TW491002B - Electrolytic copper foil with carrier foil and copper-clad laminate using the electrolytic copper foil with carrier foil - Google Patents

Description

491002 五、發明說明Q) 【技術領域】 載體ΐ ί:係有關於一種主要在印刷電路板等使用之附有 孰>白之電解銅箔。 【習知技術】 ^來’附有載體II之電解銅箱就被作為廣泛應用 乳、U子產業領域中之印刷電路板製造之基礎材料來 j用三一般來說，電解銅羯常使用在以與玻璃_環氧基 所貼^ f材、聚亞胺等之高分子絕緣基材藉由熱壓成型 $貼&而成之鍍銅層壓板做成之高密度印刷電路板的製造 =熱成型加壓，係將銅箱、使在Β階段（时 ^浸材（基材）以及變為其它間隙壁之鏡板進行多段 2勃，；尚溫氛圍下施以高㊣以對銅簿與預含浸板之 =合上以下’將該步驟稱為「加壓成型」卜此 =在鋼、泊上存在有皺摺’則在敏摺部之銅箱處就會產生 W隙（crack )，同時使得樹脂由預含浸板滲出，而 ί::::Ξ製造工程其後的兹刻步驟中導致所形成之電 因。而附有載體猪之電解銅荡則可藉由所使用 的載體括來防止電解銅箔側皺摺之發生σ 附有載體箔之電解銅箔一般可概分為可剝離型盘可蝕 1二若：一句話來說明其差異，則可剝離型係指在加壓 成里後可直接將載體箔剝下去除者，，而可蝕刻型係指 壓成型後可利用蝕刻法來將載體箔去除者。 習知之可剝離型在加堡成型後，其載體荡之剝離強度 第4頁 2169-3507-PF.ptd 491002 五、發明說明（2) 值會變得極 為良好的範 體箔無法剝 點 ii述缺 一般用途之 載體箔 習知之附有 型，皆係在 屬系的接合 在於載體箔 界面層之金 金屬系 屬元素之溶 施行。但是 故比起其他 形成可剝離 存在於接合 出穩定的機 更進一 溫度下施以 認為在接合 情形。此時 被3忍為是使 為了解 不穩定，一 # 一 圍。另一方面，在搞=以5〇〜3〇〇gf/cm之範圍 下的情況，而產：ί的情形下，也會產生載 點已成為使附有載辟^達到目標剝離強度之缺 際最大的卩且害。 '白之電解銅箔廣泛普及於 之剝離強度會織〜 ^ 載體箔之電i二：不穩ί的原因被認為如下。 載體箱與電解鋼^ =管是可剝離型或可蝕刻 界面層。而可剝龜=形成有以鋅為代表之金 的種類有所不同，/或可蝕刻型之分別雖然僅 屬量來進行。 旦皆需藉由控制存在於接合 接合界面層之形 液電解來進行雷h拉主要係藉由將含有既定金 ，電化學的方法;=即採用電化學的方法來 的技術方法在再現性=為：量的析出量， 型或形成可蝕刻型 2 且，由於達到

R ;昆 X t之必要析出量的程度、亦gP 能。R之、’屬量僅相差些微，故被認為很難引 ί严由Ϊ，f ^ 士的㈣一般係在1 8 〇 〇C以上的 Ϊ = Ϊ Ϊ I；/時的加壓終了後才進行，故被 ! ^ ^生载體箔與電解銅箔相互擴散之 ，由於其會往提高接合強度的方向作用，因此 剝離強度變得不穩定的原因之一。 決上述之問題點，故本案發明者等提出一種在

2169-3507-PF 第5頁 五、發明說明（3) 載體電解鋼箱層之間的接合界 CBTA等有機系劍之有機接合界面作為相互擴散：障2 有載體笛之電解銅箱以及其之製造方法。〃放之的附 不t本木發明者等所提出之在接合界面声虎伟 機系劑的附有載體箱之電解銅落 解。2用有 法剝下之不良情況，但是其可剝下範圍載“無 3gf/Cm~200gf/⑶’所以在製造完使用附有載體箔 銅洛的鍍銅層壓板之後，為了使载體能更進-步穩6曰 下’㈣烈要求對該载體箱之剝離強度無偏 就另一方面而言，附有載體箔之電解銅箔的優 於載體箔與電解銅箔恰好在層壓時呈貼合 ^ 在 藉由呈貼合狀態之載體箔與電解銅箔以使附有士體二^，

:銅=預=(基材）經熱壓成型而製造出鍵銅J 板，”至少維持到用來形成印刷電路的餘刻工程之；f 止，以猎此防止異物混入電解銅箔表面以及防止:二 層受損傷。 电解鋼洎 因此，在f造錢銅.層壓板之熱壓成型前的階段 β 不允許在處理附有載體箔之電解銅箔時發 疋 離之情=以’由於不單單僅是在該熱 需谷易剝下，逛必須確實的使載體箱維持貼合的狀=後 進入蝕刻步驟：：的階，’以·護鍍鋼層壓板 “ 2 不被污染物及異物附著。 冷表面 i yjyj δ 五、發明說明（4) 在此處，本案發明者等經 =亡述般之市場要求，即若想確；地：恭結f，為了應付 狀態直到進入蝕刻步驟之前的階严，二載體箔維持貼合的 銅箔之間可能的最低剝離強 ^ =維持载體箔與電解 於3gf/Cm〜100gf/cm。 則應將剝離強度控制 結果，藉著改良在載體落盥 層所使用的有機系劑之種類以之間的接合界面 等接合界面形成技術等之不二f接5^面層之形成方法 載體箔之電解鋼箔之主要素枒的載體：：：於將構成附有 物性予以組合以作為解決課題j電解銅落之素材 之中，由於使用附有載體箔之電的==在素材物性 造過程係採用熱壓成型， 六2鍍銅層壓板之製 處，藉由著眼於熱膨脹率，使： = 的熱應力。在該 終至完成。 把本案發明如以下所說明般而 猪，=1= = 1 表項Λ75 一種附有載體箱之電解銅 該有機接合界面層上形成—一 ^機接合界面層，再於 成載體箱層之辛二的二勝解銅箱層’其特徵在於：構 熱膨脹率之差為4x 10-Vdeg.以上構成電解銅泊層之素材的 者等t工明ί利範圍第1項中所述之發明，係經本案發明 材的熱ΐ::i結果：i該結果發現若載體猪層之構成素 4 X 1 ；電解銅箔層之構成素材的熱膨脹率之差在 钏離刑eg.以上的話，則製造鍍銅層壓板時所使用的可 W離i之附有载體猪之電解銅箱就可極容易剝離。亦即，

胃7頁 五、發明說明（5) 若載體箔層與電解銅 行為相同的話，則# ㈢在文到熱處理的過程中其熱膨脹 銅箔層之結合义％ 2有機接合界面會使載體箔層與電解 促進有機ϋ :::持在彈性限度的範圍内，因而無法 『構成載體i層之；。不過’若變為，上所述般 材的熱膨脹率之差^ 脹率與構成電解銅箔層之素 為在鍍鋼層壓板製造製x』°^eg•以上』的話，一般是認 載體箔層與電 之，、、、處理過程中，熱應力會藉由 用，因而導致可更機接合界面來引發錯位而起作 素材之間熱膨態…處所述的該構成 剝離強度栌制 —為4 X ΙΟ-Vdeg.以上，即可將 ^ ^ ^ „ μ I ;f ；c m ^ ^ ^ ^ ^ :是在载體箱層膨脹時或收縮；㈡層來j ’則即 i0—'/deg.以上較佳。 1百τ白T判斷侍知以為4x 在此處，使用『4x 10-Vdeg.以上夕主 上限範圍不明確之記述。此乃因為』之表示方式並非 f承受溫度-旦決定的Μ，其熱膨脹體箔層之素材以 ’自層之素材間的熱膨脹.率之差必然二及f構成電解鋼 此外，在本申請專利範圍中，係二，二疋的上限值。 :成-有機接合界面層，再於該有機接人$體癌層的表面 電解銅箔層的附有載體箔之電解鋼箔^ ^面層上形成一 於载體箔層與電解銅箔層之間的有機,,，、三因此，存在 以及電解銅箔層相互結合之形狀，且二地/呈與載體箔層 有作為接著層之效果。因此，由於在' ^合界面層亦具 戰體消層與電解銅箔

491002 五、發明說明（6) 層之間存在有有機接合界 解銅羯在鍵銅層磨板的製造過^ ^亥附有載體箱之電 若有在有機接合界面層使用適當： = 定的熱衝擊，但 和因載體箔層與電解銅萡層之 2機4的話，就可往緩 剝離行為之方向作用，“達；：：：脹率差異所引起的 層之間所發生之自然剝離的目的。&體笛層與電解鋼落 在此處所言之附有載體箔 所示之模式判 = < 包％銅贫係具有如第1圖 保八4面。亦即，以載體箔 女說心、 載脰箱」）與電解銅羯I (以下 么，「、带寺冉為 箔」）而言，係夢由有機接入χ ’、僅％為電解鋼 ㈣：：： ，4基板為例，其係將附有賴之Κ 钔泊興構成絕緣層之預含浸板或内屛 =又冤~ 壓，並在l8nop 士 曰I7刷電路板施行層 層壓板。右中猎由加壓成型來製造出鍍鋼 、 然而’在本發明中之载體箔中，可柿用古德、έ 4 * f無機系之金屬素材等，且若可藉 ^ ’組素材 考詈恭鹏之差為4 Χ Μ Μ 8•以上的話則更佳。但是，若 嘖專Ϊ =箱、之再回收容易性及製造穩定性的話，係以如申 利該ί圍第2項所述之電解銅箱作為主要使用者較為有 #你二月形下’本發明之附有載體箔之電解銅箔其雷鲑加 物性、胜雖係相同ί 白’然而卻必須組合使用复 特別是熱膨脹率不同之種類者。 兵 銅箔的2處’ * 了使以下的'兄明更容易理解，故先就電解 勺種類來進行説明。關於電解銅箔的分類，雖分別= 491002 五、發明說明（7) ----- 在於國際所通用的各種規格之中，但此處則是基於最廣為 一般所使用的 IPC (The Instltute f〇r Interc〇nnect、ing and Packaging Electronic Circuits)規格作為分類 說明之。 ' 若依照IPC規格的話，電解銅猪可基於其伸長率'張 力強度等之基本物性的觀點而分類成等級（grade)卜^ 級3。雖然分類方式係等級！為普通銅箔、等級2為高延展 性（ig ducti h ty )箔，但時至今日，該業者 將等級1以及等級2所屬之雷解铜嚐 般已 (以下，右5於本處所表示之意義者即稱為「並 箔」）。然後，歸屬於等級3之雷妒如—… 曰 午銅

# ^ 手、、及d之電解銅一般係稱為HTE 治。邊HTE治係用來作為在丨⑽它氛圍中具有以上 伸長率之銅箱的總稱來使用，其與屬於等級丨以2、，之 普通電解鋼箔孰伸吴率去、、笔9寺、、及2之 冷…仲長卞未滿2 %之點具有很大的差異。 ，#，在今日的印刷電路板相關產業中，更明破的脸 分類於等級3的銅箔區分為埶伸長率 j、 、將 =程二’僅稱為「HTE箔」）以及熱伸長率為1 ί 「二τ4的電解銅!”在以上及以下中，稱該銅羯為 η丄冷」），以洛貫對庫JL闲冷心❿ 矛太卢& . 貝S丁恩具用途而靈活運用之目的。 在本處所言iHTE羯與s —HTE箱在根 雖然雙方皆係由具有99 99 %左 本上疋不相同的， 成，然其折出結晶所具有的特性卻^之=析出銅所構 至少對電解把ΐ 與基材貼附而施行熱壓成型時，需 至乂對電解鋼箱施如㈣“❹分鐘程度的加熱。“

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加熱後的結晶組織置於光學顯微鏡下進行觀察，則可 於HTE猪處未見到再結晶化，而於S_HTE箱處則 = ^ SB 五、發明說明（8) 此乃為了控制銅箔之物性，故改變電解條件& 組成、溶液濃度、溶液之過濾處理方法、溶液溫度、^ 劑、電流密度等條件來進行製造，因此其析出結2二： 學的性質便不@。特別是愈容易發生再結晶化之銅落、了： 與其他銅箔相比，在其結晶内部愈容易内藏高密度的 移，並且u並非強固地固而是只需二小的埶 量就可快速的轉移而再排列，因而被認為會二 A五处日π名。 夂取文谷易發 此外，在IPC規格之中，亦對與形成鍍銅層壓板 基材接著的銅羯表面其剖面（profi le)所具有的粗糙户 來進行分類。該分類係按照在丨PC規格中訂定之 人 IPC-TM-650所訂出之試驗方法，特別分成以下3種類· 規定粗度的普通剖面箔（S型）、能擔保最大粗度為丨 微米（Vm)以下之細剖面（1〇w profile )箔f型$ 以及能擔保最大粗度為微米（"m)以下之超細剖：） (very low profile)箔（v型）。 +其中，S型以及L型姑且不論，若將屬於v型之銅箔 ，解=來得之，而進行特殊的方法於電解溶液雜質之降 低、電解條件等，則比起一般利用光學顯微鏡所觀 j狀：出組織而言，其析出結晶之晶粒大小極+，必須： 數百倍程度之光學顯微鏡倍率否則無法捕捉。因此，此處 491002 五、發明說明（9) - ' 所s之¥型的電解銅箔由於具有極細微的結晶粒，故因結 晶粒之微細化效果而使拉伸強度及硬度皆後高，因而與其 他銅箔明顯具有不同之結晶組織。 藉由如上述般之結晶構造所具有之性質的差異可推 知，銅箱所具有之物性也各自不同，故熱膨脹率亦會因上 述銅羯之種類而有微妙的差異。因此，若以作為附有載體 r白之電解銅羯的載體箱之物性而言，特別是若考慮熱膨脹 =使用適當的電解銅猪的話’則可使用與附有載體猪之 1解mi的電解銅箔層纟構成電解㈣具有不同熱膨脹率 材，項中所述的構成栽體猪層之素 材，右就分類於IPC規格之等級卜3的雷、 y 上述之普通電解銅箱、HTE箱、S-HTE落箱來說，係才曰 電解銅箔層之素材則係分類於〗PC規袼/。然後，構成 之具有極微細結晶粒的電解銅箔。表j超細剖面（V型） 述銅箔之熱膨脹率所得到的熱膨脹所不者係測定上 而表2則係將在表1中所示之電解銅α )之實測值。 熱膨脹係數（…差·的絕對值與載賴之間的 係使用理學電機股份有限公司之埶=二不之。上述之測定 準型CN8〇98F1。 』之熱機械分析襄置之TMA標

491002 五、發明說明（ίο) 表1 測定溫度 熱膨脹係數U) χιό·5 電解銅箔層 載體箔層 ΗΤΕ S-HTE 普通銅箔 昇 50 1.355 0.969 1.395 1.453 溫 100 1.491 1.137 1.527 1.689 150 1.601 1.411 1.649 1.860 — 200 1.594 1.734 1.654 1.939 降 150 1.649 1.757 1.595 2.264 溫 100 1.523 1.802 1.481 2.261 50 1.515 2.240 1.477 4.637 2169-3507-PF.ptd 第13頁 491002 五、發明說明（11) 測定溫度 -------- -— 熱膨脹係數（〇〇之差xio·5 [c電解銅馆層之值）-(戴體箔之值〕1的絕對俏 X Cv 禮〕· (ΗΤΕ) (V 型）-(S· ΗΤΕ) (V 型）·（普 銅箔） 昇 50 0.386 0,040 0.098 溫 100 0.354 0.036 0.198 150 0.190 0.048 0.259 — 200 0.140 0.060 0.345_ 降 150 0.108 0.054 0.615 溫 100 0.297 0.042 -—--—.— 0.738 50 0.725 0.038 3.122 表2 #如上述表2所示，求丨（電解鋼簿層之值卜（載‘ 、泊之值）其熱膨脹係數的絕對值。 版 S-ΗΤΕ羯時，其熱膨脹係數之差的:斟後估/載體箱處使用 中為0.046 x 1 0-Vdeg.，在 二由值平均在昇溫過程

,^ ^ 在降皿過程中則為0· 049 X deg·。而在載體箔處使用ΗΤΕ箔 复 差的絕對值平均在昇、、w^ ^ * Λ ，、”、、知脹係數之 等級1之普通電解銅箱,，治處使用相當於 “bx 105/deg·，在降溫過程中則為

2169-3507-PF.ptd 第14頁 491002 五、發明說明（12) 1· 205 X l〇-5/deg· 〇 在鍍鋼層屡板之埶成别Λ厥 解銅猪層在受到熱處理的過程=二若載體箱層與電 話，則蕤Α古德拉人 矛中兩者之熱膨脹行為相同的 f則錯由有機接合界面會使载體箱 合狀態還保持在某段限戶的蘇R，白層/、電解銅泊層之結 合界面声虛夕条丨触 的乾圍内，因而無法促進有機接 率的差^程度兪大，卩，在熱成型加壓過程中，熱膨脹 埶膨脹俜數二2昱I心谷易因熱膨脹而引起剝離行為，而 :t脹係數的差異愈小則愈不 脹率之值與該剝離強度之間關係 二 下的數據，*熱膨服率之差滿足 ϋ在之3别溫度區域 但是’若由表2明確的來比較降溫過 ：g.疋必要的。 則在昇溫過程中夕刼一眩、參 ° ^歼溫過程的話， 在昇溫過程中若滿：：：二f差變得較小。由此來判斷， 千右滿足條件的話，在降溫過 在使用以上3種載體箱時之實證 a滿足。 之較容易剝離者係指將HTE箱以及通^ ^為載體猪 體父時而言。此乃由如表2所示使用在載 兩者與構成電解鋼箱声v 传，因為上述 s—HTE箱大。這是由於Bs-HTE%r係自在的丨^數之差皆比 結晶化，因舳太 c左右的溫度下再 銅羯層之熱膨脹以：容易隨著電解 之具=以者’係本案發明者等在進行研究中所發現 表性之值’以此處所揭示之材質而構成的:;；

熱膨脹而發生剝離行為。 愈大，就愈容易因 五、發明說明（13) 載體泪之電解銅箱，在作為本發明 銅羯間的剝離強度，可在鍍銅芦 2载體泊與電解 3价心_心的範圍。；步板之^太壓安加工後呈 研究累積數據的結果，發現在昇广本案發明者反覆 載體箱層之間的熱膨脹係數之“ ^中右電解銅箱層與 上的話，即明顯可得到載體 因此’在載體處使用電解銅箱時’，係=請專 圍第2項所述般於載體箔處使用笮 ^ 解銅猪層為V型者來讓所謂的雷：二3之伯，亚糟由令電 的熱膨脹係數之差為〇.〇4χ 1〇^銅泪層與載體瘍層之間 化’以使載體箱在鍍銅層壓板之上：條件更明確 3gf/cm〜1GGgf/cm範圍之力量令其剝後能以 然後’在此處形成有機接人 用擇自由含氮有機化合物、含二：：用之有機劑，係以使 ί種或2種以上成份所構成者：：有機化合物以及羧酸之中 劑，係為了達成本案發；。以下具體所述之有機 會對存在於鍍銅層壓板加工以確認在現階段中不 驟的各種光阻塗H刻” 3為印刷電路板之製造步 等步驟造成不良影響者。， 種電鍍處理及表面實裝 在該含氮有機化合物、含 内，於含氮有機化合物中41^有機化合物以及經酸之 合物。具體…以有取代基之含氮有機化 取代基之三峻（triazolem:物來說’，以使用具有 下，稱為「BTA」）、叛基苯之1，2,3—苯亚三唑（以 硬卷本亚二唑（以下，稱為

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第16頁 491002 五、發明說明（14) 「CBTA」)、N，，N，一雙(笑卄一，计 &「RTD π 、 '产^ Q本並二0坐基甲基）脲（以下，稱 為BTD:U」）/1虱-1，2,4-三唑（以下，稱為「TA」） 以及3 -胺基-1氫-1，2，4-三唾（以τ ^ 生1以下，稱為「ΑΤΑ」）等較 隹。 在含硫有機化合物中，係以使用氣 下，稱為「ΜΒΤ」）、三聚硫氰酸（以下，稱為「tc 以及2-苯並咪唑硫醇（以下，稱為Γβιτ」）等較佳。 以羧酸而言’則特別以使用單綾酸較佳纟中並以使 用油酸（〇leiC aCid) ·' 亞油酸（Un〇leic acid)以及 亞麻酸（linolenic acid)等更传。 在以上及以下之内容中，以電解銅箔（電解銅箔層） f說’若由第2圖所示之剖面來看，一般係為由用以確保) V電性之主體（bulk )銅層、用以確保與絕緣基板之接、 穩定性之表面處理層的增粘用微細銅粒以及防銹層 成。但是，在本發明之特性上，則是除了發明之實施例以 外’皆將表面處理層的部份省略來記載。 當製造如以上所述之附有載體箔之電解銅箔時， 載體强上使用有機劑來形成有機接合界面，並進一步採 使形成電解銅箔層之銅成份電沉積的製造方法。 木 然後’在申請專利範圍第3項中之使用如申請專利範 圍第1項或第2項所述之附有载體箔之電解鋼箔的鍍鋼層^ 板，由於只需利用極小的力量即可使該載體箔之剝下^ ^ 圓滑快速地進行，故可令作業效率更進一步提昇。並且了 由於載體箔可以3gf/cm〜100gf/cm範圍之穩定力量來剝

EH 2169-3507-PF-ptd 第17頁 ----- 五、發明說明（15) 下，故亦可眚ί目A 一〜 目；^。 、々載體箱之剝下作業藉由機只 不 田機械而自動化 【圖式簡單說明】 、 弟1圖係表$ 士 椤式m 、本^明之附有載體箔之雷& 镇式圖。 冤解鋼扃的剖 第2圖係表斤 裝置模式剖面圖、本發明之附有載體羯之電解銅羯的製、4 【實施例】 ^ 以下，將太；^

Pi M .. m 發明的附有載體箔之電觫如 以及使用該銅箔制 解铜磘之製诰f、、+ m «ΤΤ ^, 衣k之鎪銅層壓板’藉由甘 方去 果而就發明之命k 田其所示之皱协h 用年〜 M施例進行說明。在此處係w: 5平鑑結 用包銅箔之情 ^ ’、乂在載體箔處传 由+ Μ 1月形作為中心來進行說明。另从 曰k使 _ . T忐使用相同符號來表示相同> ^ 式 面參照第1圖以月笪9岡 而、隹仔一 之物。以下， ^ Ί ^ Λ及弟2圖’一面進灯况明。 之電中，係'就關於如第i圖所示之附有載體猪 如第2 ρΓ: 于說明。又，在此處所使用的製造裝置2為 珩乙圖所示者，而所捲出之載體箔3則為沿電 =步驟呈蛇行輸送型之物。此處，载體箱3解:使自用層 18 二水厚之分類於等級（grade) 3的ΗΤΕ箱，即未施行表s 之卷％•銅箔，並對光澤面4側形成3微米厚之電解銅語 件之說明 2 5 °以下，按照各槽之直列連續配置順序來進行製造條 所捲出之載體箔3最初係進入酸洗處理槽6之中

第18頁 491002 發明說明（16) 洗處理槽6的内部充滿濃度150克/升、液溫⑽它之稀硫酸 溶液，並利用30秒的浸泡時間來去除附在載體箔3上之油 脂成份，同時去除表面氧化覆膜。 由酸洗處理槽6輸送出之載體箔3，接著進入接合界面 形成槽7之内。在接合界面形成槽7之中，係裝滿了含有濃 度5克/升之CBTA、液溫4 0 C、pH為5之水溶液。因此，載 體箱3係一面輸送一面在該溶液中浸泡3〇秒，以在載體箔3 表面形成接合界面層8。 形成接合界面層8 ’就接著在該界面上形成v型電解 銅箱層之主體銅層9。在主體銅之形成槽丨〇内，係裝滿了 濃度7 0克/升之硫酸、63. 5克/升之銅（硫酸銅· 5水合物 )、液溫4 0 °C之硫酸銅溶液。然後，為了使已形成接合界 面層8之載體箔3在通過該溶液的期間能將形成主體銅層9 之銅成份均一且平滑地電沉積於該接合界面上，故如第2 圖中所示般在相對於已形成接合界面層8之載體箔3的一面 平行配置平板之陽極電極u，並在電流密度^/(11112之平滑 電鍍條件下電解丨5 〇秒。此時，為了將載體箔3本體進行陰 極極化，故把與蛇行輸送之載體箔3相接觸的張力滾筒 κ (tension roll ) 12之至少1個用來當作電流之供认穿 筒。 … 主；^銅層9之形成一終了，為了接著施行在主體銅層9 的表面形成微細銅粒1 3的步驟，故使載體箔3進入表面處 理槽14中。在表面處理槽14内進行之處理，係由在主體銅 層9之上使微細銅粒1 3析出附著之步驟1 4 A以及用來防止該

2169-3507-PF-ptd 第19頁 491002 五、發明說明（17) 微細銅粒1 3脫落之被覆電鍍步驟丨4B所構成。

在於主體銅層9之上使微細鋼粒13析出附著的步驟UA 之中，係使用與上述之主體銅形点描1fl肉1 + 、， 〜々成槽10内相同的硫酸銅溶 广，亚在 >辰度為100克/升之硫酸、18克/升之銅、液溫25 C、電流密度1 〇 a / dm2的焦電鍍^ γ % i Λ 4 包暇條件下進灯1 0秒鐘雷解。 此時，平板之陽極電極1 1係如篦9 ^ ^ ^ 你如弟2圖中所不般為相對於已 形成主體銅層9之載體箔3之面而平行配置。 中 液 °c 解

Lm微細銅粒13脫落之被覆電鍍步驟ΐ4Β之 並在~ ϋ之主體鋼形成槽ι〇内相同的硫酸銅溶 電流=ϋ 升之硫酸、65克/升之銅、液溫45 此ΐ 了 Ϊ板之平滑電鑛條件下進行20秒鐘電 於已附著形成有微細銅第4圖Γ示般為相對 在防錄處理槽15中載肢 而平行配置。 處理。在此處，使用样，亿用鋅作為防銹元素來進行防銹 其作用是用來維拷、’板作為陽極電極之溶解性陽極1 6， 之電解條件則為使理槽15内辞濃度的平衡。而此處 酸、20克/升之鋅，、、爪I鋅浴，且濃度為Μ克/升之硫 防銹處理一終液溫為40°C，電流密度為15A/dm2。 部1 7中，並使其& 就把最終的載體猪3置於乾燥處理 爐内4 0秒，五验^過利用電熱器加熱至氛圍溫度11 〇 °C之 銅辖1。在以上之 ％成圓筒狀而完成附有載體箔之電解 分’而在各槽之每H，載體/的輸送速度為2.0公尺/ 洗槽1 8來進行洗、、爭 &間則设置有可水洗約1 5秒鐘的水 / ’以防止前面處理步驟之溶液被夾帶混 ^ίυυζ 、發明說明（18) 使用该附有載體箔之電解銅箔1以及1 50微米厚之FR-4 3 π板2片來製造雙面鍍銅層壓板，並測定載體箔層3 j =解銅箱層5之間的接合界面8的剝離強度。測定結果， 層8的厚度平均為1〇奈米Um)，載體箱層3與電 ^ /白s之間的熱膨脹係數差則為〇· 268 X 一5/deg•，而 ^ ^離強度在加熱前為4 · 〇 gf/cm，在18〇下加熱1小時 之後則變為4. 2gf/cm。

夕希ΐ本實施例中，係就關於如第1圖所示之附有载體箱 ;^9^^銅箔1進行說明。又，在此處所使用的製造裝置2為 ^ =圖所示者，而所捲出之載體荡3則為沿電解銅箔層5 $成步驟呈蛇行輸送型之物❶此處，載體箔3係使用Μ 1^厚^分類於等級3的S_HTE^，即未施行表面處理之析 ’白並對光澤面4側形成3微米厚之電解銅箔層5。 1 ^在本第2實施例中，由於與第1實施例僅載體箔不同， :匕的實施内容則皆與第i實施例相同，因此為了不重複 °己述’故將此處之說明省略。

該附有載體箔之電解銅箔1以及150微米厚之FR-4 盥浸板2片來製造雙面鍍鋼層壓板，並測定載體箔層3 ς 2解銅箔層5之間的接合界面8的剝離強度。測定結果， 面層8的厚度平均為1〇奈米（nm)，載體箔層3與電 立=治層5之間的熱膨脹係數差則為0· 046 X l〇_5/deg·，而 ，、剝離強度在加熱前為70·4 gf/cm，在18(rc下加熱i小時

491002 五、發明說明（19) 之後則變為7 0. 8 g f / c m。 弟3 f施例 在本實施例中，係就關於在第1圖所示之附有載體箱 之電解銅箔1進行說明。又，在此處所使用的製造裂置2為 如第2圖所示者，而所捲出之載體箔3則為沿電解銅·箱層5 ' 之形成步驟呈蛇行輸送型之物。此處，載體箔3係使用i 8 微米厚之分類於等級1的普通銅箔，即未施行表面處理之 析出箔’並對光澤面4側形成3微米厚之電解銅箱層5。

在本第3實施例中，由於與第1實施例僅載體箔不同， 其它的實施内容則皆與第1實施例相同，因此為了不重複 記述，故將此處之說明省略。 使用該附有載體猪之電解鋼箔1以及丨5〇微来厚之⑼一 4 的預含浸板2片來製造雙面鑛銅層壓板，並測定載體 與電解銅箱層5之間的接合界面8的剝離強度。士， 面層8的厚度平均為10奈米（nm)，載體箱層;與獨 解銅泊層5之間的熱膨脹係數差則為〇. 225 χ u 其剝離強度在加熱前為5.8 gf/em，’ 之後則變為6.5gf/cm。. 在UO C下加熱i小時 【發明效果】 銅箱’由於可在載體箔層 常小範圍之 易地剝離，故此乃習知可 所無法達成者，且又可維 上所得到的特性，即能令

本發明之附有載體箱之電解 與電解銅箔層之間的界面處以# 3gf/cm〜100gf/cm的力量令其輕 剝離型之附有載體箔之電解銅羯 持載體箔之剝下穩定性。藉由^

491002 案號 89121224 五、發明說明（20) 起始時載體箔之剝下自動化變成可能 層壓板之生產產率。 符號說明：

修正I 並可大幅改善鍍銅

I電解銅％ 3載體箔 5 電解銅箔層 7接合界面形成槽 9 主體銅層 11 陽極電極 1 3 微細銅粒 1 5 防銹處理槽 17 乾燥處理部 2製造裝置 4光澤面 6 酸洗處理槽 8接合界面層 10主體銅之形成槽 1 2 張力滾筒 1 4 表面處理槽 1 6 溶解性陽極 18 水洗槽

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Claims (1)

1. fie -盡號 8919199^ 六、申請專利範圍 形成-有機接合：：：之c，係在载體箱層的表面 電解鋼箔層，其特徵^於··、〜有機接合界面層上形成一 構成載體箔層之去u M 素材的熱膨脹率之差為4】脹率與構成電解銅箔層之 9上由咬击 〇 /deg•以上。 丨修之電解銅 ||電解銅”構成電解銅，層:==二3 参軎^之超細剖面（v型）的電解銅箔。 3· _種鍍銅層壓板，其係使用附有載體箱之電解鋼 鍍銅層壓板，上述附有載體箔之電解銅箔係在載體箔層 表面形·成一有機接合界面層，再於該有機接合界面層丄 |丨_成一電解銅箔層，其特徵在於··構成載體箔層之素材的 _貪膨脹率與構成電解銅箔層之素材的熱膨脹率之差為4χ ^P~7/deg·以上。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之艘銅層壓板’其中構 成載體箔層之素材係分類於I PC規格之等級卜3的電解鋼 箔，而構成電解銅猪層之素材則係分類於1 PC規格之超細 剖面（V塑）的電解銅箱。 _ 2169-3507-PFl.ptc 第24頁