JP6393989B2 - ガラス基板製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のガラス基板を含むガラス基板群及びガラス基板製造方法に関する。

従来、複数のガラス基板を同時に効率良く処理する技術が開発されている。特許文献１では、複数のガラス基板を略直立姿勢で加熱炉内に配列収納することによって、複数のガラス基板に同時に成膜を行うことができる。また、 特許文献１では、ガラス基板間の間隔を変えることで反応性ガス量を変化させることができる。

特開２０１２−２４４０３２号公報

加熱炉内において、各ガラス基板には、例えば、ガラス基板が僅かに傾いたことによる重力、ガラス基板内の温度分布による熱的応力、及びガラス基板上に成膜された膜内に発生する膜応力などの外力が作用する。その結果、各ガラス基板に撓みが発生する。つまり、ガラス基板の主面が外力を受けることにより、ガラス基板が弓形に変形する。その結果、加熱炉内では、各ガラス基板に撓みが発生した状態で各ガラス基板の各主面が反応性ガスに晒されながら各ガラス基板の熱処理が行われる。

従って、前記各ガラス基板の熱処理の際、複数のガラス基板において撓みのばらつきが大きいと、隣り合うガラス基板の間隔がばらつき、ガラス基板間を流れる反応性ガスの量が不均一になる場合があった。その結果、複数のガラス基板間において、膜質が不均質になり、成膜後のガラス基板の品質がばらつくおそれがあった。また、個々のガラス基板の主面内においても、膜質が不均質になるおそれがあった。

以上のように、複数のガラス基板において撓みのばらつきが大きいと、複数のガラス基板間においても、個々のガラス基板内においても、均質な処理が困難になる。その結果、複数のガラス基板の撓みの大きなばらつきは、各ガラス基板を利用した最終生産物の品質低下を引き起こす。なお、最終生産物としては、ディスプレイデバイスや、その他の電気、電子デバイスが想定される。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数のガラス基板の撓みのばらつきを抑制することにより、複数のガラス基板に対して均質な処理を施すことを可能にするガラス基板群及びガラス基板製造方法を提供することにある。

本発明の第１の観点によるガラス基板群は、基準姿勢で配置された状態で処理が施される複数のガラス基板を含む。前記基準姿勢に基づいて傾かせた傾斜姿勢における前記複数のガラス基板の撓みのばらつきが、所定範囲内にある。

このガラス基板群において、前記複数のガラス基板の撓みの前記ばらつきは、前記傾斜姿勢における前記複数のガラス基板の撓みの標準偏差を正規化して得た数値であることが好ましい。

このガラス基板群において、前記ガラス基板は矩形状であり、前記標準偏差は、式（１）及び式（２）により正規化されることが好ましい。

Ｎσ＝σ×Ｋ （１）
Ｋ＝ｔ²／Ｌ⁴ （２）

Ｎσは、正規化された標準偏差である。σは、前記複数のガラス基板の撓みの大きさの前記標準偏差である。ｔは、前記ガラス基板の厚さである。Ｌは、前記ガラス基板の１辺の長さである。

このガラス基板群において、前記正規化された標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下であることが好ましい。

上記ガラス基板群において、前記傾斜姿勢は、前記ガラス基板の主面と鉛直線とが成す角度が０度より大きく１０度以下となる姿勢であることが好ましい。

上記ガラス基板群において、前記ガラス基板の前記主面は、互いに対向する第１主面及び第２主面を含むことが好ましい。前記第１主面が斜め上方向を向く姿勢での前記複数のガラス基板の撓みの前記ばらつきが前記所定範囲内であることが好ましい。前記複数のガラス基板は、前記ガラス基板の前記第１主面と当該ガラス基板の隣に配置される前記ガラス基板の前記第２主面とが対向するように、配置又は積層されることが好ましい。

上記ガラス基板群において、前記処理において前記ガラス基板に作用する外力の作用方向と前記第１主面とが対向するよう前記複数のガラス基板が配置又は積層されることが好ましい。

上記ガラス基板群において、前記ガラス基板の前記主面は、互いに対向する第１主面及び第２主面を含むことが好ましい。前記第１主面が斜め上方向を向く姿勢での前記複数のガラス基板の撓みの前記ばらつき、及び前記第２主面が斜め上方向を向く姿勢での前記複数のガラス基板の撓みの前記ばらつきの各々が、前記所定範囲内であることが好ましい。

上記ガラス基板群において、前記基準姿勢は、前記複数のガラス基板が鉛直面に略平行で互いに等間隔になるように配置された姿勢であることが好ましい。

本発明の第２の観点によるガラス基板製造方法は、ガラスリボンからガラス基板を製造する。ガラス基板製造方法は、フロートバスにて溶融ガラスを前記ガラスリボンに成形する工程と、前記フロートバスよりも下流側から徐冷炉内までの間で、前記ガラスリボンの両側面に垂直な方向に沿って前記ガラスリボンの中央部から前記両側面に向かって温度が高くなるように、前記ガラスリボンの温度を制御する制御工程とを含む。

このガラス基板製造方法において、前記制御工程は、前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの間で、前記ガラスリボンの前記中央部の平均温度が、前記ガラスリボンの前記中央部を挟む両端部のうち一方端部の平均温度及び他方端部の平均温度の各々より低くなるように、前記ガラスリボンの前記中央部、前記一方端部、及び前記他方端部の温度を制御する工程を含むことが好ましい。

このガラス基板製造方法において、前記ガラスリボンの前記一方端部は、第１端部及び前記第１端部より前記中央部から離れた第２端部を含むことが好ましい。前記ガラスリボンの前記他方端部は、第３端部及び前記第３端部より前記中央部から離れた第４端部を含むことが好ましい。前記制御工程は、前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの間で、前記第２端部の平均温度が、前記第１端部及び前記第２端部の平均温度より高くなるように、前記第１端部及び前記第２端部の温度を制御する工程と、前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの間で、前記第４端部の平均温度が、前記第３端部及び前記第４端部の平均温度より高くなるように、前記第３端部及び前記第４端部の温度を制御する工程とを含むことが好ましい。

本発明によれば、基準姿勢に近い傾斜姿勢における複数のガラス基板の撓みのばらつきを所定範囲内に抑制できる。従って、複数のガラス基板が基準姿勢で配置されて処理が施される際にも撓みが揃うため、隣り合うガラス基板の間隔のばらつきを抑制でき、基準姿勢で配置された複数のガラス基板を均質に処理することが可能になる。その結果、各ガラス基板を利用した最終生産物の品質低下を抑制できる。なお、基準姿勢は、複数のガラス基板に処理を施す際のガラス基板の姿勢である。傾斜姿勢は、ガラス基板を基準姿勢に基づいて傾かせた姿勢である。

本発明の実施形態１におけるガラス基板群を模式的に示す斜視図である。 （ａ）実施形態１におけるガラス基板の撓みを計測する撓み計測装置を模式 的に示した斜視図である。（ｂ）実施形態１における撓み計測装置を模式的に示した側面図である。 本発明の実施形態２における撓み特性の評価方法を示すフローチャートであ る。 （ａ）本発明の実施形態３におけるガラス基板群の製造装置の概略構成を示 す縦断側面図である。（ｂ）図４（ａ）のガラスリボン及びヒータ群を模式的に示す平面図である。 （ａ）図４（ｂ）のガラスリボンの幅方向に沿った温度分布を模式的に示す 図である。（ｂ）図４（ｂ）のＶｂ−Ｖｂ線による断面図である。 実施形態３における製造装置によるガラス基板群の製造方法を示すフローチ ャートである。 本発明の実施例によるガラスリボンの幅方向に沿った温度制御の説明図であ る。 （ａ）本発明の実施例による製造方法により製造したガラス基板群の撓み特 性を示す図である。（ｂ）一般的な製造方法により製造したガラス基板群の撓み特性を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

（実施形態１）
[基本原理]
図１は、本発明の実施形態１におけるガラス基板群１を模式的に示す斜視図である。ガラス基板群１は複数のガラス基板３を含む。複数のガラス基板３には、基準姿勢で配置された状態で処理が施される。基準姿勢に基づいて傾かせた傾斜姿勢における複数のガラス基板３の撓みのばらつきが、所定範囲内にある。基準姿勢は、複数のガラス基板３に例えば成膜等の処理を施す際のガラス基板３の姿勢である。傾斜姿勢は、ガラス基板３を基準姿勢に基づいて傾かせた姿勢である。

本実施形態１では、基準姿勢に近い傾斜姿勢における複数のガラス基板３の撓みのばらつきを所定範囲内に抑制できる。従って、複数のガラス基板３が基準姿勢で配置されて処理が施される際にも撓みが揃うため、隣り合うガラス基板３の間隔のばらつきを抑制でき、基準姿勢で配置された複数のガラス基板３を均質に処理することが可能になる。その結果、各ガラス基板３を利用した最終生産物の品質低下を抑制できる。

所定範囲は、例えば、ガラス基板３の使用態様（例えば、基準姿勢、基準姿勢で施される処理の内容）、用途（例えば、最終生産物の種類、仕様）、及び／又は仕様（例えば、特性、材質、サイズ）を考慮して実験的及び／又は経験的に設定される。

以下、本実施形態１では、複数のガラス基板３の撓みのばらつきは、傾斜姿勢における複数のガラス基板３の撓みの標準偏差を正規化して得た数値で示される。標準偏差を正規化して得た数値を規定値以下にすることにより、複数のガラス基板３の撓みが揃い、複数のガラス基板３が基準姿勢で配置されて処理が施される際に、隣り合うガラス基板３の間隔のばらつきが抑制される。規定値は、例えば、所定範囲と同様に、ガラス基板３の使用態様、用途、及び／又は仕様を考慮して実験的及び／又は経験的に設定される。

以下の説明では、特に明示しない限り、基準姿勢は、複数のガラス基板３が鉛直面に略平行で互いに等間隔になるように配置された姿勢である。なお、ガラス基板３は矩形状である。ガラス基板３は２つの長辺ＬＳ及び２つの短辺ＳＳを有する。

[撓みの計測]
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれ、撓み計測装置８を模式的に示した斜視図及び側面図である。撓み計測装置８は、ガラス基板３の撓みを計測する。ガラス基板３の長辺ＬＳの長さ及び短辺ＳＳの長さは、それぞれ、長さＬ及び長さＷである。ガラス基板３の厚さは厚さｔである。

撓み計測装置８は、２つの支持部材５及びレーザ測位計７を備える。２つの支持部材５及びレーザ測位計７の位置関係は固定される。２つの支持部材５は、水平方向に沿って平行に配置される。支持部材５の水平方向に沿った長さは、ガラス基板３の短辺ＳＳの長さＷと同一又は短辺ＳＳの長さＷより若干長い。

ガラス基板３は、２つの短辺ＳＳが２つの支持部材により支持され、傾斜姿勢になるように配置される。ガラス基板３の短辺ＳＳは水平になる。図２（ｂ）では、傾斜姿勢の一例として、ガラス基板３が鉛直線６に対して傾斜して起立した姿勢を挙げる。具体的には、傾斜姿勢は、側面視において、ガラス基板３の主面と鉛直線６とが所定角度θを形成するようにガラス基板３が傾斜した姿勢である。２つの支持部材５は、ガラス基板３に撓みがないとした場合において、ガラス基板３の主面と鉛直線６とが所定角度θを形成するようにガラス基板３を傾斜させて支持する。本実施形態１では、所定角度θを５度とする。主面は、ガラス基板３の表面又は裏面のことであり、端面と区別するための概念である。

ガラス基板３の第１姿勢及び第２姿勢について説明する。ガラス基板３の主面は、互いに対向する第１主面Ｆ１及び第２主面Ｆ２を含む。本実施形態１では、基準姿勢で処理が施される主面を第１主面Ｆ１とする。また、ガラス基板３が支持部材５に支持された状態で、第１主面Ｆ１及び第２主面Ｆ２のうち、斜め上方向を向く主面を指定面と定義し、斜め下方向を向く主面を非指定面と定義する。第１主面Ｆ１が指定面になる場合のガラス基板３の傾斜姿勢を第１姿勢と定義する。第２主面Ｆ２が指定面になる場合のガラス基板３の傾斜姿勢を第２姿勢と定義する。

以下、撓みの計測方法及び結果を説明する。第１姿勢において、ガラス基板３の各々に対して、レーザ測位計７による撓みの計測が行われる。その後、第２姿勢において、ガラス基板３の各々に対して、レーザ測位計７による撓みの計測が行われる。図２（ｂ）の例では、第１主面Ｆ１が斜め上方向を向くので、第１主面Ｆ１が指定面であり、第２主面Ｆ２が非指定面である。従って、ガラス基板３の姿勢は第１姿勢である。

レーザ測位計７は、ガラス基板３の面中央にレーザ光を照射して、面中央とレーザ測位計７との間の距離ａを計測する。面中央は、非指定面において、長辺ＬＳから垂直に長さＷ／２の位置であって、かつ、短辺ＳＳから垂直に長さＬ／２の位置である。計測された距離ａが、ガラス基板３の撓みの量である。撓みの量は、方向及び大きさで示される。また、外力が作用する方向に凹状になる撓み量を正で示し、外力が作用する方向に凸状になる撓みの量を負で示す。

レーザ測位計７は、第１姿勢において、複数のガラス基板３の各々に対して距離ａ（撓みの量ａ）を計測する。そして、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）（図示せず）は、複数のガラス基板３に対する複数の距離ａ（複数のガラス基板３の撓みの量ａ）の絶対値の標準偏差σを算出する。さらに、ＰＣは、式（１）及び式（２）に基づいて、標準偏差σを正規化する。定数Ｋは、式（２）に基づいて、ガラス基板３の厚さｔ及び長辺ＬＳの長さＬから算出される。以下、正規化後の標準偏差σを、正規化標準偏差Ｎσと定義する。

Ｎσ＝σ×Ｋ （１）
Ｋ＝ｔ²／Ｌ⁴ （２）

第１姿勢で計測された複数のガラス基板３の撓みの大きさ（距離ａの絶対値）の正規化標準偏差Ｎσは、０．２×１０^-12（規定値）以下であることが好ましい。

同様に、レーザ測位計７は、第２姿勢において、複数のガラス基板３の各々に対して距離ａを計測する。そして、ＰＣは、式（１）に基づいて、複数のガラス基板３に対する複数の距離ａの絶対値の正規化標準偏差Ｎσを算出する。第２姿勢で計測された複数のガラス基板３の撓みの大きさの正規化標準偏差Ｎσも、０．２×１０^-12（規定値）以下であることが好ましい。以上、撓みの計測方法及び結果が説明された。

次に、撓みのばらつきについて説明する。撓みの方向のばらつきが大きい場合、撓みの大きさのばらつきが大きい場合、あるいは、撓みの方向及び大きさのばらつきが大きい場合は、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12を超える。

これに対して、本実施形態１の複数のガラス基板３では、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下であり、複数のガラス基板３の撓みの方向及び大きさのばらつきは小さい。従って、複数のガラス基板３が基準姿勢で配置されて処理が施される際、隣り合うガラス基板３の間隔のばらつきを小さくできる。その結果、複数のガラス基板３に対して均質な処理を施すことが可能になって、各ガラス基板３を利用した最終生産物の品質低下を抑制できる。

さらに、第１姿勢及び第２姿勢の双方において、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下である。従って、複数のガラス基板３に処理を施す際の不可避な外力の向きに依存することなく、ガラス基板３の間隔のばらつきを小さくできる。その結果、不可避な外力の向きに依存することなく、複数のガラス基板３に対して均質な処理を施すことが可能になる。ここで、不可避な外力について説明する。複数のガラス基板３は、処理装置（図示せず）内に基準姿勢で配置されて処理が施される。不可避な外力は、処理装置内で常時一定方向に発生し、個々の処理装置に固有の外力である。

このように、第１姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内であり、かつ、第２姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内である。ただし、第１姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内、あるいは、第２姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内のいずれか一方でもよい。

例えば、第１姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内である場合、複数のガラス基板３は、ガラス基板３の第１主面Ｆ１と当該ガラス基板３の隣に配置されるガラス基板３の第２主面Ｆ２とが対向するように、配置又は積層され、梱包される。その結果、第１姿勢での複数のガラス基板３の撓みのばらつき（第１主面Ｆ１（一方の主面）のみを指定面として撓みを計測したときの撓みのばらつき）が所定範囲内であることを保証したガラス基板群１を出荷することが可能となる。撓みのばらつきを保証したガラス基板群１は、例えば、基準姿勢でガラス基板群１に処理を施す事業者へ出荷される。なお、第１姿勢及び第２姿勢の双方において、複数のガラス基板３の撓みのばらつきが所定範囲内である場合も同様にして、複数のガラス基板３を配置又は積層して、梱包することが好ましい。

例えば、第１姿勢あるいは第２姿勢のいずれか一方において、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下であってもよい。この場合は、予め、処理時の不可避な外力が特定の方向に発生することが分かっていることが好ましい。不可避な外力の方向に、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下になる方の面を対応させてガラス基板３に処理を施す。例えば、第１姿勢での正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下の場合は、不可避な外力が第１主面Ｆ１側から第２主面Ｆ２側に向かうように、複数のガラス基板３を基準姿勢で配置する。つまり、処理においてガラス基板３に作用する外力の作用方向と第１主面Ｆ１とが対向するよう複数のガラス基板３が配置又は積層される。以上、撓みのばらつきについて説明した。

図２（ｂ）に示すように、ガラス基板３は、計測時において、傾斜姿勢になるように配置される。以下、ガラス基板３を傾斜姿勢で配置する理由を説明する。

まず、外力に対してのガラス基板の撓みについて説明する。外力は、例えば、重力、風力、熱応力（基板内一時歪）、及び膜応力などである。ガラス基板の主面に対して外力が加わると、ガラス基板は、外力の方向と反対方向に凸状に変形する。この変形が撓みである。外力に対してのガラス基板のトータルの撓み量Ｓｔは、第１撓みＳＰ１と第２撓みＳＰ２と第３撓みＳＰ３との和である。

第１撓みＳＰ１は、ガラス基板自体の無重力及び無外力状態での真の反りである。第１撓みＳＰ１は、重力下でも表面と裏面との撓み差の計測で疑似的に定量化できる。第１撓みＳＰ１には符号が存在する。第２撓みＳＰ２は、外力に対して、ガラス基板の材質で決まる物性値（ヤング率等）に応じた変形である。第２撓みＳＰ２は、物理定数であり計算で求めることができる。ガラス基板の材質が、高いヤング率を有する場合、第２撓みＳＰ２を小さくできる。第２撓みＳＰ２には符号が存在する。第３撓みＳＰ３はその他の撓みである。第３撓みＳＰ３は、わずかな外力でも、外力の方向に大きく変形する撓みである。第３撓みＳＰ３には符号が存在しない。

第１撓みＳＰ１と第２撓みＳＰ２とは互いに相殺できるが、第３撓みＳＰ３は相殺できない。また、第２撓みＳＰ２は定まった使用条件下では一定である。従って、第１撓みＳＰ１及び第３撓みＳＰ３のトータル撓み量Ｓｔに対する影響を観測するには、第２撓みＳＰ２を可能な限り小さくして、トータル撓み量Ｓｔを計測する。そこで、傾斜姿勢となるようにガラス基板３を配置することで、重力による第２撓みＳＰ２を可能な限り小さくし、第１撓みＳＰ１及び第３撓みＳＰ３を計測する。従って、レーザ測位計７が計測した撓みの量ａは、主に第１撓みＳＰ１及び第３撓みＳＰ３を含む。

第２撓みＳＰ２を極力小さくして、主に第１撓みＳＰ１及び第３撓みＳＰ３を含む撓みを計測するためには、例えば、図２（ｂ）の所定角度θを０度より大きく１０度以下に設定する。所定角度θを５度に設定した場合は、より好適な計測環境を構築できる。以上、ガラス基板３を傾斜姿勢で配置した理由を説明した。

（実施形態２）
[撓み特性の評価]
上述した正規化標準偏差Ｎσは、複数のガラス基板の撓み特性の評価に適用できる。製造された複数のガラス基板は梱包体（図示せず）に収納される。梱包体ごとに、収納された複数のガラス基板の撓みを計測して正規化標準偏差Ｎσを算出する。そして、梱包体ごとに撓み特性を評価する。ある梱包体に収納された複数のガラス基板の正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下である場合、その梱包体のガラス基板は良好な撓み特性を有すると評価され、例えば出荷される。一方、ある梱包体に収納された複数のガラス基板の正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12を超える場合、その梱包体のガラス基板は良好な撓み特性を有さないと評価され、例えば廃棄される。

以下、図２及び図３を参照して、本発明の実施形態２における撓み特性の評価方法を説明する。図３は、本発明の実施形態２における撓み特性の評価方法を示すフローチャートである。工程Ｓ１（採取工程）にて、作業者は、梱包体に収納された複数のガラス基板から１枚のガラス基板（計測対象のガラス基板）を採取する。工程Ｓ３（配置工程）にて、作業者は、傾斜姿勢になるように、工程Ｓ３で採取したガラス基板を配置する。具体的には、採取したガラス基板は、支持部材５に第１姿勢で支持される。工程Ｓ５（計測工程）にて、レーザ測位計７は、工程Ｓ３で配置されたガラス基板の撓みを計測する。具体的には、レーザ測位計７は、距離ａ、つまり、支持部材５に支持されたガラス基板の撓みの量ａを計測する。

工程Ｓ７にて、作業者は、ｎ枚（ｎは２以上の整数）のガラス基板に対して工程Ｓ１〜工程Ｓ５が完了したか否かを判定する。完了したと判定された場合（工程Ｓ７で「Ｙｅｓ」）、工程は工程Ｓ９に進む。一方、完了していないと判定された場合（工程Ｓ７で「Ｎｏ」）、工程は工程Ｓ１に戻る。工程Ｓ７で「Ｙｅｓ」が判定されるまで、工程Ｓ１、工程Ｓ３、及び工程Ｓ５を繰り返す（繰返工程）。例えば、枚数ｎは、梱包体に収納された複数のガラス基板の全数である。例えば、枚数ｎは、梱包体に収納された複数のガラス基板から任意に抜き取った数である。ただし、任意に抜き取る場合であっても、抜き取るガラス基板の枚数ｎは予め定められる。

工程Ｓ９にて、ＰＣは、計測されたｎ枚のガラス基板の撓みのばらつきを算出する。具体的には、ＰＣは、式（１）に基づいて、ｎ枚のガラス基板の撓みの正規化標準偏差Ｎσを算出する。工程Ｓ１１にて、ＰＣ又は作業者は、撓みのばらつきが所定範囲内か否かを判定する。具体的には、ＰＣ又は作業者は、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以内か否かを判定する。正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下である場合、梱包体のガラス基板は良好な撓み特性を有すると評価され、それ以外は、梱包体のガラス基板は良好な撓み特性を有さないと評価される。

以上のように、工程Ｓ１〜工程Ｓ１１は、第１姿勢の複数のガラス基板に対して実行される。そして、第１姿勢に対する工程Ｓ１〜工程Ｓ１１の終了後に、工程Ｓ１〜工程Ｓ１１は、第２姿勢の複数のガラス基板に対して実行される。第１姿勢に対する工程Ｓ１〜工程Ｓ１１と第２姿勢に対する工程Ｓ１〜工程Ｓ１１とで、梱包体は共通し、かつ、梱包体から採取されるｎ枚のガラス基板は同一である。

以上、図２及び図３を参照して説明した評価方法によれば、処理時において間隔のばらつきが抑制される複数のガラス基板３を顧客に出荷できる。その結果、各ガラス基板３に均質な処理を施すことが可能になり、各ガラス基板３を利用した最終生産物の品質低下を抑制できる。

（実施形態３）
[ガラス基板群製造装置及びガラス基板群製造方法]
図４（ａ）は、本発明の実施形態３におけるガラス基板群１の製造装置１０の概略構成を示す縦断側面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のガラスリボン９及びヒータ群１９（１９ａ）を模式的に示す平面図である。以下、図４を参照して、製造装置１０を説明する。

製造装置１０は、フロート法を用いてガラス基板群１を製造する。製造装置１０は、フロートバス１１、リフトアウト部１５、及び徐冷炉（レア）２１を備える。リフトアウト部１５は、フロートバス１１と徐冷炉２１との間に設けられる。

フロートバス１１には、溶融錫１３が貯留される。フロートバス１１の溶融錫１３上には、フロートバス１１よりも上流側から溶融ガラスが連続的に供給される。そして、溶融ガラスは、溶融錫１３上でガラスリボン９（帯状ガラス）に成形される。ガラスリボン９は、リフトアウト部１５を通過した後、リフトアウト部１５よりも下流側に配置された徐冷炉２１に連続的に搬送される。

リフトアウト部１５及び徐冷炉２１には、搬送経路２０を形成する複数のローラ１７が配置される。従って、ガラスリボン９は、複数のローラ１７によって連続的に搬送され徐々に冷却される。ガラスリボン９は、徐冷炉２１の下流端（図示せず）から搬出された後、所定長さに切断される。その結果、ガラスリボン９からガラス基板３が得られる。

複数のローラ１７の下部には、ヒータ群１９（加熱手段）が配置される。ヒータ群１９は、複数のヒータ（図示せず）を含む。複数のヒータの各々は独立して制御可能である。ヒータ群１９は、ガラスリボン９の幅方向（方向１４）に沿った温度分布及び搬送方向１２に沿った温度勾配を制御する。方向１４とは、ガラスリボン９の両側面３１に垂直な方向である。

以下、図４を参照して、ガラス基板群１の製造方法を詳細に説明する。本実施形態３では、ヒータ群１９が、区間Ｖにおいて、方向１４に沿った温度分布を制御することにより、製造装置１０によりガラス基板群１が製造される。区間Ｖは、フロートバス１１の出口よりも下流側から徐冷炉２１内の搬送経路２０の途中までの区間である。

区間Ｖは、ガラスリボン９の粘度によって定義される。ガラスの粘度は、ガラスの温度に対応させることができる。従って、粘度による区間Ｖの定義は、温度による区間Ｖの定義に相当する。例えば、区間Ｖは、ガラスリボン９の粘度が１０^11.5ｄＰａ・ｓ以上１０^14.5ｄＰａ・ｓ以下に相当する区間である。区間Ｖの上流端はリフトアウト部１５の上流端に一致する。区間Ｖの上流端でのガラスリボン９の温度は、粘度が１０^11.5ｄＰａ・ｓに相当する温度である。区間Ｖの下流端は徐冷炉２１内の搬送経路２０の途中に位置する。区間Ｖの下流端でのガラスリボン９の温度は、粘度が１０^14.5ｄＰａ・ｓに相当する温度である。

ヒータ群１９は、区間Ｖ内に配置されるヒータ群１９ａを含む。搬送経路２０には、区間Ｖ内の搬送経路２０ａが含まれる。また、本明細書において、左右は、ガラスリボン９の搬送方向１２に視線を向けた場合の左右である。

図４（ｂ）に示すように、区間Ｖに位置するガラスリボン９は、中央部２７（中央部）、右端部２９Ｒ（一方端部）、及び左端部２９Ｌ（他方端部）を含む。右端部２９Ｒと左端部２９Ｌとは中央部２７を挟む。右端部２９Ｒは、内側右端部２５Ｒ（第１端部）及び外側右端部２３Ｒ（第２端部）を含む。外側右端部２３Ｒは、内側右端部２５Ｒよりも中央部２７から離れている。左端部２９Ｌは、内側左端部２５Ｌ（第３端部）及び外側左端部２３Ｌ（第４端部）を含む。外側左端部２３Ｌは、内側左端部２５Ｌよりも中央部２７から離れている。

ヒータ群１９ａは、方向１４に沿って、ガラスリボンの中央部２７から両側面３１に向かって温度が高くなるように、ガラスリボン９の温度を制御する。以下、図４及び図５を参照して、方向１４における温度制御を具体的に説明する。

図５（ａ）は、図４（ｂ）の方向１４に沿った温度分布を模式的に示す図である。図５（ｂ）は、図４（ｂ）のＶｂ−Ｖｂ線による断面図である。後述する温度制御を行うことによって、方向１４に沿って、図５（ａ）に示す温度分布が実現される。以下、詳述する。

方向１４に沿った位置Ｐ_R、位置Ｐ_R1、位置Ｐ_R2、位置Ｐ_C、位置Ｐ_L、位置Ｐ_L1、及び位置Ｐ_L2を定義する。位置Ｐ_Rは、右端部２９Ｒの両端のうちガラスリボン９の中央位置Ｐ_Cから遠い端である。つまり、位置Ｐ_Rは、断面視において、右側の側面３１と一致する。位置Ｐ_R2は、右端部２９Ｒの両端のうち中央位置Ｐ_Cに近い端である。位置Ｐ_R1は、位置Ｐ_Rと位置Ｐ_R2との間の位置である。位置Ｐ_Lは、左端部２９Ｌの両端のうち中央位置Ｐ_Cから遠い端である。つまり、位置Ｐ_Lは、断面視において、左側の側面３１と一致する。位置Ｐ_L2は、左端部２９Ｌの両端のうち中央位置Ｐ_Cに近い端である。位置Ｐ_L1は、位置Ｐ_Lと位置Ｐ_L2との間の位置である。

方向１４に沿った距離Ｐ_RＰ_R2、距離Ｐ_LＰ_L2、距離Ｐ_RＰ_L、距離Ｐ_RＰ_R1、及び距離Ｐ_LＰ_L1を定義する。距離Ｐ_RＰ_R2は、位置Ｐ_Rと位置Ｐ_R2との間の距離である。距離Ｐ_LＰ_L2は、位置Ｐ_Lと位置Ｐ_L2との間の距離である。距離Ｐ_RＰ_Lは、位置Ｐ_Rと位置Ｐ_Lとの間の距離である。距離Ｐ_RＰ_R1は、位置Ｐ_Rと位置Ｐ_R1との間の距離である。距離Ｐ_LＰ_L1は、位置Ｐ_Lと位置Ｐ_L1との間の距離である。

方向１４に沿った温度Ｔ_L、温度Ｔ_L1、温度Ｔ_L2、温度Ｔ_R、温度Ｔ_R1、及び温度Ｔ_R2は、それぞれ、位置Ｐ_Lの温度、位置Ｐ_L1の温度、位置Ｐ_L2の温度、位置Ｐ_Rの温度、位置Ｐ_R1の温度、及び位置Ｐ_R2の温度である。例えば、ガラスリボン９の表面（ローラ１７に対向している面の反対面）の位置Ｐ_L、位置Ｐ_L1、位置Ｐ_L2、位置Ｐ_R、位置Ｐ_R1、及び位置Ｐ_R2に対応して６つの熱電対（図示せず）を配置することにより、温度Ｔ_L、温度Ｔ_L1、温度Ｔ_L2、温度Ｔ_R、温度Ｔ_R1、及び温度Ｔ_R2が測定される。方向１４に沿った６つの熱電対を１セットとすると、複数セットの熱電対が、区間Ｖにおいて、搬送方向１２に沿って、一定間隔で配置される。その結果、ガラスリボン９の搬送方向１２に沿った各位置で、方向１４に沿った温度Ｔ_L、温度Ｔ_L1、温度Ｔ_L2、温度Ｔ_R、温度Ｔ_R1、及び温度Ｔ_R2を計測できる。

平均温度Ｔ_R-R2は、方向１４に沿った位置Ｐ_Rと位置Ｐ_R2との間の平均温度であり、例えば、温度Ｔ_Rと温度Ｔ_R2との平均値である。平均温度Ｔ_R2-L2は、方向１４に沿った位置Ｐ_R2と位置Ｐ_L2との間の平均温度であり、例えば、温度Ｔ_R2と温度Ｔ_L2との平均値である。平均温度Ｔ_L-L2は、方向１４に沿った位置Ｐ_Lと位置Ｐ_L2との間の平均温度であり、例えば、温度Ｔ_Lと温度Ｔ_L2との平均値である。平均温度Ｔ_R-R1は、方向１４に沿った位置Ｐ_Rと位置Ｐ_R1との間の平均温度であり、例えば、温度Ｔ_Rと温度Ｔ_R1との平均値である。平均温度Ｔ_L-L1は、方向１４に沿った位置Ｐ_Lと位置Ｐ_L1との間の平均温度であり、例えば、温度Ｔ_Lと温度Ｔ_L1との平均値である。

ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、式（３）、式（４）、式（５）、及び式（６）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する（「第１温度制御」と定義する。）。

０．７≦Ｐ_RＰ_R2／Ｐ_LＰ_L2≦１．３ （３）
（Ｐ_LＰ_L2＋Ｐ_RＰ_R2）／Ｐ_RＰ_L＞０．２ （４）
Ｔ_R-R2＞Ｔ_R2-L2 （５）
Ｔ_L-L2＞Ｔ_R2-L2 （６）

ガラス基板群１の製造工程において、方向１４に沿って第１温度制御を行うことによって、撓みの正規化標準偏差Ｎσが小さいガラス基板群１を製造することができる。つまり、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下のガラス基板群１を製造することができる。

より好ましくは、ヒータ群１９ａは、式（４）に代えて式（７）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する。つまり、ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、式（３）、式（５）、式（６）、及び式（７）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する（「第２温度制御」と定義する。）。

（Ｐ_LＰ_L2＋Ｐ_RＰ_R2）／Ｐ_RＰ_L＞０．４ （７）

ガラス基板群１の製造工程において、方向１４に沿って第２温度制御を行うことによって、第１温度制御を行う場合と比較して、撓みの正規化標準偏差Ｎσがより小さいガラス基板群１を製造することができる。

さらに、第１温度制御に加えて、あるいは、第２温度制御に加えて、ヒータ群１９ａは、式（８）、式（９）、及び式（１０）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する（「第３温度制御」と定義する。）。

０．７≦Ｐ_RＰ_R1／Ｐ_LＰ_L1≦１．３ （８）
Ｔ_R-R1＞Ｔ_R-R2 （９）
Ｔ_L-L1＞Ｔ_L-L2 （１０）

ガラス基板群１の製造工程において、方向１４に沿って第１温度制御及び第３温度制御を行うことによって、あるいは、方向１４に沿って第２温度制御及び第３温度制御を行うことによって、第１温度制御のみを行う場合及び第２温度制御をのみを行う場合と比較して、撓みの正規化標準偏差Ｎσがより一層小さいガラス基板群１を製造することができる。第１温度制御及び第３温度制御あるいは第２温度制御及び第３温度制御を行うことによって、方向１４に沿って、図５（ａ）に示す温度分布が実現される。

以上のように、図４（ｂ）に示す区間Ｖにおいて、ヒータ群１９ａは、方向１４に沿って第１温度制御及び第３温度制御あるいは第２温度制御及び第３温度制御を行う。また、同時に、ヒータ群１９ａは、搬送経路２０の全域にわたって、上流側から下流側に向けて徐々に温度が下がるように、搬送方向１２に沿ってガラスリボン９の温度勾配を制御する。従って、ガラスリボン９において、方向１４に沿った位置が同じであっても、搬送方向１２に沿った位置が異なる場合は、搬送方向１２に沿った温度勾配に応じて温度も異なる。ただし、区間Ｖにおいては、搬送方向１２に沿ったどの位置であっても、方向１４に沿って第１温度制御及び第３温度制御あるいは第２温度制御及び第３温度制御が行われる。その結果、搬送方向１２に沿ったどの位置であっても、方向１４の温度分布は、式（３）〜式（６）及び式（８）〜式（１０）あるいは、式（３）及び式（５）〜式（１０）によって規定される温度分布になる（図５（ａ）参照）。

次に、図４〜図６を参照して、第２温度制御及び第３温度制御を用いたガラス基板群１の製造方法を説明する。図６は、実施形態３における製造装置１０によるガラス基板群１の製造方法を示すフローチャートである。フロートバス１１で成形されたガラスリボン９を徐冷炉２１にて徐冷し、ガラスリボン９からガラス基板群１を製造する。

工程Ｓ２１にて、フロートバス１１で溶融ガラスをガラスリボン９に成形する。工程Ｓ２３にて、ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、方向１４に沿ってガラスリボン９の中央部２７から両側面３１に向かって温度が高くなるように、ガラスリボン９の温度を制御する。

工程Ｓ２３は、工程Ｓ２３１、工程Ｓ２３３、及び工程Ｓ２３５を含む。工程Ｓ２３１にて、ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、ガラスリボン９の中央部２７の平均温度Ｔ_R2-L2が、右端部２９Ｒ（一方端部）の平均温度Ｔ_R-R2及び左端部２９Ｌ（他方端部）の平均温度Ｔ_L-L2の各々より低くなるように、ガラスリボンの中央部２７、右端部２９Ｒ、及び左端部２９Ｌの温度を制御する。具体的には、工程Ｓ２３１にて、ヒータ群１９ａは、式（３）、式（５）、式（６）、及び式（７）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する。

工程Ｓ２３３にて、ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、外側右端部２３Ｒの平均温度Ｔ_R-R1が、外側右端部２３Ｒと内側右端部２５Ｒとの平均温度Ｔ_R-R2より高くなるように、外側右端部２３Ｒ及び内側右端部２５Ｒの温度を制御する。具体的には、ヒータ群１９ａは、式（８）及び式（９）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する。

工程Ｓ２３５にて、ヒータ群１９ａは、区間Ｖにおいて、外側左端部２３Ｌの平均温度Ｔ_L-L1が、外側左端部２３Ｌと内側左端部２５Ｌとの平均温度Ｔ_L-L2より高くなるように、外側左端部２３Ｌ及び内側左端部２５Ｌの温度を制御する。具体的には、ヒータ群１９ａは、式（８）及び式（１０）を満たすように、方向１４に沿った温度を制御する。

ここで、実際には、工程Ｓ２１、工程Ｓ２３１、工程Ｓ２３３、及び工程Ｓ２３５は、同時に実行され、各工程の制御は、ガラス基板群１の製造が完了するまで継続される。

また、第１温度制御及び第３温度制御を行って、図１のガラス基板群１を製造する場合の制御の流れは、図６のフローチャートが示す制御の流れと同様である。ただし、工程Ｓ２３１では、ヒータ群１９ａは、式（３）〜式（６）を満たすように、方向１４に沿って温度を制御する。

以上、図６に示した製造方法によれば、方向１４に沿ってガラスリボン９の中央部２７から両側面３１に向かって温度が高くなるように、ガラスリボン９の温度を制御するので、撓みのばらつきが抑制された複数のガラス基板３を製造できる。

次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。

本実施例では、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下になる複数のガラス基板３を製造するための条件を説明する。

本実施例では、基準姿勢は、複数のガラス基板３が鉛直面に略平行で互いに等間隔になるように配置された状態で、複数のガラス基板３に膜を形成する処理を行う際のガラス基板３の姿勢である。

次に、図４、図５、及び図７を参照して、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下になる複数のガラス基板３を製造するための温度制御の一例を説明する。温度制御は、図５を参照して説明した第２温度制御及び第３温度制御（式（３）、及び式（５）〜式（１０）の全てを満たす温度制御）である。

図７は、本発明の実施例による方向１４に沿った温度制御の説明図である。区間Ｖ内のある位置における方向１４に沿った平均温度が示される。本実施例による製造方法では、上述した式（５）、式（６）、式（９）、及び式（１０）の全てを満たす温度制御が実行される。右端部２９Ｒの平均温度Ｔ_R-R2は６９６℃であり、中央部２７の平均温度Ｔ_R2-L2は６９５℃である。従って、式（５）を満たす。左端部２９Ｌの平均温度Ｔ_L-L2は６９８℃であり、中央部２７の平均温度Ｔ_R2-L2は６９５℃である。従って、式（６）を満たす。また、外側右端部２３Ｒの平均温度Ｔ_R-R1は６９７℃である。従って、式（９）を満たす。外側左端部２３Ｌの平均温度Ｔ_L-L1は７００℃である。従って、式（１０）を満たす。

一方、一般的な製造方法による温度制御は、式（５）、式（６）、式（９）、及び式（１０）の全てを満たさない。

次に、図８を参照して、第２温度制御及び第３温度制御により製造された複数のガラス基板３の撓みの計測値及び正規化標準偏差Ｎσについて説明する。

図８（ａ）は、本発明の実施例による製造方法により製造された複数のガラス基板３の撓み特性を示す。梱包Ａには、複数のガラス基板３（ｎ（＝２０）枚のガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０）が収納される。図８（ａ）には、第１姿勢及び第２姿勢のガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の撓みの量ａ（距離ａ）の絶対値が記載される。第１姿勢及び第２姿勢に対する撓みの正規化標準偏差Ｎσは、それぞれ、０．１０×１０^-12、０．０８×１０^-12であり、規定値０．２×１０^-12以下である。

一方、図８（ｂ）に示すように、梱包Ｂには、一般的な製造方法により製造されたｎ（＝１５）枚のガラス基板Ｂ−１〜ガラス基板Ｂ−１５が収納される。図８（ｂ）には、第１姿勢及び第２姿勢のガラス基板Ｂ−１〜Ｂ−１５の撓みの量ａの絶対値が記載される。第１姿勢及び第２姿勢に対する撓みの正規化標準偏差Ｎσは、それぞれ、０．３９×１０^-12、０．３７×１０^-12であり、規定値０．２×１０^-12を超えている。

本実施例では、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の短辺ＳＳの長さＷは９００ｍｍであり、長辺ＬＳの長さＬは１２００ｍｍであり、厚さｔは１．８ｍｍである。各ガラス基板Ｂ１〜Ｂ−１５のサイズは、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０のサイズと同じである。従って、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０及びガラス基板Ｂ１〜Ｂ−１５において、式（１）に含まれる式（２）の定数Ｋは、１．５６×１０^-12である。

なお、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０は、成膜処理時（熱処理時）において、加熱炉内で、短辺ＳＳが水平になるように、鉛直面に略平行で互いに等間隔に配置される。従って、撓みの計測時においても、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の短辺ＳＳが水平になるように支持される。

以上、図８を参照して説明したように、本実施例における製造方法で製造した梱包Ａのガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０については、撓みの正規化標準偏差Ｎσが規定値０．２×１０^-12以下であるため、撓みの方向及び大きさのばらつきが小さい。それ故、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０に成膜処理（熱処理）が施される際、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０に様々な不可避な外力が加わった場合でも、鉛直面に略平行に互いに等間隔で配置されるガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の撓みの方向及び大きさが一定の範囲に保たれる。

従って、成膜処理時（熱処理時）において、隣り合うガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の間隔のばらつきを小さくできる。その結果、成膜処理工程において、反応性ガスによる膜の改質がどのガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０のどの位置でも設計範囲内になるため、所望の設計仕様を満たす成膜ガラス基板を製造できる。様々な不可避な外力とは、例えば、ガラス基板が僅かに傾いたことによる重力、ガラス基板内の温度分布による熱的応力、及びガラス基板上に成膜された膜内に発生する膜応力などである。

一方、一般的な製造方法で製造された梱包Ｂのガラス基板Ｂ−１〜Ｂ−１５については、撓みの正規化標準偏差Ｎσが規定値０．２×１０^-12を超えるため、所望の設計仕様を満たす成膜ガラス基板の製造が困難となる。

また、本実施例におけるガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０については、第１姿勢及び第２姿勢の双方において、撓みの正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下である。従って、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０に成膜処理を施す際の不可避な外力の向きに依存することなく、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の間隔のばらつきを小さくできる。その結果、高品質な成膜ガラス基板を製造できる。この場合の不可避な外力は、個々の加熱炉に固有の外力であり、加熱炉内で常時一定方向に発生する傾向にあり、成膜処理工程中の加熱炉内の温度むらの性状等によって生じる。

なお、本実施例では、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の第１主面Ｆ１を使用面（成膜面）とした。使用面は、成膜処理時（気相反応熱処理時）に改質を受ける膜が形成されるガラス基板の主面である。フロート成形のトップ面とボトム面とでは欠陥の生成頻度がトップ面の方が少ないため、通常、トップ面を使用面に設定することが多い。ただし、トップ面及びボトム面のいずれを使用面に設定するかは任意である。トップ面は、フロートバス１１において溶融錫１３に接触していなかった主面であり、ボトム面は、溶融錫１３に接触していた主面である（図４（ａ）参照）。

本実施例では、第１姿勢及び第２姿勢の双方において、撓みの正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下であった。ただし、第１姿勢あるいは第２姿勢のいずれか一方において、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下であってもよい。この場合は、予め、成膜処理時（熱処理時）の不可避な外力が特定の方向に発生することが分かっている場合が好ましい。不可避な外力の方向に、正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下になる方の面を対応させてガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０に成膜処理を施す。例えば、第１姿勢での正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下の場合は、不可避な外力（個々の加熱炉に固有の外力）が、第１主面Ｆ１側（使用面側）から第２主面Ｆ２側（非使用面側）に向かうように、複数のガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０を配置する。

なお、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０には、各々、第１主面及び第２主面を判別するための目印を設けても良い。例えば、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の角部のいずれか１箇所以上を面取り加工する等して、他の角部とは異なる形状にとすることで、主面を判別可能として良い。また、一方主面を部分的に加工や成膜し、各主面に所定の光源を当てた際の反射光に基づき、第１主面及び第２主面を判別可能としても良い。

本実施例では、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０は、フロート法により成形され、歪点が５７０℃以上であり、アルカリ金属を含有するアルミノシリケートガラス（アルミノケイ酸ガラス）である。各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の形状は、短辺ＳＳが７００ｍｍ以上の矩形状である。各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の厚さｔは、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。

本実施例では、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０は、フロートバス１１において溶融ガラスをガラスリボン９に成形する処理に連続する徐冷処理を経ている。ただし、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０は、各ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０がガラスリボン９から矩形の面形状に切り出された後に、切り出された状態で再加熱及び徐冷処理を受けていない。従って、ガラス基板Ａ−１〜Ａ−２０の撓みの正規化標準偏差Ｎσが０．２×１０^-12以下に維持される。

なお、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば、以下のような変形も可能である。

（１）実施形態１〜実施形態３及び実施例では、撓みのばらつきが小さいと判定する際の規定値が、０．２×１０^-12である例を挙げた。ただし、規定値は、この例に限定されず、実験的及び／又は経験的に定めることができる。

（２）実施形態１〜実施形態３及び実施例では、撓みのばらつきを判定するための指標として、正規化標準偏差Ｎσを例に挙げた。ただし、指標は、正規化標準偏差Ｎσに限定されず、例えば、標準偏差σであってもよい。

（３）式（１）において、正規化標準偏差Ｎσは、標準偏差σを含む。標準偏差σは、例えば、標準偏差σ_n-1又は標準偏差σ_nである。標準偏差σ_nは、偏差の二乗の和を母集団の数ｎで除した値の正の平方根として求められる。標準偏差σ_n-1は、偏差の二乗の和を（ｎ−１）で除した値の正の平方根として求められる。実施例（図８）では、正規化標準偏差Ｎσは、標準偏差σ_nに基づき算出された。

（４）図２では、支持部材５により短辺ＳＳを支持し、短辺ＳＳが水平になるようにガラス基板３を配置した。ただし、支持部材５によりガラス基板３の長辺ＬＳを支持し、長辺ＬＳが水平になるようにガラス基板３を配置してもよい。この場合は、式（２）において、長辺ＬＳの長さＬに代えて、短辺ＳＳの長さＷを用いる。例えば、複数のガラス基板３が基準姿勢で処理される際に、短辺ＳＳが水平に支持される場合は、撓みの計測時においても、短辺ＳＳを水平に支持する。例えば、複数のガラス基板３が基準姿勢で処理される際に、長辺ＬＳが水平に支持される場合は、撓みの計測時においても、長辺ＬＳを水平に支持する。

（５）実施形態１〜実施形態３及び実施例では、ガラス基板群１を例に挙げた。

本発明は、撓みのばらつきが最終生産物の品質に影響するようなガラス基板を製造、使用する分野に利用可能である。

１ ガラス基板群
３ ガラス基板
５ 支持部材
７ レーザ測位計
８ 撓み計測装置
９ ガラスリボン
１０ 製造装置
１１ フロートバス
１２ 搬送方向
１３ 溶融錫
１４ 幅方向
１５ リフトアウト部
１７ ローラ
１９（１９ａ） ヒータ群
２０（２０ａ） 搬送経路
２１ 徐冷炉（レア）
２３Ｒ 外側右端部
２３Ｌ 外側左端部
２５Ｒ 内側右端部
２５Ｌ 内側左端部
２７ 中央部
２９Ｒ 右端部
２９Ｌ 左端部
３１ 側面
ＬＳ 長辺
ＳＳ 短辺
Ｌ 長辺の長さ
Ｗ 短辺の長さ
ｔ 厚さ
θ 所定角度
ａ 距離（撓みの量）
Ｆ１ 第１主面
Ｆ２ 第２主面
Ｖ 区間

Claims (6)

1. ガラスリボンからガラス基板を製造する方法であって、
   フロートバスにて溶融ガラスを前記ガラスリボンに成形する工程と、
   前記フロートバスの出口よりも下流側から徐冷炉内までの区間で、前記ガラスリボンの両側面に垂直な方向に沿って前記ガラスリボンの中央部から前記両側面に向かって温度が高くなるように、前記ガラスリボンの温度を制御する制御工程と
   を含み、
   前記ガラス基板は、矩形状であり、かつ、アルミノシリケートガラスからなり、
   前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの前記区間は、ガラスリボンの粘度が１０^11.5ｄＰａ・ｓ以上１０^14.5ｄＰａ・ｓ以下に相当する区間であることを特徴とする、ガラス基板製造方法。
2. 前記制御工程は、
   前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの前記区間で、前記ガラスリボンの前記中央部の平均温度が、前記ガラスリボンの前記中央部を挟む両端部のうち一方端部の平均温度及び他方端部の平均温度の各々より低くなるように、前記ガラスリボンの前記中央部、前記一方端部、及び前記他方端部の温度を制御する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載のガラス基板製造方法。
3. 前記ガラスリボンの前記一方端部は、第１端部及び前記第１端部より前記中央部から離れた第２端部を含み、
   前記ガラスリボンの前記他方端部は、第３端部及び前記第３端部より前記中央部から離れた第４端部を含み、
   前記制御工程は、
   前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの前記区間で、前記第２端部の平均温度が、前記第１端部及び前記第２端部の平均温度より高くなるように、前記第１端部及び前記第２端部の温度を制御する工程と、
   前記フロートバスの出口よりも下流側から前記徐冷炉内までの前記区間で、前記第４端部の平均温度が、前記第３端部及び前記第４端部の平均温度より高くなるように、前記第３端部及び前記第４端部の温度を制御する工程と
   を含むことを特徴とする、請求項２に記載のガラス基板製造方法。
4. 前記制御工程では、前記ガラスリボンの前記両側面に垂直な前記方向に沿った位置Ｐ_R、位置Ｐ_R2、位置Ｐ_L、及び位置Ｐ_L2、前記方向に沿った距離Ｐ_RＰ_R2、距離Ｐ_LＰ_L2、及び距離Ｐ_RＰ_L、並びに、平均温度Ｔ_R-R2、平均温度Ｔ_R2-L2、及び平均温度Ｔ_L-L2に基づく式（１）、式（２）、式（３）、及び式（４）を満たす第１温度制御を実行し、
   前記ガラスリボンは、前記中央部と、前記中央部を挟む両端部とを有し、前記両端部は、一方端部と他方端部とを有し、
   前記位置Ｐ_Rは、前記一方端部の両端のうち前記ガラスリボンの中央位置Ｐ_Cから遠い端であり、
   前記位置Ｐ_R2は、前記一方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cに近い端であり、
   前記位置Ｐ_Lは、前記他方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cから遠い端であり、
   前記位置Ｐ_L2は、前記他方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cに近い端であり、
   前記距離Ｐ_RＰ_R2は、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R2との間の距離であり、
   前記距離Ｐ_LＰ_L2は、前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L2との間の距離であり、
   前記距離Ｐ_RＰ_Lは、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_Lとの間の距離であり、
   前記平均温度Ｔ_R-R2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R2との間の平均温度であり、
   前記平均温度Ｔ_R2-L2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_R2と前記位置Ｐ_L2との間の平均温度であり、
   前記平均温度Ｔ_L-L2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L2との間の平均温度である、請求項１に記載のガラス基板製造方法。
   ０．７≦Ｐ_RＰ_R2／Ｐ_LＰ_L2≦１．３ （１）
   （Ｐ_LＰ_L2＋Ｐ_RＰ_R2）／Ｐ_RＰ_L＞０．２ （２）
   Ｔ_R-R2＞Ｔ_R2-L2 （３）
   Ｔ_L-L2＞Ｔ_R2-L2 （４）
5. 前記制御工程では、前記ガラスリボンの前記両側面に垂直な前記方向に沿った位置Ｐ_R、位置Ｐ_R2、位置Ｐ_L、及び位置Ｐ_L2、前記方向に沿った距離Ｐ_RＰ_R2、距離Ｐ_LＰ_L2、及び距離Ｐ_RＰ_L、並びに、平均温度Ｔ_R-R2、平均温度Ｔ_R2-L2、及び平均温度Ｔ_L-L2に基づく式（１）、式（２）、式（３）、及び式（４）を満たす第２温度制御を実行し、
   前記ガラスリボンは、前記中央部と、前記中央部を挟む両端部とを有し、前記両端部は、一方端部と他方端部とを有し、
   前記位置Ｐ_Rは、前記一方端部の両端のうち前記ガラスリボンの中央位置Ｐ_Cから遠い端であり、
   前記位置Ｐ_R2は、前記一方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cに近い端であり、
   前記位置Ｐ_Lは、前記他方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cから遠い端であり、
   前記位置Ｐ_L2は、前記他方端部の両端のうち前記中央位置Ｐ_Cに近い端であり、
   前記距離Ｐ_RＰ_R2は、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R2との間の距離であり、
   前記距離Ｐ_LＰ_L2は、前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L2との間の距離であり、
   前記距離Ｐ_RＰ_Lは、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_Lとの間の距離であり、
   前記平均温度Ｔ_R-R2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R2との間の平均温度であり、
   前記平均温度Ｔ_R2-L2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_R2と前記位置Ｐ_L2との間の平均温度であり、
   前記平均温度Ｔ_L-L2は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L2との間の平均温度である、請求項１に記載のガラス基板製造方法。
   ０．７≦Ｐ_RＰ_R2／Ｐ_LＰ_L2≦１．３ （１）
   （Ｐ_LＰ_L2＋Ｐ_RＰ_R2）／Ｐ_RＰ_L＞０．４ （２）
   Ｔ_R-R2＞Ｔ_R2-L2 （３）
   Ｔ_L-L2＞Ｔ_R2-L2 （４）
6. 前記制御工程では、前記平均温度Ｔ_R-R2及び前記平均温度Ｔ_L-L2、前記方向に沿った位置Ｐ_R1及び位置Ｐ_L1、前記方向に沿った距離Ｐ_RＰ_R1及び距離Ｐ_LＰ_L1、並びに、平均温度Ｔ_R-R1及び平均温度Ｔ_L-L1に基づく式（５）、式（６）、及び式（７）を満たす第３温度制御を実行し、
   前記位置Ｐ_R1は、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R2との間の位置であり、
   前記位置Ｐ_L1は、前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L2との間の位置であり、
   前記距離Ｐ_RＰ_R1は、前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R1との間の距離であり、
   前記距離Ｐ_LＰ_L1は、前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L1との間の距離であり、
   前記平均温度Ｔ_R-R1は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Rと前記位置Ｐ_R1との間の平均温度であり、
   前記平均温度Ｔ_L-L1は、前記方向に沿った前記位置Ｐ_Lと前記位置Ｐ_L1との間の平均温度である、請求項４又は請求項５に記載のガラス基板製造方法。
   ０．７≦Ｐ_RＰ_R1／Ｐ_LＰ_L1≦１．３ （５）
   Ｔ_R-R1＞Ｔ_R-R2 （６）
   Ｔ_L-L1＞Ｔ_L-L2 （７）

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