JPH09321574A - 弾性表面波装置 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 316
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スプリアスピークを抑圧した優れた通過帯域
特性を有し、入力インピーダンスと出力インピーダンス
とを独立に設定可能なＳＡＷフィルタを提供する。 【解決手段】 圧電基板上に複数のＳＡＷフィルタをカ
スケード接続し、各々のＳＡＷフィルタで電極交差幅を
変化させる。さらに、二重モードフィルタにおいて、櫛
形電極の電極対数を、中央の櫛形電極に対して非対称に
する。
特性を有し、入力インピーダンスと出力インピーダンス
とを独立に設定可能なＳＡＷフィルタを提供する。 【解決手段】 圧電基板上に複数のＳＡＷフィルタをカ
スケード接続し、各々のＳＡＷフィルタで電極交差幅を
変化させる。さらに、二重モードフィルタにおいて、櫛
形電極の電極対数を、中央の櫛形電極に対して非対称に
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に弾性表面波装
置に関し、特に帯域外減衰特性が向上し、また入力イン
ピーダンスと出力インピーダンスとが、それぞれ所望の
設計値に設定された弾性表面波装置に関する。
置に関し、特に帯域外減衰特性が向上し、また入力イン
ピーダンスと出力インピーダンスとが、それぞれ所望の
設計値に設定された弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波（ＳＡＷ）装置は、携帯電話
等、小型・軽量の超短波ないし極超短波帯域用無線装置
において、フィルタや共振器として広く使われている。
これらのフィルタや共振器では、広い通過帯域特性を有
すると同時に、帯域外での減衰量が非常に大きいことが
要求される。また、これらの弾性表面波装置を電子装置
において使う場合、電子装置を構成する集積回路装置と
のインピーダンス整合をとる必要がある。
等、小型・軽量の超短波ないし極超短波帯域用無線装置
において、フィルタや共振器として広く使われている。
これらのフィルタや共振器では、広い通過帯域特性を有
すると同時に、帯域外での減衰量が非常に大きいことが
要求される。また、これらの弾性表面波装置を電子装置
において使う場合、電子装置を構成する集積回路装置と
のインピーダンス整合をとる必要がある。
【０００３】図１９（Ａ），（Ｂ）は、従来の典型的な
ＳＡＷフィルタを示す。図１９（Ａ）を参照するに、Ｓ
ＡＷフィルタはいわゆる二重モード型のＳＡＷフィルタ
であり、圧電基板（図示せず）上に形成された一対の反
射器１０Ａ，１０Ｂの間に三つの櫛形電極１１Ａ，１１
Ｂ，１１Ｃを備えている。図１９の例では、基板は３６
°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 単結晶板よりなり、反射器１０
Ａ，１０Ｂは基板のＸ軸方向に配列され、Ｘ軸方向に伝
搬する弾性表面波の経路を規定する。一方、各々の電極
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、複数の一次側電極指を形成
された１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１
Ｃ）1 と、前記１次側電極指と対向する２次側電極指を
形成された２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，
（１１Ｃ）2 とよりなり、通常の櫛形電極と同様に、前
記１次側電極指と２次側電極指とは、前記Ｘ軸方向に交
互に配列され、前記弾性表面波の経路と交差する。その
際、電極指のピッチは、通過帯域の中心周波数および圧
電基板上をＸ軸方向に伝搬する弾性表面波の音速により
決定される。
ＳＡＷフィルタを示す。図１９（Ａ）を参照するに、Ｓ
ＡＷフィルタはいわゆる二重モード型のＳＡＷフィルタ
であり、圧電基板（図示せず）上に形成された一対の反
射器１０Ａ，１０Ｂの間に三つの櫛形電極１１Ａ，１１
Ｂ，１１Ｃを備えている。図１９の例では、基板は３６
°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 単結晶板よりなり、反射器１０
Ａ，１０Ｂは基板のＸ軸方向に配列され、Ｘ軸方向に伝
搬する弾性表面波の経路を規定する。一方、各々の電極
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、複数の一次側電極指を形成
された１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１
Ｃ）1 と、前記１次側電極指と対向する２次側電極指を
形成された２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，
（１１Ｃ）2 とよりなり、通常の櫛形電極と同様に、前
記１次側電極指と２次側電極指とは、前記Ｘ軸方向に交
互に配列され、前記弾性表面波の経路と交差する。その
際、電極指のピッチは、通過帯域の中心周波数および圧
電基板上をＸ軸方向に伝搬する弾性表面波の音速により
決定される。
【０００４】図１９（Ａ）の構成では、電極１１Ａおよ
び１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1，（１１Ｃ）1 は入
力端子に接続され、また２次側電極（１１Ａ）2 ，（１
１Ｃ）2 は接地される。一方、電極１１Ｂの１次側電極
（１１Ｂ）1 は接地され、２次側電極（１１Ｂ）2 は出
力端子に接続される。すなわち、図１９（Ａ）のＳＡＷ
フィルタは、いわゆる２入力１出力型のＳＡＷフィルタ
を構成する。
び１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1，（１１Ｃ）1 は入
力端子に接続され、また２次側電極（１１Ａ）2 ，（１
１Ｃ）2 は接地される。一方、電極１１Ｂの１次側電極
（１１Ｂ）1 は接地され、２次側電極（１１Ｂ）2 は出
力端子に接続される。すなわち、図１９（Ａ）のＳＡＷ
フィルタは、いわゆる２入力１出力型のＳＡＷフィルタ
を構成する。
【０００５】かかる二重モード型ＳＡＷフィルタでは、
図１９（Ｂ）に示すように、前記反射器１０Ａ，１０Ｂ
の間に形成された周波数がｆ1 の１次のモードと周波数
がｆ 3 の３次のモードとを使い、図２０に示すような、
周波数ｆ1 とｆ3 との間に通過帯域を有する通過帯域特
性を実現する。ただし、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）
の構造中における弾性表面波のエネルギ分布を示す。
図１９（Ｂ）に示すように、前記反射器１０Ａ，１０Ｂ
の間に形成された周波数がｆ1 の１次のモードと周波数
がｆ 3 の３次のモードとを使い、図２０に示すような、
周波数ｆ1 とｆ3 との間に通過帯域を有する通過帯域特
性を実現する。ただし、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）
の構造中における弾性表面波のエネルギ分布を示す。
【０００６】従来は、前記１次のモードおよび３次のモ
ードが対称的であることから、これら１次および３次の
モードが効率的に励起されるように、前記櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃも対称的に構成され、その結果、従来の二重
モード型ＳＡＷフィルタでは、前記電極１１Ａにおける
電極指の対数Ｎ1 と、電極１１Ｃにおける電極指の対数
Ｎ3 とが互いに等しくなるように形成されていた。（Ｎ
1 ＝Ｎ3 ）
ードが対称的であることから、これら１次および３次の
モードが効率的に励起されるように、前記櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃも対称的に構成され、その結果、従来の二重
モード型ＳＡＷフィルタでは、前記電極１１Ａにおける
電極指の対数Ｎ1 と、電極１１Ｃにおける電極指の対数
Ｎ3 とが互いに等しくなるように形成されていた。（Ｎ
1 ＝Ｎ3 ）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２０の通過
帯域特性では、周波数ｆ1 ，ｆ3 で規定される通過帯域
外にも、大小様々なスプリアスピークが観測される。特
に１５５０〜１６００ＭＨz の範囲では、かかる通過帯
域に隣接したスプリアスピークの存在により、急峻であ
るべき通過帯域特性がゆるやかになっているのがわか
る。一方、ＳＡＷフィルタあるいは共振器では、通過帯
域では平坦で、通過帯域外では急峻に減衰するような通
過帯域特性を有するのが好ましい。また、通過帯域外で
は、減衰量は最大化できるのが好ましい。
帯域特性では、周波数ｆ1 ，ｆ3 で規定される通過帯域
外にも、大小様々なスプリアスピークが観測される。特
に１５５０〜１６００ＭＨz の範囲では、かかる通過帯
域に隣接したスプリアスピークの存在により、急峻であ
るべき通過帯域特性がゆるやかになっているのがわか
る。一方、ＳＡＷフィルタあるいは共振器では、通過帯
域では平坦で、通過帯域外では急峻に減衰するような通
過帯域特性を有するのが好ましい。また、通過帯域外で
は、減衰量は最大化できるのが好ましい。
【０００８】また、図１９（Ａ）に示す従来のＳＡＷフ
ィルタでは、出力電極１１Ｂと入力電極１１Ａ，１１Ｃ
とで電極指の長さ、すなわち電極交差幅Ｗは必然的に等
しくなり、その結果かかるＳＡＷフィルタの入力インピ
ーダンスと出力インピーダンスとの関係は、電極１１Ａ
〜１１Ｃの電極対数で決まってしまう。一般にＳＡＷフ
ィルタの入出力インピーダンスは電極対数と電極交差幅
に反比例する。すなわち、従来のＳＡＷフィルタでは、
入力インピーダンスと出力インピーダンスとを独立に、
かつ自由に設定することが困難であった。これに対し、
最近の携帯電話等の小型無線装置では、ＳＡＷフィルタ
の入出力インピーダンスを、かかる無線装置で使われる
集積回路装置のインピーダンスに合わせて自在に設定で
きることが要望されている。
ィルタでは、出力電極１１Ｂと入力電極１１Ａ，１１Ｃ
とで電極指の長さ、すなわち電極交差幅Ｗは必然的に等
しくなり、その結果かかるＳＡＷフィルタの入力インピ
ーダンスと出力インピーダンスとの関係は、電極１１Ａ
〜１１Ｃの電極対数で決まってしまう。一般にＳＡＷフ
ィルタの入出力インピーダンスは電極対数と電極交差幅
に反比例する。すなわち、従来のＳＡＷフィルタでは、
入力インピーダンスと出力インピーダンスとを独立に、
かつ自由に設定することが困難であった。これに対し、
最近の携帯電話等の小型無線装置では、ＳＡＷフィルタ
の入出力インピーダンスを、かかる無線装置で使われる
集積回路装置のインピーダンスに合わせて自在に設定で
きることが要望されている。
【０００９】そこで、本発明は、上記の課題を解決し
た、新規で有用な弾性表面波装置を提供することを概括
的課題とする。本発明のより具体的な課題は、通過帯域
外におけるスプリアスピークを抑圧した、急峻な通過帯
域特性を有する弾性表面波装置を提供することにある。
た、新規で有用な弾性表面波装置を提供することを概括
的課題とする。本発明のより具体的な課題は、通過帯域
外におけるスプリアスピークを抑圧した、急峻な通過帯
域特性を有する弾性表面波装置を提供することにある。
【００１０】本発明の別の課題は、入力インピーダンス
と出力インピーダンスとを、容易に所望の設計値に設定
できる構成の弾性表面波装置を提供することにある。
と出力インピーダンスとを、容易に所望の設計値に設定
できる構成の弾性表面波装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、圧電基板と、前記圧電
基板上に共通に形成され、各々が、前記圧電基板上に励
起される弾性表面波の伝搬経路に沿って形成された一対
の反射電極と、前記一対の反射電極の間に前記弾性表面
波の伝搬経路に沿って形成された複数の櫛形電極とより
なる、少なくとも第１および第２の弾性表面波装置要素
とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々は、各々前記圧
電基板上において、前記弾性表面波の伝搬経路を第１の
方向に横切る複数の、相互に平行な１次側電極指を含む
１次側電極と、前記弾性表面波の伝搬経路を第２の逆方
向に横切る複数の、相互に平行な２次側電極指を含む２
次側電極とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々におい
て、前記複数の１次側電極指と前記複数の２次側電極指
とは、前記伝搬経路に沿って交互に配列され、前記伝搬
経路方向に沿って見た場合、所定の電極交差幅で互いに
重畳する構成の弾性表面波装置であって、前記第１の弾
性表面波装置要素において、前記複数の櫛形電極は共通
の第１の電極交差幅を有し、前記第２の弾性表面波装置
要素において、前記複数の櫛形電極は共通の第２の、異
なった電極交差幅を有し、前記第１の弾性表面波装置要
素は、前記第２の弾性表面波装置要素に対して、前記第
１の弾性表面波装置要素中の一の櫛形電極の２次側電極
を、前記第２の弾性表面波装置要素中の対応する櫛形電
極の１次側電極に接続することにより、カスケード接続
されることを特徴とする弾性表面波装置により、または
請求項２に記載したように、前記第１の電極交差幅と、
前記第２の電極交差幅とは、前記第１の弾性表面波装置
要素の出力インピーダンスと前記第２の弾性表面波装置
要素の入力インピーダンスとが整合するように設定され
ることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項３に記載したように、前記第１の弾性
表面波装置要素の出力インピーダンスと、前記第２の弾
性表面波装置要素の入力インピーダンスとは、前記第１
の弾性表面波装置要素の入力インピーダンスをＺin，前
記第２の弾性表面波装置要素の出力インピーダンスをＺ
out として、√（Ｚin×Ｚout ）で与えられることを特
徴とする請求項２記載の弾性表面波装置により、または
請求項４に記載したように、前記第１および第２の弾性
表面波装置要素の各々は、前記１対の反射電極の間に第
１，第２および第３の櫛形電極を、前記複数の櫛形電極
として順次配設した２重モード型弾性表面波装置である
ことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記
載の弾性表面波装置により、または請求項５に記載した
ように、前記第１の弾性表面波装置要素において、前記
第１および第３の櫛形電極の１次側電極を、共通に入力
電極パッドに接続し、前記第２の弾性表面波装置要素に
おいて、前記第１および第３の櫛形電極の２次側電極
を、共通に出力電極パッドに接続し、前記第１の弾性表
面波装置要素の前記第２の櫛形電極の２次側電極を、前
記第２の弾性表面波装置要素の第２の櫛形電極の１次側
電極に接続したことを特徴とする請求項４記載の弾性表
面波装置により、または請求項６に記載したように、前
記第１の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形
電極の１次側電極とを入力電極パッドに接続し、前記第
２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形電極
の２次側電極を出力電極パッドに接続し、前記第１の弾
性表面波装置要素の前記第１の櫛形電極の２次側電極
を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１の櫛形電極の
１次側電極と接続し、前記第１の弾性表面波装置要素の
前記第３の櫛形電極の２次側電極を、前記第２の弾性表
面波装置要素の第３の櫛形電極の１次側電極に接続した
ことを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項７に記載したように、前記第１の弾性
表面波装置要素において、前記第１および第３の櫛形電
極の１次側電極を、共通に入力電極パッドに接続し、前
記第２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形
電極の２次側電極を出力電極パッドに接続し、前記第１
の弾性表面波装置要素の前記第２の櫛形電極の２次側電
極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１および第３
の櫛形電極の１次側電極に共通に接続したことを特徴と
する請求項４記載の弾性表面波装置により、または請求
項８に記載したように、前記第１および第２の弾性表面
波装置要素の各々において、前記第１、第２および第３
の櫛形電極は、それぞれ互いに異なる第１，第２および
第３の電極対数を有することを特徴とする請求項４〜７
のうち、いずれか一項記載の弾性表面波装置により、ま
たは請求項９に記載したように、圧電基板を支持するパ
ッケージと、前記圧電基板上に形成された少なくとも一
つの弾性表面波装置要素とよりなる弾性表面波装置であ
って、前記弾性表面波装置は、前記圧電基板上に、弾性
表面波の伝搬経路に沿って形成された、入力側櫛形電極
と出力側櫛形電極とを少なくとも含む複数の櫛形電極よ
りなり、前記入力側櫛形電極は、前記パッケージ上に設
けられた第１の接地電極パッドに接続され、前記出力が
櫛形電極は、前記パッケージ上に設けられた第２の別の
接地電極パッドに接続されることを特徴とする弾性表面
波装置により、または請求項１０に記載したように、前
記第１の接地電極パッドは、前記パッケージのうち、入
力電極パッドが設けられる第１の側に設けられ、前記第
２の接地電極パッドは、前記パッケージのうち、出力電
極パッドが設けられる、反対側の第２の側に設けられる
ことを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項１１に記載したように、前記パッケー
ジは、さらに前記圧電基板を覆う金属キャップを有し、
前記金属キャップは、前記第１および第２の接地電極パ
ッドの一方にのみ接続されることを特徴とする請求項９
または１０記載の弾性表面波装置、または請求項１２に
記載したように、圧電基板と、前記圧電基板上に、前記
圧電基板上に励起される弾性表面波の伝搬経路に沿って
形成され、前記伝搬経路を規定する第１および第２の反
射電極と、前記第１および第２の反射電極の間に順次配
設された第１，第２および第３の櫛形電極とを含む二重
モード型弾性表面波装置において、前記第１の櫛形電極
の電極対数を、前記第３の櫛形電極の電極対数に対して
変化させたことを特徴とする弾性表面波装置により、ま
たは請求項１３に記載したように、前記第１の櫛形電極
の電極対数をＸ，前記第２の櫛形電極の電極対数をＹ，
前記第３の櫛形電極の電極対数をＺとして、Ｘ＜Ｙ＜Ｚ
の関係が成立することを特徴とする請求項１２記載の弾
性表面波装置により、または請求項１４に記載したよう
に、圧電基板と、前記圧電基板上に、前記圧電基板上に
励起される弾性表面波の伝搬経路に沿って形成され、前
記伝搬経路を規定する第１および第２の反射電極と、前
記第１および第２の反射電極の間に順次配設された複数
の櫛形電極とを含み、各々の櫛形電極は、各々前記圧電
基板上において、前記弾性表面波の伝搬経路を第１の方
向に横切る複数の、相互に平行な１次側電極指を含む１
次側電極と、前記弾性表面波の伝搬経路を第２の逆方向
に横切る複数の、相互に平行な２次側電極指を含む２次
側電極とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々におい
て、前記複数の１次側電極指と前記複数の２次側電極指
とは、前記伝搬経路に沿って交互に配列され、前記伝搬
経路方向に沿って見た場合、所定の電極交差幅で互いに
重畳する構成の弾性表面波装置において、出力側電極ま
たは入力側電極を構成する複数の櫛形電極が、前記２次
側電極を相互接続することにより、カスケード接続され
ることを特徴とする弾性表面波装置により、または請求
項１５に記載したように、前記圧電基板は、回転角を４
０°Ｙ〜４４°Ｙの範囲としたＬｉＴａＯ3 単結晶の回
転Ｙ板よりなり、前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分と
する材料より形成され、前記圧電基板上に励起される弾
性表面波の波長の５〜１０％の範囲の厚さを有すること
を特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか一項記載
の弾性表面波装置により、または請求項１６に記載した
ように、前記圧電基板は、回転角を６６°Ｙ〜７４°Ｙ
の範囲としたＬｉＮｂＯ3 単結晶の回転Ｙ板よりなり、
前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分とする材料より形成
され、前記圧電基板上に励起される弾性表面波の波長の
４〜１２％の範囲の厚さを有することを特徴とする請求
項１〜１４のうち、いずれか一項記載の弾性表面波装置
により、または請求項１７に記載したように、圧電基板
上に、前記圧電基板表面に励起される弾性表面波の経路
に沿って配設された複数の櫛形電極よりなり、各々の櫛
形電極が、複数の電極指を有する１次側電極と、前記１
次側電極指の複数の電極指に対して交互に配列された別
の複数の電極指を有する２次側電極とよりなる弾性表面
波装置において、１次側電極が入／出力端子に接続され
た櫛形電極の２次側電極は、別の入／出力端子に接続さ
れることを特徴とする弾性表面波装置により、解決す
る。
を、請求項１に記載したように、圧電基板と、前記圧電
基板上に共通に形成され、各々が、前記圧電基板上に励
起される弾性表面波の伝搬経路に沿って形成された一対
の反射電極と、前記一対の反射電極の間に前記弾性表面
波の伝搬経路に沿って形成された複数の櫛形電極とより
なる、少なくとも第１および第２の弾性表面波装置要素
とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々は、各々前記圧
電基板上において、前記弾性表面波の伝搬経路を第１の
方向に横切る複数の、相互に平行な１次側電極指を含む
１次側電極と、前記弾性表面波の伝搬経路を第２の逆方
向に横切る複数の、相互に平行な２次側電極指を含む２
次側電極とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々におい
て、前記複数の１次側電極指と前記複数の２次側電極指
とは、前記伝搬経路に沿って交互に配列され、前記伝搬
経路方向に沿って見た場合、所定の電極交差幅で互いに
重畳する構成の弾性表面波装置であって、前記第１の弾
性表面波装置要素において、前記複数の櫛形電極は共通
の第１の電極交差幅を有し、前記第２の弾性表面波装置
要素において、前記複数の櫛形電極は共通の第２の、異
なった電極交差幅を有し、前記第１の弾性表面波装置要
素は、前記第２の弾性表面波装置要素に対して、前記第
１の弾性表面波装置要素中の一の櫛形電極の２次側電極
を、前記第２の弾性表面波装置要素中の対応する櫛形電
極の１次側電極に接続することにより、カスケード接続
されることを特徴とする弾性表面波装置により、または
請求項２に記載したように、前記第１の電極交差幅と、
前記第２の電極交差幅とは、前記第１の弾性表面波装置
要素の出力インピーダンスと前記第２の弾性表面波装置
要素の入力インピーダンスとが整合するように設定され
ることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項３に記載したように、前記第１の弾性
表面波装置要素の出力インピーダンスと、前記第２の弾
性表面波装置要素の入力インピーダンスとは、前記第１
の弾性表面波装置要素の入力インピーダンスをＺin，前
記第２の弾性表面波装置要素の出力インピーダンスをＺ
out として、√（Ｚin×Ｚout ）で与えられることを特
徴とする請求項２記載の弾性表面波装置により、または
請求項４に記載したように、前記第１および第２の弾性
表面波装置要素の各々は、前記１対の反射電極の間に第
１，第２および第３の櫛形電極を、前記複数の櫛形電極
として順次配設した２重モード型弾性表面波装置である
ことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記
載の弾性表面波装置により、または請求項５に記載した
ように、前記第１の弾性表面波装置要素において、前記
第１および第３の櫛形電極の１次側電極を、共通に入力
電極パッドに接続し、前記第２の弾性表面波装置要素に
おいて、前記第１および第３の櫛形電極の２次側電極
を、共通に出力電極パッドに接続し、前記第１の弾性表
面波装置要素の前記第２の櫛形電極の２次側電極を、前
記第２の弾性表面波装置要素の第２の櫛形電極の１次側
電極に接続したことを特徴とする請求項４記載の弾性表
面波装置により、または請求項６に記載したように、前
記第１の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形
電極の１次側電極とを入力電極パッドに接続し、前記第
２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形電極
の２次側電極を出力電極パッドに接続し、前記第１の弾
性表面波装置要素の前記第１の櫛形電極の２次側電極
を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１の櫛形電極の
１次側電極と接続し、前記第１の弾性表面波装置要素の
前記第３の櫛形電極の２次側電極を、前記第２の弾性表
面波装置要素の第３の櫛形電極の１次側電極に接続した
ことを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項７に記載したように、前記第１の弾性
表面波装置要素において、前記第１および第３の櫛形電
極の１次側電極を、共通に入力電極パッドに接続し、前
記第２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛形
電極の２次側電極を出力電極パッドに接続し、前記第１
の弾性表面波装置要素の前記第２の櫛形電極の２次側電
極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１および第３
の櫛形電極の１次側電極に共通に接続したことを特徴と
する請求項４記載の弾性表面波装置により、または請求
項８に記載したように、前記第１および第２の弾性表面
波装置要素の各々において、前記第１、第２および第３
の櫛形電極は、それぞれ互いに異なる第１，第２および
第３の電極対数を有することを特徴とする請求項４〜７
のうち、いずれか一項記載の弾性表面波装置により、ま
たは請求項９に記載したように、圧電基板を支持するパ
ッケージと、前記圧電基板上に形成された少なくとも一
つの弾性表面波装置要素とよりなる弾性表面波装置であ
って、前記弾性表面波装置は、前記圧電基板上に、弾性
表面波の伝搬経路に沿って形成された、入力側櫛形電極
と出力側櫛形電極とを少なくとも含む複数の櫛形電極よ
りなり、前記入力側櫛形電極は、前記パッケージ上に設
けられた第１の接地電極パッドに接続され、前記出力が
櫛形電極は、前記パッケージ上に設けられた第２の別の
接地電極パッドに接続されることを特徴とする弾性表面
波装置により、または請求項１０に記載したように、前
記第１の接地電極パッドは、前記パッケージのうち、入
力電極パッドが設けられる第１の側に設けられ、前記第
２の接地電極パッドは、前記パッケージのうち、出力電
極パッドが設けられる、反対側の第２の側に設けられる
ことを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装置によ
り、または請求項１１に記載したように、前記パッケー
ジは、さらに前記圧電基板を覆う金属キャップを有し、
前記金属キャップは、前記第１および第２の接地電極パ
ッドの一方にのみ接続されることを特徴とする請求項９
または１０記載の弾性表面波装置、または請求項１２に
記載したように、圧電基板と、前記圧電基板上に、前記
圧電基板上に励起される弾性表面波の伝搬経路に沿って
形成され、前記伝搬経路を規定する第１および第２の反
射電極と、前記第１および第２の反射電極の間に順次配
設された第１，第２および第３の櫛形電極とを含む二重
モード型弾性表面波装置において、前記第１の櫛形電極
の電極対数を、前記第３の櫛形電極の電極対数に対して
変化させたことを特徴とする弾性表面波装置により、ま
たは請求項１３に記載したように、前記第１の櫛形電極
の電極対数をＸ，前記第２の櫛形電極の電極対数をＹ，
前記第３の櫛形電極の電極対数をＺとして、Ｘ＜Ｙ＜Ｚ
の関係が成立することを特徴とする請求項１２記載の弾
性表面波装置により、または請求項１４に記載したよう
に、圧電基板と、前記圧電基板上に、前記圧電基板上に
励起される弾性表面波の伝搬経路に沿って形成され、前
記伝搬経路を規定する第１および第２の反射電極と、前
記第１および第２の反射電極の間に順次配設された複数
の櫛形電極とを含み、各々の櫛形電極は、各々前記圧電
基板上において、前記弾性表面波の伝搬経路を第１の方
向に横切る複数の、相互に平行な１次側電極指を含む１
次側電極と、前記弾性表面波の伝搬経路を第２の逆方向
に横切る複数の、相互に平行な２次側電極指を含む２次
側電極とよりなり、前記複数の櫛形電極の各々におい
て、前記複数の１次側電極指と前記複数の２次側電極指
とは、前記伝搬経路に沿って交互に配列され、前記伝搬
経路方向に沿って見た場合、所定の電極交差幅で互いに
重畳する構成の弾性表面波装置において、出力側電極ま
たは入力側電極を構成する複数の櫛形電極が、前記２次
側電極を相互接続することにより、カスケード接続され
ることを特徴とする弾性表面波装置により、または請求
項１５に記載したように、前記圧電基板は、回転角を４
０°Ｙ〜４４°Ｙの範囲としたＬｉＴａＯ3 単結晶の回
転Ｙ板よりなり、前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分と
する材料より形成され、前記圧電基板上に励起される弾
性表面波の波長の５〜１０％の範囲の厚さを有すること
を特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか一項記載
の弾性表面波装置により、または請求項１６に記載した
ように、前記圧電基板は、回転角を６６°Ｙ〜７４°Ｙ
の範囲としたＬｉＮｂＯ3 単結晶の回転Ｙ板よりなり、
前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分とする材料より形成
され、前記圧電基板上に励起される弾性表面波の波長の
４〜１２％の範囲の厚さを有することを特徴とする請求
項１〜１４のうち、いずれか一項記載の弾性表面波装置
により、または請求項１７に記載したように、圧電基板
上に、前記圧電基板表面に励起される弾性表面波の経路
に沿って配設された複数の櫛形電極よりなり、各々の櫛
形電極が、複数の電極指を有する１次側電極と、前記１
次側電極指の複数の電極指に対して交互に配列された別
の複数の電極指を有する２次側電極とよりなる弾性表面
波装置において、１次側電極が入／出力端子に接続され
た櫛形電極の２次側電極は、別の入／出力端子に接続さ
れることを特徴とする弾性表面波装置により、解決す
る。
【００１２】図１は、本発明の第１の特徴を示す図であ
る。図１を参照するに、ＳＡＷフィルタは図１９（Ａ）
に示したものと同様な二重モード型の装置であるが、本
発明では、櫛形電極１１Ａの電極対数Ｎ1 と櫛形電極１
１Ｃの電極対数Ｎ3 、さらに櫛形電極１１Ｂの電極対数
Ｎ2 を相互に異ならせてあることがわかる（Ｎ1 ≠Ｎ3
≠Ｎ2 ）。
る。図１を参照するに、ＳＡＷフィルタは図１９（Ａ）
に示したものと同様な二重モード型の装置であるが、本
発明では、櫛形電極１１Ａの電極対数Ｎ1 と櫛形電極１
１Ｃの電極対数Ｎ3 、さらに櫛形電極１１Ｂの電極対数
Ｎ2 を相互に異ならせてあることがわかる（Ｎ1 ≠Ｎ3
≠Ｎ2 ）。
【００１３】図２は、図１のＳＡＷフィルタの周波数特
性の計算結果を示す。ただし、図２中、実線で示した特
性曲線は、図２０の特性曲線に対応し、電極対数Ｎ1 ，
Ｎ2，Ｎ3 を、それぞれ２０，４０，２０とした場合を
あらわす。一方、図２中、破線で示した曲線は、電極対
数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 をそれぞれ２５，３５，４５とした
場合を、また点線で示した曲線は、電極対数Ｎ1 ，
Ｎ2 ，Ｎ3 をそれぞれ２０，４０，３０とした場合をあ
らわす。ただし、図２の計算では、圧電基板として３６
°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 を仮定し、基板表面に形成された
櫛形電極１１Ａ〜１１Ｃは、弾性表面波の波長の８％の
厚さを有するＡｌ電極より形成されていると仮定した。
性の計算結果を示す。ただし、図２中、実線で示した特
性曲線は、図２０の特性曲線に対応し、電極対数Ｎ1 ，
Ｎ2，Ｎ3 を、それぞれ２０，４０，２０とした場合を
あらわす。一方、図２中、破線で示した曲線は、電極対
数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 をそれぞれ２５，３５，４５とした
場合を、また点線で示した曲線は、電極対数Ｎ1 ，
Ｎ2 ，Ｎ3 をそれぞれ２０，４０，３０とした場合をあ
らわす。ただし、図２の計算では、圧電基板として３６
°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 を仮定し、基板表面に形成された
櫛形電極１１Ａ〜１１Ｃは、弾性表面波の波長の８％の
厚さを有するＡｌ電極より形成されていると仮定した。
【００１４】本発明の発明者は、かかる計算により、電
極対数Ｎ1 ，Ｎ3 を非対称にした場合、帯域外スプリア
スピークの高さが著しく減少することを見出した。かか
る帯域外スプリアスピークの抑圧が生じる理由は十分に
解明されているわけではないが、図１の構成では、電極
１１Ａと１１Ｃとが中央の電極１１Ｂに対して非対称に
なるため、電極１１Ａで励起された後、反射器１０Ａで
反射されて電極１１Ｂに戻ってくる波と、電極１１Ｃで
励起された後、反射器１０Ｂで反射されて電極１１Ｂに
戻ってくる波とが互いに打ち消し合い、その結果、図２
０に示したような帯域外のスプリアスピークが消滅する
ものと考えられる。
極対数Ｎ1 ，Ｎ3 を非対称にした場合、帯域外スプリア
スピークの高さが著しく減少することを見出した。かか
る帯域外スプリアスピークの抑圧が生じる理由は十分に
解明されているわけではないが、図１の構成では、電極
１１Ａと１１Ｃとが中央の電極１１Ｂに対して非対称に
なるため、電極１１Ａで励起された後、反射器１０Ａで
反射されて電極１１Ｂに戻ってくる波と、電極１１Ｃで
励起された後、反射器１０Ｂで反射されて電極１１Ｂに
戻ってくる波とが互いに打ち消し合い、その結果、図２
０に示したような帯域外のスプリアスピークが消滅する
ものと考えられる。
【００１５】本発明の第２の特徴によれば、圧電基板上
に形成された第１の弾性表面波装置の電極交差幅に対し
て、同じ圧電基板上に形成され、前記第１の弾性表面波
装置にカスケード接続された第２の弾性表面波装置の電
極交差幅を変えることにより、フィルタの周波数特性に
影響を及ぼす櫛形電極のピッチを変えることなく、入力
側ＳＡＷフィルタの入力インピーダンスと、出力側ＳＡ
Ｗフィルタの出力インピーダンスとを、回路設計上の要
求に従って、自在に、かつ独立に設定することが可能に
なる。また、このように複数のＳＡＷフィルタをカスケ
ード接続することにより、通過帯域内レベルに対して帯
域外レベルを、１段のみのＳＡＷフィルタの場合に対し
て下げることが可能になり、ＳＡＷフィルタの選択度を
向上させることができる。すなわち、本発明により、通
過帯域外のスプリアスピークを抑圧することが可能にな
る。また、入力インピーダンスに対する出力インピーダ
ンスの比を、単一段では不可能な非常に大きな値に設定
することができる。
に形成された第１の弾性表面波装置の電極交差幅に対し
て、同じ圧電基板上に形成され、前記第１の弾性表面波
装置にカスケード接続された第２の弾性表面波装置の電
極交差幅を変えることにより、フィルタの周波数特性に
影響を及ぼす櫛形電極のピッチを変えることなく、入力
側ＳＡＷフィルタの入力インピーダンスと、出力側ＳＡ
Ｗフィルタの出力インピーダンスとを、回路設計上の要
求に従って、自在に、かつ独立に設定することが可能に
なる。また、このように複数のＳＡＷフィルタをカスケ
ード接続することにより、通過帯域内レベルに対して帯
域外レベルを、１段のみのＳＡＷフィルタの場合に対し
て下げることが可能になり、ＳＡＷフィルタの選択度を
向上させることができる。すなわち、本発明により、通
過帯域外のスプリアスピークを抑圧することが可能にな
る。また、入力インピーダンスに対する出力インピーダ
ンスの比を、単一段では不可能な非常に大きな値に設定
することができる。
【００１６】また、このようなＳＡＷフィルタを多段接
続する場合、一の段のＳＡＷフィルタの出力インピーダ
ンスを次段のＳＡＷフィルタの入力インピーダンスに整
合させる必要があるが、その場合、前記一の段のＳＡＷ
フィルタの入力インピーダンスＺ1 と出力インピーダン
スＺ2 、および前記次段のＳＡＷフィルタの入力インピ
ーダンスＺ3 と出力インピーダンスＺ4 との間には、前
記一の段のＳＡＷフィルタと前記次段のＳＡＷフィルタ
とが電極交差幅を除き、実質的に同一構成を有する場
合、次の関係式が成立する。
続する場合、一の段のＳＡＷフィルタの出力インピーダ
ンスを次段のＳＡＷフィルタの入力インピーダンスに整
合させる必要があるが、その場合、前記一の段のＳＡＷ
フィルタの入力インピーダンスＺ1 と出力インピーダン
スＺ2 、および前記次段のＳＡＷフィルタの入力インピ
ーダンスＺ3 と出力インピーダンスＺ4 との間には、前
記一の段のＳＡＷフィルタと前記次段のＳＡＷフィルタ
とが電極交差幅を除き、実質的に同一構成を有する場
合、次の関係式が成立する。
【００１７】Ｚ1 ： Ｚ2 ＝ Ｚ3 ： Ｚ4 一方、前記インピーダンス整合の条件より、Ｚ2 とＺ3
との間には、Ｚ2 ＝Ｚ 3 が成立しなければならない。そ
の結果、前記出力インピーダンスＺ2 および入力インピ
ーダンスＺ3 は、多段ＳＡＷフィルタの入力インピーダ
ンスＺ1 および出力インピーダンスＺ4 により、関係式 Ｚ2 ＝Ｚ3 ＝√（Ｚ1 ×Ｚ4 ） で与えられる。
との間には、Ｚ2 ＝Ｚ 3 が成立しなければならない。そ
の結果、前記出力インピーダンスＺ2 および入力インピ
ーダンスＺ3 は、多段ＳＡＷフィルタの入力インピーダ
ンスＺ1 および出力インピーダンスＺ4 により、関係式 Ｚ2 ＝Ｚ3 ＝√（Ｚ1 ×Ｚ4 ） で与えられる。
【００１８】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第１実施例を、先
に説明した図１、および図３，図４を参照しながら説明
する。図３を参照するに、この図は、図１に示した構造
を、実際に４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 基板上に形成し
た、本発明の第１実施例によるＳＡＷフィルタ１１の周
波数特性を示す。ただし、図３の例では、電極対数
Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を２０：４０：３０とし、また電極１
１Ａ〜１１Ｃは、基板上に励起される弾性表面波の波長
の６％の厚さを有するＡｌ電極より形成している。
に説明した図１、および図３，図４を参照しながら説明
する。図３を参照するに、この図は、図１に示した構造
を、実際に４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 基板上に形成し
た、本発明の第１実施例によるＳＡＷフィルタ１１の周
波数特性を示す。ただし、図３の例では、電極対数
Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を２０：４０：３０とし、また電極１
１Ａ〜１１Ｃは、基板上に励起される弾性表面波の波長
の６％の厚さを有するＡｌ電極より形成している。
【００１９】一方、図４は、図１９に示した従来の構造
において、基板に４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 を使い、電
極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を２１：３５：２１とした場合
の周波数特性を示す。ただし、電極は、図３の場合と同
様に、弾性表面波の波長の６％の厚さのＡｌ電極より構
成している。
において、基板に４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ3 を使い、電
極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を２１：３５：２１とした場合
の周波数特性を示す。ただし、電極は、図３の場合と同
様に、弾性表面波の波長の６％の厚さのＡｌ電極より構
成している。
【００２０】図３，４を参照するに、図４の従来の周波
数特性において、通過帯域の低周波側に出現していた顕
著なスプリアスピークが、図３の周波数特性ではほとん
ど消滅していることがわかる。また、図３の周波数特性
では、通過帯域の高周波側のスプリアスピークも抑圧さ
れている。
数特性において、通過帯域の低周波側に出現していた顕
著なスプリアスピークが、図３の周波数特性ではほとん
ど消滅していることがわかる。また、図３の周波数特性
では、通過帯域の高周波側のスプリアスピークも抑圧さ
れている。
【００２１】本実施例によるＳＡＷフィルタ１１は特に
ＧＨz 帯での使用を念頭においたものであるが、このよ
うな超高周波帯域で使われるＳＡＷフィルタでは、圧電
基板上の櫛形電極の厚さが励起される弾性表面波の波長
に対して無視できなくなり、その結果生じる付加質量の
効果により、圧電基板として使われているＬｉＴａＯ 3
単結晶板の最適カット角が、従来の３６°Ｙよりも高角
度側にずれる。かかる電極の付加質量効果を考慮した最
適カット角は、ＬｉＴａＯ3 基板の場合、４０°Ｙ〜４
４°Ｙの範囲、またＬｉＮｂＯ3 基板の場合には、６６
°Ｙ〜７４°Ｙの範囲となる。
ＧＨz 帯での使用を念頭においたものであるが、このよ
うな超高周波帯域で使われるＳＡＷフィルタでは、圧電
基板上の櫛形電極の厚さが励起される弾性表面波の波長
に対して無視できなくなり、その結果生じる付加質量の
効果により、圧電基板として使われているＬｉＴａＯ 3
単結晶板の最適カット角が、従来の３６°Ｙよりも高角
度側にずれる。かかる電極の付加質量効果を考慮した最
適カット角は、ＬｉＴａＯ3 基板の場合、４０°Ｙ〜４
４°Ｙの範囲、またＬｉＮｂＯ3 基板の場合には、６６
°Ｙ〜７４°Ｙの範囲となる。
【００２２】また、ＳＡＷフィルタ１１において、櫛形
電極１１Ａ〜１１ＣとしてＡｌを主成分とする電極を使
った場合、かかる付加質量効果は、電極の厚さが励起さ
れる弾性表面波の波長の５〜１０％の範囲にある場合に
顕著に現れる。またＬｉＮｂＯ3 基板を使う場合には、
付加質量効果は、前記Ａｌ系櫛形電極の厚さが励起され
る弾性表面波波長の４〜１２％の範囲にある場合に顕著
に現れる。
電極１１Ａ〜１１ＣとしてＡｌを主成分とする電極を使
った場合、かかる付加質量効果は、電極の厚さが励起さ
れる弾性表面波の波長の５〜１０％の範囲にある場合に
顕著に現れる。またＬｉＮｂＯ3 基板を使う場合には、
付加質量効果は、前記Ａｌ系櫛形電極の厚さが励起され
る弾性表面波波長の４〜１２％の範囲にある場合に顕著
に現れる。
【００２３】次に、本発明の第２実施例を、図５を参照
しながら説明する。ただし、図５中、先に説明した部分
に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略
する。図５を参照するに、本実施例によるＳＡＷフィル
タは、前記第１実施例と同様な４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ
3 基板１上に構成され、前記図１９あるいは図１に示し
たのと同様な、Ｘ軸方向に整列した反射器１０Ａ，１０
Ｂ、および反射器１０Ａ，１０Ｂ間に順次配列された櫛
形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１ＣよりなるＳＡＷフィルタ
１１と、同じ基板１上に構成され、Ｘ軸方向に整列した
反射器２０Ａ，２０Ｂ、および反射器２０Ａ，２０Ｂ間
に順次配列された櫛形電極２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃより
なるＳＡＷフィルタ２１とを含み、ＳＡＷフィルタ１１
とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂを構成する
２次側電極（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂを構成する１
次側電極（２１Ｂ）2 に接続することにより、カスケー
ド接続される。ただし、本実施例によるＳＡＷフィルタ
では、ＳＡＷフィルタ１１の電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3
の間には、先の実施例のようにＮ1 ≠Ｎ3 ≠Ｎ2 の関係
が成立してもよいが、この関係は必ずしも成立する必要
はない。
しながら説明する。ただし、図５中、先に説明した部分
に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略
する。図５を参照するに、本実施例によるＳＡＷフィル
タは、前記第１実施例と同様な４２°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ
3 基板１上に構成され、前記図１９あるいは図１に示し
たのと同様な、Ｘ軸方向に整列した反射器１０Ａ，１０
Ｂ、および反射器１０Ａ，１０Ｂ間に順次配列された櫛
形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１ＣよりなるＳＡＷフィルタ
１１と、同じ基板１上に構成され、Ｘ軸方向に整列した
反射器２０Ａ，２０Ｂ、および反射器２０Ａ，２０Ｂ間
に順次配列された櫛形電極２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃより
なるＳＡＷフィルタ２１とを含み、ＳＡＷフィルタ１１
とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂを構成する
２次側電極（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂを構成する１
次側電極（２１Ｂ）2 に接続することにより、カスケー
ド接続される。ただし、本実施例によるＳＡＷフィルタ
では、ＳＡＷフィルタ１１の電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3
の間には、先の実施例のようにＮ1 ≠Ｎ3 ≠Ｎ2 の関係
が成立してもよいが、この関係は必ずしも成立する必要
はない。
【００２４】図５の実施例では、櫛形電極１１Ａ，１１
Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通に入
力電極パッドに接続され、また櫛型電極１１Ａ，１１Ｃ
の２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）1 、および櫛形
電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 は接地されてい
る。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１は２入力１出力型の
フィルタを構成する。これに対し、ＳＡＷフィルタ２１
では、櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（２１Ａ）
2 ，（２１Ｃ）2 が共通に出力電極パッドに接続され、
また櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１
Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 、および櫛形電極２１Ｂの２次側
電極（２１Ｂ）2 は接地されている。すなわち、ＳＡＷ
フィルタ２１は１入力２出力型のフィルタを構成する。
Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通に入
力電極パッドに接続され、また櫛型電極１１Ａ，１１Ｃ
の２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）1 、および櫛形
電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 は接地されてい
る。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１は２入力１出力型の
フィルタを構成する。これに対し、ＳＡＷフィルタ２１
では、櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（２１Ａ）
2 ，（２１Ｃ）2 が共通に出力電極パッドに接続され、
また櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１
Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 、および櫛形電極２１Ｂの２次側
電極（２１Ｂ）2 は接地されている。すなわち、ＳＡＷ
フィルタ２１は１入力２出力型のフィルタを構成する。
【００２５】図５の実施例では、ＳＡＷフィルタ１１の
電極交差幅がＷ1 であるのに対し、ＳＡＷフィルタ２１
の電極交差幅がＷ2 （≠Ｗ1 ）とされ、その結果、ＳＡ
Ｗフィルタ全体の入力インピーダンスと出力インピーダ
ンスとが異なった値に設定される。すなわち、ＳＡＷフ
ィルタ全体の入力インピーダンスは、電極交差幅がＷ 1
のＳＡＷフィルタ１１の入力インピーダンスで決定され
るのに対し、全体の出力インピーダンスは、電極交差幅
がＷ2 のＳＡＷフィルタ２１の出力インピーダンスで決
定される。
電極交差幅がＷ1 であるのに対し、ＳＡＷフィルタ２１
の電極交差幅がＷ2 （≠Ｗ1 ）とされ、その結果、ＳＡ
Ｗフィルタ全体の入力インピーダンスと出力インピーダ
ンスとが異なった値に設定される。すなわち、ＳＡＷフ
ィルタ全体の入力インピーダンスは、電極交差幅がＷ 1
のＳＡＷフィルタ１１の入力インピーダンスで決定され
るのに対し、全体の出力インピーダンスは、電極交差幅
がＷ2 のＳＡＷフィルタ２１の出力インピーダンスで決
定される。
【００２６】先にも説明したように、ＳＡＷフィルタの
入出力インピーダンスは電極対数と電極交差幅に反比例
するが、電極対数はフィルタの通過帯域特性を決定する
ため、自在に選択することはできない。これに対し、電
極交差幅は、フィルタの通過帯域特性とは無関係に設定
できるため、図５の実施例では、電極交差幅Ｗ1 と電極
交差幅Ｗ2 とを独立に設定することにより、ＳＡＷフィ
ルタ１の入力インピーダンスとＳＡＷフィルタ２の出力
インピーダンスとを、独立かつ自在に変化させている。
入出力インピーダンスは電極対数と電極交差幅に反比例
するが、電極対数はフィルタの通過帯域特性を決定する
ため、自在に選択することはできない。これに対し、電
極交差幅は、フィルタの通過帯域特性とは無関係に設定
できるため、図５の実施例では、電極交差幅Ｗ1 と電極
交差幅Ｗ2 とを独立に設定することにより、ＳＡＷフィ
ルタ１の入力インピーダンスとＳＡＷフィルタ２の出力
インピーダンスとを、独立かつ自在に変化させている。
【００２７】図６は、図５のＳＡＷフィルタの一変形例
を示す。ただし、図６中、先に説明した部分には同一の
参照符号を付し、説明を省略する。図６を参照するに、
櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 が入力電極パ
ッドに接続され、一方電極１１Ｂの２次側電極（１１
Ｂ）2 は接地される。これに対し、櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は接地さ
れ、２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は、それぞ
れ櫛形電極２１Ａの１次側電極（２１Ａ）1 および櫛形
電極２１Ｃの１次側電極（２１Ｃ）1 に接続される。す
なわち、ＳＡＷフィルタ１１は、図６の実施例では１入
力２出力型の構成を有する。
を示す。ただし、図６中、先に説明した部分には同一の
参照符号を付し、説明を省略する。図６を参照するに、
櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 が入力電極パ
ッドに接続され、一方電極１１Ｂの２次側電極（１１
Ｂ）2 は接地される。これに対し、櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は接地さ
れ、２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は、それぞ
れ櫛形電極２１Ａの１次側電極（２１Ａ）1 および櫛形
電極２１Ｃの１次側電極（２１Ｃ）1 に接続される。す
なわち、ＳＡＷフィルタ１１は、図６の実施例では１入
力２出力型の構成を有する。
【００２８】一方、ＳＡＷフィルタ２１では、前記櫛形
電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（２１Ａ）2 ，（２１
Ｃ）2 が接地され、また櫛形電極２１Ｂの１次側電極
（２１Ｂ）1 が接地される。その際、出力は、前記櫛形
電極２１Ｂの２次側電極（２１Ｂ）2 から得られる。す
なわち、ＳＡＷフィルタ２１は２入力１出力の構成を有
する。
電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（２１Ａ）2 ，（２１
Ｃ）2 が接地され、また櫛形電極２１Ｂの１次側電極
（２１Ｂ）1 が接地される。その際、出力は、前記櫛形
電極２１Ｂの２次側電極（２１Ｂ）2 から得られる。す
なわち、ＳＡＷフィルタ２１は２入力１出力の構成を有
する。
【００２９】図６のＳＡＷフィルタにおいても、フィル
タ全体の入力インピーダンスとフィルタ全体の出力イン
ピーダンスを、ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ1 と
ＳＡＷフィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 とを、互いに独立
に設定することで、所望の設計値にあわせて自在に設定
することができる。
タ全体の入力インピーダンスとフィルタ全体の出力イン
ピーダンスを、ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ1 と
ＳＡＷフィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 とを、互いに独立
に設定することで、所望の設計値にあわせて自在に設定
することができる。
【００３０】図７は、図５のＳＡＷフィルタのさらに別
の実施例を示す。ただし、図７中、先に説明した部分に
は同一の参照符号を付し、説明を省略する。図７を参照
するに、本実施例では、ＳＡＷフィルタ１１は、図５の
実施例と同様な１入力２出力の構成を有する。また、Ｓ
ＡＷフィルタ２１も、ＳＡＷフィルタ１１と同様な２入
力１出力の構成を有する。すなわち、櫛形電極１１Ａ，
１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通
に入力電極パッドに接続され、また櫛型電極１１Ａ，１
１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）1 、および
櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 は接地されて
いる。同様に、ＳＡＷフィルタ２１でも、櫛形電極２１
Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1 ，（２１Ｃ）2 が
共通に櫛形電極１１Ｂの２次側電極（１１Ｂ）2 に接続
され、２次側電極（２１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 が接地、
櫛形電極２１Ｂの２次側電極（２１Ｂ） 2 が出力電極パ
ッドに接続されている。すなわち、図７の構成では、二
つの１入力２出力型ＳＡＷフィルタ１１，２１が、カス
ケード接続される。
の実施例を示す。ただし、図７中、先に説明した部分に
は同一の参照符号を付し、説明を省略する。図７を参照
するに、本実施例では、ＳＡＷフィルタ１１は、図５の
実施例と同様な１入力２出力の構成を有する。また、Ｓ
ＡＷフィルタ２１も、ＳＡＷフィルタ１１と同様な２入
力１出力の構成を有する。すなわち、櫛形電極１１Ａ，
１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通
に入力電極パッドに接続され、また櫛型電極１１Ａ，１
１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）1 、および
櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1 は接地されて
いる。同様に、ＳＡＷフィルタ２１でも、櫛形電極２１
Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1 ，（２１Ｃ）2 が
共通に櫛形電極１１Ｂの２次側電極（１１Ｂ）2 に接続
され、２次側電極（２１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 が接地、
櫛形電極２１Ｂの２次側電極（２１Ｂ） 2 が出力電極パ
ッドに接続されている。すなわち、図７の構成では、二
つの１入力２出力型ＳＡＷフィルタ１１，２１が、カス
ケード接続される。
【００３１】図７のＳＡＷフィルタでは、ＳＡＷフィル
タ１１とＳＡＷ２１との接続部における損失を最小化す
るために、ＳＡＷフィルタ１１の出力インピーダンスと
ＳＡＷフィルタ２１の入力インピーダンスとを整合させ
ている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１の入力インピー
ダンスをＺ1 、出力インピーダンスをＺ2 、ＳＡＷフィ
ルタ２１の入力インピーダンスをＺ3 ，出力インピーダ
ンスをＺ4 として、一般に関係式 Ｚ1 ： Ｚ2 ＝ Ｚ3 ： Ｚ4 が成立するが、本実施例では、前記インピーダンス整合
を達成するため、前記電極交差幅Ｗ1 ，Ｗ2 は、関係式 Ｚ2 ＝Ｚ3 が成立するように設定される。
タ１１とＳＡＷ２１との接続部における損失を最小化す
るために、ＳＡＷフィルタ１１の出力インピーダンスと
ＳＡＷフィルタ２１の入力インピーダンスとを整合させ
ている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１の入力インピー
ダンスをＺ1 、出力インピーダンスをＺ2 、ＳＡＷフィ
ルタ２１の入力インピーダンスをＺ3 ，出力インピーダ
ンスをＺ4 として、一般に関係式 Ｚ1 ： Ｚ2 ＝ Ｚ3 ： Ｚ4 が成立するが、本実施例では、前記インピーダンス整合
を達成するため、前記電極交差幅Ｗ1 ，Ｗ2 は、関係式 Ｚ2 ＝Ｚ3 が成立するように設定される。
【００３２】その結果、Ｚ1 ，Ｚ2 ，Ｚ3 ，Ｚ4 の間に
は、関係式 Ｚ2 ＝ Ｚ3 ＝ √（Ｚ1 ×Ｚ4 ） が成立する。図７の構成のＳＡＷフィルタでは、例えば
ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ 1 を６０λ，ＳＡＷ
フィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 を３５λとし、ＳＡＷフ
ィルタ１１，２１の電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を、
Ｎ1 ：Ｎ2 ：Ｎ3 ＝１５：２１：１５に設定する。ただ
し、λは圧電基板上に励起される弾性表面波の波長であ
り、約４．３μｍの値を有する。この場合、ＳＡＷフィ
ルタ１１の入力インピーダンス、すなわちＳＡＷフィル
タ全体の入力インピーダンスは５０Ω、ＳＡＷフィルタ
２１の出力インピーダンス、すなわちＳＡＷフィルタ全
体の出力インピーダンスは１５０Ωとなる。
は、関係式 Ｚ2 ＝ Ｚ3 ＝ √（Ｚ1 ×Ｚ4 ） が成立する。図７の構成のＳＡＷフィルタでは、例えば
ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ 1 を６０λ，ＳＡＷ
フィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 を３５λとし、ＳＡＷフ
ィルタ１１，２１の電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 を、
Ｎ1 ：Ｎ2 ：Ｎ3 ＝１５：２１：１５に設定する。ただ
し、λは圧電基板上に励起される弾性表面波の波長であ
り、約４．３μｍの値を有する。この場合、ＳＡＷフィ
ルタ１１の入力インピーダンス、すなわちＳＡＷフィル
タ全体の入力インピーダンスは５０Ω、ＳＡＷフィルタ
２１の出力インピーダンス、すなわちＳＡＷフィルタ全
体の出力インピーダンスは１５０Ωとなる。
【００３３】図７のＳＡＷフィルタでは、ＳＡＷフィル
タ１１と２１との間にインピーダンス整合が成立してい
るため、これを多段カスケード接続することが可能であ
るが、その場合には、入力インピーダンスと出力インピ
ーダンスの差をさらに大きくすることが可能である。
タ１１と２１との間にインピーダンス整合が成立してい
るため、これを多段カスケード接続することが可能であ
るが、その場合には、入力インピーダンスと出力インピ
ーダンスの差をさらに大きくすることが可能である。
【００３４】また、このような多段接続されたＳＡＷフ
ィルタでは、通過帯域レベルに対して通過帯域外レベル
を、単一段よりなるＳＡＷフィルタに比べて効果的に抑
圧することが可能である。図８は、図７のＳＡＷフィル
タの周波数特性を、入力側を５０Ωの抵抗で終端し、出
力側を１５０Ωの抵抗で終端した場合について示す。
ィルタでは、通過帯域レベルに対して通過帯域外レベル
を、単一段よりなるＳＡＷフィルタに比べて効果的に抑
圧することが可能である。図８は、図７のＳＡＷフィル
タの周波数特性を、入力側を５０Ωの抵抗で終端し、出
力側を１５０Ωの抵抗で終端した場合について示す。
【００３５】図８を参照するに、かかるＳＡＷフィルタ
を多段接続した構成により、通過帯域外のスプリアスピ
ークが、効果的に抑圧されていることがわかる。すなわ
ち、本実施例によるＳＡＷフィルタにより、図１〜３で
説明したＳＡＷフィルタと同様な、スプリアスピークの
抑圧が可能になり、ＳＡＷフィルタの周波数特性が向上
する。
を多段接続した構成により、通過帯域外のスプリアスピ
ークが、効果的に抑圧されていることがわかる。すなわ
ち、本実施例によるＳＡＷフィルタにより、図１〜３で
説明したＳＡＷフィルタと同様な、スプリアスピークの
抑圧が可能になり、ＳＡＷフィルタの周波数特性が向上
する。
【００３６】図９は本発明の第３実施例によるＳＡＷフ
ィルタの構成を示す。ただし、図９中、先に説明した部
分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。本実施
例では、単一のＳＡＷフィルタにおいて、出力インピー
ダンスの値を入力インピーダンスの値に対して変化させ
る。
ィルタの構成を示す。ただし、図９中、先に説明した部
分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。本実施
例では、単一のＳＡＷフィルタにおいて、出力インピー
ダンスの値を入力インピーダンスの値に対して変化させ
る。
【００３７】図９を参照するに、櫛形電極１１Ｂの１次
側電極（１１Ｂ）1 は第１の入力電極パッドに接続さ
れ、さらに２次側電極（１１Ｂ）2 は第２の入力電極パ
ッドに接続される。すなわち、図９のＳＡＷフィルタ
は、前記第１および第２の入力電極パッドに別個の入力
信号を供給した場合、いわゆる差動型のフィルタを構成
する。また、従来のように、電極（１１Ｂ）2 を接地し
てもよい。
側電極（１１Ｂ）1 は第１の入力電極パッドに接続さ
れ、さらに２次側電極（１１Ｂ）2 は第２の入力電極パ
ッドに接続される。すなわち、図９のＳＡＷフィルタ
は、前記第１および第２の入力電極パッドに別個の入力
信号を供給した場合、いわゆる差動型のフィルタを構成
する。また、従来のように、電極（１１Ｂ）2 を接地し
てもよい。
【００３８】さらに、図９のＳＡＷフィルタでは、櫛形
電極１１Ａの２次側電極（１１Ａ） 2 と櫛形電極１１Ｃ
の２次側電極（１１Ｃ）2 とが接続され、さらに櫛形電
極１１Ａの１次側電極（１１Ａ）1 が第１の出力端子
に、櫛形電極１１Ｃの１次側電極（１１Ｃ）1 が第２の
出力端子に接続される。換言すると、櫛形電極１１Ａと
櫛形電極１１Ｃとはカスケード接続される。また、前記
電極（１１Ａ）1 または電極（１１Ｃ）1 を接地しても
よい。
電極１１Ａの２次側電極（１１Ａ） 2 と櫛形電極１１Ｃ
の２次側電極（１１Ｃ）2 とが接続され、さらに櫛形電
極１１Ａの１次側電極（１１Ａ）1 が第１の出力端子
に、櫛形電極１１Ｃの１次側電極（１１Ｃ）1 が第２の
出力端子に接続される。換言すると、櫛形電極１１Ａと
櫛形電極１１Ｃとはカスケード接続される。また、前記
電極（１１Ａ）1 または電極（１１Ｃ）1 を接地しても
よい。
【００３９】図９の構成では、櫛形電極１１Ａ〜１１Ｃ
は、いずれも同一の電極交差幅Ｗを有するが、出力電極
を構成する櫛形電極１１Ａおよび１１Ｃがカスケード接
続されるため、ＳＡＷフィルタの出力インピーダンス
は、櫛形電極１１Ａの出力インピーダンスＺ1 と櫛形電
極１１Ｃの出力インピーダンスＺ3 の和になる。すなわ
ち、図９の構成では、ＳＡＷフィルタの出力インピーダ
ンスを、入力インピーダンスＺ2 に対して、完全に自在
にではないが、増大あるいは減少させることが可能であ
る。ただし、入力インピーダンスＺ2 は、櫛形電極１１
Ｂの入力インピーダンスＺ2 に等しい。
は、いずれも同一の電極交差幅Ｗを有するが、出力電極
を構成する櫛形電極１１Ａおよび１１Ｃがカスケード接
続されるため、ＳＡＷフィルタの出力インピーダンス
は、櫛形電極１１Ａの出力インピーダンスＺ1 と櫛形電
極１１Ｃの出力インピーダンスＺ3 の和になる。すなわ
ち、図９の構成では、ＳＡＷフィルタの出力インピーダ
ンスを、入力インピーダンスＺ2 に対して、完全に自在
にではないが、増大あるいは減少させることが可能であ
る。ただし、入力インピーダンスＺ2 は、櫛形電極１１
Ｂの入力インピーダンスＺ2 に等しい。
【００４０】図１０は、本発明の第４実施例によるＳＡ
Ｗフィルタの、パッケージを含む構成を示す。ただし、
先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省
略する。図１０を参照するに、図５に示した構成のＳＡ
Ｗフィルタを担持する圧電基板１がセラミックパッケー
ジ基板１００上に担持され、前記パッケージ基板１００
上には第１の側に接地電極１０１および１０３が、入力
電極１０２を両側から挟持するように形成される。ま
た、前記パッケージ基板１００は、第２の側に、別の接
地電極１０４および１０６が、出力電極１０５を両側か
ら挟持するように形成される。
Ｗフィルタの、パッケージを含む構成を示す。ただし、
先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省
略する。図１０を参照するに、図５に示した構成のＳＡ
Ｗフィルタを担持する圧電基板１がセラミックパッケー
ジ基板１００上に担持され、前記パッケージ基板１００
上には第１の側に接地電極１０１および１０３が、入力
電極１０２を両側から挟持するように形成される。ま
た、前記パッケージ基板１００は、第２の側に、別の接
地電極１０４および１０６が、出力電極１０５を両側か
ら挟持するように形成される。
【００４１】図１０の構成では、圧電基板１上のＳＡＷ
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図５
の電極（１１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の前記接地
電極１０１に、Ａｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図５の電極（１１Ｃ）2 ）は、パッ
ケージ１００上の前記接地電極１０３に、別のＡｌワイ
ヤ１０７で接続される。さらに、櫛形電極１１Ｂの接地
電極（図５の電極（１１Ｂ）1 ）は、前記接地電極１０
３に、別のＡｌワイヤ１０７により接続される。一方、
前記櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの出力電極（図５の電極
（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は、共通に、前記接地電極
１０１と１０３の間に配設された入力電極１０２に、別
のＡｌワイヤ１０７により接続される。
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図５
の電極（１１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の前記接地
電極１０１に、Ａｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図５の電極（１１Ｃ）2 ）は、パッ
ケージ１００上の前記接地電極１０３に、別のＡｌワイ
ヤ１０７で接続される。さらに、櫛形電極１１Ｂの接地
電極（図５の電極（１１Ｂ）1 ）は、前記接地電極１０
３に、別のＡｌワイヤ１０７により接続される。一方、
前記櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの出力電極（図５の電極
（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は、共通に、前記接地電極
１０１と１０３の間に配設された入力電極１０２に、別
のＡｌワイヤ１０７により接続される。
【００４２】これに対し、圧電基板１上のＳＡＷフィル
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図５の電極
（２１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の前記接地電極１
０４に、別のＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極２
１Ｃの接地電極（図５の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケ
ージ１００上の前記接地電極１０３に、別のＡｌワイヤ
１０７で接続される。さらに、櫛形電極２１Ｂの接地電
極（図５の電極（２１Ｂ）2 ）は、前記接地電極１０４
に、別のＡｌワイヤ１０７により接続される。一方、前
記櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの出力電極（図５の電極（２
１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 は、共通に、前記接地電極１０
４と１０６の間に配設された入力電極１０５に、別のＡ
ｌワイヤ１０７により接続される。また、ＳＡＷフィル
タ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂの２
次側電極（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂの１次側電極
（２１Ｂ）1 に接続することにより、カスケード接続さ
れる。
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図５の電極
（２１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の前記接地電極１
０４に、別のＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極２
１Ｃの接地電極（図５の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケ
ージ１００上の前記接地電極１０３に、別のＡｌワイヤ
１０７で接続される。さらに、櫛形電極２１Ｂの接地電
極（図５の電極（２１Ｂ）2 ）は、前記接地電極１０４
に、別のＡｌワイヤ１０７により接続される。一方、前
記櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの出力電極（図５の電極（２
１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 は、共通に、前記接地電極１０
４と１０６の間に配設された入力電極１０５に、別のＡ
ｌワイヤ１０７により接続される。また、ＳＡＷフィル
タ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂの２
次側電極（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂの１次側電極
（２１Ｂ）1 に接続することにより、カスケード接続さ
れる。
【００４３】一般にセラミックパッケージ上に形成され
た電極相互間では容量結合が形成されるのが避けられな
いが、本実施例の構成では、入力側の接地電極１０１，
１０３に対して出力側の接地電極１０４，１０６を、パ
ッケージの対向縁部に形成することにより、このような
接地電極が相互に干渉してＳＡＷフィルタの選択特性が
劣化する問題が回避される。また、図１０の構成では入
力側，出力側のそれぞれにおいて、接地電極、例えは電
極１０１と１０３、あるいは電極１０４と１０６を独立
させ、相互干渉を回避している。
た電極相互間では容量結合が形成されるのが避けられな
いが、本実施例の構成では、入力側の接地電極１０１，
１０３に対して出力側の接地電極１０４，１０６を、パ
ッケージの対向縁部に形成することにより、このような
接地電極が相互に干渉してＳＡＷフィルタの選択特性が
劣化する問題が回避される。また、図１０の構成では入
力側，出力側のそれぞれにおいて、接地電極、例えは電
極１０１と１０３、あるいは電極１０４と１０６を独立
させ、相互干渉を回避している。
【００４４】図１１は、図１０の構成のＳＡＷフィルタ
の通過帯域特性を、図１０の構成において、ＳＡＷフィ
ルタ１１および２１の接地接続を、入力側接地電極１０
１，１０３および出力側接地電極１０４，１０６とで入
れ換えた場合と比較して示す。
の通過帯域特性を、図１０の構成において、ＳＡＷフィ
ルタ１１および２１の接地接続を、入力側接地電極１０
１，１０３および出力側接地電極１０４，１０６とで入
れ換えた場合と比較して示す。
【００４５】図１１中、特性Ｂは図１０の構成のＳＡＷ
フィルタの通過帯域特性を、一方特性Ａは、前記フィル
タ１１を構成する櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極
（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 をそれぞれ接地電極１０１
および１０４にＡｌワイヤにより接続した場合に対応す
る。
フィルタの通過帯域特性を、一方特性Ａは、前記フィル
タ１１を構成する櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極
（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 をそれぞれ接地電極１０１
および１０４にＡｌワイヤにより接続した場合に対応す
る。
【００４６】図１１よりわかるように、図１０の構成を
使うことにより、ＳＡＷフィルタの通過帯域外レベルが
著しく改善される。逆に、特性Ａでは、かかる接地電極
間の干渉により帯域外レベルが低下してしまう。ところ
で、このような、パッケージも含めたＳＡＷフィルタの
構成においては、入力側接地電極出力側接地電極との干
渉を回避するように、ＳＡＷフィルタを保護する金属キ
ャップの構成についても改良が要求される。
使うことにより、ＳＡＷフィルタの通過帯域外レベルが
著しく改善される。逆に、特性Ａでは、かかる接地電極
間の干渉により帯域外レベルが低下してしまう。ところ
で、このような、パッケージも含めたＳＡＷフィルタの
構成においては、入力側接地電極出力側接地電極との干
渉を回避するように、ＳＡＷフィルタを保護する金属キ
ャップの構成についても改良が要求される。
【００４７】図１２は、本発明の第５実施例による、図
１０のＳＡＷフィルタの金属キャップまで含めた構成を
示す分解図である。図１２を参照するに、パッケージ本
体１００は、ベース１００Ａとベース１００Ａ上に形成
された電極保持部１００Ｂとよりなり、さらにかかるパ
ッケージ本体１００上にスペーサ１１０を介して金属キ
ャップ１２０が設けられる。ベース１００Ａは、四隅に
カット１００Ａ1 ，１００Ａ2 ，１００Ａ3 および１０
０Ａ 4 を形成され、また上主面上に接地電極１００Ｇが
形成される。さらに、前記接地電極１００Ｇには、パッ
ケージ１００の出力側縁部に電極リード１００Ｇａおよ
び１００Ｇｂが形成され、電極リード１００Ｇａおよび
１００Ｇｂからは、ベース１００Ａの側壁面上を電極リ
ード１００ｇａおよび１００ｇｂが、ぞれぞれ接地電極
リードとして延在する。同様に、パッケージ１００の入
力側縁部には電極リード１００Ｇｃおよび１００Ｇｄが
形成され、電極リード１００Ｇｃおよび１００Ｇｄから
は、ベース１００Ａの側壁面上を電極リード１００ｇｃ
および１００ｇｄが、ぞれぞれ接地電極リードとして延
在する。
１０のＳＡＷフィルタの金属キャップまで含めた構成を
示す分解図である。図１２を参照するに、パッケージ本
体１００は、ベース１００Ａとベース１００Ａ上に形成
された電極保持部１００Ｂとよりなり、さらにかかるパ
ッケージ本体１００上にスペーサ１１０を介して金属キ
ャップ１２０が設けられる。ベース１００Ａは、四隅に
カット１００Ａ1 ，１００Ａ2 ，１００Ａ3 および１０
０Ａ 4 を形成され、また上主面上に接地電極１００Ｇが
形成される。さらに、前記接地電極１００Ｇには、パッ
ケージ１００の出力側縁部に電極リード１００Ｇａおよ
び１００Ｇｂが形成され、電極リード１００Ｇａおよび
１００Ｇｂからは、ベース１００Ａの側壁面上を電極リ
ード１００ｇａおよび１００ｇｂが、ぞれぞれ接地電極
リードとして延在する。同様に、パッケージ１００の入
力側縁部には電極リード１００Ｇｃおよび１００Ｇｄが
形成され、電極リード１００Ｇｃおよび１００Ｇｄから
は、ベース１００Ａの側壁面上を電極リード１００ｇｃ
および１００ｇｄが、ぞれぞれ接地電極リードとして延
在する。
【００４８】前記ベース１００Ａ上にはＳＡＷフィルタ
を担持する圧電基板１が保持され、また同じベース１０
０Ａ上には前記電極保持部１００Ｂが設けられる。その
際、電極保持部１００Ｂには中央部にベース１００Ａ上
の接地電極１００Ｇを露出する開口部が形成され、前記
圧電基板１はかかる開口部を介して前記接地電極１００
Ｇに接着される。
を担持する圧電基板１が保持され、また同じベース１０
０Ａ上には前記電極保持部１００Ｂが設けられる。その
際、電極保持部１００Ｂには中央部にベース１００Ａ上
の接地電極１００Ｇを露出する開口部が形成され、前記
圧電基板１はかかる開口部を介して前記接地電極１００
Ｇに接着される。
【００４９】電極保持部１００Ｂは四隅にそれぞれ前記
カット１００Ａ1 〜１００Ａ4 に対応するカット１００
Ｂ1 〜１００Ｂ4 を形成され、電極１０１〜１０３は、
電極保持部１００Ｂの上主面上に、入力側縁部に沿って
形成される。また、電極１０４〜１０６は出力側縁部に
沿って形成される。電極１０４〜１０６からは、それぞ
れ電極リード１０４ａ，１０５ａ，１０６ａが、電極保
持部１００Ｂの出力側側壁面上を延在し、電極リード１
０４ａはベース１００Ａ側壁面上の電極リード１００ｇ
ａに接続する。同様に、電極リード１０６ａはベース１
００Ａ側壁面上の電極リード１００ｇｂに接続する。さ
らに、電極リード１０５ａは、ベース１００Ａ側壁面上
の電極リード１００ｏに接続する。さらに同様な電極リ
ードが、入力側縁部に沿った電極１０１〜１０３につい
ても形成される。
カット１００Ａ1 〜１００Ａ4 に対応するカット１００
Ｂ1 〜１００Ｂ4 を形成され、電極１０１〜１０３は、
電極保持部１００Ｂの上主面上に、入力側縁部に沿って
形成される。また、電極１０４〜１０６は出力側縁部に
沿って形成される。電極１０４〜１０６からは、それぞ
れ電極リード１０４ａ，１０５ａ，１０６ａが、電極保
持部１００Ｂの出力側側壁面上を延在し、電極リード１
０４ａはベース１００Ａ側壁面上の電極リード１００ｇ
ａに接続する。同様に、電極リード１０６ａはベース１
００Ａ側壁面上の電極リード１００ｇｂに接続する。さ
らに、電極リード１０５ａは、ベース１００Ａ側壁面上
の電極リード１００ｏに接続する。さらに同様な電極リ
ードが、入力側縁部に沿った電極１０１〜１０３につい
ても形成される。
【００５０】一方、スペーサ１１０は前記電極１０１〜
１０６の一部および圧電基板１を露出するリング状の構
成を有し、四隅にはそれぞれ前記カット１００Ｂ1 〜１
００Ｂ4 に対応するカット１１０1 〜１１０4 が形成さ
れる。また、スペーサ１１０の上主面上には接地電極１
１０Ａが形成され、前記金属キャップ１２０はかかる接
地電極１１０Ａ上にロウ付けされる。
１０６の一部および圧電基板１を露出するリング状の構
成を有し、四隅にはそれぞれ前記カット１００Ｂ1 〜１
００Ｂ4 に対応するカット１１０1 〜１１０4 が形成さ
れる。また、スペーサ１１０の上主面上には接地電極１
１０Ａが形成され、前記金属キャップ１２０はかかる接
地電極１１０Ａ上にロウ付けされる。
【００５１】その際、前記カット１１０1 を構成するス
ペーサ１１０の側壁面上には、接地電極１１０Ａから延
在する電極リードが形成され、かかるカット１１０1 上
の電極リードは、スペーサ１１０を電極保持部１００Ｂ
上に装着する際、前記電極保持部１００Ｂ上において前
記接地電極１０４からカット１００Ｂ1 に向かって延在
する電極リード１０４ａ’に接続される。換言すると、
前記金属キャップ１２０は、前記接地電極１０４にのみ
電気的に接続され、他の接地電極１０１，１０３あるい
は１０６には接続されない。その結果、図１１で説明し
た接地電極相互間の干渉によるＳＡＷフィルタの通過帯
域特性の劣化が生じるのを回避することができる。
ペーサ１１０の側壁面上には、接地電極１１０Ａから延
在する電極リードが形成され、かかるカット１１０1 上
の電極リードは、スペーサ１１０を電極保持部１００Ｂ
上に装着する際、前記電極保持部１００Ｂ上において前
記接地電極１０４からカット１００Ｂ1 に向かって延在
する電極リード１０４ａ’に接続される。換言すると、
前記金属キャップ１２０は、前記接地電極１０４にのみ
電気的に接続され、他の接地電極１０１，１０３あるい
は１０６には接続されない。その結果、図１１で説明し
た接地電極相互間の干渉によるＳＡＷフィルタの通過帯
域特性の劣化が生じるのを回避することができる。
【００５２】図１３は、図１２のＳＡＷフィルタの通過
帯域特性を示す。図１３を参照するに、特性Ｂは図１２
のＳＡＷフィルタのものを、一方特性Ａは図１２におい
て、金属キャップ１２０をその四隅全てにおいて接地し
た場合を示す。図１２よりわかるように、金属キャップ
１２０を四隅全てにおいて接地した場合、一か所のみで
接地した場合に対して通過帯域外レベルが著しく上昇し
てしまう。これば、複数の接地電極が、前記金属キャッ
プ１２０を介して相互作用していることを示す。
帯域特性を示す。図１３を参照するに、特性Ｂは図１２
のＳＡＷフィルタのものを、一方特性Ａは図１２におい
て、金属キャップ１２０をその四隅全てにおいて接地し
た場合を示す。図１２よりわかるように、金属キャップ
１２０を四隅全てにおいて接地した場合、一か所のみで
接地した場合に対して通過帯域外レベルが著しく上昇し
てしまう。これば、複数の接地電極が、前記金属キャッ
プ１２０を介して相互作用していることを示す。
【００５３】図１４は、本発明の第６実施例によるＳＡ
Ｗフィルタの、パッケージまで含めた構成を示す図であ
る。ただし、図１４の実施例は図１０の実施例の変形で
あり、図１４中、先に説明した部分には同一の参照符号
を付し、説明を省略する。図１４を参照するに、本実施
例では、図１０と同じパッケージ１００上に、前記ＳＡ
Ｗフィルタ１１（または２１）のみを担持した圧電基板
１が設けられる。この場合、出力側櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの接地は、出力側接地電極１０４，１０６におい
て、また入力側櫛形電極１１Ｂの接地は、入力側接地電
極１０１においてとられる。ただし、図１４の構成で
は、接地電極１０１にも入力信号が供給され、その結
果、ＳＡＷフィルタは差動型フィルタとして動作する。
Ｗフィルタの、パッケージまで含めた構成を示す図であ
る。ただし、図１４の実施例は図１０の実施例の変形で
あり、図１４中、先に説明した部分には同一の参照符号
を付し、説明を省略する。図１４を参照するに、本実施
例では、図１０と同じパッケージ１００上に、前記ＳＡ
Ｗフィルタ１１（または２１）のみを担持した圧電基板
１が設けられる。この場合、出力側櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの接地は、出力側接地電極１０４，１０６におい
て、また入力側櫛形電極１１Ｂの接地は、入力側接地電
極１０１においてとられる。ただし、図１４の構成で
は、接地電極１０１にも入力信号が供給され、その結
果、ＳＡＷフィルタは差動型フィルタとして動作する。
【００５４】かかる構成においても、入力側接地電極と
出力側接地電極との間の容量結合が抑制され、その結果
図１０あるいは図１２に示したのと同様な優れた帯域外
減衰特性が得られる。図１５は、本発明の第７実施例に
よるＳＡＷフィルタの構成を示す図である。ただし、先
に説明した部分は同じ参照符号で示し、説明を省略す
る。
出力側接地電極との間の容量結合が抑制され、その結果
図１０あるいは図１２に示したのと同様な優れた帯域外
減衰特性が得られる。図１５は、本発明の第７実施例に
よるＳＡＷフィルタの構成を示す図である。ただし、先
に説明した部分は同じ参照符号で示し、説明を省略す
る。
【００５５】先に説明した図１４のＳＡＷフィルタは、
接地電極にも入力信号を供給することにより差動型のフ
ィルタとして動作するが、本実施例によるＳＡＷフィル
タも、図１のＳＡＷフィルタにおいて、櫛形電極１１Ａ
の２次側電極（１１Ａ）2 および櫛形電極１１Ｃの２次
側電極（１１Ｃ）2 を接地するかわりに、これらに１次
側電極（１１Ａ）1 および（１１Ｃ）1 に供給される第
１の入力信号Ｉｎ1 とは別の第２の入力信号Ｉｎ2 を供
給することにより、差動型フィルタの構成を有する。ま
た、その際、櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1
も図１の構成の場合のように接地されるかわりに、２次
側電極（１１Ｂ）2 から出力される出力信号Ｏｕｔ1 と
は別の出力信号Ｏｕｔ2 を出力する出力電極として作用
する。
接地電極にも入力信号を供給することにより差動型のフ
ィルタとして動作するが、本実施例によるＳＡＷフィル
タも、図１のＳＡＷフィルタにおいて、櫛形電極１１Ａ
の２次側電極（１１Ａ）2 および櫛形電極１１Ｃの２次
側電極（１１Ｃ）2 を接地するかわりに、これらに１次
側電極（１１Ａ）1 および（１１Ｃ）1 に供給される第
１の入力信号Ｉｎ1 とは別の第２の入力信号Ｉｎ2 を供
給することにより、差動型フィルタの構成を有する。ま
た、その際、櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1
も図１の構成の場合のように接地されるかわりに、２次
側電極（１１Ｂ）2 から出力される出力信号Ｏｕｔ1 と
は別の出力信号Ｏｕｔ2 を出力する出力電極として作用
する。
【００５６】図１５の構成においても、図１の構成と同
様に、電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 が非対称に設定されて
いる（Ｎ1 ≠Ｎ3 ≠Ｎ2 ）。図１６は本実施例の別の変
形例であり、図５の構成のＳＡＷフィルタを作動型に変
形したものである。ただし、図１６中、先に説明した部
分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
様に、電極対数Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 が非対称に設定されて
いる（Ｎ1 ≠Ｎ3 ≠Ｎ2 ）。図１６は本実施例の別の変
形例であり、図５の構成のＳＡＷフィルタを作動型に変
形したものである。ただし、図１６中、先に説明した部
分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５７】図１６を参照するに、櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃのそれぞれの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）
2 には、１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 に供給
される入力信号Ｉｎ1 とは別の入力信号Ｉｎ2 が共通に
供給され、また櫛形電極２１Ａ，２１Ｃのそれぞれの１
次側電極（２１）Ａ1 ，（２１Ｃ）1 からは、２次側電
極（２１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 から出力される出力信号
Ｏｕｔ1 とは別の出力信号Ｏｕｔ2 が得られる。
１Ｃのそれぞれの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）
2 には、１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 に供給
される入力信号Ｉｎ1 とは別の入力信号Ｉｎ2 が共通に
供給され、また櫛形電極２１Ａ，２１Ｃのそれぞれの１
次側電極（２１）Ａ1 ，（２１Ｃ）1 からは、２次側電
極（２１Ａ）2 ，（２１Ｃ）2 から出力される出力信号
Ｏｕｔ1 とは別の出力信号Ｏｕｔ2 が得られる。
【００５８】図５の構成と同様に、図１６の構成におい
ても、ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ1 とＳＡＷフ
ィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 とは異なった大きさを有す
る。さらに、図１７および１８の構成は、それぞれ図６
および図７のＳＡＷフィルタを差動型に変形した例を示
す。これらの例においても、接地電極に図６あるいは図
７で使われた入力信号Ｉｎ1 とは別の入力信号Ｉｎ2 を
供給し、あるいは接地電極から図６あるいは図７の出力
信号Ｏｕｔ1 とは別の出力信号Ｏｕｔ2 を取り出すこと
により、ＳＡＷフィルタを差動型フィルタとして動作さ
せることができる。図１７，１８の構成は先の説明より
明らかであり、説明を省略する。ただし、図１５〜１８
の構成では、ＳＡＷフィルタを入力端子および出力端子
の双方について差動型に構成したが、入力端子および出
力端子の一方についてのみ差動型に構成してもよい。
ても、ＳＡＷフィルタ１１の電極交差幅Ｗ1 とＳＡＷフ
ィルタ２１の電極交差幅Ｗ2 とは異なった大きさを有す
る。さらに、図１７および１８の構成は、それぞれ図６
および図７のＳＡＷフィルタを差動型に変形した例を示
す。これらの例においても、接地電極に図６あるいは図
７で使われた入力信号Ｉｎ1 とは別の入力信号Ｉｎ2 を
供給し、あるいは接地電極から図６あるいは図７の出力
信号Ｏｕｔ1 とは別の出力信号Ｏｕｔ2 を取り出すこと
により、ＳＡＷフィルタを差動型フィルタとして動作さ
せることができる。図１７，１８の構成は先の説明より
明らかであり、説明を省略する。ただし、図１５〜１８
の構成では、ＳＡＷフィルタを入力端子および出力端子
の双方について差動型に構成したが、入力端子および出
力端子の一方についてのみ差動型に構成してもよい。
【００５９】以上の各実施例において、圧電基板１とし
て、第１実施例の場合と同様に、ＬｉＴａＯ3 あるいは
ＬｉＮｂＯ3 の単結晶を、ＬｉＴａＯ3 の場合４０°Ｙ
〜４４°Ｙの範囲の回転角で、またＬｉＮｂＯ3 の場合
６６°Ｙ〜７４°Ｙの範囲の回転角でカットした、回転
Ｙ板を使うのが好ましい。また、その際、圧電基板上に
形成される櫛形電極は、圧電基板としてＬｉＴａＯ3 を
使う場合、圧電基板上に励起される弾性表面波の波長の
５〜１０％の範囲の厚さのＡｌあるいはＡｌ合金により
構成するのが好ましい。圧電基板としてＬｉＮｂＯ3 を
使う場合には、櫛形電極を、励起弾性表面波の波長の４
〜１２％の範囲の圧だのＡｌあるいはＡｌ合金により構
成するのが好ましい。
て、第１実施例の場合と同様に、ＬｉＴａＯ3 あるいは
ＬｉＮｂＯ3 の単結晶を、ＬｉＴａＯ3 の場合４０°Ｙ
〜４４°Ｙの範囲の回転角で、またＬｉＮｂＯ3 の場合
６６°Ｙ〜７４°Ｙの範囲の回転角でカットした、回転
Ｙ板を使うのが好ましい。また、その際、圧電基板上に
形成される櫛形電極は、圧電基板としてＬｉＴａＯ3 を
使う場合、圧電基板上に励起される弾性表面波の波長の
５〜１０％の範囲の厚さのＡｌあるいはＡｌ合金により
構成するのが好ましい。圧電基板としてＬｉＮｂＯ3 を
使う場合には、櫛形電極を、励起弾性表面波の波長の４
〜１２％の範囲の圧だのＡｌあるいはＡｌ合金により構
成するのが好ましい。
【００６０】
【発明の効果】請求項１および４〜７、あるいは１４記
載の本発明の特徴によれば、弾性表面波装置を、圧電基
板上に共通に形成された少なくとも第１および第２の弾
性表面波装置要素を含むように構成し、前記第１の弾性
表面波装置要素を前記第２の弾性表面波装置要素にカス
ケード接続し、その際前記第１の弾性表面波装置要素の
電極交差幅を、前記第２の弾性表面波装置要素の電極交
差幅に対して変化させることにより、前記第１および第
２の弾性表面波装置要素を含む弾性表面波装置の入力イ
ンピーダンスと出力インピーダンスとを、自在に設定す
ることが可能になる。
載の本発明の特徴によれば、弾性表面波装置を、圧電基
板上に共通に形成された少なくとも第１および第２の弾
性表面波装置要素を含むように構成し、前記第１の弾性
表面波装置要素を前記第２の弾性表面波装置要素にカス
ケード接続し、その際前記第１の弾性表面波装置要素の
電極交差幅を、前記第２の弾性表面波装置要素の電極交
差幅に対して変化させることにより、前記第１および第
２の弾性表面波装置要素を含む弾性表面波装置の入力イ
ンピーダンスと出力インピーダンスとを、自在に設定す
ることが可能になる。
【００６１】請求項２または３記載の本発明の特徴によ
れば、かかる共通の圧電基板上において第１の弾性表面
波装置要素と第２の弾性表面波装置要素とをカスケード
接続した弾性表面波装置において、それぞれの電極交差
幅を、前記第１の弾性表面波装置要素の出力インピーダ
ンスと前記第２の弾性表面波装置要素の入力インピーダ
ンスとが整合するように設定すれることにより、インピ
ーダンスの不整合に伴う損失を最小化することが可能に
なる。
れば、かかる共通の圧電基板上において第１の弾性表面
波装置要素と第２の弾性表面波装置要素とをカスケード
接続した弾性表面波装置において、それぞれの電極交差
幅を、前記第１の弾性表面波装置要素の出力インピーダ
ンスと前記第２の弾性表面波装置要素の入力インピーダ
ンスとが整合するように設定すれることにより、インピ
ーダンスの不整合に伴う損失を最小化することが可能に
なる。
【００６２】請求項８記載の本発明の特徴によれば、前
記第１および第２の弾性表面波装置要素の各々をいわゆ
る二重モード型フィルタとして構成し、弾性表面波の経
路に沿って配設された第１、第２および第３の櫛形電極
を、それぞれ互いに異なる第１，第２および第３の電極
対数を有するように形成することにより、通過帯域外の
スプリアスピークを効果的に抑圧することが可能にな
る。
記第１および第２の弾性表面波装置要素の各々をいわゆ
る二重モード型フィルタとして構成し、弾性表面波の経
路に沿って配設された第１、第２および第３の櫛形電極
を、それぞれ互いに異なる第１，第２および第３の電極
対数を有するように形成することにより、通過帯域外の
スプリアスピークを効果的に抑圧することが可能にな
る。
【００６３】請求項９〜１１記載の本発明の特徴によれ
ば、圧電基板を支持するパッケージと、前記圧電基板上
に形成された少なくとも一つの弾性表面波装置要素とよ
りなる弾性表面波装置において、前記圧電基板上に、弾
性表面波の伝搬経路に沿って形成された複数の櫛形電極
中に含まれる入力側櫛形電極を、前記パッケージ上に設
けられた第１の接地電極パッドに接続し、また前記複数
の櫛形電極中に含まれる出力側櫛形電極を、前記パッケ
ージ上に、好ましくは反対側に設けられた第２の別の接
地電極パッドに接続することにより、接地電極相互間の
干渉が回避され、その結果、フィルタの通過帯域特性が
向上する。
ば、圧電基板を支持するパッケージと、前記圧電基板上
に形成された少なくとも一つの弾性表面波装置要素とよ
りなる弾性表面波装置において、前記圧電基板上に、弾
性表面波の伝搬経路に沿って形成された複数の櫛形電極
中に含まれる入力側櫛形電極を、前記パッケージ上に設
けられた第１の接地電極パッドに接続し、また前記複数
の櫛形電極中に含まれる出力側櫛形電極を、前記パッケ
ージ上に、好ましくは反対側に設けられた第２の別の接
地電極パッドに接続することにより、接地電極相互間の
干渉が回避され、その結果、フィルタの通過帯域特性が
向上する。
【００６４】請求項１２，１３記載の本発明によれば、
圧電基板上に弾性表面波の伝搬経路に沿って順次配設さ
れた第１，第２および第３の櫛形電極を含む二重モード
型弾性表面波装置において、前記第１の櫛形電極の電極
対数を、前記第３の櫛形電極の電極対数に対して変化さ
せることにより、通過帯域外におけるスプリアスピーク
を実質的に抑圧することが可能である。
圧電基板上に弾性表面波の伝搬経路に沿って順次配設さ
れた第１，第２および第３の櫛形電極を含む二重モード
型弾性表面波装置において、前記第１の櫛形電極の電極
対数を、前記第３の櫛形電極の電極対数に対して変化さ
せることにより、通過帯域外におけるスプリアスピーク
を実質的に抑圧することが可能である。
【００６５】請求項１５，１６記載の本発明によれば、
前記圧電基板を、回転角が４０°Ｙ〜４４°ＹのＬｉＴ
ａＯ3 単結晶の回転Ｙ板、あるいは回転角が６６°Ｙ〜
７４°ＹのＬｉＮｂＯ3 単結晶の回転Ｙ板により形成
し、櫛形電極をＡｌを主成分とする材料により、圧電基
板が前記ＬｉＴａＯ3 基板の場合、圧電基板上に励起さ
れる弾性表面波の波長の５〜１０％の範囲の厚さに、ま
た圧電基板がＬｉＮｂＯ 3 の場合、圧電基板上に励起さ
れる弾性表面波の波長の４〜１２％の厚さに形成するこ
とにより、電極の付加質量が顕著に現れる超高周波帯域
においても、フィルタの損失を最小限に止めることが可
能になる。
前記圧電基板を、回転角が４０°Ｙ〜４４°ＹのＬｉＴ
ａＯ3 単結晶の回転Ｙ板、あるいは回転角が６６°Ｙ〜
７４°ＹのＬｉＮｂＯ3 単結晶の回転Ｙ板により形成
し、櫛形電極をＡｌを主成分とする材料により、圧電基
板が前記ＬｉＴａＯ3 基板の場合、圧電基板上に励起さ
れる弾性表面波の波長の５〜１０％の範囲の厚さに、ま
た圧電基板がＬｉＮｂＯ 3 の場合、圧電基板上に励起さ
れる弾性表面波の波長の４〜１２％の厚さに形成するこ
とにより、電極の付加質量が顕著に現れる超高周波帯域
においても、フィルタの損失を最小限に止めることが可
能になる。
【００６６】請求項１７記載の本発明の特徴によれば、
複数の電極指を有する１次側電極と、前記１次側電極指
の複数の電極指に対して交互に配列された別の複数の電
極指を有する２次側電極とよりなる複数の櫛形電極を、
弾性表面波の経路の沿って配列した弾性表面波装置にお
いて、１次側電極が入／出力端子に接続された櫛形電極
の２次側電極を、別の入／出力端子に接続することによ
り、非常に簡単な構成で、差動型のＳＡＷフィルタを形
成することが可能になる。
複数の電極指を有する１次側電極と、前記１次側電極指
の複数の電極指に対して交互に配列された別の複数の電
極指を有する２次側電極とよりなる複数の櫛形電極を、
弾性表面波の経路の沿って配列した弾性表面波装置にお
いて、１次側電極が入／出力端子に接続された櫛形電極
の２次側電極を、別の入／出力端子に接続することによ
り、非常に簡単な構成で、差動型のＳＡＷフィルタを形
成することが可能になる。
【図１】本発明の原理、および本発明の第１実施例によ
るＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
るＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
【図２】計算で求められた図３のＳＡＷフィルタの周波
数特性を、図１９のフィルタ特性と比較して示す図であ
る。
数特性を、図１９のフィルタ特性と比較して示す図であ
る。
【図３】図１のＳＡＷフィルタの実際の周波数特性を、
図１９のＳＡＷフィルタの実際の周波数特性と比較して
示す図である。
図１９のＳＡＷフィルタの実際の周波数特性と比較して
示す図である。
【図４】図１９のＳＡＷフィルタの実際の周波数特性を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の第２実施例によるＳＡＷフィルタの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】図５のＳＡＷフィルタの変形例を示す図であ
る。
る。
【図７】図５のＳＡＷフィルタの別の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図８】図７のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第３実施例によるＳＡＷフィルタの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施例によるＳＡＷフィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１１】図１０のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図である。
図である。
【図１２】図１０のＳＡＷフィルタの構成を、金属キャ
ップまで含めて示す本発明の第５実施例による分解図で
ある。
ップまで含めて示す本発明の第５実施例による分解図で
ある。
【図１３】図１２のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図である。
図である。
【図１４】本発明の第６実施例によるＳＡＷフィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１５】本発明の第７実施例によるＳＡＷフィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１６】本発明第７実施例の一変形例を示す図であ
る。
る。
【図１７】本発明第７実施例の別の変形例を示す図であ
る。
る。
【図１８】本発明第７実施例のさらに別の変形例を示す
図である。
図である。
【図１９】（Ａ），（Ｂ）は、従来の二重モード型ＳＡ
Ｗフィルタの構成および動作原理を説明する図である。
Ｗフィルタの構成および動作原理を説明する図である。
【図２０】図１９のＳＡＷフィルタの計算で求められた
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
１， 圧電基板 １０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ 反射器 １１，２１ ＳＡＷフィルタ １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ 櫛
形電極 （１１Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１Ｃ）1 ，（２１
Ａ）1 ，（２１Ｂ）1 ，（２１Ｃ）1 １次側電極 （１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，（１１Ｃ）2 ，（２１
Ａ）2 ，（２１Ｂ）2 ，（２１Ｃ）2 ２次側電極 １００ パッケージ基板 １００Ａ ベース １００Ａ1 ，１００Ａ2 ，１００Ａ3 ，１００Ａ4 ，１
００Ｂ1 ，１００Ｂ2，１００Ｂ3 ，１００Ｂ4 ，１１
０1 ，１１０2 ，１１０3 ，１１０4 カット面 １００Ｂ 電極保持部 １００Ｇ，１１０Ａ 接地電極 １００Ｇａ，１００Ｇｂ，１００Ｇｃ，１００Ｇｄ 接
地電極リード １０１，１０３，１０４，１０６ 接地端子電極 １０４ａ，１０５ａ，１０６ａ 電極リード １０２ 入力端子電極 １０５ 出力端子電極 １０７ Ａｌワイヤ １０７ａ 導体パターン １１０ スペーサ １２０ 金属電極
形電極 （１１Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１Ｃ）1 ，（２１
Ａ）1 ，（２１Ｂ）1 ，（２１Ｃ）1 １次側電極 （１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，（１１Ｃ）2 ，（２１
Ａ）2 ，（２１Ｂ）2 ，（２１Ｃ）2 ２次側電極 １００ パッケージ基板 １００Ａ ベース １００Ａ1 ，１００Ａ2 ，１００Ａ3 ，１００Ａ4 ，１
００Ｂ1 ，１００Ｂ2，１００Ｂ3 ，１００Ｂ4 ，１１
０1 ，１１０2 ，１１０3 ，１１０4 カット面 １００Ｂ 電極保持部 １００Ｇ，１１０Ａ 接地電極 １００Ｇａ，１００Ｇｂ，１００Ｇｃ，１００Ｇｄ 接
地電極リード １０１，１０３，１０４，１０６ 接地端子電極 １０４ａ，１０５ａ，１０６ａ 電極リード １０２ 入力端子電極 １０５ 出力端子電極 １０７ Ａｌワイヤ １０７ａ 導体パターン １１０ スペーサ １２０ 金属電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川内 治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤原 嘉朗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】 圧電基板と、 前記圧電基板上に共通に形成され、各々が、前記圧電基
板上に励起される弾性表面波の伝搬経路に沿って形成さ
れた一対の反射電極と、前記一対の反射電極の間に前記
弾性表面波の伝搬経路に沿って形成された複数の櫛形電
極とよりなる、少なくとも第１および第２の弾性表面波
装置要素とよりなり、 前記複数の櫛形電極の各々は、各々前記圧電基板上にお
いて、前記弾性表面波の伝搬経路を第１の方向に横切る
複数の、相互に平行な１次側電極指を含む１次側電極
と、前記弾性表面波の伝搬経路を第２の逆方向に横切る
複数の、相互に平行な２次側電極指を含む２次側電極と
よりなり、前記複数の櫛形電極の各々において、前記複
数の１次側電極指と前記複数の２次側電極指とは、前記
伝搬経路に沿って交互に配列され、前記伝搬経路方向に
沿って見た場合、所定の電極交差幅で互いに重畳する構
成の弾性表面波装置であって、 前記第１の弾性表面波装置要素において、前記複数の櫛
形電極は共通の第１の電極交差幅を有し、 前記第２の弾性表面波装置要素において、前記複数の櫛
形電極は共通の第２の、異なった電極交差幅を有し、 前記第１の弾性表面波装置要素は、前記第２の弾性表面
波装置要素に対して、前記第１の弾性表面波装置要素中
の一の櫛形電極の２次側電極を、前記第２の弾性表面波
装置要素中の対応する櫛形電極の１次側電極に接続する
ことにより、カスケード接続されることを特徴とする弾
性表面波装置。 - 【請求項２】 前記第１の電極交差幅と、前記第２の電
極交差幅とは、前記第１の弾性表面波装置要素の出力イ
ンピーダンスと前記第２の弾性表面波装置要素の入力イ
ンピーダンスとが整合するように設定されることを特徴
とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１の弾性表面波装置要素の出力イ
ンピーダンスと、前記第２の弾性表面波装置要素の入力
インピーダンスとは、前記第１の弾性表面波装置要素の
入力インピーダンスをＺin，前記第２の弾性表面波装置
要素の出力インピーダンスをＺout として、√（Ｚin×
Ｚout ）で与えられることを特徴とする請求項２記載の
弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記第１および第２の弾性表面波装置要
素の各々は、前記１対の反射電極の間に第１，第２およ
び第３の櫛形電極を、前記複数の櫛形電極として順次配
設した２重モード型弾性表面波装置であることを特徴と
する請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項５】 前記第１の弾性表面波装置要素におい
て、前記第１および第３の櫛形電極の１次側電極を、共
通に入力電極パッドに接続し、 前記第２の弾性表面波装置要素において、前記第１およ
び第３の櫛形電極の２次側電極を、共通に出力電極パッ
ドに接続し、 前記第１の弾性表面波装置要素の前記第２の櫛形電極の
２次側電極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第２の
櫛形電極の１次側電極に接続したことを特徴とする請求
項４記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記第１の弾性表面波装置要素におい
て、前記第２の櫛形電極の１次側電極とを入力電極パッ
ドに接続し、 前記第２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛
形電極の２次側電極を出力電極パッドに接続し、 前記第１の弾性表面波装置要素の前記第１の櫛形電極の
２次側電極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１の
櫛形電極の１次側電極と接続し、 前記第１の弾性表面波装置要素の前記第３の櫛形電極の
２次側電極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第３の
櫛形電極の１次側電極に接続したことを特徴とする請求
項４記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記第１の弾性表面波装置要素におい
て、前記第１および第３の櫛形電極の１次側電極を、共
通に入力電極パッドに接続し、 前記第２の弾性表面波装置要素において、前記第２の櫛
形電極の２次側電極を出力電極パッドに接続し、 前記第１の弾性表面波装置要素の前記第２の櫛形電極の
２次側電極を、前記第２の弾性表面波装置要素の第１お
よび第３の櫛形電極の１次側電極に共通に接続したこと
を特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 前記第１および第２の弾性表面波装置要
素の各々において、前記第１、第２および第３の櫛形電
極は、それぞれ互いに異なる第１，第２および第３の電
極対数を有することを特徴とする請求項４〜７のうち、
いずれか一項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項９】 圧電基板を支持するパッケージと、 前記圧電基板上に形成された少なくとも一つの弾性表面
波装置要素とよりなる弾性表面波装置であって、 前記弾性表面波装置は、前記圧電基板上に、弾性表面波
の伝搬経路に沿って形成された、入力側櫛形電極と出力
側櫛形電極とを少なくとも含む複数の櫛形電極よりな
り、 前記入力側櫛形電極は、前記パッケージ上に設けられた
第１の接地電極パッドに接続され、 前記出力が櫛形電極は、前記パッケージ上に設けられた
第２の別の接地電極パッドに接続されることを特徴とす
る弾性表面波装置。 - 【請求項１０】 前記第１の接地電極パッドは、前記パ
ッケージのうち、入力電極パッドが設けられる第１の側
に設けられ、前記第２の接地電極パッドは、前記パッケ
ージのうち、出力電極パッドが設けられる、反対側の第
２の側に設けられることを特徴とする請求項９記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項１１】 前記パッケージは、さらに前記圧電基
板を覆う金属キャップを有し、前記金属キャップは、前
記第１および第２の接地電極パッドの一方にのみ接続さ
れることを特徴とする請求項９または１０記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項１２】 圧電基板と、 前記圧電基板上に、前記圧電基板上に励起される弾性表
面波の伝搬経路に沿って形成され、前記伝搬経路を規定
する第１および第２の反射電極と、 前記第１および第２の反射電極の間に順次配設された第
１，第２および第３の櫛形電極とを含む二重モード型弾
性表面波装置において、 前記第１の櫛形電極の電極対数を、前記第３の櫛形電極
の電極対数に対して変化させたことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項１３】 前記第１の櫛形電極の電極対数をＸ，
前記第２の櫛形電極の電極対数をＹ，前記第３の櫛形電
極の電極対数をＺとして、Ｘ＜Ｙ＜Ｚの関係が成立する
ことを特徴とする請求項１２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項１４】 圧電基板と、 前記圧電基板上に、前記圧電基板上に励起される弾性表
面波の伝搬経路に沿って形成され、前記伝搬経路を規定
する第１および第２の反射電極と、 前記第１および第２の反射電極の間に順次配設された複
数の櫛形電極とを含み、 各々の櫛形電極は、各々前記圧電基板上において、前記
弾性表面波の伝搬経路を第１の方向に横切る複数の、相
互に平行な１次側電極指を含む１次側電極と、前記弾性
表面波の伝搬経路を第２の逆方向に横切る複数の、相互
に平行な２次側電極指を含む２次側電極とよりなり、前
記複数の櫛形電極の各々において、前記複数の１次側電
極指と前記複数の２次側電極指とは、前記伝搬経路に沿
って交互に配列され、前記伝搬経路方向に沿って見た場
合、所定の電極交差幅で互いに重畳する構成の弾性表面
波装置において、 出力側電極または入力側電極を構成する複数の櫛形電極
が、前記２次側電極を相互接続することにより、カスケ
ード接続されることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項１５】 前記圧電基板は、回転角を４０°Ｙ〜
４４°Ｙの範囲としたＬｉＴａＯ3 単結晶の回転Ｙ板よ
りなり、前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分とする材料
より形成され、前記圧電基板上に励起される弾性表面波
の波長の５〜１０％の範囲の厚さを有することを特徴と
する請求項１〜１４のうち、いずれか一項記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項１６】 前記圧電基板は、回転角を６６°Ｙ〜
７４°Ｙの範囲としたＬｉＮｂＯ3 単結晶の回転Ｙ板よ
りなり、前記各々の櫛形電極はＡｌを主成分とする材料
より形成され、前記圧電基板上に励起される弾性表面波
の波長の４〜１２％の範囲の厚さを有することを特徴と
する請求項１〜１４のうち、いずれか一項記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項１７】 圧電基板上に、前記圧電基板表面に励
起される弾性表面波の経路に沿って配設された複数の櫛
形電極よりなり、各々の櫛形電極が、複数の電極指を有
する１次側電極と、前記１次側電極指の複数の電極指に
対して交互に配列された別の複数の電極指を有する２次
側電極とよりなる弾性表面波装置において、 １次側電極が入／出力端子に接続された櫛形電極の２次
側電極は、別の入／出力端子に接続されることを特徴と
する弾性表面波装置。
Priority Applications (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13367596A JP3239064B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 弾性表面波装置 |
| US08/760,097 US5963114A (en) | 1996-05-28 | 1996-12-03 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| DE69632929T DE69632929T2 (de) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Akustische Oberflächenwellenvorrichtung mit zwei Moden |
| EP96119597A EP0810727B1 (en) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| EP01130824A EP1204206A3 (en) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Surface-acoustic-wave device |
| DE69633820T DE69633820T2 (de) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Oberflächenwellenfilter mit verbesserten Bandpasseigenschaften und verbessertem Einstellbereich der Eingangs- und Ausgangsimpedanzen |
| EP01130823A EP1204204B1 (en) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Double-mode surface-acoustic-wave device |
| DE29624257U DE29624257U1 (de) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen mit einer verbesserten Durchlaßbereichs-Charakteristik und einem verbesserten Freiheitsgrad zum Einstellen von Eingangs- und Ausgangsimpedanzen |
| EP04012227A EP1453201A3 (en) | 1996-05-28 | 1996-12-06 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedences |
| CNB031012868A CN1282304C (zh) | 1996-05-28 | 1996-12-27 | 改进通带特性和调节输入输出阻抗自由度的声表面波装置 |
| CNB961167203A CN1140964C (zh) | 1996-05-28 | 1996-12-27 | 改进通带特性和调节输入输出阻抗自由度的声表面波装置 |
| KR1019960073603A KR100230655B1 (ko) | 1996-05-28 | 1996-12-27 | 탄성표면파장치 |
| TW085116277A TW454378B (en) | 1996-05-28 | 1996-12-30 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| US09/363,693 US6114926A (en) | 1996-05-28 | 1999-07-30 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| US09/363,804 US6111481A (en) | 1996-05-28 | 1999-07-30 | Surface-acoustic-wave three interdigital electrodes with different numbers of finger pairs |
| US09/363,751 US6271739B1 (en) | 1996-05-28 | 1999-07-30 | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13367596A JP3239064B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321574A true JPH09321574A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3239064B2 JP3239064B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=15110271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13367596A Expired - Lifetime JP3239064B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 弾性表面波装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5963114A (ja) |
| EP (4) | EP1453201A3 (ja) |
| JP (1) | JP3239064B2 (ja) |
| KR (1) | KR100230655B1 (ja) |
| CN (2) | CN1140964C (ja) |
| DE (2) | DE69633820T2 (ja) |
| TW (1) | TW454378B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100482669B1 (ko) * | 2001-07-27 | 2005-04-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 필터 및 통신 장치 |
| KR100489778B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2005-05-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 |
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- 1996-12-03 US US08/760,097 patent/US5963114A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-06 EP EP04012227A patent/EP1453201A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-06 EP EP01130823A patent/EP1204204B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-06 DE DE69633820T patent/DE69633820T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-06 EP EP01130824A patent/EP1204206A3/en not_active Ceased
- 1996-12-06 EP EP96119597A patent/EP0810727B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-06 DE DE69632929T patent/DE69632929T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 CN CNB961167203A patent/CN1140964C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 KR KR1019960073603A patent/KR100230655B1/ko not_active IP Right Cessation
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| EP0810727A3 (en) | 1998-08-05 |
| KR100230655B1 (ko) | 1999-11-15 |
| TW454378B (en) | 2001-09-11 |
| EP1453201A3 (en) | 2006-05-17 |
| CN1140964C (zh) | 2004-03-03 |
| DE69633820D1 (de) | 2004-12-16 |
| US6111481A (en) | 2000-08-29 |
| DE69633820T2 (de) | 2005-03-17 |
| EP1204204A2 (en) | 2002-05-08 |
| EP1204206A2 (en) | 2002-05-08 |
| DE69632929T2 (de) | 2004-11-18 |
| EP0810727B1 (en) | 2004-11-10 |
| EP1453201A2 (en) | 2004-09-01 |
| EP1204204A3 (en) | 2002-05-22 |
| KR970077977A (ko) | 1997-12-12 |
| US6271739B1 (en) | 2001-08-07 |
| EP1204206A3 (en) | 2002-05-22 |
| US6114926A (en) | 2000-09-05 |
| CN1282304C (zh) | 2006-10-25 |
| EP1204204B1 (en) | 2004-07-14 |
| EP0810727A2 (en) | 1997-12-03 |
| JP3239064B2 (ja) | 2001-12-17 |
| CN1158026A (zh) | 1997-08-27 |
| DE69632929D1 (de) | 2004-08-19 |
| CN1495998A (zh) | 2004-05-12 |
| US5963114A (en) | 1999-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010925 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071005 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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