JP5359271B2 - 無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル - Google Patents
無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP5359271B2 JP5359271B2 JP2008524807A JP2008524807A JP5359271B2 JP 5359271 B2 JP5359271 B2 JP 5359271B2 JP 2008524807 A JP2008524807 A JP 2008524807A JP 2008524807 A JP2008524807 A JP 2008524807A JP 5359271 B2 JP5359271 B2 JP 5359271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mgo
- glass substrate
- alkali
- sro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 215
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 24
- 239000003513 alkali Substances 0.000 title claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 50
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 50
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 claims description 23
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 23
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000004813 Moessbauer spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000008395 clarifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007372 rollout process Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/09—Materials and properties inorganic glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
(2)薄膜形成工程で高温にさらされるが、この際のガラスの変形及びガラスの構造安定化に伴う収縮(熱収縮)を最小限に抑えるため、高い歪点を有していること。
(3)半導体形成に用いられる各種薬品に対して、充分な化学耐久性を有すること。特にSiOxやSiNxのエッチングに使用するバッファードフッ酸(フッ酸+フッ化アンモニウム;BHF)、ITO(スズがドープされたインジウム酸化物)のエッチングに用いられる塩酸を含有する薬液、金属電極のエッチングに用いられる各種の酸(硝酸、硫酸等)又はアルカリ性レジスト剥離液に対して耐久性があること。
(4)内部及び表面に欠点(泡、脈理、インクルージョン、ピット、キズ等)をもたないこと。
(5)ディスプレイの軽量化が要求され、ガラス自身も密度が小さいガラスが望まれている。
(6)ディスプレイの軽量化の方法として、ガラス基板の薄板化が望まれている。
(7)液晶ディスプレイの製造工程において従来の工程や設備が使用できるように線膨張係数は、従来の無アルカリガラスと同程度のものが求められる。
(8)液晶テレビが普及し、しかも大型化していること、また液晶ディスプレイ製造工程において大面積のガラス板から複数の液晶ディスプレイパネルが取れるよう、ガラス基板もこれまでの一辺が1m程度の矩形のガラス基板から一辺が2m以上の矩形の大きな面積のガラス基板が求められている。このような大きなガラス基板を使用したディスプレイの作製時には、基板の搬送、ハンドリングの際にガラスの自重によるたわみ量が大きく、扱いが難しいことから、たわみ量の少ないガラス基板が求められるようになっている。
(9)液晶ディスプレイ製品が使用中に受ける外力、衝撃により破壊することのない強度の高いガラスが求められるようになっている。
特許文献1には、歪点が640℃以上であって、モル%表示で実質的に、SiO2:60〜73%、Al2O3:5〜16%、B2O3:5〜12%、MgO:0〜6%、CaO:0〜9%、SrO:1〜9%、BaO:0〜1%未満、MgO+CaO+SrO+BaO:7〜18%からなる無アルカリガラスが記載されている。
そして、このような無アルカリガラスは、フロート法による成形が可能であり、バッファードフッ酸(BHF)による白濁が生じにくく、耐酸性に優れ、耐熱性が高く、線膨張係数が低く、密度が非常に小さいと記載されている。
なお、その実施例には、50〜350℃の線膨張係数が31×10-7〜39×10-7/℃、歪点が640℃以上、粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2が1630℃以上、logη=4を満たす温度であるT4が1260℃以上のものが記載されている。
そして、このような無アルカリガラスは、耐還元性に優れているためフロート法による成形に好適であり、失透特性の劣化等、フロート法で成形した際にガラス表面が還元作用を受けることによる種々の問題が解消されており、更に密度が小さく、歪点が高く、線膨張係数が小さく、ヤング率が高いと記載されている。
また、このガラス基板の大型化によって、上記のような特性に加えて、更に、ガラス製造過程の溶融工程において低粘度のガラス融液を形成する特性が求められている。これは、ガラス融液の粘度が高いとガラス組成を均質にすることが困難となり、大型のガラス基板のフロート成形プロセスにおいてガラス基板の平坦性を向上させることが困難となるからである。また、泡の少ないガラスを得ることが困難となるからである。一方、粘度を下げるために溶融ガラス温度を上げると、フロート成形工程に流入するガラスリボンの温度が高くなり、フロート成形工程の設備面、生産面で不都合が生じやすくなる。
すなわち、本発明は、大型ガラスであってもガラス基板のたわみ量が小さくなるようにヤング率が75GPa以上、好ましくは79GPa以上であり、線膨張係数(50〜350℃)が30×10-7〜40×10-7/℃、歪点が640℃以上、密度が2.60g/cm3以下、粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2が1630℃未満(T2<1630℃)、好ましくは1620℃以下(T2≦1620℃)であって、粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT4が1260℃未満(T4<1260℃)、好ましくは1250℃以下(T4≦1250℃)、より好ましくは1245℃以下(T4≦1245℃)、失透温度がT4以下、耐酸性の指標として用いる90℃、0.1N(規定)のHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.6mg/cm2以下であるという特性を満たす無アルカリガラス基板を提供することを目的とする。
また、このような無アルカリガラス基板を用いた液晶ディスプレイパネルを提供することを目的とする。更に、このような無アルカリガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は次の(a)〜(h)である。
(a)下記酸化物基準のモル%表示で、実質的に、アルカリ成分及びBaOを含まず、
各成分の含有率が、
SiO2 :57.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.0〜10.0%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜19.0%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であって、
密度≦2.60g/cm 3 、
ヤング率≧75GPa、
50〜350℃の線膨張係数:30×10-7〜40×10-7/℃、
歪点≧640℃、
粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2が1580℃≦T2≦1620℃、
粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT4≦1245℃、
失透温度≦T4、
90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.2mg/cm2以下
である無アルカリガラス基板。
SiO2 :60.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.5〜8.5%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜18.5%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
である、上記(a)に記載の無アルカリガラス基板。
各成分の含有率が、
SiO2 :57.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.0〜10.0%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜19.0%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であるガラス組成を目標としたガラス原料を溶解した後、フロート法によって成形する、密度≦2.60g/cm 3 、ヤング率≧75GPa、50〜350℃の線膨張係数:30×10 -7 〜40×10 -7 /℃、歪点≧640℃、粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT 2 が1580℃≦T 2 ≦1620℃、粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT 4 ≦1245℃、失透温度≦T 4 、90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.2mg/cm 2 以下である、無アルカリガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス原料の溶解温度が1630℃未満であり、フロートバス入口のガラス融液の温度が最大1250℃である、無アルカリガラス基板の製造方法。
SiO2 :60.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.5〜8.5%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜18.5%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であるガラス組成を目標としたガラス原料を溶解した後、フロート法によって成形する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス原料の溶解温度が最大1620℃であり、フロートバス入口のガラス融液の温度が最大1245℃である、上記(e)に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
また、このような無アルカリガラス基板を用いた、より高精細でコントラスト比の高い液晶ディスプレイパネルを提供することができる。更に、溶解時の温度を1630℃未満、好ましくは最大1620℃、フロート法におけるフロートバス入口のガラス融液の温度を1260℃未満、好ましくは最大1250℃、より好ましくは最大1245℃とし、省エネルギーで製造可能な無アルカリガラス基板の製造方法を提供することができる。
本発明の無アルカリガラス基板(以下、「本発明のガラス基板」ともいう。)は、実質的にSiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO及びSrOからなる。そして、その他の成分、特に、アルカリ成分(アルカリ金属元素(Li、Na、K、Rb、Cs及びFr)及びこれらの中の1以上の元素を含む化合物を意味する。)及びBaOは実質的に含有しない。
ここで「実質的に含有しない」とは、原料から不可避的に混入してしまう不純物以外には含有しないことを意味する。なお、本発明のガラス基板を製造する過程で使用される清澄剤の一部やその反応生成物等は含まれてもよい。
SiO2の含有率が高いと本発明のガラス基板の密度が低くなるので好ましい。ただし高すぎると失透特性が低下する場合がある。また、含有率が低すぎると耐酸性の低下、密度の増大、歪点の低下、線膨張係数の増大及びヤング率の低下に繋がる場合がある。
Al2O3をこのような含有率で含有すると分相性を抑制し、歪点を上げ、ヤング率を高めることができる。この含有率が高すぎると、失透特性、耐塩酸性及び耐BHF性が劣化する場合がある。
B2O3をこのような含有率で含有すると密度を低下させ、耐BHF性を向上させ、またガラスの溶解反応性を向上させ、失透特性を向上させることができるので好ましい。この含有率が高すぎると、ヤング率を低下させ、耐酸性を低下させる場合がある。
MgOをこのような含有率で含有すると密度を低下させ、溶解反応性を向上させ、線膨張係数を高くせず、歪点を低下させないので好ましい。この含有率が高すぎるとガラスが分相したり、失透特性及び耐酸性が低下する場合がある。
CaOをこのような含有率で含有すると密度を低下させ、線膨張係数を高くせず、歪点を低下させず、溶解反応性を向上させ、粘性を低下させ、失透特性を改善させ、耐酸性を改善させ、分相を抑制するので好ましい。この含有率が高すぎると線膨張係数の増大、密度の増大を招く場合がある。
SrOをこのような含有率で含有すると密度を大きくせず、線膨張係数を高くせず、歪点を低下させず、粘性を低下させ、分相傾向を抑制し、溶解反応性を低下させず、失透特性及び耐酸性を改善するので好ましい。この含有率が高すぎると、失透特性の低下や線膨張係数の増大、密度の増大、耐酸性が低下する場合がある。
上記各成分の含有率が上記の範囲内であって、更にMgO+CaO+SrOがこのような範囲であると、本発明のガラス基板が融液状態である場合に、その粘度が低くなる。すなわちガラス溶解の目安となる粘度ηについて、logη=2を満たす温度T2が1630℃未満、好ましくは1620℃以下となる。つまり、粘度はガラス融液の温度が高いほど低くなるが、ガラス融液の温度T2が1630℃未満、好ましくは1620℃以下の比較的低温であっても、その粘度(η)を102dPa・s(溶解の目安となる粘度)とすることができる。また、溶融ガラス中の泡の浮上速度が速くなり、得られる無アルカリガラス中の泡を少なくすることができる。したがって、本発明のガラス基板においては、そのガラス融液の均質化をより容易に行うことができる。
また、フロート成形の目安となる粘度ηについて、logη=4を満たす温度T4が1260℃未満、好ましくは1250℃以下、より好ましくは1245℃以下、更に好ましくは1235℃以下となる。つまり、ガラス融液の温度T4が1260℃未満、好ましくは1250℃以下、より好ましくは1245℃以下、更に好ましくは1235℃以下であっても、その粘度(η)を104dPa・s(成形性の目安となる粘度)とすることができる。したがって、フロート成形プロセス等においてガラス基板の平坦性を向上させることを容易に行うことができる。
MgO+CaO+SrOの総量が多いと粘度が低くなるので好ましい。ただし、前記総量が20%超であると、線膨張係数の増大、歪点の低下、耐酸性の低下となる場合があるため好ましくない。線膨張係数を低く抑えることを考慮すると、MgO+CaO+SrOの総量は16.0〜18.5%であることが特に好ましい。
これに対して本発明のガラス基板は、その製造過程において、溶解温度及びフロート成形時のガラスリボンの温度を従来のものよりも低くすることができるので、加熱等に用いるエネルギーを少なくすることができ、コスト的にも有利となる。T4を1245℃以下、好ましくは1235℃以下とすることにより、フロート成形がさらに容易となり、ドロスやトップスペックの欠点が少なく、平坦なガラス基板が得られるため、フロート成形後のガラス板表面の研磨量を少なくすることができる。また、失透温度がT4以下であるので、失透異物が生成されず安定してフロート成形することができる。このような特性は、特に、製造するガラス基板が大型である場合に特に好ましい特性である。前述のように近年においては一辺が2m以上の矩形の大型のガラス基板の製造が要求されているので、このような特性を有する無アルカリガラス基板が求められている。
上記各成分の含有率が上記の範囲であって、更にこの比率Aがこのような範囲であると、50〜350℃の線膨張係数30×10-7〜40×10-7/℃を得ることができる。したがって、本発明のガラス基板を用いて液晶ディスプレイ等を製造する際に、従来の工程や設備を変更することなく効率よくパターンずれの少ないディスプレイを製造できる。
上記各成分の含有率が上記の範囲であって、更に上記比率A及びこの比率Bがこのような範囲であると、ヤング率75GPa以上のガラス基板が得られる。したがって、本発明のガラス基板を2m角程度の大型ガラス基板とした場合であっても、たわみ量が小さくなるので好ましい。
各成分の含有率が、酸化物基準のモル%表示で、
SiO2 :57.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.0〜10.0%、
CaO :5.0〜10.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜19.0%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.40、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
である。
各成分の含有率が、酸化物基準のモル%表示で、
SiO2 :60.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.5〜8.5%、
CaO :5.0〜10.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜18.5%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.40、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
である。
また、本発明のガラス基板は50〜350℃の線膨張係数が30×10-7〜40×10-7/℃であるが、32×10-7〜40×10-7℃であることが好ましく、35×10-7〜39×10-7℃であることがより好ましい。
また、本発明のガラス基板は歪点が640℃以上であるが、650℃以上であることが好ましく、655℃以上であることがより好ましい。
また、本発明のガラス基板は密度が2.60g/cm3以下であるが、2.55g/cm3以下であることが好ましく、2.52g/cm3以下であることがより好ましい。
また、本発明のガラス基板は粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2が1630℃未満であるが、1620℃以下であることが好ましく、1610℃以下であることがより好ましく、1605℃以下であることがさらに好ましい。
また、本発明のガラス基板は粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT4が1260℃未満であるが、1250℃以下であることが好ましく、1245℃以下であることがより好ましく、1240℃以下であることが更に好ましく、1235℃以下であることが特に好ましい。
また、本発明のガラス基板は、耐酸性を示す指標である90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.6mg/cm2以下であるが、0.3mg/cm2以下であることがより好ましく、0.2mg/cm2以下であることが特に好ましい。
ヤング率は、曲げ共振法(JIS R1602)に従って求めた値を意味する。
50〜350℃の線膨張係数は、示差熱膨張計(TMA)を用いて測定した値を意味する。
歪点はJIS R3103に従って測定した値を意味する。
密度は、アルキメデス法を原理とした簡易密度計を用いて求めた値を意味する。
粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2及び粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT4は、回転粘度計を用いて測定して求めた値を意味する。
失透温度は、ガラス片を17時間加熱し、結晶が析出する最高温度と、結晶が析出しない最低温度を求め、その平均値を意味する。
耐酸性の指標には、90℃の0.1NのHCl中に、20時間浸漬後の単位面積あたりの質量減少量(mg/cm2)を用いる。
初めに、通常使用される原料(必要により数種類の原料)を、本発明のガラス基板の組成(目標組成)になるように調合する。
ここで、清澄剤を含有させてもよい。清澄剤としては、例えばF、Cl、SO3、SnO2、TiO2、MnO2、CeO2、ZrO2、Fe2O3又はNb2O5が挙げられる。清澄剤を含有させるとその脱泡効果により、成形後の本発明のガラス基板中の気泡をより減少させることができるので好ましい。これらは単独で添加してもよく、又は2種以上を併用してもよい。
この好ましい方法について、次に詳細に説明する。
次に調製された原料を溶解炉等に連続的に投入し、加熱し溶解し溶融ガラスとする(溶解工程)。
溶解工程は、原料を溶解炉等へ投入し加熱し原料を溶融ガラスとする溶解工程1と、その後、溶融ガラスを更に加熱してガラス中の泡を脱泡させる溶解工程2とを具備するのが好ましい。SnO2の還元反応による酸素を一挙に発生させ、泡がより少ない無アルカリガラスが得られるからである。
溶解工程1、2において使用される、溶解炉等の仕様、また原料、溶融ガラスを加熱する方法は特に制限されない。
一方、フロートバス入口のガラス融液の温度が1250℃を超えて高いと、溶融錫による欠点がガラス表面に付着しやすくなる。即ち、溶融錫が揮散すると、フロートバスの上部空間にて錫が凝集し、凝集した錫がガラスのトップ面に落下すると、点状の欠点、すなわちトップスペック欠点となる。また、溶融錫が酸化すると、不定形の錫酸化物を生成し、錫酸化物がガラスのボトム面に付着すると、ドロス欠点となる。これらの欠点は、フロート成形後のガラス板表面の研磨により除去されるが、研磨量の削減を考慮するとこれらの欠点が少ないことが好ましい。ドロスやトップペックを抑制するためには、フロートバス入口のガラス融液の温度を下げることが効果的である。具体的には、フロートバス入口のガラス融液の温度は、最大1250℃であることが好ましく、最大1245℃であることがより好ましい。
[例1〜例8]
初めに各成分の原料を、成形後のガラスが表1および表2に示す組成(mol%)になるように調合し、白金坩堝を用いて1550〜1620℃で溶解する。溶解にあたっては、白金スターラーを用い撹拌しガラスの均質化を行う。次いで溶解ガラスをそのまま流し出し所望の厚さの板状に成形した後、徐冷して例1〜例8のガラスを得る。
なお、表3は表1および表2でmol%で示した組成を質量%で示したものである。
表4は工業用ガラス原料として調製された成分の組成を示しており、表5は得られたガラスの組成を示している。ここで、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrOおよびBaOについてはmol%で組成を示しており、F、Cl、SO3、Fe2O3およびSnO2については、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrOおよびBaOの総量に対するそれぞれの含有割合を質量百分率で示している。表5には、得られたガラスの特性値として、ヤング率(GPa)、密度(g/cm3)、50℃〜350℃における線膨脹係数(平均線膨張係数(×10-7/℃))、歪点(℃)、高温粘性の指標として、溶解性の目安となるlogη=2(dPa・s)となる温度T2(℃)、フロート成形性の目安となるlogη=4(dPa・s)となる温度T4(℃)、失透温度(℃)、耐酸性(90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量)を示した。これらの特性値は例1〜例8について記載した方法による実測値である。
例9〜例11については、表4に示す組成について、ガラス原料の半量(ガラス換算で125g相当)を300ccの白金るつぼに入れ、1500℃の電気炉で30分間静置した後、一旦電気炉より白金坩堝を取り出し残りの半量(ガラス換算で125g相当)を追加して,再び1500℃の電気炉で30分間静置して溶解した。その後、1590℃の電気炉に速やかに移し替え、30分間静置した。その後、730℃の電気炉に移し替え、2時間かけて610℃までガラスを徐冷し、さらに約10時間かけて室温までガラスを徐冷した。
そして、例9〜例11の各々について、るつぼ上部中央のガラスをコアドリルで直径38mm、高さ35mmの円柱状ガラスにくり貫き、該円柱状ガラスの中心軸を含む厚さ2〜5mmのガラス板に切り出した。切り出し面両面を光学研磨加工(鏡面研磨仕上げ)した。るつぼのガラス上面から1〜10mmの間に相当する部位について、光学研磨加工面を実体顕微鏡で観察し、ガラス板中の直径50μm以上の泡数を計測し、その値をガラス板の体積で割り、泡数とした。結果を表5に示す。
表5より、SnO2を含有する例10および例11のガラスの場合、ガラス中の泡数がSnO2を含有しない例9のガラスよりも少ないことが確認できる。ここから、ガラス原料中に清澄剤としてSnO2を含有させることが好ましいことが確認できる。
Sn−メスバウアー分光の測定方法について説明する。
119mSnから119Snへのエネルギー遷移に伴って発生するγ線(23.8keV)をプローブにして、透過法(ガラス試料を透過したγ線を計測)により、試料中のSnの2価と4価の存在割合(Sn−レドックス)を測定した。具体的には、以下の通りである。
放射線源のγ線出射口、ガラス試料、Pdフィルター、気体増幅比例計数管(LND社製、型番45431)の受光部を300〜800mm長の直線上に配置した。
放射線源は、10mCiの119mSnを用い、光学系の軸方向に対して放射線源を運動させ、ドップラー効果によるγ線のエネルギー変化を起こさせた。放射線源の速度はトランスデューサー(東陽リサーチ社製)を用いて、光学系の軸方向に−10〜+10mm/秒の速度で振動するように調整した。
ガラス試料は、前記の得られたガラスを3〜7mmの厚さに研磨したガラス平板を用いた。
Pdフィルターは、気体増幅比例計数管によるγ線の計測精度を向上させるためのものであり、γ線がガラス試料に照射された際にガラス試料から発生する特性X線を除去する厚さ50μmのPd箔である。
気体増幅比例計数管は、受光したγ線を検出するものである。気体増幅比例計数管からのγ線量を示す電気信号を増幅装置(関西電子社製)で増幅して受光信号を検出した。マルチチャンネルアナライザー(Wissel社CMCA550)で上記の速度情報と連動させた。
気体増幅比例計数管からの検出信号を縦軸に、運動している放射線源の速度を横軸に表記することで、スペクトルが得られる(メスバウアー分光学の基礎と応用 45〜64頁 佐藤博敏・片田元己共著 学会出版)。評価可能な信号/雑音比が得られるまでに、積算時間は2日から16日を必要とした。
0mm/秒 付近に出現するピークがSnの4価の存在を示し、2.5mm/秒と4.5mm/秒 付近に出現する2つに分裂したピークが2価の存在を示す。それぞれのピーク面積に補正係数(Journal of Non-Crystaline Solids 337(2004年) 232-240頁 「The effect of alumina on the Sn2+/Sn4+ redox equilibrium and the incorporation of tin in Na2O/Al2O3/SiO2 melts」 Darja Benner,他共著)(Snの4価:0.22、Snの2価:0.49)を乗じたものの割合を計算し、2価のSn割合をSn−レドックス値とした。
なお、2006年7月13日に出願された日本特許出願2006−193278号、2006年11月7日に出願された日本特許出願2006−301674号、および2006年12月28日に出願された日本特許出願2006−356287号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (8)
- 下記酸化物基準のモル%表示で、実質的に、アルカリ成分及びBaOを含まず、
各成分の含有率が、
SiO2 :57.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.0〜10.0%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜19.0%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であって、
密度≦2.60g/cm 3 、
ヤング率≧75GPa、
50〜350℃の線膨張係数:30×10-7〜40×10-7/℃、
歪点≧640℃、
粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT2が1580℃≦T2≦1620℃、
粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT4≦1245℃、
失透温度≦T4、
90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.2mg/cm2以下
である無アルカリガラス基板。 - 下記酸化物基準のモル%表示で、
SiO2 :60.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.5〜8.5%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜18.5%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
である、請求項1に記載の無アルカリガラス基板。 - さらに、SnO2を500ppm〜1.0質量%含有する請求項1または2に記載の無アルカリガラス基板。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の無アルカリガラス基板を少なくとも1つ使用した液晶ディスプレイパネル。
- 下記酸化物基準のモル%表示で、実質的に、アルカリ成分及びBaOを含まず、
各成分の含有率が、
SiO2 :57.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.0〜10.0%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜19.0%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であるガラス組成になるようにガラス原料を溶解した後、フロート法によって成形する、密度≦2.60g/cm 3 、ヤング率≧75GPa、50〜350℃の線膨張係数:30×10 -7 〜40×10 -7 /℃、歪点≧640℃、粘度ηがlogη=2を満たす温度であるT 2 が1580℃≦T 2 ≦1620℃、粘度ηがlogη=4を満たす温度であるT 4 ≦1245℃、失透温度≦T 4 、90℃、0.1NのHCl中に20時間浸漬後の単位面積当たりの質量減少量が0.2mg/cm 2 以下である、無アルカリガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス原料の溶解温度が1630℃未満であり、フロートバス入口のガラス融液の温度が最大1250℃である、無アルカリガラス基板の製造方法。 - 下記酸化物基準のモル%表示で、
SiO2 :60.0〜65.0%、
Al2O3 :10.0〜12.0%、
B2O3 :6.0〜9.0%、
MgO :5.5〜8.5%、
CaO :6.0〜8.0%、
SrO :2.5〜5.5%
であり、かつ、
MgO+CaO+SrO:16.0〜18.5%、
MgO/(MgO+CaO+SrO)≧0.42、
B2O3/(SiO2+Al2O3+B2O3)≦0.12
であるガラス組成になるようにガラス原料を溶解した後、フロート法によって成形する無アルカリガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス原料の溶解温度が最大1620℃であり、フロートバス入口のガラス融液の温度が最大1245℃である、請求項5に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。 - 前記ガラス原料が、さらにSnO2を0.1〜1.0質量%含有する請求項5または6に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス原料が、さらにSnO2を0.1〜1.0質量%含有し、該ガラス原料を1450〜1580℃に加熱して溶融ガラスとする溶解工程1と、
前記溶解工程1の後、前記溶融ガラスを1500℃以上1630℃未満に加熱してガラス中の泡を脱泡させる溶解工程2とを具備し、
前記溶解工程2における溶融ガラスの温度を、前記溶解工程1における溶解ガラスの温度より30℃以上高くする、請求項5に記載の無アルカリガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008524807A JP5359271B2 (ja) | 2006-07-13 | 2007-07-10 | 無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193278 | 2006-07-13 | ||
JP2006193278 | 2006-07-13 | ||
JP2006301674 | 2006-11-07 | ||
JP2006301674 | 2006-11-07 | ||
JP2006356287 | 2006-12-28 | ||
JP2006356287 | 2006-12-28 | ||
JP2008524807A JP5359271B2 (ja) | 2006-07-13 | 2007-07-10 | 無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル |
PCT/JP2007/063758 WO2008007676A1 (fr) | 2006-07-13 | 2007-07-10 | substrat de verre sans alcalin, son processus de fabrication et panneaux d'affichage à cristaux liquides |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008007676A1 JPWO2008007676A1 (ja) | 2009-12-10 |
JP5359271B2 true JP5359271B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=38923233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008524807A Active JP5359271B2 (ja) | 2006-07-13 | 2007-07-10 | 無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7754631B2 (ja) |
JP (1) | JP5359271B2 (ja) |
KR (1) | KR101028981B1 (ja) |
TW (1) | TW200821274A (ja) |
WO (1) | WO2008007676A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394196B2 (en) | 2006-12-14 | 2016-07-19 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Low density and high strength fiber glass for reinforcement applications |
US8697591B2 (en) | 2006-12-14 | 2014-04-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Low dielectric glass and fiber glass |
US7829490B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-11-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Low dielectric glass and fiber glass for electronic applications |
US9156728B2 (en) | 2006-12-14 | 2015-10-13 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Low density and high strength fiber glass for ballistic applications |
US9056786B2 (en) | 2006-12-14 | 2015-06-16 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Low density and high strength fiber glass for ballistic applications |
JP5808069B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2015-11-10 | 日本電気硝子株式会社 | 太陽電池用ガラス基板 |
US8975199B2 (en) * | 2011-08-12 | 2015-03-10 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass |
JP5471353B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2014-04-16 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板および磁気ディスク |
JP5537144B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-07-02 | AvanStrate株式会社 | ガラス組成物とそれを用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板 |
TW201204664A (en) * | 2010-04-23 | 2012-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | Vacuum degassing method for molten glass |
EP2639205B1 (en) * | 2010-11-08 | 2019-03-06 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass |
WO2012133467A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | AvanStrate株式会社 | ガラス板の製造方法 |
JP5935471B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2016-06-15 | 日本電気硝子株式会社 | 液晶レンズ |
CN103764582B (zh) | 2011-09-02 | 2016-04-13 | Lg化学株式会社 | 无碱玻璃及其制备方法 |
WO2013032289A2 (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 |
WO2013032292A2 (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 |
KR101384743B1 (ko) | 2011-09-02 | 2014-04-14 | 주식회사 엘지화학 | 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 |
WO2013047586A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | AvanStrate株式会社 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板 |
CN104724908B (zh) * | 2011-10-11 | 2018-05-01 | 安瀚视特控股株式会社 | 玻璃板的制造方法 |
CN105050972B (zh) | 2013-02-19 | 2019-02-19 | 科学工业研究委员会 | 使用五水硼砂的节能型钠钙硅酸盐玻璃组合物 |
CN105121370B (zh) | 2013-04-23 | 2017-08-08 | 旭硝子株式会社 | 无碱玻璃基板及其制造方法 |
KR102152196B1 (ko) * | 2013-04-24 | 2020-09-04 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 플로트 판유리 제조 방법 |
JP6393989B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2018-09-26 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板製造方法 |
JP5988059B2 (ja) * | 2014-11-06 | 2016-09-07 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス |
US20180319700A1 (en) * | 2015-12-01 | 2018-11-08 | Kornerstone Materials Technology Company, Ltd. | Low-boron, barium-free, alkaline earth aluminosilicate glass and its applications |
WO2018021221A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 旭硝子株式会社 | 光学ガラスおよび光学部品 |
CN110198839A (zh) * | 2016-11-09 | 2019-09-03 | 康宁公司 | 具有减小的弓曲的可调光窗玻璃和包括所述可调光窗玻璃的中空玻璃单元 |
KR102532702B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2023-05-12 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리 기판의 제조 방법 및 무알칼리 유리 기판 |
JP7269957B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2023-05-09 | 成都光明光▲電▼股▲分▼有限公司 | ガラス組成物 |
JPWO2020162604A1 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-12-09 | Agc株式会社 | 無アルカリガラス |
US11718553B2 (en) * | 2019-03-19 | 2023-08-08 | AGC Inc. | Alkali-free glass substrate |
JP7127587B2 (ja) * | 2019-03-19 | 2022-08-30 | Agc株式会社 | 無アルカリガラス基板 |
CN114222722B (zh) * | 2019-07-29 | 2024-02-23 | Agc株式会社 | 支承玻璃基板 |
CN110746111A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-02-04 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种玻璃基板及其作为玻璃衬底的应用 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10324526A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-08 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラスの清澄方法 |
JPH11314933A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-16 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラス組成物 |
JP2004277222A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 |
JP2004299947A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無アルカリガラス及びその製造方法 |
JP2005162536A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 |
JP2005330176A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6169047B1 (en) * | 1994-11-30 | 2001-01-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Alkali-free glass and flat panel display |
DE69508706T2 (de) * | 1994-11-30 | 1999-12-02 | Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Alkalifreies Glas und Flachbildschirm |
JP3901757B2 (ja) | 1994-11-30 | 2007-04-04 | 旭硝子株式会社 | 無アルカリガラス、液晶ディスプレイパネルおよびガラス板 |
US6313052B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-11-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass for a substrate |
DE10000837C1 (de) * | 2000-01-12 | 2001-05-31 | Schott Glas | Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendungen |
CN1898168B (zh) * | 2003-12-26 | 2012-08-01 | 旭硝子株式会社 | 无碱玻璃、其制造方法及液晶显示板 |
JP4977965B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 無アルカリガラスおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-07-10 JP JP2008524807A patent/JP5359271B2/ja active Active
- 2007-07-10 KR KR1020087025631A patent/KR101028981B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-10 WO PCT/JP2007/063758 patent/WO2008007676A1/ja active Application Filing
- 2007-07-13 TW TW096125714A patent/TW200821274A/zh unknown
-
2009
- 2009-01-07 US US12/349,559 patent/US7754631B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10324526A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-08 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラスの清澄方法 |
JPH11314933A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-16 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラス組成物 |
JP2004277222A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 |
JP2004299947A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無アルカリガラス及びその製造方法 |
JP2005162536A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 |
JP2005330176A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101028981B1 (ko) | 2011-04-12 |
WO2008007676A1 (fr) | 2008-01-17 |
US7754631B2 (en) | 2010-07-13 |
TW200821274A (en) | 2008-05-16 |
KR20080109868A (ko) | 2008-12-17 |
US20090176640A1 (en) | 2009-07-09 |
JPWO2008007676A1 (ja) | 2009-12-10 |
TWI367868B (ja) | 2012-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5359271B2 (ja) | 無アルカリガラス基板及びその製造方法並びに液晶ディスプレイパネル | |
JP4946216B2 (ja) | 無アルカリガラスの製造方法 | |
JP5070828B2 (ja) | 無アルカリガラスおよびその製造方法 | |
KR100977699B1 (ko) | 무알칼리 유리의 제조 방법 및 무알칼리 유리판 | |
US8324123B2 (en) | Glass plate, process for producing it, and process for producing TFT panel | |
US9663395B2 (en) | Alkali-free glass and alkali-free glass plate using same | |
JP2019167293A (ja) | 無アルカリガラス | |
KR20050109929A (ko) | 무알칼리 유리 | |
KR20200003272A (ko) | 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 | |
JPH09263421A (ja) | 無アルカリガラスおよびフラットディスプレイパネル | |
KR102633496B1 (ko) | 무알칼리 유리 | |
US20150072130A1 (en) | Alkali-free glass substrate and method for reducing thickness of alkali-free glass substrate | |
JP7136189B2 (ja) | ガラス | |
WO2015030013A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
JPWO2019177069A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
JPWO2019208584A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
CN101489944A (zh) | 无碱玻璃基板及其制造方法以及液晶显示面板 | |
WO2020162604A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
JP2004315354A (ja) | 無アルカリガラス | |
TW202325673A (zh) | 無鹼玻璃 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5359271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |