JPH05308242A - 弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH05308242A JPH05308242A JP10951092A JP10951092A JPH05308242A JP H05308242 A JPH05308242 A JP H05308242A JP 10951092 A JP10951092 A JP 10951092A JP 10951092 A JP10951092 A JP 10951092A JP H05308242 A JPH05308242 A JP H05308242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- width
- transducer
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14514—Broad band transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02779—Continuous surface reflective arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14505—Unidirectional SAW transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14547—Fan shaped; Tilted; Shifted; Slanted; Tapered; Arched; Stepped finger transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14564—Shifted fingers transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単方向性トランスデュ−サを構成しそれらを
組合せることで高性能ＳＡＷフィルタを実現する。 【構成】 最小電極指幅がＳＡＷの波長の１６分の１の
電極指を用いることにより、トランスデュ−サの励振部
分と反射器の機能を一波長内に独立に実現する。 【効果】 ＳＡＷフィルタのデジタル移動通信の中間周
波数フィルタへの適用が可能となる。
組合せることで高性能ＳＡＷフィルタを実現する。 【構成】 最小電極指幅がＳＡＷの波長の１６分の１の
電極指を用いることにより、トランスデュ−サの励振部
分と反射器の機能を一波長内に独立に実現する。 【効果】 ＳＡＷフィルタのデジタル移動通信の中間周
波数フィルタへの適用が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波（Surface
Acoustic Wave：ＳＡＷと略す）トランスデュ−サおよ
び弾性表面波デバイス、特に無線通信機などに用いる高
性能で小形なＳＡＷフィルタ、共振器等のデバイスに関
する。
Acoustic Wave：ＳＡＷと略す）トランスデュ−サおよ
び弾性表面波デバイス、特に無線通信機などに用いる高
性能で小形なＳＡＷフィルタ、共振器等のデバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＡＷデバイス、特にフィルタ等
においては、例えばプロシ−ディングオブ アイ イ−
イ− イ− ６７巻 第１２９貢 １９７９年(Proc.
IEEE,vol.67, p.129, 1979)に示されているように、Ｓ
ＡＷが伝搬可能な基板上に形成された入力および出力ト
ランスデュ−サにアポタイズと呼ばれる重み付け法や間
引きと言われる重み付け法を導入してフィルタ特性を実
現するのが主流であった。
においては、例えばプロシ−ディングオブ アイ イ−
イ− イ− ６７巻 第１２９貢 １９７９年(Proc.
IEEE,vol.67, p.129, 1979)に示されているように、Ｓ
ＡＷが伝搬可能な基板上に形成された入力および出力ト
ランスデュ−サにアポタイズと呼ばれる重み付け法や間
引きと言われる重み付け法を導入してフィルタ特性を実
現するのが主流であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の構造のフィ
ルタでは、トランスデュ−サから両方向へ励振されるＳ
ＡＷのうち片側のみしか利用しないためフィルタの通過
帯域の損失が大きく、代表的なテレビの中間周波数フィ
ルタでは損失が１５〜２０ｄＢに達する。
ルタでは、トランスデュ−サから両方向へ励振されるＳ
ＡＷのうち片側のみしか利用しないためフィルタの通過
帯域の損失が大きく、代表的なテレビの中間周波数フィ
ルタでは損失が１５〜２０ｄＢに達する。
【０００４】近年、特に自動車電話等に代表される移動
通信用の移動無線機等では、無線機端末はポ−タブル形
からさらにポケッタブル形の端末へと小形化されてき
た。将来は万年筆形の超小形端末の実現も予想され、小
形なデバイスの必要性は大きい。また、このような無線
機端末の小形化に伴い使用するデバイスに対する要求は
非常に厳しい。弾性表面波デバイスは、小形化に最も寄
与するデバイスと考えられているが、実際には上述のよ
うに損失等の課題があり大幅な採用には至ってない。
また、移動通信では従来のアナログ方式からデジタル方
式へと移行しつつあるが、ＴＤＭＡ(Time Division Mul
tiple Access：時分割多重）で信号を送るため１チャネ
ル当りの帯域幅がアナログ方式に比べ約１桁広くなる。
中間周波数帯（３００ＭＨｚ以下）ではフィルタで１チ
ャネルごとの信号を取り出す必要があるが、特に中間周
波数帯フィルタの広帯域化に対してはＳＡＷフィルタは
対応が極めて困難である。
通信用の移動無線機等では、無線機端末はポ−タブル形
からさらにポケッタブル形の端末へと小形化されてき
た。将来は万年筆形の超小形端末の実現も予想され、小
形なデバイスの必要性は大きい。また、このような無線
機端末の小形化に伴い使用するデバイスに対する要求は
非常に厳しい。弾性表面波デバイスは、小形化に最も寄
与するデバイスと考えられているが、実際には上述のよ
うに損失等の課題があり大幅な採用には至ってない。
また、移動通信では従来のアナログ方式からデジタル方
式へと移行しつつあるが、ＴＤＭＡ(Time Division Mul
tiple Access：時分割多重）で信号を送るため１チャネ
ル当りの帯域幅がアナログ方式に比べ約１桁広くなる。
中間周波数帯（３００ＭＨｚ以下）ではフィルタで１チ
ャネルごとの信号を取り出す必要があるが、特に中間周
波数帯フィルタの広帯域化に対してはＳＡＷフィルタは
対応が極めて困難である。
【０００５】以上の理由により、現在の無線機端末フィ
ルタはインダクタンスと容量を組合せた構成のフィルタ
が主流である。しかし、このフィルタは容積が大きくか
つ多くの調整を必要とする。したがって、無線機端末全
体の小型化、無調整化について問題がある。
ルタはインダクタンスと容量を組合せた構成のフィルタ
が主流である。しかし、このフィルタは容積が大きくか
つ多くの調整を必要とする。したがって、無線機端末全
体の小型化、無調整化について問題がある。
【０００６】本発明は、この問題を解決するために、低
損失なＳＡＷフィルタあるいは広帯域フィルタを実現可
能な弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバ
イスを提供することを目的とする。
損失なＳＡＷフィルタあるいは広帯域フィルタを実現可
能な弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバ
イスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、最小電極指
幅がＳＡＷの波長λOの１６分の１の幅を最小値とする
電極指を用いてトランスデュ−サ内にＳＡＷを反射する
反射器の機能を有する部分を作り付け、かつトランスデ
ュ−サの励振部分と反射器の機能を一波長内に独立に実
現することにより達成できる。
幅がＳＡＷの波長λOの１６分の１の幅を最小値とする
電極指を用いてトランスデュ−サ内にＳＡＷを反射する
反射器の機能を有する部分を作り付け、かつトランスデ
ュ−サの励振部分と反射器の機能を一波長内に独立に実
現することにより達成できる。
【０００８】より具体的には、弾性表面波を伝搬する基
板と、この基板上に形成された電極を有する弾性表面波
トランスデュ−サにおいて、トランスデュ−サの基本単
位を励振部分の幅と弾性表面波を反射する反射器の機能
を有する部分の幅との和が弾性表面波の一波長λOとな
るように構成し、基本単位を弾性表面波の伝搬方向に多
数回反復して配置し、反射器の機能を有する部分に最小
電極指幅が弾性表面波の波長の１６分の１の幅を最小値
とする電極指を形成することにより達成できる。 ここ
で、ＳＡＷの波長λOはデバイスの中心周波数で伝搬可
能な弾性表面波の波長である。
板と、この基板上に形成された電極を有する弾性表面波
トランスデュ−サにおいて、トランスデュ−サの基本単
位を励振部分の幅と弾性表面波を反射する反射器の機能
を有する部分の幅との和が弾性表面波の一波長λOとな
るように構成し、基本単位を弾性表面波の伝搬方向に多
数回反復して配置し、反射器の機能を有する部分に最小
電極指幅が弾性表面波の波長の１６分の１の幅を最小値
とする電極指を形成することにより達成できる。 ここ
で、ＳＡＷの波長λOはデバイスの中心周波数で伝搬可
能な弾性表面波の波長である。
【０００９】
【作用】図２により本発明の作用を説明する。トランス
デュ−サの基本単位の中心、すなわち、左右対称な図の
Ｌで示される領域を考えると以下のことが分かる。λO
／８の励振電極指があり、その両側にλO／８のスペ−
スを介してλO／１６のア−ス電極指が存在する。この
ような構成では、図に示すようにＬの区間内で電気力線
は左右対称に走るため、左右に同振幅、同位相のＳＡＷ
を励振することが出来る。したがって、フィルタ等の設
計には、トランスデュ−サは各励振電極指を中心に幅Ｌ
のＳＡＷ励振領域が周期的に存在するとして設計すれば
良く、従来の設計手法がまったく同様に適用可能であ
る。
デュ−サの基本単位の中心、すなわち、左右対称な図の
Ｌで示される領域を考えると以下のことが分かる。λO
／８の励振電極指があり、その両側にλO／８のスペ−
スを介してλO／１６のア−ス電極指が存在する。この
ような構成では、図に示すようにＬの区間内で電気力線
は左右対称に走るため、左右に同振幅、同位相のＳＡＷ
を励振することが出来る。したがって、フィルタ等の設
計には、トランスデュ−サは各励振電極指を中心に幅Ｌ
のＳＡＷ励振領域が周期的に存在するとして設計すれば
良く、従来の設計手法がまったく同様に適用可能であ
る。
【００１０】次ぎに、領域Ｌの外側を考えると以下のこ
とが分かる。Ｌの左側にはλO／４のア−ス電極、右側
にはλO／４のスペ−スが配置されている。すなわち、
Ｌで励振されるＳＡＷはＬの外へ伝搬していくが、左右
で伝搬条件が異なる。この異なる伝搬領域が幅ＬのＳＡ
Ｗ励振領域の両側に存在し、トランスデュ−サ全体とし
て周期構造を成すことによりひとつのＳＡＷ反射器を形
成する。
とが分かる。Ｌの左側にはλO／４のア−ス電極、右側
にはλO／４のスペ−スが配置されている。すなわち、
Ｌで励振されるＳＡＷはＬの外へ伝搬していくが、左右
で伝搬条件が異なる。この異なる伝搬領域が幅ＬのＳＡ
Ｗ励振領域の両側に存在し、トランスデュ−サ全体とし
て周期構造を成すことによりひとつのＳＡＷ反射器を形
成する。
【００１１】図２を用いて反射器としての動作を詳しく
説明する。図２（ａ）で破線を用いて示す周期構造の一
区間を考える。右側から入射するＳＡＷを仮定すると、
ＳＡＷは各電極指のエッジ部分で反射するため、各エッ
ジからは〜の反射波が発生する。ＳＡＷ用圧電基板
として良く用いられるＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3，水晶
等では、〜の反射波の位相関係は図２（ｂ）に示す
ような関係となる。すなわち、トランスデュ−サのＳＡ
Ｗ励振領域Ｌ内から反射してくる、、、の反射
ＳＡＷは、全ての和を取ると互いに打ち消しあい全体と
ししてゼロとなる。したがって、Ｌの領域内は反射に関
係しないことが分かる。また、Ｌの領域端で反射する
、の反射ＳＡＷは、振幅、位相共に等しくその和は
振幅で２倍の反射波となることが分かる。
説明する。図２（ａ）で破線を用いて示す周期構造の一
区間を考える。右側から入射するＳＡＷを仮定すると、
ＳＡＷは各電極指のエッジ部分で反射するため、各エッ
ジからは〜の反射波が発生する。ＳＡＷ用圧電基板
として良く用いられるＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3，水晶
等では、〜の反射波の位相関係は図２（ｂ）に示す
ような関係となる。すなわち、トランスデュ−サのＳＡ
Ｗ励振領域Ｌ内から反射してくる、、、の反射
ＳＡＷは、全ての和を取ると互いに打ち消しあい全体と
ししてゼロとなる。したがって、Ｌの領域内は反射に関
係しないことが分かる。また、Ｌの領域端で反射する
、の反射ＳＡＷは、振幅、位相共に等しくその和は
振幅で２倍の反射波となることが分かる。
【００１２】圧電基板等では、ＳＡＷ励振領域Ｌで励振
されるＳＡＷと上記反射波とは位相がほぼ等しく、した
がって互いに振幅が増加する方向に加算される。
されるＳＡＷと上記反射波とは位相がほぼ等しく、した
がって互いに振幅が増加する方向に加算される。
【００１３】一方、左側から入射するＳＡＷを仮定する
と、電極指のエッジ部分で〜と同様の反射波が発生
する。ＳＡＷ励振領域Ｌ内からの全反射波は互いに打ち
消しあい全体とししてゼロとなることは、右側から入射
する場合と同様である。図２（ｂ）と同様に振幅と位相
を図示すると、図２（ｂ）の＋に相当する反射波は
図２（ｂ）の場合とは位相関係が反転することが分か
る。すなわち、ＳＡＷ励振領域Ｌで励振されるＳＡＷと
上記反射波とは位相がほぼ逆転し、両者の和は励振ＳＡ
Ｗの振幅を減少する方向に作用する。より具体的には、
トランスデュ−サにＳＡＷの波長の１６分の１の幅の電
極指を用いることにより、ＳＡＷの励振あるいは受信に
対して従来のトランスデュ−サと同様に励振電極指の中
央でＳＡＷを励振あるいは受信することが出来る。ま
た、上記波長の１６分の１の幅の電極指を用いることに
より反射電極指は励振電極指とは独立にＳＡＷを反射
し、励振電極指で励振されるＳＡＷと正方向には同位
相、負方向には逆位相で加算することが出来る。したが
って、トランスデュ−サは方向性を持ち、ＳＡＷフィル
タ等のデバイスの低損失化が可能となる。さらに、これ
らのトランスデュ−サに重み付けを導入する、あるいは
２組以上を電気的に接続する等により所望の周波数特性
を実現することが出来る。
と、電極指のエッジ部分で〜と同様の反射波が発生
する。ＳＡＷ励振領域Ｌ内からの全反射波は互いに打ち
消しあい全体とししてゼロとなることは、右側から入射
する場合と同様である。図２（ｂ）と同様に振幅と位相
を図示すると、図２（ｂ）の＋に相当する反射波は
図２（ｂ）の場合とは位相関係が反転することが分か
る。すなわち、ＳＡＷ励振領域Ｌで励振されるＳＡＷと
上記反射波とは位相がほぼ逆転し、両者の和は励振ＳＡ
Ｗの振幅を減少する方向に作用する。より具体的には、
トランスデュ−サにＳＡＷの波長の１６分の１の幅の電
極指を用いることにより、ＳＡＷの励振あるいは受信に
対して従来のトランスデュ−サと同様に励振電極指の中
央でＳＡＷを励振あるいは受信することが出来る。ま
た、上記波長の１６分の１の幅の電極指を用いることに
より反射電極指は励振電極指とは独立にＳＡＷを反射
し、励振電極指で励振されるＳＡＷと正方向には同位
相、負方向には逆位相で加算することが出来る。したが
って、トランスデュ−サは方向性を持ち、ＳＡＷフィル
タ等のデバイスの低損失化が可能となる。さらに、これ
らのトランスデュ−サに重み付けを導入する、あるいは
２組以上を電気的に接続する等により所望の周波数特性
を実現することが出来る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】実施例１ 本発明の実施例１のＳＡＷトランスデュ−サを図１によ
り説明する。デバイスの中心周波数で伝搬可能な弾性表
面波の波長がλOで、幅がｌ3の励振電極指を持つＳＡＷ
トランスデュ−サである。図１（ａ）は、弾性表面波を
伝搬する基板上に形成された電極パターンである。図に
示すように、幅ｌ3の励振電極指の左側に幅ｌ2のスペ−
スを介して幅ｌ1のア−ス電極指、右側に幅ｌ4のスペ−
スを介して幅ｌ5のア−ス電極指と幅ｌ6のスペ−スを配
置したパターンを基本単位とし、この基本単位が弾性表
面波の伝搬方向に多数回反復して形成されている。ここ
で、ｌ1＝５λO／１６、ｌ2＝λO／８、ｌ3＝λO／８、
ｌ4＝λO／８、ｌ5＝λO／１６、ｌ6＝λO／４とする。
り説明する。デバイスの中心周波数で伝搬可能な弾性表
面波の波長がλOで、幅がｌ3の励振電極指を持つＳＡＷ
トランスデュ−サである。図１（ａ）は、弾性表面波を
伝搬する基板上に形成された電極パターンである。図に
示すように、幅ｌ3の励振電極指の左側に幅ｌ2のスペ−
スを介して幅ｌ1のア−ス電極指、右側に幅ｌ4のスペ−
スを介して幅ｌ5のア−ス電極指と幅ｌ6のスペ−スを配
置したパターンを基本単位とし、この基本単位が弾性表
面波の伝搬方向に多数回反復して形成されている。ここ
で、ｌ1＝５λO／１６、ｌ2＝λO／８、ｌ3＝λO／８、
ｌ4＝λO／８、ｌ5＝λO／１６、ｌ6＝λO／４とする。
【００１６】図１（ａ）のトランスデュ−サは周期構造
を成すため、各区間で上記作用の欄で図２により説明し
た現象と同様の現象が生じている。したがって、このよ
うなトランスデュ−サは、励振用として用いる場合には
右側へ向かって大きなＳＡＷを励起し、受信用として用
いる場合には右側から入射するＳＡＷに対しては受信効
率の良い方向性を持ったトランスデュ−サとなる。
を成すため、各区間で上記作用の欄で図２により説明し
た現象と同様の現象が生じている。したがって、このよ
うなトランスデュ−サは、励振用として用いる場合には
右側へ向かって大きなＳＡＷを励起し、受信用として用
いる場合には右側から入射するＳＡＷに対しては受信効
率の良い方向性を持ったトランスデュ−サとなる。
【００１７】この単方向性トランスデュ−サの方向性は
計算機シミュレ−ションと基礎実験の結果によると３０
ｄＢ程度の値が実現可能である。したがって、後に示す
ように図１（ａ）の構造の単方向性トランスデュ−サを
用いることにより、従来実現出来なかった低損失で非常
に高性能なＳＡＷフィルタ等が実現出来る。
計算機シミュレ−ションと基礎実験の結果によると３０
ｄＢ程度の値が実現可能である。したがって、後に示す
ように図１（ａ）の構造の単方向性トランスデュ−サを
用いることにより、従来実現出来なかった低損失で非常
に高性能なＳＡＷフィルタ等が実現出来る。
【００１８】以上の説明では、圧電基板としてＬｉＮｂ
Ｏ3，ＬｉＴａＯ3，水晶等を用いる場合に関して説明し
た。しかし、非常に特殊な例として例えばＬｉＮｂＯ3
でも１２８゜ＹカットＸ伝搬では、トランスデュ−サを
形成するアルミ電極の膜厚を厚くすると、電極エッジで
のＳＡＷの反射係数はアルミ電極の膜厚が薄い場合とは
位相が反転する。この場合にも同様に単方向性トランス
デュ−サが実現出来るが、位相関係を考慮すると図１
（ｂ）に示すように図１（ａ）の左右反転した構造とす
る必要がある。ＬｉＮｂＯ3を用い第１図（ｂ）の構造
で同様の単方向性が得られることは、シミュレ−ション
と基礎実験で確かめている。
Ｏ3，ＬｉＴａＯ3，水晶等を用いる場合に関して説明し
た。しかし、非常に特殊な例として例えばＬｉＮｂＯ3
でも１２８゜ＹカットＸ伝搬では、トランスデュ−サを
形成するアルミ電極の膜厚を厚くすると、電極エッジで
のＳＡＷの反射係数はアルミ電極の膜厚が薄い場合とは
位相が反転する。この場合にも同様に単方向性トランス
デュ−サが実現出来るが、位相関係を考慮すると図１
（ｂ）に示すように図１（ａ）の左右反転した構造とす
る必要がある。ＬｉＮｂＯ3を用い第１図（ｂ）の構造
で同様の単方向性が得られることは、シミュレ−ション
と基礎実験で確かめている。
【００１９】図３（ａ）および図４（ａ）に本発明の構
成と比較的似たトランスデュ−サの構成法を示す。図３
（ａ）の構成は、電子通信学会 論文誌（Ｃ），Ｖｏ
ｌ．Ｊ６９−Ｃ，ｐ．１２９７，１９８６に発表された
ものであり、図４（ａ）の構成は、プロシ−ディング
オブ １９９０年 アイ イ− イ− イ− ウルトラ
ソニックス シンポジウム ３７項（Ｐｒｏｃ． ｏｆ
１９９０ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ，ｐ．３７）に発表されたものである。これらのト
ランスデュ−サは本発明の構造と同様に単方向性トラン
スデュ−サとしての機能を有している。しかし、本発明
者がシミュレ−ションおよび基礎実験で詳細に検討した
結果、図１の本発明に比べ以下の点が劣ることが分かっ
た。
成と比較的似たトランスデュ−サの構成法を示す。図３
（ａ）の構成は、電子通信学会 論文誌（Ｃ），Ｖｏ
ｌ．Ｊ６９−Ｃ，ｐ．１２９７，１９８６に発表された
ものであり、図４（ａ）の構成は、プロシ−ディング
オブ １９９０年 アイ イ− イ− イ− ウルトラ
ソニックス シンポジウム ３７項（Ｐｒｏｃ． ｏｆ
１９９０ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ，ｐ．３７）に発表されたものである。これらのト
ランスデュ−サは本発明の構造と同様に単方向性トラン
スデュ−サとしての機能を有している。しかし、本発明
者がシミュレ−ションおよび基礎実験で詳細に検討した
結果、図１の本発明に比べ以下の点が劣ることが分かっ
た。
【００２０】図３（ａ）の構成は幅が約λO／８の励振
電極指の左側に約λO／８のスペ−スを介して約３λO／
８のア−ス電極指、右側に約λO／８のスペ−スを介し
て約λO／８のア−ス電極指と約λO／８のスペ−スを配
置したパターンを基本単位とし、弾性表面波の伝搬方向
に多数回反復するトランスデュ−サである。図２（ｂ）
での説明と同様に電極指エッジからの反射ＳＡＷの振幅
と位相の関係を表わすと図３（ｂ）のようになる。すな
わち、〜の反射波の内〜の和は互いに打ち消し
合うが、残った、は位相が互いに等しくない。すな
わち、これらの和は本発明の場合のように振幅で２倍と
はならない。したがって、図３のトランスデュ−サは本
発明に比べ単方向性の機能が弱く、非常に低損失なフィ
ルタ等を実現するのは難しいことが分かった。
電極指の左側に約λO／８のスペ−スを介して約３λO／
８のア−ス電極指、右側に約λO／８のスペ−スを介し
て約λO／８のア−ス電極指と約λO／８のスペ−スを配
置したパターンを基本単位とし、弾性表面波の伝搬方向
に多数回反復するトランスデュ−サである。図２（ｂ）
での説明と同様に電極指エッジからの反射ＳＡＷの振幅
と位相の関係を表わすと図３（ｂ）のようになる。すな
わち、〜の反射波の内〜の和は互いに打ち消し
合うが、残った、は位相が互いに等しくない。すな
わち、これらの和は本発明の場合のように振幅で２倍と
はならない。したがって、図３のトランスデュ−サは本
発明に比べ単方向性の機能が弱く、非常に低損失なフィ
ルタ等を実現するのは難しいことが分かった。
【００２１】図４（ａ）の構成は、幅が約λO／８の励
振電極指の左側に約３λO／１６のスペ−スを介して約
λO／４のア−ス電極指、右側に約λO／８のスペ−スを
介して約λO／８のア−ス電極指と約３λO／１６のスペ
−スを配置したパターンを基本単位とし、弾性表面波の
伝搬方向に多数回反復するトランスデュ−サである。図
２（ｂ）での説明と同様に電極指エッジからの反射ＳＡ
Ｗの振幅と位相の関係を表わすと図４（ｂ）のようにな
る。すなわち、〜の反射波の内〜の和は互いに
打ち消しあい、かつ残った、は振幅と位相が共に等
しく、これらの和は振幅で２倍の反射波となることは本
発明の場合と同様である。しかし、図４（ａ）の構成で
は、幅が約λO／８の励振電極指の両側に存在するスペ
−スの幅が非対称である。すなわち、左側が３λO／１
６、右側がλO／８である。このため、図に示すように
励振電極指から左右のア−ス電極指へ走る電気力線は、
左右非対称となる。非対称な電気力線により左右に励振
されるＳＡＷは振幅、位相共に異なることが分かってい
る。計算機シミュレ−ションと基礎実験で検討した結
果、このようにＳＡＷを左右非対称に励振する電極指と
反射電極指の組合せでは、励振ＳＡＷと反射波が正方向
には同位相、負方向には逆位相となる理想的な加算は実
現しないことが分かった。このような構造のトランスデ
ュ−サは図３（ａ）の構造と同様、単方向性の機能が弱
く、非常に低損失なフィルタ等を実現するのは難しい。
振電極指の左側に約３λO／１６のスペ−スを介して約
λO／４のア−ス電極指、右側に約λO／８のスペ−スを
介して約λO／８のア−ス電極指と約３λO／１６のスペ
−スを配置したパターンを基本単位とし、弾性表面波の
伝搬方向に多数回反復するトランスデュ−サである。図
２（ｂ）での説明と同様に電極指エッジからの反射ＳＡ
Ｗの振幅と位相の関係を表わすと図４（ｂ）のようにな
る。すなわち、〜の反射波の内〜の和は互いに
打ち消しあい、かつ残った、は振幅と位相が共に等
しく、これらの和は振幅で２倍の反射波となることは本
発明の場合と同様である。しかし、図４（ａ）の構成で
は、幅が約λO／８の励振電極指の両側に存在するスペ
−スの幅が非対称である。すなわち、左側が３λO／１
６、右側がλO／８である。このため、図に示すように
励振電極指から左右のア−ス電極指へ走る電気力線は、
左右非対称となる。非対称な電気力線により左右に励振
されるＳＡＷは振幅、位相共に異なることが分かってい
る。計算機シミュレ−ションと基礎実験で検討した結
果、このようにＳＡＷを左右非対称に励振する電極指と
反射電極指の組合せでは、励振ＳＡＷと反射波が正方向
には同位相、負方向には逆位相となる理想的な加算は実
現しないことが分かった。このような構造のトランスデ
ュ−サは図３（ａ）の構造と同様、単方向性の機能が弱
く、非常に低損失なフィルタ等を実現するのは難しい。
【００２２】以上の従来構造に対して、図１の本発明の
構造は、ＳＡＷを励振する励振領域ＬとＬの外にあるＳ
ＡＷを反射する反射器としての領域とがまったく独立で
あり理想的な単方向性機能を持つトランスデュ−サが実
現できる。本発明の特徴の一つは、幅約λO／１６のア
ース電極指を用いることである。一般に、電極指が細く
なると、特に高周波化に伴い電極指を形成する上でプロ
セス上の問題が生じる。しかし、現在半導体プロセスの
進歩は著しく、かつ、ＳＡＷデバイスはプロセスが比較
的単純なため、半導体用の装置を用いることにより微細
な電極指を形成すること自体はほとんど問題とならなく
なっている。したがって、本発明の構造は前述のように
機能上からは従来構造より優れ、かつ、微細電極指の形
成に関しては従来構造とほぼ同等といえる。
構造は、ＳＡＷを励振する励振領域ＬとＬの外にあるＳ
ＡＷを反射する反射器としての領域とがまったく独立で
あり理想的な単方向性機能を持つトランスデュ−サが実
現できる。本発明の特徴の一つは、幅約λO／１６のア
ース電極指を用いることである。一般に、電極指が細く
なると、特に高周波化に伴い電極指を形成する上でプロ
セス上の問題が生じる。しかし、現在半導体プロセスの
進歩は著しく、かつ、ＳＡＷデバイスはプロセスが比較
的単純なため、半導体用の装置を用いることにより微細
な電極指を形成すること自体はほとんど問題とならなく
なっている。したがって、本発明の構造は前述のように
機能上からは従来構造より優れ、かつ、微細電極指の形
成に関しては従来構造とほぼ同等といえる。
【００２３】以上説明したように本発明の特徴は、ＳＡ
Ｗを励振するする領域ＬとＳＡＷを反射する反射器とし
ての領域が完全に独立分離していることである。すなわ
ち、ＳＡＷを励振するする領域Ｌでは、ＳＡＷは各電極
指のエッジで反射するが、Ｌ内の全反射波の和は互いに
打ち消しあいゼロとなることが特徴である。このような
発想に基づくと、本発明の構造は必ずしも図１の構造で
ある必要はないと考えられる。特に、領域Ｌの部分は基
本的に全反射波が互いに打ち消す構成と成っていれば良
い。 実施例２ 図５（ａ）に他のＳＡＷトランスデュ−サの実施例を示
す。特に幅約λO／１６の電極指を幅広にし、電極指を
形成する場合、プロセス過程での断線等を極力避ける構
成としたものである。ｌ2，ｌ4，ｌ6のスペ−スのうち
ｌ6は約λO／４に固定し、ｌ2，ｌ4を狭めることにより
他の電極指の幅を広くする。すなわち、ｌ1は５λO／１
６＋Δ１、ｌ2はλO／８−Δ１−Δ２、ｌ3はλO／８＋
Δ２＋Δ３、ｌ4はλO／８−Δ３−Δ４、ｌ5はλO／１
６＋Δ４、ｌ6は約λO／４としΔ１からΔ４を適当に選
択するものである。Δ１からΔ４は、０≦Δ１〜Δ４≦
λO／１６の値であるが、ＳＡＷの励振領域Ｌ内の全反
射波の和がほぼゼロとなる条件は無限に存在する。一例
として、Δ１＝Δ２＝Δ３＝Δ４＝λO／３２の場合の
各電極指のエッジからの反射波の振幅と位相を図５
（ｂ）に示す。図２（ｂ）の場合と同様に、〜の反
射波の和はゼロとなり図５（ａ）の構成でも図１の構造
とまったく同等の単方向性機能が実現出来ることが分か
る。本発明が図５の構成も含むことは自明である。
Ｗを励振するする領域ＬとＳＡＷを反射する反射器とし
ての領域が完全に独立分離していることである。すなわ
ち、ＳＡＷを励振するする領域Ｌでは、ＳＡＷは各電極
指のエッジで反射するが、Ｌ内の全反射波の和は互いに
打ち消しあいゼロとなることが特徴である。このような
発想に基づくと、本発明の構造は必ずしも図１の構造で
ある必要はないと考えられる。特に、領域Ｌの部分は基
本的に全反射波が互いに打ち消す構成と成っていれば良
い。 実施例２ 図５（ａ）に他のＳＡＷトランスデュ−サの実施例を示
す。特に幅約λO／１６の電極指を幅広にし、電極指を
形成する場合、プロセス過程での断線等を極力避ける構
成としたものである。ｌ2，ｌ4，ｌ6のスペ−スのうち
ｌ6は約λO／４に固定し、ｌ2，ｌ4を狭めることにより
他の電極指の幅を広くする。すなわち、ｌ1は５λO／１
６＋Δ１、ｌ2はλO／８−Δ１−Δ２、ｌ3はλO／８＋
Δ２＋Δ３、ｌ4はλO／８−Δ３−Δ４、ｌ5はλO／１
６＋Δ４、ｌ6は約λO／４としΔ１からΔ４を適当に選
択するものである。Δ１からΔ４は、０≦Δ１〜Δ４≦
λO／１６の値であるが、ＳＡＷの励振領域Ｌ内の全反
射波の和がほぼゼロとなる条件は無限に存在する。一例
として、Δ１＝Δ２＝Δ３＝Δ４＝λO／３２の場合の
各電極指のエッジからの反射波の振幅と位相を図５
（ｂ）に示す。図２（ｂ）の場合と同様に、〜の反
射波の和はゼロとなり図５（ａ）の構成でも図１の構造
とまったく同等の単方向性機能が実現出来ることが分か
る。本発明が図５の構成も含むことは自明である。
【００２４】以上実施例１，２では、非常に理想的な単
方向性機能を有するトランスデュ−サに関して説明し
た。次ぎに、本発明のトランスデュ−サを用いてフィル
タ等で必要とされる周波数特性を実現する手段に関して
説明する。一般に、低損失フィルタでは周波数特性の実
現にはアポタイズと呼ばれる励振電極指の交叉幅を変化
させる重み付け法は適用出来ない。先に、アイ イ−
イ− イ− トランザクション マイクロウェ−ブ セ
オリ アンド テクニ−ク、３３巻、５１０項、１９８
５年 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙａｎｄ Ｔｅｃｈ．，ＭＴＴ−３３，５
１０，１９８５．）でアポタイズと同等の機能を有し、
重み付けに伴う損失が原理的にない重み付け法を提案し
た（以下、位相重み付け法と称す）。
方向性機能を有するトランスデュ−サに関して説明し
た。次ぎに、本発明のトランスデュ−サを用いてフィル
タ等で必要とされる周波数特性を実現する手段に関して
説明する。一般に、低損失フィルタでは周波数特性の実
現にはアポタイズと呼ばれる励振電極指の交叉幅を変化
させる重み付け法は適用出来ない。先に、アイ イ−
イ− イ− トランザクション マイクロウェ−ブ セ
オリ アンド テクニ−ク、３３巻、５１０項、１９８
５年 （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙａｎｄ Ｔｅｃｈ．，ＭＴＴ−３３，５
１０，１９８５．）でアポタイズと同等の機能を有し、
重み付けに伴う損失が原理的にない重み付け法を提案し
た（以下、位相重み付け法と称す）。
【００２５】また、実現出来る周波数特性は限定される
が、同様に重み付け損失がない重み付けとして間引き重
み付けが知られている。両者の重み付け法が、本発明の
トランスデュ−サに対してもまったく問題なく適用出来
ることを以下に示す。
が、同様に重み付け損失がない重み付けとして間引き重
み付けが知られている。両者の重み付け法が、本発明の
トランスデュ−サに対してもまったく問題なく適用出来
ることを以下に示す。
【００２６】実施例３ 図６に、図１（ａ）のトランスデュ−サに位相重み付け
を導入した例を示す。図６の場合は、励振電極指の存在
しない部分にさらに約λo／４のスペ−スとア−ス電極
指よりなる反射器を導入した例を示している。このよう
に、励振電極指の存在しない部分に反射電極指を導入す
ることにより、重み付けの効果とさらに反射器による単
方向性の効果の両方が期待出来る。 実施例４ 図７に図１（ａ）のトランスデュ−サに間引き重み付け
を導入した例を示す。実施例３と同様に励振電極指のな
い間引かれた部分には、約λo／４のスペ−スとア−ス
電極指よりなる反射器を導入することにより間引き重み
付けの効果と反射器による単方向性の効果の両方が期待
出来る。
を導入した例を示す。図６の場合は、励振電極指の存在
しない部分にさらに約λo／４のスペ−スとア−ス電極
指よりなる反射器を導入した例を示している。このよう
に、励振電極指の存在しない部分に反射電極指を導入す
ることにより、重み付けの効果とさらに反射器による単
方向性の効果の両方が期待出来る。 実施例４ 図７に図１（ａ）のトランスデュ−サに間引き重み付け
を導入した例を示す。実施例３と同様に励振電極指のな
い間引かれた部分には、約λo／４のスペ−スとア−ス
電極指よりなる反射器を導入することにより間引き重み
付けの効果と反射器による単方向性の効果の両方が期待
出来る。
【００２７】実施例５ 図１（ａ）のトランスデュ−サを用いてＳＡＷフィルタ
のデバイスを形成した本発明の実施例５を図８に示す。
方向性が互いに向かいあうように１組みのトランスデュ
−サを配置し、一方を入力、他方を出力とする。必要に
応じて図６の位相重み付け、図７の間引き重み付け等を
導入する。また、一層の低損失化を図るには、図７に示
すようにフィルタの両側にさらに反射器を導入する構成
が考えられる。
のデバイスを形成した本発明の実施例５を図８に示す。
方向性が互いに向かいあうように１組みのトランスデュ
−サを配置し、一方を入力、他方を出力とする。必要に
応じて図６の位相重み付け、図７の間引き重み付け等を
導入する。また、一層の低損失化を図るには、図７に示
すようにフィルタの両側にさらに反射器を導入する構成
が考えられる。
【００２８】実施例６ 図９に、本発明の他の実施例を示す。実施例５のフィル
タを２組み用い、各々のフィルタの一方のトランスデュ
−サを電気的に接続したものである。また、必要に応じ
て、図９に示すように電気的な接続を整合回路を介して
行う。また、２組を単一チップ上に形成し、中間端子を
チップの外へ一度取りだし、外部に整合回路を設ける構
成としても良い。図９の構成では、整合回路は単純な直
列インダクタンスあるいは並列インダクタンス等で簡単
に実現出来る。また、一般に９図の構成を取ることによ
り、帯域外減衰量は図８の構成の２倍以上の値が確保出
来る。このことは以下のようにして説明される。
タを２組み用い、各々のフィルタの一方のトランスデュ
−サを電気的に接続したものである。また、必要に応じ
て、図９に示すように電気的な接続を整合回路を介して
行う。また、２組を単一チップ上に形成し、中間端子を
チップの外へ一度取りだし、外部に整合回路を設ける構
成としても良い。図９の構成では、整合回路は単純な直
列インダクタンスあるいは並列インダクタンス等で簡単
に実現出来る。また、一般に９図の構成を取ることによ
り、帯域外減衰量は図８の構成の２倍以上の値が確保出
来る。このことは以下のようにして説明される。
【００２９】電気的に接続されるトランスデュ−サ間に
導入した整合回路は、トランスデュ−サのインピ−ダン
スを電源あるいは負荷抵抗のような純抵抗と整合させる
のではなく、同様なトランスデュ−サのインピ−ダンス
と整合させる回路である。このような整合回路ではフィ
ルタの通過帯域では、インピ−ダンス整合が実現する
が、通過帯域外では逆にインピ−ダンス不整合が大きく
なる方向に作用する。このことは、通過帯域外ではフィ
ルタの減衰量が増加することを意味している。
導入した整合回路は、トランスデュ−サのインピ−ダン
スを電源あるいは負荷抵抗のような純抵抗と整合させる
のではなく、同様なトランスデュ−サのインピ−ダンス
と整合させる回路である。このような整合回路ではフィ
ルタの通過帯域では、インピ−ダンス整合が実現する
が、通過帯域外では逆にインピ−ダンス不整合が大きく
なる方向に作用する。このことは、通過帯域外ではフィ
ルタの減衰量が増加することを意味している。
【００３０】減衰量の増加は、本発明のフィルタの用途
によっては非常に重要な意味をもつ。本フィルタの一つ
の応用は、近年注目されるようになってきたデジタル移
動通信の中間周波数フィルタ等が考えられる。一般に、
中間周波数フィルタでは、損失が小さいと同時にイメ−
ジ周波数等では８０ｄＢ程度の減衰量が要求される。こ
のように非常に大きな減衰量を実現する手段として図９
のような構成法は大変重要な構成である。
によっては非常に重要な意味をもつ。本フィルタの一つ
の応用は、近年注目されるようになってきたデジタル移
動通信の中間周波数フィルタ等が考えられる。一般に、
中間周波数フィルタでは、損失が小さいと同時にイメ−
ジ周波数等では８０ｄＢ程度の減衰量が要求される。こ
のように非常に大きな減衰量を実現する手段として図９
のような構成法は大変重要な構成である。
【００３１】実施例７ 図１０に本発明の他の実施例を示す。方向性が向かいあ
うように配置した図１の一対のトランスデュ−サを電気
的に並列あるいは直列に接続し入力あるいは出力とす
る。さらに間に第３のトランスデュ−サを導入し、これ
を出力あるいは入力とするフィルタである。図１０のよ
うに、両側に、例えば入力トランスデュ−サを配置した
構成では、第３のトランスデュ−サに左右から対称にＳ
ＡＷが入射し、ＳＡＷの漏れは入力トランスデュ−サの
みから生じ、出力トランスデュ−サからは生じないた
め、図８の構成よりさらに一層の低損失化が図れる。ま
た、第１０図では、第３のトランスデュ−サは、左右の
単方向性トランスデュ−サとは励振電極指の幅が異な
る。一般に、第３のトランスデュ−サには方向性は要求
されないため、励振効率が大きく、かつ周波数特性の合
成等が最も行ないやすいトランスデュ−サを導入すれば
良い。このようなトランスデュ−サの励振電極指の幅、
電極の繰返しピッチ等は左右の単方向性トランスデュ−
サとは異なるのが通常である。また、必要な周波数特性
の合成には、図６、図７同様、単方向性トランスデュ−
サに位相重み付けあるいは間引き重み付けを導入すると
同時に、第３の方向性を持たないトランスデュ−サにも
同様に位相重み付けあるいは間引き重み付けを導入する
ことが出来るものである。 実施例８ 第１１図に、実施例６と同様に、図１０の出力トランス
デュ−サを電気的に接続したフィルタ構成を示す。ま
た、電気的な整合回路を介して接続した例を示してい
る。このような接続を行うことにより、前述と同様に高
い帯域外減衰量を確保出来るものである。
うように配置した図１の一対のトランスデュ−サを電気
的に並列あるいは直列に接続し入力あるいは出力とす
る。さらに間に第３のトランスデュ−サを導入し、これ
を出力あるいは入力とするフィルタである。図１０のよ
うに、両側に、例えば入力トランスデュ−サを配置した
構成では、第３のトランスデュ−サに左右から対称にＳ
ＡＷが入射し、ＳＡＷの漏れは入力トランスデュ−サの
みから生じ、出力トランスデュ−サからは生じないた
め、図８の構成よりさらに一層の低損失化が図れる。ま
た、第１０図では、第３のトランスデュ−サは、左右の
単方向性トランスデュ−サとは励振電極指の幅が異な
る。一般に、第３のトランスデュ−サには方向性は要求
されないため、励振効率が大きく、かつ周波数特性の合
成等が最も行ないやすいトランスデュ−サを導入すれば
良い。このようなトランスデュ−サの励振電極指の幅、
電極の繰返しピッチ等は左右の単方向性トランスデュ−
サとは異なるのが通常である。また、必要な周波数特性
の合成には、図６、図７同様、単方向性トランスデュ−
サに位相重み付けあるいは間引き重み付けを導入すると
同時に、第３の方向性を持たないトランスデュ−サにも
同様に位相重み付けあるいは間引き重み付けを導入する
ことが出来るものである。 実施例８ 第１１図に、実施例６と同様に、図１０の出力トランス
デュ−サを電気的に接続したフィルタ構成を示す。ま
た、電気的な整合回路を介して接続した例を示してい
る。このような接続を行うことにより、前述と同様に高
い帯域外減衰量を確保出来るものである。
【００３２】実施例９ 図１２にＳＡＷ共振器の実施例を示す。一対の方向性を
向い合わせたトランスデュ−サを電気的に並列あるいは
直列に接続して２端子素子とすると、左右から中心に向
かって励振されるＳＡＷが定在波を形成し一つの共振器
となる。また、このような共振器は図１２に示すよう
に、方向性を持たない第３のトランスデュ−サを方向性
が向い合った一対のトランスデュ−サの間に導入し、第
３のトランスデュ−サも含めて電気的に並列あるいは直
列に接続することでも実現出来る。この場合、実施例８
同様、第３のトランスデュ−サは左右のトランスデュ−
サに比べ励振電極指の幅および電極の繰返しピッチ等は
左右の単方向性トランスデュ−サとは異なっても良い。
向い合わせたトランスデュ−サを電気的に並列あるいは
直列に接続して２端子素子とすると、左右から中心に向
かって励振されるＳＡＷが定在波を形成し一つの共振器
となる。また、このような共振器は図１２に示すよう
に、方向性を持たない第３のトランスデュ−サを方向性
が向い合った一対のトランスデュ−サの間に導入し、第
３のトランスデュ−サも含めて電気的に並列あるいは直
列に接続することでも実現出来る。この場合、実施例８
同様、第３のトランスデュ−サは左右のトランスデュ−
サに比べ励振電極指の幅および電極の繰返しピッチ等は
左右の単方向性トランスデュ−サとは異なっても良い。
【００３３】実施例１０ 図１３に実施例９のＳＡＷ共振器を組合せたフィルタの
実施例である例を示す。本実施例のフィルタは、一対の
図１２に示すＳＡＷ共振器を同一の圧電基板上に形成
し、電気的には互い独立にそれぞれ入力および出力共振
器とする。一対の共振器を図１３のように接近して配置
すると、入力の共振器から漏れだしたＳＡＷが出力の共
振器に達し、出力共振器内に再びＳＡＷの振動を励振す
る。以上の現象は、入出力共振器が共振状態となる限ら
れた周波数範囲内で出現する。すなわち、入力共振器か
ら出力共振器へのエネルギ−の伝達も極めて限られた周
波数範囲内で行われるため、比較的狭帯域な非常に急峻
な周波数特性のフィルタが実現出来る。
実施例である例を示す。本実施例のフィルタは、一対の
図１２に示すＳＡＷ共振器を同一の圧電基板上に形成
し、電気的には互い独立にそれぞれ入力および出力共振
器とする。一対の共振器を図１３のように接近して配置
すると、入力の共振器から漏れだしたＳＡＷが出力の共
振器に達し、出力共振器内に再びＳＡＷの振動を励振す
る。以上の現象は、入出力共振器が共振状態となる限ら
れた周波数範囲内で出現する。すなわち、入力共振器か
ら出力共振器へのエネルギ−の伝達も極めて限られた周
波数範囲内で行われるため、比較的狭帯域な非常に急峻
な周波数特性のフィルタが実現出来る。
【００３４】入力共振器と出力共振器の結合は、より物
理的には以下のように説明出来る。すなわち、共振器が
共振状態となると電極指が存在する部分が等価的な導波
路となり、ＳＡＷの振動エネルギ−が導波路に集中す
る。導波路の外へ向かっては振動の振幅が指数関数的に
減衰するような分布となる。このようなエネルギ−分布
を導波路の固有モ−ド分布という。
理的には以下のように説明出来る。すなわち、共振器が
共振状態となると電極指が存在する部分が等価的な導波
路となり、ＳＡＷの振動エネルギ−が導波路に集中す
る。導波路の外へ向かっては振動の振幅が指数関数的に
減衰するような分布となる。このようなエネルギ−分布
を導波路の固有モ−ド分布という。
【００３５】一組みの共振器を図１３のように接近して
配置すると、等価的に導波路が２本存在することとな
り、導波路間でＳＡＷの振動が互いに結合しあう。これ
を導波路間のモ−ド結合という。結合の結果、新たに２
本の導波路に固有な振動の振幅分布（モ−ド分布）が生
じる。これ等は、図１３に示すように２本の導波路の中
心線に対して偶対称な分布（ｅｖｅｎ ｍｏｄｅ）と奇
対称な分布（ｏｄｄ ｍｏｄｅ）の２ケである。
配置すると、等価的に導波路が２本存在することとな
り、導波路間でＳＡＷの振動が互いに結合しあう。これ
を導波路間のモ−ド結合という。結合の結果、新たに２
本の導波路に固有な振動の振幅分布（モ−ド分布）が生
じる。これ等は、図１３に示すように２本の導波路の中
心線に対して偶対称な分布（ｅｖｅｎ ｍｏｄｅ）と奇
対称な分布（ｏｄｄ ｍｏｄｅ）の２ケである。
【００３６】入射エネルギ−により、入力共振器は共振
状態となるが、この状態はｅｖｅｎｍｏｄｅとｏｄｄ
ｍｏｄｅの重ねあわせで表わされる。各モ−ドは独立に
導波路を伝搬するが、互いに伝搬速度が異なるため、導
波路に沿ってあたかも入力共振器と出力共振器の間で振
動のエネルギ−を交互にやりとりするかのごとく振る舞
う。これにより、共振器が共振状態となるある限られた
狭い周波数範囲のみを通過帯域とする非常に急峻な周波
数特性が実現出来る。
状態となるが、この状態はｅｖｅｎｍｏｄｅとｏｄｄ
ｍｏｄｅの重ねあわせで表わされる。各モ−ドは独立に
導波路を伝搬するが、互いに伝搬速度が異なるため、導
波路に沿ってあたかも入力共振器と出力共振器の間で振
動のエネルギ−を交互にやりとりするかのごとく振る舞
う。これにより、共振器が共振状態となるある限られた
狭い周波数範囲のみを通過帯域とする非常に急峻な周波
数特性が実現出来る。
【００３７】次に、具体的な実験結果をしめす。図１４
に、実施例６のフィルタの周波数特性を示す。圧電基板
はＳＴカットの水晶を用いた。損失は約４ｄＢで、広帯
域な周波数特性が得られている。また、図１５に実施例
８のフィルタの周波数特性をしめす。同様に、圧電基板
はＳＴカットの水晶を用いた。損失は約３．５ｄＢで、
広帯域な周波数特性が得られている。図１４、図１５共
にイメ−ジ周波数等では８０ｄＢ程度の減衰量が得られ
ている。これは、デジタル移動通信の中間周波数フィル
タ等として用いることが出来るものである。
に、実施例６のフィルタの周波数特性を示す。圧電基板
はＳＴカットの水晶を用いた。損失は約４ｄＢで、広帯
域な周波数特性が得られている。また、図１５に実施例
８のフィルタの周波数特性をしめす。同様に、圧電基板
はＳＴカットの水晶を用いた。損失は約３．５ｄＢで、
広帯域な周波数特性が得られている。図１４、図１５共
にイメ−ジ周波数等では８０ｄＢ程度の減衰量が得られ
ている。これは、デジタル移動通信の中間周波数フィル
タ等として用いることが出来るものである。
【００３８】
【発明の効果】移動無線通信機等では、弾性表面波デバ
イスは小型化に最も寄与するデバイスと言われつつ、性
能面で解決すべき課題が多く大幅な採用には至っていな
い。特に、将来のデジタル移動通信では、チャンネル当
りの帯域幅が約一桁増加するため中間周波数フィルタ等
には非常に高性能なものが要求される。従来コイルと容
量の組合せで実現し、容積が非常に大きかったこれらの
フィルタをＳＡＷフィルタで置き換えるには、新構造フ
ィルタの提案が待たれていた。本発明はこれらの要求に
回答を与えるものである。
イスは小型化に最も寄与するデバイスと言われつつ、性
能面で解決すべき課題が多く大幅な採用には至っていな
い。特に、将来のデジタル移動通信では、チャンネル当
りの帯域幅が約一桁増加するため中間周波数フィルタ等
には非常に高性能なものが要求される。従来コイルと容
量の組合せで実現し、容積が非常に大きかったこれらの
フィルタをＳＡＷフィルタで置き換えるには、新構造フ
ィルタの提案が待たれていた。本発明はこれらの要求に
回答を与えるものである。
【００３９】また、広帯域な中間周波数フィルタ等とし
て用いることが出来るのみならず、将来は、中間周波数
増幅器、混合器等との一体化で無線機端末の一層の小形
軽量化にも貢献するものである。
て用いることが出来るのみならず、将来は、中間周波数
増幅器、混合器等との一体化で無線機端末の一層の小形
軽量化にも貢献するものである。
【図１】本発明の実施例１のＳＡＷトランスデュ−サの
電極パターンである。
電極パターンである。
【図２】本発明の動作説明図である。
【図３】従来のＳＡＷトランスデュ−サの電極パターン
である。
である。
【図４】従来のＳＡＷトランスデュ−サの電極パターン
である。
である。
【図５】本発明の実施例２のＳＡＷトランスデュ−サの
電極パターンである。
電極パターンである。
【図６】本発明の実施例３の位相重み付けを導入したＳ
ＡＷトランスデュ−サの電極パターンである。
ＡＷトランスデュ−サの電極パターンである。
【図７】本発明の実施例４の間引き重み付けを導入した
ＳＡＷトランスデュ−サの電極パターンである。
ＳＡＷトランスデュ−サの電極パターンである。
【図８】本発明の実施例５のＳＡＷフィルタ等の電極パ
ターンである。
ターンである。
【図９】本発明の実施例６のＳＡＷフィルタ等の電極パ
ターンである。
ターンである。
【図１０】本発明の実施例７のＳＡＷフィルタの電極パ
ターンである。
ターンである。
【図１１】本発明の実施例８のＳＡＷフィルタの電極パ
ターンである。
ターンである。
【図１２】本発明の実施例９のＳＡＷ共振器の電極パタ
ーンである。
ーンである。
【図１３】本発明の実施例１０のＳＡＷフィルタの電極
パターンである。
パターンである。
【図１４】本発明の実施例６のＳＡＷフィルタの周波数
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図１５】本発明の実施例８のＳＡＷフィルタの周波数
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１：入力端子、２：ア−ス端子、３：出力端子、４、
５：電気的な接続端子、６、６−１、６−２、６−３、
６−４、９−１、９−２、１２−１、１２−２、１６：
励振電極指、７、７−１、７−２、７−３、７−４、
８、８−１、８−２、８−３、８−４、１０−１、１０
−２、１１−１、１１−２、１３−１、１３−２、１４
−１、１４−２、１７：ア−ス電極指、１５：反射器。
５：電気的な接続端子、６、６−１、６−２、６−３、
６−４、９−１、９−２、１２−１、１２−２、１６：
励振電極指、７、７−１、７−２、７−３、７−４、
８、８−１、８−２、８−３、８−４、１０−１、１０
−２、１１−１、１１−２、１３−１、１３−２、１４
−１、１４−２、１７：ア−ス電極指、１５：反射器。
Claims (28)
- 【請求項１】弾性表面波を伝搬する基板と、該基板上に
形成された電極を有する弾性表面波トランスデュ−サに
おいて、該トランスデュ−サの基本単位は励振部分の幅
と上記弾性表面波を反射する反射器の機能を有する部分
の幅との和が上記弾性表面波の一波長λOとなるように
構成されており、該基本単位は上記弾性表面波の伝搬方
向に多数回反復して配置されており、上記反射器の機能
を有する部分は最小電極指幅が弾性表面波の波長の１６
分の１の幅を最小値とする電極指を有することを特徴と
する弾性表面波トランスデュ−サ。 - 【請求項２】上記基本単位に相当する電極の平面形状
は、幅λO／８以上でλO／４以下の励振電極指の左側あ
るいは右側に幅λO／８以下の第１のスペ−スを介して
幅５λO／１６以上で３λO／８以下の第１のア−ス電極
指が位置しており、上記励振電極指に対して上記第１の
ア−ス電極指とは反対側に幅λO／８以下の上記第１の
スペ−スと同じ幅の第２のスペ−スを介して幅λO／１
６以上でλO／８以下の第２のア−ス電極指が位置して
おり、該第２のア−ス電極指に対し上記励振電極指とは
反対側に幅λO／４の第３のスペ−スが位置している形
状である請求項１記載の弾性表面波トランスデュ−サ。 - 【請求項３】上記電極指および上記スペ−スの幅が上記
値に対し−３０％から＋３０％の範囲で変化している請
求項２記載の弾性表面波トランスデュ−サ。 - 【請求項４】上記電極の平面形状は位相重み付けされて
いる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の弾性表面波
トランスデュ−サ。 - 【請求項５】上記幅λO以上の励振電極指の存在しない
スペ−スの一部に上記弾性表面波反射器が形成されてい
る請求項４記載の弾性表面波トランスデュ−サ。 - 【請求項６】上記電極の平面形状は間引き重み付けされ
ている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の弾性表面
波トランスデュ−サ。 - 【請求項７】上記幅λO以上の励振電極指の存在しない
スペ−スの一部に上記弾性表面波反射器が形成されてい
る請求項６記載の弾性表面波トランスデュ−サ。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾
性表面波トランスデュ−サからなる第１および第２の弾
性表面波トランスデュ−サを有し、該第１および第２の
弾性表面波トランスデュ−サは方向性が互いに向い合う
ように配置され、かつ一方が入力トランスデュ−サとし
て働き、他方が出力トランスデュ−サとして働くことを
特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項９】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾
性表面波トランスデュ−サからなる第１および第２の弾
性表面波トランスデュ−サを有する第１および第２の弾
性表面波フィルタを有し、該第１および第２の弾性表面
波フィルタの各々の上記第２の弾性表面波トランスデュ
−サ同士が電気的に接続され、各々の上記第１の弾性表
面波トランスデュ−サの一方が入力トランスデュ−サと
して働き、他方が出力トランスデュ−サとして働くこと
を特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１０】上記第２の弾性表面波トランスデュ−サ
同士の電気的接続は整合回路を介して行なわれている請
求項９記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１１】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
弾性表面波トランスデュ−サからなる第１および第２の
弾性表面波トランスデュ−サを有し、該第１および第２
のトランスデュ−サは方向性が互いに向い合うように配
置され、かつ並列あるいは直列に電気的に接続されてお
り、さらに該第１および第２の弾性表面波トランスデュ
−サの間に配置された第３の弾性表面波トランスデュ−
サを有し、上記第１および第２の弾性表面波トランスデ
ュ−サと上記第３のトランスデュ−サの一方が入力トラ
ンスデュ−サとして働き、他方が出力トランスデュ−サ
として働くことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１２】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サと上記第３の弾性表面波トランスデュ−サと
は、励振電極指の幅あるいは電極繰返しの基本ピッチが
異なっている請求項１１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１３】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
弾性表面波トランスデュ−サからなる第１および第２の
弾性表面波トランスデュ−サを有し、該第１および第２
のトランスデュ−サは方向性が互いに向い合うように配
置され、かつ並列あるいは直列に電気的に接続されてお
り、さらに該第１および第２の弾性表面波トランスデュ
−サの間に配置された第３の弾性表面波トランスデュ−
サで構成された第１および第２の弾性表面波フィルタを
有し、該第１および第２の弾性表面波フィルタの各々の
上記第３の弾性表面波トランスデュ−サ同士が電気的に
接続され、上記第１のフィルタの第１および第２の弾性
表面波トランスデュ−サは並列あるいは直列にを電気的
に接続されて入力あるいは出力トランスデュ−サの一方
を構成し、上記第２のフィルタの第１および第２の弾性
表面波トランスデュ−サは並列あるいは直列に電気的に
接続されて入力あるいは出力トランスデュ−サの他方を
構成していることを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１４】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サと上記第３の弾性表面波トランスデュ−サと
は、励振電極指の幅あるいは電極繰返しの基本ピッチが
異なっている請求項１３記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１５】上記第１および第２のフィルタの上記第
３のトランスデュ−サ間の電気的接続は整合回路を介し
て行なわれている請求項１３又は１４記載の弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項１６】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λＯ／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約λＯ／８であり、上記第１のア
−ス電極指の幅は約３λO／８であり、上記第２のスペ
−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極指
の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は約
λO／８である請求項１１乃至１５のいずれか一項に記
載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１７】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λO／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約３λO／１６であり、上記第１
のア−ス電極指の幅は約λO／４であり、上記第２のス
ペ−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極
指の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は
約３λO／１６である請求項１１乃至１５のいずれか一
項に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１８】上記第３のトランスデュ−サには、位相
重み付け法あるいは間引き重み付け法が導入されている
請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項１９】請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
弾性表面波トランスデュ−サからなる第１および第２の
弾性表面波トランスデュ−サを有し、該第１および第２
のトランスデュ−サは方向性が互いに向い合うように配
置され、かつ並列あるいは直列に電気的に接続されてい
ることを特徴とする弾性表面波共振器。 - 【請求項２０】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの間に第３のトランスデュ−サが配置され、
上記第１、第２および第３の弾性表面波トランスデュ−
サは並列あるいは直列に電気的に接続されている請求項
１９記載の弾性表面波共振器。 - 【請求項２１】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サと上記第３の弾性表面波トランスデュ−サと
は、励振電極指の幅あるいは電極繰返しの基本ピッチが
異なっていることを特徴とする請求項２０記載の弾性表
面波共振器。 - 【請求項２２】請求項１９乃至２１のいずれか一項に記
載の弾性表面波共振器からなる第１および第２の共振器
を有し、該第１および第２の共振器を単一の基板上に電
気的には独立に形成し、各々を入力および出力の共振器
とし、共振器から漏洩する弾性表面波の相互作用を利用
してフィルタ特性を実現することを特徴とする弾性表面
波フィルタ。 - 【請求項２３】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λO／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約λO／８であり、上記第１のア
−ス電極指の幅は約３λO／８であり、上記第２のスペ
−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極指
の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は約
λO／８である請求項１９乃至２１のいずれか一項に記
載の弾性表面波共振器。 - 【請求項２４】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λO／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約λO／８であり、上記第１のア
−ス電極指の幅は約３λO／８であり、上記第２のスペ
−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極指
の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は約
λO／８である請求項２２記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２５】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λO／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約３λO／１６であり、上記第１
のア−ス電極指の幅は約λO／４であり、上記第２のス
ペ−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極
指の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は
約約３λO／１６である請求項１９乃至２１のいずれか
一項に記載の弾性表面波共振器。 - 【請求項２６】上記第１および第２の弾性表面波トラン
スデュ−サの励振電極指の幅は約λO／８であり、上記
第１のスペ−スの幅は約３λO／１６であり、上記第１
のア−ス電極指の幅は約λO／４であり、上記第２のス
ペ−スの幅は約λO／８であり、上記第２のア−ス電極
指の幅は約λO／８であり、上記第３のスペ−スの幅は
約約３λO／１６である請求項２２記載の弾性表面波フ
ィルタ。 - 【請求項２７】請求項８乃至１８，２２，２４および２
６のいずれか一項に記載の弾性表面波フィルタにおい
て、上記第１および第２のトランスデュ−サの外側に弾
性表面波の反射器が配置されていることを特徴とする弾
性表面波フィルタ。 - 【請求項２８】請求項１９乃至２１，２３および２５の
いずれか一項に記載の弾性表面波共振器において、上記
第１および第２のトランスデュ−サの外側に弾性表面波
の反射器が配置されていることを特徴とする弾性表面波
共振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10951092A JP3248231B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイス |
| DE19934313981 DE4313981C2 (de) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Oberflächenwellenwandler und Oberflächenwellenbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10951092A JP3248231B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308242A true JPH05308242A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3248231B2 JP3248231B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=14512098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10951092A Expired - Lifetime JP3248231B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3248231B2 (ja) |
| DE (1) | DE4313981C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246150B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1249934B1 (en) * | 2001-04-09 | 2013-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communications unit |
| DE102007063470A1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-07-02 | IFW - Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. | Wandler, Resonator und Filter für akustische Oberflächenwellen |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157109A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振器 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP10951092A patent/JP3248231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-28 DE DE19934313981 patent/DE4313981C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246150B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3248231B2 (ja) | 2002-01-21 |
| DE4313981C2 (de) | 1996-10-02 |
| DE4313981A1 (de) | 1993-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3497643B2 (ja) | Ｓａｗフィルタ | |
| EP1251638A2 (en) | Surface acoustic wave filter apparatus and communications apparatus | |
| TWI239140B (en) | Surface acoustic wave device and communication device | |
| WO2000076067A1 (fr) | Filtre a ondes de surface | |
| EP0981857B1 (en) | Surface wave balun resonator filter | |
| JPH05267990A (ja) | 縦結合二重モ−ドｓａｗフィルタ | |
| JP3873807B2 (ja) | 弾性表面波装置、通信装置 | |
| JP2003069383A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3438705B2 (ja) | 表面波装置及び通信機装置 | |
| KR100308220B1 (ko) | 이중 반사 격자를 갖는 음향파 공진기 및 필터 | |
| JP3248231B2 (ja) | 弾性表面波トランスデュ−サおよび弾性表面波デバイス | |
| JPH05335881A (ja) | 縦型２重モード弾性表面波フィルタ | |
| JP2001053581A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP3154402B2 (ja) | Ｓａｗフィルタ | |
| JP3324424B2 (ja) | 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ | |
| JPH10276062A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH08204502A (ja) | 縦型複合４重モードｓａｗフィルタ | |
| JP2004260402A (ja) | 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置 | |
| JP3395752B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH10261936A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH04207615A (ja) | 縦結合二重モードリーキーｓａｗフィルタ | |
| EP1150425A1 (en) | Saw device | |
| JPH11186865A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JPH08181566A (ja) | 弾性表面波フィルタ装置 | |
| JPH10335973A (ja) | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091109 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 |