TW454378B - Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances - Google Patents

Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances Download PDF

Info

Publication number
TW454378B
TW454378B TW085116277A TW85116277A TW454378B TW 454378 B TW454378 B TW 454378B TW 085116277 A TW085116277 A TW 085116277A TW 85116277 A TW85116277 A TW 85116277A TW 454378 B TW454378 B TW 454378B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
acoustic wave
surface acoustic
interdigital
electrodes
Prior art date
Application number
TW085116277A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Ueda
Gou Endoh
Osamu Kawachi
Yoshiro Fujiwara
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15110271&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW454378(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW454378B publication Critical patent/TW454378B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2/00Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0038Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0042Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0061Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6436Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6459Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6459Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • H03H9/6463Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded
    • H03H9/6466Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded each track containing more than two transducers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489Compensation of undesirable effects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

4 5'4 3 A7_ ϋ Β7- 五、發明説明(1 ) 發明背帚 本發明大致關於表面聲波(SAV)元件且持別是關於 一具有改良帶通特性之SW裝置。進一步言之,本發明關 於一在SAW裝置之輸出人阻抗設定的設計方面具彈性的SAW 元件。 SAi?裝置廣泛應用於VHF或UHF頻帶小型無線電通訊裝 置中的濾波器或共振器,一典型的例子為MHz頻帶或GHz頻 帶可攜式電話裝置。 於此種高頻無線電通訊裝置中,所使用的SAW濾波器 或SAW共振器必須具有一寬的通帶及同時為一突然的偏離 頻帶衰減。再者,S0濾波器及共振器應能得到可與操作 電路配合的阻抗,該操作電路可以為一形成於使用SAW元 件之電子装置内的積髏電路。 第1 A及1 B圖顯示典型傳統式SAV濾波器的結構 參照第1 A圔,該SAW濾波器係一種所謂的雙模式裝 置,包括一對在一般SiU丨濾波器之壓電基髏ί上的反射器 10Α及10Β,其中該壓電基體可以為一 UTa〇3或UNb〇3之Υ 一 X切單晶板。再者,電極m 11 B及nc偽自前述反射 器10A至反射器連續地設於反射器1(^與反射器之間 於第1 A圖所述之洌子中’基體1傜以36 5 Y - XL i Ta 0 3的單晶板所形成’而於基® 1的x方向排成直線的反射 器10 A與10 B界定出受激於堅電基體1上之表面聲波元件的 —傳播路徑:各電極UA、1115及UC包括一主側叉指式電 -4 - 本紙張尺度適用中国國家標隼::CN.S ) A4規格(.二ϋ x 29..公釐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ΤΓ 經濟部中央標準局®c工消費合作社印製 454378 A7 B7 立、發明説明(2 ) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 極,諸如電極(11 A ) 1、( 11 B):或(11 C ) t及一次側電極,諸 如電極(UA.) 2、ί 11Β) 2或illC) 3,其中該主側電極及次側 電極偽配置以致於主側電極之電極指及對應次側電極之電 極指以値別、相互為相對的方向延伸,如一般叉指式電極 因而*主側電極之電極指及次側電極之電極指偽交替重 複於基體1上的X方向且與基體1上以X方向移動的表面 聲波路徑交錯,諸電極指的間距係由待形成之saw濾波器 之中央頻率以及以X方向移動於基體1上之表面聲波的磬 音速率所決定。以X方向視之,主侧電極之電極指及次側 電極之電極指彼此重疊一値W的重昼寬度。 於第1 A圖之结構中,電極1U的主側電極(11 i\) i傜 與電極11C之主側電極(C > i共同連接至一輪入端。另一 方面,次側電極(11A) 2及(11 C ) 3二者皆接地-_藉以,第1 A圖之S AW濾波器形成所謂的雙輸入單輸出式的元件。 此種結構的雙模SAW;慮波器使用一形成於前述具一頻 率f 1之反射器1〇(\與10B之間的第一级模表^聲波|以及亦 形成於具一頻率f 3之反射器10A與10B之間,其中該SAW濾 波器形成一如第2圖所示之通帶特性。第2圖顯示SAW濾 波器的衰減如頻率的函數:於第2圖中,吾人應注意的是 ,一通帶偽形成於前述第一级模的頻率f ^與第三级模的頼 率f 3之間·第1 B圖顯示受激於第1 A圖之結構中之表面 聲波的能量分佈。 一般而言,鑑於受激的表面聲波(見第1 B圖)之第 一级模及第三级模的對應對稱性形成大致對稱繞X軸的中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.. 本纸乐尺度適用中國固家揉準(CNS ) Λ4規洛UUVX297公釐) 4 5 4 3 7 8 A7 '** B7 五 '發明说明(3) 央的叉指式電極11A - 11C已被施行,故第一级模表面聲波 及第三级模表面磬波有效率地受激。因此,設定一指示出 藉叉指式電極11A中的主側電極指及次側電極指所形成的 電極指對之數目的數字h,等於一指示出於叉指式電極11C 中的主倒電極指及次側電極指所形成的電極指對之數目的 數字N 3 ( N 1 = N 3 >業已施行-- 然而,第2圖清楚地指出不同的假峰存在於由頻率h 與f 3所界定之通帶外部的SAW裝置:此種假峰之存在的結 果,吾人應注意的是 > 通帶外之表面聲波衰減的銳利度被 不必要地減小,特別於1550MHz與1600MHz之間的頻率範圍 内,應注意的是,SM濾波器或共振器的衰減應為平坦且 最小地於通帶之内,且突然地增加於通帶之外3為使濾波 器的選擇性最大化,必須使通帶的外部的衰減最大化。 於第1 A圖的傳统式SAW濾波器中,所有叉指式電極 11 A、U B及11 C具有相同的電極指的重昼寛度W。因而, 經濟部中央標率局負工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) SAW濾波器的輸入及輸出阻抗由電極Π A _ 1 Λ中之電極指 對的數目所決定。一般而言,應注意的是SAU濾波器的輸 入及輸出阻抗係與電極指對N i與Μ 3及11 A - 11C的重昼W成 反比。當傳統式SAW装置中的電極指對的數目N i及N 3設定 彼此相等且重疊寛度W為不變時,欲濁立地設定所需之輸 入阻抗及輸出阻抗乃困難的。因此,傳統的SAW裝置無法 符合能夠彈性地設定輸人及輸出阻抗的要4,而此種能彈 性地設定输入及輸出阻抗的要求對於近來諸如可攜式或行 動電話装置的GHz應用的小型無線電裝置而言尤為敏銳- -()- 尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 45 43 7 8 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印敦 A7 B7五 '發明説明(4) 薛明槪沭 因此,本發明的一大致目的在於提供一新穎且有用之 Μ除前述問題的SAW裝置。 本發明的另一持別目的在提供一能有效將抑制假峰於 通帶外部且同時提供通帶外部之突然衰減的S/W装置。 本發明的另一目的在於提供能獨立且彈性地設定輸入 阻抗及輸出阻抗的SAW装置。 本發明的另一目的在提供一 SAtf裝置,包含: 一壓電基體; _ 共同形成於該堅電基IS上的至少第一及第一SAW裝置 ,其各沿著於該壓電基體上之表面聲波的預定傳播路徑形 成; 各該第一及第二SM元件包括多數沿該表面磬波之該 預定傳播路徑配置之叉指式電極; 各該多數叉指式電極包括一主側電極,其僳依序包括 多數以跨該傳播路徑的第一方向延仲的相互> 行電極指及 多數以一跨該傳播路徑之第二、相對方向延伸之相互平行 電極指的一次倒電極; 該主側電極之該等電極指及該次側電極之該等電極指 偽配置於各該第一及第二SAW装置中之各該叉指式電極中 ,交替地沿該傳播路徑以便當以該傳播路徑的方向視之時 ,與一預定的重疊寬度重疊; 該重疊寬度具有一第一值共同於形成該第一 SAW元件 之多數叉指式電極及一第二、不同的值共同於形成該苐一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 农纸張尺度適用中國國家標隼(CNS Λ4規格(210X::9·;公釐) 經濟部中央榡隼局貝Η消費合作社印製 4 5 4 3 7 8 A7 B7 五、發明説明(5) ( SAW装置之多數叉指式電極; 該第一 SAW裝置藉將包括於該第一 SAW裝置之叉指式電 極的次側電極連接至包括於該第二s A卩装置之叉指式電極 的主側電極而串接至該第二SAW裝置。 本發明之另一目的在於提供一 SAW裝置,包含: 一壓電基體; 沿受激於該壓電基體上之表面磬波傳播路徑設於該壓 電基體上之第一及第二反射器;以及 多數連續地自該第一反射器至該第二反射器配置於該 壓電基蘑之叉指式電極; 各該多數叉指式電極包括一主側電極及一次側電極, 該主側電極包括多數以一跨該表面S波之該傳播路徑之第 一方向延伸之相互平行的電極 > 該次側電極包括多數以一 跨該表面聲波之該傳播路徑之第二、相對方向延伸之相互 平行的電極,該主側電極之該等電極指及該次側電極之該 等電極指配置於各該多數叉指式電極内,交*替地沿該傳播 路徑且當以一該表面聲波之傳播路徑的方向視之時,與一 預定的重叠寛度重叠; 該多數叉指式電極藉將一叉指式電極之一次側電極連 接至另—叉指式電極之一次側電極而串接:. 根據本發明,設定所欲之SAW裝置的輸入及輸出阻抗 ί系可能的’乃Μ適當地設定第一sA 元件與第二s AW元件中 之電棰指或者第一叉指式霣播與串接至該之第一叉指式電 極之第二叉指式電極中的重疊,而毋需改變諸叉指式電極 -8 - 本太張尺度適用中關家標準(CNS) Λ4規格(加公慶) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -* 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 4 5 4 3 7 8 A7 B7________ 五 '發明説明(6) 的間距。當諸叉指式電極的間距没有改變時,SAW濾波器 的頻率特性卽不受影,且於本發明中根據電路設計的要 求僅有輸入及輸出阻抗獨立且任意地設定。 此一任意設定输入及輸出阻抗的结果,數画此等SAW 濾波器可成功地串接,造成通帶外部假峰绖改良的抑制 換言之,可獲得一具有一非常銳利選擇性的SAWS濾波器 。再者,藉串接數個SAW濾波器以形成一SA'rf濾波器總成, 可以設定SAW濾波器總成之輸入阻抗及輸出阻抗之間的比 為一非常大的值,而此值無法由一單级SW濾波器獲得。 本發明之另一目的在於提供一SAW裝置,包含: 一支撑一壓電基體於上面的封裝體; 至少一形成於該壓電基體上的SAW裝置; 該SAW元件包括多數沿該壓電基體上一表面聲波之 傳播路徑配置的叉指式電極,各該叉指式電極包括一輸人 側叉指式電極及一輸出側叉指式電極; 該輸入側叉指式電極連接至一設於該封#裝體上的第一 接地墊; 該輸出側叉指式電極連接至一設於該封裝IS上的第二 、不同的接地塾。 根據本發明,輸入側叉指式電極之接地電極與輸出俱lj 叉指式電極之接地電極之間的千擾成功地予以排除,且SAW 装置的通帶待性受到實質上的改良: 本發明之另一目的在於提洪一雙模SAW裝置,包含: 一壓電基體; 本纸張尺度適用令國國家榇準(CNS ) 規格(;:!〇>; 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
'1T 54378 · ' ^ A7 ____87_ 五、發明説明(7 ) 沿該壓電基證上一表面聲波傳播路徑置於該壓電基體 上之第一及第二反射器; 連續地自該第一反射器至該第二反射器設於該壓電基 疆上之第一 ' 第二及第三叉指式電極; 各該第一至第三叉指式電極分別包括電極指對的第一 至第三數目; 其中該第一叉指式電極之電極指對的第一數目與該第 三叉指式電極之電極指對的第三數目不同 根據本發明,於SAW装置之傳播方向的SAW装置之結構 中的對稱性乃有意藉由將電極指對的第一及第三數目不同 地設定而失去因而.第一反射器所反射的表面聲波及第 二反射器所反射的表面聲波彼此抵消 > 且與受反射之表 面聲波裝置結合的此一千擾假峰成功地消除, 本發明的其它及進一步目的於閲讀以下詳細說明時由 連同所附圖式將變得明瞭。 圖忒簡沐 # 第1 A及1 B圔偽分別顯示一傳統式雙模SAW濾波器 的結構及操作原理圖; 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖傜一顯示第ί A及1 B圖之S/W濾波器之理論 的頻率持性; 第3圖偽一顯示根據本發明第一實施例之SAW濾波器 結溝的圖; 第4圖偽一顯示第3圖之S A W濾波器的理論頻率持性 相較於第1 A及1 B圖之S.U'液波器的對應理論頻率持性 _______- 10 -__ 本纸張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 454378 A7 _:_____B7 五、發明説明(δ ) 的圖; 弟5圖係一顯示受觀察之第3圖之SAW濾波器的頻率 特性圖; 第6圖偽一頭不支觀察之第1 a及1 b圖之$ A w濾波 器的頻率持性圖; 第7圖係一顯示根據本發明第二實掩洌之濾波器 的結搆圔; 第8圖條一顯示第7圖之sm濾波器的變更的圖; 第9圖傜一顯示第7圔之SAW濾波器的另一變更的圖 t 第10圔傜顯示第9圔之SAW濾波器的頻率持性的圖; 第11圖傜一顯示根據本發明第三實施例之SAW濾波器 的結構圖; 第12圖傜一顯示根據本發明第四實施例之SAW濾波器 的結構圖; 第13圖偽一顯示第12圖之SAW濾波器頻^持性的圖; 第14圖偽一顯示包括一金屬蓋之第12圖於一分解狀態 的SAW濾波器結構圖; 第15圖係一顯示第14圖之SAW濾波器頻率持性的圖; 第16圖傜一顯示根據本發明第六實施例之SAW濾波器 的結構圖; 第17圖偽一顯示根據本發明第t實施洌之SAW濾波器 的結構圖; 第18圖偽一領示第17圖之S Α ',ι丨濾波器的一變更的圖; ______- 11 -___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(21 〇 X 2M公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 543 7 8 A7 B7 五、發明説明ΐ 9 ) 第19圖傜一顯示第17圖之SAW濾波器的另一變更的圖 第20圔係一顏示第17圖之Sf\W^波器的又一變更的圖 〇 龄丨主啻旆例之詳沭 C第一實施例] 首先,本發明之原理將參照第3圖而予於說明,第 3圖顯示根據本發明一較佳實施例之SAW濾波器11,其中 該等對應前述之部件的部件由相同的參考標號所代表且其 描述將予以省略。 参照第3圖,S AW濾波器11具有一類似第1 A圖之傳 統式SAW濾波器的雙模結構,除了叉指式電極1U之電極指 對的數字H i及叉指式電極11 C之電極指對的數字N 3,以及 叉指式電極11 B之電極指對的數字N 2煤彼此互相改變的(N: 关N 3关N 2 )。
經濟部中央標準局負工消費合作社印I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖顯示第3圖之S AW濾波器11的一 li算、理論賴 率待性,其中第4圖之連續線指示傳統情形的結果,其中 電極指對的數字N t、Ν Ε及Ν 3分別傜設定成20、40及20。吾 人應注意的是此情形中保持N t = Ν 3的關傜。再者,第4圖 的斷續線指示此一倩形的結果,其中電極指對的數目Μ ί、 N S及Ν 3分别設定為25、35及45 ·-於此情況中,保持ίί t # Μ ζ 关Ν 3的關偽:第4圖中的虛線指示一種情況的结果,即電 極指對的數子N i、Ν 2及L分別設定為20、40及30。於此情 形中,亦保持N ! ^ N 2 = N 3的!I偽: _ - 12 - 本紙乐尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 4 5,4 3 7 8 經濟部申央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ^ 五、發明説明(10) 於第4圖的計算中,應再被注意的是;基11 1 & @ & 為36。Υ- X LiTaiL·的單晶板,且此情況所作的計算中’ 基體1上的叉指式電極偽由具一對應於受激於基M 1 i = 表面聲波的8%波長之厚度A1所形成3 依包括SAW濾波器11的頻率特性的此一理論計算的研 究過程中,本發明之發明人業已發現,如第4圖所指’當 叉指電極1 U及11C的電極指對數字設定為繞中心叉指式電 極i丨B之不對稱的(N i矣N 3)時,通帶外部的假峰頴著且 實質地減少。雖然此種抑制假峰的原因並不全然為人所瞭 解,吾人應知的是,此種SAW濾波器11之對稱結構有助於 由叉指式電極ΠΑ之表面聲波的抵消,且回到在反射器10A 反射後的叉指式電極11B及由叉指式電極11C激勵的表面聲 波以及回到在反射器10B反射後的叉指式電極11B。 第5圓顯示實際受觀察之第3圖之SW濾波器1丨的頻 . 率特性,其中,一42" Y-XLiTa〇3單晶板偽甩於壓電基體 1且Ni、心及I之電極指對的數字偽分別設#定為20、40及 30 (Ni:Na:N3 = 20:40:30)。於第5圖中,亦應注意 的是,叉指式電極11A — Π C偽以一具對應於受激於基體1 上之表面聲ί皮的6 %波長之厚度的A1所形成 另一方面,第6圖顯示一實際受觀察之第1A圖之傳 統式SAW濾波器的頻率持性,其中一 42 3 Y — XU TaO 3單晶 板偽類似地應用於第5圖之情形的壓電基藶1,且電極指 對的數字N tN 2及N 3傷分別設定為21'35及21〇丨1:1^:+ N 3 = 21 : 3 5 : 21).叉指式電極11 A - 11C偽以類似於第 1 η 本紙張尺度適用中國國家標窣(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 經济部中央橾準局員X消費合作.社印製 4 5 43 7 8 Α7 ' Β7 五、發明説明(n) 5圖之例子之一具對應於受激於基髏1上之表面磬波的6 %波長的厚度fU所形成。 參照第5及6圖,吾人應注意的是,顯現於第6圖之 特性中之通帶的低頻側的佔慶勢假峰於第5圖中之待性中 實質地被減少。進一步言之,顯現於通帶之高頻側的假峰 實質地被減少。 應注意的是,本實施例之SAW濾波器11傺設計用於一 GHz頻帶中。於一使用於此種超高頻帶的SAW濾波器中*應 注意的是,受激於壓電基體1上之叉指式電極的厚度不再 相對該受激的SAW之波長受忽略 > 且電極之一增加的質量 效腠顯得顯箸。此一增加的質量效應使LiTaOa或LiTafh 單晶基體第最佳切角移至一高角倒。於L i Ta〇3基體的情況 中,最佳切角變成40° Y - 44° Y ,其偽實質上較高於傳 統上所使用之36 ° Y的最佳切角:.於L i TaCh基體的例子中 *當考量電極的增加質量效應時,最佳切角乃落於66 Y 與743 Y的範圍内。 . # 於SAW濾波器11中,吾人應注意的是,當叉指式電極 11A - 11C的厚度在受激之SAW的5 — 10%波長的範圍内時 增加的質量效應特別.顯箸,假設L i TaO 3傜用於基體1及 電極11A — llCfe以A1或A1合金形成:另一方面,當LiTaCh 用於基體i時,該增加的質量效應於叉指式電極1U _ 11C 的厚度落於該受激表面聲波之4 一 12%波長的範圍内時1 現顯箸。於此例子中,叉指式電極Π A - UC亦假設使用A I 或Α ί合金: ---------- ~ 14 -_ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4現格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4543 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明説明(12) 〔第二實施例〕 其次,根據本發明第二實施例之SAW濾波器電路裝置 將参照第7圖予以描述,其中相同的參考檫號代表該等前 述之部件且其描述將予以省略: 參照第7圖,本發明之SAW濾波器電路裝置傜建構於 42。Y - XL [Ta〇3單晶板的基體1上,且除了 SAW濾波器11 ,尚包括另一SAW濾波器20,SAW濾波器20包括在相同基體 1上X方向對齊排列的反射器20 A及20B,其中SAW濾波器 20更包括連績從反射器20A至反射器20B配置的叉指式電極 2U、21B及21C。同前,SAV濾波器11包括反射器10A及10B 以及叉指式電極Π A _ 11C,其等配置於相同、共用的基體 1上 於第7圖之結構中,應予以注意,構成叉指式電極11 B 一部分的次側電極(11B) i偽連接至一對應的叉指式電極21B 的主側電極(21B)2。因而,SAW濾波器11與SAW濾波器21串 接。於各SAW濾波器11及21中,同第一實施确,維持前述 的H i乒Η 2关Η :!關偽。然而,本實施例亦包括未必保持前述 關傜的例子: 於第7圔的實施例中,應注意,分別為叉指式電極11A 及lie的各主側電極(1IA) i及(lie) 共同連接至一 _入 電極塾。又復,叉指式電極11A及Π C的次側電極(n A) 2及 (lie.) 2以及叉指式.電極11Β的主側電極(11Β) “集接地的。 藉以,SAW濾波器11形成一所謂的雙輸入單輸出型的濾波 器。另一方面,分別為叉指式電極2 1 A及2 1C的次脚電極 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) n ^^1 ^^1 —I! 111 --- ^^1 n 少 u HI ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 » -.-- 1 ί - . n n (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) A7 B7 4 5 4 3 7 8 五、發明説明(!3 ) (21A) 3及(2 1C) 2傺共同連接至SAW濾波器21中的輸出電極 塾。進一步言之,分別為叉指式電極21A及21C的主側電極 (21 A) 1及(2 1C h以及叉指式電極2 1B的次側電極(21 B) 3傜 接地。藉以,SAW濾波器21形成一單輸入雙輸出型的濾波 器, 於第7圖之實施例中’向SAW濾波器11之表面聲波的 移動方向看去時,S AV濾波器11内的電極指彼此相互重疊 一重疊寬度L。同理’向SAW濾波器21之表面聲彼的移動 方向視之時,SAy濾波器21内之諸電極指彼此t目互重叠一 重叠寛度w2,其中SAW濾波器11及21經形成以便SAW濾波器 21的重疊寛度w2有別於s/\y濾波器11的重疊寬度wi。藉以 ,SAW濾波器電路裝置整體顯示一等於SAW濾波器11的輸入 阻抗的輸入阻抗及一等於SA«濾波器21之輸出阻抗的輸出 阻抗*其中,SAW濾波器11的輸人阻抗取決於前述的重疊 寬度W t,而SA«濾波器21的输出阻抗取決於重疊寛度W2, 因此,藉獨立地設定重疊寬度h及W z,可以1蜀立地如所需 地設計出SAW濾波器電路裝置的輸入阻抗及輸出阻抗。 第8圖顯示第7圖之SAW濾波器電路裝置的變更,其 中相同的參者檫號代表前述的該等部件而説明將予以省略 參照第8圖,應予以注意,叉指式電極11 B的主測電 極(11B .) i傺逋接至一輸入電極墊而-大側電極(π B ) 2則接地 。另一方面,叉指式電極11A及11C的主側電極(11A) i及 Π 1C) i傜接地,旦.叉指式電極11A及11C的次倒電極(1 u) 2 本紙張尺度適用中國囷家標準(CMS ) A4说格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 454378 經濟部中央揉率局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(I4) 及(11〇2係分別接連至叉指式電極21A的主側電極(21Ah 及叉指式電極21C的主侧電極(21C) i。因而’第8圖之實 施例的SAW濾波器11具有一單輸入雙輸出結構。 另一方面,於SAW濾波器21中,叉指式電極21A及21C 的次側電極(21&)2及(21〇2接地,且在叉指式電極21B的 次側電極(21B ) 2得到輸出。職是,SAW濾波器21具有一雙 輸入單輸出结構。 於第8圖之SAW濾波器装置中,可能依所需設定SAW濾 波器電路裝置的輸入及輸出阻抗,其乃藉獨立地設定SAW 濾波器11及SAW濾波器21内的重疊寬度Vi及重叠寛度y s : 第9圖顏示第7圖之S /W濾波器電路裝置的又一變更 ,其中相同的參考標號代表該等前述部件而說明將予以省 略 參見第9圖,SAW濾波器11具有一類似第7圖之實施 例的單輸入雙輸出結溝'_=又ί复,SAW濾波器2 1具有一類似 第7圖之實施例的雙輸入單輸出结構。故,^指式電極 Π A及11C的主側電極(11A) !及(11C) !偽共冏連接至叉指式 電極1U及11C的次側電極Π1Α) 2及ΠΙΟ 2以及叉指式電極 118之主側電極(118)1傷接地·:.
於SAW濾波器21中,叉指式電極2U及21C之主側電極 (21(\,)1係共同連接至叉指式電極1丨8的次側電極(.118)2· 且次側電極(21A)2及(21〇2則接地。再者,叉指式電極21B 的次側電極(2 1 B) 2傜連接至一輸出電極墊。換言之,第9 圔之結構於一串接的連接中包括有二値單輸入雙輸出SAV ______- 17 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 战 454378 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(15) 濾波器11及21, 於第9圔之SAW濾波器電路裝置11中,應注意SM濾波 器Η及21經串接以便於SAW濾波器11的输出側與SAW濾波器 21的输入側之間建立一阻抗匹配,用以使此種串接連接所 産生的損失減至最小。 更精確而言,為人所知的是,於SAW濾波器11與SAW濾 波器21之間具有一大致為 Z 1 ·' Z 2 — Z 3 : Z 4 的關傜,其中Z i及Z 2分別代表S AW濾波器11的输入阻抗及 輸出阻抗,Z3及^分別代表SAW濾波器21的輸入阻抗及輸 出阻抗。 本實施例藉適當地設定重叠寬度W 1及W 2,實現S A W濾 波器11與2 I之間的阻抗匹配如一條件 Ζ ε = Z 3 所表示: 結果,阻抗z t、Ζ 2、Ζ 3及Ζ 4之間保持如下之一種關係 ^ 3 = z 3 = ( Ζ 1 - Z 4 ) 於第9圖之SAW濾波器電路裝置中,SAWlf波器1〗的重 疊寛度Wi設定為60五_’而SAW SI波器21的重晶寛度彳定 為35i_,其中代表受激於壓電基體1上之表面聲波的(皮 長,且於本例中具有一约4.3 ϋ 51值。復又,於第9圖中之 SAW濾波器裝置中的SAW濾波器11與21之間具有以下關热: N 1 :卩 2 : N :! = 1E3 : 2 1 : 15 -13 -______ 本纸乐尺度速用t國國家標準(CNS ) A4规格(210x297公I ) f请先Ε請背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 4 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 5 4 3 7 8 A7 _B7____五、發明説明(16) 於例中,SAW濾波器Η具有一50ίϊ$ή入阻抗,其中SAW 濾波器11之此一輸入阻抗值提供第9圖之串接的SAW濾波 器電路装置的輸入阻抗。再者,如此建構之SAW濾波器21 因而具有一 15〇β的輸出阻抗,其中SAW濾波器2 1之此一输 出阻抗提供串接的SAW濾波器電路裝置的_出阻抗。 於第9圖之SAW濾波器電路裝置中,於串接的SAW濾波 器11與21之間存在一阻抗匹配,可以進一步增加串接的级 數,是故SAW濾波器電路装置的輸出阻抗變得遠大於或非 常小於相同SAW濾波器電路装置的輸入胆抗。 再者,吾人應注意,此種可包括許多串接之濾波 器之串接的SAW濾波器電路装置對於抑制假峰於通帶外部 及改善濾波器之選擇性方面係絶對有效的 第10圖頴示第9圖之串接SAWif波器電路裝置的通帶 特性,於該例中,輸入側的.终端為一 5 0 電阻,而輸出 側的:终端為一 15 0 電阻 參見第ίο圖,可瞭解到藉如此方式串接濾波器11 及21,通帶外部的假峰可有效地抑制。換言之,第10圖清 楚地指示出類似於第一實施例之S A W濾波器所達到的效果 ,本實施例亦可逵到此抑制假峰的功效" 〔第三實施例〕 第11圖顯示根據本發明第三實施例之一 SAW據波器的 結構,其中相同的參考標號代表前述之該等部件’而説明 將予以省略。 於本發明中,單一 S AW瀘波器的輸入阻抗及輸出阻抗 _~ 19 -____ 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐〉 (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 454378 _:__B7_____ 五、發明説明(17 ) 經過改變。 参見第11圖,應注意,叉指式電極11B的主側電極(11 B ) i連接至第一輸入電極墊,而叉指式電極11 B的次側電極 (UB) 2連接至一第二輸入電極墊3因而,第11圖之SAW濾 波器於不同的輸入信號分別施加於前述主側電極U 1B) t及 次侧電極Π 1B) 2畤,作為一差動濾波器裝置,或者,電極 (11B) 2可接地。 於第11圖之s A W濾波器中I次侧電極(11 A) 2及次倒電 極ί 11C ) 2傺彼此相互連接,且叉指式電極11 A之主側電極 (11A ) t連接至一第二輸出端。藉以,叉指式電極11 A及叉 指式電極Π C串接。電極(11 A ) i及電極(11C) i可以接地。 於第11圖之結構中,應注意,叉指式電極11A - 11C具 有電極指的一共用重疊寬度W。即使於此一结構中· SAW濾 波器整髏輸出阻抗係由一値叉指式電極11A之輸出阻抗Z ^ 及叉指式電極11C之輸出阻抗的和提供。換言之,第11圖 之架溝允許SAW濾波器整體的輸出阻抗轉用爲輸入阻抗, 雖然與先前的實施例比較起來,此一調整的自由度多少受 到限制。於第11圖之SAW濾波器中,輸入阻抗由叉指式電 極11B的輸入阻抗Z2提供。 〔第四實施例] 第12圖顔示根據包括一封装之本發明第四實施例之S 濾波器的結構,其中相同的參考11號代表該等前述部件而 說明則予以省醅。
参見第12圖,壓電基體1上承載有一類似第7圖之SA 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210乂 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線. 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 4543.7 8 : A7 _B7__ 五、發明説明(18 ) W濾波器的SAW濾波器,壓電基體1保持於陶磁封裝體100 上,其中封裝體1〇〇於至少一第一側上承載有接地電極塾 101及103以及輸入電極墊102,以致接地電極101及103位 於輸入電極塾102的二橫向端。同理,封裝體於一第二 、相對側上承載接地電極墊104及106以及輸出電極105, 以致接地電極104及106位於輸出電極墊105的二橫向端。 於第12_之结構中,對應於第7画之電極(ΠΑ)2的叉 指式電極11Α的接地電極藉一 A1接線107連接至封裝體100 的接地電極墊101。又,對應於第7圖之電極(UC)2的叉 指式電極11C的接地電極藉另一 A1接線107連接至封裝體100 上的接地電極103。同理,對應於第7圖之電極(llBhS 叉指式電極11B的接地電極仍藉一 A1接線107連接至前述接 地電極103。再者,對應於之電極(11纟)1及(11C.W之叉指 式電極Π A及11C的輸出電極藉由個別的A 1接線107共同連 接至接地電極墊101與接地電極墊103之間的輸人電極塾10 2 ° # 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
於同樣形成於相同的壓電基體1上的濾波器21中,應 注意|對應於第7圖之電極(21 Ah之叉指式電極21A的接 地電極藉另一條A1接線107連接至封装體上100之接地電極 墊104。再者,對應於第7圔之電極(21C) 2之叉指式電極 21C的接地電極藉另一筷Μ接線107連接至封裝體上100之 接地電極塾103。又,對應於第7圖之電極(21Β) 2之叉指 式電極21Β的接地電極藉另一筷A 1接線107連接至接地電極 塾104。又,對應於電極(21 A) 2及(21C) 2之叉指式電極21 A _- 21 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 454378 A7 B7 -. __ —— 五、發明説明(19 ) 及21C的輸出電極藉由另一 A 1接線107共同連接至設於前述 接地電極墊104與接地電極塾1〇6之間的輸入電極墊105。 而且,SAW濾波器11及SAW濾波器21傜藉將叉指式電極11B 之次側電極(11β)2連接至叉指式電極21B之主側電極(21BU 而達串接。 一般而言,設於陶磁封裝體上之電極或多或少形成與 彼此耦合的電容,而本發明即藉配置輸人側接地電極墊101 及103於封裝體100之第一端上,以及輸出側接地電極塾104 及106於封裝體100之第二、相對端上,以避免種種與此種 電極之電容耦合相關的問題。藉如此方式配置接地電極, 可能避免輸入側接地電極墊與輸出側接地電極塾間的干擾 ,且SM濾波器整體的選擇性獲得改善。於第12圔之結構 中,仍應注意到接地電極墊101與103乃呈分離的,且接地 電極墊104與106呈分離的,用以更進一步抑制干擾。 第13圖顔示第12圖之SAW濾波器之通帶待性,於此例 中,SAW濾波器11及21二者皆置於輸入側’ i輸入側設有 接地電極墊101及103且輸出側設有接地電極塾104及106。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參見第13圖,其顯示持性曲線A及B ’特性曲線B代 表第12圖之SAW濾波器的通帶持性,而持性曲線A代表第12 圖之SAW濾波器的通帶待性,於此例中,叉指式電極11A及 11C之次側電極(1U) 2及(11C) 2分別連接至接地電極101及 104且藉®別的A1接線再連接至接地電極及106。同 理,見特性曲線A,叉指式電極2 1 A及21C之次側電極(21 A ) 2 及(21C) 2分別連接至接地電極101及10 4且藉丨固別的A 1接線 -22 - 本纸伕尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 〇 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 454378 A7 B7 五、發明説明(20 ) 107再連接至接地電極1〇3及106。 由第13圖可清楚看出,特性曲線A為SAW濾波器之通 帶外之假峰的壓抑遭受惡化’此亦指出提供特性曲線B之 第12圖之結構的有效。 〔第五實施例〕 一 SAW濾波器偽大致以封裝的形式使用’其中該濾波 器收纳於一封装體内。因而’ SAW濾波器的封裝亦需要一 改良,持別是關於使用於封裝内用以保護收納於封裝髏内 之SAW裝置的金屬保護蓋。 第14圖親示有關此種封裝之改良之本發明的第五實施 例,其中第14圖顯示收納第12圖之SAW濾波器的封装於一 分解的狀態。於第14圖中,相同的參考標號代表前述該等 部件而説明則予以省略。 參見第14圖,該封裝包括一對應於第12圖之封裝體100 的封裝體,其中封裝體100依序以一底100A及一設於底100A 之保持件100B形成,其中保持件100B係以一""用以收納一可 以具有一第12圖之結構之SAW濾波器的中心開口。再者, 該SAW封裝包括一設於前述封裝體100上之襯墊構件110, 及一金屬蓋偽設於襯墊構件110上俥設於封裝體100上用以 保護收納於封裝體100内之SAW濾波器。 吾人應瞭解,封裝體100之底100A傜以四値角落的削 角表面100At、lOOAs、100A]及100A4所形成,且接地電極 100G傜形成於如第14圖所示之頂表面上,其中接地電極100G 以電極引線100G a及100G b形式向側緣的方向延伸。此外, --------~ 23 ~ _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) μ規格(210'x 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 这! 45 43 7 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(21 ) 電極lOOga及lOOgb分別從電極引線lOOGa及lOOGd向一向下 的方向延伸於底1006的側壁。同理,電極引線10(^(;及1000〇1 從接地電極100G朝向底100A的輸入側緣延伸,而第14圖未 顯示之電極l〇〇gc及lOOgd分別從電極lOOGc及100gD向類似 於電極引線lOOga及lOOgb的向下方向延伸於底100A的側壁 上。 底100A上承載SAW濾波器之壓電基體1,且保持件100B 傜安裝於底100A上,以致於底100A上之SAW濾波器傜收納 於在保持件100B内形成之中央開口内。因此,壓電基體1 藉保持件100B的中央開口黏箸於外露的接地電極100G的一 部分。 保持件100B偽以在四個角落分別對應於削角100Ai — 100A4之的削角表面lOOBi— 100B4形成,且電極墊101 — 10 3傜沿第1 4圖所示之輸入側緣形成於保持件1 00B之頂表面 上。同理,電極Μ 104— 106傜沿一輸出側緣形成於保持件 100Β之頂表面上。 # 此外,電極引線104a、105a及106a分別以向下的方向 從電極104 — 106延伸於保持件100B的側壁,其中電極引線 104a偽連接至底100A之側壁上的電極引線lOOga。同理, 電極引線106a傺連接至電極lOOgb,且電極引線105a傜連 接至設於電極引線l〇〇ga與lOOgb之間的底100A的側壁上。 類似的電極引線亦對應電極墊101 - 103形成於保持件100B 的輸入側上。 襯墊構件110具有一環形形式且外露電極墊101 — 106 本紙張尺度適用中國國家榇準(CMS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 45 43 7 8 A7 t B7 五、發明説明(22) 的一部分以及壓電基體1的一部分,其中可由第14圖注意 到襯塾構件110包括分別對應於保持件100B之削角表面lOOBi —100B4的削角表面110: — 11〇4。襯墊構件100上承載一接 地電極Π0Α,且一金屬蓋120硬焊於接地電極110A上因而 形成於襯塾構件110上。 吾人應注意接地電極110 Α包括一以向下方向延伸於削 角表面ll(h的接地引線,其中將襯墊構件110安裝於保持 件100B上時,該接地引線傜連接至從保持件100B上之接地 電極塾104自削角表面10081延伸的一對應接地引線104a ’ 。換言之,金屬蓋120傜僅連接至接地電極墊104而非其它 的接地電極墊101、103或106。藉以此種方式建構封装結 構,可以避免參照第13圖説明之接地電極塾之干擾所造成 之SAW濾波器通帶待性的惡化問題。 第15圖顯示第14圖之SAW濾波器的通帶持性。 參見第15圖,其顯示持性曲線A及B,可知特性曲線 * B指示出第14圖之SAW濾波器的通帶特性,而特性曲線A 顯示SAW濾波器之通帶特性,其中金屬蓋120於第14圖结構 中的所有四個角落接地。 可清楚地由第14圖得知,通帶外之假準位實質上增加 ,相較於第14圔中金屬蓋120僅於其中一値角落接地的例 子,於此例中之金屬蓋120則於所有的四痼角落接地。第 15圖的結果清楚地頴示出,透過金屬蓋120作用之不同接 的地電極墊之間有干擾的存在。 〔第六實施例〕 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(2丨0;<297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-·° 454378 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(23 ) 第16圖顯示根據包括該封裝體之本發明的第六實施例 ,其中第16圖之SAW濾波器為第12圖之SAW濾波器的一種變 更。由是,對應於第12圖之第16圖之SAW濾波器的部件由 相同的參考標號所標示且說明將予以省略。 參見第16圖,固持於封装體100内的壓電基體1上僅 承載SAW濾波器11或21。因而,輸出側的叉指式電極11A及 11C傺分別於輸出側電極墊1〇4及106處接地。此外,輸入 側之叉指式電極11B#於輸入側接地電極塾101處接地。於 ^第16圖之SAW濾波器中,可知一輸入信號亦傺加至接地電 極塾101。因而第16画之SAW濾波器的操作如一差動式濾波 器。 同樣於SAW濾波器14中,輸入側接地墊與輸出側接地 墊透過電容耦合的交互作用成功且有效地予以消除’且得 到類似第12圖所示之絶佳的通帶特性。 〔第七實施例] 第17圔顯示根據本發明第t實施例之一濾波器的 結構,其中相同的參考標號代表該等先前參照前面圔式予 以說明的部件。 同第16圖之SAW濾波器,本發明之SAW濾波器亦能藉著 不僅加一輸入信號給該輸入電極墊且亦加給接地電極墊而 充當一差動式濾波器。由是,第16圖之SAW濾波器具有叉 指式電極11A及11C的次側電極(11A) s及(11C) 2 ’其等並不 接地而是供以一不同於第~'輸入'fe號IN 1的弟—輸入is號 IN 2,該第一輸入信號IN 1乃供主叉指式電極11 A及11C的主 __- 26 -___ 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) I.---------------IT------Μ , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454378 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(24) 側電極(11A) 1及(lie) i。因此,吾人可知,叉指式電極11 B的主制電極(11B) 不接地而是産生一輸出信號0UT2, 其有別於叉指式電極11B之次側電極(11B) 2得到之一輸出 信號OUTi。 於第17圖之結構中,可得知電極指對的數字Ni、H 2及 N 3間存有一類似第3圖的關係 Νι ^ Na ^ N3 第18圖顯示第17圖之實施例的一種變更,其中該SAW 濾波器以第18圖的差動模式蓮作,其中相同的參考標號表 示對應於前述諸部件,且説明將予以省略。 參照第18圖,叉指式電極11A及11C的次側電極(1U)2 及(11C) 2共同供以一與供至主側電極(11A):及(lie) 輸 入信號IN i不同的輸入信號〇 2。此外,一有別於次側電極 (21&)2及(2ic)2得到之輸出信號OUTdg—輸出信號0ϋΤ2係 得自叉指式電極21Α的主側電極(21Α) i及主側電極(21C) i 。同第7圖的例子,可知第18圖之SAW濾波器具有一結構 ,其中SAW濾波器11的重疊寬度L與SAW濾波器21的重叠寬 度W 2不同。 第19及20圖分別顯示變更第8及9圖之SAW濾波器以 形成差動模式SAW濾波器的例子。於此等例子中’同樣地 ,一不同於使用於第8及9 _之例子中之輸入信號IN i的 輸入信號IM 2傜加到接地電極,且一不同於輸出信號OUT i 的輸出信號OUTiK該接地電極得到。由前述’第19及20圖 的結構為顯而易明的,故進一步的說明則省略。於第19及 -27 - . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*tT 4543 7 8 . 厂 A7 _^_B7_ 五'、發明説明(25 ) 20圖的結構中,應可得知,該差動架構可以設於其中一 個輸入側及輸出側。 於前述之實施例中,較宜使用之LiTa03SLiNb〇3之Y 切單晶板,使用LiTaCh時有一40° Y-44° Y的切角,使用 LiNb〇3時有一 66° Υ-74° Υ的切角。當壓電基體1使用Li Ta〇3時’較宜設定基體1上之叉指式電極之厚度為具有一 受激於壓電基體1上之表面聲波5 - 10%波長的厚度,假 設該叉指式電極偽以A 1或Μ合金形成。另一方面,當壓電 基體1以LiTa〇3形成時,叉指式電極較宜形成為具一對應 於受激於壓電基體1上之表面聲波4 _ 12%波長的厚度。 此外,本發明並不侷限於目前已描述之賁施例|而當 可從事種種不同的變更與修改而不饽離本發明的範疇。 4*-* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
• L
、tT 广 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CN—S ) A4規格(21 ϋ X 297公釐) 454378 A7 B7 4a 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(26) 元件標號對照表 1......壓電基體 10A, 10B......反射器 11A , 11B , 11C......叉指式電極 (11A) 1 , (11B) 1 , (11C) 2......主側電極 (21A) 1 , (21B) 1 , (210 ι......主側電極 (11A) 2 , (11B) 2 , (11C) 2......次側電極 (21A) 2 , (21B) 2, (210 2......次側電極 11,20,21......SAW 濾波器 20A.20B......反射器 21A,21B,21C......叉指式電極 W1 , W 2......重疊寬度 Ζι......SAW濾波器11的輸入阻抗 Z2......SAW濾波器11的輸出阻抗 . Z3......SAW濾波器21的輸入阻抗 Z4......SAW濾波器21的輸出阻抗 100......封裝體 101,103,104,106 ......接地電極墊 102......輸入電極Μ 105......輸出電極 107......Α1接線 A , Β......特性曲線 100A......底 100B......保持件 -29 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 454378 A7 B7 110 五、發明説明(27) 襯塾構件 lOOAi.lOOALlOOAu.lOOAdOOBi-lOOBi··削角表面 100G.....接地電極 lOOGa, l〇〇Gb.....電極引線 100ga, 100gb, 100gc, 100gd......電極 104a, 105a, l〇6a......電極引線 ΙΙΟι , ΙΟΟΒι......削角表面 l〇4a '......接地引線 120......金屬蓋 ΙΝι , IN2......輸入信號 OUTi ,0UT2......輸出信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐;

Claims (1)

  1. 454378 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種表面聲波裝置,包含: 一壓電基體(1 ); 至少第一及第二表面聲波元件Π 1 , 21 ),其各沿 該壓電基體上之表面聲波一預定傳播路徑共同形成於 該壓電基體上; 各該第一及第二表_面聲波元件包括多數沿該表面 謦波之該預定傳播路徑配置的叉指式電極(11 A - 11C ; 21A- 21C); 各該多數叉指式電極包括一具有多數向跨該傳播 路徑之第一方向延伸之相互平行電極指的主側電極(( 11A:) 1 , (11B) 1 , (11C) 1 ; (21A) ! ) , f21B) 1 ) , ( (210 1 ) · 及一具有多數向第二相對該第一方向之第二方向延伸 之相互平行電極指的次側電極; 該主側電極之該等電極指及該次刨電極之該等電 極指偽配置於各該第一及第二表面聲波元件中之各該 叉指式電極中,交替地沿該傳播路徑以^向該傳播路 徑的方向視之時,與一預定的重叠寛度(Wi,Ws.)重疊 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該重叠寬度具有一第一值d )共同於形成該第一 表面聲波元件(11)之多數叉指式電極’以及一第二、 不同值()共同於形成該第二表面聲波元件(2 1)之多 數叉指式電極; 該第一表面聲波元件(11)藉將包括於該第一表面 聲波元件(11:)之一叉指式電極(11 β )的一次側電極((1 - 31 - 本纸张尺度適用中國國家標準(CNS ) A4C格(2Ι0Χ297公釐) 454373
    經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 、申請專利範圍 1B)2)連接至包括於該第二表面磬波元件(21)之一叉 指式電極(21B)的一主側電極(_ (_ 21 B ) 1 )而串接主該弟 二表面聲波元件(21)。 2 ·如申請專利範圍第1項所逑之表面磬波裝置,其中該 重疊寬度之該第一值(^ )及該重疊寬度之該第二值(W 2 )經設定以致於該第一表面聲波元件ί 11)之一輸出阻 抗(Ζ2)與該第二表面聲波元件(21)之一輸入阻抗f Ζ3) 匹配。 3 .如申請專利範圍第2項所述之表面聲波裝置,其中該 第一表面聲波元件之該輸出阻抗與該第二表面聲波元 件之該輸入阻抗傜由一關係厂(Z i n * Z。u,)所給定, 其中Z i n代表該第一表面聲波元件之一輸入阻抗而Z。u 代表該第二表面磬波元件之一輸出阻抗。 4. 如申請專利範圍第1項所述之表面聲波裝置,其中各 該第一及第二表面聲波元件(11,21)傜一雙模式的表 面聲波元件且包括形成於該壓電基體之#—表面上的第 一及第二反射器(10Α,10β;20Α,20Β),該第一及第二 反射器因而界定該表面磬波之該傳播路徑,各該第一 及第二表面聲波元件更包括從該第一反射器至該第二 反射器連缋配置於該第一與第二反射器間的第一、第 二及第三叉指式電極(11411(:;214,21(::)作為多數丨固叉 指式電極。 5. 如申請專利範圍第4項所述之表面聲波裝置,其中該 表面磬波裝置(11)之各該第一及第三叉指式電極(i i ή 本紙法尺度適用中國國家標孪(CNS ) A4^i格(210X297公釐) 1 I I I ^ I 訂 i I 梦. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4543 7 8 Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 ,11C)包括一共同連接至一輸入電極墊之主側電極(( •ΠΑΝ,ΠίΟϋ,且其中該第一表面聲波元件(11)之 該第二叉指式電極(UB)包括一連接至該第二表面聲 波元件(21 j之該第二叉指式電極(2 1Β)之一主倒電極 ((21B) 1 )- 6.如申請專利範圍第4項所述之表面聲波裝置,'其中該 第一表面聲波元件(11A)之該第二叉指式電極(11B)包 括一連接至一輸入電極塾之主側電極((U B) i;該第 二表面磬波元件(21)之該第二叉指式電極(21B)包括 一連接至一輸出電極墊之次側電極ί (21B) 2); 該第一表面聲波元件(11)之該第一叉指式電極 (11Α.)包括一連接至該第二表面聲波元件(21.)之該第 一叉指式電極(2 1 Α)之一主刨電極((2 1Α ) ι );及 其中該第一表面聲波元件(11)之該第三叉指式電 極(11C)包括一連接至該第二表面磬波元件(21)之該 第叉指式電極(21C)之一次側電極((21(f) 2.): 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7·如申請專利範圍第4項所述之表面聲波裝置,其中該 第一表面聲波元件Π 1A )之各該第一及第三叉指式電 極(11A, 11C)包括一共同連接至一輸入電極墊之主側 電極((:11 A ) ! , (11C )[)); 該第二表面聲波元件(21,)之該第二叉指式電極(2 1B2)包括一連接至一輸出電極墊之次側電極f (21 B) 2 ) 該第一表面聲波元件ί π)之該第二叉指式電極 -33 - 本紙法尺度速用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0 X 297公釐) 454378 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (11B)包括一共同連接至該第二表面磬波元件(21)之 該第一叉指式電極(2 1A)之一主側電極((21 Ah )且又 連接至該第二表面磬波元件(21)之該第三叉指式電極 (21C))之一主側電極 i (21C) 2)。 如申請專利範圍第4項所述之表面聲波装置,其中, 於各該第一及第二表面聲波元件(11,21)中,該第一 至第三叉指式電極(11Α — 11C;21A - 21C)分別具有第 一至第三數目彼此不同的電極指(N1,N2,N3): 9.一種表面聲波裝置,包含: 一支撑一壓電基髏(1 )於上的封装體(100); 至少一形成於該壓電基體上的表面聲波元件(11.) * 該表面聲波元件包括多數沿該壓電基體上一表面 聲波之傳播路徑配置的叉指式電極Π U — 11C ),各該 叉指式電極包括一輸入側叉指式電極((llAh,(ΠΒ )!,(11C) ^ ; (21A) i,(21B) 1,(21C) i )及 Λ 輸出側叉指 式電極;((1U)2,(11Β)2,(11C) 2; (2U)2,(21Β)2, (2 1C)); 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該輸入側叉指式電極連接至一設於該封装體上的 第一接地墊(101,103); 該輸出側叉指式電極連接至一設於該封裝上的 第二、不同的接地墊(10 , 106 ) ◊ 10 ·如申請專利範圍第9項所述之表面聲波装置,其中該 第一接地墊Π01, 103 )偽設於設有一輸入電.極墊(102丨 -34 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS )六4^格(210X297公釐) ABCD 4 5 4.3 7 8 六、申請專利範圍 之該封裝體(100)之一第一側上,且其中該第二接地 墊(104,106)係設於設有一輸出電極墊(105)之該封裝 體的一第二、相對側。 π·如申請專利範圍第9項所述之表面聲波装置,其中該 表面磬波装置更包括一用以保護該壓電基體(1 )的傳 導蓋(120〉,其中該傳導蓋偽僅建接至該第一及第二 接地塾(10 4)的其中之一。 12. —锺雙模表面磬波裝置,包含: 一壓電基體(1 ); 沿該壓電基體上一表面聲波之一傳播路徑設於該 壓電基體上的篇一及第二反射器(10A, 10B.); 連缡地自該第一反射器至該第二反射器設於該壓 電基體上之第一、第二及第三叉指式電極Π1Α— 11C) 各該第一至第三叉指式電極分別包栝電極指的第 —至第三數目對(N1,N2,N3); , 其中該第一叉指式電極之電極指的第一數目對與 該第三叉指式電極之電極指的第三數目對不同。 1 3 .如申請專利範圍第12項所述之雙模表面聲波装置,其 中保持一種關係X < Y < Z ’其中X代表該第一數字 的電極指對,Y代表該第二數字的電極指對’ Z代表 該第三數字的電極指對c 14. 一種表面聲波装置,包含: 一壓電基體(1 ); -35 - 本紙疾"^逋用中國國家標準(CNS ) A4i|^ ( 2iGX297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) % 訂 經濟部4-央標隼局負工消費合作社印製 4 5 4.: Ο A8 C8 D8 經濟部t夬橾準局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 沿受激於該壓電基體上之表面聲波之一傳播路徑 設於該壓電基體上之第一及第二反射器(ΙΟΑ,ΙΟΒ); 以及 多數連鑛地自該第一反射器至該第二反射器配置 於該壓電基體之叉指式電極(11A - 11 C .); 各該多數叉指式電極包括一主倒電極((1 U ) i, (11 B ) i , (11 C ) i )及一次侧電極((111 ) E , (11 s ) 2 , ill C ) 2)該主側電極包括多數以一跨該表面磬波之該傳播路 徑之方向延伸之相互平行的電極指*該次倒電極包括 多數以一跨該表面聲波之該傳播路徑之第二、相對該 第一方向的方向延伸之相互平行的電極指,該主倒電 極之該等電極指及該次側電極之該等電極指配置於各 該多數叉指式電極内|交替地沿該傳播路徑且向該表 面聲波之傳播路徑之一方向視之時,與一預定的重疊 寬度(in重昼; 該多數叉指式電極藉將一叉指式電i$之一次側電 極連接至另一叉指式電極之一次側電極而串接 15.如申請專利範圍第1、9、12或14項所述之表面聲波 裝置,其中該壓電基體(1 )包含一具有一 40 ’ 7與44° γ 間之切角的Υ旋轉單U TaO 3晶板,各該叉指式電極(Π A —11 C )以一含A 1作為主要成分且具有一對塵於受激於 該壓電基體上之表面磬波之5 -10%波長的厚度的材 料形成。 16 .如申請專利範圍第14項所述之表面聲波装置’其中該 - ‘36 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙承又度適用中國國家揉準(CNS )六4規>格(210X297公釐) 4 5 4 3 7 8 A8 B8 CS Dfi 六、申請專利範圍 蟹電基體(1 )包含一具有一 6 6。Y與7 4 _3 Y間之切角 的Y旋轉單L i SnO 3晶板,各該叉指式電極(11A — 11C) 一含A1作為主要成分且具有一對應於受鎮激於該壓電 基髏上之表面磬波之4 -12%波長的厚度的材料形成 0 17·—種表面聲波裝置,包含: 一壓電基饅(1 ); ' 多數設於該壓電基體上之叉指式電極(11 A— 11C) ’各該叉指式電極包括一具有多數電極指之主倒電 極((m.h,(liBh, (iic,w.)及一具有多數電極指之 次制電極((111)2,(uc)2) *該主側電極及 該次側電極如此配置以致於該主側電極之該等電極 指及該次側電極之該等電極指交替地重複於該壓電 基體上; 該叉指式電極包括一具有一連接至一第一輸入 /輸出端的主側電極ί Π 1β ) i)及一連搂至一第二' 不同的輪入/輸出端的次倒電極((11 β ) i 。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) - 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 張 I紙 本 丰 樓 |家 國 國 I中 一用 適 ΐ 公
TW085116277A 1996-05-28 1996-12-30 Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances TW454378B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13367596A JP3239064B2 (ja) 1996-05-28 1996-05-28 弾性表面波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW454378B true TW454378B (en) 2001-09-11

Family

ID=15110271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085116277A TW454378B (en) 1996-05-28 1996-12-30 Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances

Country Status (7)

Country Link
US (4) US5963114A (zh)
EP (4) EP1204206A3 (zh)
JP (1) JP3239064B2 (zh)
KR (1) KR100230655B1 (zh)
CN (2) CN1282304C (zh)
DE (2) DE69633820T2 (zh)
TW (1) TW454378B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466442B (zh) * 2011-12-07 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 指叉型耦合共振器

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638399C3 (de) * 1996-09-19 2002-04-18 Epcos Ag Oberflächenwellenfilter
DE19724259C2 (de) * 1997-06-09 2002-11-14 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
DE19938748B4 (de) * 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
US6720842B2 (en) * 2000-02-14 2004-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements
JP2001267885A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
JP3391347B2 (ja) 2000-06-26 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3440935B2 (ja) * 2000-11-29 2003-08-25 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
FR2818051B1 (fr) * 2000-12-08 2003-04-11 Thomson Csf Flitres a ondes acoustiques de surface a symetrie optimisee
FR2821997B1 (fr) 2001-03-06 2003-05-30 Thomson Csf Filtre a ondes acoustiques de surface
JP3534080B2 (ja) * 2001-03-23 2004-06-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3509771B2 (ja) * 2001-04-18 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置、通信装置
JP3873807B2 (ja) * 2001-06-22 2007-01-31 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP3864850B2 (ja) * 2001-08-09 2007-01-10 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP3826816B2 (ja) * 2001-08-29 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3833569B2 (ja) 2001-12-21 2006-10-11 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及びこれを用いた電子装置
JP2004048675A (ja) * 2002-05-15 2004-02-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びそれを有する通信装置
JP2004304513A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JP3985717B2 (ja) 2003-04-10 2007-10-03 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置
JP4069917B2 (ja) 2004-09-15 2008-04-02 株式会社村田製作所 バランス型弾性表面波フィルタ
JPWO2006095570A1 (ja) * 2005-03-11 2008-08-14 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP4534990B2 (ja) * 2006-01-12 2010-09-01 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置及び分波器
JP5025181B2 (ja) * 2006-07-24 2012-09-12 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
JP5121178B2 (ja) * 2006-07-24 2013-01-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信装置
CN101842981B (zh) * 2007-11-06 2013-12-11 松下电器产业株式会社 弹性波谐振器、弹性波滤波器及采用其的天线共用器
JP5016467B2 (ja) * 2007-12-14 2012-09-05 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
CN101515793B (zh) * 2009-01-08 2011-06-15 陈明权 声表面波滤波器
US9325294B2 (en) * 2013-03-15 2016-04-26 Resonant Inc. Microwave acoustic wave filters
US9680447B2 (en) * 2014-09-26 2017-06-13 Wisol Co., Ltd. Saw filter having ground terminals separated
JP6574955B2 (ja) * 2015-07-02 2019-09-18 多摩川精機株式会社 弾性表面波共振器間の相互干渉抑制構造、および加速度センサ
US20180004357A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated surface acoustic wave sensing devices
JP6888607B2 (ja) 2018-12-28 2021-06-16 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ及びマルチプレクサ

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2030407B (en) * 1978-09-22 1982-12-08 Philips Electronic Associated Acustic wave resonators and filters
JPS5694814A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
JPS5694815A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
US4365219A (en) * 1981-02-27 1982-12-21 General Electric Company In-line surface acoustic wave filter assembly module and method of making same
JPS58154917A (ja) * 1982-03-10 1983-09-14 Hitachi Ltd 弾性表面波バンドパスフイルタ
JPS58182313A (ja) * 1982-04-19 1983-10-25 Oki Electric Ind Co Ltd 表面弾性波「ろ」波器
JPS6454805A (en) 1987-08-25 1989-03-02 Oki Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave resonator
DE68914779T2 (de) * 1988-10-31 1994-12-01 Hitachi Ltd Akustische Oberflächenwellenfilteranordnung.
JPH02283112A (ja) * 1989-04-24 1990-11-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JPH02288410A (ja) * 1989-04-27 1990-11-28 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フイルタ
JPH0666632B2 (ja) * 1989-04-28 1994-08-24 東光株式会社 表面弾性波装置
JPH036913A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Hitachi Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた移動無線装置
JPH0327611A (ja) * 1989-06-23 1991-02-06 Murata Mfg Co Ltd 表面波共振子
JPH03173216A (ja) * 1989-12-01 1991-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JPH03270309A (ja) * 1990-03-19 1991-12-02 Fujitsu Ltd 多電極構成型弾性表面波素子
JPH03284006A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JP2888493B2 (ja) * 1990-06-21 1999-05-10 株式会社村田製作所 縦型2重モード弾性表面波フィルタ
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
JPH0555872A (ja) * 1991-08-21 1993-03-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 二段縦続接続二重モードsawフイルタ
JP3160023B2 (ja) * 1991-08-21 2001-04-23 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードsawフィルタ
JPH0563499A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フイルタ
JPH05114830A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フイルタ
JPH05121997A (ja) * 1991-10-30 1993-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フイルタ
JP3137394B2 (ja) * 1991-11-09 2001-02-19 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードリーキーsawフィルタ
US5309126A (en) * 1991-11-18 1994-05-03 Motorola, Inc. Spatially varying multiple electrode acoustic wave filter and method therefor
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH05335881A (ja) * 1992-06-04 1993-12-17 Murata Mfg Co Ltd 縦型2重モード弾性表面波フィルタ
JPH0697757A (ja) * 1992-07-31 1994-04-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用弾性表面波フィルタ
US5363074A (en) * 1992-10-19 1994-11-08 Motorola, Inc. Saw structure having serially coupled transducers with overlapping fingers
JP3198489B2 (ja) * 1992-11-11 2001-08-13 株式会社大真空 フィルタ用パッケージ
JP3254779B2 (ja) * 1993-01-05 2002-02-12 株式会社村田製作所 多電極形弾性表面波装置
US5334960A (en) * 1993-02-16 1994-08-02 Motorola, Inc. Conjugately matched acoustic wave transducers and method
JP3001350B2 (ja) * 1993-05-19 2000-01-24 日本電気株式会社 弾性表面波フィルタ
DE4431612C2 (de) * 1993-09-06 1998-07-16 Sanyo Electric Co Akustisches Oberflächenwellenfilter
US5365138A (en) * 1993-12-02 1994-11-15 Northern Telecom Limited Double mode surface wave resonators
JPH07264000A (ja) * 1994-03-16 1995-10-13 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ
JPH07283682A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波共振子フィルタ
JP3244386B2 (ja) * 1994-08-23 2002-01-07 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
KR100207358B1 (ko) * 1994-10-31 1999-07-15 시바타 마사하루 탄성 표면파 필터 장치 및 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서
GB2296614B (en) * 1994-12-23 1999-09-15 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
US5850167A (en) * 1995-04-11 1998-12-15 Kinseki, Limited Surface acoustic wave device
EP0782255B1 (en) * 1995-12-28 2002-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Longitudinal coupling type surface acoustic wave resonator filter
US5793266A (en) * 1996-08-12 1998-08-11 Motorola Inc. Differential input and/or differential output, transversely-coupled surface acoustic wave filter
JP3227645B2 (ja) * 1996-09-17 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3224202B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466442B (zh) * 2011-12-07 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 指叉型耦合共振器

Also Published As

Publication number Publication date
DE69632929D1 (de) 2004-08-19
EP0810727A3 (en) 1998-08-05
CN1140964C (zh) 2004-03-03
EP1204206A2 (en) 2002-05-08
JP3239064B2 (ja) 2001-12-17
KR970077977A (ko) 1997-12-12
EP0810727A2 (en) 1997-12-03
US6111481A (en) 2000-08-29
EP1204204B1 (en) 2004-07-14
EP1453201A2 (en) 2004-09-01
KR100230655B1 (ko) 1999-11-15
US6271739B1 (en) 2001-08-07
CN1282304C (zh) 2006-10-25
EP1204204A2 (en) 2002-05-08
CN1158026A (zh) 1997-08-27
DE69633820D1 (de) 2004-12-16
EP1204204A3 (en) 2002-05-22
EP1204206A3 (en) 2002-05-22
EP0810727B1 (en) 2004-11-10
JPH09321574A (ja) 1997-12-12
CN1495998A (zh) 2004-05-12
EP1453201A3 (en) 2006-05-17
DE69633820T2 (de) 2005-03-17
US6114926A (en) 2000-09-05
US5963114A (en) 1999-10-05
DE69632929T2 (de) 2004-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW454378B (en) Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances
JP3509764B2 (ja) 弾性表面波装置、通信装置
TW479402B (en) Surface acoustic wave device
EP2068444B1 (en) Acoustic wave filter
US3970970A (en) Multiple acoustically coupled surface acoustic wave resonators
TW445709B (en) SAW resonator filter
JP3606944B2 (ja) Sawフィルタ
KR19980081296A (ko) 탄성 표면파 장치
JPS62188512A (ja) 表面弾性波共振器、表面弾性波共振器フイルタおよびこれらの製造方法
JP3181475B2 (ja) 弾性表面波装置
US3987376A (en) Acoustic surface wave device with harmonic coupled transducers
US5793266A (en) Differential input and/or differential output, transversely-coupled surface acoustic wave filter
JP3366477B2 (ja) 縦型複合4重モードsawフィルタ
JP6798866B2 (ja) マルチプレクサ
JPS63120510A (ja) 無反射表面音響波変換器およびその製造方法
JPS59158117A (ja) 弾性表面波フイルタを用いた分波器
JPS58131810A (ja) 弾性表面波装置
JPH05129872A (ja) 表面波共振子、表面波フイルタ、分波器および移動無線装置
JP3400897B2 (ja) 多段接続型弾性表面波フィルタ
JPH0435515A (ja) 表面弾性波装置
JP2005354430A (ja) 弾性表面波変換器及びそれを用いた弾性表面波デバイス
JPS5933920A (ja) 弾性表面波バンドパス・フイルタ
JPH1188102A (ja) 弾性表面波装置の特性改良方法
JPH04229710A (ja) 弾性表面波装置
JPH10135779A (ja) 弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent