TW452798B - Semiconductor memory apparatus - Google Patents

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TW452798B TW088106399A TW88106399A TW452798B TW 452798 B TW452798 B TW 452798B TW 088106399 A TW088106399 A TW 088106399A TW 88106399 A TW88106399 A TW 88106399A TW 452798 B TW452798 B TW 452798B
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Description

4 52 7 0 ' V...
本發明係關於半導體記憶裝置，特別是關於具有階層 型字元線構造之半導體記憶裝置。 6 習用技術 近年來所使用之高速/高密度DRAM中，為了鬆緩配線 j距’而使用階層型字元線構造《此係將字元線構成為主 ^元線及次字元線2層。其中一例為日本特開平β-〗959 64 號公報（ 1 994年7月15日公開）所揭示之DRAM。此外，於 T.Sugibayashi ,et al., M A 30ns 256Mb DRAM with Multi-Divided Array Structure ", ISSCC, Digest 〇f Technical Papers，pp55-51, Feb.，1 9 9 3 之論文中，揭示有 使用非多工之位址輸入的DR AM之例。依據此等習知例s僅 有與共同主字元線關連之複數條次字元線中之一部分可被 啟動° 然而，習知技術中，即使將與共同主字元線關連之複 數條次字元線，依序或隨機加以啟動，依然必須重複（1) 主字元線之啟動(2 )次字元線之啟動(3)次字元線之非氣產 (4)主字元線之非啟動之順序。因此，每次變更被啟動之 次字元線時，必須重新選擇主字元線’故無法提升列存取 (row access)速度。 本發明之目的在於：提升具有階層型字元線構造之半 導體記憶裝置之行存取速度。
4 52 7 ___索號 88106399_年月__^ 五'發明說明（2) 為了達到此目的，本發明具備： 第1機構，可啟動某主字元線； 第2機構，可變更與此主字元線共同關連之複數條次 字元線中，被啟動之次字元線。 藉由此構造’當將與共同主字元線關連之複數條次字 元線，依序或隨機地加以丝時，因為可於固定主字元線 之選擇下’變更被毯^之次字元線，故可較以往更能提升 行存取速度。又，所採用之構造中，最好僅於以所给予之 控制封包（control packet)指定特定模式時，該第2機 才動作。 * ^ J尺加明白，其中. 圖1為本發明之半導體記憶裝置之構造例之方 圖2為圖1之半導體記憶裝置之詳細控制封包之時序 本發明之上述及其他目的、優點和特色由以下較佳訾 施例之詳細說明令並參考圖式當可更加明白，其中.佳實 圖1為本發明之半導體記憶桊番' 圖 造之方塊圖。 、感測放大器及行切換器 圖3為圖1之記憶庫之詳細構 囷4為圖3之感測放大驅動器 之詳細構造之電路圖。 圖5為以圖1之模式判別器 圊6為圖1之半導體記憶裝 圏7為圖1之半導體記憶裝 圖8為圖3之次字元線解竭 所鉀定之3模式之說明囷。 置之動作例之時序圖d 置之其他動作例之時序圖。 器之詳細構造例之電路圖。
4 5 2 7： _案號 88106399_年月日__ 五、發明說明（3) 1 0〜1 3記憶庫 14 介面 1 5模式判別器 16 主字元預解碼器 1 7 次字元預解碼器 1 8 行預解碼器 2 0〜2 1記憶庫 22 主字元解碼器 23 行解碼器 31閂鎖 3 2 解碼器電路 33 反相器 34 PMOS電晶體 35-36NMOS電晶體 3 7〜3 8信號線 41〜42PMOS電晶體 43〜44NM0S電晶體 51〜52NMOS電晶體 較佳實施例之詳細說明 以下，參考囷式，說明本發明之半導體記憶裝置之實 施例。 圖1表示本發明之DRAM晶片之構造例。此DRAM晶片除 了具有構成各階層型字元線構造之4個記憶庫（庫0 ~ 3 ) 1 0、 11、1 2、1 3外，並具備介面1 4、模式判別器1 5、主字元預
4 5 2 7 Μ _案號881063即__年月 a 條正____ 五、發明說明（4) 解碼器16、次字元預解碼器17、行預解碼器18。介面14與 外部時脈（CLK)信號同步輸入控制封包ρκτ。如圖2所示， PKT由4位元（PKT0-3)所構成。於此例中，CLK信號之4脈 衝期間中，藉由pkt將表示各記憶庫之模式指定之4位元 M0-3、表示列位址之6位元RA0-5、表示行位址之6位元 CA0-5 ’輸入至該DRAM晶片中。如圖1所示，模式指定 被供應至模式判別器15。PKT由4位元（ρκτ0-3)所構成。行 位址之CA0-5中，分別將表示主字元位址之部分供應至 主字元預解碼器16，而將表示次字元位址swa之部分供應 至次字元預解碼器17。行位址CA0-5則供應至行預解碼器 1 8 °模式判別器1 5分別判定Μ 0 - 3所指定之模式，並因應該 判定結果，對各電路方塊供應控制信號。圖1中有各記憶 庫之主字元變更態（ΜΕΝ〇-3)信號、各記憶庫之次字元變 更致能(SEN0-3)信號、各記憶庫之行字元變更莖 迤（CEN 0-3)信號。主字元預解碼器16將主字元前解碼信號 (MPD)、次字元預解碼器17將次字元前解碼信號（SpD)、而 行預解碼器18將行字元前解碼信號（CPD)、分別供應至 BANK0-3。又，圖1中省略資料之輸出入途徑、電路方塊 間之時序信號及其他控制信號等。 圖3為ΒΑΝΚ0之詳細構造。ΒΑΝΚ0具備：相互共有相同 内部構造之複數個記憶塊；主字元解碼器22 ;行解碼器 23。記憶塊之實際個數如為8個，為了簡化說明，圖中僅 顯不2個記憶塊（BLKO、BLK1)20、2l eBLK0具備：配置成 矩陣狀之複數個記憶單元MC ;複數條次字元線；複數個次
4 52 7 9 ί. 案號 88106399 年 月_g__修正_ 五、發明說明（5) 字元線驅動器；1條次字元選擇線so ; 1個次字元解瑪器 SD0 ;複數個感測放大器；複數個行切換器；複數對位元 線。圖3中為了簡化說明，僅顯示2條次字元線SWL00、 SWL01 ; 2個次字元線驅動器SWDOO、SWD01 ; 2個感測放大 器SA00、SA01 ; 2個行切換器SW00、SW01 ; 2對位元線 BLOO、BL01 °SWL00、SWL01分別與相對應之複數個記憶單 元相連’接。主字元解碼器22可對應MEN0信號之上升邊，而 閂鎖MPD信號，並且對應該閂鎖之MPD信號，介著複數個主 字元線驅動器中之其一 ’將對應此之1條主字元線加以丝 鸯。圖3中為了簡化說明，僅顯示2條主字元線μ社〇、μ WL1 及2個次字元線驅動器MWDOO、MffD01 °SD0可對應SEN0信號 之上升邊，而閂鎖SPD信號，並且對應該閂鎖之SPD信號， 決定是否將SO加以Ui。SWD00於MU0與SO皆被氣土時， 將SWL00加以座及。而SWD01於MWL1與SO皆被毯^時，將 SWL01加以丝^。DR0可對應SEN0信號之上升邊，而閂鎖 SPD信號，並且對應該閂鎖之SPD信號，決定是否供應可使 SA0 0及SA01動作之電壓。具體而言，藉由SpD信號指定 BLK0時’可分別藉由SD0使SO啟動，而藉由DR0使SA00及 SA01丝J »SA00及SA01各介著BL00及BL01，與所對應之複 數個記憶單元相結合。行字元解碼器23可對應CEN0信號之 上升邊，而閂鎖CPD信號，並且對應該閂鎖之CPD信號，使 複數條行選擇線中之1條。圖3中為了簡化說明，僅顯 示4條行選擇線COO、C01、C10、C11 «SW00於C00被丝 勒時’使BLOO與資料線對DL相連，而StfOl於C01被丝
第8頁 452798 _索號 88106399_年月日____ 五、發明說明（6) 患時，使BL01與資料線對DL相連。又，於BLK1中，SWL10 及SffLl 1表示次字元線；SWD10及SffDl 1表示次字元線驅動 器；S1表示次字元選擇線；SD1表示次字元解碼器；DR1表 示感測放大驅動器；SA10及SA11表示感測放大器；SW10及 SW11表示行切換器；BL1 0及BL11表示位元線對。SWL00及 SWL10與共同主字元線MWL0相關連。又，SWL01及SWL11與 共同主字元線MWL1相關連。又，BANK1 - 3之各内部構造與 圖3相同。 圖4為ΒΑΝΚ0之一部分之詳細構造。DR0具備：可對應 SEN0信號之上升邊，而保持SPD信號之閂鎖31 ;可將該閂 鎖31所保持SPD信號，加以解碼之解碼器電路32 ; 1個反相 器33 ; 1個PMOS電晶體34 ; 2個NMOS電晶體35、36。DR0於 解碼器電路32之輸出為High時，可將使SA 00及SA01動作之 電壓（VDD與VSS之差壓），供應至2條信號線37、38之間。 若解碼器電路32之輸出為Low時，則藉由NMOS電晶體36， 使信號線37、38之電壓相等。SA00由2個PM0S電晶體41、 42及2個NM0S電晶體43、44所構成。SW00由2個NM0S電晶雜 5 1、5 2所構成。 圖5為以模式判別器1 5所判定之3個模式指定。在此， 說明與ΒΑΝΚ0相關之模式指定。於模式a中’分別產生MENq 信號、SEN0信號及CEN0信號之各上升邊，以可改變加以散 鸯之主字元線、次字元線及行選擇線。於模式B令，於固〜 定ΜΕΝ0信號之邏輯位準之情況下，分別產生SEN〇信號及 CEN0信號之各上升邊，以於固定主字元線之情況下，改變
4 5 2 7 9：'
案號 88106399 五、發明說明（7) 加以丝.動之次字元線及行選擇線。於模式C中，於固定 ΜΕΝ0信號及SEN0信號之邏輯位準之情況下， c 之上升邊，以於固定主字元線及次字元線之 加以丝^之行選擇線。又，模式判別器15於藉由指定 其他特定模式時’亦具備產生使主字元線、次字元線及行 選擇線皆非_之控制信號之功能。當指定此模式時，更 使得ΜΕΝ0信號、SEN0信號及CEN0信號分別下降。' =是，亦 可分別设定使主字元線、次字元線及行選擇線個別非啟動 之模式。 圖6為ΒΑΝΚ0之資料讀出之動作例。以下，分別說明圖 6所示之4期間中之動作。 於第1期間中’輸入含有模式A之指定、指定及 BLK0之列位址、及指定C00之行位址之ρκτ。接收模式a指 定之模式判別器15 ’產生ΜΕΝ0信號、SEN0信號及CEN0信號 之各上升邊。結果，使與MWL0關連之複數條次字元線中， 僅S W L 0 0被啟動’且複數個感測放大驅動器中，僅d R 〇動 作，而使含S A 0 0及S A 01之複數個感測放大器啟動。接著， 藉著COO ’打開SW00，而使BLK0中所指定之記憶單 元之記憶資料讀出至DL上。此時，如SWL10不被良鬼， 又，DR 1亦不供應使感測放大器動作之電壓。 於第2期間中，輸入含有模式B之指定、指定BLK1之列 位址、及指定C10之行位址之PKT。接收模式B指定之模式 判別器1 5，於固定MEN0信號之邏輯位準之情況下，分別使 SEN0信號及CEN0信號先下降後，再產生SEN0信號及CEN0信
H1 第10頁 4 5 2 7 9 _案號88106399__年月日 铬反__ 五、發明說明（8) 號之各上升邊。其結果，於固定MWL0之選擇下，SWL10取 代SWL0 0被啟動，而C10取代C00被啟動，而使BLK1中所指 定之記憶單元之記憶資料讀出至DL上。 於第3期間中，輸入含有模式C之指定及指定C11之行 位址之PKT。接收模式C指定之模式判別器1 5，於固定ΜΕΝ0 信號及SENQ信號之各邏輯位準之情況下，先使CEN0信號先 下降後’再產生CE N0信號之上升邊。結果，於固定jjwlO及 SWL10之各選擇下，Cl 1取代Cl G被啟動，而使BLK1中所指 定之記憶單元之記憶資料讀出至DL上。 於第4期間中，輸入含有使主字元線、次字元線及行 選擇線皆非啟動之模式指定之PKT。結果，MEN0信號、 SEN0信號及CEN0信號分別下降，且MWL0、SWL10及C11分別 被非啟動。 圖7為表示圖1之D R A Μ晶片之其他動作例。依圖7之例 而言’藉由ΡΚΤ内之Μ0-3，各依序於ΒΑΝΚ1指定模式A，於 BANK2指定模式A，接著於BANK2指定模式B，最後於BANK3 指定模式A。若依圖1之構造，則可使複數個記憶庫同時丝 勤，及可分別獨立設定各記憶庫之模式。 如上所述’藉由上述之DRAM晶片構造，因為可於某個 主字元線被持續丝動期間’變更與此主字元線共同相關連 之複數條次字元線中之被丝^之次字元線，故較習知技術 更能提升列存取速度。而且，因僅限於複數條次字元線中 所指定之1個記憶塊所屬之次字元線與感測放大器，將該 次字元線舆感測放大器加以啟動，故可降低DRAM晶片之消
_______ 案號 88106399 年月曰 修正 五、發明說明（9) 耗電力。當DRAM晶片為可同時啟動複數個記憶庫時，可發 揮極大之消耗電力之降低效果。又，當僅限於指定模式B 時’可於固定主字元線之情況下，改變加以啟動之次字元 線，而於其他模式中，可選擇其他動作，故可增加])RAM晶 片之使用彈性。此外，因以控制封包進行位址輸入，故與 非多工位址輸入時相比，可減少DRAM封裝之插角數。此 外，本發明亦可應用於具有單—記憶庫構造之DRAM晶片、 或不使用之控制封包之DRAM晶片。 又’於上述實施例中，雖以列位址之一部分表示次字 元位址’但亦可以行位址之一部分表示次字元位址。於各 記憶庫中’亦可採用可讀出多位元匯流排之構造。控制封 包之位元寬度不限於上述實施例，可做任意變更.β亦可利 用控制封包，設定再新、測試、電源切斷等各種模式。 然而’於上述實施例令，僅可將與共同主字元線相關 連之複數條次子元線中之1條次字元線加以啟動。因此， 於所謂頁面模式時可連續存取之記憶單元個數，與不採用 階層型字元線構造時相比，則顯著減少。亦即，頁面長度 變短。若欲加長此頁面長度時，只要設計為可同時啟動^ 少2條次字元線即可》 ~~ 一 圖8係為適於加長頁面長度之ΒΑΝΚ0之次字元解碼器之 詳細構造例。圖8中，除了圖3之SD0、SD1、S〇、S1外，另 有2個次字元解碼器SD2、SD3，及2條次字元線S2、S3。作 是，此圖中省略可對應SEN0信號之上升邊以保持spD作號S 之閂鎖。如圖8所示，SPD信號至少介著6條信號線spDg :
4 52 7ί
XSPD2、SPD1、XSPD1、SPDO、XSPDO 傳送。SPD2 及XSPD2 為 1組互補信號線，SPD1及XSPD1係為另1組互補信號線，而 SPDO及XSPDO係為又為另1組互補信號線β當§?1)2、SPD1、 SPDO之各邏輯位準為High時，SDO可啟動S 0。當S P D 2、 SPD1、XSPDO之各邏輯位準為Hi gh時> SD1可啟動S1。當 SPD2、XSPD1、SPDO之各邏輯位準為High時，SD2可丝 I&S2。當SPD2、XSPD1、XSPDO之各邏輯位準為High時， SD3可啟動S3。 依圖8之構造，一般係將SPD2及XSPD2令之一邊信號線 之邏輯位準、SPD1及XSPD1中之一邊信號線之邏輯位準、 SPDO及XSPDO中之一邊信號線之邏輯位準分別設定為 High。此時，SO、S1、S2、S3中，不會有2條以上之次字 元選擇線被啟動。為了同時毯^SO及S1，以加長頁面長 度，故將SPD2、SPD1、SPD0、XSPD0之各邏輯位準設定為 High。此時，可同時啟動BLK0中之1條次字元線及BLK1中 之1條次字元線。與此相配合，DR0及DR1分別供應可使複 數個感測放大器。而為了同時啟動4條次字元線時，只要 將SPD2、SPD1、XSPD1、SPD0、XSPD0之各邏輯位準設定為 High即可。 產業上之應用 依據本發明，可提供具有改良列存取速度之DRAM晶 片。而且，只要是具有階層型字元線結構者，本發明亦可 應用於DRAM以外之半導體記憶裝置。
第13頁

Claims (1)

  1. 4 52 7 9 附件三 案號 88106399 90年2月8 日 修正 倏A 猶· 六、申請專利範圍 1.—種具有階層型字元線構造之半導體記憶裝置，其 具備： 複數個記憶單元； 複數條次字元線，分別與該複數個記憶單元中之所對應之 記憶單元相連接； 主字元線，與該複數條次字元線共同相關連； 第1機構，可啟動該主字元線； 第2機構，可於持續良金該主字元線時，變更該複數 條次字元線ΐ，被啟動之次字元線。 輪入機構，輪入控制封包； :: 動作機構，可於藉由該控制封包指定特定模式時，佶 該第2機構動作。 多 2. —種具有階層型字元線構造之半導體記憶裝f，其 P具備複數個記憶庫，該複數個記憶庫分別具備： 二 趨數個記憶單元； 複數條次字元線，分別輿該趨數個記憶單元中之所對 應之記憶單元相連接； 主字元線，與該複數條次字元線共同相關連； 第1機構，可啟動該主字元線； 第2機構，可於持讀啟動該主字元線時，轡f該禎數 條次字元線中，被啟動之次字元線。 3.如申請專利範圍第1盛i項之半導體記憶裝置，其更 具備= 同時機構，可將該複數條次字元線中之至少2條 同時啟動。
    第14頁 _案號 88106399_年月日___ 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第1項之半導體記憶裝置，其更 具備： 複數個感測放大器，分別與該複數個記憶單元中所對 應之記憶單元相結合。 啟動機構，於該複數個感測放大器中，僅與記憶 單元相結合之感測放大器，且該記憶單元與該複數條次字 元線中被啟動之次字元線相連接。
    第15頁
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011248B2 (ja) * 1999-12-22 2007-11-21 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置
JP2002008370A (ja) 2000-06-21 2002-01-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
TW530207B (en) * 2000-09-05 2003-05-01 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor memory device having altered clock frequency for address and/or command signals, and memory module and system having the same
DE10128254B4 (de) * 2001-06-11 2016-09-01 Polaris Innovations Ltd. Integrierter Speicher mit einem Speicherzellenfeld mit mehreren Segmenten und Verfahren zu seinem Betrieb
KR100546342B1 (ko) * 2003-07-12 2006-01-26 삼성전자주식회사 반복적으로 배치되는 프리-디코딩된 신호선들의레이아웃을 개선시키는 로우 디코더 구조, 이를 구비한반도체 메모리 장치, 및 그 방법
US8250295B2 (en) * 2004-01-05 2012-08-21 Smart Modular Technologies, Inc. Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks
US7532537B2 (en) * 2004-03-05 2009-05-12 Netlist, Inc. Memory module with a circuit providing load isolation and memory domain translation
US7289386B2 (en) * 2004-03-05 2007-10-30 Netlist, Inc. Memory module decoder
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US20060277355A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Mark Ellsberry Capacity-expanding memory device
JP4769548B2 (ja) 2005-11-04 2011-09-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体記憶装置
JP5029205B2 (ja) * 2007-08-10 2012-09-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ、半導体メモリのテスト方法およびシステム
US8832518B2 (en) * 2008-02-21 2014-09-09 Ramot At Tel Aviv University Ltd. Method and device for multi phase error-correction
US8417870B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-09 Netlist, Inc. System and method of increasing addressable memory space on a memory board
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US8516185B2 (en) 2009-07-16 2013-08-20 Netlist, Inc. System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
US9128632B2 (en) 2009-07-16 2015-09-08 Netlist, Inc. Memory module with distributed data buffers and method of operation
JP2013196717A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその駆動方法
US8811110B2 (en) * 2012-06-28 2014-08-19 Intel Corporation Configuration for power reduction in DRAM
KR20160038034A (ko) 2013-07-27 2016-04-06 넷리스트 인코포레이티드 로컬 동기화를 갖는 메모리 모듈

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03238694A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体メモリ
JPH06195964A (ja) * 1992-10-01 1994-07-15 Nec Corp 半導体メモリ
JPH06195966A (ja) * 1992-10-01 1994-07-15 Nec Corp 半導体メモリ
JPH087568A (ja) * 1994-06-27 1996-01-12 Nec Corp ダイナミックｒａｍ
GB9423038D0 (en) * 1994-11-15 1995-01-04 Sgs Thomson Microelectronics An integrated circuit memory device with voltage boost
JPH08227597A (ja) 1995-02-21 1996-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH08335390A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Mitsubishi Electric Corp ダイナミック型半導体記憶装置
JP3185610B2 (ja) * 1995-06-13 2001-07-11 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
KR0170903B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-30 김주용 하위 워드 라인 구동 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
KR100186300B1 (ko) * 1996-04-04 1999-04-15 문정환 계층적 워드라인 구조를 갖는 반도체 메모리 소자
KR100200724B1 (ko) * 1996-08-21 1999-06-15 윤종용 반도체 메모리장치의 서브 워드라인 드라이버
JPH1083672A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP4059951B2 (ja) * 1997-04-11 2008-03-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5870350A (en) * 1997-05-21 1999-02-09 International Business Machines Corporation High performance, high bandwidth memory bus architecture utilizing SDRAMs
JP3908338B2 (ja) * 1997-06-30 2007-04-25 富士通株式会社 半導体記憶装置
KR100280468B1 (ko) * 1998-04-16 2001-03-02 김영환 반도체 메모리장치의 워드라인 드라이버

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Publication number Publication date
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