JPH05218637A - 銅張積層板の製造法 - Google Patents
銅張積層板の製造法Info
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- JPH05218637A JPH05218637A JP2282592A JP2282592A JPH05218637A JP H05218637 A JPH05218637 A JP H05218637A JP 2282592 A JP2282592 A JP 2282592A JP 2282592 A JP2282592 A JP 2282592A JP H05218637 A JPH05218637 A JP H05218637A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低熱膨張率でかつ熱放散性に優れたプリント
配線用銅張積層板を提供する。 【構成】 低熱膨張率の金属或いは合金又は無機板の所
望位置にスルーホール孔よりも大きい孔をあけ、この両
面にプリプレグ、さらに銅箔を重ね加熱・加圧すること
からなる銅張積層板の製造法
配線用銅張積層板を提供する。 【構成】 低熱膨張率の金属或いは合金又は無機板の所
望位置にスルーホール孔よりも大きい孔をあけ、この両
面にプリプレグ、さらに銅箔を重ね加熱・加圧すること
からなる銅張積層板の製造法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低熱膨張でかつ熱放散
性に優れたプリント配線板用銅張積層板の製造法であ
る。
性に優れたプリント配線板用銅張積層板の製造法であ
る。
【０００２】
【従来の技術】銅張積層板は通常、金属箔、ガラス織布
基材に熱硬化性樹脂を含浸し乾燥してなるプリプレグを
用い、鏡面板を介して多数組組み合わせ（レイアップ工
程）、これを加熱、加圧（プレス工程）して製造されて
いる。ところが、Ｅガラス織布基材に熱硬化性樹脂を含
浸し乾燥してなるプリプレグを使用した銅張積層板で
は、13〜20×10-6 K-1程度の熱膨張率を有し、半導体チ
ップの 3×10-6 K-1に比較して大きいため、該銅張積層
板にチップを直接搭載すると熱により破壊されるもので
あった。
基材に熱硬化性樹脂を含浸し乾燥してなるプリプレグを
用い、鏡面板を介して多数組組み合わせ（レイアップ工
程）、これを加熱、加圧（プレス工程）して製造されて
いる。ところが、Ｅガラス織布基材に熱硬化性樹脂を含
浸し乾燥してなるプリプレグを使用した銅張積層板で
は、13〜20×10-6 K-1程度の熱膨張率を有し、半導体チ
ップの 3×10-6 K-1に比較して大きいため、該銅張積層
板にチップを直接搭載すると熱により破壊されるもので
あった。
【０００３】より低熱膨張率とするために、ガラス織布
として、クオーツ (石英ガラス) 織布を用いる方法があ
り、熱膨張率は 6〜8 ×10-6 K-1程度とできるが、高価
であり、また機械加工、特にドリル孔あけ性が劣るもの
であり実用性に欠けるものであった。また、同程度のも
のとして全芳香族ポリアミド織布を使用する方法がある
が、この場合にもドリルによる繊維切れが悪く、孔壁に
ポリアミド繊維がケバだつ欠点があるものであり、熱放
散性も不十分であった。
として、クオーツ (石英ガラス) 織布を用いる方法があ
り、熱膨張率は 6〜8 ×10-6 K-1程度とできるが、高価
であり、また機械加工、特にドリル孔あけ性が劣るもの
であり実用性に欠けるものであった。また、同程度のも
のとして全芳香族ポリアミド織布を使用する方法がある
が、この場合にもドリルによる繊維切れが悪く、孔壁に
ポリアミド繊維がケバだつ欠点があるものであり、熱放
散性も不十分であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低熱膨張率
で熱放散性に優れた銅張積層板を提供することを目的と
するものである。
で熱放散性に優れた銅張積層板を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、低
熱膨張率の金属或いは合金又は無機板の所望位置にスル
ーホール孔より大きい孔をあけ、この両面にプリプレ
グ、さらに銅箔を重ね加熱・加圧することからなる銅張
積層板の製造法であり、該低熱膨張率の金属板が、Fe,N
i を主体とする合金製で、熱膨張率 10×10-6 K-1以下
のものであること、該プリプレグが、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂を 5〜70重量％含有する熱硬化性樹脂組成物
を基材に含浸し、乾燥してなるものであることを特徴と
する銅張積層板の製造法である。
熱膨張率の金属或いは合金又は無機板の所望位置にスル
ーホール孔より大きい孔をあけ、この両面にプリプレ
グ、さらに銅箔を重ね加熱・加圧することからなる銅張
積層板の製造法であり、該低熱膨張率の金属板が、Fe,N
i を主体とする合金製で、熱膨張率 10×10-6 K-1以下
のものであること、該プリプレグが、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂を 5〜70重量％含有する熱硬化性樹脂組成物
を基材に含浸し、乾燥してなるものであることを特徴と
する銅張積層板の製造法である。
【０００６】以下、本発明の構成を説明する。まず、本
発明の低熱膨張率の金属或いは合金又は無機板は、10×
10-6 K-1以下の熱膨張率を有するものである。具体的に
は、インバー(Invar) 、超不変鋼 (スーパーインバー)
、ステンレス不変鋼 (ステンレスインバー) 、エリン
バー(Elinvar) 、Iso-elastic 、Metelinvar、Elinvar
Extra 、Ni-Span C-902 、EL-3、Nivarox CTなどのイン
バー、エリンバー系の合金が挙げられる。
発明の低熱膨張率の金属或いは合金又は無機板は、10×
10-6 K-1以下の熱膨張率を有するものである。具体的に
は、インバー(Invar) 、超不変鋼 (スーパーインバー)
、ステンレス不変鋼 (ステンレスインバー) 、エリン
バー(Elinvar) 、Iso-elastic 、Metelinvar、Elinvar
Extra 、Ni-Span C-902 、EL-3、Nivarox CTなどのイン
バー、エリンバー系の合金が挙げられる。
【０００７】また、無機板としては、セラミックスファ
イバーなどとして公知のシリカ−アルミナ系の無機板が
典型的であり、主成分のSiO2/AlO3 = 35/65 〜65/35 の
範囲のものが使用できる。
イバーなどとして公知のシリカ−アルミナ系の無機板が
典型的であり、主成分のSiO2/AlO3 = 35/65 〜65/35 の
範囲のものが使用できる。
【０００８】上記した低熱膨張率の金属或いは合金又は
無機板の所望位置に予めスルーホール孔より大きい孔を
あけて使用する。予め孔を形成する方法は、金属板の場
合には金型による打ち抜き、ドリル孔あけなど公知の方
法が使用可能であり、孔あけによりバリなどが生じた場
合には適宜バリ取りを行う。また、無機板の場合、マシ
ンナブルセラミックスでは、ドリル孔あけなどが好適に
使用できるが、その他の場合、無機板製造時に孔部を形
成し、焼成する方法が挙げられる。
無機板の所望位置に予めスルーホール孔より大きい孔を
あけて使用する。予め孔を形成する方法は、金属板の場
合には金型による打ち抜き、ドリル孔あけなど公知の方
法が使用可能であり、孔あけによりバリなどが生じた場
合には適宜バリ取りを行う。また、無機板の場合、マシ
ンナブルセラミックスでは、ドリル孔あけなどが好適に
使用できるが、その他の場合、無機板製造時に孔部を形
成し、焼成する方法が挙げられる。
【０００９】上記した低熱膨張率の金属或いは合金又は
無機板の両面に配置する本発明のプリプレグは、基材と
してドリル孔あけ性に優れたものを用い、これに熱硬化
性樹脂組成物を含浸・乾燥してなるものである。基材と
してはE-ガラス、S-ガラス、SII-ガラス、T-ガラス、C-
ガラス、A-ガラス、D-ガラスなどの各種ガラス繊維布、
液晶性ポリエステル、その他の耐熱性の繊維布、さらに
これらの混織布、不織布などが挙げられる。
無機板の両面に配置する本発明のプリプレグは、基材と
してドリル孔あけ性に優れたものを用い、これに熱硬化
性樹脂組成物を含浸・乾燥してなるものである。基材と
してはE-ガラス、S-ガラス、SII-ガラス、T-ガラス、C-
ガラス、A-ガラス、D-ガラスなどの各種ガラス繊維布、
液晶性ポリエステル、その他の耐熱性の繊維布、さらに
これらの混織布、不織布などが挙げられる。
【００１０】また、含浸樹脂としては、エポキシ樹脂、
不飽和ポリエステル樹脂、シアナート樹脂、その他の熱
硬化性樹脂類；これらを適宜二種以上配合してなる組成
物；さらにこれら熱硬化性樹脂、それらの二種以上配合
してなる組成物をポリビニルブチラール、アクリロニト
リル−ブタジエンゴム、多官能性アクリレート化合物、
その他の公知の樹脂、添加剤等で変性したもの；架橋ポ
リエチレン、架橋ポリエチレン／エポキシ樹脂、架橋ポ
リエチレン／シアナート樹脂、ポリフェニレンエーテル
／エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル／シアナート
樹脂、ポリエステルカーボネート／シアナート樹脂、そ
の他の熱可塑性樹脂で変性した架橋硬化性樹脂組成物
（ＩＰＮ又はセミＩＰＮ）が例示される。本発明におい
ては、ポリフェニレンエーテルを含有する熱硬化性樹脂
が金属との密着性が優れており好適なものとして挙げら
れる。
不飽和ポリエステル樹脂、シアナート樹脂、その他の熱
硬化性樹脂類；これらを適宜二種以上配合してなる組成
物；さらにこれら熱硬化性樹脂、それらの二種以上配合
してなる組成物をポリビニルブチラール、アクリロニト
リル−ブタジエンゴム、多官能性アクリレート化合物、
その他の公知の樹脂、添加剤等で変性したもの；架橋ポ
リエチレン、架橋ポリエチレン／エポキシ樹脂、架橋ポ
リエチレン／シアナート樹脂、ポリフェニレンエーテル
／エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル／シアナート
樹脂、ポリエステルカーボネート／シアナート樹脂、そ
の他の熱可塑性樹脂で変性した架橋硬化性樹脂組成物
（ＩＰＮ又はセミＩＰＮ）が例示される。本発明におい
ては、ポリフェニレンエーテルを含有する熱硬化性樹脂
が金属との密着性が優れており好適なものとして挙げら
れる。
【００１１】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、実施例の「部」及び「％」は特に断らないかぎり重
量基準である。 実施例１ 2,2-ビス(4−シアナトフェニル）プロパン 910部とビス
(4−マレイミドフェニル）メタン 90部とを 150℃で 1
30分間予備反応させ、これをメチルエチルケトンとN,N'
−ジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解した。これに
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名；エピコート
1001 、エポキシ当量 450〜500 、油化シェルエポキシ
株式会社製) 600部、オクチル酸亜鉛 0.18 部を溶解混
合してワニスを得、これを厚み 0.1mmのE-ガラス平織織
布に含浸・乾燥して、樹脂量39％のプリプレグを得た。
お、実施例の「部」及び「％」は特に断らないかぎり重
量基準である。 実施例１ 2,2-ビス(4−シアナトフェニル）プロパン 910部とビス
(4−マレイミドフェニル）メタン 90部とを 150℃で 1
30分間予備反応させ、これをメチルエチルケトンとN,N'
−ジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解した。これに
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名；エピコート
1001 、エポキシ当量 450〜500 、油化シェルエポキシ
株式会社製) 600部、オクチル酸亜鉛 0.18 部を溶解混
合してワニスを得、これを厚み 0.1mmのE-ガラス平織織
布に含浸・乾燥して、樹脂量39％のプリプレグを得た。
【００１２】他方、厚さ１mm、熱膨張率 5.0×10-6 K-1
の Fe/Niを主成分とする合金板を用い、この所望のスル
ーホール位置に打ち抜き加工により、 2.0mmφの孔を多
数あけた。この孔あけ合金板の両面に、上記で得たプリ
プレグをそれぞれ３枚ずつ重ね、さらに両面に厚さ 18
μｍの電解銅箔を重ね、圧力 20kg/cm2 、180 ℃、2 時
間の条件にて積層成形して、厚さ 1.6mm、300mm ×500m
m の銅張積層板を得た。
の Fe/Niを主成分とする合金板を用い、この所望のスル
ーホール位置に打ち抜き加工により、 2.0mmφの孔を多
数あけた。この孔あけ合金板の両面に、上記で得たプリ
プレグをそれぞれ３枚ずつ重ね、さらに両面に厚さ 18
μｍの電解銅箔を重ね、圧力 20kg/cm2 、180 ℃、2 時
間の条件にて積層成形して、厚さ 1.6mm、300mm ×500m
m の銅張積層板を得た。
【００１３】得られた両面銅張積層板を用い、ドリルに
て 1mmφのスルーホール孔あけし、公知方法にて、スル
ーホールプリント配線板を製造した。これに半導体チッ
プを含む部品を搭載した。得られた回路板について、 1
80℃, 10分間、ついで25℃, 10分間の加熱冷却サイクル
を 200回繰り返したた後、半導体チップの破壊の有無を
観察した。また、回路板の端部の金属を露出させた後、
180℃に加熱し10秒で露出部を水冷式の冷却部と結合
し、１分後の基板表面温度を測定した。これらの結果を
表１に示した。
て 1mmφのスルーホール孔あけし、公知方法にて、スル
ーホールプリント配線板を製造した。これに半導体チッ
プを含む部品を搭載した。得られた回路板について、 1
80℃, 10分間、ついで25℃, 10分間の加熱冷却サイクル
を 200回繰り返したた後、半導体チップの破壊の有無を
観察した。また、回路板の端部の金属を露出させた後、
180℃に加熱し10秒で露出部を水冷式の冷却部と結合
し、１分後の基板表面温度を測定した。これらの結果を
表１に示した。
【００１４】実施例２ 2,2-ビス(4−シアナトフェニル）プロパン 1000部をト
ルエンに溶解し 120℃で 5時間予備反応させた溶液に、
オクチル酸亜鉛 0.18 部およびポリ(2,6−ジメチル−1,
4-フェニレン) エーテル 900部をトルエンに溶解した溶
液を加え均一に混合した。これを厚み 0.15mm のE-ガラ
ス平織布に含浸・乾燥して、樹脂量41％のプリプレグを
得た。
ルエンに溶解し 120℃で 5時間予備反応させた溶液に、
オクチル酸亜鉛 0.18 部およびポリ(2,6−ジメチル−1,
4-フェニレン) エーテル 900部をトルエンに溶解した溶
液を加え均一に混合した。これを厚み 0.15mm のE-ガラ
ス平織布に含浸・乾燥して、樹脂量41％のプリプレグを
得た。
【００１５】他方、厚さ１mm、熱膨張率 6×10-6 K-1の
セラミックス板の所望のスルーホール位置に予め 2.0mm
φの孔を形成したものを準備した。この孔付きセラミッ
クス板の両面に、上記で得たプリプレグをそれぞれ２枚
ずつ重ね、さらに両面に厚さ 18 μｍの電解銅箔を重
ね、圧力 20kg/cm2 、180 ℃、３時間の条件にて積層成
形して、厚さ 1.6mmの銅張積層板を得た。得られた両面
銅張積層板を用いる他は、実施例１と同様にした結果を
表１に示した。
セラミックス板の所望のスルーホール位置に予め 2.0mm
φの孔を形成したものを準備した。この孔付きセラミッ
クス板の両面に、上記で得たプリプレグをそれぞれ２枚
ずつ重ね、さらに両面に厚さ 18 μｍの電解銅箔を重
ね、圧力 20kg/cm2 、180 ℃、３時間の条件にて積層成
形して、厚さ 1.6mmの銅張積層板を得た。得られた両面
銅張積層板を用いる他は、実施例１と同様にした結果を
表１に示した。
【００１６】比較例１ 実施例１で用いたプリプレグを16枚重ね、その両面に厚
さ 18 μｍの電解銅箔を重ねた構成で両面銅張積層板を
製造し、この両面銅張積層板を用いる他は実施例１と同
様にして試験した結果を表１に示した。 比較例２ 実施例２で用いたプリプレグを10枚使用して両面銅張積
層板を製造し、この両面銅張積層板を用いる他は実施例
２と同様にして試験した結果を表１に示した。
さ 18 μｍの電解銅箔を重ねた構成で両面銅張積層板を
製造し、この両面銅張積層板を用いる他は実施例１と同
様にして試験した結果を表１に示した。 比較例２ 実施例２で用いたプリプレグを10枚使用して両面銅張積
層板を製造し、この両面銅張積層板を用いる他は実施例
２と同様にして試験した結果を表１に示した。
【００１７】
【表１】 表 １ 項目 実施例１ 実施例２ 比較例１ 比較例２ 熱膨張率 ( K-1×10-6) 6.7 7.7 16 18 基板温度 (℃) 29 31 73 80半導体チップ外観 異常なし 異常なし 破壊あり 破壊あり
【００１８】
【発明の効果】以上、発明の詳細な説明および実施例か
ら明瞭なように、本発明の両面銅張積層板は、熱膨張率
が小さく、加工性に優れ、熱放散性にもすぐれたもので
あることから、半導体チップを直接搭載したプリント回
路板を好適に製造できるものであり、その意義は極めて
高いものである。
ら明瞭なように、本発明の両面銅張積層板は、熱膨張率
が小さく、加工性に優れ、熱放散性にもすぐれたもので
あることから、半導体チップを直接搭載したプリント回
路板を好適に製造できるものであり、その意義は極めて
高いものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 低熱膨張率の金属或いは合金又は無機板
の所望位置にスルーホール孔より大きい孔をあけ、この
両面にプリプレグ、さらに銅箔を重ね加熱・加圧するこ
とからなる銅張積層板の製造法 - 【請求項２】 該低熱膨張率の金属板が、Fe,Ni を主体
とする合金製で、熱膨張率 10×10-6 K-1以下のもので
ある請求項１記載の銅張積層板の製造法 - 【請求項３】 該プリプレグが、ポリフェニレンエーテ
ル樹脂を 5〜70重量％含有する熱硬化性樹脂組成物を基
材に含浸し、乾燥してなるものである請求項１記載の銅
張積層板の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282592A JPH05218637A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 銅張積層板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282592A JPH05218637A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 銅張積層板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218637A true JPH05218637A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12093470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282592A Pending JPH05218637A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 銅張積層板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967650A2 (en) * | 1998-06-23 | 1999-12-29 | Nitto Denko Corporation | Circuit board for mounting bare chip |
| WO2001034879A1 (fr) * | 1999-11-11 | 2001-05-17 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Feuille de cuivre electrolytique avec feuille support et lamine a revetement de cuivre |
| US6310391B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-30 | Nitto Denko Corporation | Mounted structure of circuit board and multi-layer circuit board therefor |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP2282592A patent/JPH05218637A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0967650A2 (en) * | 1998-06-23 | 1999-12-29 | Nitto Denko Corporation | Circuit board for mounting bare chip |
| US6310391B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-30 | Nitto Denko Corporation | Mounted structure of circuit board and multi-layer circuit board therefor |
| EP0967650A3 (en) * | 1998-06-23 | 2002-04-10 | Nitto Denko Corporation | Circuit board for mounting bare chip |
| WO2001034879A1 (fr) * | 1999-11-11 | 2001-05-17 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Feuille de cuivre electrolytique avec feuille support et lamine a revetement de cuivre |
| CN1293234C (zh) * | 1999-11-11 | 2007-01-03 | 三井金属鉱业株式会社 | 有载体的电沉积铜箔及使用该电沉积铜箔制造的包铜层叠物 |
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