JP3491161B2 - 液晶装置 - Google Patents
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- JP3491161B2 JP3491161B2 JP2002127508A JP2002127508A JP3491161B2 JP 3491161 B2 JP3491161 B2 JP 3491161B2 JP 2002127508 A JP2002127508 A JP 2002127508A JP 2002127508 A JP2002127508 A JP 2002127508A JP 3491161 B2 JP3491161 B2 JP 3491161B2
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Description
野に関し、特に、反射型表示と透過型表示とを切り換え
て表示することのできる液晶装置の構造及びこの液晶装
置を用いた電子機器の技術分野に関する。
いために携帯機器や装置の付属的表示部などに多用され
ているが、外光を利用して表示を視認可能にしているた
め、暗い場所では表示を読みとることができないという
問題点があった。このため、明るい場所では通常の反射
型液晶装置と同様に外光を利用するが、暗い場所では内
部の光源により表示を視認可能にした形式の液晶装置が
提案されている。
などに記載されているように、液晶パネルの観察側と反
対側の外面に偏光板、半透過反射板、バックライトを順
次配置した構成をしている。この液晶装置では、周囲が
明るい場合には外光を取り入れて半透過反射板にて反射
された光を利用して反射型表示を行い、周囲が暗くなる
とバックライトを点灯して半透過反射板を透過させた光
により表示を視認可能とした透過型表示を行う。
さを向上させた特開平8−292413号公報に記載さ
れたものがある。この液晶装置は、液晶パネルの観察側
と反対側の外面に半透過反射板、偏光板、バックライト
を順次配置した構成をしている。周囲が明るい場合には
外光を取り入れて半透過反射板にて反射された光を利用
して反射型表示を行い、周囲が暗くなるとバックライト
を点灯して偏光板と半透過反射板を透過させた光により
表示を視認可能とした透過型表示を行う。このような構
成にすると、液晶セルと半透過反射板の間に偏光板がな
いため、前述した液晶装置よりも明るい反射型表示が得
られる。
開平8−292413号公報に記載された液晶装置で
は、液晶層と半透過反射板との間に透明基板が介在する
ため、重映りや表示のにじみなどが発生してしまうとい
う問題点がある。
伴って液晶表示のカラー化が要求されるようになってお
り、反射型液晶装置を用いるような機器においてもカラ
ー化が必要な場合が多い。ところが、上記公報に記載さ
れている液晶装置とカラーフィルタを組み合わせた方法
では、半透過反射板を液晶パネルの後方に配置している
ため、液晶層やカラーフィルタと半透過反射板との間に
液晶パネルの厚い透明基板が介在し、視差によって二重
映りや表示のにじみなどが発生してしまい、十分な発色
を得ることができないという間題点がある。
58219号公報では、液晶層と接するように反射板を
配置する反射型カラー液晶装置が提案されている。しか
しながら、この液晶装置では、周知が暗くなると表示を
認識することができない。
は、液晶セルの内面に半透過反射膜を兼ねる画素電極を
設けた半透過反射型の液晶装置が提案されている。しか
しながら、この液晶装置では、孔欠陥、凹入欠陥等の微
細な欠陥部や微細な開口を点在させた金属薄膜等の半透
過反射膜を用いるため、欠陥部や開口部の周囲に生じる
斜め電界の影響により液晶の配向不良が発生して、十分
なコントラスト比や明るさが得られなかったり、反射型
表示と透過型表示との両方において光の波長分散に起因
した色付きを防止するのが困難であったり、画素電極の
間隙における白抜け防止又はコントラストの向上と反射
型表示時における明るさの向上とを両立させるのが困難
であるなど技術的な問題点が数多く存在するため、高品
位の画像表示を行えないという問題点がある。
加的に必要となり、当該技術分野における製造コストの
削減という一般的要請に応えることも困難である。
であり、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生
せず、高品位の画像表示できる反射型表示と透過型表示
とを切換え可能な半透過反射型の液晶装置及びその液晶
装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
明な一対の第1及び第2基板と、該第1及び第2基板間
に挟持された液晶層と、前記第1基板の前記液晶層側の
面に形成された透明電極と、前記第2基板の前記液晶層
側の面に形成されており長方形のスリットが開口された
反射電極と、前記第2基板の前記液晶層と反対側に配置
された照明装置とを備えた液晶装置によって達成され
る。
には、反射電極は、第1基板側から入射した外光を液晶
層側に反射する。この際、反射電極は、第2基板の液晶
層側に配置されているため、液晶層と反射電極との間に
間隙が殆どなく、そのため視差に起因する表示の二重映
りや表示のにじみが発生しない。他方、透過型表示時に
は、照明装置から発せられ第2基板側から入射した光源
光を、スリットを介して液晶層側に透過する。従って、
暗所では光源光を用いて明るい表示が可能となる。
口されているので、比較的離れて対向配置されたスリッ
ト短辺を規定する反射電極の縁部(即ち、スリットの長
辺の両端で相対向する反射電極の縁部)と透明電極との
間で斜め電界(以下、スリット短辺による斜め電界とい
う)が、液晶層に印加される。同時に、比較的近接して
対向配置されたスリットの長辺を規定する反射電極の縁
部(即ち、スリットの短辺の両端で相対向する反射電極
の縁部)と透明電極との間で斜め電界(以下、スリット
長辺による斜め電界という)が、液晶層に印加される。
そして、これらスリット短辺による斜め電界とスリット
長辺による斜め電界とは、基板面内成分の方向が相互に
直交する。従って、これら2種類の斜め電界がスリット
付近の液晶分子に作用すると、各位置におけるこれら2
種類の斜め電界の強さに応じて液晶分子の動く方向が規
定される。
すれば、これら2種類の斜め電界が均等に存在すること
となり、それらの強さ関係が逆転する位置があったりし
て液晶分子の動く方向が各位置で一定とならず、液晶の
配向不良が比較的大きなドメインとして現れる結果を招
く。即ち、その領域で表示欠陥が生じてしまう。そし
て、このような配向不良は、これら2種類の斜め電界が
同じ強さで作用する場合が最も顕著に現れる。逆にどち
らか一方が他方よりも強ければ、両者が作用する領域に
おける液晶分子の動きは、その強い方の斜め電界に支配
されてより一定となる。
(基板面内成分がスリットの長手方向に平行な)、斜め
電界は、スリットの長辺の長さに応じて弱められる。こ
れに対して、スリットの長辺による(基板面内成分がス
リットの長手方向に直交する)斜め電界は、スリット短
辺の短さに応じて相対的に強められる。このため本発明
では、液晶分子の動きはスリット長辺による斜め電界に
より支配されるようになる。従って、このスリット付近
の領域における液晶の配向不良を低減でき、表示欠陥を
低減可能となる更にスリット長辺による斜め電界を利用
して液晶駆動を部分的に行うことにより、液晶駆動時の
しきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電
力化を図ることも可能となる。
ては考慮しなくても、スリット長辺による斜め電界に対
してのみ、斜め電界に対する対策或いは有効利用(例え
ば、斜め電界に起因した液晶の配向不良の表示画像への
悪影響を実用上低減するため或いは斜め電界で良好に液
晶を駆動するための、各種の動作パラメータ設定、構成
要素や部材の仕様設定、装置設計等)を図れば、全体と
して斜め電界に起因した液晶の配向不良を低減できるか
或いは積極的に斜め電界を利用しての良好な液晶駆動が
可能となる。仮に、スリットが正方形であったとすれ
ば、斜め電界に対処するためには、2種類の斜め電界に
対処する必要があり、液晶装置の設計、製造等が非常に
困難となり、更に2種類の斜め電界の両者を積極的に利
用することは実用上不可能に近い。
(アルミニウム)が主成分の金属が用いられるが、Cr
(クロム)やAg(銀)などの可視光領域の外光を反射
させることのできる金属であれば、その材料は特に限定
されるものではない。特に、反射電極が外光を反射する
機能と液晶に電圧を印加する機能との両方を有するの
で、反射膜と画素電極とを別途形成する場合と比較し
て、装置構成上も製造上或いは設計上も有利であり、低
コスト化を図れる。
いたフォト工程/現像工程/剥離工程で容易に作製する
ことができる。即ち、反射電極を形成するときに同時に
スリットを形成できるので、製造工程数を増やさず済
む。スリットの幅は、0.01μm以上20μm以下で
あることが好ましい。更に1μm以上5μm以下が特に
好ましい。このようにすることで、人間が認識すること
が困難であり、スリットを設けたことで生じる表示品質
の劣化を抑えつつ、反射型表示と透過型表示を同時に実
現できる。また、スリットは反射電極に対して、5%以
上30%以下の面積比で形成することが好ましい。この
ようにすることで、反射型表示の明るさの低下を抑える
ことができと共に、反射電極のスリットを介して液晶層
に導入される光によって透過型表示が実現できる。
は、パツシブマトリクス駆動方式、TFT(Thin Film
Diode)アクティブマトリクス駆動方式、TFD(Thin
filmDiode)アクティブマトリクス駆動方式、セグメン
ト駆動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。
射電極は、所定間隙でライン状に複数形成されており、
前記スリットは、前記反射電極の長手方向に伸びる。こ
の態様によれば、スリット長辺による斜め電界に対処す
れば同時に反射電極の間隙に起因した斜め電界について
も対処可能であり、更に、反射電極形成時に容易にスリ
ットを形成することができると共にこの時に必要となる
フォトマスクの設計も簡単になるため、装置構成上や製
造上或いは設計上大変有利である。
では、前記透明電極は、前記反射電極に交差する方向に
所定間隙でライン状に複数形成されており、前記スリッ
トは、前記透明電極の間隙に対向する位置まで伸びてよ
い。このように構成すれば、比較的離れて対向配置され
たスリットの短辺を規定する反射電極の縁部は、透明電
極の形成されていない領域に位置する、即ち透明電極と
反射電極との間で電圧が印加される反射電極部分から外
れて位置するので、前述のように本発明では小さい程よ
いスリット短辺による斜め電界による影響を極めて顕著
に低減できる。この反射電極がライン状に形成された態
様では、前記スリットは、複数画素に跨って伸びてよ
い。
配置されたスリットの短辺を規定する反射電極の線部
は、各画素毎に存在しないので、当該反射電極の縁部と
透明電極との間で液晶層に印加される、前述のように本
発明では小さい程よいスリット短辺による斜め電界によ
る影響を極めて顕著に低減できる。
領域外まで伸びてよい。このように構成すれば、比較的
離れて対向配置されたスリットの短辺を規定する反射電
極の縁部は、画像表示領域内には存在しないので、前述
のように小さい程よいスリット短辺による斜め電界によ
る影響をほぼ完璧に低減できる。この反射電極がライン
状に形成された態様では、前記スリットの幅と前記反射
電極の間隙とは略等しくてよい。
る斜め電界に対する対策或いは積極利用を図れば、ほぼ
同様に反射電極の間隙に起因した斜め電界に対する対策
或いは積極利用を図れるので、更に、反射電極形成時に
非常に容易にスリットを形成することができると共にこ
の時に必要となるフォトマスクの設計も簡単になるた
め、装置構成上や製造或いは設計上大変有利である。こ
こに、「略等しい」とは、斜め電界に対する同じ対策を
施した場合に、スリット長辺による斜め電界の影響と反
射電極の間隙に起因した斜め電界の影響とが、表示上等
しく現れる程度にスリット幅と反射電極の間隙とが等し
いか或いは、同じ線幅のフォトマスクで形成可能な程度
に等しいという意である。
リットの幅は、4μm以下である。本願発明者らによる
実験及び研究の結果、スリットの幅に応じて、液晶の閾
値電圧が変化することが判明しており、より具体的に
は、スリット幅が4μmより広いと、反射型表示時と透
過型表示時との間で液晶の閾値電圧が大きく相異なるよ
うになるため、これら両方の表示時において良好なコン
トラストや濃度変化を得ることが可能な駆動電圧の設定
が困難或いは不可能となることが判明している。この原
因は、スリットの幅が4μmを超えると、スリットに対
向する液晶部分を駆動するために強い電界が必要となる
ためと考えられる。
幅は4μm以下であるため、液晶閾値電圧を、反射型表
示時と透過型表示時とで同程度にできる。例えば、スリ
ットの幅を2μmとし、反射電極の幅を10μmとすれ
ば、両方の表示時に、十分なコントラストや濃度変化を
得ることが可能な駆動電圧を比較的容易に設定できる。
明電極と前記反射電極5との略中心位置の液晶分子の配
向方向と、前記スリットの長手方向とのなす角度をξと
したときに、−60°≦ξ≦60°である。この態様に
よれば、透明電極と反射電極との略中心位置にあり最も
動き易い液晶分子の配向方向とスリットの長手方向と
が、直交から30°以上離れているので、液晶分子は、
透明電極と反射電極との間での電圧印加によりティルト
ドメインの発生を殆ど伴うことなく良好にその配向状態
が変化する。このため、液晶駆動時のしきい値電圧を下
げることができ、液晶装置の低消費電力化を図れる。
によるディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすこ
とが可能となる。仮に、この角度ξが、−60°≦ξ≦
60°の範囲にないと、液晶分子の配向方向とスリット
の長手方向がほぼ直交になるので、ティルトドメインが
激しく発生してしまう。これにより、駆動電圧も上昇し
てしまう。特に、−30°≦ξ≦30°の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。なお、ティルトドメイ
ンについては、日本学術振興会第142委員会編「液晶
デバイスハンドブック」(日刊工業新聞社)の254ペ
ージに記載されている現象と同じ現象であるが、本明細
書のティルトドメインはプレティルト角の大小によって
発生するものではなく、電界の印加方向により発生する
現象のことである。
射電極近傍の液晶分子の配向方向と前記スリットの長手
方向とのなす角度をδとしたとき、−30°≦δ≦30
°である。この態様によれば、所定のプレティルト角が
付与される反射電極近傍の液晶分子の配向方向とスリッ
トの長手方向とが、直交よりも平行に近いので、基板界
面における液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトする
可能性が殆ど無くなる。
ドメインによるディスクリネーションなどの表示欠陥を
なくすことが可能となる。これによって、液晶駆動時の
しきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電
力化が図れる。仮に、この角度δが、−30°≦δ≦3
0°以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が
斜め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠
陥が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が
上昇してしまう。特に、−10°≦δ≦10°の範囲
で、上述した効果が最大限に発揮される。
時が暗(黒)状態である。この態様によれば、非駆動時
が暗状態であるので、透過型表示時に液晶が駆動されな
い画素間またはドット間からの光漏れを抑えることがで
き、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
射電極の間隙を少なくとも部分的に覆うように前記第1
基板の前記液晶層側の面及び前記第2基板の前記液晶層
側の面のうち少なくとも一方に遮光層が形成されてい
る。この態様によれば、透過型表示時に液晶が駆動され
ない画素間またはドット間からの光漏れを抑えることが
でき、コントラストが高い透過型表示を得ることができ
る。また、反射型表示時に、画素間やドット間からの表
示に不要な反射光を抑えることができるので、コントラ
ストが高い表示を得ることができる。
晶装置を備えた電子機器によっても達成される。本発明
の電子機器によれば、視差による二重映りや表示のにじ
みがなく、反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示
することのできる半透過反射型液晶装置や半透過反射型
カラー液晶装置を用いた各種の電子機器を実現できる。
このような電子機器は、明るい場所でも暗い場所でも、
周囲の外光に関係なく高画質の表示を実現できる。
態を実施例に基づいて図面を参照して説明する。本発明
に係る液晶装置の第1実施例を図1を参照して説明す
る。図1(a)は、本発明の第1実施例の構造を示す概
略縦断面図である。図1(b)は、図1(a)に示した
第1実施例の概略平面図である。
めに図1(a)に示したカラーフィルタ及びブラックマ
トリクス層を省略しており、また説明の便宜上ストライ
プ状の電極についても縦横3本づつのみ示してあるが、
実際の液晶装置では遙かに多い数のストライプ状の電極
が設けられる。尚、第1実施例は基本的に単純マトリク
ス型の液晶表示装置に関するものであるが、同様の構成
によりアクティブマトリクス型の装置や他のセグメント
型の装置、その他の液晶装置にも適用することは可能で
ある。
施例では、2枚の透明基板1及び2の間に液晶層3が枠
状のシール材4によって封止された液晶セルが形成され
ている。液晶層3は、所定のツイスト角を持つネマチッ
ク液晶で構成されている。前方の透明基板1の内面上に
はカラーフィルタ5が形成され、このカラーフィルタ5
には、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の着色層が
所定パターンで配列されている。カラーフィルタ5の表
面上には透明な保護膜10が被覆されており、保護膜1
0の表面上に複数のストライプ状の透明電極6がITO
(Indium Tin Oxide)膜などにより形成されている。透
明電極6の表面上には配向膜9が形成され、所定方向に
ラビング処理が施されている。
記カラーフィルタ5の着色層毎に形成されたストライプ
状の反射電極107が上記透明電極6と交差するように
複数配列されている。TFD素子やTFT素子を備えた
アクティブマトリクス型の装置である場合には、各反射
電極107は矩形状に形成され、アクティブ素子を介し
て配線に接続される。この反射電極107はCrやAl
などにより形成され、その表面は透明基板1の側から入
射する光を反射する反射面となっている。反射電極10
7の表面上には上記と同様の配向膜19が形成される。
反射電極7には、2μm径の開口部7b(図1(b)参
照)が多数設けてあり、開口部7bの総面積は反射電極
7の総面積に対して10%の割合で設けてある。
配置され、偏光板11と透明電極1との間に位相差板1
3が配置されている。また、液晶セルの後方には、透明
基板2の背後に位相差板14が配置され、この位相差板
14の背後に偏光板12が配置されている。そして、偏
光板12の後方には、白色光を発する蛍光管15aと、
この蛍光管15aに沿った入射瑞面を備えた導光板15
bとを有するバックライト15が配置されている。
形成され、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル
樹脂板などの透明体であり、光源である蛍光管15aの
光を端面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出
するように構成されている。その他のバックライトとし
ては、LED(発光ダイオード)やEL(エレクトロル
ミネセンス)などを用いることができる。
射電極7の間の領域7aから光が漏れるのを防ぐため
に、カラーフィルタ5の各着色層の間に形成された遮光
部であるブラックマトリクス層5aは平面的にほぼ対応
して設けられている。ブラックマトリクス層5aはCr
層を被着したり、感光性ブラック樹脂で形成する。
動作について説明する。先ず、反射型表示について説明
する。外光は図1における偏光板11、位相差板13、
カラーフィルタ5をそれぞれ透過し、液晶層3を通過
後、反射電極7によって反射され、再び偏光板11から
出射される。このとき、液晶層3への印加電圧に応じ
て、偏光板11の透過(明状態)及び吸収(暗状態)並
びにそれらの中間の明るさを制御する。
クライト15からの光は偏光板12及び位相差板14に
よって所定の偏光となり、反射電極7の開ロ部7bより
液晶層3に導入され、液晶層3を通過後、カラーフィル
タ5、位相差板13をそれぞれ透過する。このとき、液
晶層3への印加電圧に応じて、偏光板11の透過(明状
態)及び吸収(暗状態)並びにそれらの中間の明るさを
制御する。
示のにじみのない反射型表示と透過型表示とを切り換え
て表示することのできるカラー液晶装置が実現できる。
たる偏光板11及び第1位相差板の一例たる位相差板1
3並びに第2偏光板の一例たる偏光板12及び第2位相
差板の一例たる位相差板14を備えるので、偏光板11
及び12により反射型表示と透過型表示とのいずれにお
いても良好な表示制御ができる。
における光の波長分散に起因する色付きなどの色調への
影響を低減する(即ち、位相差板13を用いて反射型表
示時における表示の最適化を図る)と共に、位相差板1
4により透過型表示時における光の波長分散に起因する
色付きなどの色調への影響を低減する(即ち、位相差板
14を用いて、位相差板13により反射型表示時におけ
る表示の最適化を図った条件下で、更に、位相差板14
による透過型表示時における表示の最適化を図る)こと
が可能となる。
いては、本実施例では1枚としてあるが、液晶セルの着
色補償、もしくは視角補償によりそれぞれの位置に複数
枚位相差板を配置することも可能である。位相差板を複
数枚用いれば着色補償或いは視覚補償の最適化をより容
易に行える。
られる開口部7bは、例えば反射電極7の面上に規則的
に配置された正方形の微細な開口又は長方形のスリット
等から構成され、或いは反射電極7に点在する孔欠陥、
凹入欠陥等の微細な欠陥部から構成され、この部分で光
が反射電極7を透過可能とされる。このような開口部7
bの構成については、後述する第3実施例、第4実施例
(図4から図8参照)において詳述するため、ここでは
その詳細説明については省略する。
から反射電極7に設けられた開口部7bを介して光を導
入して透過型表示を行っているが、反射電極7の間隙7
aを介して光を導入して透過型表示を行う構成において
も、偏光板11及び位相差板13並びに偏光板12及び
位相差板14により反射型表示と透過型表示とのいずれ
においても良好な表示制御を行えると共に光の波長分散
に起因する色付きを低減できる効果は同様得られる。
(a)及び図1(b)を参照して説明する。即ち、第2
実施例の基本構成は、第1実施例と同様であり、第2実
施例は、第1実施例における液晶、反射電極、配向膜及
び偏光板の材質や特性等を具体的に限定した実施例であ
る。尚、第2実施例は基本的に単純マトリクス型の液晶
表示装置に関するものであるが、同様の構成によりアク
ティブマトリクス型の装置や他のセグメント型の装置、
その他の液晶装置にも適用することは可能である。
実施例では特に、透明電極6の表面上に形成された配向
膜9には、所定方向にラビング処理が施されており、こ
のラビング処理によって、液晶層3の液晶分子はラビン
グ方向に約85度のプレティルト角を有している。反射
電極7の表面上には、上記と同様の配向膜19が形成さ
れるが、この配向膜19にはラビング処理を施さない。
反射電極7としては1.0重量%のNdを添加したAl
を25nmの厚みでスパッタした金属膜を用い、このA
lは95重量%以上の材料を用い、かつその膜厚を10
nm以上40nm以下に設定する。なお、前述の第1実
施例においても、このような反射電極7を用いてよい。
位相差板13及び14として、特に1/4波長板が夫々
用いられる。
光板12の透過軸P1、P2は図2(a)に示すように
同方向に設定されている。これらの偏光板11及び12
の透過軸Pl及びP2に対して、位相差板(即ち、1/
4波長板)13及び14の遅相軸Cl及びC2の方向は
夫々、θ=45度時計方向に回転した方向に設定されて
いる。さらに、透明基板1の内面上の配向膜9のラビン
グ処理の方向Rlもまた、位相差板(即ち、1/4波長
板)13及び14の遅相軸Cl及びC2の方向と一致す
る方向に施されている。このラビング方向Rlは、液晶
層3の電界印加時における倒れる方向を規定する。液晶
層3には、誘電異方性が負のネマティツク液晶を用い
る。
2実施例における反射型表示時の反射率Rの駆動電圧特
性と、透過型表示時の透過率Tの駆動電圧特性とを示
す。この場合、電界無印加時の表示状態は暗(黒)であ
る。即ち、ノーマリーブラックモードにより当該液晶装
置は駆動される。このように駆動すれば、液晶が駆動さ
れない反射電極7の間隙7aからの光漏れや不要な反射
光を抑えることができるので、ブラックマトリクス層5
aを形成する必要がなくなる。
動作について説明する。先ず、反射型表示について説明
する。外光は図1における偏光板11、位相差板13、
カラーフィルタ5をそれぞれ透過し、液晶層3を通過
後、反射電極7によって反射され、再び偏光板11から
出射される。このとき、液晶層3への印加電圧に応じ
て、偏光板11の透過(明状態)及び吸収(暗状態)並
びにそれらの中間の明るさを制御する。
クライト15からの光は偏光板12及び位相差板14に
よって所定の偏光(円偏光、楕円偏光又は直線偏光)と
なり、反射電極7の開口部7bより液晶層3に導入さ
れ、液晶層3を通過後、カラーフィルタ5、位相差板1
3をそれぞれ透過する。このとき、液晶層3への印加電
圧に応じて、偏光板11の透過(明状態)と吸収(暗状
態)、及びその中間の明るさを制御することができる。
二重映りや表示のにじみのない反射型表示と透過型表示
とを切り換えて表示することのできるカラー液晶装置が
実現できる。
から図9を参照して説明する。第3実施例の基本構成
は、第1実施例と同様であり、第3実施例は、第1実施
例における反射電極7に係る構成を具体的に限定した実
施例である。図3から図9は夫々、各種のスリットが開
口された反射電極を示す平面図である。尚、第3実施例
は基本的に単純マトリクス型の液晶表示装置に関するも
のであるが、同様の構成によりアクティブマトリクス型
の装置や他のセグメント型の装置、その他の液晶装置に
も適用することは可能である。
基板1(図1参照)の内面には透明電極6の一例である
走査線としての透明電極801が複数本ストライプ状に
形成されている。透明基板2(図1参照)の内面上には
反射電極7の一例であるデータ線としての反射電極80
2が形成されている。反射電極(データ線)802に
は、開口部7bの一例であるスリット803が設けられ
ている。R(赤)、G(線)及びB(青)用に割り当て
られた反射電極802が夫々、1本の透明電極801と
重なる領域により1ドットが構成され、相隣接するRG
Bの3ドットでほぼ正方形の1画素が構成される。各反
射電極802には、各ドット毎に、4本のスリット80
3が開口されている。
は、長方形のスリット803が開口されているので、ス
リット803の短辺803aによる(基板内成分がスリ
ット803の長手方向に平行な)斜め電界は、スリット
803の長辺803bの長さに応じて弱められる。即
ち、スリット803の長辺803bによる(基板内成分
がスリット803の長手方向に直交する)斜め電界によ
り、スリット付近における液晶分子の動きは支配され
る。このため、スリット803の短辺803aによる斜
め電界が、長辺803bによる斜め電界と一致していな
いことによる液晶の配向不良を低減でき、全体として、
スリット803による斜め電界に起因した液晶の配向不
良を低減可能となり、更に進んで長辺803bによる斜
め電界を液晶駆動用に積極利用することも可能となる。
を低減可能となり、同時に液晶駆動時のしきい値電圧を
下げることにより液晶装置の低消費電力化を図ることも
可能となる。特に、スリット803の短辺803aによ
る斜め電界を考慮すること無く、スリット803の長辺
803bによる斜め電界に対してのみ斜め電界に対する
対策を施せば全体として斜め電界に起因した液晶の配向
不良を更に低減でき、或いは、スリット803の長辺8
03bによる斜め電界の積極利用を図れば全体としてス
リット803に起因する斜め電界の効率的な積極利用を
図ることもできる。
ジストを用いたフォト工程/現像工程/剥離工程で容易
に作製することができる。即ち、反射電極802を形成
するときに同時にスリット803を形成できる。スリッ
ト803の幅は、0.01μm以上20μm以下である
ことが好ましく、特に4μm以下であることが好まし
い。このようにすることで、人間が認識することが困難
であり、スリット803を設けたことで生じる表示品質
の劣化を抑えつつ、反射型表示と透過型表示を同時に実
現できる。
対して、5%以上30%以下の面積比で形成することが
好ましい。このようにすることで、反射型表示の明るさ
の低下を抑えることができと共に、反射電極802のス
リット803を介して液晶層に導入される光によって透
過型表示が実現できる。
所定間隙でライン状に複数形成されており、スリット8
03は、反射電極802の長手方向(即ち、図3中で縦
方向)に伸びる。従って、スリット803に起因した斜
め電界に対処すれば、同時ご反射電極802の間隙80
2bに起因した斜め電界にも対処できる。更に、反射電
極802の形成時に容易にスリット803を形成できる
と共にこの時に必要となるフォトマスクの設計も簡単に
なる。より具体的には、スリット803を設ける工程
は、特別に設定するのではなく、反射電極802を形成
するフォトマスクにスリット803のパターンも入れて
おくようにすれば良い。
透明電極801の間隙801bに対向する位置まで伸び
ている。従って、比較的離れて対向配置されたスリット
803の短辺803aを規定する反射電極802の縁部
は、透明電極80lの間隙801bに位置する、即ち透
明電極801と反射電極802との間で電圧が印加され
る領域から外れて位置するので、液晶の配向不良の原因
となるスリット803の短辺803aによる斜め電界に
よる影響を極めて顕著に低減できる。
て、図4に示すように、スリット803は、複数画素に
跨って伸びてよく、更に画像表示領域外まで伸びてもよ
い。このように構成すれば、比較的離れて対向配置され
たスリット803の短辺803a(図4には示されてい
ない)を規定する反射電極802の縁部は、各画素毎に
存在しないので或いは画像表示領域内に存在しないの
で、液晶の配向不良の原因となるスリット803の短辺
803aによる斜め電界による影響を極めて顕著に低減
できる。
803の変形例としては、例えば、図5に示すような各
ドット毎に2つのスリット803、図6に示すような長
手方向が反射電極702に直角(即ち、透明電極701
に平行)である各ドット毎に2つのスリット703、図
7に示すような長手方向が反射電極902に斜め(即
ち、透明電極901に斜め)である各ドット毎に1つの
スリット903、図8に示すような長手方向が反射電極
1002に平行及び直交(即ち、透明電極1001に直
交及び平行)である複数の長方形のスリットが連結され
てなるスリット1003などが考えられる。
に、反射電極1201に開口するスリット1202の幅
と反射電極1201の間隙(ドット間領域)1203と
は略等しくなるように構成してもよい。即ち、間隙12
03の幅をLlとし、スリット1202の幅をL2とし
たとき、概ねLl=L2とすれば、フォトマスクの設計
精度を高める必要がなく、設計を容易にすることができ
た。また、スリット1202を設けることによるコスト
アップが殆どない。
4実施例のように、ノーマリーブラックモードで駆動し
たり、散乱板を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよ
い。更に、ノーマリーブラックモードで駆動する場合に
は、ブラックマトリクス層5aを設けなくてもよい。
0及び図3から図7を参照して説明する。第4実施例で
は、第3実施例と同様の液晶装置において、2枚の透明
基板間に挟持された液晶層の中央部の液晶分子の配向方
向に注目する。先ず、図10は基板間中央部の液晶の配
向方向を説明するための概略縦断面図である。2枚の基
板501、502間に液晶503が所定のツイスト配向
をしている。この時、概ね基板間中央部に位置する液晶
分子504の分子長袖方向を配向方向505と定義す
る。
長方形のスリット803上の液晶は、反射電極(データ
線)802と透明電極(走査線)801に電位差が生じ
ると、斜め電界が発生し、この斜め電界によってスリッ
ト803上の液晶を駆動させ、透過型表示を可能にす
る。ここで、図3中に示すように反射電極802のスリ
ット803の長手方針(図3中のy方向)と上述した基
板間中央部の液晶分子の配向方向804とがなす角度を
ξと定義する。−90°≦ξ<−60°と60°<ξ≦
90°の範囲では、リバースティルトドメインによる表
示欠陥(ディスクリネ−ション)が発生してしまい、明
るく高画質な透過型表示を得ることができない。
子の配向方向と反射電極の長手方向がほぼ直交してしま
うので、ティルトドメインが現れるためである。また、
これらの範囲では表示欠陥が発生するために液晶駆動時
のしきい値電圧が上がってしまう。−60°≦ξ≦60
°の範囲では、リバースティルトドメインによるディス
クリネ−ションなどの表示欠陥をなくすことが可能とな
り、明るく高画質な透過型表示を得ることができる。さ
らに、表示欠陥が発生しにくいので、液晶駆動時のしき
い値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電力化
が図れる。特に、−30°≦ξ≦30°の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
として示した長方形のスリット803の場合にも、図3
の場合と同様に、その長手方向が反射電極802と平行
であり、同様に、−60°≦ξ≦60°の範囲では、明
るく高画質な透過型表示を得ることができる。特に、−
30°≦ξ≦30°の範囲で、上述した効果が最大限に
発揮される。
して夫々示したスリット703及び903の場合にも、
同様に、反射電極702のスリット703の長手方向
(図でX方向)と上述した基板間中央部の液晶分子の配
向方向704とがなす角度をξと定義し、反射電極90
2のスリット903の長手方向904と上述した基板間
中央部の液晶分子の配向方向905とがなす角度をξと
定義したとき、角度ξは夫々、−60°以上60°以下
が好ましい範囲であり、特に、−30°≦ξ≦30°の
範囲で、上述した効果が最大限に発揮される。
は、図10における基板502近傍の液晶分子配向方向
506を規定することで、さらに効果を確実にすること
ができる。具体的には、図3における下側基板近傍の液
晶分子配向方向805とスリット703の長手方向(図
3中のY方向)とのなす角度をδと定義したとき、−3
0°≦δ≦30°が望ましい範囲である。この理由とし
ては、−30°≦δ≦30°以外の範囲では、基板界面
における液晶分子が斜め電界の影響で逆ティルトしてし
まい、表示欠陥が生じるからである。角度δを−30°
以上30°以下に限定することによって、液晶駆動時の
しきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消費電
力化を図れる。特に、−10°≦δ≦10°の範囲で、
上述した効果が最大限に発揮される。
ても、下側基板近傍の液晶分子配向方向とスリットの長
手方向とのなす角度をδと定義したとき、角度δを−3
0°以上30°以下に限定することによって、液晶駆動
時のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低消
費電力化を図れる。この場合にも、特に、−10°≦δ
≦10°の範囲で、上述した効果が最大限に発揮され
る。
ように、ノーマリ−ブラックモードで駆動したり、散乱
板を設けたり、反射電極を凹凸にしてもよい。更に、ノ
ーマリーブラックモードで駆動する場合には、ブラック
マトリクス層5aを設けなくてもよい。
限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜
変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置もま
た本発明の技術的範囲に含まれるものである。
うな効果を奏する。本発明の液晶装置では、透明電極と
反射電極との略中心位置の液晶分子の配向方向と、前記
スリットの長手方向とのなす角度をξとしたときに、−
60°≦ξ≦60°であるから、透明電極と反射電極と
の略中心位置にあり、最も動き易い液晶分子の配向方向
とスリットの長手方向とが、直交から30°以上離れて
いるので、液晶分子は、透明電極と反射電極との間での
電圧印加によりティルトドメインの発生を殆ど伴うこと
なく良好にその配向状態が変化する。このため、液晶駆
動時のしきい値電圧を下げることができ、液晶装置の低
消費電力化を図れる。
によるディスクリネーションなどの表示欠陥をなくすこ
とが可能となる。仮に、この角度ξが、−60°≦ξ≦
60°の範囲にないと、液晶分子の配向方向とスリット
の長手方向がほぼ直交になるので、ティルトドメインが
激しく発生してしまう。これにより、駆動電圧も上昇し
てしまう。特に、−30°≦ξ≦30°の範囲で、上述
した効果が最大限に発揮される。
記反射電極近傍の液晶分子の配向方向と前記スリットの
長手方向とのなす角度をδとしたとき、30°≦δ≦3
0°としている。この態様によれば、所定のプレティル
ト角が付与される反射電極近傍の液晶分子の配向方向と
スリットの長手方向とが、直交よりも平行に近いので、
基板界面における液晶分子が斜め電界の影響で逆ティル
トする可能性がなくなる。可能性が殆ど無くなる。この
ため、逆ティルトに起因したティルトドメインによるデ
ィスクリネーションなどの表示欠陥をなくすことが可能
となる。これによって、液晶駆動時のしきい値電圧を下
げることができ、液晶装置の低消費電力化が図れる。
°以外の範囲にあると、基板界面における液晶分子が斜
め電界の影響で顕著に逆ティルトしてしまい、表示欠陥
が生じる。さらに、駆動電圧も高くなり、消費電力が上
昇してしまう。特に、−10°≦δ≦10°の範囲で、
上述した効果が最大限に発揮される。
高コントラストの画像表示が可能であるから。各種の表
示用装置として利用可能であり、更に、各種の電子機器
の表示部を構成する液晶装置として利用可能である。ま
た、本発明に係る電子機器は、このような液晶装置を用
いて構成された液晶テレビ、ビユーファインダ型又はモ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーショ
ン装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークス
テーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タツ
チパネル等として利用可能である。
器の表示部として用いれば、反射型でも半透過反射型で
も、透過型でも表示が明るく鮮やかな携帯情報機器を得
ることができる。
である。
るスリットが開口された反射電極の一例を示す平面図で
ある。
口された反射電極の他の例を示す平面図である。
口された反射電極の他の例を示す平面図である。
口された反射電極の他の例を示す平面図である。
口された反射電極の他の例を示す平面図である。
れた反射電極の他の例を示す平面図である。
れた反射電極の他の例を示す平面図である。
おける基板間中央部の液晶の配向方向の構造を示す概略
縦断面である。
Claims (2)
- 【請求項1】透明な一対の第1及び第2基板と、 該第1及び第2基板間に挟持された液晶層と、 前記第1基板の前記液晶層側の面に形成された透明電極
と、 前記第2基板の前記液晶層側の面に形成された複数の反
射電極と、 前記第2基板の前記液晶層と反対側に配置された照明装
置とを備えており、 前記反射電極には、前記照明装置からの光を前記液晶層
側に透過させる長方形のスリットが開口されており、前記反射電極近傍の液晶分子の配向方向と、前記スリッ
トの長手方向とのなす角度をδとしたときに、−30°
≦δ≦30°であることを特徴とする液晶装置。 - 【請求項2】前記透明電極と前記反射電極との略中心位
置の液晶分子の配向方向と、前記スリットの長手方向と
のなす角度をξとしたときに、−60°≦ξ≦60°で
あることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
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JP2002127508A JP3491161B2 (ja) | 1998-02-04 | 2002-04-26 | 液晶装置 |
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JP2365698 | 1998-02-04 | ||
JP15762298 | 1998-06-05 | ||
JP10-157622 | 1998-06-05 | ||
JP2002127508A JP3491161B2 (ja) | 1998-02-04 | 2002-04-26 | 液晶装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52819499A Division JP3324119B2 (ja) | 1998-02-04 | 1999-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
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---|---|
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Family
ID=27284348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3491161B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4646018B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002127508A patent/JP3491161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2002365658A (ja) | 2002-12-18 |
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