JP2008529031A - マイクロ分析のためのサンプル調製 - Google Patents
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Abstract
(a)サンプル前駆体を支持しかつ保持するサンプル前駆体保持ユニットと、(b)サンプル前駆体保持ユニットを運搬しかつ位置決めする運搬・位置決めユニットと、(c)サンプル前駆体上のターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製を監視する光イメージングユニットと、(d)サンプル前駆体及びシステムコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、(e)表面の各マイクロ溝の形成を制御するコンポーネントを含み、サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、(f)調製されたサンプルを形成するため、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットとを備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び方法。所望により、マイクロマスク接着ユニット及びマイクロマスク接着方法をさらに含む。
【選択図】 図1
【選択図】 図1
Description
本発明は、特に、半導体製造、マイクロ分析試験、及び材料科学の分野で使用され、サンプル、特に半導体ウェハのサンプルをマイクロ分析の対象とする前に用いられるサンプル調製技術及び手順に関係する。より詳しくは、本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法に関係する。
本発明は、サンプル前駆体のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ若しくは高さ)を減少し、これにより、別のプロセスの対象とする準備ができた調製済みのサンプルを生成する、サンプル前駆体等の材料の少なくとも一部を「セクション化(sectioning)」又は「セグメント化(segmenting)」することに基づくマイクロ分析サンプル調製技術の一種である。本文書中、「セクション化」及び「セグメント化」は、一般的かつ等価的に「セクション化」と呼ばれ、一般的に、切断、劈開、スライス、及び/又は研磨の手順と、関連した設備とのうちの1種以上を使用することにより、サンプル前駆体等の材料のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ若しくは高さ)を減少させることを意味する。
よく知られた、一般に用いられているマイクロ分析技術は、たとえば、走査電子顕微鏡法(SEM)、透過電子顕微鏡法(TEM)、走査透過電子顕微鏡法(STEM)、高分解能透過電子顕微鏡法(HR−TEM)、及びエネルギー分散型分光分析法(EDS)等の電子顕微鏡技術と、原子力間顕微鏡法(AFM)技術と、たとえば、2次イオン質量分析法(SIMS)及びグロー放電分光分析法(GDS)等のイオン分光分析技術である。これらのタイプのマイクロ分析技術の各々は、何らかのセクション化(セグメント化)タイプのマイクロ分析サンプル調製技術を使用してサンプルを調製することを常に必要とする。本文書中、セクション化(セグメント化)タイプのマイクロ分析的なサンプル調製技術は、一般に、切断、劈開、スライス、及び/又は研磨の手順のうちの1つ以上の手順を使用してサンプル前駆体のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ若しくは高さ)を減少させることによって、サンプル前駆体の少なくとも一部をセクション化又はセグメント化することに基づき、これにより、別のプロセス、たとえば、マイクロ分析サンプル「最終」調製技術の対象とするための準備ができた調製済みのサンプルを生成するマイクロ分析サンプル調製技術を指す。
セクション化タイプのマイクロ分析調製技術は、サンプルを分析するため最終的に適用される特有のタイプのマイクロ分析技術に応じて、(1)薄片化、(2)断面化、及び、(3)平面観察セクション化の3つの大きなカテゴリーに分類される。「薄片化」カテゴリーというセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術は、最終的にTEMタイプのマイクロ分析の対象となる平面(二次元)観察サンプル又は側面観察サンプルを調製するために用いられる。「断面化」カテゴリーというセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術は、最終的にSEM又はAFMタイプのマイクロ分析の対象となる断面(側面観察)サンプルを調製するために用いられる。「平面観察セクション化」カテゴリーというセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術は、最終的にSEM、AFM、又はイオン分光分析タイプのマイクロ分析の対象となる平面観察サンプルを調製するために用いられる。
特に半導体製造に関係するような、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の殆どは、通常、マイクロ分析サンプル「最終」調製技術を適用する「前」に用いられ、このマイクロ分析サンプル「最終」調製技術は、次に、特に製造欠陥及び/又はアーティファクトの存在に関してサンプルを検査又は調査することを主たる目的として、マイクロ分析の対象とするための準備ができている最終的な形でサンプルを調製するために用いられる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の適用に続いて、このようにして調製されたサンプルは、通常、さらにマイクロ分析サンプル最終調製技術の対象とされる。一般に用いられているマイクロ分析サンプル最終調製技術は、たとえば、集束イオンビーム(FIB)加工及びブロードイオンビーム(BIB)加工のようなイオンビーム加工技術、機械研磨、化学エッチング技術、プラズマエッチング技術、並びにこれらの種々の組み合わせ技術、たとえば、プラズマエッチングが後に続けられるFIB加工、化学エッチングが後に続けられるBIB加工、及び、BIB加工が後に続けられるFIB加工である。
上記の主要な薄片化、断面化、及び、平面観察セクション化のカテゴリーに属するセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術を実施するため通常使用される多種多様な手順が存在する。このような手順の中で、最も広く用いられている手順は、イオンビーム加工、機械研磨(研削)、劈開、水冷式ソーイング(湿式ソーイング)、極低温ソーイング(乾式ソーイング)、劈開と極低温ソーイングとの組み合わせ、又はその他の組み合わせに基づく手順である。これらの手順は、半導体材料(特に、ウェハ、ウェハセグメント、及びウェハダイ)、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、ポリマー材料、及びこれらの複合材料等の様々なタイプの材料のサンプルを調製するため一般に用いられ、所与の材料は、単結晶、多結晶、又はアモルファスである。セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される一般に用いられている手順は、最終的にマイクロ分析の対象となる全体的なエリア又は特定サイト(ターゲット)サンプルを調製するため適用可能である。列挙された各セクション化手順は、よく知られ、従来技術において教示されている。各手順のうちの選択された主要部分が簡単に後述されている。
イオンビーム加工
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術で使用されている集束イオンビーム(FIB)加工及びブロードイオンビーム(BIB)加工等のイオンビーム加工手順は、集中イオンビームによってサンプルを非常に正確に攻撃し、これにより、イオンビームと攻撃されたサンプルの部分との相互作用によって材料を除去することに基づいている。イオンビーム加工手順は、上記の3つの主要なカテゴリーに属する何れかのマイクロ分析サンプルセクション化技術を実行する特定のセクション化手順として、又はマイクロ分析サンプル最終調製技術を実行する特定のセクション化手順として適用され得る。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術で使用されている集束イオンビーム(FIB)加工及びブロードイオンビーム(BIB)加工等のイオンビーム加工手順は、集中イオンビームによってサンプルを非常に正確に攻撃し、これにより、イオンビームと攻撃されたサンプルの部分との相互作用によって材料を除去することに基づいている。イオンビーム加工手順は、上記の3つの主要なカテゴリーに属する何れかのマイクロ分析サンプルセクション化技術を実行する特定のセクション化手順として、又はマイクロ分析サンプル最終調製技術を実行する特定のセクション化手順として適用され得る。
機械研磨(研削)
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術で使用される機械研磨(研削)手順は、サンプルの1つ以上の表面をサブミクロンの範囲内の公差まで非常に正確に研磨又は研削することに基づいている。研磨(研削)手順の適用の後、このようにして調製された研磨又は研削サンプルは、直接マイクロ分析の対象とされるか、又はさらに、たとえばイオンビーム加工のような最終サンプル調製技術の対象とされ、その後にマイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術で使用される機械研磨(研削)手順は、サンプルの1つ以上の表面をサブミクロンの範囲内の公差まで非常に正確に研磨又は研削することに基づいている。研磨(研削)手順の適用の後、このようにして調製された研磨又は研削サンプルは、直接マイクロ分析の対象とされるか、又はさらに、たとえばイオンビーム加工のような最終サンプル調製技術の対象とされ、その後にマイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される特定の研磨手順であるウェッジ研磨(トライポッド研磨としても知られている)は、研磨されたサンプルがその後に直接TEMマイクロ分析の対象となり得るように、サンプルが対象領域内で電子透過性になるまでサンプルを研磨することに基づいている。この手順はさらに、小さな角度が試料面の間に形成され、楔形をしている最終サンプルが得られるまで、試料面を研磨することに基づいている。サンプルの極先端(頂点)はこのようにしてTEM機器の電子ビームを透過させる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される研磨手順の典型的な教示は、イスラエル国ラマトガン所在のSagita Engineering Solutions Lts.に譲渡された米国特許第5741171号に開示されている。この中には、研磨されたサンプルが直接マイクロ分析の対象とされ得るように、サブミクロンの範囲内の精度までサンプル前駆体を研磨する能力がある精密研磨システムが開示されている。サンプルは、固定レールに摺動可能に接続されている研磨アームに装着されたグリッパアセンブリによって所定の位置に保持される。研磨アームは、適当な研磨剤で覆われた研磨ホイールを使用してサンプルを研磨するために昇降させられる。研磨システムは、研磨手順のリアルタイム制御を可能にさせるため処理される画像を提供するビデオ顕微鏡のリアルタイム動作を含む。開示された研磨システムは、試験及び品質管理検査中にシリコンウェハを研磨するのに用いるため半導体分野に特に適用可能である。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される研磨と関連した手順についてのさらなる典型的な教示は、それぞれがStruers A/S(デンマーク国)に譲渡されている米国特許第6607429号、第6435958号、第6116998号、第6019672号、第4858479号、第4771578号、及び第4072598号に開示されている。
たとえば、米国特許第4771578号には、ワークピース、特に、鋼質サンプルの研削又は研磨用の装置が開示されており、研削又は研磨圧が後で固定化される活性化部材からなる歪みゲージによって歪められる変形可能な伝達リンクを介してワークピースへ伝達される。この装置は、プロセスの進行中に伝達リンクの弾性変形及びこの変形の変化を検知する手段を備え、それによって、研削又は研磨圧と研削又は研磨によって除去される材料の層の深さとの同時測定が達成される。このような装置が(ホーニングを含む)研削又は研磨のため使用されるとき、摩耗が発生し、すなわち、材料が研削又は研磨ディスクと接触しているサンプルの表面から除去される。
たとえば、米国特許第4072598号には、研磨サンプルが、中心底開口部を有し外側ボウル内に設置されている容器のカバー内の開口部に押し当てられ、電解液が撹拌磁石を用いて回転させられる、電解研磨装置が開示されている。このような研磨装置において、磁気攪拌器は、電解液を急速回転運動させるために役立ち、それによって、研磨サンプルの表面に沿って電解液の強い流れを実現することが可能であり、研磨効果(いわゆる研磨膜)のために必要な条件は妨げられないが、一方で電気分解によって遊離させられた気泡が除去される。金属は、均一かつ光沢のある表面が得られるように、サンプルの表面から溶解し、金属の構造は、機械研磨又は研削の場合に避けることができない変形による歪を生じることなく、たとえば、マイクロ分析技術によって観察される。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される別の特定の研磨手順であるディンプル加工(研磨、研削)は、研磨又は研削によるサンプルの球面(ディンプル)形状表面層の除去に基づいている。典型的に、サンプルを保持するサンプルホルダーは、直交配置され作動している研磨又は研削装置が全体エリアのマイクロ分析に適したサンプルを形成するため球面(ディンプル)形状表面層を除去する間に回転させられる。ディンプル加工手順の適用の後、このように調製された、ディンプル研磨又は研削されたサンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
劈開
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順は、サンプル前駆体又はサンプル上の1個以上のターゲット(又はターゲットの形状特徴)を含む対象領域(ROI)の直ぐ近くでサンプル前駆体又はサンプルの表面に予め作られている押し込み部又は溝と一致する劈開(結晶)面に沿ってサンプル前駆体又はサンプルを非常に正確に劈開又は分割することに基づいている。劈開手順は、典型的に、サンプルのサイズより大きなサイズを有するサンプル前駆体上で実行される粗い劈開ステップと、その後に続く、粗く劈開されたサンプル上で実行される細かい劈開ステップとを含む。劈開手順の適用に続いて、かくして調製された劈開されたサンプルは、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後にマイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順は、サンプル前駆体又はサンプル上の1個以上のターゲット(又はターゲットの形状特徴)を含む対象領域(ROI)の直ぐ近くでサンプル前駆体又はサンプルの表面に予め作られている押し込み部又は溝と一致する劈開(結晶)面に沿ってサンプル前駆体又はサンプルを非常に正確に劈開又は分割することに基づいている。劈開手順は、典型的に、サンプルのサイズより大きなサイズを有するサンプル前駆体上で実行される粗い劈開ステップと、その後に続く、粗く劈開されたサンプル上で実行される細かい劈開ステップとを含む。劈開手順の適用に続いて、かくして調製された劈開されたサンプルは、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後にマイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順の典型的な教示は、Sela Ltd.[Semiconductor Engineering Laboratories、(イスラエル国)]に譲渡された米国特許第5740953号及び第6223961号に開示されている。
Smithらの米国特許第5740953号には、ターゲット形状特徴と位置合わせされた押し込み部を、ターゲット形状特徴の一方側のワーク面の側面に沿って、半導体ウェハの第1側面に生成し、ターゲット形状特徴及び押し込み部と本質的に一致する劈開面に沿って半導体ウェハを分割するため、第1側面上のターゲット形状特徴及び押し込み部と実質的に位置合わせされた衝撃波を、ターゲット形状特徴の反対側のワーク面の側面に沿って、半導体ウェハの第2側面に衝突によって誘発することにより、半導体ウェハのワーク面上のターゲット形状特徴を検査するため半導体ウェハを劈開する方法及び装置が開示されている。開示された劈開技術は、ウェハ製造品質管理目的に適したターゲット形状特徴のミクロン範囲(通常、3ミクロン未満であり、平均的に1−2ミクロン)の精度で、40−100mmの長さ、10−15mmの幅、及び、何分の1mm(たとえば、0.5mm)の厚さを有するウェハを劈開する能力がある。劈開作業は、(匹敵する人手による方法が数時間であるのに対して)およそ数分の間に、しかも、人手による方法によって必要とされるより熟練度の低い作業者を使って実行され得る。開示された発明は、特にSEMを用いて、ターゲット形状特徴又はウェハのワーク面上の形状特徴によって示されている特定の場所でウェハの断面を検査するために、半導体ウェハを劈開するのに特に有用である。
米国特許第5740953号に開示されている発明は、特に、SEMサンプル調製のため開発されたが、TEMサンプル調製にも適用できることに注意すべきである。その中に開示されている発明の顕著な制限は、約13mm×40mm(長さ×幅)の最小サイズに制限されている入力サンプル又はサンプル前駆体のセグメントサイズと、このようにして調製された出力サンプルのサイズとに関係する。この比較的重大な実用面の制限を克服するため、並びに、劈開精度を改善するため、本願譲受人/出願人(Sela Ltd.)は、Boguslavskyらの米国特許第6223961号に開示された、従来技術の装置及び技術で容易かつ正確に劈開されない半導体ウェハセグメント又はダイス等のより小さな結晶セグメントを劈開する発明を開発した。
米国特許第6223961号には、半導体ウェハセグメント又はダイ等の、約13mm×40mm(長さ×幅)以下のサイズを有する結晶セグメントを劈開する装置が開示されている。開示された発明は、対向する劈開面の間で、対向する劈開面とほぼ垂直に延在する劈開線を有する結晶セグメントの第1側面に形成された第1劈開面と向かい合うナイフと、第1側面の反対側にある結晶セグメントの第2側面に形成された第2劈開面と向かい合う衝撃ピンとを備え、衝撃ピン及びナイフが劈開線の両側に並べられ、そして、ナイフが第1劈開面に当接し、衝撃ピンが第2劈開面に当接し、ナイフがほぼ劈開線に沿って結晶セグメントを劈開するように、ナイフ及び衝撃ピンに接続され、ナイフ及び衝撃ピンに互いの方へ向かう相対運動を引き起こすアクチュエータを備える。
水冷式ソーイング(湿式ソーイング)
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される水冷式ソーイング(湿式ソーイング)手順は、冷却媒体としての水があり、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を「湿式」冷却する冷却装置又は機構と共に作動し、所定の形状又は成形されたサンプルまで非常に正確にサンプル前駆体を鋸引きするダイヤモンドブレード鋸を使用することに基づいている。水冷式ソーイング手順の適用に続いて、このように調製された鋸切断サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される水冷式ソーイング(湿式ソーイング)手順は、冷却媒体としての水があり、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を「湿式」冷却する冷却装置又は機構と共に作動し、所定の形状又は成形されたサンプルまで非常に正確にサンプル前駆体を鋸引きするダイヤモンドブレード鋸を使用することに基づいている。水冷式ソーイング手順の適用に続いて、このように調製された鋸切断サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
水冷式ソーイング(湿式ソーイング)タイプのセクション化手順と関連した潜在的に重大な制限は、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を冷却するため使用される水中の潜在的に望ましくない汚染物又はアーティファクトの存在に関係し、水に由来する汚染物又はアーティファクトを含むサンプルを生じる可能性がある。その上、水は(その純度とは無関係に)サンプル形状特徴の歪みに変形するサンプルの膨張を引き起こすことが知られている。これらの発生は、サンプルの最終的なマイクロ分析中に得られる結果に誤りを生じさせる可能性が非常に高い。
極低温ソーイング(乾式ソーイング)
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順は、蒸発(乾式)冷却媒体(たとえば、液体及び気体の二相窒素)があり、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を「乾式」冷却する冷却装置又は機構部と共に作動し、所定の形状又は成形されたサンプルまで非常に正確にサンプル前駆体を鋸引きするダイヤモンドブレード鋸を使用することに基づいている。水が存在しない極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順は、水汚染物に関係し、水冷式ソーイング(湿式ソーイング)手順に付随する上述の潜在的な重大な制限を克服する。極低温ソーイング手順の適用に続いて、このように調製された鋸切断サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順は、蒸発(乾式)冷却媒体(たとえば、液体及び気体の二相窒素)があり、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を「乾式」冷却する冷却装置又は機構部と共に作動し、所定の形状又は成形されたサンプルまで非常に正確にサンプル前駆体を鋸引きするダイヤモンドブレード鋸を使用することに基づいている。水が存在しない極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順は、水汚染物に関係し、水冷式ソーイング(湿式ソーイング)手順に付随する上述の潜在的な重大な制限を克服する。極低温ソーイング手順の適用に続いて、このように調製された鋸切断サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順の典型的な教示は、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順とソーイング手順との組み合わせの典型的な教示との関連で直後に要約されている、本願譲受人/出願人のPCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている。
劈開とソーイングとの組み合わせ
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順とソーイング手順との組み合わせは、最初に非常に正確にサンプル前駆体を劈開し、その後、所定の形態又は形状のサンプルになるまでサンプル前駆体を鋸引きする、上記の劈開手順とソーイング(好ましくは、極低温(乾式)ソーイング)手順とを順次実行することに基づいている。劈開手順とソーイング手順との組み合わせの適用に続いて、このように調製されたセクション化サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順とソーイング手順との組み合わせは、最初に非常に正確にサンプル前駆体を劈開し、その後、所定の形態又は形状のサンプルになるまでサンプル前駆体を鋸引きする、上記の劈開手順とソーイング(好ましくは、極低温(乾式)ソーイング)手順とを順次実行することに基づいている。劈開手順とソーイング手順との組み合わせの適用に続いて、このように調製されたセクション化サンプルは、さらに、最終サンプル調製技術、たとえば、イオンビーム加工の対象とされ、その後に、マイクロ分析の対象とされる。
上述されているように、米国特許第5740953号及び第6223961号に開示されているセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される劈開手順は、最終的に最終調製サンプルをSEMタイプのマイクロ分析の対象とするため通常利用される。これらの劈開手順をTEMタイプのマイクロ分析まで拡張する主たる目的のため、本願の譲受人/出願人は、ある種のマイクロ分析サンプル調製技術として、劈開とソーイング(好ましくは、極低温(乾式)ソーイング)との組み合わせ手順を開発した。技術的な戦略は、セクション化されたサンプルがその後に、FIB加工及び/又はBIB加工のような最終サンプル調製技術の対象とされ、後続のTEMマイクロ分析のため準備が整えられるように、TEMサンプル前駆体の第1面が劈開によって切断され、劈開されたサンプル前駆体のさらなる面はソーイングによって切断される、という仮定に基づいていた。この戦略の結果として得られる重大な利点は、研磨又は研削手順が、たとえば、TEMマイクロ分析に適した約0.1ミクロン厚の最終セクション化サンプルを生成するために必要とされないことである。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用され得るこのような劈開手順と極低温ソーイング手順との組み合わせの典型的な教示は、本願譲受人/出願人のPCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている。その中で開示されているのは、製造欠陥及び/又はアーティファクトの存在に関してサンプルを検査又は調査することを目的として、マイクロ分析技術、特に、TEMの対象とするため、特に半導体ウェハセグメント又はダイのサンプルを調製する手順である。
開示されているセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術は、ターゲット(又はその形状特徴)が好ましくはサンプル前駆体のエッジの近くにあるか、又は、代替的に中心の近くにあるように、たとえば、本願譲受人/出願人の米国特許第5740953号に開示されている劈開手順を使用して、最初にサンプル前駆体(ウェハ)を操作し切断する。次に、劈開されたサンプル前駆体は、その後に最終薄片化又はトリミング手順、好ましくは、FIB加工の対象となるより薄いサンプルを生成するため、一連の非常に正確な鋸切断の対象とされる。開示された鋸切断手順は、水冷式ソーイング(湿式ソーイング)タイプの手順を使用することによって実行可能である。代替的に、そして、好ましくは、鋸切断手順は、極低温ソーイング(乾式ソーイング)タイプの手順を使用することによって実行され、ブレード鋸装置は、ソーイングプロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体を「乾式」冷却する蒸発冷却媒体として、液体及び気体の二相窒素を噴射するニードル及びノズルを含む冷却装置と共に作動する。
開示された発明の好ましい実施形態では、一連の鋸切断を行うステップは、エッジから10−50ミクロンの範囲で、幅が20−100ミクロンの範囲であり、深さが20−100ミクロンの範囲である第1鋸切断を行い、エッジから50−100ミクロンの範囲で、幅が100−500ミクロンの範囲であり、深さが100−500ミクロンの範囲である第2鋸切断を行い、第2鋸切断の付近で、サンプル前駆体の残りからサンプルをきれいに切断する第3鋸切断を行う。切断サンプルは、その後、特に、TEMを用いる後続のマイクロ分析に適した、ターゲットが位置している棒形態又は棒形状の最終サンプルを生成するため、最終薄片化又はトリミング手順、好ましくはFIB加工の対象とされる。
要約され例示された上記の従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順のそれぞれは、特に使用された初期サンプル前駆体及び引き続き調製されたセクション化サンプルの特定のタイプ(物理化学的な属性、特性、及び、挙動と寸法)に関係し、及び所与のサンプルを分析するために最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関係するような特定の利点及び不利点、又は制限がある。
セクション化されたサンプルを調製するために使用されるサンプル前駆体のタイプに関して、3つの重大な制限が現行の手法に存在する。第1に、単結晶タイプのサンプル前駆体材料における結晶境界又はエッジに沿った特定の方向でのセクション化(切断、劈開、スライス、及び/又は研磨)に特に適している所与の従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順は、通常、多結晶又はアモルファスタイプのサンプル前駆体材料をセクション化するのに適していない。第2に、従来技術のサンプル調製セクション化手順は、通常、互いに弱く接着する隣接層を有するサンプル前駆体を処理するため十分には適していない。第3に、従来技術のサンプル調製セクション化手順は、通常、比較的大きなサンプル前駆体、たとえば、約300mmの直径を有する半導体ウェハ全体の「インライン」初期ハンドリング及び処理に十分には適していない。
後で調製されるセクション化されたサンプルのタイプに関して、2つの重大な制限が現行の手法に存在する。第1に、所与の従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順は、通常、集束イオンビーム(FIB)加工又はブロードイオンビーム(BIB)加工等の単一のタイプの最終調製技術だけによって後でさらに調製され得るセクション化されたサンプルを調製するのに適しているが、両方のタイプの最終調製技術によって後で調製され得るセクション化されたサンプルを調製するのに適していない。この制限は、セクション化されたサンプルの最終調製に関して存在する後の処理の選択肢を削減する。第2に、後でイオンビーム加工タイプの最終調製技術の対象とされるサンプルを調製するため使用される従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順は、一般に、比例する大量のイオンビーム加工時間を要する比較的大きなサイズの寸法を有するセクション化されたサンプルを生成する。イオンビーム加工手順を実行するための所要時間が増加するのに連れて、汚染物及びアーティファクトが、イオンビーム加工プロセス中の再堆積の結果として、サンプルに取り込まれる可能性が高くなる。このような汚染物及びアーティファクトのサンプルへの取り込みは、典型的なマイクロ分析技術の間に必要とされる質量分析法及びその分析を妨げる傾向がある。
所与のサンプルを分析するために最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関して、重大な制限は、所与の従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順の適用の一般性の欠如である。たとえば、本願譲受人/出願人によって開示され、上に要約され、SEM、TEM、STEM、EDS、AFM、SIMS又はGDS等の種々のタイプのマイクロ分析技術に適したサンプルを最終的に調製するため適用される、劈開手順及びソーイング手順を含む従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順が存在する。しかし、典型的に、所与のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順は、好ましくは、あるタイプのマイクロ分析技術、すなわち、SEM又はTEM又はSTEM又はEDS又はAFM又はSIMS又はGDSのそれぞれの最終目的のため用いられ、2タイプ以上のマイクロ分析技術には同じように一般的に適用できないという傾向がある。この制限の結果は、異なる方法論及び関連する機器を伴う異なったマイクロ分析サンプル調製セクション化手順が特有のタイプのマイクロ分析サンプルのそれぞれの最終調製のため用いられるべきである、ということである。さらに、所与のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順は、あるタイプのSEM又はTEMサンプル、たとえば側面観察(断面)SEM又はTEMサンプルを最終的に調製するために十分に適用されるが、別のタイプのSEM又はTEMサンプル、たとえば平面観察SEM又はTEMサンプルを最終的に調製するのに適用できない。従って、同じ制限が実際には再度現れる。
セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される従来技術のディンプル加工(研磨、研削)を特に特徴付ける別の特定の制限は、そのような手順が特定のサイト(ターゲット)サンプルを調製するのに適用できないということである。
たとえば、本願譲受人/出願人によって開示され、先に要約されている極低温ソーイング(乾式ソーイング)手順といった、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術において使用される従来技術のソーイング手順の適用中に広がる別の特定の制限は、ソーイングプロセスの間にサンプル内に望ましくないマイクロサイズのクラック及び/又はアーティファクトが特に不可避的に形成されることに基づいている。
従来技術のマイクロ分析サンプル調製セクション化手順に関連した上記の制限及び不利点にかなりの程度まで基づいて、少なくとも半導体製造、マイクロ分析試験、及び材料科学の分野では、特に、上記の制限及び不利点が存在しない、改良された、新しいマイクロ分析サンプル調製セクション化手順が必要とされ続けている。
したがって、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法の必要性があり、このシステム及び方法があることは非常に有利であろう。特に、半導体製造、マイクロ分析試験、及び材料科学に関連して、特に、製造欠陥及び/又はアーティファクトの存在について主にサンプルを検査又は調査する目的で、たとえば、電子顕微鏡技術、原子間力顕微鏡技術、及び/又はイオン分光分析技術などによるマイクロ分析の対象とするための準備ができている最終的な形でサンプルを調製するため使用されるマイクロ分析サンプル最終調製技術を適用する前に実施可能である発明が必要とされている。
さらに、所与の材料が単結晶、多結晶、又はアモルファスであり、半導体材料(特に、ウェハ、ウェハセグメント、及びウェハダイ)、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、及びこれらの複合材料等の様々なタイプの材料のマイクロ分析サンプルを調製するため適用可能である発明が必要とされている。さらに、多種多様なタイプのサンプル最終調製技術の何れかの対象となるのに適し、かつ、最終的に多種多様なタイプのマイクロ分析技術の何れかの対象となるのに適している全体的なエリア又は特定のサイト(ターゲット)サンプルを調製するため適用可能である発明が必要とされている。
本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法に関する。本発明は、特に、半導体製造、マイクロ分析試験及び材料科学に関連して、主に、特に製造欠陥及び/又はアーティファクトの存在についてサンプルを検査又は調査する目的で、たとえば、電子顕微鏡技術、原子間力顕微鏡技術、及び/又はイオン分光分析技術などによるマイクロ分析の対象となる準備ができている最終形式でサンプルを調製するため使用されるマイクロ分析サンプル最終調製技術を適用する前に実施可能である。
本発明は、サンプル前駆体のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ又は高さ)を減少させることによる、サンプル前駆体等の材料の少なくとも一部をセクション化又はセグメント化することに基づくマイクロ分析サンプル調製技術の一種である。
本発明は、サンプルを分析するため最終的に適用されるマイクロ分析技術の特定のタイプに応じて、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の主要なカテゴリーである(1)薄片化、(2)断面化、又は/及び(3)平面観察セクション化の実施中に含まれる多種多様な手順を実行するため適用可能である。本発明は、所与の材料が単結晶、多結晶、又はアモルファスであり、半導体材料(特に、ウェハ、ウェハセグメント、及びウェハダイ)、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、及びこれらの複合材料等の様々なタイプの材料のマイクロ分析サンプルを調製するため適用可能である。本発明は、多種多様なタイプのサンプル最終調製技術の何れかの対象となるのに適し、かつ、最終的に多種多様なタイプのマイクロ分析技術の何れかの対象となるのに適している全体的なエリア又は特定のサイト(ターゲット)サンプルを調製するため適用可能である。
よって、本発明によれば、(a)サンプル前駆体を支持し保持するサンプル前駆体保持ユニットと、(b)サンプル前駆体保持ユニットの少なくとも一部を運搬し位置決めする運搬・位置決めユニットと、(c)サンプル前駆体上に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視する光イメージングユニットと、(d)サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、(e)サンプル前駆体の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含み、サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、(f)調製されたサンプルを形成するため、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットとを備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムが提供される。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、サンプル調製システムは、上記のサンプル調製システムの各主要コンポーネント(a)−(f)にエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネント(a)−(f)のプロセス制御を可能にするため、上記の各主要コンポーネント(a)−(f)に動作的(構造的及び/又は機能的)に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティをさらに含む。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、サンプル調製システムは、所望により、(g)サンプル調製システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるため、(b)運搬・位置決めユニットを(d)ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリと、(h)サンプル調製システムの選択された主要コンポーネント[(a)サンプル前駆体保持ユニット、(b)運搬・位置決めユニット、(d)ピックアンドプレイスユニット、及び(f)極低温セクション化ユニット]の空気圧を制御する空気圧制御ユニットと、(i)サンプル前駆体のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるサンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニットと、(j)サンプル前駆体の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するスクライブ・クリーブユニットと、(k)マイクロマスクをサンプル前駆体の表面に接着させるマイクロマスク接着ユニットと、(l)システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑える振動防止ユニットとからなる群から選択された少なくとも1個の付加的な主要コンポーネントをさらに含む。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、サンプル調製システムが上記の(任意の)付加的な主要コンポーネント(g)−(l)のうちの少なくとも1つを含むとき、前述のサンプル調製システムの主要コンポーネント(a)−(f)と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合されるように、付加的に含まれている各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、付加的に含まれている各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするため、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティもまた付加的に含まれているサンプル調製システムの各主要コンポーネントに動作的(構造的及び/又は機能的)に接続されている。したがって、本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するために、サンプル調製システムの種々の代替的な典型的な好ましい実施形態を提供する。
本発明の別の態様によれば、(a)マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリと、(b)マイクロ溝生成エレメントを垂直移動させ、材料の表面に侵入させる垂直移動アセンブリと、(c)垂直移動アセンブリの動作によって、制御可能な力をマイクロ溝生成エレメントに印加する力印加アセンブリとを備える、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する装置が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化する細かいセクション化ブレードと、(b)セクション化によって、ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させる粗いセクション化ブレードと、(c)細かいセクション化ブレード及び粗いセクション化ブレードの両方を駆動するセクション化ブレードドライブシャフトと、(d)ブレードドライブシャフトを回転させるセクション化ブレードドライブシャフトモーターと、(e)極低温セクション化プロセス中に、細かいセクション化ブレード及び粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御し、(i)極低温流体、(ii)極低温流体リザーバ、(iii)極低温流体リザーバ内に存在する極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ、及び(iv)極低温流体出口ノズルサブアセンブリを含む極低温流体供給・制御アセンブリとを備える、材料を極低温セクション化する装置が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)円筒形、長方形、及び台形からなる群から選択された幾何学的な構造、形態、又は、形状を有し、円筒形構造の直径が約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲であり、長方形構造の断面又は側面が約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲であるマイクロサイズマスキングエレメントと、(b)マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリと、(c)電気接点アセンブリと、(d)ハウジングアセンブリと、(e)y軸移動サブアセンブリと、(f)z軸移動サブアセンブリと、(g)光ビーム遮断センサアセンブリとを備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる装置が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)サンプル前駆体をサンプル前駆体保持ユニットに載せるステップと、(b)運搬・位置決めユニットを用いて、サンプル前駆体保持ユニットを運搬し位置決めするステップと、(c)光イメージングユニットを用いて、サンプル前駆体に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視するステップと、(d)ピックアンドプレイスユニットを用いて、サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップと、(e)マイクロ溝生成ユニットに含まれるコンポーネントによってサンプル前駆体の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質が制御され、マイクロ溝生成ユニットを用いて、サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、(f)極低温セクション化ユニットを用いて、調製されたサンプルを形成するために、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップとを備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法が提供される。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティを用いて、上記のサンプル調製方法の各主要ステップ(a)−(f)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、所望により、(g)運搬・位置決めユニットをピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリを用いて、サンプル調製システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるステップと、(h)空気圧制御ユニットを用いて、サンプル調製システムの選択された主要コンポーネント(サンプル前駆体保持ユニット、運搬・位置決めユニット、ピックアンドプレイスユニット、及び極低温セクション化ユニット)の空気圧を制御するステップと、(i)サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニットを用いて、サンプル前駆体のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるステップと、(j)スクライブ・クリーブユニットを用いて、サンプル前駆体の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するステップと、(k)マーキング装置を用いて、サンプル前駆体の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマークするステップと、(l)選択されたサンプル調製システムの主要コンポーネントを用いて、マクロマスクをサンプル前駆体の表面に接着させるステップと、(m)マイクロマスク接着ユニットを用いて、マイクロマスクをサンプル前駆体の表面に接着させるステップと、(n)振動防止ユニットを用いて、サンプル調製システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑えるステップとからなる群から選択された少なくとも1つの付加的な主要ステップ(及びこのコンポーネント)をさらに含む。
後述される発明の好ましい実施形態のさらなる特徴によれば、サンプル調製方法が上記の(任意の)付加的な主要ステップ(g)−(n)のうちの少なくとも1つを含むとき、前述のサンプル調製方法の主要ステップ(a)−(f)と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合されるように、付加的な各主要ステップを実行するため、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティがエレクトロニクスを提供し、プロセス制御を可能にする。
本発明の別の態様によれば、(a)マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリを準備するステップと、(b)アライニングアセンブリを用いて、マイクロ溝生成エレメントによって、材料の表面へ向かって接近する角度及び材料の表面への侵入を制御するステップと、(c)垂直移動アセンブリを用いて、マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が回転移動に変換されるように、アライニングアセンブリへ運動を伝達するステップと、(d)力印加アセンブリを用いて、制御可能な力をマイクロ溝生成エレメントに印加するステップとを備える、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する方法が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)細かいセクション化ブレードを用いて、材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化するステップと、(b)粗いセクション化ブレードを用いて、セクション化によって、ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させるステップと、(c)セクション化ブレードドライブシャフトを用いて、細かいセクション化ブレード及び粗いセクション化ブレードの両方を駆動するステップと、(d)セクション化ブレードドライブシャフトモーターを用いて、ブレードドライブシャフトを回転させるステップと、(e)(i)極低温流体と、(ii)極低温流体リザーバと、(iii)極低温流体リザーバ内に存在する極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリと、(iv)極低温流体出口ノズルサブアセンブリとを含む極低温流体供給・制御アセンブリを用いて、極低温セクション化プロセス中に、細かいセクション化ブレード及び粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御するステップとを備える、材料を極低温セクション化する方法が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)マイクロ溝生成ユニットを用いて、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、(b)生成された各マイクロ溝がマークとしての機能を果たすためにマクロマスクに関して延長され、それによって、後でセクション化手順の対象とされる間に、光イメージング装置によって視認されるように、接着インターフェイスアセンブリを用いて、所定の場所にあり、所定の構造(姿勢)に従うマクロマスクを材料の表面に接着させるステップとを備える、マクロマスクを材料の表面に接着させる方法が提供される。
本発明の別の態様によれば、(a)ピックアンドプレイスユニットを用いて、材料の表面の専用エリア上に接着剤を塗布するステップと、(b)運搬・位置決めユニットを用いて、接着剤が塗布された専用エリアをマイクロサイズマスキングエレメント下に置くステップと、(c)運搬・位置決めユニットのz軸移動サブアセンブリを用いて、マイクロサイズマスキングエレメントを接着剤へ制御可能に浸漬させるステップと、(d)z軸移動サブアセンブリを用いて、マイクロサイズマスキングエレメントに焦点を合わせるステップと、(e)z軸移動サブアセンブリを用いて、マイクロサイズマスキングエレメントを光イメージングユニットの焦点から垂直方向へ移動させるステップと、(f)運搬・位置決めユニットを用いて、焦点から外される前に、マイクロサイズマスキングエレメントによって前に占領されていた位置と一致するように、材料のターゲット形状特徴を位置決めするステップと、(g)z軸移動サブアセンブリを用いて、材料の表面と接触するまで下へマイクロサイズマスキングエレメントを垂直方向に移動させるステップと、(h)マイクロサイズマスキングエレメントを加熱し硬化させるために、マイクロサイズマスキングエレメントに電流を印加するステップと、(i)マイクロサイズマスキングエレメントのエッジをトリミングするために、マイクロサイズマスキングエレメントのエッジに印加された電流を増加させるステップとを備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる方法が提供される。
本発明は、手動、半自動、全自動、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された方式による、システムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、及びエレメントと、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料との使用並びに動作を伴って、手動、半自動、全自動、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された方式で、手順、ステップ、及びサブステップを実行することにより実施される。さらに、開示された発明の特定の実施形態を実施するため使用される実際の手順、ステップ、サブステップ、システムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、及びエレメントと、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料とによれば、手順、ステップ、及びサブステップは、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はこれらの統合された組み合わせによって実行され、システムユニット、サブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、及びエレメントと、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料とは、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はこれらの統合された組み合わせを用いて動作する。
特に、本発明を実施するため使用されるソフトウェアは、ソフトウェアプログラム、ソフトウェアルーチン、ソフトウェアサブルーチン、ソフトウェア記号言語、ソフトウェアコード、ソフトウェア命令又はソフトウェアプロトコル、ソフトウェアアルゴリズム、及び/又はこれらの組み合わせの形式である、動作的に接続され、機能する書き込みデータ又は印刷データを含む。特に、本発明を実施するため使用されるハードウェアは、デジタル演算及び/又はアナログ演算を伴う1個以上のコンピュータチップ、集積回路、電子回路、電子サブ回路、ハードワイヤード電気回路、及び/又はこれらの組み合わせを含む、動作的に接続され、機能する電気的、電子的、及び/又は電磁気的なシステムユニット、サブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント及びエレメントと、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ及び材料とを含む。したがって、本発明は、直前に記載されたソフトウェアとハードウェアとの統合された組み合わせを使用することにより実施される。
図面の簡単な記述
本明細書では本発明を単に例示し図面を参照して説明する。特に詳細に図面を参照して、示されている詳細が例示として本発明の好ましい実施態様を例示考察することだけを目的としており、本発明の原理や概念の側面の最も有用でかつ容易に理解される説明であると考えられるものを提供するために提示していることを強調するものである。この点について、本発明を基本的に理解するのに必要である以上に詳細に本発明の構造の詳細は示さないが、図面について行う説明によって本発明のいくつもの形態を実施する方法は当業者には明らかになるであろう。
本明細書では本発明を単に例示し図面を参照して説明する。特に詳細に図面を参照して、示されている詳細が例示として本発明の好ましい実施態様を例示考察することだけを目的としており、本発明の原理や概念の側面の最も有用でかつ容易に理解される説明であると考えられるものを提供するために提示していることを強調するものである。この点について、本発明を基本的に理解するのに必要である以上に詳細に本発明の構造の詳細は示さないが、図面について行う説明によって本発明のいくつもの形態を実施する方法は当業者には明らかになるであろう。
図1は、主要コンポーネント:(a)サンプル前駆態保持ユニット100、(b)運搬・位置決めユニット200、(c)光イメージングユニット300、(d)ピックアンドプレイスユニット400、(e)マイクロ溝生成ユニット500、及び(f)極低温セクション化ユニット600を、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300と共に、かつ、本発明による(g)接着インターフェイスアセンブリ700、(h)空気圧制御ユニット800、(i)サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、(j)スクライブ・クリーブユニット1000、(k)マクロマスク接着ユニット1100、及び(l)振動防止ユニット1200からなる群から選択された少なくとも1個の付加的な主要コンポーネントをさらに含むことにより、これらの種々の可能な特定の典型的な好ましい実施形態と共に含む、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム、すなわちサンプル調製システム10の典型的な好ましい実施形態を示すブロック図である。
図2は、図1に示された、本発明によるマイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及びこの主要コンポーネント100−1200の典型的な好ましい実施形態の斜視図を示す概略図である。
図3は、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、サンプル前駆体保持ユニット100及びこのコンポーネントの部分分解拡大斜視図を示す概略図である。
図4は、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)及びこのコンポーネントの部分分解拡大斜視図を示す概略図である。
図5A−5Cは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、マイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視正面図(図5A)、拡大斜視下面図(図5B)、及び拡大斜視部分分解図(図5C)を示す概略図である。
図5D−5Fは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、マイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントの代替的な実施例としてのマイクロ溝生成ユニット500’及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視正面図(図5D)、拡大斜視側面図(図5E)、及び拡大斜視部分断面下面図(図5F)を示す概略図である。
図6A−6Dは、本発明に従って、一方向性の運動(サンプル前駆体20のセクション化中の(図6A−6B):垂直運動及び(図6C−6D):水平運動)と共に、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、極低温セクション化ユニット600及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。
図7A−7Bは、本発明に従って、サンプル前駆体20を典型的な側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着する最終段階を表現する(図7A)及び(図7B)と共に、サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200及びピックアンドプレイスユニット400に関連して、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。
図8は、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、空気圧制御ユニット800、振動防止ユニット1200、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300、及びこれらのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。
図9A−9Bは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、スクライブ・クリーブユニット1000及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。
図9Cは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、図9Aに示されたスクライブ・クリーブユニット1000及びこのコンポーネントの拡大斜視断面図を示す概略図である。
図10A−10Bは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、マイクロマスク接着ユニット1100及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。
図10Cは、本発明に従って、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、図10Aに示されたマスク接着ユニット1100及びこのコンポーネントの拡大斜視断面図を示す概略図である。
図11A−11Bは、本発明に従って、材料(たとえば、サンプル前駆体サポート構造体120の一部121に接着された処理済みの(切断され、搭載された)形態のサンプル前駆体20)を初期位置から別の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするために、ピックアンドプレイスユニット400を使用するステップ(d)の実行を含む平面観察サンプル調製プロセスの拡大斜視図を示す概略図である。
図12A−12Bは、本発明に従って、マイクロ溝生成ユニット500又は500’を用いて、材料(たとえば、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20)の表面に少なくとも1個のマイクロ溝(たとえば、1対のマイクロ溝590)を生成するステップ(e)の(図12Bは図12Aの拡大図である)斜視図を示す概略図である。
図13A−13Bは、本発明に従って、スクライブ・クリーブユニット1000のスクライブアセンブリ1002を使用して(図13A)、材料(たとえば、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20)の表面にスクライブ線(たとえば、スクライブ線1050)を生成する(任意の)ステップ(j)及びスクライブ・クリーブユニット1000のクリーブアセンブリ1004を使用して(図13B)、スクライブ線(スクライブ線1050)に沿って材料(サンプル前駆体20)を劈開する(任意の)ステップ(j)の拡大斜視図を示す概略図である。
図14A−14Dは、本発明に従って、マーキング装置が光イメージングユニット300に対応する第1実施形態において(図14A及び14B);マーキング装置がマイクロ溝生成ユニット500又は500’に対応する第2実施形態において(図14A及び14C)、マーキング装置がスクライブ・クリーブユニット1000のスクライブアセンブリ1002に対応する第3実施形態において(図14A及び14D)、マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)(たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)T)をマークする(任意の)ステップ(k)を実行する本発明の3つの特定の代替的な好ましい実施形態の拡大斜視図を示す概略図である。
図15A、及び15B−15Cは、本発明に従って、サンプル前駆体20がステップ(f)の極低温セクション化手順に応じて前に極低温セクション化されている第1の特定の実施形態において(図15A)、サンプル前駆体20が極低温セクション化手順の対象にされず、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含む第2の特定の実施形態において(図15B−15C)、マイクロマスク、たとえば、(円筒形状のマイクロサイズ化されたワイヤを有する(図15A)又は長方形状の側面を有する(図15B−15C))マイクロマスキングエレメント1110をサンプル前駆体20の表面上に接着させる(任意の)ステップ(m)を実行する2つの主要な特定の実施形態の拡大斜視図を示す概略図である。
図16A−16Mは、本発明に従って、マイクロ分析のサンプルを調製するサンプル調製システム及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、TEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図17A−17Rは、本発明に従って、マイクロ分析のサンプルを調製するサンプル調製システム及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、TEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を説明する概略図である。
図18A−18Kは、本発明に従って、マイクロ分析のサンプルを調製するサンプル調製システム及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、SEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を説明する概略図である。
図19A−19Pは、本発明に従って、マイクロ分析のサンプルを調製するサンプル調製システム及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、TEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を説明する概略図である。
本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法に関係する。本発明は、特に、半導体製造、マイクロ分析試験及び材料科学に関係して、主に、特に製造欠陥及び/又はアーティファクトの存在についてサンプルを検査又は調査する目的で、たとえば、電子顕微鏡技術、原子間力顕微鏡技術、及び/又はイオン分光分析技術などによるマイクロ分析の対象となる準備ができている最終形式でサンプルを調製するために使用されるマイクロ分析サンプル最終調製技術を適用する前に実施可能である。
本発明は、サンプル前駆体のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ又は高さ)を減少させることによる、サンプル前駆体等の材料の少なくとも一部をセクション化又はセグメント化することに基づくマイクロ分析サンプル調製技術の一種である。本書における用語「セクション化」及び「セグメント化」のそれぞれは、等価的に「セクション化」と呼ばれ、一般的に、切断、劈開、スライス、及び/又は研磨の手順のうちの1種以上を使用することにより、サンプル前駆体のサイズ等の材料のサイズの少なくとも1つの寸法(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ若しくは高さ)を減少させることを意味する。
本発明は、サンプルを分析するため最終的に適用されるマイクロ分析技術の特定のタイプに応じて、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の主要なカテゴリーである(1)薄片化、(2)断面化、又は/及び(3)平面観察セクション化の実施中に含まれる多種多様な手順を実行するため適用可能である。本発明は、所与の材料が単結晶、多結晶、又は、アモルファスであり、半導体材料(特に、ウェハ、ウェハセグメント、及びウェハダイ)、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、及びこれらの複合材料等の様々なタイプの材料のマイクロ分析サンプルを調製するため適用可能である。本発明は、多種多様なタイプのサンプル最終調製技術の何れかの対象となるのに適し、かつ、最終的に多種多様なタイプのマイクロ分析技術の何れかの対象となるのに適している全体的なエリア又は特定のサイト(ターゲット)サンプルを調製するため適用可能である。
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムは、以下の主要コンポーネント、すなわち、(a)サンプル前駆体を保持するサンプル前駆体保持ユニットと、(b)サンプル前駆体保持ユニットの少なくとも一部を運搬し位置決めする運搬・位置決めユニットと、(c)サンプル前駆体上に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視する光イメージングユニットと、(d)サンプル前駆体及びサンプル調製システムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、(e)表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含み、サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、(f)調製されたサンプルを形成するために、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットとを含み、かつ、これらの機能を含む。
サンプル調製システムは、上記のサンプル調製システムの各主要コンポーネント(a)−(f)にエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネント(a)−(f)のプロセス制御を可能にするため、サンプル調製システムの上記の各主要コンポーネント(a)−(f)に動作的(構造的及び/又は機能的)に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティをさらに含む。
本発明のサンプル調製システムは、所望により、(g)サンプル調製システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるため、(b)運搬・位置決めユニットを(d)ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリと、(h)サンプル調製システムの選択された主要コンポーネント[(a)サンプル前駆体保持ユニット、(b)運搬・位置決めユニット、(d)ピックアンドプレイスユニット、及び、(f)極低温セクション化ユニット]の空気圧を制御する空気圧制御ユニットと、(i)サンプル前駆体のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるサンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニットと、(j)サンプル前駆体の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するスクライブ・クリーブユニットと、(k)マイクロマスクをサンプル前駆体の表面上に接着させるマイクロマスク接着ユニットと、(l)システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑える振動防止ユニットとからなる群から選択された少なくとも1個の付加的な主要コンポーネントをさらに含む。
サンプル調製システムが上記の(任意の)付加的な主要コンポーネント(g)−(l)のうちの少なくとも1つを含むとき、前述のサンプル調製システムの主要コンポーネント(a)−(f)と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合されるように、付加的に含まれている各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、付加的に含まれている各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするため、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティもまた付加的に含まれているサンプル調製システムの各主要コンポーネントに動作的(構造的及び/又は機能的)に接続されている。したがって、本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システムの種々の代替的な典型的な好ましい実施形態を提供する。
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、(a)サンプル前駆体をサンプル前駆体保持ユニットに載せるステップと、(b)運搬・位置決めユニットを用いて、サンプル前駆体保持ユニットを運搬し位置決めするステップと、(c)光イメージングユニットを用いて、サンプル前駆体上に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視するステップと、(d)ピックアンドプレイスユニットを用いて、サンプル前駆体及びサンプル調製システムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップと、(e)マイクロ溝生成ユニットに含まれるコンポーネントによって表面の各マイクロ溝の深さ及び品質が制御され、マイクロ溝生成ユニットを用いて、サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、(f)極低温セクション化ユニットを用いて、調製されたサンプルを形成するために、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップとを備える。
好ましくは、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティを用いて、上記のサンプル調製方法の各主要ステップ(a)−(f)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、所望により、(g)運搬・位置決めユニットをピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリを用いて、サンプル調製システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるステップと、(h)空気圧制御ユニットを用いて、サンプル調製システムの選択された主要コンポーネント(サンプル前駆体保持ユニット、運搬・位置決めユニット、ピックアンドプレイスユニット、及び極低温セクション化ユニット)の空気圧を制御するステップと、(i)サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニットを用いて、サンプル前駆体のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるステップと、(j)スクライブ・クリーブユニットを用いて、サンプル前駆体の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するステップと、(k)マーキング装置を用いて、サンプル前駆体の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマークするステップと、(l)選択されたサンプル調製システムの主要コンポーネントを用いて、マクロマスクをサンプル前駆体の表面上に接着させるステップと、(m)マイクロマスク接着ユニットを用いて、マイクロマスクをサンプル前駆体の表面上に接着させるステップと、(n)振動防止ユニットを用いて、サンプル調製システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑えるステップとからなる群から選択された少なくとも1つの付加的な主要ステップ(及びこのコンポーネント)をさらに含む。
好ましくは、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、前述のサンプル調製方法の主要ステップ(a)−(f)と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合されるように、前述の少なくとも1つの付加的な主要ステップ(g)−(n)のそれぞれの各主要コンポーネントと動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティを用いて、前述の少なくとも1つの付加的な主要ステップ(g)−(n)のそれぞれの各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。したがって、本発明は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法の種々の代替的な典型的な好ましい実施形態を提供する。
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法は、従来のマイクロ分析サンプル調製の技術に対し、複数の新規性及び進歩性の態様を含む。本発明の主な新規性及び進歩性の態様は以下の通りである。
本発明の新規性及び進歩性の主な態様は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なサンプル調製システムの提供である。本発明の全体的なサンプル調製システムは、また、各々が分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある複数の統合ユニット又は装置を含む。
本発明の別の主な態様は、典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成し、表面内の各マイクロ溝の深さ(侵入)、深さ(侵入)の増分最小単位、及び、品質を制御するコンポーネントを含む、マイクロ溝生成ユニット又は装置の2つの代替的な好ましい実施形態の提供である。マイクロ溝生成ユニットは、本発明の、マイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なシステムの統合したユニット又は装置に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
本発明の別の主な態様は、セクション化されたサンプル前駆体を形成するために、典型的な材料としてのサンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニット又は装置の提供である。極低温セクション化ユニットは、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なシステムの別の統合したユニット又は装置に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
本発明の別の主な態様は、典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面上にマイクロマスクを接着させるマイクロマスク接着ユニット又は装置の提供である。マイクロマスク接着ユニットは、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なシステムの別の統合したユニット又は装置に対応し、さらに分離可能でもあり、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
本発明の新規性及び進歩性の別の主な態様は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なサンプル調製方法の提供である。本発明の全体的なサンプル調製方法は、それぞれがさらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある、複数の統合したステップ又は手順を含む。
本発明の別の主な態様は、表面の各マイクロ溝の深さ(侵入)、深さ(侵入)の増分最小単位、及び、品質がマイクロ溝生成ユニットに含まれているコンポーネントによって制御され、マイクロ溝生成ユニットを用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップ又は手順の提供である。マイクロ溝生成ステップ又は手順は、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的な方法の統合したステップ又は手順に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
本発明の別の主な態様は、極低温セクション化ユニットを用いて、セクション化されたサンプル前駆体を形成するため、典型的な材料としてのサンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップ又は手順の提供である。極低温セクション化ステップ又は手順は、本発明の、マイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なサンプル調製方法の別の統合したステップ又は手順に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
本発明の別の主な態様は、サンプル調製システムの選択されたシステムユニットを用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面上にマクロマスクを接着させるステップ又は手順の提供である。マクロマスク接着ステップ又は手順は、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なサンプル調製方法の別の統合したステップ又は手順に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
本発明の別の主な態様は、マイクロマスク接着ユニットを用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面上にマイクロマスクを接着させるステップ又は手順の提供である。マクロマスク接着ステップ又は手順は、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する全体的なサンプル調製方法の別の統合したステップ又は手順に対応し、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニット又は装置、及び、対応するステップ又は手順に関して、マイクロ溝生成ユニットは、特別に設計され、構築され、作動されるコンポーネントを含み、このコンポーネントは、材料の表面における各マイクロ溝の形成及び生成中に、深さ(侵入)、深さ(侵入)の増分最小単位、及び、品質の非常に正確な制御を可能にする。
より詳細には、本発明のサンプル調製システムのマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第1臨界パラメータは、材料の表面へのマイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)に関係する。たとえば、材料の表面へのマイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)は、好ましくは約10ナノメートルから約10000ナノメートルまでの範囲であり、より好ましくは約100ナノメートルから約2000ナノメートルまでの範囲であり、最も好ましくは約300ナノメートルから約1500ナノメートルの範囲である。
本発明のサンプル調製システムのマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第2臨界パラメータは、材料の表面へのマイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)の増分最小単位に関係し、材料の表面へのマイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)の増分最小単位は、マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ及びマイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリによって達成可能な深さ(侵入)の最小増分ステップを指す。たとえば、材料の表面へのマイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)の増分最小単位は、好ましくは、約3ナノメートルから約7ナノメートルの範囲である。
本発明のサンプル調製システムのマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第3臨界パラメータは、材料の表面に生成された各マイクロ溝の品質に関係し、材料の表面に生成された各マイクロ溝の品質は生成されたマイクロ溝の完全性を示唆する形状特徴の組を指す。このような形状特徴は、たとえば、生成されたマイクロ溝の壁に沿ったマイクロサイズ化されたクラックの欠如、生成されたマイクロ溝の壁に沿った、滑らかさに関する均一性、直線性及び一貫性である。
材料の極低温セクション化中に誘導される望ましくないアーティファクトの生成を回避するために、材料の表面のターゲットエリア又は対象領域(ROI)内の形状特徴に隣接した所定の層数の材料の層を切り離す主要な機能の達成をもたらす本発明のサンプル調製システムのマイクロ溝生成ユニットの複数の特徴が存在する。
このような特徴は、(1)マイクロ溝生成エレメントの材料のタイプ、(2)マイクロ溝生成エレメントの構造、形態又は形状、(3)マイクロ溝生成エレメントの構造の先端の鋭さ又は半径、(4)材料の表面へ向かうマイクロ溝生成エレメントの接近の角度、及び(5)マイクロ溝生成エレメントを用いて力が材料の表面へ向かって印加される方式である。
セクション化されたサンプル前駆体を形成するために、典型的な材料としてのサンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温サクション化する極低温セクション化ユニット又は装置、及び、対応するステップ又は手順に関して、極低温セクション化ユニットは、圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリに動作的に接続されている極低温流体リザーバを含む。圧力制御機構は、極低温流体リザーバに存在する極低温流体(たとえば、液体及び気体の二相窒素)の体積の変化又は変動とは無関係に、極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持するため機能する。圧力制御機構の動作は、極低温流体が、極低温セクション化プロセス中に、極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ及び極低温流体出力ノズルサブアセンブリを通って、セクション化ブレード(細かいセクション化ブレード又は粗いセクション化ブレード)、並びに、材料へ制御可能に供給されることを保証する。
材料の極低温セクション化の制御性及び再現性を改善するための、圧力制御機構の極低温流体リザーバへの動作的接続及びこの使用は、本願譲受人/出願人のPCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている極低温セクション化タイプのマイクロ分析サンプルセクション化手順を超える重大な改良を表している。
典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面上にマイクロマスクを接着させるマイクロマスク接着ユニット、及び、対応するステップ又は手順に関して、マイクロマスク接着ユニットは、可変性幾何構造、形態又は形状を有する電気的かつ熱的に伝導性のある材料により構成されたマイクロサイズマスキングエレメントを含む。マイクロサイズマスキングエレメントは、本発明により調製されたサンプルを、一般にイオンビーム加工タイプのマイクロ分析サンプル最終調製技術、特に、ブロードイオンビーム加工タイプのマイクロ分析サンプル最終調製技術の対象とすることができる。したがって、マイクロサイズマスキングエレメントは、好ましくは、後のサンプル最終調製手順において実行される最終薄片化プロセス中に、マイクロサイズマスキングエレメントのイオン加工(材料除去)レートが、マイクロサイズマスキングエレメントが置かれている材料のイオン加工レートと適合するような材料及び幾何学的構造、形態、又は形状からなる。
マイクロサイズマスキングエレメントを構成する典型的な材料は、カーボン材料、セラミック材料、金属(純粋金属又は金属合金)材料、及びこれらの複合材料である。このような材料の典型的な幾何学的構造、形態又は形状は、円筒形、長方形、及び台形である。円筒形に構成された材料の典型的な直径は、約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲である。長方形に構成された材料の典型的な断面又は側面は、約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲である。本発明のマイクロマスク接着ユニット、及び、対応する方法は、マイクロサイズマスキングエレメントが、従来技術のマイクロマスク接着技術とは著しく異なる形でマイクロサイズマスキングエレメントを使用して、TEMタイプのセクション化手順によって調製されたサンプルの表面に塗布されることによって実施される。
たとえば、サンプル前駆体である材料の表面にマイクロマスクを接着させるため、任意の手順に従って、マイクロマスク接着ユニットが使用される、本発明の2つの主な特定の実施形態が存在する。第1の特定の実施形態では、マイクロマスク接着ユニットは、本発明の極低温セクション化方法に従って極低温セクション化されている、予め極低温セクション化されたサンプル前駆体の表面に、所定の位置で、かつ、約50ナノメートルから約150ナノメートルの範囲、典型的には約100ナノメートルの位置決め精度でマイクロマスクを接着させるため使用される。代替的に、第2の特定の実施形態では、マイクロマスク接着ユニットは、たとえば、極低温セクション化手順の対象とされていないサンプル前駆体である材料の表面に、所定の位置で、かつ、約50ナノメートルから約150ナノメートルの範囲、典型的には約100ナノメートルの位置決め精度でマイクロマスクを接着させるため使用される。
典型的な材料としてのサンプル前駆体の表面にマクロマスクを接着させるステップ又は手順に関して、これらの実施は、調製されたサンプルを、イオンビーム加工を含む等の後続のマイクロ分析サンプル最終調製技術の対象とすることを容易にする。このようなサンプル最終調製技術は、本発明を実施する異なる典型的な特定の好ましい実施形態の少なくとも4つの異なる主要カテゴリー、すなわち(A)TEM側面観察(断面)、(B)TEM平面(二次元)観察、(C)SEM側面観察(断面)、及び(D)裏面露出に関連する。
したがって、本発明は、使用された初期サンプル前駆体及び後で調製されるセクション化されたサンプルの特定のタイプ(物理化学的な特性、特徴、及び、挙動と寸法)に関連して、並びに、所与のサンプルを分析するため最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関連して、背景欄に既に記載されている従来技術のセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の現状の実施に付随する種々の重大な制限及び不利点を克服する。
特に、セクション化(切断、スライス)されたサンプルを調製するため使用されるサンプル前駆体のタイプに関して、本発明は、結晶境界又はエッジとは無関係に、単結晶、多結晶、又はアモルファスタイプのサンプル前駆体材料における特定の方向のセクション化(切断、スライス)に特に適している。本発明は、互いに弱く接着している隣接層を有するサンプル前駆体を処理するのに適している。本発明は、比較的大きなサンプル前駆体、たとえば、約300mmの直径を有する半導体ウェハ全体の「インライン」初期ハンドリング及び処理に適している。
特に、後で調製されるセクション化されたサンプルのタイプに関して、本発明は、集束イオンビーム(FIB)加工、ブロードイオンビーム(BIB)加工、又は、両方等の基本的にあらゆるタイプのサンプル最終調製技術を用いて後でさらにセクション化(切断、劈開、スライス、又は/及び研磨)され得るセクション化されたサンプルを調製するのに適している。後でイオンビーム加工タイプのサンプル最終調製技術の対象とされるセクション化されたサンプルの調製のため、本発明は、比例して短いイオンビーム加工時間を必要とする比較的小さなサイズの寸法を有するセクション化されたサンプルを生成することができる。このことは、イオンビーム加工プロセス中の再堆積の結果として、汚染物及びアーティファクトをサンプルに取り込む可能性を低下させることになるので、このような汚染物及びアーティファクトが、典型的なマイクロ分析技術中に必要とされる質量分析、及びその分析を妨害する可能性を低下させる。
特に、所与のサンプルを分析するため最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関して、本発明は、一般に、SEMサンプル、TEMサンプル、STEMサンプル、EDSサンプル、AFMサンプル、SIMSサンプル、又はGDSサンプルの最終的な調製に適用される。本発明は、従って、一般に、不必要な数の多種多様なシステム、機器、及び、方法を必要とすることなく、基本的に任意のタイプのマイクロ分析技術、たとえば、SEM、TEM、STEM、EDS、AFM、SIMS、又はGDSの究極的な目的に適用可能である。さらに、本発明は、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の主要な各カテゴリー、すなわち(1)薄片化、(2)断面化、(3)平面観察セクション化に応じた様々なタイプのセクション化されたサンプルを最終的に調製するため完全に適用可能である。
さらに、本発明は、セクション化(切断、スライス)ソーイングプロセス中にサンプル内での望ましくないマイクロサイズのクラック及び/又はアーティファクトの形成をかなり抑える形で実施される。
本書に特に明記しない限り、本発明はその適用を、以下の例示的説明及び添付の図面及び実施例に記載する、システムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料の種類、構成、構造、配列、順序又は個数の詳細又はシステムの操作又は方法の、手順、ステップ、及びサブステップの順序又はシーケンス及び回数の詳細に限定されないことを理解されたい。例えば、以下の説明は、本発明の実施を例示するために、マイクロ分析技術に最終的に供されるために調製される例示的材料としてサンプル前駆体を示す。本発明は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。本書に例示的に記載するものと同等又は同様のシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料、及び手順、ステップ、サブステップを、本発明の実施又は試験に使用することができるが、適切なシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料、及び手順、ステップ、サブステップを本書で例示的に記載及び例証する。
また、本書で特に定義又は明記しない限り、本開示全体を通して本書で使用される全ての科学技術用語、専門用語、又は/及び語句は全て、本発明が属する技術分野の通常の熟練者が一般的に理解するのと同一又は同様の意味を持つと理解されたい。本開示全体を通して使用される言葉使い、用語法、及び表記法は説明を目的とするものであって、限定とみなすべきではない。
特に明記しない限り、語句「作動的に接続される(operatively connected)」は一般的に本書で使用され、対応する類句「作動的に接合される(operatively joined)」及び「作動的に取り付けられる(operatively attached)」と同等の意味であり、作動的接続、作動的結合、又は作動的取付は、物理的又は/及び電気的又は/及び電子的又は/及び機械的又は/及び電子機械的な方法又は性質に応じて、様々なタイプ及び種類のハードウェア又は/及びソフトウェア機器及びコンポーネントを含むことを充分に理解されたい。さらに、特に明記しない限り、語句「接続できる」、「接続された」、及び「接続している」は一般的に本書で使用され、対応する類句「接合できる」、「接合された」、及び「接合している」、ならびに「取り付けられる」、「取り付けられた」、及び「取り付けている」と同等の意味であることを充分に理解されたい。
さらに、全ての科学技術用語、専門語、及び/又は語句を含む。さらに、上記背景技術の部分で紹介し、定義し、説明し、又は/及び例示した全ての科学技術用語、専門用語、又は/及び語句は、本発明の好適な実施形態、実施例、及び添付の特許請求の範囲の例示的説明にも同等又は同様に適用可能である。さらに、本書で使用される語句「約」は関連する値の±10%を指す。
本発明による、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料と、手順、ステップ、サブステップ及び動作と、典型的な好ましい実施形態、代替的な好ましい実施形態、特定の構造、並びに、付加的な態様及び任意の態様の実施と、それらの特徴又は特長は、以下の実例となる説明及び添付図面を参照してより良く理解される。以下の実例となる説明及び添付図面を通じて、同じ参照番号は、同じシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料とを指す。添付図面中、基準XYZ座標系は、図面に描かれているコンポーネントと相対的なx、y及びzの方向を指示するため示されている。
本発明の以下の例示的説明に含まれるのは、開示する発明の適切な利用及び実現を「可能にする(enabling)」ことを充分に理解するために必要である、主要又は重要なシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料、及びそれらの機能、及び主要又は重要な手順、ステップ、サブステップである。したがって、当業熟練者には容易に理解され、又は/及び本発明に関連する先行技術又は/及び技術文献から入手できる、本発明の実現を可能にすることに関して二次的に重要な、様々な可能な予備的、中間的、軽微、又は/及び任意選択的なシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料、及び/又はそれらの機能、及び/又は手順、ステップ、及び/又はサブステップの説明は、本書ではせいぜい簡単に触れるのみである。
全体的なサンプル調製システム
よって、本発明の主な態様によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムが提供される。ここで図面を参照すると、図1は、本文書中、全体的にサンプル調製システム10と呼ばれている、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムと、その主要コンポーネントの典型的な好ましい実施形態を示すブロック図である。図2は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム、すなわち図1に示されているサンプル調製システム10及びその主要コンポーネントの典型的な好ましい実施形態の斜視図を示す概略図である。
よって、本発明の主な態様によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムが提供される。ここで図面を参照すると、図1は、本文書中、全体的にサンプル調製システム10と呼ばれている、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムと、その主要コンポーネントの典型的な好ましい実施形態を示すブロック図である。図2は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム、すなわち図1に示されているサンプル調製システム10及びその主要コンポーネントの典型的な好ましい実施形態の斜視図を示す概略図である。
図1及び2に示されているように、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10は、以下の所要コンポーネント、すなわち(a)サンプル前駆体保持ユニット100、(b)運搬・位置決めユニット200、(c)光イメージングユニット300、(d)ピックアンドプレイスユニット400、(e)マイクロ溝生成ユニット500、及び(f)極低温セクション化ユニット600を含む。図1及び2に示されているように、サンプル調製システム10は、サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、及び極低温セクション化ユニット600のそれぞれに動作的(構造的及び/又は機能的)に接続され、サンプル調製システム10のそれぞれの主要コンポーネント100、200、300、400、500及び600にエレクトロニクスを提供し、これらのプロセス制御を可能にするエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300をさらに含む。
図1では、サンプル前駆体20と、サンプル調製システム10の主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、及び極低温セクション化ユニット600とは、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300と共に、太線の枠(長方形又は楕円)、文字、及び参照番号を用いて強調して示されている。付加的に、図1では、サンプル調製システムの各主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、及び極低温セクション化ユニット600へのエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300の動作的(構造的及び/又は機能的)接続は、サンプル調製システムの各主要コンポーネントからサンプル前駆体保持ユニット100へ延びる動作的接続線と交差する大きな(中央に置かれた)楕円によって示されている。
サンプル調製システム10は、所望により、(g)接着インターフェイスアセンブル700、(h)空気圧制御ユニット800、(i)サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、(j)スクライブ・クリーブユニット1000、(k)マイクロマスク接着ユニット1100、及び(l)振動防止ユニット1200からなる群から選択された少なくとも1個の付加的なコンポーネントをさらに含む。
サンプル調製システム10が、上記の(任意の)付加的な主要コンポーネント700、及び/又は800、及び/又は900、及び/又は1000、及び/又は1100、及び/又は1200のうちの少なくとも1つを含むとき、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、付加的に含まれるサンプル調製システムの主要コンポーネントのそれぞれにも動作的(構造的及び/又は機能的)に接続され、上記のサンプル調製システムの主要コンポーネント100、200、300、400、500及び600と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合されるように、付加的に含まれている各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、これらのプロセス制御を可能にする。図1において、任意のサンプル調製システムの少なくとも1個の付加的な主要コンポーネント、すなわち、接着インターフェイスアセンブル700、空気圧制御ユニット800、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、マイクロマスク接着ユニット1100、及び振動防止ユニット1200のそれぞれへのエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300の動作的(構造的及び/又は機能的)接続は、任意のサンプル調製システムの少なくとも1個の付加的な各主要コンポーネントからサンプル前駆体保持ユニット100まで延びる動作的接続線と交差するより大きな(中央に置かれた)楕円によって示されている。
したがって、本発明は、サンプル調製システム、すなわちマイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10の種々の代替的な典型的な好ましい実施形態を提供する。
非限定的な形で、図2に示されているように、サンプル調製システム10の複数のユニット又はそのコンポーネントは、固定式又は移動可能(可動)式のテーブル、スタンド、又はフレームタイプのシステムサポートアセンブリ75に直接的に搭載されるか、又は動作的に接続されている。システムサポートアセンブリ75は、適切に構成されたサポートエレメント、脚、ブラケット、及びホイール等の移動可能(可動)式エレメントを含む。サンプル調製システム10のその他のユニット又はこのコンポーネントは、システムサポートアセンブリ75に直接的に搭載されているこれらのシステムユニット又はそのコンポーネントに搭載されている。
サンプル前駆体保持ユニット
サンプル調製システム10において、サンプル前駆体保持ユニット100はサンプル前駆体20を保持する。
サンプル調製システム10において、サンプル前駆体保持ユニット100はサンプル前駆体20を保持する。
図3は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、サンプル前駆体保持ユニット100及びこのコンポーネントの部分分解拡大斜視図を示す概要図である。図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、サンプル前駆体保持ユニット100及びこのコンポーネントの部分分解拡大斜視図を示す概略図である。
サンプル前駆体保持ユニット100及びその選択されたコンポーネントは、サンプル前駆体20を典型的な側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着する最終段階を表現する(図7A)及び(図7B)と共に、サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、及びピックアンドプレイスユニット400に関連して、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である図7A−7Bにも示されている。サンプル前駆体保持ユニット100及びその選択されたコンポーネントは、材料(たとえば、サンプル前駆体サポート構造体120の一部に接着させられた処理(切断、搭載)された形式のサンプル前駆体20)を初期位置から別の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするため、ピックアンドプレイスユニット400を使用するステップ(d)の実行を含む平面観察サンプル調製プロセスの拡大斜視図を示す概略図である図11A−Bにも示されている。
サンプル前駆体20は、最終構成及びサイズ合わせが行われ、本発明のサンプル調製方法の終了によって調製されるサンプルの予め処理された前駆体に対応する。初期サイズ又は減少サイズのサンプル前駆体20は、極低温セクション化ユニット600を用いて、調製されたサンプルを形成するため、最終的に所定の構造及びサイズまで極低温ソーイングされる。
サンプル前駆体20は外部ソースによって供給される。一般に、サンプル前駆体20は、任意の数の多種多様なタイプの材料を含むか、又は、これらの材料で構成されている。たとえば、サンプル前駆体20は、半導体材料、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、ポリマー材料、複合材料、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも1種の材料を含むか、この材料で構成されている。たとえば、半導体タイプの材料を含むか、又は半導体タイプの材料であるサンプル前駆体20の場合、サンプル前駆体20は、(ウェハの)単一ダイ、ウェハセグメント、又はウェハ全体を含むか、又は、(ウェハの)単一ダイ、ウェハセグメント、又はウェハ全体である。
サンプル前駆体20は、本文書中、サンプル前駆体初期サイズと呼ばれ、最初に供給されたサンプル前駆体の長さ及び幅の2つの表面積寸法と、厚さ又は深さの第3寸法によって規定される初期サイズを有する。サンプル前駆体20は、(サンプル前駆体20の長さ及び幅は任意に割り当てられるので、長さ×幅、又は、幅×長さに関して)典型的な「動作又は処理」範囲、すなわち、(a)約1mm×1mmから大きな単一ダイの表面積寸法(たとえば、約25mm×25mm)まで、(b)ウェハセグメント(たとえば、約40mm×40mm)、又は(c)ウェハ全体(たとえば、約300mm径の円形状)に入る表面積寸法を有する。サンプル前駆体20は、約0.1mmから約1.5mmまでの厚さ又は深さという典型的な第3寸法を有する。たとえば、サンプル前駆体が半導体タイプの材料(すなわち、(ウェハの)単一ダイ、ウェハセグメント、又はウェハ全体)である場合、典型的に、ウェハ厚は、ウェハ製造段階中にウェハ全体に裏面研磨プロセスが実行される前では、約0.75mmである。
本発明の方法を完了することによって、かくして調製され、出力されたサンプルは、本文書中、サンプルの長さ及び幅の2つの表面積寸法と、厚さ又は深さの第3寸法とによって規定されるサンプルサイズと呼ばれるサイズを有する。好ましくは、サンプルは、本文書中、サンプル最適サイズと呼ばれる最適サイズを有し、サンプルサイズの寸法の値は、本発明によって調製されたサンプルをさらに処理するのに最も適している最適範囲内である。たとえば、サンプルの長さ及び幅のそれぞれの値は、1mm以上、かつ、3mm以下の最適範囲内である。したがって、サンプル最適サイズの場合、サンプルの表面積サイズは、(サンプルの長さ及び幅は任意に割り当てられるので、長さ×幅又は幅×長さ)1mm×1mm以上であり、(長さ×幅、又は、幅×長さ)3mm×3mm以下である最適範囲内である。
本発明によれば、サンプル前駆体初期サイズとサンプル最適サイズとの比較に基づいて、初めに供給されたサンプル前駆体は、サンプル調製方法を継続するため「そのままで」使用されるか、又は、サンプル調製方法を継続するため使用される所定のサイズを有するサンプル前駆体を形成するため、少なくとも1つのサイズ(表面積寸法)減少手順を用いて最初に処理される。
図3を参照すると、サンプル前駆体保持ユニット100は、主要コンポーネント、すなわち、(i)側面観察サンプル前駆体サポート構造体又は平面観察サンプル前駆体サポート構造体にそれぞれ対応するサンプル前駆体サポート構造体110又は120、又は、代替的に、2つのサンプルサポート構造体125a及び125bの組と、(ii)サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130と、(iii)チャックベースアセンブリ140とを含む。サンプル前駆体保持ユニット100は、所望により、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150をも含む。
サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)は、それぞれ、(側面観察サンプル調製プロセス中に)サンプル前駆体20を堅固に支持する側面観察サンプル前駆体サポート構造体、又は(平面観察サンプル調製プロセス中に)サンプル前駆体20の処理(切断及び搭載)された形式を堅固に支持する平面観察サンプル前駆体サポート構造体に対応する。付加的な任意のサンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)の機能は、本発明の方法によって調製されたサンプルの再加工を可能にすることである。典型的なタイプの再加工は、サンプルの微細なマイクロ分析を可能にする目的で、本発明によって調製されたサンプルの付加的なセクション化を含む。
単一サンプル前駆体サポート構造体110又は120の代案として(すなわち、代わりとして)、サンプル前駆体サポート構造体125a及び125bは、側面観察又は平面観察サンプル調製プロセス中にサンプル前駆体20を堅固に支持するか、又は(平面観察サンプル調製プロセス中に)処理(切断、搭載)された形式のサンプル前駆体20を堅固に支持する。
2個のサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組を含むサンプル前駆体保持ユニット100の実施形態では、サンプル前駆体保持ユニット100は、(iv)調製されたサンプルサポートエレメント155及び(v)調製されたサンプルサポートエレメントホルダー157をさらに含む。
調製されたサンプルサポートエレメント155は、側面観察又は平面観察調製されたサンプルを堅固に支持する側面観察調製されたサンプルサポートエレメント又は平面観察調製されたサンプルサポートエレメントの何れかとしての機能を果たす。付加的な任意の、調製されたサンプルサポートエレメント155の機能は、本発明の方法による調製されたサンプルの再加工を可能にすることである。典型的なタイプの再加工は、サンプルの微細なマイクロ分析を可能にする目的で、本発明による調製されたサンプルの付加的なセクション化を含む。
調製されたサンプルサポートエレメントホルダー157は調製されたサポートエレメント155を保持又は固定する。好ましくは、調製されたサンプルサポートエレメントホルダー157は、調製されたサンプルサポートエレメント155が最終的な調製されたサンプルの側面をサポートし、この側面に固定されるように、サンプル前駆体20を支持する2つのサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bのうちの一方と相対的に適切に方向が合わされ、それに関して位置が合わされ、それに取り付けられるか、又はそれに接続されている。
サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130は、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を保持又は固定するか、或いは、代替的に、2個のサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組を保持又は固定する。サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130は、(1)サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130の反対側に沿って構成され、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130をチャックベースアセンブリ140の凹型搭載領域142に摺動させて搭載するガイド132と、(2)サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)、或いは、代替的に、2個のサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組を保持又は固定する保持又は固定機構134と、(3)サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)若しくは120(平面観察)、又は、代替的に、2個のサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bのうちの少なくとも一方の上端又は上側に塗布された接着剤を加熱する加熱機構136を含む。
サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を含むサンプル前駆体保持ユニット100の実施形態の場合、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130は、(4)サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)とサンプル前駆体サポート構造体130との間を接合するインターフェイスアセンブリ[サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)と関連付けられた137a及び137b、又は、サンプル前駆体サポート構造体120(平面観察)と関連付けられた137c及び137d]をさらに含む。
保持又は固定機構134は、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を係止しクランプするか、又は、代替的に、2個のサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bを係止しクランプするクランプ機構138を含む。
チャックベースアセンブリ140は、サンプル前駆体20の初期的な取り付けと、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130のその後の取り付けのためのベースとしての機能を果たす。チャックベースアセンブリ140は、ガイド132を用いて、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130を取り付ける凹型搭載領域142を含む。所定の初期サイズのサンプル前駆体20の場合、チャックベースアセンブリ140は、所望により、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150の下に構成されたガイド152を用いて、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャックの取り付けのためのベースとしての機能を果たす。
サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150は、所定の値より大きな表面積寸法を有するサンプル前駆体20を支持し保持する(並びに、ナビゲーションを可能にする)。たとえば、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150は、第2又は第3の典型的な動作又は処理範囲、すなわち(b)ウェハセグメント(たとえば、約40mm×40mm)、又は(c)ウェハ全体(たとえば、約300mm径の円)に入る上記の表面積寸法を有するサンプル前駆体20を支持し保持する(並びに、ナビゲーションを可能にする)。サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150の下側に沿って構成されたガイド152は、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150をチャックベースアセンブリ140の凹型搭載領域142へ摺動させ、取り付ける。
サンプル前駆体20に実行される、例示的に上述されているようなサンプル前駆体保持ユニット100及びそのコンポーネントの機能は、代替的に、又は、付加的に、マスキングエレメントに対して同様に実行される。ここで、マスキングエレメントは、必ずしも本発明によって実施されるとは限らない別のサンプル調製手順中にサンプル前駆体の少なくとも一部を保護する目的で、サンプル前駆体20等のサンプル前駆体の少なくとも一部をマスクするエレメントを指す。このようなマスキングエレメントは、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400又はこの一部と動作的に関連付けられている(特に、たとえば、図3に示されている)「マクロサイズ」マスキングエレメント30の形でもよく(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)、或いは、代替的に、たとえば、マイクロマスク接着ユニット1100又はこの一部に関連付けられている(特に、たとえば、図10A、10B、及び、10Cに示されている)「マイクロサイズ」マスキングエレメント1110の形でもよい(図1、2、4、10A、10B、及び、10C)。
運搬・位置決めユニット
運搬・位置決めユニット200は、サンプル前駆体保持ユニット100の少なくとも一部を運搬し位置決めする。
運搬・位置決めユニット200は、サンプル前駆体保持ユニット100の少なくとも一部を運搬し位置決めする。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット1000、スクライブ・クリーブユニット1100、及びマイクロマスク接着ユニット1200)に関連して、運搬・位置決めユニット200、及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。運搬・位置決めユニット200及びこの選択されたコンポーネントは、図7A−7B及び図11A−11Bにも示されている。
図4を参照すると、運搬・位置決めユニット200は、(i)x軸移動サブアセンブリ210、(ii)y軸移動サブアセンブリ220、(iii)z軸移動サブアセンブリ230、及び(iv)回転可能ステージサブアセンブリ240という主要コンポーネントを含む。
x軸移動サブアセンブリ210、y軸移動サブアセンブリ220、z軸移動サブアセンブリ230、及び回転可能ステージサブアセンブリ240のそれぞれは、個々の軸移動サブアセンブリの制御可能な運動を可能にするモーターを含む。また、x軸移動サブアセンブリ210、y軸移動サブアセンブリ220、z軸移動サブアセンブリ230、及び任意の回転可能ステージサブアセンブリ240のそれぞれは、個々の軸移動サブアセンブリの運動の制御を可能にするエンコーダを含む。回転可能ステージサブアセンブリ240は、サンプル前駆体保持ユニット100のチャックベースアセンブリ140のための回転可能ステージとしての役割を果たす。
光イメージングユニット
光イメージングユニット300は、サンプル前駆体20に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、サンプル調製方法全体のステップ及び手順を監視する。
光イメージングユニット300は、サンプル前駆体20に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、サンプル調製方法全体のステップ及び手順を監視する。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、光イメージングユニット300、及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
光イメージングユニット300は、(i)顕微鏡アセンブリ310、(ii)カメラ320、及び(iii)フレームグラバという主要コンポーネントを含む。光イメージングユニット300好ましい構造的かつ機能的な特長及び特徴は以下の通りである。
顕微鏡アセンブリ310は複数の対物レンズを含む。カメラ320は、たとえば、CCDカメラである。フレームグラバは、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300(図1、2、8)に組み込まれているコンピュータ化された制御ユニット1302の一部としてのソフトウェア及び/又はハードウェアとして組み込まれている。光イメージングユニット300は、処理された画像を生成するため、画像処理及び分析ソフトウェアアルゴリズムを使用して処理される未加工画像を生成する。
一例として、サンプル前駆体20が半導体タイプの材料(すなわち、(ウェハの)単一ダイ、ウェハセグメント、又はウェハ全体)であると、光イメージングユニット300を用いて、光学的にイメージ化され、認識され、特定される、サンプル前駆体20上に位置している典型的な例示となるターゲット形状特徴は、ウェハ製造中のリソグラフィックプロセスに関係するような欠陥、アーティファクト、及び/又は特定の特徴である。
サンプル前駆体20に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージ化し、認識し、特定し、サンプル調製方法全体のステップ及び手順を監視する光イメージングユニット300の主要機能に加えて、光イメージングユニット300は、マーキング装置を使用して、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマーキングする(任意の)ステップ(k)を実行するために使用され得る。本発明の第1の特定の代替的な好ましい実施形態では、サンプル調製システム10において、(任意の)ステップ(k)を実行するため、マーキング装置は光イメージングユニット300に対応している。本実施形態によれば、顕微鏡アセンブル310のレンズヘッドのうちの1つは、対物レンズを収容せずに、代わりに、図14A及び14Bに概略的に示されているように、たとえば、円390を用いて、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをサンプル前駆体20の表面にマーキングするため後で使用されるばね式インク印刷ヘッドが上に着座させられている。
ピックアンドプレイスユニット
ピックアンドプレイスユニット400は、初期位置からその他の機能的に依存した位置へサンプル前駆体20及びサンプル調製システム10の種々の選択されたコンポーネントをピックアンドプレイスする。
ピックアンドプレイスユニット400は、初期位置からその他の機能的に依存した位置へサンプル前駆体20及びサンプル調製システム10の種々の選択されたコンポーネントをピックアンドプレイスする。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、ピックアンドプレイスユニット400、及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。ピックアンドプレイスユニット400及びこの選択されたコンポーネントは、図7A−7B及び図11A−11Bにも示されている。
ピックアンドプレイスユニット400は、(i)サンプル前駆体保持開口部(図4に示されていない)、(ii)接着剤塗布ニードル開口部(図4に示されていない)という主要コンポーネントを含む。開口部の空気圧及び電子制御は、接着剤が塗布されたコンポーネントへの力の印加の制御も可能であるように、それぞれ空気圧制御ユニット800、及びエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300によって実行される。
ピックアンドプレイスユニット400は、サンプル前駆体20、又はサンプル調製システム10のうちの1個以上のコンポーネント、すなわち接着剤塗布ニードル、マスキングエレメント、又は/及び処理(切断、搭載)された形式のサンプル前駆体を、初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスする。
より詳細には、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400は、サンプル前駆体保持ユニット100(図3)の初期場所又は位置(たとえば、チャックベースアセンブリ140上)から少なくとも1個のその他の場所又は位置(たとえば、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)上)までサンプル試料20をピックアンドプレイスする。
より詳細には、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400は、(サンプル前駆体20を典型的な側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着させる最終段階を描く図7A及び7Bに示されているように)接着インターフェイスアセンブリ700の接着剤塗布ニードル、たとえば、接着剤塗布サブアセンブリ702の接着剤塗布ニードル706をピックアンドプレイスする。
より詳細には、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400は、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400又はその一部に動作的に関連付けられているマスキングエレメント、たとえば、(特に、たとえば、図3に示されている)マクロサイズマスキングエレメント30の形をしているマスキングエレメントをピックアンドプレイスする(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)。
ピックアンドプレイスユニット400は、本発明のサンプル調製方法の実施中の如何なる段階でも、サンプル前駆体20の厚さの測定を支援する第1の付加的な機能を有する。ピックアンドプレイスユニット400は、接着インターフェイス組立体700を用いて、サンプル前駆体20をサンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)に接着させることを伴うステップ(g)の接着プロセスの実行中に、制御可能な接着力をサンプル前駆体20に印加する第2の付加的な機能を有する。
本発明のサンプル調製システム10のピックアンドプレイスユニット400を使用する実例となる例は、サンプル前駆体サポート構造体120の一部121に接着させられた材料、たとえば、処理(切断及び搭載)された形式のサンプル前駆体20を、初期位置から別の機能的に従属した位置へ、ピックアンドプレイスする実例として後述されているステップ(d)の実行を伴う平面観察サンプル調製プロセスの拡大斜視図を示している概略図である図11A−11Bに示されている。
マイクロ溝生成ユニット
マイクロ溝生成ユニット500は、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成し、マイクロ溝生成ユニット500は、サンプル前駆体20の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含む。
マイクロ溝生成ユニット500は、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成し、マイクロ溝生成ユニット500は、サンプル前駆体20の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含む。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、マイクロ溝生成ユニット500、及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
図5A−5Cは、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、マイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントの拡大斜視正面図(図5A)、拡大斜視下面図(図5B)、及び部分分解拡大斜視図(図5C)を示す概略図である。
マイクロ溝生成ユニット500は、(i)マイクロ溝生成エレメントアセンブリ510、(ii)垂直移動アセンブリ520、たとえば、空気軸受アセンブリ、又は、代替的に、低摩擦直動玉軸受アセンブリ、及び(iii)力印加アセンブリ530という主要コンポーネントを含む。
マイクロ溝生成エレメントアセンブリ510は、主要コンポーネント、すなわち(1)マイクロ溝生成エレメント512、及び(2)マイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリ513を含む。
マイクロ溝生成エレメント512は、好ましくは、マイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである。ブレード又はナイフのマイクロ溝生成チップは、好ましくは約100ナノメートル未満、より好ましくは約30ナノメートル未満、最も好ましくは約20ナノメートル未満の半径を持つ。ブレード又はナイフのマイクロ溝生成チップは、好ましくは、天然若しくは人工ダイヤモンド、又は、ダイヤモンド様材料で作られている。マイクロ溝生成エレメント512はシステム消耗品である。マイクロ溝生成エレメントアセンブリ510は、マイクロ溝生成エレメント512の交換を容易にできるようにするため、垂直移動アセンブリ520へ容易に着脱可能である。
垂直移動アセンブリ520は、主要コンポーネント、すなわち(1)軸受サブアセンブリ522、たとえば、空気軸受サブアセンブリ、又は、代替的に、低摩擦直動玉軸受サブアセンブリ、及び(2)マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ524を含む。垂直移動アセンブリ(空気タイプ又は低摩擦直動玉タイプ)520はマイクロ溝生成エレメント512を垂直移動させ、サンプル前駆体20の表面に侵入させるためのものである。
垂直移動アセンブリ520は、x軸に関して、したがって、サンプル前駆体20の表面に関連して、マイクロ溝生成エレメント512の回転自由度を許可するように、特に、マイクロ溝生成ユニット500のハウジングに搭載可能である。これは、サンプル前駆体20の表面へ向かうマイクロ溝生成エレメント512の接近角度の可変制御を可能にする。このような回転、したがって、サンプル前駆体20の表面へ向かうマイクロ溝生成エレメント512の接近角度は、垂直移動アセンブリ520に作用し、マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ524によって制御可能であるアライニングアセンブリ(たとえば、空気圧制御ユニット800へ動作的に接続され、空気圧制御ユニット800によって制御可能な2個の空気圧ピストン)を用いて有効にされる。
力印加アセンブリ530は、主要コンポーネント、すなわち(1)力発生モーター532、たとえば、直流(DC)モーター、及び(2)力印加アーム534を含む。力印加アセンブリ530は、制御可能な力をマイクロ溝生成エレメント512へ印加する。垂直移動アセンブリ520のマイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ524の動作によって、サンプル試料20の表面へのマイクロ溝生成エレメント512の移動が制御される。
マイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントの代替的な実施形態は、図1及び2に示されているサンプル調製システム10の一部として、本文書において、例示的に示されている。図1及び2に示されているサンプル調製システム10の一部として、マイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントの代替的な実施形態としての、マイクロ溝生成ユニット500’及びこのコンポーネントの拡大斜視正面図(図5D)、拡大斜視側面図(図5E)、及び拡大斜視部分断面下面図(図5F)を示す概略図である図5D−5Fを参照する。
図5D−5Fに示されているように、マイクロ溝生成ユニット500’は、主要コンポーネント、すなわち(i)マイクロ溝生成エレメントアセンブリ550、(ii)アライニングアセンブリ560、(iii)垂直移動アセンブリ570、及び(iv)力印加アセンブリ580を含む。
マイクロ溝生成エレメントアセンブリ550は、主要コンポーネント、すなわち(1)マイクロ溝生成エレメント552、及び(2)マイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリ553を含む。
マイクロ溝生成エレメント552は、好ましくは、マイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである。ブレード又はナイフのマイクロ溝生成チップは、好ましくは約100ナノメートル未満、より好ましくは約30ナノメートル未満、最も好ましくは約20ナノメートル未満の半径を持つ。ブレード又はナイフのマイクロ溝生成チップは、好ましくは、天然若しくは人工ダイヤモンド、又は、ダイヤモンド様材料で作られている。マイクロ溝生成エレメント552はシステム消耗品である。マイクロ溝生成エレメントアセンブリ550は、マイクロ溝生成エレメント552の交換を容易にできるようにするため、垂直移動アセンブリ570へ容易に着脱可能である。
アライニングアセンブリ560は、主要コンポーネント、すなわち(1)回転ステージサブアセンブリ562、及び(2)マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ564を含む。アライニングアセンブリ560は、マイクロ溝生成エレメント552によるサンプル前駆体20の表面へ向かう接近角度及び表面への侵入を制御する。
垂直移動アセンブリ570は、主要コンポーネント、すなわち(1)電動式直動アクチュエータ572、及び(2)直動軸受サブアセンブリ574を含む。垂直移動アセンブリ570は、マイクロ溝生成エレメント552の垂直移動が、回転ステージサブアセンブリ562を介して、回転移動へ変換されるように運動をアライニングアセンブリ560へ伝達し、そのために、マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ564は、マイクロ溝生成エレメント552によるサンプル前駆体20の表面へ向かう接近角度、及び、表面への侵入を制御する。
力印加アセンブリ580は、力印加部材、たとえば、ばねの組という主要コンポーネントを含む。力印加アセンブリ580は、制御可能な力をマイクロ溝生成エレメント552へ印加する。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットは、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500とマイクロ溝生成ユニット500’の何れであっても、サンプル前駆体20の極低温セクション化中に生じるかもしれない望ましくないアーティファクトの生成を回避するために、サンプル前駆体20のターゲットエリア又は対象領域(ROI)内の形状特徴に隣接したサンプル前駆体20の所定の数の層を引き離すという主な機能がある。この機能は、後述され、図6A−6Dに示されているように、ターゲットエリアに隣接する側壁の最高品質が得られる約3ミクロンから約30ミクロンまでの典型的な範囲を有する必要な「臨界」厚さ(臨界幅(CW))寸法を実現するために、極低温セクション化ユニット600の細かいセクション化ブレード、たとえば、細かいセクション化ブレード602を使用するという主要な目的を達成することを可能にする。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットは、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又は500’の何れであっても、例示的に説明されている、特別に設計され、構築され、作動され、サンプル前駆体20の材料の表面における各マイクロ溝の形成及び生成中に、深さ(侵入)、深さ(侵入)の増分最小単位、及び品質の非常に正確な制御を可能にするコンポーネントを含む。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第1臨界パラメータは、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れであっても、マイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)、すなわち、サンプル前駆体20の表面内のマイクロ溝生成エレメント512又はマイクロ溝生成エレメント552のそれぞれの深さ(侵入)に関係する。たとえば、サンプル前駆体20の表面へのマイクロ溝生成エレメント512又はマイクロ溝生成エレメント552の深さ(侵入)は、好ましくは約10ナノメートルから約10000ナノメートルまでの範囲であり、より好ましくは約100ナノメートルから約2000ナノメートルまでの範囲であり、最も好ましくは約300ナノメートルから約1500ナノメートルの範囲である。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第2臨界パラメータは、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れであっても、サンプル前駆体20の表面へのマイクロ溝生成エレメント512又は552の深さ(侵入)の増分最小単位に関係する。本文書中、サンプル前駆体20の表面へのマイクロ溝生成エレメント512又は552の深さ(侵入)の増分最小単位は、マイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ、すなわちマイクロ溝深さ(侵入)制御サブセンブリ524及びマイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリ564によってそれぞれに達成可能である深さ(侵入)の最小増分ステップを指す。たとえば、サンプル前駆体20の表面へのマイクロ溝生成エレメント512又は552の深さ(侵入)の増分最小単位は、好ましくは、約3ナノメートルから約7ナノメートルの範囲である。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットの動作を特徴付ける第3臨界パラメータは、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れであっても、サンプル前駆体20の表面に生成された各マイクロ溝の品質に関係する。本文書中、サンプル前駆体20の表面に生成された各マイクロ溝の品質は生成されたマイクロ溝の完全性を示唆する形状特徴の組を指す。このような形状特徴は、たとえば、生成されたマイクロ溝の壁に沿ったマイクロサイズ化されたクラックの欠如、生成されたマイクロ溝の壁に沿った滑らかさに関する均一性、直線性及び一貫性である。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットの複数の特徴は、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れであっても、サンプル前駆体20の極低温セクション化中に生じさせられる望ましくないアーティファクトの生成を回避するために、サンプル前駆体20の表面のターゲットエリア又は対象領域(ROI)内の形状特徴に隣接した所定の数のサンプル前駆体20の層を切り離す上記の主要な機能の達成をもたらす。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットの好ましい実施形態、すなわちマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’のそれぞれに関して、このような特徴は、(1)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの材料のタイプ、(2)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの構造、形態又は形状、(3)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの先端の鋭さ又は半径、(4)サンプル前駆体20の表面へ向かうマイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの接近角度、及び(5)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれを用いて力がサンプル前駆体20の表面へ向かって印加される方式である。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニット500又は500’を使用する例示的な実施例は、少なくとも1個のマイクロ溝、たとえば、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に1対のマイクロ溝590を生成する、後述されている、ステップ(e)の斜視図(図12Bは図12Aの拡大である)を示す概略図である図12A−12Bに示されている。
サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニット500又は500’の主要な機能に加えて、マイクロ溝生成ユニット500又は500’は、マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマーキングする(任意の)ステップ(k)を実行するため使用される。本発明の第2の特定の代替的な好ましい実施形態では、(任意の)ステップ(k)を実行するため、サンプル調製システム10において、マーキング装置は、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又は500’の何れであるとしても、マイクロ溝生成ユニットに対応している。本実施形態によれば、マイクロ溝生成ユニット500又500’は、図14A及び14Cに概略的に示されているように、たとえば、マイクロ溝590を介して、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをサンプル前駆体20の表面にマーキングするため使用される。
典型的な材料としてのサンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニット又は装置の例示的に説明された2つの代替的な好ましい実施形態500又は500’は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムの本発明の別の主な態様による全体的なサンプル調製システム10の統合されたユニット又は装置の2つの代替的な好ましい実施形態に対応している。本発明のマイクロ溝生成ユニット500又は500’は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
極低温セクション化ユニット
極低温セクション化ユニット600は、セクション化されたサンプル前駆体20を形成するため、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する。極低温セクション化ユニット600は、本発明を実施することにより後で調製されることが予定されているサンプルを形成するという特定の目的で、一連の細かいセクション化手順と粗いセクション化手順との組み合わせを用いることにより実行される。
極低温セクション化ユニット600は、セクション化されたサンプル前駆体20を形成するため、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する。極低温セクション化ユニット600は、本発明を実施することにより後で調製されることが予定されているサンプルを形成するという特定の目的で、一連の細かいセクション化手順と粗いセクション化手順との組み合わせを用いることにより実行される。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、極低温セクション化ユニット600及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
図6A−6Dは、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、方向性のある運動と共に[サンプル前駆体20のセクション化中の垂直運動(図6A−6B)、水平運動(図6C−6D)]極低温セクション化ユニット600及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示している概略図である。
極低温セクション化ユニット600は、主要コンポーネント、すなわち(1)細かいセクション化ブレード602、(ii)粗いセクション化ブレード604、(iii)セクション化ブレードドライブシャフト606、(iv)セクション化ブレードドライブシャフトモーター608、及び(v)極低温流体供給・制御アセンブリを含む(610[図4]+612[図4]+613[図4]+614[図4、図6A−6D])。
細かいセクション化ブレード602は、サンプル前駆体20のターゲット形状特徴に隣接しているサンプル前駆体20に沿って位置している位置でサンプル前駆体20をセクション化するする。細かいセクション化ブレード602を用いる主な目的は、ターゲットエリアに隣接する側壁の最高品質が得られる約3ミクロンから約30ミクロンまでの典型的な範囲を有する必要な「臨界」厚さ(臨界幅(CW))寸法を実現することである。そのような細かい切断の深さは、約10ミクロンから約300ミクロンまでの範囲である値を有する。好ましくは、細かいセクション化ブレード602は、微細なダイヤモンド又はダイヤモンドのような粒子が注入されている樹脂又はその他の材料で作られている。
粗いセクション化ブレード604は、ターゲット形状特徴に隣接していないサンプル前駆体20に沿った位置で、セクション化によって、サンプル前駆体20を減少させる。常に、粗いセクション化ブレード604は、サンプル前駆体20がサンプル前駆体サポート構造体110又は120に載せられている間に、サンプル前駆体20及びサンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を完全に通ってセクション化(切断、スライス)するため使用される。このような粗い切断から得られるサンプルの幅は、約50ミクロンから約300ミクロンまでの範囲である値を有する。このような粗い切断の典型的な幅は約150ミクロンの値を有する。
セクション化ブレードドライブシャフト606は、細かいセクション化ブレード602と粗いセクション化ブレード604との両方を駆動するシャフトとしての役目を果たす。一般に、細かいセクション化ブレード602及び粗いセクション化ブレード604のそれぞれは、その指定されたセクション化ブレードドライブシャフトを有する。セクション化ブレードドライブシャフトモーター608は、細かいセクション化手順及び粗いセクション化手順を可能にするためブレードドライブシャフト606を回転させる。セクション化ブレードドライブシャフトモーター608は、約40000rpmの典型的なレートでセクション化ブレードドライブシャフト606を回転させる。
極低温流体供給・制御アセンブリ(610[図4]+612[図4]+613[図4]+614[図4、図6A−6D])は、極低温セクション化プロセス中に、セクション化ブレード、すなわち、細かいセクション化ブレード602又は粗いセクション化ブレード604と、サンプル前駆体20とを冷却するクーラント又は冷却剤として、極低温流体を供給し、極低温流体の使用を制御する。さらに、極低温流体は、極低温セクション化プロセス中に、セクション化ブレード、すなわち、細かいセクション化ブレード602又は粗いセクション化ブレード604と、サンプル前駆体20とを清浄するクリーナー又は清浄剤としての機能を果たす。
極低温流体供給・制御アセンブリは、主要コンポーネント、すなわち(1)極低温流体、(2)極低温流体リザーバ610(図4)、(3)圧力制御機構613を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ612(図4)、及び(4)極低温流体出口ノズルサブアセンブリ614(図4、図6A−6D)を含む。
一般に、極低温流体は、熱を吸収する容量を有する物理化学特性を示す十分に低温の一相又は二相流体の蒸発性冷却媒体であるので、クーラント又は冷却剤としての機能を果たす。好ましくは、極低温流体は、所定の形態又は形状のサンプルまで非常に正確にサンプル前駆体20をセクション化するため、セクション化プロセス中に鋸ブレード及びサンプル前駆体20を「乾式」冷却する二相蒸発性冷却媒体(たとえば、液体と気体の二相窒素)である。
極低温流体リザーバ610は、空気圧制御機構613を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ612に動作的に接続されている。圧力制御機構613は、極低温流体リザーバ610に存在する極低温流体(たとえば、液体と気体の二相窒素)の体積の変化又は変動とは無関係に、極低温流体リザーバ610の圧力を一定値に維持するため機能する。圧力制御機構613の動作は、極低温セクション化プロセス中に、極低温流体が、極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ612及び極低温流体出口ノズルサブアセンブリ614を介して、セクション化ブレード(細かいセクション化ブレード602又粗いセクション化ブレード604)と、サンプル前駆体20とに制御可能かつ再現可能な形で供給されることを保証する。
サンプル前駆体20の極低温セクション化の制御性及び再現性を改善する圧力制御機構613の存在と、極低温流体リザーバ610への動作的接続と、この使用は、本願譲受人/出願人のPCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている極低温セクション化タイプのマイクロ分析サンプルセクション化手順に対する重大な改良を表す。特に、PCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている極低温ソーイング方法は、極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する手順及び圧力制御機構が存在しない。したがって、この極低温ソーイング方法を使用すると、サンプル前駆体を極低温セクション化する制御性及び再現性が本質的に欠如する。
極低温セクション化ユニット600は、所望により、廃棄物(ダスト)吸引導管の形をしたセクション化廃棄物除去アセンブリ616をさらに含む。セクション化廃棄物除去アセンブリ616は、セクション化プロセス中に生成された廃棄物材料を除去する。
極低温セクション化ユニット600は、所望により、極低温セクション化ブレードのセクション化深さを較正するために、極低温セクション化ブレード(細かいセクション化ブレード602又は粗いセクション化ブレード604)の特徴的な寸法(典型的には直径)を測定するため使用される測定ピンアセンブリ618(図6A−6B)をさらに含む。
セクション化されたサンプル前駆体20を形成するため、所定の構造及びサイズまで典型的な材料としてのサンプル前駆体20を極低温セクション化する上記の例示的に説明されている極低温セクション化ユニット600は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムの本発明の別の主な態様による全体的なサンプル調製システム10の統合されたユニット又は装置に対応している。本発明の極低温セクション化ユニット600は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
図1及び2を参照して、上述されているように、サンプル調製システム10は、所望により、(g)接着インターフェイスアセンブリ700、(h)空気圧制御ユニット800、(i)サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、(j)スクライブ/クリーブユニット1000、(k)マイクロマスク接着ユニット1100、(l)振動防止ユニット1200からなる群から選択された少なくとも1個の付加的な主要コンポーネントをさらに含む。好ましくは、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、上記の例示的に説明されているサンプル調製システムの主要コンポーネント100、200、300、400、500及び600と動作的に統合される形で、任意の少なくとも1個の付加的な主要コンポーネント700及び/又は800及び/又は900及び/又は1000及び/又は1100及び/又は1200のそれぞれにエレクトロニクスを提供し、プロセス制御を可能にするため、任意の少なくとも1個の付加的な主要コンポーネント700及び/又は800及び/又は900及び/又は1000及び/又は1100及び/又は1200のそれぞれにも動作的に接続されている。
(任意の)接着インターフェイスアセンブリ
(任意の)接着インターフェイスアセンブリ700は、サンプル調製システム10に含まれているとき、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合できるようにする。このようなインターフェイス化は、サンプル調製システム10内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるため必要である。
(任意の)接着インターフェイスアセンブリ700は、サンプル調製システム10に含まれているとき、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合できるようにする。このようなインターフェイス化は、サンプル調製システム10内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるため必要である。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
図7A−7Bは、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、及びピックアンドプレイスユニット400に関連して、サンプル前駆体20を典型的な側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着させる最終段階と共に(図7A及び7B)、接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示している概略図である。
サンプル調製システム10のコンポーネント、たとえば、サンプル前駆体20、マスキングエレメント、及び/又は、処理(切断及び搭載)された形式のサンプル前駆体20を、初期位置から別の機能的に依存した位置へピックアンドプレイするピックアンドプレイスユニット400に続いて、接着インターフェイスアセンブリ700は、サンプル調製システム10内のそのピックアンドプレイスされた(第1)コンポーネントを第2コンポーネントへ接着させることができる。
より詳細には、たとえば、接着インターフェイスアセンブリ700は、たとえば、サンプル前駆体保持ユニット100(図3)のサンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)へのサンプル前駆体20の接着を可能にする。
より詳細には、たとえば、接着インターフェイスアセンブリ700は、たとえば、サンプル前駆体20、又は、処理(切断及び搭載)された形式のサンプル前駆体20の表面へのマクロサイズマスキングエレメント30の接着を可能にする。
接着インターフェイスアセンブリ700は、主要なコンポーネント、すなわち(i)接着剤塗布サブアセンブリ702、及び(ii)接着剤容器704を含む。
接着剤塗布サブアセンブリ702は、(i)接着剤塗布ニードル706、及び(ii)接着剤塗布ニードルホルダー708を含む。接着剤容器704は、最終的に接着剤塗布ニードル706によってサンプル調製システム10の任意の数の多種多様なコンポーネントへ塗布される接着剤材料を収容する。典型的な接着剤材料は、好ましくは、エポキシ又はエポキシ様材料である。接着剤がエポキシ又はエポキシ様材料である場合、好ましくは、接着剤用域704は、エポキシ又はエポキシ様材料の2つの成分を収容する2個の別個の容器を含む。
(任意の)空気圧制御ユニット
(任意の)空気圧制御ユニット800は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル調製システムの選択されたユニットの空気圧を制御する。
(任意の)空気圧制御ユニット800は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル調製システムの選択されたユニットの空気圧を制御する。
ここで、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、空気圧制御ユニット800、振動防止ユニット1200及びエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300と、これらのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示している概略図である図8を参照する。
空気圧制御ユニット800は、サンプル調製システム10の選択された主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、ピックアンドプレイスユニット400、及び極低温セクション化ユニット600の空気圧を制御する。
サンプル調製システム10の代替的な好ましい実施形態では、サンプル調製システム10は、所望により、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及び、振動防止ユニット1200からなる群から選択された少なくとも1個の付加的な主要コンポーネントをさらに含み、空気圧制御ユニット800は、このような任意の付加的な主要コンポーネントの空気圧を制御する。
空気圧制御ユニット800は、ソレノイド、弁、ディストリビュータ、配線、真空認識アセンブリ、及び集中空気圧制御ボードといった主要コンポーネントを含む。空気圧制御ユニット800は、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300によって電子制御される。
(任意の)サンプル前駆体サイズ減少ユニット
(任意の)サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させる。
(任意の)サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させる。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
サンプル前駆体サイズ減少ユニット900を使用することは、サンプル前駆体初期サイズがサンプル最適サイズより大きいという比較に基づいて決定され、初めに供給されたサンプル前駆体が「そのままで」使用されず、所定のサイズを有するサンプル前駆体を形成するため、少なくとも1つのサイズ(表面積寸法)減少手順を用いて最初に処理される。このような所定のサイズは、使用された初期サンプル前駆体及び後で調製されるセクション化されたサンプルの特定のタイプによって、かつ、所与のサンプルを分析するため最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関係するように定められる。
サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、主要コンポーネント、すなわち(i)セクション化ブレード902、及び(ii)セクション化ブレードドライブシャフト・モーターアセンブリ904を含む。サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、所望により、たとえば、極低温セクション化ユニット600に含まれている極低温流体供給・制御アセンブリ(610[図4]+612[図4]+613[図4]+614[図4、図6A−6D])と類似しているか又は同じである極低温流体供給・制御アセンブリをさらに含む。
サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、典型的に約10000rpmで回転するコンポーネントを有するように設計、構築、作動され、極低温セクション化ユニット600の適切な動作のため所要の比較的高いレベルの安定性及び精度を必要としない。
(任意の)スクライブ・クリーブユニット
(任意の)スクライブ・クリーブユニット1000は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
(任意の)スクライブ・クリーブユニット1000は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、及びマイクロマスク接着ユニット1100)に関連して、スクライブ・クリーブユニット1000及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
図9A−9Bは、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、スクライブ・クリーブユニット1000及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である。図9Cは、図9Aに示されたスクライブ・クリーブユニット1000の拡大斜視断面図を示している概略図である。
スクライブ・クリーブユニット1000は、主要コンポーネント、すなわち(i)スクライブアセンブリ1002、(ii)クリーブアセンブリ1004、及び(iii)表面接触感知機構1006を含む。
スクライブアセンブリ1002は、主要コンポーネント、すなわち(1)スクライブエレメント1008、(2)スクライブエレメントホルダー1010、及び(3)スクライブエレメント力・方向制御機構1012を含む。スクライブエレメント1008は、サンプル前駆体20の表面に沿って十分に鋭いジグザグ形のスクライブ線を効率的に形成するため鋭い先端を有し、スクライブ・クリーブユニット1000によってもさらに実行される後の劈開を容易化する。スクライブエレメント力・方向制御機構1012は、たとえば、ばねで負荷が加えられている。好ましくは、スクライブアセンブリ1002は、固定した機軸を用いてベースエレメントに取り付けられ、従って、サンプル前駆体20のスクライブされた表面に対してスクライブアセンブリ1002を回転させることができる。
クリーブアセンブリ1004は、主要コンポーネントとして、(1)劈開プランジャー1014、及び(2)劈開プランジャーハウジング・ガイドサブアセンブリ1016を含む。劈開プランジャー1014は、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300によって電子的に作動され制御される。好ましくは、クリーブアセンブリ1004は、固定した機軸を用いてベースエレメントに取り付けられるので、サンプル前駆体20の劈開面に対してクリーブアセンブリ1004を回転させ、自動位置合わせさせることが可能である。
表面接触感知機構1006は、サンプル前駆体20の表面とスクライブアセンブリ1002のスクライブエレメント1008との間の接触の状態を感知する。
本発明のサンプル調製システム10のスクライブ・クリーブユニット1000を使用する例示的な実施例が、スクライブアセンブリ1002を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tの表面にスクライブ線、たとえばスクライブ線1050を生成し(図13A)、クリーブアセンブリ1004を用いて、スクライブ線1050に沿ってサンプル前駆体20を劈開する(図13B)、(任意の)ステップ(j)の拡大斜視図を示している概略図である図13A−13Bに示されている。図13Bに示されているように、クリーブアセンブリ1004によるスクライブ線1050に沿うサンプル前駆体20の劈開の後、劈開されたサンプル前駆体20の第1部分17aはターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、第2部分17bはターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含まない。
サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成するスクライブ・クリーブユニット1000のスクライブアセンブリ1002の主要な機能に加えて、スクライブアセンブリ1002は、マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをマーキングする(任意の)ステップ(k)を実行するため使用される。本発明の第3の特定の代替的な好ましい実施形態では、(任意の)ステップ(k)を実行するため、サンプル調製システム10において、マーキング装置はスクライブ・クリーブユニット1000のスクライブアセンブリ1002に対応している。本実施形態によれば、図14A及び14Dに概略的に示されているように、スクライブアセンブリ1002は、たとえば、スクライブ線1090によって、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをマーキングするため使用される。
(任意の)マイクロマスク接着ユニット
(任意の)マイクロマスク接着ユニット1100は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、マイクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させる。
(任意の)マイクロマスク接着ユニット1100は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、マイクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させる。
図1、2及び4を再び参照すると、図4は、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の、その他の選択されたユニット(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600、接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、及びスクライブ・クリーブユニット1000)に関連して、マイクロマスク接着ユニット1100及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示している。
図10A−10Bは、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、マイクロマスク接着ユニット1100及びこのコンポーネントの拡大斜視図を示す概略図である。図10Cは、図10Aに示されたマイクロマスク接着ユニット1100の拡大斜視断面図を示している概略図である。
マイクロマスク接着ユニット1100は、主要コンポーネント、すなわち(i)マイクロサイズマスキングエレメント1110、(ii)マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120、(iii)電気接点アセンブリ1130、(iv)ハウジングアセンブリ1140、(v)y軸移動サブアセンブリ1150、(v)z軸移動サブアセンブリ1160、及び(vi)光ビーム遮断センサアセンブリ1170を含む。
マイクロサイズマスキングエレメント1110は、可変性幾何構造、形態又は形状を有する電気的かつ熱的に伝導性のある材料により構成されている。マイクロサイズマスキングエレメント1110は、一般に、本発明により調製されたサンプルを、イオンビーム加工タイプのマイクロ分析サンプル最終調製技術、特に、ブロードイオンビーム加工タイプのマイクロ分析サンプル最終調製技術の対象とすることができる。したがって、マイクロサイズマスキングエレメント1110は、好ましくは、後のサンプル最終調製手順において実行される最終薄片化プロセス中に、マイクロサイズマスキングエレメント1110のイオン加工(材料除去)レートが、マイクロサイズマスキングエレメント1110が置かれている材料のイオン加工レートと適合するような材料と、幾何学的構造、形態又は形状とからなる。
マイクロサイズマスキングエレメント1110を構成する典型的な材料は、カーボン材料、セラミック材料、金属(純粋金属又は金属合金)材料、及びこれらの複合材料である。このような材料の典型的な幾何学的構造、形態又は形状は、円筒形、長方形、及び台形である。円筒形に構成された材料の典型的な直径は、約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲である。長方形に構成された材料の典型的な断面又は側面は、約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲である。
マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120は、マイクロサイズマスキングエレメント1110を保持し、電流をマイクロサイズマスキングエレメント1110へ伝達する導電性ワイヤを格納する。
電気接点アセンブリ1130(図10C)は、たとえば、導電性ワイヤ等の電気導体を介して、マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120へ電流を伝達する。
ハウジングアセンブリ1140は、マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120及び電気接点アセンブリ1130を収容する。ハウジングアセンブリ1140は、y軸移動サブアセンブリ1150に対してy軸の周りに回転可能であることによって自動位置合わせを行う能力がある。
Y軸移動サブアセンブリ1150は、ばね式ピストン1152を含み、y軸に沿って初期位置から動作位置までのマイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120の移動を可能にする。
Z軸移動サブアセンブリ1160は、電動式ドライブシャフト1164を含み、z軸に沿って初期位置から動作位置までのマイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120の移動を可能にする。
光ビーム遮断センサアセンブリ1170(図10A)は、マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリ1120のある特定の位置を感知する。典型的なタイプの光ビーム遮断センサアセンブリ1170は、LED(発光ダイオード)又はペア化されたLED及び光検出器アセンブリである。
例示的に後述されている、マイクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させる(任意の)ステップ(m)に従って、マイクロマスク接着ユニット1100が使用される本発明の2つの主な特定の実施形態がある。第1の特定の実施形態では、(任意の)ステップ(m)は、予め極低温セクション化されたサンプル前駆体20の表面に、所定の位置で、かつ、約50ナノメートルから約150ナノメートルの範囲であり、典型的に約100ナノメートルである位置決め精度で、マイクロマスクを接着させるマイクロマスク接着ユニット1100を使用することにより実行され、サンプル前駆体は上記の例示的に説明されているステップ(f)によって極低温セクション化されている。代替的に、第2の特定の実施形態では、(任意の)ステップ(m)は、サンプル前駆体20の表面に、所定の位置で、かつ、約50ナノメートルから約150ナノメートルの範囲であり、典型的に約100ナノメートルである位置決め精度で、マイクロマスクを接着させるマイクロマスク接着ユニット1100を使用して実行され、サンプル前駆体20は極低温セクション化手順の対象とされていない。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロマスク接着ユニット1100を使用する上記の2つの主な特定の実施形態は、図15A(第1の主な特定の実施形態)、及び、図15B−15C(第2の主な特定の実施形態)に図解的に例示されている。図15A及び図15B−15Cは、マイクロマスク、たとえば、(円筒形状のマイクロサイズ化されたワイヤ(図15A)又は長方形状の外形(図15B−15C)を有する)マイクロマスキングエレメント1110をサンプル前駆体20の表面に接着させる(任意の)ステップ(m)を実行する2つの主な特定の実施形態のそれぞれの拡大斜視図を示している概略図である。マイクロマスク接着ユニット1100を使用する第1の特定の実施形態は図15Aに示され、サンプル前駆体20は、ステップ(f)の極低温セクション化手順によって予め極低温セクション化されている。図15Aでは、極低温セクション化されたサンプル前駆体20が側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体1110に接着されていることがわかる。マイクロマスク接着ユニット1100を使用する第2の特定の実施形態は、図15B−15Cに示され、サンプル前駆体20は極低温セクション化手順の対象とされていない。図15B及び15Cにおいて、サンプル前駆体20は、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含むことがわかる。
典型的な材料としてのサンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させる上記の例示的に説明されているマイクロマスク接着ユニット1100は、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステムの本発明の別の主な態様による全体的なサンプル調製システム10の統合したユニット又は装置に対応している。本発明のマイクロマスク接着ユニット1100は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製システムと統合可能でもある。
(任意の)振動防止ユニット
(任意の)振動防止ユニット1200は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル調製システム10の動作中に、振動の発生を防止するか、又は、最小限に抑える。
(任意の)振動防止ユニット1200は、サンプル調製システム10に組み込まれているとき、サンプル調製システム10の動作中に、振動の発生を防止するか、又は、最小限に抑える。
ここで、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、振動防止ユニット1200及びこのコンポーネントの拡大斜視図を表す図8(上側部)を参照する。
振動防止ユニット1200及びこのコンポーネントは、システムサポートアセンブリ75に直接的に搭載されるか、又は動作的に接続されている(図2及び8)。振動防止ユニット1200は、複数の電子空気圧式及び/又は電子機械式の能動的制動アセンブリ、たとえば、図8に1210によってそれぞれが全体的に示されている4個の電子空気圧式能動的制動アセンブリの主要コンポーネントを含む。振動防止ユニット1200は、振動防止ユニット1200にエレクトロニクスを提供し、振動防止ユニット1200のプロセス制御を可能にするエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300に動作的に接続されている。
エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ
エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、サンプル調製システム10の主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、主要コンポーネントのプロセス制御を可能にする。
エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、サンプル調製システム10の主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、主要コンポーネントのプロセス制御を可能にする。
エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、サンプル調製システムの各主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600に動作的(構造的及び/又は機能的)に接続され、サンプル調製システム10の個々の主要コンポーネント100、200、300、400、500及び600にエレクトロニクスを提供し、主要コンポーネントのプロセス制御を可能にする。図1に示されているように、サンプル調製システムの各主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、光イメージングユニット300、ピックアンドプレイスユニット400、マイクロ溝生成ユニット500、極低温セクション化ユニット600へのエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300の動作的(構造的及び/又は機能的)な接続は、サンプル調製システムの各主要コンポーネントからサンプル前駆体保持ユニット100へ延びる動作的な接続線と交差する、より大きな(中央に置かれた)楕円によって示されている。
サンプル調製システム10が、上記の例示的に説明されている(任意の)付加的な主要コンポーネント700及び/又は800及び/又は900及び/又は1000及び/又は1100及び/又は1200のうちの少なくとも1つを含むとき、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、付加的に含まれているサンプル調製システムの主要コンポーネントのそれぞれにも動作的(構造的及び/又は機能的)に接続され、上述のサンプル調製システムの主要コンポーネント100、200、300、400、500及び600と動作的(構造的及び/又は機能的)に統合される形で、個々の付加的に含まれている主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、主要コンポーネントのプロセス制御を可能にする。図1に示されているように、少なくとも1個のサンプル調製システムの付加的な各主要コンポーネント、すなわち接着インターフェイスアセンブリ700、空気圧制御ユニット800、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及びマイクロマスク接着ユニット1100へのエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300の動作的(構造的及び/又は機能的)な接続は、任意の付加的なサンプル調製システムの各主要コンポーネントからサンプル前駆体保持ユニット100へ延びる動作的な接続線と交差する、より大きな(中央に置かれた)楕円によって示されている。
一般に、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、任意の個数及びタイプ又は種類の以下の主要コンポーネント、すなわち集中制御パネル又はボード、少なくとも1台のコンピュータ、マイクロプロセッサ、又は、中央処理ユニット(CPU)を、関連するコンピュータソフトウェア、電源、電力変換器、コントローラ、コントローラボード、たとえば、入力/出力(I/O)及びD/A(デジタル・アナログ)及びA/D(アナログ・デジタル)機能といった種々の印刷回路板(PCB)、ケーブル、ワイヤ、コネクタ、シールド、グラウンド、種々の電子インターフェイス、及びネットワークコネクタと共に含む。たとえば、図8(下側部)を再び参照すると、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、主要コンポーネント、すなわち(i)コンピュータ化された制御ユニット1302、(ii)エレクトロニクスボード1304、及び(iii)電源モジュール1306を含む。コンピュータ化された制御ユニット1302は、たとえば、モーションコントロール及び信号インターフェイスタイプのエレクトロニクスボードと共に動くPCコンピュータ等のコンピュータを含む。コンピュータ化された制御ユニット1302は、ソフトウェア及び/又はハードウェアからなる、光イメージングユニット300のフレームグラバをさらに含む(図1、2、3)。
非限定的な形で、図2に示されているように、サンプル調製システム10の複数のユニット又はそのコンポーネントは、固定式又は移動可能(可動)式のテーブル、スタンド、又はフレームタイプのシステムサポートアセンブリ75に直接的に搭載されるか、又は動作的に接続されている。システムサポートアセンブリ75は、適切に構成されたサポートエレメント、脚、ブラケット、及びホイール等の移動可能(可動)式エレメントを含む。サンプル調製システム10のその他のユニット又はこのコンポーネントは、システムサポートアセンブリ75に直接的に搭載されているこれらのシステムユニット又はそのコンポーネントに搭載されている。
全体的なサンプル調製方法
本発明の別の主な態様によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法が提供される。
本発明の別の主な態様によれば、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法が提供される。
本発明による、図1−15に例示的に説明されているようなサンプル調製システム10を利用するマイクロ分析のためのサンプルを調製する対応した方法は、以下の通り例示的に説明されている。本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法を一般的に説明する目的のため、本文書中、システムプロセスは、本発明の方法の個別のステップの少なくとも一部分、個別のステップの2個以上の部分の組み合わせ、個別のステップ全体、又は2個以上の個別のステップ全体の組み合わせを指すことが十分に理解されるべきである。
既に上述されているように、本発明は、そのアプリケーションにおいて、本文書中で特に断らない限り、以下の例示的な説明、添付図面、及び実施例に記載されているシステムのシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、及び構造と、周辺機器、ユーティリティ、アクセサリ、及び材料のタイプ、組成、構成、配置、順番、及び、個数の詳細、又はシステムの動作又は方法の手順、ステップ、及びサブステップの順番、系列、個数の詳細に限定されないことが理解されるべきである。
図1−15を再び参照すると、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、以下の主要ステップ及びそのコンポーネント、すなわち(a)サンプル前駆体20をサンプル前駆体保持ユニット100に載せるステップと、(b)運搬・位置決めユニット200を用いて、サンプル前駆体保持ユニット100の少なくとも一部を運搬し位置決めするステップと、(c)光イメージングユニット300を用いて、サンプル前駆体20に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視するステップと、(d)ピックアンドプレイスユニット400を用いて、サンプル前駆体20及びサンプル調製システムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップと、(e)サンプル前駆体20の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質がマイクロ溝生成ユニット500に含まれるコンポーネントによって制御され、マイクロ溝生成ユニット500を用いて、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、(f)極低温セクション化ユニット600を用いて、調製されたサンプルを形成するために、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップとを備える。
マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300を用いて、上記の主要ステップ(a)−(f)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
サンプル前駆体の搭載
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法のステップ(a)では、サンプル前駆体20がサンプル前駆体保持ユニット100に載せられる。
本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法のステップ(a)では、サンプル前駆体20がサンプル前駆体保持ユニット100に載せられる。
サンプル調製システム10のサンプル前駆体保持ユニット100及びそのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び3を再び参照する。さらに、サンプル前駆体20を典型的な側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着する最終段階を表現する(図7A)及び(図7B)と共に、サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、及びピックアンドプレイスユニット400に関連して、図1及び2に示されたサンプル調製システム10の一部として、接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの付加的な拡大斜視図を示す概略図である図7A−7Bが参照される。さらに、材料(たとえば、サンプル前駆体サポート構造体120の一部に接着させられた処理(切断及び搭載)された形式のサンプル前駆体20)を初期位置から別の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするため、ピックアンドプレイスユニット400を使用するステップ(d)の実行を含む平面観察サンプル調製プロセスの拡大斜視図を示す概略図である図11A−Bが参照される。
サンプル前駆体20は、本発明のサンプル調製システム10を例示的に説明するセクションにおいて、上述のように十分に記載され、特徴付けられ、例示されている。そこに記載されているように、すべてが本発明に従って、サンプル前駆体初期サイズとサンプル最適サイズとの比較に基づいて、初めに供給されたサンプル前駆体は、サンプル調製方法を継続するため「そのままで」使用されるか、又は、後でサンプル調製方法を継続するため使用される所定のサイズを有するサンプル前駆体を形成するため、少なくとも1つのサイズ(表面積寸法)減少手順を用いて最初に前処理される。
非限定的な形で、以下の3つの典型的なケースは、サンプルがサンプル調製方法を継続するため「そのままで」使用されるか、又は、少なくとも1つのサイズ(表面積寸法)減少手順によって、最初に前処理されるかを決定するため適用される。
>ケース1:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法である、長さ及び幅のそれぞれの値が第1の所定の範囲であるならば、たとえば、第1の所定値(たとえば、約3mm)未満であり、第2の所定値(たとえば、約1mm)より大きいならば、初めに供給されたサンプル前駆体20はこのまま方法の継続の対象とされる。
>ケース2:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法である、長さ及び/又は幅の一方又は両方の値が、第2の所定の範囲であるならば、たとえば、第3の所定値(たとえば、約18mm)未満であり、第1の所定値(たとえば、約3mm)より大きいならば、初めに供給されたサンプル前駆体20は、所定のサイズを有するサンプル前駆体20を形成するため、対応する一方又は両方の表面積寸法を(ケース(1)の)第1の所定値の範囲内になるように減少させる(好ましくは、自動)サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900を用いてサンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少手順の対象とされる。その後、サンプル前駆体20は方法の継続の対象とされる。
>ケース3:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法、すなわち、長さ及び/又は幅の一方又は両方の値が(ケース(2)の)第3の所定値(たとえば、約18mm)以上であるとき、初めに供給されたサンプル前駆体20は、最初にマクロサイズ光学検査及びマーキングの対象とされ、次に、サンプル前駆体保持ユニット100の任意のサンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150を使用して、(手動)マクロサイズ(表面積寸法)減少手順の対象とされる。その後、ケース1又はケース2の何れかが実行される。
>ケース1:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法である、長さ及び幅のそれぞれの値が第1の所定の範囲であるならば、たとえば、第1の所定値(たとえば、約3mm)未満であり、第2の所定値(たとえば、約1mm)より大きいならば、初めに供給されたサンプル前駆体20はこのまま方法の継続の対象とされる。
>ケース2:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法である、長さ及び/又は幅の一方又は両方の値が、第2の所定の範囲であるならば、たとえば、第3の所定値(たとえば、約18mm)未満であり、第1の所定値(たとえば、約3mm)より大きいならば、初めに供給されたサンプル前駆体20は、所定のサイズを有するサンプル前駆体20を形成するため、対応する一方又は両方の表面積寸法を(ケース(1)の)第1の所定値の範囲内になるように減少させる(好ましくは、自動)サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900を用いてサンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少手順の対象とされる。その後、サンプル前駆体20は方法の継続の対象とされる。
>ケース3:初めに供給されたサンプル前駆体20の表面積寸法、すなわち、長さ及び/又は幅の一方又は両方の値が(ケース(2)の)第3の所定値(たとえば、約18mm)以上であるとき、初めに供給されたサンプル前駆体20は、最初にマクロサイズ光学検査及びマーキングの対象とされ、次に、サンプル前駆体保持ユニット100の任意のサンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150を使用して、(手動)マクロサイズ(表面積寸法)減少手順の対象とされる。その後、ケース1又はケース2の何れかが実行される。
サンプル前駆体20が適切なサイズを有するのに続いて、好ましくは、サンプル前駆体20が、図3に示されているように、空気圧制御ユニット800(図2及び9A)を用いて、手動でチャックベースアセンブリ140に搭載される。
ステップ(a)は、消耗品及び/又は使い捨て品、たとえば、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)、或いは、代替的に、サンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組と、接着インターフェイスアセンブリ700(図7A及び7B)の接着剤容器704及び接着剤塗布ニードル706との搭載を含む。したがって、所望により、本発明の実施形態が、後述されている(任意の)ステップ(m)による前駆体20から調製されたサンプルへのマイクロマスクの塗布を含むとき、ステップ(a)は、マイクロサイズマスキングエレメント、たとえば、マイクロマスク接着ユニット1100(図10A、10B、10C)のマイクロサイズマスキングエレメント1110の搭載をさらに含む。
ステップ(a)は、空気圧制御ユニット800の一部としての真空認識アセンブリを用いて、チャックベースアセンブリ140に搭載されたサンプル前駆体20の存在を認識し、搭載された消耗品の存在を認識する。
図2及び3を参照すると、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を含むサンプル前駆体保持ユニット100の実施形態の場合、ステップ(a)は、インターフェイスアセンブリ[サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)と関連付けられた137a及び137b、又は、サンプル前駆体サポート構造体120(平面観察)と関連付けられた137c及び137d]を用いて、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130にサンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)を(好ましくは、手動で)取り付けるステップをさらに含む。代替的に、サンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組を含むサンプル前駆体保持ユニット100の実施形態の場合、ステップ(a)は、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130にサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bを(好ましくは、手動で)取り付けるステップをさらに含む。
その後、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)、或いは、代替的に、サンプル前駆体サポート構造体125a及び125bの組が、クランプ機構138を含む保持又は固定機構134によって係止されクランプされる。その後、サンプル前駆体サポート構造体ホルダー130がチャックベースアセンブリ140の凹型搭載領域142への摺動及び取り付けが行われ、それに続いて、空気圧制御ユニット800の一部としての真空認識アセンブリを用いて、取り付けられたサンプル前駆体サポート構造体ホルダー130の存在が認識される。
サンプル前駆体20の初期サイズが十分に大きい場合、たとえば、サンプル前駆体20がウェハセグメント(たとえば、約40mm×40mm)であるか、又はウェハ全体(たとえば、約300mm径の円形状)であるとき、ステップ(a)は、所望により、空気圧制御ユニット800(図2及び9A)を用いて、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150の下に構成されたガイド152による、サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150へのサンプル前駆体20の手動取り付けを含む。サンプル前駆体マクロサイズ保持チャック150に取り付けられたサンプル前駆体20の存在は、空気圧制御ユニット800の一部としての真空認識アセンブリによって認識される。
例示的に説明されているように、サンプル前駆体20上で実行されるステップ(a)は、代替的又は付加的に、別のサンプル調製手順中にサンプル前駆体20の少なくとも一部を保護する目的のため、マスキングエレメント上で同様に実行される。このようなマスキングエレメントは、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400、又は、その一部と動作的に関連付けられている(特に、たとえば、図3に示されている)「マクロサイズ」マスキングエレメント30の形式でもよく(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)、或いは、代替的に、たとえば、マイクロマスク接着ユニット1100又はその一部と関連付けられている(特に、たとえば、図10A、10B及び10Cに示されている)「マイクロサイズ」マスキングエレメント1110の形式でもよい(図1、2、4、10A、10B及び10C)。
サンプル前駆体の運搬・位置決め
ステップ(b)では、運搬・位置決めユニット200を用いて、サンプル前駆体保持ユニット100の少なくとも一部の運搬及び位置決めが行われる。
ステップ(b)では、運搬・位置決めユニット200を用いて、サンプル前駆体保持ユニット100の少なくとも一部の運搬及び位置決めが行われる。
サンプル調製システム10の運搬・位置決めユニット200及びそのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4を再び参照する。さらに、図7A−7B及び図11A−11Bが参照される。
ステップ(b)は、運搬・位置決めユニット200の選択されたコンポーネントを作動し、上に定義された各システムプロセスのスタート時の初期位置へ移動する。運搬・位置決めユニット200は、その後、サンプル前駆体20及びシステム消耗品を載せる/降ろすのに適した位置にあるように作動される。上述されているように、消耗品は、たとえば、サンプル前駆体サポート構造体110(側面観察)又は120(平面観察)と、接着インターフェイスアセンブリ700の接着剤容器704及び接着剤塗布ニードル706である。所望により、後述されている(任意の)ステップ(l)に従って、前駆体20から調製されたサンプルにマスクを塗布することを含む本発明の実施形態の場合、運搬・位置決めユニットによって運搬され位置決めされた別のシステム消耗品は、マイクロサイズエレメント、たとえば、マイクロマスク接着ユニット1100のマイクロサイズマスキングエレメント1110である(図10A、10B、10C)。
ステップ(b)は、光イメージングユニット300がサンプル前駆体20に位置しているターゲット形状特徴を光学的に映像化し、認識し、特定できるようにさせ、サンプル調製方法全体のステップ、手順、及び、システムプロセスを監視する目的のため、サンプル前駆体20を運搬し、位置決めを行い、位置合わせを行うステップをさらに含む。
ステップ(b)は、運搬・位置決めユニット200が、関連するシステムユニットの間で、サンプル前駆体20を搭載する前に、及び、サンプル前駆体20を搭載した後に、サンプル前駆体保持ユニット100を運搬し、位置決めするステップをさらに含む。
ステップ(b)において、運搬・位置決めユニット200は、多種多様な所要のプロセスステップを実行するため、たとえば、極低温セクション化ユニット600を用いて、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する間に、x運動を往復させるためさらに利用される。
光イメージング
ステップ(c)において、光イメージングユニット300を用いて、サンプル前駆体20に位置するターゲット形状特徴が光学的に映像化され、認識され、特定され、サンプル調製のステップが監視される。
ステップ(c)において、光イメージングユニット300を用いて、サンプル前駆体20に位置するターゲット形状特徴が光学的に映像化され、認識され、特定され、サンプル調製のステップが監視される。
サンプル調製システム10の光イメージングユニット300及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4が再び参照される。
ステップ(c)は、以下の主要なサブステップを含む。
(i)種々のシステムプロセスの実行中に最良焦点を実現する合焦アルゴリズムを実行することにより、光イメージングユニット300を作動し動作させる。
(ii)種々のシステムプロセスの実行中に、サンプル前駆体20の最良エッジ認識及びアライメントを実現する材料(サンプル前駆体20)エッジ認識アルゴリズムを実行することにより、光イメージングユニット300を作動し動作させる。
(iii)特定のシステムプロセスの機能に応じて、光イメージングユニット300の所定の倍率を選択する。
(iv)オペレータ及び/又は機械入力に基づいて距離(寸法)を計算する距離(寸法)測定アルゴリズムを実行することにより光イメージングユニット300を動作させる。
(v)システムプロセスステップを光学的に監視し、監視情報及びデータを出力する。
(vi)画像情報及びデータを取得し保持する。
(i)種々のシステムプロセスの実行中に最良焦点を実現する合焦アルゴリズムを実行することにより、光イメージングユニット300を作動し動作させる。
(ii)種々のシステムプロセスの実行中に、サンプル前駆体20の最良エッジ認識及びアライメントを実現する材料(サンプル前駆体20)エッジ認識アルゴリズムを実行することにより、光イメージングユニット300を作動し動作させる。
(iii)特定のシステムプロセスの機能に応じて、光イメージングユニット300の所定の倍率を選択する。
(iv)オペレータ及び/又は機械入力に基づいて距離(寸法)を計算する距離(寸法)測定アルゴリズムを実行することにより光イメージングユニット300を動作させる。
(v)システムプロセスステップを光学的に監視し、監視情報及びデータを出力する。
(vi)画像情報及びデータを取得し保持する。
合焦アルゴリズム、材料(サンプル前駆体20)エッジ認識アルゴリズム、及び、距離(寸法)測定アルゴリズムのそれぞれは、画像取得及び処理の分野で容易に入手可能なソフトウェアアルゴリズムに基づくカスタム化バージョンである。上記の各主要サブステップの間に取得された全画像は、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300に含まれるコンピュータ化された制御ユニット1302の一部としてソフトウェア及び/又はハードウェアとして組み込まれているフレームグラバを用いてデジタル化される(図1、2、8)。
サンプル前駆体及びシステムコンポーネントのピックアンドプレイス
ステップ(d)において、ピックアンドプレイスユニット400を用いて、サンプル前駆体20及びシステム10の選択されたコンポーネントが初期位置から他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスされる。
ステップ(d)において、ピックアンドプレイスユニット400を用いて、サンプル前駆体20及びシステム10の選択されたコンポーネントが初期位置から他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスされる。
サンプル調製システム10のピックアンドプレイスユニット400及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4が再び参照される。さらに、図7A−7B及び図11A−11Bが参照される。
ピックアンドプレイスユニット400がサンプル前駆体20をピックアンドプレイスする本発明の特定の実施形態の場合、ステップ(d)は、以下の主要サブステップを含む。
(i)空気圧制御ユニット800に接続された真空開口部を用いて、真空によって生じた力をサンプル前駆体20の表面に印加することにより、サンプル前駆体20を持ち上げる。次に、専用のセンサアセンブリを用いて、サンプル前駆体20の取り出しを検証する。
(ii)以下の手順を用いて、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合する接着インターフェイスアセンブリ700の動作によって接着を可能にする。
(1)接着剤塗布ニードル706で調べることにより、接着剤容器704の内部の接着剤材料のレベルを測定する。
(2)正確な量の接着剤材料を取り出すように、接着剤塗布ニードル706を所定のレベルまで接着剤容器704に浸ける。
(3)正確な量の接着剤材料を第1コンポーネント(たとえば、サンプル前駆体20又はユニットコンポーネント)の表面に塗布(施与)する。
(4)システムの第2コンポーネント(ユニットコンポーネント)を第1コンポーネント(サンプル前駆体20)の表面にピックアンドプレイスする。より詳細には、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400は、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400又はその一部と動作的に関連付けられている(典型的な第2コンポーネントとしての)マスキングエレメント、たとえば、(特に、図3に示されている)マクロサイズマスキングエレメント30の形をしているマスキングエレメントをピックアンドプレイスする(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)。
(5)所定の硬化時間に亘って、2つのコンポーネントの表面の間の境界面に印加された力を印加し制御する。
(i)空気圧制御ユニット800に接続された真空開口部を用いて、真空によって生じた力をサンプル前駆体20の表面に印加することにより、サンプル前駆体20を持ち上げる。次に、専用のセンサアセンブリを用いて、サンプル前駆体20の取り出しを検証する。
(ii)以下の手順を用いて、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合する接着インターフェイスアセンブリ700の動作によって接着を可能にする。
(1)接着剤塗布ニードル706で調べることにより、接着剤容器704の内部の接着剤材料のレベルを測定する。
(2)正確な量の接着剤材料を取り出すように、接着剤塗布ニードル706を所定のレベルまで接着剤容器704に浸ける。
(3)正確な量の接着剤材料を第1コンポーネント(たとえば、サンプル前駆体20又はユニットコンポーネント)の表面に塗布(施与)する。
(4)システムの第2コンポーネント(ユニットコンポーネント)を第1コンポーネント(サンプル前駆体20)の表面にピックアンドプレイスする。より詳細には、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400は、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400又はその一部と動作的に関連付けられている(典型的な第2コンポーネントとしての)マスキングエレメント、たとえば、(特に、図3に示されている)マクロサイズマスキングエレメント30の形をしているマスキングエレメントをピックアンドプレイスする(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)。
(5)所定の硬化時間に亘って、2つのコンポーネントの表面の間の境界面に印加された力を印加し制御する。
本発明のサンプル調製システム10のピックアンドプレイスユニット400を使用して、ステップ(d)を実行する例示的な実施例は、材料、たとえば、サンプル前駆体サポート構造体120の一部121に接着させられた処理(切断及び搭載)された形式のサンプル前駆体20を初期位置から別の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップ(d)の実行を伴う平面観察サンプル調製プロセスの拡大斜視図を示す概略図である図11A−11Bに示されている。
サンプル前駆体内のマイクロ溝の生成
ステップ(e)では、マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を用いて、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝が生成され、表面内の各マイクロ溝の深さ及び品質は、マイクロ溝生成ユニット500(又はユニット500’)に含まれているコンポーネントによって制御される。
ステップ(e)では、マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を用いて、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝が生成され、表面内の各マイクロ溝の深さ及び品質は、マイクロ溝生成ユニット500(又はユニット500’)に含まれているコンポーネントによって制御される。
サンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニット500及びこのコンポーネントと、代替的なマイクロ溝生成ユニット500’及びこのコンポーネントとの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図5A−5Cと、図5D−5Fとを再び参照する。
ステップ(e)は、一般に、マイクロ溝生成エレメント512が移動及び力を制御された状態でサンプル前駆体20の表面に侵入するように、マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を作動することにより実行される。直ぐ後に、サンプル前駆体20の表面に侵入するマイクロ溝生成エレメント512の様々な特定のモードが記載されている。
侵入の第1の特定のモードによれば、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)は、サンプル前駆体20の表面の垂直傾斜を測定するため利用される。この手順は、運搬・位置決めユニット200のz軸移動サブアセンブリ230を作動し、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の先端を表面の第1の所定の位置と接触させることにより実行される。サンプル前駆体20の表面は、その後、x軸に沿って所定の距離を運搬され、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の垂直移動が測定され記録される。この結果、サンプル前駆体20の表面の勾配の計算が行われる。マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の接近角度は、その後、測定された勾配の値に応じて揃えられる。マイクロ溝形成手順の作動は、z軸移動サブアセンブリ230を用いて、サンプル前駆体20をz軸に沿って所定の位置まで上昇させ、その後に、マイクロ溝生成エレメント512の侵入の深さ及び力を制御したまま、力印加アセンブリ530(又は580)を作動することにより継続される。
侵入の第2の特定のモードによれば、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)は、サンプル前駆体20の表面の垂直傾斜を測定するため利用される。この手順は、運搬・位置決めユニット200のz軸移動サブアセンブリ230を作動し、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の先端を表面の第1の所定の位置と接触させることにより実行される。サンプル前駆体20の表面は、その後、x軸に沿って所定の距離を運搬され、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の垂直移動が測定され記録される。この結果、サンプル前駆体20の表面の勾配の計算が行われる。マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の接近角度は、その後、(測定された勾配の値に応じて揃えられるのではなく)測定された勾配の値から意図的にオフセットされる。マイクロ溝形成手順の作動は、z軸移動サブアセンブリ230を用いて、サンプル前駆体20をz軸に沿って所定の位置まで上昇させ、その後に、マイクロ溝生成エレメント512(又は552)の侵入の深さ及び力を制御したまま、力印加アセンブリ530(又は580)を作動することにより継続される。本実施形態のこの段階で、サンプル前駆体20は、次に、x軸に沿って所定の距離だけ運搬されるので、サンプル前駆体20に対するマイクロ溝生成エレメント512(又は552)の相対的な摺動運動を引き起こす。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットには、マイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れの好ましい実施形態であるとしても、サンプル前駆体20の極低温セクション化中に生じる望ましくないアーティファクトの生成を回避するために、サンプル前駆体20の表面上のターゲットエリア又は対象領域(ROI)内の形状特徴に隣接している所定の数のサンプル前駆体20の層を切り離す上記の主要な機能を達成する複数の特徴が存在する。
本発明のサンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニットのマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’という好ましい実施形態毎に、このような特徴は、(1)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの材料のタイプ、(2)マイクロ溝生成エレメント512又は552のそれぞれの構成、形態、又は、形状、(3)マイクロ溝生成エレメント512又552のそれぞれの先端の鋭さ又は半径、(4)サンプル前駆体20の表面へ向かう、マイクロ溝生成エレメント512又552のそれぞれの接近角度、及び(5)マイクロ溝生成エレメント512又552のそれぞれを用いて、力がサンプル前駆体20の表面へ向かって印加される方式である。
本発明の、サンプル調製システム10のマイクロ溝生成ユニット500又は500’を使用することにより、ステップ(e)を実行する例示的な実施例は、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に、少なくとも1個のマイクロ溝、たとえば、1対のマイクロ溝590を生成する斜視図(図12Bは図12Aの拡大図である)を示している概略図である図12A−12Bに示されている。
マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する上記の例示的に説明されたステップ(e)は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法の本発明の別の主な態様によるサンプル調製方法全体の統合されたステップ又は手順に対応している。本発明のマイクロ溝生成ステップ又は手順は、さらに分離可能でもあり、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
サンプル前駆体の極低温セクション化
ステップ(f)では、セクション化されたサンプル前駆体20を形成するため、極低温セクション化ユニット600を用いて、所定の構造及びサイズまでサンプル前駆体20が極低温セクション化される。
ステップ(f)では、セクション化されたサンプル前駆体20を形成するため、極低温セクション化ユニット600を用いて、所定の構造及びサイズまでサンプル前駆体20が極低温セクション化される。
サンプル調製システム10の極低温セクション化ユニット600及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図6A−6Dとを再び参照する。
通常、サンプル前駆体20の極低温セクション化は、マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)によるサンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップ(e)の完了後に実行される。極低温セクション化は、サンプル前駆体20を極低温セクション化するステップ(f)を実行するサブステップの様々な特定の系列に応じて、運搬・位置決めユニット200の動作を用いて、所定の場所及び配置(姿勢)にサンプル前駆体20を位置決めすることにより開始される。極低温セクション化プロセスの各サブステップは、細かいセクション化ブレード602又は粗いセクション化ブレード604を所定の侵入レベルまで垂直方向へ移動させることにより実行される。さらに、極低温セクション化プロセスの所与のサブステップは、運搬・位置決めユニット200によるサンプル前駆体20の垂直運動だけに応じて、又は、後続の水平運動に応じて実行される。極低温セクション化プロセスの最適な結果は、サンプル前駆体20の垂直運動及び水平運動と関連付けられているパラメータを最適化することにより達成される。
細かいセクション化ブレード602を使用する主な目的は、側壁がターゲットエリアに隣接している最良品質の場合に、約3ミクロンから約30ミクロンまでの典型的な範囲を有する所要の「臨界」厚さ(臨界幅(CW))寸法を達成することである。
極低温セクション化プロセスの完了の後に続いて、セクション化されたサンプル前駆体20の露出表面は、細かいセクション化ブレード602又は粗いセクション化ブレード604の何れかを用いて平滑化又は研磨され得る。この「極低温セクション化後」の平滑化又は研磨手順は、運搬・位置決めユニット200のx軸移動サブアセンブリ210及びy軸移動サブアセンブリ220の協調した動作及び微細な運動と、極低温流体供給・制御アセンブリの最適動作とによって実現される。平滑化又は研磨手順は、所望により、手順を強化する電流を所望により印加する他に、研磨スラリーを追加することによって実行される。
上述されているように、サンプル前駆体20の極低温セクション化の制御性及び再現性を改善する圧力制御機構613の存在と、極低温流体リザーバ610への動作的接続と、この使用は、本願譲受人/出願人のPCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている極低温セクション化タイプのマイクロ分析サンプルセクション化手順に対する重大な改良を表す。特に、PCT国際特許出願公開第WO02/054042号に開示されている極低温ソーイング方法は、極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する手順及び圧力制御機構が存在しない。したがって、この極低温ソーイング方法を使用すると、サンプル前駆体を極低温セクション化する制御性及び再現性が本質的に欠如する。
極低温セクション化ユニット600を用いて、セクション化されたサンプル前駆体20を形成するために、典型的な材料としてのサンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する上記の例示的に説明されているステップ(f)は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法の本発明の別の主な態様によるサンプル調製方法全体の統合されたステップ又は手順に対応している。本発明の極低温セクション化ステップ又は手順は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
上述されているように、本発明のマイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、所望により、(g)運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリ700を用いて、サンプル調製システム10内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるステップと、(h)空気圧制御ユニット800を用いて、サンプル調製システム10の選択された主要コンポーネント(サンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、ピックアンドプレイスユニット400、及び極低温セクション化ユニット600)の空気圧を制御するステップと、(i)サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900を用いて、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるステップと、(j)スクライブ・クリーブユニット1000を用いて、サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開するステップと、(k)マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマークするステップと、(l)選択されたサンプル調製システムの主要コンポーネントを用いて、マクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させるステップと、(m)マイクロマスク接着ユニット1100を用いて、マイクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させるステップと、(n)振動防止ユニット1200を用いて、サンプル調製システム10の動作中に振動の発生を防止するか又は最小限に抑えるステップとからなる群から選択された少なくとも1つの付加的な主要ステップ(及びこのコンポーネント)をさらに含む。
マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、前述のサンプル調製方法の主要ステップ(a)−(f)のそれぞれと動作的に統合されるように、前述の少なくとも1つの付加的な主要ステップ(g)−(n)のそれぞれの各主要コンポーネントと動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300を用いて、前述の少なくとも1つの付加的な主要ステップ(g)−(n)のそれぞれの各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
(任意の)第1コンポーネントの第2コンポーネントへの接着
(任意の)ステップ(g)では、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリ700を用いて、サンプル調製システム10内の第1コンポーネントが第2コンポーネントに接着される。
(任意の)ステップ(g)では、運搬・位置決めユニット200をピックアンドプレイスユニット400と接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリ700を用いて、サンプル調製システム10内の第1コンポーネントが第2コンポーネントに接着される。
サンプル調製システム10の接着インターフェイスアセンブリ700及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図7A−7Bとを再び参照する。
接着インターフェイスアセンブリ700を用いて、サンプル調製システム10内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させることは、ステップ(d)の実行に関連して、完全に上述されている。特に、ステップ(g)の接着は、以下の手順により、運搬・位置決めユニット200とピックアンドプレイスユニット400とのインターフェイスをとる接着インターフェイスアセンブリ700の動作によって実行される。
(1)接着剤塗布ニードル706で調べることにより、接着剤容器704の内部の接着剤材料のレベルを測定する。
(2)正確な量の接着剤材料を取り出すように、接着剤塗布ニードル706を所定のレベルまで接着剤容器704に浸ける。
(3)正確な量の接着剤材料を第1コンポーネント(たとえば、サンプル前駆体20又はユニットコンポーネント)の表面に塗布(施与)する。
(1)接着剤塗布ニードル706で調べることにより、接着剤容器704の内部の接着剤材料のレベルを測定する。
(2)正確な量の接着剤材料を取り出すように、接着剤塗布ニードル706を所定のレベルまで接着剤容器704に浸ける。
(3)正確な量の接着剤材料を第1コンポーネント(たとえば、サンプル前駆体20又はユニットコンポーネント)の表面に塗布(施与)する。
(任意の)システムコンポーネントの空気圧の制御
(任意の)ステップ(h)では、空気圧制御ユニット800を用いて、サンプル調製システム10の選択された主要コンポーネントの空気圧が制御される。
(任意の)ステップ(h)では、空気圧制御ユニット800を用いて、サンプル調製システム10の選択された主要コンポーネントの空気圧が制御される。
サンプル調製システム10の空気圧制御ユニット800及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図8Aとを再び参照する。
サンプル調製システム10の選択された各主要コンポーネント、すなわちサンプル前駆体保持ユニット100、運搬・位置決めユニット200、ピックアンドプレイスユニット400、及び極低温セクション化ユニット600、並びに、任意の付加的な各主要コンポーネント、すなわち接着インターフェイスアセンブリ700、サンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニット900、スクライブ・クリーブユニット1000、及び振動防止ユニット1200の空気圧は、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300を介して電子制御される空気圧制御ユニット800のソレノイド、弁、ディストリビュータ、配線、真空認識アセンブリ、及び集中空気圧制御ボードといった主要コンポーネントの動作によって制御される。
(任意の)サンプル前駆体のサイズ減少
(任意の)ステップ(i)では、サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900を用いて、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)が所定のサンプル前駆体サイズに減少される。
(任意の)ステップ(i)では、サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900を用いて、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)が所定のサンプル前駆体サイズに減少される。
サンプル調製システム10のサンプル前駆体サイズ減少ユニット900及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4を再び参照する。
(任意の)ステップ(i)において、サンプル前駆体サイズ(表面積寸法)減少ユニット900のセクション化ブレード902、及び、セクション化ブレードドライブシャフト・モーターアセンブリ904である主要コンポーネントを用いて、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)が所定のサンプル前駆体サイズに減少される。
マイクロ減少手順は、サンプル前駆体20のサイズ(表面積寸法)を減少させるステップ(i)を実行するサブステップの様々な特定の系列に応じて、運搬・位置決めユニット200の動作によって、サンプル前駆体20を所定の場所及び構造(姿勢)に位置決めすることによって開始される。サイズ減少プロセスの各サブステップは、セクション化ブレード902を所定の侵入のレベルまで垂直方向に移動させることによって実行される。ステップ(i)は、所望により、極低温セクション化ユニット600を用いて、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化することに関連して、ステップ(f)について記載されているのと同様に、極低温冷却と共に実行される。このような実施形態によれば、サンプル前駆体サイズ減少ユニット900は、所望により、極低温セクション化ユニット600に含まれているものと類似した極低温流体供給・制御アセンブリをさらに含む。
ステップ(i)は、典型的に約10000rpmで回転するコンポーネントを有するように設計、構築、作動されたサンプル前駆体サイズ減少ユニット900によって実行され、極低温セクション化ユニット600の適切な動作のため所要の比較的高いレベルの安定性及び精度を必要としない。
好ましくは、ステップ(i)は、(所望により、たとえば、極低温セクション化ユニット600に含まれている極低温流体供給・制御アセンブリ(610[図4]+612[図4]+613[図4]+614[図4、図6A−6D])と類似しているか、又は、同じである極低温流体供給・制御アセンブリを含む)サンプル前駆体サイズ減少ユニット900を使用することによって実行される。代替的な好ましい実施形態では、ステップ(i)はスクライブ・クリーブユニット1000を用いて実行される。
(任意の)サンプル前駆体上のスクライブ線の生成
(任意の)ステップ(j)では、スクライブ・クリーブユニット1000を用いて、サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
(任意の)ステップ(j)では、スクライブ・クリーブユニット1000を用いて、サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成し、スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
サンプル調製システム10のスクライブ・クリーブユニット1000及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図9A−9Bとを再び参照する。
任意のステップ(j)は以下の主要サブステップを含む。
(i)サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成する。
(ii)スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
(i)サンプル前駆体20の表面にスクライブ線を生成する。
(ii)スクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を劈開する。
ステップ(j)のサブステップ(i)を実行するため、主要コンポーネント、すなわち(1)スクライブエレメント1008、(2)スクライブエレメントホルダー1010、及び(3)スクライブエレメント力・方向制御機構1012を含むスクライブアセンブリ1002を使用する。スクライブアセンブリ1002は、固定した機軸を用いてベースエレメントに取り付けられ、従って、サンプル前駆体20のスクライブされた表面に対してスクライブアセンブリ1002を回転させることができる。鋭い先端を有し、スクライブエレメントホルダー1010によって保持されているスクライブエレメント1008は、サンプル前駆体20の表面に沿って十分に鋭くジグザグ形にされたスクライブ線を効率的に形成するため使用され、後続のサブステップ(2)の劈開を容易化する。スクライブエレメント力・方向制御機構1012は、たとえばばねで負荷が加えられている。スクライブ・クリーブユニット1000の一部である表面接触感知機構1006は、サンプル前駆体20の表面とスクライブアセンブリ1002のスクライブエレメント1008との間の接触の状態を感知するため使用される。
ステップ(j)のサブステップ(ii)を実行するため、主要コンポーネント、すなわち(1)劈開プランジャー1014、及び(2)劈開プランジャーハウジング・ガイドサブアセンブリ1016を含むクリーブアセンブリ1004を使用する。クリーブアセンブリ1004は、固定した機軸を用いてベースエレメントに取り付けられるので、サンプル前駆体20の劈開面に対してクリーブアセンブリ1004を回転させ、自動位置合わせさせることが可能である。劈開プランジャーハウジング・ガイドサブアセンブリ1016に収容されている劈開プランジャー1014は、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300によって電子的に作動され制御され、サブステップ(i)の完了によって生成されたスクライブ線に沿ってサンプル前駆体20を効率的に劈開する。
本発明の、サンプル調製システム10のスクライブ・クリーブユニット1000を用いて(任意の)ステップ(j)を実行する例示的な実施例は、スクライブアセンブリ1002を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tの表面にスクライブ線、たとえば、スクライブ線1050を生成し(図13A)、クリーブアセンブリ1004を用いて、スクライブ線1050に沿ってサンプル前駆体20を劈開する(図13B)、拡大斜視図を示している概略図である図13A−13Bに示されている。図13Bに示されているように、クリーブアセンブリ1004によるスクライブ線1050に沿うサンプル前駆体20の劈開の後、劈開されたサンプル前駆体20の第1部分17aはターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、第2部分17bはターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含まない。
(任意の)サンプル前駆体上のターゲットエリア(ROI)のマーキング
(任意の)ステップ(k)では、マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマーキングする。
(任意の)ステップ(k)では、マーキング装置を用いて、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)をマーキングする。
サンプル前駆体20に対象領域(ROI)をマーキングするため、光イメージングユニット300、マイクロ溝生成ユニット500又は500’、又はスクライブ・クリーブユニット1000と、これらのコンポーネントを使用する上記の例示的な説明と共に、図1、2、及び、4と、図5A−5Cと、図5D−5Fと、図9A−9Bとが参照される。
(任意の)ステップ(k)は本発明の以下の特定の好ましい実施形態の何れか1つに従って実行される。
図14A及び14Bに概略的に示されているように、サンプル調製システム10において(任意の)ステップ(k)を実行する本発明の第1の特定の代替的な好ましい実施形態では、マーキング装置は光イメージングユニット300に対応している。本実施形態によれば、顕微鏡アセンブリ310のレンズヘッドのうちの1つは対物レンズを収容せずに、代わりに、たとえば、円390を用いて、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをサンプル前駆体20の表面にマーキングするため後で使用されるばね式インク印刷ヘッドが上に着座させられている。
図14A及び14Cに概略的に示されているように、サンプル調製システム10において(任意の)ステップ(k)を実行する本発明の第2の特定の代替的な好ましい実施形態では、マーキング装置は、好ましい実施形態であるマイクロ溝生成ユニット500又はマイクロ溝生成ユニット500’の何れかであるマイクロ溝生成ユニットに対応している。本実施形態によれば、マイクロ溝生成ユニット500又は500’は、たとえば、マイクロ溝590を用いて、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをサンプル前駆体20の表面にマーキングするため使用される。
図14A及び14Dに概略的に示されているように、サンプル調製システム10において(任意の)ステップ(k)を実行する本発明の第3の特定の代替的な好ましい実施形態では、マーキング装置は、スクライブ・クリーブユニット1000のスクライブアセンブリ1002に対応している。本実施形態によれば、スクライブアセンブリ1002は、たとえば、スクライブ線1090によって、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、サンプル前駆体20の表面にターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tをマーキングするため使用される。
(任意の)サンプル前駆体へのマクロマスクの接着
(任意の)ステップ(l)では、選択されたシステムユニットを用いて、サンプル前駆体20の表面にマクロマスクを接着させる。
(任意の)ステップ(l)では、選択されたシステムユニットを用いて、サンプル前駆体20の表面にマクロマスクを接着させる。
サンプル調製システム10のサンプル前駆体保持ユニット100、ピックアンドプレイスユニット400、及び、接着インターフェイスアセンブリ700と、これらのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2、3及び4と、図7A−7Bとを再び参照する。
上述されているように、サンプル前駆体20上で実行される上記の例示的に説明されているサンプル前駆体保持ユニット100及びこのコンポーネントの機能は、代替的又は付加的に、マスキングエレメント上で同様に実行され、ここで、マスキングエレメントは、必ずしも本発明によって実施されるとは限らない別のサンプル調製手順中にサンプル前駆体の少なくとも一部を保護する目的のため、サンプル前駆体20等のサンプル前駆体の少なくとも一部をマスクするエレメントを指す。このようなマスキングエレメントは、たとえば、ピックアンドプレイスユニット400又はその一部と動作的に関連付けられている(特に、たとえば、図3に示された)「マクロサイズ」マスキングエレメント30の形式でもよい(図1、2、4、7A、7B、11A及び11B)。
任意のステップ(l)は以下の主要サブステップを含む。
(i)マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を使用することにより、上記のステップ(e)に従って、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する。
(ii)生成された各マイクロ溝がマクロマスク30に関して拡張され、したがって、極低温セクション化ユニット600によるその後の極低温セクション化の対象とするため光イメージングユニット300によって見えるように、ステップ(g)の接着手順によって、所定の場所で所定の構造(姿勢)に応じてマクロマスク30をサンプル前駆体20の表面に接着させる。したがって、マイクロ溝は、上述されているように、ステップ(f)の極低温セクション化手順を実行するマークとしての役目を果たす。
(i)マイクロ溝生成ユニット500(又は500’)を使用することにより、上記のステップ(e)に従って、サンプル前駆体20の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する。
(ii)生成された各マイクロ溝がマクロマスク30に関して拡張され、したがって、極低温セクション化ユニット600によるその後の極低温セクション化の対象とするため光イメージングユニット300によって見えるように、ステップ(g)の接着手順によって、所定の場所で所定の構造(姿勢)に応じてマクロマスク30をサンプル前駆体20の表面に接着させる。したがって、マイクロ溝は、上述されているように、ステップ(f)の極低温セクション化手順を実行するマークとしての役目を果たす。
任意のステップ(l)のマクロマスク接着手順の主な目的は、調製されたサンプルを容易に、イオンビーム加工を含むような後続のマイクロ分析サンプル最終調製技術の対象とできるようにすることである。このようなサンプル最終調製技術は、本発明を実施する様々な典型的な特定の好ましい実施形態の少なくとも4種類の主要なカテゴリー、すなわち(A)TEM側面観察(断面)、(B)TEM平面(二次元)観察、(C)SEM側面観察(断面)、及び(D)裏面露出に関連している。
選択されたシステムユニットを用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体20の表面にマクロマスクを接着させる上記の例示的に説明されているステップ(l)は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法の本発明の別の主な態様によるサンプル調製方法全体の統合されたステップ又は手順に対応している。本発明のマクロマスク接着ステップ又は手順は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
(任意の)サンプル前駆体へのマイクロマスクの接着
(任意の)ステップ(m)では、マイクロマスク接着ユニット1100を用いて、サンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させる。
(任意の)ステップ(m)では、マイクロマスク接着ユニット1100を用いて、サンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させる。
サンプル調製システム10のマイクロマスク接着ユニット1100及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図10A−10Bと、図10Cとを再び参照する。
(任意の)ステップ(m)が、マイクロマスクをサンプル前駆体20の表面に接着させるマイクロマスク接着ユニット1100を使用することにより実行される本発明の2つの主な特定の実施形態がある。第1の特定の実施形態では、(任意の)ステップ(m)は、予め極低温セクション化されたサンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させるため実行され、サンプル前駆体は上記の例示的に説明されているステップ(f)によって極低温セクション化されている。代替的に、第2の特定の実施形態では、(任意の)ステップ(m)は、サンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させるため実行され、サンプル前駆体20は極低温セクション化手順の対象とされていない。
(任意の)ステップ(m)が、極低温セクション化されたサンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させるマイクロマスク接着ユニット1100を使用することにより実行される本発明の第1の特定の実施形態では、任意のステップ(m)は、以下の主要サブステップを含む。
(i)空気圧制御ユニット800の一部として真空認識アセンブリを使用することにより、サンプル前駆体保持ユニット100のチャックベースアセンブリ140に搭載されたマイクロサイズマスキングエレメント1110の存在を認識する。
(ii)光イメージングユニット300の動作と共に、運搬・位置決めユニット200を使用することにより、チャックベースアセンブリ140に搭載されたマイクロサイズマスキングエレメント1110を運搬し位置決めする。
(iii)Y軸移動サブアセンブリ1150を(光イメージングユニット300の下にある)動作位置まで移動させる。
(iv)図10A−10B及び図10Cに示されているように、ハウジングアセンブリ1140を用いて、チャックベースアセンブリ140からマイクロサイズマスキングエレメント1110を取り出す。
(v)空気圧制御ユニット800の真空認識アセンブリを用いて、ハウジングアセンブリ1140によって取り出されているマイクロサイズマスキングエレメント1110の存在を認識する。
(vi)ピックアンドプレイスユニット400を用いて、サンプル前駆体の表面の専用エリアに接着剤を塗布する。
(vii)運搬・位置決めユニット200を使用することにより、接着剤が塗布された専用エリアをマイクロサイズマスキングエレメント1110の下に位置決めする。
(viii)運搬・位置決めユニット200のz軸移動サブアセンブリ230を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110を接着剤の中に制御可能な形で浸ける。
(ix)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110に焦点を合わせる。
(x)光イメージングユニット300を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110のxy位置を記録する。
(xi)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、光イメージングユニット300の焦点から外へマイクロサイズマスキングエレメント1110を垂直移動させる。
(xii)運搬・位置決めユニット200の全コンポーネントを使用することにより、焦点から外される前にマイクロサイズマスキングエレメント1110によって先に占領されていた位置と一致するように、サンプル前駆体20の表面にターゲット形状を位置決めする。
(xiii)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、サンプル前駆体20の表面と接触するまで、マイクロサイズマスキングエレメント1110を下方へ垂直移動させる。
(xiv)マイクロサイズマスキングエレメント1110を加熱し、それによって、硬化させる目的のため、マイクロサイズマスキングエレメント1110に電流を印加する。
(xv)溶融によって、マイクロサイズマスキングエレメント1110のエッジを切り取るために、マイクロサイズマスキングエレメント1110のエッジに印加される電流を増加させる。
(xvi)マイクロマスク接着プロセスの品質管理の形式として、サブステップ(i)から(xv)の光学的照合を実行する。
(i)空気圧制御ユニット800の一部として真空認識アセンブリを使用することにより、サンプル前駆体保持ユニット100のチャックベースアセンブリ140に搭載されたマイクロサイズマスキングエレメント1110の存在を認識する。
(ii)光イメージングユニット300の動作と共に、運搬・位置決めユニット200を使用することにより、チャックベースアセンブリ140に搭載されたマイクロサイズマスキングエレメント1110を運搬し位置決めする。
(iii)Y軸移動サブアセンブリ1150を(光イメージングユニット300の下にある)動作位置まで移動させる。
(iv)図10A−10B及び図10Cに示されているように、ハウジングアセンブリ1140を用いて、チャックベースアセンブリ140からマイクロサイズマスキングエレメント1110を取り出す。
(v)空気圧制御ユニット800の真空認識アセンブリを用いて、ハウジングアセンブリ1140によって取り出されているマイクロサイズマスキングエレメント1110の存在を認識する。
(vi)ピックアンドプレイスユニット400を用いて、サンプル前駆体の表面の専用エリアに接着剤を塗布する。
(vii)運搬・位置決めユニット200を使用することにより、接着剤が塗布された専用エリアをマイクロサイズマスキングエレメント1110の下に位置決めする。
(viii)運搬・位置決めユニット200のz軸移動サブアセンブリ230を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110を接着剤の中に制御可能な形で浸ける。
(ix)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110に焦点を合わせる。
(x)光イメージングユニット300を使用することにより、マイクロサイズマスキングエレメント1110のxy位置を記録する。
(xi)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、光イメージングユニット300の焦点から外へマイクロサイズマスキングエレメント1110を垂直移動させる。
(xii)運搬・位置決めユニット200の全コンポーネントを使用することにより、焦点から外される前にマイクロサイズマスキングエレメント1110によって先に占領されていた位置と一致するように、サンプル前駆体20の表面にターゲット形状を位置決めする。
(xiii)z軸移動サブアセンブリ1160を使用することにより、サンプル前駆体20の表面と接触するまで、マイクロサイズマスキングエレメント1110を下方へ垂直移動させる。
(xiv)マイクロサイズマスキングエレメント1110を加熱し、それによって、硬化させる目的のため、マイクロサイズマスキングエレメント1110に電流を印加する。
(xv)溶融によって、マイクロサイズマスキングエレメント1110のエッジを切り取るために、マイクロサイズマスキングエレメント1110のエッジに印加される電流を増加させる。
(xvi)マイクロマスク接着プロセスの品質管理の形式として、サブステップ(i)から(xv)の光学的照合を実行する。
(任意の)ステップ(m)を実行するため、上記の主要サブステップ(i)、(ii)、(iii)、(iv)及び(v)を包含することは好ましいが、マイクロマスクが極低温セクション化されたサンプル前駆体20の表面に接着させられるように、マイクロマスク接着プロセスを完了するため必要とされない。
本発明の、サンプル調製システム10のマイクロマスク接着ユニット1100を使用することにより(任意の)ステップ(m)を実行する上記の2つの主な特定の実施形態は、図15A、及び、図15B−15Cにそれぞれ図解的に例示されている。図15A及び図15B−15Cは、マイクロマスク、たとえば、(円筒形状のマイクロサイズ化されたワイヤ(図15A)又は長方形状の外形(図15B−15C)を有する)マイクロマスキングエレメント1110をサンプル前駆体20の表面に接着させる。マイクロマスク接着ユニット1100を使用する第1の特定の実施形態は図15Aに示され、サンプル前駆体20は、ステップ(f)の極低温セクション化手順によって予め極低温セクション化されている。図15Aでは、極低温セクション化されたサンプル前駆体20が側面観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に接着されていることがわかる。マイクロマスク接着ユニット1100を使用する第2の特定の実施形態は、図15B−15Cに示され、サンプル前駆体20は極低温セクション化手順の対象とされていない。図15B及び15Cにおいて、サンプル前駆体20は、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含むことがわかる。
(任意の)ステップ(m)のマイクロマスク接着手順の主な目的は、イオンビーム加工などを含む後のマイクロ分析サンプル最終調製技術を容易化することである。これは、多種多様な典型的な特定の好ましい実施形態の以下の4種類の主要なカテゴリー、すなわち、(A)TEM側面観察(断面)、(B)TEM平面(二次元)観察、(C)SEM側面観察(断面)、及び(D)裏面露出による本発明のシステム及び対応した方法を実施することにより達成される。
マイクロマスク接着ユニット1100を用いて、典型的な材料としてのサンプル前駆体20の表面にマイクロマスクを接着させる上記の例示的に説明されているステップ(m)は、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法の本発明の別の主な態様によるサンプル調製方法全体の統合されたステップ又は手順に対応している。本発明のマイクロマスク接着ステップ又は手順は、さらに分離可能でもあり、かつ、他のサンプル調製方法と統合可能でもある。
(任意の)振動の阻止/最小化
(任意の)ステップ(n)では、振動防止ユニット1200を用いて、サンプル調製システム10の動作中に、振動の発生を阻止し又は最小限に抑える。
(任意の)ステップ(n)では、振動防止ユニット1200を用いて、サンプル調製システム10の動作中に、振動の発生を阻止し又は最小限に抑える。
サンプル調製システム10の振動防止ユニット1200及びこのコンポーネントの上記の例示的な説明と共に、図1、2及び4と、図8とを再び参照する。
サンプル調製システム10の動作中に振動の発生を阻止又は最小限に抑える(任意の)ステップ(n)は、複数の電子空気圧式及び/又は電子機械式の能動的制動アセンブリ、たとえば、図8に1210によってそれぞれが全体的に示されている4個の電子空気圧式能動的制動アセンブリである振動防止ユニット1200の主要コンポーネントの動作によって実行される。(任意の)ステップ(n)を実行するため、振動防止ユニット1200は、振動防止ユニット1200にエレクトロニクスを提供し、振動防止ユニット1200のプロセス制御を可能にするエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300に動作的に接続されている。
システムコンポーネントへのエレクトロニクス及びプロセス制御の提供
マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300を用いて、上記の各主要ステップ(a)−(f)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。また、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記のサンプル調製方法の各主要ステップ(a)−ステップ(f)と動作的に統合されるように、上記の少なくとも1つの付加的な各主要ステップ(g)−ステップ(n)の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティを用いて、上記の少なくとも1つの付加的な各主要ステップ(g)−ステップ(n)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300を用いて、上記の各主要ステップ(a)−(f)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。また、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法は、上記のサンプル調製方法の各主要ステップ(a)−ステップ(f)と動作的に統合されるように、上記の少なくとも1つの付加的な各主要ステップ(g)−ステップ(n)の各主要コンポーネントに動作的に接続されているエレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティを用いて、上記の少なくとも1つの付加的な各主要ステップ(g)−ステップ(n)の各主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、各主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするステップをさらに含む。
一般に、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300の任意の個数、及び、タイプ又は種類の以下の主要コンポーネント、すなわち、集中制御パネル又はボード、少なくとも1台のコンピュータ、マイクロプロセッサ、又は中央処理ユニット(CPU)は、関連するコンピュータソフトウェア、電源、電力変換器、コントローラ、コントローラボード、たとえば、入力/出力(I/O)及びD/A(デジタル・アナログ)及びA/D(アナログ・デジタル)機能といった種々の印刷回路板(PCB)、ケーブル、ワイヤ、コネクタ、シールド、グラウンド、種々の電子インターフェイス、及びネットワークコネクタと共に、上述されているサンプル調製方法の各主要ステップと動作的に統合されるように、サンプル調製システムの主要コンポーネントにエレクトロニクスを提供し、主要コンポーネントのプロセス制御を可能にするため使用される。
たとえば、図8(下側部)を再び参照すると、エレクトロニクス・プロセス制御ユーティリティ1300は、主要コンポーネント、すなわち(i)コンピュータ化された制御ユニット1302、(ii)エレクトロニクスボード1304、及び(iii)電源モジュール1306を含む。コンピュータ化された制御ユニット1302は、たとえば、モーションコントロール及び信号インターフェイスタイプのエレクトロニクスボードと共に動くPCコンピュータ等のコンピュータを含む。
本発明によるマイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び対応する方法は、例示的に上述されているように、複数の異なる特定の実施形態に従って実施される。本発明を実施する異なる特定の実施形態は、調製されたサンプルに後で適用される(背景の欄に簡単に要約されているように)異なる特定のマイクロ分析技術に基づき、ここで、サンプルは、対応する特定の幾何学的構造、形態又は形状と寸法とに応じて調製される。本発明のシステム及び対応する方法を実施する多種多様な典型的な特定の好ましい実施形態の4種類の主要なカテゴリーは、(A)TEM側面観察(断面)、(B)TEM平面(二次元)観察、(C)SEM側面観察(断面)、及び(D)裏面露出である。
ここで、図1−15に示されているように、本発明によりマイクロ分析のためのサンプルを調製する上記のサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(A)、(B)、又は(C)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である図16A−16M、図17A−17R、図18A−18K、及び図19A−19Pを参照する。以下の例示的な説明及び図16−19の添付図面を通じて、同じ参照番号は、図16−19に示されている同じシステムユニット、システムサブユニット、装置、アセンブリ、サブアセンブリ、機構、構造体、コンポーネント、エレメント、構造、及び材料、並びに、図1−15に示されている同じものを指す。
TEM側面観察(断面)
図16A−16Mは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(A)のTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図16A−16Mは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(A)のTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図16Aは、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、本発明の実施の対象とされるべき典型的なサンプル前駆体20を示している。
図16B−16Cは、サンプル前駆体20をサンプル前駆体保持ユニット100の側面観察(断面)タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に載せるステップ(a)、及び、ピックアンドプレイスユニット400を用いて、初期位置からサンプル前駆体サポート構造体110上の位置へサンプル前駆体20をピックアンドプレイスするステップ(d)の実行を示している。
図16Dは、マイクロ溝生成ユニット500又は500’を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に1対のマイクロ溝590を生成するステップ(e)の実行を示している。
図16E−16Mは、極低温セクション化ユニット600を用いて、調製されたサンプル25を形成するため、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップ(f)の実行を示している。その中で、図16Fは、特に、サンプル前駆体20の表面の初期侵入又は破壊の目的のため、細かいセクション化ブレード602を所定の侵入レベル、たとえば、深さd1まで垂直移動させることによるサンプル前駆体20の微細な切断を示している。細かいセクション化ブレード602は、図16にCWとして示されている所要の「臨界」厚さ又は幅を実現するために主として使用される。図16Gは、特に、サンプル前駆体20の中に所定の深さd2まで侵入した状態でのサンプル前駆体20の微細な切断の最終段階を表している。図16H−16Kは、特に、サンプル前駆体20及びサンプル前駆体サポート構造体110を完全に切断するサンプル前駆体20の粗い切断の段階を表している。図16Mは、特に、(原料が図16Iに示されているように111’によって指示されている)調製されたサンプルサポートエレメント111によって堅固に支持されているTEM側面観察(断面)で調製されたサンプル25を表している。
TEM平面(二次元)観察
図17A−17Rは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(B)のTEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を説明する概略図である。
図17A−17Rは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(B)のTEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を説明する概略図である。
TEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順は、2段階プロセスとして特徴付けられる。第1段階は、中間タイプの処理されたサンプル前駆体を調製するために有効であり、第2段階は、図16B−16Mに既に示されているTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順に含まれている類似した一連のステップ(ステップ(e)を除く)に従って、最終調製されたサンプル、特に調製済みのサンプル25を調製するのに有効である。
図17Aは、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、本発明の実施の対象とされるべき典型的なサンプル前駆体20を示している。
図17B−17Cは、サンプル前駆体20をサンプル前駆体保持ユニット100の平面(二次元)観察タイプのサンプル前駆体サポート構造体120に載せるステップ(a)、及びピックアンドプレイスユニット400を用いて、初期位置からサンプル前駆体サポート構造体120上の位置へサンプル前駆体20をピックアンドプレイスするステップ(d)の実行を示している。
図17Dは、マイクロ溝生成ユニット500又は500’を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に単一のマイクロ溝590を生成するステップ(e)の実行を示している。
図17E−17Jは、中間タイプの処理済みのサンプル前駆体を調製するため、所定の構造及びサイズまでサンプル前駆体20を極低温セクション化するステップ(f)の実行を示している。その中で、図17F−17Gは、深さd1及びd2の2つの微細な切断を形成する段階を表し、図17H−17Iは、サンプル前駆体20及びサンプル前駆体サポート構造体120を完全に切断するサンプル前駆体20の粗い切断の段階を表している。
図17K−17Rは、特に、最終的な調製済みのサンプル、特に、調製済みのサンプル27を調製するため、先に形成された中間タイプの処理されたサンプル前駆体の処理を継続するTEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順の第2段階を表している。その中で、図17M−17Nは、深さd3の粗い切断を形成する段階を表し、図17Oは、深さd4の微細な切断を形成するサンプル前駆体20の微細な切断の段階を表している。
SEM側面観察(断面)
図18A−18Kは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(C)のSEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図18A−18Kは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、カテゴリー(C)のSEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図18Aは、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、本発明の実施の対象とされるべき典型的なサンプル前駆体20を示している。
図18B−18Cは、サンプル前駆体20をサンプル前駆体保持ユニット100の側面観察(断面)タイプのサンプル前駆体サポート構造体110に載せるステップ(a)、及び、ピックアンドプレイスユニット400を用いて、初期位置からサンプル前駆体サポート構造体110上の位置へサンプル前駆体20をピックアンドプレイスするステップ(d)の実行を示している。
図18Dは、マイクロ溝生成ユニット500又は500’を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に単一のマイクロ溝590を生成するステップ(e)の実行を示している。
図18E−18Kは、極低温セクション化ユニット600を用いて、調製されたサンプル29を形成するため、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップ(f)の実行を示している。その中で、図18E−18Gは、深さd1及び深さd2の2つの微細な切断を形成する段階を表し、図18H−18Kは、サンプル前駆体20及びサンプル前駆体サポート構造体110を完全に切断するサンプル前駆体20の粗い切断の段階を表している。その中で、サンプル前駆体20の粗い切断はサンプル前駆体20上だけで実行され、その後に、TEM側面観察(断面)タイプ及びTEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順(それぞれに16E−16M、及び、図17E−17J)においてステップ(f)を実行するのとは違って、サンプル前駆体サポート構造体110から最終的な調製済みのサンプル29がリフトオフされることに特に注意すべきである。
TEM側面観察(断面)
図19A−19Pは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、最終的な調製されたサンプルが調製済みのサンプルサポートエレメントによって支持される、カテゴリー(A)のTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図19A−19Pは、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、最終的な調製されたサンプルが調製済みのサンプルサポートエレメントによって支持される、カテゴリー(A)のTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの典型的な特定の好ましい実施形態を示す概略図である。
図19Aは、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)、たとえば、ターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを含み、本発明の実施の対象とされるべき典型的なサンプル前駆体20を示している。
図19B−19Cは、サンプル前駆体20をサンプル前駆体保持ユニット100の側面観察(断面)タイプのサンプル前駆体サポート構造体125a及び125bに載せるステップ(a)、及び、ピックアンドプレイスユニット400を用いて、初期位置からサンプル前駆体サポート構造体125a及び125b上の位置へサンプル前駆体20をピックアンドプレイスするステップ(d)の実行を示している。
図19Dは、マイクロ溝生成ユニット500又は500’を用いて、指定されたターゲットエリア又は対象領域(ROI)Tを有するサンプル前駆体20の表面に1対のマイクロ溝590を生成するステップ(e)の実行を示している。
図19E−19Pは、極低温セクション化ユニット600を用いて、調製されたサンプル25を形成するため、サンプル前駆体20を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップ(f)の実行を示している。その中で、図19Fは、特に、サンプル前駆体20の表面の初期侵入又は破壊の目的のため、細かいセクション化ブレード602を所定の侵入レベル、たとえば、深さd1まで垂直移動させることによるサンプル前駆体20の微細な切断を示している。細かいセクション化ブレード602は、図19にCWとして示されている所要の「臨界」厚さ又は幅を実現するために主として使用される。図19Gは、特に、サンプル前駆体20の中に所定の深さd2まで侵入した状態でのサンプル前駆体20の微細な切断の最終段階を表している。図19H−19Iは、特に、サンプル前駆体サポート構造体125bの除去を示し、それによって、サンプル前駆体20を支持するサンプル前駆体サポート構造体125aを所定の位置に残す。図19Jは、特に、調製済みのサポートエレメントホルダー157によって保持又は固定されている調製されたサンプルサポートエレメント155を表している。図19Kは、特に、サンプル前駆体20を支持するサンプル前駆体サポート構造体125aに対して適切に方向が合わされ、位置決めされ、その後に、そこに装着されるか、又は、接続される調製済みのサンプルサポートエレメントホルダー157を表している。図19L−19Pは、特に、粗いセクション化ブレード604を使用するステップ(f)の実行の完了を表している。図19Pは、特に、調製されたサンプル25の側面を支持し、調製済みのサンプル25の側面に固定されている調製されたサンプルサポートエレメント155を表している。
非限定的な形で、マイクロ分析のためのサンプルを調製するサンプル調製システム10及び対応するサンプル調製方法を実施することにより、最終的な調製されたサンプルが、図19A−19Pに示されているように、調製されたサンプルサポートエレメントによって支持され、カテゴリー(A)のTEM側面観察(断面)タイプのサンプル調製手順の間に実行される典型的な一連の選択されたステップの上記の実施形態が、カテゴリー(B)のTEM平面(二次元)観察タイプのサンプル調製手順の間に典型的な一連のステップを実行する一部として適用可能であり、最終的な調製されたサンプルが調製されたサンプルサポートエレメントによって支持されることは十分に理解されるべきである。
よって、上記の新規性及び進歩性の態様に基づいて、追加して、又は、結果として、例示的に説明され、実証されているような本発明は、複数の有益かつ有利な態様、特徴、又は、特長を有する。
本発明は、特に、半導体製造、マイクロ分析試験及び材料科学に関係して、主に、製造欠陥及び/又はアーティファクトの有無についてサンプルを検査又は調査する目的で、たとえば、電子顕微鏡技術、原子間力顕微鏡技術、及び/又は、イオン分光分析技術などによるマイクロ分析の対象となる準備ができている最終形式でサンプルを調製するため使用されるマイクロ分析サンプル最終調製技術を適用する前に実施可能である。
本発明は、サンプル前駆体のサイズの少なくとも1次元(長さ、幅、及び/又は、厚さ、深さ又は高さ)を減少させることによる、サンプル前駆体等の材料の少なくとも一部をセクション化又はセグメント化することに基づくマイクロ分析サンプル調製技術の一種である。
本発明は、サンプルを分析するため最終的に適用されるマイクロ分析技術の特定のタイプに応じて、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の主要なカテゴリーである(1)薄片化、(2)断面化、及び/又は(3)平面観察セクション化の実施中に含まれる多種多様な手順を実行するため適用可能である。本発明は、半導体材料(特に、ウェハ、ウェハセグメント、及びウェハダイ)、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、及びこれらの複合材料等の様々なタイプの材料のマイクロ分析サンプルを調製するため適用可能であり、所与の材料は単結晶、多結晶、又はアモルファスである。本発明は、多種多様なタイプのサンプル最終調製技術の何れかの対象となるのに適し、かつ、最終的に多種多様なタイプのマイクロ分析技術の何れかの対象となるのに適している全体的なエリア又は特定のサイト(ターゲット)サンプルを調製するのに適用可能である。
上記の新規性及び進歩性の態様と、有益かつ有利な態様、特徴又は特長とに基づいて、本発明は、複数の重大な制限を成功裏に克服し、これまでに知られているマイクロ分析のためのサンプルを調製する技術の範囲を拡大する。
本発明は、使用された初期サンプル前駆体及び後で調製されたセクション化されたサンプルの特定のタイプ(物理化学的な特性、特徴、及び、挙動と、寸法)に関連して、並びに、所与のサンプルを分析するため最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関連して、背景欄に既に記載されている従来技術のセクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の現状の実施に付随する種々の重大な制限及び不利点を克服する。
特に、セクション化(切断、スライス)されたサンプルを調製するため使用されるサンプル前駆体のタイプに関して、本発明は、結晶境界又はエッジとは無関係に、単結晶、多結晶、又はアモルファスタイプのサンプル前駆体材料における特定の方向のセクション化(切断、スライス)に特に適している。本発明は、互いに弱く接着している隣接層を有するサンプル前駆体を処理するのに適している。本発明は、比較的大きなサンプル前駆体、たとえば、約300mmの直径を有する半導体ウェハ全体の「インライン」初期ハンドリング及び処理に適している。
特に、後で調製されたセクション化されたサンプルのタイプに関して、本発明は、集束イオンビーム(FIB)加工、ブロードイオンビーム(BIB)加工、又は、両方等の基本的にあらゆるタイプのサンプル最終調製技術を用いて後でさらにセクション化(切断、劈開、スライス、及び/又は研磨)され得るセクション化されたサンプルを調製するのに適している。後でイオンビーム加工タイプのサンプル最終調製技術の対象とされるセクション化されたサンプルの調製のため、本発明は、比例する短いイオンビーム加工時間を必要とする比較的小さなサイズの寸法を有するセクション化されたサンプルを生成可能である。このことは、イオンビーム加工プロセス中の再堆積の結果として、汚染物及びアーティファクトをサンプルに取り込む可能性を低下させることになるので、このような汚染物及びアーティファクトが、典型的なマイクロ分析技術中に必要とされる質量分析、及び、その分析を妨害する可能性を低下させる。
特に、所与のサンプルを分析するため最終的に使用されるマイクロ分析技術の特定の準備要件に関して、本発明は、一般に、SEMサンプル、TEMサンプル、STEMサンプル、EDSサンプル、AFMサンプル、SIMSサンプル、又はGDSサンプルの最終的な調製に適用される。本発明は、従って、一般に、不必要な数の多種多様なシステム、機器、及び、方法を必要とすることなく、基本的に任意のタイプのマイクロ分析技術、たとえば、SEM、TEM、STEM、EDS、AFM、SIMS、又はGDSの究極的な目的に適用可能である。さらに、本発明は、セクション化タイプのマイクロ分析サンプル調製技術の主要な各カテゴリー、すなわち、(1)薄片化、(2)断面化、及び(3)平面観察セクション化に応じた様々なタイプのセクション化されたサンプルを最終的に調製するため完全に適用可能である。
さらに、本発明は、セクション化(切断、スライス)ソーイングプロセス中にサンプル内での望ましくないマイクロサイズ化されたクラック及び/又はアーティファクトの形成をできるだけ最小限に抑えるように実施される。
明確にするため別個の実施態様で説明されている本発明の特定の特徴は単一の実施態様に組み合わせて提供することもできることは分かるであろう。逆に、簡潔にするため単一の実施態様で説明されている本発明の各種の特徴は別個に又は適切なサブコンビネーションで提供することもできる。
本願で挙げた刊行物、特許及び特許願はすべて、個々の刊行物、特許及び特許願が各々あたかも具体的にかつ個々に引用提示されているのと同程度に、全体を本明細書に援用するものである。さらに、本願で引用又は確認したことは本発明の先行技術として利用できるという自白とみなすべきではない。
本発明はその特定の実施態様によって説明してきたが、多くの別法、変更及び変形があることは当業者には明らかであることは明白である。従って、本発明は、本願の請求項の精神と広い範囲の中に入るこのような別法、変更及び変形すべてを包含するものである。
Claims (74)
- (a)サンプル前駆体を支持しかつ保持するサンプル前駆体保持ユニットと、
(b)前記サンプル前駆体保持ユニットの少なくとも一部を運搬しかつ位置決めする運搬・位置決めユニットと、
(c)前記サンプル前駆体上に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視する光イメージングユニットと、
(d)前記サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、
(e)前記サンプル前駆体の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含み、前記サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、
(f)調製されたサンプルを形成するため、前記サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットと
を備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム。 - 前記サンプル前駆体保持ユニットは側面観察又は平面観察サンプル調製プロセス中にサンプル前駆体を支持するための少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体は平面観察サンプル調製プロセス中に切断及び搭載された処理形式のサンプル前駆体を支持する、請求項2に記載のシステム。
- 前記少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体は調製されたサンプルの再加工のために使用される、請求項2に記載のシステム。
- 前記サンプル前駆体保持ユニットは二つの前記サンプル前駆体サポート構造体を含み、調製されたサンプルサポートエレメント及び調製されたサンプルサポートエレメントホルダーをさらに含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記調製されたサンプルサポートエレメントホルダーはサンプル前駆体を支持する前記二つのサンプル前駆体サポート構造体のうちの一方と方向が合わされ、それに関して位置が合わされ、それに取り付けられる、請求項5に記載のシステム。
- 前記調製されたサンプルサポートエレメントは調製されたサンプルを支持し、調製されたサンプルに固定される、請求項6に記載のシステム。
- 前記サンプル前駆体保持ユニットは側面観察又は平面観察サンプル調製プロセス中にマスキングエレメントを支持するための又はマスキングエレメント及びサンプル前駆体を支持するための少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットはマイクロ溝生成エレメントを含み、前記マイクロ溝生成エレメントはマイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである、請求項1に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成チップは約100ナノメートル未満の半径を持つ、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成チップは約20ナノメートル未満の半径を持つ、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成チップはダイヤモンド又はダイヤモンド様材料から構成される、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットは、前記マイクロ溝生成エレメントを垂直移動し、サンプル前駆体の前記表面に侵入させるための垂直移動アセンブリをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記垂直移動アセンブリはサンプル前駆体の前記表面に関して前記マイクロ溝生成エレメントの回転自由度を許可するように前記マイクロ溝生成ユニット上に搭載可能である、請求項13に記載のシステム。
- 前記回転自由度はサンプル前駆体の前記表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度の可変制御を可能にする、請求項14に記載のシステム。
- 前記接近角度は前記垂直移動アセンブリに作用するアライニングアセンブリによって実現される、請求項15に記載のシステム。
- 前記垂直移動アセンブリは軸受サブアセンブリ、及びマイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリを含む、請求項13に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットは、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントへ印加し、それによってサンプル前駆体の前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの制御可能な移動を与えるための力印加アセンブリをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記力印加アセンブリは力発生モーター及び力印加アームを含む、請求項18に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体の前記表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度及び前記表面への侵入を制御するためのアライニングアセンブリをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットは垂直移動アセンブリをさらに含み、前記垂直移動アセンブリは、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が前記アライニングアセンブリを介して回転移動に変換されるように運動を前記アライニングアセンブリに伝達し、それによって前記マイクロ溝生成エレメントによるサンプル前駆体の表面へ向かう接近角度及び前記表面への侵入を制御する、請求項20に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットは、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントへ印加し、それによってサンプル前駆体の前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの制御可能な移動を与えるための力印加アセンブリをさらに含む、請求項20に記載のシステム。
- 前記力印加アセンブリは1組の力印加部材を含む、請求項22に記載のシステム。
- 前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)は約10ナノメートルから約10000ナノメートルまでの範囲である、請求項9に記載のシステム。
- 前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)の増分(ステップ)最小単位は約3ナノメートルから約7ナノメートルまでの範囲である、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成エレメントはサンプル前駆体の前記表面の垂直傾斜を測定するために使用される、請求項9に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体のターゲットエリア又は対象領域内の形状特徴に隣接したサンプル前駆体の所定の数の層を引き離すために使用される、請求項1に記載のシステム。
- 前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体の前記表面のターゲットエリア又は対象領域を前記少なくとも一つのマイクロ溝を介してマーキングするために使用される、請求項1に記載のシステム。
- 前記極低温セクション化ユニットは極低温流体リザーバに存在する極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に極低温流体リザーバの極低温流体の圧力を一定値に維持するための圧力制御機構を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記極低温セクション化ユニットは極低温セクション化ブレードのセクション化深さを較正するために極低温セクション化ブレードの直径を測定するための測定ピンアセンブリをさらに含む、請求項29に記載のシステム。
- システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるために前記運搬・位置決めユニットを前記ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにするための接着インターフェイスアセンブリをさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記接着インターフェイスアセンブリはサンプル前駆体の前記表面又は切断及び搭載された処理形態のサンプル前駆体の前記表面へマスキングエレメントを接着するための接着剤塗布サブアセンブリを含む、請求項31に記載のシステム。
- 前記接着剤塗布サブアセンブリは接着剤塗布ニードル及び接着剤容器を含み、前記接着剤容器はシステムの一つ以上のコンポーネントへ前記接着剤塗布ニードルによって塗布される接着剤材料を含有する、請求項32に記載のシステム。
- 前記接着剤塗布ニードルは前記接着剤容器の内部の前記接着剤材料のレベルを測定するための前記接着剤容器の内部を調査するために使用される、請求項33に記載のシステム。
- 前記接着剤塗布ニードルは正確な量の前記接着剤材料を取り出すように前記接着剤容器中に所定のレベルまで浸漬される、請求項33に記載のシステム。
- サンプル前駆体の前記表面へマイクロマスクを接着するためのマイクロマスク接着ユニットをさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記マイクロマスク接着ユニットはマイクロサイズマスキングエレメント及びマイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリを含み、前記マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリは前記マイクロサイズマスキングエレメントを保持し、前記マイクロサイズマスキングエレメントへ電流を伝達する導電性ワイヤを含む、請求項36に記載のシステム。
- 前記マイクロマスク接着ユニットは予め極低温セクション化されたサンプル前駆体の前記表面に前記マイクロマスクを接着するために使用される、請求項36に記載のシステム。
- 前記マイクロマスクは約50ナノメートル〜約150ナノメートルの範囲の位置決め精度で前記表面の所定の位置に接着される、請求項38に記載のシステム。
- (g)システム内で第1コンポーネントを第2コンポーネントに接着させるため、前記運搬・位置決めユニットを前記ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリと、(h)システムのコンポーネントの空気圧を制御する空気圧制御ユニットと、(i)サンプル前駆体のサイズ(表面積寸法)を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるサンプル前駆体マイクロサイズ(表面積寸法)減少ユニットと、(j)サンプル前駆体の前記表面にスクライブ線を生成し、前記スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するスクライブ・クリーブユニットと、(k)マイクロマスクをサンプル前駆体の前記表面に接着させるマイクロマスク接着ユニットと、(l)システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑える振動防止ユニットとからなる群から選択された少なくとも1個の付加的なコンポーネントをさらに含む、請求項1に記載のシステム。
- サンプル前駆体は半導体材料、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、ポリマー材料、複合材料、及びそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つのタイプの材料を含むか又はそれから構成される、請求項1に記載のシステム。
- サンプル前駆体は半導体タイプの材料を含むか又はそれから構成される、請求項1に記載のシステム。
- 前記材料はウェハの単一ダイ、ウェハセグメント、もしくはウェハ全体であるか、又はそれを含む、請求項42に記載のシステム。
- (a)マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリと、
(b)前記マイクロ溝生成エレメントを垂直移動させ、材料の表面に侵入させる垂直移動アセンブリと、
(c)前記垂直移動アセンブリの動作によって、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントに印加する力印加アセンブリと
を備える、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する装置。 - 前記マイクロ溝生成エレメントはマイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである、請求項44に記載の装置。
- 前記マイクロ溝生成チップは約100ナノメートル未満の半径を持つ、請求項45に記載の装置。
- 前記マイクロ溝生成チップは約20ナノメートル未満の半径を持つ、請求項45に記載の装置。
- 前記マイクロ溝生成チップはダイヤモンド又はダイヤモンド様材料から構成される、請求項45に記載の装置。
- 前記垂直移動アセンブリは材料の表面に関して前記マイクロ溝生成エレメントの回転自由度を許可するようにマイクロ溝生成装置のハウジング上に搭載可能である、請求項44に記載の装置。
- 前記回転自由度は材料の表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度の可変制御を可能にする、請求項49に記載の装置。
- 前記接近角度は前記垂直移動アセンブリに作用するアライニングアセンブリによって実現される、請求項50に記載の装置。
- 前記垂直移動アセンブリは軸受サブアセンブリ、及びマイクロ溝深さ(侵入)制御サブアセンブリを含む、請求項44に記載の装置。
- 前記力印加アセンブリは力発生モーター及び力印加アームを含む、請求項44に記載の装置。
- 前記力発生モーターは直流(DC)モーターである、請求項53に記載の装置。
- 前記マイクロ溝生成装置は材料の表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度及び前記表面への侵入を制御するためのアライニングアセンブリをさらに含む、請求項44に記載の装置。
- 前記垂直移動アセンブリは、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が前記アライニングアセンブリを介して回転移動に変換されるように運動を前記アライニングアセンブリに伝達し、それによって前記マイクロ溝生成エレメントによって材料の表面へ向かう接近角度及び前記表面への侵入を制御する、請求項55に記載の装置。
- 前記力印加アセンブリは1組の力印加部材を含む、請求項44に記載の装置。
- 前記力印加アセンブリがばねである、請求項57に記載の装置。
- 前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)は約10ナノメートルから約10000ナノメートルまでの範囲である、請求項44に記載の装置。
- 前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ(侵入)の増分(ステップ)最小単位は約3ナノメートルから約7ナノメートルまでの範囲である、請求項44に記載の装置。
- 前記マイクロ溝生成エレメントは材料の表面の垂直傾斜を測定するために使用される、請求項44に記載の装置。
- 材料上のターゲットエリア又は対象領域内の形状特徴に隣接した材料の所定の数の層を引き離すために使用される、請求項44に記載の装置。
- 材料の表面上のターゲットエリア又は対象領域を少なくとも1つのマイクロ溝を介してマーキングするために使用される、請求項44に記載の装置。
- (a)材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化する細かいセクション化ブレードと、
(b)セクション化によって、前記ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させる粗いセクション化ブレードと、
(c)前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの両方を駆動するセクション化ブレードドライブシャフトと、
(d)前記ブレードドライブシャフトを回転させるセクション化ブレードドライブシャフトモーターと、
(e)極低温セクション化プロセス中に、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御し、(i)極低温流体、(ii)極低温流体リザーバ、(iii)前記極低温流体リザーバ内に存在する前記極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に前記極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ、及び、(iv)極低温流体出口ノズルサブアセンブリを含む極低温流体供給・制御アセンブリと
を備える、材料を極低温セクション化する装置。 - 前記セクション化ブレードのセクション化深さを較正するために前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの少なくとも一方の直径を測定するための測定ピンアセンブリをさらに含む、請求項64に記載の装置。
- (a)円筒形、長方形、及び台形からなる群から選択された幾何学的な構造、形態、又は形状を有し、前記円筒形構造の直径が約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲であり、前記長方形構造の断面又は側面が約6ミクロンから約25ミクロンまでの範囲であるマイクロサイズマスキングエレメントと、
(b)マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリと、
(c)電気接点アセンブリと、
(d)ハウジングアセンブリと、
(e)y軸移動サブアセンブリと、
(f)z軸移動サブアセンブリと、
(g)光ビーム遮断センサアセンブリと
を備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる装置。 - 前記マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリは前記マイクロサイズマスキングエレメントを保持し、前記マイクロサイズマスキングエレメントに電流を伝達する導電性ワイヤを含む、請求項66に記載の装置。
- 予め極低温セクション化された材料の表面へ前記マイクロマスクを接着するために使用される、請求項66に記載の装置。
- 前記マイクロマスクは約50ナノメートル〜約150ナノメートルの範囲の位置決め精度で表面の所定の位置に接着される、請求項66に記載の装置。
- (a)サンプル前駆体をサンプル前駆体保持ユニットに載せるステップと、
(b)運搬・位置決めユニットを用いて、前記サンプル前駆体保持ユニットを運搬しかつ位置決めするステップと、
(c)光イメージングユニットを用いて、前記サンプル前駆体に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視するステップと、
(d)ピックアンドプレイスユニットを用いて、前記サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップと、
(e)前記マイクロ溝生成ユニットに含まれるコンポーネントによって前記サンプル前駆体の表面の各前記マイクロ溝の深さが制御され、マイクロ溝生成ユニットを用いて、前記サンプル前駆体の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、
(f)極低温セクション化ユニットを用いて、調製されたサンプルを形成するために、前記サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップと
を備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法。 - (a)マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリを準備するステップと、
(b)アライニングアセンブリを用いて、前記マイクロ溝生成エレメントによって、材料の表面へ向かって接近する角度及び材料の表面への侵入を制御するステップと、
(c)垂直移動アセンブリを用いて、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が回転移動に変換されるように、前記アライニングアセンブリへ運動を伝達するステップと、
(d)力印加アセンブリを用いて、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントに印加するステップと
を備える、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成する方法。 - (a)細かいセクション化ブレードを用いて、材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化するステップと、
(b)粗いセクション化ブレードを用いて、セクション化によって、前記ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させるステップと、
(c)セクション化ブレードドライブシャフトを用いて、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの両方を駆動するステップと、
(d)セクション化ブレードドライブシャフトモーターを用いて、前記ブレードドライブシャフトを回転させるステップと、
(e)(i)極低温流体と、(ii)極低温流体リザーバと、(iii)前記極低温流体リザーバ内に存在する前記極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に前記極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリと、(iv)極低温流体出口ノズルサブアセンブリとを含む極低温流体供給・制御アセンブリを用いて、極低温セクション化プロセス中に、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御するステップと
を備える、材料を極低温セクション化する方法。 - (a)マイクロ溝生成ユニットを用いて、材料の表面に少なくとも1個のマイクロ溝を生成するステップと、
(b)前記生成された各マイクロ溝がマークとしての機能を果たすためにマクロマスクに関して延長され、それによって、後でセクション化手順の対象とされる間に、光イメージング装置によって視認されるように、接着インターフェイスアセンブリを用いて、所定の場所にあり、所定の構造(姿勢)に従うマクロマスクを材料の表面に接着させるステップと
を備える、マクロマスクを材料の表面に接着させる方法。 - (a)ピックアンドプレイスユニットを用いて、材料の表面の専用エリア上に接着剤を塗布するステップと、
(b)運搬・位置決めユニットを用いて、前記接着剤が塗布された前記専用エリアをマイクロサイズマスキングエレメント下に置くステップと、
(c)前記運搬・位置決めユニットのz軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントを前記接着剤へ制御可能に浸漬させるステップと、
(d)前記z軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントに焦点を合わせるステップと、
(e)前記z軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントを光イメージングユニットの焦点から垂直方向へ移動させるステップと、
(f)前記運搬・位置決めユニットを用いて、焦点から外される前に、前記マイクロサイズマスキングエレメントによって前に占領されていた位置と一致するように、材料のターゲット形状特徴を位置決めするステップと、
(g)前記z軸移動サブアセンブリを用いて、材料の表面と接触するまで下へ前記マイクロサイズマスキングエレメントを垂直方向に移動させるステップと、
(h)前記マイクロサイズマスキングエレメントを加熱しかつ硬化させるために、前記マイクロサイズマスキングエレメントに電流を印加するステップと、
(i)前記マイクロサイズマスキングエレメントのエッジをトリミングするために、前記マイクロサイズマスキングエレメントのエッジに印加された前記電流を増加させるステップと
を備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる方法。
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