JPH05315262A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05315262A JPH05315262A JP11382892A JP11382892A JPH05315262A JP H05315262 A JPH05315262 A JP H05315262A JP 11382892 A JP11382892 A JP 11382892A JP 11382892 A JP11382892 A JP 11382892A JP H05315262 A JPH05315262 A JP H05315262A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- plasma
- manufacturing apparatus
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｏリングと反応室に通じる隙間を蛇行させる
ことで、Ｏリング側への反応室内のプラズマ、反応性ガ
ス、活性種などの進入を阻止し、低コストでシール材の
寿命を延長し、装置故障時間率の低減が図れ、異物など
の発生を低減できるようにする。 【構成】 筐体部分が本体部分１ａと蓋部分１ｂの複数
に分割でき、その分割面にＯリング２を配した半導体製
造装置であって、Ｏリング２より内側の前記分割面の隙
間を本体部分１ａに設けた凹部５と蓋部分１ｂに設けた
凸部６とにより蛇行させ、Ｏリング２側への反応室内の
プラズマ、反応性ガス、活性種などの進入を阻止する。
ことで、Ｏリング側への反応室内のプラズマ、反応性ガ
ス、活性種などの進入を阻止し、低コストでシール材の
寿命を延長し、装置故障時間率の低減が図れ、異物など
の発生を低減できるようにする。 【構成】 筐体部分が本体部分１ａと蓋部分１ｂの複数
に分割でき、その分割面にＯリング２を配した半導体製
造装置であって、Ｏリング２より内側の前記分割面の隙
間を本体部分１ａに設けた凹部５と蓋部分１ｂに設けた
凸部６とにより蛇行させ、Ｏリング２側への反応室内の
プラズマ、反応性ガス、活性種などの進入を阻止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチャンバなどにおけるシ
ール技術、特に、ＣＶＤ法やプラズマを用いて処理を行
う装置に適用して効果のある技術に関するものである。
ール技術、特に、ＣＶＤ法やプラズマを用いて処理を行
う装置に適用して効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、薄膜形成装置、エッチング装置
などの半導体製造装置にあっては、被処理物が内部に設
置される真空装置（チャンバ）が用いられ、この真空装
置内に被処理物（＝試料、例えばウェハ）を設置し、さ
らに真空装置内を真空状態にして処理ガスを導入し、Ｃ
ＶＤ法（Chemical Vapour Deposition：気相成長法）ま
たはプラズマを用いて所定の処理を行っている。
などの半導体製造装置にあっては、被処理物が内部に設
置される真空装置（チャンバ）が用いられ、この真空装
置内に被処理物（＝試料、例えばウェハ）を設置し、さ
らに真空装置内を真空状態にして処理ガスを導入し、Ｃ
ＶＤ法（Chemical Vapour Deposition：気相成長法）ま
たはプラズマを用いて所定の処理を行っている。
【０００３】図３は従来の半導体製造装置の一例を示す
部分断面図である。ここでは、半導体製造装置としてプ
ラズマＣＶＤ装置をあげ、その真空装置の一部分のみを
示している。
部分断面図である。ここでは、半導体製造装置としてプ
ラズマＣＶＤ装置をあげ、その真空装置の一部分のみを
示している。
【０００４】処理室１は箱形を成し、複数部分に分離解
体することができる。ここでは、本体部分１ａと蓋部分
１ｂのみを示しているが、両者の接合部にはゴム材など
の弾性力を有する材料で作られたＯリング２（シール部
材）が配設されている。処理室１内は、反応室３とな
り、この室内に試料（ウェハ）がセットされる。なお、
ここでは図示を省略しているが、両者の固定はボルトと
本体部分１ａ側に形成された雌ねじとにより行われる
（或いは、同様の固定手段によって行われる）。
体することができる。ここでは、本体部分１ａと蓋部分
１ｂのみを示しているが、両者の接合部にはゴム材など
の弾性力を有する材料で作られたＯリング２（シール部
材）が配設されている。処理室１内は、反応室３とな
り、この室内に試料（ウェハ）がセットされる。なお、
ここでは図示を省略しているが、両者の固定はボルトと
本体部分１ａ側に形成された雌ねじとにより行われる
（或いは、同様の固定手段によって行われる）。
【０００５】このような真空装置にあって、内部清掃
（内面の劣化物などを除去するために必要）などの際に
は、蓋部分１ｂを取り外して行う。
（内面の劣化物などを除去するために必要）などの際に
は、蓋部分１ｂを取り外して行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、処理室内には処理時にプラズマ、反応性ガス、活性
種（ラジカル、イオン、電子）などが生じているため、
Ｏリングの内部露出面が劣化しやすいという問題があ
る。劣化によって粉末状の異物が発生し、これが発塵源
になる。そこで、数カ月毎に内部を清掃し、必要に応じ
てＯリングの交換を行っている。Ｏリングの寿命を長引
かせる手段として、メタルシールの採用や耐熱・耐薬品
に優れる高性能ゴム系Ｏリング（例えば、デュポン社製
の「カルレッツ」など）の採用が行われている。しか
し、前者は窓などのガラスを用いた部分のシールには適
用できないと共に一度解体すると弾力性を持たない為に
再使用ができない、また、後者はコストアップを招くと
いう問題がある。
ば、処理室内には処理時にプラズマ、反応性ガス、活性
種（ラジカル、イオン、電子）などが生じているため、
Ｏリングの内部露出面が劣化しやすいという問題があ
る。劣化によって粉末状の異物が発生し、これが発塵源
になる。そこで、数カ月毎に内部を清掃し、必要に応じ
てＯリングの交換を行っている。Ｏリングの寿命を長引
かせる手段として、メタルシールの採用や耐熱・耐薬品
に優れる高性能ゴム系Ｏリング（例えば、デュポン社製
の「カルレッツ」など）の採用が行われている。しか
し、前者は窓などのガラスを用いた部分のシールには適
用できないと共に一度解体すると弾力性を持たない為に
再使用ができない、また、後者はコストアップを招くと
いう問題がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、低コストでシー
ル材の寿命を延長し、装置故障時間率の低減が図れ、異
物などの発生を低減することのできる技術を提供するこ
とにある。
ル材の寿命を延長し、装置故障時間率の低減が図れ、異
物などの発生を低減することのできる技術を提供するこ
とにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１０】すなわち、筐体部分が複数に分割でき、そ
の分割面にシール部材を配した半導体製造装置であっ
て、前記シール部材より内側の前記分割面の隙間を蛇行
形状にしている。
の分割面にシール部材を配した半導体製造装置であっ
て、前記シール部材より内側の前記分割面の隙間を蛇行
形状にしている。
【００１１】
【作用】上記した手段によれば、反応室内のプラズマ、
反応性ガス、活性種などが分割面の隙間を通してＯリン
グに接触しようとしても、通路が蛇行しているために奥
部への進入が阻止される。したがって、Ｏリングにプラ
ズマ、反応性ガス、活性種などが接触する恐れが低減
し、Ｏリングの劣化を低減することができ、Ｏリングの
寿命を延ばし、装置故障時間率の低減が図られ、異物な
どによる不良発生を低減することが可能になる。
反応性ガス、活性種などが分割面の隙間を通してＯリン
グに接触しようとしても、通路が蛇行しているために奥
部への進入が阻止される。したがって、Ｏリングにプラ
ズマ、反応性ガス、活性種などが接触する恐れが低減
し、Ｏリングの劣化を低減することができ、Ｏリングの
寿命を延ばし、装置故障時間率の低減が図られ、異物な
どによる不良発生を低減することが可能になる。
【００１２】
【実施例１】図１は本発明による半導体製造装置の一実
施例を示す部分断面図である。なお、図１においては、
図３と同一であるものには同一引用数字を用いたので重
複する説明は省略する。
施例を示す部分断面図である。なお、図１においては、
図３と同一であるものには同一引用数字を用いたので重
複する説明は省略する。
【００１３】本実施例は、Ｏリング２の設置位置の内側
（反応室３寄り）に迂回路を形成したところに特徴があ
る。すなわち、本体部分１ａに凹部５を形成し、この凹
部５に嵌合する凸部６を蓋部分１ｂに設けるようにし、
反応性ガス４がＯリング２に回り込まないようにしてい
る（ここでは反応性ガスとしているが、活性種、プラズ
マなどでも同様である）。
（反応室３寄り）に迂回路を形成したところに特徴があ
る。すなわち、本体部分１ａに凹部５を形成し、この凹
部５に嵌合する凸部６を蓋部分１ｂに設けるようにし、
反応性ガス４がＯリング２に回り込まないようにしてい
る（ここでは反応性ガスとしているが、活性種、プラズ
マなどでも同様である）。
【００１４】なお、ここでは本体部分１ａに凹部５、蓋
部分１ｂに凸部６を設けるものとしたが、逆に、本体部
分１ａに凸部を設け、蓋部分１ｂに凹部を設けるように
してもよい。また、凹部及び凸部を各１個を設けるもの
としたが、複数であってもよい。さらに、凹部５と凸部
６の間に弾性力を有し且つガスに対して化学的に安定な
遮断材（フッ素樹脂、ポリプロピレンなど）を介在さ
せ、シール効果を向上させるようにしてもよい。
部分１ｂに凸部６を設けるものとしたが、逆に、本体部
分１ａに凸部を設け、蓋部分１ｂに凹部を設けるように
してもよい。また、凹部及び凸部を各１個を設けるもの
としたが、複数であってもよい。さらに、凹部５と凸部
６の間に弾性力を有し且つガスに対して化学的に安定な
遮断材（フッ素樹脂、ポリプロピレンなど）を介在さ
せ、シール効果を向上させるようにしてもよい。
【００１５】また、上記実施例においては、凹部５及び
凸部６を矩形断面にしたが、半円形、三角形、Ｖ字形な
どであってもよい。
凸部６を矩形断面にしたが、半円形、三角形、Ｖ字形な
どであってもよい。
【００１６】以上の構成により、反応室３内の反応性ガ
ス４はＯリング２へ向かおうとしても凹部５及び凸部６
からなる遮断部が形成され、Ｏリング２には容易に達し
ない。したがって、Ｏリング２が劣化するのを低減する
ことができる。この結果、Ｏリング２の寿命を延ばし、
Ｏリング２の劣化に起因して生じる真空リーク不良を低
減し、また、Ｏリング２が異物発塵源になる不良発生が
防止され、低コスト化が可能になる。
ス４はＯリング２へ向かおうとしても凹部５及び凸部６
からなる遮断部が形成され、Ｏリング２には容易に達し
ない。したがって、Ｏリング２が劣化するのを低減する
ことができる。この結果、Ｏリング２の寿命を延ばし、
Ｏリング２の劣化に起因して生じる真空リーク不良を低
減し、また、Ｏリング２が異物発塵源になる不良発生が
防止され、低コスト化が可能になる。
【００１７】
【実施例２】図２は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【００１８】本発明は、Ｏリング２と反応室３に通じる
隙間が直通でなければ目的は達成される。そこで、本実
施例では、図示のように段差７ａ，７ｂを設けた形状に
している。この段差は内側に設ける例を示しているが、
中央部でもよい。
隙間が直通でなければ目的は達成される。そこで、本実
施例では、図示のように段差７ａ，７ｂを設けた形状に
している。この段差は内側に設ける例を示しているが、
中央部でもよい。
【００１９】この実施例によって得られる効果は前記実
施例と同じであるので、ここでは説明を省略する。
施例と同じであるので、ここでは説明を省略する。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２２】すなわち、筐体部分が複数に分割でき、そ
の分割面にシール部材を配した半導体製造装置であっ
て、前記シール部材より内側の前記分割面の隙間を蛇行
形状にしたので、Ｏリングの劣化を低減することがで
き、Ｏリングの寿命を延ばし、装置故障時間率の低減が
図られ、異物などによる不良発生を低減することが可能
になる。
の分割面にシール部材を配した半導体製造装置であっ
て、前記シール部材より内側の前記分割面の隙間を蛇行
形状にしたので、Ｏリングの劣化を低減することがで
き、Ｏリングの寿命を延ばし、装置故障時間率の低減が
図られ、異物などによる不良発生を低減することが可能
になる。
【図１】本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
部分断面図である。
部分断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体製造装置の一例を示す部分断面図
である。
である。
１ 処理室 １ａ 本体部分 １ｂ 蓋部分 ２ Ｏリング ３ 反応室 ４ 反応性ガス ５ 凹部 ６ 凸部 ７ａ，７ｂ 段差
Claims (3)
- 【請求項１】 筐体部分が複数に分割でき、その分割面
にシール部材を配した半導体製造装置であって、前記シ
ール部材より内側の前記分割面の隙間を蛇行形状にした
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記蛇行形状は、少なくとも１つの一対
の凹凸状形状であることを特徴とする請求項１記載の半
導体製造装置。 - 【請求項３】 前記蛇行形状は、段差形状であることを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11382892A JPH05315262A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11382892A JPH05315262A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315262A true JPH05315262A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14622067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11382892A Pending JPH05315262A (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315262A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| WO2000079575A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma, structure d'electrode associee et structure etagee |
| WO2003023829A3 (en) * | 2001-09-13 | 2003-12-11 | Micell Technologies Inc | Sealing system and pressure chamber assembly including the same |
| JP2006194303A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nok Corp | 耐プラズマ用シール |
| JP2007157291A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板貼合装置 |
| JP2007308750A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2010156456A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-07-15 | Nok Corp | 配水管継手の密封構造 |
| JP2011517834A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-06-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ |
| US10201962B2 (en) | 2012-07-27 | 2019-02-12 | Phenix Systems | Device for manufacturing three-dimensional objects using superimposed layers, and associated method of manufacture |
| KR20190060515A (ko) * | 2017-11-24 | 2019-06-03 | 주식회사 비지에스 | 게이트 밸브 하우징 및 이의 제조방법 |
| US11440098B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-09-13 | Layerwise Nv | Three-dimensional printing system optimizing contour formation for multiple energy beams |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP11382892A patent/JPH05315262A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| WO2000079575A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma, structure d'electrode associee et structure etagee |
| US7033444B1 (en) | 1999-06-21 | 2006-04-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, and electrode structure and table structure of processing apparatus |
| WO2003023829A3 (en) * | 2001-09-13 | 2003-12-11 | Micell Technologies Inc | Sealing system and pressure chamber assembly including the same |
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| JP2007157291A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板貼合装置 |
| JP2007308750A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ処理装置 |
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| KR101489987B1 (ko) * | 2008-03-18 | 2015-02-04 | 램 리써치 코포레이션 | 열전도 개스킷을 이용하는 전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 챔버 |
| JP2010156456A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-07-15 | Nok Corp | 配水管継手の密封構造 |
| US10201962B2 (en) | 2012-07-27 | 2019-02-12 | Phenix Systems | Device for manufacturing three-dimensional objects using superimposed layers, and associated method of manufacture |
| KR20190060515A (ko) * | 2017-11-24 | 2019-06-03 | 주식회사 비지에스 | 게이트 밸브 하우징 및 이의 제조방법 |
| US11440098B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-09-13 | Layerwise Nv | Three-dimensional printing system optimizing contour formation for multiple energy beams |
| US11679564B2 (en) | 2018-12-27 | 2023-06-20 | Layerwise Nv | Three-dimensional printing system optimizing contour formation for multiple energy beams |
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