TW445537B - Method and apparatus for polishing substrate - Google Patents

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A7 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（1 ) [發明背景] 本發明係關於一種研磨基板之方法和裝置，尤其是關 於將包括半導體晶圓、玻璃基板或液晶顯示器等基板研磨 成整平鏡面然後將需要高清潔度之基板加以清洗之研磨方 法和裝置。 [相關技藝描述] 由於近年來半導體裝置已高度積體化，電路相互連接 線路在半導體電路基板上變得更精緻，而電路線路間之空 間距離已因而變得更小。現在能用來形成這種電路的加工 方法疋照相平版印刷術（ph〇t〇lith〇graplly，以下簡稱為微 影）。雖然這微影之製程能製造最細達0 5pm寬度的相互 連接線路，仍要求由一個步進照像機在表面聚焦結成圖案 之平面越平越好，因為這光學系統的焦距深度是相當窄小 .的。 更進一步，假如在半導體電路基板上有〗個大於互相 連接線路間距離之粒子，這個粒子將在半導體電路基板互 相連接線路造成短路。所以，在半導體電路板上任何不希 望出現之粒子均必須充分地小於半導體電路基板互相連 接線路間距離。 因此’處理半導體電路基板使其精碎整平和達到高清 潔度是非常重要的3此—需求對於其他電路基板的處理亦 同樣需要，包括處理當作罩板使用之玻璃基板、液晶平板 等等。 為了疋成半導體電路基板的精確整平，迄今為止化 310953 -------------^--------^---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^4553 7 A7

五、發明說明（2 ) 學機械研磨（CMP)法是被慣常採用的— ,,., Λ J梗個研磨裝置與方 法。如第10蹰及第u圖所示，一 ^ 備包含-個W磨部分⑽，一個負載和卸载部分 二且 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 ， 再 填 I裝 頁i 一 I I I / 1 I 訂 自動移置機器（24a)和（24b)’ 一個具有三個清洗單位’、 (26a)、（26b)和（26c)之清洗部分（26)，和—個反轉裝置 ⑽°這自動移置機器（24a)及（24b)可為—個沿著執道移動 的機動型機器人’如第圖所示，哎 7丁次者疋-個在機器鉸接 手，之别端具有機器人手之固定式機器人，如第U圖所 示。 如苐12圖所示，這研磨部分（1〇)包含一個頂上具有一 月研磨布⑴）之旋轉檯（12)，為扶持半導體晶圓（基板)㈣ 和按壓這半導體基板卜）在旋轉檯（12)上之—個頂環（]3)， 以及為研磨布（11)供給研磨液體之一具噴嘴（14)。旋轉檯附 近設置一個轉接裝置（38)β這鄰接的二部分是經由一個分 隔牆以防止父互污染。特別是為避免骯薪的空氣於研磨部 分（10)擴散進入實施清洗和隨後相關製程之工作室，每一 工作室均特別地實施空氣調節和壓力調整措施。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在這具有上述結構之研磨裝置’半導體基板（w)經由自 動移置機器（24a)和（24b)從負載和卸載部分（22)運送到轉 接裝置（38) ’並經由轉接裝置（38)移轉到頂環（13)。於研磨 部分（10)，半導體基板（w)經由按壓環（13)的下表面被輕壓 挾持住’並被按在旋轉檯（12)上之作為研磨面用之研磨布 (11)上。從喷嘴（14)供給研磨液（Q)到研磨布（11)上而由研 磨布（11)保留該研磨液。於研磨操作期間，頂環（13)對旋 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 ) 轉檯（12)產生一個預定的壓力，使半導體基板_)貼近研磨 布（11)表面在頂環（13)和旋轉楼（12)轉動時，研磨液（Q) 在半導體基板（w)與研磨布（11)二者表面間’經由化學的研 磨和機械的研磨共同作用而被磨亮。研磨在矽基板上由氧 化物薄臈（Si〇2)製成之絕緣層時，研磨液（Q)含有具一特定 直徑懸浮研磨微粒的鹼性溶液。已被磨亮的半導體基板（w) 即輸送到清洗部分（26)，在該處半導體基板（w)即被洗清潔 並乾燥，然後，被送回到負載和卸載部分（22)。 於）¾洗部分（2 6)之初次清洗單位（2 6 a )有多數垂直的軸 (30) ’這些韩以一定間隔安排配置’以這些軸（3〇)上端部位 卡夾溝槽挾持半導體基板（w)外圍邊緣，並在一個水平面内 以相當低轉速旋轉這半導體電路基板；此部分也包含—副 (對）清洗用具組’包括可靠進接觸或者離開這半導體基板 (w)的一個滾筒型或一枝束線型海綿。初次清洗單位（26a) 是一個低轉速型清洗單位。二度和三度清洗單位（26b)及 (26c)有一個旋轉檯（36)，包含一個旋轉軸桿（32)和從旋轉 軸（32)以輻射狀地向外延伸並挾握這半導體基板外緣 之複數個臂（34)。二度和三度清洗單位（26b)及（26c)是一種 高轉速型清洗單位。於每一個初次的，二度的和三度的清 洗單位（26a) ’（26b)和（26c)，均設有一個噴嘴供給清洗液 到半導體電路基板表面（w)’並裝設有一個蓋子為防止清洗 液潑散’及裝設通風裝備製造拖降氣流（下降的氣流）以防 止霧氣四處擴散。 已經完成研磨的半導體電路基板之清洗程序如下： 裝--------訂·--------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 夂紙張圮度適用中國®家標準（CNS)Ai規格（2〗Cf * 297 310953

445537 五、發明說明（4 於初次清洗單位（26a)内，當半導體基板（w)經由這些軸 (30)被挾握及轉動時，由清洗用具組在供給清洗液情況下 實施一個搓洗動作，以刷洗這半導體基板（w)的上下表面。 於這搓洗處理過程中，使用具有如研磨流程研中所用研磨 液之pH值之第一清洗液，以防止懸浮微粒因，衝擊A 而發生聚集現象。更具體言之，如果研磨液迅速被淨水稀 釋而降低研磨液之pH值，則這研磨微粒將變得不安定， 並因此聚集這第二度洗液内之微粒而形成更大的聚集體。 於此規範中’、pH衝擊"之定義為：—個快速的pH值的 變化。因此，為避免pH衝擊發生，使用具有與搓洗過程 所用研磨液相同的pH值之第一清洗液。例如，如果研磨 Si 〇2層’即使用氨水作第一清洗液，並從這些半導體基板 (w)表面移去這些微粒之後’將這些半導體電路基板的表面 靠著供給中性清洗液（例如淨水）從鹼性液體轉移為中性。 此後，半導體基板（w)被移轉到二度清洗單位（2 6b)。 於二度清洗單位（26b)’為了除去附著在半導體基板（w) 上之金屬離子，一般藉由噴嘴供給酸性化學藥品到這些半 導體基板（w)的表面’以造成侵钱（化學清洗），然後，以供 給中性清洗液（例如淨水）清洗這些半導體電路基板表面使 回到中性。此後’這半導體基板（W)被移轉到具有乾燥功能 之三度清洗單位（26c)。於三度清洗單位（26c)，供給淨水實 施半導體基板（w)的終結清洗’然後，這半導體基板（w)是 在高轉迷轉動並有清淨之惰性氣體對這些半導體電路基板 的表面吹送情況下變乾燥《半導體基板（w)被清潔與乾燥 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^----Ί--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇） 4 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 後，靠自動移置機器（24a)或（24b)乾淨的 和卸載部分（22)。 」貝戟 於上述研磨裝置中，由於侵Μ、太 s 、彳又蝕/月理需使用專用的清洗 草位，亦即這清洗流程靠（26a)、⑽）和（26e)等三個清洗 早位執行，這研磨裝置體積大’導致這清洗流程需要一個 較大的裝置空間和較長的處理時間。 此外’如第U圖所示，依照箭頭①到⑨運輸半導體基 板（心並且該運輸路徑是非常地複雜。特別如圖中之箭頭 〇)所不’半導體電路基板從負載和卸載部分⑵）運精到反 轉裝置（28)，·如箭頭②所示，運輸到移送裝置⑽，然後， :箭頭③所示，移到旋轉檯(12)之上。然後如箭頭④所示， 這磨亮的半導體基板（w)被移送到轉接裝置（38)，再如箭頭 ⑤所示，運輸到初次清洗單位（26a)，然後，如箭頭⑥所示， 運輸到反轉裝置（28)。此後’如箭頭⑦所示，這半導體基 板（w)運輪到二度清洗單位（26b)，再如箭頭⑧所示，移送 到三度清洗單位（26〇。最後，如箭頭⑨所示，這半導體基 板（w)被送回到負載和卸載部分（22)。 由上述情开> 明顯可知，因為這運輸路徑是非常地複 雜，為了防止這自動移置機器（24a)和（24b)相互干擾，此二 具實施半導體基板（w)運輸之自動移置機器（24a)和（24b)必 需要加以控制。於是，這研磨裝置的全盤系統是更加的複 雜’而有使半導體電路基板的處理時間增長之勢β此外， 因為經由機器手搬運半導體電路基板次數增加，半導體電 路基板遭污染的機會也隨之增加。 — Ιιιιιιιιί — 11. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 5 310953 4^4 553 7 絰濟部智慧財產局員工消費合作社印則衣 A7 B7 五、發明說明（6 ) 為了簡化清洗部分（2 6)的結構，可想到以相同的清洗 單位執行初次清洗除去微粒過程及為進行侵蝕之二度清洗 過程。然而’於此案例，於相同的清洗單位中，各自使用 驗性化學藥品和酸性化學藥品當作清洗液體，因此之故， 導致地下排水管之管道襯裡層逐漸劣化、鹽類發生沉澱， 以及污水處理問題複雜化。另一替代方案為將半導體電路 基板置於二度清洗單位（26b)執行侵蝕與乾燥。然而，於此 案例，半導體基板（w)在空氣中乾燥，導致侵蝕性液體揮發 霧氣殘留，並因此於終結清洗過程十污染半導體電路基 板。 [發明概述] 本發明之目的係為研磨電路基板提供一種新方法和裝 置’以減少研磨裝置的體積’縮短電路基板的處理時間， 並靠著實施一個簡單的清洗處理結構產製具有高清潔度之 電路基板。 隨著製造半導體裝置的技術進步，沉積在半導體晶圓 上之層（薄膜）的特性也同時有進步。半導體晶圓具有新開 發的層（薄膜）而該層（薄膜）是經磨亮並且清潔的，在該新開 發之層膜初始被用於半導體器件製造初期，通常至少包含 二個階段之多階段清洗過程。然而，當這清洗的方法過程 逐漸進步，清洗的次數隨之逐漸減少。因此，當為製造半 導體裝置之流程技術進步，為製造半導體之裝置需求亦隨 之改變，因而，必須配合製程技術進步保持一個最佳結構 之生產裝置。因此，本發明為研磨電路基板提供一種最 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 310953 ------^----- --------訂·---^----表 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) - 之方法和裝置。 根據本發明的一個觀點，於此提供—個研磨及清洗電 路基板之研磨裝置’這裝置包含：至少具有一個研磨單位 之-個研磨部分，將基板按壓於研磨表面，以實施基板之 初次研磨和二度研磨；並具有一個清洗部分，握洗清洗附 著在已經研磨之基板上之微粒，並靠著供給一種侵蝕性液 體從電路基板除去金屬離子。 於二度研磨，淨水被使用作研磨液體，並且電路基板 疋在研磨效率小於初次研磨條件情況下（亦即研磨壓力及/ 或研磨速率為小於初次研磨之條件下），被磨亮。因此，於 初次研磨時形成於磨亮的電路基板表面之微到痕即被移去 或減少，同時，從被研磨之表面研磨脫落之微粒和研磨材 料的微粒均被移去。 例如，於二度研磨如果使用包含有含矽物質的研磨液 體時，在終結研磨情況下會有效的移除電路基板上之微 粒。因此，不同於習知的方法，具有極少量微粒之美 運送到清洗部分，而免除使用鹼液除去微粒之過程。於清 洗部分，可採用基板表面侵蝕方法亦即是一種使用酸液之 化學脫垢方法，再經由-個清洗和乾燥流程使基板清潔與 乾燥。相較於習知的裝置和方法，此方法之基板的清洗和 乾燥可經由二個清洗單位和二件處理器實施，以致處理時 間縮短，且裝置數目或單位得以減少q此外，掩運基板次 數，以及流程中搬運負荷和基板的污染機會均因而得以減

少S 本紙張ϋ適用士國國家標準1:CNS)A4邋格（210 X 297公笼 310953 -------------裝--------訂--------I線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44 5 531 ( ' A7 ------SZ_____ 五、發明說明（8 ) ^最好終結研磨之研磨速率在5 Λ (埃）/分鐘或者更低速 率下進行。這種清洗液或侵蝕性液體可供給到基板的前側 和背側表面。乾燥流程可由不同於清洗單位之乾燥單位實 施，或全由同一清洗單位實施。若由相同清洗單位實施這 乾燥過程，則須於清潔的空氣中實施這乾燥過程。至於清 洗液體，可使用一種高效能水包括離子水、臭氧水及氩水 等。 於一個較佳的實施例中，初次研磨和二度研磨於相同 研磨單位執行。這個研磨構造使研磨裝置簡化以及裝置空 間較小。 於一個較佳的實施例中’研磨部分為實施初次研磨和 二度研磨至少分別包含二個研磨單位。這組成方式使製程 簡單化並對改善基板的生產率有貢獻。 於一個較佳的實施例中，為了初次研磨過程和二度研 磨過程，這研磨部分至少包含二個研磨單位，而這清洗部 分至少包含二個清洗單位，以實施不同的清洗流程。這組 成方式可將兩階段清洗或者三階段清洗，以及多階段清洗 過程由單一裝置來執行。 例如’若使用一個包含礬土物質的研磨液，則於二度 研磨過程不能充分執行微粒之移除。於二度研磨完成後， 實施侵蝕程序之前，先以鹼液實施搓洗以充分除去微粒。 此時，應實施三階段清洗。 根據本發明之研磨裝置，可選擇性地實施兩階段清洗 或三階段清洗假如研磨單位中之研磨液體和研磨布被替 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 襄--------.訂----^---- 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 310953 A7 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（9 ) 換掉，然後可建構一個最適於使用包含有含矽物質的研磨 液體和使用包含礬土材料的研磨液體等兩種過程的研磨裝 置此外，縱令由於採用含礬土材料研磨液與研磨後清洗 技術等磨洗技術進步，使搓洗過程變成不必要之操作，本 發明仍可提供一個最佳的處理結構。 根據本發明另外—個觀點，也提供一個基板研磨及後 續清洗的方法，這方法包含：經由將基板按壓於研磨表面， 而進行初次研磨；在一個研磨速率低於初次研磨速率狀況 下進行基板之二次研磨；將已經研磨而除去附著在基板上 之微粒之基板以搓洗洗淨，供給一種侵蝕性液體從基板面 除去金屬離子；將金屬離子從基板除去後將基板乾燥。 於一個較诖的實施例顯示，侵蝕性液體包括含有氫氟 酸之酸性水溶液。 根據本發明另外一個觀點，為用以清洗已被磨亮基板 的清洗裝置，包含：至少兩個具有相同清洗功能的清洗單 位，各別將已被磨亮的電路基板作初次清洗；以及一個共 用的一度清洗單位’將已經被初次清洗單位清潔過之基板 實施清洗。 以上述的安排，基板的初次清洗在初次清洗單位内同 時執行或以一個特定時距遲延並行的方式執行，然後，於 一個共用的二度清洗單位内執行二度清洗’洗清潔那些已 經被初次清洗單位洗過之基板。這樣的安排於初次清洗需 要較一度清洗更長時間之情形非常須要。 根據本發明另外一個觀點，為清洗已被磨亮的電路基 310953 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44553 7 A7 ___B7 五、發明說明（10) 板之清洗裝置應包括：至少三個清洗單位用以清洗已被磨 亮的基板，以及一個自動移置機器，以便在至少二個清洗 單位間搬運基板；該基板在其間經由選擇性的清洗流程執 行清潔，該清洗流程係經由至少從這三個清洗單位令選擇 任何二個或三個清洗單位來執行。 以上述的安排’從至少三個清洗單位選擇任何二個或 三個清洗單位’執行選擇性清洗基板的流程。這選擇性的 清洗處理流程包含基板的兩階段清洗或三階段清洗。 根據本發明之另外一個觀點，研磨及後續清洗電路基 板之研磨裝置包含：研磨基板的複數個研磨單位；清洗已 被磨亮基板的複數個清洗單位；其中，這些基板被複數個 磨洗路徑117不同之處理程序處理，每個磨洗路徑包括至少 從研磨單位和清洗單位各選擇一個處理程序處理。 以上述之安排’從複數個研磨單位及複數個清洗單位 至少各選擇一個處理單位，可結合建立一個磨洗路徑，並 且可自由而適當地設定研磨單位與清洗單位之數目，以便 自由選定磨洗路徑數目，以對這些基板可選擇性的執行複 數個不同之處理程序。 本發明以上所述和其他方面之目的、特點和優點，配 合以下所述較佳實施例t之附圖及說明將更臻明顯β [圖式之簡單說明] 第1圖為根據本發明第一實施例之研磨裝置繪製之平 面圖。 第2圖為根據本發明第一實施例之整個半導體基板研 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I. ίί -- n ϋ ] H 一&]» n - ϋ I n 鲈濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） m

7TU95J A? A? 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 社 HP 製 __B7__ 五、發明說明（11) 磨裝置與運輸路徑結構繪製之立體視圖。 第3A圖為根據本發明第一實施例研磨裝置的一個初 次清洗單位續製之立體視圖。 第3B圖為展示初次清洗單位清淨過程之立體視圖。 第4A圖、第4B圖及第4C圖為展示於初次清洗單位 内進行清洗處理流程之概要圖。 第5 A圖為本發明根據第一實絶例於研磨裝置的一個 二度清洗單位之立體視圖。 第5B圖為展示二度清洗單位的操作過程之立體視 圖。 第6圖為根據本發明第二實施例的研磨裝置之平面 圖。 第7圖為根據本發明第三實施例的研磨裝置之平面 圖。 第8圖為根據本發明第四實施例的研磨裝置之平面 圖。 第9圖為根據本發明第五實施例的研磨裝置之平面 圖。 第10圖為一個習知的研磨裝置之平面圖。 第π圖為屐示第10圖所示習知的研磨裝置整個結構 之立體視圖，以及運輪半導體電路基板的路徑圖。 第丨2圖為展示習知的研磨裝置之研磨部分橫剖視 圖。 [圖號說明] Μ----------------- (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 度遺用中國國家標準 ΊΤ ΤΠΜΤ A7 B7 10 研磨部分 10a、10b 研磨單位 10c 結束研磨單位 11 研磨布 12 ^ 12a ' 12b 旋轉檯 12c 結束研磨工作檯 13 頂環 14、46 噴嘴 22 負載和卸載部分 22a > 22b 晶圓卡匣 24a、24b 自動移置機器 26 清洗部分 26a ' 26b 清洗單位 2 6ai、26a2初次清洗單位 - 26b, ' 26b 2 一度清洗單位 26c 三度清洗單位 28 ' 28a, ' 28a2 反轉裝置 30 複數個垂直軸 32 旋轉軸桿 34 挾握電路鉍外緣臂狀物 36 高轉速旋轉檯 38 轉接裝置 38a ' 38b 轉接裝置 40 清洗用具組 42 噴嘴 44 搖擺臂 50a 、 50b 、 50c、50d 喷嘴 ①至⑨ 箭頭編號Q研磨液 基板 44553 7 五、發明說明（12) J----- 1 , ^--------訂. (請先閱讀背面之注意事頊再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [較佳實施例之詳細說明] 兹將本發明之研磨裝置’配合參照諸圖示說明於後。 第1圖至第5圖是根據本發明第一實施例展示之研磨 裝置。如第1圖所不’這研磨裝置包含具有^一個研磨單位 之研磨部分（10)，以及一個清洗部分（26)，該清洗部分具有 二具自動移置機器（24a)和（24b)和二個清洗單位（26a)和 (26b)。研磨部分（1〇)和自動移置機器（26a)及（26b)與習知的 研磨裝置有相同的結構。在旋轉檯（12)與其上之研磨布（11) 構成一個研磨表面。研磨部分（1〇)和清洗單位（26 a)及（2 6b) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） 12 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --—-------Β7____ 五、發明說明（I3 ) 各自被分隔牆隔開而將各工作房室之空氣自獨立地抽出， 乂防止各工作房室内之空氣成分被混合° 如第3A圖和第3B圖所示，於清洗部分（26)中之初次 ^洗單位（26a)包含六支垂直的軸（30)，這些軸沿著一個圓 11以—定間隔配置，以挾持半導體基板（w)的外緣，並在水 平面以相當低轉速旋轉半導體基板（w);同時包含一對由海 、缔 '聚乙烯醇（PVA)或其他材料製造之滾筒型清洗用具組 (40) ’該清洗用具组（40)在半導體基板（w)上下側向基板直 之水平方向延伸。這些垂直的軸（30)可水平方向移動接 近或離開半導體基板（w)。清洗用具组（40)可移動而與半導 體基板（w)接觸到或自半導體基板（w)離開。初次清洗單位 (2 6a)疋一個滾筒和低轉速型清洗單位。為供給一種侵姓性 液體和淨水到半導體基板（w)的上下表面，初次清洗單位 (26a)提供有複數個噴嘴（5〇a), (5〇b)，（5〇c)和（5〇d)。 如第5A圖及第5B圖所示，二度清洗單位（26b)包括一 個為使這半導體基板（w)達到i，5〇〇到5，〇〇〇rpm高轉速 之旋轉檯（36)，以及包括具有一個噴嘴（42)之—條搖擺臂 (44) ’該噴嘴係用以供給清洗液到有超音波震動之半導體 基板（w)的上側表面。這二度清洗單位（26b)是一個超高音 和高轉速型清洗單位。這二度清洗單位（26b)可包含一個吹 送惰性氣體到這半導體基板（w)表面之嗔嘴（46)，或包含一 台電熱器，以使基板（w)加速乾燥以改善操作成效和縮短正 常操作時間。此外，二度清洗單位(26b)可包含一個供給清 洗液之喷嘴到這半導體基板（w)的下表面3於此實施例中\ I 1 I —I— I -----—訂'-----II— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 土-试语、度適用幸國國家標隼fCNS)A.j規格nl!：j x 公釐） 13 310953 44 5 53 7 A7 _____ __B7__ 五、發明說明（M ) 雖然供給清洗液實施非接觸型清洗，該清洗液從喷嘴（42) 送到半導體基板（w)並經由一個超音波震動生成裝置（未圖 示）予超音波震動’可使用海綿製束線型清洗用具組或其他 類似用品替代噴嘴（42)或者被附加於這噴嘴（42)，以實施接 觸型清洗。 其次’將具有上述結構之研磨裝置的操作過程參照第2 圖說明於後。 如①、②和③箭頭所示，半導體基板（w)由自動移置機 器（2 4 a)和（24b) ’經由反轉裝置（2 8)和移送装置（3 8)，從負 載和卸載部分（22)被運輸到研磨部分（1〇)。在研磨部分 (】〇)’以頂環（13)下表面挾握半導體基板（你），並對旋轉檯 (12)之研磨布（11)按壓。於此時，使用標準研磨液體磨亮半 導體基板（w)。此一研磨流程被稱為、標準研磨，或稱為，主 研磨〃。此後，在研磨部分（10)將執行一個水研磨過程。於 這水研磨過程t ’使用淨水作為研磨液體，並且在—個研 磨壓力作用下及/或在一個比標準研磨速率更低之研磨速 率下將半導體電路基板磨亮^如果是研磨半導體基板上之 二氧化石夕（Si〇2)層’於水研磨過程較合適之研磨速率是^ A(埃）/分鐘或者更低之研磨速率，而在標準研磨過程令消 除或減少此一已磨亮半導體基板（w)表面形成之微刮痕，同 時，將遺留在這磨亮的表面上之被研磨脫落之微粒和研磨 材料的微粒移除。因此’水研磨過程即是所謂的、結束研 磨處理（finish-polishing，最後加工這結束研磨處理可 使用一種含研磨微粒比標準研磨處理使用者更小之研磨液 , -I 裝--------訂-----7----If {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（I5 ) 體實施’或者以化學藥品代替水研磨處理，或者在標準研 磨處理和水研磨處理程序間增設化學藥品處理。然而，在 這個實施例雖然如同標準研磨處理在同樣的旋轉檯實施該 結束研磨過程，此一結束研磨過程可經由個別的旋轉檯執 行。 由於標準研磨處理剛完成時，含有研磨微粒之研磨液 禮尚遺留在研磨布（π)上，故有必要供給相當數量的淨水 到研磨布（11)清除研磨液體。於此情形，如果以大量的淨 水迅速地供給到研磨布（11)上迅速地稀釋研磨液，將造成 已磨党半導體電路基板與研磨布（11)表面之殘餘研磨液的 pH值因pH衝擊而發生改變，而引起這些研磨微粒的聚 集。因此’較合宜的做法是首先供給少量的淨水，然後漸 漸地增加淨水供給量。在此附帶地聲明，以下所敘述有關 本發明中這些聚集在磨亮半導體電路基板表面的微粒將於 結束研磨過程中被移除，而可避免嚴重問題的發生。 於研磨部分（10)採用標準研磨和水研磨方法到半導體 基板（w)之後，這些附著在半導體基板（w)之微粒大部分被 移去’致使這半導體基板（w)清潔度增高。此後’半導體基 板（w)以自動移置機器（24a)經由移送裝置（38)輸送到初次 清洗單位（26 a)，如箭頭④和⑤所顯示。如第3A圖所示， 於初次清洗單位（26a)，半導體基板（讯）由這些軸（30)挾握。 半導體基板（w)靠這些轴（3 0)在每分鐘數十轉到三百轉之 低轉速下轉動。於初次清洗單位（26a)，如第3B圖和第4A 圖所示，半導體基板（w)上下表面被這些清洗用具組（4〇)以 -------------裝--------訂·-------，線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) +艮窀張&度滷用中豳國家標準（CNS>A4規格（210< 29了公釐〉 15 310953 A7 . R7 Γ5"3"7 '(- 五、發明說明（16 ) 他們自己的轴心旋轉，配合從這些噴嘴供給之淨水實施搓 洗。 其次，如第4Β圖所示，從這半導體基板~)移走清洗 用具組（40)之後，當半導體的電路基板卜）轉速依需要配合 改變過程中’將侵蝕性液體從這些噴嘴供給到半導體基板 (w)的上下表面。如此，殘餘在這半導體基板（w)上之金屬 離子經由侵蝕（化學清洗）半導體基板（w)表面而移除。此 後，如第4C圖所示’從淨水噴嘴供給淨水，同時，當半 導體的電路基板（w)轉速依需要配合改變過程中，將侵姑性 液體以淨水置換沖掉。完成淨水替換侵蝕性液體程序後， 半導體基板（w)即輸送到反轉裝置（28)，反轉磨亮的表面朝 上，然後，如第2圖箭頭⑥和⑦所示，經由自動移置機器 (24a)和（24b)輸送到二度清洗單位（26b)。於二度清洗單位 (261))’如第5八圖和第58圖所示，當半導體基板（界)在1〇〇 到500rpm之低轉速轉動，搖擺臂（44)搖動範圍超覆半導體 基板（w)全部的表面’當具超音波震動之淨水從搖擺臂（44) 的刚％噴嘴（42)供給到半導體基板（w)的上側面以使淨水 流經半導體基板（w)中心’由此除去基板（w)上之微粒。此 後’停止供給淨水’搖擺臂（44)被移到備用位置，然後， 半導體基板（w)以150到5,00〇rpm高轉速轉動’並配合需 要吹送一種惰性氣體使之乾燥。該已經變乾燥之半導體基 板（w)經由自動移置機器（24b)送回到一個晶圓卡匣（22a)或 (22b) ’放置在負載和卸載部分（22)，如第2圖箭頭⑧所示。 於上述之研磨和清洗處理過程中，清洗部分（26)之清 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) h . 裝--------.訂----^---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSM4規格公爱) 16 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17 ) 洗早位的數目從二個單位降到二個單位，同時，搬運半導 體基板（W)的次數也是從九次（如第U圖所示）降到八次（如 第2圖所示）。如此’這處理時間總數大幅縮短。此外，由 於該運輸半導體基板（w)的路徑被簡化，以致自動搬移機器 (24a)和（24b)移送電路基板受干擾的機會減少，同時有助於 操控自動移置機器（24a)及（24b)。 清洗單位（26a)及（26b)的結構不受上述結構限制，例 如，清洗用具組（40)可包含一個刷子或者一束毛氈狀纖 維，或者可以是一種應用旋渦流或微小冰粒清洗之清洗 液。這清洗單位（26a)及（26b)的數目以考慮各別清洗單位正 常操作動作所需時間設定一個最適合的數字。 根據本發明第二實施例中之一具研磨裝置，如第6圖 所示’於研磨部分（10)配設具有相同結構之二組研磨單位 (1 〇a)和（1 〇b)，如第1圖中之研磨單位，並配設一具可沿著 軌道移動之自動移置機器（24 a)。這二組研磨單位（i〇a)及 (l〇b)對稱地設置於自動移置機器（24 a)搬運路徑的兩側。於 清洗部分（26)，配設彼此均具有相同清洗功能與相同結構 之初次清洗單位（26at)和（26a2)，以各別因應研磨單位（l〇a) 和（10b)，同時也配設一個二度清洗單位（26b)。如第6圖所 示’其他研磨裝置的結構與第1圖所示者大致相同。 依據此實施例，經由研磨單位（l〇a)和（10b)平行進行半 導體基板（w)之研磨處理並研磨處理，以及經由研磨單位 (l〇a)及（l〇b)依序研磨半導體基板（w)之串列研磨處理均可 實施。 本紙语尺度適罔中囤國家標$(CNS)A4規格（2!049「公.¾) 17 310953 --------------製--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44 5537 A7 B7 五、發明說明（18 ) 於此並列研磨處理中’在研磨單位（10a)和（I0b)分別實 施標準研磨與水研磨，以某一個適當的時間差距，使自動 移置機器（24a)能有效率地搬移半導體基板（w)。於第1圖 所示之研磨裝置自動移置機器與清洗部分操作效率不高， 但第6圖所示之研磨裝置，因為加設二組研磨單位 和（l〇b) ’自動移置機器（24a)和清洗部分（26)操作效率較 高。如此’全部研磨裝置所佔之單位面積生產量得以改善。 此外’分別配合研磨單位（10a)及（l〇b)操作而提供初次清洗 單位（26a」及（26a2)，故可防止清洗部分（26)操作動作上的 耽搁。 於串列研磨處理中’半導體基板（W)在研磨單位（l〇a) 實施標準研磨’然後，將已磨亮的半導體基板（w)移送到研 磨單位（10b)實施水研磨。若半導體基板的污染問題不發 生’則在研磨單位（l〇a)執行半導體基板（w)之標準研磨， 並經由自動移置機器（24 a)將已磨亮的半導體基板（w)移送 到研磨單位（10b)»若半導體電路基板遭污染的問題發生， 則在研磨單位（1 0a)執行半導體基板（w)之標準研磨，並經 由自動移置機器（24a)移送磨亮的半導體基板（w)到初次清 洗單位（26a〖）予以清理。此後，將清潔的半導體基板~)移 送到執行結束研磨之研磨單位（1 〇b)。此外，於初次清洗 單位（26at)’可使用適用於研磨單位（10a)之泥漿（研磨液體） 的化學藥品清潔半導體基板（w)。 於此第二實施例中，有二個初次清洗單位（26a」和 (26a2)以及一個二度清洗單位（26b)。這是因為初次清洗過 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂-----；----Γ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度_中_家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱） 18 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7______ 五、發明說明（19 ) 程比二度清洗過程花費更多時間。如此，分別為改善研磨 單位（10a)和（10b)之效率而設二個初次清洗單位（26^)及 (26a2) ’ 一方面共用比初次清洗過程需時更短之一個二度 清洗單位（26b)將已在初次清洗單位（26)和（26a2)完成清 洗之基板進行二度清洗。 於第1圖中之研磨裝置或上述的平行研磨處理，由於 標準研磨和水研磨在相同旋轉檯（12)實施，附著在旋轉檯 (12)之研磨布（11)上的研磨液和淨水，於每次研磨處理後均 須替換’以致造成處理時間的損失及研磨液或淨水的消耗 增加。然而，於此一串列處理過程中，分別在旋轉檯（1 2a) 和（I2b)實施標準研磨與水研磨’即可避免上述諸問題。 第7圖表不本發明第三實施例令之研磨裝置。第7圖 所示之研磨裝置中，研磨部分（10)具有二個研磨單位（1()a) 和（10b)’與第1圖中所示之研磨單位具有相同結構，這研 磨單位（10a)及（10b)是以對稱方式設置，如同第6圖之研磨 裝置设置之型式。於清洗部分（2 6)’初次清洗單位（2 6 a:) 和（26\)具有相同結構，二度清洗單位（26bi)和（26^)也具 有相同結構，同時，反轉裝置（2 8^)和（28a2)採對稱設置以 分別對應於研磨單位（10a)和0b)。在本實施例此一研磨裝 置中’也可同時執行一個並列處理程序和—個串列處理程 序。於並列處理過程中，可建構第一條基板處理線A，而 將由研磨單位（〗0a)執行之研磨過程，由初次清洗單位（26^) 實施之初次清洗過程、以及由二度清洗單位（26^)執行之 二度清洗過程依先後次序執行；並建構第二條基板處理線 張尺度適用宁國國家標维（CNS>A4規格（？1〇Γ^>97八祭' ~-' - ^ 19 310953 . 裝--------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) “δ537’,ί 445 53 7 五、發明說明（20 ) B’將由研磨單位（10b)實施之研磨過程，由初次清洗單位 (26a2)執行之初次清洗過程、以及由二度清洗單位（26b2)實 施之二度清洗過程依先後次序執行。因此，這並列處理過 程可獨立地執行而不引起這二條半導體基板（w)傳送線路 相互交叉阻礙。 依據此實施例，除了上述的並列處理方式，亦可同時 執行二組並列處理。在這第一組並列處理過程中，從一個 晶圓卡匣取出來的半導體基板（w)輪流交錯地分別運送到 研磨單位（10a)和（10b)。此並列處理過程使一個晶圓卡匣的 處理時間減半。在第二組並列處理過程中，將晶圓卡匣（22a) 特定分配到這第一條基板專門處理線A，同時，將另外一 個晶圓卡匣（22b)特定分配到這第二條電路基板處理線B。 此時，要磨亮的半導體基板（w)可以是原先的基板或者是不 同的基板。此外，可放置四個晶圓卡匣在負載和卸載部分 (22)，以執行這些半導體基板之連續處理程序。 當並聯使用第一條基板處理線A及第二條基板處理線 B執行並列處理作業時，第一條基板處理線a和第二條基 板處理線B可有他們自己的處理單位或裝置，於是在此研 磨裝置能平行實施二種不同處理過程。此外也可想到於二 度清洗單位（26b,)使用超音波震動併入一個清除裝置，而 於二度清洗單位（26b2)使用漩渦流併入一個清除裝置。此 ~結構使得同時具兩種研磨致能之多功能之研磨裝置可實 施研磨，如第1圖所示。 此外，每一清洗單位包括初次清洗單位（26ai)和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----^------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張i適財關家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） 20 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（21 ) (26a3)，二度清洗單位（26\)及（26b2)均可模组化，並可從 研磨裝置中分離及抽換。依據這種結構，即使這研磨裝置 被組裝完成後，這研磨裝置仍能因應多樣化的研磨過程。 此外’於清洗單位有故障事件或清洗單位需維修情況時， 這研磨裝置的作業中斷時間縮短而提升操作效率。 根據本發明第四實施例之一個研磨裝置，如第8圖所 示。如第7圖所示之研磨裝置’研磨部分（1〇)包含具有與 第1圖研磨單位相同結構的二個研磨單位（1〇3)和（1〇b)，同 時這些研磨單位（10a)及（l〇b)係呈對稱排置。於清洗部分 (26)設清洗功能和結構彼此相同之初次清洗單位（26%)與 (26%)、一個二度清洗單位（26b)和一個三度清洗單位 (26c)。此外’為了各別配合研磨單位（1 〇a)和（1 〇b)，對反 轉裝置（28a;)及（28a2)設置成對稱。 二度清洗單位（26b)包含供給使用超音波震動清洗液 到半導體基板（w)之喷嘴（42)，及清洗用具諸如：藉著接觸 搓洗半導體基板（w)之束線型海綿。亦即，二度清洗單位 (26b)是具有乾燥功能之束線型兼超高音型兼機械夾型清 洗單位。具有乾燥功能之三度清洗單位（26c)包含清洗用具 諸如束線型海绵者，同時屬於束線型及機械夾型清洗單 位。 依據這種實施例，除兩階段清洗外，三階段清洗亦能 實施’並因此在這單一的研磨裝置得以執行複數個清洗方 法3特別是’有關在研磨單位(i 〇a)已被磨亮的半導體基板 (W)，得以在兩階段清洗中依序執行下述的處理過程：經由 . 裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之泣意事項再填寫本頁) •成’浪..k艾適用中®國家標準·;CNS) Α.·1規柊（210 公釐 21 31095： 44553 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（22 ) 初次清洗單位（26a。執行之初次清洗過程，經由三度清洗 單位（26c)實施之二度清洗過程，以及以旋轉離心力脫水的 過程；以及在三階段清洗中依序執行下述之處理過程：經 由初次清洗單位（2 6 a i)執行之初次清洗過程，經由二度清 洗單位（26b)執行之二度清洗過程，經由三度清洗單位（26c) 執行之三度清洗過程，以及以旋轉離心力脫水的過程。 在另一方面’關於在研磨單位（l〇b)已被磨亮的半導體 基板（w) ’得以在兩階段清洗中依序執行下述之處理過程· 經由初次清洗單位（2 6 a2)執行之初次清洗過程，經由二度 清洗單位（26b)或三度清洗單位（26c)執行之二度清洗過 程’以及以旋轉離心力脫水的過程；以及在三階段清洗中 依序執行下述處理過程：經由初次清洗單位（26a2)執行之 初次清洗流程，經由二度清洗單位（26b)執行之二度清洗過 程’經由三度清洗單位（26c)執行之三度清洗過程，以及以 旋轉離心力脫水的過程。 此外’可執行以下研磨過程①到⑤。亦即，由以下的路 徑處理一個半導體基板。 ① 初次清洗單位（26a。或（26a2)(任選用一個目前未使 用的）’—二度清洗單位（26b)—三度清洗單位（2 6 c)(三階 段清洗） ② 初次清洗單位（26a。—三度清洗單位（26c)—初次清 洗單位（26a2)—二度清洗單位（26b) ③ 初次清洗單位（26a)—初次清洗單位（26a2)—二度清 洗單位（26b)—三度清洗單位（26c) ------ ^--------訂----^------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 310953 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（23 ) @兩階段研磨[例如，研磨單位（l〇a)—研磨單位（1〇b)】 4初次清洗單位（26a!)—三度清洗單位（26c)或者初次清洗 單位（2 6a2)—二度清洗單位（26b)(於此情形，選擇獲得高生 產率之清洗路徑） ⑤初次研磨於研磨單位（10a)—初次清洗單位（26^)— 一度α洗於研磨單位（l〇b)y初次清洗單位（26a，）—二度清 洗單位（26b)~>三度清洗單位（26c)(三階段清洗） 如上所述，依據研磨時間、清洗時間或半導體基板種 類，可選擇得到有最佳特性的磨亮表面與高生產率之半導 體基板清洗過程。 依據本實施例，使用實施三種不同清洗處理的四個清 洗單位於實施兩階段清洗或者三階段清洗^然而，可使用 實施四種不同清洗處理的四個清洗單位，或者更多個清洗 單位，或可用於實施四階段清洗。在此情形中，實施不同 清洗過程之複數個清洗單位，或可予模組化，並從研磨裝 置中拆解或替換’以因應多樣化之清洗流程。 第9圖表示根據本發明第五實施例之一個研磨裝置。 於研磨部分（1 0),除了研磨單位（丨〇a)實施標準研磨外，另 設一個小尺度的結束研磨單位（10c)(flnish_p〇Hshing㈣⑴ 實施水研磨。結束研磨單位（1〇c)有一個結束研磨工作檯 (]2C)’該工作檯直徑稍大於待磨亮的半導體基板（w) ◊結 束研磨工作檯（12c)並非循著本身的轴心轉動，而是實施水 平面循環平移運動。這種循環平移運動係屬、執道運動" 或者、機械式捲動"。此循環平移運動係以下結構達成：在 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) 尺度遁甩申國國家標準（CNS)/U規格（2】ΰ 23 310953 445537 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24 ) 馬達驅動軸上端設一個偏心之驅動端，該驅動軸藉一個軸 承收容在結束研磨工作檯下表面之一處凹陷位置，而結束 研磨工作檯因受機械性約束而無法循本身軸心旋轉。此 外’由於水研磨時間比標準研磨時間短，除了顯示於第9 圖之研磨單位外，可設置實施第二標準研磨之研磨單位達 到更高生產率^ 對為結束研磨工作檯（12c)而言，宜使用比標準研磨布 更柔軟的材料。研磨布的例子包括：在商業上使用的聚酯 非織製纖維布、與由Rodel Products公司製造之PoHtex、 Suba800和IC-1000，以及由Fujimi公司製造的 SurfinXXX-5 和 SurfinOOO。以 Suba800，Surfin XXX-5 及

SurfinOOO商標銷售之研磨布是由纖維束及胺基甲酸脂樹 脂組成之非織布纖維製成，以冗-丨000商標銷售之研磨布 是由聚胺基甲酸酯製成。 在商業上使用之拭布例子有：由Toray工業公司銷售 之Miracle系列（商標），及由Kanebo，Ltd公司所銷售 Minimax (商標這些拭布有許多纖維，直徑1至2//ιη， 於高密度狀態之密度範圍15,500至31,000/平方公分 (100,000至200, 〇〇〇/平方英吋），具有大量的接觸點可接觸 擦拭對象’並因而具有優異之拭除微粒物質能力。由於這 拭布是一片薄布，為避免於結束研磨過程中造成半導體電 路基板損害’宜將栻布靠著緩衝用具（例如海绵或橡膠類物 質）附著在研磨工作檯上。 如在研磨工作檯（12c)水研磨的施作情況：研磨處理壓 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------- 本紙張尺度過用f國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 24 310953 經濟部智慧財逢局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（25 ) 力為0至200g/cm2，研磨工作檯和半導體電路基板間相對 速度為0.07至〇.6m/sec，以及處理時間為1〇至12〇秒。 依據該實施例’此研磨裝置提供生產率高於第1圖之 研磨裝置，並且所佔地板面積少於第6圖之研磨裝置。此 外’由於為專門實施水研磨提供之結束研磨單位（1〇c)，該 研磨裝置的結束加工處理能力極佳，只殘餘很少的刮痕和 乂微粒在磨亮的半導體電路基板表面上。為結束研磨（水研磨） 附著在結束研磨工作檯（12c)上之薄布可應用到研磨單位 (l〇b) ’該研磨單位係用於第6圖所示水研磨之一串列處理 程序。 雖然將研磨半導體基板（w)上Si〇2層之方法和裝置已 於上述實施例說明，本發明不受上述實施例限制。例如， 當研磨金屬層（譬如銅層）時，稀釋氫氟酸或者含氣化氫之 酸性水溶液可於初次清洗單位用作侵蝕液體。 1 由於上述的敘述明顯可知，根據本發明：因為經由此 二清洗單位處理後，半導體基板（你）被處理清潔並且乾燥， 使得相較於習知的裝置之處理時間可得以縮短，且研磨裝 置成本可得以減少。此外，由於搬運半導體基板之次數減 少，使得搬運過程簡化及半導體基板受污染的機會減少。 因此，經由這小尺寸的裝置，半導遨基板處理時間可縮短， 並同時可得到具有高清潔度之半導體基板。 雖然就本發明某些特定的較佳實施例作詳細介紹和敘 述’應當理解其中可能作出之不同變化和修正均在申請專 利範圍内。 裝--------訂---------線 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . ........... ....... 1^^· UiU X Ζ'όί ) 25 310953

Claims (1)

1. η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種研磨裝置，係為了研磨及後續清洗電路基板需用之 研磨裝置，該裝置包含： 至少具有一個研磨單位之研磨部分，該研磨部分將 基板按壓於一研磨表面而實施初次研磨及二度研磨； 一個清洗部分，將附著於已經研磨之基板上之微粒 以握洗清洗除去’及經由供給一種侵蝕性液體去除該電 路基板表面金屬離子。 2. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中該初次研磨和 該二度研磨係於相同之研磨單位執行。 3. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中該初次研磨和 該二度研磨係於二個研磨單位執行。 4. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中該研磨部分至 少包含二個研磨單位分別實施該初次研磨和該二度研 磨。 5. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中該研磨部分至 少包含二個研磨單位，以實施該初次研磨和該二度研 磨’而該清洗部分至少包含二個清洗單位以實施的不同 清洗過程。 6. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中該清洗單位包 含一個以預設轉速旋轉該電路基板之旋轉機構。 7. —種清洗裝置’係用以清洗已被磨亮基板之清洗裝置， 該裝置包含： 至少二個具有相同清洗功能之初次清洗單位’各為 已被磨亮之基板作初步清洗；和， -----------Γ 衣--------訂-----·---'产 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 310953 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 gl 六、申請專利範圍 一個共用的二度清洗單位，為已被初次清洗單位清 潔之電路基板作二度清洗。 8. 如申請專利範圍第7項之清洗裝置’其中之該基板各自 在該清洗單位中被清洗乾淨。 9. 如申請專利範圍第7項之清洗裝置，進一步包含一個乾 燥單位’用以將經過二度清洗之基板乾燥。 ‘· 10‘如申請專利範圍第7項之清洗裝置，其中該清洗過程中 包含經由供給一種侵蝕性液體清洗基板。 11. 一種清洗裝置’係用以清洗已被磨亮基板之清洗裝置， 該裝置包含： 至少三個清洗單位為清洗已被磨亮之基板；和， 一個自動移置機器於至少二個該清洗單位間搬移 基板； 其中，該基板經由選定的清洗過程清洗乾淨，該選 定的清洗過程係由該至少三個清洗單位令選出任何二 或二個清洗單位來執行。 ' 12.—種研磨裝置，係用以研磨及後續清洗基板之研磨裝 置’該裝置至少包含： 為研磨基板之複數個研磨單位；以及， 為’青洗該已被磨亮基板之複數個清洗單位； 其中該基板經由複數個磨洗路徑之不同過程處 理，該磨洗路徑各包括至少一個從該研磨單位及一個從 該清洗單位挑選的路徑。 3-種研磨方法，係用以研磨及後續清洗電路基板之研磨 f (CNS)A4,210^ 297 ) ~^Γ~~ -;-- 裝--------訂---------線 (靖先閱讀背面之注帝？事項再填寫本頁) 445537 § ___ D8 六、申請專利範圍 方法，該方法包含： 將基板按壓於研磨表面來進行初步研磨； 在低於該初次研磨之研磨速率下進行二度研磨； 將附著於已經研磨之基板上之微粒搓洗清洗除 去，並經由供給一種侵蝕性液體去除該電路基板表面之 金屬離子；以及， 去除電路基板表面該金屬離子後將該電路基板乾- 燥。 14.如申請專利範圍苐π項之研磨方法，其中該侵蝕性液 體包括含有氫氟酸之酸性水溶液。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —I-----—訂·-----,,---*轉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28 310953