TW506116B - Method of driving self-scanning type light emitting device array - Google Patents

Description

506116 五、發明說明（1) 技術領i 本發明係有關自掃描型發生元件陣列之驅動方法，尤其 是關於使用3端子發光閘流體之自掃描型發光元件陣列之 驅動方法。 背景技独f 將多數個發光元件集成於同一基板上之發光元件陣列與 其驅動手IC組合，用來作為光列印機等之寫入用光源。本 發明人等前曾注意到具有發光元件陣列構成要件之PNPN構 造之3端子發光閘流體，就可實現發光點之自掃描者（曰本 專利特開平1 -238962號公報、特開平2-1 4584號公報、特 開平2-92650號公報、特開平2-926 5 1號公報），其顯示， 就光列印機用光源而言，安裝上簡便，可縮窄發光元件間 距’可製作小型發光元件陣列。 本發明人等進一步提議以傳送元件陣列作為傳送部，與 發光元件陣列構成之發光部分離之構造之自掃描型發光元 件陣列（日本專利特開平2 —263668號）。 圖1顯示傳送部1 〇 -1與發光部丨〇 - 2分離類型之雙相（時鐘 脈波01、0 2 )驅動之二極體耦合方式之自掃描型發光元 件陣列b曰片1 〇 ’以及驅動傳送部和發光部之驅動電路4 〇。 傳送部10-1由傳送元件t、τ2、Τ3· . ·、二極體D、負荷電

阻、R2、R3· · ·構成。發光部1〇一2由發光元件LkL • ··構成。傳送元件及發光元件分別由3端子發光閘流體構 成。 傳送部1 0 -1進一步具備0 1線J J、必2線J 2及電源線

506116 五、發明說明（2)

(VGK ) 1 4 ’ 0 1線1 1經由設於晶片内之電流限制用電阻3 1連 接於0 1端子2 1，0 2線1 2經由設於晶片内之電流限制用電 阻32連接於02端子22，VGK線14連接於VGK端子24。傳送元 件之閘極經由電流限制用電阻3 3連接於啟動脈波（φ ) 端子23。 S 發光部10-2具備寫入信號（01)線15，01線15連接於 端子25。 1 驅動電路40具備分別由PMOS電晶體（正常導通）51和麗⑽ 電晶體（正常斷開）52構成之四個CMOS反相器50-1、50_2、 5 0-3、5 0-5。此等CMOS反相器之Η位準端子全部連接於共 通之+ 5V電源線（或+ 5V電源）48。 、/' 驅動電路40具有01用輸入端子41、用輸入端子42 、0S用輸入端子43以及0丨用輸入端子45。 電流限制用電阻35以外接於晶片之形式設在驅動電路4〇 之C Μ 0 S反相恭5 0 - 5與自掃描型發光元件陣列晶片1 〇之間。 圖1所示自掃描型發光元件陣列之傳送部1〇 —丨之動作曰電 壓須最低在2 VD以上（VD係發光閘流體内ρΝ接合之順向” 壓）。在ΡΝΡΝ構造之材料為GaAs(砷化鎵）的情況下]ν均 為1 · 5 V，因此，傳送部之最小動作電壓為3 ν。實際上D，= 5V程度之單-電源使自掃描型發光元件陣列動作y俾^ 不致於因寄生電阻、雜訊而不穩定。 由於圖1所示習知自掃描型發光元件陣列若使 源電壓，發光部10-2之發光閘流體之接通電壓 接合之順向電壓\(1.5乂），故外接電阻35會造成35馬

\\312\2d-code\90-09\90108263.ptd 506116 五、發明說明（3) ' '一"' - (1-1· 5)v之電壓降。此時，流過發光部之電流若為1〇mA (時間平均值），電阻35消耗之電力即為35mW。另一方面， 叙光邠/肖耗之電力為〗5mW。其次，排列複數個自掃描型發 光兀=陣列晶片製作光寫頭時，例如，排列6 0個晶片製作 寫頭4，點亮各晶片上每一個發光元件時消耗之電力變成 50mWx 60 = 3W。由於此電力消耗造成發熱，故自掃描 光元件陣列晶片之、、西译 曰 &女欲止-L I ’又 π供夕网度升，有發先凡件之發光效率會 U?點。同時，由於光寫頭之安置場所是狹窄、排 影：列印機内之溫度容…’會影響到電 察光元件陣列晶片之溫度上昇對影像之影響經 (1) 印刷包含格子線之圖表後不久，一 麼薄的圈拟，斜虛故2 M . p W像網膜版那

m涛的圖％，對應格子線之部份即會變白望I 晝夤劣化。其原因在於，因袼子線印刷而曰/ 又 定二度分佈，晴之發光元件之發光效率；=生特 (2) 又，開始印刷時，寫頭之溫度雖低， - 列印機内之溫度變徐徐上昇，故寫頭之 丨由於寫頭、 別是，於印刷開始初期，有此變動大之門^出會變動。特 (3) 進一步在圖！所示相鄰發光元件可J: : °

描型發光元件陣列情況下，由於溫声上b、足之構造之自掃 元件而變化，故有影像濃度會隨^ ^形=隨著僅點亮鄰接 (4) 又由於晶片兩端之發光元件中0敎欠化之問題點。 晶片中央之一半’故熱阻抗昇高。社、、、、失部份之體積為 、'·°果，即使是相同電力

5U6110 五、發明說明（4) ^失曰曰片兩端之發光元件之溫上 光兀件之溫度上罝夕9垃门 汁取馬日日片甲央之發 下之問題點。 "。因此，有晶片兩端之光輸出低 、兄;，傕ί，題點，固然有人提議在發光元件不點燈情 公報等），帷特開平8_264838號公報、特開平1卜1 70596號 由於電力洁紅此Λ法雖可對付前述（1)情況之影像劣化，卻 产上昇繳/人平常全部發光元件之點燈相同，故寫頭溫 二 t 。由於在一般彩色印刷情況下，點亮之發光元 :二^頭it以下’故以平常全部發光元件點燈為前提 ^ w，、效率。復無法應付前述（2)情況之初期溫度 ^ ΐ初期溫度欒化劇烈時期，固然亦有人提議不進行 Ρ刷之方法（日本專利特開平1〇 —1 1 9349號公報、特開平 1 0-235936號公報），惟其僅能應付前述（2)之情況。並且 ，寫頭之溫度變化亦因影像之圖形而不同，未加以校正。 另外亦有人&巍以點燈時間彌補發光元件之光輸出之方法 (日本專利特開平9_3 1 1 664號公報），惟其電路複雜。4 發明之揭示 本發明之目的在於提供一種可減少寫入電流限制用外接 電阻造成之電力損失，縮小光寫頭之昇溫之自掃描型發光 元件陣列之驅動方法。 本發明之另一目的在於提供一種光輸出之溫度依存性 小，亦即光輸出之溫度係數小之自掃描型發光元件陣列之

第7頁 五、發明說明（5) 驅動方法。 本發明第1能；i ^ 法，其係具“第描型發光元件陣収 值電壓或臨限值電流在將排列多數個具有控制臨限 轉換元件陣列之鄰：傳心:極之3端子傳送元件之3端子 使用第2電性機構將電源兀之控制電極相互連接’同時 極，並且將時鐘線連妾於各轉換元件之控制電 成之轉換元件陣列’ =傳送元件殘剩之2端子之一形 或臨限值電流之控制 4列多數個具有控制臨限值電壓 列’對應、連接前述發光：：陵子發光元件之發光元件陣 元件之控制f極，^ ί二件P車列之控制電極與前述傳送 一之寫入信號線者了特各發光元件殘剩之2端子之 阻施加於前述寫入’藉著使經由«流限制用電 準差小於施加於前^ ^寫入信號用脈波電® U-H位 差，減少前述電流限用脈波電壓之Η位準 本發明第2態樣為一籍白電斤之電力消耗。 法，其係具備藉第‘’丨=知描型發光元件陣列之驅動方 值電壓或臨限值構將排列多數個具有控制臨限 元件陣列之鄰接傳^元之3端子傳送元件之3端子傳送 2電性機構將電泝唆凉 閘極相互連接，同時，使用第 鐘線連接於各傳傳送元件之閑極，並且將時 及排列多數個具有而形成之傳送元件陣列，以 3端子發光元件之發值電壓或臨限值電流之閑極之 之閑極與前述傳送又元件7^之件門陣枉列’連接前述發光元件陣列 评之閘極，設置施加電流於各發光元 第8頁 \\312\2d-code\90-09\90108263.ptd 發明說明（6) :::極之寫入信號線者，特徵在於，在自定電壓電源經 甶電流限制用雷p且肖E1 4 # 電壓源之雷m / 則述寫入信號線之際，選擇前述定 :!流時光輸出之溫度係數相抵。尾 - 施形 从 >下根據實施例說明本發明之實施形態。 C λ施例1) 之ί I穩ί作動1掃描型發光元件陣列之傳送部，傳送部 、電壓須留有較最低電壓之2VD充份之裕度。另一方 為了使發光部在傳送部導通狀態下導通、作動，可 略大於最低電壓\之動作電壓穩定點燈。 曰 因此，藉由將驅動電路内控制發光部之電路之H — L(高 位準差設定成較控制傳送部之電路— L位準差低， 厂夕外接於晶片之寫入電流限制用電阻之耗電，抑低 之溫度上昇。 …’頌 圖2係本發明實施例丨之自掃描型發光元件陣列之等效 路圖。經由外接於發光元件晶片1〇之&端子25之電阻Μ 連接之CMOS(互補金氧半導體）反相器5〇-5之高位準端子 接於獨立於+ 5V電源（或+ 5V電源）外之+ 2V電源線（或+ 2V電 源）。由於其他構造與圖1相同，故以相同元件編 同構成元件。 不相 电阻db之電壓降即達到〇· 5V程度 電阻35所耗電力在流過電阻35之電流1〇mA(毫安）下，"·自 35mW(毫瓦）減至5mW，亦即減為1/7。因此，寫頭所耗電力

使用+2V電源線 506116 五、發明說明（7) 成為電阻3 5所耗電力與發光部 2〇mf，可將寫頭所耗電力大〜力總合之5mW + 15mW = (實施例2) 、、、’减為2/5。 實施例1根據電阻3 5兩端之電位# 之電流值。本實施例則使用定 釆決定流至發光元件 件之電流值。圖3顯示本實施例之”L電路路。來決定流至發光元 於此顯示使用PNP電晶體6 〇之定電沪雷 閘極經由電阻61連接於φ用輸 。此電晶體之 1圖1曰相同，故以相同元件編號標示相同構成元件。 右電晶體60之射極三電壓v兔9 R ，雷日ώ电&，電阻61之電阻值為 4雷二Λ 間之電壓為Vbe，電晶體60之基 〇 Μ ，、、、 E be)/rb。若ΙΕ 為射極電流，（Ve-Vbe)/Rb 即等 η _ΛΕ。 為電流放大率，其通常為〇. 95〜 方面’集極電流1c為Ic=alE，其有助於發 先°P1〇_2之發光。例如，若a=0.95，&RB = 20kQ ,集極 電流 Ic 即為 Ka/di)) . (VVbe)/Rb = 19x (2_〇6)χ 2 χ 104 与 13mA。 由於以「電晶體之射極.集極間之電位差」x 「集極電 流（与射極電流）」表示之電力為電晶體70所消耗，故 射極電遷可降低電晶體70所耗電力。 本實施例固然使用電晶體作為簡單例子，惟不管使用哪 一種定電流電路，就「電源線49與端子25間之電位差」X 「流至其間之電流」所表示之消耗電力一點而言，均與電 第10頁 \\312\2d-code\90-09\90108263.ptd 丄丄u 五、發明說明（8) 晶體相同，可預湘古^ (實施例3) ”相同效果。 貫施例1及2固缺竹士、你， 4顯示傳送部與發光成專一送部與啦光^刀開之構造，惟圖 與發光部不分離；型之二體構造之例二。圖4顯示傳送部 描型發光元件陣列曰H Μ * 版祸口方式之自知 發光元件陣列曰H 以及其驅動電路70。自掃描型 心尤兀什I早列晶片65由

及負荷電阻心、R 、R 丄& 2 3 · · · ·、二極體D 流體構成。 3···構成。^元件由3端子發光閘 晶片65進一步具備01_ 1 4，¢/) 1線1 1 i車垃认/ ·· 久电源（VGK )線 _ 連接於01端子21，P線12連接於02浐早 22，^線14連接於Vgk端子24。於.钱於^而子 制用雷nm if Γ子24叙先兀件Li之閘極經電流限 制用電阻33連接於啟動脈波（0S)端子23。 驅動電路7 〇各具備用办 二備用末鈿加雙相時鐘脈波0丨、0 2於0 1¼子21、02鈿子22之CMOS反相器50J、5〇_2，以及用來 施加啟動脈波t於^端子23之CMOS反相器50_3。 復且’此驅動電路7〇為了施加發光用脈波電壓（寫入信 ίϋΐΛί1端子21及02端子22，具備P騰（P道金屬氧 化物半導體）電晶體53與電流限制用電阻36之串聯電路， 以及PM0S電晶體54與電流限制用電阻37之串聯電路54。並 且、，此等PM0S電晶體53、54之Η位準端子連接於+ 2V電源線 (或+ 2V電源)72。電阻36、37設於驅動電路7〇内，此等電 阻相當於圖2之電流限制用電阻35…相當於圖2中電流 限制用電阻31、32(設於晶片内）之電阻38、39設於驅動電

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五、發明說明（9) 路70内。 以 於圖4中，46、_47分別為01用輪入端子。且其顯示 相同元件編號標示與圖2相同之構成元件 、/' 根據本實施例，在藉時鐘脈波01或導 時，對應之PM0S電晶體53或54導通 V t七光兀件 守通，經由電阻36或37，蔣 寫入信號供至端子21或22。於此情況，由於使㈣/電 源’故如同實施例1 ’可減輕電阻36、3電 而，抑低寫頭之昇溫。 4貝夭伙 (實施例4 ) 以下實施例就光輸出之溫度依存性小，亦即 度係數小之自掃描型發光元件陣列予以性明。 狐 PNM構造之3端子發光閘流體導通時，5電 係數為負。因此，在經由外接定雷厭％ /凰度 1受疋^ ^源之電阻驅動發光部 之發光閘流體情況，發光閘流體之溫度一昇高，陽極電壓 即下降，夕卜接電阻之電麼降增高，供至發光閘流體之電流 增加。根據本發明，利用此特性，彌補發光閘流體之發光 效率之低下。因此，藉使「電阻之電壓降」之溫度係數， 亦即電流之溫度係數相抵定電流之光輸出溫度係數之電源 電壓驅動發光閘流體。如此，根據本發明，由於陽極電壓 與光輸出隨溫度變化而互補，故可將溫度分佈之影響降至 最小限度。亦即，本發明之要點在於，於電壓源+外接電 阻之組合中，若藉由設定適當電源電壓，使電流之溫度係 數與定電流之光輸出之溫度係數相抵，即可消除對光輸出 之影響。 506116 五、發明說明（10) 兹考慮如圖5所示，獨立於供至轉換部1 〇 -1之時鐘脈波 之外決定供至發光部1 〇 - 2之寫入信號之Η位準之驅動電路 80。亦即，於驅動電路8〇中，經由電流限制用電阻35連接 於自掃描型發光元件陣列晶片1〇之心端子25 iCM〇s反相 器50-5之Η位準端子連接於獨立於+5v電源線（或+ 5V電源） 之VD電源線（或vG電源）。由於圖5之其他構造與圖1相同， 故以相同元件編號標示相同構成元件。 在發光部1 0 - 2藉電壓VG定電壓驅動時，流至發光部之電 ，1、之h (定電流）附近之溫度係數E在發光閘流體之陽極電 壓為VA，陽極電壓vA之溫度係數為b情況下， E = B/(V0-VA)。 一般說來，發光閘流體之光輸出L ( # f)在溫度恆定情況 下，由電流i(mA)決定，以光輸出L = Ci—D來表示。惟，^、 D為C = l〇，D = 30之常數。 由於光輸出L相對於定電流iQ附近之電流之變化率為。 〇/(CiD-D)，故光輸出相對於陽極電壓^變化之光輸出[之 溫度係數<9於室溫下陽極電壓為Vaq時，成為： 0=[B/(VO-VAO)] X [Ci0/(Ci0-D)] (i) 若溫度係數Θ與定電流時光輸出L之溫度係數A相抵，溫度 變化下光輸出之變化即成為〇。因此，於（1)式中，若Θ =-A，就VG-VA 求解， V。VA — BxCi〇/[(Ci。-D)xA] (2) 茲評估圖5之自掃描型發光元件陣列之溫度特性，於 1〇 = 1〇ιηΑ定電流驅動時，光輸出之溫度係數八為_〇5%/。〇。

506116 五、發明說明（11) 又，1 OmA電流流過時，室溫下發光元件之陽極電壓vA在室 溫下為1.5V( = VA。），陽極電壓vA之溫度係數B為-1.5mV/ 〇C。 將此值代入（2 )式中，即成為， V〇-VA = -〇. 0015 X 10x l〇/[(i〇x l〇-30)x (-0.00 5 )]

=0.4286V 因此’若是VD = 1 · 9286V之電源電壓，溫度變化下光輸出之 變化即成為0。 由於此時電流限制用電阻35使用丨〇mA電流就可造成 0· 4286V之電壓降，故其電阻值r為〇· 4286/〇. 〇1=42· 8 Ω。 (實施例5 ) 實施例4之VG-VA值頂多不過是〇· 5V那麼低，故不易構成 驅動電路。為求容易構成驅動電路，須加大v。值。 根據本申請案之發明人所作實驗可知，在變化發光閘流 體之陽極層之載流子濃度情況下，載流子濃度越低，陽極 電，vA越大，從而，陽極電壓、之溫度係數越大。圖6顯 不貫驗結果之例子。此結果經察原因如次。 (^)陽極電£VA係PN接合之順向電壓\與寄生電阻Rp之電 f2和。因A，若增加陽極層之寄生電阻值，陽極電壓 即根據寄生電阻值之增大，只增大電壓降份。 ⑺半導體層之電阻值之溫度係數為負，數值變得 很大 (3 )半導體層之電阻值低時 電壓VD之溫度係數發生作用， ’固然主要是p N接合之順向 惟若寄生電阻值變大，即無

506116 五、發明說明（12) 法忽視寄生電阻之溫度係數。 :=驗固然變化發光閘流體之陽極層之载流子濃度， Ϊ 2:人確定：即使變化陰極層或基板之載流子濃 度’寄生電阻值亦變大而有相同效果。 於圖6之圖表中’在陽極層之载流子濃度為“ ι〇ΐ6/ι〇3 f月況下，陽極電壓vA之溫度係數為_7mV/1。在 ^陽極層之發光閘流體作為發光元件之自掃描型發光、元 件陣列晶月於與圖5相同之電路情況下，由式 V動=:。電源請。為3.”…，較實施例4容易構成驅 (實施例6 ) 實施例5藉由調整寄生電阻之值，調整陽極電之溫 J係數。不過由於寄生電阻、順向電壓v，決於外A延構皿 =::二製:呈中無法控制。目此，可積極地將電阻裝入發 奄先7G件陣列之等效電路。其他構造與圖5相同。 電阻62使用發光閘流體之N閘極層（薄膜電阻為225 )形成電阻值為56· 25 Ω者。又，若調整此電阻之溫度係 數，即為-2%/它。因此，10mA電流流過時 二數成=Ωχ(，)χ1 …125mv/:= 其上，最終之陽極電料之溫度係 數成為-12.25mV/ C。由式（2)，v〇_Va = 3 5v， 實現不受溫度影響之晶片。 D · 了 第15頁 \\312\2d-code\90-09\90108263.ptd 506116 五、發明說明（13) (實施例7 ) 實施例6於各發光元件各設—個電阻。藉此，可分別將 各發光7G件之溫度之影響反映於陽極電壓\之溫度係數。 =過’於此情況，由於自掃描型發光元件陣列之電路配置 :雜’故本實施例僅插一個電阻於0丨線15。圖8顯示連接 電阻63於A線1 5情況之自掃描型發光元件陣列之等效 路。其他構造與圖5相同。 =過’於此情況下’只能解決晶片之溫度所造前 之2況。若電阻63使用與實施例6之電阻62相同之值 可貫現仍然％ = ，不受溫度影響之晶片。 以上固然根據較佳實施例說明本發明，惟本技蓺人 知’於本發明範圍内’可作種種變形 ：： 【尤發光閑流體之陰極共通接地之例子說明，J = η:源電壓之極性’適用於發光閉流 ：： 接地之自掃描型發光元件陣列。 從/、通 Α業上可利用枓 如；=月，根據本發明，於自掃描型發光元件陣列 中’可減夕寫入^號用之電流限制用電阻造成之 耗，縮小光寫頭之昇溫。又，根據本發明， 2 型發光兀件陣列中，依照發光元件之溫㈣自知描 償陽極電麼和光輸出，故可減小光輸=度=化、補 元件編號之說明 又你数。 10 ' 65 自掃描型發光元件陣列晶片 傳送部 506116 五、發明說明（14) 10-2 11 12 14 15 21 22 23 24 25 3卜32〜33 35^36^37^38^ 39 40 41 42 43 45 、 46 ' 47 4 8 49 50-1 、 50-2 、 50-3 、 50 53、54 60 61 70 ^ 80 發光部 0 1線 0 2線 電源線 寫入信號（4 f)線 0 1端子 φ 2端子 啟動脈波（0 s )端子 Va端子 0 I端子 電流限制用電阻 電阻 驅動電路 Φ 1用輸入端子 0 2用輸入端子 0s用輸入端子 0 j用輸入端子 + 5 V電源線 + 2V電源線 - 5 C Μ 0 S反相器 PMOS電晶體 ΡΝΡ電晶體 電阻 驅動電路

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圖1係轉換部與發光部分離類型之自掃描型發 令發#雨μ _ χ 兀件陣 圖2係本發明實施例1之自掃描型發光元件陣列之 圖。 寻政電 圖3係本發明實施例2之自掃描型發光元件陣列之 r^t 电 圖4係本發明實施例3之自掃描型發光元件陣列之等效電 路圖。 圖5係本發明實施例4之自掃描型發光元件陣列之等效電 路圖。 圖6係|員示陽極層之載流子濃度與陽極電壓之溫度係數 之關係之實驗結果圖。 圖7係本發明實施例5之自掃描型發光元件陣列之等效電 路圖。 圖8係本發明實施例6之自掃描型發光元件陣列之等效電 路圖。

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Claims (1)

1. 91. 7. 16 修正本 修正 -^^90108263 '、T唷寻利範圍 1. 一種自掃描型 1電性機構將排列“;I70件陣列之驅動方法，係具備藉第 控制電極之3端子具有控制臨限值或臨限值電流之 送元件之控制而電極相达元件之3端子傳送元件陣列之鄰接傳 電源線連接於各僂、、，連接，同時，使用第2電性機構將 各傳送元件之殘剩2^/°件之控制電極，並且連接時鐘線於 及排列多數個且有而之—而形成之傳送元件陣列，以 極之3端子發光元件限值電壓或臨限值電流之控制電 元件陣列之控制電極與件陣列，對應連接前述發光 接於各發光元件之殘乘^ 达兀件之控制電極，設置連 徵在於·· 而之一之寫入信號線者，其特 位準差，減少前述電流限二-電:之^ 2· —種自掃描型發光元 之電力消耗。 電性機構將排列多數個且 f,驅動方法，係由藉第1 之控制電極相互連接，^护^制臨，值電壓或臨限值電流 光元件之控制電極，並且^垃，=第2電性機構連接各發 2端子之一而形成之發光元件^時鐘据線於各發光元件之殘剩 陣列者，其特徵在於： 彳構成自掃描型發光元件 藉由使經由電流限制用電 號用脈波電壓iL-H位準莫,也°於前述時鐘線之寫入信 用脈波電壓之L-H位準差，減乂 ι °於前述時鐘線之傳送 力損失。 /夕則述電流限制用電阻之電 90108263.ptc 第19頁 11 p06116 ___MM %m?m 修正 曰 六、申請專利範圍 3. 一種自掃描型發光元件陣列之 y 電性機構將排列多數個具有控 1 ’’係具備藉第 流之間極之3端子傳送元件之3端子=值電壓或臨限值電 送元件之閘極相互連接，同時ϋ件陣列之鄰接傳 源線於各傳送元件之閉#，^電性機構連接電 之陽極而形成之傳送元件陣列，J 各傳送元件 臨限值電壓或臨限值電流之f排列夕數個具有控制 元件陣列，設有連：：： ：之3端子發光元件之發光 極’施加電流於各發光元件二 專仫兀件之閘 徵在於: 谷以兀件之以極之寫入信號線者，其特 之ΐ自^源經由電流限制用電阻驅動前述寫入㈣線 之際4擇珂述定電壓源之電壓唬線 電定電流時光輸出之件之 電性機構將排列多數個具有控制臨限= ;:::3連端接子”，件3 = 用第2電性機構連接電源線於各 t 及排列多數個具有控制臨限值電壓咬 =值電流之閘極之3端子發光元件之發光元件陣列“ 具備連接前述發光元件陣列之開極與前述傳送元之 極’施加電流於各發光元件之陽極之寫入信號線. 閘 降低前述發光元件之陽極層、陰極層或2 2之載 度，增大發光元件之寄生電阻值。 土板之载-子艰 5. —種自掃描型發光元件陣列之驅動方法，係具備藉第

   90108263.ptc 第20頁 六、_請專利範圍 1電性機構將排列多數個具 流之閘極之3端子傳送元件3 #工早^限_值電壓或臨限值電 元件之閘極連#，同時，使而 运70件陣列之鄰接傳送 ^ t f, 3 # ^ # & 具備連接前述發光元件陣列 x 車列， 極’施加電流於各發光元件之陽極之二件之間 牛：：述务光元件之陽極層、陰極 子 度二發光元件之寄生電阻值，其特徵在於：載… 選擇前述定電壓源之電壓，俾供；；== 電机j溫度係數與定電流時光輸出之溫度係數相=。 6二種自掃描型發光元件陣列’其特徵在於. t ^ ^ ^ # ,ι ^ ^ ^ # ^ φι ^ t M ^ ^ 之閘極之3端子傳送元件之3端子傳送元件陣列之鄰 = :件之閘極巧互連接’同時’使用第2電性機構將電源、 、接於各傳送元件之閘極，並且連接時鐘線於各傳送元” 之陽極而形成之傳送元件陣列，卩及排列多數個且有： 臨限值電壓或臨限值電流之閘極之3端子發 件之有^制 元件陣列； 1干（啦先 具備連接前述發光元件陣列之閘極與前述傳送元件之 極，施加電流於各發光元件之陽極之寫入信號線，以二 別串聯設於前述各發光元件之電流限制用電阻。 刀 7. —種自掃描型發光元件陣列之驅動方法，係具備藉第 流之閉極構之::::數個：有控制臨限值電麼或臨限值電 送元件之閉極相子Λτ Λ :傳送元件陣列之鄰接鴻 件之陽極3:::;間：随並且連接時鐘線於各傳送元 制臨限值電；^ # 件^ ’以及排列多數個具有控 光元件以軸限值電流之閘極之3端子發光元件之發 具備連接前述發光元件陣 極，施加電流於各發光元#$陽」1:别述傳送兀件之閘 別串聯設於前述ί 之寫入信號線’以及分 於： 述各毛先70件之電流限制用電阻，其特徵在 自疋電屢源經由電流 際’選擇前述定電壓源之U電述寫入信號線之 流之溫度係數盘】ί俾供至前述發光元件之電 8 —，、數疋電^時光輸出之溫度係數相抵。 電性機構二：::::陣列’其特徵在於:具備藉第1 之閘極之3端子傳送元值^ f或私限值電流 接於各接’同時使用第2電性機構將電源線連 扛傳迗兀件之閘極，並且連接時鐘線於各傳送元件之 限值= 陣列，以及排列多數個具有控制臨 件陣；£或臨限值電流之問極之3端子發光元件之發光元 具備連接前述發光元件陣列之閘極與 極，施加電流於各發光元件之陽極之寫入信= 506116 案號 90108263 曰 修正 六、申請專利範圍 入前述寫入信號線之一個電阻。 9 · 一種自掃描型發光元件陣列之驅動方法，係具備藉第 1電性機構將排列多數個具有控制臨限值電壓或臨限值曰電 流之閘極之3端子傳送元件之3端子傳送元件陣列之鄰接傳 送元件之閘極相互連接，同時使用第2電性機構將電^源線 連接於各傳送元件之閘極，並且連接時鐘線於各傳送'元 之陽極而形成之傳送元件陣列，以及排列多數個且有 臨限值電壓或臨限值電流之閑極之3端子發光元件之工制 元件陣列； 光 具備連接前述發光元件陣列之閘極與前述傳送 極，施加電流於各發光元件之陽極之寫入 午之閘 入前述寫入作於绩夕 Am ^ 1 α〜、水’以及插 月J XL馬入疏線之一個電阻，其特徵在於： 自定電壓源經由電流限制用電阻驅動述 際，選擇前述定電壓源之電壓，俾供至寸恭δ娩線之 流之溫度係數與定電流時光輪出:刖述^光70件之電 尤輸出之溫度係數相抵。

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