CN104247003B - 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备 - Google Patents

针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104247003B
CN104247003B CN201280072432.2A CN201280072432A CN104247003B CN 104247003 B CN104247003 B CN 104247003B CN 201280072432 A CN201280072432 A CN 201280072432A CN 104247003 B CN104247003 B CN 104247003B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chuck
adhesive material
main body
component
pedestal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280072432.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104247003A (zh
Inventor
X·林
J·Y·孙
S·班达
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN201710755993.7A priority Critical patent/CN107527854A/zh
Publication of CN104247003A publication Critical patent/CN104247003A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104247003B publication Critical patent/CN104247003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/04—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by at least one layer folded at the edge, e.g. over another layer ; characterised by at least one layer enveloping or enclosing a material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y10T428/239—Complete cover or casing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

本发明的实施例提供具有保护性元件的腔室部件，该保护性元件用于遮蔽黏接材料隔绝处理环境中的处理环境。该保护性元件可包括保护性密封物、保护性结构、抗侵蚀填料，或前述元件的组合。本发明的实施例减少用于处理腔室中的黏接材料的侵蚀，因而改良处理品质并且减少维修成本。

Description

针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备
技术领域
本发明的实施例是关于由黏接材料所接合的复合式结构，该黏接材料具有强化的热及/或化学稳定性。尤其，本发明的实施例是关于一种静电夹盘，该静电夹盘具有由黏接材料接合的两个或更多个部件。
背景技术
半导体处理腔室经常包括通过以黏接材料将两个或更多个部件黏接在一起以达成期望性质而形成的零件。例如，静电夹盘用于在处理期间支撑及固定基板，该等静电夹盘通常包括介电圆盘(puck)，该介电圆盘通过导热性黏接材料黏接金属基座。该黏接材料提供不同部件之间牢固的连接，同时该黏接材料提供导热性及/或电绝缘。但是，该等黏接材料可能对处理有负面影响，尤其是在该等工艺是在高温下执行或在严苛的化学环境中执行时。例如，当暴露至等离子体，静电夹盘中的黏接材料可能侵蚀且生成粒子，而引发处理腔室中的粒子污染。
本发明的实施例提供用于防止黏接材料侵蚀及粒子生成的设备与方法。
发明内容
本发明的实施例提供用于在处理环境中保护黏接材料隔绝处理环境的设备与方法，该黏接材料用于接合诸如静电夹盘之类的腔室部件。
本发明的一个实施例提供一种在处理腔室中使用的设备。该设备包括第一部件、第二部件，以及黏接材料，该黏接材料接合该第一部件与该第二部件。该设备进一步包括保护性元件，该保护性元件用于防止该黏接材料在处理腔室中的侵蚀。
本发明的另一实施例提供用于处理腔室的静电夹盘。该静电夹盘包含：夹盘主体，具有上表面及与该上表面相对的下表面，该上表面被配置以将基板支撑在该上表面上；夹盘基座，具有面向该夹盘主体的该下表面的上表面；以及黏接材料，将该夹盘主体的该下表面与该夹盘基座的该上表面接合。该静电夹盘进一步包括保护性元件，用于防止该黏接材料遭受处理腔室中的环境所引发的侵蚀。
附图说明
通过参考实施例(一些实施例图示于附图中)，可获得于【发明内容】中简要总结的本发明的更特定的说明，而能详细了解于【发明内容】记载的本发明的特征。然而应注意附图仅图示此发明的典型实施例，因而不应将该等附图视为限制本发明的范畴，因为本发明可容许其他等效实施例。
图1A是根据本发明的一个实施例的具有保护性密封物的静电夹盘的剖面侧视图。
图1B是图1A的静电夹盘的放大部分剖面视图。
图1C是根据本发明另一实施例的静电夹盘的放大部分剖面视图。
图1D是根据本发明另一实施例的静电夹盘的放大部分剖面视图。
图1E是图1A的静电夹盘的顶视图，其中夹盘主体已移除。
图2A是根据本发明的一个实施例的具有保护性结构的静电夹盘的剖面侧视图。
图2B是根据本发明的另一实施例的具有保护性结构的静电夹盘的放大部分剖面视图。
图2C是根据本发明的另一实施例的具有保护性结构的静电夹盘的放大部分剖面视图。
图3是根据本发明多个实施例的具有静电夹盘的等离子体处理腔室的剖面侧视图。
为了助于了解，如可能则使用相同的元件符号标注共用于该等附图的相同元件。应考量在一个实施例中所揭露的元件及特征可有利地用于其他实施例，而无需特别记载。
具体实施方式
本发明的实施例提供用于在处理环境中保护黏接材料隔绝处理环境的设备与方法，该黏接材料用于接合诸如静电夹盘之类的腔室部件。在一个实施例中，保护性密封物设置成环绕该黏接材料的边缘，以防该黏接材料暴露至处理环境。另一实施例中，保护性结构形成在腔室部件中的黏接材料周围，以防止黏接材料直接暴露于处理环境。根据本发明的另一实施例，包含硅填料与聚合物粘合剂基底的黏接材料用于接合腔室部件且其中粒子生成减少。本发明的实施例减少用在处理腔室中的黏接材料的侵蚀，因此改良处理品质并且减少维修成本。
图1A是根据本发明的一个实施例的静电夹盘100的剖面侧视图。该静电夹盘100以可移动式或以固定式定位在基板处理腔室中，以在处理期间支撑基板。静电夹盘100包括夹盘主体110，该夹盘主体110通过黏接材料130固定至夹盘基座120。保护性密封物140设置在黏接材料130周围，以保护黏接材料130隔绝处理环境。
夹盘主体110具有实质上平面的上表面112，以用于在该上表面112上支撑基板102。夹盘主体110也具有实质上平面的下表面114，用于接收黏接材料130以及耦接夹盘基座120。夹盘主体110可由介电材料形成。一个实施例中，该夹盘主体110可由陶瓷(诸如氧化铝)所形成。电极118可嵌在夹盘主体110中。电极118可以是薄的金属板或金属网(mesh)。电极118可大得足以涵盖实质上基板102的整个面积。电极118可耦接电源(诸如DC电压源)以产生静电夹持力而在上表面112上吸引及固定基板120。视情况也可将电极118耦接RF电源，以在处理腔室中生成电容式耦合等离子体。
夹盘主体110可具有三个或更多个穿孔116，以使举升销104得以通过。夹盘主体110可根据受处理的基板102的形状而加以塑形。例如，夹盘主体110可以是圆盘，以支撑圆形基板，诸如半导体基板。夹盘主体110也可以是矩形板，用于支撑矩形基板，诸如用于形成液晶显示器元件的玻璃基板。
夹盘基座120具有上表面122，用于接收黏接材料130与夹盘主体110。上表面122可实质上为平面。夹盘基座120可由导热材料(诸如金属)形成，以提供对夹盘主体110的温度控制。一个实施例中，夹盘基座120由铝形成。夹盘基座120可具有形成在该夹盘基座120中的冷却通道123。该等冷却通道123可连接至冷却流体源(图中未示)并且该等冷却通道123可具有循环于该等冷却通道123中的冷却流体。夹盘基座120也可具有一或多个加热元件124，该等加热元件124形成在该夹盘基座120中，以提供对夹盘主体110的加热。夹盘基座120可具有举升销开口126，该举升销开口126形成为穿过该夹盘基座120并且该举升销开口126与夹盘主体110中的穿孔116对齐，以接收举升销104。在一个实施例中，外壳(casing)元件132、134、138可设置在举升销开口126中，以引导举升销104。该等外壳元件132、134、138可由介电材料形成，以提供举升销104与夹盘基座120之间的电隔离，该介电材料诸如聚合物或聚醚醚酮(PEEK)。
黏接材料130设置在夹盘主体110的下表面114以及夹盘基座120的上表面122之间，以将夹盘主体110与夹盘基座120接合在一起。黏接材料130可以是片状形式，类似夹盘主体110与夹盘基座120。一个实施例中，黏接材料130片可包括三个或更多个举升销孔洞136，该等举升销孔洞136对应举升销104的穿孔116。或者，黏接材料130可以是以液体为基础。
黏接材料130经配置以提供不相似的材料(诸如陶瓷夹盘主体110与金属性的夹盘基座120)之间的稳固接合。黏接材料130也提供所接合的部件之间的热传导。一个实施例中，黏接材料130可以是以聚合物为基础且具有填料材料的黏接粘合剂，以提供导热性。该黏接材料130可以是以聚合物为基础且具抗侵蚀填料的黏接粘合剂。一个实施例中，填料材料包括硅且该聚合物基底材料包括硅酮。硅酮基底中填料材料的浓度经控制以达成1 W/mK的导热率。
习知黏接材料中的填料在蚀刻化学条件(etching chemistry)下可能受到侵蚀，而生成白色粒子并且引起污染，该蚀刻化学条件诸如包括NF3或包括NF3与O2的处理环境。相较于具有传统填料的黏接材料，具有硅酮基底与硅填料的黏接材料130不会在包括NF3或包括NF3与O2的处理化学条件中引起粒子污染，因而大幅减少粒子污染。例如，在NF3的化学条件中，基底聚合物硅酮受到攻击，而该硅酮挥发，留下传统填料(诸如氧化铝(Al2O3)填料)，而引发粒子方面的问题。当使用硅填料时，硅填料与硅酮基底二者在NF3的攻击下皆挥发而不产生任何粒子。包含硅填料的黏接材料130可单独使用或结合保护性密封物140一并使用。
一个实施例中，保护性密封物140环绕黏接材料130，以防止黏接材料130与处理环境之间的交互作用。一个实施例中，凹部144可形成于夹盘主体110与夹盘基座120之间，以将保护性密封物140固持于适当位置。视情况而定，保护性密封物142可设置在黏接材料130中每一举升销孔洞136周围，以防止黏接材料130暴露至举升销孔洞136中的环境。
保护性密封物140、142可由当暴露至处理环境时维持夹盘主体110与夹盘基座120之间密封的材料形成。保护性密封物140、142可由弹性体形成，该弹性体诸如为全氟弹性体。对于在包括NF3或包括NF3与O2的蚀刻化学条件中的操作而言，保护性密封物140、142可由8575全氟弹性体、192全氟弹性体、8085全氟弹性体、XPE弹性体的一者形成，但不以上述材料为限。其他诸如L7505、SC513(Chemraz 513)、L8015r1、G758(Perlast)、L8010之类的材料也适合用于保护性密封物。保护性密封物140、142可为O形环、垫片、杯状密封物的形式，或保护性密封物140、142可具有其他适合的轮廓。保护性密封物140、142可视情况为弹簧承载式。
如图1B中所示，静电夹盘100中的凹部144可由一阶状物与夹盘主体110的下表面114所界定，该阶状物形成于夹盘基座120中。由于仅夹盘基座120经机械切削而形成凹部144，此配置方式在实行上是简单的。图1E是静电夹盘100的夹盘基座120的俯视图，夹盘主体110已移除，而可见到保护性密封物140、142。
或者，用于保护性密封物140的凹部可形成在夹盘主体110与夹盘基座120二者中，或仅形成在夹盘主体110上。
图1C是根据本发明另一实施例的静电夹盘100C的放大部分剖面视图。静电夹盘100C类似于图1A的静电夹盘100，差异处在于保护性密封物140被固定在由阶状物115C与阶状物128C界定的凹部144C中，该阶状物115C形成在夹盘主体110的下表面114上，而该阶状物128C形成在夹盘基座120的上表面122上。此配置方式确保黏接材料130被保护性密封物140的中间部分覆盖。
图1D是根据本发明另一实施例的静电夹盘100D的放大部分剖面视图。该静电夹盘100D类似于图1A的静电夹盘100，差异处在于该保护性密封物140固定在由阶状物115D与夹盘基座120的上表面122所界定的凹部144D中，该阶状物115D形成在夹盘主体110的下表面114上。只有夹盘主体110经机械切削而形成凹部144D。
除了使用保护性密封物防止对黏接材料的侵蚀(或取代使用保护性密封物防止对黏接材料的侵蚀)，本发明的实施例也提供具有夹盘主体及/或夹盘基座内的遮蔽特征的静电夹盘，以保护黏接材料。
图2A是根据本发明的一个实施例的静电夹盘200的剖面侧视图，该静电夹盘200具有黏接材料保护性结构，即遮蔽特征。静电夹盘200可以用可移动式或固定式定位在基板处理腔室中，以在处理期间支撑基板。类似于静电夹盘100，静电夹盘200包括夹盘主体210，该夹盘主体210通过黏接材料230固定至夹盘基座220，该黏接材料230与黏接材料130相同。保护性结构216可形成在夹盘主体210及/或夹盘基座220中，以遮蔽黏接材料230隔绝处理环境。
夹盘主体210具有上表面212与实质上平面的下表面214，该上表面212用于在该上表面212上支撑基板102，而该下表面214用于接收黏接材料230。夹盘主体210可由介电材料形成。电极218可嵌于夹盘主体210中。
夹盘基座220具有用于接收黏接材料230与夹盘主体210的上表面222。夹盘基座220可具有形成在该夹盘基座220中的冷却通道223以及嵌在该夹盘基座220中用于温度控制的加热元件224。
黏接材料230设置在夹盘主体210的下表面214与夹盘基座220的上表面222之间，而将夹盘主体210与夹盘基座220接合在一起。夹盘主体210的下表面214与夹盘基座220的上表面222可小于夹盘主体210与夹盘基座220的外边缘，使得黏接材料230可被由夹盘主体210及/或夹盘基座220所形成的保护性结构216所环绕。
根据显示于图2A的该实施例，夹盘基座220具有由上表面222落下的阶状物228。保护性结构216是由夹盘主体210的下表面214向下延伸的唇部形式。该唇部可以是连续的。当夹盘主体210固定至夹盘基座220时，唇部216形式的保护性结构216延伸于阶状物228上方，并且保护性结构216覆盖夹盘主体210的下表面214与夹盘基座220的上表面之间的界面，因此侧向环绕黏接材料230并且遮蔽黏接材料230而避免毫无阻碍地暴露(line of sightexposure)至腔室内环境。在不使用保护性密封物的情况下，静电夹盘200的保护性结构216消除了维持与置换保护性密封物的需要，因而减少操作成本。一个实施例中，也可于每一举升销通路219周围形成连续的唇部217，而防止黏接材料230暴露至处理环境。
尽管图2A中显示保护性结构216为源自夹盘主体210的唇部形式，但可使用任何适合的结构遮蔽黏接材料230。例如，图2B图静电夹盘200B的放大部分剖面视图，该静电夹盘200B具有保护性唇部228B形式的保护性结构，该保护性唇部228B由夹盘基座220向上延伸且该保护性唇部228B环绕夹盘主体210的外边缘216B。在显示于图2C中的静电夹盘200C中，夹盘基座220具有沟槽229，该沟槽229经配置以接收源自夹盘主体210的唇部215C。该沟槽229与唇部215C形成迷宫结构(maze)，以将黏接材料230与环绕静电夹盘200C的处理环境隔离。
根据本发明的实施例，可单独使用或相互结合使用诸如保护性密封物、保护性结构，或抗侵蚀填料之类的一或多种保护性元件，以防止黏接材料在处理环境中受到侵蚀。
根据本发明的实施例的静电夹盘可用于各种处理腔室中以在处理期间支撑基板，该处理腔室诸如为等离子体蚀刻腔室、化学气相沉积腔室、等离子体强化沉积腔室、原子层沉积腔室、离子注入腔室。
图3是等离子体处理腔室300的剖面侧视图，该等离子体处理腔室300中设置有静电夹盘100。该静电夹盘100可用于支撑各种基板(诸如半导体基板以及刻线(reticle))并且合适各种基板尺寸。或者，可在静电夹盘100的位置使用上述的任一静电夹盘。
等离子体处理腔室300包括底部322、侧壁326，与腔室盖343，该腔室盖343设置于侧壁326上方，而该底部322、侧壁326，与腔室盖343界定处理空间341。等离子体处理腔室300进一步包括设置在处理空间341中的衬垫323，该衬垫323防止侧壁326遭受来自处理化学条件及/或处理副产物的损害及污染。狭缝阀门开口335形成为穿过侧壁326以及衬垫323，以容许基板及基板输送机构通过。狭缝阀门324选择性开启与关闭狭缝阀门开口335。
静电夹盘100设置在处理空间341中。举升件327经配置以在处理及装载/卸载基板102期间相对于静电夹盘100抬升及降下举升销(图中未示)。静电夹盘100可耦接偏压电源321，以生成夹持力而将基板102固定在静电夹盘100上。
可由气源303经由入口344供应一或多种处理气体至处理空间341。真空泵330与处理空间341流体连通。真空泵330可用于泵抽处理空间341并且真空泵330可通过气室336维持低压环境。
等离子体处理腔室300包括天线组件370，该天线组件370设置在腔室盖343的外侧。天线组件370可通过匹配网路373耦接射频(RF)等离子体电源374。处理期间，天线组件370由电源374供给能量而具有RF功率，以点燃处理空间341内的处理气体的等离子体并且在处理基板102期间维持等离子体。
等离子体处理腔室300可用于各种等离子体工艺。一个实施例中，等离子体处理腔室300可用于执行具一或多种蚀刻剂的干蚀刻。例如，等离子体处理腔室300可用于点燃来自一前体的等离子体，该前体包括CxFy(其中x与y可以是不同的可被接受的组合)、O2、NF3，或前述前体的组合。本发明的实施例也可用于蚀刻铬(以用于光罩幕(photomask)的应用)、蚀刻硅基板中的轮廓(诸如深沟道，与直通硅穿孔(through silicon vias(TSV))，该硅基板具有设置在该基板上的氧化物与金属层。
尽管上文描述了由黏接材料接合的静电夹盘，但可在任何由黏接材料接合的复合结构中使用本发明的实施例，以保护黏接材料隔绝操作环境。例如，本发明的实施例可应用到具有两个或更多个由黏接材料接合的部件的气体分配喷头。
虽然前述内容涉及本发明的实施例，然而可不背离本发明基本范畴设计其他与进一步的本发明的实施例，且本发明的范畴由权利要求书所决定。

Claims (15)

1.一种在处理腔室中使用的设备，包含：
第一部件，具有第一表面；
第二部件，具有第二表面，其中所述第二表面面向所述第一部件的所述第一表面；
黏接材料，设置于所述第一表面与所述第二表面之间并且接合所述第一部件与所述第二部件；及
保护性密封物，用于防止所述黏接材料在所述处理腔室中的侵蚀，其中，所述保护性密封物设置成环绕所述黏接材料，并且所述保护性密封物包括弹性体。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述保护性密封物设置在凹部中，所述凹部形成于所述第一部件与所述第二部件之间的界面处。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述凹部由所述第一部件的所述第一表面以及阶状物所界定，所述阶状物形成于所述第二部件的所述第二表面上。
4.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述凹部由第一阶状物与第二阶状物所界定，所述第一阶状物形成在所述第一部件的所述第一表面上，而所述第二阶状物形成在所述第二部件的所述第二表面上。
5.一种在处理腔室中使用的设备，包含：
第一部件，具有第一表面；
第二部件，具有第二表面，其中所述第二表面面向所述第一部件的所述第一表面；及
黏接材料，设置于所述第一表面与所述第二表面之间并且接合所述第一部件与所述第二部件，其中，保护性结构从所述第一部件延伸而覆盖所述黏接材料并且所述保护性结构与所述第一部件成为一体。
6.一种在处理腔室中使用的设备，包含：
第一部件，具有第一表面；
第二部件，具有第二表面，其中所述第二表面面向所述第一部件的所述第一表面；及
黏接材料，设置于所述第一表面与所述第二表面之间并且接合所述第一部件与所述第二部件，其中所述黏接材料包含硅填料，以防止所述黏接材料在所述处理腔室中的侵蚀。
7.一种用于处理腔室的静电夹盘，包含：
夹盘主体，具有上表面及与所述上表面相对的下表面，所述上表面被配置以将基板支撑在所述上表面上；
夹盘基座，具有上表面，所述上表面面向所述夹盘主体的所述下表面；
黏接材料，将所述夹盘主体的所述下表面与所述夹盘基座的所述上表面接合；及
保护性密封物，经定位以防止所述黏接材料毫无阻碍地暴露至所述静电夹盘外的环境，其中，所述保护性密封物设置在所述夹盘主体的所述下表面与所述夹盘基座的所述上表面之间，所述保护性密封物环绕所述黏接材料，并且所述保护性密封物包括弹性体。
8.如权利要求7所述的静电夹盘，其特征在于，所述保护性密封物设置在凹部中，所述凹部形成于所述夹盘基座与所述夹盘主体之间。
9.如权利要求8所述的静电夹盘，其特征在于，所述凹部由所述夹盘主体的所述下表面与阶状物界定，所述阶状物形成于所述夹盘基座的所述上表面处。
10.如权利要求8所述的静电夹盘，其特征在于，所述凹部由所述夹盘基座的所述上表面以及阶状物所界定，所述阶状物形成于所述夹盘主体的所述下表面处。
11.如权利要求8所述的静电夹盘，其特征在于，所述凹部由第一阶状物与第二阶状物所界定，所述第一阶状物形成在所述夹盘主体的所述下表面上，而所述第二阶状物形成在所述夹盘基座的所述上表面上。
12.如权利要求7所述的静电夹盘，其特征在于，所述保护性密封物进一步包含三个或更多个保护性密封物，所述保护性密封物设置在多个举升销孔洞周围，所述举升销孔洞形成为穿过所述夹盘主体与所述夹盘基座。
13.一种用于处理腔室的静电夹盘，包含：
夹盘主体，具有上表面及与所述上表面相对的下表面，所述上表面被配置以将基板支撑在所述上表面上；
夹盘基座，具有上表面，所述上表面面向所述夹盘主体的所述下表面；
黏接材料，将所述夹盘主体的所述下表面与所述夹盘基座的所述上表面接合；
举升销通路，形成为穿过所述夹盘主体、所述夹盘基座、和所述黏接材料；及
保护性结构，经定位以防止所述黏接材料毫无阻碍地暴露至所述静电夹盘外的环境，其中，所述保护性结构形成在所述夹盘主体与所述夹盘基座的至少一者中，并且所述保护性结构形成在所述举升销通路周围而覆盖所述黏接材料。
14.如权利要求13所述的静电夹盘，其特征在于，所述保护性结构包含连续唇部，所述连续唇部从所述夹盘主体的所述下表面朝所述夹盘基座延伸并且所述连续唇部环绕所述黏接材料的边缘区域。
15.一种用于处理腔室的静电夹盘，包含：
夹盘主体，具有上表面及与所述上表面相对的下表面，所述上表面被配置以将基板支撑在所述上表面上；
夹盘基座，具有上表面，所述上表面面向所述夹盘主体的所述下表面；
黏接材料，将所述夹盘主体的所述下表面与所述夹盘基座的所述上表面接合；及
保护性元件，经定位以防止所述黏接材料毫无阻碍地暴露至所述静电夹盘外的环境，其中，所述黏接材料包含抗侵蚀填料。
CN201280072432.2A 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备 Active CN104247003B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710755993.7A CN107527854A (zh) 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261638908P 2012-04-26 2012-04-26
US61/638,908 2012-04-26
PCT/US2012/056617 WO2013162641A1 (en) 2012-04-26 2012-09-21 Methods and apparatus toward preventing esc bonding adhesive erosion

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710755993.7A Division CN107527854A (zh) 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104247003A CN104247003A (zh) 2014-12-24
CN104247003B true CN104247003B (zh) 2018-06-15

Family

ID=49477073

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280072432.2A Active CN104247003B (zh) 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备
CN201710755993.7A Pending CN107527854A (zh) 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710755993.7A Pending CN107527854A (zh) 2012-04-26 2012-09-21 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8982530B2 (zh)
JP (2) JP6180510B2 (zh)
KR (4) KR20170109690A (zh)
CN (2) CN104247003B (zh)
TW (1) TWI578436B (zh)
WO (1) WO2013162641A1 (zh)

Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
JP5985316B2 (ja) * 2012-09-07 2016-09-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
JP6140457B2 (ja) * 2013-01-21 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 接着方法、載置台及び基板処理装置
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
JP6400273B2 (ja) * 2013-03-11 2018-10-03 新光電気工業株式会社 静電チャック装置
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
KR102197189B1 (ko) * 2013-05-28 2020-12-31 주성엔지니어링(주) 기판 지지 장치
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) * 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
CN107258012B (zh) * 2015-03-20 2021-04-16 应用材料公司 以高温聚合物接合剂接合至金属基底的陶瓷静电夹盘
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
KR102540912B1 (ko) * 2015-08-27 2023-06-08 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10340171B2 (en) * 2016-05-18 2019-07-02 Lam Research Corporation Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10770270B2 (en) 2016-06-07 2020-09-08 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
JP6606017B2 (ja) * 2016-06-07 2019-11-13 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US20180005867A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Lam Research Corporation Esc ceramic sidewall modification for particle and metals performance enhancements
US20180019104A1 (en) * 2016-07-14 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber component assembly with plasma resistant seal
KR101758347B1 (ko) * 2016-08-01 2017-07-18 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 및 리페어 방법
JP6664298B2 (ja) * 2016-09-09 2020-03-13 株式会社バルカー シール材
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10943808B2 (en) 2016-11-25 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck having a V-shape seal band
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10910195B2 (en) 2017-01-05 2021-02-02 Lam Research Corporation Substrate support with improved process uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
WO2019231609A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-05 Applied Materials, Inc. Wet cleaning of electrostatic chuck
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
CN110875230B (zh) * 2018-08-29 2022-06-14 北京华卓精科科技股份有限公司 静电卡盘保护结构、灌胶装置以及灌胶工艺
CN110890305B (zh) * 2018-09-10 2022-06-14 北京华卓精科科技股份有限公司 静电卡盘
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
JP6700362B2 (ja) * 2018-09-28 2020-05-27 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP7203585B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN111863699B (zh) * 2019-04-28 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及工艺腔室
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
JP7339062B2 (ja) * 2019-08-09 2023-09-05 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP7281374B2 (ja) * 2019-09-09 2023-05-25 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
JP7353106B2 (ja) * 2019-09-09 2023-09-29 日本特殊陶業株式会社 保持装置
KR20210042588A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 엘지전자 주식회사 영상을 압축 또는 복원하기 위한 방법 및 장치
JP7445420B2 (ja) 2019-12-23 2024-03-07 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品
JP7308767B2 (ja) 2020-01-08 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 載置台およびプラズマ処理装置
CN115461856A (zh) 2020-04-29 2022-12-09 应用材料公司 用于均匀性改善的加热器盖板
KR102644585B1 (ko) 2020-08-21 2024-03-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 제조 방법
JP7425034B2 (ja) 2021-12-01 2024-01-30 三菱電線工業株式会社 保護リング、それを備えた接着面保護構造、及び接着面保護方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW483087B (en) * 1999-06-21 2002-04-11 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device, electrode structure thereof, and mounting base structure
CN1851896A (zh) * 2005-12-05 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种静电卡盘
US7651571B2 (en) * 2005-12-22 2010-01-26 Kyocera Corporation Susceptor
CN101645410A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 台湾积体电路制造股份有限公司 用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器
CN102097353A (zh) * 2005-07-19 2011-06-15 朗姆研究公司 保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11191534A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP2001308165A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ及びその製造方法
JP2003060019A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Hitachi Ltd ウエハステージ
JP3881908B2 (ja) * 2002-02-26 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4034145B2 (ja) * 2002-08-09 2008-01-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
JP4397271B2 (ja) * 2003-05-12 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP4458995B2 (ja) * 2004-09-10 2010-04-28 京セラ株式会社 ウェハ支持部材
JP2007110023A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板保持装置
JP4942471B2 (ja) * 2005-12-22 2012-05-30 京セラ株式会社 サセプタおよびこれを用いたウェハの処理方法
US7718029B2 (en) * 2006-08-01 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Self-passivating plasma resistant material for joining chamber components
JP5016510B2 (ja) * 2007-02-09 2012-09-05 日本碍子株式会社 半導体支持装置
JP4951536B2 (ja) * 2007-03-27 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
US7667944B2 (en) * 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
WO2009078923A2 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Lam Research Corporation Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus
US20100116788A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
US8313664B2 (en) * 2008-11-21 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW483087B (en) * 1999-06-21 2002-04-11 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device, electrode structure thereof, and mounting base structure
CN102097353A (zh) * 2005-07-19 2011-06-15 朗姆研究公司 保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法
CN1851896A (zh) * 2005-12-05 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种静电卡盘
US7651571B2 (en) * 2005-12-22 2010-01-26 Kyocera Corporation Susceptor
CN101645410A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 台湾积体电路制造股份有限公司 用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013162641A1 (en) 2013-10-31
US20130286530A1 (en) 2013-10-31
CN104247003A (zh) 2014-12-24
JP6180510B2 (ja) 2017-08-16
KR20150013627A (ko) 2015-02-05
JP2015515760A (ja) 2015-05-28
JP2017208562A (ja) 2017-11-24
CN107527854A (zh) 2017-12-29
KR20170109690A (ko) 2017-09-29
KR20220146554A (ko) 2022-11-01
TWI578436B (zh) 2017-04-11
US8982530B2 (en) 2015-03-17
US20150183187A1 (en) 2015-07-02
KR20190124348A (ko) 2019-11-04
TW201344837A (zh) 2013-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104247003B (zh) 针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备
TWI714547B (zh) 以高溫聚合物接合劑接合至金屬基底的陶瓷靜電夾盤
TWI786067B (zh) 具有v形密封帶的陶瓷靜電吸盤
TWI755817B (zh) 用於高溫製程之基板支撐組件
US11299805B2 (en) Plasma corrision resistive heater for high temperature processing
US10266943B2 (en) Plasma corrosion resistive heater for high temperature processing
KR101141488B1 (ko) 처리중의 기판이면(裏面) 증착 감소방법 및 장치
US10557202B2 (en) Method of processing a substrate support assembly
EP1898457A1 (en) Substrate support with a protective layer for plasma resistance
CN109155275B (zh) 具有增强边缘密封的用于高功率的工件载体
US11894255B2 (en) Sheath and temperature control of process kit
US11967516B2 (en) Substrate support for chucking of mask for deposition processes

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant