JPH10125641A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH10125641A JPH10125641A JP8280886A JP28088696A JPH10125641A JP H10125641 A JPH10125641 A JP H10125641A JP 8280886 A JP8280886 A JP 8280886A JP 28088696 A JP28088696 A JP 28088696A JP H10125641 A JPH10125641 A JP H10125641A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板表面の全域を十分に洗浄することができる
基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】第１の工程１−Ｉおよび第２の工程１−II
において、ブラシ洗浄および薬液処理と並行して超音波
洗浄が行われる。その後、基板上の薬液を純水で置換す
る（第３の工程１−III）。 【効果】薬液洗浄と超音波洗浄との相乗効果によって、
ブラシ洗浄によっては洗浄できない基板の周縁部をも、
良好に洗浄できる。
基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】第１の工程１−Ｉおよび第２の工程１−II
において、ブラシ洗浄および薬液処理と並行して超音波
洗浄が行われる。その後、基板上の薬液を純水で置換す
る（第３の工程１−III）。 【効果】薬液洗浄と超音波洗浄との相乗効果によって、
ブラシ洗浄によっては洗浄できない基板の周縁部をも、
良好に洗浄できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板などの被処理基板に対して処理
を施すための装置および方法に関する。
晶表示装置用ガラス基板などの被処理基板に対して処理
を施すための装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）自身の表面、また
はウエハ表面に形成されたＳｉＯ2 （酸化シリコン）膜
やタングステン膜などの薄膜の表面を研磨する工程が含
まれる場合がある。このような研磨工程には、たとえ
ば、物理的な研磨と同時に化学物質による化学的な研磨
（たとえば表面の酸化など）を行うＣＭＰ（Chemical M
echanical Polishing ）と呼ばれる処理が適用される。
ＣＭＰ処理では、アルミナ（タングステン膜を研磨する
場合）やＳｉＯ2 （シリコンウエハ自身やＳｉＯ2 膜を
研磨する場合）などの粉末を薬液および純水に溶かして
得られる研磨剤を用いて、パッド状の研磨部材により、
ウエハ自身またはウエハ表面に形成された薄膜の表面が
擦られ、これにより表面の研磨が達成される。
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）自身の表面、また
はウエハ表面に形成されたＳｉＯ2 （酸化シリコン）膜
やタングステン膜などの薄膜の表面を研磨する工程が含
まれる場合がある。このような研磨工程には、たとえ
ば、物理的な研磨と同時に化学物質による化学的な研磨
（たとえば表面の酸化など）を行うＣＭＰ（Chemical M
echanical Polishing ）と呼ばれる処理が適用される。
ＣＭＰ処理では、アルミナ（タングステン膜を研磨する
場合）やＳｉＯ2 （シリコンウエハ自身やＳｉＯ2 膜を
研磨する場合）などの粉末を薬液および純水に溶かして
得られる研磨剤を用いて、パッド状の研磨部材により、
ウエハ自身またはウエハ表面に形成された薄膜の表面が
擦られ、これにより表面の研磨が達成される。
【０００３】上記の研磨剤はスラリーと呼ばれ、ＣＭＰ
処理後のウエハ表面に残るスラリーは、その後の製造工
程やデバイスの特性における障害となる。そこで、ＣＭ
Ｐ処理後には、スラリーを除去するためのウエハ洗浄工
程が必須となっている。ＣＭＰ処理後のウエハの表面を
洗浄するための典型的な従来技術においては、スピンチ
ャックによってウエハを高速に回転させている状態で、
ウエハの表面に薬液を供給しながら、ウエハの表面をブ
ラシスクラブしている。
処理後のウエハ表面に残るスラリーは、その後の製造工
程やデバイスの特性における障害となる。そこで、ＣＭ
Ｐ処理後には、スラリーを除去するためのウエハ洗浄工
程が必須となっている。ＣＭＰ処理後のウエハの表面を
洗浄するための典型的な従来技術においては、スピンチ
ャックによってウエハを高速に回転させている状態で、
ウエハの表面に薬液を供給しながら、ウエハの表面をブ
ラシスクラブしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来
技術では、ウエハの周縁部におけるスラリーを良好に洗
浄除去できないという問題があった。具体的に説明すれ
ば、図５に示すように、洗浄処理装置においては、ウエ
ハＷは、チャック本体１に複数のチャックピン２が立設
された構造のスピンチャック３により保持され、かつ回
転される。そして、このウエハＷの表面を自公転ブラシ
４によって中心から周縁部に向かってスキャンしていく
ことにより、ブラシスクラブ処理が行われる。ところ
が、自公転ブラシ４とチャックピン２との干渉を避ける
ために、自公転ブラシ４をウエハＷの端部までスキャン
させることができない。そのため、図６において斜線を
付して示すように、ウエハＷの周縁部５において、スラ
リー残りが生じていた。残留したスラリーは、パーティ
クルとなるから、ウエハＷに処理を施して得られる半導
体装置の歩留まりが悪くなるという問題があった。
技術では、ウエハの周縁部におけるスラリーを良好に洗
浄除去できないという問題があった。具体的に説明すれ
ば、図５に示すように、洗浄処理装置においては、ウエ
ハＷは、チャック本体１に複数のチャックピン２が立設
された構造のスピンチャック３により保持され、かつ回
転される。そして、このウエハＷの表面を自公転ブラシ
４によって中心から周縁部に向かってスキャンしていく
ことにより、ブラシスクラブ処理が行われる。ところ
が、自公転ブラシ４とチャックピン２との干渉を避ける
ために、自公転ブラシ４をウエハＷの端部までスキャン
させることができない。そのため、図６において斜線を
付して示すように、ウエハＷの周縁部５において、スラ
リー残りが生じていた。残留したスラリーは、パーティ
クルとなるから、ウエハＷに処理を施して得られる半導
体装置の歩留まりが悪くなるという問題があった。
【０００５】もちろん、ウエハＷの周縁部５におけるス
ラリーは、薬液による化学的な処理によりある程度は除
去されるのであるが、薬液処理のみでは十分な洗浄処理
を期することができなかった。そこで、本発明の目的
は、上述の技術的課題を解決し、基板表面の全域を十分
に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方
法を提供することである。
ラリーは、薬液による化学的な処理によりある程度は除
去されるのであるが、薬液処理のみでは十分な洗浄処理
を期することができなかった。そこで、本発明の目的
は、上述の技術的課題を解決し、基板表面の全域を十分
に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保
持して回転させるための基板保持手段と、超音波振動部
を有し、上記基板保持手段に保持された基板に、上記超
音波振動部によって超音波振動が付与された純水を供給
するための超音波ノズル手段と、上記基板保持手段に保
持された基板に薬液を供給するための薬液供給ノズル手
段と、上記超音波ノズル手段から基板の表面に超音波振
動が付与された純水を供給しつつ、上記薬液供給ノズル
手段から当該基板の表面に薬液を供給するように、上記
超音波ノズル手段および上記薬液供給ノズル手段を制御
する手段とを含むことを特徴とする基板処理装置であ
る。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保
持して回転させるための基板保持手段と、超音波振動部
を有し、上記基板保持手段に保持された基板に、上記超
音波振動部によって超音波振動が付与された純水を供給
するための超音波ノズル手段と、上記基板保持手段に保
持された基板に薬液を供給するための薬液供給ノズル手
段と、上記超音波ノズル手段から基板の表面に超音波振
動が付与された純水を供給しつつ、上記薬液供給ノズル
手段から当該基板の表面に薬液を供給するように、上記
超音波ノズル手段および上記薬液供給ノズル手段を制御
する手段とを含むことを特徴とする基板処理装置であ
る。
【０００７】上記の構成によれば、超音波振動が付与さ
れた純水の供給と薬液の供給とが同時に行われるから、
超音波洗浄と薬液洗浄との相乗効果によって、極めて効
果的に基板の洗浄を行える。したがって、基板表面の全
域を十分に洗浄することができる。また、超音波洗浄と
薬液洗浄とを並行して行うので、両者を別々に行う場合
に比較して処理時間を短くすることができるうえ、両者
の相乗効果によって薬液洗浄時間を短くすることができ
るから、これによっても全体の処理時間を短縮できる。
しかも、薬液洗浄時間が短縮されることにより、薬液の
使用量が少なくなるという利点もある。
れた純水の供給と薬液の供給とが同時に行われるから、
超音波洗浄と薬液洗浄との相乗効果によって、極めて効
果的に基板の洗浄を行える。したがって、基板表面の全
域を十分に洗浄することができる。また、超音波洗浄と
薬液洗浄とを並行して行うので、両者を別々に行う場合
に比較して処理時間を短くすることができるうえ、両者
の相乗効果によって薬液洗浄時間を短くすることができ
るから、これによっても全体の処理時間を短縮できる。
しかも、薬液洗浄時間が短縮されることにより、薬液の
使用量が少なくなるという利点もある。
【０００８】請求項２記載の発明は、上記超音波ノズル
手段から基板の表面に超音波振動が付与された純水を供
給しつつ、上記スクラブ洗浄手段によって当該基板の表
面をスクラブするように、上記超音波ノズル手段および
上記スクラブ洗浄手段を制御する手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。この
構成によれば、スクラブ洗浄と超音波洗浄とが並行して
行われるから、効率的に洗浄を行うことができるので、
処理時間を短縮できる。しかも、たとえ、基板の一部が
スクラブ洗浄されないとしても、そのような部分の洗浄
は超音波洗浄および薬液洗浄を並行して実施することに
よって十分に達成できるから、洗浄が不十分な領域が生
じるおそれはない。
手段から基板の表面に超音波振動が付与された純水を供
給しつつ、上記スクラブ洗浄手段によって当該基板の表
面をスクラブするように、上記超音波ノズル手段および
上記スクラブ洗浄手段を制御する手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。この
構成によれば、スクラブ洗浄と超音波洗浄とが並行して
行われるから、効率的に洗浄を行うことができるので、
処理時間を短縮できる。しかも、たとえ、基板の一部が
スクラブ洗浄されないとしても、そのような部分の洗浄
は超音波洗浄および薬液洗浄を並行して実施することに
よって十分に達成できるから、洗浄が不十分な領域が生
じるおそれはない。
【０００９】請求項３記載の発明は、上記薬液供給ノズ
ル手段は、フッ酸が含まれた薬液を上記基板保持手段に
保持された基板に供給するものであることを特徴とする
請求項１または２記載の基板処理装置である。フッ酸
は、特に、シリコン基板や酸化シリコン膜付の基板を研
磨処理した後の基板の洗浄において高い洗浄効果を得る
ことができる物質である。しかも、室温で用いることが
でき、また、薬液の作成のために必要な液体の種類が少
ないというメリットがあり、装置の構成を簡単にするこ
とができる。
ル手段は、フッ酸が含まれた薬液を上記基板保持手段に
保持された基板に供給するものであることを特徴とする
請求項１または２記載の基板処理装置である。フッ酸
は、特に、シリコン基板や酸化シリコン膜付の基板を研
磨処理した後の基板の洗浄において高い洗浄効果を得る
ことができる物質である。しかも、室温で用いることが
でき、また、薬液の作成のために必要な液体の種類が少
ないというメリットがあり、装置の構成を簡単にするこ
とができる。
【００１０】請求項４記載の発明は、上記薬液供給ノズ
ル手段は、アンモニアが含まれた薬液を上記基板保持手
段に保持された基板に供給するものであることを特徴と
する請求項１または２記載の基板処理装置である。アン
モニアは、特に、タングステン膜付の基板を研磨処理し
た後の基板の洗浄において高い洗浄効果を得ることがで
きる物質である。しかも、薬液の作成のために必要な液
体の種類が少ないから、装置の構成を簡素化できるとい
うメリットがある。
ル手段は、アンモニアが含まれた薬液を上記基板保持手
段に保持された基板に供給するものであることを特徴と
する請求項１または２記載の基板処理装置である。アン
モニアは、特に、タングステン膜付の基板を研磨処理し
た後の基板の洗浄において高い洗浄効果を得ることがで
きる物質である。しかも、薬液の作成のために必要な液
体の種類が少ないから、装置の構成を簡素化できるとい
うメリットがある。
【００１１】請求項５記載の発明は、上記超音波供給ノ
ズル手段は、薬液雰囲気に対して露出する外面が樹脂で
形成されている吐出ノズルを有していることを特徴とす
る請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置で
ある。この構成によれば、吐出ノズルの外面が樹脂で形
成されているから、薬液処理と並行して超音波洗浄処理
を行っても、薬液や薬液雰囲気の影響を受けて錆を発生
することがない。そのため、パーティクルの発生を少な
くすることができる。なお、吐出ノズルの内面であって
も、薬液雰囲気に晒される可能性がある部分について
は、樹脂で形成されていることが好ましい。
ズル手段は、薬液雰囲気に対して露出する外面が樹脂で
形成されている吐出ノズルを有していることを特徴とす
る請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置で
ある。この構成によれば、吐出ノズルの外面が樹脂で形
成されているから、薬液処理と並行して超音波洗浄処理
を行っても、薬液や薬液雰囲気の影響を受けて錆を発生
することがない。そのため、パーティクルの発生を少な
くすることができる。なお、吐出ノズルの内面であって
も、薬液雰囲気に晒される可能性がある部分について
は、樹脂で形成されていることが好ましい。
【００１２】請求項６の発明は、基板保持手段により基
板を保持して回転させる工程と、基板が回転されている
期間に、当該基板の表面に超音波振動が付与された純水
を供給する工程と、超音波振動が付与された純水が基板
に供給されている期間に、当該基板の表面に薬液を供給
する薬液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方
法である。
板を保持して回転させる工程と、基板が回転されている
期間に、当該基板の表面に超音波振動が付与された純水
を供給する工程と、超音波振動が付与された純水が基板
に供給されている期間に、当該基板の表面に薬液を供給
する薬液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方
法である。
【００１３】この方法により、請求項１の発明と同様の
作用および効果を達成できる。請求項７の発明は、超音
波振動が付与された純水が基板に供給されている期間
に、当該基板の表面をスクラブするスクラブ洗浄工程を
さらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理方
法である。この方法により、請求項２の発明と同様の作
用および効果を達成できる。
作用および効果を達成できる。請求項７の発明は、超音
波振動が付与された純水が基板に供給されている期間
に、当該基板の表面をスクラブするスクラブ洗浄工程を
さらに含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理方
法である。この方法により、請求項２の発明と同様の作
用および効果を達成できる。
【００１４】請求項８の発明は、上記スクラブ洗浄工程
の後に、上記薬液供給工程を行うことを特徴とする請求
項７記載の基板処理方法である。この方法によれば、ス
クラブ洗浄および超音波洗浄が並行して行われることに
より大部分の洗浄が終了した後に、薬液洗浄および超音
波洗浄が並行して行われるから、全体の処理時間をさら
に短縮できる。
の後に、上記薬液供給工程を行うことを特徴とする請求
項７記載の基板処理方法である。この方法によれば、ス
クラブ洗浄および超音波洗浄が並行して行われることに
より大部分の洗浄が終了した後に、薬液洗浄および超音
波洗浄が並行して行われるから、全体の処理時間をさら
に短縮できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置
の構成を示す概念図である。この洗浄装置は、ウエハＷ
を水平に保持して回転するための基板保持手段としての
スピンチャック１１と、ウエハＷをその中心を通る鉛直
軸まわりに高速回転するためにスピンチャック１１を回
転駆動するモータ１５とを備えている。スピンチャック
１１は、中心から６本のアーム１２が等角度間隔で延設
されたチャック本体１３と、アーム１２の各先端に立設
されたチャックピン１４とを有しており、このチャック
ピン１４によってウエハＷの周縁部を保持する構成とな
っている。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置
の構成を示す概念図である。この洗浄装置は、ウエハＷ
を水平に保持して回転するための基板保持手段としての
スピンチャック１１と、ウエハＷをその中心を通る鉛直
軸まわりに高速回転するためにスピンチャック１１を回
転駆動するモータ１５とを備えている。スピンチャック
１１は、中心から６本のアーム１２が等角度間隔で延設
されたチャック本体１３と、アーム１２の各先端に立設
されたチャックピン１４とを有しており、このチャック
ピン１４によってウエハＷの周縁部を保持する構成とな
っている。
【００１６】スピンチャック１１の周囲には、スピンチ
ャック１１に保持されたウエハＷの中心に向けて薬液を
供給するための薬液用固定ノズル２１と、同じくスピン
チャック１１に保持されたウエハＷの中心に向けて純水
を供給するための純水用固定ノズル２２と、軸２３ａま
わりに揺動する揺動腕２３ｂの先端付近に吐出口を有す
る超音波洗浄用スキャンノズル２３と、軸２４ａまわり
に揺動する揺動腕２４ｂの先端付近に自転ブラシ２４ｃ
を有するスクラブ洗浄手段としての自公転ブラシ装置２
４とが配置されている。
ャック１１に保持されたウエハＷの中心に向けて薬液を
供給するための薬液用固定ノズル２１と、同じくスピン
チャック１１に保持されたウエハＷの中心に向けて純水
を供給するための純水用固定ノズル２２と、軸２３ａま
わりに揺動する揺動腕２３ｂの先端付近に吐出口を有す
る超音波洗浄用スキャンノズル２３と、軸２４ａまわり
に揺動する揺動腕２４ｂの先端付近に自転ブラシ２４ｃ
を有するスクラブ洗浄手段としての自公転ブラシ装置２
４とが配置されている。
【００１７】超音波洗浄用スキャンノズル２３は、薬液
雰囲気に晒される外表面が樹脂からなっている。この超
音波洗浄用スキャンノズル２３は、揺動腕２３ｂの揺動
によって、その吐出口を、スピンチャック１１に保持さ
れたウエハＷの半径方向にほぼ沿って移動させることが
できるものであり、ウエハＷの表面に超音波振動が付与
された純水を供給する。スキャンノズル２３の揺動を実
現するために、揺動腕２３ｂに関連し、揺動駆動機構３
１が備えられている。超音波洗浄用スキャンノズル２３
の先端付近の構成は、図２に示すとおりである。すなわ
ち、ノズルヘッド５０には、振動室５１が形成されてお
り、この振動室５１は、純水が供給される配管５２、お
よび斜め下方に向けて形成された吐出口５３と連通して
いる。振動室５１の内壁には、超音波振動部としての振
動子５４が配置されており、この振動子５４を発振器５
５によって超音波周波数で振動させることにより、振動
室５１内の純水に超音波振動が付与される。
雰囲気に晒される外表面が樹脂からなっている。この超
音波洗浄用スキャンノズル２３は、揺動腕２３ｂの揺動
によって、その吐出口を、スピンチャック１１に保持さ
れたウエハＷの半径方向にほぼ沿って移動させることが
できるものであり、ウエハＷの表面に超音波振動が付与
された純水を供給する。スキャンノズル２３の揺動を実
現するために、揺動腕２３ｂに関連し、揺動駆動機構３
１が備えられている。超音波洗浄用スキャンノズル２３
の先端付近の構成は、図２に示すとおりである。すなわ
ち、ノズルヘッド５０には、振動室５１が形成されてお
り、この振動室５１は、純水が供給される配管５２、お
よび斜め下方に向けて形成された吐出口５３と連通して
いる。振動室５１の内壁には、超音波振動部としての振
動子５４が配置されており、この振動子５４を発振器５
５によって超音波周波数で振動させることにより、振動
室５１内の純水に超音波振動が付与される。
【００１８】自公転ブラシ装置２４は、上述のように、
揺動腕２４ｂの先端に自転ブラシ２４ｃを有し、この自
転ブラシ２４ｃが揺動腕２４ｂの揺動にって軸２４ａま
わりに公転するようになっている。そして、揺動腕２４
ｂの揺動によって、自転ブラシ２４ｃは、スピンチャッ
ク１１に保持されたウエハＷを中心から周縁に向かって
スキャンできるようになっている。このような動作を実
現するために、自公転ブラシ装置２４に関連して、ブラ
シ駆動機構３２が備えられている。ブラシ駆動機構３２
は、揺動腕２４ｂを揺動させるための揺動駆動機構、自
転ブラシ２４ｃを鉛直軸まわりに回転駆動するための回
転駆動機構、および揺動腕２４ｂを昇降するための昇降
機構を備えている。この昇降機構の働きにより、自転ブ
ラシ２４ｃは、ウエハＷの外側から中心に向かって移動
するときには、ウエハＷの表面から離間した上昇位置に
制御され、ウエハＷの中心から周縁部に向かって移動す
るときには、ウエハＷの表面に接触した処理位置に制御
される。
揺動腕２４ｂの先端に自転ブラシ２４ｃを有し、この自
転ブラシ２４ｃが揺動腕２４ｂの揺動にって軸２４ａま
わりに公転するようになっている。そして、揺動腕２４
ｂの揺動によって、自転ブラシ２４ｃは、スピンチャッ
ク１１に保持されたウエハＷを中心から周縁に向かって
スキャンできるようになっている。このような動作を実
現するために、自公転ブラシ装置２４に関連して、ブラ
シ駆動機構３２が備えられている。ブラシ駆動機構３２
は、揺動腕２４ｂを揺動させるための揺動駆動機構、自
転ブラシ２４ｃを鉛直軸まわりに回転駆動するための回
転駆動機構、および揺動腕２４ｂを昇降するための昇降
機構を備えている。この昇降機構の働きにより、自転ブ
ラシ２４ｃは、ウエハＷの外側から中心に向かって移動
するときには、ウエハＷの表面から離間した上昇位置に
制御され、ウエハＷの中心から周縁部に向かって移動す
るときには、ウエハＷの表面に接触した処理位置に制御
される。
【００１９】薬液用固定ノズル２１には、薬液タンク
（図示せず）から薬液供給バルブ３３を介してフッ酸ま
たはアンモニアなどを含む薬液が供給される。また、純
水用固定ノズル２２には、純水タンク（図示せず）か
ら、純水供給バルブ３４を介して、純水が供給される。
さらに、超音波洗浄用スキャンノズル２３のノズルヘッ
ドに接続された配管５２には、図外の純水タンクから純
水が供給されるようになっており、その途中部には、純
水供給バルブ３５が接続されている。薬液用固定ノズル
２１および薬液供給バルブ３３などにより薬液供給ノズ
ル手段が構成されている。また、上記超音波洗浄用スキ
ャンノズル２３および純水供給バルブ３５などにより、
超音波ノズル手段が構成されており、この場合に、超音
波洗浄用スキャンノズル２３が吐出ノズルに相当する。
（図示せず）から薬液供給バルブ３３を介してフッ酸ま
たはアンモニアなどを含む薬液が供給される。また、純
水用固定ノズル２２には、純水タンク（図示せず）か
ら、純水供給バルブ３４を介して、純水が供給される。
さらに、超音波洗浄用スキャンノズル２３のノズルヘッ
ドに接続された配管５２には、図外の純水タンクから純
水が供給されるようになっており、その途中部には、純
水供給バルブ３５が接続されている。薬液用固定ノズル
２１および薬液供給バルブ３３などにより薬液供給ノズ
ル手段が構成されている。また、上記超音波洗浄用スキ
ャンノズル２３および純水供給バルブ３５などにより、
超音波ノズル手段が構成されており、この場合に、超音
波洗浄用スキャンノズル２３が吐出ノズルに相当する。
【００２０】上述の揺動駆動機構３１、ブラシ駆動機構
３２、薬液供給バルブ３３、純水供給バルブ３４、純水
供給バルブ３５、発振器５５、およびモータ１５を含む
装置の各部の動作は、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含
む制御部４０によって制御される。これにより、次に説
明する処理フローに従うウエハＷの洗浄処理が実現され
る。
３２、薬液供給バルブ３３、純水供給バルブ３４、純水
供給バルブ３５、発振器５５、およびモータ１５を含む
装置の各部の動作は、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含
む制御部４０によって制御される。これにより、次に説
明する処理フローに従うウエハＷの洗浄処理が実現され
る。
【００２１】図３は、シリコンからなるウエハＷ自体ま
たはＳｉＯ2 膜が表面に形成されたウエハＷの表面にＣ
ＭＰ処理を施した後の洗浄処理について説明するための
図である。ウエハＷ自体またはＳｉＯ2 膜が表面に形成
されたウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施す場合、ＳｉＯ
2 粉末を用いた研磨剤が適用される。そのため、ＣＭＰ
後の洗浄において用いられる薬液は、ＳｉＯ2 を腐食さ
せることができるフッ酸（ＨＦ）を含む薬液である。し
たがって、薬液用固定ノズル２１に供給される薬液は、
フッ酸を含む薬液である。
たはＳｉＯ2 膜が表面に形成されたウエハＷの表面にＣ
ＭＰ処理を施した後の洗浄処理について説明するための
図である。ウエハＷ自体またはＳｉＯ2 膜が表面に形成
されたウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施す場合、ＳｉＯ
2 粉末を用いた研磨剤が適用される。そのため、ＣＭＰ
後の洗浄において用いられる薬液は、ＳｉＯ2 を腐食さ
せることができるフッ酸（ＨＦ）を含む薬液である。し
たがって、薬液用固定ノズル２１に供給される薬液は、
フッ酸を含む薬液である。
【００２２】まず、スピンチャック１１にウエハＷが保
持される。その後、制御部４０は、モータ１５を回転さ
せる。これにより、スピンチャック１１はウエハＷを保
持した状態で高速に回転する。次いで、制御部４０は、
第１の工程１−Ｉを実行するために、ブラシ駆動機構３
２を制御して自公転ブラシ装置２４を動作させ、また、
揺動駆動機構３１を制御して超音波洗浄用スキャンノズ
ル２３を揺動させるとともに、発振器５５を動作させ
る。さらに、制御部４０は、純水用固定ノズル２２に接
続された純水供給バルブ３４を開成し、超音波洗浄用ス
キャンノズル２３に接続された純水供給バルブ３５を開
成する。また、制御部４０は、薬液供給ノズル３３は閉
成状態に制御する。
持される。その後、制御部４０は、モータ１５を回転さ
せる。これにより、スピンチャック１１はウエハＷを保
持した状態で高速に回転する。次いで、制御部４０は、
第１の工程１−Ｉを実行するために、ブラシ駆動機構３
２を制御して自公転ブラシ装置２４を動作させ、また、
揺動駆動機構３１を制御して超音波洗浄用スキャンノズ
ル２３を揺動させるとともに、発振器５５を動作させ
る。さらに、制御部４０は、純水用固定ノズル２２に接
続された純水供給バルブ３４を開成し、超音波洗浄用ス
キャンノズル２３に接続された純水供給バルブ３５を開
成する。また、制御部４０は、薬液供給ノズル３３は閉
成状態に制御する。
【００２３】これにより、ウエハＷの表面は、純水およ
び超音波振動が施された純水が供給されている状態で、
自公転ブラシ装置２４によるスクラブ洗浄が施される。
その結果、ウエハＷの大半の部分では、スクラブ洗浄と
ともに超音波振動が与えられた純水による洗浄が行われ
る。また、スピンチャック１１のチャックピン１４との
干渉を回避することにより自転ブラシ２４ｃによるスク
ラブを受けることのないウエハＷの周縁部においては、
超音波が付与された純水による洗浄が行われることにな
る。
び超音波振動が施された純水が供給されている状態で、
自公転ブラシ装置２４によるスクラブ洗浄が施される。
その結果、ウエハＷの大半の部分では、スクラブ洗浄と
ともに超音波振動が与えられた純水による洗浄が行われ
る。また、スピンチャック１１のチャックピン１４との
干渉を回避することにより自転ブラシ２４ｃによるスク
ラブを受けることのないウエハＷの周縁部においては、
超音波が付与された純水による洗浄が行われることにな
る。
【００２４】このような第１の工程１−Ｉの処理が一定
時間行われた後には、制御部４０は、第２の工程１−II
を実行するために、純水供給バルブ３４を閉成させ、薬
液供給ノズル３３を開成させて、かつ、自公転ブラシ装
置２４の動作を停止させる。その結果、ウエハＷには、
超音波振動が付与された純水が超音波洗浄用スキャンノ
ズル２３から供給されるとともに、薬液用固定ノズル２
１からフッ酸を含む薬液が供給される状態となる。これ
により、ウエハＷの表面の全部分において、薬液および
超音波洗浄が行われることになる。
時間行われた後には、制御部４０は、第２の工程１−II
を実行するために、純水供給バルブ３４を閉成させ、薬
液供給ノズル３３を開成させて、かつ、自公転ブラシ装
置２４の動作を停止させる。その結果、ウエハＷには、
超音波振動が付与された純水が超音波洗浄用スキャンノ
ズル２３から供給されるとともに、薬液用固定ノズル２
１からフッ酸を含む薬液が供給される状態となる。これ
により、ウエハＷの表面の全部分において、薬液および
超音波洗浄が行われることになる。
【００２５】純水に付与されている超音波振動は、ウエ
ハＷの表面において薬液にも伝達されるから、ウエハＷ
の表面においては、超音波振動が付与された薬液による
洗浄が行われていると考えることができる。これによ
り、スクラブ洗浄によっては除去できないウエハＷの周
縁部のスラリーを良好に除去することができる。その後
は、第３の工程１−IIIを実行するために、制御部４０
は、薬液供給バルブ３３および純水供給バルブ３５を閉
成し、純水用固定バルブ２２に純水を供給するための純
水供給バルブ３４を開成する。これにより、第２の工程
１−IIの結果ウエハＷの表面に残留している薬液が純水
で置換され、全工程が終了する。
ハＷの表面において薬液にも伝達されるから、ウエハＷ
の表面においては、超音波振動が付与された薬液による
洗浄が行われていると考えることができる。これによ
り、スクラブ洗浄によっては除去できないウエハＷの周
縁部のスラリーを良好に除去することができる。その後
は、第３の工程１−IIIを実行するために、制御部４０
は、薬液供給バルブ３３および純水供給バルブ３５を閉
成し、純水用固定バルブ２２に純水を供給するための純
水供給バルブ３４を開成する。これにより、第２の工程
１−IIの結果ウエハＷの表面に残留している薬液が純水
で置換され、全工程が終了する。
【００２６】その後、制御部４０は、純水供給バルブ３
４を閉成し、さらに、モータＭを停止する。洗浄処理が
終了したウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって
搬出され、たとえば、水洗および乾燥を行うための別の
処理ユニットに搬入される。なお、上記第２の工程１−
IIにおいて、スクラブ洗浄処理を行ってもよく、この場
合、スクラブ洗浄処理とともに薬液および超音波洗浄が
並行して行われるので、さらに洗浄効果が高められる。
４を閉成し、さらに、モータＭを停止する。洗浄処理が
終了したウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって
搬出され、たとえば、水洗および乾燥を行うための別の
処理ユニットに搬入される。なお、上記第２の工程１−
IIにおいて、スクラブ洗浄処理を行ってもよく、この場
合、スクラブ洗浄処理とともに薬液および超音波洗浄が
並行して行われるので、さらに洗浄効果が高められる。
【００２７】図４は、表面にタングステン膜が形成され
たウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施した後の洗浄処理を
説明するための図である。タングステン膜にＣＭＰ処理
を施す場合、アルミナ粉末を用いた研磨剤が適用され
る。そのため、ＣＭＰ処理後の洗浄において用いられる
薬液は、アルミナを腐食させることができる薬液、たと
えばアンモニアを含む薬液である。したがって、薬液用
固定ノズル２１に供給される薬液は、アンモニアを含む
薬液である。
たウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施した後の洗浄処理を
説明するための図である。タングステン膜にＣＭＰ処理
を施す場合、アルミナ粉末を用いた研磨剤が適用され
る。そのため、ＣＭＰ処理後の洗浄において用いられる
薬液は、アルミナを腐食させることができる薬液、たと
えばアンモニアを含む薬液である。したがって、薬液用
固定ノズル２１に供給される薬液は、アンモニアを含む
薬液である。
【００２８】スピンチャック１１にウエハＷが保持さ
れ、モータ１５が回転されると、ウエハＷが高速に回転
する。次いで、制御部４０は、第１の工程２−Ｉを実行
するために、ブラシ駆動機構３２を制御して自公転ブラ
シ装置２４を動作させ、また、揺動駆動機構３１を制御
して超音波洗浄用スキャンノズル２３を揺動させるとと
もに、発振器５５を動作させる。さらに、制御部４０
は、薬液供給ノズル３３を開成し、純水用固定ノズル２
２に接続された純水供給バルブ３４を閉成し、超音波洗
浄用スキャンノズル２３に接続された純水供給バルブ３
５を開成する。
れ、モータ１５が回転されると、ウエハＷが高速に回転
する。次いで、制御部４０は、第１の工程２−Ｉを実行
するために、ブラシ駆動機構３２を制御して自公転ブラ
シ装置２４を動作させ、また、揺動駆動機構３１を制御
して超音波洗浄用スキャンノズル２３を揺動させるとと
もに、発振器５５を動作させる。さらに、制御部４０
は、薬液供給ノズル３３を開成し、純水用固定ノズル２
２に接続された純水供給バルブ３４を閉成し、超音波洗
浄用スキャンノズル２３に接続された純水供給バルブ３
５を開成する。
【００２９】これにより、ウエハＷの表面には、薬液と
超音波振動が施された純水とが供給されている状態で、
自公転ブラシ装置２４によるスクラブ洗浄が施される。
その結果、ウエハＷの大半の部分では、スクラブ洗浄、
薬液洗浄、および超音波洗浄が並行して行われる。ま
た、スピンチャック１１のチャックピン１４との干渉を
回避することにより自公転ブラシ装置２４によるスクラ
ブを受けることのないウエハＷの周縁部においては、超
音波振動が付与された純水および薬液による洗浄が行わ
れることになる。ウエハＷの表面において、超音波振動
が付与された純水から薬液に超音波振動が伝達される点
は、図３の第２の工程１−IIに関連して説明したとおり
である。
超音波振動が施された純水とが供給されている状態で、
自公転ブラシ装置２４によるスクラブ洗浄が施される。
その結果、ウエハＷの大半の部分では、スクラブ洗浄、
薬液洗浄、および超音波洗浄が並行して行われる。ま
た、スピンチャック１１のチャックピン１４との干渉を
回避することにより自公転ブラシ装置２４によるスクラ
ブを受けることのないウエハＷの周縁部においては、超
音波振動が付与された純水および薬液による洗浄が行わ
れることになる。ウエハＷの表面において、超音波振動
が付与された純水から薬液に超音波振動が伝達される点
は、図３の第２の工程１−IIに関連して説明したとおり
である。
【００３０】このような第１の工程２−Ｉの処理が一定
時間行われた後には、制御部４０は、第２の工程２−II
を実行するために、自公転ブラシ装置２４の動作を停止
させ、さらに、薬液供給バルブ３３を閉成する。そし
て、純水用固定ノズル２２に純水を供給するための純水
供給バルブ３４を開成する。その結果、ウエハＷには、
超音波振動が付与された純水が超音波洗浄用スキャンノ
ズル２３から供給されるとともに、純水用固定ノズル２
２から純水が供給される状態となる。その結果、ウエハ
Ｗの表面の全部分において、超音波洗浄が行われること
になる。
時間行われた後には、制御部４０は、第２の工程２−II
を実行するために、自公転ブラシ装置２４の動作を停止
させ、さらに、薬液供給バルブ３３を閉成する。そし
て、純水用固定ノズル２２に純水を供給するための純水
供給バルブ３４を開成する。その結果、ウエハＷには、
超音波振動が付与された純水が超音波洗浄用スキャンノ
ズル２３から供給されるとともに、純水用固定ノズル２
２から純水が供給される状態となる。その結果、ウエハ
Ｗの表面の全部分において、超音波洗浄が行われること
になる。
【００３１】その後、所定時間が経過すると、制御部４
０は、超音波洗浄用スキャンノズル２３に純水を供給す
る純水供給バルブ３５を閉成する（第３の工程２−II
I）。これにより、その後は、ウエハＷの表面に残留す
る薬液が、純水用固定ノズル２２から供給される純水に
よって置換され、洗浄処理が終了する。以上のように本
実施形態によれば、ウエハＷに薬液を供給する際に、同
時に、超音波振動が付与された純水を供給するようにし
ている。そのため、結果として、超音波振動が付与され
た薬液によりウエハ表面が洗浄されることになるから、
スクラブ処理を受けないウエハＷの周縁部分においてス
ラリー残りを生じさせることなく、ウエハＷの全表面に
対して良好な洗浄処理を達成できる。しかも、薬液洗浄
と超音波洗浄とを並行して行うことにより、薬液による
スラリーの除去を効率的に行えるので、薬液吐出時間を
短縮できる。これにより、全体の処理時間を短縮できる
とともに、薬液の使用量を少なくすることができる。ま
た、薬液による洗浄と超音波洗浄とを並行して行ってい
ることにより、これらの２種類の洗浄を別々に行う場合
に比較して、全体の処理時間を短縮できる。
０は、超音波洗浄用スキャンノズル２３に純水を供給す
る純水供給バルブ３５を閉成する（第３の工程２−II
I）。これにより、その後は、ウエハＷの表面に残留す
る薬液が、純水用固定ノズル２２から供給される純水に
よって置換され、洗浄処理が終了する。以上のように本
実施形態によれば、ウエハＷに薬液を供給する際に、同
時に、超音波振動が付与された純水を供給するようにし
ている。そのため、結果として、超音波振動が付与され
た薬液によりウエハ表面が洗浄されることになるから、
スクラブ処理を受けないウエハＷの周縁部分においてス
ラリー残りを生じさせることなく、ウエハＷの全表面に
対して良好な洗浄処理を達成できる。しかも、薬液洗浄
と超音波洗浄とを並行して行うことにより、薬液による
スラリーの除去を効率的に行えるので、薬液吐出時間を
短縮できる。これにより、全体の処理時間を短縮できる
とともに、薬液の使用量を少なくすることができる。ま
た、薬液による洗浄と超音波洗浄とを並行して行ってい
ることにより、これらの２種類の洗浄を別々に行う場合
に比較して、全体の処理時間を短縮できる。
【００３２】また、自公転ブラシ装置２４によるスクラ
ブ処理と超音波洗浄とを並行して行うようにしているか
ら、これによっても、洗浄効果が高められる。しかも、
薬液洗浄とスクラブ洗浄との両方の期間に渡って超音波
洗浄を継続して行うようにすれば、超音波洗浄を長時間
に渡ってウエハＷに施すことができるから、ウエハＷの
周縁部のスラリーをより確実に除去することができる。
ブ処理と超音波洗浄とを並行して行うようにしているか
ら、これによっても、洗浄効果が高められる。しかも、
薬液洗浄とスクラブ洗浄との両方の期間に渡って超音波
洗浄を継続して行うようにすれば、超音波洗浄を長時間
に渡ってウエハＷに施すことができるから、ウエハＷの
周縁部のスラリーをより確実に除去することができる。
【００３３】さらに、超音波洗浄用スキャンノズル２３
は、薬液雰囲気に対して露出する外表面が樹脂で形成さ
れているから、薬液による腐食を受けるおそれがない。
なお、たとえば、ノズルヘッド５０の吐出口５３の内壁
面や振動室５１の内面についても、樹脂で形成しておけ
ば、振動室５１および吐出口５３に常時純水が満たされ
ていない場合であっても、それらの部分の腐食を防止で
きる。
は、薬液雰囲気に対して露出する外表面が樹脂で形成さ
れているから、薬液による腐食を受けるおそれがない。
なお、たとえば、ノズルヘッド５０の吐出口５３の内壁
面や振動室５１の内面についても、樹脂で形成しておけ
ば、振動室５１および吐出口５３に常時純水が満たされ
ていない場合であっても、それらの部分の腐食を防止で
きる。
【００３４】この発明の１つの実施形態について説明し
たが、本発明が他の実施形態を有することは言うまでも
ない。たとえは、上述の実施形態においては、ウエハＷ
自身の表面のＣＭＰ処理後またはＳｉＯ2 膜付のウエハ
Ｗの表面のＣＭＰ処理後における洗浄処理において、フ
ッ酸を含む薬液を用いているが、フッ酸の代わりに、フ
ッ酸過水、アンモニアまたはＳＣ１（アンモニア過水
（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2 ＋Ｈ2Ｏ）の一種）を用いてもよ
い。ただし、洗浄効果の点では、フッ酸が最も優れてい
る。また、フッ酸の使用温度が室温であるのに対してＳ
Ｃ１の使用温度は６０℃ないし８０℃であり、しかも、
ＳＣ１においてはＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2 およびＨ2Ｏとい
う３種類の液体を混合する必要があるのに対して、フッ
酸を用いる場合にはフッ酸と水との２種類の液体を用い
れば足りる。したがって、装置の構成の簡素化の点から
も、フッ酸を用いることが好ましいと言える。
たが、本発明が他の実施形態を有することは言うまでも
ない。たとえは、上述の実施形態においては、ウエハＷ
自身の表面のＣＭＰ処理後またはＳｉＯ2 膜付のウエハ
Ｗの表面のＣＭＰ処理後における洗浄処理において、フ
ッ酸を含む薬液を用いているが、フッ酸の代わりに、フ
ッ酸過水、アンモニアまたはＳＣ１（アンモニア過水
（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2 ＋Ｈ2Ｏ）の一種）を用いてもよ
い。ただし、洗浄効果の点では、フッ酸が最も優れてい
る。また、フッ酸の使用温度が室温であるのに対してＳ
Ｃ１の使用温度は６０℃ないし８０℃であり、しかも、
ＳＣ１においてはＮＨ4ＯＨ、Ｈ2Ｏ2 およびＨ2Ｏとい
う３種類の液体を混合する必要があるのに対して、フッ
酸を用いる場合にはフッ酸と水との２種類の液体を用い
れば足りる。したがって、装置の構成の簡素化の点から
も、フッ酸を用いることが好ましいと言える。
【００３５】また、上記の実施形態においては、タング
ステン膜付のウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施した後の
洗浄処理においては、アンモニアを含む薬液を用いてい
るが、これに代えてＳＣ１が用いられてもよい。ただ
し、洗浄効果の点においてアンモニアの方が優れてお
り、さらに、アンモニアの場合には２種類の液体（アン
モニアおよび水）で足りるのに対してＳＣ１の場合には
３種類の液体が必要であるから、装置の構成の簡素化の
点からもアンモニアの方が好ましいと言える。
ステン膜付のウエハＷの表面にＣＭＰ処理を施した後の
洗浄処理においては、アンモニアを含む薬液を用いてい
るが、これに代えてＳＣ１が用いられてもよい。ただ
し、洗浄効果の点においてアンモニアの方が優れてお
り、さらに、アンモニアの場合には２種類の液体（アン
モニアおよび水）で足りるのに対してＳＣ１の場合には
３種類の液体が必要であるから、装置の構成の簡素化の
点からもアンモニアの方が好ましいと言える。
【００３６】さらに、上記の実施形態においては、ウエ
ハの洗浄が行われる場合を例に取ったが、この発明の基
板処理装置および基板処理方法は、液晶表示装置用のガ
ラス基板のような他の各種の被処理基板の処理に対して
広く適用することができるものである。また、上記の実
施形態においては、薬液洗浄が行われている期間以外に
も超音波洗浄が行われる場合（図３の第１の工程１−
Ｉ、図４の第２の工程２−II）について説明したが、超
音波洗浄は、薬液洗浄が行われている期間に限定して行
われてもよい。また、図４の例では、ブラシ洗浄および
薬液洗浄が完了した後にも超音波洗浄を継続しているが
（第２の工程２−II）、ブラシ洗浄および薬液洗浄のい
ずれもが行われていない期間には、超音波洗浄を行わな
いこととしてもよい。
ハの洗浄が行われる場合を例に取ったが、この発明の基
板処理装置および基板処理方法は、液晶表示装置用のガ
ラス基板のような他の各種の被処理基板の処理に対して
広く適用することができるものである。また、上記の実
施形態においては、薬液洗浄が行われている期間以外に
も超音波洗浄が行われる場合（図３の第１の工程１−
Ｉ、図４の第２の工程２−II）について説明したが、超
音波洗浄は、薬液洗浄が行われている期間に限定して行
われてもよい。また、図４の例では、ブラシ洗浄および
薬液洗浄が完了した後にも超音波洗浄を継続しているが
（第２の工程２−II）、ブラシ洗浄および薬液洗浄のい
ずれもが行われていない期間には、超音波洗浄を行わな
いこととしてもよい。
【００３７】その他、特許請求の範囲に記載された範囲
で種々の変更を施すことが可能である。
で種々の変更を施すことが可能である。
【図１】本発明の一実施形態の基板処理装置であるウエ
ハ洗浄装置の基本的な構成を示す概念図である。
ハ洗浄装置の基本的な構成を示す概念図である。
【図２】超音波洗浄用スキャンノズルのノズルヘッドの
構成を簡略化して示す断面図である。
構成を簡略化して示す断面図である。
【図３】ウエハ自体またはＳｉＯ2 膜付のウエハの表面
にＣＭＰ処理を施した後の洗浄処理フローを説明するた
めの図である。
にＣＭＰ処理を施した後の洗浄処理フローを説明するた
めの図である。
【図４】タングステン膜付のウエハの表面にＣＭＰ処理
を施した後の洗浄処理フローを説明するための図であ
る。
を施した後の洗浄処理フローを説明するための図であ
る。
【図５】ウエハ洗浄時の様子を示す概念図である。
【図６】従来技術による洗浄処理後のウエハ表面の状態
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１１ スピンチャック １４ チャックピン １５ モータ ２１ 薬液用固定ノズル ２２ 純水用固定ノズル ２３ 超音波洗浄用スキャンノズル ２４ 自公転ブラシ装置 ３１ 揺動駆動機構 ３２ ブラシ駆動機構 ３３ 薬液供給バルブ ３４ 純水供給バルブ ３５ 純水供給バルブ ４０ 制御部 ５５ 発振器
Claims (8)
- 【請求項１】基板を保持して回転させるための基板保持
手段と、 超音波振動部を有し、上記基板保持手段に保持された基
板に、上記超音波振動部によって超音波振動が付与され
た純水を供給するための超音波ノズル手段と、 上記基板保持手段に保持された基板に薬液を供給するた
めの薬液供給ノズル手段と、 上記超音波ノズル手段から基板の表面に超音波振動が付
与された純水を供給しつつ、上記薬液供給ノズル手段か
ら当該基板の表面に薬液を供給するように、上記超音波
ノズル手段および上記薬液供給ノズル手段を制御する手
段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】上記基板保持手段によって保持された基板
の表面をスクラブするスクラブ洗浄手段と、 上記超音波ノズル手段から基板の表面に超音波振動が付
与された純水を供給しつつ、上記スクラブ洗浄手段によ
って当該基板の表面をスクラブするように、上記超音波
ノズル手段および上記スクラブ洗浄手段を制御する手段
をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置。 - 【請求項３】上記薬液供給ノズル手段は、フッ酸が含ま
れた薬液を上記基板保持手段に保持された基板に供給す
るものであることを特徴とする請求項１または２記載の
基板処理装置。 - 【請求項４】上記薬液供給ノズル手段は、アンモニアが
含まれた薬液を上記基板保持手段に保持された基板に供
給するものであることを特徴とする請求項１または２記
載の基板処理装置。 - 【請求項５】上記超音波供給ノズル手段は、薬液雰囲気
に対して露出する外面が樹脂で形成されている吐出ノズ
ルを有していることを特徴とする請求項１ないし４のい
ずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項６】基板保持手段により基板を保持して回転さ
せる工程と、 基板が回転されている期間に、当該基板の表面に超音波
振動が付与された純水を供給する工程と、 超音波振動が付与された純水が基板に供給されている期
間に、当該基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項７】超音波振動が付与された純水が基板に供給
されている期間に、当該基板の表面をスクラブするスク
ラブ洗浄工程をさらに含むことを特徴とする請求項６記
載の基板処理方法。 - 【請求項８】上記スクラブ洗浄工程の後に、上記薬液供
給工程を行うことを特徴とする請求項７記載の基板処理
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8280886A JPH10125641A (ja) | 1996-10-23 | 1996-10-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR1019970053441A KR19980032941A (ko) | 1996-10-23 | 1997-10-17 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8280886A JPH10125641A (ja) | 1996-10-23 | 1996-10-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125641A true JPH10125641A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17631321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8280886A Pending JPH10125641A (ja) | 1996-10-23 | 1996-10-23 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125641A (ja) |
| KR (1) | KR19980032941A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6494985B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-12-17 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing a substrate |
| JP2006024963A (ja) * | 2005-09-22 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
| US7267130B2 (en) | 2000-09-22 | 2007-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US7479205B2 (en) | 2000-09-22 | 2009-01-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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| CN117116741A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-11-24 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种晶圆键合前的清洗方法及清洗装置 |
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| JP4079205B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
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1996
- 1996-10-23 JP JP8280886A patent/JPH10125641A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-17 KR KR1019970053441A patent/KR19980032941A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9864283B2 (en) | 2015-11-18 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for photomask backside cleaning |
| KR20180071408A (ko) * | 2015-11-18 | 2018-06-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토마스크 배면 세정을 위한 장치 및 방법들 |
| CN108292092A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-07-17 | 应用材料公司 | 用于光掩模背侧清洁的设备及方法 |
| CN108292092B (zh) * | 2015-11-18 | 2021-03-02 | 应用材料公司 | 用于光掩模背侧清洁的设备及方法 |
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| Publication number | Publication date |
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