TW451097B - Liquid crystal device and electronic device - Google Patents

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4 § 1 Ο 9 7 Α7 _____Β7__ 五、發明說明（1 ) 技術領域 本發明關於液晶裝置之技術領域，特別關於可切換反 射型顯示及透過型顯示之液晶裝置之構造及使用該液晶裝 置之電子機器之技術領域。 背景技術 習知反射型液晶裝置，消費電力小，多使用於攜帶機 器或裝置之附屬顯示部，因利用外光進行顯示視認，故存 在有在暗場所即無法讀取顯示之問題。因此，在亮場所和 一般反射型液晶裝置同樣利用外光，但在暗場所藉內部光 源作顯示之液晶裝置被提案。此如特開昭 5 7 — 0 4 9 2 7 1號公報、特開昭 57-049271號公報、特開昭 5 7 — 0 4 9 2 7 1號公報之記載，於液晶面板之觀察側 及相反側之外面，依序配置偏光板、半透過反射板、背光 之構成。此液晶裝置，當周圍亮時取入外光利用半透過反 射板反射之光進行反射型顯示，周圍暗時，點亮背光藉透 過半透過反射板之光進行透過型顯示。 其他液晶裝置，例如提昇反射型顯示亮度之特開平 8-2 9 2 4 1 3號公報之記載。該液晶裝置，係在液晶 面板之觀察側及相反側外面依序配置半透過反射板、偏光 板、背光之構成。當周圍亮時取入外光利用光透過反射板 反射之光進行反射型顯示，周圍暗時點亮背光藉透過偏光 板及半透過反射板之光進行透過型顯示。依此種構成，在 _ .4.:」ι {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) tSJ_ * Π, 經濟部智慧財產局員工消費合作fi印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 451 09 7 A7 ___B7___ 五、發明說明（2 ) 液晶格與半透過反射板間不存在偏光板，可得較上述液晶 裝置更亮之反射型顯示。 發明開示 但是，上述特開平8 — 2 9 2 4 1 3號公報之液晶裝 置，於液晶層與半透過反射板間介在透明基板，會產生鬼 影或滲透之問題。 再者，隨攜帶機器或OA機器之發展，液晶顯示之彩 色化被要求，使用反射型液晶裝置之機器要求彩色化之場 合亦多。但是，上述公報記載之液晶裝置與濾光片組合之 方法，係將半透過反射板配置於液晶面板後方，故在液晶 層或濾光片與半透過反射板間介在液晶面板之厚透明基板 ’因視差而產生鬼影或滲透顯示，無法得充分之彩色，此 爲問題點。 爲解決此問題，如特開平9 _ 2 5 8 2 1 9號公報所 示’配置與液晶層相接之反射板的反射型彩色液晶裝置被 提案。但是，該液晶裝置，周圍暗時無法視認顯示。 另外’特開平7 _ 3 1 8 9 2 9號公報提案，在液晶 格內面設兼作半透過反射膜之畫素電極的半透過反射型液 晶裝置。但是，該液晶裝置，因使用具孔缺陷、凹入缺陷 等微細缺陷部或微細開口之金屬薄膜等半透過反射膜、缺 口部或開口部周圍產生之斜電場影響液晶之配向不良之產 生’無法得充分對比或亮度，或在反射型顯示及透過型顯 示兩.方’光之波長分散引起之著色難以防止，或在畫素電 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 451 09 7 ' A7 B7 五、發明說明（3 ) 極閭隙之泛白之防止或對比之提昇及反射型顯示時之亮度 提昇等難以兼顧，丟存在多數技術問題，故無法進行高品 位之畫像顯示。又，製造時亦需追加特殊工程’製造成本 無法削減。 本發明有鑑於上述問題點，目的在於提供一種反射型 顯示及透過型顯示切換可能之液晶裝置，可防止視差引起 之鬼影或滲透顯示，高品位之畫像顯示爲可能之半透過反 射型液晶裝置及使用該液晶裝置之電子機器。 本發明之第1液晶裝置，係具有： 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 形成於上述第2基板之上述液晶層側之面，且開設有 長方形裂口的反射電極；及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --線· 依本發明之第1液晶裝置，反射型顯示時，反射電極 將由第1基板側射入之外光反射於液晶層側。此時，反射 電極，因配置於第2基板之液晶層側，液晶層與反射電極 間之間隙幾乎不存在，因此，視差引起之顯示鬼影或渗透 不會產生。另外，透過型顯示時，照明裝置發出之由第2 基板側射入之光源光，介由裂口透過液晶層側。因此，暗 場所可利用光源光進行亮顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 09 7 A7 B7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製 特別是，在反射電極開設長方形裂口，因此界定比較 上呈分離對向配置之裂口之短邊的反射電極之緣部（即在 裂口之長邊兩端相對向之反射電極之緣部）與透明電極之 間，斜電場（以下稱裂口短邊引起之斜電場）施加於液晶 層。同時，界定比較近接對向配置之裂口之長邊的反射電 極之緣部（即，在裂口之短邊兩端相對向之反射電極之緣 部）與透明電極之間，斜電場（以下稱裂口長邊引起之斜 電場）施加於液晶層。因此，該裂口短邊引起之斜電場及 裂口長邊引起之斜電場，在基板面成分之方向互爲正交。, 因此該2種斜電場作用於裂口附近之液晶分子，則各位置 依該2種斜電場之強度使液晶分子之移動方向被界定。此 處，假設裂口爲正方形，該2種斜電場均等存在，存在有 強度關係呈逆轉之位之位置，液晶分子之移動方向於各位 置非一定，則液晶之配向不良以較大領域出現。亦即，在 該領域產生顯示缺陷。此種配向不良，當該2種斜電場以 相同強度作用時最顯著。反之，有任一方較強時，兩者作 用之領域中之液晶分子之移動，由強者之斜電場支配成一 定。本發明中，裂口短邊（基板面內成分平行裂口之長邊 方向）之斜電場，因裂口長邊之長度而減弱。相對於此， 裂口長邊（基板面內成分與裂口之長邊方向呈正交）之斜 電場，因裂口短邊而呈相對強。因此，本發明中，液晶分 子之移動，係由裂口長邊之斜電場支配。因此，可減輕該 裂口附近領域之液晶配向不良，減少顯示缺陷。又，利用 裂口長邊之斜電場進行部分液晶驅動，則可降低液晶驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 4 51 0 9 7 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 ) 時之臨界値電壓，實現液晶裝置之低消費電力。 特別是，即使不考慮裂口短邊之斜電場，僅針對裂口 長邊之斜電場，實現斜電場之對策或有效利用（例如爲減 少斜電場引起之液晶配向不良對顯示畫像之不良影響，或 以斜電場良好驅動液晶之各種動作參數設定，構成要素或 構件之規格設定，裝置設計等，全體可減少斜電場引起之 液晶配向不良或積極利用斜電場使良好之液晶驅動爲可能 。假設，裂口爲正方形，應付斜電場時需應付2種斜電場 ，液晶裝置之設計、製造等非常困難，又，積極利用2種 斜電場在實用上接近不可能° 此種反射電極之材料，可使用以A〗爲主成分之金屬 ’但只要可反射C r、A g等可視光領域之外光之金屬， 並未特別限定其材料。特別是，反射電極爲其反射外光之 機能及施加電壓於液晶之機能兩方，和反射膜及畫素電極 .各別形成之場合比較，在裝置構成上、製造上、或設計上 有利，可實現低成本。 又，長方形裂口，可利用阻劑之光工程/顯像工程/ 剝離工程容易製作。即，形成反射電極時可同時形成裂口 ，不增加製程數。裂口之寬爲0 _ 〇 1 以上2 0 r以 下較好。1 μ m以上5 a m以下更好。如此則人之肉眼難 以認識，設裂口產生之顯示品質劣化可抑制，反射型顯示 及透過型顯示可同時實現。 又，裂口相對於反射電極，較好形成爲5%以上3 0 %以下之面積比。如此則反射型顯示之亮度降低可抑制之 <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁)

>-α. 線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） v 4510 9 7 經濟部智慧財產局員工消費合作ii印製 A7 B7 五、發明說明（6 ) 同時，藉介由反射電極之裂口導入液晶層之光可實現透過 型顯示。 又，第1液晶裝置之驅動方式，可採用被矩陣驅動方 式、TFT主動矩陣驅動方式、TFD主動矩陣驅動方式 、分段驅動方式等各種公知之驅動方式。 本發明1第之一態樣，上述反射電極，係以特定間隙 多數彤成線狀，上述裂口沿上述反射電極之長邊方向延伸 〇 依此態樣，只需應付裂口長邊之斜電場，即可同時應 付反射電極之間隙引起之斜電場。而且，反射電極形成時 容易形成裂口之同時，必要之光罩設計亦簡單、裝置構成 上、製造上或設計上極有利= 反射電極形成爲線狀之態樣中，上述透明電極，係在 與上述反射電極交叉方向隔特定間隙多數形成爲線狀，上 述裂口延伸至上述透明電極之間隙對向之位置亦可。 如此構成*則界定相對分離之對向配置之裂口之短邊 之反射電極之緣部，位於未形成透明電極之領域，即在透 明電極與反射電極之間與施加電壓之反射電極部分偏離之 位置，因此，如上述本發明中越小之裂口短邊引起之斜電 場之影響顯著地減少。 反射電極形成爲線狀之態樣中，上述裂口橫跨多數畫 素延伸亦可》 依此種構成，則界定相對呈分離對向配置之裂口短邊 的反射電極之緣部，不存在於每一畫素，因此，在反射電 本紙張尺度適財關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）=^r： ------------l·'/^'--- (諝先閲讀背面之注^^項再填窝本頁) 訂· --線· 451097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 極之緣部與透明電極之間施加於液晶層之如上述般本發明 中越小之裂口短邊引起之斜電場之影響可顯著降低。 此場合下，上述裂口延伸至畫像顯示領域外亦可。 依此構成，則界定呈相對分離之對向配置之裂口短邊 的反射電極之緣部，不存在於畫像顯示領域，故如上述越 小之裂口短邊引起之斜電場之影響可減至最低。 反射電極形成線狀之態樣中，上述裂口之寬和上述反 射電極之間隙略相等即可。 依此種構成，只要能應付或積極利用裂口長邊之斜電 場，即可同樣應付或積極利用反射電極之間隙引起之斜電 場。再者，反射電極形成時極容易形成裂口之同時，此時 必要之光罩之設計亦簡單，裝置構成上、或製造、設計上 極有利。此處「略相等」係指對斜電場施予相同對策時， 裂口長邊之斜電場之影響及反射電極之間隙引起之斜電場 之影響，在顯示上出現相等地使裂口寬和反射電極之間隙 相等，或可以相同線寬之光罩形成之程度地相等之意。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，上述裂口之寬爲 4 # m以下。 經本發明人實驗及硏究結果發現，依裂口之寬，液晶 之臨界値電壓將變化。更具體說明如下，裂口寬大於4 時，反射型顯示與透過型顯示之間之液晶之臨界値電 壓大不相同，該兩者顯示時可得良好對比或濃度變化之驅 動電壓之設定困難或不可能。其原因爲，裂口寬大於4 μ m時，裂口對向之液晶部分驅動用之強電場爲必要。然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45109 7 A7 ____B7 _ 五、發明說明（8 ) 而，依此態樣，裂口之寬爲4 以下，液晶之臨界値電 壓，於反射型及透過型顯示可爲相同程度。例如’裂口之 寬設爲2 #πι，反射電極之寬爲1 0 Am ’則兩者顯示時 ，可得充分對比或濃度變化之驅動電壓比較容易設定。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，上述透明電極與 反射電極之略中心位置之液晶分子之配向方向’與上述裂 口之長邊方向間之交叉角度設爲ε時，一 6 0° S e S 6 0° 。 依此態樣，位於透明電極與反射電極之略中心位置最 容易移動之液晶分子之配向方向與裂口之長邊方向，係由 正交起分離3 0°以上1故液晶分子’不因透明電極與反 射電極間之電壓施加伴隨產生傾斜領域’其配向狀態變化 良好。因此，液晶驅動時之臨界値電壓可降低，實現液晶 裝置之低消費電力。又，液晶層中之傾斜領域引起之顯示 缺陷可消除。假設，該角度ε不在—60° 60° 之範圍，則液晶分子之配向方向與裂口之長邊方向大略正 交，傾斜領域急速產生。如此則驅動電壓上昇。特別是 一30$£客30°之範圍，上述效果可發揮最大限。又 ，關於傾斜領域，係和日本學術振興會第1 4 2委員會編 「液晶裝置手冊」（日刊工業新聞社）之第2 5 4頁記載 之現象相同。本說明書中之傾斜領域並非預傾斜角之大小 所產生者，而是電場施加方向產生之現象。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中’上述反射電極近 傍之液晶分子之配向方向與上述裂口之長邊方向間之交叉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------.'!、裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -線- 451097 A7 B7 五、發明說明（9 ) 角度設爲 6，一 30° $<5S30° 。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依此態樣，賦予特定預傾斜角之反射電極近傍之液晶 分子之配向方向及裂口之長邊方向’比起正父爲更接近平 行，故基板界面之液晶分子受斜電場影響而呈逆傾斜之可 能性幾乎不存在。因此，逆傾斜之傾斜領域引起之顯示缺 陷等可消除。依此，液晶驅動時之臨界値電壓可下降，實 現液晶裝置之低消費電力。假設，此角度6爲一30°客 <5 3 3 0°以下之範圍，則基板界面之液晶分子受斜電場 之影響顯著呈逆傾斜，而產生顯示缺陷。又’驅動電壓亦 變高，消費電力上昇特別是一 10° 之範圍 內，上述效果可發揮最大限。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，非驅動時爲暗狀 態。 依此態樣，非驅動時爲暗狀態’故透過型顯示時來自 液晶未驅動之畫素間或點間之漏火可抑制，可得對比高之 透過型顯示‘。又，反射型顯示時’畫素間或點間之顯示之 不要之反射光可抑制’可得對比高之顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，在上述第1基板 之上述液晶層側之面及上述第2基板之上述液晶層側之面 之至少一方形成遮火層’俾至少部分覆蓋上述反射電極之 間隙。 依此態樣，透過型顯示時來自液晶未驅動畫素間或點 間之漏光可抑制’可得對比高之透過型顯示。又’反射型 顯示時畫素間或點間之顯示不要之反射光可抑制’可得對 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 0 9 ? A7 B7 五、發明說明（10 ) 比高之顯示。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，另具有： <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板，及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 依此態樣，主要可藉1第偏光板進行反射型及透過型 之良好顯示控制之同時，第1相位差板引起之光波長分散 之著色等之不良影響可減低。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，另具有： 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板；及 配置於上述第2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 依此態樣，主要藉第2偏光板，於透過型顯示可得良 好之顯示控制之同時，藉第2相位差板可減低光之波長分 散引起之著色等色階之影響。 本發明之第1液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極 ，係含有9 5重量％以上之A 1 ，且層厚爲1 0 nm以上 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4〇n m以下。 依此態樣，半透過反射型之薄層之反射電極可形成。 依實驗，在該層厚之範圍，可製作透過率爲1%以上4 0 %以下，反射率爲5 0%以上9 5%以下之半透過反射型 反射電極。 本發明之第1液晶裝置之另一態樣中，在上述反射電 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 45109 7 Α7 Β7 五、發明說明（11 ) 極與第1基板間另具濾光片。 (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) 依此態樣，可進行外光之反射型彩色顯示及利用照明 裝置之透過型彩色顯示。濾光片’較好對3 8 0 nm以上 7 8 O nm以下之波長範圍之光具2 5%以上之透過率。 如此則可實現之反射型彩色顯示及透過型彩色顯示。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，在上述第1基板 之上述液晶層之相反側另具散亂板。 依此態樣，可使反射電極之鏡面感由散亂板看出散亂 面（白色面）。又，散亂板之散亂，使廣視野角顯示爲可 能。散亂板之位置，只要在第1基板之液晶層之相反側1 任何位置均可。若考慮散亂板之後方散亂（外光射入時， 朝射入光側之散亂）之影響，配置於偏光板與第1基板間 較好。後方散亂，爲與液晶裝置之顯示無關之散亂光，後 方散亂存在時，反射型顯示之對比降低。配置於偏光板與 第1基板之間，則後方散亂光之光量可藉偏光板設爲約一 半。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極具 凹凸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此態樣，藉凹凸使反射電極之鏡面感消失，看得到 散亂面（白色面）。又，凹凸引起之散亂，使廣視野角之 顯示爲可能。該凹凸形狀，可在反射電極之底層使用感光 性丙烯基樹脂等形成，或氟酸對底層之玻璃基板本身粗面 化而形成。又，反射電極之凹凸表面上另形成透明之平坦 化膜，使鄰接液晶層之表面（形成配向膜之表面）平坦化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 45109 7 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12 ) ，此點就液晶配向不良防止之觀點而言較好。 本發明第1液晶裝置之另一態樣中，反射電極係由反 射層及透明電極層之積層體形成。 依此態樣，開射有裂口之反射電極即使不以反射性且 導電性之單一膜構成，令反射層具反射外光之機能，令透 明電極層具施加液晶驅動電壓之機能，即可得該反射電極 〇 本發明之上述課題，係由具上述本發明第1液晶裝置 之第1電子機器達成。 依本發明第1電子機器，不存在視差引起之鬼影或顯 示渗透，實現可切換反射型或透過型顯示之半透過反射型 液晶裝置及半透過反射型彩色液晶裝置的各種電子機器。 此種電子機器，不管在亮之場所或暗之場所，均不受周圍 之外光影響，可實現高畫質之影示。 本發明第2液晶裝置，係具有： 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 形成於上述第2基板之上述液晶層側之面之由半透過 反射層構成的反射電極； 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置； 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· ·% 本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） ri' 4 510 9 7 A7 B7 五、發明說明（13 ) 光板； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板； 配置於上述第2基板與照明裝置之間的第2偏光板； 及 配置於上述第2基板與第2偏光板之間的至少1片第 2相位差板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明第2液晶裝置，反射型顯示時，反射電極係 令由第1基板側射入之外光反射於液晶層側。此時，反射 電極因配置於第2基板之液晶層側，液晶層與反射電極之 間之間隙幾乎不存在，因此視差引起之顯示鬼影或滲透不 會發生。另一方面，透過型顯示時，令照射裝置發出，由 第2基板側射入之光源光，介由半透過反射層形成之反射 電極透過液晶層側。因此，在暗處利用光源光之亮顯示爲 可能。此種半透過反射層，和上述本發明第1液晶裝置同 樣，由設有長方形裂口或正方形微細開α等，一部分領域 爲光透過可能之反射膜構成亦可，由介在有孔缺陷、凹入 缺陷等微細缺陷部之金屬薄膜等半透過反射膜構成亦可。 於全領域由具半透過反射性之膜構成亦可。或者，如後述 般由隔特定間隙多數形成之線狀或島狀等反射電極構成亦 可。 第2液晶裝置中，特別是，具有第1偏光板及第1相 位差板以及第2偏光板及第2相位差板，藉第1及第2偏 光板可控制良好之反射型顯示及透過型顯示，藉因第1相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451097 A7 B7 五、發明說明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 位差板可減低反射型顯示時之光波長分散引起之著色等色 階之影響之同時，藉第2相位差板可減低透過型顯示時之 光波長分散引起之著色等色階之影響。又’第2液晶裝置 之驅動方式可採用被動矩陣、TFT主動矩陣、TFD主 動矩陣、分段驅動方式等公知各種驅動方式。 本發明第2液晶裝置之一態樣中，非驅動時爲暗（黑 )狀態。 依此態樣，非驅動時爲暗狀態，透過顯示時來自液晶 未驅動之畫素間或點間之漏光可抑制，可得高對比之透過 型顯示。又，反射型顯示時，可抑制畫素間或點間之顯示 不需要之反射光，可得高對比之顯示。 本發明第2液晶裝置之另一態樣中， 在上述第1基板之上述液晶層側之面及上述第2基板 之上述液晶層側之面之至少一方形成遮火層，俾至少部分 覆蓋上述反射電極之間隙。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此態樣，透過顯示時來自液晶未驅動之畫素間或點 間之漏光可抑制，可得高對比之透過型顯示。又，反射型 顯示時，可抑制畫素間或點間之顯示不需要之反射光，可 得高對比之顯示。 本發明第2液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極， 係含有9 5重量％以上之A 1 ，且層厚爲1 〇 nm以上 4 0 n m以下。 依此態樣，可形成半透過反射型之薄層反射電射。依 實驗，在該層厚範圍內，可製作透過率1 %以上4 0%以 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（15 ) 下，反射率5 0%以上9 5%以下之半透過反射型反射電 極。 本發明第2液晶裝置之另一態樣中， 在上述反射電極與第1基板之間，另具有濾光片。 依此態樣，可進行外光之反射型彩色顯示及利用照明 裝置之透過型彩色顯示。濾光片，爲對3 8 0 nm以上 7 8 0 nm以下波長範圍之光具2 5%以上透過率較好。 如此則可實現亮之反射型彩色顯示及透過型彩色顯示。 本發明第2液晶裝置之另一態樣中，在上述第1基板 之液晶層之相反側另具散亂板。 依此態樣，令反射電極之鏡面感藉散亂板看出散亂面 (白色面）。又，散亂板之散亂便廣視野角顯示爲可能。 又散亂板之位置，只要是第1基板液晶層之相反側，任何 位置均可。考慮散亂板之後方散亂（外光射入時，朝射入 光側之散亂）之影響，則配置在偏光板與第1基板間較好 。後方散亂，爲和液晶裝置顯示無關之散亂光，該後方散 亂存在時，使反射型顯示之對比降低。配置在偏光板和第 1基板之間，藉偏光板可使後方散亂光之光量減爲約一半 〇 本發明第2液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極具 凹凸。 依此態樣，藉凹凸使反射電極之鏡面感不存在，可見 散亂面（白色面）。又，凹凸引起之散亂，使廣視野角顯 示爲可能。該凹凸形狀，可於反射電極底層使用感光性丙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x297公釐） ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -_B· .線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 烯基樹脂形成，或以氟酸對底層之玻璃基板本身浸蝕形成 。又，反射電極之凹凸表面上更形成透明之平坦化膜，使 相接液晶層之表面（形成配向膜之表面）平坦化，就防止 液晶之配向不良之觀點爲較好。 本發明第2液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極係 由反射層及透，明電極層之積層體構成。 依此態樣，即使構成反射電極之半透過反射層不以具 反射性及導電性之單一膜構成，令反射層具反射外光之機 能，透明電極層具施加液晶驅動電壓之機能，即可得構成 該反射電極之半透過反射層。 本發明上述課題可由具本發明第2液晶裝置之第2電 子機器達成。 '依本發明第2電子機器，視差引起之鬼影或顯示器滲 透不存在，可切換反射型及透過型顯示之使用半透過反射 型液晶裝置或半透過反射型彩色液晶裝置之各種電子機器 。此種電子機器，不論亮之場所或暗之場所，不受外光之 影響可實現高畫質顯示。 本發明之第3液晶裝置，係具有： 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 在上述第2基板之上述液晶層側之面相互隔開特定間 隙外數形成的反射電極； 在上述第1基板之上述液晶層側之面，形成於上述反 射電極之對向位置及上述反射電極之間隙之對向位置的透 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 51 0 9 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17 ) 明電極；及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置。 依本發明第3液晶裝置，反射型顯示時，反射電極使 由第1基板側射入之外光朝液晶層側反射。此時，反射電 極，因配置於第2基板之液晶層側，液晶層與反射電極間 幾乎不存在間隙，故視差引起之顯示鬼影或滲透不發性。 另一方面，透過型顯示時，照明裝置發出，由第2基板側 射入之光源光，介由反射電極之間隙透過液晶層側。此處 ，特別是藉反射電極之間隙對向之透明電極部分與反射電 極間所生斜電場，可驅動液晶。因此，在暗處利用斜電場 驅動透過反射電極間隙之光源光，使亮顯示爲可能。同時 ，反射電極間隙對向之液晶部分未被驅動可防止白色瘳透 ，減低反射電極間隙引起之顯示缺陷。又，不需要以稱暗 矩陣或暗掩罩之遮火膜覆蓋反射電極之間隙，裝置構成上 或製造上、設計上有利5 又，第3液晶裝置之驅動方式，可採被動矩陣、 TFT主動矩陣、TFD主動矩陣、分段等公知之各種驅 動方式。因此，反射電極，可依驅動方式，形成多數線狀 、或矩形狀。 又，反射電極之間隙寬爲〇.Olym以上2〇em 以下較好，特別是1 m m以上5 m πί以下更好。如此則人 眼之辨識困難，可抑制間隙設計產生之顯不品質劣化’同 時實現反射型顯示及透過型顯示°又’間隙相對於反射電 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） ---------- - .裝--- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂* _ -丨紙. Γ 451 0 9 7 A7 B7 五、發明說明（18 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極。形成爲5 %以上3 0 %以下之面積比較好。如此可抑 制反射型顯示之亮度降低之同時，藉由反射電極之間隙導 入液晶層之光可實現透過型顯示。特別是，透過型顯示時 斜電場驅動之液晶部分佔液晶層全體之比例低時，藉照明 裝置光源之亮度提昇，可利用液晶部分得十分亮之高品質 顯示。 本發明第3液晶裝置之一態樣中，上述反射電極形成 多數之長邊狀， 以上述透明電極和上述反射電極之略中心位置之液晶 分子之配向方向，與上述反射電極之長邊方向間之交叉角 度爲0時，-60° S釕$60° 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此態樣，反射電極形成爲線狀、矩形狀等長邊狀’ 透明電極與反射電極間之略中心位置處之移動最容易液晶 分子之配向方向與反射電極之長邊方向，係呈30°以上 分離，液晶分子，不因施加於透明電極與反射電極間之電 壓而伴隨產生傾斜領域，呈良好之配向狀態變化。因此’ 液晶驅動時臨界値電壓可降低，實現液晶裝置之低消費電 力化。又，液晶層之傾斜領域引起之顯示不良可消除。假 設，該角度0不位於一60° S分各60°範圍’則液晶 分子之配向方向與反射電極之長邊方向呈略直交，傾斜領 域激裂產生《如此則驅動電壓亦上昇，特別是- 3 0 °客 0S3 0°之範圍內，上述效果可發揮最大限。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中， 以上述反射電極近傍之液晶分子之配向方向’與上述 -21; 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 0 9 7 A7 B7 五、發明說明（19 ) 反射電極之長邊方向間之交叉角度爲Ψ時，，-30°各 Ψ S 3 0 ° 。 依此態樣，賦予特定預傾斜角之反射電極近傍之液晶 分子之配向方向與反射電極之長邊方向’更接近於平行’ 基板界面之液晶分受斜電場影響而呈逆傾斜之可能性幾乎 不存在《因此 > 逆傾斜引起之傾斜領域引起之顯示不良等 可消除。依此，可降低液晶驅動時之臨界値電壓，實現液 晶裝置之低消費電力化。假設該角度Ψ爲一3 0 3 0°以外範圍，則基板界面中之液晶分子受斜電場影響 著顯著呈逆傾斜1產生顯示缺陷。又驅動電壓亦變高，消 費電力上昇。特別是，在一10° ‘Ψ芸10°之範圍， 上述效果可發揮最大限。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，另具有： 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板，及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 依此態樣，藉第1偏光板可控制反射型及透過型之良 好顯示之同時，藉第1相位差板可減低光波長分散引起之 著色等色階之影響。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，另具有· 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板；及 配置於上述第_2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------Γ. ^ i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) il· 3 -41,— 4 510 9 7 A7 B7 五、發明說明（2Q ) 依此態樣，可形成半透過反射型之薄層反射電極。依 實驗，在該層厚範圍內，可製作透過率爲1%以上4 0% 以下，反射率爲5 0%以上9 5%以下之半透過反射型反 射電極。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，在上述反射電極 與第1基板之間，另具有濾光片。 依此態樣，可進行外光之反射型彩色顯示及利用照明 裝置之透過型彩色顯示。濾光片，爲對3 8 0 nm以上 7 8 0 nm以下波長範圍之光具2 5%以上透過率較好。 如此則可實現亮之反射型彩色顯示及透過型彩色顯示。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，在上述第1基板 之液晶層之相反側另具散亂板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -!_ 裝 i I ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依此態樣，令反射電極之鏡面感散亂板看出散亂面（ 白色面）。又，散亂板之散亂便廣視野角顯示爲可能。又 散亂板之位置，只要是第1基板液晶層之相反側，任何位 置均可。考慮散亂板之後方散亂（外光射入時，朝射入光 側之散亂）之影響，則配置在偏光板與第1基板間較好。 後方散亂，爲和液晶裝置顯示無關之散亂光，該後方散亂 存在時，使反射型顯示之對比降低。配置在偏光板和第1 基板之間，藉偏光板可使後方散亂光之光量減爲約一半。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極具 凹凸。 依此態樣，藉凹凸使反射電極之鏡面感不存在，可見 散亂面（白色面）。又，凹凸引起之散亂’使廣視野角顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 09 7 A7 B7 五、發明說明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 示爲可能。該凹凸形狀，可於反射電極底層使用感光性丙 烯基樹脂形成，或以氟酸對底層之玻璃基板本身浸蝕形成 。又，反射電極之凹凸表面上更形成透明之平坦化膜，使 相接液晶層之表面（形成配向膜之表面）平坦化，就防止 液晶之配向不良之觀點爲較好。 本發明第3液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極係 由反射層及透明電極層之積層體構成。 依此態樣，即使反射電極不以具反射性及導電性之單 一膜構成，令反射層具反射外光之機能，透明電極層具施 加液晶驅動電壓之機能，即可得該反射電極。 本發明上述課題可由具本發明第3液晶裝置之第3電 子機器達成。 依本發明第3電子機器，視差引起之鬼影或顯示器滲 透不存在，可切換反射型及透過型顯示之使用半透過反射 型液晶裝置或半透過反射型彩色液晶裝置之各種電子機器 。此種電子機器，不論亮之場所或暗之場所，不受外光之 影響可實現高畫質顯示。 本發明第4液晶裝置，係具備： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 透明過反射型液晶面板，其具備有， 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 i 形成於上述第2基板之上述液晶層側之面之由半透過 了 24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） if 451 0 9 7 A7 B7 五、發明說明（22 ) 反射層構成的反射電極：及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置；及 驅動上述透明電極及反射電極的驅動裝置； 該液晶面板，非驅動時爲暗（黑）狀態。 依本發明第4液晶裝置，反射型顯示時，反射電極係 令由第1基板側射入之外光反射於液晶層側。此時，反射 電極因配置於第2基板之液晶層側，液晶餍與反射電極之 間之間隙幾乎不存在，因此視差引起之顯示鬼影或滲透不 會發生。另一方面，透過型顯示時，令照射裝置發出，由 第2基板側射入之光源光，介由半透過反射層形成之反射 電極透過液晶層側。因此，在暗處利用光源光之亮顯示爲 可能。此種半透過反射層，和上述本發明第1液晶裝置同 樣，由設有長方形裂口或正方形微細開口等，一部分領域 爲光透過可能之反射膜構成亦可，由介在有孔缺陷、凹入 缺陷等微細缺陷部之金屬薄膜等半透過反射膜構成亦可。 於全領域由具半透過反射性之膜構成亦可。或者，如本發 明第3液晶裝置般由隔特定間隙多數形成之線狀或島狀等 反射電極構成亦可。 第4液晶裝置中特別是，藉驅動裝置驅動透明電極及 反射電極之液晶面板，於非驅動時處於暗狀態。即常關模 式驅動。因此，透過顯示時來自液晶未驅動之畫素間或點 間之漏光可抑制，可得高對比之透過型顯示。又’反射型 顯示時，可抑制畫素間或點間之顯示不需要之反射光，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451097 A7 B7 五、發明說明（23 ) C請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 得高對比之顯示。如上述般在反射電極之間隙之對向位置 不設置一般稱爲暗矩陣或暗掩罩之遮光膜’即可提昇透過 型或反射型顯示時之對比。另外，可事先防止因此遮光膜 之設置引起之反射型顯示時亮度降低。 第4液晶裝置之驅動方式可採用被動矩陣。TFT主 動矩陣、T F D主動矩陣、分段驅動方式等公知各種驅動 方式。 本發明第4液晶裝置之一態樣中’上述液晶面板另具 有： 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板，及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 依此態樣，藉第1偏光板可控制反射型及透過型之良 好顯示之同時，藉第1相位差板可減低光波長分散引起之 著色等色階之影響。 本發明.第4液晶裝置之另一態樣中，上述之液晶面板 另具有： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板；及 配置於上述第2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 依此態樣，藉第2偏光板，透過型顯示時良好之顯示 控制爲可能之同時，藉第2相位差板，光波長分散引起之 著色等色階影響可減少。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 0 9 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（24 ) 本發明第4液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極， 含有9 5重量％以上之A 1 ，且層厚爲1 〇 nm以上4 0 n m以下。 依此態樣，可形成半透過反射型之薄層反射電極。依 實驗，該層厚範圍內，可製作透過率爲1%以上4 0%以 下，反射率爲5 0%以上9 5%以下之半透過反射型反射 電極。 本發明第4液晶裝置之另一態樣中，上述液晶面板， 係在上述反射電極與第1基板之間，另具有濾光片。 依此態樣，可進行外光之反射型彩色顯示及利用照明 裝置之透過型彩色顯示。濾光片，爲對3 8 0 nm以上 7 8 0 nm以下波長範圍之光具2 5%以上透過率較好。 如此則可實現亮之反射型彩色顯示及透過型彩色顯示。 本發明第4液晶裝置之另一態樣中，上述液晶面板係 在上述第1基板之液晶層之相反側另具散亂板。 依此態樣，令反射電極之鏡面感散亂板看出散亂面（ 白色面）。又，散亂板之散亂使廣視野角顯示爲可能。又 散亂板之位置，只要是第1基板液晶層之相反側，任何位 置均可。考慮散亂板之後方散亂（外光射入時，朝射入光 側之散亂）之影響，則配置在偏光板與第1基板間較好。 後方散亂，爲和液晶裝置顯示無關之散亂光，該後方散亂 存在時，使反射型顯示之對比降低。配置在偏光板和第1 基板之間，藉偏光板可使後方散亂光之光量減爲約一半。 本發明第4液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------—丨l· -裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -iB . --½. ^ 451 097 A7 B7 五、發明說明（25) 凹凸。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依此態樣，藉凹凸使反射電極之鏡面感不存在，可見 散亂面（白色面）。又，凹凸引起之散亂，使廣視野角顯 示爲可能。該凹凸形狀，可於反射電極底層使用感光性丙 烯基樹脂形成，或以氟酸對底層之玻璃基板本身浸蝕形成 。又，反射電極之凹凸表面上更形成透明之平坦化膜，使 相接液晶層之表面（形成配向膜之表面）平坦化，就防止 液晶之配向不良之觀點爲較好。 本發明第4液晶裝置之另一態樣中，上述反射電極係 由反射層及透明電極層之積層體構成。 依此態樣，即使構成反射電極之半透過反射層不以具 反射性及導電性之單一膜構成，令反射層具反射外光之機 能，透明電極層具施加液晶驅動電壓之機能，即可得構成 該反射電極之半透過反射層。 本發明上述課題可由具本發明第4液晶裝置之第4電 子機器達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明第4電子機器，視差引起之鬼影或顯示器滲 透不存在，可切換反射型及透過型顯示之使用半透過反射 型液晶裝置或半透過反射型彩色液晶裝置之各種電子機器 。此種電子機器，不論亮之場所或暗之場所’不受外光之 影響可實現高畫質顯示。 實施發明之最佳形態。 以下，參照圖面說明本發明之最佳實施形態。 本紙張尺度適用中囤囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（26 ) (第1實施例） 參照圖1 a及1 b說明本發明液晶裝置之第1實施例 。圖1 a爲本發明第1實施例構造之槪略縱斷面圖，圖 lb爲圖1 a之第1實施例之槪略平面圖。圖lb中，電 極配置爲便於觀察，省略圖1 a之濾光片及暗矩陣層。又 ，爲方便說明，直條狀電極僅圖示縱橫各3條，但實際之 液晶裝置設有多數之直條狀電極。又，第1實施例基本上 爲單純矩陣型液晶裝置，但同樣構成亦適用主動矩陣型液 晶裝置或其他分段型液晶裝置，或其他液晶裝置。 如圖1 a及1 b所示，第1實施例中，在2片透明基 板1、2間液晶層3以框狀密封材4封裝形成液晶格。液 晶層3由具特定扭角之絲狀液晶構成。在前方之透明基板 1之內面上彤成濾光片5，於該濾光片5，R (紅）、G (綠）、B (藍）等3色著色層以特定圖型配列。