TW419867B - Laser cutting apparatus and method - Google Patents

Laser cutting apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
TW419867B
TW419867B TW088100541A TW88100541A TW419867B TW 419867 B TW419867 B TW 419867B TW 088100541 A TW088100541 A TW 088100541A TW 88100541 A TW88100541 A TW 88100541A TW 419867 B TW419867 B TW 419867B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser
laser beam
tangent line
marked
patent application
Prior art date
Application number
TW088100541A
Other languages
English (en)
Inventor
Dae-Ho Choo
Byeong-Ill Kim
Sung-Uk Jung
Woo-Shik Lee
Bum-Soo Kim
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019980034606A external-priority patent/KR100539971B1/ko
Priority claimed from KR10-1998-0045429A external-priority patent/KR100510918B1/ko
Priority claimed from KR10-1998-0053539A external-priority patent/KR100514099B1/ko
Priority claimed from KR1019980053538A external-priority patent/KR100543368B1/ko
Priority claimed from KR10-1998-0053541A external-priority patent/KR100514095B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW419867B publication Critical patent/TW419867B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B23K26/0884Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions in at least in three axial directions, e.g. manipulators, robots
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/044Seam tracking
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046Automatically focusing the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0608Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0736Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/127Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/146Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor the fluid stream containing a liquid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1462Nozzles; Features related to nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/361Removing material for deburring or mechanical trimming
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60Preliminary treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/221Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B29/00Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
    • C03B29/02Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
    • C03B29/025Glass sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/07Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
    • C03B33/076Laminated glass comprising interlayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202LCD, i.e. liquid crystal displays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

經濟部中央樣準局男工消費合作社印裝
㈣ 7 AT —___B7 五、發明説明(1 ) 本發明大致上有關於一基艘之切割,以及更特別地有 關於使用雷射用以切割一易碎物件,諸如一玻璃基體之供 一液晶顯示屏之使用之裝置和方法。 相關技藝和說明 液晶顯示LCD裝置係眾所熟知之扁平屏顯示器之形態 。特別是’小而輕以及少電力消耗量諸特性使此液晶顯示 器被視為最先進之顯示裝置之一種用以克服陰極射線管之 缺點者。 液晶顯示器裝置包括兩片玻璃基體以及液晶被堪入此 兩片玻璃基想内。此液晶作用如一光學快門構件,它依照 一電磁場之應用藉改變其直線對準狀態而發送並切斷一入 射光’並由是而使一影像係顯示在液晶顢示屏幕上β 要增強製造此一 LCD裝置之生產率,於一單一程式中 用以製成多個屏之方法業經建議。一種方法係使用一玻璃 基饉之有一相當於那些多數單元屏尺寸者,例如,6單位 單元。 當薄膜電晶體(TFT)LCD係使用上述較大6單位LCD屏 尺寸之玻璃基想而製造時’一閘線路、一資料線路、一薄 膜電晶體、一像素電極’以及對準薄膜和類似者係為6單 元TFT基體所必需者,係形成在玻璃基體之一之表面上, 同時一彩色遽波器層、一種反電極,以及一黑色矩陣和類 似者係為一6單元影色濾波器基體所必須者,係形成在一 玻璃基體之内表面上。 此兩個玻璃基體係於進行使用一封合劑結合兩個玻璃 本紙張尺度述用中國國家揉準{ CNS ) A4規格(2】0X297公廣) -----^---Μ---^------tr------0 (請先閲讀背面之注項再本頁) 4 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 基體之一程序、一切割程序、一液晶注射程序、一端封程 序,以及結合一極化薄膜之程序之後,作為一單元屏而產 生。 於此切割程序中,有一選擇深度之初始切割槽溝係使 用一嫌石切割機沿著劃線4a、4b形成於母玻璃.基趙1上。 隨後,一撞擊係加諸在玻璃基體1上’以便能自母玻璃基 體分開LCD單位單元6。 不過’一切割裝置諸如此鑽石切割割器係須要添加以 一撞擊’俾於初始切割槽溝係已形成後能完成分離。此將 造成當母玻壤基想1係被切割時所產生之細微玻璃片擴散 β因此,一附加之吸塵裝備係需要’以便能防止由微細玻 璃片所造成之故障。 況且,當母玻璃1係由鑽石切割器切割時,多個粗糙 邊沿如第2Α及2Β圚中所顯示者(那係第1圈之El、Ε2部分 之擴展圖)係產生。一高應力係聚焦在粗糙邊沿上,以及 一更高之應力係聚焦於一部分8上,此部分係極端地粗糙 。因此’當此單元屏6係藉初始切割溝係形成之後添加之 撞擊所分離時,此單元屝6係沿著更高應力集中於其上之 部分8分開而不是沿著初始切割槽溝(標示之如一虛線)β 此將造成一故障*其中一有效區係被切割》 此一問題係於用以獲得一較大屏幕之彻成之LCD母玻 璃基體之製造中經常發生。 第3圖係一LCD屏20之一平面圊,此處四個單元屏(A 至D)係經砌成,以及第4圖係第3圖内所示部分E4之一擴 本紙張尺度適用中®國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---^J----^------Tr------Μ {請先閲讀背面之注意事項再贫寫本頁) v 1 ? ^ 0 7 A7 _B7_ 五、發明説明(3 ) 展圖。 如第3圖和第4圖所示,當此單元屏之由鑽石切割器切 割者係由一光學粘合劑22粘合,例如,如果兩個LCD單元 玻璃A和B之有粗糖切面24和25者,係首先地枯合,_縫 合線22之宽度係至少2毫米,此係為了考慮LCD單元玻璃 A和B之突起和凹下之切面24和25。因此,在此玻璃A和B 之粘合邊界處之黑色矩陣之寬度,用以覆蓋此縫合線22者 係亦至少2毫米》主粘合邊界處黑色矩陣之寬度值與形成 在兩個LCD單元玻璃A和B之表面上之黑色矩陣之寬度值 相比較時係大得很多。其結果,於操作時在已砌成之LCD 屏20之一屏幕上出現缝合線22,以及它可能著似此顯示之 影像係由此一缝合線所劃分。要防止此一現象,縫線之可 能最小寬度係需要在LCD屏之產生之前予以計算。隨後, LCD屏之像素之寬度係與缝合線之計算之最小寬度相同地 來設定,俾使缝合線可作用如一黑色矩陣,因此,屏幕之 分裂可以被防止。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 亦即謂,砌成之LCD模組之總析像度係以缝合線之寬 度來測定。因此,要增強礙成之LCD模組之總析像度,縫 合線之寬度係要求予以減小。 不過,缝合線之寬度之減小係非常難以達成,因為有 處理誤失在LCD單元玻璃之切面處,它係由鑽石切割器所 切割者。因此,一較大彻成之LCD模組具有低析像度和高 成本者係用於一外部用途,它並不要求高析像度者。 當此玻璃基體1係沿著劃線4a,亦即,一第一切線切 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 6 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明(4 ) 割,以及係沿著劃線4b ’亦即,一第二切線切割時,誤失 如第2A和2B困中所示者可能經常地發生於交叉點,即劃 線4a和4b之交叉處。 如果此切割係使用雷射時,即令是極微小之粉末係不 會在切割表面產生。當此交叉點係一屏增耗墊或一有效區 時此係更為重要。 使用雷射光束之一傳統式切割裝置有問題如下: 用以冷卻此高度加熱之玻璃之喷霧之冷卻劑降低了玻 璃基體之切割力量》 如果一氣體係被引用作為冷卻劑時,於冷卻此玻璃基 之同時此冷卻氣體變熱。因此,氣體之分子有效地移動, 以及此冷卻氣體係擴散入自_聚焦透銳外殼輸出之雷射光 束中,以由是而散射此雷射光束。 如果一液體係經引用作為冷卻劑時,由於當冷卻液體 冷卻此玻璃基體時所產生之蒸汽而使雷射光車亦散射。 如果雷射光東係如此地被散射,玻璃基體之加熱區變 成很寬瀾而同時加熱溫度變成很低。因此裂紋可能不會產 生,或者可能不會傳導至玻璃基體之内表面,那將有礙於 自玻璃基艟之LCD單位單元之完全切割- 另一問題係該LCD單位單元可能被沾污,以及當喷射 在玻璃基體上之冷卻劑係已乾燥時,LCD單位單元之液晶 注射開口可杜塞。 此外,自冷卻單元喷射之冷卻劑係被激濺,那將造成 雷射切割裝具之阻礙以及雷射光束之擴散。 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210X29*7公釐) 裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填爲本頁) 經濟部中央棣丰局貝工消費合作社印製 4 Λ V ^ - ^ 7 Α7 ___Β7_ 五、發明説明(5 ) 玻璃基體之上述雷射切割程序係在一暗室内實施,以 及此雷射光束以一有大約1300毫米之波長之紅外線帶,因 此,工作者無法親見此切割雷射光束是否筆直地沿著割線 行進。 此裂故沿著雷射光束進行其中之方向移動。因此,如 果此切割之雷射光束走出劃之外並轉向至LCD單位單元之 内面時,此裂紋係亦傳導朝向LCD單位單元之内面。因此 ,如果雷射光束之掃描線不能由工作者所見到時,所有 LCD單位單元自玻璃基饉劑切者可能產生誤失β 在切割一件玻璃基體之程序中之任何誤失可能後續地 造成在後續程序中切割若干玻璃基體之程序中之誤失,那 將可能導致大量LCD單位單元之誤失。 此係因為一工作者無法個別地求證自此至逸出之玻璃 基體之切割狀態於雷射切割係已完成時。 另一問題為,如果一工作者獲知切割上之任何誤失時 ,那將需要一極長之時間讓形成在玻璃基體上之劃線和切 割雷射光束之間之直線對準,此將降低生產率。 本發明之概述 因此,本發明之目的係在防止一切割誤失之可能發生 於,在切割一玻璃基艘及一屏之途中之開始,终了,以及 切線之交叉點處者。 本發明之另一目的係在防止於切割一玻璃基醴及一屏 之途中產生玻璃晶片。 仍為本發明之另一目的係在獲得一玻璃基體及一屏之 本紙張尺度適财家標準(CNS ) A4規格(2削297公董) -----^---7---^------tr------.^ <請先閲讀背面之注意事項再f本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 Λ 1 ^ - C 7 Α7 ___Β7 五、發明説明(6 ) 光滑切割面β 本發明之另外目的係在防止雷射光束由於自雷射切割 裝置之冷卻單元所喷射之冷卻劑而係被擴散》 仍為本發明之另一目的係在防止一LCD單位單元之表 面係被沾污或一液髏注射開係由用於冷卻雷射掃描部分之 目的所喷射之冷卻劑所阻塞。 亦為本發明之另一目的在防止由用於冷卻雷射掃描部 分之目的所喷射之冷卻劑所造成之一雷射切割器之阻礙。 亦為本發明之另一目的在防止由檢查用以切割一玻璃 基體之雷射光束之線路而在LCD單位單元中後繞之誤失, 俾使工作者可以很容易地證實此切割雷射光束是否自一釗 線分岐。 亦為本發明之另一目的係在當此雷射光束自劃線分岐 時藉改正雷射光束之路線,並使雷射光束與劃線呈直線對 準以增強生產率。 亦為本發明之另一目的在將形成於砌成之LCD屏之間 之邊界表面處之缝合線之寬度降至最小,以提供一具有高 解析度砌成的LCD模組之》 要完成上述目的’依照本發明之一觀點,一雷射切割 器包括一雷射單元’以一指定波長沿著正被切割之物件之 一標示之切線用以照射一雷射光束;以及一冷卻單元用以 冷卻該雷射光束業已照射之此切線。 選擇性地,此雷射切割器另包括一預先劃線器,用以 形成一預先切割槽溝於一選定之部分,例如,此標示之切 泰紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公;t ) --------------裝------訂------浓 (請先聞讀背面之注$項再本寫本頁) 9 - 經濟部中央樣準扃貝工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明説明(7 ) 線之開始邊沿’端沿或交叉點於雷射光束係沿著此標示之 切線照射之前。 依照本發明之另一觀點,一雷射切割器另包括一冷卻 制吸入器’用以自一冷卻單元吸入朝向係正被切割之物件 所喷射之冷卻劑。此冷卻單元包括一冷卻劑供應部分和一 喷射喷嘴,此冷卻劑吸入器係放置在冷卻單元之後面,因 此該喷射之冷卻劑係有效地被吸入。此冷卻劑吸入器包括 一吸入管配置在以雷射單元之行進方向為準之冷卻單元之 背後,以及一泵用以使此吸入管在一真空狀態中。 依照仍為本發明之另一觀點,一雷射切割器包括一光 調製器,藉調製一部分之第一雷射光束進入有另一波長之 第二雷射光束内,用以察覺第一雷射光束之行邊路線,以 反用以傳送其餘之第一雷射光束。 選擇性地,此先調製器包含:一分束器,藉傳送一部 分入射之雷射光束並反射其餘之入射雷射光束,用以分裂 一雷射單元之入射雷射光束成為兩個雷射光束;一光調製 部分’用以調製自分束器所反射之雷射光束成為一可見光 ’藉以產生一指示之雷射光束於一選定之角度處。 被傳送之此切割雷射光束以及被反射之指示雷射光束 兩者照射在標示之切線上,因此,該指示之雷射先束係定 置在以兩個光束之行進線路為準之切割雷射光束之後面。 依照另一觀點,一雷射切割器包括:一第一雷射單元 ’以一第一波長治著係正被切割之物件之標示之切線,用 以照射第一雷射光束;一冷卻單元,用以冷卻此第一雷射 本紙張纽適財國國家樣準(CNS} A4規格(2丨料297公董) I ^ ,, n 裝訂 .I I 線 (請先間讀背面之注意?項再填寫本頁) 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 光束業已照射之標示之切線,以便在一冷卻之切線處產生 裂紋;一第二雷射單元,以一第二波長用以照射一第二雷 射光束在正被切割之物件之裂紋上;一光探測部分,用以 探測藉此裂纹所反射之第二雷射光束;以及一控制單元, 藉此較由光探測部分所獲得之現時切割路線與標示之切線 ,以測定此現時切割路線是否自該標示之切線分歧,用以 輸出一信號以改正第一雷射光束之路線。 在此’第一和第二雷射單元分別地包括雷射擺動單元 用以擺動一雷射光束;一折射鏡放置在雷射搋動單元之正 面’用以折射此雷射光束於一選定之方向處;一聚焦遠鏡 組,用以聚焦此折射之雷射光束在此標示之切線上;以及 一聚焦透鏡外殼圍繞著此聚焦透銳組。 此外,此光探測部分係一光探測察覺器,用以探測由 裂紋所反射之第二雷射單元之光量。 較恰當者,在上文提及之雷射切割器中,此冷卻單元 包括一喷霧嘴用以噴灑冷卻劑,其中此喷霧嘴有一斜形尖 端。由於雷射光束之直徑係較喷霧嘴者為更小,喷霧嘴之 尖端之最敏感部分係與標示之切線呈直線對準,因此該裂 紋並不會自標示之切線分歧。 依照亦為另一觀點而特提供有一種方法,使用一雷射 切割器用以切割一易碎物件。此方法首先探測此物件之標 示之切線以及標示切線之起始邊緣。此後,有一選定長度 和深度之預切槽溝係形成在如經測得之標示切線之起始邊 緣處。一雷射光束隨後係沿著此標示切線照射,自預切槽 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公爱) ---^---„----1-- (請先閱诗背面之注意事項再本頁) 订 11
五、發明説明(9) 經濟部中央搮準局員工消費合作社印製 溝開始。此後’此標示切線係急速地被冷卻。 此切割方法可以應用於至少有兩個切線相互垂直或以 一選定角度配置之一物件。在切線之交叉點處,此預切槽 溝係在雷射光東之照射之前形成或在同一時間地具交又點 之外形。在此’此預切槽溝沿著切線自交叉點有一選定長 度,或有一圓形結構。 同時’此物件可以藉在第一切割步驟中控制此物件之 切割深度通過兩級切割步驟而完全地切割。自此兩級切割 之應用,由於在係正被切割之物件之後表面處所產生之不 規則裂紋之切割誤失係大體上可防止。 依照亦為本發明之另一觀點,特提供有一種方法用以 使用一雷射切割器以切割一易碎物件。此方法首先沿著一 標示之切線照射一雷射光束》此後,此標示之切線係急速 地被冷卻。然後’一實質切線係以於冷卻步驟中所產生之 裂紋而獲得。其次’吾人藉比較實質切線與標示之切線而 測定此實質切線是否自此標示切線分歧。如果一分歧係存 在時,此雷射光束之行進線路係被改正。 在此,此實質切線係以照射此雷射用於對準,以及隨 後探測由此裂紋所反射之光量,以及此標示切線係事前已 輸入。 上文提及之雷射切割器和切割方法係特別地能有效把 應用於彻成之LCD屏·之製造β 附圖之簡要說明 本發明之上述目的和其他優點,藉以參考附圖為基準 本紙張尺度適用中國國家標準((:?《)八4規格(210><297公釐) (請先閲讀背面之注#^項再填寫本頁) -裝· 訂 -線 -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7__ i、發明説明(10) 之較佳實施例之詳細說明,將變得更為顯明,附圖中: 第1圖係依照本發明技藝之母玻璃之一平面圖; 第2A和2B圈係第1圈内部分E1和E2之擴展圖; 第3圈係依照本發明技藝之一砌成之液晶顯示器之一 平面圖; 第4囷係第3圖内部分E4之詳細圖; 第5圖係依照本發明之一實施例之雷射切割器之一透 視圈, 第6囷係第5圖内部分Ps之擴展圖; 第7圊係第5圖之雷射切割器之一部視圖; 第8A至第8C圈係示意圈,顯示以第5圖之雷射切割器 切割一母玻璃之方法; 第9圖係一視圖,類示雷射光束之移動路線以及第5圖 之雷射切割器之旋轉葉片; 第10圖係一視圖,示意地顯示第5圖之雷射切割器之 預劃具; 第11A和第11B圖係第10囷之預劃具内之偏心凸輪; 第12圖係一示意圈,顯示以第5圖之雷射切割器依照 本發明之另一實施例之切割方法; 第13圖係一示意围,顯示依照仍然為本發明之另一實 施例之切割面之一處理形態; 第14A圈係截取第13囷之A-A’直線一段之剖視圖; 第14B圖係截取第13圖之B-B’直線一段之剖視圈; 第15和第16囷係示意圖,顯示依照本發明之另一實施 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 13 __B7 __B7 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 五、發明説明(11) 例之切割方法; 第17圖至第21圖係示意圖,顯示依照仍為本發明之另 一實施例之切割方法; 第22圊係依照仍為本發明之另一實施例之雷射切割器 之透視圖; 第23 A至23C圊係示意圊,說明以第22圖之雷射切割 器之一切割方法: 第24圖係依照本發明之實施例之雷射切割器中一冷卻 單元之一方塊圖; 第25圖係第24圖之冷卻單元之局部結構圈; 第26及第27圖係示意囷,用以說明依照冷卻單元之喷 霧喷嘴之結構變更之一切割方法之變成; 第28圓係依照仍為本發明之另一實施例之雷射切割器 之一透視圊; 第29囷係第28圖之詳圈; 第30圓係依照仍為本發明之另一實施例之雷射切割器 之一透視圖; 第31圈係一示意圖,用以說明改正第30圈之雷射切割 器之移動路線之方法; 第32圓係一流程圖,用以說明改正第30圖之雷射割刀 器之行進路線之方法; 第33圖至第37圏係示意围,顯示使用依照本發明之實 施例之雷射切割器製造一砌成之液晶顯示器之程序。 較佳實施例之詳細說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSM4規格(210X297公釐) -------------裝------訂------涞 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 A7 4 .卜又ί?7 ______Β7_ 五、發明説明(I2) 現在,本發明將在後文中以附圖為基準作更完整之說 明,附圖中,本發明之較佳實施例係經顯示。不過,本發 明可以呈甚多不同形態具體實施,並不應構成對本文中所 宣佈之實施例之限制;寧願這些實施例係經提供,俾使此 一揭露將更貫徹而完整,且將對那些精於此藝者完整地傳 達本發明之範圍》 <第一實施例> 第5圓係使用雷射光束之一切割裝置之透視圖(後文中 將以“雷射切割器提及之”),其中一預劃器260以一選定之 深度用以在一標示之切線之起始邊緣和端沿處形成一顏切 槽溝,係配置於一雷射單元220之正面》 在第5囷内,一正被切割之物件,例如,係兩片之母 玻璃,各有一大小相當於至少一個單位單元區,例如六個 單位單元區。例如,此物件係一液晶顯示屏相互結合,於 液晶係注射入此空間内之前而具有一空間於其間。一片之 屏相當於一薄膜電晶體基體以及另一片相當於彩色濾波器 基體。在第5圓内,參考代號120係一切線或劃線。 雖然未顯示於第5圊内,此薄膜電晶體基體包括多個 薄膜電晶體,閘極和資料滙流排分別地連接至薄膜電晶體 之閘極和源極,以及多個像素電極連接至薄膜電晶體之漏 極。此彩色濾波器基體包括反電極和紅、綠和藍之彩色濾 波器形成在其内表面上。 依照本發明之第一實施例之雷射切割器200包括一雷 射單元220照射特殊波長之雷射光東進入結合之基體1〇〇之 本纸張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ----^--------装------訂------—徕 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局男工消費合作社印裝 15 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 4.卜”'d A7 B7 五、發明説明(13) 切線120内,以及一冷卻單元,用以急速地冷卻電射光業 已照射之切線β 此預劃器260係放置於雷射單元220之正面。此預劃器 260在標示之切線之起始邊緣,端沿或交叉點形成預切槽 溝至選定之深度。 此雷射單元220、冷卻單元240,以及預劃器260係分 別地結合至移動單元280,並係藉移動單元280之運動而沿 著X軸線或Υ轴線移動。 結合之玻璃基體100之切線120係經界定為相互連接至 少而個切割鍵20之連接線,其中此切割鍵20係標示在結合 之基體100之外表面上如第1圖内所示。 結合基體100之分離不是以一個切割程序而是由兩個 切割割程序來實施。亦即,結合之基體1〇〇之一邊係首先 被切割,以及另一邊係隨後切割。此外,此切割程序自每 一玻璃基體之外表面朝向内表面推進。 作為用於結合之基體100之分離之雷射單元220,YAG 雷射C02雷射,二極體雷射等,可以使用,每一種有10.6 M m之振盪波長(λ)和50-250瓦之高輸出。在此一時刻, 當正被切割之物件係玻璃基體時,雷射單元220之輸出相 當於玻璃電晶體溫度Tg,此切線當被照射時係自固態階 段轉移至液態。 一如第7圊内所示,此雷射單元220包括一雷射擺動單 元222,一折射鏡224用以折射自此電射擺動單元222所擺 動之雷射光束,一聚焦透鏡組229用以聚焦此雷射光束以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS >A4規格(2丨0X297公釐) I--^--------^.------.W------腺 (请先闖讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ i 〇 '^Q'7 Μ * · v t _B7_ 五、發明説明(14) 控制雷射光束之強度,以及一聚焦鏡組外殼226藉向上及 向下移動用以控制聚焦之深度。 再次地參考第6圈,此冷卻單元240包括一冷卻劑貯存 部分242放置在雷射單元220之後面,用以貯存一冷卻劑, 以及喷霧喷嘴244用以喷射自此冷卻劑貯存部分242所供應 之冷卻劑沿著結合之玻璃基100之切線120 » 此冷卻劑係一種選自一組包含純小,冷卻組,液態氮 ,以及液態氦,並係以0.1至0.3秒之時間間隔直接地自嘴 霧嘴224喷射在結合之玻璃基體100上。 此預劃器260用於預切槽溝之形成者,係結合於雷射 單元220之正面中,包括一主體266,它係於未操作時平行 於基體100而定置,並係於操作時垂直地移動至基體1〇〇, 一轉動轴262,於此轉動轴262業已朝向以基體100為準之 垂直方向移動之後,係以一指定之每分鐘周轉RPH轉動。 在此,預劃器260至轉動軸262係依照感測切線之切割 起始邊緣和切割端沿之一位置感測器290之一感測信號而 操作* 此位置感測器290係放置在雷射單元220之當面如第 8A至8C圖内所示。 此雷射單元220、冷卻單元240、預劃器260,以及位 置感測器290均係放置於移動單元280内,並係隨同移動元 一起移動於X-抽或Y-抽方向。 更明確言,此雷射單元220、冷卻單元240、預劃器260 ,以及位置感測器290係沿著一槽溝形軌道284之形成於一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) -------------^------ΤΓ------典_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明(I5) Y轴移動板282内者朝向Y軸方向移動,以及此Y轴移動板 282本身係沿著X-軸移動板232之執導移動。亦即,Y軸方 向之運動係以雷射單元220、冷卻單元240、預劃器260, 以及感測器290係在同一時間地沿著Y軸板282軌道284移 動來實施,但至X-轴方向之運動則係以Y-轴移動板282係 沿著X-轴板232之軌道而移動來實施,因此,此雷射單元 220、冷卻單元240、預釗器260,以及位置感測器290均結 合至Y-轴移動板282者係被移動。 參看第8A至第8C囷,放置有一輔助移動板282在Y-軸 移動板282之下面,其中此雷射單元220、冷卻單元240、 預劃器260,以及位置感測器290係均结合至此輔助移動板 283 ° 以上文提及之雷射切割器200切割用於LCD屏100之兩 片玻璃結合之基體之方法係以參考第5至第9圖來作說明》 首先,參看第5囷及第8A囷,此兩片玻璃結合之基體 100係安裝在一移動板(圖中未顯示)上。此雷射切割器200 係朝向此兩片玻璃結合之基體100移動,以及隨後此位置 感測器290經放置在感測切線120開始之切割起始邊緣Ps之 聚焦透鏡組外般226之當面内。 在同一時間地以切線120和切割起始邊緣Ps之感測, 預劃器260之轉動軸262係順時鐘地移動,如此,該轉動刀 片264係已定置在兩片玻璃結合之基體100之切線120之切 割起始邊緣處。此轉動刀片264以一特定之轉速RPM轉動 ,藉以形成此預切槽溝(或預切起始槽溝)於切割起始邊緣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格(21 〇 X 297公釐} ----J--------^------ir------浓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 A7 ------ B7 五、發明説明(Ιό) 處。 其次,參考第5圊和5B圖,預切槽溝之形成之後,轉 動刀片之操作停止以及轉動轴262藉反時鐘方式移動而回 行至原態。 此後,此聚焦透鏡外殼262以一間距自位置感測器290 移動,因此,照射此起始點之該雷射光束係定置在兩片玻 璃結合之基體100之切線120之切割起始邊緣處。此後,此 聚焦透鏡外殼226沿著切線120以照射此雷射光束而移動。 在此一時刻,此切線係經以雷射光束之幅射而加熱至 一高溫,以由是而係局部地以高應力集中而熱膨脹。此冷 卻單元240之喷嘴242緊隨此聚焦透鏡外殼226喷灑一冷卻 劑在基體100之加熱之切線120以0.1至0.3移之間距散離, 俾使此加熱之切線120係急速地冷卻。此冷卻劑與加熱之 切線相比較有非常低之溫度。 藉切線120之冷卻,此切線120係重覆地熱膨脹及收縮 ,並由是而使高熱應力係集中在基體100之切線120上。 當此熱應力變成較玻璃分子之結合力更大時,非晶玻 璃分子之結合係破壞並由是而裂纹係沿著切線120產生》 此產生之裂紋係沿著此雷射光束之照射方向傳導,亦 即謂,以基體100之表面為準而垂直向傳導,因此,此基 體100係完全地切開。 其次,參看第5及第8C囷,當聚焦透鏡外殼226以照 射此雷射光束沿著Y-軸移動板282推進之同時,此位置感 測器290感測切線120之切割終端邊緣》當此切割終端邊緣 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------------裝------訂------缘 (諳先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 19 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 Α7 Β7 五、發明説明(π) 係巳測得時,此轉動軸262係順時鐘地移動以形成一預切 槽溝(或預切終端槽溝)於切線120之端沿處,此預切終端 槽溝有如同此切割起始槽溝相同之構造。 預切终端槽溝之形成之後,此轉動轴262再次地藉反 時鐘方向地移動而回行至原態,以及聚焦透鏡外殼226之 操作於雷射光束之照射係已完成至切線120之端沿之後即 停止。 其次,此雷射切割器200係為沿著X·軸方向之切割而 直線對準,並以如同沿著Υ-轴切割之相同方法而實施此 切割程序》 第9囷顯示在上文提及之雷射切割器中此聚焦透鏡外 殼226和轉動刀片264之移動路線,其中參考代號52係轉動 片264之移動路線,以及參考代號54係聚焦透鏡外殼226之 移動路線。 —如第9囷内所示,轉動葉片264之移動路線52係經定 置在一特定深度以内之切割起始邊緣和切割終端邊緣處, 並係在基體100之表面上面之其餘表面處定置。 當兩片玻璃結合之基體之一面母玻璃業已經由上述程 序切割之後’此基體係翻面以實施另一面母玻璃之切割, 以及另一面母玻璃係以如同該一面母玻璃之切割之相同方 法來切割。 第10圏顯示第5圖之雷射切割器中所透露之預劃器。 在本實施例中,此轉動刀片上下移動,它係不同於第5圖 内所透露之預劃器之運動。在第10圓内,代號382係Υ-軸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) I-----------裝-- (請先閏讀背面之注意事項再象寫本頁) 訂 20 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 B7 五、發明説明(IS) 移動板以及代號3 83係輔助移動板。 參看第10圖,一預劃器370係單獨地放置在聚焦透鏡 外殼326之移動方向之當面内。 此預劃器370包括依照位置感測器390之感測信號而轉 動之馬達352,一偏心凸輪354偏心式地結合至馬達352之 轉動轴者,與馬達352之轉動之一起轉動,依照偏心凸輪354 之轉動而上下移動之推桿356,依照推桿356之上下運動而 上下移動之旋轉刀片桿358,一彈性構件用以將轉動刀片 桿358推動向上,此桿原係由推桿356向下壓者,一旋轉刀 片364之以一特定RPM轉速轉動者,結合至旋轉刀片桿358 之一邊終端,以及一外殼350,上文所提及之元件係放置 其内。 一如第10圖内所示,此旋轉刀片桿358可以劃分為第 一和第二桿之兩個部分,其中此第一桿係由推桿356下壓 ,以及第二桿係垂直地固定於第一桿之一邊之終端。可選 擇性地,此第一桿和第二桿可以作為一體而構成。 此偏心凸輪354有一橢圓板形狀以下壓此推桿356之上 端,並有此偏心軸係沿著橢園板之長軸偏心如第11A和11B 圖内所示。 當聚焦透鏡外殼326朝向基體100之邊緣移動,當位置 感測器390經放置在雷射單元326之正面中感測切線之切割 起始邊緣之同時,此馬達352以一角度轉動。藉此馬達352 之轉動,偏心凸輪354之一邊終端之距此偏心轴更大距離 者下壓此推桿356,並由是而使旋轉刀片桿係朝向切線之 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210 X 297公釐) -----„---Ί---^------、訂------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 經濟部中央樣準局員工消費合作社印装 a7 B7 .五、發明説明(19) 切割起始邊緣而向下移動。當此旋轉刀片364係與基體之 表面相接觸中,此旋轉刀片364以一特定周轉速轉動以形 成在切線之切割起始邊緣處之預切槽溝 預切槽溝之形成係已完成之後,當馬達352轉動時, 此偏心輪354轉動,如此該接近此偏心麵之其一邊終端下 壓此推桿356如第11B圖内所示。當此偏心凸輪轉動時, 彈性構件359以推斥力推動此旋轉刀片桿358向上,以由是 而自此基體100分開此旋轉刀片364。 當此聚焦透鏡組外殼326係以一距離S1移動於由位置 感測器390所感測之切割起始邊緣之一感測位置和雷射光 束照射轴之間時,此雷射單元326開始來幅點此雷射光束 〇 類似於上文提及之實施例,一喷霧喷嘴344放置在移 動板383之後面者沿著雷射光束之幅點路線喷灑冷卻劑。 當此移動之位置感測器390感測切線之切割終端邊緣 著,馬達352再次地轉動以定置此偏心凸輪於第11A圖之 狀態,以及此旋轉葉片364之朝向基100之表面移動向下者 形成一預切之终端槽溝。 當此聚焦透鏡組外殼326係以一距離S1移動於由位置 感測器390所感測之切割終端邊緣之一感測位置和雷射光 束幅然轴之間時,此雷射單元326停止來照射此雷射光束 ,此外,與雷射光束照射操作之完成同一時間地,此喷嘴 344停止來喷灑冷卻劑。 一如先前所說明者,此雷射切割器200之透露於第一 本紙張尺度逍用中國國家摞率(CNS ) A4規格(210x297公釐) I I J n 裝. ^―訂 線 (請先閎讀背面之注$項再f本頁) 22
經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(2〇 ) 實施例中者,藉形成在標示之切線之起始邊緣和終端邊緣 處之各自之預切槽溝於雷射光束係幅然於標示切線上之前 ,大體上防止在標示之切線之起始邊緣和终端邊緣處實際 切線之自此標示切線之分歧。 此外,此雷射切割器200,藉精確地控制預切槽溝之 形成時間和雷射光束之照射時間而大體上防止勿必要之電 力及冷卻劑之供應。 此際,雖然此切割顯示並說明該預切槽溝係形成於切 割起始邊緣和切割終端邊緣兩者處,但吾人亦可能形成此 預切槽溝僅在切割起始邊緣或切割终端邊緣之任一處。 此外,雖然本雷射切割器顯示並說明該兩片玻璃結合 之基體固定而此雷射單元、冷卻單元、及預劃器移動,但 吾人亦可能使雷射單元,冷卻單元和預劃器係固定而此基 體為切割程序之實施而移動。換言之,此切割可以藉雷射 切割器和基體之間之相關運動而實施。 此際,依照本切割方法,此基逋100係以快速地加熱 和急速也冷卻此基體而在基體之切線内所產生之裂紋之傳 導而切割。以及,此基體係經由雷射光束照射及冷卻之一 個步称而切割β 其結果,不均勻之裂紋可能產生於面對外表面之内表 面表,在該處裂紋傳導係開始,此將導致切割之失誤。 為了要防止此類切割失誤,改進之切割方法係以附圖 第7圈和第12圈為基準來說明。 參考第12圖,為了要使基體之一面母玻璃係不完全地 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(2丨0X297公釐) 裝------訂------線 (請先閲讀背面之注$項再^^本頁) 23 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A « 〇 7 “…· A7 B7 五、發明説明(21 ) 切割,聚焦透鏡外殼226和基體100之表面之間之間距係經 控制。換言之,聚焦透鏡組和基體100之表面之間之聚焦 深度,或雷射光束之強度係如此地控制,即基體1〇〇之一 面之母玻璃之總厚度之大約60%係首先被切割》此後,雷 射光束之強度係藉控制聚焦透鏡組外殼22^和基體100<表 面之間之距而以較弱於第一切割步驟中之強度來控制,由 是而使基體100之一面之母玻璃之其餘40%之厚度係其次 地切割。 自上文提及之兩階段段切割程序之應用,非均勻裂紋 之產生可以大體上被防止。 上述切割方法係以附圖之第7圖和第12圈為基準而更 特別地說明》 如第7和第12圖内所示,雷射切割器200之雷射光束照 射輸出245和基體1〇〇之外表面之間之間距係經控制至L1 ’以及C02雷射光束之聚焦深度係經如此控制,即雷射光 束228之直徑在幾毫微米之範圍内》此後,一第一切割步 驟係如此實施,即基體100之一面母玻璃之總厚度Η係未 完全地切割,但僅基逋100之一面母玻璃之總厚度Η之厚 度C1係首先被切割.此後,雷射光束之強度係藉控制聚 焦透鏡組外殼226和基體100之表面之間之間距以較弱於第 一切割步驟中之強度來控制。在此,第二切割步驟中雷射 光束之直徑到達第一切割步驟中雷射光束之直徑之幾百倍 。在第二切割步驟中,基體1〇〇之一面母玻璃之Η-Cl之餘 下厚度係切割。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇χ297公釐) ----„--------^------ΐτ------康 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 24 *1 *1 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明(22 ) 在此,第二切割步驟中雷射光束之強度在母玻璃之熔 化溫度和玻璃轉變溫度之間*以及為了要縮短第一和第二 雷射光東之照射時間,此第一雷射光束照射和第二雷射光 束照射係相互呈相反方向地完成。 此際,由鑽石刀片或雷射切割器所切割之介面係非常 銳利。因此,應力係集中在切面之上邊緣線,因此,此上 邊緣線可以藉輕黴撞擊而易於破裂特別地是,當鑽石片 係應用於此基體之割功時;切割程序之完成之後仍留有玻 璃碎片在切面之表面上,導致結合一極化薄膜在基體之外 表面上或結合一膠帶載體包以相互連接形成於基體之一面 母玻璃上之接頭之程序上之失敗。為了要防止此類失敗之 發生,吾人須要附加地研磨地面之沿線。 不過,此研磨步驟作用如產生靜電之來源,導致電元 件諸如薄膜電晶體之故障。依此,吾人強烈地需要一種研 磨方法而不會發生靜電係被發展》 第13圖顯示改良之研磨方法而不會在切面之研磨步驟 中有靜電之產生。 參考第13圏,沿著由先前提及之雷射切割器200所切 切割面之上邊緣,此雷射光束228係如此照射,即其強度 係在母玻璃之熔點以上。自雷射光束之照射,當切面之上 邊緣開始熔化時,緊接以冷卻單元240之嘖嘴224沿著切面 之熔化上邊緣喷灑冷卻劑。其結果,切面之熔化上邊緣變 成圖形》 第14A圖係截取沿第13圖之直線A-A’一段之剖視圖, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) - ---- --' j !^i - - I I (請先閲讀背面之注意事項再i本頁) 訂 線 25
經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明(23 ) 其中此切面之上邊緣經製成圖形,因此它有一曲率半徑R ’以及第14B圖係截取沿直線B-B,一段之剖視圃,顯示切 面之上邊緣係製成圖形之前》 依照上文提及方法所分離之個別基體係經由後續LCD 屏製造方法而組合至LCD模組。 此際’當此兩片玻璃結合之基體有一區域相當於多個 單元屏區域之總和時’用以分割此基體為單元屏之鄰接切 線之間之間距作用如一重要因數以決定此單元屏之大小。 換言之,當鄰接切線之間之間距增大時,此單位屏大小即 減小’以及當間距減小時,此單位屏大小以減小之間距而 增大。 例如,如第15圖内所示’當兩片玻璃結合之基艘有一 550毫米X650毫米之區域者係分開成為15吋區域之四個單 元屏110時’兩個鄰接切線120之間之間距係3.8毫求。因 此’如果兩個鄰接切線之間之間距可以減小時,那係可能 使單元屏之大小係製成得較15吋為大。 依此’如第16圊内所示’此聚焦之雷射光束228係製 成為橢圈。至此一時刻’此應用於第16圖之切割方向係丫_ 軸,其中此聚焦之雷射光束228有一較長軸Υ1平行於切線 ’以及一較矩轴XI垂直於此切線. 此際,當此切割係沿著X-轴方向製成時,此聚焦之 雷射光東228有一長轴XI平行於切割方法,以及短轴丫^垂 直於切線》 下列第一表顯示依照當切割方向係Υ-轴方向時聚焦 -----„--------^—-----1T------.^ (請先閲讀背面之注意事項再本頁) *- - - I •' i 26 A7 B7 4r;:e? 五、發明説明(24 ) 之光東228之較長軸直徑Y1和較短轴直徑XI之變化之切割 速度之計量結果: 第1表 範例 聚焦光束之直徑 切割速度 (mm/秒) XI Y1 範例1 10mm 30mm 2 範例2 1mm 30mm 30 範例2 10仁m 70mm 400 如第1表内所示,當聚焦光束之比較短抽直徑XI舆較 長轴直徑Y1相比較係以較小之甚多度數製成時,此聚焦 光束變成一銳利之缝紗結構,導致切割速度之改進。 因此,橢圓聚焦光束之使用不僅使切割速度更快,而 且使裂紋起始之切面之上邊緣呈困形地傳導,以及其裂紋 傳導終了之下沿呈銳利。在效果上,本切割方法之應用使 其可能消除用於切面上邊緣之變圓之附加之研磨步驟。此 外,由於沒有玻璃碎片在切面之下沿產生,研磨效果可以 勿須附加之研磨步驟即可獲得》 較恰當者,短轴直徑X和長轴直徑Y之比率係以1 : 50 以上製成,其中短軸在1微米至500微米之範圍以及長轴在 10毫米至100毫米之範圍。 在效果上’上述切割方法之應用增加單位屏之尺寸, 改進切割速度,以及藉避免玻璃碎片之產生及切面上之裂 本紙張尺度適用中國围家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) -----„--------^------1T------^ (請先閲讀背面之注意Ϋ項再本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印裝 27
經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 五、發明说明(25 ) 紋而增強LCD屏之製造上之呑吐量。 此際,當此相互交又之切線似兩片玻璃結合之基體之 切割時,如果第一切割係仗用雷射光束實施時,吾人將難 以使用雷射光束來實施第二次切割,其原因為由第一雷射 切割所切割之切面係非常光滑。因此,當第二次切割係沿 著垂直於第一次切線之方向使用雷射光束實施時,裂紋之 傳導至第一和第二切線之交叉點之.前停止。 因此’在本實施例中,為了要適當地實施有交叉點之 一基體之切割*預切槽溝係在切線之交叉點形成。 第17圈和第18圖顯示用以切割一至少有兩條切線相互 垂直之物件,使用一雷射切割器之有預劃器用於預切槽溝 之形成者之方法。 首先’參看第17和第19圖,一十字交叉形之預切槽溝 係形成於兩條切線120a和120b之交叉點(步驟81)。另一可 供選擇方式為形成於此交又點之預切槽溝係形成如囷形如 第20圖内所示。其次,一第一預切起始槽溝係形成於第一 切線120a之起始邊緣(步驟82)。此後,雷射光束係沿著第 一切線120a照射,並在雷射光東照射第一切線12如之同一 時間即急速予以冷卻。當雷射光束之照射時,一第一預切 終端槽溝係選擇性地形成於第一切線12〇a之端沿處。在此 ,此雷射光束係照射直至此第一切線12〇a之此端沿。經由 上述步驟’第一切割步驟係完成(步驟83)。 當第一切割步禅完成之後,一第二預切起始槽溝係選 擇性地形成於對第一切線12〇a垂直之第二切線i2〇b之起始 本紙張尺度適用中國國家插準(CNS ) A4規格(2】〇x297公| ) -----;---„----裝------訂--------線 (請先聞讀背面之注意事項再#^本頁) 28
經濟部中央標率局員工消費合作社印製 五、發明説明(26 ) 邊緣處(步驟84)。此後,雷射光束係沿著此第二切線12〇15 照射,並同一時間地此雷射光束已照射之第二切線120b係 急速地予以冷卻。在雷射光束之照射中,一切割終端槽溝 係選擇性形成於於通過此交又點之第二切線120b之端沿處 。在此,此雷射光束係照射直至此第二切線12〇b之切割端 沿。 經由上述步驟,第二切割步驟係完成。 在第一和第二切割步驟中,“選擇性’’一詞係指預切槽 溝之形成步驟可以消除》 依照上述方法’當裂紋係沿著第二切線12〇b傳導之用 時,雎然此交叉點出現,但由於預切槽溝業已形成於交又 點,故此裂紋係呈殘性地通過此交叉點傳導直至第二切線 之端沿。 此際’吾人需要提供於第18圖内之另一切割方法係應 用於一種狀況,即第一切線144終端在要予切割之一母玻 璃之一選定位置内如第21圈内所示。 參看第18®及第21圖,一第一預切起始槽溝142係首 先地形成在兩片玻璃結合之基體102之一第一切線〗44之起 始邊緣處(步驟91)。此後,雷射光束係沿著第一切線144 照射。此第一切線144之由雷射光束之照射所加熱者係隨 後隨後急速地被冷卻(步称92)。其次’ 一第·-預切終端槽 溝146係選擇性地形成在第一切線144之端沿處。雷射光束 沿著第一切線144之照射以及已經加熱之第一切線Μ4之冷 卻繼續以第一切線144之端沿。通過上述步郭第一切割步 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----;---;----裝-- (請先閲讀背面之注意事項再本頁)
•1T 29 * L Vi P 7 A7 B7 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 五、發明説明(27) 麻係完成。 當此第一切割程序之完成之後,用於預切槽溝之形成 之此預劃器之旋轉刀片係以90度圍繞轉向,如此即它係與 垂直於第一切線144之第二切線149呈直線對準。此預切器 之轉動刀片形成一第二預切起始槽148於第二切線149之起 始邊緣處(步驟93)。此後’雷射光束係沿著第二切線149 照射。由雷射光束所加熱之第二切線149隨後係急速地被 冷卻。下一步,一切割終端槽溝146係選擇性地形成於第 二切線149之切割端沿處(步驟94)。此雷射光束之照射沿 著第二切線H9以及經加熱之第二切線149之冷卻繼續以第 二切線149之端沿。 經由上述步騍,第二切割程序係完成》 一如前文所述,以“選擇性’’一詞係意指在第一和第二 切線上之切割終端槽溝之形成步驟可以消除* 依照上述方法,由於預切槽溝係經形成於第二切線149 之起始邊緣處於此雷射光束係沿著此第二切線149照射之 前,故裂紋係以線性地至第二切線149之端沿而傳導。 在此,分別地形成於第一和第二切線處之預切起始和 終端槽溝如第17圖至21圖内所說明者可以選擇性地由旋轉 片之以鑽石或鎢製成者,抑或由雷射來形成而勿須冷卻程 序。 此外’雖然本實施例顯示並說明薄膜電晶體基體和彩 色濾波器基體之一結合屏之用途作為係被切割之物件,但 此物件係不限於僅此結合屏*換言之,易碎矽晶圓係亦應 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 30
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(28 ) 用本發明之雷射切割器》 一如前文所述,依照本發明之第一實施例之雷射切割 器,藉於雷射光束係沿著標示之切線照射之前在標示切線 之起始邊緣和切割端沿兩者處形成預切槽溝,大髏上防止 此物件係自標示切線之兩端沿處之標示切線錯誤地分歧而 切割。 同時,當切線係相互垂直之狀況中,本發明之雷射切 割器可以應用。 此外,由於位置感測器使其可能精確地控制雷射光束 之照射時間並形成預切槽溝之位置,電力之無必需之使用 以冷卻劑之耗费可以防止。 此外,由於吾人可能使用雷射光束來研磨切面之上邊 緣,於研磨步驟中靜電之產生可以防止。 此外,吾人可能藉使用有較長轴係平行於切線之摘圓 雷射光束而使切面之上邊緣為圓形勿須附加之研磨步驟。 第二實施例 第22圖係依照本發明之實施例2之一雷射切割器202之 一透視圖,其中此雷射切割器202不有實施例1内所提供之 雷射切割器之優點及特徵,而且防止切割能力之衰減,以 及由於分散冷卻劑而防止被切割物件之表面污染。 參看第22®,一雷射切割器202包括一冷卻劑吸入器 250用以吸入自一冷卻單元240所喷灑之冷卻劑,其中此冷 卻單元240係用於兩片玻璃結合之基體之有切線由一雷射 單元220所加熱者而使用。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ----^--------赛------ΐτ------線 {請先閲讀背面之注意事項再_本頁) 31 B7 五、發明説明(29) 在此,由於移動單元290、雷射單元220、冷卻單元240 以及預劃器260之構造及操作係一如先前所說明之實施例1 之那些相同,故其說明係有意地予以省略。 此冷卻劑吸入器250包括一吸入管254放置在以沿著Y 軸移動板282之雷射單元220之行進方向為準係冷卻單元 240之一部分之冷卻劑喷灑單元244之後面,用以吸入已喷 灑在基體1〇〇之外表面上之一切線120上之冷卻劑,以及一 泵252用以使此吸入管在真空狀態。 較恰當者,吸入管之一邊終端係朝向冷卻劑喷灑單元 244弩曲,因此該吸入管254有效地吸入喷灑之冷卻劑。 在此,以致於自此冷卻劑喷灑單元244所喷灑之冷卻 劑係在與由雷射光束之照射所加熱之切線接觸之前即被吸 入此冷卻劑吸入管254内,故泵252之吸入力量應該較冷卻 劑之喷灑壓力為小。 使用第22圖之雷射劑切器202切割兩片玻璃結合之基 體之方法係以附圖第23A至第23C圖為基準而說明。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先,參看第22A圊,用於LCD屏之形成之兩片玻璃 結合之基體100係安裝於一移動板(圖中未顯示)上。此基 體100有一劃線120,它係標示在其外表面供切割之用。此 雷射切割器200係朝向此兩片玻璃結合之基體100移動,因 此,此預劃器160之旋轉刀片264以及雷射單元220之聚焦 透鏡組外殼226係與劃線120呈直線對準。 當此預劃器260到達基100之劃線120之起始邊緣時, 預劃器260之轉動轴262係順時鐘移動,因此,該旋轉刀片 本紙張尺度速用中國國家橾準(CNS)A4規格(210X297公釐) 32 A7 A7 經濟部中央標準局I工消費合作社印製 -___ · _E_ 五 '發明説明(30) 264係經定置於基體100之切線120之切割起始邊緣處。此 旋轉刀片以一指定之周轉RPM轉動,藉以形成一切割起 始槽溝30,(係經顯示於第23B圖之一圓圈内)於劃線120之 起始邊緣處。 在切割起始槽溝30之形成之後,旋轉片264之操作停 止,以及轉動軸262,藉反時鎊移動而回行至原來狀態》 此後,雷射光束係自雷射掘動單元222擺動》此擺動 之雷射光束228係照射至折射鏡224並係以選定之角度折射 。此折射之雷射光束係以通過聚焦透鏡組229而聚焦。在 此一時刻,光束之直徑變成幾微米。 此聚焦之雷射光束係藉雷射單元200沿著Y軸移動板 280之軌道移動而照射在基饉100上,沿著劃線120自切割 起始槽溝開始。 在此一時刻,此切線120係以雷射光束之照射而經加 熱至一高溫,以由是而係局部地以高應力集中而熱膨脹。 冷卻單元240之喷射242依循此焦透鏡組外殼226而喷灑冷 卻劑在基體100之已加熱之切線120上,以0.1至〇_3移之間 距散離,俾使此加熱之切線係急速地冷卻。此冷卻剤與加 熱之切線120相比較有非常低之溫度。 藉切線120之冷卻,此切線120係重復地熱膨脹及收縮 ,並藉以使高熱應力集中在基髏100之劃線120處。 當此熱應力變得較玻璃分子之粘合力為大時,非晶玻 璃分子之枯合係被破壞’並由是而使裂紋係沿著割線120 而產生。 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------------裝------訂------t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 33 4iv:::67 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明(31 ) 此產生之裂紋係沿著雷射光束之照射方向傳導,亦即 垂直向地以基體100之表面為準,俾使此基體100係完全地 被切開。 隨後,參看第23B圊,當例如用於急速加熱之基體100 之冷卻所噴灑之液態之冷卻劑264可能保留在基體100之表 面,其餘冷卻劑係經變乾以污染此基體1〇〇。 此外,當液態之冷卻劑係被使用之情況,此冷卻劑係 因加熱基體100溫度而蒸發,並隨後朝向聚焦透鏡外殼229 擴散。此擴散之冷卻劑佈滿照射之雷射光束。此際,當氣 態冷卻劑係被使用之情況中,此冷卻氣體係亦由於其運動 而擴散進入聚焦透鏡外殼229内。依此,為了要防止由於 冷卻劑264雷射光束之散佈和基體100之污染,此冷卻劑吸 入管250緊跟著冷卻單元240吸入此冷卻劑於其為冷卻而喷 灑之後。換言之,當冷卻劑246係為了要冷卻此已加熱劃 線而與劃線100相接觸之立刻,此泵252即操作以由是而使 冷卻剤吸入管254呈一真空狀態《此冷卻劑吸入管254藉與 外面大氣之壓差而吸入此冷卻劑246。例如,當純水係使 用作為冷卻劑246時,在真空狀態中之此冷卻劑吸入管254 吸入殘留在基體100之表面處之純水246以及由自此加熱劃 線120所產生高溫之熱所蒸發之蒸氣。以及,當氮氣作使 用作為冷卻劑246時,此冷卻劑吸入管254於氮氣之業已衝 擊在劃線120上者係已擴散入其内之前吸入此氮氣。 在此一時刻,由於泵252之真空壓力係較冷卻劑246之 喷灑壓力為低,故它可以防止冷卻劑246係與劃線120相接 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!OX297公釐) 34 經濟部t央樣準局員工消費合作社印製 _B7 五、發明説明(32) 觸之前自冷卻單元240所喷出之冷卻劑係直接地被吸入冷 卻劑吸入管254内。 下一步,參看第23C圖,此雷射單元220繼續沿著Y-軸移動板為基體100之切割而移動,此喷灑之冷卻劑246係 由冷卻劑吸入器250所吸入。當預劃器260到達劃線120之 終端邊緣時,此旋轉轴262係朝向基100轉動,以及故置在 其一面之終端處之旋轉片形成此切割之終端槽溝於劃線 120端沿處。 經由上述步驟,當一面之母玻璃之切割,例如,兩片 玻璃結合之基體之彩色濾波基體係完成時,此兩片玻璃結 合之基體係翻面,以及另一面之母玻璃,例如,薄膜電晶 趙基艘隨後係以一如彩色渡波基號之切割之相同方法切割 β 因此,依照本發明之第二實施例,此冷卻劑吸入管係 放置在冷卻單元之後面,並於基體之加熱劃線之冷卻之後 吸入此冷卻劑,由是而防止雷射光束之散佈而導致切割力 之改進》 此外’依照本發明之第二實施例之雷射切割器防止基 之污染,並防止液晶入口孔之因殘留冷卻劑而被杜塞。 此際’雖然此第二實施例顯示並說明該雷射切割器包 括電射單元、預劃器、冷卻單元,以及冷卻劑吸入器係沿 著劃線移動,但吾人亦可能使此切割程序係以兩片玻瑀基 髏之運動而以雷射切割器係固定而實施。 <第三實施例> 本紙張从適財US家樣準(CNS) A4· (21GX297M ) ^------ίτ------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 35
A7 B7 五、發明説明(33 ) 在應用於第-和第二實施例之雷射切割器之冷卻單元 中,當係已到達環繞刻線12〇外之冷卻劑氣體之溫度係較 已到達在劃線上之冷卻劑氣體之溫度為低時,裂紋係未沿 著一標不之切線傳導但自標示之切線分歧之切割差誤可能 已產生。 為了要解決此類切割誤失,吾人強烈地要求用以噴灑 冷卻劑之喷嘴之直徑係非常小,適當地係_如雷射光束之 直徑一樣。隨後’如第26圓内所示,當雷射光束22之直徑 D1通過此劃線120者係與喷嘴8〇之直徑D2比較時,此直徑 D2係較D1大得很多(D1<D2)。 因此’本發明之第三實施例提供一種雷射切割器,一 冷卻單元具有一改良之喷嘴結構者係經對其應用*在此, 此喷嘴有一斜形終端諸如一注射器之終端。由於雷射單元 、預劃器、冷卻劑吸入器’以及移動板係仍然應用於第三 實施例之雷射切割器,並有如.第一及第二實施例之那些之 相同結構,故其說明係有意地免除。 第24圖係依照本發明之第三實施例之一冷卻單元之方 塊ffl ’以及第25圖顯不依照第三實施例之冷卻單元之一簡 化結構》 參看第24圖及第25圈,此冷卻單元244包括一彈形物60 、液化概氣諸如液態氮、液態氦等,作用如用以冷卻此加 熱之劃線之冷卻劑者,係貯存於其内•一相變單元70,用 以變換貯存於此彈形物60内之液晶態冷卻劑成為汽化之冷 卻劑、以及一喷灑單元,用以噴灑此低溫之氣化冷卻劑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0X297公嫠) -------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂 涑 經濟部中央標隼局貝工消費合作杜印裝 36
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(34 ) 一如第25圊内所示,此相變單元7〇包括—膨脹喷嘴72 放置在冷卻劑供輸管91之一邊之终端部分,以及一貯存櫃 74,用以暫時性地貯存此低溫氮或氦氣體,藉通過此膨脹 喷嘴72而蒸發氣化。 此膨脹喷嘴72有一結構,即其直徑急劇地縮小並隨後 突然地沿著此冷卻劑之供應方向而增大,如此,此液態惰 性氣饉經由此冷卻劑供應管路91所供輸者係易於被蒸發汽 化。 為了要停止及傳送自冷卻剤供應管91所供應之此液態 冷卻劑,一第一電磁閥91a係放置在冷卻劑供輸管91之一 選定部分。此第一電磁閥91a係由一控制單元(圖中未顯示) 諸如一微處理機者來控制。 一第二電磁閥74a係放置在貯存櫃74之出口處。此第 二電磁閥74a係聯結至一微處理機,並控制貯存在此貯存 榧74内之汽化冷卻劑之供應量1此喷灑喷嘴82係聯結至此 第二電磁閥74a。為了要防止此要予切割之基體之不會由 於舆高壓冷卻劑之沖擊而破裂,一壓力控制單元86用以控 制冷卻劑之壓力者係選擇性地配置於喷霧嘴82之中間部分 處。 冷卻單元之有上述結構之操作係以附囷之第24至第26 圖為基準而說明。 當雷射光束係照射在劃線120之立刻,此第一電磁閥 91a之配置在冷卻劑供輸管91之一邊之終端部分處者係逐 漸地張開,並由是而使貯滿在彈形體60内之液態冷卻劑係 本紙張尺度適用中圃國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) I ^------訂------^ {请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 37 A7 4 ί::Η ___Β7 五、發明説明(35) 通過此冷卻劑供應管91而供應。 此後,液態冷卻劑之容積係藉膨脹喷嘴72之傳送而快 速地膨脹’以及此膨脹之冷卻劑隨後係貯存於貯存植74内 呈氣化狀態。 此後’以第二電磁閥94a之張開,此冷卻劑係自此喷 霧嘴82喷灑。在此一時刻,噴灑之冷卻劑之壓力係由壓力 控制單元86所控制。由於用於切割之正與冷卻劑相接觸之 基體溫度隨喷灑冷卻劑之壓力而變化,故此冷卻劑之壓力 應該被控制於一適當之範圍内。 第26及第27圊係簡化圊,用以說明以劃120為準之冷 卻劑之分佈,其中代號82係喷灑喷嘴以及代號220係雷射 單元。 參看第26及第27圖,冷卻劑之溫度分佈隨劃線120和 喷嘴82之斜形終端之間之距離而變化。亦即,如第26®内 所示,冷卻劑溫度之計量結果顯示C部分之自劃線120之 距離係最近之有最低溫度,以及當距離增加時各部分處之 溫度變深逐漸地昇高。依此,此喷灑喷嘴82係如此放置, 即C部分係定置在沿著劃線120之雷射單元220之移動方向 之後面處。 因此,依照本發明之第三實施例,由於喷灑喷嘴之終 端係做成為斜形,以及距基體表面之最近部分之喷灑噴嘴 之斜形终端之C部分係沿著此劃線移動,故自劃線分歧之 切線誤失係大艘上地被防止。 <第四實施例> 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0Χ297公釐) -----------^------ir------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 38 經濟部中央揉準局員工消費合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明(36 ) 如勿論第一至第三實施例中所提供之各種單元之附加 及變更,但吾人很難以藉觀察者之眼來證實照射之雷射光 束之移動線路,舆使用鑽石刀片之切割器之不同處* 因此,第四實施例提供一雷射切割器具有能力以觀察 者之肉眼來求證照射之雷射光束之移動路線。 第28圖係依照本發明之第四實施例之雷射切割器之一 透視圖,以及第29圖顯示第28ffl内所提供之雷射切割器之 詳細構造。 參看第28圖,一雷射切割器204包括一光調製單元270 ,用以調製一雷射光束成一可見光235,因此,一觀察者 可為一基艎之切割而觀察雷射光束之行進線路。 此光調製單元270係藉支承構件265而固定於Y轴移動 板。在此,由於一移動單元280、一冷卻單元240,以及預 劃器260有一如第一和第二實施例之那些之相同結構,故 其說明係有意地免除。 參看第29囷,此雷射切割器204包括此光調製單元270 者係建立於暗室内’它係來防止一雷射光束具有高電力用 於正被切割之基體之切割者不會影響觀測者。為了要觀察 用於切割之雷射光束之移動路線,窗口 410係建立在室400 之壁之一選定之位置上。 此光調製單元270,它係建立用以為切割而照幅雷射 光束之一聚焦透鏡外殼226之下面,包括一外殼272、一分 束器252建立於外殼272以内,藉傳送通過一部分入射之雷 射光束並反射其餘之入射之雷射光束,用以分開此入射之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X;297公釐) ------------^------1T------Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 39 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 t 二:π ____Β7 _ 五、發明説明(37 ) 雷射光束成為兩個雷射先東,一光調製部分254,用以調 製自分束器256藉反射所分開之雷射光束,以及一反射鏡 256,用以反射此已調製之雷射光束至一選定之度數。 此雷射光束之業已經由一雷射擺能單元22擺動以及隨 後業已自聚焦透鏡外殼226之一光束出口 245照射者,係一 紅外線光之有1300奈米之擺场,波長以及50_250瓦之電力者 。為了具有上述規格之雷射光束之照射,YAG雷射抑或 C02雷射之任一種均可使用。 此分束器252放置在聚焦透銳外殼226之下面者包括兩 個稜銳’每一稜鏡均有一可相互結合之斜面。一極化薄膜 係附著於兩個斜面之任一個上。此分束器252傳送通過一 部分之入射雷射光束274並反射其餘部分之入射雷射光束 274 « 此光調製器254係平行於分束器252而放置在以雷射單 元220之移動方向為準之分束器252之後面,並調製此雷射 光束之有此大約1300奈米之紅外線波長者成為一有大約 630奈米之波長之可見光帶之指示之雷射光束,那係以觀 者肉眼可見者》 較恰當地,作為此光調製部分254,非線性材料諸如 晶體、聚合物、或液晶係經使用。 此反射鏡256,它係以一選定之傾斜建立在光調製部 分254之後面’反射光調製部分254所輸出之可指示雷射光 束235至切割雷射光束228之後面。在此,此切割雷射光束 228和可指示雷射光束235兩者均係沿著劃線120定置。 本紙張尺度速用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------^------tr------漆 (請先閲讀背面之注意事項再恭寫本頁) 40 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 fi ·1 i ': r> A- B7五、發明説明(38 ) 此際,分束器253,光調製部分254,以及反射鏡256 係放置入其内之外殼272,包括一切割光束入口 274,切割 雷射光束228係入射入其内’ 一第一雷射光束出口 276用以 輸出此切割雷射光束傳送通過此分束器252至劃線120上, 以及一第二雷射光束出口 278用以輪出自反射鏡256反射之 可指示雷射光束至劃線120上。在此,吾人寧願切割光束 入口 274之直徑係以甚小之度數較大於聚焦透鏡外殼226之 光束出口 245之直徑。 此第一雷射光束出口 276係形成在外殼260之切割光束 入口 274之一相對部分處,以及第二雷射光束出口 278係形 成在第一雷射光束出口 276之後面,指示之雷射光束235之 反射路線之一相對部分處》 使用依照第四實施例之電射切割器2〇4切割兩片玻璃 結合之基體之方法係以附圖之第28至第29圖為基準來說明 〇 首先,參看第28圈*此雷射切割器202係朝向兩片玻 璃結合之基100移動,如此,該預劃器260之旋轉葉片,以 及割光束入口 274、第一光束出口 276,以及第二光束出口 278係配置在光調製單元270之外殼處者,係與劃線120呈 直線對準。在此,此劃線120係由切割鍵20來界定。光調 製單元270與劃線120之直線對準藉指示之雷射光束235和 劃線120之直線對準而係很容易實施。 當預劃器260之旋轉刀片264,和第一及第二光束出口 276及278與劃線120之直線對準係已完成,預劃器260之轉 -------------裝------訂-------線 (請先閱讀背面之注意事磅再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標皁(CNS ) Α4規格(210 X 2们公釐) 41 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ ^ 7 Α7 r- w ♦ B7 五、發明説明(39 ) 動轴係順時鐘地移動,因此,該旋轉刀片264係定置在基 艚100之劃線120之切割起始邊緣處》此旋轉刀片264以一 特定周轉速RPM轉動’藉以形成一切割起始槽溝於割線 120之起始邊緣處。 切割起始槽溝之形成之後,旋轉刀片264之操作停止 ,以及轉動轴262以反時鐘移動而回行至原態。 此後,雷射光束係自雷射擺動單元202擺動。此擺動 之雷射光束228係照射至一折射鏡224,並係隨後以一選定 之度數折射。此折射之雷射光東係以通過此聚焦透鏡組229 而聚焦。在此一時刻,光束之直徑變成幾微米。此聚焦之 雷射光束係自聚焦透鏡外殼226之光束出口 245照射。 自聚焦透鏡外殼226之光束出口245之輸出雷射光束係 被傳送通過形成於光調製單元270之外殼272内之切割光束 入口 274而引進入分束器内。在此,一部分引進之光傳送 通過第一光束出口 276而被引進入光調製單元270内,以及 其餘者傳送通過光調製單元270之第二光束出口 278 »細言 之,50%之入射雷射光束被引進入光調製單元270之分束 器252内傳送通過分束器252並係傳送通過第一雷射光束出 口 276而照射在基體之劃線120上,以及其餘之50%係由分 束器252反射至90度。 自分束器252反射之光束係入射入平行於分束器252之 光調製部分254内》此光調製部分254調製此入射光束成為 一可見光具有一係由觀測者之肉眼可見之波長帶者。例如 ,此入射光束具有1300奈米之波長者係藉通過光調製部分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I # I· In· m^iJii m ^11^1 — -I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 42 Α7 Β7 五、發明説明(4〇) 254而經調製成為具有600波長之紅色可見光。因此,此調 製光束235(或入射雷射光束)係由反射銳256反射,並係隨 後傳送通過此第二雷射光束出口 278而照射在劃線120上。 此指示之雷射光束245沿著此劃線120跟隨著切割雷射光束 235之移動路線之切割雷私光束228之移動線路。 因此,此切割雷射光束228之自第一番射光東出口 276 所輸出者加熱此劃線120供裂紋之產生用,以及自第二雷 射光束出口 278所輸出之指示之雷射光束235,緊隨此切割 雷射光束228通知觀測者此切割雷射光束228之移動路線。 此際,基想100,藉切割雷射光束而快速地加熱者, 係以自喷灑喷嘴244所喷射之冷卻劑而急劇地冷卻》 在此_時刻,此劃線120係藉急劇之加熱及冷卻而局 部地熱膨脹和收縮,並由是而使高熱應力係集中於劃線120 上。 當此熱應力變得較玻璃分子之粘合力更大時,非晶玻 璃分子之粘合係被破壞,並藉以使裂紋係沿著劃線120產 生以切割此基Μ。 經濟部中央棵準局員工消費合作社印繁 -Hi---—裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -泉 在這些切割步驟中,觀測者自指示雷射光束235測定 切割雷射光束是否自標示之割線120分歧》當指示之雷射 光束之移動線路自標示之劃線120分歧時,觀測者確定此 切割雷射光束自標示之劃線120分歧,並停止雷射切割器 204之操作。隨後,此雷射切割器204係再次地如此對準, 即切割雷射光束228係沿著劃線120照射。沿著其餘劃線120 之切割步驟繼續予以實施》 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(2!OX297公釐) 43 經濟部中央樣準局員工消費合作社印簟 ' A., _B7____ 五、發明説明(41) 因此,依照本發明之實施例,由於觀測者可自指示之 雷射光束235之行進路線觀察到切割雷射光束228之行路線 ,故切割雷射光束自標示劃線分歧之切割誤失可以防止。 此際,雖然第四實施例顯示並說明雷射切割器包括此 雷射單元、預劃器、冷卻單元,以及光調製單元係沿著劃 線移動,但吾人亦可能使此切割程序係以兩片玻璃結合之 基體之運動而以雷射切割器係固定來實施* <第五實施例> 一如前文所述,第四實施例使其可能以觀察者之肉眼 來觀察切割雷射光束之移動線路。不過,由於此雷射切割 器有賴於僅在觀察者之肉眼上切割誤失之發現,那係很難 以精確地比較此標示之割線與切割雷射光束之移動路線, 以及些微之不吻合可能被忽略。有時此些微之不吻合在切 割雷射光束和標示劃線之間者可能感應大量之誤失。例如 ,當切割雷射光束自標示劃線朝向單元區分歧時,裂紋係 亦朝向單元區傳導。這些切割之單元係確定要失誤。此類 切割失誤係未在一個結合之屏终了,但感應至少幾十個屏 ’最高到幾百個屏之切割誤失。依此,此第五實施例提供 一雷射切割器具有能力停止此切割步驟,或者改正自標示 劃線分歧之切割雷射光束之移動線路。 第30圖係依照第五實施例之雷射切割器2〇6之一透視 圖。 參看第30圖,此雷射切割器206包括一第一雷射單元 用以照射一雷射光束用於切割,一冷卻單元24〇用以喷灑 本紙張適用巾gg家刺t ( CNS ) Α4規格(21GX297公釐) * --- ------------裝------訂------涞 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 44 A7 B7 t 1 〇 ·' P 7 ▲人..· ·_ «.摯 五、發明説明(42 ) 冷卻劑在由切割雷射光束之照射所加熱之割線上,以及一 苐二雷射光束290用以追踪沿著劃線120所傳導入裂紋之推 進線路。在此’此冷卻單元240係放置在第一雷射單元220 之移動方向之後面’以及此第二雷射單元290係放置在冷 卻單元240之移動方向之後面* 此際’一預劃器260用以在劃線120之起始邊緣處形成 一切割起始槽溝,以及一移動單元280係選擇性地建立, 以及此冷卻劑吸入器係提供於第二實施例中者可以選擇性 地建立。由於其結構和功能係與第一至第四實施例之那些 相同,故其說明係有意地免除。 就像如第四實施例,此雷射切割器206係建立於暗室 内,以及窗口係經配置於室之壁上,因此該切割雷射光束 228之移動線對係對觀察者可見。 一如第一雷射220,此第二雷射290包括一雷射搌動單 元290、一折射鏡294、一聚焦透鏡組(圖中未顯示),以及 一聚焦透銳外殼296。在聚焦透鏡外殼296之壁之一選定部 分處係建立一光感測器298 »此光感測器298感測自裂紋所 反射之光束,而此裂紋係沿著劃線120所產生者。適當地 ’此光感測器298係一探測自裂紋所反射之光量之感測器 ,而此裂紋係沿著基100之劃線所產生者。 一如第31圖内所示,此感測器298以及第一和第二雷 射220和290係連接至一控制器400之諸如微處理機者.此 微處理機400比較預先貯存之標示劃線120之線路與實際切 線120’之線路自由光感測器298所感測之光量,並由是而 ----------^------ir------41 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 45 A7 經濟部中央橾率局員工消費合作杜印聚 ____B7五、發明説明(43) 控制以停止雷射切割器206之操作,或以改正移動板280之 行進線路》 此第二雷射單元290之第二擺動單元292係配置於Y-軸移動板282處,並擺動第二雷射先束237(或裂紋探測雷 射光束)用以探測在實際切線120,中所產生之裂紋。例如 ,用於裂紋之探測之第二雷射光束係一有630奈米之擺動 波長之可見光,以及其移動線路係對觀察者可見。在此一 時刻,氦氖雷射係用作此第二雷射單元290。 適當地’一如第一雷射單元220,要就是YAG雷射抑 或C02雷射係被採用。在此時,此切割雷射光束228之係 自第一雷射220之雷射搋動單元222擺動並係隨後被照射於 聚焦透鏡外殼226下兩者,係一有〗300奈米之捤動波長之 紅外光及50— 250瓦之高電力者》 使用依照第五實施例之雷射切割器切割兩片玻璃結合 之基體之方法係以附圈之第30圓至第32圖為基準來說明。 首先,參看第30圊,此雷射切割器206係朝向 兩片玻璃結合之基體100移動,因此,預劃器260之 旋轉刀片264之切割雷射光束228,以及裂紋探測雷 射光束237,係與由切割鍵20所界定之劃線120呈直 線對準。當預劃器260之旋轉刀片264,和切割雷射 光束228,以及裂紋探測雷射光束23 7與劃線120之 直線對準係已完成時,預劃器260之轉動軸262係順 時鐘移動,因此,該旋轉刀片264係定置於基體100 之剷線120之切割起始邊緣處。此旋轉刀片以一特 I----^-----*4------ir------味 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺皮適用中國國家榇皐(CNS ) A4規格(210X297公釐) 46
經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 五、發明説明(44) 定周轉速RPM轉動,由是而在劃線120之起始邊緣處形成 一切割起始槽溝。 切割起始槽溝之形成之後,此旋轉刀片之操作即停止 ,以及此轉動軸藉反時鐘地移動而回行至原態。 此後,此切割電射光束228以幾微米聚焦,並隨後自 聚焦透鏡外般226照射以快速地加熱此基體100沿著劃線 120,自形成在基體100之劃線120之起始邊緣處之切割起 始槽溝開始。 此際,此基體由第一雷射220之切割雷射光束之照射 所快速地加熱係由自喷溧喷嘴244所喷灑之冷卻劑快速地 冷卻。藉加熱之劃線120之冷卻,裂紋係沿著基體100之劃 線120產生(步驟500)。 此際,由第二雷射290之聚焦透鏡組以幾微米聚焦以 及隨後自聚焦透鏡外殼296所照射之裂紋探測雷射光束237 ,係照射在所產生之裂紋上,依循沿著劃線120所喷灑之 冷卻劑。 當此裂紋探測雷射光束237係照射在此裂紋上時,一 部分之裂紋探測雷射光束237係由此裂紋所反射。在此時 ,配置在第二雷射290之聚焦透鏡外殼296之壁上之感測器 探測自裂故所反射之光量,變換此探測之光量信號成一相 當之電信號,並傳遞此變換之電信號至微處理機400 » 下一步,此微處理機400察覺自輸入電信號所產生之 裂紋之傳導線路120’,並比較此裂紋之傳導線路120’與標 示劃線120之預存線路。自此線路之比較,吾人測定所產 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4現格(210Χ297公嫠) .1 I I I —- _, (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 47 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(45 ) 生之裂紋之傳導線路120’是否自標示劃線120分歧(步驟 510) 〇 當裂紋之傳導線路120’與標示劃線之線路相當時,此 切割步驟係繼讀。 不過,當裂紋之傳導線路120’並不與標示劃線120相 當時,此微處理機400測定裂紋之傳導線路120自標示劃線 之線路120分歧,並計量裂紋之傳導線路120’和標示劃線 之線路120之間之分歧角度0(步驟520)。此後,此微處理 機400控制X-轴移動板284之位置,如此,該裂紋之傳導 線路120’舆標示劃線120之線路相當(步驟530) » 當X-軸移動板254之直線對準係完成時》此第一雷射 220再次地沿著標示刻線120照射切割雷射光束228,以及 第二雷射290緊隨第一雷射220照射裂紋探測雷射光束237 在所產生之裂紋上以探測裂紋120之傳導線路。 此微處理機400再次地測定傳導線路120’是否與標示 劃線120之線路相當(步驊540)。自此測定,如果兩線路相 互相當時,此切割步驟繼讀予以實施(步驟550) »如果兩 線路並不相當時,它回行至步驟520用以計量此分歧之角 度0。 因此,依照第五實施例’由於裂紋之傳導線路自動地 與標示劃線120相當,裂紋之傳導線路自標示劃線120分歧 之切割誤失係大體上被防止。此外’由於切割誤失係經界 定至一個結合屏而相同之切割誤失在緊接之另—屏内者可 以藉切線路之改正而避免’大量之誤失即可以防止。此外 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2】0X297公釐) 4g —^1 -!1- ..... - - - - I (诸先W讀背面之注項再填窝本頁) 訂
五 '發明説明(46) 經濟部中央揉準局—工消費合作社印裝 ,由於切割誤失之發生率係非常低,故裝置之操作時間係 伸長,導致呑吐量之改進 此際,雖然第五實施例顯示並說明雷射切割器包括第 一和第二雷射單元、預劃器、冷卻單元等,係沿著劃線移 動,但吾人亦可能使該切割程序係以兩片玻璃結合之基禮 之運動而以雷射切割器係固定而實施。 <第六實施例> 提供在第一至第五實施例中之各自之雷射切割器係有 效地應用於砌成之LCD屏之製造用以完成一非常大之屏尺 寸。 第32圈顯示,依照本發明中所提供之一雷射切割器所 切割單元屏之砌成LCD屏之製造方法》 對一具有高解析度和較大屏尺寸之一扁平屏顯示器之 製造言,吾人首先需要具有XGA或UXGA之高解析度之多 單元屏係經製造,以及此製造之屏係光滑且精細地被切割。 對這些要求,雷射切割器200 ' 202、204、206之一之 在第一至第五實施例所提供者係可選擇地使用。 多單元LCD屏150、152、154、156係由一雷射切割方 法所備製,它包括照射雷射光束在一母玻璃之劃線上,並 急劇地冷卻由雷射光束之照射所加熱之劃線。 在雷射切割中,在劃線之起始邊緣和端沿處形成此切 割起始槽溝和切割终端槽溝之方法係選擇性地使用。在存 在於母玻璃中劃線相互交叉之一交叉點之情況中,顯示於 第19圖及第20圖内之預切槽溝係必需地形成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(2】ΟΧ297公釐) --------r---装------訂------像, (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 49 Ο Α7 Β7 五、發明説明(47) (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’為了要防止不規則裂紋之發生,當細小裂紋自 母玻璃之外表面開始者係朝向母玻璃之内表面傳導時,第 12圈内所提供之兩次切割方法係亦選擇性地使用β 雖然上述切割方法之選擇性應用,但多單元LCD屏之 有精細且光滑之切面係經備製。例如,四個單元之LCD屏 係經製成一較大扁平屏之顯示器。換言之,四片之單元LCD 屏150、152、154、156係直線對準至2X2平方矩陣,產生 一60吋屏。可選擇地’在兩片LCD屏係直線對準至ΐχ2矩 陣之情況中,兩個砌成之LCD之有30吋大小者係經製成。 在四個單元LCD屏之切面處係經形成邊緣電極連接至 閘匯流線及資料匯流線。閘涯流線之一邊终端和資料滙流 線係暴露於單元LCD屏之外面》當單元LCD屏150、152、 154、156係沿著一中繼線155呈直線對準時,雷射2〇〇沿著 中繼線155照射雷射光束228。在此,雷射光束128之強度 係如此控制,即參與接合中之單元LCD屏之邊緣係被熔化 。此單元LCD屏150、152、154、156之邊緣係相互結合。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 可選擇地,此四個單元LCD屏係由一附加之中間而相 互結合》在此一情況下,此附加之中間係做成得非常薄, 因此,在顯示器上之影像係不會因缝合線之宽度而分劃β 例如,如第35及第36圖中所示,燒結之玻璃或含鉛玻 璃可以使用於單元LCD屏157、158、159、160之間作為中 間170。此燒法之玻璃及含鉛玻璃有一熔點較使用作為單 元LCD屏之基體之玻璃顯著地為低。
如第35圖内所示,四個中間170係分別地置於單元LCD 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規《格(2丨0X297公釐) 50 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 B7 五、發明説明(48) 屏157、159、159、160之間。沿著單元LCD屏之中維線, 雷射光束228係經照射以熔化此中間如第36圖内所示。此 熔化之中間170係由自噴嘴所喷灑之冷卻劑所冷卻,並在 同一時間地此四個單元LCD屏係相互地結合。 在此,由於吾人可能使此燒結玻璃或含船玻璃非常薄 ,故鄰接單元LCD屏處之縫合線宽度係結合之中間者係做 成為與像素間之間距一樣。因此*雖然中間170係被使用 ,但大尺寸之扁平屏顯示器具有高解析度者沒有縫合線之 外觀在單元LCD屏之接合處者可以製造。 第37圊係截取沿第36圖之直線C-C’一段之剖視囷,並 顯示該中間係置於鄰接之兩個單元LCD屏157和159之間之 中間8 此單元LCD屏之相互結合者係通過後續之組合步驟而 做成為大尺寸之扁平屏顯示器模件》 一如前文所述,依照第六實施例,由於以雷射切割之 切面係非常精細而光滑,故缝合線之寬度係顯著地減小, 以及由足而使大尺寸之扁平屏顯示器具有高解析度者可以 有效地製造。此外,此製造方法降低細片玻璃之產生,特 別是在切面處。 本發明業已以上述各實施例為基準而說明,不過,至 為顯明者,即甚多可選擇之更改及變化在上述說明文之範 園内對精於此技藝者將仍顯明。依此,本發明包含所有此 類可選擇之更改及變化,視為納入增列之申請專利範圍之 精神及範圍内。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2】0X297公釐) ----Μ-------^------1Τ------A (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 51 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(49) 元件標號對照 1...母玻璃基體 144...第一切線 4a ' 4b…劃線 146…第一預切終端槽溝 6…單元屏 149…第二切線 8...粗糙部分 150,152,154,156...屏 20…切割鍵 155...中繼線 22…光學粘合劑縫合線 157-160···屏 24,25…切面 170··.中間 30...起始槽溝 200...雷射切割器 52···旋轉刀片移動路線 202...雷射切割器 54...聚焦外殼移動路線 204...切割器 60...彈形物 206…雷射切線 70…相變換單元 220…雷射單元 72...膨脹喷嘴 222···擺動單元 74...貯藏櫃 224...折射鏡 74a...第二電磁閥 226…聚焦透鏡組外殼 80...喷嘴 228...雷射光束 86…控制單元 229...聚焦透鏡組 91...供輸管 232...移動板 91a、b...電磁閥 235...可見光 100...基體 237...雷射光束 120...劃切線,劃線 240…冷卻單元 142...第一預切槽溝 242...冷卻劑貯存部分 ---rt n I - n n I - I t— - - T ---1 I ----t—,泉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標車{ CNS > A4規格{ 210 X 297公釐) 52 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 m : μ Λ V ' ^ 丨五、發明説明(5〇 ) 244…喷嘴 245.. .雷射光束輸出 250.. .冷卻劑吸入器 250.. .吸入管 252···泵 252.. .分束器 254…光網製部分 254.. .吸入管 256…反射鏡 260.. .預劃器 262.. .轉動軸 264.. .旋轉刀片 264.. .冷卻劑 265.. .支承構件 266.. .預劃器主體 270…光調製單元 272.. .外透 274…入口 276…出口 278.. . iti σ 280.··移動單元 282.. .移動板 283.. .辅助移動板 284.. .軌道 Α7 Β7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 290.. .位置感測器 290.. .雷射單元 292.. .擺動單元 294.. .折射鏡 296.. .外般 298…光感測器 326.. .聚焦透鏡外殼 344.. .喷嘴 350.. .外殼 352.. .馬達 354…偏心凸輪 356.. .推桿 358.. .旋轉刀片桿 359.. .彈性構件 364.. .旋轉刀片 368.. .方 370.. .預劃器 382…Υ轴移動板 383.. .輔助移動板 390.. .感測器 400…控制器 400.. . % 410.. .窗口 ----.---„----装------1Τ------.^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 53

Claims (1)

  1. I Q A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袋 申請專利範圍 ι· 一種雷射切割器,其包含: 雷射單7L,其使用一具有特定波長之雷射光束 而沿著一正被一切割之物件之一標示之切線進行照射 :以及 用以冷卻業經該雷射光束照射過之切線之裝置 Ο 2·如申請專利範圍第丨項之雷射切割器,其令該雷射單元 包含: 一雷射擺動單元; —折射鏡用以折射自此雷射擺動單元所照射之雷 射光束; 一聚焦透鏡組’用以控制此雷射光束之聚焦之深 度:以及 一聚焦透鏡組外殼’用以容置該聚焦透鏡組。 3·如申請專利範圍第1項之雷射切割器,其中該雷射係為 一種選自於一包含YAG雷射' C〇2雷射以及二極體雷射 之組群者。 4·如申請專利範圍第1項之雷射切割器,其中該冷卻裴置 包含: 一冷卻劑供應部分,用以供應一冷卻劑;以及 一喷霧嘴,用以沿著業經雷射光束照射過之物件 之切線喷灑來自該冷卻劑供應部分之冷卻劑。 5·如申請專利範圍第4項之雷射切割器,其中該喷嘴有一 斜形尖端。 本紙張尺度適用中固國家橾準(CNS > A4規格(210X297公釐) -----------^------、玎------^ (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 54 經濟部中央標车局負工消費合作社印褽 Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 6.如申請專利範圍第5項之雷射切割器,其中該喷嘴另包 括用以控制要被喷灑之冷卻劑之壓力之裝置。 7·如申請專利範圍第1項之雷射切割器,其中該冷卻劑係 為一種自於一包含氣氣嫌、氣氣想和氬氣艘之組群者 〇 8.如申請專利範圍第1項之雷射切割器,其另包含一冷卻 劑吸入器,用以吸入被朝向該物件喷灑之冷卻劑。 9_如申請專利範圍第8項之雷射切割器,其中該冷卻劑吸 入器包含: 一吸入管’其被放置在以該雷射單元之行進方向 為準之該冷卻單元之後面處;以及 一泵’用以使此吸入管呈真空狀態。 10.如申請專利範圍第9項之雷射切割器,其中該泵之壓力 係較冷卻劑之壓力為低。 11_一種雷射切割器,其包含: 一雷射單元,以一特定波長沿著一正被切割之物 件之標示切線來照射一雷射光束; 用以在該標示切線之一選定部分處形成—預切槽 溝之裝置;以及 用以冷卻業經該雷射光束照射過之切線之裝置。 12. 如申請專利範圍第η項之雷射切割器,其另包含用以 移動該雷射單元、該預切槽溝形成裝置以及該冷卻裝 置至一選定之方向之裝置。 13. 如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其另包含用以 ----------襄------、訂------^ (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 ·™' i r ί * y s 5 5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Π !卜::Ρ 7 BS .......-® C8 ____ D8 _ 六、申請專利範圍 移動該正被切割之物件至一選定方向之裝置。 14.如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該預切槽 溝形成裝置包含: 一第一桿’其被配置在該雷射單元之行進方向之 前面; 一第二桿’其被旋轉地聯接至該第一桿而可順時 鐘或反時鐘地旋轉;以及 一旋轉刀片’其被聯接至該第二桿之一邊之終端 ’並用以在正被切割之物件之標示切線之一選定部分 處形成預切槽溝》 1、如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該選定之 部分係該標示切線之起始邊緣和終端邊緣中之至少一 個。 16_如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該標示之 切線係為至少兩個相互垂直者,以及該選定部分係為 該相互交叉之切線之交叉點。 Π.如申請專利範圍第16項之雷射切割器,其中形成於該 交叉點處之預切槽溝有一自此交叉點沿該標示切線之 選定之長度。 18. 如申請專利範圍第16項之雷射切割器,其中形成在該 父又點處之預切槽溝係為一具一選定直徑之園形結構 〇 19. 如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該標示切 線係為至少兩個,並包含第一切線和垂直於該第一切 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 210X297公董) ----------^------1Τ------^ (請先W讀背面之注意^項再填寫本頁) 56 經濟部中央榡率局員工消资合作杜印繁 必::e? a ---- C8 _ D8 κ、申請專利範圍 線之第二切線,以及該選定部分係為該第二切線之起 始邊緣》 2〇·如申請專利範圍第丨丨項之雷射切割器,其中正被切割 之物件係為兩片玻璃結合之基體。 21·如申請專利範圍第20項之雷射切割器,其中該兩月玻 填係分別為彩色濾波器基體和薄膜電晶體基體,其中 該薄膜電晶體基體包含一形成於其一内表面上之薄膜 電晶體、資料和閘滙流排以及一像素電極,以及該彩 色遽波基體包含形成於其_内表面上之一彩色遽波器 ’以及形成在該彩色濾波器上之反電極。 22·如申請專利範圍第20項之雷射切割器,其中該兩片玻 壤結合之基體有一區域相當於至少兩個單元之液晶顯 示器(LCD)屏尺寸》 23.如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該冷卻裝 置包含: 一冷卻劑供應部分’用以供應一種冷卻劑;以及 一喷嘴,用以沿著業經雷光束照射過之 物件之切線喷灑來自該冷卻劑供應部分之冷 卻劑。 24·如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其中該喷嘴有 一斜形尖端。 25, 如申請專利範圍第11項之雷射切割器,其另包含一冷 卻劑吸入管用以吸入被朝向該物件喷灑之冷卻劑。 26. 如申請專利範圍第25項之雷射切割器,其中該冷卻劑 尺度適用中國國家標率(CNS) A现210X297公羡) I I^-I —111— I . I . ϊ~ "線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 57 經濟部中央標率局貝工消費合作社印策 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 吸入器包含: 一吸入管’其被配置在以雷射單元之行進方向為 準之該冷卻劑單元之後面處;以及 一泵’用以使此吸入管呈真空狀態。 27. 如申請專利範圍第26項之雷射切割器,其中該泵之壓 力係低於該冷卻劑之壓力。 28. —種雷射切割器,其包含: 一雷射單元,用以沿著一正被切割之物件之一標 示之切線來照射一具有一第一波之第一雷射光束; 光調製裳置’用以調製一部分之該第一雷射光束 成為一具有第二波長之第二雷射光束,並用以傳送其 餘之第一雷射光束’其中該第二雷射光東係緊隨該第 —雷射光束照射在該標示之切線上;以及 用以冷卻業經該第一雷射光束照射過之切線。 29. 如申請專利範園第28項之雷射切割器,其另包含用以 在該標示切線之一選定部分處形成一預切槽溝至一選 定之深度之裝置。 30. 如申請專利範圍第29項之雷射切割器,其另包含用以 移動該雷射單元、該光調製裝置、該冷卻裝置以及該 預切槽溝至一選定之方向之裝置。 31. 如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其另包含用以 移動該正被切割之物件至一選定之方向之裝置。 32. 如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其中該第_雷 射光束係一具有大約1300奈米之波長之紅外線光,以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公董) ----------裝------訂------線P (请先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 58 經濟部中央標率局負工消費合作社印策 B8 C8 _________D8 六、申請專利範圍 及該第-雷射先束係-具有大約600奈米波長之可見光 〇 33’如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其中該調製裝 置包含: —分束器’用以將來自該雷射單元之一入射雷射 光束,藉由傳送一部分之入射雷射光束及反射其餘之 入射雷射光束而分裂成為兩個雷射光束; 一光調製部分’用以調製自分東器所反射之雷射 光束成為一可見光,藉以產生一指示性雷射光束;以 及 —反射鏡,用以在一選定之度數下反射此調製之 指示性雷射光束。 34. 如申請專利範圍第33項之雷射切割器,其中該光調製 部分係一種選自於一組包含液晶、聚合物及晶體之非 線性物質。 35. 如申請專利範圍第33項之雷射切割器,其中該光調製 裝置另包含一外殼’内部建立有該分束器、該光調製 部分以及該反射鏡,其♦該外殼包含一切割光束入口 ,該雷射單元之雷射光束係入射進入該入口内,一第 —雷射光束出口用以傳送一部分之穿透該分束器之雷 射光束;以及一第二雷射光束出口用以傳送自反射鏡 所反射之指示性雷射光束。 36. 如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其另包含一室 ,内部建立有該雷射單元、該光調製裝置、該冷卻裝 本紙張尺度速用中國國家標率(CMS ) A4規格(210X297公釐) ----------^------tr------Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 59 Λ i P7 as fci Λ w -, Γ· i BS C8 _ D8 _ 々、申請專利範圍 置’該室包含一窗口用以觀察該指示性雷射光束之行 進線路。 37.如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其另包含一冷 卻劑吸入器用以吸入被喷灑在該正被切割之物件上之 冷卻劑》 38·如申請專利範圍第28項之雷射切割器,其中該冷卻裝 置包含一喷嘴用以喷灑冷卻劑,該喷嘴有一斜形尖端 〇 39_ —種雷射切割器,其包含: 一第一雷射單元,用以沿著一正被切割之物件之 標示切線來照射一具有一第一波長之第一雷射光束; 用以冷卻業經該第一雷射光東照射過之標示切線 之裝置’而藉此於經冷卻之切線處產生裂紋; 一第二電射單元,用以於該正被切割之物件之該 裂紋上照射一具有一第二波長之第二雷射光束; 用以探測由該裂紋所反射之第二雷射光束之裝置 ;以及 經濟部中央標準局*:工消費合作社印製 控制裝置’用以輸出一信號以供藉由比較由該探 測裝置所獲得之實際切線路與該標示切線,並測定該 實際切線路是否偏離該標示切線,而改正該第一雷射 光束之行進線路。 40.如申請專利範圍第39項之雷射切割器,其另包含用以 移動該第一雷射單元、該冷卻裝置、該第二雷射單元 以及該探測裝置至一選定之方向之裝置,其中該移動 本紙張尺度逍用中國國家輮準(CNS ) A4規格(210X297公着) 60
    AS B8 C8 D8 、申請專利範圍 ' — - 裝置之線路係由控制裝置之一線路改正信號來控制。 41. 如申請專利範圍第39項之雷射切割器其另包含用以 移動該正被切割之物件至一選定方向之裝置’其中該 物件移動裝置之線路係由該控制裝置之—線路改正信 號來控制》 42. 如申請專利範圍第39項之雷射切割器,其另包含用以 在該第一雷射光束被照射之前,於該標示切線之一選 定部分處形成預切槽溝至一選定之深度之裝置β 43·如申請專利範圍第39項之雷射切割器其中該第二雷 射之第二雷射光束係為一可見光線。 44. 如申請專利範圍第39項之雷射切割器,該探測裝置係 為一感測器,用以感測從該實際切線所產生之裂紋所 反射之第二雷射光束之數量。 45. 如申請專利範圍第39項之雷射切割器,其另包含一冷 卻劑吸入器’用以吸入被朝向正被切割之物件而嘴漏 之冷卻劑β 46. 如申請專利範園第39項之雷射切割器,其中該冷卻裝 置包含一喷嘴用以喷灑冷卻劑,該喷嘴有一斜形尖端 〇 47’種使用一雷射切割器來切割一易碎物件之方法,此 方法包含之步驟為: 探測該物件之一標示切線以及該標示切線之起始 邊緣; 在該標示切線之起始邊緣處形成一有選定長度和 本紙張尺度通用肀國固家樣率(CNS〉Α4規格(2ΐ〇χ297公董) -----.----1------IT------線 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣率局員工消費合作社印製 經濟部中央標隼局貝工消費合作衽印裝 六、申請專利範圍 - 選定深度之預切槽溝; 從該預切槽溝開始沿著該標示切線來照射—雷射 光束;以及 快速地冷卻該標示切線。 48. 如申請專職圍第47項之方法,其另包含之步驟為· 探測該標示切線之終端邊緣;以及 形成一預切槽溝於該標示切線之終端邊緣處。 49. 如申請專利範圍第48項之方法,其另包含之步辣為: 於該雷射光束之照射時,探測該標示切線和至少 —個另一標示切線之交又點; 在該另一標示切線之起始邊緣處形成一預切槽溝 :以及 從被形成於該另一切線内之預切槽溝開始,沿著 該另一標示切線來照射雷射光束。 50. 如申請專利範圍第49項之方法,其中該標示切線係垂 直於該另一標示切線,該方法另包含於該雷射光束被 照射在該交叉點上之前’在該交又點處形成一預切槽 溝之步驟》 51. 如申請專利範圍第50項之方法,其中被形成於該交叉 點處之預切槽溝從此交叉點沿著該標示切線具有一選 定之長度。 52·如申請專利範圍第50項之方法,其中在該交又點處所 形成之預切槽溝係為一具有一選定直徑之圓形結構。 53.如申請專利範圍第47項之方法,其中該物件係為用於 本紙張尺度適用中國國家揉丰(CNS } A4規格(2!0X297公釐) ---------^------訂------0 (請先KS讀背面之注意事項再填寫本頁) 62 六、申請專利範圍 液晶顯示器之兩片母玻璃結合之屏。 54. 如申請專利範圍第53項之方法,其中藉由用以於標示 切線之起始邊緣處形成該預切槽溝之該預切槽溝形成 步雜、該雷射光束照射步驟以及該冷卻步驟,該兩片 母玻璃結合屏之一面之母玻璃首先被切割,而另一 之母玻璃次而被切割。 /' '、 55. 如申請專利範圍第54項之yi:射切割器,其中該任一面 之母玻璃為第一和第二切"^、多驟所分開,該第一切割 步驟切割該任一面母玻璃厚度之60〇/〇。 56. 如申請專利範圍第53項之方法,其中該兩片母玻璃結 合之屏有一區域相當於至少兩個單元之LCD屏大小。 57. 如申請專利範圍第47項之方法,其另包含沿著該切面 之上邊緣照射雷射光束之步雜,以及快速地冷卻該切 面之上邊緣之步驟》 58. 如申請專利範圍第47項之方法,其中一被聚焦在該正 被切割之物件之表面上的聚焦雷射光束具有一有平行 於標示切線之較長軸線和一垂直於標示切線之較短料 線。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印策 59. 如申請專利範圍第58項之方法,其中該較短轴線直徑 和該較長軸線直徑之比率係為1 : 50及更大。 60. 如申請專利範圍第59項之方法,其中該較短轴線直控 係在2微米至500微米之範圍,以及該較長軸線直徑係 在10毫米至100毫米之範圍。 61. —種使用一雷射切割器來切割一易碎物件之方法,該 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4说格(2丨0X297公釐) 63 Βδ C8 ----------D8 六、申請專利範圍 方法之步驟為: 沿著一標示切線來照射雷射光束,以及冷卻該標 示切線; 自於冷卻步驟中所產生之裂紋獲知—實際切線; 藉由比較實際切線與該標示切線以測定該實際切 線是否偏離該標示切線;以及 從該測定步驟之結果來改正該雷射光束之移動線 路。 62.申請專利範圍第61項之方法,其中該實際切線之線路 係由從該裂紋所反射之光量來測定。 ----------^------tr------^ (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 64 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4坑格(210x297公釐)
TW088100541A 1998-08-26 1999-01-14 Laser cutting apparatus and method TW419867B (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980034606A KR100539971B1 (ko) 1998-08-26 1998-08-26 엘씨디 글래스 절단 장치, 엘씨디 글래스 절단방법 및 이를이용한 대형 평판 표시 소자 제조 방법
KR10-1998-0045429A KR100510918B1 (ko) 1998-10-28 1998-10-28 엘씨디용 유리 모기판 절단 설비 및 절단 방법
KR10-1998-0053539A KR100514099B1 (ko) 1998-12-04 1998-12-04 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법
KR1019980053538A KR100543368B1 (ko) 1998-12-04 1998-12-04 레이저 커팅 설비
KR10-1998-0053541A KR100514095B1 (ko) 1998-12-04 1998-12-04 레이저 커팅설비 및 이를 이용한 커팅 경로 보정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW419867B true TW419867B (en) 2001-01-21

Family

ID=27532280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088100541A TW419867B (en) 1998-08-26 1999-01-14 Laser cutting apparatus and method

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6407360B1 (zh)
JP (2) JP4396953B2 (zh)
TW (1) TW419867B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101505908B (zh) * 2006-08-24 2012-08-15 康宁股份有限公司 用于柔性显示器应用中的薄的层叠玻璃基底的激光分离
CN103108521A (zh) * 2013-01-15 2013-05-15 深圳市华星光电技术有限公司 前框结构、显示装置及显示装置的制作方法
TWI496644B (zh) * 2011-06-28 2015-08-21 Ihi Corp Means for cutting off the fragile members, the method, and the fragile components to be cut off

Families Citing this family (275)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744776A (en) * 1989-07-14 1998-04-28 Tip Engineering Group, Inc. Apparatus and for laser preweakening an automotive trim cover for an air bag deployment opening
JP2000167681A (ja) * 1998-12-04 2000-06-20 Samsung Electronics Co Ltd レ―ザ切断用基板,液晶表示装置パネルおよび液晶表示装置パネルの製造方法
EP1161320B1 (de) * 1999-03-08 2004-06-09 Elpatronic Ag Verfahren und vorrichtung zum schweissen von blechen
DE19963939B4 (de) * 1999-12-31 2004-11-04 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus sprödbrüchigem Material
EP1269535B1 (de) * 2000-04-04 2007-10-10 Synova S.A. Verfahren zum schneiden eines gegenstands und zur weiterverarbeitung des schnittguts sowie träger zum halten des gegenstands bzw. des schnittguts
US6947802B2 (en) * 2000-04-10 2005-09-20 Hypertherm, Inc. Centralized control architecture for a laser materials processing system
DE10030388A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-03 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von Glassubstraten für elektronische Speichermedien
DE10041519C1 (de) * 2000-08-24 2001-11-22 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchschneiden einer Flachglasplatte in mehrere Rechteckplatten
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP2002172479A (ja) * 2000-09-20 2002-06-18 Seiko Epson Corp レーザ割断方法、レーザ割断装置、液晶装置の製造方法並びに液晶装置の製造装置
US6576870B2 (en) * 2000-11-13 2003-06-10 Hannstar Display Corp. Apparatus with double laser beams for cutting two bonded glass substrates and method thereof
TW512415B (en) * 2000-11-17 2002-12-01 Emcore Corp Laser separated die with tapered sidewalls for improved light extraction
JP3802442B2 (ja) * 2000-12-01 2006-07-26 エルジー電子株式会社 ガラス切断方法および装置
US6943429B1 (en) * 2001-03-08 2005-09-13 Amkor Technology, Inc. Wafer having alignment marks extending from a first to a second surface of the wafer
US6869861B1 (en) 2001-03-08 2005-03-22 Amkor Technology, Inc. Back-side wafer singulation method
US6635941B2 (en) 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
US6895133B1 (en) * 2001-06-20 2005-05-17 Lightwave Microsystems Corporation Crack propagation stops for dicing of planar lightwave circuit devices
JP2003151924A (ja) * 2001-08-28 2003-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング方法およびダイシング装置
KR100794284B1 (ko) * 2001-09-29 2008-01-11 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법
US20030062126A1 (en) * 2001-10-03 2003-04-03 Scaggs Michael J. Method and apparatus for assisting laser material processing
JP4885111B2 (ja) * 2001-11-08 2012-02-29 シャープ株式会社 液晶パネル及び液晶パネル製造装置
KR100786179B1 (ko) * 2002-02-02 2007-12-18 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법 및 장치
KR100832292B1 (ko) * 2002-02-19 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 절단 장치
EP3252806B1 (en) 2002-03-12 2019-10-09 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
KR100749972B1 (ko) 2002-03-12 2007-08-16 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공 대상물 절단 방법
EP1500484B1 (en) * 2002-03-12 2011-07-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method and system for machining fragile material
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
US7042095B2 (en) * 2002-03-29 2006-05-09 Renesas Technology Corp. Semiconductor device including an interconnect having copper as a main component
TWI265550B (en) * 2002-05-14 2006-11-01 Toshiba Corp Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
US6806544B2 (en) 2002-11-05 2004-10-19 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure
WO2004014626A1 (en) * 2002-08-05 2004-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method
KR100724474B1 (ko) * 2002-10-22 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널의 절단 장치 및 이를 이용한 절단방법
TWI286232B (en) * 2002-10-29 2007-09-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method and device for scribing fragile material substrate
AU2003280723A1 (en) * 2002-11-06 2004-06-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Scribe line forming device and scribe line forming method
US20040094526A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Mccoy Edward D. Cutting laser beam nozzle assembly
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
KR100497820B1 (ko) * 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
WO2004062868A1 (ja) * 2003-01-10 2004-07-29 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法並びに自動分断ライン
TWI240965B (en) * 2003-02-28 2005-10-01 Toshiba Corp Semiconductor wafer dividing method and apparatus
US20060183317A1 (en) * 2003-03-14 2006-08-17 Junji Noguchi Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US7186947B2 (en) * 2003-03-31 2007-03-06 Hypertherm, Inc. Process monitor for laser and plasma materials processing of materials
JP4640174B2 (ja) * 2003-05-22 2011-03-02 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
JP4175636B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-05 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法
JP4422463B2 (ja) * 2003-11-07 2010-02-24 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの分割方法
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
DE102004014277A1 (de) * 2004-03-22 2005-10-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum laserthermischen Trennen von Flachgläsern
JP2005334928A (ja) 2004-05-26 2005-12-08 Yamazaki Mazak Corp レーザ加工機における焦点調整装置
US7820941B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
US20060021977A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Menegus Harry E Process and apparatus for scoring a brittle material incorporating moving optical assembly
US20090078370A1 (en) * 2004-08-31 2009-03-26 Vladislav Sklyarevich Method of separating non-metallic material using microwave radiation
EP1632305A1 (de) * 2004-09-04 2006-03-08 Trumpf Werkzeugmaschinen GmbH + Co. KG Verfahren zur Ermittlung und Verfahren zur Einstellung der gegenseitigen Lage der Achse eines Laserbearbeitungsstrahls und der Achse eines Prozessgasstrahls an einer Laserbearbeitungsmaschine sowie Laserbearbeitungsmaschine mit Einrichtungen zur Umsetzung der Verfahren
JP2006108459A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd シリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US7822780B1 (en) * 2004-10-20 2010-10-26 Embarq Holdings Company, LP Computerized method and system for generating procedures capable of being used with multiple databases
ATE520495T1 (de) * 2004-10-25 2011-09-15 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur bildung von rissen
US7815778B2 (en) * 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
WO2006057713A2 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7530880B2 (en) * 2004-11-29 2009-05-12 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
US7846008B2 (en) * 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US20070224925A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Rajeev Bajaj Chemical Mechanical Polishing Pad
US20080318505A1 (en) * 2004-11-29 2008-12-25 Rajeev Bajaj Chemical mechanical planarization pad and method of use thereof
US20090061744A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Rajeev Bajaj Polishing pad and method of use
KR100906543B1 (ko) * 2004-12-08 2009-07-07 가부시키가이샤 레이져 솔루션즈 피분할체에 있어서의 분할 기점 형성 방법, 피분할체의 분할 방법, 및 펄스 레이저광에 의한 피가공물의 가공방법
US20060163220A1 (en) * 2005-01-27 2006-07-27 Brandt Aaron D Automatic gas control for a plasma arc torch
TWI380868B (zh) * 2005-02-02 2013-01-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltdl Fine processing method of sintered diamond using laser, cutter wheel for brittle material substrate, and method of manufacturing the same
JP2008529031A (ja) * 2005-02-03 2008-07-31 セラ セミコンダクター エンジニアリング ラボラトリーズ リミテッド マイクロ分析のためのサンプル調製
US7762871B2 (en) * 2005-03-07 2010-07-27 Rajeev Bajaj Pad conditioner design and method of use
US8398463B2 (en) 2005-03-07 2013-03-19 Rajeev Bajaj Pad conditioner and method
NL1028588C2 (nl) * 2005-03-22 2006-09-25 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het separeren van producten met een gecontroleerde snederand en gesepareerd product.
US20070039990A1 (en) * 2005-05-06 2007-02-22 Kemmerer Marvin W Impact induced crack propagation in a brittle material
NL1029171C2 (nl) * 2005-06-02 2006-12-05 Fico Bv Inrichting en werkwijze voor het met een dubbele snijstraal bewerken van elektronische componenten.
DE102005027800A1 (de) * 2005-06-13 2006-12-14 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum mehrfachen Trennen eines flachen Werkstückes aus einem spröden Material mittels Laser
US20080236199A1 (en) * 2005-07-28 2008-10-02 Vladislav Sklyarevich Method of Separating Non-Metallic Material Using Microwave Radiation
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP4890462B2 (ja) * 2005-10-28 2012-03-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のスクライブライン形成方法およびスクライブライン形成装置
US20070138228A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Brown James W Method and apparatus for finishing a glass sheet
KR100972488B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 레이저를 이용한 액정표시소자 절단장치 및 절단방법, 이를이용한 액정표시소자 제조방법
US20070202780A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Chung-Ching Feng Polishing pad having a surface texture and method and apparatus for fabricating the same
EP2015888B1 (de) * 2006-04-28 2011-07-06 TRUMPF Werkzeugmaschinen GmbH + Co. KG Laserbearbeitungsverfahren
DE102006025912A1 (de) * 2006-06-02 2007-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Glasscheibe sowie Verfahren zur Herstellung der Glasscheibe
US20080041833A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nicholas Dominic Cavallaro Thermal tensioning during thermal edge finishing
JP2008053500A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
TWI298280B (en) * 2006-09-06 2008-07-01 Nat Applied Res Laboratories Method for cutting non-metal material
US20080070378A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Jong-Souk Yeo Dual laser separation of bonded wafers
JP5029804B2 (ja) * 2006-11-02 2012-09-19 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断方法
TWI308880B (en) * 2006-11-17 2009-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Laser cutting apparatus and laser cutting method
WO2008103239A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Corning Incorporated Thermal edge finishing
JP2008229712A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ装置
US20080263877A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Newport Corporation Laser scribing system and method of use
JP5235987B2 (ja) * 2007-04-30 2013-07-10 コーニング インコーポレイテッド 移動中の帯状ガラスに切断線を設ける装置、システム及び方法
KR100892208B1 (ko) * 2007-07-03 2009-04-07 백지숙 웨빙 벨트 선단을 곡면 처리하는 장치
US20090040640A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Jinnam Kim Glass cutting method, glass for flat panel display thereof and flat panel display device using it
WO2009061766A2 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Baker Hughes Incorporated Methods and apparatuses for forming cutting elements having a chamfered edge for earth-boring tools
US10016876B2 (en) 2007-11-05 2018-07-10 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods of forming polycrystalline compacts and earth-boring tools including polycrystalline compacts
EP2209586A1 (de) * 2007-11-07 2010-07-28 CeramTec AG Verfahren zum laserritzen von spröden bauteilen
KR100949152B1 (ko) * 2007-11-23 2010-03-25 삼성코닝정밀유리 주식회사 유리 기판 레이저 절단 장치
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US20090178298A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Anatoli Anatolyevich Abramov Device for fluid removal after laser scoring
US7947919B2 (en) 2008-03-04 2011-05-24 Universal Laser Systems, Inc. Laser-based material processing exhaust systems and methods for using such systems
JP5345334B2 (ja) * 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
CN101999166A (zh) * 2008-04-11 2011-03-30 应用材料股份有限公司 用于激光刻划、熔接或任何构图系统的动态刻划对准
WO2009128219A1 (ja) * 2008-04-15 2009-10-22 株式会社リンクスタージャパン 脆性材料基板の加工装置および切断方法
JP5220465B2 (ja) * 2008-04-15 2013-06-26 株式会社リンクスタージャパン 脆性材料基板の加工装置および加工方法
JP5074272B2 (ja) * 2008-04-15 2012-11-14 株式会社リンクスタージャパン 脆性材料基板の加工装置および切断方法
US8258427B2 (en) * 2008-05-30 2012-09-04 Corning Incorporated Laser cutting of glass along a predetermined line
KR100989125B1 (ko) * 2008-07-16 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 원장기판 절단 장치 및 이에 의하여 절단된 유기발광표시장치
TW201009525A (en) * 2008-08-18 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Laser marking method and laser marking system
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
US8895892B2 (en) * 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
CN102203943B (zh) * 2008-10-29 2013-07-31 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法
EP2200097A1 (en) 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
TWI490176B (zh) * 2009-03-20 2015-07-01 Corning Inc 分離玻璃板材的製程與設備
JP2012527399A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 コーニング インコーポレイテッド 機械的耐久性エッジを有する薄型基材
US8622625B2 (en) * 2009-05-29 2014-01-07 Corning Incorporated Fiber end face void closing method, a connectorized optical fiber assembly, and method of forming same
US20100314367A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Methods and systems for laser-scribed line alignment
JP5478957B2 (ja) * 2009-06-30 2014-04-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の割断方法
EP2450169A4 (en) * 2009-07-03 2012-11-21 Asahi Glass Co Ltd CUTTING METHOD AND CUTTING DEVICE FOR A SUBSTRATE OF SPRING MATERIAL AND VEHICLE GLASS OBTAINED IN THIS CUTTING METHOD
US8592716B2 (en) * 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
US8330075B2 (en) * 2009-08-22 2012-12-11 Chung-Shan Institute Of Science And Technology, Armaments Bureau, Ministry Of National Defense Control method of optical cutting
CN102596830A (zh) * 2009-08-28 2012-07-18 康宁股份有限公司 利用激光从化学强化玻璃基板切割出制品的方法
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
US8171753B2 (en) * 2009-11-18 2012-05-08 Corning Incorporated Method for cutting a brittle material
US8946590B2 (en) * 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
JP5795000B2 (ja) * 2009-11-30 2015-10-14 コーニング インコーポレイテッド ガラス基板のレーザスクライブおよび分離方法
CN102883880B (zh) 2010-03-05 2017-02-08 Sage电致变色显示有限公司 电致变色装置到玻璃衬底的层合
KR20110114026A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 삼성전자주식회사 시편 제조 장치 및 방법
DE112011100039B4 (de) * 2010-06-14 2014-01-02 Mitsubishi Electric Corp. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
KR101009454B1 (ko) * 2010-07-06 2011-01-19 에이앤이테크놀로지(주) 레이저를 이용한 유리기판 절단가공 시스템
CA2805003C (en) 2010-07-12 2017-05-30 S. Abbas Hosseini Method of material processing by laser filamentation
FR2962682B1 (fr) 2010-07-16 2015-02-27 Saint Gobain Vitrage electrochimique a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
TWI513670B (zh) * 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
KR101350411B1 (ko) * 2010-11-20 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 멀티비젼용 어레이 기판 및 이를 구비한 액정표시장치
US8461480B2 (en) * 2010-11-30 2013-06-11 Electro Scientific Industries, Inc. Orthogonal integrated cleaving device
US8482713B2 (en) * 2011-02-04 2013-07-09 Apple Inc. Laser processing of display components for electronic devices
DE102011006738B4 (de) * 2011-04-04 2016-07-21 Tu Bergakademie Freiberg Verfahren zum vollständigen Vereinzeln von Hohlglas und Herstellungsverfahren für einen Glashohlkörper oder Behälterglas
TWI593648B (zh) * 2011-05-13 2017-08-01 日本電氣硝子股份有限公司 積層體的切斷方法
US20130137244A1 (en) * 2011-05-26 2013-05-30 Solexel, Inc. Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
KR101396989B1 (ko) * 2011-08-24 2014-05-21 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 유리 기판의 스크라이브 방법
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
DE102011084131A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Glasfolie mit speziell ausgebildeter Kante
DE102011084129A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Glasfolie mit speziell ausgebildeter Kante
US9090383B2 (en) 2011-12-01 2015-07-28 Sealstrip Corporation Tape sealed reclosable bag
US20130140291A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass Substrate Slicing Apparatus and Method
KR102038720B1 (ko) * 2011-12-07 2019-10-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 처리를 위한 레이저 반사 측정
CN103203540A (zh) * 2012-01-11 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 金属掩模板组装机中测量焊接装置及其运动机构
US8716625B2 (en) * 2012-02-03 2014-05-06 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Workpiece cutting
JP6378167B2 (ja) * 2012-04-05 2018-08-22 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル
KR101407976B1 (ko) * 2012-05-04 2014-07-03 코닝정밀소재 주식회사 실시간 파손 감지 기능을 구비한 유리기판용 레이저 절단 장치 및 이의 유리기판 파손 감지 방법
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
CN102722048B (zh) * 2012-06-20 2015-05-06 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制作装置及方法
CN102749746B (zh) * 2012-06-21 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶基板切割装置及液晶基板切割方法
DE102012212131A1 (de) * 2012-07-11 2014-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Substrat und Verfahren zur Bruchvorbereitung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement
TW201417928A (zh) * 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
US8988636B2 (en) 2012-09-20 2015-03-24 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays
US9703139B2 (en) 2012-09-20 2017-07-11 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US9753317B2 (en) 2012-12-21 2017-09-05 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays using edge protection structures
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
US10226853B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads
JP2016520501A (ja) 2013-03-15 2016-07-14 キネストラル テクノロジーズ,インク. レーザ切断強化ガラス
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP2014231071A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ光による基板切断装置
CN103286443A (zh) * 2013-05-31 2013-09-11 昆山宝锦激光拼焊有限公司 激光拼焊用随动夹具
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
RU2543222C1 (ru) * 2013-08-23 2015-02-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Ласком" Способ притупления острых кромок стеклоизделий
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
CN103529655A (zh) * 2013-10-29 2014-01-22 天津芯硕精密机械有限公司 一种标定位移平台线性度的方法及系统
US20150121960A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
JP2015096823A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
US9517929B2 (en) 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US10252507B2 (en) 2013-11-19 2019-04-09 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
CA2939574C (en) * 2014-03-04 2019-08-20 Saint-Gobain Glass France Method for cutting a laminated, ultrathin glass layer
DE112015001674T5 (de) * 2014-04-04 2016-12-29 Borgwarner Inc. Verfahren und Laservorrichtung zur Ausbildung von Nuten in Lagerflächen und solche Nuten umfassende Lager
DE102014106817A1 (de) 2014-05-14 2015-11-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Dünnglas-Bands und verfahrensgemäß hergestelltes Dünnglas-Band
CN104071974B (zh) * 2014-06-20 2016-04-13 武汉先河激光技术有限公司 一种用于玻璃切割的激光设备及切割方法
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
TWI659793B (zh) * 2014-07-14 2019-05-21 美商康寧公司 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
US10335902B2 (en) 2014-07-14 2019-07-02 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
US20160008926A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-14 Rubicon Technology, Inc. Method of cold-cleaving sapphire material at cryogenic temperatures
EP3169476A1 (en) 2014-07-14 2017-05-24 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
WO2016010949A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
DE102014113150A1 (de) 2014-09-12 2016-03-17 Schott Ag Glaselement mit niedriger Bruchwahrscheinlichkeit
KR101817388B1 (ko) * 2014-09-30 2018-01-10 주식회사 엘지화학 편광판의 절단 방법 및 이를 이용하여 절단된 편광판
FR3026667B1 (fr) * 2014-10-03 2016-12-09 Areva Nc Dispositif de decoupe par laser apte a etre utilise dans un milieu contamine
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
DE102014119064A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Schott Ag Glasfilm mit speziell ausgebildeter Kante, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
WO2016115017A1 (en) 2015-01-12 2016-07-21 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
JP6734202B2 (ja) 2015-01-13 2020-08-05 ロフィン−シナール テクノロジーズ エルエルシー 脆性材料をスクライブして化学エッチングする方法およびシステム
CN104625423B (zh) * 2015-01-21 2016-01-20 深圳市创鑫激光股份有限公司 一种激光打标控制方法、激光打标头以及激光打标机
CN104625435B (zh) * 2015-01-23 2017-04-19 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种激光飞行切割方法及系统
EP3274306B1 (en) 2015-03-24 2021-04-14 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
WO2016160391A1 (en) 2015-03-27 2016-10-06 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
KR20160126175A (ko) 2015-04-22 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 절단 방법 및 표시 장치 제조 방법
KR102401014B1 (ko) * 2015-07-01 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2017007868A1 (en) * 2015-07-07 2017-01-12 Corning Incorporated Apparatuses and methods for heating moving glass ribbons at separation lines and/or for separating glass sheets from glass ribbons
EP3319911B1 (en) 2015-07-10 2023-04-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
JP6552717B2 (ja) 2015-08-10 2019-07-31 サン−ゴバン グラス フランスSaint−Gobain Glass France 薄型のガラス層を切断する方法
US9931714B2 (en) 2015-09-11 2018-04-03 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Methods and systems for removing interstitial material from superabrasive materials of cutting elements using energy beams
US9533813B1 (en) * 2015-09-27 2017-01-03 Sealstrip Corporation Re-closable, tamper-resistant, stand-up package
CN105365061A (zh) * 2015-11-18 2016-03-02 无锡科诺达电子有限公司 一种蓝宝石的精细切割仪
CN105436713B (zh) * 2015-12-24 2017-07-18 江苏信息职业技术学院 一种新型智能化激光切割机
KR101796706B1 (ko) * 2016-03-08 2017-11-10 주식회사 토비스 스트레치드 디스플레이패널 및 이의 제조방법
US10163954B2 (en) 2016-04-11 2018-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Trenched device wafer, stepped-sidewall device die, and associated method
MY194570A (en) 2016-05-06 2022-12-02 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
EP3463770B1 (en) * 2016-05-31 2021-04-14 Faurecia (China) Holding Co., Ltd. A cold knife system and a method for forming a cold knife weakening line
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
WO2018022476A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing
CN110121398B (zh) 2016-08-30 2022-02-08 康宁股份有限公司 透明材料的激光加工
CN113399816B (zh) 2016-09-30 2023-05-16 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
CA2947367A1 (en) * 2016-11-03 2018-05-03 Shawcor Ltd. Apparatus and method for cooling coated pipe
JP6837202B2 (ja) * 2017-01-23 2021-03-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 基材加熱装置および方法および電子デバイスの製造方法
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
CN107520978A (zh) * 2017-08-25 2017-12-29 浙江羿阳太阳能科技有限公司 一种硅片生产用分片装置
JP6616368B2 (ja) * 2017-09-14 2019-12-04 ファナック株式会社 レーザ加工前に光学系の汚染レベルに応じて加工条件を補正するレーザ加工装置
CN108176923B (zh) * 2017-12-19 2020-02-18 重庆鑫盟精密模具有限公司 激光加工设备
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
IT201800006251A1 (it) * 2018-06-12 2019-12-12 Impianto per la lavorazione a vista di prodotti in acciaio strutturale tramite laser fibra
CN112714752A (zh) * 2018-06-19 2021-04-27 康宁公司 透明工件的主动控制激光加工
TWI734931B (zh) * 2018-09-17 2021-08-01 鴻超光電科技股份有限公司 軸調光斑方法及其系統
DE102018123363B4 (de) * 2018-09-24 2021-01-07 Bystronic Laser Ag Verfahren zur Kollisionsvermeidung und Laserbearbeitungsmaschine
JP7307534B2 (ja) * 2018-10-04 2023-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置
DE102018125620A1 (de) * 2018-10-16 2020-04-16 Schuler Pressen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden einer Blechplatine aus einem kontinuierlich geförderten Blechband
TWI706614B (zh) * 2018-11-10 2020-10-01 鴻超環保能源股份有限公司 雷射光源模組
CN109712531B (zh) * 2019-01-04 2021-02-26 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、角度检测方法及存储介质
KR102668788B1 (ko) * 2019-01-08 2024-05-24 코닝 인코포레이티드 유리 라미네이트 물품 및 그의 제조 방법
CN110328709B (zh) * 2019-07-26 2021-01-12 安徽明洋电子有限公司 一种可调式led显示屏加工用切角机及其操作方法
CN110560924B (zh) * 2019-08-23 2021-08-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 基于激光切割的自动化系统
CN110480192B (zh) * 2019-08-28 2021-06-11 业成科技(成都)有限公司 脆性材料的切割方法
US11237418B2 (en) * 2019-12-13 2022-02-01 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
CN111390399B (zh) * 2020-03-12 2022-02-15 上海柏楚电子科技股份有限公司 基于冷却点的切割控制方法、系统、电子设备与介质
CN111546521B (zh) * 2020-04-10 2022-02-01 江苏京创先进电子科技有限公司 一种划片机的高效率切割控制方法
CN111545904A (zh) * 2020-05-13 2020-08-18 南京航空航天大学 一种用于双激光束双侧同步焊接过程的快速冷却系统
CN111619025B (zh) * 2020-06-10 2021-12-28 浦江一本工贸有限公司 一种水晶棒材自动切割装置
TW202202920A (zh) * 2020-07-01 2022-01-16 美商康寧公司 製造包含間質基板之液晶裝置的方法
CN112091444B (zh) * 2020-08-07 2022-07-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 坡口切割控制方法及装置、存储介质及激光切割设备
WO2022037797A1 (de) * 2020-08-21 2022-02-24 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zur herstellung mindestens eines werkstückteils und eines restwerkstücks aus einem werkstück
CN112108799B (zh) * 2020-09-07 2022-04-22 郓城鹏翔专用车制造有限公司 一种基于旋转焊接技术的焊接杆降温装置及使用方法
KR20220037042A (ko) 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11377758B2 (en) 2020-11-23 2022-07-05 Stephen C. Baer Cleaving thin wafers from crystals
CN112975146A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 浙江头鲸激光智能制造有限公司 一种使用方便的激光切割机
CN113119326A (zh) * 2021-04-30 2021-07-16 南阳英良石业有限公司 大理石自动化切割设备及其使用方法
CN113751973B (zh) * 2021-09-30 2023-05-12 中冶赛迪技术研究中心有限公司 钢板热纵切生产工艺
CN113787315B (zh) * 2021-09-30 2023-05-12 中冶赛迪技术研究中心有限公司 高温钢板的在线热纵切方法
CN115521056A (zh) * 2022-10-25 2022-12-27 深圳市益铂晶科技有限公司 一种玻璃激光切割的劈裂方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800991A (en) * 1972-04-10 1974-04-02 Ppg Industries Inc Method of and an apparatus for cutting glass
NO134614C (zh) * 1972-10-12 1976-11-17 Glaverbel
US4027137A (en) * 1975-09-17 1977-05-31 International Business Machines Corporation Laser drilling nozzle
DE3110235A1 (de) * 1981-03-17 1982-10-21 Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls"
JPS5988333A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Hitachi Ltd レ−ザによるガラス加工法
FR2627409A1 (fr) * 1988-02-24 1989-08-25 Lectra Systemes Sa Appareil de coupe laser muni d'un dispositif d'evacuation des fumees
RU2025244C1 (ru) * 1991-04-24 1994-12-30 Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева Способ газолазерной резки
GB2261296B (en) * 1991-11-07 1994-09-21 British Aerospace Dual wavelength laser beam delivery system
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
DE4411037C2 (de) * 1993-04-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Schneiden von Hohlglas
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
JPH09150286A (ja) * 1995-06-26 1997-06-10 Corning Inc 脆弱性材料切断方法および装置
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
JPH0938959A (ja) * 1995-07-28 1997-02-10 Nec Kansai Ltd ウェーハ割断方法
DE69629704T2 (de) * 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
US5925024A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Joffe; Michael A Suction device with jet boost
JPH09253879A (ja) * 1996-03-25 1997-09-30 Hitachi Ltd レーザビームによる脆性基板の割断方法及び装置
JPH1034364A (ja) * 1996-07-25 1998-02-10 Souei Tsusho Kk 複数点熱源による脆性材料の割断加工方法
JPH10323778A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Hitachi Constr Mach Co Ltd レーザ加工における透明脆性材料の亀裂の先頭位置検出方法及びそれを用いたレーザ加工装置
JP4108177B2 (ja) * 1998-03-19 2008-06-25 株式会社日本マイクロニクス フィルム状被加工体の加工装置
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101505908B (zh) * 2006-08-24 2012-08-15 康宁股份有限公司 用于柔性显示器应用中的薄的层叠玻璃基底的激光分离
TWI496644B (zh) * 2011-06-28 2015-08-21 Ihi Corp Means for cutting off the fragile members, the method, and the fragile components to be cut off
CN103108521A (zh) * 2013-01-15 2013-05-15 深圳市华星光电技术有限公司 前框结构、显示装置及显示装置的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6590181B2 (en) 2003-07-08
US20030209528A1 (en) 2003-11-13
US6723952B2 (en) 2004-04-20
US20020125232A1 (en) 2002-09-12
JP2009066664A (ja) 2009-04-02
US6407360B1 (en) 2002-06-18
JP4396953B2 (ja) 2010-01-13
JP2000061677A (ja) 2000-02-29
JP5266036B2 (ja) 2013-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW419867B (en) Laser cutting apparatus and method
US7772522B2 (en) Method for scribing substrate of brittle material and scriber
TW498006B (en) Laser cutting method, laser cutting apparatus, and method and apparatus for manufacturing liquid crystal device
KR101074408B1 (ko) 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
CN101772725B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
US8828891B2 (en) Laser processing method
CN100380181C (zh) 液晶显示装置的缺陷修补方法及缺陷修补装置
JP5171838B2 (ja) 脆性材料基板のレーザスクライブ方法
TWI331685B (en) Method and apparatus for correcting a defective pixel of a liquid crystal display
TW201006562A (en) Position detection apparatus and method for detecting positions of nozzle orrifice and optical point of laser displacement sensor of paste dispenser
TW201105444A (en) Laser machining method
KR100539971B1 (ko) 엘씨디 글래스 절단 장치, 엘씨디 글래스 절단방법 및 이를이용한 대형 평판 표시 소자 제조 방법
KR100514099B1 (ko) 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법
KR20010017690A (ko) 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법
KR100543368B1 (ko) 레이저 커팅 설비
KR100514095B1 (ko) 레이저 커팅설비 및 이를 이용한 커팅 경로 보정 방법
JP2005345602A (ja) 液晶パネルの製造方法および液晶パネル、並びにプロジェクタおよびリアプロジェクションテレビ
CN207366860U (zh) 一种显示面板的制造设备
KR100576089B1 (ko) 엘씨디 단위 셀 절단 방법
JPH063278A (ja) 基板外観検査装置
JP2003146679A (ja) レーザ切断方法、レーザ切断装置、電気光学パネルの製造方法、電気光学装置及び電子機器
TW202104947A (zh) 複合材之分斷方法
TW201100785A (en) Non-uniformity measuring equipment for glass substrates
JP2002357800A (ja) 表示デバイス検査装置
KR20050078416A (ko) 레이저 리페어 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent