, the content of Y 2 O 3 is at 0.8% to 4.8%, and the content of TiO 2 is 0%.
  • the content of ZrO 2 is 0% to 3%, the content of LiO 2 is 2% to 6%, and the numerical range of ZnO is 4% to 8%.
  • the mixture contains only SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, CaO, Y 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 , LiO 2 , and ZnO.
  • the support glass substrate 10 having the eighth composition has a SiO 2 content of 20% to 50%, an Al 2 O 3 content of 20% to 30%, and a B 2 O 3 content. 5% to 30%, Y 2 O 3 content 19% to 20%, excluding unavoidable impurities, SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , and Y 2 O 3 It is preferable that it does not contain anything other than.
  • the support glass substrate 10 having the ninth composition has a SiO 2 content of 38% to 42%, an Al 2 O 3 content of 18% to 22%, and a B 2 O 3 content. , 16% to 20%, Y 2 O 3 content is 18% to 22%, P 2 O 5 content is 0% to 4%, excluding unavoidable impurities, SiO It is preferable that the glass contains only 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , Y 2 O 3 , and P 2 O 5 .
  • the supporting glass substrate 10 having the tenth composition has a SiO 2 content of 38% to 42%, an Al 2 O 3 content of 13% to 15%, and a B 2 O 3 content. , 18% to 22%, Y 2 O 3 content is 18% to 22%, Ga 2 O 5 content is 3% to 7%, excluding unavoidable impurities, SiO It is preferable that the mixture contains only 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , Y 2 O 3 , and Ga 2 O 5 .
  • the support glass substrate 10 does not include a sintered body. That is, the support glass substrate 10 is glass that is not a sintered body.
  • the sintered body here refers to a member in which a plurality of particles are heated at a temperature lower than the melting point to bond the particles to each other. Since the sintered body contains pores, the porosity is high to some extent, but since the support glass substrate 10 is not a sintered body, the porosity is low and is usually 0%. However, it is permissible to contain unavoidable trace amounts of pores.
  • the porosity here is the so-called true porosity, and the sum of the volumes of the pores that communicate with the outside (pores) and the pores that do not communicate with the outside (pores) is divided by the total volume (apparent volume). Refers to the value that was set.
  • the porosity can be measured according to, for example, JIS R 1634.
  • the glass used for the support glass substrate 10 is usually amorphous glass, that is, an amorphous solid. Further, this glass may be crystallized glass containing crystals on the surface or inside, but amorphous glass is preferable from the viewpoint of density. Sintered bodies (ceramics) cannot be used because they have low transmittance and high density.
  • the support glass substrate 10 is a plate-shaped glass substrate including a first surface 12 which is one surface, a second surface 14 which is the other surface, and a side surface 16.
  • the second surface 14 is a surface opposite to the first surface 12, and is, for example, parallel to the first surface 12.
  • the side surface 16 is a side surface of the support glass substrate 10, and can be said to be an end surface connecting the first surface 12 and the second surface 14.
  • the support glass substrate 10 has a disk shape that becomes circular when viewed in a plan view, that is, when viewed from a direction orthogonal to the first surface 12.
  • the support glass substrate 10 is not limited to a disk shape and may have an arbitrary shape, and may be a polygonal plate such as a rectangle.
  • the thickness D2 of the support glass substrate 10, that is, the length between the first surface 12 and the second surface 14 is preferably 0.1 mm to 2.0 mm, preferably 0.1 mm to 0.5 mm. Is even more preferable.
  • the thickness D2 By setting the thickness D2 to 0.1 mm or more, it is possible to prevent the supporting glass substrate 10 from becoming too thin and to suppress damage due to bending or impact.
  • the thickness D2 By setting the thickness D2 to 2.0 mm or less, the weighting can be suppressed, and by setting the thickness D2 to 0.5 mm or less, the weighting can be more preferably suppressed.
  • the method for producing the support glass substrate 10 is not particularly limited and is arbitrary, but for example, various raw materials such as silica sand and soda ash, which are raw materials for the compounds contained in the support glass substrate 10, are put into a continuous melting furnace.
  • the supporting glass substrate 10 may be manufactured by heating and melting at 1500 ° C. to 1600 ° C., clarifying the glass, supplying the molten glass to a molding apparatus, molding the supplied molten glass into a plate shape, and slowly cooling the glass.
  • Various methods can be adopted for manufacturing the support glass substrate 10, for example, a melt casting method, a down draw method (for example, an overflow down draw method, a slot down method, a redraw method, etc.), a float method, a rollout method, and the like.
  • the press method and the like can be mentioned.
  • a plurality of semiconductor chips are laminated on a support glass substrate 10 and the semiconductor chips are covered with a sealing material to form an element substrate. Then, the support glass substrate 10 and the element substrate are separated, and the side of the element substrate opposite to the semiconductor chip is attached to, for example, another support glass substrate 10. Then, wiring, solder bumps, and the like are formed on the semiconductor chip, and the element substrate and the support glass substrate 10 are separated again. Then, a semiconductor device can be obtained by cutting the element substrate into individual semiconductor chips.
  • the support glass substrate 10 has a ratio of ⁇ / d of 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and a value larger than the ratio calculation value ⁇ .
  • the ratio ⁇ / d is the ratio of the Young's modulus ⁇ to the density d of the supporting glass substrate 10.
  • the ratio calculation value ⁇ is a ratio of Young's modulus to the density calculated from the composition of the support glass substrate 10, and is represented by the above formula (2).
  • the glass substrate may be required to have both suppression of deflection and weight reduction. However, normally, it is necessary to increase the thickness in order to suppress the deflection, but it is necessary to reduce the thickness in order to reduce the weight, so that it is difficult to achieve both the suppression of the deflection and the weight reduction.
  • the ratio ⁇ / d of the support glass substrate 10 is set to 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more to reduce the weight of the support glass substrate. Even if the thickness of 10 is reduced, the Young's modulus is high, so that the deflection can be suppressed, and both the suppression of the deflection and the weight reduction can be realized.
  • the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ calculated based on the composition, in other words, the Young's modulus per unit density is a value expected based on the composition. It's getting bigger. Therefore, the support glass substrate 10 can suppress the deflection and reduce the weight to a degree higher than expected.
  • the support glass substrate 10 has a ratio ⁇ / d of 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, a structural factor M of 1.1 or more, and a packing density Vt of 13.8 (cm 3 / g). It is preferably less than mol).
  • the support glass substrate 10 satisfying such conditions can suppress bending and reduce the weight to a degree higher than expected.
  • the support glass substrate 10 has a ratio calculation value ⁇ of 31.6 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and a packing density Vt of less than 13.8 (cm 3 / mol).
  • the support glass substrate 10 preferably satisfies the relationship of ratio ⁇ / d> ratio calculated value ⁇ + 2.0 (GPa ⁇ cm 3 / g), and ratio ⁇ / d> ratio calculated value ⁇ + 4.0 (GPa ⁇ cm). It is more preferable to satisfy 3 / g). By satisfying these relationships, it is possible to more preferably suppress deflection and reduce weight.
  • the support glass substrate 10 preferably has a ratio ⁇ / d of 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and a ratio ⁇ / d of 40.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more. Is more preferable. When the ratio ⁇ / d becomes this value, it is possible to more preferably suppress the deflection and reduce the weight.
  • the support glass substrate 10, MgO, CaO, and the total content of one or more components selected from the group consisting of Y 2 O 3 is in a mole%, based on the total amount of the support glass substrate 10, 15% It is preferably in the range of 50%.
  • the Young's modulus ⁇ can be made higher than expected, and deflection suppression and weight reduction can be more preferably realized.
  • the support glass substrate 10 preferably has a total content of SiO 2 and Al 2 O 3 in mol%, which is in the range of 50% to 85% with respect to the total amount of the support glass substrate 10.
  • the support glass substrate 10 can have a Young's modulus ⁇ higher than expected, and can more preferably suppress deflection and reduce weight.
  • the support glass substrate 10 preferably has a thickness D2 in the range of 0.1 mm to 0.5 mm. By setting the thickness D2 within this range, it is possible to reduce the weight while suppressing damage due to bending or impact.
  • the support glass substrate 10 is glass that is not a sintered body. Since the support glass substrate 10 is not a sintered body, it is possible to suppress the density from becoming too high and reduce the weight, and since light is not scattered by the pores of the sintered body, the light transmittance Can be secured.
  • the support glass substrate 10 is preferably amorphous glass. Since the support glass substrate 10 is amorphous glass, it is possible to prevent the density from becoming too high and reduce the weight.
  • the support glass substrate 10 is preferably a support glass substrate for manufacturing at least one of a fan-out wafer level package and a fan-out panel level package, such as FOWLP.
  • a fan-out wafer level package and a fan-out panel level package, such as FOWLP.
  • Example 2 Next, an embodiment will be described. The embodiment may be changed as long as the effect of the invention is exhibited.
  • supporting glass substrates having different compositions were produced. Then, for each of the supporting glass substrates, the ratio calculation value ⁇ was calculated, and the Young's modulus ⁇ and the density d were measured to calculate the ratio ⁇ / d. In addition, the amount of deflection and mass of each supporting glass substrate were also measured, and evaluation was performed based on the amount of deflection and mass.
  • ⁇ Young's modulus
  • d density
  • the amount of deflection and mass of each supporting glass substrate were also measured, and evaluation was performed based on the amount of deflection and mass.
  • Table 1 is a table showing the materials used for the supporting glass substrates in Examples and Comparative Examples.
  • Table 1 shows the support glass substrates of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 11 in terms of oxide-based mol% representation of the materials used for producing the support glass substrates. It shows the content.
  • Table 2 shows the contents of the supporting glass substrates of Examples 18 to 26 in terms of molar% of the materials used for producing the supporting glass substrates.
  • a base plate having a diameter of 320 mm and a thickness of 6 mm was produced by using the melt casting method with the compositions shown in Tables 1 and 2, respectively. Next, a plurality of plates having a diameter of 300 mm and a thickness of 3 mm were cut out from the center of the base plate.
  • Both sides of these plates were polished on both sides using cerium oxide as an abrasive, and the thicknesses were adjusted to 0.4 mm, 0.7 mm, 1.3 mm, and 2.0 mm, respectively, to prepare a supporting glass substrate. ..
  • the support glass substrate thus produced was used as a sample for evaluation.
  • the ratio calculation value ⁇ was calculated for each of the supporting glass substrates prepared as samples based on the material composition shown in Table 1. Then, for each of the supporting glass substrates produced as samples, Young's modulus ⁇ was measured using 38DL PLUS manufactured by OLYMPUS, density d was measured by the Archimedes method, and based on the measured Young's modulus ⁇ and density d. The ratio ⁇ / d was calculated.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a method of measuring deflection in Examples and Comparative Examples.
  • the deflection due to the weight of each of the supporting glass substrates prepared as samples was measured. Specifically, as shown in FIG. 3, in the central portion (arrow portion in FIG. 3) of the first surface 12 when the second surface 14 of the support glass substrate as a sample is supported at three points by the support portion B.
  • the amount of deflection was measured with a Dyvoce manufactured by Kozu Seiki.
  • the diameter of the support portion B was 1.6 mm, and the support portion B was arranged so that the center position overlapped at a position 5.0 mm inward in the radial direction from the outer peripheral portion of the support glass substrate.
  • the mass of each of the supporting glass substrates prepared as a sample was measured.
  • Table 3 is a table showing the evaluation results of Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 4 is a graph showing the characteristics of the supporting glass substrates of Examples and Comparative Examples.
  • Table 3 shows the calculated ratio ⁇ , Young's modulus ⁇ , density d, ratio ⁇ / d, the amount of deflection for each thickness D2, and the mass, deflection, and mass of the sample having a thickness of 2.0 mm for each supporting glass substrate as a sample. And the comprehensive judgment result are shown.
  • the ratio ⁇ / d is 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ . There is.
  • FIG. 4 is a graph plotting the relationship between the ratio ⁇ / d and the ratio calculation value ⁇ of the supporting glass substrate as a sample.
  • the black circles in FIG. 4 indicate the supporting glass substrates of Examples 1 to 17, and the crosses indicate the supporting glass substrates of Comparative Examples 1 to 11. Also in FIG.
  • the supporting glass substrates of Examples 1 to 17 have a ratio ⁇ / d of 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ . It can be seen that the supporting glass substrates of Comparative Examples 1 to 11 do not satisfy at least one of these conditions. According to FIG. 4, in this embodiment, the ratio ⁇ / d deviates from the calculated ratio ⁇ , but in the comparative example, the ratio ⁇ / d of the sample having a particularly high ratio ⁇ / d is particularly high. However, it can be seen that it does not deviate from the calculated ratio calculated value ⁇ .
  • the amount of deflection in Table 3 When the amount of deflection is less than 0.8 mm, it is regarded as a double circle. When the amount of deflection is 0.8 mm or more and less than 0.9 mm, it is rounded. The case where the amount of deflection is 0.9 mm or more and less than 1.0 mm is defined as a triangle. The case where the amount of deflection was 1.0 mm or more was regarded as x. Double circles, circles, and triangles were judged as acceptable. In addition, in the determination of mass in Table 3, When the mass is less than 400 g, it is regarded as a double circle. When the mass is 400g or more and less than 430g, it is rounded.
  • the case where the mass is 430 g or more and less than 500 g is defined as a triangle.
  • the case where the mass was 500 g or more was regarded as X. Double circles, circles, and triangles were judged as acceptable. Then, when both the amount of deflection and the mass are double circles, the overall judgment is made a double circle. If both the amount of deflection and the mass are round or more and at least one is round, the overall judgment is rounded. If both the amount of deflection and the mass are more than a triangle and at least one is a triangle, the overall judgment is a triangle. When at least one of the amount of deflection and the mass was x, the overall judgment was x. In the comprehensive judgment, double circles, circles, and triangles were judged as acceptable.
  • the support glass substrates according to Examples 1 to 17 have passed the determination of the amount of deflection and the mass.
  • at least one of the deflection amount and the mass is unacceptable. That is, the support glass substrate of this embodiment in which the ratio ⁇ / d is 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more and the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ is suppressed in deflection and reduced in weight. It can be seen that both can be achieved.
  • Table 4 shows the measurement results of the ratio calculated values ⁇ and the ratio ⁇ / d of Examples 18 to 27. As shown in Table 4, also in Examples 18 to 27, the ratio ⁇ / d is 32.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and the ratio ⁇ / d is larger than the ratio calculation value ⁇ . ing.
  • Table 5 shows the ratio ⁇ / d, the structural factor M, the molecular volume Vm, the ratio calculation value ⁇ , and the packing density Vt for the supporting glass substrates of Examples and Comparative Examples.
  • the ratio ⁇ / d was 37.0 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and from the ratio calculation value ⁇ .
  • the structural factor M is 1.1 or more and the molecular volume Vm is less than 24.1.
  • the ratio calculation value ⁇ is 31.6 (GPa ⁇ cm 3 / g) or more, and the packing density Vt. It can be seen that is less than 13.8 (cm 3 / mol).
  • the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments are not limited by the contents of the embodiments. Further, the above-mentioned components include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, that is, those having a so-called equal range. Furthermore, the components described above can be combined as appropriate. Further, various omissions, replacements or changes of components can be made without departing from the gist of the above-described embodiment.

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Abstract

たわみの抑制と軽量化とを実現する。支持ガラス基板１０は、ヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する比率が、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する比率である比率算出値よりも大きい値である。比率算出値は、以下の式で表される。α＝２・Σ｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝。ここで、Ｖｉは、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇｉは、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍｉは、支持ガラス基板１０中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘｉは、支持ガラス基板１０中に含まれる金属酸化物のモル比である。

Description

支持ガラス基板
　本発明は、支持ガラス基板に関する。
　電子機器の小型化に伴い、これらの電子機器に用いられる半導体デバイスを高密度で実装する技術の要望が高まっている。近年では、半導体デバイスを高密度で実装する技術として、例えば、ファンアウトウェハレベルパッケージ（Ｆａｎ　Ｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）やファンアウトパネルレベルパッケージ（Ｆａｎ　Ｏｕｔ　Ｐａｎｅｌ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＰＬＰ）が提案されている。以下、ＦＯＷＬＰとＦＯＰＬＰを合わせて、ＦＯＷＬＰ等という。　
　ＦＯＷＬＰ等においては、半導体デバイスが積層される加工基板のたわみを抑制するために、加工基板を支持する支持ガラス基板を用いる場合がある（例えば、特許文献１参照）。
特許第６４４３６６８号公報
　ＦＯＷＬＰ等用の支持ガラス基板などの、部材を支持するために用いられる支持ガラス基板は、たわみを抑えることと共に、軽量化も求められる。支持ガラス基板は、たわみを抑えるために厚みを厚くした場合に質量が増加し、軽量化するために厚みを薄くするとたわみが生じやすくなる。そのため、たわみの抑制と軽量化とを両立させることが、困難な場合がある。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、たわみの抑制と軽量化とを実現可能な支持ガラス基板を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る支持ガラス基板は、ヤング率ε（ＧＰａ）の密度ｄ（ｇ／ｃｍ３）に対する比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）が、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する比率である比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）よりも大きい値である。比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）は、以下の式で表される。
　α＝２・Σ｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝
　ここで、Ｖｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物のモル比である。
　本発明によれば、たわみの抑制と軽量化とを実現できる。
図１は、本実施形態に係る支持ガラス基板の模式図である。 図２は、本実施形態に係る支持ガラス基板の性能を説明するためのグラフである。 図３は、実施例及び比較例におけるたわみの測定方法を示す模式図である。 図４は、実施例及び比較例の支持ガラス基板の特性を示すグラフである。
　以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。
　図１は、本実施形態に係る支持ガラス基板の模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る支持ガラス基板１０は、半導体パッケージの製造用のガラス基板として用いられるものであり、より具体的には、ＦＯＷＬＰ等の製造用の支持ガラス基板である。ただし、支持ガラス基板１０の用途は、ＦＯＷＬＰ等の製造用に限られず任意であり、部材を支持するために用いられるガラス基板であってよい。なお、ＦＯＷＬＰ等とは、上述のように、ＦＯＷＬＰとＦＯＰＬＰとを含むものである。
　支持ガラス基板１０は、密度ｄに対するヤング率εの比率ε／ｄを高くすることで、たわみの抑制と軽量化とを両立可能にしている。具体的には、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、以下の式（１）を満たすものとなっている。式（１）における比率算出値αは、支持ガラス基板１０の組成から算出された、支持ガラス基板１０の密度に対するヤング率の比率の算出値であるが、詳細については後述する。
　ε／ｄ＞α　・・・（１）
　比率ε／ｄは、支持ガラス基板１０のヤング率εの測定値と、支持ガラス基板１０の密度ｄの測定値とを用いて算出された値である。
　支持ガラス基板１０のヤング率εは、本実施形態では、ＯＬＹＭＰＵＳ社製の３８ＤＬ　ＰＬＵＳを用いて超音波の伝搬に基づいて測定された際の値である。また、支持ガラス基板１０の密度ｄは、本実施形態ではアルキメデス法を用いて測定された際の値である。比率ε／ｄは、このように実測されたヤング率εを、実測された密度ｄで除することにより、算出される。なお、ヤング率εの単位はＧＰａであり、密度ｄの単位はｇ／ｃｍ３であり、比率ε／ｄの単位はＧＰａ・ｃｍ３／ｇである。
　比率ε／ｄが測定値を用いた値であるのに対し、比率算出値αは、ヤング率εと密度ｄとの測定値を用いずに、支持ガラス基板１０の組成から算出した値である。ガラスは、その組成からヤング率を算出できることが分かっているため、支持ガラス基板１０の密度に対するヤング率の比率算出値αを、支持ガラス基板１０の組成から算出できる。ここでの支持ガラス基板１０の組成とは、支持ガラス基板１０に含まれる組成物を金属酸化物として換算した際の組成を指す。
　より詳しくは、比率算出値αは、金属酸化物のイオンの大きさと結合力とを乗じた値にイオンの重さを除した値を、金属酸化物毎に合計して、２を乗じた値に相当する。具体的には、比率算出値αは、次の式（２）により算出される。
　α＝２・Σ（Ｐｉ・Ｘｉ）＝２・Σ｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝　・・・（２）
　ここで、Ｐｉは、（Ｖｉ・Ｇｉ／Ｍｉ）である。Ｖｉ（ｃｍ３／ｍｏｌ）は、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇｉ（ｋＪ／ｃｍ３）は、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍｉ（ｇ／ｍｏｌ）は、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘｉは、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の、支持ガラス基板１０全体に対するモル比である。Ｘｉの単位は無次元である。式（２）に示すように、比率算出値αは、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物のそれぞれについて算出した値｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝を、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の全てについて合計して、２を乗じた値である。なお、比率算出値αの単位は、ＧＰａ・ｃｍ３／ｇである。
　また、Ｖｉは、次の式（３）で算出され、Ｇｉは、次の式（４）で算出される。
　Ｖｉ＝６．０２・１０２３・（４／３）・π・（ｘ・ｒ３ Ｍ+ｙ・ｒ３ Ｏ）　・・・（３）
　Ｇｉ＝ｄｉ／Ｍｉ・｛ｘ・ΔＨｆ（Ｍｇａｓ）＋ｙ・ΔＨｆ（Ｏｇａｓ）－ΔＨｆ（ＭｘＯｙｃｒｙｓｔａｌ）－（ｘ＋ｙ）・ＲＴ｝　・・・（４）
　ここで、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物を、ＭｘＯｙとする。
　Ｍは、金属元素であり、Ｏは酸素元素であり、ｘは金属元素Ｍの価数であり、ｙは酸素元素Ｏの価数である。
　ｒＭは、金属酸化物ＭｘＯｙにおける金属元素Ｍのシャノンのイオン半径であり、ｒＯは、金属酸化物ＭｘＯｙにおける酸素元素Ｏのシャノンのイオン半径である。また、ｄｉは、金属酸化物ＭｘＯｙの密度である。
　ΔＨｆ（Ｍｇａｓ）は、気体状態の金属元素Ｍの標準生成エンタルピーであり、ΔＨｆ（Ｏｇａｓ）は、気体状態の酸素元素Ｏの標準生成エンタルピーであり、ΔＨｆ（ＭｘＯｙｃｒｙｓｔａｌ）は、金属酸化物ＭｘＯｙの標準生成エンタルピーである。また、Ｒは、気体定数であり、Ｔは、絶対温度である。
　支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、組成に基づき算出した比率算出値αよりも大きな値となっている。
　すなわち、支持ガラス基板１０は、実測によって求められたヤング率と密度との比率ε／ｄが、組成に基づき算出されたヤング率と密度との比率である比率算出値αよりも、大きな値となる部材であるといえる。
　支持ガラス基板１０の比率ε／ｄを３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上にすることで、支持ガラス基板１０を薄くして軽量にしても高剛性となるため、たわみを抑制することと、薄くして軽量にすることとを、両立できる。さらに、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、組成に基づき算出された比率算出値αよりも大きな値となっており、言い換えれば、単位密度あたりのヤング率が、組成に基づき予期した値より大きくなっている。
　従って、支持ガラス基板１０は、たわみの抑制と軽量化とを、予期した以上の度合いで実現できる。
　図２は、本実施形態に係る支持ガラス基板の性能を説明するためのグラフである。図２は、以上説明した比率ε／ｄの範囲をグラフで示したものであり、横軸が比率算出値αであり、縦軸が比率ε／ｄである。線分Ｌ１ａは、比率ε／ｄ＝３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）となる境界線であり、線分Ｌ２ａは、比率ε／ｄ＝比率算出値αとなる境界線である。図２においては、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、線分Ｌ１ａ及び線分Ｌ２ａよりも、縦軸方向において上側にプロットされるといえ、言い換えれば、比率ε／ｄが図２の斜線の領域内にプロットされるといえる。
　なお、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であることがより好ましく、４０．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であることがさらに好ましい。比率ε／ｄが３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となることで、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現でき、比率ε／ｄが４０．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となることで、たわみの抑制と軽量化とを、さらに好適に実現できる。
　図２においては、線分Ｌ１ｂが、比率ε／ｄ＝３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）となる境界線であり、線分Ｌ１ｃが、比率ε／ｄ＝４０．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）となる境界線である。
　また、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが以下の式（５）を満たすことがより好ましく、式（６）を満たすことがさらに好ましい。式（５）を満たすことで、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現でき、式（６）を満たすことで、たわみの抑制と軽量化とを、さらに好適に実現できる。
　ε／ｄ＞α＋２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）　・・・（５）
　ε／ｄ＞α＋４．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）　・・・（６）
　図２においては、線分Ｌ２ｂが、ε／ｄ＝α＋２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）となる境界線であり、線分Ｌ２ｃが、ε／ｄ＝α＋４．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）となる境界線である。
　また、支持ガラス基板１０は、充填密度Ｖｔが１３．８（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが好ましく、１３．６（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることがより好ましく、１３．３（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが更に好ましい。充填密度Ｖｔがこの範囲となることで、分子を密に充填して、たわみの抑制と軽量化とを好適に実現できる。ここで、充填密度Ｖｔは、分子の充填度合いを指し、本実施形態では支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の充填度合いを指す。充填密度Ｖｔは、支持ガラス基板１０の組成に基づき算出される値である。充填密度Ｖｔは、次の式（７）から算出される。
　Ｖｔ＝Σ（Ｖｉ・Ｘｉ）・・・（７）
　式（７）のＶｉは、上述のように、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、式（７）のＸｉは、上述のように、支持ガラス基板１０に含まれる金属酸化物の、支持ガラス基板１０全体に対するモル比である。すなわち、充填密度Ｖｔは、金属酸化物毎に算出した充填パラメータとモル比とを乗じた値を、支持ガラス基板１０に含まれる全ての金属酸化物で合計した値となる。
　支持ガラス基板１０は、比率算出値αが３１．６（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．８（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが好ましい。また、支持ガラス基板１０は、比率算出値αが３２．８（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．８未満であることがより好ましく、比率算出値αが３３．１（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．６（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが更に好ましく、比率算出値αが３３．５（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．３（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが更に好ましい。比率算出値αと充填密度Ｖｔとがこのような関係となる支持ガラス基板１０を用いることで、たわみの抑制と軽量化とを好適に実現できる。
　また、比率算出値αに対する比率ε／ｄの比率を、すなわち比率ε／ｄを比率算出値αで除した値を、構造因子Ｍとする。すなわち、構造因子Ｍは、組成から算出した比弾性率に対する、比弾性率の測定値の比率を指す。この場合、支持ガラス基板１０は、構造因子Ｍが１より大きいことが好ましいといえ、１．１以上であることがより好ましく、１．１２より大きいことが更に好ましい。構造因子Ｍがこの範囲となることで、たわみの抑制と軽量化とを好適に実現できる。
　また、支持ガラス基板１０の、密度ｄに対する平均分子量Ｖの比率を、すなわち平均分子量Ｖを密度ｄで除した値を、分子容Ｖｍ（ｃｍ３／ｍｏｌ）とする。平均分子量Ｖは、支持ガラス基板１０の平均分子量の算出値であり、支持ガラス基板１０の組成に基づき算出される。例えば、Ａｌ２Ｏ３がモル比で５０％、ＳｉＯ２がモル比で５０％含まれている支持ガラス基板は、平均分子量Ｖが、（１０１．９６×０．５）＋（６０．０８×０．５）となる。分子容Ｖｍは、密度ｄの測定値に対する、組成から算出された平均分子量の比率であるといえる。支持ガラス基板１０は、分子容Ｖｍが、２４．１（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが好ましく、２３．２（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることがより好ましく、２２．７（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが更に好ましい。分子容Ｖｍがこの範囲となることで、分子が密に詰まって、たわみの抑制を好適に実現できる。
　次に、支持ガラス基板１０の組成について説明する。本実施形態では、支持ガラス基板１０は、以降で説明する組成で構成することにより、比率ε／ｄを、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上、かつ、比率算出値αより大きくできるが、以降で説明する組成は一例である。支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上、かつ、比率算出値αより大きくなるものであれば、任意の組成であってよい。
　支持ガラス基板１０は、母材料と添加材料とを含む。支持ガラス基板１０は、母材料として、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含むことが好ましい。支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の合計含有量が、５０％～８５％であることが好ましく、６０％～７５％であることがより好ましい。なお、ここでの５０％～８５％とは、支持ガラス基板１０の全量のモル％を１００％とした場合に、５０％以上８５％以下であることを指し、以降でも同様である。
　また、支持ガラス基板１０は、母材料として、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３に加え、Ｂ２Ｏ３を含んでもよい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、酸化物基準のモル％表示で、１％～３０％であることが好ましく、３％～１０％であることがより好ましい。母材料の含有率をこのような範囲とすることで、比率ε／ｄを高くして、たわみの抑制と軽量化とを好適に実現できる。また、支持ガラス基板１０は、母材料として、Ｐ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、ＡｌＮ及びＳｉ３Ｎ４の少なくとも１つを含んでもよい。
　添加材料は、金属酸化物である。支持ガラス基板１０は、添加材料として、ＭｇＯとＣａＯとＹ２Ｏ３との少なくとも１つを含む。支持ガラス基板１０は、添加材料の含有量、言い換えればＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ２Ｏ３からなる群から選択される１以上の成分の合計含有量が、酸化物基準のモル％表示で、１５％～５０％の範囲であることが好ましく、２０％～４５％であることがより好ましい。
　支持ガラス基板１０は、添加材料としてＭｇＯとＣａＯとＹ２Ｏ３とのうち、ＭｇＯのみを含むこと、ＭｇＯ及びＣａＯのみを含むこと、ＭｇＯとＣａＯとＹ２Ｏ３との全てを含むこと、又は、Ｙ２Ｏ３のみを含むことが、好ましい。支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＭｇＯを１１％～３５％含むことが好ましく、２０％～３０％含むことがより好ましい。また、支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＣａＯを７％～３２％含むことが好ましく、８％～１５％含むことがより好ましい。また、支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、Ｙ２Ｏ３を２．８％～２０％含むことが好ましい。添加材料の含有率をこれらの範囲とすることで、比率ε／ｄを高くして、たわみの抑制と軽量化とを好適に実現できる。また、支持ガラス基板１０は、添加材料として、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ２Ｏ３からなる群から選ばれる少なくとも１つに加えて、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、及びＺｎＯからなる群から選ばれる少なくとも１つを含んでよい。
　さらに言えば、支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２の含有量が４０％～６０％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が２０％～３０％であり、ＭｇＯの含有量が２０％～３０％であることが好ましい。この場合、支持ガラス基板１０は、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＭｇＯ以外を含まないことが好ましい。
　支持ガラス基板１０の好ましい組成についてさらに具体的に説明する。なお、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄ、構造因子Ｍ、及び分子容Ｖｍなどのパラメータが、上述で規定する範囲となることが好ましく、組成について特に限定されない。すなわち、任意の組成で様々な支持ガラス基板を製造し、製造した支持ガラス基板に対して、比率ε／ｄ、構造因子Ｍ、及び分子容Ｖｍなどのパラメータを測定、算出して、算出したパラメータが上述で規定する範囲となったものを、支持ガラス基板１０として採用すればよい。
　支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２の含有量が２０％～６６％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、６％～３０％であり、かつ、ＭｇＯの含有量が２５％～３０％であることが好ましい。又は、支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２の含有量が２０％～６６％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、６％～３０％であり、かつ、ＭｇＯとＣａＯとの合計含有量が１９％～４６％であることが好ましい。又は、支持ガラス基板１０は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２の含有量が２０％～６６％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、６％～３０％であり、かつ、Ｂ２Ｏ３とＹ２Ｏ３との合計含有量が５．８％～５０％であることが好ましく、Ｂ２Ｏ３とＹ２Ｏ３との合計含有量が２５％～５０％であることがより好ましい。
　（第１組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第１組成とする。第１組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、４８％～５２％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、２０％～２５％であり、ＭｇＯの含有量が、２５％～３０％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＭｇＯ以外を含まないものであることが好ましい。
　（第２組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第２組成とする。第２組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、４３％～５８％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１２％～１７％であり、ＭｇＯの含有量が、１４％～２７％であり、ＣａＯの含有量が、７％～３２％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、及びＣａＯ以外を含まないものであることが好ましい。
　（第３組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第３組成とする。第３組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、６４％～６８％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１０％～１４％であり、ＭｇＯの含有量が、９％～１３％であり、ＣａＯの含有量が、６％～１０％であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が、１％～５％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＢ２Ｏ３以外を含まないものであることが好ましい。
　（第４組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第４組成とする。第４組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、５５．７％～５９．７％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１５％～１９％であり、ＭｇＯの含有量が、１３％～１７％であり、ＣａＯの含有量が、７％～１１％であり、ＳｒＯの含有量が、０．１％～１％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＳｒＯ以外を含まないものであることが好ましい。
　（第５組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第５組成とする。第５組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、５８％～５９％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１３％～１４％であり、ＭｇＯの含有量が、１７％～１９％であり、ＣａＯの含有量が、７％～８％であり、ＴｉＯ２の含有量が、２％～４％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＴｉＯ２以外を含まないものであることが好ましい。
　（第６組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第６組成とする。第６組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、５８％～６２％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１１％～１５％であり、ＭｇＯの含有量が、１５％～１９％であり、ＣａＯの含有量が、６％～１０％であり、ＺｒＯ２の含有量が、０．５％～２％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＺｒＯ２以外を含まないものであることが好ましい。
　（第７組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第７組成とする。第７組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、４８％～５０％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、６％～１０％であり、ＭｇＯの含有量が、１２％～１６％であり、ＣａＯの含有量が、７％～１１％であり、Ｙ２Ｏ３の含有量が、０．８％～４．８％であり、ＴｉＯ２の含有量が、０％～４％であり、ＺｒＯ２の含有量が、０％～３％であり、ＬｉＯ２の含有量が、２％～６％であり、ＺｎＯの数値範囲が、４％～８％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＬｉＯ２、及びＺｎＯ以外を含まないものであることが好ましい。
　（第８組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第８組成とする。第８組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、２０％～５０％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、２０％～３０％であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が、５％～３０％であり、Ｙ２Ｏ３の含有量が、１９％～２０％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、及びＹ２Ｏ３以外を含まないものであることが好ましい。
　（第９組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第９組成とする。第９組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、３８％～４２％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１８％～２２％であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が、１６％～２０％であり、Ｙ２Ｏ３の含有量が、１８％～２２％であり、Ｐ２Ｏ５の含有量が、０％～４％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、及びＰ２Ｏ５以外を含まないものであることが好ましい。
　（第１０組成）
　支持ガラス基板１０の好ましい組成の一例を、第１０組成とする。第１０組成の支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２の含有量が、３８％～４２％であり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が、１３％～１５％であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が、１８％～２２％であり、Ｙ２Ｏ３の含有量が、１８％～２２％であり、Ｇａ２Ｏ５の含有量が、３％～７％であり、不可避的不純物を除き、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、及びＧａ２Ｏ５以外を含まないものであることが好ましい。
　なお、支持ガラス基板１０は、焼結体を含まない。すなわち、支持ガラス基板１０は、焼結体でないガラスである。ここでの焼結体とは、複数の粒子を融点より低い温度で加熱して、粒子同士を結合させた部材を指す。焼結体は、空孔を含むため気孔率がある程度高くなるが、支持ガラス基板１０は、焼結体でないため、気孔率が低く、通常０％である。ただし、不可避な微量な気孔を含むことは許容される。ここでの気孔率は、いわゆる真の気孔率であり、外部に連通する気孔（空孔）及び外部に連通しない気孔（空孔）との容積の和を、全容積（見かけの容積）で除した値を指す。気孔率は、例えばＪＩＳ　Ｒ　１６３４に従って測定できる。
　また、支持ガラス基板１０に使用されるガラスは通常非晶質のガラス、すなわち非晶質固体である。またこのガラスは表面や内部に結晶を含む結晶化ガラスであってもよいが、密度の観点から非晶質のガラスが好ましい。焼結体（セラミックス）は透過率が低く、密度が大きくなるため使用できない。
　次に、支持ガラス基板１０の形状について説明する。図１に示すように、支持ガラス基板１０は、一方の表面である第１表面１２と、他方の表面である第２表面１４と、側面１６とを含む板状のガラス基板である。第２表面１４は、第１表面１２と反対側の表面であり、例えば第１表面１２と平行である。側面１６は、支持ガラス基板１０の側面であり、第１表面１２と第２表面１４を連結する端面であるともいえる。
　支持ガラス基板１０は、平面視で、すなわち第１表面１２に直交する方向から見た場合に、円形となる円板形状である。ただし、支持ガラス基板１０は、円板形状に限られず任意の形状であってよく、例えば矩形などの多角形状の板であってもよい。
　また、支持ガラス基板１０の厚みＤ２、すなわち第１表面１２と第２表面１４との間の長さは、０．１ｍｍ～２．０ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ～０．５ｍｍであることがさらに好ましい。厚みＤ２を０．１ｍｍ以上とすることで、支持ガラス基板１０が薄くなり過ぎることを抑えて、たわみや衝撃による破損を抑制できる。厚みＤ２を２．０ｍｍ以下とすることで、重くなることを抑制でき、厚みＤ２を０．５ｍｍ以下とすることで、重くなることをさらに好適に抑制できる。
　支持ガラス基板１０の製造方法は、特に限定されず任意であるが、例えば、支持ガラス基板１０に含まれる化合物の原料となる、珪砂やソーダ灰などの各種原料を、連続溶融炉に投入して、１５００℃～１６００℃で加熱溶融し、清澄した後、成形装置に供給し、供給された溶融ガラスを板状に成形し、徐冷することで、支持ガラス基板１０を製造してよい。なお、支持ガラス基板１０の製造は種々の方法を採用可能であり、例えば溶融キャスト法、ダウンドロー法（例えば、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウン法及びリドロー法など）、フロート法、ロールアウト法及びプレス法などが挙げられる。
　次に、支持ガラス基板１０を、ＦＯＷＬＰ製造に用いた場合の製造工程の一例について説明する。ＦＯＷＬＰ製造においては、支持ガラス基板１０上に、複数の半導体チップを貼り合わせて、半導体チップを封止材で覆って素子基板を形成する。そして、支持ガラス基板１０と素子基板とを分離して、素子基板の半導体チップと反対側を、例えば別の支持ガラス基板１０上に貼り合わせる。そして、半導体チップ上に配線や半田バンプなどを形成して、素子基板と支持ガラス基板１０とを再度分離する。そして、素子基板を半導体チップ毎に切断して個片化することで、半導体デバイスが得られる。
　以上説明したように、本実施形態に係る支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、比率算出値αよりも大きい値となる。比率ε／ｄは、支持ガラス基板１０の、ヤング率εの密度ｄに対する比率である。比率算出値αは、支持ガラス基板１０の組成から算出されるヤング率の密度に対する比率であり、上記の式（２）で表される。
　ガラス基板は、たわみの抑制と軽量化とを両立することが求められる場合がある。しかし、通常、たわみを抑えるには、厚みを厚くする必要があるが、軽量化するためには厚みを薄くする必要があるため、たわみの抑制と軽量化との両立は困難である。それに対し、本実施形態に係る支持ガラス基板１０は、支持ガラス基板１０の比率ε／ｄを、３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上にすることで、軽量化のために支持ガラス基板１０を薄くしても、ヤング率が高いためたわみを抑えることが可能となり、たわみの抑制と軽量化との両立を実現できる。
　さらに、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、組成に基づき算出された比率算出値αよりも大きな値となっており、言い換えれば、単位密度あたりのヤング率が、組成に基づき予期した値より大きくなっている。従って、支持ガラス基板１０は、たわみの抑制と軽量化とを、予期した以上の度合いで実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、構造因子Ｍが１．１以上であり、充填密度Ｖｔが１３．８（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが好ましい。このような条件を満たす支持ガラス基板１０は、たわみの抑制と軽量化とを、予期した以上の度合いで実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、比率算出値αが３１．６（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．８（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満であることが好ましい。比率算出値αと充填密度Ｖｔとをこの範囲とすることで、たわみの抑制と軽量化とを、予期した以上の度合いで実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄ＞比率算出値α＋２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）の関係を満たすことが好ましく、比率ε／ｄ＞比率算出値α＋４．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）を満たすことがより好ましい。これらの関係を満たすことで、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、比率ε／ｄが３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となることが好ましく、比率ε／ｄが４０．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となることがより好ましい。比率ε／ｄがこの値となることで、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ２Ｏ３からなる群から選択される１以上の成分の合計含有量が、モル％で、支持ガラス基板１０の全量に対し、１５％～５０％の範囲であることが好ましい。支持ガラス基板１０は、このような材料を、このような量含むことで、ヤング率εを想定より高くして、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との合計含有量が、モル％で、支持ガラス基板１０の全量に対し、５０％～８５％の範囲であることが好ましい。支持ガラス基板１０は、このような組成となることで、ヤング率εを想定より高くして、たわみの抑制と軽量化とを、より好適に実現できる。
　また、支持ガラス基板１０は、厚みＤ２が、０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲であることが好ましい。厚みＤ２をこの範囲とすることで、たわみや衝撃による破損を抑制しつつ、軽量化できる。
　また、支持ガラス基板１０は、焼結体ではないガラスである。支持ガラス基板１０は、焼結体でないため、密度が高くなり過ぎることを抑制して軽量化でき、また、焼結体が有するような気孔により光が散乱されることがないため、光透過率を確保できる。
　また、支持ガラス基板１０は、非晶質のガラスであることが好ましい。支持ガラス基板１０は、非晶質のガラスであるため、密度が高くなり過ぎることを抑制して軽量化できる。
　支持ガラス基板１０は、ＦＯＷＬＰ等、言い換えればファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの少なくとも一方の製造用の支持ガラス基板であることが好ましい。この支持ガラス基板１０をファンアウトウェハレベルパッケージ製造及びファンアウトパネルレベルパッケージ製造の少なくとも一方に用いることで、半導体パッケージの製造を好適に行う事ができる。
　（実施例）
　次に、実施例について説明する。尚、発明の効果を奏する限りにおいて実施態様を変更しても構わない。
　実施例及び比較例においては、組成が異なる支持ガラス基板を作製した。そして、それぞれの支持ガラス基板について、比率算出値αを算出し、ヤング率ε及び密度ｄを測定して比率ε／ｄを算出した。また、それぞれの支持ガラス基板について、たわみ量及び質量も測定して、たわみ量及び質量に基づき評価を行った。以下、より詳細に説明する。
　表１は、実施例及び比較例における支持ガラス基板に用いた材料を示す表である。表１は、実施例１から実施例１７までと、比較例１から比較例１１までとの支持ガラス基板についての、支持ガラス基板の作製に用いた材料の、酸化物基準のモル％表示での含有量を示している。また、表２は、実施例１８から実施例２６までの支持ガラス基板についての、支持ガラス基板の作製に用いた材料の、酸化物基準のモル％表示での含有量を示している。
　実施例及び比較例においては、それぞれ表１及び表２に記載の組成で溶融キャスト法を用いて、直径が３２０ｍｍで厚みが６ｍｍの素板を製造した。次に、素板の中心から直径が３００ｍｍで厚みが３ｍｍの板を、複数枚切り出した。これらの板の両面を、酸化セリウムを研磨材として用いて両面研磨を行い、それぞれ厚み０．４ｍｍ、０．７ｍｍ、１．３ｍｍ、２．０ｍｍになるよう調整して、支持ガラス基板を作製した。
　このようにして作製した支持ガラス基板をサンプルとして、評価を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　実施例及び比較例においては、サンプルとして作製した支持ガラス基板のそれぞれについて、表１に示した材料組成に基づき、比率算出値αを算出した。そして、サンプルとして作製した支持ガラス基板のそれぞれについて、ＯＬＹＭＰＵＳ社製の３８ＤＬ　ＰＬＵＳを用いてヤング率εを測定し、アルキメデス法により密度ｄを測定して、測定したヤング率ε及び密度ｄに基づき、比率ε／ｄを算出した。
　図３は、実施例及び比較例におけるたわみの測定方法を示す模式図である。実施例及び比較例においては、サンプルとして作製した支持ガラス基板のそれぞれについて、自重によるたわみを測定した。具体的には、図３に示すように、サンプルとした支持ガラス基板の第２表面１４を支持部Ｂで３点支持した際の、第１表面１２の中央部分（図３の矢印箇所）におけるたわみ量を、神津精機製のＤｙｖｏｃｅで測定した。なお、支持部Ｂの直径は、１．６ｍｍであり、支持部Ｂを、支持ガラス基板の外周部から径方向内側に５．０ｍｍの箇所に中心位置が重なるように配置した。また、サンプルとして作製した支持ガラス基板のそれぞれについて、質量を測定した。
　表３は、実施例及び比較例の評価結果を示す表である。図４は、実施例及び比較例の支持ガラス基板の特性を示すグラフである。表３は、サンプルとした支持ガラス基板毎の、比率算出値α、ヤング率ε、密度ｄ、比率ε／ｄ、厚みＤ２毎のたわみ量、厚みが２．０ｍｍのサンプルの質量、たわみ及び質量の判定結果、及び、総合判定結果を示している。
　表３に示すように、実施例１から実施例１７では、比率ε／ｄが３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、比率ε／ｄが比率算出値αより大きくなっている。一方、比較例１から比較例１１では、比率ε／ｄが３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上という条件と、比率ε／ｄが比率算出値αより大きいという条件との、少なくとも一方を満たしてない。
　図４は、サンプルとした支持ガラス基板の、比率ε／ｄと比率算出値αとの関係をプロットしたグラフである。図４の黒丸が、実施例１から実施例１７の支持ガラス基板であり、バツが、比較例１から比較例１１の支持ガラス基板を示している。図４においても、実施例１から実施例１７の支持ガラス基板が、比率ε／ｄが３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、比率ε／ｄが比率算出値αより大きくなっており、比較例１から比較例１１の支持ガラス基板が、それらの条件の少なくとも一方を満たしていないことが分かる。図４によると、本実施例においては、比率ε／ｄが算出値である比率算出値αから逸脱しているが、比較例においては、特に比率ε／ｄが高めのサンプルの比率ε／ｄが、算出値である比率算出値αから逸脱していないことが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　また、表３のたわみ量の判定では、
　たわみ量が０．８ｍｍ未満の場合を二重丸とし、
　たわみ量が０．８ｍｍ以上０．９ｍｍ未満の場合を丸とし、
　たわみ量が０．９ｍｍ以上１．０ｍｍ未満の場合を三角とし、
　たわみ量が１．０ｍｍ以上の場合をバツとした。
　二重丸、丸、三角を、合格として判定した。
　また、表３の質量の判定では、
　質量が４００ｇ未満の場合を二重丸とし、
　質量が４００ｇ以上４３０ｇ未満の場合を丸とし、
　質量が４３０ｇ以上５００ｇ未満の場合を三角とし、
　質量が５００ｇ以上の場合をバツとした。
　二重丸、丸、三角を、合格として判定した。
　そして、たわみ量及び質量の両方が二重丸の場合、総合判定を二重丸とし、
　たわみ量及び質量の両方が丸以上かつ、少なくとも一方が丸の場合、総合判定を丸とし、
　たわみ量及び質量の両方が三角以上かつ、少なくとも１方が三角の場合、総合判定を三角とし、
　たわみ量及び質量の少なくとも一方がバツの場合、総合判定をバツとした。
　総合判定においても、二重丸、丸、三角を、合格として判定した。
　表３に示すように、実施例１から実施例１７に係る支持ガラス基板は、たわみ量及び質量の判定が、合格となっている。一方、比較例１から比較例１１に係る支持ガラス基板は、たわみ量及び質量の少なくとも一方の判定が、不合格となっている。すなわち、比率ε／ｄが３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、比率ε／ｄが比率算出値αより大きくなる本実施例の支持ガラス基板は、たわみの抑制と軽量化を両立できることが分かる。
　表４は、実施例１８から実施例２７の比率算出値α、比率ε／ｄの測定結果を示している。表４に示すように、実施例１８から実施例２７においても、比率ε／ｄが３２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、かつ、比率ε／ｄが比率算出値αより大きくなっている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表５は、実施例及び比較例の支持ガラス基板についての、比率ε／ｄと、構造因子Ｍと、分子容Ｖｍと、比率算出値αと、充填密度Ｖｔとを示している。表５に示すように、実施例１、３－４、６－９、２０－２６においては、比率ε／ｄが、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となり、比率算出値αよりも大きい値となり、構造因子Ｍが１．１以上となり、分子容Ｖｍが２４．１未満となっていることが分かる。また、表５に示すように、実施例２、４、６－９、２０－２７においては、比率算出値αが３１．６（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、かつ、充填密度Ｖｔが１３．８（ｃｍ３／ｍｏｌ）未満となっていることが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
　１０　支持ガラス基板
　ｄ　密度
　α　比率算出値
　ε　ヤング率
　ε／ｄ　比率

Claims (10)

  1. 　ヤング率ε（ＧＰａ）の密度ｄ（ｇ／ｃｍ３）に対する比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）が、３７．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上であり、組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する比率である比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）に対する、比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）の比率である構造因子Ｍが１．１以上であり、かつ、組成から算出される充填密度Ｖｔ（ｃｍ３／ｍｏｌ）が１３．８未満である、
    　支持ガラス基板。
    　比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）は、以下の式で表される。
    　α＝２・Σ｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝
    　充填密度Ｖｔは、以下の式で表される。
    　Ｖｔ＝Σ（Ｖｉ・Ｘｉ）
    　ここで、Ｖｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物のモル比である。
  2. 　比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）＞比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）＋２．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）の関係を満たす、請求項１に記載の支持ガラス基板。
  3. 　比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）＞比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）＋４．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）の関係を満たす、請求項２に記載の支持ガラス基板。
  4. 　比率ε／ｄ（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）が、４０．０（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）以上となる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
  5. 　組成から算出されるヤング率（ＧＰａ）の密度（ｇ／ｃｍ３）に対する比率である比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）が３１．６以上であり、かつ、組成から算出される充填密度Ｖｔ（ｃｍ３／ｍｏｌ）が１３．８未満である、支持ガラス基板。
    　比率算出値α（ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ）は、以下の式で表される。
    　α＝２・Σ｛（Ｖｉ・Ｇｉ）／Ｍｉ）・Ｘｉ｝
    　充填密度Ｖｔは、以下の式で表される。
    　Ｖｔ＝Σ（Ｖｉ・Ｘｉ）
    　ここで、Ｖｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の充填パラメータであり、Ｇｉは、前記支持ガラス基板に含まれる金属酸化物の解離エネルギーであり、Ｍｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物の分子量であり、Ｘｉは、前記支持ガラス基板中に含まれる金属酸化物のモル比である。
  6. 　ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ２Ｏ３からなる群から選択される１以上の成分の合計含有量が、モル％で、前記支持ガラス基板の全量に対し、１５％～５０％の範囲である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
  7. 　ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との合計含有量が、モル％で、前記支持ガラス基板の全量に対し、５０％～８５％の範囲である、請求項６に記載の支持ガラス基板。
  8. 　厚みが０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
  9. 　非晶質のガラスである、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
  10. 　ファンアウトウェハレベルパッケージ及びファンアウトパネルレベルパッケージの少なくとも一方の製造用の支持ガラス基板である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の支持ガラス基板。
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