濾光片 5之表面上被膜透明保護膜1 0，保護膜1 0之表面上多 數直條狀透明電極6以I T 0 ( Indium Tim Oxide )膜等形 成。透明電極6之表面上形成配向膜9，於特定方向施予 摩擦處理。 在後方之透明電極2之內面上，依上述濾光片5之著 色層形成直條狀反射電極7與上述透明電極6呈交叉差配 列多數。具T F D元件或T F T元件之主動矩陣型液晶裝 置時，各反射電極7形成矩形狀，介由主動元件接配線。 該反射電極7由C r或A 1等形成，其表面成爲令透明基 板1之側射入之光反射之反射面。反射電極7之表面上形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝·！---訂·! II 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 45彳 0 9 7 A7 B7 五、發明說明（27 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成和上述同樣之配向膜1 9。反射電極7，設2 徑之 開口部7 b (參照圖1 b )多數個，開口部7 b之總面積 相對反射電極7之總面積約佔1 0 %比例。 在前方之透明基板1之外面配置偏光板11，偏光板 1 1與透明電極1之間配置相位差板1 3。又，於液晶格 後方，於透明基板2背後配置相位差板1 4。於該相位差 板1 4背後配置偏光板1 2。偏光板1 2之後方配置具： 白色發光之螢光管1 5 a，及具沿該螢光管1 5 a之射入 端面之導光板1 5 b的背光1 5。導光板1 5 b爲，背面 全體形成散亂用粗面，或形成有散亂用印刷層之丙烯基樹 脂板等之透明體，以端面接受光源之螢光管1 5 a之光， 構成自圖之上面可射出大略均一之光。其他背光，可用 L E D或E L等。 第1實施例中，透過型顯示時，由各反射電極7之間 之領域7 a洩漏之光可防止，故彤成於濾光片5之各著色 層間之遮光部之暗矩陣層5 a可大略對應平面設置。暗矩 陣層5 a被覆C r層，或以感光性暗樹脂形成。 以下，說明上述構成之第1實施例之動作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，說明反射型顯示，外光分別透過圖1之偏光板 1 1、相位差板1 3、濾光片5，通過液晶層3後，由反 射電極7反射，再由偏光板1 1射出。此時，對應液晶層 3之施加電壓，控制偏光板1 1之透過（亮狀態）及吸收 (暗狀態）及中間之亮度。 其次，說明透過型顯示。來自背光1 5之光因偏光板 -3D" 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（28 ) 1 2及相位差板1 4成特定之偏光，由反射電極7之開口 部7 b導入液晶層3，通過液晶層3後，分別通過濾光片 5、相位差板1 3。此時，對應液晶層3之施加電壓，來 控制偏光板1 1之透過（亮狀態）、吸收（暗狀態），及 中間之亮度。 依上述本實施例，可實現無鬼影或滲透顯示，可切換 反射型及透過型顯示之彩色液晶裝置。 第1實施例中特別是，具有第1偏光板1 1及第1相 位差板1 3及第2偏光板1 2及第2相位差板1 4，藉偏 光板11及12不論反射型或透過型均有良好之顯示控制 。藉相位差板13可減少反射型顯示時光之波長分散引起 之著色等色階之影響（即，用相位差板1 3實現反射型顯 示之最適化），之同時，藉相位差板1 4可減少透過型顯 示時光之波長分散引起之著色等色之影響（即以相位差板 1 4，在藉相位差板1 3實現反射型顯示之最適化條件下 ，實現透過型顯示之最適化）。又，相位差板13及14 ，本實施例中爲1片，但爲液晶格之著色補償，或視覺補 償在各個位置配置多片相位差板爲可能。使用多片相位差 板時更容易進行著色補償或視覺補償之最適化。 又，第1實施例中，設於反射電極7之開口部7 b， 係由例如反射電極7之面上規則配置之正方形細微開口或 長方形裂口等構成，或由反射電極7上之孔缺陷，凹入缺 陷等細微缺陷部構成，於該部分光可透過反射電極7。關 於此種開口部7 b之構成，於後述第6實施例〜第8實施 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -51 - 451097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（29 ) 例（參照圖7〜圖1 1 )詳述。 又，第1實施例中，由背光1 5介由設於反射電極7 之開口部7 b導入光以進行透過型顯示，但介由反射電極 7之間隙7 a導入光以進行透過型顯示之構成（參照後述 第1 3實施例）中，藉偏光板1 1、相位差板/1 3、及 偏光板1 2、相位差板1 4，不論反射型或透過型任一顯 示，均可得良好控制之同時，可得減少光之波長分散引起 之著色之效果。 (第2實施例） 參照圖1 a及1 b說明本發明液晶裝置之第2實施例 。第2實施例之基本構成，和第1實施例同樣，爲針對第 1實施例之液晶、反射電極、配向膜、及偏光板之材質， 特性等具體限定之實施例。又，第2實施例，基本上爲單 純矩陣型液晶裝置，但同樣構成亦適用於主動矩陣型、分 段型、或其他液晶裝置。 圖1 a及圖1 b中，第2實施例中特別是，反射電極 6之表面上形成之配向膜9，被施予特定方向之磨擦處理 ，藉該磨擦處理，液晶層3之液晶分子於磨擦方向具約 8 5度之傾斜角。於反射電極7之表面上，形成和上述同 樣之配向膜1 9，但該配向膜1 9未施予磨擦處理。反射 電極7，係使用添加有1 . 0重量％2N d之A 1濺射成 2 5 nm厚之金屬膜，該A丨使用9 5重量％以上之材料 ，且膜厚設定爲1 0 nm以上4 0 nm以下。又，上述第 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 0 9 7 A7 B7 五、發明說明（30 ) 1實施例中，亦可使用此種反射電極7。相位差板1 3及 1 4使用1 / 4波長板。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，第2實施例中特別是，偏光板1 1、偏光板12 之透過軸PI、P2，如圖2 (a)所示設定爲同方向。 相對該偏光板1 1、1 2之透過軸P 1及P2、相位差板 13 (即1/4波長板）13及14之遲相軸C1及C2 之方向分別設定朝順時針方向旋轉Θ = 4 5度之方向透明 基板1之內面上之配向膜9之磨擦處理方向R1，亦爲和 相位差板（即1 / 4波長板）1 3及1 4之遲相軸C 1及 C2之方向一致之方向。該磨擦方向R11用以界定液晶 層3之電壓施加時之電流方向。液晶層3，使用感應異方 性爲負之絲狀液晶。 圖2 ( b )爲，上述構成之第2實施例中之反射型顯 示時之反射率R之驅動電壓特性，及透過型顯示時之透過 率T之驅動電壓特性。此場合，無電壓施加時之顯示狀態 爲暗。即，以常暗模式驅動該液晶裝置。如此驅動時’來 自液晶未驅動之反射電極7之間隙7 a之漏光或不要之反 射光可抑制，故不必形成暗矩陣層5 a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下，說明上述構成之第2實施例之動作。 首先，說明反射型。外光分別透圖1之偏光板1 1、 相位差板1 3、濾光片5，通過液晶層3後’由反射電極 7反射，再由偏光板1 1射出。此時’對應液晶層3之施 加電壓來控制偏光板1 1之透過（亮狀態）及吸收（暗狀 態）及中間亮度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 33." 451 097 A7 __^Β7__ 五、發明說明（31 ) 其次，說明透過型顯示。來自背光1 5之光因偏光板 1 2及相位差板1 4成特定之偏光，由反射電極7之開口 部7 b導入液晶層3，通過液晶層3後’分別通過濾光片 5、相位差板1 3。此時，對應液晶層3之施加電壓’來 控制偏光板1 1之透過（亮狀態）、吸收（暗狀態），及 中間之亮度。 依上述本實施例，可實現無鬼影或滲透顯示，可切換 反射型及透過型顯示之彩色液晶裝置。 (第3實施例） 以下參照圖3說明本發明第3實施例之液晶裝置。圖 3爲，第3實施例中，透明基板2之內面上形成之構造之 擴大斷面圖。 如圖3所示，和第1實施例比較、第3實施例以反射 電極1 7取代反射電極7，其他構成均相同。又，第3實 施例基本上爲單純矩陣型液晶裝置，但同樣構成亦適甩主 動矩陣型、分段型或其他液晶裝置。 即，第3實施例中，反射電極1 7，具有例如高低差 約0 . 8#m之凹凸。因此，反射電極17之鏡面感消失 ’可見散亂面（白色面）。又，藉凹凸之散亂，廣視野角 之顯不爲可能。 以下，說明反射電極1 7之製造方法 反射電極1 7，係在圖1之透明基板2之內面上藉旋 轉塗敷等塗布感光性阻劑，介由具細微開口部之掩罩調整 紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 x 297公釐） i 丨！！ 裝 i I <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --绛 451 0 9 7 A7 —___B7_______ 五、發明說明（32 ) 之光量進行曝光。之後，必要時，進行感光性阻劑之燒結 、顯影。顯影使掩罩開口部對應之部分被部分除去，形成 圖示具波形斷面形狀之支持層1 6。又，藉上述光蝕刻工 程僅除去掩罩開口部對應部分，或僅殘留掩罩開口部對應 部分，之後，藉蝕刻或加熱等緩慢形成凹凸形狀，以形成 圖示支持層1 6之波形斷面形狀亦可。或者，於暫時形成 之上述支持層表面上另形成別層以使表面形成更平滑亦可 〇 其次，於支持層1 6之表面蒸鍍金屬，藉濺射法等被 覆薄膜狀，形成具反射面之反射電極1 7。金屬可用A 1 、Cr、 Ag、 An等。反射電極17,係反映支持層 1 6表面之波形凹凸之形狀而形成，表面全體被粗面化= 之後，必要時，被覆透明樹脂形成之平坦化膜1 8，於其 上再積配向膜1 9。 因具上述反射電極1 7，進行反射型顯示時，因直接 反射可防止外光之滲透顯示，在不減低顯示亮度下可提昇 視認性。 又，此場合下，形成與反射電極1 7同形狀反射層之 ； 外另形成透明電極亦可。如此般，令反射電極以反射層及 透明電極層之積層體構成，令反射層具反射外光之機能， 令透明電極層具施加液晶驅動電壓之機能，則可得構成具 凹凸之反射電極的半透過反射層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _!1_ 裝 i — (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

..S -Φ Α7 __________Β7_____ 五、發明說明（33 ) (第4實施例） 參照圖4說明本發明液晶裝置之第4實施例。圖4爲 本發明第4實施例之構造之槪略縱斷面圖。圖4中，和圖 1 a之第1實施例相同之構成要素，附加相同符號，並省 略其說明。 如圖4所示，第4實施例，除第1實施例之構成外， 於相位差板13與透明基板1之間配置透過型光擴散板 2 1者，光擴散板2 1爲，可使用在丙烯基樹脂等透明基 板中分散不同折射率透明粒子之內部擴散形者，或使透明 基板表面粗面化之表面擴散形者。其他構成同第1實施例 〇 藉光擴散板2 1，進行反射型顯示時，可防止反射電 極7之直接反射引起之外光映像，提昇視認性。又，光擴 散板2 1，較反射層配置於更前方時，不限圖4之配置， 在反射電極或反射層表面上形成作爲光擴散層亦可。 (第5實施例） 參照圖5 a及5 b說明本發明第5實施例之液晶裝置 。圖5 a爲本發明第5實施例構造之槪略縱斷面，圖5 b 爲圖5a之第5實施例之槪略平面圖。圖5b中，爲容易 觀察電極配置，省略圖5 a之透明基板及暗矩陣層。又， 方便起見，直條狀電極僅圖示縱橫3條，但實際之液晶裝 置設有多數直條狀電極。圖5 a及5 b中，和圖1 a及 1 b之第1實施例相同之構成要素附加相同參照符號，並 丨丨 11!!1 · ί I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

• V --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36^ jtf 45ί 09 7 A7 ___B7_____ 五、發明說明（34 ) 省略其說明。第5實施例基本上爲單純矩陣型液晶裝置’ 但亦適用主動矩陣型、分段型或其他液晶裝置。 如圖5 a及5 b所示，第5實施例中，和第1實施例 比較除取代反射電極7，而設形成有多數細微細孔 1 7 > a之反射電極1 7 >，其他構成均同樣。藉細孔 1 7 / a，進行透過型顯示時來自背光1 5之光透過反射 電極1 7 >，可視認液晶顯示。細孔1 7 > a，係將反射 電極1 7 >藉蒸鍍或濺射等被覆後，以具開口部之阻劑層 藉光蝕刻形成，以蝕刻等方法形成。 第5實施例中，藉細孔17/a進行透過型顯示時可 使顯示明亮之同時，和第3實施例同樣樣行反射型顯示可 防止外光之映入。 (第6實施例） 參照圖6〜圖1 2說明本發明第6實施例之液晶裝置 。第6實施例之基本構成，和第1實施例同樣，及對第1 實施例之反射電極7之構成作具體限定者。圖6〜圖1 2 分別爲開設有各種裂口之反射電極之平面圖。又，第6實 I 施例基本上爲單純矩陣型液晶裝置，但構樣構成可適用主 | 動矩陣型、分段型或其他液晶裝置。 丨 圖6中’於透明基板1(參照圖1)內面形成多數直 : 條狀透明電極8 0 1作爲透明電極6之一例之掃描線。於 • 透明電極2 (參照圖1)內面上形成反射電極8作爲 反射電極7之一例之資料線=於反射電極（資料線）8 〇 Ί紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮)-- ------------” 裝.丨 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

:_J --象- A7 ____B7__ 五、發明說明（35 ) 2，設開口部7b之一例之裂口 803。分別爲R (紅） 、G (綠）、藍（B)用之反射電極8 0 2分別藉與1條 透明電極8 0 1重疊之領域構成1點，相鄰接之RGB之 3點構成略正方形之一畫素。於各反射電極8 0 2，依各 點開設4條裂口 8 0 3。 第6實施例中特別是，於反射電極8 0 2開設長方形 裂口 803，故裂口 803短邊803a引起之（基板內 成分與裂口 8 0 3 b之長邊方向平行）斜電場，對應裂口 803之長邊803b之長度而減弱。即，裂口803之 長邊8 0 3 b (基板內成分正交於裂口 8 0 3之長邊方向 )引起之斜電場，使裂口附近之液晶分子之移動被支配。 因此，裂口 8 0 3短之邊8 0 3 a之斜電場，與長邊 8 0 3 b.之斜電場不一致，可減少液晶之配向不良。全體 而言，裂口 8 0 3之斜電場引起之液晶配向不良可減少， 進而可積極利用長邊8 0 3 b之斜電場作作液晶驅動用。 結果，依第6實施例，可減低顯示缺陷，同時，液晶 驅動時臨界値電壓之下降可實現液晶裝置之低消費電力化 。特別是不考慮裂口 8 0 3之組邊8 0 3 a之斜電場，僅 對裂口 8 0 3之長邊8 0 3 b之斜電場採取對策，更可減 少斜電場引起之全體之配向不良，或積極利用裂口 8 0 3 之長邊8 0 3 b之斜電場，即可全體有效積極利用裂□ 803引起之斜電場。 此種長方形裂口 8 0 3，可以使用阻劑之光蝕刻工程 、顯影工程、剝離工程容易製作。即，形成反射電極 ------------!裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一一 訂： --線 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38 - 451 09 7 A7 ___B7_ 五、發明說明（36 ) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 8 0 2時可同時形成裂口 8 0 3裂口 8 0 3之實較好爲 〇 . 〇 1只m以上2 0 # m以下，4 # m以下更好。如此 則人眼難以辨識，設置裂口 8 0 3產生之顯示品質劣化可 抑制，同時可實現反射型及透過型顯示。又，裂口 8 0 3 ，相對於反射電極8 0 2，較好爲5%以上3 0%以下之 面積比。如此則反射型顯示之亮度低下可抑制之同時，介 由反射電極8 0 2之裂口 8 0 3導入液晶層之光可實現透 過型顯示。 第6實施例中特別是，反射電極8 0 2，以特定間隙 形成多數線狀，裂口 8 0 3朝反射電極8 0 2之長邊方向 (即圖6之縱方向）延伸。因此，裂口 8 0 3引起之斜電 場之對策，亦同時可對應反射電極8 0 2之間隙8 0 2 b 引起之斜電場。又，反射電極8 0 2形成時可容易形成裂 口 8 0 3之同時，該時點必要之光罩設計亦簡單。更具體 言之，裂口 8 0 3之設計工程，不需特別設定，只需於形 成反射電極8 0 2之光罩加入裂口 8 0 3之圖型即可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，第6實施例中*裂口 80 3，係延伸至透明電極 8 ◦ 1之間隙8 0 1 b對向之位置。因此，用於界定相對 分離、對向配置之裂口 8 0 3之短邊8 0 3 a的反射電極 802之綠部，係位於透明電極801之間隙801b， 即，偏離透明電極8 0 1與反射電極8 0 2之間之電壓施 加領域之位置，故液晶之配向不良原因之裂口 8 0 3之短 邊8 0 3 9引起之斜電場之影響可顯著減低。 由此一觀點而言，作爲第6實施例之變形例’如圖7 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（37 ) {請先閲績背面之生意事項再填窝本頁) 所示，裂口 8 0 3，橫跨多數畫素延伸，或延伸至畫像顯 示領域外亦可。如此構成’則用於界定相對呈分離對向配 置之裂口 8 0 3之短邊8 0 3 a (圖7未圖示）之反射電 極8 0 2之緣部’不存在於每一畫素，或不存在畫像顯示 領域內，故液晶配向不良原因之裂口 8 0 3之短邊8 0 3 a引起之斜電場之影響可顯著減少。 又，第6實施例之長方形裂口 8 0 3之變形例，可考 慮例如，如圖8所示於各點有2點裂口 8 0 3，如圖9所 示長邊方向與反射電極7 0 2呈正交（即，與透明電極 70 1平行）之各點有2個裂口 703，如圖10所示長 邊方向與反射電極9 0 2呈斜向（即與透明電極9 0 1呈 斜向）之各點有1個裂口 9 0 3，如圖1 1所示長邊方向 與反射電極1 0 2呈平行及垂直（即，與透明電極 1 0 0 1呈正交及平行）之多數長方形裂口連接而成之裂 口 1 0 0 3。 經濟卽智慧財轰笱員1-消費^咋氐中挺 又，第6實施例中，如圖1 2所示，於反射電極 1 20 1開設之裂口 1 202之寬與反射電極1 20 1之 間隙（點間領域）1 2 0 3構成略相等。即，假設間隙 1203之寬爲L1 ，裂口1202之寬爲L2時，槪略 地以L 1 = L 2，則不必提昇光罩之設計精度，即可容易 設計。又，藉裂口 1 2 0 2之設計，不致產生成本之增加 〇 又，第6實施例，如第2〜第4實施例般，以常暗模 式驅動，或設置散亂板，或將反射電極設定爲凹凸亦可。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40 - 451 0 9 7 Α7 Β7 五、發明說明（38 ) 另外，以常暗模式驅動時，不設暗矩陣層5 a亦可。 (諳先閱讀背面之注$項再填寫本頁) (第7實施例） 以下，參照圖1 3及圖6〜圖1 0說明本發明第7實 施例之液晶裝置。 第7實施例中，和第6實施例同樣之液晶裝置’以在 2片透明基板間挾持之液晶層中央部之液晶分子之配向方 向爲著眼點。 首先，圖1 3爲基板間中央部之液晶配向方向說明之 槪略縱斷面圖。於2片基板501、 502間液晶503 配成特定扭轉配向。此時，以位於略基板間中央部之液晶 分子5 0 4之分子長軸方向定義爲配向方向5 0 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第7實施例中，係於上述圖6中，長方形裂口 8 0 3 上之液晶，當反射電極（資料線）8 0 2與透明電極（掃 描線）8 0 1間產生電位差時，即產生斜電場，以該斜電 場驅動裂口 8 0 3上之液晶，使透過型顯示爲可能。此處 ，如圖6所示，以反射電極8 0 2之裂口 8 0 3之長邊方 向（圖6中之Y方向）與上述基板間中央部之液晶分子之 配向方向804間之角度定義爲e。在—9 0° SeS —60°及60<eS90°之範圍內，將產生逆傾斜領 域引起之顯缺陷’無法得亮之闻畫質透過型顯不。其原 因爲，基板間中央部之液晶分子之配向方向與反射電極之 長邊方向大略呈正交，出現傾斜領域。又，於此範圍內發 生顯示缺陷，液晶驅動時之臨界値電壓上昇。在- 6 0。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 45彳◦ 9 7 A7 B7 五、發明說明（39 > (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) S ε客6 0 °範圍內，則逆傾斜領域之顯示不可消除’可 得亮之高畫質之透過型顯示。又’顯示缺陷不易發生’液 晶驅動之臨界値電壓降低，可實現液晶裝置之低消費電力 化。特別是在_30° 範圍內，上述效果可 發揮最大限。 又，如圖7及圖8之第6實施例之變形例所示長方形 裂口 8 0 3之場合，和圖6之場合同樣’其長邊方向與反 射電極802平行，同樣，在一60°客ε$60°範圍 內，可得亮之高畫質之透過型顯不。特別是，在—3 0° S ε S 3 0°範圍內，上述效果可發揮最大限。 又，圖9及圖1 0之第6實施例之變形例所示裂口 7Ό 3及9 0 3之場合，同樣地，以反射電極7 0 2之裂 口 7 0 3之長邊方向（X方向）與上述基板間中央部液晶 分子之配向方向7 0 4之交叉角度定義爲ε ，以反射電極 9 0 2之裂口 9 0 3長邊方向9 0 4與上述基板中央部液 晶分子之配向方向9 0 5之交叉角度定義爲e時，e分別 爲-60°以上60°以下較好。特別是一 30° 3 0°範圍內上述效果可發揮最大限。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述第7實施例所述本發明效果，在界定圖1 3之基 板5 0 2近旁之液晶分子配向方向5 0 6下，能更確定有 效。具體言之如下，圖6之下側基板近旁之液晶分子配向 方向8 0 5與裂口 7 0 3之長邊方向（圖中之γ方向）之 交叉角度爲6時，在_30°客3S30。範圍較好。理 由爲’一30°客<5客3CK以外範圍時，基板界面之液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 4 5? 〇97 五、發明說明（4Q ) (請先閲續背面之注$項再填寫本頁) 晶分子因斜電場呈逆傾斜，顯示缺陷發生。角度5限定爲 —3 0 °以上3 0 °以下，則液晶驅動之臨界値電壓可降 低，可實現液晶裝置之低消費電力化，特別是，在 _1〇° 10°範圍內上述效果可發揮最大限。 同樣，圖7〜圖1 0之變形例中，下列基板近旁之液 晶分子配向方向與裂口之長邊方向之交叉角度爲5時，角 度限定於一 3 0 °以上3 0 °以下，則液晶驅動時之臨界 値電壓下降，可實現液晶裝置之低消費電力化。特別是 —10° 範圍內，上述效果可發揮最大限。 又，第6實施例中，如第2〜第4實施例般，以常暗 模式驅動，設散亂板，令反射電極具凹凸亦可。又，以常 暗模式驅動時，不設暗矩陣層5 a亦可。 (第8實施例） 經濟部智慧財產局員v4湞費含咋氐中；^ 參照圖14〜圖18說明本發明第8實施例之液晶裝 置。圖1 4爲其構造之槪略縱斷面圖。圖1 4中，和圖 1 a之第1實施例相同之構成要素附加同一符號，並省略 其說明。圖1 5〜1 7爲反射電極之具體構成例之平面圖 ，圖18爲反射電極之變形例之平面圖》 圖1 4所示，第8實施例中，和第1實施例比較，反 射電極1 0 7較透明電極6構成爲更小。又，具TFD元 件或TFT元件之主動矩陣型液晶裝置時，偏光板1 1 4 形成爲矩形狀，介由主動元件接配線。其他構成同第1實 施例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 ___B7_ 五、發明說明（41 ) 即第8實施例中，透明基板2內面之反射電極1 〇 7 比較透明基板1內面之透明電極6爲小之面積形成’使用 兩電極間產生之斜電場來驅動未形成反射電極1 〇 7 (因 此，來自背光之光可透過）之間隙部分1 0 7 b對向之液 晶層3部分。 以下，說明上述構成之第8實施例之動作。 首先，說明反射型。外光分別透過圖1 4之偏光板 1 1、相位差板1 3、爐光片5，通過液晶層3後’由反 射電極1 0 7反射，再由偏光板1 1射出。此時，對應液 晶層3之施加電壓來控制偏光板1 1之透過（亮狀態）及 吸收（暗狀態）及中間亮度。 其次，說明透過型顯示。來自背光1 5之光因偏光板 1 2及相位差板1 4成特定之偏光，由未形成反射電極 1 0 7之間隙部分1 0 7 b導入液晶層3，通過液晶層3 後，分別通過濾光片5、相位差板1 3。此時，導入液晶 層3之光，因尺寸互異之反射電極1 0 7及透明電極6引 起之斜電場使液晶層3被驅動。結果，對應液晶層3之施 加電壓，來控制偏光板1 1之透過（亮狀態）、吸收（暗 狀態），及中間之亮度。 依上述本實施例，可實現無鬼影或滲透顯示，可切換 反射型及透過型顯示之彩色液晶裝置。 第8實施例中，產生此種斜電場之透明電極6及反射 電極1 07之具體構成例示於圖1 5〜1 7。 首先，圖1 5爲本發明適用TFD主動矩陣液晶裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--I--11--I. I 裝！訂-!---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -44'- 451 09 7 A7 B7 五、發明說明（42 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 之構成例。於下側基板內面上形成掃描線2 0 2，對應各 點形成T F D元件2 0 3及反射電極2 0 4。於上側基板 內面形成透明電極2 0 1作爲資料線。特別是，透明電極 201 ，於各畫素，面積較反射電極204爲大，在未形 成有反射電極2 0 4之對向領域亦形成。因此，液晶驅動 電壓施加時，因反射電極2 0 4與透明電極2 0 1之電位 差於未形成反射電極2 0 4之間隙部分2 0 5 (反射電極 2 0 4之邊緣部分）產生斜電場。藉該斜電場驅動反射電 極2 0 4近旁之液晶，使透過型顯示爲可能。 圖1 6爲本發明適用單純（被動）矩陣型液晶裝置之 構成例。於下側基板內面形成反射電極3 0 2作爲資料線 ，於上側電極內面形成透明電極3 0 1作爲掃描線。於反 射電極3 0 2之間隙且於上側基板形成有透明電極（掃描 線）3 0 1之間隙部分3 0 3，因反射電極3 0 2與透明 電極3 0 1產生電位差時，產生斜電場，藉該斜電場驅動 間隙部分3 0 3對向之液晶，使透過型顯示爲可能。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 圖17爲本發明適用TFT主動矩陣液晶裝置之構成 例。於下側基板內面形成閘極線4 0 3及信號線4 0 2， 對應各點形成TFT元件404及反射電極405。於上 側基板內面形成透明電極4 0 1作爲共用電極（對向電極 )’於各畫素，透明電極401之面積大於反射電極 4 0 5 ’在未形成反射電極4 0 5之對向領域亦形成。因 此’因反射電極4 0 5與透明電極4 0 1之電位差於未形 成反射電極4 0 5之間隙部分4 0 6 (反射電極4 0 5之 本紙張尺度it用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 5Π)97 Α7 B7 五、發明說明（43 ) 緣部）產生斜電場’該斜電場使反射電極4 0 5近旁之液 晶被驅動，透過型顯示爲可能。 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 又，第8實施例之變形例，如圖1 8所示，於反射電 極6 0 2設開口部6 0 3，在開口部6 0 3對向領域形成 透明電極6 0 1亦可。此種構成’於開口部6 〇 3，在反 射電極6 0 2與透明電極6 0 1產生電位差’產生斜電場 ，因該斜電場使開口部6 0 3之液晶驅動’透過型顯示爲 可能。 又，第8實施例中，如第2〜第4實施例般，以常暗 模式驅動，設散亂板，反射電極設爲具凹凸亦可。以常暗 模式驅動時，不設暗矩陣層5 a亦可。 (第9實施例） 參照圖13〜圖17說明本發明第9實施例之液晶裝 taaj. 置。 第9實施例中，在圖1 3之第8實施例之液晶裝置中 ，著眼於2片透明基板間挾持之液晶層之中央部之液晶分 子之配向方向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9實施例中，首先，採用圖1 5之電極配置時’如 圖1 5所示，反射電極204之長邊方向（圖1 5之Y方 向）與上述基板間中央部液晶分子之配向方向2 0 6之交 叉角度定義爲必。在一9Q° S办< —60°及60° < 0芸9 0 °範圍內，因逆傾斜領域產生顯示缺陷，無法得 亮之畫質透過型顯示。原因爲，基板間中央部之液晶分子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -46 - 451 09 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（44 ) 之配向方向與反射電極之長邊方向呈略直交，出現傾斜領 域。又，於此範圍產生顯示缺陷，液晶驅動時之臨界値電 壓上昇。 圖19之表爲上述定義之角度0變化時之反射型顯示 之對比（即，相對黑顯示時反射率之白顯示時之反射率之 比）及透過型顯示之對比（相對黑顯示時透過率之白顯示 時之透過率之比）。此場合下，液晶模式爲255度之左 扭轉。由圖1 9之表可知，欲得反射型顯示之高品位畫像 之必要對比1 0以上之同時，得透過型顯示之高品位畫像 必要之對比5以上時，一 6 0° $好$6 0°爲條件。即 ，在一60°客0560°範圍內’逆傾斜領域引起之顯 示缺陷可消除，可得亮之高畫質透過型顯示。又，顯示缺 陷不易發生，故液晶驅動之臨界値電壓可下降，實現液晶 裝置之低消費電力化°特別在-3 0° 客3 0°範圍 內，上述效果可發揮最大限，可進行極高對比，高品位之 畫像顯示。 又，採用圖1 6之電極配置時，如圖1 6所示，反射 電極3 0 2之長邊方向（圖1 6中之Y方向）與上述基板 間中央部液晶分子之配向方向3 0 4之交叉角度定義爲0 。在一90° ，及 6〇<0$9〇。範圍內 ，產生逆傾斜領域之顯.示缺陷，無法得亮之高晝質之透過 型顯示。原因爲，基板間中央部液晶分子之配向方向與反 射電極之長邊方向呈略直交，出現傾斜領域。又，以範圍 內，因顯示缺陷產生，液晶驅動之臨界値電壓上昇。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

45t 09 7 A7 __ B7___ 五、發明說明（45 ) ------------;.!裝· -I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 6 0。$必$6 0。範圍內，可消除逆傾斜領域之顯示 缺陷，獲得亮之高畫質之透過型顯示。又’因顯示缺陷不 易產生，液晶驅動時之臨界値電壓下降’可實現液晶裝置 之低消費電力化。特別是_30° 範圍內’ 上述效果可發揮最大限。 又，採用圖1 7之電極配置時，如圖1 7所示，反射 電極4 0 5之長邊方向（圖1 7中之Y方向）與上述基板 間中央部液晶分子之配向方向4 0 7之交叉角度定義爲0 。在一90° 60° 及 60° <办$90° 範圍 .-緣 內，產生逆傾斜領域之顯示缺陷’無法得亮之高晝質透過 型顯示。原因爲，基板中央部液晶分子之配向方向與反射 電極之長方方向呈略直交，故出現傾斜領域。又’此範圍 內產生顯示缺陷，液晶驅動之臨界値電壓上昇。在 —6 0。S0S6O。範圍內，可消除逆傾斜領域之顯示 缺陷，可得亮之高畫質透過型顯示。又，因顯示缺陷不易 發生，液晶驅動之臨界値電壓可下降’實現液晶裝置之低 消費電力化。特別是—30° <0^30°範圍內，上述 效果可發揮最大限。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9實施例所述本發明之效果，藉圖1 3之基板 5 0 2近傍液晶分子配向方向5 0 6之界定’可更確保效 果。具體說明如下，圖1 5之下側基板（T F D基板）近 傍之液晶分子配向方向2 0 7與反射電極2 0 4之長邊方 向之交叉角度定義爲Ψ時，一3 0° 爲較好 之範圍。理由爲，一30。以外之範圍’基 :4.81 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（46 ) 板界面之液晶分子因斜電場之影響呈逆傾斜，而產生顯示 缺陷。 圖2 0之表爲上述定義之角度Ψ變化時之反射型顯示 之對比（即，相對黑顯示時反射率之白顯示時之反射率之 比）及透過型顯示之對比（相對黑顯示時透過率之白顯示 時之透過率之比）。此場合下，液晶模式爲70度之左扭 轉。由圖2 0之表可知，欲得反射型顯示之高品位畫像之 必要對比1 0以上之同時，得透過型顯示之高品位畫像必 要之對比5以上時，_30°客Ψ °範圍內， 情況不存在 7之下側基 在一3 0 〇 經 濟 部 智 慧 財 A 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 斜電場影響 。同樣，圖 方向3 0 5 向之交叉角 領域之顯示 下降，實現 又，第 模式驅動， 模式驅動時 ^ Ψ ^ 3 0 呈逆傾斜之 1 6與圖1 及4 0 8與 度Ψ分別爲 缺陷可消除 液晶裝置之 °範圍內， 9實施例中 設散亂板， ，不設暗矩 反射電極3 —3 0 ° 以 S 3 0 °爲條件。即， 基板界面之液晶分子因 。顯示缺陷幾乎不發生 板近傍之液晶分子配向 02及405之長邊方 上3 0 °以下時，傾斜 晶驅動之臨界値電壓可 。依此，液 低消費電力化。特別是，一 1 0 ° 上述效果可 ，如第2〜 反射電極設 陣層5 a亦 發揮最大限。 第4實施例般，以常暗 爲具凹凸亦可。以常暗 可。 (第1 0實施例） 參照圖2 1 a〜2 3說明本發明第1 〇實施例之液晶 裝置。第1 0實施例爲本發明適用之T F D主動矩陣液晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451 09 A7 B7 五、發明說明（47 ) 裝置之實施例。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，參照圖2 1 a及2 1 b說明本實施例使用之2 端子非線性元件之一例之T F D驅動元件之構成。圖2 1 a爲TFD驅動元件與畫素電極之模式平面圖，圖2 1 b 爲圖2 1 a之B — B —斷面圖。又*圖2 1 b中，各層或 各構件爲便於圖面上可辨識，各層或各構件之縮尺爲不同 〇 圖2 1 a及圖2 1 b中，TF D驅動元件4 ◦係由， 以形成於透明基板2上之絕緣膜4 1爲底層，形成於其上 ，由絕緣膜4 1側起依序爲第1金屬膜4 2、絕緣層4 4 及第2金屬膜4 6構成，爲TFD構造（Thin Film Diode )或 Μ I Μ ( Metal Insulator Metal)構造。T F D 驅動元 件4 0之第1金屬膜4 2，連接形成於透明基板2上之掃 描線6 1，第2金屬膜4 6，連接由反射電極之另一例之 導電性反射膜構成之畫素電極6 2。又’取代掃描線6 1 ，將資料線形成於透明基板2上’連接畫素電極6 2 ’令 掃描線6 1設於對向基板側亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 透明基板2，由例如玻璃，塑膠等具絕緣性及透明性 基板等構成。底層之絕緣膜4 1，由例如氧化鉬形成。但 是，絕緣膜41，係以不因第2金屬膜46沈積後進行之 熱處理使第1金屬膜4 2從底層剝離’及雜質從底層擴散 於第1金屬膜4 2爲主目的而形成者。因此’透明基板2 ，例如以石英基板等耐熱性或純度佳之基板構成’使不產 生剝離或雜質擴散等問題之場合’可省略絕緣膜4 1 °第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50 - 451 097 A7 B7 五、發明說明（48 ) (請先閲讀背面之江意事項再填寫本買) 1金屬膜4 2，由導電性金屬薄膜形成，例如由鉬單體或 鉅合金形成。絕緣膜4 4，由例如化學液中在第1金屬膜 4 2表面藉陽極氧化形成之氧化膜構成。第2金屬膜4 6 ，由導電性金屬薄膜形成，例如由C r單體或C r合金形 成。本實施例中特別是，畫素電極6 2，如上述各實施例 般設有長方形或正方形裂口、微細開口等光之透過領域， 或依各畫素形成較對向基板上之透明電極爲小，台由該間 隙光可透過之構成。 又，畫素電極62、 TFD驅動元件40、掃描線 6 1等面臨液晶之側（圖中之上側表面），設有透明絕緣 膜2 9，其上設由聚醯亞胺薄膜等有機膜形成，施予磨擦 等特定配向處理之配向膜1 9。 以上，係以T F D驅動元件之例作爲2端子非線性元 件之例說明，但是，具Ζ η 0變阻器、M S I ( Metal Semi-Insulator )驅動元件、R D ( Ring Diode )等雙向二 極體特性之2端子非線性元件亦可適用本實施例之反射型 液晶裝置。 經濟郎智慧时產笱員工消費合昨：±L:P製 以下，參照第2 2及2 3說明具上述構成之TFD驅 動元件之第1 0實施例的T F D主動矩陣驅動方式之半透 過反射型液晶裝置之構成及動作。圖2 2爲液晶元件及驅 動電路之等效路圖，圖2 3爲液晶元件模式表示之部分截 斷斜視圖。 圖2 2中，TFD主動矩陣驅動方式之半透過反射型 液晶裝置，配列於透明基板2上之多數掃描線6 1，係接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451 0 9 7 A7 —_- R7 五、發明說明（49 ) (請先閱讀背面之生意事項再填窝本頁) 構成掃描驅動電路之一例之Y驅動電路1 〇 〇，配列於對 向基板上之多數資料線6◦，接構成資料線驅動電路之一 例之X驅動電路1 1 〇。又，γ驅動電路]L 〇 〇及X驅動 電路110，亦可形成於透明基板2或其對向基板上，此 場合下’成爲驅動電路內藏型半透過反射型液晶裝置。或 'Y驅動電路1 0 0及X驅動電路1 1 〇，係由和半透過 反射型液晶裝置獨立之外部I C構成，經特定配線連接掃 描線6 1或資料線6 0亦可。此場合下，成爲不含驅動電 路之半透過反射型液晶裝置。

經濟邸智慧时轰笱員L消費合阼；ώ中S 於矩陣狀各畫素領域中，掃描線6 〇，接T F D驅動 元件40之一方端子，（參照圖21a及21b)，資料 線6 0則介由液晶層3及畫素電極6 2接T F D驅動元件 4 0之另一端。因此，各畫素領域對應之掃描線6 1被供 有掃描信號，資料線被供給資料信號時，該畫素領域之 TFD驅動元件4 0或ON狀態，介由TF D元件4 0， 驅動電壓施加於畫素電極6 2及資料線6 0間之液晶層3 。因此，亮處，外光由畫素電極6 2反射以進行反射型顯 示，暗處，來自背光之光源光則透過畫素電極6 2之裂口 等進行透過顯示。 圖2 3中，半透過反射型液晶裝置具有透明基板2， 與之對向配置之透明基板1。透明基板1，由例如玻璃基 板形成。於透明基板2，設矩陣狀畫素電極6 2。各畫素 電極6 2接掃描線6 1。於透明基板1，設有向與掃描線 6 1交叉之方向延伸，配列成短冊狀作爲透明電極之多數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） jv 451 0 9 7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（5Q ) 資料線6 0。資料線6 0，由例如I T 0膜等透明導電性 薄膜形成。於資料線6 0下側設有，例如聚醯亞胺薄膜等 有機薄膜形成，施予磨擦處理等特定配向處理之配向膜9 。又，於透明基板1，依用途，可設直條狀、嵌鑲狀、三 角形狀等配列之色材膜形成之濾光片（未圖示）。 如上述說明般，依第1 0實施例之T F D主動矩陣驅 動式之半透過反射型液晶裝置，可實現不存在鬼影或顯示 滲透，可切換反射型及透過型之彩色液晶裝置。特別是， 藉構成驅動裝置之一例之X及Y驅動電路1 1 0及1 0 0 之電壓控制，可以常暗模式驅動半透過反射型液晶裝置β (第11實施例） 參照圖24〜圖26說明本發明第11實施例。第 11實施例爲本發明適用之TFT主動矩陣液晶裝置之實 施例。圖2 4爲構成液晶裝置之畫像顯示領域之形成矩陣 狀之多數畫素中之各種元件、配線等之等效電路，圖2 5 爲形成有資料線、掃描線、畫素電極等之透明基板之相鄰 之多數畫素群之平面圖，圖2 6爲圖2 5之C_C >斷面 圖。又，圖2 6中，各層或各構件於圖面上爲便於辨識之 尺寸’因而各層或各構件之縮尺互異。 圖2 4中，第1 1實施例之TFT主動矩陣方式之半 透過反射型液晶裝置中，控制矩陣狀配置之反射電極之另 一例之畫素電極6 2用的TFT 1 3 0以矩陣狀形成多數 ’供給畫像信號之資料線1 3 5電連接T F T 1 3 0之源 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -53 * -------------- -裝___ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . A7 B7 五、發明說明（51 ) 極。寫入資料線135之畫像信號SI、S2、......、 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) S η ’依線順序供給亦可，或對相鄰接多數資料線1 3 5 ’依每一組供給亦可。於TFT1 3 0之閘極電接接掃描 線1 3 1，以特定時序依線順序施加掃描信號G 1、〇 2 、......、Gm之脈衝於掃描線131。畫素電極62, 電接於T F T 1 3 0之汲極，僅於特定期間令開關元件之 T F T 1 3 0關閉’俾將資料線1 3 5供給之畫像信號 8 1 ' s 2 , ......、Sn以特定時爲寫入。介電畫素電 極6 2寫入液晶之特定位準之畫像信號3 1、3 2、...· …、S η，係在形成於對向基板（後述）之對向電極（後 述）之間保持一定期間。此處’保持之畫像信號爲防止拽 漏，與畫素電極6 2與對向電極間形成之液晶容量並接儲 存容量1 7 0。 圖2 5中’在TFT陣列基板之透明基板2上，設矩 陣狀之反射膜形成之畫素電極6 2 (其輪廓6 2 a於圖中 以虛線表示）’於畫素電極62之縱橫境界各設資料線 135、掃描線131、及容量線132。資料線135 經濟部智慧財產局員^消費^阼^中製 ’介由接觸孔8 5電接連多晶矽膜等形成之半導體層8 1 a中之源極領域。畫素電極6 2，介由接觸孔8 8電連接 半導體層8 1 a中之汲極領域。容量線1 3 2 ,介由絕緣 膜與半導體層1 a之中汲極領域延伸之第1儲存容量電極 呈對向配置，構成儲存容量170。又，半導體層8la 之中，與圖中右側往上之斜線領域所示通道領域8 1 a -呈對向般配置掃描線1 3 1，掃描線1 3 1作爲閘極。如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） rV 451 097 A7 B7 五、發明說明（52 ) (清先閲讀背面之注$項再填寫本頁> 上述，在掃描線1 3 1與資料線1 3 5之交叉處，在通道 領域8 1 a /，以掃描線1 3 1作閘極呈對向配置之 TFT130被設置。 如圖2 6所示，液晶裝置具有透明基板2及與之呈對 向配置之透明基板（對向基板）1，透明基板1及2分別 由石英、玻璃、塑膠等具絕緣性及透明性基板形成。 本實施例中特別是，反射電極6 2，如上述各實施例 般設有長方形或正方形之裂口、微細開口等光可透過之領 域，或者依每一畫素形成小於對向基板上之透明基板，介 由該間隙使光爲透過可能之構成。 又，反射電極62、TFT130等面臨液晶之側（ 圖中上側表面）設透明絕緣膜2 9，於其上設例如聚醯亞 胺薄膜等有機薄膜形成，施予磨擦處理等特定配向處理的 的配向膜1 9。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，於透明基板1，於略全面設對向電極 1 2 1作爲透明電極之另一例，於各畫素之非開口領域設 暗矩陣或稱暗矩陣之第2遮光膜1 2 2。於對向電極 1 2 1下側，設例如聚醯亞胺等有機薄膜形成，施予磨擦 等特定配向處理的配向膜9。又，於透明基板1，依用途 ，可設直條狀、嵌鑲狀、三角狀等配列之色材膜彤成之濾 光片（未圖示）。 於透明基板2，在鄰接各畫素電極6 2之位置，設開 關控制各畫素電極6 2之畫素開關用TFT 1 3 0。 如此構成，畫素電極6 2及對向電極1 2 1呈對向配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 451097 A7 B7 五、發明說明（53 ) 置之一對透明基板1及2之間，和第1實施例同樣，在以 密封材包圍之空間封入液晶，形成液晶層3。 ------ I I {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’在多數畫素開關用TFT3 0之下，設第1層間 絕緣膜1 1 2。第1層間絕緣膜1 1 2，形成於透明基板 2之全面，作爲畫素開關用TFT3 0之底層膜。第1層 間絕緣膜 1 1 2 ’ 由例如 N S G ( Nodoped Silicate glass ) 、PSG (磷矽玻璃）、BSG (硼矽玻璃）、BPSG (硼、磷矽破璃）等高絕緣性玻璃、氧化矽膜、氮化矽膜 等形成。 --線· 經齊卽曾慧时轰荀11.¾ ik6>.a乍5t.:p鼠 圖26中，畫素開關用TFT1 30係包含，介由接 觸孔8 5接資料線1 3 5之源極領域，介由閘極絕緣膜掃 描線1 3 1呈對向配置之通道領域8 1 a >，及介由接觸 孔8 8接晝素電極6 2之汲極領域。資料線1 3 1 1係由 A 1等低電阻金屬膜或金屬矽化物等合金膜具遮光性及導 電性薄膜構成。又，其上形成開設有接觸孔8 5及8 8， 之第2層間絕緣膜1 1 4，再於其上形成開設有接觸孔 8 8之第3層間絕綠膜1 1 7。第2及第3層間絕緣膜 1 1 4及1 1 7，和第1層間絕緣膜1 1 2同樣，由 NSG、 PSG、 BSG、 BPSG等高絕緣性玻璃、或 氧化矽膜、氮化矽膜等形成。 畫素開關用TFT130，可爲LDD構造，偏移構 造，自動對準構造等任一構造之TFT。又，除單閘構造 之外，以雙閘或三閘以上構成TF T 1 3 0亦可。 如上述說明，依第1 1實施例之τ F T主動矩陣驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 51 0 9 7 A7 ________B7 五、發明說明（54 ) (請先閲讀背面之生意事項再填寫本頁) 式之半透過反射型液晶裝置，在畫素電極6 2與對向電極 1 2 1間’對各畫素電極6 2之液晶部分依序施加電場以 控制各液晶部分之配向狀態，在高處令外光由畫素電極 6 2反射以進行反射型顯示，在暗處令來自背光之光源光 透過畫素電極6 2之裂口等以進行透過型顯示。結果，可 實現沒有鬼影及滲透顯示，可切換反射型及透過型顯示之 彩色液晶裝置。特別是介甶T F T 1 3 0供電至各畫素電 極6 2，畫素電極6 2間之串訊可減低，更高品位之畫像 顯示爲可能。 又，透明基板1上不設對向電極，以和透明基板2上 之畫素電極6 2間之基板平行之橫電場驅動亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下，參照圖2 7說明上述第1〜第1 1實施例使用 之濾光片5之著色層。圖2 7爲濾光片5之各著色層之透 過率特性圖。各實施例中，進行反射型顯示時，射入光透 過濾光片5之任一著色層後，通過液晶層3於反射電極7 、17或17>反射，再透過著色層射出。和一般透過型 液晶裝置不同，濾光片透過二次，因此，以一般之濾光片 則顯示變暗，對比降低。此處，各實施例中，如圖2 7所 示，濾光片5之R、 G、 Β各著色層之可視領域中之最低 透過率6 1成爲2 5〜5 0%地形成淡色化。著色層之淡 色化，係使著色層膜厚變薄，或降低混入著色層之顏料或 染料之濃度。如此則進行反射型顯示時不致降低顯示亮度 〇 該濾光片5之淡色化，進行透過型顯示時據光片5僅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 451 097 A7 B7 五、發明說明（55 ) 透過一次，雖會造成顯示之淡色化，但各實施例中，以反 射電極使背光之光多數遮斷，故可確保顯示亮度。 (第1 2實施例） 參照圖2 8說明第1 2實施例。第1 2實施例爲具上 述第1〜第1 1實施例之任一的電子機器之實施例。即， 第1 2實施例，係將上述第1〜第1 1實施例之液晶裝置 作爲在各種環境下，低消費電力爲必要之攜帶機器之顯示 部使用之各種機器。圖2 8爲本發明電子機器之3個例。 圖2 8 ( a )爲擴帶電話，於本體7 1前面上方設顯 示部7 2。攜帶電話，不論屋內屋外之環境均可使用。特 別是使用於汽車內較多，但夜間車內極暗，因此，攜帶電 話使用之液晶裝置，以消費電力低之反射型顯示爲主，必 要時可使用利用補助光之透過型顯示的半透過反射型液晶 裝置。上述第1〜第1 1實施例之液晶裝置作爲攜帶電話 之顯示部7 2使用時，不論反射型顯示、或透過型顯示均 較習知爲亮，可得對比高之攜帶電話。 經濟部智慧財產局員X消費合作fi印製 ------------/1 裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -線· 圖28 (b)爲手錶，本體中央73設顯示部74。 手錶用途之重要觀點爲，高級感。本發明第1〜第1 4實 施例之液晶用作爲手錶顯示部7 4時，可得明亮、高對比 顯示，且光波長引起之特性變化少，色階差亦少。因此， 和習知手錶比較，可得具高極感之彩色顯示。 圖2 8 ( c )爲攜帶資訊機器，本體7 5之上側設顯 示部7 6，下設設輸入部7 7。顯示部7 6之前面設按鍵 。一般之觸控按鍵，表面反射多，顯示不易觀看。因此， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -58 - ^451097 A7 B7 五、發明說明（56 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 習知上雖爲攜帶型但乃多以透過型液晶裝置爲顯示部使用 。但是’透過型液晶裝置，因常時利用背光，消費電力大 ’電池壽命短。此種場合下，以上述第1〜第1 1實施例 之液晶裝置作爲攜帶資訊機器之顯示部7 6使用時，不論 反射型或半透過反射型，或透過型均可得顯示明亮之攜帶 資訊機器。 本發明之液晶裝置，不限上述各實施例，在不脫離本 發明要旨範圍內可作各種變更，此種變形成之液晶裝置亦 包含於本發明之技術範圍內。 產生上利用可能性 本發明之液晶裝置，不論暗處、明處均可使用爲高品 位畫像顯示裝置。又，作爲各種電子機器之顯示部使用。 又，本發明之電子機器，例如有使用此種液晶裝置構成之 液晶電視、觀景型或監視型錄放影機、汽車定位裝置、電 子手冊、計算機、文書處理器、工作倍、攜帶電話、電視 電話，P 0 S終端機、觸控面板等。 圖面之簡單說明 圖1 a :本發明液晶裝置之第1及第2實施例之槪略 構造之縱斷面圖。 圖1b:第1及第2實施例之槪略構造之槪略平面圖 〇 圖2:第2實施例之偏光板、相位差板及液晶格之磨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（57) 擦方向之關係圖及該時之液晶裝置之驅動電壓一反射率 R/透過率T特性圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3 :本發明液晶裝置之第3實施例中之第2透明基 板上之槪略構造之擴大斷面圖。 圖4:本發明液晶裝置之第4實施例中之槪略構造之 縱斷面圖。 圖5 a :本發明液晶裝置之第5實施例中之槪略構造 之縱斷面圖。 圖5b:本發明液晶裝置之第5實施例中之槪略構造 之平面圖。 圖6:本發明液晶裝置之第6實施例中之設有裂口之 反射電極之一例之平面圖。 圖7:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一例 之平面圖。 圖8:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一例 之平面圖。 圖9:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一例 之平面圖。 圖10:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一 例之平面圖。 圖11:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一 例之平面圖。 圖12:第6實施例中之設有裂口之反射電極之另一 例之平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） τ 451 0&7 A7 B7 五、發明說明（58 ) 圖13:本發明液晶裝置之第7及第9實施例中之基 板間中央部液晶之配向方向之說明圖。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14:本發明液晶裝置之第2實施例之構造之縱斷 面圖。 圖15:第8實施例中之反射電極之具體構成例之平 面圖。 圖16:第8實施例中之反射電極之具體構成例之平 面圖。 圖17:第8實施例中之反射電極之具體構成例之平 面圖。 圖18:第8實施例中之反射電極之變形例之平面圖 □ 圖19:本發明第9實施例中度0變化時之反射型顯 示對比及透過型顯示對比之圖素。 圖20:本發明第9實施例中度Ψ變化時之反射型顯 示對比及透過型顯示對比之圖素。 圖2 1 a :本發明第1 〇實施例之TFD驅動元件及 畫素電極等之模式表示之平面圖。 經濟部智慧財轰咼員L消費合阼陡中提 圖21b :圖21之B — B—斷面圖。 圖2 2 :第1 0實施例中之液晶元件及驅動電路之表 示之等效電路圖。 圖2 3 :第1 0實施例中之液晶元件之模式表示之部 分截斷斜視圖。 / 圖2 4 :本發明第1 1實施例之液晶裝置之畫素領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 κ 297公釐） 451 097 A7 ------B7 五、發明說明（59 ) 之構成矩陣狀之多數畫素中各種元件、配線等之等效電路 〇 圖2 5 :第1 1實施例中之形成有資料線、掃描線、 畫素電極等之透明基板之相鄰接之多數畫素群之平面圖。 圖26:圖25之C〜C'斷面圖。 圖2 7 :第1〜第5實施例中之濾光片著色層之光透 過率之圖。 圖2 8 :本發明第1 2實施例之各種電子機器之槪略 斜視圖。 主要元件對照表 <諳先閲讀背面之庄意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 透明基板 2 透明基板 3 液晶層 4 密封材 4 濾光片 5 a 暗矩陣層 6 透明電極 7 反射電極 7 b 開口部 1 0 保護膜 1 1 偏光板 1 2 偏光板 1 3 相位差板 1 4 相位差板 1 5 背光 1 5 a 螢光管 1 5 b 導光板 1 6 支持層 1 7 反射電極 1 7 一 反射電極 1 7 ^ a 細孔 1 8 平坦化膜 1 9 配向膜 2 1 光擴散板 2 0 1 透明電極 2 0 2 掃描線 ^62 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

V

4 51 Q9T A7 B7 五、發明說明（6Q ) 2 0 3 T F D 元 件 2 0 4 反射 電 極 2 0 5 間 隙 部 分 2 0 7 配向 方 向 3 0 1 透 明 電 極 3 0 2 反射 電 極 3 0 3 間 隙 部 分 4 0 1 透明 電 極 4 0 2 信 號 線 4 0 3 閘極 線 4 0 4 T F T 元 件 4 0 5 反射 電 極 4 0 6 間 隙 部 分 4 0 7 配向 方 向 5 0 1 基 板 5 0 2 基板 5 0 3 液 晶 5 0 4 液晶 分 子 5 0 5 配 向 方 向 5 0 6 配向 方 向 6 0 1 透 明 電 極 6 0 2 反射 電 極 6 0 3 開 □ 部 7 0 2 反射 電 極 7 0 3 裂 □ 7 0 4 配向 方 向 8 0 1 透 明 電 極 8 0 2 反 射電 極 8 0 3 裂 □ 8 0 3 a 短 邊 1 0 0 1 透 明 電 極 1 0 0 2 反射 電極 1 0 0 3 裂 口 1 2 0 1 反射 電極 ------------;.!裝 i — (諳先閱讀背面之迮意?項再填寫本頁) 訂： Η --有 絰濟郎智慧財轰笱員!.宵_&·乍Et中Si

Π 裂 2 ο 2 T—I 隙 間 3 ο 2 1—_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 1 · 一種液晶裝置，其特徵爲具有： 透明之一對第1及第2基板； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 j 形成於上述第2基板之上述液晶層側之面，且開設有 長方形裂口的反射電極；及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係以特定間隙形成爲多數個線狀， 上述裂口係向上述反射電極之長邊方向延伸。 3 .如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中 上述透明電極，在與上述反射電極交叉之方向以特定 間隙形成多數線狀， 上述裂口，係延伸至上述透明電極之間隙面對之位置 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 .如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中 上述ria，係橫跨多數畫素而延伸。 5 ·如申請專利範圍第4項之液晶裝置，其中 上述裂口，係延伸至畫像顯示領域外。 6，如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中 上述裂口之寬與上述反射電極之間隙係略相等。 7 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 64 - A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財./|.局員工消費合作社印製 ''Ait f 六、申請專利範圍 上述裂口之寬爲4 /zm以下。 8 ·如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 以上述透明電極和上述反射電極之略中心位置之液晶 分子之配向方向，與上述裂口之長邊方向間之交叉角度爲 e 時，一60° 芸 。 9 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 以上述反射電極近傍之液晶分子之配向方向，與上述 裂口之長邊方向間之交叉角度爲5時，一30°客 3 0° ° 1 0 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 非驅動時爲暗（黑）狀態。 1 1 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 在上述第1基板之上述液晶層側之面與上述第2基板 之上述液晶層側之面之中至少一面形成遮光層，俾至少部 分覆蓋上述反射電極之間隙。 1 2 _如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中另具 有： 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板，及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 1 3 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中另具 有： 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板；及 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 65 (請先閱讀背面之注§項再填寫本頁)

   謂l i ;.s ABCD 六、申請專利範圍 配置於上述第2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 ---------Π — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 4 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係含有9 5重量％以上之A 1 ’且層 厚爲1 0 nm以上4 0 nm以下。 1 5 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 在上述反射電極與第1基板之間，另具有濾光片。 1 6 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 在上述第1基板之上述液晶層之相反側，另具有散亂 板。 1 7 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 上述反射電極具有凹凸。 1 8 .如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係由反射層與透明電極層'間之積層體 構成。 1 9 .具有如申請專利範圍第1項所述之液晶裝置的 電子機器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 . —種液晶裝置，其特徵爲具有： 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 t 由形成於上述第2基板之上述液晶層側之面的半透過 反射層所成之反射電極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐）_郎_ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置； 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板； 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板； 配置於上述第2基板與照明裝置之間的第2偏光板； 及 配置於上述第2基板與第2偏光板之間的至少1片第 2相位差板。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之液晶裝置，其中 非驅動時爲暗（黑）狀態。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項之液晶裝置，其中 在上述第1基板之上述液晶層側之面與上述第2基板 之上述液晶層側之面之中至少一面形成遮光層，俾至少部 分覆蓋上述反射電極之間隙。 2 3 .如申請專利範圍第2 0項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係含有9 5重量％以上之A 1 ，且層 厚爲1 0 nm以上4 0 nm以下。 2 4 .如申請專利範團第2 0項之液晶裝置，其中 在上述反射電極與第1基板之間，另具有濾光片。 2 5 .如申請專利範圍第2 0項之液晶裝置’其中 在上述第1基板之上述液晶層之相反側，另具有散亂 板0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）-67 - (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V I. 經濟部智慈財產局Μ工消費合作社印製 ^451 Θ§7 Α8 Β8 CS D8 六、申請專利範園 2 6 .如申請專利範圍第2 〇項之液晶裝置，其中 上述反射電極具有凹凸。 2 7 ·如申請專利範圍第2 〇項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係由反射層與透明電極層間之積層體 構成。 28·具有如申請專利範圍第20項所述之液晶裝置 的電子機器。 2 9 . —種液晶裝置，其特徵爲具有： 透明之一對第1及第2基板； 挾持於該第1及第2基板間的液晶層； 在上述第2基板之上述液晶層側之面相互隔開特定間 隙以多數形成的反射電極； 在上述第1基板之上述液晶層側之面，形成於上述反 射電極之對向位置及上述反射電極之間隙之對向位置的透 明電極：及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 上述反射電極係以形成爲多數之長邊狀， 假設上述透明電極和上述反射電極之大略中心位置之 液晶分子之配向方向，與上述反射電極之長邊方向間之交 叉角度爲0時，具備一 60°客办客60°之關係。 3 1 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 以上述反射電極近傍之液晶分子之配向方向’與上述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公嫠）_ 68 - w 451097 A8 BS C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 反射電極之長邊方向間之交叉角度爲Ψ時，一 3 0°客Ψ ^30° 。 3 2 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中另 具有： 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板，及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 3 3 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中另 具有： 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板：及 配置於上述第2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 3 4 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係含有9 5重量％以上之A 1，且層 厚爲1 0 nm以上4 0 nm以下。 3 5，如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 在上述反射電極與第1基板之間，另具有濾光片。 3 6 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 在上述第1基板之上述液晶層之相反側，另具有散亂 板。 3 7 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 上述反射電極具有凹凸。 3 8 .如申請專利範圍第2 9項之液晶裝置，其中 {請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) . IJ 訂 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）-69 - 451 0i7 AS B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 上述反射電極，係由反射層與透明電極層間之積層體 構成。 3 9 .具有如申請專利範圍第2 9項所述之液晶裝置 的電子機器。 40.—種液晶裝置，其特徵爲具有： 半透過反射型液晶面板，其具備有， 透明之一對第1及第2基板， 挾持於該第1及第2基板間的液晶層， 形成於上述第1基板之上述液晶層側之面的透明電極 由形成於上述第2基板之上述液晶層側之面之半透過 反射層所成反射電極，及 配置於上述第2基板之上述液晶層之相反側的照明裝 置；及 驅動上述透明電極及反射電極的驅動裝置； 該液晶面板，非驅動時爲暗（黑）狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述液晶面板另具有： 配置於上述第1基板之上述液晶層之相反側的第1偏 光板’及 配置於上述第1基板與第1偏光板之間的至少1片第 1相位差板。 4 2 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述液晶面板另具有： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-70- A8 B8 CS D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451 097 六、申請專利範圍 配置於上述第2基板與照射裝置間的第2偏光板；及 配置於上述第2基板與第2偏光板間的至少1片第2 相位差板。 4 3 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係含有9 5重量％以上之A 1 ’且層 厚爲1 0 nm以上4 0 nm以下·> 4 4 .如申請專利範圔第4 0項之液晶裝置，其中 上述之液晶面板係在上述反射電極與第1基板之間’ 另具有濾光片。 4 5 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述液晶面板係在上述第1基板之上述液晶層之相反 側，另具有散亂板。 4 6 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述反射電極具有凹凸。 4 7 .如申請專利範圍第4 0項之液晶裝置，其中 上述反射電極，係由反射層與透明電極層間之積層體 構成。 4 8 .具有如申請專利範圍第4 0項所述之液晶裝置 的電子機器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0 X 297公釐）-71 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁}