JPS61118267A - サ−マルヘツド駆動回路 - Google Patents
サ−マルヘツド駆動回路Info
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- JPS61118267A JPS61118267A JP59238272A JP23827284A JPS61118267A JP S61118267 A JPS61118267 A JP S61118267A JP 59238272 A JP59238272 A JP 59238272A JP 23827284 A JP23827284 A JP 23827284A JP S61118267 A JPS61118267 A JP S61118267A
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- Japan
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- drive circuit
- thermal head
- circuit
- field effect
- switching
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はサーマルヘッドを用いて記録または表示を行う
装置に使用されるサーマルヘッド駆動回路に関する。
装置に使用されるサーマルヘッド駆動回路に関する。
「従来の技術」
多くのプリンタやファクシミリ装置あるいは一部のディ
ジタル複写機では、熱転写記録方式あるいは感熱発色記
録方式を使用して記録または複写を行っており、このよ
うな装置には通常サーマルヘッドが印字ヘッドとして用
いられている。また磁化潜像を利用して表示を行う表示
装置でも、熱パルスの印加手段としてサーマルヘッドを
用いることがある。
ジタル複写機では、熱転写記録方式あるいは感熱発色記
録方式を使用して記録または複写を行っており、このよ
うな装置には通常サーマルヘッドが印字ヘッドとして用
いられている。また磁化潜像を利用して表示を行う表示
装置でも、熱パルスの印加手段としてサーマルヘッドを
用いることがある。
第7図はサーマルヘッド11とこれに印字パルスを供給
するサーマルヘッド駆動回路12およびサーマルヘッド
駆動用の電源回路13を表わしたものである。サーマル
ヘッド11には、長手方向に列状に多数の単位発熱体が
配置されている。印字パルスは、これらの単位発熱体に
対して選択的に供給される。一度に印字パルスが供給さ
れる単位発熱体(発熱要素)の数すなわち全単位発熱体
中の通電単位発熱体の割合(以下印字比率という。
するサーマルヘッド駆動回路12およびサーマルヘッド
駆動用の電源回路13を表わしたものである。サーマル
ヘッド11には、長手方向に列状に多数の単位発熱体が
配置されている。印字パルスは、これらの単位発熱体に
対して選択的に供給される。一度に印字パルスが供給さ
れる単位発熱体(発熱要素)の数すなわち全単位発熱体
中の通電単位発熱体の割合(以下印字比率という。
に応じて、電流の消費量が大きく異なる。電源回路13
とサーマルヘッド駆動回路12を結ぶライン14やサー
マルヘッド駆動回路12とサーマルヘッド11を結ぶラ
イン15を流れる電流が、印字比率に応じてそれぞれ大
きく変わると、ライン14.15の電気抵抗による電圧
降下のため、サーマルヘッド11へ印加される電圧が変
動する。
とサーマルヘッド駆動回路12を結ぶライン14やサー
マルヘッド駆動回路12とサーマルヘッド11を結ぶラ
イン15を流れる電流が、印字比率に応じてそれぞれ大
きく変わると、ライン14.15の電気抵抗による電圧
降下のため、サーマルヘッド11へ印加される電圧が変
動する。
また、サーマルヘッド駆動回路12の内部においても、
電流のオン・オフ制御を行うスイッチング素子が印字比
率の変動に伴って数ボルト程度の電圧変動を発生させる
ことがある。例えば、ダーリントン接続を行ったNPN
バイポーラトランジスタをサーマルヘッド駆動回路11
のスイッチング数として使用すると、この素子はコレク
ターエミッタ間の飽和電圧が高いので、サーマルヘッド
11に例えば45アンペアの電流を流したとき、約2ボ
ルトのドライブ損失を発生させてしまう。
電流のオン・オフ制御を行うスイッチング素子が印字比
率の変動に伴って数ボルト程度の電圧変動を発生させる
ことがある。例えば、ダーリントン接続を行ったNPN
バイポーラトランジスタをサーマルヘッド駆動回路11
のスイッチング数として使用すると、この素子はコレク
ターエミッタ間の飽和電圧が高いので、サーマルヘッド
11に例えば45アンペアの電流を流したとき、約2ボ
ルトのドライブ損失を発生させてしまう。
印字比率に応じたこのような電圧変動は、当然ながらサ
ーマルヘッド11の動作時の発熱を不安定にし、記録紙
の記録濃度に影響を及ぼす。特に高速記録や中間調の再
現を行うプリンタまたはディジタル複写機では、記録濃
度の変動は画像の品質の維持を困難にする。
ーマルヘッド11の動作時の発熱を不安定にし、記録紙
の記録濃度に影響を及ぼす。特に高速記録や中間調の再
現を行うプリンタまたはディジタル複写機では、記録濃
度の変動は画像の品質の維持を困難にする。
印字比率に応じた電圧変動によるこのような印字品質の
低下を防止するため、主として次のような改善が行われ
ている。
低下を防止するため、主として次のような改善が行われ
ている。
その1つは、サーマルヘッド駆動回路の内部抵抗の低減
化である。−例としては、第7図のライン14.15に
よる電圧降下を低減させるために、太い電線を使用しそ
れらの長さを極力短くすることである。サーマルヘッド
駆動回路12については、バイポーラトランジスタを並
列接続してスイッチング回路の内部抵抗を低くすること
が提案されている。
化である。−例としては、第7図のライン14.15に
よる電圧降下を低減させるために、太い電線を使用しそ
れらの長さを極力短くすることである。サーマルヘッド
駆動回路12については、バイポーラトランジスタを並
列接続してスイッチング回路の内部抵抗を低くすること
が提案されている。
いま1つは、サーマルヘッド駆動回路中の電圧降下によ
って発生する電圧変動に対して、印字パルスを幅を増減
して対処することである。
って発生する電圧変動に対して、印字パルスを幅を増減
して対処することである。
「発明が解決しようとする問題点」
ところが、いずれの場合も、少なからず実施上の問題点
がある。スイッチング回路の改善についていえば、バイ
ポーラトランジスタによるスイン 、チング動作は通常
電流駆動法を用いており、並列接続した全トランジスタ
が同時に均一に動作しないと、一部のトランジスタに負
荷が集中する場合がある。このような場合には、最先に
動作したトランジスタに過電流が流れてこれが破損する
おそれがある。
がある。スイッチング回路の改善についていえば、バイ
ポーラトランジスタによるスイン 、チング動作は通常
電流駆動法を用いており、並列接続した全トランジスタ
が同時に均一に動作しないと、一部のトランジスタに負
荷が集中する場合がある。このような場合には、最先に
動作したトランジスタに過電流が流れてこれが破損する
おそれがある。
また、印字パルス幅の補正についていえば、次のような
問題がある。サーマルヘッドを用いた記録装置あるいは
表示装置では、印字品質を高めるために単位発熱体の蓄
熱量やサーマルヘッド基板の温度等各種の外部条件も印
字パルスの補正用として加味される。こうした各種の印
字パルス補正用データは、印字パルスの幅を決定する印
字パルス発生回路へパラレルに人力される。従って、印
字パルス発生回路の制御のために割り当てられた所定数
のパラレルな補正データのうち一部のビットが電源変動
の補正に用いられる。ところが、補正データのビット数
をいたずらに増加させることは難しく、補正に使用され
る外部条件が多い程個々の補正に割り当てられるビット
数が相対的に減少し、補正のダイナミックレンジを十分
広く設定することができないという問題もあった。
問題がある。サーマルヘッドを用いた記録装置あるいは
表示装置では、印字品質を高めるために単位発熱体の蓄
熱量やサーマルヘッド基板の温度等各種の外部条件も印
字パルスの補正用として加味される。こうした各種の印
字パルス補正用データは、印字パルスの幅を決定する印
字パルス発生回路へパラレルに人力される。従って、印
字パルス発生回路の制御のために割り当てられた所定数
のパラレルな補正データのうち一部のビットが電源変動
の補正に用いられる。ところが、補正データのビット数
をいたずらに増加させることは難しく、補正に使用され
る外部条件が多い程個々の補正に割り当てられるビット
数が相対的に減少し、補正のダイナミックレンジを十分
広く設定することができないという問題もあった。
本発明は以上の点に着目してなされたもので、内部抵抗
を低くして電圧心下を抑制し、かつ応答性を高めたスイ
ッチング回路を有するサーマルヘッド駆動回路を提供す
ることをその目的とする。
を低くして電圧心下を抑制し、かつ応答性を高めたスイ
ッチング回路を有するサーマルヘッド駆動回路を提供す
ることをその目的とする。
「問題点を解決するための手段」
本発明のサーマルヘッド駆動回路は、サーマルヘッドに
供給するべき印字パルス電流をスイッチングするスイッ
チング回路と、このスイッチング回路を駆動するドライ
ブ回路とから成り、前記スイッチング回路は互いに並列
接続されて前記印字パルス電流をオン・オフする2個以
上の電界効果トランジスタを有し、前記ドライブ回路は
前記電界効果トランジスタのゲート充電電流を供給しか
つゲート放電電流を放流するトーテムポール接続された
一対のトランジスタを有している。
供給するべき印字パルス電流をスイッチングするスイッ
チング回路と、このスイッチング回路を駆動するドライ
ブ回路とから成り、前記スイッチング回路は互いに並列
接続されて前記印字パルス電流をオン・オフする2個以
上の電界効果トランジスタを有し、前記ドライブ回路は
前記電界効果トランジスタのゲート充電電流を供給しか
つゲート放電電流を放流するトーテムポール接続された
一対のトランジスタを有している。
このようにすれば、スイッチング回路の内部抵抗を十分
低くすることが可能である。また、ドライブ回路のイン
ピーダンスが低いので、電界効果トランジスタのスイッ
チングの応答が速く高速スイッチングが可能となる。
低くすることが可能である。また、ドライブ回路のイン
ピーダンスが低いので、電界効果トランジスタのスイッ
チングの応答が速く高速スイッチングが可能となる。
「実施例」
第1図は本発明のサーマルヘッド駆動回路とその周辺回
路の実施例を示す結線図である。この回路は、2個のド
ライブ回路1..12 と、2個のスイッチ回路24.
2□ と、サーマルヘッド11および印字データ発生部
16とで構成されている。
路の実施例を示す結線図である。この回路は、2個のド
ライブ回路1..12 と、2個のスイッチ回路24.
2□ と、サーマルヘッド11および印字データ発生部
16とで構成されている。
この実施例で使用されるサーマルヘッド11は、いわゆ
る厚膜交互リードワイヤ方式の記録ヘッドである。この
サーマルヘッド11の基板上には、第2図に示すように
1本の細長い発熱抵抗体21が形成されている。発熱抵
抗体21には所定の間隔で2種の電極22.23が交互
に取り付けられている。このうち一方の電極22はそれ
ぞれダイオード24を介して第1と第2の共通電極C1
、C2に交互に接続されている。他方の電極23は、同
一基板上に取り付けられたシフトレジスタ・ドライバ2
5の各ドライバ(スイッチング素子)に接続されている
。
る厚膜交互リードワイヤ方式の記録ヘッドである。この
サーマルヘッド11の基板上には、第2図に示すように
1本の細長い発熱抵抗体21が形成されている。発熱抵
抗体21には所定の間隔で2種の電極22.23が交互
に取り付けられている。このうち一方の電極22はそれ
ぞれダイオード24を介して第1と第2の共通電極C1
、C2に交互に接続されている。他方の電極23は、同
一基板上に取り付けられたシフトレジスタ・ドライバ2
5の各ドライバ(スイッチング素子)に接続されている
。
このサーマルへラド11では印字データ発生部26(第
1図)から印字データ27の供給を受けると、これをシ
フトレジスタ・ドライバ25内のシフトレジスタにセッ
トし、変換されたパラレルなデータに応じてこれらにビ
ット対応したドライバをオン・オフ制御する。このとき
共通電極C1に印字パルスが供給され、発熱抵抗体21
の該当する部分に通電し印字が行われる。この後同一ラ
インについての新たな印字データ27によってシフトレ
ジスタ・ドライバ25の内容が変更され、共通電極C2
に印字パルスが供給されて、1ライン分の残りの印字が
行われることになる。
1図)から印字データ27の供給を受けると、これをシ
フトレジスタ・ドライバ25内のシフトレジスタにセッ
トし、変換されたパラレルなデータに応じてこれらにビ
ット対応したドライバをオン・オフ制御する。このとき
共通電極C1に印字パルスが供給され、発熱抵抗体21
の該当する部分に通電し印字が行われる。この後同一ラ
インについての新たな印字データ27によってシフトレ
ジスタ・ドライバ25の内容が変更され、共通電極C2
に印字パルスが供給されて、1ライン分の残りの印字が
行われることになる。
さて第1図に戻って、第1の共通電極C1は、スイッチ
ング回路2.内の3個の電界効果トランジスタ(nチャ
ンネルエンハンスメント型MO3FET)31〜33の
ドレインに共通して接続されている。これらの電界効果
トランジスタ31〜33のソースには、図示しない電源
回路の出力電圧■。が印加されるようになっている。電
界効果トランジスタ31〜33のゲートにはそれぞれ抵
抗34〜36が接続されており、これらの他端は、ドラ
イブ回路11 の出力端子に接続されている。また、電
界効果トランジスタ31〜33と並列に過電圧保護用の
ツェナーダイオード37が設けられている。更に、上記
ゲート抵抗34〜36の他端は、サーマルヘッド11が
オフとなった時点に発生するスパイク電圧を抑えるため
のシリコンダイオード41により接地されている。また
電界効果トランジスタ31〜33のソース側はサージ電
圧平滑用のコンデンサ42を介して接地されている。
ング回路2.内の3個の電界効果トランジスタ(nチャ
ンネルエンハンスメント型MO3FET)31〜33の
ドレインに共通して接続されている。これらの電界効果
トランジスタ31〜33のソースには、図示しない電源
回路の出力電圧■。が印加されるようになっている。電
界効果トランジスタ31〜33のゲートにはそれぞれ抵
抗34〜36が接続されており、これらの他端は、ドラ
イブ回路11 の出力端子に接続されている。また、電
界効果トランジスタ31〜33と並列に過電圧保護用の
ツェナーダイオード37が設けられている。更に、上記
ゲート抵抗34〜36の他端は、サーマルヘッド11が
オフとなった時点に発生するスパイク電圧を抑えるため
のシリコンダイオード41により接地されている。また
電界効果トランジスタ31〜33のソース側はサージ電
圧平滑用のコンデンサ42を介して接地されている。
一方、ドライブ回路1.は、制御信号43を受は入れる
電界効果トランジスタ44と、その後段に設けられ、T
TL()ランジスタ・トランジスタ・ロジック)等の出
力回路でしばしば使用されるいわゆるトーテムポール接
続されたコンブリメンタルな一対のトランジスタ45.
46を有している。この電界効果トランジスタ44にも
nチャンネルエンハンスメント型MO3FETを使用L
、ドレイン接地で使用する。このドレイン側に接続され
たコンデンサ47はサージ電圧平滑用のもので、プルア
ップ抵抗48はスイッチング電流の制限用として設けら
れている。
電界効果トランジスタ44と、その後段に設けられ、T
TL()ランジスタ・トランジスタ・ロジック)等の出
力回路でしばしば使用されるいわゆるトーテムポール接
続されたコンブリメンタルな一対のトランジスタ45.
46を有している。この電界効果トランジスタ44にも
nチャンネルエンハンスメント型MO3FETを使用L
、ドレイン接地で使用する。このドレイン側に接続され
たコンデンサ47はサージ電圧平滑用のもので、プルア
ップ抵抗48はスイッチング電流の制限用として設けら
れている。
第2の共通電極C2に接続されたドライブ回路12 と
スイッチ回路22 とは、第1の共通電極C1について
説明した回路構成と同一であり、説明を省略する。
スイッチ回路22 とは、第1の共通電極C1について
説明した回路構成と同一であり、説明を省略する。
以上の構成のサーマルヘッド駆動回路は次のように動作
する。ドライブ回路II に入力する第1の共通電極C
1用の制御信号と、ドライブ回路1□に入力する第2の
共通電極C2用の制御信号は、記録タイミングに同期し
て互に排他的に発生するようになっている。
する。ドライブ回路II に入力する第1の共通電極C
1用の制御信号と、ドライブ回路1□に入力する第2の
共通電極C2用の制御信号は、記録タイミングに同期し
て互に排他的に発生するようになっている。
スイッチング回路1.には印字をしないとき電界効果ト
ランジスタ44のスレッショルド電圧が加わり、印字の
ときスレッショルド電圧以下になるいわゆる負極性の制
御信号が加わる。従って、常時は、電界効果トランジス
タ44のゲートがスレッショルド電圧を越え、スイッチ
オンの状態となっている。このときその後段の2個のト
ランジスタ45.46を含む回路は第3図のように動作
する。この回路で、上記電界効果トランジスタはスイッ
チ50に置き換え、トランジスタ45は動作しないので
破線で示した。また、スイッチング回路21 は一部
のみ図示した。スイ・ノチ50がオンのときは、スイッ
チング回路21 の電界効果トランジスタ31〜33の
ゲートに蓄積されていた電荷の一部が、ゲート抵抗34
を通じてトランジスタ46のベース電流となって矢印5
1のように放電される。この放電電流がトランジスタ4
6をオンさせる。そして、矢印52に示すように電界効
果トランジスタ31のゲートに蓄積された電流がすべて
放電電流として消失し、その結果電界効果トランジスタ
31〜33はオフ状態となる。
ランジスタ44のスレッショルド電圧が加わり、印字の
ときスレッショルド電圧以下になるいわゆる負極性の制
御信号が加わる。従って、常時は、電界効果トランジス
タ44のゲートがスレッショルド電圧を越え、スイッチ
オンの状態となっている。このときその後段の2個のト
ランジスタ45.46を含む回路は第3図のように動作
する。この回路で、上記電界効果トランジスタはスイッ
チ50に置き換え、トランジスタ45は動作しないので
破線で示した。また、スイッチング回路21 は一部
のみ図示した。スイ・ノチ50がオンのときは、スイッ
チング回路21 の電界効果トランジスタ31〜33の
ゲートに蓄積されていた電荷の一部が、ゲート抵抗34
を通じてトランジスタ46のベース電流となって矢印5
1のように放電される。この放電電流がトランジスタ4
6をオンさせる。そして、矢印52に示すように電界効
果トランジスタ31のゲートに蓄積された電流がすべて
放電電流として消失し、その結果電界効果トランジスタ
31〜33はオフ状態となる。
次に第1の共通電極に割り当てられた単位発熱体を駆動
するために、ドライブ回路1.に制御信号43が供給さ
れると、電界効果トランジスタ44のゲートがスレッシ
ョルド電圧以下となり、スイッチオフの状態となる。こ
のときその後段の2個のトランジスタ45.46を含む
回路を第3;パ 1よ□、)□1□4.13イオ。ユイ
7756ケオフになると、プルアップ抵抗48と、電界
効果トランジスタ31のゲート抵抗34を通じて矢印5
3のようにゲート充電電流が流れる。これはトランジス
タ45のベース電流となりこのトランジスタをオンさせ
る。そして、矢印54のようにゲート充電電流が流れる
。ゲートに電荷が蓄積されゲートの電位がスレッショル
ド電圧を越えると、電界効果トランジスタ31〜33が
一層にオンとなる。抵抗34〜36は、電界効果トラン
ジスタ31〜34のゲート電流の変動を抑制するために
用いられる。例えば、電界効果トランジスタ31〜34
のスレッショルド電圧を24ボルトとしたとき、ドライ
ブ回路の電源電圧■1 は約50ボルト程度に選定す
る。スイッチング回路の電源電圧Vo はサーマルヘッ
ドの単位発熱体に印加するのに適する電圧で、通常20
ポルト程度に選定される。
するために、ドライブ回路1.に制御信号43が供給さ
れると、電界効果トランジスタ44のゲートがスレッシ
ョルド電圧以下となり、スイッチオフの状態となる。こ
のときその後段の2個のトランジスタ45.46を含む
回路を第3;パ 1よ□、)□1□4.13イオ。ユイ
7756ケオフになると、プルアップ抵抗48と、電界
効果トランジスタ31のゲート抵抗34を通じて矢印5
3のようにゲート充電電流が流れる。これはトランジス
タ45のベース電流となりこのトランジスタをオンさせ
る。そして、矢印54のようにゲート充電電流が流れる
。ゲートに電荷が蓄積されゲートの電位がスレッショル
ド電圧を越えると、電界効果トランジスタ31〜33が
一層にオンとなる。抵抗34〜36は、電界効果トラン
ジスタ31〜34のゲート電流の変動を抑制するために
用いられる。例えば、電界効果トランジスタ31〜34
のスレッショルド電圧を24ボルトとしたとき、ドライ
ブ回路の電源電圧■1 は約50ボルト程度に選定す
る。スイッチング回路の電源電圧Vo はサーマルヘッ
ドの単位発熱体に印加するのに適する電圧で、通常20
ポルト程度に選定される。
ところで、電界効果トランジスタ31〜33のドレイン
−ソース間の損失はオン抵抗によって左右されることに
なる。今、電界効果トランジスタ31〜33の周囲温度
が摂氏25度であるとすれば、これらのオン抵抗は0.
06Ω程度である。
−ソース間の損失はオン抵抗によって左右されることに
なる。今、電界効果トランジスタ31〜33の周囲温度
が摂氏25度であるとすれば、これらのオン抵抗は0.
06Ω程度である。
従って出力電圧■oの電源回路から第1の共通電極C1
に仮に最大45アンペアの電流が流れるものとすると、
これらを3分割した15アンペアずつが各電界効果トラ
ンジスタ31〜33に流れることとなり、ドライブ損失
はそれぞれ最大で0.9ボルト(0゜06X15ボルト
)となる。
に仮に最大45アンペアの電流が流れるものとすると、
これらを3分割した15アンペアずつが各電界効果トラ
ンジスタ31〜33に流れることとなり、ドライブ損失
はそれぞれ最大で0.9ボルト(0゜06X15ボルト
)となる。
すなわちこの例の場合には、印字比率によって0〜0.
9ボルトまでの電圧降下が発生することとなる。従来の
バイポーラトランジスタではこのドライブ損失が最大で
約2ボルトとなるので、これを半減できたことになる。
9ボルトまでの電圧降下が発生することとなる。従来の
バイポーラトランジスタではこのドライブ損失が最大で
約2ボルトとなるので、これを半減できたことになる。
もちろん更にオン抵抗の低い電界効果トランジスタを使
用すればそれだけドライブ損失を減少させることができ
る。またより多数の電界効果トランジスタで最終段のス
イッチング回路を構成すれば、1個当りの最大電流がそ
れだけ減少し、ドライブ損失を一層低下させることがで
きる。
用すればそれだけドライブ損失を減少させることができ
る。またより多数の電界効果トランジスタで最終段のス
イッチング回路を構成すれば、1個当りの最大電流がそ
れだけ減少し、ドライブ損失を一層低下させることがで
きる。
更に本発明においては、ドライブ回路にトーテムポール
接続された一対のトランジスタを用いたので、スイッチ
ング回路の電界効果トランジスタのオン・オフのための
ゲート充放電電流を流す回路の抵抗が小さい。従って充
放電がすみやかに行われ、スイッチングの立上り速度が
きわめて速い。
接続された一対のトランジスタを用いたので、スイッチ
ング回路の電界効果トランジスタのオン・オフのための
ゲート充放電電流を流す回路の抵抗が小さい。従って充
放電がすみやかに行われ、スイッチングの立上り速度が
きわめて速い。
例えばドライブ回路を電界効果トランジスタ44のみで
構成したものは、第5図に示す曲線56のように、印字
パルス電流33Aのとき立上り時間30マイクロ秒を要
する。これは、ゲート充電電流を流す回路抵抗が高くか
つ、電界効果トランジスタの並列回路のミラー容量(ド
レインゲート間の容量)が数千ピコファラッドと大きい
ためである。単位発熱体を高速で温度上昇させるために
は、この立上り時間がより短いことが好ましい。ところ
が、本発明の場合立上り時間が曲線57のように5マイ
クロ秒に短縮される。
構成したものは、第5図に示す曲線56のように、印字
パルス電流33Aのとき立上り時間30マイクロ秒を要
する。これは、ゲート充電電流を流す回路抵抗が高くか
つ、電界効果トランジスタの並列回路のミラー容量(ド
レインゲート間の容量)が数千ピコファラッドと大きい
ためである。単位発熱体を高速で温度上昇させるために
は、この立上り時間がより短いことが好ましい。ところ
が、本発明の場合立上り時間が曲線57のように5マイ
クロ秒に短縮される。
以上第1の共通電極C1に印加パルスを供給する場合に
ついて説明したが、第2の共通電極C2に印加パルスを
供給する場合も同様である。
ついて説明したが、第2の共通電極C2に印加パルスを
供給する場合も同様である。
上記実施例ではいわゆる厚膜交互リードワイヤ方式のサ
ーマルヘッドに使用するサーマルヘッド駆動回路につい
て説明したが、比較的大電流の印字パルスを供給するす
べてのサーマルヘッド駆動回路に本発明を適用できるこ
とはもちろんである。
ーマルヘッドに使用するサーマルヘッド駆動回路につい
て説明したが、比較的大電流の印字パルスを供給するす
べてのサーマルヘッド駆動回路に本発明を適用できるこ
とはもちろんである。
また、ドライブ回路の一対のトランジスタの接続を同様
の機能を有するよう適宜変更したり、例えば第6図に示
すように動作安定化のためのダイオード57を挿入する
ようにしてもさしつかえない。電界効果トランジスタの
極性種類、使用法等を適宜変更してもさしつかえないこ
とはいうまでもない。
の機能を有するよう適宜変更したり、例えば第6図に示
すように動作安定化のためのダイオード57を挿入する
ようにしてもさしつかえない。電界効果トランジスタの
極性種類、使用法等を適宜変更してもさしつかえないこ
とはいうまでもない。
「発明の効果」
このように本発明によればスイッチング素子のドライブ
損失を低下させることができるので、熱エネルギの発生
をそれだけ減少させることができ、大規模な放熱装置が
不要となる。またバイポーラトランジスタは大電流をド
ライブするために、コレクタ電流の1/10〜1/20
程度の大容量のベース電流を必要としたが、これが不要
となり、ドライブ回路をそれだけ小型化することができ
る。
損失を低下させることができるので、熱エネルギの発生
をそれだけ減少させることができ、大規模な放熱装置が
不要となる。またバイポーラトランジスタは大電流をド
ライブするために、コレクタ電流の1/10〜1/20
程度の大容量のベース電流を必要としたが、これが不要
となり、ドライブ回路をそれだけ小型化することができ
る。
更に本発明のサーマルヘッド駆動回路では電界効果トラ
ンジスタを使用しているのでスイッチング速度がバイポ
ーラ型のものに比して1/2〜1/15に短縮化する。
ンジスタを使用しているのでスイッチング速度がバイポ
ーラ型のものに比して1/2〜1/15に短縮化する。
また、トーテムポール接続された一対のトランジスタで
電界効果トランジスタをドライブするので、スイッチン
グ電流の立上り時間が極めて速く、高速印字を可能にす
る。
電界効果トランジスタをドライブするので、スイッチン
グ電流の立上り時間が極めて速く、高速印字を可能にす
る。
第1図は本発明のサーマルヘッド駆動回路とその周辺回
路の実施例を示す結線図、第2図はこれに使用するサー
マルヘッドの結線図、第3図と第4図はそのドライブ回
路の動作説明図、第5図は本発明のサーマルヘッド駆動
回路のスイッチング電流立上り特性を示す特性図、第6
図はドライブ回路の変形例を示す要部結線図、第7図は
一般的なサーマルヘッド駆動回路の周辺のブロック図で
ある。 1、 .12・・・・・・ドライブ回路、21.2□・
・・・・・スイッチング回路、11・・・・・・サーマ
ルヘッド、 31.32.33・・・・・・電界効果トランジスタ、
45.46・・・・・・トーテムポール接続された一対
のトランジスタ、 52・・・・・・ゲート放電電流、 54・・・・・・ゲート充電電流。 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 弁理士 山 内 梅 雄第1
図 第4図 第5図
路の実施例を示す結線図、第2図はこれに使用するサー
マルヘッドの結線図、第3図と第4図はそのドライブ回
路の動作説明図、第5図は本発明のサーマルヘッド駆動
回路のスイッチング電流立上り特性を示す特性図、第6
図はドライブ回路の変形例を示す要部結線図、第7図は
一般的なサーマルヘッド駆動回路の周辺のブロック図で
ある。 1、 .12・・・・・・ドライブ回路、21.2□・
・・・・・スイッチング回路、11・・・・・・サーマ
ルヘッド、 31.32.33・・・・・・電界効果トランジスタ、
45.46・・・・・・トーテムポール接続された一対
のトランジスタ、 52・・・・・・ゲート放電電流、 54・・・・・・ゲート充電電流。 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 弁理士 山 内 梅 雄第1
図 第4図 第5図
Claims (1)
- サーマルヘッドに供給するべき印字パルス電流をスイッ
チングするスイッチング回路と、このスイッチング回路
を駆動するドライブ回路とから成り、前記スイッチング
回路は互いに並列接続されて前記印字パルス電流をオン
・オフする2個以上の電界効果トランジスタを有し、前
記ドライブ回路は前記電界効果トランジスタのゲート充
電電流を供給しかつゲート放電電流を放流するトーテム
ポール接続された一対のトランジスタを有することを特
徴とするサーマルヘッド駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59238272A JPS61118267A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | サ−マルヘツド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59238272A JPS61118267A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | サ−マルヘツド駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61118267A true JPS61118267A (ja) | 1986-06-05 |
Family
ID=17027714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59238272A Pending JPS61118267A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | サ−マルヘツド駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61118267A (ja) |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP59238272A patent/JPS61118267A/ja active Pending
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