TW506033B - Holding apparatus for object to be processed - Google Patents

Description

五、發明說明G) <背景技術> 本發明係關於一種被處理體之保持裝置，係在被搭載 於電漿處理裝置等之處理燃燒室内，保持被處理體。 一般，在半導體晶圓等之被處理體積板，作為實施電 漿處理之裝置，廣為人知者有除去CVD裝置、蝕刻裝置 等、保護膜罩等之灰化裝置等。 該電漿處理裝置，係在導入流程氣之空氣環降下使其 發生電漿，並具有在裝填之被處理基板用以實施處理之處 理燃燒室，在該處理燃燒室内（處理室），設置持有用以發 生電漿之電極機能，且保持被處理體之保持裝置。 在第5圖表示習知之保持裝置之一構成例。 該保持裝置包含有：載置台（支撐器本體}1、靜電吸盤 邛2、與聚焦環3。該載置台（支撐器本體）丨，係用以載置形 成破處理體之半導體晶圓（以下稱晶圓）W ;靜電吸盤部2， 係被配置於該支撐器本體1的上面（凸部的上面）；聚焦環 3，係被嵌入包圍該靜電吸盤部2之鍔部。另外，聚焦環3 的上面，設置溝（段差）使其嵌合被載置之晶圓w。 在该支撐器本體1，形成氣體供給路6用以由外部導入 氣體進行晶圓w的溫度控制。該氣體供給路6，係貫通聯結 於未圖式外部之氣體供給源之基幹部分6a、與由該基幹部 分6a分散之靜電吸盤部2,並由連接到靜電吸盤部的上面多 數開口之開口部7之分歧部分❿所形成。 由該氣體供給源供給作為熱傳達媒體（冷卻媒體）機能 之氦氣體等，進行被保持之晶圓的溫度控制。在該支撐器 五、發明說明（2) 本體1 ’連接馬周波電源4施加高周波電力。另外，靜電吸 盤2 ’係被形成作為由聚醯亞胺樹脂等所形成之薄板狀介電 體’在其内部，設置連接於直流電源5之電極板8。由該直 流電源5朝電極板8施加直流電壓後，發生庫倫力等之吸引 力’晶圓W被靜電吸著於本體1侧。 通常，藉電漿處理裝置處理，係使晶圓W吸著保持於 靜電吸盤2,同時藉未圖示之排氣系將處理燃燒室内排氣至 疋之真空度，導入流程氣後，使其作為由高周波電源4 施加高周波電力至支撐器本體丨之電極之機能，在與對向電 極（未圖示）之間使其發生電漿。該電漿係藉由支樓器本體1 上之聚焦環3集中於晶圓W上，對於晶圓w實施一定之電漿 處理（例如蝕刻處理）。藉曝露於該電漿之處理，晶圓貿的 腹度變回，但藉由開口部7將前述之氦氣吹向晶圓w的裡面 侧，可以更有效率地冷卻。 但是，在該保持裝置之構造中，考慮到維修等由於聚 焦環3單單只是被嵌入支撐器本體丨之構造，所以在聚焦環] 與支撐裔本體1之間具有真空細隙，兩者間之熱傳達變差， 無法冷卻如晶圓W，因此，進行晶圓％的處理後，聚焦環3 之溫度經常被蓄積，超過晶圓霤的溫度後變高。 因叉此影響，晶圓W的外周緣部之蝕刻特性發生變 化，該部分之蝕刻變成不充分，發生例如脫孔性惡化，或 钱刻之選擇比降低等之問題。在此，所謂脫孔性係指藉餘 刻可以確貫地挖入到所定之深度之特性。脫孔性變差後在 小型孔等也就無法蝕刻到一定之深度。 五、發明說明⑴ 特別疋在今曰，為了謀求生產量的增加及集積化的提 日日圓W的大口徑化、超微細化被強力地要求，且即使 在良率中也被要求高水準。由於儘可能取得較多配置可以 I成於平均每i枚之晶UW之晶粒，所以裳置被配置到晶圓 W之外周間際。為此，聚焦環3之溫度上升，對裳置之良率 形成較大之影響。 作為解決如此之問題，係在特開平7_31〇187號公報盥 特開平1〇伽88號公報陳5,958 265)中，提出種種調節 相當於聚焦環構件之溫度之方法。 / —此等之中，被開示於特開平1〇_3〇3288號公報之技術， 係藉靜電吸著吸著聚焦環（特性補正環：6㈣咖『 c〇⑽ti〇n ring)，使接觸性提昇改善熱的傳導性，提高聚 紐的冷卻效果被開示。但是，在習知之技財，由於聚 焦環的形狀複雜在成形時需發費相當功夫，另外，鍔部分 等之較薄處所，具有因熱加上膨脹與收縮容易引起變形之 問題。4㈣發生後’具有與冷卻面之接觸性變差對冷卻 帶來障礙之虞慮。 另外，聚焦環與晶UW的靜電吸著，由於係藉相同之 電源同時進行吸著與開放’所以對於電極在使晶圓w安裝 •脫離之際，聚焦環有可能上浮，在上浮接觸到搬送機構 的場合，變成容易招致搬送過失。在此，在該習知技術， 設置機械固定機構，將聚焦環更進一步地壓入支撐器本 體，使其具有冷卻效果，同時可以防止上浮。但是，該機 械機構，由於具有驅動機構與固定之可以裝卸之連結機 五、發明說明(4) 構，所以構造上較複雜，且形成成本上升的要因。 <發明的開示> 本發明係以提供一種被處理體之保持裝置為目的，該 裝置係被搭載於對被處理體實施電漿處理之裝置内，並抑 制熱的蓄積，在聚焦環的近旁中，使電漿處理特性不會經 常地變化，可以均一地處理被處理體全體，而且可以以簡 單的構造實現降低成本。 如以上構造之本發明之被處理體之保持裝置，係包含 有·支撐器本體，係在其内部裝設有溫度調節機構形成凸 型形狀，並具有使其載置被處理體之凸部上面之保持部、 與用以嵌入聚焦環被形成於前述保持部之外周緣之鍔部； 第1之介電體膜，係用以藉直流電壓的施加發生吸著前 述被處理體之庫倫力，並被設置於前述保持部上；第2之介 電體膜，係用以藉直流電壓的施加發生吸著前述聚焦環之 約翰遜伯克力，並被設置於前述鍔部上；及，直流電源， 係用以朝前述第1之介電體膜與第2之介電體膜分別施加直 流電壓，又藉前述溫度調節機構，將前述聚焦環的溫度與 被保持於前述保持部之被處理體調整至约略相同之溫度。 另外，被處理體之保持裝置，係包含有··支撐器本體， 係在其内部裝設有溫度調節機構形成凸型形狀，並具有使 其載置被處理體之凸部上面之保持部、與用以嵌入聚焦環 被形成於前述保持部之外周緣之鍔部；第1之介電體膜，係 用以藉直流電壓的施加發生吸著前述被處理體之庫倫力， 並被設置於前述保持部上；第2之介電體膜，係用以藉直流 五、發明說明（5) 電壓=施加發生吸著前述聚焦環之約翰遜伯克力，並被設 :刖述鍔邛上，直流電源，係用以朝前述第丄之介電體膜 與第2之介電體膜分別施加直流電壓；及，開關，係用以在 前述被處㈣處理_成導通，在前述被處理體之搬送時 瓜成非導通’並被設置於前述第丨之介電體膜與前述直流電 源之間；又即使在前述被處理體之搬送時，也吸著保持前 述聚焦環。 〈圖面的簡單說明> 第1圖為本發明之被處理體之保持裝置之第1實施型態 之一構惑#f^農^圖。 第示第i實施型態之變形例之圖。 第3圖為形成本發明之第2實施型態之被處理體之保持 裝置之一構成例之截面圖。 第4圖為形成本發明之第3實施型態之被處理體之保持 裝置之一構成例之截面圖。 第5圖為習知之被處理體之保持裝置之一構成例之截 面圖。 <實施發明的最佳實施型態> 以下’參照圖面針對本發明之實施型態加以詳細說明。 第1圖為表示說明由本發明之第1實施型態所形成之被 處理體之保持裝置之一構成例之截面圖。 該被處理體之保持裝置1〇，係由支撐器本體1、第1介 電體膜14a、第2介電體膜14b、與聚焦環12所構成。該支撐 器本體1，係呈凸形狀藉未圖示之搬送機構搬送載置形成被 五、發明說明⑷ 處理體之半導體晶圓w(以下稱晶圓）；該第丨介電體膜 14a，係被設置成使其覆蓋該支撐器本體丨之凸部上面之晶 圓載置面（保持部）lla ;該第2介電體膜14b，係被設置成使 其覆蓋支撐器本體1之凸部外周緣部份之聚焦環載置面（鍔 部），該聚焦環12，係可以裝卸地被朝鍔部Ub嵌入。 在該支撐器本體11，接續例如供給13 56MHzi高周波 電力之高周波電源13，及出力用以使後述靜電吸著力發生 之直流電壓之直流電源15。該直流電源15係可以調整出 力。另外’支#器本體11係具有絕緣性材料，例如由AIN、 AI2〇3等所形成，聚焦環12，係例如藉矽、氮化矽、或矽碳 化物等之陶瓷所形成。尚且，支撐器本體u，係藉密著於 未圖示之下部電極’即使藉由下部電極供給高周波電力與 直流電力亦可。 前述第1之介電體膜14a與第2之介電體膜14b，係由具 有分別不同比抵抗率之陶瓷等之無機材料與聚醯亞胺樹脂 等之耐熱性樹脂等之介電體所形成。此等之第丨、第2之介 電體膜14a、14b ’係藉陶瓷之溶射技術形成例如6〇〇#❿程 度之厚度，作為靜電吸著晶圓W及聚焦環12之靜電吸盤之 機能。 第1、第2之介電體膜14a、14b，係藉由例如同時在氧 化鋁添加導電性不純物之混合物所形成，分別之比抵抗率 可以藉添加之導電性不純物之添加量做適當的調整。另 外’此等之第1、第2之介電體膜14a、14b之膜厚，具有所 謂薄的話絕緣耐性降低，厚的話吸著力降低之關係，因應 五、發明說明（7) 晶圓W及聚焦環12設定適當之膜厚。 例如，為了使膜厚d、介電率£之介電體膜作為靜電吸 盤：機能，由其單侧施加直流電壓V後，在介電體膜的兩 :蓄積平均單位面積之Q= eN/d之正負的電荷。此時之電 荷之形成庫倫力等之半導體晶_及聚焦和，藉由介電 體膜被吸著。但是，介電體膜的比抵抗率，在藉由比1X1012 Ω · cm還小的材料而形成的場合，微小電流流到介電體 膜，由於電荷被蓄積於介電體膜的表面，所以d看起來變成 非常地小，被得到較強的吸著力。此仍是眾知之利用約翰 遜伯克力作為靜電吸盤。 在此，在本實施例，第i之介電體膜14a，係藉例如比 比抵抗率1x10% .cm還大的材料(例在氧化鋁添加導 電性不純物之混合物）而形成，使其以庫倫力吸著半導體晶 圓W。在吸著半導體晶圓w的場合，與其藉由強力吸著力， 不如電荷的自狀散較快，可以盡快優先地裝卸半導體晶 圓W。 =一方面，第2之介電體膜14b，係藉例如比比抵抗率 1x10 Ω · cm還小的材料（例如，在氧化鋁添加丁〗〇等之導 電性不純物之混合物）而形成，使其以約翰遜伯克力吸著半 導體阳圓w。吸著聚焦環12的場合，由於聚焦環12例如具 有6疆程度之厚所以與其電荷之進速自然放散不如優 先被較長吸著力。從於，在停止直流電壓之施加後之中， 蓄積電荷之自然放散，係藉約翰遜伯克力的場合比藉庫偷 力的場合，形成較長的時間。 506033 五、發明說明（s) 在前述聚焦環12的上面，沿著内周緣部形成段部12a。 該段部12a，係在安裝聚焦環12於支撐器本體11之際，由約 略與第1之介電導體膜l4a的表面同一面所形成之段差（深 度）而形成。使被嵌入該段差内之晶圓W的裡面被密著於第 1之介電導體膜14a。 而且’由直流電源15任意地被設定至支撐器本體丨丨之 例如2KV之直流電壓被施加之後，在第1、第2之介電體膜 14a、14b之分別表面，靜電氣帶電，發生靜電吸著力。第1 之介電體膜14a，係以庫倫力吸著晶圓w，第2之介電體膜 14b，係以約翰遜伯克力吸著聚焦環12。 在該被處理體之保持裝置，搭載2個之溫度調整機構， 同日守被使用於冷卻，一方面為藉流體進行冷卻之機構，另 一方面為藉氣體冷卻之機構。亦即，在支撐器本體丨丨内形 成冷媒流路18,在該冷媒流路18内使冷卻媒體（例如乙二醇） 流通，藉由支撐器本體U間接地冷卻晶圓貿。另外，在支 撐器本體11内形成氣體供給路17，用以由外部之氣體供給 源16導入氣體進行晶圓w的溫度控制。該氣體供給路17， 係貫通基幹部分17a、與由該基幹部分17&分散之第1、第2 之介電體膜14a、14b，並由連結到在此等上面多數開口之 開口部17c為止之分歧部分17b所形成。在該構造中，將被 溫度控制之冷卻用氣體，例如氦氣（He)，由氣體供給源16 通過氣體供給路17，吹向晶圓w的裡面與聚焦環的底面分 別進行冷卻。 如此被構成之被處理體之保持裝置，假設被搭載於電 11

五、發明說明（9) 漿處理裝置（蝕刻裝置）為例，針對其保持動作加以說明。 被處理體之保持裝置，係在處理燃燒室内被配置成平 行對峙’並被安裝於下部電極之下部電極上，藉由下部電 極給予高周波電力，藉由直接地或下部電極給予直流電壓。 由外部藉由搬送機構，晶圓被搬入載置於晶圓在置面 (保持部11a之第1之介電體膜14a)上。其後，由直流電源15 施加一定之直流電壓至支撐器本體U，在第1、第2之介電 體膜14a、14b靜電氣帶電。晶圓W，係以使其發生第1之介 電體膜14a之庫倫力被靜電吸著保持於保持部12a上。與此 同時，聚焦環12也以使其發生第2介電體膜14a之約翰遜伯 克力被強力靜電吸著保持於鍔部lib。而且，處理燃燒室之 門閥被關閉，形成氣密狀態之後，藉排氣系統排出處理燃 燒室内之氣體減壓形成一定之真空度。 其-人，在處理燃燒室内導入流程氣形成流程氣空氣環 境’由高周波電源13朝支撐器本體丨丨施加高周波電力，使 其發生電漿。該電漿係藉支撐器本體U之聚焦環12，集中 於支樓器本體11上之半導體晶圓W，在半導體晶圓w的表 面實施一定之蝕刻處理。 此時，晶圓W之被曝露於電漿之溫度上升，藉被溫度 管理之冷媒流路18冷卻支撐器本體U，支撐器本體u上之 晶圓W被冷卻。加上，由晶圓裡面側吹上冷卻用氣體效果 更加地被冷卻、被溫度控制。另一方面，聚焦環12也被曝 露電漿，溫度上升。與晶圓W同樣，聚焦環12也藉冷媒流 路18之冷媒及氣體供給路17之冷卻用氣體，彳艮有效率地被 12 506033 五、發明說明（10) 冷卻，被維持與晶圓W略同一水準之溫度，兩者間幾乎不 發生溫度差，即使有溫度差也是微乎其微。 從而，晶圓W的外周緣部，係不受聚焦環12的溫度的 衫響，可以以半導體晶圓w全面進行一定之蝕刻處理，不 會如習知之脫孔性惡化，或蝕刻的選擇比惡化。 如以上之就明，若依據本實施型態，聚焦環12藉第2 之’丨電體膜14b’以約翰遜伯克力強力地被吸著至支撐琴本 體11，藉冷媒流路18之冷媒及氣體供給路17之冷卻用氣 體，有效率地被冷卻，與晶圓貿沒有溫度差地被維持。藉 此，防止在半導體晶圓W外周緣部之蝕刻特性的惡化，可 以將半導體晶圓W的外周緣部與其内側同樣，進行均一地 蝕刻，可以提高良率。 在第2圖A、B係表示第1實施型態之變形例。在此，僅 表不形成特徵之部份，但其他之構造係與第i圖所示之構造 相同。 在該被處理體之保持裝置中，在前述之實施型態，藉 陶瓷形成第1、第2之介電體膜14a、14b，亦可以藉聚醯亞 胺樹脂與四氟化乙烯樹脂等之耐熱性樹脂來替代此等而形 成。在使用如此之樹脂形成介電體膜之際，如第2圖所示在 支撐器本體1之凸部侧璧面llc形成環狀擋止器21，藉嵌入 聚焦環12,可以抑制無通電時之上浮。在該例，3段之環狀 擋止器21並沒有被限制於此等。 另外，即使在本實施型態，對於晶圓w採用離脫性較 好之庫倫力作為靜電吸著方法，對於聚焦環吸著力較強， 13

五、發明說明（u) 採用不易脫離之約輪遜伯克力，以簡單的構造抑制直流電 源之供給停止時之聚焦環的上浮，可以使搬送過失不容易 發生。 其次’在第3圖，說明表示形成本發明之第2實施型態 之被處理體之保持裝置之一構成例之截面圖。在此，僅表 不形成特徵之部份，但其他之構造係與第1圖所示之構造相 同〇 該被處理體之保持裝置之構造，係約略與前述之第1 實靶型恶之構造相等，但與第丨、第2之介電體膜互異。 通常’在使其與介電體膜之靜電吸著力不同的場合， 若使用不同之介電材料而形成亦可。另外，介電率相同的 场合’係如前述若利用所謂其膜厚越薄吸著力增加絕緣耐 ^生降低，相反地，膜厚越厚絕緣耐性增加吸著力降低之關 係亦可。 在此’在本實施形態，使用相同介電率之介電體膜， 形成用以保持聚焦環之第2之介電體膜14b之膜厚d2，比用 以保持晶圓w之第1之介電體膜14a之膜厚dl還薄。藉如此 之構造，用以保持聚焦環之吸著力比晶圓w之吸著力還 大。尚且，支撐器本體1之侧璧面llc之介電體膜14c，由於 被想定在聚焦環12之維修之裝卸之際脫離的場合，所以考 慮耐久性將膜厚做厚。 若依據本實施型態，與前述之第1實施型態同樣，使聚 焦環吸著於支樓器本體，藉有效率地進行冷卻，使其維持 與晶圓W沒有溫度差，防止蝕刻特性的惡化，可以提高良 五、發明說明（l2) 率〇 其次，在第4圖，說明表示由本發明之第3實施型態所 开y成之被處理體之保持裝置之一構成例之截面圖。在此， 僅表示形成特徵之部份，但其他構造則為與第丨圖所示之構 造相同。 在形成使其覆蓋支撐器本體丨之晶圓載置面（保持 部）1 la之第！之介電體膜14a内部，設置晶圓吸著用電極 22在开^成使其覆蓋聚焦環載置面（鍔部）iib之第2之介電 體膜14b内部，设置聚焦環吸著用電極23。晶圓吸著用電極 22，係使其藉由開關24被連接至直流電源15，而聚焦環吸 著用電極23則直接地被連接置直流電源15。 如此之開關24，係被藉由開關控制部25的轉換，控制 曰曰圓吸著的狀態。也就是，晶圓w的處理中使開關置於 ON，施加直流電壓於晶圓吸著用電極22，藉靜電吸著使晶 圓W保持於晶圓載置面lla。而且，在晶圓冒之搬送時，使 開關24置於0FF，使朝晶圓吸著用電極22之直流電壓的施 加停止，做成晶圓W可以脫離之狀態。另一方面，聚焦環 吸著用電極23，係由直流電源15立刻被施加直流電壓，與 開關24之動作沒有連動。 從而，在晶圓w之處理時，朝晶圓吸著用電極22及聚 焦環吸著用電極23施加直流電壓，分別保持晶圓w及聚焦 環12，在晶圓w之搬送時，可以使其維持吸著聚焦環12之 狀態。 尚且，為了改變吸著力，在將被施加至晶圓吸著用電 15 五、發明說明（l3) =2與聚焦環吸著用電極23之直流，做成不同電愿的 知合’使抵抗器介在於開關24與晶圓吸著用電極22之間， 即使將直流㈣之電M下降亦可。另外，即使連接可以出 力獨立於分別之電極之電壓之直流電源亦可，如前述之第2 實施型態，即使使介電體膜之膜厚互異亦可。 如以上之說明，若依據本發明之被處理體之保持裝 置’以簡單的構造增加朝聚焦環之支撐器本體的靜電吸著 力提高冷卻效果，不用在聚焦環近旁之電漿處理特性的經 常地變化，可以均一地處理被處理體全部。進一步，在晶 圓W的搬送時中，防止聚焦環的上浮，可以防止搬送錯誤 的發生。另外，在前述之各實施形態，作為被處理體，係 以半導體晶圓作為例，但並不限於此，即使對於保持LCD 用基板等之裝置亦可以容易地適用。 506033 五、發明說明（14) 元件標號對照 d…膜厚 12…聚焦環 ε…介電率 12a…段部 1…支撐器本體 13…局周波電源 2…靜電吸盤部 14a…第1介電體膜 3…聚焦環 14b…第2介電體膜 5…直流電源 14c…介電體膜 6…氣體供給路 15…直流電源 6a…基幹部分 16…氣體供給源 6b…分歧部分 17…氣體供給路 7…開口部 17 a…基幹部分 8…電極 18…冷媒流路 10…保持裝置 21…擂止器 11…支撐器本體 22···晶圓吸著用電極 11a…晶圓載置面 23…聚焦環吸著用電極 lib…鍔部 24…開關 11 c…侧壁面 25…開關控制部 17

Claims (1)

1. •—種被處理體之保持裝置，包含有： 支撐器本體，係具有用以載置被處理體之栽置面 且可内藏冷卻機構者； 聚焦環，係配置於前述支撐器本體的前述栽置 外周緣部； 之 第1之靜電吸著裝置，設置於前述支撐器本體之、 置面上，係用以吸著前述被處理體者；及， 、 第2之靜電吸著裝置，設置於前述支撐器本體之< 述外周緣部上，係用以以比前述第丨之靜電吸著骏置㉚ 大之靜電力吸著前述聚焦環者。 還 2. 如申請專利範圍第1項之被處理體之保持裝置，其中< 述第1、第2之靜電吸著裝置包含有： 、則 介電體膜，係用以覆蓋前述載置面及前述外周 的上面；及， "、、部 電源，係用以於該介電體膜賦予靜電力者。 3. 如申請專利範圍第丨項之被處理體之保持裝置，其中前 述介電體膜係由陶瓷所形成者。 ％ 4· 一種被處理體之保持裝置，包含有： 支撐器本體，係在其内部裝設有溫度調節機構以形 成凸型形狀’並具有用以載置被處理體之凸部上面之保 持部、及形成於前述保持部之外周緣，用以嵌入聚焦環 之鍔部； 第1之介電體膜，設置於前述保持部上，係可藉直 流電壓的施加發生用以吸著前述被處理體之庫倫力者； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --^---Ml------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18 ^u〇U33 C8 "--------------— D8_— —__ 六、申請專利範圍 第2之介電體膜，設置於前述鍔部上，係可藉直流 電壓的施加發生用以吸著前述聚焦環之約翰遜伯克力 者；及， 直電源’係用以朝前述第1之介電體膜與第2之介 電體膜分別施加直流電壓者； 又藉前述溫度調節機構，將前述聚焦環的溫度調整 至與被保持於前述保持部之被處理體約略相同之溫度。 5·如申請專利範圍第4項之被處理體之保持裝置，其中前 述第卜第2介電體膜係由包含陶瓷或聚合物樹脂與四氟 化乙烯樹脂之耐熱性樹脂之任何一種材料而形成者。 6·如申請專利範圍第4項之被處理體之保持裝置，其中前 述第2介電體膜，其形成於前述保持部之外周側壁上之 邛分之第2介電體膜係具有由凸部環狀所形成之擋止器 者。 ° 7·如申請專利範圍第4項之被處理體之保持裝置，其中前 述第2介電體膜係比前述第！之介電體膜之膜厚還薄，使 靜電吸著力較大者。 8·如申请專利範圍第4項之被處理體之保持裝置，其中前 述第2介電體膜，係由介電率比前述第丨之介電體膜還高 的材料所形成者。 9.如申請專利範圍第4項之被處理體之保持裝置，其中前 述溫度調節機構包含有： 流體冷卻機構，係在前述支撐器本體内部形成冷媒 流路’使由流體所形成之冷卻媒體流通於該冷媒流路 19 --Ν I I ^----I I · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 以間接地冷卻前述被處理體及前述聚焦環；及 氣體冷卻機構，係在前述支樓器本體内部 7使由氣體所形成之冷卻媒體流通於該氣體供^ 前述被處理體及前述„、環之各個心側吹氣 1〇.一種被處理體之保持裝置，包含有： 支撑器本體，係在其内部裝設有溫度調節機構以形 成凸型形狀，並具有用以載置被處理體之凸部上面之保 持部、及形成於前述保持部之外周緣，用以嵌入聚焦環 之鍔部； …、衣 第1之介電體膜，設置於前述保持部上，係可藉直 流電壓的施加發生用以吸著前述被處理體之庫倫力者； 第2之介電體膜，設置於前述鍔部上，係可藉直流 電壓的施加發生用以吸著前述聚焦環之約翰遜伯克力 者； 直流電源，係用以朝前述第1之介電體膜與第2之介 電體膜分別施加直流電壓；及， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 開關，設置於前述第1之介電體膜與前述直流電源 之間，係在前述被處理體處理時形成導通，在前述被處 理體之搬送時形成非導通者； 又’即使在前述被處理體之搬送時，也吸著保持前 述聚焦環。 11 · 一種被處理體之保持裝置，係包含有： 一内藏有用以載置被處理體之冷卻機構之載置 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） 506033 A8 B8 C8

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -配置於該龍台的載置面的 又，在前述載置面一體地設置有用以/从之聚焦環； 理體及前述聚焦環之靜電吸著部。 吸著前述被處 12.—種被處理體之保持裝置，係包含有： 台;：内藏有用以載置被處理體之冷卻機構之載置 一配置於該載置台的載置面的外周緣部之聚隹環; 又，在前述:置面設置以不同之靜電力分別吸著前述被處理體及㈣聚焦環之第i靜電吸著部及第2靜電 吸著部。 13·如申4專軸圍第u項之被處理體之保持裝置，其中前 述靜電吸著裝置包含有： 介電體膜層，係用以覆蓋前述載置面；及， 同電壓電源’係層賦予靜電吸著力於該介電體 者。 Η·如申請專利範圍第12項之被處理體之保持裝置，其中 述靜電吸著裝置包含有： 介電體膜層，係用以覆蓋前述載置面；及， 高電壓電源，係賦予靜電吸著力於該介電體膜層 者0 膜 前 _ _ _ _ _ __ _ _ 1 ·_1 an n «1·« n SI n n i_i I « ·1 n • * ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -21