CN107717713A - 基底抛光系统及基底抛光方法 - Google Patents

基底抛光系统及基底抛光方法 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种基底抛光系统和使用该基底抛光系统的基底抛光方法，该基底抛光系统包括：抛光机和基底输送器。抛光机包括：下表面板，安装有基底；以及上表面板，面对下表面板并且与下表面板协作抛光基底，上表面板具有比安装在下表面板上的基底的面积大的面积。基底输送器与抛光机相邻，并且在第一方向上将基底输送到抛光机并从抛光机输送基底，基底输送器在抛光基底之前将基底附着到下表面板，并且在抛光基底之后将基底与下表面板分离。

Description

基底抛光系统及基底抛光方法
本申请要求于2016年8月12日提交的第10-2016-0103305号韩国专利申请的优先权和全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种基底抛光系统和用于使用该基底抛光系统抛光基底的方法。
背景技术
在用于显示装置的晶体管的有源层中使用的非晶硅具有相对低的作为电荷载流子的电子的迁移率。然而，与由非晶硅制造的薄膜晶体管(“TFT”)相比，显示装置的具有包括多晶硅或由多晶硅制成的有源层的晶体管可以在基底上更容易地实现驱动电路。
发明内容
为了相对容易地抛光待处理物体的突起，示例性实施例提供了一种基底抛光系统和使用该基底抛光系统的基底抛光方法。
一个示例性实施例提供了一种基底抛光系统，所述基底抛光系统包括：抛光机和基底输送器。抛光机包括：下表面板，安装有基底；以及上表面板，面对下表面板并且与下表面板协作抛光基底，上表面板具有比安装在下表面板上的基底的面积大的面积。基底输送器与抛光机相邻，并且在第一方向上将基底输送到抛光机并从抛光机输送基底，基底输送器在抛光基底之前将基底附着到下表面板，并且在抛光基底之后将基底与下表面板分离。
基底抛光系统还可以包括：传送机，在第一方向上与抛光机相邻，并且在与第一方向交叉的第二方向上将基底输送到基底输送器和从基底输送器输送基底。基底输送器可以在第一方向上与传送机和抛光机叠置。
抛光机还可以包括：抛光盒，形成设置有下表面板的抛光空间；喷嘴，将浆料供应至抛光空间；以及浆料罐，连接到喷嘴。
基底输送器可以包括：支撑框架，在第一方向上与传送机和抛光机叠置，并且包围位于传送机和抛光盒上方的上部空间；移动框架，连接到支撑框架，在第一方向上在传送机与抛光盒之间可移动，并且在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上在上部空间与抛光空间之间可移动；移动连接器，将移动框架连接到支撑框架，移动连接器在第一方向上沿支撑框架可移动，并且在第三方向上相对于支撑框架可移动；以及基底保持件，连接到移动框架，并且用基底保持件将基底固定到基底输送器并将基底从基底输送器释放。
支撑框架可以包括：第一子框架，在抛光盒的第一侧处在第一方向上从传送机延伸到抛光机；以及第二子框架，在抛光盒的第二侧处在第二方向上与第一子框架分离并在第一方向上从传送机延伸到抛光机，抛光盒的第二侧在第二方向上与抛光盒的第一侧相对。第一子框架和第二子框架可以各自包括导轨，移动连接器在第一方向上沿导轨可移动。
移动连接器可以包括：第一部件，在第一方向上沿支撑框架可移动；以及第二部件，连接到第一部件并且在第三方向上相对于支撑框架可移动。
基底输送器还可以喷射流体，并且还可以包括：第一喷射器，连接到移动框架并且设置为与基底保持件相邻，第一喷射器在第二方向上相对于移动框架可移动，流体通过第一喷射器能够喷射；以及第二喷射器，连接到支撑框架并设置为与抛光空间中的下表面板相邻，并且在第二方向上相对于支撑框架可移动，流体通过第二喷射器能够喷射。
支撑框架可以包括在第二方向上延伸以横跨抛光空间的第三子框架，并且第二喷射器可以连接到第三子框架，并在第二方向上相对于第三子框架可移动。
基底输送器还可以包括：海绵，连接到移动框架并且设置为与基底保持件相邻，并且在第二方向和第三方向上相对于移动框架可移动；以及清洗盒，设置在与移动框架连接的海绵之下。
基底输送器还可以包括擦拭器，擦拭器连接到移动框架并且设置为与基底保持件相邻，并且在第三方向上相对于移动框架可移动。
用于抛光基底的方法包括：由基底输送器将未抛光基底从传送机输送到抛光机的下表面板；由基底输送器将从传送机输送的未抛光基底附着到抛光机的下表面板，基底输送器将未抛光基底从传送机输送到下表面板；通过使用抛光机抛光附着到下表面板的未抛光基底，以形成抛光基底；由基底输送器将使用抛光机抛光的抛光基底与抛光机的下表面板分离，基底输送器输送并附着未抛光基底；由基底输送器将抛光基底从抛光机输送到传送机，基底输送器将抛光基底与下表面板分离；以及由基底输送器清洁抛光机的下表面板，基底输送器从抛光机输送抛光基底。
将未抛光基底输送到抛光机的下表面板可以包括将未抛光基底附着到基底输送器的基底保持件上。
将未抛光基底附着到抛光机的下表面板可以包括通过基底输送器的海绵将未抛光基底按压到下表面板，基底输送器将未抛光基底从传送机输送到下表面板。
所述方法还可以包括通过使用位于海绵之下的清洗盒来清洁将未抛光基底从传送机输送到下表面板的基底输送器的海绵。
抛光附着到下表面板的未抛光基底可以包括面对下表面板设置上表面板，并且上表面板与下表面板协作抛光未抛光基底，上表面板具有比未抛光基底大的面积。
将抛光基底与下表面板分离可以包括通过输送和附着未抛光基底的基底输送器的第一喷射器和第二喷射器将流体喷射到彼此附着的抛光基底与下表面基底之间的界面。
将抛光基底从抛光机输送到传送机可以包括将抛光基底附着到基底输送器的基底保持件，基底输送器将抛光基底与下表面板分离。
清洁抛光机的下表面板可以包括通过使用基底输送器的擦拭器擦拭下表面板的表面，基底输送器从抛光机输送抛光基底。
根据一个或更多个示例性实施例，为了易于抛光待处理的物体的突起，提供了使用设置有基底保持件、海绵、第一喷射器和第二喷射器以及擦拭器的同一基底输送装置的基底抛光系统以及使用这样的抛光系统的基底抛光方法。
附图说明
通过参照附图进一步详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它优点和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的基底抛光系统的示例性实施例的透视图。
图2是图1中示出的基底抛光系统的浆料罐的示例性实施例的透视图。
图3是图1中示出的基底抛光系统的基底输送装置的示例性实施例的一部分的透视图。
图4是图3中示出的基底输送装置的抽吸部件和第一喷射器的示例性实施例的透视图。
图5是图3中示出的基底输送装置的海绵和擦拭器的示例性实施例的透视图。
图6是图3中示出的基底输送装置的海绵和清洗盒的另一个示例性实施例的透视图。
图7是图3中示出的基底输送装置的擦拭器的示例性实施例的透视图。
图8是示出根据本发明的基底抛光方法的示例性实施例的流程图。
图9至图14是说明根据本发明的基底抛光方法的示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以以各种不同方式来修改描述的实施例。
为了清楚地描述本发明，将省略与描述不相关的部分。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一个元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。如这里使用的，当元件被称作“连接”到另一个元件时，所述连接可以是物理连接、电连接和/或流体连接。
将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
此外，在本说明书中，词语“在……上”或“在……上方”意为位于物体部分上或下方，并不一定意为基于重力方向位于物体部分的上侧上。此外，在这里可以使用诸如“下(下面的)”或“底部”和“上(上面的)”或“顶部”的相对术语来描述如附图所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语意图包含装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置被翻转，则描述为位于其它元件的“下”侧的元件随后将被定位为在所述其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以根据附图的特定方位包括“下”和“上”的两种方位。类似地，如果一个附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“下面”的元件随后将被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……下面”可以包括在上方和下方两种方位。
这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文清楚地另有指明，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”(包括“至少一个(种)”)意图包括复数形式。“至少一个(种)”不被解释为受限的“一个(种)”。“或”意为“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。此外，除非明确地相反描述，否则词语“包含”及其变型将被理解为意图包括所陈述的元件，而不排除任何其它元件。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确地如此定义，否则诸如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的环境中的它们的意思一致的意思，而将不以理想化或过于形式化的含义来解释。
在相对低温下制造多晶硅薄膜晶体管的方法包括固相结晶(“SPC”)法、金属诱导结晶(“MIC”)法、金属诱导横向结晶(“MILC”)法和准分子激光退火(“ELA”)法。具体地，在有机发光二极管显示装置(“OLED”)或液晶显示装置(“LCD”)的晶体管的制造工艺中，使用采用相对高能量的激光束执行结晶的准分子激光退火方法。
然而，当使用采用准分子激光退火(“ELA”)方法的激光结晶设备对其上形成晶体管的目标基底执行扫描并在用于形成晶体管的目标薄膜上执行结晶时，在晶体管的有源层内的晶界处发现非预期的突起。该突起对由多晶硅层形成的有源层的特性产生负面影响，使得制造具有期望特性的晶体管可能是困难的。
因此，诸如通过使用基底抛光系统和基底抛光方法，通过对其上形成有多晶硅层的基底进行抛光，多晶硅层的突起在单独的或附加的工艺中被抛光。
将参照图1至图7描述根据本发明的基底抛光系统的示例性实施例。
图1是根据本发明的基底抛光系统的示例性实施例的透视图。
参照图1，根据本发明的基底抛光系统1000的示例性实施例是用于抛光待处理物体的突起的系统。
这里，待处理物体的突起可以是形成在基底上的多晶硅层的突起、形成在基底上的绝缘层的突起或形成在基底上的构造中的其它结构的突起。
在下文中，作为待处理物体的突起，以基底上形成的多晶硅层的突起为例进行描述。然而，基底抛光系统1000可以抛光待处理的其它物体的突起。
基底抛光系统1000包括抛光(部件)机100、基底输送装置200和传送机300。
作为基底抛光系统1000的抛光部件的抛光机100对由基底输送装置200输送至其的基底进行抛光，以抛光形成在基底上的多晶硅层的突起。抛光机100包括下表面板110、上表面板120、抛光盒130、喷嘴140和浆料罐150。
下表面板110是这样的部分：具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底被安装至该部分或安装于该部分上，并且下表面板110可以以预定的旋转角速度旋转。包括有机材料的盖(未示出)可以位于下表面板110的表面处，盖可以包括聚氨酯等。所述表面可以是下表面板110的上表面，所述下表面板110的上表面上安装有具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底。
上表面板120位于下表面板110上，并且具有比安装到下表面板110的具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的面积大的平面面积。也就是说，在俯视图中，上表面板120完全覆盖具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底。为了完全覆盖具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底，上表面板120的边缘(例如，外边缘)在俯视图中设置在基底的外部，使得边缘不与基底叠置。上表面板120可以以与下表面板110的预定的旋转角速度相同的预定的旋转角速度旋转。
用于抛光具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的抛光垫(未示出)可以位于上表面板120的表面处。所述表面可以是上表面板120的面对下表面板110的下表面。也就是说，上表面板120可以被认为是对具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底进行抛光的抛光机100的构件。抛光垫可以包括有机材料、无机材料和金属之中的至少一种。上表面板120可以连接到可相对于下表面板110移动上表面板120的臂。上表面板120可以相对于下表面板110在第一方向X、第二方向Y和/或第三方向Z上移动。这里，第一方向X、第二方向Y和第三方向Z分别是彼此交叉的方向。
通过由用于抛光基底的上表面板120完全覆盖具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底，当上表面板120对具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底进行抛光时，可以减小或有效地防止由于上表面板120的边缘而在基底的表面上发生的非预期的缺陷。
第一方向X可以与第二方向Y垂直，第三方向Z可以与第一方向X和第二方向Y垂直。
上表面板120与安装在下表面板110上的具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的一部分接触，从而抛光基底。上表面板120可以与形成在基底上的突起接触。在抛光基底时，上表面板120可以相对于下表面板110旋转，同时相对于下表面板110的位置在第一方向X和/或第二方向Y以及/或者与其相反的方向上线性地移动。
在抛光基底时，上表面板120和下表面板110可以以相同的顺时针方向或逆时针方向旋转。在这种情况下，上表面板120和下表面板110的旋转角速度可以彼此不同，以实现对具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的抛光。在另一示例性实施例中，上表面板120可以以与下表面板110的方向不同的方向旋转，以实现对具有形成在其上的多晶硅层的突起的基底的抛光。
在上表面板120和/或下表面板110旋转之前或者当上表面板120和/或下表面板110旋转时，可以在具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底与上表面板120之间从喷嘴140供应浆料(例如，抛光介质)。浆料可以包括其中相对细的颗粒均匀地分散以用于机械抛光的研磨料、用于与待抛光物体进行化学反应的诸如酸或碱的反应物以及用于分散并混合研磨料和反应物的超纯水。研磨料可以包括二氧化硅(SiO2)、二氧化铈(CeO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锡(SnO2)、氧化锰(MnO2)等。
也就是说，抛光机100是对具有形成于其上的包括突起的具有多晶硅层的基底执行化学机械抛光的装置。
抛光(容器)盒130形成设置有下表面板110的抛光空间PS。抛光盒130可以具有在上方向(例如，图1中的Z方向)上开口的形状。在由抛光盒130形成的抛光空间PS之内执行对具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的化学机械抛光。抛光盒130可以包括设置有下表面板110的底部分以及从底部分延伸以限定抛光盒130的开口形状的侧壁部分。
抛光盒130包括门131。由移动框架230支撑的抽吸部件240通过门131在下表面板110与上表面板120之间移动。
喷嘴140将上述浆料供应到抛光空间PS。喷嘴140连接到浆料罐150，以将来自浆料罐150的浆料供应到抛光空间PS。
浆料罐150连接到喷嘴140。
图2是图1中示出的基底抛光系统的浆料罐的示例性实施例的透视图。在基底抛光系统之内，浆料罐150可以设置成多个。每个浆料罐150可以连接到喷嘴140，使得喷嘴140对于每个浆料罐150来说是共用的。
参照图2，浆料罐150包括罐151、传感器152、泵153和流速控制器154。
将输送到抛光空间PS的浆料储存或保存在罐151内部。传感器152感测储存在罐151内部的浆料的水平。泵153将浆料从罐151泵送到喷嘴140。流速控制器154可以控制从浆料罐150移动到喷嘴140的浆料的流速。
浆料罐150及其罐151可以设置成多个，多个罐151可以存储彼此不同的流体。
在示例性实施例中，例如，多个罐151之中的一个罐151可以包括浆料，另一个罐151可以包括使具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的表面亲水化或疏水化的表面活性剂。这里，所述另一罐151可以连接到喷嘴140，表面活性剂通过喷嘴140从所述另一罐151供应到基底，使得基底的表面可以变得亲水或疏水。
在示例性实施例中，例如，在通过抛光机100抛光具有在其上形成的多晶硅层的突起的基底之后，将表面活性剂供应到基底的表面，使得基底的表面可以变得亲水。
再次参照图1，基底输送装置200与抛光机100相邻。基底输送装置200在第一方向X和与其相反的方向上输送具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底，使得基底分别被输送至传送机300和抛光机100中的每个，并从传送机300和抛光机100中的每个进行输送。在示例性实施例中，基底输送装置200将具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底从传送机300输送到用于抛光的下表面板110，将基底附着到用于抛光的下表面板110，在抛光之后将基底与下表面板110分离，并将基底从下表面板110输送到传送机300。
基底输送装置200包括支撑框架210、移动单元220、移动框架230、抽吸部件240、第一喷射器250、第二喷射器260、海绵270、清洗盒280(参照图6)和擦拭器290。
支撑框架210包围或限定了上部空间US，所述上部空间US延伸以与传送机300和抛光盒130叠置。支撑框架210可以包围上部空间US的至少一部分和抛光盒130的至少一部分。
支撑框架210包括第一子框架211、第二子框架212和第三子框架213。第一子框架211至第三子框架213可以协作以将开口限定为上部空间US。
第一子框架211设置在传送机300的上部处，并且在第一方向X上纵向延伸以与抛光盒130的一个表面对应。第一子框架211可以面对在第一方向X上和与其相反的方向上纵向延伸的抛光盒130的一个侧壁。
第二子框架212在第二方向Y上与第一子框架211分离。第二子框架212设置在传送机300的上部处，并且在第一方向X上纵向延伸以与同抛光盒130的所述一个表面相对的另一个表面对应。第二子框架212可以面对与抛光盒130的所述一个侧壁相对的另一个侧壁。
第一子框架211和第二子框架212支撑在它们上的移动单元220。第一子框架211和第二子框架212包括导轨或凹槽GR。移动单元220由第一子框架211和第二子框架212的导轨GR支撑和/或在第一子框架211和第二子框架212的导轨GR上，移动单元220可以在第一方向X上沿导轨GR移动。
第三子框架213横跨抛光空间PS。如图1所示，第三子框架213设置在抛光盒130中。第三子框架213将第一子框架211与第二子框架212彼此连接。第三子框架213在第二方向Y上纵向延伸。沿第二方向Y，第三子框架213在诸如第三方向Z和与其相反的方向上弯曲。第三子框架213的弯曲部分可以位于抛光空间PS内部。基底输送装置200的第二喷射器260由第三子框架213支撑和/或在第三子框架213上。
移动单元220由支撑框架210支撑。移动单元220在第一方向X上可移动。移动单元220在与第一方向X和第二方向Y均交叉的第三方向Z和与其相反的方向上可移动。移动单元220包括第一移动单元221和第二移动单元222。作为连接器的移动单元220将第一移动单元221和第二移动单元222连接到支撑框架210。
第一移动单元221由支撑框架210引导，以在第一方向X上和与其相反的方向上可移动。第一移动单元221由支撑框架210的第一子框架211的导轨GR和第二子框架212的导轨GR支撑和/或在支撑框架210的第一子框架211的导轨GR和第二子框架212的导轨GR上。第一移动单元221在第一方向X和与其相反的方向上沿第一子框架211和第二子框架212可移动。由于第一移动单元221在第一方向X和与其相反的方向上可移动，所以基底输送装置200在第一方向X和与其相反的方向上可移动。
第二移动单元222连接到第一移动单元221，并且在第三方向Z和与其相反的方向上可移动。第二移动单元222和第一移动单元221可以通过轨道彼此连接，第二移动单元222可以通过轨道相对于第一移动单元221在第三方向Z上可移动。由于第二移动单元222在第三方向Z和与其相反的方向上可移动，所以基底输送装置200在第三方向Z和与其相反的方向上可移动。
第二移动单元222支撑在其上的移动框架230。由于第二移动单元222连接到第一移动单元221，所以由第二移动单元222支撑的移动框架230可以在第一方向X和第三方向Z以及与它们相反的方向上可移动。
图3是图1中示出的基底抛光系统的基底输送装置的一部分的示例性实施例的透视图。
参照图3和图1，移动框架230由移动单元220的第二移动单元222支撑，并且通过在第一方向X和第三方向Z上移动的移动单元220而在传送机300处的上部空间US与抛光盒130处的抛光空间PS之间可移动。移动框架230在移动框架230弯曲至少一次所沿的第二方向Y上纵向延伸。抽吸部件240、第一喷射器250、海绵270和擦拭器290由移动框架230支撑和/或在移动框架230上。只要由移动单元220支撑的移动框架230支撑抽吸部件240、第一喷射器250、海绵270和擦拭器290，则移动框架230可以具有各种形状，并且可以具有任何形状。
抽吸部件240由移动框架230支撑。抽吸部件240由移动框架230的中心部分支撑。抽吸部件240对具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底施加力，以在传送机300与抛光机100之间输送基底期间支撑基底。抽吸部件240包括抽吸垫241。抽吸垫241将力施加到具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底上，从而在其传送期间支撑基底。抽吸垫241可以设置为与具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的外部区域对应，以便不与形成在基底上的元件叠置。
图4是图3中示出的基底输送装置的抽吸部件和第一喷射器的示例性实施例的透视图。
参照图3和图4，第一喷射器250与抽吸部件240相邻，并且由移动框架230支撑。第一喷射器250通过移动框架230的在第二方向Y上纵向延伸的轨道由移动框架230支撑。移动框架230可以由在各种方向上延伸的多个轨道形成。第一喷射器250可以在第二方向Y和与其相反的方向上可移动，以喷射流体。第一喷射器250可以在抽吸部件240的下侧处喷射流体。
再次参照图1，第二喷射器260在抛光空间PS中与下表面板110相邻，并且由支撑框架210的第三子框架213支撑。第二喷射器260通过第三子框架213的在第二方向Y上延伸的轨道由第三子框架213支撑。第二喷射器260可以在第二方向Y和与其相反的方向上可移动，以喷射流体。第二喷射器260可以在下表面板110的上侧处喷射流体。
在示例性实施例中，可以省略第二喷射器260。
图5是图3中示出的基底输送装置的海绵和擦拭器的示例性实施例的透视图。
参照图5和图3，海绵270与抽吸部件240相邻并且由移动框架230支撑。海绵270经由置于其间的擦拭器290与抽吸部件240分离。海绵270通过移动框架230的在第二方向Y上纵向延伸的轨道由移动框架230支撑。海绵270可以在第二方向Y和与其相反的方向上各自相对于移动框架230的轨道可移动。海绵270还包括海绵驱动器271，海绵驱动器271在第三方向Z和与其相反的方向上移动海绵270。海绵270可以通过海绵驱动器271在第三方向Z上可移动。也就是说，海绵270可以在第二方向Y和第三方向Z以及与它们相反的方向上可移动。
图6是图3中示出的基底输送装置的海绵和清洗盒的示例性实施例的透视图。为了便于说明，清洗盒280在图1中未示出。
参照图6，清洗盒280位于海绵270之下。清洗盒280可以由移动框架230或支撑框架210支撑。清洗盒280可以包括清洁液体，海绵270在第三方向Z和/或与其相反的方向上在清洗盒280上移动或移动到清洗盒280中，并且可以通过清洗盒280的清洁液体而清洁。
图7是图3中示出的擦拭器的示例性实施例的透视图。
参照图7和图3，擦拭器290与抽吸部件240相邻并且由移动框架230支撑。擦拭器290被定位成在第一方向X上比海绵270更靠近抽吸部件240。擦拭器290还包括擦拭器驱动器291，擦拭器驱动器291被构造成在第三方向Z和与其相反的方向上移动擦拭器290。擦拭器290可以通过擦拭器驱动器291在第三方向Z和与其相反的方向上移动。也就是说，擦拭器290可以在第三方向Z和与其相反的方向上移动。海绵驱动器271和擦拭器驱动器291可以独立地移动。
再次参照图1，传送机300与抛光机100分离并且与基底输送装置200相邻。传送机300可以位于基底输送装置200的支撑框架210之下。传送机300在均与第一方向X交叉的第二方向Y和与其相反的方向上输送基底。传送机300可以是带式传送机，然而不限于此，只要传送机300可以在第二方向Y和与其相反的方向上输送基底，则传送机300可以由任何结构构成。
