TW483087B - Plasma processing device, electrode structure thereof, and mounting base structure - Google Patents

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五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（ <發明領域> 本發明係關於電衆處理裝置等之 ，電浆處理裝置之電極構造及載置臺構造。 〈背景技術> ' 半導導：：體電路之製程中，對於作爲被處理體之 理等IS理 行成膜處理、蚀刻處理、氧化擴散處 成膜、小主、¥私° = ％對裸晶圓將氧化膜予以 右在晶圓中並未存在有會受溫度影響而受 牛。構造或構件，則即使在如_〜9〇〇 進仃熱處理亦沒有問題。惟，在進行將電路元件予以多声 化時之層間絕緣膜等之成膜時情況下，若在如上述： 800 90G C I回溫下將晶圓予以加熱，則下層之電路元# 或，k會有受熱傷¥之問題。爲避免此種問題，在並不那 麼阿的/皿度，如300 c左右之低溫區，使用電漿施行cvd (Chemical Vapor DeP〇siti〇n)成膜。 圖1爲進/亍上述電漿CVD之習知裝置之概略構造圖。首 先，在可眞艾吸別之處理容器2之内，設置兼作爲載置台 之下侧電極部4。於此下侧電極部4以絕緣狀態埋設如封 裝^熱器般之加熱部6。具體上，係將上述加熱器部6以 鋁等予以鑄入而將其埋設。再於此鋁製下側電極部4上面 以焊料等接合設置陶瓷型靜電吸盤8，其係將靜電吸附用 t吸盤電極埋設於陶瓷材而成者。半導體晶圓W係由靜電 吸附加保持於靜電吸盤8上。 又’在上述下側電極部4之下部，設置冷卻塊12，其係 於内邵具有冷卻套管10者，藉由控制上述冷卻套管1〇及加 熱器部6，成爲一能將晶圓w維持於最佳溫度之構造。 -4- 本紙張尺庋過用甲囷國豕標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）

483087 A7 五、發明說明（2 ) 在下:電極4及冷卻塊12之間形成極小間 14，傳熱效率降低之故，將此傳熱 二間 ㈣予以密封，於此處導入仏氣、He氣0 氣體所成疋導熱氣體，改善傳熱效率^ " 、：=理容器2之頂部，設置與上述下側 t上側電極邵18。於此上側電極部18内，亦以銘 對 轉入而埋設如封裝加熱器般之加熱器部20。於此上例1 = 邵18連接高頻電源22，其係用以施加產生電漿用之； 電波者。於此上侧電極部18及下侧電極部4之間產生二 漿’對晶圓W施以預定之處理。 惟，在半導體晶圓之處理溫度較低之情況，例如處理溫 度在耐20(TC以下之情況下，處理溫度對處理容器2内所= 之構件之影響不大。惟，在例如成膜處理中，爲了要提ς 成膜速度或改善膜質，在使下層元件或構造不受熱傷害之 範圍内，有將處理溫度提高至20(rc以上，例如350〜500乇 左右之情況。 务'成爲此種南溫區，則將傳熱空間14予以密封之0環等 密封構件16會熱劣化而有損密封性，封入氣體有外漏之問 題。若密封構件16之密封性受損，則密封於傳熱空間14之 惰性氧體會向處理容器2内流出，傳熱效率將劣化。於是 晶圓W之溫度控制之精確度惡化，或是在例如成膜處理 中，因傳熱氣體使處理容器2内之成膜氣體稀釋化。爲防 止此種問題，不得不使成膜氣體之流量增大到化學量論比 以上，而會有成膜氣體之清耗量增大之問題。 又，在高溫之傳熱空間14内無法設置壓力感知器之故， 向傳熱it間14内之傳熱氣體的供給壓力係於供給源側監 視，控制成適當之供給壓力。惟，此種構造並未直接檢知 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 麵m----------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483087 A7 B7 五 發明說明（ 與 内 控制對象區域之壓力之故，氣體壓之控制性難以不變差。 β又，本發明者於日本專利特開平6_232〇82號公報中，雖 ，出在低溫狀態下處理時之密封構造，但此係例如使用液 ^氮予以冷卻之靈藥裝置般之超低溫環境下之密封構造。 <發明之揭示> 本發明之目的在提供—解決上述問題之改良的有用 漿處理裝置。 本發明之更具體之目的在提供電漿處理裝置之電極構造 及载置台構造，其係即使在2〇〇。〇以上之高溫區中，密封 性研不會劣化，少有傳熱氣體洩漏之情況發生者。 2發明之其他目的在提供電漿處理裝置之電極構造及載 置台構造，其係可抑制内部之絕緣體變形，又係做成可 對万構件均争的接觸，可改善被處理體之溫度分布的面 均一性者。 及：之其他1的在提供電漿處理裝置之電極構造 一 σ造，其係藉由在耐熱性金屬密封構件表面、 密：構件接觸之對方構件之接觸面，形成在處理溫度 叙化t低溶點材料之漱化金屬膜或款化金 制洩漏點生者。 抑 及：二之其他目的在提供電漿處理裝置之電極構造 載置口構化，其係藉由在熱性金屬密封構件之露出 =面上形成氟化残體膜’以提升對氟化氣體之耐腐^ 又，本發明之其他目的在提供電浆處理裳置之電極 ί載係藉由將區分電熱空間之構件的表面粗 :度：制性者 下提升其傳熱性，以提升被處理體之 I m 6 - 本紙張尺度適用中國g^i7cNS)A4規& (21G x 297公髮） ¾訂 線丨馨— c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 483087 A7 五、發明說明（4 ) 又，本發明之其他目的在提供電 及載置台構造，其係藉由將溫度 =置^極構造 置台之中心部，依氣體吹風機、或依:支：：電極部或載 台之支柱予以冷卻，促進其散熱 ^極邵或載置 分布面的面内均一性。 挺升被處理體之溫度 爲了達成上述之目的，本發明之—觀 於電聚處理裝置之電極構造，於可眞 ^、：種用 使用電漿而冑被處理體進特 疋處理谷斋内 備：電極部，内部具有加熱部；==^電極構造具 以冷卻内部接合於此電極部 〃、冷部套管， 封槿杜田认μ 電極邵；耐熱性金屬密 •極例㈣、形成於前述電極部與前述冷卻塊之間之 m及電極側傳熱氣體供給機構，用於將傳 二、氣組供給至如述電極側傳熱空間。 如此’藉由使料熱性金屬㈣構件，即使在·。〇以 上例如3 50〜500 C之真：设r? cb 、 、丄 回£中’耶可維持電極侧傳熱空間 4高密封性。 、本發月之其他面，係提供一種電極構造，其係用於電 水處理裝置者’琢電漿處理裝置係在可眞空吸引之處理容 器内使％私漿對被處理^進行特定之處玉里者，其特徵在 於具備··電極部，其係内部具有加熱器部者；冷卻塊，其 係與此電極邢接合，具有將前述電極部予以冷卻之冷卻套 Ϊ者曲路傳熱全間，其係由與前述電極部及前述冷卻塊 之接合相對面中之至少一方，成同心圓狀或螺旋狀設置之 溝邵所形成者；及電極側傳熱氣體供給機構，其係將傳熱 氣體供給至前述電路傳熱空間者。 如此’藉由在電極部之冷卻塊之接合面上設曲路傳熱空 不玳烺人度週用守國國家標準(CNS)A4規格（21〇x 297公爱厂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — --------訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 483087 第891 12182號專利申請案 A7 中文說明書修正頁(¾年丨把# j B7___ 五、發明説明（5 ) 間，即使在200 °C以上例如350〜500 °C之高溫區中，亦可 將前述電極部與前述冷卻塊間所形成之傳熱空間，維持高 密封性。 又，在前述電極部及前述冷卻塊之間設有絕緣體亦可， 前述傳熱空間係由該絕緣體分割為上側空間及下側空間 者。在此情況下，上側空間及下側空間皆係以耐熱性金屬 密封構件予.以密封之故，可在高溫區中亦維持高密封性。 前述絕緣體由熱傳導度在80W/mK以上之材料所成亦 可。依此可控制絕緣體之變形量，可與對方構件均等接觸 之故，可改善被處理體之溫度分布的面内均一性。前述絕 緣體由氮化鋁（A1N)所成亦可。 又，將為了劃分前述傳熱空間而接合之構件之接合率的 接觸率設定於40-80%之範圍内亦可。依此，熱阻力不會被 過度升高，傳熱氣體可在面内略均一的流動之故，可更加 改善被處理體之面内溫度分布之均一性。 又，將劃分前述傳熱空間之構件之表面粗度設定在 2.0 μιη以下亦可。如此，藉由將區分傳熱空間之構件的表 面粗度設定在特定值以下，可提升熱傳導性，又可提升被 處理體之溫度控制性。 又，前述耐熱性金屬密封構件係由將低熔點材料封入内 部之剖面呈環狀之耐熱性金屬膜所成亦可。依此，密封構 件的表面性變高，可更提升密封性。前述耐熱性金屬密封 構件之表面係被覆著軟化金屬膜亦可，其係由在前述被處 理體之處理溫度軟化之低熔點材料所成者。依此，處理時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

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上逑低熔點材料會敕化，盥此 /、此在封構件之接觸面之刮痕會 氣體經刮錢漏出去。^點消失，藉此可抑制傳熱 X在前料熱性金屬密封構件所碰接之構件的表面形 叙化金屬層料，其㈣在前述被處理體之處理 點材料所成者。此情況下，處理時上述低溶點 材科亦會叙化，將與此密封構件之接觸面之刮痕以軟化之 材料埋入，故洩漏點亦會消生 τ㈢々失，精此办可抑制傳熱氣體經 刮痕洩漏。 又，前述耐熱性金屬密封構件表面由對氟系氣體具有耐 腐蚀性之氟化惰性體膜所被覆亦可。依此可提升對氣化氣 體ι耐腐蝕性。氟化惰性體膜係由氟化鎳所成者。 抑前述加熱器部由陶资加熱器所成亦可。χ，將前述加熱 益邵分割爲同心圓狀的區，所分剳之區係可各別控制 "cTp 〇 前述電極部可位於前述被處理體上方之上側電極部。 又，前述電極部係爲兼作爲載置前述被處理體之載置 之下側電極部，又，具備：靜電吸盤，其係與此下侧電 部之上面接合，將前述被處理體予以吸附者；及吸盤側傳 熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供給至在前述靜電吸般 與前述被處理體之間所形成之吸盤側傳熱空間者。 又，在前述電極側傳熱空間、前述曲路傳熱空間、及前 述吸盤側傳熱空間中之至少一個空間中，設有耐熱壓力 知器’以基於此耐熱壓力感知器之輸出而控制前述對應 亦 台 極 感 之 i . 丨0------- — It--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I n n H ϋ ϋ ϋ · -I I ϋ n ϋ H ϋ n - -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐 483087 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7 五、發明說明（7 ) 傳熱氣體作供給機構之氣體供給量的方式予以構成亦可。 依此可由耐熱壓力感知器直接測定控制對象空間之壓力之 故，可提升氣體壓力之控制性。 又，前述電極部之中心係由内部成中空狀之支柱所支 持，亦可於前述支柱内設置吸氣機構，其係向前述電極部 之晨面中心郅吹氣以促進散熱者。依此，可促進溫度有變 高傾向之電極部的中心部散熱之故，可提升被處理體之溫 度分布的面内均一性。 又，前述電極部之中心係由支柱所支持，此支柱係經熱 傳導性構件連接於前述冷卻塊亦可。在此情況下，亦可促 進載置台的中心部散熱之故，可提升被處理之溫度分布的 面内均一性。 又，依本發明之其他面係提供一種載置台構造，其係用 於在可眞空吸引之處理容器内，對被處理體進行特定之處 理t處理裝置者，其特徵在於具備：載置台，其係於内部 具有：用以加熱前述被處理體之加熱器部者；冷卻塊，其 係在内部具有：接合於此載置台，將前述載置台予以冷卻 之冷卻套管者；耐熱性金屬密封構件，其係用以將前述載 置台及前述冷卻塊之間所形成之傳熱空間予以密封者；及 傳熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供给至前述傳熱空間 者。 # 如此，藉由使用面撓性金屬密封構件，即使以 士例如350〜500。。之高溫區巾，亦可雄持前述傳熱空間之 南度密封性。 又，依本發明之其他面係提供_種㈣台構造 用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-10- 483087 第891 12182號專利申請案 A7 中文說明書修正頁HdSq)_B7__ 五、發明説明（8 ) 於在可真空吸引之處理容器内，對被處理體進行特定之處 理之處理裝置者，其特徵在於具備：載置台，其係於内部 具有：用以加熱前述被處理體之加熱器部者；冷卻塊，其 係於内部具有··接合於此載置台，將前述載置台予以冷卻 之冷卻套管者；曲路傳熱空間，其係由與前述載置台及前 述冷卻塊之接合相對面中之至少一方，成同心圓或螺旋狀 設置之溝部所形成者；及傳熱氣體供給機構，其係將傳熱 氣體供給至曲路傳熱空間者。 如此藉由在載置台與冷卻塊之接合面上設曲路傳熱空 間，即使在200 °C以上例如350〜500 °C之高溫區中，亦可將 前述載置台及前述冷卻塊之間所形成之傳熱空間維持高密 封性。 又，依本發明之其他面係提供一種電漿處理裝置，其具 備：可真空吸引之處理容器；上述本發明之電極構造；及 南頻電源’其係將南頻電壓施加至此電極構造者。 又，依本發明之其他面係提供一種處理裝置，其特徵在 於具備：可真空吸引之處理容器；及本發明之載置台構 造 圖面之簡單說明 圖1為習知之電漿CVD處理裝置之概略構造圖。 圖2為本發明之一實施例之電漿處理裝置的構造圖。、 圖3A至3E為耐熱性金屬密封構件之剖面圖。 圖4為本發明之電極構造（下側電極部側）之一實施例的 傳熱氣體供給系統表示圖。 圖5為对熱壓力感知器之概略構造圖。 圖6為本發明之電極構造（上側電極部側）之一實施例的 傳熱氣體供給系統表示圖。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂 483087 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 圖7爲因絕緣體之溫度差造成反翹之説明圖。 圖8爲絕緣體之熱傳導度與反魅量之關係的 圖9A至9D爲將各種寬幅之氣體溝設於之接圖 之接觸率的説明圖。 .丁〈接觸衝 圖10爲接觸率所相對應之熱阻力與溫度 係的表示圖。 竭至 圖11爲下側電極部下面與下侧絕緣體上面之 傳熱空間的模式圖。 叮/ 圖12爲圖2所示電極構造的模式圖。 圖13爲絕緣體之表面粗度Ra與熱阻力之關係的表_。 圖Μ爲鏡面加工過之電接部下面與絕緣體上面的模式 圖。 圖15Α爲在耐熱性金屬密封構件表面形成軟化全屬膜之 狀態的表示圖；圖15Β爲在圖15Α所示狀態中，敕化金屬 膜成軟化狀態之表示圖。 圖16Α爲在耐熱性金屬密封構件所碰接之構件表面形成 軟化金屬層之狀態表示圖；圖16Β爲在圖16八所示狀態中 軟化金屬膜成軟化狀態之表示圖。 圖17Α及17Β爲在对熱性金屬密封構件表面形成氣化不動 體膜之狀態之表示圖。 圖18爲在支柱内設氣體吹風機構之狀態之表示圖。 圖19爲半導體晶圓之面内溫度分布表示圖。 圖20爲將支柱及冷卻塊間以熱傳導性部材接合之狀賤之 表示圖。 圖21爲下侧電極部之溝部之變形例的平面圖。 圖22Α及22Β爲迷宮（labyrinth)傳熱空間之部分放大剖面 圖0 12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------- C請先閱讀背面Μ注意事讀涛填寫本頁) 483087 第891 121 82號專利申請案 中文說明書修正頁^)愿皆|1) 五、發明説明（1G ) 圖23為加熱器部之變形例表示圖。 圖24為本發明之熱CVD處理裝置之構造圖。 <元件符號說明〉 2 處理容器 40 冷却塊 4 下側電極部 42 下側絕緣體 6 加熱部 44 加熱器部 8 靜電吸盤 46 靜電吸盤 10 冷却套管 48 支柱 12 冷却塊 50 容器底部 14 傳熱空間 52 導線 16 密封構件 54 區配電路 18 上側電極部 56 偏壓用南頻電源 20 加熱部 58 冷却套管 22 南頻電源 60 波紋管 24 電漿處理裝置 62 上側電極側傳熱空間 26 處理容器 64 下側電極側傳熱空間 28 下部電極構造 66A，66B，68A，68B 耐熱性金屬密封構件 30 上部電極構造 70,72,76,78 氣體供給通路 32 閘閥 74 吸盤側傳熱空間 34 氣體噴嘴 79 薄的耐熱性金屬膜 36 排氣口 80 缺口 38 下側電極部 82 .彈簧構件 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 483087 弟89112182號專利申j青安 中文說明書修正頁(9〇年^ $ A7

84 低熔點材料 132A，132B，134A，134B耐熱性金屬密封構件 86 凸部 136,138 氣體供給通路 88A 〜88D 流量控制機器 140 氣體源 90,92 氣體源 142 電極側傳熱氣體供給機構 94 電極側傳熱氣體供給機構 144 控制部 96 吸盤側傳熱氣體供給機構 150，152 溝部 98A 〜98F 耐熱壓力感知器 154 曲路(labyrinth)傳熱空間 100 控制部 162 載置台構造 102 凹部 164 .載置台 104 基底板 200 氣體溝 106 焊材 202 接觸面 108 電阻圖案 204 缺口 110 上側電極部 206 軟化金屬膜 112 冷却塊 208 軟化金屬層 114 上側絕緣體 210 氟化惰性體膜 116 加熱器部 220 氣體吹風機構 118 支柱 222 氣體噴射噴嘴 120 導線 224 噴射口 122 匹配電路 226 排氣埠 124 電漿產生用高頻電源 230 熱傳導性構件 126 冷却套管 232 密封構件 128,130 傳熱空間 -13a- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 483087 A7 B7 第891 121 82號專利申請案 中文說明書修正頁(90年10月） 五、發明説明（_ <實施本發明之最佳實施形態> 以下參照圖式說明本發明之一實施例之電漿處理裝置。 圖2 發明之一實施例之電漿處理裝置的構造圖。.圖 3A至3^^$示耐熱性金屬密封構件之剖面圖。圖4為本發 - r：|jjij|i 明之電聲造（下側電極部側）之傳熱氣體供給系統表示 圖。圖耐熱壓力感知器之概略構造圖。圖6為本發明之 電極構造（上側電極側）之一實施例之傳熱氣體供給系統表 示圖。 如圖所示，電漿處理裝置24具有由例如鋁所成之圓筒狀 之處理容器26。於此處理容器26中之底部側，設有下部電 極構造28，其亦具作為載置被處理體之半導體晶圓W之載 置台功能。處理容器26之頂部設有上部電極構造30。 處理容器26之側部設置：閘閥32，其係在將半導體晶圓 W向處理容器26内搬入搬出時開閉者；及氣閥34，其係將 矽烷或氧等成膜氣體等各種氣體予以導入者。又，取代此 氣閥34，而在上述上部電極構造30下面設置石英製蓮蓬頭 (shower head)亦可。 處理容器26之下部側壁設有排氣口 36，其係連接於包含 未圖示之真空泵等之真空排氣系，可將處理容器26内抽成 真空。 上述下部電極28主要構造包含：下側電極部38，其亦具 載置台功能；冷卻塊40，其配置於下側電極部38下方；及 下側絕緣體42，其設於下側電極部38及冷卻塊40間。具體 上，上述下側電極部38係由鋁所41: 在下側電極部38之中，以鑄入方_ 里入成旋滿狀或同心圓 _0黒 i3b- mm 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 483087 A7 五、發明說明（11 ) 狀捲圈之加熱器.44，其可將晶圓w予以加熱。在下側電極 部38上面，以焊接等接合陶瓷型靜電吸盤46，其内部埋有 吸盤電極。被處理體晶圓貿係由靜電吸盤46吸住而被保 持。又，向下側電極部38下方延伸之導電性支柱銘，係貫 通容器底部50而延伸。於支柱48經導線兄連接至匹配電 路54及偏壓用高頻電源56。支柱料上安裝有升降機構（未 圖示），可將支柱48升降移動。 冷卻塊40係與上述下側電極部38相同由鋁構成，内部形 成用以讓冷媒流過之中空環狀冷卻套管58。依冷媒流過此 冷卻套管58，經上述下側電極部38使晶圓w冷卻。實際 上，藉由選擇性或同時驅動此冷卻套管58及加熱部44，可 將晶圓溫度控制於適當値。冷卻塊4〇下面及容器底部5〇係 由可伸縮之60所接合，對下邵電極28在維持處理容器26 之氣密性之情況下允許上下移動。 又，在下側電極部38及冷卻塊40間之下側絕緣體42係由 厚度約20 mm之環狀石英玻璃所成。下側絕緣體42亦被覆 於向上述下側電極部38下方延伸之支柱48外周，支柱48 亦成絕緣。 下側電極部38及下側絕緣體42、與下側絕緣體42及冷卻 塊40雖皆係上下接合，但其間各形成極小之空間，即上側 電極側傳熱空間（上側空間）62及下侧電極侧傳熱空間（下 側空間）64。若存在該等兩傳熱空間62、64，則因兩傳熱 空間62、64係連通於處理容器26内之故，在電漿處理 時，兩傳熱空間62、64内成眞空狀態，而上下方向之傳熱 效率會降低。因此，在環狀之兩傳熱空間62、64之内周側 及外周側，各設環狀耐熱性金屬密封構件66A、66B、 68A、68B，以維持兩傳熱空間62、64之高氣密性。又， -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -0 n n H· ϋ n -1 it ^ ty * n n ϋ i

線J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483087 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明說明（12 ) 即使維持密封構件66A、66B、68A、68B之高氣密性，亦 難以避免些許之氣體洩漏之故，兩傳熱空間62、64各連接 供給通路70、72，供給如後述以壓力控制之Ar、He、N2 等惰性氣體所成之傳熱氣體，如供給N2|C體。 又，以與上述相同之理由，爲了提升在電漿處理時之自 下側電極部38及靜電吸盤46側向晶圓W之傳熱效率，在靜 電吸盤46上面及晶圓W裏面間所形成之吸盤側傳熱空間74 内，亦設供給傳熱氣體之2條氣體供給通路76、78。此情 況下，吸盤側傳熱空間74之氣體擴散速度慢之故，例如一 方之氣體供給通路76係用於供給至靜電吸盤46之中心側， 另一方之氣體供給通路78係用於供給至靜電吸盤46之周邊 侧。又，向吸盤側傳熱空間74之氣體供給態樣則不限定於 此0 次之，參照圖3A至3E説明耐熱性金屬密封構件66A、 66B、68A、68B 之構造。密封構件 66A、66B、68A、68B 之各構件係相同之故，以密封構件66A爲例説明。 圖3A所示耐熱性金屬密封構件66A，係將不銹鋼、鎳鉻 耐熱耐金屬合金、耐鹽酸鎳基合金等金屬所成之厚度在 0.1〜1.0 mm之薄的耐熱性金屬膜79，形成爲圓形剖面之環 狀而構成。如剖面直徑L1約3〜4 mm，其對壓力具有彈 性。 圖3B所示耐熱性金屬密封構件66A-1，係在圖3A所示耐 熱性金屬膜79之剖面形狀之側面的一部分上設缺口 80者， 缺口 80係沿環狀密封構件66A_1之周方向而形成，賦予密 封構件66A-1彈性。 圖3C所示耐熱性金屬密封構件66A-2，係於圖3B所示剖 面形狀之耐熱性金屬膜79之内部空間，插入彈簧用不銹鋼 -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) έ

· I I I I 線—0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483087 A7 _B7____ 五、發明說明（I3 ) 等所成之線圈或板彈簧狀之彈簧構件82者。係提高彈簧構 件82按壓時之彈跳力，以提升密封性者。 圖3D所示耐熱性金屬密封構件66A-3，係於圖3A所示剖 面圓形之耐熱性金屬膜79内部，封入在此處理溫度低的溫 度熔化之低熔點材料84，使表面具良好之馴性。此低熔點 材料84可使用例如熔點在約156.4 °C之銦或熔點在約150 °C 之焊料等。此情況下，金屬膜79之厚度係較注重馴性而非 彈性之故而爲非常薄，例如係設定爲約1.0 μηι〜500 μιη之厚 度。 圖3Ε所示耐熱性金屬密封構件66Α-4，係於圖3Β所示之 在一部分設有缺口 80之剖面形狀之耐熱性金屬膜79上，再 設置向内側彎曲之凸部86，以更提高彈性提升密封性。耐 熱性金屬密封構件66Α〜68Β可用上述任一種構造。 .次之參照圖4説明電極側傳熱空間62、64及吸盤側傳熱 空間74之傳熱氣體供給系統。如圖4所示，與各電極側傳 熱空間62、64及吸盤側傳熱空間74連通之各氣體供給通 路70、72、76、78，各設有如大流量控制器（mass-flow controllor)之流量控制機器88A〜88D。各氣體供給通路70、 72、76、78係連接至作爲傳熱氣體源之N2氣源90、92， 各構成電極側傳熱氣體供給機構94及吸盤側傳熱氣體供給 機構96。又，N2氣源90、92可共用。 各流量控制機器88A〜88D係基於各傳熱空間62、64、74 所設之耐熱壓力感知器98A〜98D之檢測値，由控制部100 予以控制。具體上，各氣體供給通路70、72、76、78之 氣體出口 70A、72A、76A、78A附近，設有上述各耐熱壓 力感知器98A〜98D，以檢測所對應之空間部分的壓力。 又，圖4中66C〜66G係爲與上述構造相同之耐熱性金屬密 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨{ 邮观7 A7

五、發明說明（Μ ) :構件，將各氣體供給通路予以密封。此處，上述各耐熱 壓力感知器98A〜98D皆爲相同構造，茲以感知器卯八爲 例，參照圖5説明其感知器構造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖5所示，於下側絕緣體42表面形成凹部丨⑽，以作爲 安裝耐熱壓力感知器98A之基底。將凹部1〇2之開口部 刀，由可彎曲之陶瓷板或金屬板所成之基底板1〇4予以覆 a j以丨亍材1〇6等予以氣密接合。此時凹部1〇2内係爲特定 I壓力（如大氣壓）。於基底板1〇4表面，以對基底板1〇4成 、、、邑、’彖狀悲之方式，預先形成如由鎳及鉻之合金等所成之電 阻圖案108，隨著基底板1〇4之彎曲變形（圖中以j點虛線表 示），此電阻圖案108亦伸縮產生電阻變化。經由導線 110，以控制部1〇〇電性檢測出伴隨此伸縮之微少的電阻變 化此微少的電阻變化可由例如惠斯登電橋電路檢測即 可。又，此情況下，於控制部100設置未圖示之溫度補償 私路’以抵消隨著溫度變化而產生之電阻圖案之電阻 變化。又，耐熱壓力感知器98A之構造只要係可耐本發明 裝置之處理溫度，便可不限定於上述構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 次之’回到圖2，説明上部電極構造3〇。此上部電極構 造30之基本構造係與上述下部電極構造28相同。即，此上 部電極構造30之構造包含：上側電極部丨1〇 ;配置於上側 電極部110上方之冷卻塊112 ;設於上側電極部11〇及冷卻 塊112之間，將兩者予以絕緣之上側絕緣體114。具體上， 上側電極邵110係由鋁形成。上側電極部110中埋入加熱器 邵116，其係與先前所説明之下側電極部38内之加熱器部 44相同構造之旋滿狀或同心圓狀捲圈者。又，向此上側電 極114上方延伸之導電性支柱118係貫通延伸於容器頂部。 支柱118經由導線120，連接於電路122及施加電漿產生用 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（21〇 x 297公釐） 483087 A7 --~----___ 五、發明說明（15 ) 高頻電壓之電漿產生用高頻電源124，而成爲在處理空間 產生電漿之構造。 t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 冷卻塊112係與下側電極部38相同由鋁構成。冷卻塊ιΐ2 内邵形成用以讓冷媒流經之中空環狀冷卻套管126。藉由 讓冷媒在此冷卻套管126内流動，將上述上側電極部^⑺冷 卻，將其保持於一定溫度，例如保持於與下側電極部刊相 同之溫度。實際上，藉由選擇性或同時驅動此冷卻套管 126及加熱器部116，將上部電極溫度控制於適當値。如此 進行上側電極部110之溫度控制的理由，係因若上側電極 邵110升溫變成比晶圓或下側電極部38高溫，則兩者間會 有熱輕射，而成爲熱變動之成因之故。 又，存在於上側電極邵110及冷卻塊i 12間之上側絕緣體 | 114係由厚度約20 mm之環狀石英玻璃所成。上側絕緣體 114亦被覆於向上述上側電極部11〇上方延伸之支柱ιΐ8的 外周，將此支柱118亦絕緣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上側電極部no及上側絕緣體114，與上側絕緣體ιΐ4及 冷部塊112。雖皆係上下接合，但該等之間形成極小之間 隙空間，即形成上側電極側傳熱空間（上側空間）128，及 下側電極側電極侧傳熱空間（下側空間）13〇。因此，與下 部之電極構造28之情況相同，在環狀之兩傳熱空間128、 130之内周側及外周側，各設環狀耐熱性金屬密封構件 132A、132B、134A、134B，維持兩傳熱空間 128、13〇 之 高氣密性。又，兩傳熱空間128、130各連接於氣體供給通 路136、138，如以下説明可供給由壓力控制之^、取、 N2等惰性氣體所成之傳熱氣體，例如沁氣體。即，如圖6 i 所示，與各電極侧傳熱空間128、13〇連通之各氣 路136、138，各設有如大流量控制器（mass_fl〇w c〇ntr〇Uer) -18 - ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐）" ---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483087 A7 _B7_ 五、發明說明（l6 ) 之流量控制機器88E〜88F，連接至作爲傳熱氣體源之N2氣 源140，構成電極側傳熱氣體供給機構142。 各流量控制機器88E、88F，基於各傳熱空間128、130所 設耐熱壓力感知器98E、98F之檢測値，由控制部144予以 控制。又，此控制部144亦可與其前之控制部100共用。具 體上，各氣體供給通路136、138之氣體出口 136A、138A 附近，設置上述各耐熱壓力感知器98E、98F，以檢測所對 應之空間部分之壓力。該等各感知器98E、98F之構造係與 先前圖5所説明者相同。 次之説明上述構造之電漿處理裝置之動作。 首先，將下部電極構造28在向下方下降至預定之搬出搬 入位置爲止之狀態下，經由成開放狀態之閘閾32，將半導 體晶圓W搬入至處理容器26内。接著將晶圓載置於兼作爲 載置台之已預熱之下側電極部38上面，以靜電吸盤46將晶 圓W予以吸引保持。此處下側電極部38成上部電極部110 爲了提高產量，係預熱至350〜500 °C。 再於此狀態下將下部電極構造28上升至特定之處理位置 爲止。在此同時，加大對下側電極部38之加熱器部44及上 側電極部110之加熱器部116之供給電力，將晶圓W升溫至 特定之處理溫度，例如500 °C。又，在已預熱至處理溫度 之情況下，則不需升溫。接著自氣體噴嘴34向處理空間供 給特定之成膜氣體，例如SiH4、SiF4、02等。再驅動眞空 泵（未圖示）將處理容器26内之環境氣體自排氣口 36予以眞 空吸引，將處理容器26内之壓力維持於特定之處理壓力。 接著，自電漿產生用高頻電源124對上側電極部110，施 加例如13.56 MHz之電漿產生用高頻電壓。在此同時，自 偏壓用高頻電源56向下側電極部38，施加偏壓用高頻電 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------丨^— 483087 A7 五、發明說明（Π ) 濟 部 智 慧 費 印 壓。依此，於處理空間產生電漿，使成膜氣體活性化 晶圓W表面生成如SiOF等之特定的膜。 如此開始電漿處理後，依此電漿本身依序將晶圓w及上 側電極部110加熱。爲了防止晶圓w過熱、於各冷卻塊 及112所設之冷卻套管58、126使冷媒流過，將該等冷卻套 管58、126及加熱器部44、116予以適當的控制，將晶圓w 之溫度控制維持於處理溫度。又，冷卻套管58、126之冷 媒可使用水或Garden (商品名）等。 於此狀況下，爲了維持晶圓w之溫度控制性，自上述各 傳熱空間62、64、74、128、130所對應之各氣體供給機 構，供給Ar氣作爲傳熱氣體，將此傳熱空間内維持於例如 10〜20 Torr之一定壓力。 此處局了將各傳熱空間予以密封，使用圖3A〜e所示構造 I耐熱性金屬密封構件66Α、66Β、68Α、68β、、 132B、134A、134B之故，即使處理溫度上升至5〇〇 t爲 止亦可維持回余封性，抑制傳熱氣體向處理容器26内洩 漏。故，不必消耗那麼多傳熱氣體即可 並精確的控制晶圓W之溫度…各傳熱空間6、2、=、 74、U8、13〇設置了可耐5〇〇1高溫之圖$所示之構造的 耐了壓力感知器98A〜98F。耐熱壓力感知器98A〜98F檢測傳 熱2間之壓力，將其維特於一定値控制傳熱氣體的流量， 故可高精確度的控制氣體壓力。特別係如上所述，依各感 知器將作爲壓力控制對象之各傳熱空間之壓力予以直接檢 測出《故，其與檢測氣體供給系統途中之氣體壓力進行壓 力控制之習知方法相異，可回應迅速且精確度高的進行壓 力控制。 特別疋在靜私吸盤46表面之晶圓w產生位置偏差，或摻 «----- -20- 本紙張尺㈣財準（CNS)A4^7iTTr297公釐 於 ------------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483087 A7 B7 五、發明說明（18 ) 雜塵埃而未將晶圓w載置於適當位置之情況下，即使供給 傳熱氣體，此部·分之吸盤側傳熱空間74之壓力亦不會迅速 上升至特定的値。依此，若係以回應速度快的上述感知器 98C (或98D )直接立即檢測出此現象，即'可辨別出晶圓w 之載置不良等。 又，藉由設置下側絕緣體42或上側絕緣體114，即使在 使用絕緣性不高的冷媒（例如水）作爲流經各冷卻套管$ 8及 126之冷媒的情況下’亦可經由此冷媒防止高頻電流淺漏 至外部（冷媒循環器等），可將高頻電力爲了產生電漿而有 效率的使用。 次之’參照圖7及圖8説明下側絕緣體42及上側絕緣體 114之材質。 圖7爲用以説明絕緣體反翹狀態之説明圖，圖8爲絕緣體 之熱傳導度與反翹量（變形量）之關係係表示圖。 圖2所示實施例係僅使用石英玻璃作爲絕緣體42、丨。 石英玻璃之熱傳導度低之故，例如以下側絕緣體42爲例， 其上面與鬲溫的下側電極部3 8相連接，下面與冷卻塊4〇相 連接，故上面及下面間產生極大的溫差。於是，例如在沒 有溫差時，如圖7-(A)所示，下側絕緣體42係平坦。惟如 圖7-(B)所示，若例如上面爲2〇〇 °c，下面爲5〇，產生約 150 C之溫差，則下側絕緣體42圓上下面之熱膨脹差會產 生向下方彎曲反翹，此時之反翹量係依此絕緣體42之構成 材料的熱傳導率，熱膨脹係數，尺寸形狀等決定。若此種 變形I大，上下兩面則不會均等與上側電極部38或冷卻塊 40不並接成有偏差的接觸，於是熱度法自下侧電極部％於 其面内均一的散熱，晶圓溫度便有差別產生，造成晶圓溫 度之面内均一性有惡化傾向。 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------it (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - n ϋ n ϋ n n ϋ I n n n n I n ·_1 ϋ ϋ n n n I n n 1 n n ϋ —.1 n I · A7 __B7 五、發明說明（I9 ) 此處，本實施例使用熱傳導度佳者作爲下側絕緣體C。 即；本實施例所允許之變形量从例如係設定爲15从历，則 係使用熱傳導度80 W/mK以上之材料。此種材料只要具絕 緣性，熱傳導度在8〇 w/mK以上，則可使用任何材料， 如可使用陶瓷材之A1N。 圖8爲絕緣體之熱傳導度及變形量之關係表示圖。依圖8 之圖，可知若熱傳導度在8〇 w/mK以下，則變形量在允@許 値115 μιη以下。此時之實驗條件係爲絕緣體之直徑爲 mm，厚度爲12 mm，來自上面的熱爲15〇〇 w。又，絕緣體 之特性爲揚氏（Y〇ung)率爲3〇〇 Gpa，柏松（p〇iss〇n)比= 〇」33，熱膨脹係數爲。如此，藉由以熱傳導度 高的材料形成絕緣體42，上下面間之溫差變少，於是可= 制其變形量。於是，此絕緣體42與上下構件不會有偏差的 接觸，而可均等碰接，故晶圓溫度之面内均一性可維持 很南。 、 此種現象不僅是下側絕緣體42，亦發生於上側絕緣體 114 (變形万向與上述相反），上侧絕緣體ιΐ4亦以由熱傳 導度在80 W/mK以上之A1N構成爲理想。 次之，參照圖9A至圖9D及圖10，説明下側絕緣體仏及 上側絕緣體114之面構造。 於圖2、圖4及圖6中，爲易於理解，將各傳熱空間&、 64 I28、130之寬幅表示得比實際上大。實際上各密封構 件係設置於凹部狀之溝内。又，構造物係於高度方向以高 壓緊貼固定之故，上述各傳熱空間幾乎無間隙，微觀視 之，區分該等各傳熱空間之各構件的接合面，係成不規則 之多數的點接觸狀態，將其間隙沿不規則的路徑使傳熱氣 體流過。因此，上下方向之傳熱效率依位置而異之故，晶 _ -22- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮)""—--— - in!--------壤 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n I— H ϋ —「I I n n n in ϋ n n ϋ n I— n ϋ m n n f— n n _ 五、發明說明（20 ) 圓溫度的面内均-性有惡化傾向。 、本實施例中’爲區分各傳熱空間Μ、64、—、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、/上下接合之接合面於面内均一設置傳熱氣體流動 用之氣溝兩接合面之接觸率係設定於、列如4〇〜8〇%之範 圍内。即，在例如下側絕緣體42上面或下面，或兩面，跨 -王面刻畫1!出網狀或格子狀特定寬幅的氣體溝(參見 圖9A至9D )。故’傳熱氣體沿此氣體溝綱流動之故，傳 二氣把可略均等的流過絕緣體42的全面上。於是，於絕緣 a丘之略王面上，上下方向的傳熱效率成爲均一，可改善晶 圓/皿度刀布之均一性。此情沉下，若接觸率過小，則上下 万向I熱阻力變爲過大，晶圓之溫度控制性將惡化之故。 其接觸率的下限係如上述約在4〇%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處，以實驗求得最佳接觸率之故，參照圖9A至9〇及 圖10説明其結果。圖从至9]0係將各種寬幅之氣體溝設於 構件之接觸面時之各種接觸率。圖10爲接觸率所對應之熱 阻力與/皿度分布之偏差的關係圖。此處接觸率係以在絕緣 體表面形成氣體溝時之氣體溝的形成面積的對應之剩餘面 積之比予以表示。於圖9八至9〇中，表示出形成有氣體溝 2〇〇之絕緣體42表面的一部分，正方形的部分爲接觸面， 此處接觸面202之一邊與氣體構200之寬幅的比爲7:1時， 接觸率爲77% (參見圖8(A))。上述比爲2:1時，接觸率爲 44% (參見圖8(B))。又，上述比爲1:2時，接觸率爲11〇/〇 (參見圖8(C))。又，上述比爲I:5時，接觸率爲2 7% (參見 圖8(D))。而在未設任何氣體溝200時，接觸率爲1〇〇%。 將依上述方式決定之接觸率進行各種變更，再調查熱阻 力與晶圓面内之溫度分布之偏差AT的結果示於圖9。溫度 分布之偏差係取晶圓面内溫度的最高値及最小値的差。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483087 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 此處，雖依處理之種類而異，一般的熱處理之溫度分布 之偏差係要求在30 °C以内。又，若熱阻力過大，則電極無 法圓滑的進行散熱之故，即使控制加熱器之電力或冷卻塊 之冷媒流量等，其反應會變鈍，或晶圓溫度控制性會惡化 之故’其上限爲0· 1K/W。故’爲滿足兩者，可知接觸率須 設定於40〜80%之範圍内。 如此，依本實施例，熱阻力不會過高，傳熱氣體可略均 一的流於面内方向之故，可更加改善晶圓之面内溫度分布 的均一性。 上述氣體溝200不僅適用於下側絕緣體42之上面、下 面、上側絕緣體114之上面、下面，當然亦適用於與該等 各面相對接觸之電極部的面或冷卻塊的面。 次之參照圖11至圖13説明規定下側絕緣體42及上側絕緣 體114之表面粗度的例子。 區劃出圖2之各傳熱空間62、64、128、130之各構件表 面的粗度，會影響兩構件間之實際接觸面積或兩構件間的 實際距離之故，因此兩構件間之傳熱效率，即熱阻力亦受 影響。圖11係將下側電極邵3 8下面及下側絕緣體42上面 之間所形成之傳熱空間62的一部分爲例予以微觀放大之模 式圖。如圖11所示，依存於表面粗度，兩構件間之實際接 觸面積或實際距離會變化。 若下側電極部38下面與下側絕緣體42上面之間所形成之 傳熱空間62大，則下側電極部38下面與下側絕緣體化上 面之間之熱阻力亦變大。若熱阻力變大，則自電極部”之 散熱（冷卻）難以圓滑的進行，晶圓溫度之控制性有降低之 參照圖丨2作一説明。圖12爲圖2所示電極構造28之模式 ___-24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮) ------—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f 訂---- 線丨舞_ 483087 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 —_ 五、發明說明（22 ) 表示圖。於圖12中，依電漿等對晶圓w加入qw之熱量， 又可自加熱器部44投入最大Pw之熱量。冷卻塊4〇係假定 爲進行熱量Xw之散熱（冷卻）者。此處，絕緣體42之上下 界線部分（傳熱空間）之熱阻力若大，則無法將散熱之熱量 Xw大幅取走之故。電極部38會貯存大量熱量。故，必須 抑制加熱器邵44之輸出電力，因此，用以將晶圓w維持於 適當之處理溫度之溫度控制性會惡化。 此處，本實施例藉由將絕緣體42上下界線部分的表面粗 度Ra没疋在2·0 μιη以下，將熱阻力設定成在〇 1K/W以下。 如此，若熱阻力比（UK/W小，則圖n中散熱之熱量Xw可 没走爲較大’此郅分可附加熱器部44投入大的電力，故可 控制性良好的控制晶圓溫度。 此處參照圖13説明熱阻力及表面粗度之各上限値。圖13 爲絕緣體表面粗度Ra與熱阻力之關係圖。由圖可知，若表 面粗度Ra越大，熱阻力亦變越大。習知之電極構造若顧及 加熱器邵44之電力或冷卻塊4〇之冷卻量，則散熱之熱量至 少要在5 W/cm2以上，此時之熱阻力約爲〇 1K/W。故，表面 粗度Ra由圖可知只要設定在2 〇 以下即可。 關於上述絕緣體42之表面粗度Ra，當然亦適用於上部電 極構造3〇之上側絕緣體1丨4 (參見圖2 )。 次之參照圖u至圖16説明耐熱性金屬密封構件之用以提 升密封性之變形例。 一般而s ’在絕緣體或電極部或冷卻塊表面，爲了使相 互間之接觸性良好’依研磨加熱進行鏡面加工成高平滑狀 悲。圖14模式的表示鏡面加工過之電極部之下面及絕緣體 之上面，兩面之凹凸非常少。惟，由石英玻璃或陶瓷材所 成之絕緣體42表面，有時會因鏡面加工時掉屑造成微小 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ n I— I— - ϋ n a^i 一-口V 1 n - I n n I ϋ n I m n Hi n n ϋ I n ϋ 1 !1 n I— —1 n -25- 483087

五、發明說明（23 ) 刮痕綱。此刮痕綱亦有時會發生在銘製電極部38例。 ----1-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在因此種掉屑造成刮痕綱時，即使存在耐熱性金屬密 封構件66A ’此刮痕204亦有可能成爲洩漏點 漏出傳熱氣體。 . ^ 此處在本實施例中’在对熱性金屬密封構件表面， 熱性金屬構件所碰接之構件表面，形成在晶圓之處理溫产 附近軟化之低熔點材料所成之軟化金屬膜、或軟化金^ 層0 圖15A表示在耐熱性金屬密封構件66A表面，形成軟化 ^屬膜206之狀態，圖15B表示軟化金屬膜2〇6軟化之狀 悲。又，圖16A係表示在耐熱性金屬密封構件66A所碰接 之構件表面，即在電極部38下面及絕緣體42表面，各形成 岸人化金屬層208之狀態，圖16B表示軟化金屬層208軟化之 狀態。軟化金屬層208係沿密封構件66A形成爲環狀。此 軟化金屬膜206及軟化金屬層208係如參照圖3D所作之説 明，雖可使用銦，但並不拘此限。 如此藉由使用軟化金屬膜206或軟化金屬層208，可在晶 圓之製程中將此材料予以軟化進入上述刮痕2〇4將其埋入 (參見圖14(B)及圖15(B))。依此，便不會有洩漏點，可防 止傳熱氣體向外部洩漏出去。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於圖15中，雖係將軟化金屬層208、208設於密封構件 66B所碰接之上下兩面，但亦可僅設於刮痕204發生頻率高 之絕緣體42側。又，亦可將圖14所示之構造及圖15所示 之構造予以組合使用。 次之參照圖17A及圖17B説明用以提高對耐熱性金屬密封 構件之氟化氣體之耐腐蝕性之變形例。 此種處理裝置在處理時、蚀刻時或清潔時，有使用腐蝕 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） / A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 性強的氟素系氣體進行虛 疋订處理<情況。在此種# 系氣體接觸耐熱性金屬密封播 右氟素 工竭在對構件，則有將其腐 此處本實施例爲防止此腐 、 共。

傅蚀，如圖17A及17B所干A 性金屬密封構件表面，形，斟#主3 所不在耐熱 成對鼠素系氣體耐腐蝕性高之螽 惰性體膜21〇形成於斷面圓 = (與圖3A相同者)之全體表“ ”、、『土屬在封構件⑽ ;王版表面上。又，圖17B所示耐鼽性金 屬密封構件，一部#爲關芬、、丨 …m I係A開放<剖面圓弧狀耐熱性金屬密封 構件66W (與圖3B相同），表侧表面與内侧表面全體，即 對於有可能與氟素系氣體接觸之露出面全體，形成氣化惰 性體膜210。先前之圖3C〜圖犯所示密封構件66a_2、66八_ 3、66A-4 ι情況亦不僅在外侧表面，尚在内侧表面全體上 形成氟化不動體膜210。 依此’可防止此金屬密封構件66A被氟素系氣體腐蝕， 可提升此耐腐蚀性。又，此氟化惰性體膜21〇之形成亦適 用於其他全部之金屬密封構件66B、132a、132B (參見圖 2)。 次之參照圖18至圖20説明改良支持電極部38之支柱48的 部分，提升晶圓溫度之面内均一性的實施例。. 如圖2所示，支持下側電極部38之直徑4〜5 cm的支柱48 係爲内部成中空者，此内部成大氣開放亦可，或成密閉狀 態亦可。但既使爲上述任一情況，支柱48所連接之下側電 極部38的中心部附近，因並不位於冷卻塊40正下方之故， 散熱性差。因此，下側電極部38的中心部附近的溫度與其 周邊部比較，有變高的傾向，而成爲晶圓溫度之面内均一 性劣化的成因。 此處本實施例設置用以促進此部份散熱之氣體吹風機 • 27· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------1---------^ —^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 483087 A7 B7_ 五、發明說明（25 ) 構。圖18表示在支柱内設氣體吹風機構之狀態圖。圖19爲 半導體晶圓之面内溫度分布圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖18所示，支持下側電極部38的中心部之中空狀支柱 48，係自下方被插入氣體喷射噴嘴222作/爲氣體吹風機構 220。氣體噴射噴嘴222上端之噴射口 224係位於電極部38 下面之正下方1 cm的位置，向電極部38之裏面中心部噴射 室溫之N2氣或空氣等氣體，促進此部分之散熱（冷卻）。此 噴射氣體係由支柱48下端之排氣埠226排出。此噴射氣體 之溫度雖可預先冷卻至某程度以提升散熱效率，但若過度 提升散熱效率，電極部38之中心部的溫度會變爲過低而不 理想。 圖19係冷卻吹風機構之效果表示圖，表示出沒有冷卻吹 風機構之情況及具有冷卻吹風機構之情況（20 liter/min及40 liter/min)。此處冷卻吹風機構係噴射室溫之N2氣體。由圖 19所示可知，在沒有冷卻吹風機構之情況，晶圓中心溫度 變高，周邊部變低。此情況下，晶圓面内溫差AT甚至達 24 °C成爲極大之溫度差。 又，在有冷卻吹風並以40 liter/min之流量噴射氣體之情 況下，相反的散熱過度，晶圓中心部之溫度變低。在此情 況下，晶圓面内之溫差ΔΤ亦達24 °C仍爲極大之溫度差。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相對於此，在有冷卻吹風機構並以20 liter/min之流量噴 射氣體之情沉下，晶圓中心部的溫度適當的降低。故，晶 圓面内之溫度差ΔΤ變小至15 °C，呈現出晶圓面内溫度之 均一性良好的結果。 如此，藉由將氣體吹風吹於下側電極部38之下面中心部 而促進此部分之脱熱，即能大幅提高晶圓面内之溫度均一 性0 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 483087 A7 B7 五、發明說明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，上述實施例雖係設置氣體吹風機構22〇，促進下側 電極部38之中心部散熱，但取代其或與其併用，如圖2〇所 示’在支柱48及冷卻塊40之間，設置例如铭等熱傳導性構 件230而將兩者接合亦可。又，232係〇環等密封構件，維 持處理容器内之氣密性。 依此，下側電極部38之熱經由此支柱48及熱傳導構件 230 ’傳達至冷卻塊4〇。藉此使與圖18所説明之情況相 同，可提升下側電極部38之中心部附近的散熱性，可提高 晶圓溫度之面内均'一性。 於上述實施例中’爲了將各傳熱更間予以密封，雖使用 圖3 A至3D所示之耐熱性金屬密封構件，但不拘此限定， 將此傳熱空間本身做成傳熱氣體不易漏出之曲路構造亦 可 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於此點，以下側電極部38及下側絕緣體42之接合部爲 例了以說明。如圖21、圖22A及圖22B所示，在下側絕緣 體42下面，以特定之間距，例如以數mm之間距，以螺旋 狀或同心圓狀形成寬幅2 mm之微小溝部150 (圖21係表示 同心圓狀者）。在下側絕緣體42相對的下側絕緣體42上 面，亦對應上述凹凸狀之溝部150以嵌入之方式形成凹凸 狀的微小溝邵152。该等表面之溝邵150、152係如圖22A 所示互相嵌入，而形成曲路狀之曲路傳熱空間154。在此 情況下，不需使用耐熱性金屬密封構件，即可將傳熱氣體 密封在此曲路傳熱空間154至某一程度。 又，如圖22B所示，任一方之面，圖示例係僅於下側電 極部38上形成溝部150，將與其相對之面做成平坦狀亦 可。在此情況下所形成之曲路傳熱空間154係無法提供如 圖22A所示之密封性。但在此情況下仍可將傳熱空氣密封 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（27 ) 至某種程度。 又；上述實施例雖係以封裝力 m ’但將其以其他加熱器如各加熱器部料、 形成因素而成之陶資加熱器等：：電阻金屬在陶㈠ 熱器部44、116連通構成_ Z可。又，不將灰 中心彳目“ a %、 而如圖23所示，例如病 T〜側加熱焱邵44A及外同側知哉时、 —P夂糾推Λ ΓΝ側加熱詻郅44Β分割爲2，對每 T , ^ 又，在陶瓷加熱器之情況 小·蕤α伤私存 /咼狀I途中予以加大或縮 ’耩〃對每Κ發熱量控制相同的進行控制亦可。 又，於本實施例中，雖爲在各電接部38、11〇及冷卻塊 40、112間設置絕緣體42、114,但不設此絕緣體42、 114，而將各電極部38、110與各冷卻塊40、112直接接合 0。在此情況下，兩接合界線上同樣的會產生微小的傳 熱空間。〖，在此情況下，各電極構造及處理容器％之絕 緣，係於別處進行。 又，上述實施例雖係以電漿CVD處理爲例説明，但亦適 用於電漿蝕刻處理、電漿濺鍍處理、電漿灰化處理及不使 用電漿之熱CVD等。在不使用電漿之熱CVD處理裝置中採 用本發明之處理裝置之一例係示於圖24。於圖24中，對於 與圖2所示邵分構分相同者係註以相同符號。 此處取代圖2之氣體喷嘴34而設蓮蓬頭150，向處理容器 26内供給成膜氣體等之處理氣體取代圖2中之下部電極構 造28而設置載置台162。此載置台構造162係由與圖2中之 下側電極邵38相同構造之載置台164及冷卻塊40所成。載 置台164及冷卻塊40間之傳熱空間62設有而極性金屬密封 構件66A、66B。因不用高頻電源之故，不需如圖2中所設 之下側絕緣體42。在此情況下亦可發揮與圖2所示裝置相 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐）

I t-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（28) 同（作用效果’例如可維持傳熱空間之高密封性，不必消 耗那麼多傳熱氣體，可精確度良好的控制被處理體之溫度 等。 人 對未使用南頻電源之此載置台構造162*及使用上述曲路 傳熱空間154 I載置台構造，當然亦可使用先前參照圖7至 圖20所説明之各樣態之實施例。 此處被處理體雖係以半導體晶圓爲例説明，但本發明並 不拘此限，LCD基板、玻璃基板等亦一可使用本發明。 如上所述，依本發明之電極構造、載置台構造、電漿處 理裝置及處理裝置，可發揮以下之優異效果。 。依^發明之電極構造，即使在2〇〇。〇以上，例如35〇〜5〇〇 ^之高溫區，亦可維持傳熱空間之高密封性，不需消耗那 麼多傳熱氣體，可精確度良好的控制被處理體之溫度。 特別在使用耐熱壓力感知器直接測定控制對象之傳熱空 間或曲路傳熱空間的壓力之情況下，可迅速且高精確度的 進行壓力控制。 又依本發明之载置台構造，即使在200 °C以上，例如 乃〇〜500 C之高溫區，亦可維持傳熱空間之高密封性，不 需消耗那麼多傳熱氣體，可精確度良好的控制被處理體之 溫度。 特別在使用耐熱壓力感知器直接測定控制對象之傳熱空 間或曲路傳熱空間的壓力之情況下，可迅速且高精確度的 進行壓力控制。

又，依本發明，藉由將絕緣之熱傳導度設定在8〇w/mK 以上’可抑制其變形量，改善被處理體之溫度分布之面内 均一性。 又，依本發明，藉由將區分傳熱空間之接合面的接觸率 _— _31_ 本紙張尺“國國家標準（CNS>m[i.(21() χ 297公釐） I---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（29 ) 可在面内：id。圍内’熱阻力不會變爲過高，傳熱氣體 : = — :…動之故，可改善被處理體之溫度分布 4在Γο本發明’藉由將區分傳熱空間之構件的表面粗度 以下’可提升熱傳導性’可提升被處理體之 又’依本實施例，藉由在耐熱性金屬密封構 與其接觸之構件表面’形成在處理溫度附近軟化之軟化全 屬膜或軟化金屬層’將接觸面上因掉屑造成之刮痕於處理 時予以埋人’可防止傳熱空线漏之淺漏點產生。 又，依本發明，藉由在耐熱性金屬密封構件表面形成氟 化惰性體膜，可提高對此氟素系氣體之耐腐蝕性。 又，依本發明，藉由自支撑電極部或載置台之中空狀支 柱内、，向電極部或載置台裏面中心部吹噴氣體，可ς進此 邵分之散熱，提升被處理體之溫度分布之面内均一性。 又，依本發明之電漿處理裝置，即使在高溫區，亦可高 精確度的控制被處理體之溫度，以進行電漿處理。 又，依本發明之處理裝置，即使在高溫區，亦可高精確 度的控制被處理體之溫度，以進行處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明並不拘限於具體揭示之上述實施例，在不脱出本 發明之範圍内，可有各種改良例及變形例。 32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 案月- 請 申利軻 號修 2賢 8範 1 9ΠΊ 2 Μ 1專 1請 9申 8文 第中 BCD 六、申請專利範圍 ‘ 1. 一種電極構造，其係用於電漿處理裝置者，該電漿處 理裝置係可真空吸引之處理容器内，使用電漿對被處 理體進行特定之處理者，其特徵在於具備： 電極部，其係内部具有加熱器部者； 冷卻塊，其係與此電極部接合，具有將前述電極部 予以冷卻之冷卻套管者； 耐熱性金屬密封構件，其係用以將前述電極部及前 述冷卻塊之間所形成之電極側傳熱空間予以密封者； 及 電極側傳熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供給至 前述電極側傳熱空間者。 2. —種電極構造，其係用於電漿處理裝置者，該電漿處 理裝置係在可真空吸引之處理容器内，使用電漿對被 處理體進行特定之處理者，其特徵在於具備： 電極部，其係内部具有加熱器部者； 冷卻塊，其係與此電極部接合，具有將前述電極部 予以冷卻之冷卻套管者； 電路傳熱空間，其係由與前述電極部及前述冷卻塊 之接合相對面中之至少一方，成同心圓狀或螺旋狀設 置之溝部所形成者；及 電極側傳熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供給至 前述電路傳熱空間者。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之電極構造，其中前 述電極部及前述冷卻塊之間設有絕緣體，前述傳熱空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) A8 B8 C8 ---—------D8 六、申請專利範圍 間係由該絕緣體分割為上側空間及下側空間者。 4·如申請專利範圍第3項之電極構造，其中前述絕緣體 係由熱傳導度在8〇w/mK以上之材料所成者。 5·如申請專利範圍第4項之電極構造，其中前述絕緣體 係由氮化鋁（A1N)所成者。 6. 如申請專利範圍第丨項或第2項之電極構造，其中為 了劃分前述傳熱空間，所接合之構件之接合率的接觸 率係被設定於40-80%之範圍内者。 7. 如申請專利範圍第丨項或第2項之電極構造，其中劃 分前述傳熱空間之構件之表面粗度係在2.0 μπι以^ 者0 8•如中=專„„ 1項之電極構造’其中前述耐熱性 金屬密封構件係、由將低溶點材料封Α内部《剖面呈環 狀之耐熱性金屬膜所成者。 9·如申料利範圍第i項之電極構造，其中前述耐熱性 金屬密封構件之表面係被覆著軟化金屬膜，其係由在 m述被處理體之處理溫度軟化之低熔點材料所成者。 10·如中請專利範圍第i項之電極構造’其中前述耐熱性 金屬在封構件所碰接之構件的表面形&彳款化金屬 層，其係由在前述被處理體之處理溫度款化之低燦點 材料所成者。 11’如申2專利範圍第丨項之電極構造，其中前述耐熱性 金屬密封構件表面係由對氣系氣體具有耐腐姓性之氣 化惰性體膜所被覆者。

   483087 AS B8

   12.H請專利範圍第U项之電極構造，其中前述氟化惰 性肖豆膜係由氟化鎳所成者。 13·如申請專利範圍第1項或第2項之電極構造，其中前 述加熱器部係由陶资加熱器所成者。 14.如申請專利範圍第1項或第2項之電極構造，其中前 述加熱器部係被分割為同心圓狀的區，所分刻之區係 可各別控制者。 15. 如申請專利範圍第丨項或第2項之電極構造，其中前 述電極部係為位於前述被處理體上方之上側電 者。 16. 如申請專利範圍第i項或第2項之電極構造，其中前 述屯極部係為兼作為載置前述被處理體之載置台之下 側電極部’又，具備：靜電吸盤，其係與此下側電極 邵芝上面接合，將前述被處理體予以吸附者；及吸盤 側傳熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供給至在前述 靜電吸盤與前述被處理體之間所形成之吸盤側傳熱空 間者。 Π.如申請專利範圍帛16項之電極構造，其中在前述電極 側傳熱空間、前述曲路傳熱空間、及前述吸盤側傳教 空間中之至少一個空間中，設有耐熱壓力感知器，以 基於此耐熱壓力感知器之輸出而控制前述對應之傳熱 氣體供給機構之氣體供給量的方式予以構成者。 18.如申請專利範圍第i項或第2項之電極構造，其中前 述電極部之中心係由内部成中空狀之支柱所支持，2

   裝

   前述支柱内設有吹氣撫 、機構’其係向前述電極部之裏面 •中心部吹氣以促進散熱者。 19·如申請專利範圍第1項 ^ 、 ，、或弟2項之電極構造，其中前 述電極部之中心係由* 支柱所支持，此支柱係經熱傳導 性構件連接於前述冷卻塊者。 2〇· —種載置台構造，並# 八係用於在可真空吸引之處理容器 内，對被處理體進杆牿令士疮 仃特疋足處理之處理裝置者，其特 徵在於具備： ψ 載置台’其係於内部目古· m 八有·用以加熱前述被處理體 之加熱器部者； 冷卻塊’其係在内部且古· 、 門部具有·接合於此載置台，將前 述載置口丁以冷卻之冷卻套管者· 耐熱性金屬密封構件，其係用以將前述載置台及前 述冷卻塊之間所形成之傳熱空間予以密封者；及 傳熱氣體供給機構，#你就你 ^^ 具係將傳熱氣體供給至前述傳 熱空間者。 π如申請專利範圍帛2G項之載置台構造，其中前述对熱 佳金屬去封構件之表面係被覆著軟化金屬膜，其係由 在前述被處理體之處理溫度軟化之低㈣材料所成 者0 22·如申請專利範圍帛20項之載置台構造，其中前述耐埶 性金屬密封構件所碰接之構件的表面形成有軟化金屬 層，其係由在前述被處理體之處理溫度軟化之低熔點 材料所成者。 -4-

   483087 申請專利範圍 23·如申請專利範圍第2〇 性金屬㈣構縣^前述耐熱 氟化惰性體膜所被覆者。乳體具有对腐姓性之 24.如申請專利範圍第23項 ,^ 戰罝口構件，其中前述氟化 b性體膜係由氟化鎳所成者。 25· —種載置台構造，其俏 狀*係用於在可真空吸引之處理容哭 内，對被處理體進行特定 徵在於具備： “《處理（處理裝置者’其特 載 ’、係於内部具有：用以加熱前述被處理r 之加熱器部者； ^ 冷卻塊，其係於内部具有：接合於此載置台 述載置台予以冷卻之冷卻套管者； 曲路（labyrinth)傳熱空間，其係由與前述載置台 述冷卻塊之接合相對面中之至少一方，成同心圓 旋狀設置之溝部所，形成者；及 ‘、 傳熱氣體供給機構，其係將傳熱氣體供給至曲路 (labyrinth)傳熱空間者。 26.如申請專利範圍第25嚷之載置台構造，其中為了劃八 前述傳熱空間，所接合之構件之接合率的接觸率係^ 設定於40〜80%之範圍内者。 A如申請專利範圍第25嚷或第％項之載置台構造，龙 中劃分前述傳熱空間之構件之表面粗度㈣2〇_ 下者。 28.如申請專利则25項之載置台構造，其中前述裁置 -5 - 本紙張尺度適用中_家標準(CNS) A4規格(21〇xl^iT A B c D 483087 六、申請專利範圍 台之中心係由内部成中空狀之支柱所支持，於前述支 柱内設有吹氣機構，其係向前述電極部之裏面中心部 吹氣以促進散熱者。 29. 如申請專利範圍第25項之載置台構造，其中前述載置 台之中心係由支柱所支持，此支柱係經熱傳導構件連 接於前述冷卻塊者。 30. —種電漿處理裝置，其特徵在於具備： 可真空吸引之處理容器； 申請專利範圍第1項至第19項中之任一項之電極構 造；及 南頻電源’其係將南頻電壓施加至此電極構造者。 31. —種處理裝置，其特徵在於具備： 可真空吸引之處理容器；及 申請專利範圍第20項至29項中之任一項之載置台 構造。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）