JP3219263B2 - 発光装置 - Google Patents
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- JP3219263B2 JP3219263B2 JP12366895A JP12366895A JP3219263B2 JP 3219263 B2 JP3219263 B2 JP 3219263B2 JP 12366895 A JP12366895 A JP 12366895A JP 12366895 A JP12366895 A JP 12366895A JP 3219263 B2 JP3219263 B2 JP 3219263B2
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- light
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- resistor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/525—Arrangement for multi-colour printing, not covered by group B41J2/21, e.g. applicable to two or more kinds of printing or marking process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光装置に係わり、特に
複写機、ＦＡＸ、プリンター、等の情報処理装置等に好
適に用いられる発光装置に関する。
複写機、ＦＡＸ、プリンター、等の情報処理装置等に好
適に用いられる発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ記録ヘッドは線状に多数個のＬＥ
Ｄチップとそれを駆動するドライバーＩＣとを基板上に
実装して構成され、例えば複写機に用いられる場合は、
ＬＥＤ素子から感光ドラム上に光を照射し潜像を作る。
Ｄチップとそれを駆動するドライバーＩＣとを基板上に
実装して構成され、例えば複写機に用いられる場合は、
ＬＥＤ素子から感光ドラム上に光を照射し潜像を作る。
【０００３】図９（ａ），（ｂ）は従来のＬＥＤヘッド
の構成を示す概略的回路図及び断面図である。線状に配
列されたＬＥＤ各素子１−１，１−２，・・・，１−５
はボンディングワイヤー２−１，２−２，・・・，２−
５で駆動ＩＣ１０内のトランジスタ４−１，４−２，・
・・，４−５に１対１の関係で接続される。制限抵抗３
−１，３−２，・・・，３−５は各々担当するＬＥＤ素
子１−１，１−２，・・・，１−５を駆動する電流を規
定するものである。
の構成を示す概略的回路図及び断面図である。線状に配
列されたＬＥＤ各素子１−１，１−２，・・・，１−５
はボンディングワイヤー２−１，２−２，・・・，２−
５で駆動ＩＣ１０内のトランジスタ４−１，４−２，・
・・，４−５に１対１の関係で接続される。制限抵抗３
−１，３−２，・・・，３−５は各々担当するＬＥＤ素
子１−１，１−２，・・・，１−５を駆動する電流を規
定するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＥＤは一
般に周辺温度の１度上昇に対して１％発光強度が低下す
ることが知られており、高品位な像再生を行うするに
は、駆動ＩＣ１０を含めて昇温を抑えることが重要であ
る。そして、この出力変動が大きいと、２値記録にしか
適用が限られてしまうことになる。
般に周辺温度の１度上昇に対して１％発光強度が低下す
ることが知られており、高品位な像再生を行うするに
は、駆動ＩＣ１０を含めて昇温を抑えることが重要であ
る。そして、この出力変動が大きいと、２値記録にしか
適用が限られてしまうことになる。
【０００５】図９の従来のＬＥＤ記録ヘッドにおいて
は、一般に制限抵抗３−１，３−２，・・・，３−５が
制御部５をも含む駆動ＩＣ１０の昇温をほぼきめてい
る。そして、この制限抵抗で発生する熱はボンディング
ワイヤー２を経て各担当するＬＥＤ素子に伝わり、結果
として発光出力の低下を招くことになる。
は、一般に制限抵抗３−１，３−２，・・・，３−５が
制御部５をも含む駆動ＩＣ１０の昇温をほぼきめてい
る。そして、この制限抵抗で発生する熱はボンディング
ワイヤー２を経て各担当するＬＥＤ素子に伝わり、結果
として発光出力の低下を招くことになる。
【０００６】なお、一度基板にボンディングワイヤーで
落とし、更に基板からＬＥＤチップへボンディングワイ
ヤーで接続することで、基板に熱が放出され伝熱作用が
緩和されるが、ボンディングワイヤーの数が２倍とな
り、高解像で長尺の記録ヘッドを実現する場合、コスト
的に非現実的である。
落とし、更に基板からＬＥＤチップへボンディングワイ
ヤーで接続することで、基板に熱が放出され伝熱作用が
緩和されるが、ボンディングワイヤーの数が２倍とな
り、高解像で長尺の記録ヘッドを実現する場合、コスト
的に非現実的である。
【０００７】又、この制限抵抗のみを駆動ＩＣ１０から
外に出し、ＬＥＤチップから熱的に離れた所に配置する
には、数千個のチップ抵抗を実装しなければならず、基
板自体が大きくなり、これも非現実的である。
外に出し、ＬＥＤチップから熱的に離れた所に配置する
には、数千個のチップ抵抗を実装しなければならず、基
板自体が大きくなり、これも非現実的である。
【０００８】本発明の目的は、ＬＥＤ等の発光素子に対
して、より熱の影響を抑えて駆動し、より出力変動の少
ないＬＥＤヘッド等の発光装置を提供することにある。
して、より熱の影響を抑えて駆動し、より出力変動の少
ないＬＥＤヘッド等の発光装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、Ｎ
個の配列された発光素子をＭ個のグループに分け、各グ
ループの配列順が同じ発光素子の一方の端子を共通接続
して、各グループの配列順が同じ発光素子を順次駆動す
る第１の駆動手段に接続し、各グループの前記発光素子
の他方の端子はグループごとに共通接続して、各グルー
プごとに設けられた抵抗に接続し、該抵抗は各グループ
ごとに順次駆動する第２の駆動手段に接続し、 一つのグ
ループの前記発光素子と前記抵抗とを接続する配線の巾
よりも前記抵抗と前記第２の駆動手段とを接続する配線
の巾を太くしたものである。
個の配列された発光素子をＭ個のグループに分け、各グ
ループの配列順が同じ発光素子の一方の端子を共通接続
して、各グループの配列順が同じ発光素子を順次駆動す
る第１の駆動手段に接続し、各グループの前記発光素子
の他方の端子はグループごとに共通接続して、各グルー
プごとに設けられた抵抗に接続し、該抵抗は各グループ
ごとに順次駆動する第２の駆動手段に接続し、 一つのグ
ループの前記発光素子と前記抵抗とを接続する配線の巾
よりも前記抵抗と前記第２の駆動手段とを接続する配線
の巾を太くしたものである。
【００１０】
【作用】本発明の発光装置は、Ｎ個の配列された発光素
子をＭ個のグループに分け、第１の駆動手段よりグルー
プ内の発光素子を順次駆動し、第２の駆動手段により発
光素子をグループごとに順次駆動することで、Ｎ個の配
列された発光素子を時分割駆動して発光させるものであ
り、発光素子の駆動電流を制限する抵抗は（Ｍ個の）グ
ループごとに設ければ足りるため、抵抗の数はＭ（＜
Ｎ）個でよく、発光素子から分離された位置に抵抗を配
しても抵抗及び配線による面積の増加は、図９の従来例
のように抵抗を各発光素子ごとに設ける場合に比べて大
幅に抑えられる。
子をＭ個のグループに分け、第１の駆動手段よりグルー
プ内の発光素子を順次駆動し、第２の駆動手段により発
光素子をグループごとに順次駆動することで、Ｎ個の配
列された発光素子を時分割駆動して発光させるものであ
り、発光素子の駆動電流を制限する抵抗は（Ｍ個の）グ
ループごとに設ければ足りるため、抵抗の数はＭ（＜
Ｎ）個でよく、発光素子から分離された位置に抵抗を配
しても抵抗及び配線による面積の増加は、図９の従来例
のように抵抗を各発光素子ごとに設ける場合に比べて大
幅に抑えられる。
【００１１】上記本発明の発光装置において、前記抵抗
を前記発光素子と熱的に分離された位置に配すれば、抵
抗からの熱による発光素子の特性変動を抑制することが
できる。
を前記発光素子と熱的に分離された位置に配すれば、抵
抗からの熱による発光素子の特性変動を抑制することが
できる。
【００１２】また、上記本発明の発光装置において、少
なくとも前記Ｎ個の配列された発光素子は基板上の一方
の主面に配され、前記抵抗は該基板の他方の主面に配さ
れているようにすれば、発光素子と抵抗との熱的分離を
より効果的に行うことができる。
なくとも前記Ｎ個の配列された発光素子は基板上の一方
の主面に配され、前記抵抗は該基板の他方の主面に配さ
れているようにすれば、発光素子と抵抗との熱的分離を
より効果的に行うことができる。
【００１３】さらに、上記本発明の発光装置において、
一つのグループの発光素子と抵抗とを接続する配線の巾
よりも該抵抗と第２の駆動手段とを接続する配線の巾を
太くすれば、主として第２の駆動手段側の配線に熱を放
出して、発光素子側の配線への熱伝導を抑制することが
できる。なお、太くしたパターンに放熱材を付けること
でより放熱効果を高めることができる。
一つのグループの発光素子と抵抗とを接続する配線の巾
よりも該抵抗と第２の駆動手段とを接続する配線の巾を
太くすれば、主として第２の駆動手段側の配線に熱を放
出して、発光素子側の配線への熱伝導を抑制することが
できる。なお、太くしたパターンに放熱材を付けること
でより放熱効果を高めることができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明について実施例を用いて詳細
に説明する。 〔実施例１〕図１（ａ）は本発明によるＬＥＤヘッドの
一実施例を示す概略的回路図であり、図１（ｂ）はその
断面図である。なお、ここでは、ＬＥＤ素子は５個を一
つのグループとして示してある（即ち、配列されたＬＥ
Ｄ素子をＮ個として、Ｍグループに分けたとすると、Ｎ
／Ｍ＝５となる。）。
に説明する。 〔実施例１〕図１（ａ）は本発明によるＬＥＤヘッドの
一実施例を示す概略的回路図であり、図１（ｂ）はその
断面図である。なお、ここでは、ＬＥＤ素子は５個を一
つのグループとして示してある（即ち、配列されたＬＥ
Ｄ素子をＮ個として、Ｍグループに分けたとすると、Ｎ
／Ｍ＝５となる。）。
【００１５】同図に示すように、各グループ内のＬＥＤ
素子（１−１〜１−５、１−６〜１−１０、・・・、１
−Ｎ）は各々カソード側がグループごとに共通に接続さ
れ、また各グループの配列順が同じＬＥＤ素子（例え
ば、１−１、１−６、・・・）のアノード側が共通接続
され、所謂マトリックス接続されている。
素子（１−１〜１−５、１−６〜１−１０、・・・、１
−Ｎ）は各々カソード側がグループごとに共通に接続さ
れ、また各グループの配列順が同じＬＥＤ素子（例え
ば、１−１、１−６、・・・）のアノード側が共通接続
され、所謂マトリックス接続されている。
【００１６】そして、各グループの配列順が同じＬＥＤ
素子の共通接続されたアノード側は、各グループの配列
順が同じＬＥＤ素子を順次時分割駆動する不図示の第１
の駆動手段（例えば、シフトレジスタとトランジスタと
から構成される。）に接続される。一方、各グループの
共通接続されたカソード側は制限抵抗（６−１、６−
２、・・・、６−Ｍ）、トランジスタ（７−１、７−
２、・・・、７−Ｍ）を介してＧＮＤに接続される。ト
ランジスタ（７−１、７−２、・・・、７−Ｍ）は各グ
ループごとに時分割駆動する制御部８によって制御され
る。なおトランジスタ７−１〜７−Ｍ、及び制御部８は
第２の駆動手段を構成する。
素子の共通接続されたアノード側は、各グループの配列
順が同じＬＥＤ素子を順次時分割駆動する不図示の第１
の駆動手段（例えば、シフトレジスタとトランジスタと
から構成される。）に接続される。一方、各グループの
共通接続されたカソード側は制限抵抗（６−１、６−
２、・・・、６−Ｍ）、トランジスタ（７−１、７−
２、・・・、７−Ｍ）を介してＧＮＤに接続される。ト
ランジスタ（７−１、７−２、・・・、７−Ｍ）は各グ
ループごとに時分割駆動する制御部８によって制御され
る。なおトランジスタ７−１〜７−Ｍ、及び制御部８は
第２の駆動手段を構成する。
【００１７】ここで、ＬＥＤ素子１−１を点灯させるに
は、ＬＥＤ素子１−１が接続されたアノード側を走査し
てアノード側に所定の電圧を印加し、そのタイミングで
トランジスタ７−１をオンする。同様にＬＥＤ素子１−
２を点灯させるには、ＬＥＤ素子１−２が接続されたア
ノード側を走査してアノード側に所定の電圧を印加し、
そのタイミングでトランジスタ７−１をオンする。同様
にしてＬＥＤ素子１−３〜１−５を順次点灯させた後、
次のグループのＬＥＤ素子１−６〜１−１０のアノード
側に順次所定の電圧を印加し、そのタイミングでトラン
ジスタ７−２をオンする。このようにして、すべてのＬ
ＥＤ素子（１−１〜１−５、１−６〜１−１０、・・
・、１−Ｎ）を順次点灯させる。なお、制御部８がこの
時分割駆動を制御する。制御部８はここでは、ＬＥＤ素
子１−１〜１−５のアノード側に所定の電圧を印加する
タイミングに合わせてトランジスタ７−１をオンさせて
いるが、ＬＥＤ素子１−１〜１−５のアノードに順次電
圧が印加されている間中トランジスタ７−１をオンさせ
ておいてもよい。いずれにしても、トランジスタ７−１
と制御部８とでＬＥＤ素子１−１〜１−５のグループを
駆動していることには変わりはない。
は、ＬＥＤ素子１−１が接続されたアノード側を走査し
てアノード側に所定の電圧を印加し、そのタイミングで
トランジスタ７−１をオンする。同様にＬＥＤ素子１−
２を点灯させるには、ＬＥＤ素子１−２が接続されたア
ノード側を走査してアノード側に所定の電圧を印加し、
そのタイミングでトランジスタ７−１をオンする。同様
にしてＬＥＤ素子１−３〜１−５を順次点灯させた後、
次のグループのＬＥＤ素子１−６〜１−１０のアノード
側に順次所定の電圧を印加し、そのタイミングでトラン
ジスタ７−２をオンする。このようにして、すべてのＬ
ＥＤ素子（１−１〜１−５、１−６〜１−１０、・・
・、１−Ｎ）を順次点灯させる。なお、制御部８がこの
時分割駆動を制御する。制御部８はここでは、ＬＥＤ素
子１−１〜１−５のアノード側に所定の電圧を印加する
タイミングに合わせてトランジスタ７−１をオンさせて
いるが、ＬＥＤ素子１−１〜１−５のアノードに順次電
圧が印加されている間中トランジスタ７−１をオンさせ
ておいてもよい。いずれにしても、トランジスタ７−１
と制御部８とでＬＥＤ素子１−１〜１−５のグループを
駆動していることには変わりはない。
【００１８】この構成によれば駆動トランジスタ７−１
はＬＥＤ素子１−１，１−２，・・・，１−５の５素子
を担当することになり、制限抵抗６の総数（Ｍ）はＬＥ
Ｄ素子総数（Ｎ）１／５の、すなわち従来例の１／５に
削減できる。
はＬＥＤ素子１−１，１−２，・・・，１−５の５素子
を担当することになり、制限抵抗６の総数（Ｍ）はＬＥ
Ｄ素子総数（Ｎ）１／５の、すなわち従来例の１／５に
削減できる。
【００１９】結果として、図１（ｂ）に示すように、制
限抵抗を駆動ＩＣ９の外に出し、かつ熱的にＬＥＤ素子
から隔離可能となる。なお、ここでは抵抗を基板のＬＥ
Ｄ配置面と反対の面に配置しているが、抵抗による発熱
が問題とならない位置であればＬＥＤ配置面に抵抗を配
置してもよいことは勿論である。
限抵抗を駆動ＩＣ９の外に出し、かつ熱的にＬＥＤ素子
から隔離可能となる。なお、ここでは抵抗を基板のＬＥ
Ｄ配置面と反対の面に配置しているが、抵抗による発熱
が問題とならない位置であればＬＥＤ配置面に抵抗を配
置してもよいことは勿論である。
【００２０】なお、ＩＣ９外部に実装されるチップ抵抗
６は、ガラスエポキシ基板を使用する場合、ＬＥＤチッ
プの反対面に実装することで、基板自体が伝熱作用を緩
和する。更に、同面に実装することでＬＥＤ素子の光の
感光体への照射を妨げる、チップ抵抗自体を他の放熱器
を用いて冷却することも可能となる。
６は、ガラスエポキシ基板を使用する場合、ＬＥＤチッ
プの反対面に実装することで、基板自体が伝熱作用を緩
和する。更に、同面に実装することでＬＥＤ素子の光の
感光体への照射を妨げる、チップ抵抗自体を他の放熱器
を用いて冷却することも可能となる。
【００２１】実装上チップ抵抗をＬＥＤ素子自体から遠
ざけたとしても、配線パターンで熱が伝わるが、その伝
熱作用を緩和させるには、チップ抵抗からＬＥＤチップ
への配線パターンの面積を十分大きく、太くすることが
効果的である。又、両面基板の場合、該パターンのチッ
プ抵抗に近い場所でスルーホールを多用することも伝熱
効果緩和に効果的である。
ざけたとしても、配線パターンで熱が伝わるが、その伝
熱作用を緩和させるには、チップ抵抗からＬＥＤチップ
への配線パターンの面積を十分大きく、太くすることが
効果的である。又、両面基板の場合、該パターンのチッ
プ抵抗に近い場所でスルーホールを多用することも伝熱
効果緩和に効果的である。
【００２２】以下、チップ抵抗からＬＥＤチップへの配
線パターンの面積を十分大きく取った場合の構成例につ
いて説明する。
線パターンの面積を十分大きく取った場合の構成例につ
いて説明する。
【００２３】図２（ａ）はＬＥＤヘッドの１ブロック分
の概略的構成図、図２（ｂ）はその断面図、図２（ｃ）
は図２（ａ）の部分拡大図である。
の概略的構成図、図２（ｂ）はその断面図、図２（ｃ）
は図２（ａ）の部分拡大図である。
【００２４】図２（ａ）の１ブロック分のＬＥＤヘッド
の中で発熱を調べると、ＬＥＤの順方向電圧ＶＦ＝１．
６Ｖ、電源電圧５Ｖの時、ＩＣ９内のトランジスタがＯ
Ｎの場合に抵抗に印加される電圧は３．４Ｖであり、こ
の電圧降下分が抵抗で発熱として消費されることとな
り、この抵抗の熱がＬＥＤ等に伝わり、ＬＥＤの発光光
量の低下の要因となる。
の中で発熱を調べると、ＬＥＤの順方向電圧ＶＦ＝１．
６Ｖ、電源電圧５Ｖの時、ＩＣ９内のトランジスタがＯ
Ｎの場合に抵抗に印加される電圧は３．４Ｖであり、こ
の電圧降下分が抵抗で発熱として消費されることとな
り、この抵抗の熱がＬＥＤ等に伝わり、ＬＥＤの発光光
量の低下の要因となる。
【００２５】本構成例はチップ抵抗の熱は主としてパタ
ーンを伝わって放熱することを利用したものである。図
２（ａ），（ｂ）に示すように、チップ抵抗の熱はなる
べくＬＥＤに伝わらないようにするために、チップ抵抗
のＬＥＤ側のパターン１１ａは細く、反対側のパターン
１１ｂを太くしており、太さの比で熱はパターンの太い
方に伝わる。この太いパターン側に図２（ｂ）に示すよ
うに、ヒートシンク１０を付けることにより放熱効果は
より高まり、熱がＬＥＤに伝わらないうちに熱を放熱す
ることが可能となる。
ーンを伝わって放熱することを利用したものである。図
２（ａ），（ｂ）に示すように、チップ抵抗の熱はなる
べくＬＥＤに伝わらないようにするために、チップ抵抗
のＬＥＤ側のパターン１１ａは細く、反対側のパターン
１１ｂを太くしており、太さの比で熱はパターンの太い
方に伝わる。この太いパターン側に図２（ｂ）に示すよ
うに、ヒートシンク１０を付けることにより放熱効果は
より高まり、熱がＬＥＤに伝わらないうちに熱を放熱す
ることが可能となる。
【００２６】なお、このように抵抗からの熱を一方の配
線に伝わるのを抑制すべく、基板の裏側へ抵抗を配置し
たり、他方の配線の巾を太くしたり、他方の配線側にヒ
ートシンクを取り付けたりする構成は図１及び図２に示
したＬＥＤヘッドに限定されず、温度による特性変化が
大きい素子に接続する場合に有効である。 〔実施例２〕上記実施例では説明を簡略化するために５
分割駆動の場合を開示したが、ＬＥＤ素子の周辺に時分
割で走査可能な、例えば、「“ＰＮＰＮサイリスタ構造
を用いた自己走査型発光素子（ＳＬＥＤ）の提案”199
0.3.5 電子情報通信学会 技術報告 ＯＱＥ89-141」で
開示される、所謂自己走査型ＬＥＤに本発明を適用する
なら、１２８時分割駆動が可能となり、結果として６０
０ＤＰＩから１２００ＤＰＩ程度の高密度記録が可能な
記録ヘッドを実現する際にも十分熱隔離が可能となる。
線に伝わるのを抑制すべく、基板の裏側へ抵抗を配置し
たり、他方の配線の巾を太くしたり、他方の配線側にヒ
ートシンクを取り付けたりする構成は図１及び図２に示
したＬＥＤヘッドに限定されず、温度による特性変化が
大きい素子に接続する場合に有効である。 〔実施例２〕上記実施例では説明を簡略化するために５
分割駆動の場合を開示したが、ＬＥＤ素子の周辺に時分
割で走査可能な、例えば、「“ＰＮＰＮサイリスタ構造
を用いた自己走査型発光素子（ＳＬＥＤ）の提案”199
0.3.5 電子情報通信学会 技術報告 ＯＱＥ89-141」で
開示される、所謂自己走査型ＬＥＤに本発明を適用する
なら、１２８時分割駆動が可能となり、結果として６０
０ＤＰＩから１２００ＤＰＩ程度の高密度記録が可能な
記録ヘッドを実現する際にも十分熱隔離が可能となる。
【００２７】図３は本発明を用いたＳＬＥＤの一実施例
を示す一ブロック分の回路図、図４はその全体構成を示
す回路図である。図５はこのＳＬＥＤを制御するための
コントロール信号及びタイミングを示す図であり、一ブ
ロック分の素子を点灯する場合の例である。
を示す一ブロック分の回路図、図４はその全体構成を示
す回路図である。図５はこのＳＬＥＤを制御するための
コントロール信号及びタイミングを示す図であり、一ブ
ロック分の素子を点灯する場合の例である。
【００２８】図３のＶＧＡはＳＬＥＤの電源電圧にあた
り、図３の抵抗Ｒ11〜Ｒ15を介してφＳ１にカスケード
に接続されているダイオードＤ11〜Ｄ15のアノード側に
接続されている。そして、抵抗Ｒ11〜Ｒ15，ダイオード
Ｄ11〜Ｄ15，転送用発光サイリスタ１１〜１５が本発明
に係わる第１の駆動手段、発光用発光サイリスタ２１〜
２５が本発明に係わる発光素子、発光用発光サイリスタ
２１〜２５に共通接続される抵抗ＲＩ１が本発明に係わ
る抵抗となる。
り、図３の抵抗Ｒ11〜Ｒ15を介してφＳ１にカスケード
に接続されているダイオードＤ11〜Ｄ15のアノード側に
接続されている。そして、抵抗Ｒ11〜Ｒ15，ダイオード
Ｄ11〜Ｄ15，転送用発光サイリスタ１１〜１５が本発明
に係わる第１の駆動手段、発光用発光サイリスタ２１〜
２５が本発明に係わる発光素子、発光用発光サイリスタ
２１〜２５に共通接続される抵抗ＲＩ１が本発明に係わ
る抵抗となる。
【００２９】図３，図４に示すようにＳＬＥＤの各ブロ
ックＳＬＥＤ１〜３はスタートパルスφＳ１〜３の印加
によりそれぞれ動作を開示し、抵抗ＲＩ１〜３を介して
各ブロックＳＬＥＤ１〜３の発光用発光サイリスタから
の電流が流れる。
ックＳＬＥＤ１〜３はスタートパルスφＳ１〜３の印加
によりそれぞれ動作を開示し、抵抗ＲＩ１〜３を介して
各ブロックＳＬＥＤ１〜３の発光用発光サイリスタから
の電流が流れる。
【００３０】一ブロック分のＳＬＥＤは図３に示すよう
に転送用発光サイリスタ１１〜１５がアレー状に配列し
たものと、発光用発光サイリスタ２１〜２５がアレー状
に配列したものからなり、それぞれの発光サイリスタの
発光ゲートは共通接続され、１番目の発光サイリスタ１
１，２１のゲートはφＳ１の信号入力部に接続される。
２番目の発光サイリスタ１２，２２のゲートはφＳ１の
端子に接続されたダイオードＤ11のカソードに接続され
て、３番目の発光サイリスタ１３，２３のゲートは次の
ダイオードＤ12のカソードに接続されるというように構
成されている。図５のタイミングチャートに従い転送及
び発光動作について説明する。転送のスタートはφＳ１
を−３Ｖから０Ｖに変化させることにより始まる。φＳ
１が０ＶになることによりＶａ＝０Ｖ、Ｖｂ＝−１．３
Ｖ（ダイオードの順方向電圧降下を１．３Ｖとする）、
Ｖｃ＝−２．６Ｖ、Ｖｄ以降は−３Ｖとなり転送用発光
サイリスタ１１と１２のゲート信号が−３Ｖからそれぞ
れ０Ｖ、−１．３Ｖと変化する。この状態φ１を０Ｖか
ら−３Ｖにすることにより、１１の転送用発光サイリス
タのそれぞれの電位はアノード：０Ｖ、カソード：−３
Ｖ、ゲート：０Ｖとなり発光サイリスタのＯＮ条件とな
り、転送用発光サイリスタ１１がＯＮするその状態でφ
Ｓ１を−３Ｖに変えても転送用発光サイリスタ１１がＯ
ＮしているためＶａはほぼ０Ｖとなる（φＳは抵抗を介
してパルスが印加されており、発光サイリスタはＯＮす
るとアノードとゲート間の電位がほぼ等しくなるた
め）。このため、φＳ１を−３Ｖにしても１番目の発光
サイリスタのＯＮ条件が保持され１番目のシフト動作が
完了する。この状態で発光用発光サイリスタ用のφＩ１
信号を０Ｖから−３Ｖにすると転送用発光サイリスタ１
１がＯＮした条件と同じになるため発光用発光サイリス
タ２１がＯＮして、１番目のＬＥＤが点灯することにな
る。１番目のＬＥＤはφＩ１を０Ｖに戻すことにより発
光サイリスタのアノード・カソード間の電位差が無くな
り発光サイリスタの最低保持電流を流せなくなるため発
光用発光サイリスタ２１はＯＦＦする。
に転送用発光サイリスタ１１〜１５がアレー状に配列し
たものと、発光用発光サイリスタ２１〜２５がアレー状
に配列したものからなり、それぞれの発光サイリスタの
発光ゲートは共通接続され、１番目の発光サイリスタ１
１，２１のゲートはφＳ１の信号入力部に接続される。
２番目の発光サイリスタ１２，２２のゲートはφＳ１の
端子に接続されたダイオードＤ11のカソードに接続され
て、３番目の発光サイリスタ１３，２３のゲートは次の
ダイオードＤ12のカソードに接続されるというように構
成されている。図５のタイミングチャートに従い転送及
び発光動作について説明する。転送のスタートはφＳ１
を−３Ｖから０Ｖに変化させることにより始まる。φＳ
１が０ＶになることによりＶａ＝０Ｖ、Ｖｂ＝−１．３
Ｖ（ダイオードの順方向電圧降下を１．３Ｖとする）、
Ｖｃ＝−２．６Ｖ、Ｖｄ以降は−３Ｖとなり転送用発光
サイリスタ１１と１２のゲート信号が−３Ｖからそれぞ
れ０Ｖ、−１．３Ｖと変化する。この状態φ１を０Ｖか
ら−３Ｖにすることにより、１１の転送用発光サイリス
タのそれぞれの電位はアノード：０Ｖ、カソード：−３
Ｖ、ゲート：０Ｖとなり発光サイリスタのＯＮ条件とな
り、転送用発光サイリスタ１１がＯＮするその状態でφ
Ｓ１を−３Ｖに変えても転送用発光サイリスタ１１がＯ
ＮしているためＶａはほぼ０Ｖとなる（φＳは抵抗を介
してパルスが印加されており、発光サイリスタはＯＮす
るとアノードとゲート間の電位がほぼ等しくなるた
め）。このため、φＳ１を−３Ｖにしても１番目の発光
サイリスタのＯＮ条件が保持され１番目のシフト動作が
完了する。この状態で発光用発光サイリスタ用のφＩ１
信号を０Ｖから−３Ｖにすると転送用発光サイリスタ１
１がＯＮした条件と同じになるため発光用発光サイリス
タ２１がＯＮして、１番目のＬＥＤが点灯することにな
る。１番目のＬＥＤはφＩ１を０Ｖに戻すことにより発
光サイリスタのアノード・カソード間の電位差が無くな
り発光サイリスタの最低保持電流を流せなくなるため発
光用発光サイリスタ２１はＯＦＦする。
【００３１】次に、１１から１２に発光サイリスタのＯ
Ｎ条件の転送について説明すると、発光用発光サイリス
タ２１がＯＦＦしてもφ１が−３Ｖのままなので転送用
発光サイリスタ１１はＯＮのままで転送用発光サイリス
タ１１のゲート電圧Ｖａはほぼ０Ｖであり、Ｖｂ＝−
１．３Ｖである。この状態でφ２を０Ｖから−３Ｖに変
化させることにより転送用発光サイリスタ１２の電位は
アノード：０Ｖ、カソード：−３Ｖ、ゲート：−１．３
Ｖとなることより転送用発光サイリスタ１２はＯＮす
る。そしてＶｂはほぼ０Ｖとなる。転送用発光サイリス
タ１２がＯＮした後、φ１を−３Ｖから０Ｖに変えるこ
とにより転送用発光サイリスタ１１は発光用発光サイリ
スタ２１がＯＦＦしたのと同様にＯＦＦする。こうし
て、転送用発光サイリスタのＯＮは１１から１２に移
る。そして、φＩ１を０Ｖから−３Ｖにすると発光用発
光サイリスタ２２がＯＮし発光する。なお、転送用発光
サイリスタがＯＮしている発光用発光サイリスタのみ発
光できる理由は、転送用発光サイリスタがＯＮしていな
い場合、ＯＮしている発光サイリスタの隣の発光サイリ
スタを除いてゲート電圧が−３Ｖであるため発光サイリ
スタのＯＮ条件とはならない。隣の発光サイリスタにつ
いても発光用発光サイリスタがＯＮすることによりφＩ
１の電位は−１．６Ｖ（発光用発光サイリスタの順方向
電圧降下分）となるため、隣の発光サイリスタはゲート
・カソード間の電位差がないためＯＮすることができな
い。 〔実施例３〕以下、本発明のＬＥＤヘッドを用いた具体
的な実施例について説明する。図６は本発明のＬＥＤヘ
ッドを用いたカラー複写機の概略的構成図であり、図７
はディジタル画像処理部３１２の構成を示すブロック
図、図８はＬＥＤ画像記録部の構成を示すブロック図で
ある。
Ｎ条件の転送について説明すると、発光用発光サイリス
タ２１がＯＦＦしてもφ１が−３Ｖのままなので転送用
発光サイリスタ１１はＯＮのままで転送用発光サイリス
タ１１のゲート電圧Ｖａはほぼ０Ｖであり、Ｖｂ＝−
１．３Ｖである。この状態でφ２を０Ｖから−３Ｖに変
化させることにより転送用発光サイリスタ１２の電位は
アノード：０Ｖ、カソード：−３Ｖ、ゲート：−１．３
Ｖとなることより転送用発光サイリスタ１２はＯＮす
る。そしてＶｂはほぼ０Ｖとなる。転送用発光サイリス
タ１２がＯＮした後、φ１を−３Ｖから０Ｖに変えるこ
とにより転送用発光サイリスタ１１は発光用発光サイリ
スタ２１がＯＦＦしたのと同様にＯＦＦする。こうし
て、転送用発光サイリスタのＯＮは１１から１２に移
る。そして、φＩ１を０Ｖから−３Ｖにすると発光用発
光サイリスタ２２がＯＮし発光する。なお、転送用発光
サイリスタがＯＮしている発光用発光サイリスタのみ発
光できる理由は、転送用発光サイリスタがＯＮしていな
い場合、ＯＮしている発光サイリスタの隣の発光サイリ
スタを除いてゲート電圧が−３Ｖであるため発光サイリ
スタのＯＮ条件とはならない。隣の発光サイリスタにつ
いても発光用発光サイリスタがＯＮすることによりφＩ
１の電位は−１．６Ｖ（発光用発光サイリスタの順方向
電圧降下分）となるため、隣の発光サイリスタはゲート
・カソード間の電位差がないためＯＮすることができな
い。 〔実施例３〕以下、本発明のＬＥＤヘッドを用いた具体
的な実施例について説明する。図６は本発明のＬＥＤヘ
ッドを用いたカラー複写機の概略的構成図であり、図７
はディジタル画像処理部３１２の構成を示すブロック
図、図８はＬＥＤ画像記録部の構成を示すブロック図で
ある。
【００３２】以下、図６のカラー複写機の構成をカラー
リーダ部とプリンタ部に分けて説明するが、本発明のＬ
ＥＤヘッドは後述するプリンタ部におけるＬＥＤ駆動部
及びＬＥＤを構成するものである。 （カラーリーダ部）カラーリーダ部は図６の上部に示さ
れており、図６において、１０１はＣＣＤ、３１１はＣ
ＣＤ１０１の実装された基板、３１２は図７の画像処理
部の１０１を除いた部分及び図８の２０１・２０２〜２
０５の部分を含む画像処理部、３０１は原稿台ガラス
（プラテン）、３０２は原稿給紙装置（ＤＦ）（なお、
この原稿給紙装置３０２の代わりに不図示の鏡面圧板を
装着する構成もある）、３０３及び３０４は原稿を照明
する光源（ハロゲンランプ又は蛍光灯）、３０５及び３
０６は光源３０３・３０４の光を原稿に集光する反射
傘、３０７〜３０９はミラー、３１０は原稿からの反射
光又は投影光をＣＣＤ１０１上に集光するレンズ、３１
４はハロゲンランプ３０３・３０４と反射傘３０５・３
０６とミラー３０７を収容するキャリッジ、３１５はミ
ラー３０８・３０９を収容するキャリッジ、３１３は他
のＩＰＵ等とのインターフェイス（Ｉ／Ｆ）部である。
なお、キャリッジ３１４は速度Ｖで、キャリッジ３１５
は速度Ｖ／２で、ＣＣＤ１０１の電気的走査（主走査）
方向に対して垂直に機械的に移動することによって、原
稿の全面を走査（副走査）する。
リーダ部とプリンタ部に分けて説明するが、本発明のＬ
ＥＤヘッドは後述するプリンタ部におけるＬＥＤ駆動部
及びＬＥＤを構成するものである。 （カラーリーダ部）カラーリーダ部は図６の上部に示さ
れており、図６において、１０１はＣＣＤ、３１１はＣ
ＣＤ１０１の実装された基板、３１２は図７の画像処理
部の１０１を除いた部分及び図８の２０１・２０２〜２
０５の部分を含む画像処理部、３０１は原稿台ガラス
（プラテン）、３０２は原稿給紙装置（ＤＦ）（なお、
この原稿給紙装置３０２の代わりに不図示の鏡面圧板を
装着する構成もある）、３０３及び３０４は原稿を照明
する光源（ハロゲンランプ又は蛍光灯）、３０５及び３
０６は光源３０３・３０４の光を原稿に集光する反射
傘、３０７〜３０９はミラー、３１０は原稿からの反射
光又は投影光をＣＣＤ１０１上に集光するレンズ、３１
４はハロゲンランプ３０３・３０４と反射傘３０５・３
０６とミラー３０７を収容するキャリッジ、３１５はミ
ラー３０８・３０９を収容するキャリッジ、３１３は他
のＩＰＵ等とのインターフェイス（Ｉ／Ｆ）部である。
なお、キャリッジ３１４は速度Ｖで、キャリッジ３１５
は速度Ｖ／２で、ＣＣＤ１０１の電気的走査（主走査）
方向に対して垂直に機械的に移動することによって、原
稿の全面を走査（副走査）する。
【００３３】図７はディジタル画像処理部３１２の詳細
な構成を示すブロック図である。原稿台ガラス上の原稿
は光源３０３・３０４からの光を反射し、その反射光は
ＣＣＤ１０１に導かれて電気信号に変換される（ＣＣＤ
１０１はカラーセンサの場合、ＲＧＢのカラーフィルタ
が１ラインＣＣＤ上にＲＧＢ順にインラインに乗ったも
のでも、３ラインＣＣＤで、それぞれＲフィルタ・Ｇフ
ィルタ・ＢフィルタをそれぞれのＣＣＤごとに並べたも
のでも構わないし、フィルタがオンチップ化又は、フィ
ルタがＣＣＤと別構成になったものでも構わない）。そ
して、その電気信号（アナログ画像信号）は画像処理部
３１２に入力され、クランプ＆Ａｍｐ．＆Ｓ／Ｈ＆Ａ／
Ｄ部１０２でサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）され、アナロ
グ画像信号のダークレベルを基準電位にクランプし、所
定量に増幅され（上記処理順番は表記順とは限らな
い）、Ａ／Ｄ変換されて、例えばＲＧＢ各８ビットのデ
ィジタル信号に変換される。そして、ＲＧＢ信号はシェ
ーディング部１０３で、シェーディング補正及び黒補正
が施された後、つなぎ＆ＭＴＦ補正＆原稿検知部１０４
で、ＣＣＤ１０１が３ラインＣＣＤの場合、つなぎ処理
はライン間の読取り位置が異なるため、読取速度に応じ
てライン毎の遅延量を調整し、３ラインの読取位置が同
じになるように信号タイミングを補正し、ＭＴＦ補正は
読取速度や変倍率によって読取りのＭＴＦが変わるた
め、その変化を補正し、原稿検知は原稿台ガラス上の原
稿を走査することにより原稿サイズを認識する。読取位
置タイミングが補正されたディジタル信号は入力マスキ
ング部１０５によって、ＣＣＤ１０１の分光特性及び光
源３０３・３０４及び反射傘３０５・３０６の分光特性
を補正する。入力マスキング部１０５の出力は外部Ｉ／
Ｆ信号との切り換え可能なセレクタ１０６に入力され
る。セレクタ１０６から出力された信号は色空間圧縮＆
下地除去＆ＬＯＧ変換部１０７と下地除去部１１５に入
力される。下地除去部１１５に入力された信号は下地除
去された後、原稿中の原稿の黒い文字かどうかを判定す
る黒文字判定部１１６に入力され、原稿から黒文字信号
を生成する。また、もう一つのセレクタ１０６の出力が
入力された色空間圧縮＆下地除去＆ＬＯＧ変換部１０７
では、色空間圧縮は読み取った画像信号がプリンタで再
現できる範囲に入っているかどうか判断し、入っている
場合はそのまま、入っていない場合は画像信号をプリン
タで再現できる範囲に入るように補正する。そして、下
地除去処理を行い、ＬＯＧ変換でＲＧＢ信号からＣＭＹ
信号に変換する。そして、黒文字判定部１１６で生成さ
れた信号とタイミングを補正するため色空間圧縮＆下地
除去＆ＬＯＧ変換部１０７の出力信号は遅延１０８でタ
イミングを調整される。この２種類の信号はモワレ除去
部１０９でモワレが除去され、変倍処理部１１０で、主
走査方向に変倍処理される。１１１はＵＣＲ＆マスキン
グ＆黒文字反映部で、変倍処理部１１０で処理された信
号はＣＭＹ信号はＵＣＲ処理でＣＭＹＫ信号が生成さ
れ、マスキング処理部でプリンタの出力にあった信号に
補正されると共に黒文字判定部１１６で生成された判定
信号がＣＭＹＫ信号にフィールドバックされる。ＵＣＲ
＆マスキング＆黒文字反映部１１１で処理された信号は
γ補正部１１２で濃度調整された後フィルタ部１１３で
スムージング又はエッジ処理される。以上処理された信
号は図８に示す２０１の２値変換部で８ビットの多値信
号から２値信号に変換される。（変換方法はディザ法・
誤差拡散法・誤差拡散の改良したものいずれでもかまわ
ない。） （プリンタ部）プリンタ部は図６の下部に示されてお
り、３１７はＭ画像形成部、３１８はＣ画像形成部、３
１９はＹ画像形成部、３２０はＫ画像形成部で、それぞ
れの構成は同一なので、ここではＭ画像形成部３１７を
詳細に説明し、他の画像形成部の説明は省略する。本発
明のＬＥＤヘッドはＬＥＤ駆動部２０６〜２０９及びＬ
ＥＤ２１０〜２１３を構成するものであり、図８に示さ
れている。
な構成を示すブロック図である。原稿台ガラス上の原稿
は光源３０３・３０４からの光を反射し、その反射光は
ＣＣＤ１０１に導かれて電気信号に変換される（ＣＣＤ
１０１はカラーセンサの場合、ＲＧＢのカラーフィルタ
が１ラインＣＣＤ上にＲＧＢ順にインラインに乗ったも
のでも、３ラインＣＣＤで、それぞれＲフィルタ・Ｇフ
ィルタ・ＢフィルタをそれぞれのＣＣＤごとに並べたも
のでも構わないし、フィルタがオンチップ化又は、フィ
ルタがＣＣＤと別構成になったものでも構わない）。そ
して、その電気信号（アナログ画像信号）は画像処理部
３１２に入力され、クランプ＆Ａｍｐ．＆Ｓ／Ｈ＆Ａ／
Ｄ部１０２でサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）され、アナロ
グ画像信号のダークレベルを基準電位にクランプし、所
定量に増幅され（上記処理順番は表記順とは限らな
い）、Ａ／Ｄ変換されて、例えばＲＧＢ各８ビットのデ
ィジタル信号に変換される。そして、ＲＧＢ信号はシェ
ーディング部１０３で、シェーディング補正及び黒補正
が施された後、つなぎ＆ＭＴＦ補正＆原稿検知部１０４
で、ＣＣＤ１０１が３ラインＣＣＤの場合、つなぎ処理
はライン間の読取り位置が異なるため、読取速度に応じ
てライン毎の遅延量を調整し、３ラインの読取位置が同
じになるように信号タイミングを補正し、ＭＴＦ補正は
読取速度や変倍率によって読取りのＭＴＦが変わるた
め、その変化を補正し、原稿検知は原稿台ガラス上の原
稿を走査することにより原稿サイズを認識する。読取位
置タイミングが補正されたディジタル信号は入力マスキ
ング部１０５によって、ＣＣＤ１０１の分光特性及び光
源３０３・３０４及び反射傘３０５・３０６の分光特性
を補正する。入力マスキング部１０５の出力は外部Ｉ／
Ｆ信号との切り換え可能なセレクタ１０６に入力され
る。セレクタ１０６から出力された信号は色空間圧縮＆
下地除去＆ＬＯＧ変換部１０７と下地除去部１１５に入
力される。下地除去部１１５に入力された信号は下地除
去された後、原稿中の原稿の黒い文字かどうかを判定す
る黒文字判定部１１６に入力され、原稿から黒文字信号
を生成する。また、もう一つのセレクタ１０６の出力が
入力された色空間圧縮＆下地除去＆ＬＯＧ変換部１０７
では、色空間圧縮は読み取った画像信号がプリンタで再
現できる範囲に入っているかどうか判断し、入っている
場合はそのまま、入っていない場合は画像信号をプリン
タで再現できる範囲に入るように補正する。そして、下
地除去処理を行い、ＬＯＧ変換でＲＧＢ信号からＣＭＹ
信号に変換する。そして、黒文字判定部１１６で生成さ
れた信号とタイミングを補正するため色空間圧縮＆下地
除去＆ＬＯＧ変換部１０７の出力信号は遅延１０８でタ
イミングを調整される。この２種類の信号はモワレ除去
部１０９でモワレが除去され、変倍処理部１１０で、主
走査方向に変倍処理される。１１１はＵＣＲ＆マスキン
グ＆黒文字反映部で、変倍処理部１１０で処理された信
号はＣＭＹ信号はＵＣＲ処理でＣＭＹＫ信号が生成さ
れ、マスキング処理部でプリンタの出力にあった信号に
補正されると共に黒文字判定部１１６で生成された判定
信号がＣＭＹＫ信号にフィールドバックされる。ＵＣＲ
＆マスキング＆黒文字反映部１１１で処理された信号は
γ補正部１１２で濃度調整された後フィルタ部１１３で
スムージング又はエッジ処理される。以上処理された信
号は図８に示す２０１の２値変換部で８ビットの多値信
号から２値信号に変換される。（変換方法はディザ法・
誤差拡散法・誤差拡散の改良したものいずれでもかまわ
ない。） （プリンタ部）プリンタ部は図６の下部に示されてお
り、３１７はＭ画像形成部、３１８はＣ画像形成部、３
１９はＹ画像形成部、３２０はＫ画像形成部で、それぞ
れの構成は同一なので、ここではＭ画像形成部３１７を
詳細に説明し、他の画像形成部の説明は省略する。本発
明のＬＥＤヘッドはＬＥＤ駆動部２０６〜２０９及びＬ
ＥＤ２１０〜２１３を構成するものであり、図８に示さ
れている。
【００３４】図６に示すように、Ｍ画像形成部３１７に
おいて、３４２は感光ドラムで、ＬＥＤアレイ２１０か
らの光によって、その表面に潜像が形成される。３２１
は一次帯電器で、感光ドラム３４２の表面を所定の電位
に帯電させ、潜像形成の準備をする。３２２は現像器
で、感光ドラム３４２上の潜像を現像して、トナー画像
を形成する。なお、現像器３２２には、現像バイアスを
印加して現像するためのスリーブ３４５が含まれてい
る。３２３は転写帯電器で、転写ベルト３３３の背面か
ら放電を行い、感光ドラム３４２上のトナー画像を、転
写ベルト３３３上の記録紙などへ転写する。本実施例で
は転写効率がよいため、クリーナ部が配置されていない
（クリーナ部を装着しても問題ないことはいうまでもな
い。）。
おいて、３４２は感光ドラムで、ＬＥＤアレイ２１０か
らの光によって、その表面に潜像が形成される。３２１
は一次帯電器で、感光ドラム３４２の表面を所定の電位
に帯電させ、潜像形成の準備をする。３２２は現像器
で、感光ドラム３４２上の潜像を現像して、トナー画像
を形成する。なお、現像器３２２には、現像バイアスを
印加して現像するためのスリーブ３４５が含まれてい
る。３２３は転写帯電器で、転写ベルト３３３の背面か
ら放電を行い、感光ドラム３４２上のトナー画像を、転
写ベルト３３３上の記録紙などへ転写する。本実施例で
は転写効率がよいため、クリーナ部が配置されていない
（クリーナ部を装着しても問題ないことはいうまでもな
い。）。
【００３５】次に、記録紙などの上へ画像を形成する手
順を説明する。カセット３４０・３４１に格納された記
録紙等はピックアップローラ３３９・３３８により１枚
毎に給紙ローラ３３６・３３７で転写ベルト３３３上に
供給される。給紙された記録紙は、吸着帯電器３４６で
帯電させられる。３４８は転写ベルトローラで、転写ベ
ルト３３３を駆動し、かつ、吸着帯電器３４６と対にな
って記録紙等を帯電させ、転写ベルト３３３に記録紙等
を吸着させる。３４７は紙先端センサで、転写ベルト３
３３上の記録紙等の先端を検知する。なお、紙先端セン
サの検出信号はプリンタ部からカラーリーダ部へ送られ
て、カラーリーダ部からプリンタ部にビデオ信号を送る
際の副走査同期信号として用いられる。
順を説明する。カセット３４０・３４１に格納された記
録紙等はピックアップローラ３３９・３３８により１枚
毎に給紙ローラ３３６・３３７で転写ベルト３３３上に
供給される。給紙された記録紙は、吸着帯電器３４６で
帯電させられる。３４８は転写ベルトローラで、転写ベ
ルト３３３を駆動し、かつ、吸着帯電器３４６と対にな
って記録紙等を帯電させ、転写ベルト３３３に記録紙等
を吸着させる。３４７は紙先端センサで、転写ベルト３
３３上の記録紙等の先端を検知する。なお、紙先端セン
サの検出信号はプリンタ部からカラーリーダ部へ送られ
て、カラーリーダ部からプリンタ部にビデオ信号を送る
際の副走査同期信号として用いられる。
【００３６】この後、記録紙等は、転写ベルト３３３に
よって搬送され、画像形成部３１７〜３２０においてＭ
ＣＹＫの順にその表面にトナー画像が形成される。Ｋ画
像形成部３２０を通過した記録紙等は、転写ベルト３３
３からの分離を容易にするため、除電帯電器３４９で除
電された後、転写ベルト３３３から分離される。３５０
は剥離帯電器で、記録紙等が転写ベルト３３３から分離
する際の剥離放電による画像乱れを防止するものであ
る。分離された記録紙等は、トナーの吸着力を補って画
像乱れを防止するために、定着前帯電器３５１・３５２
で帯電された後、定着器３３４でトナー画像が熱定着さ
れた後、３３５の排紙トレーに排紙される。
よって搬送され、画像形成部３１７〜３２０においてＭ
ＣＹＫの順にその表面にトナー画像が形成される。Ｋ画
像形成部３２０を通過した記録紙等は、転写ベルト３３
３からの分離を容易にするため、除電帯電器３４９で除
電された後、転写ベルト３３３から分離される。３５０
は剥離帯電器で、記録紙等が転写ベルト３３３から分離
する際の剥離放電による画像乱れを防止するものであ
る。分離された記録紙等は、トナーの吸着力を補って画
像乱れを防止するために、定着前帯電器３５１・３５２
で帯電された後、定着器３３４でトナー画像が熱定着さ
れた後、３３５の排紙トレーに排紙される。
【００３７】ＬＥＤ画像記録について説明する。図８に
示すように、図７の画像処理部で生成された２値のＣＭ
ＹＫの画像信号は紙先端センサ３４７からの紙先端信号
を基に２値変換部で生成された信号は、それぞれ遅延部
２０２〜２０５によって紙先端センサとそれぞれの画像
形成部との距離の違いを調整することにより４色を所定
の位置に印字することが可能となる。ＬＥＤ駆動２０６
〜２０９はＬＥＤ２１０〜２１３を駆動するための信号
を生成する。
示すように、図７の画像処理部で生成された２値のＣＭ
ＹＫの画像信号は紙先端センサ３４７からの紙先端信号
を基に２値変換部で生成された信号は、それぞれ遅延部
２０２〜２０５によって紙先端センサとそれぞれの画像
形成部との距離の違いを調整することにより４色を所定
の位置に印字することが可能となる。ＬＥＤ駆動２０６
〜２０９はＬＥＤ２１０〜２１３を駆動するための信号
を生成する。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
抵抗の数を従来に比べて大幅に減らすことができ、発光
素子から分離された位置に抵抗を配しても抵抗及び配線
による面積の増加は、抵抗を各発光素子ごとに設ける場
合に比べて大幅に抑えられる。
抵抗の数を従来に比べて大幅に減らすことができ、発光
素子から分離された位置に抵抗を配しても抵抗及び配線
による面積の増加は、抵抗を各発光素子ごとに設ける場
合に比べて大幅に抑えられる。
【００３９】そして、抵抗を発光素子と熱的に分離され
た位置に配すれば、抵抗からの熱による発光素子の特性
変動を抑制することができる。
た位置に配すれば、抵抗からの熱による発光素子の特性
変動を抑制することができる。
【００４０】また、少なくとも前記Ｎ個の配列された発
光素子を基板上の一方の主面に配し、前記抵抗を該基板
の他方の主面に配すれば、発光素子と抵抗との熱的分離
をより効果的に行うことができる。
光素子を基板上の一方の主面に配し、前記抵抗を該基板
の他方の主面に配すれば、発光素子と抵抗との熱的分離
をより効果的に行うことができる。
【００４１】さらに、一つのグループの発光素子と抵抗
とを接続する配線の巾よりも該抵抗と第２の駆動手段と
を接続する配線の巾を太くすれば、主として第２の駆動
手段側の配線に熱を放出して、発光素子側の配線への熱
伝導を抑制することができる。
とを接続する配線の巾よりも該抵抗と第２の駆動手段と
を接続する配線の巾を太くすれば、主として第２の駆動
手段側の配線に熱を放出して、発光素子側の配線への熱
伝導を抑制することができる。
【図１】本発明によるＬＥＤヘッドの一実施例を示す概
略的回路図及び断面図である。
略的回路図及び断面図である。
【図２】ＬＥＤヘッドの１ブロック分の概略的構成図、
その断面図、及び部分拡大図である。
その断面図、及び部分拡大図である。
【図３】本発明を用いたＳＬＥＤの一実施例を示す一ブ
ロック分の回路図である。
ロック分の回路図である。
【図４】図３のＳＬＥＤの全体構成を示す回路図であ
る。
る。
【図５】ＳＬＥＤを制御するためのコントロール信号及
びタイミングを示す図である。
びタイミングを示す図である。
【図６】本発明のＬＥＤヘッドを用いたカラー複写機の
概略的構成図である。
概略的構成図である。
【図７】ディジタル画像処理部３１２の詳細な構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図８】ＬＥＤ画像記録部の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図９】従来のＬＥＤヘッドの構成を示す概略的回路図
及び断面図である。
及び断面図である。
１−１〜１−１０ ＬＥＤ素子 ６−１，６−２ 制限抵抗 ７−１，７−２ 駆動トランジスタ ８ 制御部 ９ ＩＣ １０ ヒートシンク １１ａ〜１１ｃ 配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷岡 宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−82086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−179582（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−228973（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−112376（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−170142（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−148341（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 G03G 15/04 H04N 1/036
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎ個の配列された発光素子をＭ個のグル
ープに分け、各グループの配列順が同じ発光素子の一方
の端子を共通接続して、各グループの配列順が同じ発光
素子を順次駆動する第１の駆動手段に接続し、 各グループの前記発光素子の他方の端子はグループごと
に共通接続して、各グループごとに設けられた抵抗に接
続し、該抵抗は各グループごとに順次駆動する第２の駆
動手段に接続し、 一つのグループの前記発光素子と前記抵抗とを接続する
配線の巾よりも前記抵抗と前記第２の駆動手段とを接続
する配線の巾を太くした 発光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光装置において、前記
抵抗は前記発光素子と熱的に分離された位置に配されて
いることを特徴とする発光装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の発光装置において、少な
くとも前記Ｎ個の配列された発光素子は基板上の一方の
主面に配され、前記抵抗は該基板の他方の主面に配され
ていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の発光装置において、太く
したパターンに放熱材を付けることを特徴とする発光装
置。 - 【請求項５】 請求項１記載の発光装置において、前記
発光素子は、感光ドラムの表面に潜像を形成するための
光を発光する素子であることを特徴とする発光装置。
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|---|---|---|---|
| JP12366895A JP3219263B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 発光装置 |
| US08/651,702 US6008833A (en) | 1995-05-23 | 1996-05-21 | Light-emitting device and image forming apparatus using the same |
| EP96108173A EP0744298A3 (en) | 1995-05-23 | 1996-05-22 | Light-emitting device and image forming apparatus using the same |
| CN96110389A CN1115856C (zh) | 1995-05-23 | 1996-05-23 | 发光器件及利用该器件的图象形成装置 |
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|---|---|---|---|
| JP12366895A JP3219263B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 発光装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH08316530A JPH08316530A (ja) | 1996-11-29 |
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|---|---|---|---|
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