此外，只要传送机300可以输送基底以与基底输送装置200相邻，则传送机300可以由任何结构形成。
接下来，将参照图1描述上述基底抛光系统1000的操作的示例性实施例。
通过传送机300在第二方向Y上输送包括形成有突起的多晶硅层的基底。
通过由支撑框架210支撑的移动单元220在第一方向X上移动由移动框架230支撑的抽吸部件240，以使在传送机300处由移动框架230支撑的抽吸部件240移动到上部空间US，然后通过由移动单元220在与第三方向Z相反的方向上移动由移动框架230支撑的抽吸部件240，以抽吸并支撑具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底。在这种情况下，检测基底是否在传送机300处与上部空间US的平面对应的传感器可以包括在传送机300中。
通过由支撑框架210支撑的移动单元220在第三方向Z上移动由移动框架230支撑以支撑具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的抽吸部件240，以使抽吸部件240与传送机300分离，然后通过移动单元220在与第一方向X相反的方向上移动抽吸部件240，以使抽吸部件240移动穿过门131并进入抛光盒130的抛光空间PS。此外，通过移动单元220在与第三方向Z相反的方向上移动抽吸部件240，以将基底安装到下表面板110。安装在下表面板110上的基底可以与抽吸部件240和移动框架230分离。
由与基底分离的移动框架230支撑的海绵270通过移动单元220在第一方向X、第二方向Y和第三方向Z上移动，以在这些方向中的每个方向上与安装的基底接触。因此，基底在抛光空间PS处附着到下表面板110。
随着具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底附着到下表面板110，抛光机100通过在抛光空间PS中的基底与上表面板120之间的位置处的喷嘴140供应浆料。在上表面板120与具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底接触以完全覆盖基底的状态下，上表面板120和/或下表面板110以预定的旋转角速度在顺时针方向或逆时针方向上旋转，从而对基底的多晶硅层的突起执行化学机械抛光。
在这种情况下，由移动框架230支撑的抽吸部件240在第一方向X和第三方向Z上移动，以与抛光机100分离。随着抽吸部件240与抛光机100分离，用于按压具有形成到其上的多晶硅层的突起的基底的海绵270在与第三方向Z相反的方向上移动，并被清洗盒280的清洁液体清洁。
在化学机械抛光之后，由移动框架230支撑的抽吸部件240通过由支撑框架210支撑的移动单元220在与第一方向X相反的方向和第三方向Z上移动，并且通过抛光盒130的门131移动到抛光空间PS中，以再次抽吸基底。
由移动框架230支撑的第一喷射器250和由支撑框架210支撑的第二喷射器260分别从已被抛光的基底的相对侧将流体喷射到由抽吸部件240抽吸的基底与下表面板110之间的位置，以将基底与下表面板110分离。在示例性实施例中，当第一喷射器250和第二喷射器260在第二方向Y上移动时，流体被喷射在已被抛光的基底与下表面板110之间。
随着抛光基底与下表面板110分离，抽吸部件240通过移动单元220在与第三方向Z相反的方向和与第一方向X相反的方向上移动，以将抛光的基底保持在抽吸部件240。具有被保持在其上的抛光基底的移动单元220在第三方向Z和第一方向X上移动，以将抛光基底输送出抛光空间PS并返回到传送机300。传送机300可以在第二方向Y上移动抛光的基底，以将抛光的基底输送到执行诸如基底清洗工艺等后续工艺的另一装置。
随着抛光基底离开抛光空间PS并返回到传送机300，由移动框架230支撑的擦拭器290通过移动单元220在与第一方向X相反的方向上移动，以定位在下表面板110上。接下来，当擦拭器290在与第一方向X相反的方向上移动时，擦拭器290也通过移动单元220在与第三方向Z相反的方向上移动，以接触下表面板110。通过这样的接触，下表面板110的表面被擦拭器290清洁。
如上所述，在基底抛光系统1000中，通过基底输送装置200执行传送机300与抛光机100之间的基底的移动，通过同一基底输送装置200执行基底相对于抛光机100的附着和分离，通过抛光机100执行基底的化学机械抛光，并且通过同一基底输送装置200执行抛光机100的下表面板110的表面清洁。也就是说，基底输送装置200用于以下多个功能：在传送机300与抛光机100之间输送基底、将基底附着到抛光机100上并从抛光机100分离基底以及清洁抛光机100。
如上所述，抽吸部件240、海绵270、第一喷射器250和擦拭器290被集成到单个移动框架230中。以类似的方式，如上面所描述的，支撑框架210和单个移动框架230被集成到单个基底输送装置200中。也就是说，根据本发明的一个或更多个示例性实施例，提供了包括易于执行上面详述的多个功能的单一集成基底输送装置200的基底抛光系统1000，所述基底抛光系统1000用于抛光形成在基底上的多晶硅层的突起。
接下来，将参照图8至图14描述根据本发明的基底抛光方法的示例性实施例。基底抛光方法可以由上述基底抛光系统的一个或更多个示例性实施例执行，然而不限于此。
图8是示出根据本发明的基底抛光方法的示例性实施例的流程图。图9至图14是用于说明根据本发明的实施例的使用基底抛光系统的基底抛光方法的示例性实施例的剖视图。为了便于说明，图9至图14仅示出了与说明相关的基底抛光系统的构造。也就是说，为了便于说明，省略了图1至图7中示出的基底抛光系统的构成元件的详细结构。在图9至图14中，设置在右至左方向的图像通常示出了在第一方向X上彼此相邻的抛光机100和传送机300的相对位置。
首先，参照图8和图9，将具有形成在其上的层的突起的基底10(在传送机300处以虚线示出)从传送机300输送到抛光机100的下表面板110(S100)。
详细地，参照图1和图9，通过传送机300在第二方向Y上输送包括形成有突起PR的多晶硅层11的基底10(以下称为“未抛光基底10”)，以将未抛光基底10定位成与基底输送装置200相邻。随着未抛光基底10与基底输送装置200相邻，将抽吸力施加到未抛光基底10，使得通过抽吸部件240抽吸未抛光基底10，以使未抛光基底10被抽吸部件240保持。随着由基底输送装置200的抽吸部件240保持未抛光基底10，使抽吸部件240在与第一方向X相反的方向和第三方向Z上移动，以将未抛光基底10与传送机300分离，并将未抛光基底10输送到抛光机100的下表面板110。可以使具有被保持的未抛光基底10的抽吸部件240在与第三方向Z相反的方向上移动，以使未抛光基底10与下表面板110接触。然后可以使抽吸部件240释放未抛光基底10。
接下来，参照图8，按压未抛光基底10以将未抛光基底10附着到抛光机100的下表面板110(S200)。
详细地，参照图10，可以使基底输送装置200在第一方向X、第二方向Y和第三方向Z上移动，以在未抛光基底10处设置具有海绵270的轨道，其基本上替代了先前定位的在未抛光基底10处的同一基底输送装置200的抽吸部件240。然后使基底输送装置200在第一方向X、第二方向Y和/或第三方向Z上移动，以使海绵270在横跨未抛光基底10的整个表面的相应方向上移动。在图10中，以海绵270在第一方向X上的移动为例。通过海绵270在相应方向移动，将安装到下表面板110的未抛光基底10的整个表面压向下表面板110，以将未抛光基底10附着到下表面板110。
接下来，参照图11，通过使用抛光机100对未抛光基底10进行抛光(S300)。
详细地，在未抛光基底10与上表面板120之间供给浆料。随着上表面板120与未抛光基底10接触以完全覆盖未抛光基底10，使上表面板120和下表面板110以预定的旋转角速度在顺时针方向或逆时针方向上旋转，以化学地和机械地抛光基底10上的多晶硅层11的突起。
在基底10的抛光期间，可以将基底输送装置200设置成不与抛光机100叠置。参照图11，先前位于未抛光基底10(图10)处的海绵270在第一方向X上移动，以设置在抛光机100的外部。尽管未示出，但参照图1和图3，附着在基底输送装置200的与海绵270相同的移动框架230的抽吸部件240和第一喷射器250在第一方向X上设置为与海绵270相邻。随着将基底输送装置200设置成不与抛光机100叠置，通过清洗盒280的清洗液体CL清洁海绵270。
接下来，参照图8，随着基底10(以下称为“抛光基底10”)被抛光，在抛光基底10与下表面板110之间喷射流体以将抛光基底10与下表面板110分离(S400)。
详细地，参照图12，基底输送装置200从不与抛光机100叠置的位置在与第一方向X相反的方向和与第三方向Z相反的方向上移动抽吸部件240，以将抽吸力施加到附着到下表面板110的抛光基底10上。随着将抽吸部件240设置在抛光基底10处，在与抽吸部件240相同的移动框架230上的第一喷射器250位于抛光基底10的一侧处，所述抛光基底10的一侧与抛光基底10的设置有基底输送装置200的第二喷射器260的一侧在第一方向X上相反。
在抛光基底10被抽吸部件240保持之前或在抛光基底10被抽吸部件240保持的同时，通过分别使用第一喷射器250和第二喷射器260使流体LI从相对的两侧朝向抛光基底10与下表面板110之间的边界或界面喷射，从而减少抛光基底10和下表面板110的附着，以将抛光基底10与下表面板110分离。在示例性实施例中，当第一喷射器250和第二喷射器260在第二方向Y和/或与其相反的方向上移动时，流体LI被喷射在基底与下表面板110之间的界面处。
接下来，参照图8，将抛光基底10从抛光机100输送到传送机300(S500)。
详细地，参照图13，使在图12中被抽吸到抛光基底10的抽吸部件240(在图13中以虚线示出)在第三方向Z和第一方向X上移动，以将抛光基底10从抛光机100输送到传送机300。具有由其保持的抛光基底10的抽吸部件240可以在与第三方向Z相反的方向上移动，以使抛光基底10与传送机300接触。抽吸部件240然后可以释放抛光基底10，以使抛光基底10自由地设置在传送机300上。
自由地设置在传送机300上的抛光基底10可以通过传送机300在第二方向Y上输送(再次参照图1)并且远离抛光机100和基底输送装置200，以对抛光基底10执行诸如基底清洗工艺等的随后的操作。
参照图13，随着将抽吸部件240设置在传送机300处以将抛光基底10释放到其上，附着有抽吸部件240的移动框架230可以至少将海绵270和擦拭器290设置在抛光机100外部。
接下来，参照图8，清洁抛光机100的下表面板110(S600)。
详细地，参照图14，基底输送装置200将擦拭器290从抛光机100的外部移动到下表面板110。通过在第一方向X和第三方向Z上或者在与其相反方向上横跨下表面板110的表面移动擦拭器290来清洁下表面板110的安装基底100的表面。
如上所述，提供了使用设置有抽吸部件240、海绵270、第一喷射器250和第二喷射器260以及擦拭器290的同一基底输送装置200的基底抛光方法，所述方法易于抛光形成在基底10上的多晶硅层11的突起PR。
虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施例描述了本公开，但是应当理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种基底抛光系统，所述基底抛光系统包括：
抛光机，所述抛光机包括：下表面板，安装有基底；以及上表面板，面对所述下表面板，并且与所述下表面板协作抛光所述基底，所述上表面板具有比安装在所述下表面板上的所述基底的面积大的面积；以及
基底输送器，与所述抛光机相邻，并且在第一方向上将所述基底输送到所述抛光机并从所述抛光机输送所述基底，所述基底输送器在抛光所述基底之前将所述基底附着到所述下表面板，并且在抛光所述基底之后将所述基底与所述下表面板分离。
2.根据权利要求1所述的基底抛光系统，所述基底抛光系统还包括：
传送机，在所述第一方向上与所述抛光机相邻，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上将所述基底输送到所述基底输送器并从所述基底输送器输送所述基底，
其中，所述基底输送器在所述第一方向上与所述传送机和所述抛光机叠置。
3.根据权利要求2所述的基底抛光系统，其中
所述抛光机还包括：
抛光盒，形成设置有所述下表面板的抛光空间；
喷嘴，将浆料供应至所述抛光空间；以及
浆料罐，连接到所述喷嘴。
4.根据权利要求3所述的基底抛光系统，其中
所述基底输送器包括：
支撑框架，在所述第一方向上与所述传送机和所述抛光机叠置，并且包围位于所述传送机和所述抛光盒上方的上部空间；
移动框架，连接到所述支撑框架，在所述第一方向上在所述传送机与所述抛光盒之间可移动，并且在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上在所述上部空间与所述抛光空间之间可移动；
移动连接器，将所述移动框架连接到所述支撑框架，所述移动连接器在所述第一方向上沿所述支撑框架可移动，并且在所述第三方向上相对于所述支撑框架可移动；以及
基底保持件，连接到所述移动框架，并且用所述基底保持件将所述基底固定到所述基底输送器并将所述基底从所述基底输送器释放。
5.如权利要求4所述的基底抛光系统，其中
所述支撑框架包括：
第一子框架，在所述抛光盒的第一侧处在所述第一方向上从所述传送机延伸到所述抛光机；以及
第二子框架，在所述抛光盒的第二侧处在所述第二方向上与所述第一子框架分离并在所述第一方向上从所述传送机延伸到所述抛光机，其中，所述抛光盒的所述第二侧在所述第二方向上与所述抛光盒的所述第一侧相对，
其中，所述第一子框架和所述第二子框架各自包括导轨，所述移动连接器在所述第一方向上沿所述导轨可移动。
6.根据权利要求4所述的基底抛光系统，其中
所述移动连接器包括：
第一部件，在所述第一方向上沿所述支撑框架可移动；以及
第二部件，连接到所述第一部件并且在所述第三方向上相对于所述支撑框架可移动。
7.根据权利要求4所述的基底抛光系统，其中
所述基底输送器还喷射流体，并且还包括：
第一喷射器，连接到所述移动框架并设置为与所述基底保持件相邻，所述第一喷射器在所述第二方向上相对于所述移动框架可移动，并且所述流体通过所述第一喷射器能够喷射；以及
第二喷射器，连接到所述支撑框架并且设置为与所述抛光空间中的所述下表面板相邻，在所述第二方向上相对于所述支撑框架可移动，并且所述流体通过所述第二喷射器能够喷射。
8.根据权利要求7所述的基底抛光系统，其中
所述支撑框架包括在所述第二方向上延伸以横跨所述抛光空间的第三子框架，并且
所述第二喷射器连接到所述第三子框架，并且在所述第二方向上相对于所述第三子框架可移动。
9.根据权利要求4所述的基底抛光系统，其中
所述基底输送器还包括：
海绵，连接到所述移动框架并且设置为与所述基底保持件相邻，并且在所述第二方向和所述第三方向上相对于所述移动框架可移动；以及
清洗盒，设置在与所述移动框架连接的所述海绵之下。
10.一种用于抛光基底的方法，所述方法包括：
由基底输送器将未抛光基底从传送机输送到抛光机的下表面板；
由基底输送器将从所述传送机输送的所述未抛光基底附着到所述抛光机的所述下表面板，所述基底输送器将所述未抛光基底从所述传送机输送到所述下表面板；
通过使用所述抛光机抛光附着到所述下表面板的所述未抛光基底，以形成抛光基底；
由基底输送器将使用所述抛光机抛光的所述抛光基底与所述抛光机的所述下表面板分离，所述基底输送器输送并附着所述未抛光基底；
由基底输送器将所述抛光基底从所述抛光机输送到所述传送机，所述基底输送器将所述抛光基底与所述下表面板分离；以及
由所述基底输送器清洁所述抛光机的所述下表面板，所述基底输送器从所述抛光机输送所述抛光基底。
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