TW483178B - EL display device and electronic apparatus - Google Patents

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TW483178B
TW483178B TW089123985A TW89123985A TW483178B TW 483178 B TW483178 B TW 483178B TW 089123985 A TW089123985 A TW 089123985A TW 89123985 A TW89123985 A TW 89123985A TW 483178 B TW483178 B TW 483178B
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TW
Taiwan
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gate
electro
display
tft
display device
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TW089123985A
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English (en)
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Kazutaka Inukai
Jun Koyama
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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Description

483178 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 本發明有關一種基底上之半導體元件所形成的電致顯 示裝置’並有關一種作爲顯示器的電致顯示裝置。 習知技術 近年，在基底上形成T F T的技術已有大幅的進展.。 尤其，且陣列型顯示裝置的應用亦有相當的發展。尤其， 多晶矽薄膜的T F T具有高於習知非晶矽τ F T的場效移 動性，因此可達成高速的操作。 如圖3所示，主動陣列型電致顯示裝置的一般結構， 參考標號3 0 2代表作爲電致元件3 0 3之控制元件的 TFT，參考標號304代表電容器。開關TFT301 連接至閘極導線3 0 5及源極導線3 0 6。電流控制 T F T 3 0 2的汲極連接至電致元件3 0 3 ，且電流控制 T F T 3 0 2的源極連接至電源線3 0 7。 當選取閘極導線3 0 5時，開關T F T 3 0 1的閘極 開啓，且源極導線3 0 6的資料訊號儲存於電容3 0 4中 ，並將電流控制T F T 3 0 2的閘極開啓。當開關T F T 3 0 1的閘極關閉時，依據儲存於電容3 0 4中的電荷， 使電流控制T F T 3 0 2的閘極開啓，並在該期間內使電 致元件3 0 3發光。電致元件3 0 3的發光量隨電流量而 改;'變。 換句話說，流入電流控制T F T 3 0 2中的電流量， 由類比驅動階層顯示器之源極導線3 0 6輸入的資料訊號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝---- 訂---------線4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 來控制，並依此改變電致元件的發光量。 圖4 A顯示電流控制T F T 3 0 2的電晶體特性，且 參考標號4 0 1代表I d - V g特性。I d爲汲極電流， 且V g爲閘極電壓。此圖顯示任一閘極電壓下的電流量。 由點線4 0 2所顯示之I d - V g的特性區域，用以 驅動電致元件。圖4 B顯示區域4 0 2的放大圖。 圖4 B中的陰影部位稱爲次臨界區。實際的情形中， 此表示閘極電壓接近臨界電壓（V t h )或低於臨界電壓 的區域，且在此區域中汲極電流隨閘極電壓的指數而變化 。在此區域中’利用聞極電壓進行電流的控制。 當圖3之開關T F T 3 0 1開啓，先將輸入至像素中 的資料訊號儲存至電容3 0 4中，接著，訊號變成電流控 制T F T 3 0 2的閘極電壓。依據圖4 A之I d — V g特 性，利用與閘極電壓的一對一關係來決定汲極電流。亦即 ，反應資料訊號，將預定的電流流入電致元件3 0 3 ，且 電致元件3 0 3發射出對應致電流量的光量。 電致元件所發出的光量由輸入訊號所控制，並藉由控 制發光量來實施階層顯示。此種方法稱爲類比階層法，且 階層顯示是利用訊號的振幅來加以變化。 然而，T F T特性中的擴散情形對於上述的類比階層 法會造成極負面的效果。例如，I d - V g特性爲一種開 關T F T，並不同於顯示同一色階之鄰近像素的開關 T F T。換句話說，每一電致元件的電流不一，且因此， 發光量亦不同’而無法貫現相同的色階顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 - •---*--^1 ^-----裝--------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 ______B7__ 五、發明說明（3 ) 進一步的，即使假設將相同的閘極電壓施加至每一像 素的電流控制T F T，如果電流控制T F T的I d - V g 特性改變，則無法輸出相同的汲極電流。此外，若利用汲 極電流與閘極電壓呈指數變化的區域，則即使施加相同的 閛極電壓’當I d — V g特性間存在小的差異時，輸出的 電流量亦有相當大的差異，此情形可由圖4 A明顯的看出 。因而鄰近像素的發光量會有很大的差異。 在實用上，在開關T F T與電流控制T F T的擴散作 用上，會發生加乘效應，而使情況更爲嚴重。因而類比階 層法對T F T的特性變化極爲敏感，並使習知主動陣列型 電致顯示裝置的多色顯示出現問題。 發明總結 考慮上述的問題，本發明的目的在於提供一種電致顯 示裝置，可進行淸晰，多層次的顯示。此外，本發明的目 的在於提供一種高性能的電子裝置，其裝設有此種主動陣 列型電致顯示裝置。 本發明的申請人考量到爲了使像素結構不易受T F 丁 之擴散性的影響，當利用電流，控制電致元件的發光量時 ，數位驅動層級法較類比驅動層級法爲佳，在數位驅動層 級法中，使用電流控制T F T作爲簡單的電流開關元件。 亦即，在主動陣列型電致顯示裝置中，利用數位驅動 器實施層級顯示的分時法。 此外，當將視頻訊號輸入至源極驅動電路時，藉由分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 6 - ^ n I IP I .^1 ·ϋ ϋ n > m**t. I ϋ ϋ I ϋ n 一一 ϋ ϋ ί ϋ ϋ ϋ ϋ I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) _視頻線’並同時輸入多個資料，便可使顯示面板具有更 局的速度。此處的視頻訊號是指輸入至源極驅動電路的資 料訊號。 圖5 A至5 F顯示，當實施分時層級顯示時，寫入週 期及顯示期內之整個驅動器的時序。其中，此處使用6位 元驅動器實施6 4階的顯示。寫入週期是指將訊號寫至單 >框之所有像素所需的時間，且顯示週期是指顯示寫入訊 號的週期。 在寫入週期中，切斷電致元件的驅動電源，且像素中 的電致元件並未供給電壓。進一步的，在顯示期內，輸入 電致驅動器的電源，而將電壓施加至像素中的電致元件。 此時’當輸入開啓像素的資料訊號時，該像素便開啓。 在影像區中顯示完整影像所需的時稱爲一個框週期。 電致顯示的一般震動頻率爲6 Ο Η z ，亦即一秒鐘有6 0 個框。例如’當實施6位元的數位階層顯示時（6 4階） ’如果將框作1 6等分，且寫入週期與顯示週期的比爲6 1 0，則在寫入週期內，可實施6次（6 . 2 4 m s e c )的寫入動作，如圖5 Β所示。六個寫入操作1 - 6的順序爲從1至6。進一步的，對應至寫入週期的顯 示週期分別設成顯示1 - 6。 再者，設定顯示週期使得顯示1 :顯示2 :顯示3 : 顯示 4 :顯示 5 :顯示 6 = 1 : 1 / 2 : 1 / 4 : 1 / 8 :1 / 1 6 : 1 / 3 2。 圖5 C顯示當在一框中實施6個寫入操作時，每一顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .---·--，丨 ^-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 483178 Α7 Β7 五、發明說明（） 示週期相對於寫入週期具有上述的比率。圖5 C的下部顯 示寫入週期與顯示週期間的長度關係。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 特定的，當寫入週期爲6 3時，寫入週期1中的顯示 週期（顯示1 )爲3 2 0。此外，顯示2具有1 6 0的顯 示週期，顯示3具有8 0的顯示週期，顯示4具有4 0的 顯示週期，顯示5具有2 0的顯示週期，且顯示6具有 1 0的顯示週期。 一馬入週期以及一不週期稱爲一個欄。亦即’ Η 5 C存在6個欄，且每一欄具有相同的寫入週期及顯示週 期。爲了完成一個框，一開始顯示的第一個欄稱爲欄1 ( F 1 )，而依序顯示的欄稱爲欄2至6。 欄1 - 6可依任意的順序出現。藉由結合顯示週期， 可實施6 4階的階層顯示。 進一步的，實際上，如圖5 D所示，時序與六個具不 同顯示週期的欄相結合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖5 D中，如果於顯示1的週期內開啓預定的像素 ，則進入寫入5 ，且當資料訊號輸入至所有的像素後，便 進入顯示5。接著’在寫入4中’將資料輸入至所有的像 素後，便進入顯示4。在寫入2 ，寫入3及寫入6中，按 個別的欄以類似的方式開啓個別的像素。 圖5 Ε顯示寫入資料的週期，其中在圖5 d的欄5中 ’利用從閘極電路所輸入的資料訊號來選取特定的閘極線 。圖5 Ε並顯示有顯示週期’其中將源極線的訊號輸入選 定的閘極線，而使像素進行顯示。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（6 ) 圖5A至5 E是依據V GA ( 6 4〇x.4 8〇）顯示面 板，因此共有4 8 0條閘極線，且選取所有閘極線的週期 即爲圖5 E的寫入期。 在寫入期內，從源極線輸入的訊號稱爲點資料。在圖 5 F的一個週期中，取樣單一閘極選取週期內，從源極驅 動電路所輸入的資料。此顯示寫入期內的寫入選取之閘極 資料的情形，並顯示寫入源極線之輸入訊號的情形。資料 取樣的週期爲4〇n s e c。 如圖5 F所示，自源極驅動電路輸入的訊號每4〇 n s e c輸出1 6個位元。 此外，如圖6所示，在一閘極選取週期內所選取的點 資料儲存於源極驅動電路的栓鎖1中，直到完成所有資料 的取樣。在完成所有的取樣後，從栓鎖線6 0 0 3輸入栓 鎖資料，並一此將所有資料移至栓鎖2 ( 6 0 0 2 )。平 移暫存器6 0 0 4依據時脈線6 0 0 5的時脈訊號，選取 從視頻線6 0 0 6輸入的視頻訊號。 除了取樣週期外，圖5 F中的線資料栓鎖期是指由栓 鎖1將資料移至栓鎖2之栓鎖訊號的輸入週期。 主動陣列型電致顯示裝置的像素結構顯示於圖7中。 圖7中的參考標號7 0 1代表作爲開關元件的T F T，參 考標號7 0 2代表電流控制T F T，用以控制供應至電致 元件7 0 3的電流，且參考標號7 0 4代表電容，開關 T F T 7 0 1連接至閘極線7 0 5及源極線7 0 6。進~ 步的，電致驅動器T F T 7 0 2的汲極連接至電致元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - *---*---^-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 A7 _____ B7 五、發明說明（7) 7 0 3 ’且電致驅動器丁 F τ 7 0 2的源極連接至電流源 7 0 7° 當選取閘極線7 0 5時，開關T F T 7 0 1的閘極開 啓，並將來自源極線7 0 6的資料訊號儲存於電容7〇4 中，且開啓電流控制丁 F T的閘極。接著，依據儲存於電 容7 0 4中的電荷’當開關τ F T 7 0 1的閘極關閉後， 電流控制T F T 7 0 2的閛極依然開啓，並使電致元件發 出光線。電致元件的7 0 3發光量隨電流量而改變。 換句話說，電流控制T F T 7 0 2的閘極，依數位驅 動階層顯示器之源極線7 0 6所輸入的訊號而開閉，且當 電致驅動益的電源開啓時，則流入電流’並使電致兀件發 光。 像素之電流控制T F T的功能在於控制對應像素的開 (顯示）/閉（不顯示）。利用透過F P C端子供應至右 側面板的電源來進行顯示週期與寫入週期間的切換。 進一步的，在寫入週期中，電源呈〇F F狀態，且將 資料訊號輸入至每一像素。 當資料輸入至所有的像素，且完成寫入週期後，電源 便開啓（圖7中的參考標號7 0 9 )，並同時進行顯示週 期。在顯示1至顯示6的任一週其中，電致元件發光，並 開啓像素。 在出現六個欄後，便完成一個框。此時’藉由上加顯 示週期，便可控制像素的階層顯示。例如’當選取顯示1 及顯示2時，可表現7 6%的亮度（全亮度爲1 〇 0%) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 Α7 Β7 五、發明說明（） ，且當選取顯示週期3及顯示週期5時，可表現1 6%的 亮度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然以上描述顯示6 4個階層的情形，但亦能實施其 他的階層顯示。 假設實施N個位元的顯示，則將第一框分成對應至N 位元階層的N個圖場（F 1 ，F 2 ，F 3 ，...，F ( η - 1 ) ，F ( η ))。隨著階層數的增加，便可增加一框的 分割數目，同時需以更高的頻率來驅動電路。 此外，將每個圖場分成寫入週期（T a )及顯示週期 (T s )。 處理N個欄的顯示週期（對應至F 1 ，F 2 ，F 3 ， …，F ( η — 1 ) ，F ( η )的顯示週期由丁 s 1 ， T s 2 ，T s 3 ，…，丁 s ( η — 1 ) ，T s ( η )所表 示），使得 丁 s 1 : T s 2 ·· 丁 s 3 ··…：T s ( η — 1 ):T s ( η ) = 2 0 ·· 2 1 : 2 2 :…：2 — ( 11 2 ): 2 ( 11 1 ]。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此狀態下，依順序選取任一欄中的像素（嚴格說來 ’選取每一像素的開關丁 F Τ )，並將預定的閘極電壓施 加至電流控制丁 F Τ的閘極。利用上述的方式，便完成所 需的電致元件，其中輸入資料訊號以開啓分配到各攔之顯 示週期的像素。 對Ν個欄重複此操作，並藉由上加顯示週期，以控制 一框之每一像素的階層顯示。因此，當把焦點放在任一像 素上時’可依據每一欄的像素發光時間，來控制像素的階 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）_ ]]- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^ ^--------B7____ 五、發明說明（9 ) 層顯示。 Θ此’本發明之最重要的觀點在於於主動陣列型電致 顯示裝置中使用數位驅動分時階層法，藉此可在不影響到 T F τ特性的情況下’來達成階層顯示。 ®示的簡單描述 圖1 A及1 B顯示電致顯示裝置的結構。 圖2顯示電致顯示裝置的剖面結構。 圖3顯示習知電致顯示裝置之像素部位的結構。 圖4 A及4 B說明利用類比.階層法之丁 f T的特徵。 圖5 A至5 F說明分時階層法之操作模式。 圖6顯示電致顯示裝置的源極驅動電路。 圖7顯示電致顯示裝置之像素部位的像素結構。 圖8說明分時階層法的操作模式。 圖9爲電致顯示裝置面板的上視圖。 圖1 0爲F P C輸入部位的保護電路。 圖1 1爲電致顯示裝置之閘極驅動電路。 圖1 2爲電致顯示裝置之源極驅動電路。 圖1 3爲電致顯示裝置之源極驅動電路的輸出訊號時 序圖。 圖1 4爲電致顯示裝置之源極驅動電路的輸出訊號時 序圖。 圖1 5爲電致顯示裝置之閘極驅動電路的輸出訊號時 序圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 - f---·---^-----^^^裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------^9—. 483178 A7
五、發明說明（1〇) 圖1 6爲電致顯示裝置之閘極驅動電路的輸出訊號時 序圖。 圖1 7 A至1 7 E顯示電致顯示裝置的製造程序。 圖1 8 A至1 8 D顯示電致顯示裝置的製造程序。 圖1 9 A至1 9 D顯示電致顯示裝置的製造程序。 圖2 Ο A至2 0 C顯示電致顯示裝置的製造程序。 圖2 1顯示電致模組的外部。 圖2 2 A及2 2 B顯示電致模組的外部。 圖2 3 A至2 3 C顯示接觸結構的製造程序。 圖2 4 A至2 4 B顯示電致顯示裝置之像素部位的上 部結構。 圖2 5顯示電致顯示裝置的剖面圖。 圖2 6顯示電致顯示裝置之源極驅動電路。 圖2 7 A及2 7 B顯示本發明之電致顯示裝置的照片 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖圖圖圖圖圖圖圖 3 構 結 的 件 元 。 致性 電特 示的 顯件 B 元 8 致 2 電 及示 A 顯 8 9 例例 定定 特特 4^--7^、一 rnp r^o 置置 裝裝 子子 電電 示示 顯顯 F C ο 1 3 3 至至 A A ο 1 4 性性性性 特特特特 勺 r^/\J'^、一 ύΜ 白 白 件 件件件 元元元元 致致致致 電電電電 示示示示 顯顯顯顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -13- 483178 A7 B7 五、發明說明（11 ) 主要元件對照表 12 絕緣薄膜 4 6 源極區 汲極區 至1 5 d 分離區 L D D區 7 a 及 1 7 b 通道形成區 18 19 2〇 2 1 閘極絕緣薄膜 a 及 1 9 b 閘極電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 2 0 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 7 8 第一內層絕緣薄膜 源極線 汲極線 源極區 汲極區 通道形成區 閘極電極 源極線 汲極線 源極區 汲極區 L D D區 通道形成區 閘極電極 源極區 r ·!· a···· IMM· MUM · am· I ΙΗΗ ΙΙΗΒ ΜΜΗ Μ··· ΜΗΜ · * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明說明（12) 4 1 汲極區 4 2 通道形成區 43 閘極電極 4 4及4 5 源極線 4 6 汲極線 47 第一惰性薄膜 4 8 第二內層絕緣薄膜 49 像素電極 5 0 第三內層絕緣薄膜 5 1 電致層 5 2 陰極 53 保護電極 5 4 第二惰性薄膜 61 像素電極 6 2 第三內層絕緣薄膜 6 3 電致層 6 5 陽極 10 1 像素部位 1 0 2 源極驅動電路 102a 平移暫存器 10 2b 栓鎖（1 ) 10 2c 栓鎖（2 ) 1〇3 閘極驅動電路 10 4 像素 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝---- 訂-------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 483178 A7 B7 五、發明說明（ 10 5 10 6 1〇7 1〇8 1〇9 1 1〇 13, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2〇1 2 0 2 2 0 4 2 0 5 3 0 1 3 0 2 3 0 3 3 0 4 3 0 5 3 0 6 3 0 7 5 0 1 5 0 2 5 0 3 5 0 4 開關T F T 閘極線 源極線 電流控制T F 丁 電致元件 電源線 電源 電容 分時階層資料訊號產生電路 開關T F 丁 流控制T F T N通道T F T p通道T F T 開關T F T 電流控制T F T 電致元件 電容器 閘極導線 源極導線 電源線 基底 非結晶矽薄膜 及5〇3 b 開口 保護膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 483178 A7 B7 14 五、發明說明（ 5 0 7 多晶矽薄膜 5〇8a及5〇8b 磷附加區 5 0 9 多晶矽薄膜 5 1〇至5 1 3 作動層 514 絕緣薄膜 515a及515b 光阻 5 1 6至5 1 8 雜質區 5 2 0 η型雜質區 5 2 1至5 2 4 閘極電極 5 2 3 a與5 2 3 b 閘極電極 525至532 雜質區 528至53〇 η型雜質區 533a至533d 光罩 534至538 雜質區 5 3 9 光罩 4〇至5 4 雜質區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ru^yv · 1· ϋ aBai MKt immm ϋ* I ·ϋ ·ϋ i_i a·— tat emmt I · 4 4 第一內層絕緣薄膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 4 5 至 5 4 8 5 4 9 至 5 5 1 源極導線 汲極導線 汲極導線 第一惰性薄膜 第二內層絕緣薄膜 第三內層絕緣薄膜 電致層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 483178 A7 B7 五、發明說明（ 5 5 7 5 5 8 15, 陰極 保護電極 第二惰性薄膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 〇 1 玻 璃 基 底 6 〇 2 像 素 部 位 6 〇 3 閘 極 側 驅 動 電 路 6 〇 4 源 極 側 驅 動 電 路 6 〇 5 開 關 T F T 6 〇 6 閘 極 導 線 6 〇 7 汲 極 導 線 6 〇 8 電 流 控 制 T F T 6 〇 9 電 源 線 6 1 〇 電 致 元 件 輸入/輸出導線 6 1 2 及 6 1 3 6 1 4 輸 入 / 輸 出 導 線 7 〇 1 開 關 T F T 7 〇 2 電 流 控 制 T F T 7 〇 3 電 致 元 件 7 〇 4 電 容 7 〇 5 閘 極 線 7 〇 6 源 極 線 7 〇 7 電 流 源 9 〇 3 閘 極 驅 動 電 路 9 〇 4 F P C 輸 入 部 位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 483178 A7 B7 五、發明說明（ 12 0 0 12 0 1 12 0 2 12 0 3 12 0 4 12 0 5 12 0 6 12 0 7 12 0 9 12 10 13 0 2 3 3 0 1 3 3 0 2 3 3 0 3 16 基底 像素部位 源極驅動電路 閘極驅動電路 封裝材料 黏著齊ί] 開口 保護電極 連接導線 輸入/輸出導線 開口部位 顯不框 支撐板 顯示部位 本體 顯不區 聲音輸入區 操作開關 電池 影像接收區 本體 訊號線 頭帶 光學系統 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -19 - 483178 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（ 3 3 2 6
3 3 4 1 3 3 4 2 3 3 4 2 3 3 4 3
3 3 5 3 3 3 5 4 3 4 0 1 3 4 0 2 3 4 0 3 3 4 0 4 3 4 0 5 3 4 0 6 3 4 11 3 4 12 3 4 13 顯示部位 本體 記錄媒體 操作開關 顯示部位（a ) 顯示部位（b ) 本體 顯不區 顯不區 臂部 本體 框架 顯不區 顯不區 鍵盤 本體 聲首輸出區 聲音輸入區 顯不區 操作開關 天線 本體 顯示部位 操作開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 483178 A7 B7 五、發明說明（ 18) 3 5 〇 1 本 體 3 5 〇 2 顯 示 區 ( A ) 3 5 〇 3 透 鏡 3 5 〇 4 操 作 開 關 3 5 〇 5 題 示 區 ( B ) 6 〇 〇 1 栓 鎖 1 6 0 〇 2 栓 鎖 2 6 0 0 3 栓 鎖 線 6 〇 〇 4 平 移 暫 存 器 6 0 〇 5 時 脈 線 6 〇 〇 6 視 頻 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 110 0 1 平移暫存器 較佳實施例的詳細描述 圖1 A爲本發明之主動陣列型電致顯示裝置的方塊圖 。圖1 A及1 B的主動陣列型電致顯示裝置由像素部位 1〇1及配置於像素部位週邊之源極驅動電路1 0 2及閘 極驅動電路1 0 3所形成。進一步的，參考標號1 1 3代 表分時階層資料訊號產生電路（S P C，串列到平行轉換 電路）。 源極驅動電路1 0 2具有平移暫存器1 0 2 a ，栓鎖 (1)102b及栓鎖（2)102c。此外，其亦具有 緩衝器（圖中未顯示）。 在本實施例之主動陣列型電致顯示裝置中，僅形成有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 483178 A7 B7 ΛΟ 五、發明說明（） 源極驅動電路，但可形成兩個源極驅動電路，以便上下夾 疊像素部位。 進一步的，閘極驅動電路1 0 3具有如平移暫存器及 緩衝器的電路（圖中未顯示）。 像素部位101具有64〇χ480 (垂直x水平）像 素。在每一像素中，開關T F T與電流控制T F T對齊.。 開關T F 丁 1 0 5連接於閘極線1 0 6及源極線1 0 7。 進一步的，電流控制T F T 1 〇 8的汲極連接至電致元件 1 0 9，且電流控制T F T 1 〇 8的源極連接至電源線 1 1〇。 當選取閘極線1 0 6時，開啓開關T F T 1 〇 5的閘 極，將源極線1 0 7的資料訊號儲存至電容1 1 2，並開 啓電流控制T F T 1 〇 8的閘極。換句話說，由於資料訊 號從源極線1 0 7輸入，因此電流流至電流控制 T F T 1 0 8，並使電致元件發光。 以下說明本實施例之主動陣列型電致顯示裝置的操作 及訊號流。 首先說明源極驅動電路1 0 2的操作。源極驅動電路 1 0 2基本上包含平移暫存器1 0 2 a ，栓鎖（1 ) 1 0 2 b及栓鎖（2 ) 1 0 2 c。時脈訊號（C K )及起 始脈波（S P)輸入至平移暫存器1 0 2 a。平移暫存器 1 0 2 a依據時脈訊號（C K )及起始脈波（S P )產生 時序訊號，並將時序訊號通過緩衝器而輸出至下一個電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · n ϋ ϋ ϋ ·1· ϋ 一-°J n ϋ ϋ n ·ϋ ι__1 ϋ 1 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（2Q) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 平移暫存器1 0 2 a的輸出時序訊號被緩衝器緩衝並 放大。由於連接有許多電路及元件，因此源極線中的電容 負載很大。此外，形成緩衝器電路，以防止大負載電容所 造成之時序訊號的遲緩。 由放大器所緩衝放大的時序訊號接著供應至栓鎖（1 )1 0 2 b。栓鎖（1 ) 1 〇 2 b具有處理六位元數位訊 號的栓鎖。當輸入上述的時序訊號時，栓鎖（1 ) 1 0 2 b從分時階層資料訊號產生電路1 1 3取得六位元 的數位資料訊號。 將數位資料訊號寫入栓鎖（1 ) 1 0 2 b所花的所有 時間稱爲寫入週期。換句話說，從寫入栓鎖（1 ) 1〇2 b之最左段到寫入栓鎖（1 ) 1 〇 2 b之最右段所 花的時間。進一步的，上述的寫入時間亦稱爲線時間。 當完成寫入週期後，依據平移暫存器1 0 2 a的操作 時序將栓鎖訊號供應至栓鎖（2 ) 1 0 2 c。此時，將寫
入並儲存於栓鎖（2 ) 1 0 2 c中的數位資料訊號同時輸 出至栓鎖（2 ) 1〇2 c ，並儲存於栓鎖（2 ) 1〇2 c 中〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，當數位資料已傳送至栓鎖（2 ) 1 0 2 C後， 依照栓鎖（2 ) 1 0 2 c所輸出的時序訊號，再次將分時 階層資料訊號產生電路1 1 3所供應的數位資料訊號寫入 〇 進一步的，將栓鎖訊號輸出至栓鎖（2 ) 1 0 2 C。 來自平移暫存器的時序訊號供應至閘極驅動電路 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483178 A7 B7 五、發明說明（21) 1 〇 3，並供應至對應的閘極線。 參考標號1 1 3代表分時階層資料訊號產生電路。其 用以將外部輸入之數位訊號的頻率減成1 / m。藉由分割 #部輸入的數位訊號，操作驅動電路所需的訊號頻率亦降 爲 1 / 1ΊΊ。 輸入至像素部位的資料訊號爲數位訊號，且不同於液 晶顯示裝置，本發明不爲電壓階層顯示，因此將、、〇 〃或 '' 1 〃的數位資料輸入至像素部位。 多個像素1 0 4以陣列的型式配置於像素部位1 〇 1 。圖1 B爲像素1 〇 4的放大圖。參考標號1 〇 5代表圖 1 B中的開關丁 F T 1 〇 5 ，且開關T F 丁 1 〇 5連接至 閘極線1 0 6以輸入閘極訊號，且連接至源極線1 〇 7以 輸出視頻訊號。 進一步的，參考標號1 〇 8爲電流控制T F T，且其 閘極連接至開關T F T 1 0 5的汲極。電流控制 T F T 1 〇 8的汲極連接至電致元件1 0 9 ，且其源極連 接至電流源線1 1 0。電致元件1 0 9包括連接至電流控 制丁 F T 1 〇 8的陽極，以及相對於陽極的陰極，且兩者 間夾有電致層，並將陰極連接至預定的電源1 1 1。 開關TFT1 05可爲η通道丁 FT，並可爲p通道 TFT。 電流控制T F T的結構使當電流控制T F T 1 〇 8爲 η通道T F T時，電流控制T F T 1 〇 8的汲極連接至電 致元件1 0 9的陰極，且當電流控制丁 F Τ 1 〇 8爲Ρ通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -24 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 99 五、發明說明（） 道T F T時，電流控制T F T 1 〇 8的汲極連接至電致元 件1 0 9的陽極。 進一步的，形成有電容1 1 2 ，當開關T F T 1 〇 5 爲未選取的狀態時，用以儲存電流控制T F T 1 0 8的閘 極電壓。電容1 1 2連接至開關T F T 1 0 5的汲極，並 連接至至電流源線1 1〇。 上述輸出至像素部位的數位資料訊號是由分時階層資 料訊號產生電路1 1 3所產生。此電路用以將數位視頻訊 號轉換成類比資料訊號，以作分時階層處理，並產生實施 分時階層顯示所需的時脈。 典型的，在分時階層資料訊號產生電路1 1 3中包含 將一個框分成多個N位元欄的機構，選取多個欄之寫入週 期及顯示週期的機構，及將顯示週期設成T s 1 : T s 2 :丁 s 3 : · · : T s ( η - 1 ) : 丁 s ( η ) ： - 2 0 : 2 _ 1 : 2 2 : ... ·· 2 ( η 2 ) : 2 ( η 1 )的機構。 分時階層資料訊號產生電路1 1 3可形成於本發明之 電致顯示裝置的外部，或可整合地形成。當形成電致顯示 裝置的外部電路時，需要使外部的數位資料訊號輸入至電 致顯示裝置中。 接著，圖2顯示本發明之主動陣列型電致顯示裝置的 剖面圖。 參考標號1 1代表基底，且參考標號1 2代表成爲圖 2基部的絕緣薄膜。基底1 1可爲玻璃’石英’玻璃陶瓷 ，或結晶玻璃的透光基底。所使用的基底必須能承受最高 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（23) 的處理溫度。 進一步的，當基底含有移動離子或基底具有導電性時 ，絕緣薄膜1 2特別有效。含矽的絕緣薄膜可作爲絕緣薄 膜1 2的材料。、'含矽的絕緣薄膜〃是指含特定比例之矽 ’氧及氮的氧化砂薄膜，氮化砂薄膜及氮氧化砂薄膜。 參考標號2 0 1代表開關T F T 2 0 1 ，其由η通道 TFT所形成，但亦可爲ρ通道TFT。參考標號2 0 2 代表電流控制T F 丁 2 0 2 ，且圖2顯示電流控制T F 丁 2 0 2由p通道T F T所形成。換句話說，電流控制 T F T的汲極連接至電致元件的陽極。然而，當電流控制 T F T由n通道T F T所形成時，電流控制T F T連接至 電致元件的陰極。 Ν通道T F Τ的場校移動性大於ρ通道T F Τ的場校 移動性，因此可高速的流通大電流。進一步的，即使流過 相同大小的電流，η通道T F Τ的尺寸可做得較小。 需知，在本發明中無須將開關丁 F Τ及電流控制 TFT限定爲η通道TFT，而可利用ρ通道丁 FT作爲 開關T F T及電流控制T F T。 開關T F T 2 0 1具有：含源極區1 3的作動層；汲 極區14; LDD區15a至15d;分離區16;及通 道形成區1 7 a及1 7 b ;閘極絕緣薄膜1 8 ;閘極電極 1 9 a及1 9 b ;第一內層絕緣薄膜2 0 ;源極線2 1 ; 汲極線2 2。依據電路或元件，閘極絕緣薄膜1 8或第一 內層絕緣薄膜2 0可共用基底上的T F T或不共用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------. 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（24) 圖2 A中的開關T F T 2 0 1具有電性連接的閘極電 極1 9 a及1 9 b ，並成爲所謂的雙閘極結構。當然，除 了雙閘極結構外，亦可使用多閘極結構。 對於低的電流値，多鬧極結構特別有效，且藉由夠低 之開關TFT的關閉電流，可降低圖1 b之電容1 1 2戶斤 需的電容値。亦即，可使電容1 1 2的外表面區變小，因 此多閘極結構在增加電致元件1 0 9之發光表面積上特別 有效。 此外，開關TFT2 0 1中的LDD區1 5 a至 1 5 d夾疊閘極絕緣薄膜1 8 ，且不與通道形成區1 7 a 及1 7 b重疊。此種結構特別能減低關閉電流値。進一步 的，LDD區1 5a至1 5d的長度可爲〇 · 5至3 . 5 μ m，較佳的是2 · 0至2 · 5 μ m。 在降低關閉電流方面，於通道形成區及L D D區間形 成平移區特別有效。進一步的，當使用具兩個或多個閘極 的多閘極結構時，在通道形成區間形成分離區1 6特別有 效。 接著，電流控制T F T 2 0 2具有：源極區2 6 ;汲 極區2 7 ;通道形成區2 9 ;閘極絕緣薄膜1 8 ;閘極電 極3 0 ;第一內層絕緣薄膜2 0 ;源極線3 1及汲極線 3 2。閘極電極3 0具有單閘極結構，但亦可使用多閘極 結構。 如圖1 B所示，開關T F T 2 0 1電子地連接至電流 控制T F T 2 0 2。尤其，電流控制T F T 2 0 2的閘極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27 - ▼裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 A7 B7 五、發明說明（） 電極3 0經由汲極線2 2連接至開關T F 丁 2 0 1的汲極 區1 4。進一步的’源極線3 1連接至圖1 B中的電流源 線1 1〇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，從增加電流量的觀點，亦可增加作動層（尤其 ，通道形成區）的膜厚（較佳的是5 0至1 0 〇 n m，更 佳的是6 0及8 0 n m )。相反的，從降低開關 丁 F T 2 0 1之關閉電流的觀點，可減少作動層（尤其， 通道形成區）的膜厚（較佳的是2 0至5 0 n m，更佳的 是 25 及 4〇nm)。 以上，已說明在像素區中形成T F T結構的情形，但 同時亦形成驅動電路。圖2顯示形成驅動電路基本單元的 C Μ〇S電路。 在圖2中，CMOS電路的η通道TFT盡可能地使 用能降低熱載體注射效應，且不降低操作速度之T F T結 構。此處的驅動電路是指圖1 A中的源極驅動電路1 0 2 及閘極驅動電路1 0 3。當然可形成其他的訊號處理電路 (如位準平移器，A / D轉換器或訊號分割器）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 N通道T F T 2 0 4的作動層包含··源極區3 5 ;汲 極區36; LDD區37;及通道形成區38 ，且LDD 區3 7與閘極電極3 9重疊，並疊夾閘極絕緣薄膜1 8。 在本說明書中，LDD區37是指Lov區。
爲了不降低操作速度，因此僅在汲極區側形成L D D 區。進一步的，無須太關心N通道T F T 2 0 4的關閉電 流値，而應將重點放在操作速度上。因此，最好使L D D 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28 - 483178 A7 B7 五、發明說明（26) 區3 7與聞極電極完全地重疊，盡可能的降低阻抗的成分 。換句話說，最好能消除偏移量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 熱載體注射對CMOS電路之p通道TFT2 0 5的 負面影響幾乎可加以忽略，尤其，不需形成L D D區。因 此，作動層含有源極區4 0 ;汲極區4 1 ;通道形成區 4 2 ，且閘極絕緣薄膜1 8與閘極電極4 3重疊。當然’ 可藉由形成類似於N通道T F T 2 0 4的L D D區，來抵 抗熱載體。 進一步的，N通道TFT2 0 4及p通道 T F T 2 0 5皆覆有第一內層絕緣薄膜2 0，並形成源極 線4 4及4 5。此外，兩者由汲極線4 6電子地連接。 接著，參考標號4 7代表第一惰性薄膜，且其膜厚可 設成1 0 n m至1 μ m (最好是2 0 0及5 0 〇 n m )。可 使用含矽的絕緣薄膜作爲惰性薄膜的材料。惰性薄膜4 7 可保護T F T不與鹼金屬及濕氣作用。在T F T上部的最 後一道電致層中含有鹼金屬，如鈉。換句話說，惰性薄膜 4 7亦可作爲保護層，使得這些鹼金屬不會穿透至T F T 。然而，此保護層爲非必要的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步的，參考標號4 8代表第二內層絕緣薄膜，其 具有平坦化的功能。較佳的，可利用有機樹脂薄膜作爲第 二內層絕緣薄膜4 8 ，並可使用聚硫亞氨，聚氨基化合物 ，丙烯酸及B C B作爲第二內層絕緣薄膜4 8。電致層對 不平坦的表面相當的敏感，因此最好在所有的T F T步驟 中加入第二內層絕緣薄膜4 8。此外，最好使低介電常數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（27) 的材料具有較大的厚度，以降低閘極線，或資料線及電致 元件陰極間的寄生電容。因此，厚度最好爲0 · 5至5 μ m (較佳的是介於1 · 5至2 · 5 μ m )。 進一步的，參考標號4 9代表透明導電薄膜所形成的 像素電極。當在第二內層絕緣薄膜4 8及惰性薄膜4 7開 出一接觸孔時，形成像素電極4 9以連接至電流控制 T F T 2 0 2的汲極線3 2。如果直接連接像素電極4 9 及汲極區2 7 ，如圖2所示，則可防止電致層的鹼金屬經 由像素電極進入作動層。 第三內層絕緣薄膜5 0形成於像素電極4 9上，其可 含氧化矽薄膜，但氧化矽薄膜或有機樹脂薄膜，且厚度從 〇· 3至1 μ m。利用鈾刻，在像素電極4 9上的第三內層 絕緣薄膜5 0上形成開口，並蝕刻開口的邊緣而形成錐狀 。錐狀的傾斜角可設成1 〇至6 0。（較佳的是3 0至 5 0 0 )。 電致層5 1形成在第三內層絕緣薄膜5 〇上。電致層 5 1可使用單層結構或多層結構，但多層結構具有較佳的 發光性。通常，依序在電極上形成孔注射層，孔傳輸層， 發射層及電子傳輸層，但亦可使用含孔傳輸層，發射層及 電子傳輸層或含孔注射層，孔傳輸層，發射層及電子注射 層的結構。本發明可使用任何已知的結構，亦可在電致層 中摻雜螢光劑。 有機電致材料可使用習知的材料，如以下美國專利及 日本專利所揭露的材料：美國專利第4，3 5 6 ，4 9 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） -30- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------
483178 A7 B7 五、發明說明（28) 號；美國專利第4，5 3 9 ，5 0 7號；美國專利第 4 ，720 ，432 號；美國專利第 4 ，769 ，292 號；美國專利第4，8 8 5，2 1 1號；美國專利第 4 ，95〇，950號；美國專利第5 ，〇59 ，861 號；美國專利第5 ，〇 4 7，6 8 7號；美國專利第 5 ，〇73 ，446號，，美國專利第5 ，〇59 ，862 號；美國專利第5，〇 6 1 ，6 1 7號；美國專利第 5 ，151 ，629 號；美國專利第 5 , 294，869 ^虎，美國專利第5 ，294 ’ 87 〇號；日本專利公開第 H e 1 8 — 2 4 1 〇 4 8號；及日本專利公開第
Hei 8- 78159 號。 fe 4福不置可分成四種彩色顯示方法：形成r，◦ ，B三色之電致元件的方法；結合白光電致元件及濾色器 的方法；結合藍或藍綠電致元件及螢光物（螢光色變化層 ’ C C Μ )的方法；及利用透明電極作爲陰極，並與R， G，B三色之電致元件重疊的方法。 圖2的結構顯示形成r，G，B三色之電致元件的例 子。雖然圖2中僅顯示1個像素，實際上則形成對應至r ，G，B三色的像素以提供彩色影像。 本發明可使用上述四種方法中的任一方法來實施。然 而，與電致相較，螢光物的反應速度較慢，且有殘影，因 此最好不使用螢光物。進一步的，亦可不使用濾色器，因 爲其降低發光的亮度。 在電致層5 1上形成電致元件的陰極5 2。可使用含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（29) 低工作砂數的材料，如鎢，鋰或鈣作爲陰極5 2的材料。 較ί土的是’使用MgAg (Mg :Ag=10 : 1)所製 成的陰極。此外，亦可使用M g A g A 1電極，L 1 A 1 電極及L i F A 1電極。 在形成電致層5 1後，最好連續地形成陰極5 2 ，而 不與外界接觸。此係因陰極5 2及電致層5 1的介面狀態 對電致元件的發光效應會造成相當大的影響。在本說明書 中’像素電極（陽極），電致層，及陰極所形成的發光元 件即爲電致元件。 在每一像素中，由電致層5 1及陰極5 2所形成的層 狀物必須分開地形成，但電致層5 1抗濕氣的能力相當差 ，因此無法使用一般的顯影技術。因而，最好使用如金屬 的光罩，並利用真空蒸著，漸鍍或電漿C V D等氣相法選 擇性的形成層狀物。 亦可使用噴墨印刷或遮蔽印刷法選擇性的形成電致層 。然而，在這些方法中，無法連續地形成陰極，因此最好 使用上述的其他方法。 進一步的，參考標號5 3代表保護電極，其用以防止 陰極5 2與外部的濕氣接觸，並連接至每像素的電極。保 護電極5 3最好使用含鋁，銅，銀之低阻抗材料。保護電 極5 3亦可具有熱輻射性，以釋放電致元件所產生的熱。 此外，最好在形成上述之電致層5 1及陰極5 2後，連續 地形成保護電極5 3而不與外界接觸。 進一步的，參考標號5 4代表第二惰性薄膜，且膜厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -32 - ▼裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 A7 -------- B7 _ 五、發明說明（3〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可爲l〇nm至Ιμηι (較佳的是2〇〇及5〇〇nm)。 形成第二惰性薄膜5 4的目的在於防止電致層與濕氣接觸 ’但亦可提供散熱的功效。上述電致層的抗熱性不高，因 此最好在低溫下進行薄膜的沉積（從室溫到1 2 0 °C的範 圍）。因此，電漿C V D，濺鍍，真空蒸著爲沉積薄膜的 較佳方法。然而，第二惰性薄膜5 4的形成爲非必要的。 本發明的主要目的在於改善T F T特性的分散問題， 在主動陣列型電致顯示裝置中將類比驅動階層顯示，變換 成數位驅動分時階層顯示時，便會出現此種問題。因此， 本發明不限於圖2結構的電致顯示裝置，且圖2的結構僅 爲較佳的實施例。 上述利用多晶矽薄膜的T F T具有高的操作速度，但 因熱載體的注射而容易出現退化的情形。因此，如圖2所 示，使像素中的T F T隨其功能有不同的結構（開關 T F T具夠低的關閉電流，電流控制T F T具抗熱載體的 能力），可提高其可靠度。 實例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9至1 6，以及表1至4說明本發明的實施例。 以下說明本發明的像素部位，形成於像素週邊之驅動 器的電路結構及規格，及其輸入訊號° 圖9顯示顯示面板的平面圖。此圖顯示面板的底面。 圖9中的參考標號9 0 1代表像素部位’ 9 0 2代表源極 驅動電路，9 0 3代表閘極驅動電路’ 9 〇 4代表彈性印 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公_ 33 483178 A7 五、發明說明（31 ) 刷電路的輸入部位9 0 4 (以下稱作F P C )。實施例1 中的F P C輸入部位9 0 4具有5 0個節距爲3 〇 〇 Μ m的 端子。 圖9中的F P C輸入部位9 0 4具有保護F P C輸入 部位的電路，如圖1 0所示。視頻訊號輸入端子（在端子 1至5 0中’附於F P C輸入部位9 〇 4上部的端子5至 2〇，27至42)不具電阻（R1)。 在具有保護電路之F P C的輸入端1至5 0中，除了 1 ，2 ，21 ，22 ，43 ，44，49 及 5〇外，接附 於圖9之F P C輸入部位9 0 4的上部。 此外，表1顯示實施例1之F P C輸入端的規格。表 1中的''號碼〃對應至圖9之F P C輸入部位9 0 4的端 子。 •i.--------#裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 端子號碼 端子符號 訊號型態 電壓範圍 附註(訊號明等） NC 僅有接腳 1 EL 一 CATH 未平衡 4(0.0 〜9.0)/9 電致驅動器D.C.電源(陰極） 2 EL—ANOD 電源 9 電致驅動器D.C.電源(陽極） 3 S-LATb 未平衡 0.0/9.0 源極驅動器電路栓鎖反向訊號 4 S 一 LAT 未平衡 0.0/9.0 源極驅動器電路栓鎖訊號 5 VD_16 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號16 6 VD 一 15 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號15 7 VD 一 14 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34 - 483178 五、發明說明（32)
7 7 A B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 VD.13 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號13 9 VD.12 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號12 10 VD一 11 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號11 11 VD 一 10 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號10 12 VD—09 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號9 13 VD—08 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號8 14 VD_07 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號7 15 VD_06 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號6 16 VD 一 05 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號5 17 VD—04 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號4 18 VD 一 03 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號3 19 VD 一 02 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號2 20 VD—01 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號1 21 S—GND 電源 0 源極驅動電路負電源 22 S 一 VDD 電源 9 源極驅動電路負電源 23 S一LEFT 電源 0·0 或 9.0 源極驅動電路掃描方向選擇器 (0.0:右掃描，9.0:左掃描） 24 S 一 SP 未平衡 0.0/9.0 源極驅動電路啓動脈波訊號 25 S—CKb 平衡 0.0/9.0 源極驅動電路時脈反向訊號 26 S 一 CK 平衡 0.0/9.0 源極驅動電路時脈訊號 27 VD 一01 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號1 28 VD—02 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號2 29 VD 一 03 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -35- 483178 A7B7 五、發明說明（33) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 VD—04 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號4 31 VD 一 05 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號5 32 VD_06 未平衡 0.0/9.〇 數位視頻訊號6 33 VD一07 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號7 34 VD 一 08 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號8 35 VD_09 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號9 36 VD—10 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號10 37 VDJ1 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號11 38 VD 一 12 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號12 39 VD—13 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號13 40 VD_14 未平衡 0.0/9.〇 數位視頻訊號14 41 VD—15 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號15 42 VD—16 未平衡 0.0/9.0 數位視頻訊號16 43 G_GND 電源 0.0/9.0 閘極驅動電路負電源 44 G_VDD 電源 0 閘極驅動電路正電源 45 G_UP 電源 10 源極驅動電路掃描方向選擇器 (0·0:下掃描,9.0:上掃描） 46 G.CKb 平衡 0·0 或 10.0 閘極驅動電路時脈反向訊號 47 G 一 CK 平衡 0.0/10.0 閘極驅動電路時脈訊號 48 G—SP 未平衡 0.0/10.0 源極驅動電路啓動脈波訊號 49 EL一AN〇D 未平衡 0.0/10.0 電致驅動器D.C.電源(陽極） 50 EL 一 CATH 平衡 9 電致驅動器D.C.電源(陰極） NC 4(0.0 〜9.0)/9 僅有接腳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ HI —Bi ·ϋ ϋ ϋ 1 一 ον I I mmm§ 11 amamm 1 1 l^i I · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36- 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —— ___B7 五、發明說明（34) 接著，圖1 1顯示圖9之閘極驅動電路9 0 3的詳細 電路圖。閘極驅動電路的正電源電壓爲1 0 V ’且負電源 電壓爲0 V。輸入至閘極驅動電路之操作時脈頻率爲 2 3 2 k Η z。進一步的，閘極驅動電路具有在掃描方向 上作切換的功能。 圖1 1中的符號g_chsw_a爲掃描方向開關，g_sftr_b ，g_sftr__c及g_sftr_d爲平移暫存器的部位，符號g_nand_e 爲NAND電路，且符號g_buff_f爲緩衝器。 圖1 1中由虛線所包圍的部位，亦即由g_chsw_a， g-sfu二b，g_sftr_c及g_sftr_d所包圍的部位即爲實施例1 的平移暫存器11001。 表3顯示構成實施例1之閘極驅動電路之平移暫存器 的T F T大小，N A N D電路及緩衝器。 P型TFT及η型TFT使用於平移暫存器， N A N D電路及緩衝器中，因此針對每一 T F T顯示其値 。表2中的大小對應至圖1 〇中的符號。再者，表中的符 號L ( μ m )代表T F T的通道長度，符號W ( μ m )代表 TFT的通道寬度。L ον區包含於η型TFT的通道長 度內。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ i^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -37- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（35) 表 2 __________1 Pch-TFT L(μm) W ( μτη) Nch-TFT ί(μιη) Lc ν(μιη) σ chsw_a 4.5 20 g_chsw—a 5 0.5 10 2 — sftr 一 b 4.5 16 g_sftr_b 5 0.5 8_一 g 一 sftr — c 4.5 40 g一sftr一c 5 0.5 20 — s_sftr^d 4.5 10 g —sftr_d 5 0.5 5 g_nand_e 4.5 22 g_nand一e 5 0.5 22 Lbuff 一 f 4.5 50 g—buff_f 5 0.5 25 接著，圖1 2描述圖9源極驅動電路9 0 2的詳細電 路圖。源極驅動電路的正電源電壓爲9 V，且負電源電壓 爲〇 V。輸入至源極驅動電路的操作時脈頻率爲1 2 · 5 Μ Η z ，且源極驅動電路可切換掃描方向。 圖1 2中的符號s_chsw_a爲掃描方向開關，符號 s__sftr_b，s_sftr__c ’ s_sftr — d爲平移暫存益部位’符號 s-nand_„e 爲 NAND 電路’符號 s_buff_f ’ s_buff_g， s__buff_h ， s_buff_i皆爲緩衝器。進一步的’符號s_latl」 ，s_latl—k，s_latl—m ’ s_latl—η 爲第一列的栓鎖，符號 sjat2__p，s —lat2_r，s_lat2_r，s_lat2_s 爲第二列的栓鎖。 圖1 2虛線所包圍的部位，亦即s_chsw_a，符號 s_sfti二b ， s_sftr_c ’ s —sftr_d指實施例1中的平移暫存器 12 0 0 1° 表3顯不構成貫施例1之源極驅動電路之平移暫存器 的T F T大小，N A N D電路及緩衝器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂·-------線 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -38- 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？衣 A7 B7 五、發明說明（36) P型TF T及η型TF T使用於平移暫存器， N A N D電路及緩衝器中，因此針對每一 丁 F τ顯示其値 。表3中的大小對應至圖1 2中的符號。再者，表中的符 號L (μιη)代表TFT的通道長度，符號W(Mm)代表 TFT的通道寬度。L〇v區包含於η型TFT的通道長 度內。 --------^---------^ —^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表
Pch-TFT L(μm) Ψ(μιη) Nch-TFT ί(μιη) Lov( μιη) Ψ(μπι) g_chs w__a 4.5 60 g—chsw_a 5 0.5 40 g —sftr —b 4.5 50 g_sftr_b 5 0.5 25 g_sftr_c 4.5 100 g_sftr_c 5 0.5 50 g_sftr_d 4.5 30 g_sftr_d 5 0.5 15 g_nand_e 4.5 50 g_nand_e 5 0.5 50 g_bufl_f 4.5 100 g_bufl_f 5 0.5 50 g_buf1一g 4.5 100 g_bufl_g 5 0.5 50 g_buf1—h 4.5 300 g_buf1_h 5 0.5 150 g一buf1—1 4.5 400 g.buf1_I 5 0.5 200 g一lat lj 4.5 16 g — latl」 5 0.5 8 g_lat1_k 4.5 16 g_lat l_k 5 0.5 8 g_lat 1 _m 4.5 4 g —lat l_m 5 0.5 2 g —lat2一n 4.5 30 g —lat2一n 5 0.5 15 gjat2 — p 4.5 16 g_lat2_p 5 0.5 8 g_l at2_r 4.5 16 g_lat2一r 5 0.5 8 g_buf3_s 4.5 4 g_buf3__s 5 0.5 2 g_sftr_t 4.5 30 g_sftr 一 t 5 0.5 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- 483178 A7 B7 五、發明說明（37) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 且 的 Η 電電的的 訊訊 訊爲掃 及，號符， 1， 入 Τ 動動路路 □的的 之 5 左 路中符，號 圖形 輸 Α 驅驅電電 如出線 入 1 向 電號，號訊 於情 所 C 極極動動 ，輸極L·0輸圖爲 動訊號訊的 示的 路 | 閘閘驅驅 1 所閘 1 所且 6 驅的訊鎖向 顯線 電 L 換至極極 _ 器至 W 路，1 極入鎖栓方 圖極 動 E 切入閘閘^1存入 的電號圖 閘輸栓向描 序閘 ^ 驅號/爲輸至至 U 暫輸 中動訊而 由 C 的反掃 時取fff極符 P 爲入入iJA移表11驅描， 及 P 路的之 的選 J 閘，UK 輸輸iTf平代11極掃形 以 F 電路路 號向la及中 1C 爲爲 D 從 1 至源的情 C 由動電電 訊方ilc 號 GlbpB5表 ο 應由向的。P 在驅動動 之描 WP 訊號 GKS r 代 ο 對示方素形 F。 極驅驅 Λ掃射 F 的符號 C Γ ㈣號 I - 顯平像㈣由號源極極 輸下選從入，符 一 Gtil符 E ^ 6 水欄的示訊至源源 所沿向示輸源，G 號r^t的 N 爲m_ 顯的入至換 路爲方顯所電號號符ώΓΙΙφδ及皆第像 6 入輸入切 電 3 描 4CC 訊符且 在 OL 45 者入ffifl 輸爲輸爲 動 1 掃 1PD 的 ，，。，0 1 11 兩寫m圖所 丁爲丁 驅圖上及 F 的向號號號的 IG 及圖。以第及路 AbF 極。沿 3 由致方訊訊訊步R號 3， 圖，入 5 電 LTE 閘中爲 1 在電描脈脈波一 S 符 1 著序描寫 1 動 IAL 由 44 圖。動掃時時脈進 ο 且 圖接時掃以圖驅 SL I 11 號驅之的向動 I，。 的右， 極號 1S 及圖 訊爲路路反啓 G 號號 號向描 源符 S 號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40- 483178 A7 ______ B7 五、發明說明（38) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 符號S _ c K爲輸入至源極驅動電路的時脈訊號，符號 S_CKb爲輸入至源極驅動電路的反向時脈訊號，符號 S — s P爲輸入至源極驅動電路的反向脈波訊號，且符號 v D _ 0 1爲從第一視頻訊號線輸入至源極驅動電路的視 頻訊號。 進一步的，在由源極驅動電路所輸入的訊號中，符號 s —〇s R — 0 0 1代表從連接至第一源極線之栓鎖1所 輸出的訊號。符號S _ S Μ P — 0 1代表從從連接至第一 源極線之取樣電路所輸出的訊號。符號G _ L I Ν Ε代表 輸入至m號閘極線的訊號。 圖1 5及1 6中的訊號對應至圖1 2中的符號。 實施例1之面板內側的每一像素具有圖7之參考標號 7 1的結構。電致驅動器T F T 7 0 2爲p型（L = 5 μ m 5 W - 2 μ m )，且像素切換TFT爲η型（l = 2.5T ’ W = Ιμιη)。進一步的’補充電谷7 Ο 4之表面積S從 0 · 0 5 至 0 . 1 1 m m 2。 實施例1之顯示面板的規格顯示於表4中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483178
7 7 A B 五、發明說明（39) 表4 螢幕大小 〇.7吋 像素數目 640x480 像素空間 2 2 . 5 μ m 階層 6 4 ( 6位元） 孔隙比 3 8 % 源極驅動電路中的操作時脈頻率 12.5MHz 閘極驅動電路中的操作時脈頻率 2 3 2 kHz 驅動電路的電壓 9 V 顯示部位的電壓 7 V 負荷率 6 2,5% 顏色 單色 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例1之面板的尺寸爲5 0 m m X 5 0 m m，且螢幕 的尺寸爲1 4 . 4 m m χ 1 Ο · 8 m m (對角線〇 · 7吋） 。像素的尺寸爲1 2 · 5 μ m χ 1 2 · 5 μ m，像素陣列爲 條形，且孔率比將進3 8 %。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，每一螢幕的像素數目由（d2+640+d2 )x(d2 + 48〇 + d2)所求得，其等於307 ， 2〇〇+ (d) 4496像素（d代表dummy )。 實施例1的面板規格爲6 4 0 X 4 8 0 V G A，且爲單 色顯示。再者，共有6 4個階（6位元），且負荷比爲 6 2.5%。 實施例1之源極驅動電路的部分顯示於圖2 6中。參 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483178 A7 B7 五、發明說明（） 考標號2 6 0 1代表平移暫存器，且參考標號2 6 0 2代 表栓鎖（1 ) 2 6 0 2。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，圖2 7顯示電致顯示裝置之靜態影像的照片° 實施例2 在顯示其內，將電壓施加至電致元件的電源開關 7 0 9開啓，且在實施例1的寫入期內，電源開關爲開啓 的。如果使用此種方法，則當進入顯示期時，電開關同時 開啓。此時，會使電流突然增大，而超過整個面板負載之 電源的電荷充電能力。 在實施例2中，藉由使電源開關在顯示期內一直維持 開啓的狀態，便可避免寫入期及顯示期間的電流增加° 然而，當使用此種方法時，於寫入期內實施顯示’且 當顯示期較寫入期爲短時，如圖4 C中的寫入4 ’寫入5 及寫入6，則將無法實施顯示4，顯示5及顯示6 ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 換句話說，當實施實施例2時，需考量下述幾點：1 )像素數目減少，且寫入期變短；2 )驅動器電路之 T F T的性能增加，且操作速度亦增加；3 )驅動電路附 於面板的外部’且增加操作速度。 實施例3 以下將參考圖1 7至2 0說明本發明的實施例。此處 ，將描述同時製造像素部位T F T及驅動電路部位τ F T 的方法。在驅動電路方面’圖中顯示作爲基本電路的 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483178 A7 B7 五、發明說明（41) C Μ〇S電路。 首先，備至表面沉積有薄膜的基底5 0 1 ，如圖1 7 (A )所示。在此實施例中，在結晶玻璃上層疊一 1〇〇 n m與另一 2 0 〇 n m的氮氧化砂薄膜，以作爲基膜。此 時，較佳的是使結晶玻璃薄膜中的氮濃度維持在1 〇 一 2 5w t %。如此可直接在石英基底上形成元件，而無須 形成任何基膜。 其後’將4 5 n m厚的非結晶矽薄膜5 0 2以習知的 薄膜形成法，形成在基底5 0 1上。無須限定於使用非結 晶矽薄膜。替代的，此處亦可使用具非結晶結構的半導體 薄膜，如鍺化矽非結晶薄膜。 參考由此處到圖1 7 ( c )的步驟，可完成本發明人 所申請之日本專利公開第1 〇 - 2 4 7 7 3 5號所揭露的 內容。此公告專利揭露一種將半導體薄膜結晶化的技術， 其中利用N 1元素作爲觸媒。 首先，形成具有開口 5 0 3 a及5 0 3 b的保護膜 5 0 4。在此實施例中，使用厚1 5 0 n m的氧化矽薄膜 。含N :層5 0 5利用旋轉被覆法形成在保護膜5 0 4上 〇 形成含N i層的方法可參考上述的公告專利。 接著，如圖1 7 ( B )所示，在惰性氣體中以5 4〇 °C加熱1 4小時，並將非結晶砂薄膜5 〇 2結晶化。此時 ，結晶化的程序大致上由與N 1接觸的區域5 〇 6 a及 5〇6 b開始。結果’形成具有桿狀結晶結構的多晶矽薄 r---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -44 - 483178 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 膜5 Ο 7。依據電子束的繞射圖像，本發明的申請人發現 ’繞射點出現在面ί 1 1 〇丨上，如圖1 2 ( A )所示7 其後’如圖1 7 ( C )所示，將丨5族的元素加至含 N i區5 0 6 a及5 0 6 b中，並保留保護膜以作爲光罩 5 0 4。因而形成含局濃度磷的區域5 〇 8 a及5 〇 §匕 〇 接著，在惰性氣體中以6 0 0 °C加熱1 2小時，如圖 1 7 ( C )所示。利用加熱程序移除多晶矽薄膜5 〇 7中 的N i ，且幾乎所有的N i皆由磷附加區5 0 8 a及 5 0 8 b所捕捉。此現象來自於磷的金屬收集效應。 利用此程序，依據S I M S的量測値，多晶矽薄膜 5〇9中的！^丄濃度降至2><1〇173 1:〇111/(：1113。雖 然N i會對半導體的壽命造成負面的影響，但當降至此一 程度時，對T F T的特性並不會造成負面的影響。此外， 由於此濃度爲S I M S的量測下限，因此實際的濃度可能 低於 2 χ 1 〇 1 7 a t 〇 m / c m 3 。 可利用觸媒形成此種多晶矽薄膜5 Ο 9 ，且觸媒量控 制在一定的程度以下而不影響到T F Τ的操作。接著’利 用圖樣化程序’形成僅使用多晶矽薄膜5 0 9的作動層 5 1 0 — 5 1 3。此時，應利用上述的多晶矽薄膜（圖 17(D))，形成圖樣化所需的標記。 接著，利用電漿C V D形成5 Ο n m的氮氧化砂薄膜 ，如圖1 7 ( E )所示’接著在氧化的環境中以9 5 0 °c 實施1小時的加熱程序。氧化環境可爲氧氣的環境或加入 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適时_&家鮮（CNS)A4規格（210 x 297公釐) 45 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7____ 五、發明說明（43) 鹵素的其他氧化環境。 在此熱氧化處理中，在作動層及氮氧化薄膜的介面間 進行氧化程序’且1 5 n m的多晶矽薄膜發生氧化，而形 成3 〇 n m的氧化砂薄膜。亦即，形成8 0 n m之聞極絕 緣薄膜5 1 4，其中層疊3 0 n m的氧化矽及5 0 n m的 氮氧化矽薄膜。利用熱氧化程序使作動層5 1 0 - 5 1 3 的薄膜厚度成爲3 0 n m。 接著，如圖1 8 ( A )所示，形成光阻5 1 5 a及 5 1 5 b ，並加入雜質元素，此雜質元素是透過閘極絕緣 薄膜5 1 4加入P型元素而形成。p型雜質元素可使用 1 3族的元素，如硼或鎵。此程序可用以控制τ F T的臨 界電壓。 在此實施例中，利用離子摻雜法來加入硼元素，其中 實施電漿激化法，而不發生B 2 Η 6的質量分離。當然，亦 可使用實施質量分離的離子植入法。依據此程序，形成雜 質區516至518 ，其含有1x1〇15至ΙχΙΟ18 a t ◦ m / c m 3的硼元素。（代表濃度爲5 χ 1 0 1 6至 5 x 1 0 1 1 a t o m / c m 3 )。 接著，形成光阻5 1 9 a及5 1 9 b ，如圖1 8 ( B )所示，並加入η型雜質元素。N型雜質元素可使用1 5 族的元素，如磷或砷。在此實施例中，實施使電漿激化的 電漿摻雜法，而不發生（p Η 3 )的質量分離。加入的磷濃 度爲1 X 1 0 1 8 a t 〇 m / c. m 3。當然，亦可使用實施質 量分離的離子植入法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-46 - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（） 調整摻雜量，使得n型雜質區5 2 0之η型雜質元素 的濃度爲2 X 1 0 1 6至5 χ 1 0 1 9 a t 〇 ni / c m 3的硼元 素。（代表濃度爲δχΙΟ1’至5x10i8atom/ cm3)。 其後，將加入的η型雜質元素及p型雜質元素活化， 如圖1 8 ( C )所示。活化的機制並無限制’但由於沉積 有閘極絕緣薄膜5 1 4，可使用電熱爐的退火程序。此外 ，較佳的是以盡可能高的溫度來進行加熱程序，由於在圖 1 8 ( A )的製程中，作動層與閘極絕緣薄膜間的介面可 能已損壞。 由於在此實施例中使用高抗熱性的結晶化玻璃，因此 以8 0 0 t，1小時的電爐退火來實施結晶化程序。可在 氧化環境中，進行熱氧化程序，或在惰性氣體中進行加熱 程序。 此製程可使η型雜質區5 2 〇的邊緣，亦即，η型雜 質區5 2 0及其周圍區域的邊界（未加入1Ί型雜質），變 得更爲明確。此表示當完成T F Τ後，L DD區與通道形 成區可形成優良的接合。 接著’形成厚200 - 400^111的導電薄膜，並實 施圖樣化以形成閘極電極5 2 1 — 5 2 4。閘極電極可由 單層的導電薄膜所形成，且當需要時可以雙層或多層的薄 膜來形成。可利用習知的導電材料作爲閘極材料。 特定的，可使用由下元素製成的薄膜：T a ，τ i ，
Mo’W’Cr ，A1 ’Cu，An· c·寸 十二丰々
Ag，Si或上述兀素之 本紐尺度刺中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29GJ7 -47- -----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 A7 B7 五、發明說明（45) 氮化物所製成的薄膜，結合上述元素的合金薄膜（如Μ ◦ 一 W，Μ 〇 - T a合金），及上述元素矽化物（如矽化鎢 ，矽化鈦薄膜）。當然可使用單層或多層的結構。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此實施例中，使用厚度5 0 n m的氮化鎢及厚度 3 5 0 n m的鎢。可利用濺鍍的方法形成該薄膜。當在濺 鍍氣體中加入鈍氣X e ，N e時，可防止應力造成的薄膜 剝離。 此時形成閘極電極5 2 2以覆蓋部分的η型雜質區 5 2 0 ，而夾疊閘極薄膜5 1 4。接著此層重疊部位成爲 覆蓋閘極電極的L D D區。依據剖面圖，閘極電極 5 2 3 a與5 2 3 b相互分離，但實際上彼此電性地連接 〇 接著，利用閘極5 2 1 - 5 2 4作爲光罩，以自我對 齊的方式來摻雜η型雜質元素。此時，調整雜質區5 2 5 一 5 3 2的磷摻入量，使得磷濃度與η型雜質區5 2 0的 磷濃度相當。具體的磷濃度爲1χ1 016至5χ1 018原子 / c m 3，典型値爲3 X 1〇1 7至3 X 1 0 1 8原子/ c m 3 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著形成光罩5 3 3 a至5 3 3 d以覆蓋閘極電極， 如圖19 (B)所示，並藉由加入η型雜質元素而形成含 高濃度磷的雜質區5 3 4至5 3 8。再次利用氫化磷來實 施摻雜，使磷濃度成爲1 X 1 0 2 13至1 X 1 0 2 1原子/ cm3 (典型値2x1 02〇至5x1〇21原子/ cm3)。 N通道型T F T的源極區以及汲極區利用此程序來形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -48 - 483178 A7 B7 五、發明說明（46) 成，且在開關T F T中，留下部份以圖1 9 ( A )製成所 形成的η型雜質區5 2 8至5 3 0。這些剩餘的區域對應 至圖2開關T F Τ的L D D區1 5 a至1 5 d。 接著，如圖19 (C)所示，移除光罩533a至 533d，並形成新的光罩539。接著加入p型雜質元 素以形成含高濃度硼的雜質區5 4 0及5 4 3。此處利用 氫化硼的摻雜，加入硼元素以形成濃度3 X 1 0 2 Q至 3x1〇21原子/ cm3 (典型値5x1〇2 ◦至1x1 〇21 原子/ c m 3 )的雜質區。 加入雜質區5 4 0至5 4 3的磷濃度爲lxl 〇2。至 1 X 1 0 2 1原子/ c m 3。而此處所加入的硼濃度爲磷濃度 的三倍。因此，先前形成的η型雜質區完全變成p型，並 具有Ρ型雜質區的功能。 因此’如圖19 (D)所示，將光罩539移除，並 接著形成第一內層絕緣薄膜5 4 4。可使用單層結構或多 層結構的絕緣薄膜作爲第一內層絕緣薄膜5 4 4。其膜厚 可爲4〇0 n m - 1 . 5 μ m。在此實施例中，將8〇〇 n m之氧化矽薄膜疊層在2 0 0 n m之但氧化矽薄膜上。 接著，活化每一濃度的η型雜質元素及ρ型雜質元素 。活化的方法以熱爐退火爲佳。在此實施例中，在氮氣環 境的電熱爐內，以5 5 0 ° C實施4小時的熱處理。 在3 — 10 0%的氫氣環境中，以300 — 450 °C 進行1 2小時的加熱，以實施氫化。此程序利用加熱激化 的氫氣，使半導體薄膜的懸鍵形成氫原子端。此外’可實 :------------裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -49 - 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（48) 5 5 3主要用以使表面平坦化，因此以丙烯酸薄膜的性質 爲佳。在此實施例中，丙烯酸薄膜的厚度爲2 . 5 μ m ◦ 其後，在第二內絕緣層5 5 3及第一惰性薄膜5 5 2 中形成接觸孔，並使接觸孔到達汲極導線5 5 1 。在此實 施例中，形成厚度1 1 0 n m的氧化錫銦（I T〇），並 實施圖樣化，以形成像素電極。替換的’亦可使用透明的 氧化銦薄膜，且其中混合有2至2 0 %的氧化鋅。像素電 極成爲電致元件的陽極。 接著，形成5 0 0 n m之含矽的絕緣薄膜，且在對應 至像素電極5 5 4的位置形成開口，並形成第三內層絕緣 薄膜5 5 5。當形成開口後，可簡單第利用濕式鈾刻法形 成錐狀的側壁。如果開口的側壁不夠傾斜，則水平差異所 造成之電致層的退化，將會導致相當嚴重的問題。 其後，利用真空沉積法連續地形成電致層5 5 6及陰 極5 5 7。較佳的是形成8 0 0 - 2 0 0 m厚的電致層 5 5 6及1 8〇一3〇〇n m厚的陰極5 5 7 。 在此程序中，依序針對紅，綠，監像素形成電致層及 陰極。然而，由於電致層易於溶解，因此必須在無顯影技 術的情形下，單獨地形成每種顏色的電致層。因此，較佳 的是利用金屬光罩，消除期望電極外的電極，並選擇性地 形成期望陰極的電致層。 細言之，先安裝光罩以消除紅色像素外的像素，並利 用光罩選擇性地形成紅色的電致層及陰極。其後，安裝光 罩以消除綠色像素外的像素，並利用光罩選擇性地形成綠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -51 - »n ϋ «1— n ϋ ϋ ϋ ^1 n I ϋ 1·1 ϋ ϋ —i a— ai· amm— 一 口V a .^1 11 I- n n ^1· I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 _ B7 五、發明說明（49) 色的電致層及陰極。接著’安裝光罩以消除藍色像素外的 像素’並利用光罩選擇性地形成藍色的電致層及陰極。此 時’對不同的顏色使用不同的光罩。替代的，可使用同一 光罩。較佳的是，在不中斷真空的前提下，進行處理直到 形成所有像素的電致層及陰極。 電致層5 5 6可使用習知的材料。當考慮驅動電壓.時 ’最好使用有基材料。例如，電致層可具有四層結構，包 括孔注射層，正孔傳輸層，發光層及電子注射層。進一步 的’使用M g A g作爲電致元件的陰極。亦可使用其他習 知的材料Y b。 進一步的，可使用以鋁爲主成分的導電薄膜作爲保護 電極5 5 8。保護電極5 5 8可藉由蒸鍍法而形成，且所 使用的光罩不同於形成電致層及陰極時的光罩。再者，較 佳的是在形成電致層及陰極後，連續地形成保護電極。 最後，以氮氧化矽薄膜形成3 0 0 n m的第二惰性薄 膜5 5 9。此外，形成第二惰性薄膜5 5 9可提升電致元 件的可靠性。 依此方式，完成如圖2 0 ( C )之主動陣列形液晶顯 示裝置。實用上，以高氣密材料及陶瓷密封的外殼加以包 裝’以使完成的液晶顯不裝置與外界的空氣隔離。在此狀 態下’藉由在外殼內部保持惰性環境或置入吸濕性的材料 ，可改善電致層的穩定性。 利用封裝形成氣密環境後，接上一連接器，以連接由 內部基底電路拉出的端子以及外部的訊號端子，並完成製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -52- .--------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（49) 色的電致層及陰極。接著，安裝光罩以消除藍色像素外的 像素，並利用光罩選擇性地形成藍色的電致層及陰極。此 時’對不同的顏色使用不同的光罩。替代的，可使用同一 光罩。較佳的是’在不中斷真空的前提下，進行處理直到 形成所有像素的電致層及陰極。 電致層5 5 6可使用習知的材料。當考慮驅動電壓.時 ’最好使用有基材料。例如，電致層可具有四層結構，包 括孔注射層，正孔傳輸層，發光層及電子注射層。進一步 的’使用M g A g作爲電致元件的陰極。亦可使用其他習 知的材料γ b。 進一步的，可使用以鋁爲主成分的導電薄膜作爲保護 電極5 5 8。保護電極5 5 8可藉由蒸鍍法而形成，且所 使用的光罩不同於形成電致層及陰極時的光罩。再者，較 佳的是在形成電致層及陰極後，連續地形成保護電極。 最後，以氮氧化矽薄膜形成3 0 0 n m的第二惰性薄 膜5 5 9。此外，形成第二惰性薄膜5 5 9可提升電致元 件的可靠性。 依此方式，完成如圖2 0 ( C )之主動陣列形液晶顯 示裝置。實用上，以高氣密材料及陶瓷密封的外殼加以包 裝，以使完成的液晶顯示裝置與外界的空氣隔離。在此狀 態下，藉由在外殼內部保持惰性環境或置入吸濕性的材料 ，可改善電致層的穩定性。 利用封裝形成氣密環境後，接上一連接器，以連接由 內部基底電路拉出的端子以及外部的訊號端子，並完成製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -52 - --------訂---------線0^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5Q) 品。在本說明書中，以此方式形成的電致裝置稱爲電致模 組。 以下將參考圖2 1說明主動陣列型電致顯示裝置的結 構。本實施例的主動陣列型電致顯示裝置形成於玻璃基底 6 0 1上，包括像素部位6 〇 2，閘極側驅動電路6 0 3 ’源極側驅動電路6 0 4。像素部位的開關τ F T 6〇5 爲η通道型T F T，並配置於連接至閘極側驅動電路 6 0 3之閘極導線6 0 6 ’與連接至汲極側驅動電路 6 0 4之汲極導線6 0 7的交點處。開關τ F Τ 6 0 5的 汲極連接至電流控制T F Τ 6 0 8的閘極。 進一步的，電流控制T F Τ 6 0 8的源極側連接至電 源線6 0 9。在依據本發明的結構中，電流控制 T F Τ 6 0 8的汲極連接至電致元件6 1 0 ，且預定的電 壓供應至電致元件6 1 0的陰極。 接者’連接至電源線6 0 9的輸入及輸出導線6 1 2 及6 1 3，以及輸入/輸出導線6 1 4形成於 F P C 6 1 1中’並形成外部輸入及輸出端子，以將訊號 傳送至驅動電路。 圖2 2 ( A )及2 2 ( Β )顯示本發明之電致模組， 其包括有外殼材料。當需要時，可使用圖2 1中的光罩。 在基底1 2 0 〇上形成像素部位1 2 0 1 ，源極驅動 電路1 2 0 2及閘極驅動電路1 2 0 3。各驅動電路的導 線經由F P C 6 1 1 ，並通過輸入及輸出導線6 1 2至 6 1 4連接至外部電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53- ^--------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Β7 Η /δ 五、發明說明（51 ) 動-衣材枓1 2 〇 4至少包覆像素部位’且最好包覆驅 動：=素部位。封裝材料"“具有不規則的形狀 利用Γ 大於電致裝置的外部尺寸，或具薄片狀，並 =者劑1205固定在基底上，以形成氣密 工間。此時’電致元件被上述的氣密空間完全地包覆， 並與外部環境完全隔絕。此外，可同時形成多個封裝材料 12〇4。 、衣材料1 2 〇 4最好使用如玻璃或聚合物的絕緣物 質1下爲封裝材料1 2 〇 4的例子··非結晶玻璃；陶瓷 玻璃，有機樹脂，及砂樹脂。此外，亦可形成陶瓷。進— 步的，假設黏著劑1 2 〇 5爲絕緣材料，亦可使用如不鏽 鋼合金的金屬材料。 黏著劑1 2 0 5的材料也可爲環氧樹脂或丙烯酸樹脂 。此外，需盡可能的使用能防止氧氣或溼氣滲入的材料。 再者，較佳的是在封裝材料及基底1 2 〇 〇間的開口 1 2 0 6中充入惰性氣體。充入的氣體並無限制，且亦可 使用惰性液體。惰性液體可使用日本專利公開第 一 7 8 5 1 9號所揭露者。 最好能在開口 1 2 0 6中形成乾燥劑。乾燥劑的材料 可使用日本專利公開第H e〗 9 一 1 4 8 0 6 6號所揭 露者。典型的材料爲氧化鋇。 如圖2 2 ( B )所示，在像素部位中形成多個具有隔 離電致元件的像素，且所有的像素具有共同電極的保護電 極1 2 0 7。在此實施例中，最好在與外界隔離的狀態下 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -54- 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） ’依次地形成電致層，陰極及保護電極。利用相同的光罩 材料形成電致層與陰極，並假設僅有保護電極是由分離的 光罩材料所形成，如此便形成圖2 2 ( B )的結構。 電致層及陰極可僅形成在像素部位上，且無須將此二 者形成在驅動電路上。當然，若形成在驅動電路上亦不會 有任何問題，但因電致層內含有鹼金屬，因而最好不在驅 動電路上形成。 在區域1 2 0 8中，保護電極1 2 0 7經由連接導線 1 2 0 9連接至輸入/輸出導線1 2 1 0。輸入/輸出導 線1 2 1 0用以將預定的電壓（本實施例爲地線電壓， 〇V )供應至保護電極1 2 0 7，並經由導電的膏狀 1211連接至FPC611。 圖2 3說明在區域1 2 0 8中形成接觸結構的製程。 首先，依據本實施例的製程獲得圖2 0 ( A )的狀態 。此時，從基底的邊緣處移除第一內絕緣層5 4 4及閘極 絕緣薄膜5 1 4，並在此區域上形成輸入/輸出導線 1 2 1 0。當然同時連接圖2 0 ( A )的源極導線與汲極 導線（參考圖2 3 ( A ))。
接著，在圖2 0 ( B )中，當飩刻第二內絕緣層 5 5 3及第一惰性薄膜5 5 2時，移除區域1 3 0 1 ，並 形成開口部位1 3 0 2。接著，同時形成連接圖2 0 ( B )的導線1 2 0 9及像素電極5 5 4 (參考圖2 3 ( B ) )0 在此狀態下在像素部位中實施形成電致元件（第三內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -55- •--------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 __ B7 五、發明說明（53) 層絕緣薄膜，電致層及陰極形成步驟）的程序。此時，在 圖1 3的區域中，使用光罩等，使得在此區域內部形成第 三內層絕緣薄膜及電致元件。在形成陰極5 5 7後，利用 分離的光罩材料形成保護電極5 5 8。藉此，保護電極 5 5 8及輸入/輸出導線1 2 1 〇便經由連接導線 1 2 0 9而連接。進一步的，形成第二惰性薄膜5 5 9 ， 並獲得圖2 3 ( C )的狀態。 利用上述的步驟，實現圖2 2 ( B )之區域1 2 〇 8 的接觸結構。接著，經由封裝材料1 2 0 4與基底 1 2 0 0間的開口將輸入/輸出導線1 2 1 0連接至 F P C 6 1 1。此處說明連接輸入/輸出導線1 2 1 〇的 情形，而其他的輸出導線6 1 2至6 1 4亦通過封裝材半斗 1 2 0 4的下部而連接至F P C 6 1 1。 實施例4 在實施例4中，描述依據實施例3所製作之主動型電 致顯示裝置的像素結構。利用圖2 4 A及2 4 B來加以說 明。爲了方便起見，對應至圖1 A及1 B，以及圖2的部 位以相同的符號來表示。 進一步的，圖2 4 A顯示沉積第二導線前的像素結構 ，而圖2 4 B顯示形成電致元件前的結構。 在圖2 4中，參考標號2 0 1代表開關T F T ’包含 有源極區2 6 ，汲極區2 7及閘極區3 0。此外’電流控 制T F T 2 0 2及像素電極4 9透過汲極線3 2而連接。 ----------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -56 - 483178 A7 B7 五、發明說明（54) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電流控制T F T 2 0 2的汲極導線2 2利用接觸部位 1 6 〇 1連接至電流控制τ F T 2 0 2的閘極3 0。進一 步的，閘極區3 0在與電流供應線1 1 0重疊的部位形成 儲存電容1 1 2 a 。藉由對齊電流供應線1 1 0而與閘極 區3 〇重疊，可在部將低像素孔徑率的情況下增加儲存電 容1 1 2 a的電容値。 進一步的，藉由接觸部位8 0連接至電流供應線 1 1 〇的半導體薄膜8 1與閘極區3 0重疊，並形成儲存 電容（B ) 1 1 2 b。此時的介電質爲同層的絕緣薄膜， 並作爲間極絕緣薄膜。 儲存電容（A) 112a及儲存電容（B) 112b 在圖2 4A及2 4 B中平行的連接，並作爲儲存電容 112° 電流控制T F T 2 0 2的源極區2 6與半導體薄膜 8 1利用分離的接觸部位連接至電流供應線1 1 0。接著 ，說明該情形。將磷摻入半導體薄膜8 1中，半導體薄膜 8 1成爲儲存電容（B ) 1 1 2 b的底側電極，且因是p 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通道T F T，因而將硼摻入電流控制T F T 2 0 2的作動 層。換句話說，摻入磷的半導體區及摻入硼的半導體區相 鄰，且因形成p — η接合，因而產生整流的效果。此時， 電流控制丁 F Τ 2 0 2的源極區2 6與半導體薄膜8 1電 子地連接至電流供應線1 1 0。 實施例4之圖2 4 Α及2 4 Β的結構並未對本發明加 入任何的限制，而僅爲較佳的例子。操作員可適當的設計 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483178 A7 B7
RR 五、發明說明（） 而將開關T F T，電流控制τ F T及儲存電容形成在任一 位置。可自由地結合實施例1至3的構造來達成實施例4 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當影像顯示區的表面積變大時，實施例4的結構尤爲 有效。其理由說明如下。 本發明的電致顯示裝置將一個框分成多個攔並進行分 割，因此用以驅動像素部位的負載變大。較佳的是盡可能 的降低像素部位的負載，以減少負擔。 加入T F T寫入之資料導線及閘極導線中的寄生電容 大量的形成在電致元件的陰極間。由於低介電常數的有機 樹脂薄膜僅具有1 . 5至2 . 5 μ m的厚度，因此此寄生電 容幾乎可以忽略。 在實施本發明之大面積電致元件時，最大的阻礙在於 資料導線及閘極導線的導線阻抗。當然，可將源極驅動電 路分成多個電路，且實施平行處理，並使源極驅動電路及 閘極驅動電路夾疊像素部位，而雙向地傳送訊號，藉此有 效地減少驅動電路的操作頻率。然而，會發生其他個別的 問題，如增加驅動電路的多餘面積。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，在本發明中，利用實施例4的結構盡可能地降 低閘極導線的阻抗將相當有效。圖2 4 A及2 4 B的像素 結構並未對本發明加入任何的限制，而僅爲較佳的例子。 進一步的，可自由地結合實施例1至3來達成實施例4。 實施例5 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐） 483178 A7 _B7 五、發明說明（） 利用圖2 5 ’說明在實施例5中形成像素部位的情形 。圖2 5中’由第二內層絕緣薄膜4 8所覆蓋的電流控制 T F T 2 0 6的結構不同於圖2者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步的’圖2 5的電致顯示裝置具有形成於汲極區 2 7及通道形成區2 9間的1^00區2 8，並具有100 區2 8夾疊閘極絕緣薄膜1 8且覆蓋閘極區3 0的區域， 以及爲覆蓋的區域。 實施例5之開關T F T可由ρ通道T F T或η通道 T F Τ所形成，但較佳的是利用η通道T F Τ形成電流控 制 T F Τ。 將較大的電流導入電流控制T F Τ 2 0 6中，以使電 致元件2 0 3發光，因此最好採取能防止因熱載體注入所 導致之退化的步驟。進一步的，當顯示黑色時，電流控制 T F Τ 2 0 6呈關閉的狀態，但若關閉電流過大，則無法 顯示完全的黑色，而降低反差。因此需抑制此種關閉電流 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當考慮熱載體注射所產生的退化時’將L D D區與閘 極電極重疊的結構相當有效。然而’如果將整個L D D區 重疊，則會增加關閉電流，因而’除了上述的結構外，本 案申請人串列地形成L D D區而不與閘極重疊，而同時解 決熱載體駐入及關閉電流的問題° 與閘極重疊之L D D區的長度可爲〇 · 1至3 μ m (較 佳的是0 · 3至1 · 5 μ m )。進一步的’不與極重疊之 L D D區的長度可爲1 · 0至3 · 5 μ m (較佳的是1 · 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f 「59 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7
RJ 五、發明說明（） 至2 · Ο μ ηι )。如果重疊的部分過長，則無法流過足夠的 電流，且若太短，則關閉電流的降低效應變差。此外’可 省去不與閘極重疊的L D D區，而僅形成與閘極重疊的 L D D 區。 進一步的，在上述結構中，L D D區與閘極重疊部位 的附近會產生寄生電容，因而最好不在源極區2 6與通道 形成區2 9間形成該區域。電流控制T F T的載體（電子 )流動方向一値保持固定，因此可僅在汲極區側形成 L D D 區。 另一方面，利用L D D區與閘極重疊部位旁所形成的 寄生電容，使其具有相同於圖1 A及1 B之儲存電容 1 1 2的功能。此時，可結合儲存電容來加以使用，或可 替代儲存電容，而省略儲存電容。若省去儲存電容，則能 大大地增加孔徑率。 在第5實施例中，當於第二內層絕緣薄膜4 8及第一 惰性薄膜4 7中形成接觸孔時，形成作爲陰極的像素電極 6 1 。在第5實施例中，形成2 0 0 n m的鋁合金薄膜來 作爲像素電極6 1。高反射率的金屬皆可作爲像素電極。 接著在從3 0 0 n m的氧化矽薄膜，於像素電極6 1 上形成第三內層絕緣薄膜6 2 ，並接著形成電致層6 3 ， 4 0 n m的發光層，3 0 n m的電洞傳輸層。需要使電致 層6 3具有大於像素電極6 1的圖樣。藉此，可於其後防 止像素電極6 1與陽極6 5間的短路。 在電子傳輸層中可使用如B C P或A 1 q 3的材料，來 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -60 - ：--------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 58 ’ A 1 q 3 及 A7 B7 五、發明說明（一） 作爲形成電致層的電致材料。 進一步的，CBP及I r (ppy) B e B Q可作爲電致材料。 此外，除了 E u複合物（e u ( D C Μ ) 3 ( p h u 6 Π ))外，可使用摻入D C M - 1的A 1 Q 3作爲發光材料。 進一步的，可使用DPVBi ，末端介電質，在llgand中 具有a ζ 〇 m e t h i n e的鑛鋅化合物，或摻入p e r I i 11丨n的 D P V B i作爲發光材料。 接著，電洞傳輸層的材料可使用芳香胺MTDΑΤΑ， TPAC ’ PDA及TPD的a— NPD化合物，主鍵及 側鏈結合P V K或T P D的聚合化合物。 利用多腔真空蒸著裝置，在與外界隔離的情況下連續 地形成像素電極6 1及電致層6 3。在實施例5中加入形 成第二內層絕緣薄膜6 2的步驟，且當以圖樣化形成像素 電極6 1及第三內層絕緣薄膜6 2後，將像素電極6 1上 的氧化薄膜充分地移除，並利用金屬光罩形成發出紅光的 電致層。接著，精確地控制金屬光罩的移動，而依次地形 成發出綠光及發出藍光的電致層。 可利用上述的方法輕易地將第二光罩平移，其中 R G B像素排成一列。然而，爲了實現具有△配置的像素結 構，可分開地使用形成綠光及形成藍光的金屬光罩。 在形成電致層6 3後，於電致層6 3上形成1 1 0 n m的透明導電薄膜（在實施例5的I T〇薄膜中，含有 1 0 w t %的氧化鋅薄膜），以作爲陽極6 5。藉此，便 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 - --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明說明（59) 广 形成電致2 0 6元件，並假設第二惰性薄膜6 6由氮氧化 矽薄膜所形成，並完成圖2 5的像素結構。 在此例中，陰極與陽極具有與圖2相反的位置。 當使用實施例5的結構時’以紅光’藍光’綠光照射 形成T F T之基底的相對側。因而，幾乎所有的像素區’ 亦即形成T F T的區域，可作爲有效的發光區。因而’像 素區的有效發光表面大幅地增加，且影像亮度及反差亦增 加。 可自由地結合實施例1至4的結構來達成實施例5的 結構。 實施例6 在實施例1的圖2結構中，可使用具高放熱效能的材 料做爲作動層與基底間的基膜1 2。尤其，由於電流控制 T F T中流入大量的電流，因此容易產生熱，並出現因自 發熱所造成的退化問題。利用實施例6具有放熱效應的基 膜，可有效地防止T F T的熱衰退。 具有放熱效應的透光材料可選自B ，c , N元素中的 至少一元素，以及A 1 ，S i及P中的至少一元素。 例如’可使用氮化鋁化合物（A 1 x N y )，碳化5夕化 合物（S 1 C '，） ’氮化砂化合物（S i χ n y )，氮化硼 化合物（B χ N y )或磷酸硼化合物（B x p 〇 。進一步的 ，氧化鋁（A 1 χ〇 >，）具有較高的透光性，並具有2 〇 W m 1 K 1的導熱性，因此爲較佳的材料。其中，χ及y 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 ____Β7________ 五、發明說明（6Q) 爲任意的整數。 上述的化合物亦可與其他的元素結合。例如，可使用 硝酸鋁（A 1 N X〇 >.)。此種材料不但具有放熱性，並可 有效地防止濕氣及鹼金屬的穿透。其中，X及y爲任意的 整數。 進一步的，亦可使用日本專利公開第 s h 0 6 2 - 9 0 2 6 0號所揭露的材料。亦即，可使 用含S i ，A 1 ，N，〇及Μ的絕緣薄膜，（其中M爲稀 有元素，且包括Ce ，Yb，Sm，Er ，Y，La ， G d ，D y及N d )。這些材料不僅具放熱性，並可有效 地防止濕氣及鹼金屬的穿透。 進一步的，亦可使用如鑽石薄膜，或非結晶碳薄膜。 這些材料具有相當高的導熱性，並可有效地作爲放射層。 如果薄膜厚度變大’則會出現褐色帶而使透光性降低，因 此最好使用薄的薄膜（以5至1 0 0 n m爲佳）。 再者’可直接使用上述具有放熱性的薄膜，但亦可層 豐該溥I吴或具有砍的絕緣薄膜。 可自由地結合實施例1至5的結構來達成實施例6的 結構。 實施例7 在第3實施例中，較佳的是使用有機電致材料作爲電 致層’但本發明亦可使用無機電致材料。然而，由於目前 的無機電致材料需要相當大的驅動電壓，因此必須使用能 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（61) 承受驅動電壓的T F T。 替代的’如果外來發展出具有低驅動電壓的T F T， 則可將其應用至本發明。 可自由地結合實施例1至6的結構來達成實施例7的 結構。 實施例8 圖2 8 A及2 8 B顯示本發明之電致元件的結構。圖 2 8 A使用低分子量的電致材料，且於基底上形成I τ〇 電極後，在陽極緩衝層中使用C u P c ，在電洞傳輸層中 使用a — N P D，且在發光層中使用a 1 q。薄膜沉積法 爲真空蒸著，並依次地在基底的I TO上形成薄膜。蒸著 時的壓力小於等於2 X 1 0 6 丁 〇 r r。 圖2 8 B顯示使用高分子量電致材料的元件結構。 I T 0電極形成於基底上，以旋轉被覆法形成聚合物，並 利用蒸著形成陰極。實施蒸著時的壓力小於等於 4 X 1 0 6 Τ 〇 r r 。在實施例8中，所有的像素共用發 光層，並製作出單色的面板。此外，當利用蒸著技術形成 陰極時，使用金屬罩，且僅將材料沉積於期望的區域。進 一步的，利用樹隻將製造元件密封。 進一步的’可自由地結合實施例1至7的結構來達成 實施例8的結構。 實施例9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -64 - *--------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
483178 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62) 圖2 9顯示實施例8之電致元件的特性。此爲供應固 定電壓時，所測得的電流密度及亮度。結果顯示，在丄〇 m A / c m 2下’低分子量及高分子量的電致元件具有幾百 燭光’並足以用於電致顯示的相關應用上。 實施例1〇 依據本發明的電致顯示裝置爲一種自發光型的顯示裝 置’因此相較於液晶顯示裝置有更佳的影像辨別性。進一 步的’電致顯示裝置具有更大的視角。依此，電致顯示裝 置可應用至各種裝置的顯示部位。例如，爲了在大尺寸的 畫面上顯示T V節目，可使用依據本發明電致顯示裝置作 爲顯示部位（如3 0吋或4 0吋的電致顯示裝置）。 電致顯示裝置可應用至所有顯示資訊的裝置，如個人 電腦，接收電視廣播節目的顯示器，及廣告顯示幕等。再 者’依據本發明的電致顯示裝置可用於其他不同裝置的顯 示部位。 此電子裝置包括視頻攝影機；數位相機，投影機，投 影T V s ，凸眼式顯示器，導航系統，筆記型電腦，遊戲 機，可攜式資訊終端（如行動電腦，可攜式電話，可攜式 遊戲機或電子記事簿），具紀錄媒體的影像再生裝置等。 尤其在可攜式資訊終端的應用中，由於常需以較大的視角 觀看螢幕，因此最好使用能提供大視角的電致顯示裝置。 這些電子裝置的例子顯示於圖3 Ο A至3 0 F，以及 3 1 A 至 3 1 C 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 65 I --------------------訂---------線01^1- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
483178 五、發明說明（63) 圖3 Ο A的電致顯示裝置包括顯示框3 3 〇 1 ，支撐 板3 3 0 2 ，顯示部位3 3 0 3等。本發明應用至顯示部 位。由於電致顯示爲自發光型，因此不需背光。且顯示部 位的厚度可較液晶顯示裝置者爲薄。 圖3 Ο B爲視頻照相機，其包括本體3 3 1 1 ，顯示 區3312 ’聲音輸入區3313 ，操作開關3314， 電池3 3 1 5及影像接收區3 3 1 6。本發明的光電裝置 可應用至顯不區3 3 1 2。 圖3 0 C爲頭帽式電致顯示器，其包括本體3 3 2 1 ’訊號線3 3 2 2，頭帶3 3 ·2 3，顯示部位3 3 2 4 , 光學系統3 3 2 5及顯示部位3 3 2 6等。本發明可應用 至電致顯示裝置3 3 2 6。 圖3 0 D爲包括記錄媒體的影像再生裝置（更定的是 指DVD再生裝置）。其包括本體3 3 3 1 ，記錄媒體 3 3 3 2 ( C D ，L D，D V D 等），操作開關 3 3 3 3 ’顯示部位3 3 3 4 ( a )，顯示部位（b ) 3 3 3 5等 。威不部位（a )用以顯示影像資訊，而顯示部位（b ) 用以顯示字元資訊。依據本發明的電致顯示裝置可應用於 這些部位（a )及（b )。包括記錄媒體的影像再生裝置 亦包括家用遊戲機。 圖3 Ο E爲圖眼式顯示裝置，其包括本體3 3 4 1 ， 顯示區3 3 4 2及臂部3 3 4 3。本發明的電致顯示裝置 可應用至威不區3 3 4 2。 圖30F爲個人電腦，其包括本體3351 ，框架 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱)7〇〇Ζ----- I--------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（） 3352 ’顯示區3353 ，及鍵盤33.5 4。本發明的 電致顯示裝置可應用至顯示區3 3 5 3。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 當未來電致材料能發出更亮的光時，依據本發明的電 致顯示裝置將可應用至前式及後式投影機。 進一步的’前述的裝置常需顯示透過通訊路徑所傳送 的資訊，如C A T V，並經常顯示動態的資訊。由於電致 顯示裝置具有相當高的反應速度，因此極適於顯示動態的 影像。 由於電致顯示裝置的發光部位會消耗功率，因此可僅 可能地減小發光部位。依此，當電致顯示裝置應用於顯示 字元資訊的顯示部位時，如可攜式資訊終端，手機或汽車 音響設備的顯示部位時，最好是使字元部位由發光部位所 形成而非發光部位對應至背景。 圖3 1A爲可攜式電話，其包括本體340 1 ，聲音 輸出區3402 ’聲音輸入區3403 ，顯示區3404 ，操作開關3 4 0 5 ，及天線3 4 0 6等。依據本發明的 電致顯示裝置應用於顯示部位3 4 0 4。藉由在黑色的背 景上顯示白光的字元可降低可攜式電話的功率消耗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3 1 B爲汽車音響設備，包括本體34 11 ，顯示 部位3 4 1 2 ，及操作開關3 4 1 3及3 4 1 4。依據本 發明的電致顯示裝置應用於顯示部位3 4 1 2。藉由在黑 色的背景上顯示白光的字元可降低顯示部位3 4 1 4的功 率消耗。 圖3 1 C爲數位像機，包括本體3 5 0 1 ，顯示區 -67- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 483178 A7 五、發明說明（ (A ) 3 5 0 2 ，透鏡3 5〇3 ，操作開關3 5〇4 ，顯 不區（B) 3505。本發明的電致顯示裝置可應用至顯 示區（A ) 3 5 〇 2及顯示區（B ) 3 5 〇 5。進一步的 ，當使用顯示區（B ) 3 5 0 5作爲操作面板時，可藉由 在黑色的背景上顯示白光的字元來降低功率消耗。 進一步的’當本發明應用於實施例1 〇之可攜式電子 裝置時，可藉由感測週遭的亮度，而在暗處降低顯示部位 亮度，以減少功率的消耗。 本發明的應用範圍相當廣’可將本發明應用至所有領 域的電子裝置。進一步的，可結合實施例丨至8任一項來 實現實施例1〇。 實施例1 1 圖1 1顯示依據本發明，電致顯示裝置之功率消耗的 量測結果。其中，依據數位驅動的分時級等來實施面板的 顯示。此處所使用的量測面板具有相同於表4的規格，且 表5顯示寫入期的特定時間分布及單一框的顯示期。 •r----------φ-i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -68 - 483178 A7 B7 五、發明說明（66) 表5 _ 期 …— 時間（m s ) 1顯示場 16.67 寫入 1.04 顯示1 5^21 顯示2 2-60 顯示3 1.30 顯示4 0.65 顯示5 0.33 顯示6 0.16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步的，藉由在I T〇（陽極）上疊層2 0 n m的 C u P c (孔注射層），2 0 n m的MTDATA (孔傳輸層 )，1 〇 n m的a — N P D (孔傳輸層），5〇n m的 A 1 q 3 (發光層），及4 0 0 n m的Y b (陰極），並在 I T〇（陽極）上疊層2 0 n m的C u P c (孔注射層） ，4 0 n m的a — N P D (孔傳輸層），2 0 n m的 I r (ppy)3 + CBP (發光層），l〇nm 的 BCP (電子傳輸層），4 0 n m的A 1 q 3 (發光層），及 4 0 0 n m的Y b (陰極）來形成作爲實施例1 i之自發 光裝置的電致元件。 在利用激發能量的電致中’藉由重新結合電洞及電子 以發出光線’利用單激態能量的發光材料A丨Q :3稱作單譜 線化合物，且利用三激態能量的化合物丨R f n n p^ 丄、v P μ y j 3 稱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 69 483178 Α7 Β7 五、發明說明（6) 作三譜線化合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表6顯示具單譜線及三譜線化合物之電致元件的照 及功率銷耗的情形。 表6 驅動電壓（V ) 照度（c d / m 2 ) 功率消耗（m W) 單激態 6 3〇 6 三激態 6 117 5 當再同樣的照度下做比較時，三譜線化合物的功率消 耗量爲單譜線化合物的一半。 接著，量測具三譜線化合物之電致元件的電壓響應時 間。 以任一功率供應D C電源，並以D C電流作〇N， 〇F F的切換來進行量測。Ο N代表施加電壓的選取周間 。且〇F F代表未施加電壓的Ο V周期。且所有的週期均 爲 2 5 Ο μ s。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在顯微鏡中安裝光學多工器，並利用光學多工器的輸 出値來進行評估，而再由示波器加以讀取。 進一步的，將由〇F F切換至〇Ν的操作稱爲啓動操 作，且由〇Ν切換至〇F F的操作稱爲關閉操作。當電壓 從〇F F切換成〇Ν時，達到9 0 %照度需所需的時間稱 之爲啓動反應時間。進一步的，當電壓從Ο Ν切換成 〇F F時，降至1 〇 %照度所需的時間稱之爲關閉反應時 -70- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483178 A7 B7 五、發明說明（68 ) 間。 圖3 2顯示量測的結果。 由於圖3 2之電壓範圍的反應時間相當高，可在一般 的數位驅動器中正常的使用電致元件。 此外’當利用電致元件量測6 4階的照度時，結果顯 示於圖3 3中。從發光強度的差異可看出，電致元件具有 足夠的顯示階層。 實施例1 2 圖3 4及3 5分別顯不利用低分子量化合物及高分子 量化合物作爲電致元件之電洞注入層的情形。 在此處所使用的電致層中，電致層A是在I TO上疊 層4 0 n m的α - N P D (電洞傳輸層），2 0 n m的 1 r (PPy)3+CBP (發光層），l〇nm 的 BCP (電子傳輸層），4 0 n m的A 1 q 3 (發光層），及 4 0 0 n m的Y b (陰極）而加以形成。將形成於電致層 A之I T〇與4 0 n m之α — N P D (電洞傳輸層）間的 2 0 n m C u P c (孔注射層）作爲電致層B ，此外，將 形成於電致層A之I T〇與4 0 n m之α — NPD (電洞傳 輸層）間的2 0 n m P E D 0 Τ (孔傳輸層）作爲電致層 C。 圖3 4顯示將不同電壓施加至電致層所量得之電流密 度的比較結果。此外，圖3 5顯示將不同電壓施加至電致 層所量得之照度的比較結果。在電洞層中使用高分子量化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -71 - --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483178 A7 B7 五、發明說明（69 ) 合物P E D〇T的電致層C可獲得最高的電流密度，此外 ，發光體亦能獲得超初始化的特性。 藉由實施本發明，可獲得畫質淸晰，多色階且不受 T F T擴散特性影響的電致顯示裝置。尤其，利用數位訊 號代替習知的類比訊號來實施分階顯示，可消除電流控制 T F T之擴散效應所產生的色階缺陷，因此可獲得高解析 度的影像。 進一步的，藉由配置具有最佳結構的T F T，其中 T F T之每一電路及元件具有均一的功能，便可達成具有 高可靠度的主動陣列型電致顯示裝置。 利用此種電致顯示裝置作爲顯示器，可製造出高品質 及高可靠度的電子裝置。 ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -72-

Claims (1)

  1. 483178 Λ 8 Β8 C8 DK 六、申請專利範圍 1 · 一種電致顯示裝置，具有位於基.底上的像素部位 ，該像素部位包括： 開關T F T，具有未與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 電流控制T F T，具有與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜。 2 · —種電致顯示裝置，具有位於基底上的像素部位 ，源極驅動電路及閘極驅動電路，該像素部位包括： 開關T F T，具有未與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 電流控制T F T，具有與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜。 3 · —種電致顯示裝置，具有位於基底上的像素部位 ，該像素部位包括： 開關丁 F T，具有未與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 電流控制T F T，具有與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜， 其中該開關TFT包括p通道TFT或η通道TFT 的其中之一， 其中該電流控制T F T包括P通道T F T，且 其中該電流控制T F T的汲極區與電致元件的陽極電 子地連接。 4 · 一種電致顯示裝置，具有位於基底上的像素部位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 0— f->K〕M;f:>v'\'':J-c注悉夢項再填寫本頁) 經旖部智慧財4(工消費合作社印製 -----1T------線----Γ -73- 483178 Λ 6 Β8 C8 六、申請專利範圍 ，源極驅動電路及閘極驅動電路，該像素部位包括： 開關TFT，具有未與聞極重疊的LDD區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 電流控制T F T，具有與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜， 其中該開關T F T包括p通道T F T或η通道τ F T 的其中之一， 其中該電流控制T F Τ包括ρ通道丁 F Τ，且 其中該電流控制T F Τ的汲極區與電致元件的陽極電 子地連接。 5 · —種電致顯示裝置，具有位於基底上的像素部位 ，該像素部位包括： 開關T F Τ，具有未與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 電流控制T F Τ，具有與閘極重疊的L D D區，且在 L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜， 經減部智慧財4局诗工消費合作社印製 其中該開關T F Τ包括ρ通道T F Τ或η通道T F Τ 的其中之一， 其中該電流控制T F Τ包括ρ通道T F Τ，且 其中該電流控制T F Τ的汲極區與電致元件的陰極電 子地連接。 6 . —種電致顯示裝置，具有位於基底上的像素部位 ’源極驅動電路及閘極驅動電路，該像素部位包括： 開關丁 F 丁，具有未與閘極重疊的L D D區，且在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -74- 483178 Λ is Β8 C8 D8 i--~_____ ____________— ---- I六、申請專利範圍 ! j I L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜；及 | 電流控制T F T，具有與閘極重疊的L D D區，且在 | L D D區與閘極間內置有閘極絕緣薄膜， ; 其中該開關TFT包括p通道TFT或n通道TFT ^的其中之一， 其中該電流控制T F T包括p通道T F T ’且 其中該電流控制T F T的汲極區與讜致元件的陰極電 子地連接。 7 ·如申請專利範圍第1至第6項任一項之電致顯示 裝置，其中該電致顯示裝置安裝於以下的電子裝置中··攝 影機’數位相機，凸眼式顯示裝置，導航系統，音頻撥放 裝置’筆記型個人電腦，遊戲裝置，可攜式資訊中端及影 像撥放裝置。 8 ·如申請專利範圍第1至第6項任一項之電致顯示 裝置’其中該電致顯示裝置利用分時階層法來操作。
    7「乞^請背1-;;-1注&事項再填寫本頁)
    經濟部智慧工消費合作社印製 線----.I!-----7II 本紙張认㈣τ國國家標準（CNS) A4規格（：1 Gχ 291公聲） -75-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401638B (zh) * 2004-05-22 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和電子裝置

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP4906145B2 (ja) * 1999-11-29 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW536836B (en) * 2000-05-22 2003-06-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electrical appliance
JP4683766B2 (ja) * 2000-05-22 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型発光装置
JP3892650B2 (ja) * 2000-07-25 2007-03-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4766628B2 (ja) * 2000-07-31 2011-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および表示装置の製造方法
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6720198B2 (en) * 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100437765B1 (ko) * 2001-06-15 2004-06-26 엘지전자 주식회사 고온용 기판을 이용한 박막트랜지스터 제조방법과 이를 이용한 표시장치의 제조방법
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003022057A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Alps Electric Co Ltd 画像信号駆動回路および画像信号駆動回路を備えた表示装置
TWI221268B (en) * 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
US7317205B2 (en) * 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
JP3810725B2 (ja) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP2003173163A (ja) * 2001-09-27 2003-06-20 Sharp Corp 表示装置
US6777885B2 (en) * 2001-10-12 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
US8153184B2 (en) 2001-11-26 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device and method of manufacturing the same
US6734457B2 (en) 2001-11-27 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
CN1209662C (zh) * 2001-12-17 2005-07-06 精工爱普生株式会社 显示装置及电子机器
JP4265210B2 (ja) * 2001-12-17 2009-05-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び電子機器
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
CN101673508B (zh) * 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP4027103B2 (ja) * 2002-01-31 2007-12-26 三洋電機株式会社 デジタル駆動型表示装置
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
TWI286044B (en) 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
TWI270919B (en) * 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7256421B2 (en) * 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
JP4530083B2 (ja) * 2002-06-07 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4128045B2 (ja) * 2002-07-26 2008-07-30 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
GB0218172D0 (en) * 2002-08-06 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display device
JPWO2004034751A1 (ja) 2002-10-09 2006-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7374976B2 (en) * 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
JP4566528B2 (ja) * 2002-12-05 2010-10-20 シャープ株式会社 表示装置
JP4413779B2 (ja) * 2002-12-10 2010-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US7235920B2 (en) * 2003-02-24 2007-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Display device and method of its manufacture
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP2004264634A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US7057208B2 (en) * 2003-03-25 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4484451B2 (ja) * 2003-05-16 2010-06-16 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
JP2005004183A (ja) * 2003-05-20 2005-01-06 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 発光型表示装置
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
US7492090B2 (en) 2003-09-19 2009-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
US7205716B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
JP4841831B2 (ja) * 2003-12-02 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその駆動方法
US7825021B2 (en) * 2004-01-16 2010-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR100573149B1 (ko) 2004-05-29 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
JP2006091860A (ja) * 2004-08-23 2006-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法並びに電子機器
US8194006B2 (en) 2004-08-23 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements
US8148895B2 (en) * 2004-10-01 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
KR101107252B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100639007B1 (ko) * 2005-05-26 2006-10-25 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 발광 표시장치 구동방법
JP2007184467A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Fujifilm Corp 固体撮像素子
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
KR101933841B1 (ko) * 2009-10-16 2018-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
CN109272933A (zh) 2011-05-17 2019-01-25 伊格尼斯创新公司 操作显示器的方法
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9455152B2 (en) 2011-07-25 2016-09-27 Nissan Chemical Industries, Ltd. Hydrogenation method and hydrogenation apparatus
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9952698B2 (en) 2013-03-15 2018-04-24 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display
WO2015087192A1 (en) 2013-12-12 2015-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and peeling apparatus
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CN104952884B (zh) * 2015-05-13 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled背板结构及其制作方法
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
US11255606B2 (en) * 2015-12-30 2022-02-22 Mattson Technology, Inc. Gas flow control for millisecond anneal system
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS6290260A (ja) 1985-10-16 1987-04-24 Tdk Corp サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2524827B2 (ja) 1988-11-29 1996-08-14 財団法人生産開発科学研究所 積層薄膜体及びその製造法
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5061617A (en) 1990-12-07 1991-10-29 Eastman Kodak Company Process for the preparation of high chloride tabular grain emulsions
JPH04279033A (ja) * 1991-03-07 1992-10-05 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP3128939B2 (ja) * 1992-03-27 2001-01-29 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ
JP3173135B2 (ja) * 1992-06-24 2001-06-04 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体装置及びその製造方法
WO1994000882A1 (en) * 1992-06-24 1994-01-06 Seiko Epson Corporation Thin film transistor, solid-state device, display device, and method for manufacturing thin film transistor
JP3338481B2 (ja) * 1992-09-08 2002-10-28 ソニー株式会社 液晶表示装置
WO1994018706A1 (en) * 1993-02-10 1994-08-18 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate and thin film transistor, and method of its manufacture
DE4417154C2 (de) * 1993-05-20 1998-07-02 Gold Star Electronics Dünnfilmtransistor und Verfahren zu deren Herstellung
US6773971B1 (en) * 1994-07-14 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having lightly-doped drain (LDD) regions
JP2639355B2 (ja) 1994-09-01 1997-08-13 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3254335B2 (ja) 1994-09-08 2002-02-04 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法および有機ｅｌ素子
EP0717445B1 (en) 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
JP3292657B2 (ja) * 1995-04-10 2002-06-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置の製造法
JPH0945930A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3834086B2 (ja) * 1995-11-06 2006-10-18 シャープ株式会社 マトリックス型表示装置およびその駆動方法
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
US5814834A (en) * 1995-12-04 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Thin film semiconductor device
KR100219117B1 (ko) * 1996-08-24 1999-09-01 구자홍 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법
EP1465257A1 (en) * 1996-09-26 2004-10-06 Seiko Epson Corporation Display apparatus
JP3457819B2 (ja) * 1996-11-28 2003-10-20 カシオ計算機株式会社 表示装置
KR100226548B1 (ko) 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
JPH10200125A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH10200121A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ基板の製造方法
TW386238B (en) * 1997-01-20 2000-04-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3777706B2 (ja) * 1997-02-21 2006-05-24 ソニー株式会社 表示装置
JP4401448B2 (ja) * 1997-02-24 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3032801B2 (ja) 1997-03-03 2000-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE29706768U1 (de) * 1997-04-15 1997-11-13 EMTEC Magnetics GmbH, 67059 Ludwigshafen Vorrichtung zur Bearbeitung von Magnetbändern
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH11224604A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Ise Electronics Corp 蛍光表示装置およびその製造方法
JPH11231805A (ja) * 1998-02-10 1999-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3282582B2 (ja) * 1998-04-21 2002-05-13 日本電気株式会社 トップゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
US6420758B1 (en) * 1998-11-17 2002-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity region overlapping a gate electrode
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6259138B1 (en) * 1998-12-18 2001-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having multilayered gate electrode and impurity regions overlapping therewith
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401638B (zh) * 2004-05-22 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4727029B2 (ja) 2011-07-20
EP1103947A2 (en) 2001-05-30
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US7061186B2 (en) 2006-06-13

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