TW408364B - Stage apparatus, scanning exposure apparatus and method and the device produced by the way - Google Patents

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Description

408364 A1 B7 _ _____ 五、發明説明（/ ) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於在以光學微影(lithography)過程來製造半 導體電路元件及液晶顯示元件等的電路元件(device)時所使 用的掃描型曝光裝置及掃描曝光方法，詳細而言’係與適 合於使用9英吋(inch)以上的大型光罩的掃描曝光的掃描型 曝光裝置及掃描曝光方法、及、以該方法所製造的元件有 關。 :¾15 "^"讀开而之注意事項再^巧本頁) 特別是，本發明在後述的共通目的下約包含以下的5 種槪念。第1槪念係關於使具有大型的圖案或是區畫了的 複數的圖案的光罩與基板同步移動’並使大型的圖案對準 到基板上或是使該複數的圖案重合至基板的同一區域(area) 以進行轉寫的掃描曝光方法及裝置，第2槪念係關於具有 傾斜的延伸於相對於台的移動方向的反射鏡及將測長光束 (beam)送至此反射鏡的干涉計的台裝置’譬如說’三角形 狀的台裝置及包含此台裝置的掃描曝光裝置’第3槪念係 關於使第2可動體及第1可動體分別懸浮於定盤上並將其 支撐的偏荷重防止台裝置及包含此台裝置的掃描曝光裝置 ，第4槪念係關於在使光罩及基板同步移動的掃描曝光中 ，在掃描曝光了區劃於基板上的區域之後’在對下一區劃 區域進行掃描曝光時，對在與掃描方向垂直的方向控制基 板的步進移動（stePPing)的時刻(timing)及在掃描方向控制 基板的掃描(scanning)移動的時刻’第5槪念係關於在掃描 曝光中，爲了縮短用以使光罩及基板同步的調整時間，而 控制光罩或是基板移動時的加速度。在本書的「用以實施 _____________________4_ （rNS)A4叱(2Η)κ29?公兑） 408364 Λ7 B7 一立、發明説明（7) 發明的最佳形態」欄的一開始便記載了這些槪念的具體說 明。 ： [習知技術] 現在在製造半導體元件的工廠係以使用波長爲365nm 的水銀燈(lamp)的i線來做爲照明光的縮小型投影曝光裝置 ，並使用所謂的步進機(stepper)來量產製造最小線寬約爲 〇.3~〇·35μπι左右的電路元件（64M(百萬(mega))位兀(bit)的 j>RAM)。同時，也開始要導入用以量產製造具有256M位 元、1G(十億(giga))位元的D-RAM的集集積度，最小線寬 在0.25μιη以下的次世代的電路元件的曝光裝置。 、π 泉 以做爲製造此次世代的電路元件用的曝光裝置而言’ 最被看好的是使用以來自於KrF準分子雷射(excimer laser) 光源的波長爲的紫外線脈衝雷射(pulse laser)光’或 是以來自於ArF準分子雷射光源的波長爲193nm的紫外線 脈衝雷射光來做爲照明光，並藉由使描畫了電路圖案的光 罩或是標線(reticule)(以下，將其總稱爲「標線」）及做爲 感應基板的晶圓(wafer)對縮小投影光學系統的投影視野做 相對的一度空間掃描，而重複的進行將標線的電路圖案全 體轉寫至一個攝影區域內的掃描曝光動作、及、攝影間的 步進動作，的步進掃描(step and scan)方式的掃描型曝光裝 置。 以此步進掃描方式的掃描型曝光裝置而言，一開始被 商品化並在市面上販售的是搭載了折射光學元件（透鏡 (lenz)元件)及反射光學元件(凹面鏡等)的所構成縮小投影光 .-_______________________________________5 木紙乐八及洸川 tK.i.vm ( rNS ) A-1/½ (7!0·/297λ># ) 408364 at ______________- 五、發明説明（）） 學系統的Perira Elmer公司的Micra Scan曝光裝置。如詳 細的說i明於，譬如說，1989年的SPIE，Vol. 1088的 p424~433的，此Micra Scan曝光裝置係經由限制爲圓弧狹 縫(slit)狀的有效投影區域，而將標線的圖案的一部份持續 的投影至晶圓上，並藉由以對應於投影倍率(縮小1/4)的速 度比來使標線及晶圓做相對移動而使晶圓上的攝影區域曝 光。 再者，以步進掃描方式的掃描型曝光裝置而言，譬如 說，在特開平2-229423號公報及對應於此的美國專利第 4,924,257號已經開示了以準分子雷射光來做爲照明光，並 將具有圓形的投影視野的縮小投影光學系統的有效投影區 域限制爲多角形(六角形），並對此有效投影區域的非掃描 方向進行部分的重疊攝影(overlap)的方法，即是所謂的組 合掃描縫補(scan and stitching)法。再者，採用此種掃描曝 光方式的投影曝光裝置也已經開示於，譬如說，特開平4-196513號公報及對應於此的美國專利第5,473,410號公報 '特開平4_277612號公報及對應於此的美國專利第 5,194,893號公報、特開平4-307720號公報及對應於此的 美國專利第5,5〇6,684號公報。 在如上所述的以往的掃描型曝光裝置中，係使用6英 吋以下的標線，而由於兀件規則（device rule)也是在 0‘2HmL/S(線及間隔（line and space))以上，因此係介由具有 1/4投影倍率的投影光學系統來進行掃描曝光。 因此，在步進掃描方式的掃描型曝光裝置中，由於係 ______— __6_____ 木紙讯尺度竓川中K W家杜rNS )，\4现格（210X297公筇） I ____. 1.____C _____I 1_-__丁 ----------I_ 私 -* 、-ΒΛ. (ΪΛ先閱讀背'^之泣总事項蒋楨巧本页) A7 408364 五、發明説明（〇) 一邊以特定的掃描速度來移動標線台(reticule stage)及晶圓 台(wafer stage)，一邊進行曝光，所以需要在曝光開始前做 前置掃描(pre-scan)(到達目標速度(曝光時的掃描速度)爲止 的加速+在加速完成後使其速度會在特定的誤差範圍內到達 其目標速度爲止的調整動作）。再者，在步進掃描方式的掃 描型曝光裝置中，在將標線的圖案依序轉寫至晶圓上的複 數的攝影區域（以下，將其稱爲適宜「攝影」）的場合，爲 了要改善其生產量，而通常係藉由使標線做交互掃描(往復 掃描），而來依序對下一次攝影進行曝光。因此，再對一次 攝影完成標線圖案的轉寫之後，需要使標線從曝光完成時 的位置再移動與曝光開始前的前置掃描時的移動距離相同 的距離，而進行使標線回到用以進行下一次曝光的掃描開 始位置的動作(後置掃描(over scan))。因此，在對與步進掃 描方式等的一括曝光裝置的攝影尺寸(shot size)相同大小的 攝影區域進行曝光的場合，由於掃描曝光前後的上述前置 掃描及後置掃描，其生產能可能會比一括曝光裝置爲低。 在掃描型曝光裝置中，除了前置掃描及後置掃描之外 ，也需要有將晶圓的曝光區域移動至下一次攝影(鄰接於前 述的這一次攝影的非掃描方向的其他的攝影)的動作，即是 所謂的步進動作。 以往，此晶圓在攝影間的移動係依照以下的（1卜(3)的 順序而進行。（1)在完成曝光後，將晶圓台（基板台）移動至 與下一次攝影的掃描開始位置相同的掃描方向的座標位置 ，（2)使其在非掃描方向步進，直到到達下一次攝影的掃描 ___________2____ ^紙張又度巧/ii屮网(CNS)A4規格（公荩） -先間請^'而之注汸事項再"寫本頁 Ή " 408S64 五、發明説明（<) 開始位置爲止，（3)開始用以進行下一次攝影的曝光。因 此，晶轉係沿著]字型的路徑移動。 對曝光裝置而言，改善其生產能（處理能力）是其最重 要的課題之一，由於必須要達成此改善其生產能之課題， 而必須使掃描曝光時標線的加減速度變大，譬如說，0.5G —4G、也必須使最高速度變大，譬如說，350mm/S — 1500mm/s，而晶圓台在掃描曝光時的加減速度、最高速度 也會隨之而以投影倍率1/n的比率而變大》因此，在曝光 前後所必要的前置掃描時及後置掃描時的移動距離也必須 要隨之而變長。但是，在前置掃描時及後置掃描時的移動 時並沒有在進行掃描曝光，而此距離的增長會有會使其生 產能變差的缺點。 在上述的以往的掃描型曝光裝置中，係使用在2度空 間平面(ΧΥ平面）內移動的四角形的ΧΥΖ台(stage)。而且 ’在此XYZ台的XY座標系統上的位置測量係使用，相對 於沿著XYZ台的垂直的2邊而設置的反射面(亦稱爲移動 鏡）’分別垂直的照射測長光束的干涉計。近年來，晶圓的 尺寸有由8央吋變爲12、14、16英时的大型化傾向，因此 支摟晶圓的晶圓台也有大型化、重量化的傾向。而由於必 須使干涉測量長軸不會因爲前述前置掃描時及後置掃描時 的移動距離的增加而偏離移動鏡反射面，^以移動鏡會大 型化’而晶圓台也必然會有隨之而大型化 '重量化的傾向 。此種晶圓台的大型化、重量化必然會使晶圓台的位置控 制應答性變差’因此，調整時間會變長，由本來的改善其 ---------------8_ __ 木紙尺度孓桴十（ΓΝΜ八4悅格（210x297公你> 1 I I I —^1. - : in I -—— t -- —^n I i _1 T# 1^1 --- . -- - i 1^1 I v> 、ya.Ai. 408364 at ΙΪ7 ----------------------- ________ I、發明説明（6 ) 生產能的觀點而言，會有雖然加減速度、最高速度增加但 愚結果隹產能卻變差的缺點。 訂 而且’由改善晶圓台的位置控制精確度的觀點而言， 爲了要測量晶圓台的旋轉，會需要使干涉計的測長軸複數 化’而會需要使用具有2軸以上的測長軸的干涉計來控制 晶圓台的位置。再者，也要進行所謂的雙路徑(double pass) 化’以使晶圓台的旋轉不會妨礙到干渉測量長。這些干涉 計的測長軸複數化及雙路徑化均一定會造成移動鏡長的變 長’而更會使台具有大型化、重量化的傾向。再者，晶圓 台的大型化有可能會造成晶圓台移動面積的增加及裝置設 置面積的增加(軌跡(foot print)的增加)等的缺點。如上所述 的由台的大型化所造成的缺點並不僅限定於曝光裝置，只 要是具備決定位置用的移動台的裝置及機器均會有相同的 問題。 再者，近年來元件規則已經是在0.2pmL/S以下，爲 了要以很好的精確度將此種圖案轉寫至圓台上，需要使用 KrF準分子雷射或是ArF準分子雷射來做爲照明光。但是 元:件規則將來一定會變得更小，以能夠對應這種元件規則 的下一代曝光裝置的候補而言，雖然已經有人提出了 X光 曝光裝置、EB曝光裝置(電子束曝光裝置)等，但是相較於 光曝光裝置，其技術上的障礙(hurdle)較高k具有生產能顯 著較低的問題。 而且，對元件而言，由於已經導入平坦化技術，圖案 段差及光阻(photo-resist)厚度均變得非常薄，所以介由對 —-_______ 9 __________ 木紙体尺度⑷丨7^1^^7~( (，NS )八4叱格（210.〆M7公筇） 408364 Λ7 B7 五、發明説明（7) 同一晶圓進行2次曝光並將使焦點深度增加的二重曝光法 使用於KrF或是ArF曝光裝置，便可嘗試曝光至〇.1μιηΐ73 爲止。但是，二重曝光法由於需要使用複數的標線來進行 複數次的曝光處理，因此相較於以往的裝置，其曝光處理 所需要的時間會至少增加一倍，而會有其生產能大幅下降 的缺點。 相反的，將二重曝光法使用於KrF或是ArF曝光裝置 ’便可以實現曝光至O.lpmL/S爲止，所以一定會是開發以 256M位元〜4G位元的DRAM量產爲目的的下一代機的有 力候補’因此必須要趕快開發出用以改善做爲會成爲瓶頸 (neck)的二重曝光法的最大缺點的生產能的新技術。 本發明係爲了要解決以上所述的以往技術的缺點，其 第1目的在於提供：能夠以高生產能來實現使用爲係圖案 的高精確度曝光的掃描型曝光裝置及掃描曝光方法。 本發明的第2目的在於提供：適合於多重曝光的掃描 型曝光裝置及掃描曝光方法。 本發明的第3目的在於提供：能夠使台小型•輕量化 的台裝置。 本發明的第4目的在於提供：具備小型•輕量化了的 台的掃描型曝光裝置。 本發明的第5目的在於提供：能夠使曝光裝置的台小 型•輕量化的曝光方法^ 本發明的第6目的在於提供：製造新型的掃描型曝光 裝置的方法。 --------10 本紙仏尺度询川中阀丨K.m. ( (，MS ) 格（210X297公筇） 对1閱讀·?1)'而之注竞事項再^寫本页) 訂 ίΡ^364 五、發明说明（/ ) 本發明的第7目的在於使用本發明的曝光裝置及曝光 方法來焊供微小兀;件(micro device)。 {"先間讀背而之..11·"事項""朽本頁) [發明之開示] 本發明的第A態樣的掃描型曝光裝置係一種同步的移 動光罩(R)及基板(W)，並經由投影光學系統(PL)而將前述 光罩的圖案轉寫至前述基板的掃描型曝光裝置，係具備： 配置於前述投影光學系統的物體面側的光罩台(RST)、及、 配置於前述投影光學系統的像面側的基板台（WST)、及、 配置於前述光罩台，並係沿著與前述光罩的同步移動的第 1方向垂直的第2方向而配置的複數的角落立方體(corner cube)(31Yl、31Y2、31Y3)、及、使測長光束(ιγ)沿著前述 第1方向而照射至前述光罩台，而且接受由依據前述光罩 台在前述第2方向的位置所選擇的前述複數的角落立方體 之一所反射的測長光束而受光的第1干涉計(30Y)。 在此曝光裝置中，由於複數的角落立方體係沿著與光 罩的同步移動的第1方向(掃描方向)垂直的第2方向(非掃 描方向)而配置於光罩台，且係具備使測長光束沿著第1方 向而照射至光罩台，而且接受由依據光罩台在第2方向的 位置所選擇的複數的角落立方體之一所反射的測長光束而 受光的第1干涉計，所以第1干涉計便能夠由依據光罩台 在第2方向的位置所選擇的複數的角落立方體之一的反射 光而管理光罩台在第1方向的位置。因此，若是光罩台在 第2方向的位置係位於複數的鏡子(mirror)之一所選擇的位 置，則第1干涉計會持續的管理光罩台在第1方向的位置 •^紙張尺政琏）丨〗t W W ΐ打:今((.NS ) Μ现格（2!〇Χ297公势 + ) A7408364 B7 五、發明説明（Ί ) ’而藉由使基板台在第1方向與光罩台同步的移動，便能 夠使光軍的圖案經由投影光學系統而轉寫至基板上，而能 夠不需交換光罩即可經由投影光學系統而將光罩上的複數 的部分區域或是光罩上的複數區域的圖案轉寫至基板上。 再者，在此場合，由於是經由被測長光束照射的角落立方 體而由第1干涉測量量出光罩台在第1方向的位置，所以 在使光罩台及基板台在第1方向同步的移動之前(或是在此 同步移動中），即使是與以往相同的對光罩台進行旋轉控制 ，由於從角落立方體送回的光束也永遠會與來自於固定鏡 側的參照光束重合，因此便能夠正確的管理掃描曝光中的 光罩台在第1方向（掃描方向）的位置。因此便能夠藉由使 用大型光罩來以縫補(stitching)來實現大面積的曝光，而能 夠改善其生產能，再者，藉由對光罩台進行旋轉控制便可 進行高精確度的曝光。再者，即使是在進行二重曝光等的 多重曝光的場合，由不需交換光罩這一點便能夠改善其生 產能，並能夠由改善焦點深度來改善其曝光的精確度。 在本國際專利中，用語「角落立方體」係指至少具有 2個反斜面，且此2個反斜面所構成的角度係規定爲直角 的反射部材，也稱之爲「角落反射器(comer reflector)」或 是「角落立方體反射器(corner cube reflector)」。本專利申 請人已經在特開昭62-150106號公報(及對應於此的美國專 利）開示了使用角落立方體的曝光裝置，在指定國的國內法 令所允許的範圍內，援用這些開示來做爲本文的一部份。 在第A態樣的掃描型曝光裝置中，爲了要將前述光罩 ______________12_— 木紙张尺度^ 十Η Kt (，NS ) Λ4^格（2丨0X297公笳） ------------------訂-------線 (-•1闓讀介而之注总事項再"3本页) 408364 Λ7 B7 五、發明説明（/〇 (R)的圖案轉寫至前述基板(W)，更具備了：使前述光罩台 (RST)沿著前述第1方向至少往返1次，而且在前述往返移 動之間使前述光罩台沿著前述第2方向移動的驅動控制系 統（33，80)，而前述複數的角落立方體（31Y1 ' 31Y2、 31Y3)之中的2個最好是配置爲其之間的距離係對應於前述 光罩台在前述第2方向的移動量。在此場合，爲了要將光 罩的圖案轉寫至基板，驅動控制系統會使光罩台沿著第1 方向至少往返1次，而且在此往返移動之間使光罩台沿著 第2方向移動，但是由於複數的角落立方體之中的2個係 配置於在第2方向上距離對應於此移動量的距離，因此不 論是在移動前後的任何一個位置，第1干涉計均可確實的 管理光罩台的位置，而能夠在光罩台的1次往返移動之間 使光罩上不同區域的圖案轉寫至基板上的同一區域或是不 同的區域。在此場合也不需要進行光罩交換。再者，2個 角落立方體在第2方向的距離並不需要是與光罩台在第2 方向的移動量相同，只要是在此光罩台的移動前後，第1 干涉計的測長光束可分別照射到此2個角落立方體的距離 即可。 本發明的第B態樣的掃描型曝光裝置係一種使光罩(R) 及基板(W)同步並持續的使其在第1方向做相對的移動， 並經由投影光學系統(PL)而將形成於前述^；罩的圖案轉寫 至前述基板上的掃描型曝光裝置，係具備：支撐前述光罩 並使其可做2度空間移動的光罩台(RST)、及、支撐前述基 板並使其可在前述第1方向移動的基板台(WST)、及、設 ______________13__ 木紙队尺度询川中闽网家社々((「NSJ八4岘格（210X297公犛） ~ ~ -1閱請背而之：1Χ意事項再填寫本頁) 訂 " _____________________B7 五、發明説明（丨丨） 置於則述光罩台，並沿伸向前述第1方向的第丨反射面 (84a)、及、設置於前述光罩台，並以特定間隔的配置於與 前述第1方向垂直的第2方向的複數的角落立方體(31Υ1、 31Υ2、31Υ3)、及、依據前述光罩台在前述第2方向的位 置而使前述第1方向的測長光束(ΙΥ)照射至前述複數的角 落立方體之一’並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在 前述第1方向的位置的第1干涉計(30Υ)、及、使前述第2 方向的測長光束(1X1)照射至前述第1反射面(84a)，並藉由 接受其反射光而測量前述光罩台在前述第2方向的位置的 第2干涉計(30X1)。 在第B態樣的裝置中，光罩台在前述第2方向的位置 係由第2干涉計所測量，第1干涉計則依據此位置而將第 1方向的測長光束照射至複數的角落立方體之一，第1干 涉計並藉由接受此反射光而測量出光罩台在前述第1方向 的位置。因此’能夠不需交換光罩即可經由投影光學系統 而將光罩上的複數的部分區域或是光罩上的複數區域的圖 案轉寫至基板上，也能夠正確的管理掃描曝光中的光罩台 在第1方向（掃描方向）的位置。因此便能夠藉由使用大型 光罩來以縫補來實現大面積的曝光，而能夠改善其生產能 ，再者，藉由對光罩台進行旋轉控制便可進行高精確度的 曝光。再者，即使是在進行二重曝光等的多重曝光的場合 ，由不需交換光罩這一點便能夠改善其生產能’並能夠由 改善焦點深度來改善其曝光的精確度。 此處，「以特定間隔的配置於第2方向」不僅僅是指 J,v;l聞讀背而之注竞事項再"'朽本頁) 訂 ίϋ： C NS ) Λ4*1ί.^ ( 2IOX297/,>JSi ) ' i,!?Ai•部个士"u li ''ii— 4QV364 B7 " _____ 五、發明説明（\>) 在第2方向的同一値線上將複數的角落立方體以特定間隔 的配列的場合，也包含了複數的角落立方體在第2方向的 位置座標成分互相不同的場合。譬如說，在以第1方向做 爲X軸及以第2方向做爲Y軸的X-Y座標(XI-Y1)、（X2-Y2)來分別代表2個角落立方體的位置時，只要是XI不等 於X2即可，Y1等於Y2或是Y1不等於Y2均無所謂。再 者，特定間隔只要是預先設定的任意間隔即可。即是’光 罩台是矩形，而2個角落立方體係配置於延伸於第2方向 的台側面也可以，或者是，一方的角落立方體係配置於台 側面而另一方的角落立方體係配置於台面內也可以。 雖然複數的角落立方體的配置有各種的可能，但是前 述的複數的角落立方體(31Y1、31Y2)也可以是被設置於分 別對應於沿著前述光罩上的第2方向而配置的複數區域(P1 、P2)。在此場合，除了能夠將任何一區域的圖案轉寫之外 ，也能夠使用對應於此區域的角落立方體而由第1干涉計 來確實而正確的管理光罩台在第1方向的位置。 在此場合，前述的複數的角落立方體最好是也包含了 配置於前述光罩台在第2方向的中央部的角落立方體 (31Y3)。在此場合，可適合於使用在光罩上配置了複數的 圖案區域的光罩的二重曝光等的多重曝光及縫補，而且不 需交換光罩即可實現多重曝光。 “ 在第Β態樣的裝置中，也可以是也具備了可依據前述 光罩台(RST)在第2方向的位置資訊而將前述的第1干涉計 (30Υ)重置(reset)的重置裝置（33)。在此場合，在光罩台在 ______________15______ 木紙乐尺度珣州中W 彳ΐ々(rNS )八4圯格（2丨《>< 297公及） --------->t‘------訂------線 u?先閱請背而之注意事項再填巧本頁)
朽淖部十斗行導xjnJ.ii'ifrA»;ir和印V 4QS364 五、發明説明（〇) 第2方向的移動中’在第1干涉計的測長軸接觸至任何一 個角落立方體的瞬間’可依據光罩台在第2方向的位置資 訊而能夠將前述的第1干涉計重置。此處，重置並不一定 是指使干涉計的測量値歸零，而是指回到零以外的特定的 値。 在第B態樣的裝置中，最好是也設置了使前述第2方 向的測長光束從與前述第2干涉計(30X1)的相反側照射至 前述光罩台(RST)的第3干涉計(30X2)，而且前述光罩台也 具有與來自於前述第3干涉計的測長光束所照射的前述第 1反射面（84a)平行的第2反射面（84b)，並具備了可至少依 據第2及第3干涉計的測量値之一而計算出前述光罩台在 第2方向的位置的演算裝置（33)。在此場合，由於演算裝 置係至少依據第2及第3干涉計的測量値之一而計算出光 罩台在第2方向的位置，所以在演算裝置中便能夠在第2 、第3干涉計之中，使用分別至其反射面爲止的測長光束 較短的一方的測量値來計算光罩台在第2方向的位置，而 能夠使光罩台的旋轉對測量値的影響變小，而在第2方向 也能夠更正確的求出光罩台的位置。再者，在演算裝置中 ，在第2 '第3干涉計之中，在分別至其反射面爲止的測 長光束的長係約略相同的場合，也能夠藉由依據第2、第3 干涉計的差的1/2而求出光罩台在第2方向的位置，並藉 由平均化效果來更正確的求出光罩台的位置。 而且，前述演算裝置（33)也可以是對應與做爲一種前 述光罩台(RST)的位置資訊的前述投影光學系統(PL)的投影 _________16_____ 本紙怅八度询⑴中阁丨( (，NM 格（210x 297公釐） 41聞讀背而之.;14寧頊再读巧本頁) -訂 Φ 408364 A7 —~ ______________B7_______ 五、發明説明（，:ψ ) 視野對向而位置的前述光罩(R)上的區域(PI、P2)的資訊， 並依據前述第2及第3干涉計的測量値之一或是兩方來求 出前述光罩台在第2方向的位置。 在第A及第B態樣的裝置中，也可以是將特定的基準 標誌（mark)(Mrl、Mr2)配置於前述基板台（WST)上，而且 爲了要依據前述光罩台(RST)在第2方向的位置而對前述第 1干渉計(30Y)進行重置，而也具備了使用前述基準標誌來 測量前述光罩(R)及前述基板台（WST)的位置關係的測量裝 置(5〇、110)。在此場合，在測量裝置依據光罩台在第2方 向的位置而對第1干涉計進行重置時，由於是使用基準標 誌來測量光罩及基板台的位置關係，所以是對光罩上的不 同區域進行曝光，而即使是使光罩台在第2方向移動也不 會有會使光罩及基板重合的精確度變差的問題。 在第A及第B態樣的裝置中，也可以是具備了 ：支撐 前述投影光學系統(PL)的第1架台（16)、及、配置了前述 光罩台(RST)的第2架台(26，28)、及、支撐前述第1架台 的防震裝置(20)、及' 具有設置於配置了前述防震裝置的 地板上’並將對應於由前述光罩台的移動所產生的反作用 力的力供應至前述光罩台或是前述第2架台的致動器 (actuator)(74R ’ 74L)的框架（frame)(72)。在此場合，由於 致動器會將對應於由光罩台的移動所產生的反作用力的力 供應至光罩台或是第2架台，所以便能夠防止在光罩台的 加減速時的震動經由第2架台而被傳播至第丨架台。在此 場合’最好是也具備了：載置於前述防震裝置的底板(base _______17 本紙ft尺州十W 1ϋ彳ΐ々（ΓΝίΠ Λ4叱格（210x 297公势) ：
---------11·--1----訂------Φ (-I間請背而之-;i意事項再續巧本頁J
I ίί νίό ϊί ；fi i\· 印 408364 A7 B7 五、發明説明（、< ) plate)、及、連接前述底板及前述框架的彈性體。這是由於 在此場合，彈性體能夠防止震動在第1架台及框架相互間 的傳達。 再者，在第A及第B態樣的裝置中，前述第1干涉計 (30Y)的測長光束的延長線最好是與前述投影光學系統(PL) 的光軸相交。這是由於在此場合，不會有所謂的阿倍 (abbe)誤差而能夠正確的測量出光罩台在第1方向的位置 在第B態樣的裝置中，前述第2干涉計(30X1)最好是 使2條測長光束(1X11，1X12)係沿著前述第2方向而照射 至前述第1反射面(84a)，且前述的2條測長光束之一的延 長線最好是與前述投影光學系統(PL)的光軸相交。在此場 合，延長線與前述投影光學系統的光軸相交的測長光束不 會有所謂的阿倍誤差，而能夠正確的測量出光罩台在第2 方向的位置，而且能夠使2條測長光束獨立的進行位置測 量，並可依此結果而測量出光罩台的旋轉。 再者，在第B態樣的裝置中，當然前述第1反射面 (84a)可以是在光罩台上設置由平面鏡所構成的移動鏡並利 用其反射面，但是前述第1反射面(84a)最好是形成於前述 光罩台(RST)的側面。這是由於在此場合可由此而能夠使光 罩台輕量化。 本發明的第C態樣的方法係一種使支撐光罩(R)的光罩 台(RST)及支撐基板(W)的基板台（WST)同步並持續的使其 在第1方向做相對的移動，並將形成於前述光罩的圖案轉 (#先間請背而之注意事項再ί/ίί-:7本頁) 訂 木紙伖尺度埤州中剛与孓標々（nss ) ΛΊ现格（210X297公穿） ΐ.ί·Μ.邓中决代Ήτ.ίΐί价 <=朽权印V. ___^ B7_______ 五、發明説明（J) 寫至前述基板的掃描曝光方法，係包含：將測長光束(1X1) 照射至沿著前述第1方向而言設於前述光罩台的第1反射 面(84a)，並接受其反射光而管理前述光罩台在第2方向的 位置，而且將測長光束(IY)照射至設置於前述光罩台的第1 角落立方體(31Y1)，並接受其反射光而持續的管理前述光 罩台在第1方向的位置，而將前述光罩上的第1區域(P1) 的圖案轉寫至前述基板上的特定區域的第1掃描曝光過程 '及、將測長光束照射至前述第1反射面，並接受其反射 光而管理前述光罩台在第2方向的位置，而且將測長光束 (IY)照射至與設置於前述光罩台的第1角落立方體不同的 第2角落立方體(31Y2)，並接受其反射光而持續的管理前 述光罩台在第1方向的位置，而將鄰接於前述光罩上的第 1區域的第2方向的第2區域(P2)的圖案轉寫至前述基板上 的前述特定區域的第2掃描曝光過程。 在此方法中，在第1掃描曝光過程中，係依據來自於 第1反射面的測長光束的反射光而管理光罩台在第2方向 的位置，並依據來自於第1角落立方體的測長光束的反射 光而持續的管理光罩台在第1方向的位置，而將光罩上的 第1區域的圖案轉寫至基板上的特定區域。因此，即使是 光罩台具有旋轉等的動作，在第1掃描曝光過程也能夠正 確的管理光罩台的位置。而且，在第2掃掄曝光過程中， 係依據來自於第1反射面的測長光束的反射光而管理光罩 台在第2方向的位置，並依據來自於與第1角落立方體不 同的第2角落立方體的測長光束的反射光而持續的管理光 ---------Α!------11------嗓 (-|?1閱讀货而之注盘事項再^^?本頁) 19 — __ 本紙5屮W 1¾家枕彳1 (，NS 格U10/297公筇） 五、發明説明（|7 ) 罩台在第1方向的位置’而將鄰接於光罩上的第1區域的 第2方向的第2區域的圖案轉寫至基板上的前述特定區域 。因此，即使是光罩台具有旋轉等的動作，在第2掃描曝 光過程也能夠正確的管理光罩台的位置。因此，在藉由使 用不必交換光罩的大型光罩以實現縫補及二重曝光的場合 ，能夠改善其生產能，再者’也能夠藉由控制光罩台的旋 轉來改善重合的精確度，並能夠藉由改善焦點深度來改善 曝光的精確度。 本發明的第D態樣的方法係一種製造出可同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並經由投影光學系統(PL)而將前述光 罩的圖案轉寫至前述基板的的掃描曝光裝置的方法，其特 徵係包含： 設置了投影光學系統(PL)、及、 設置了配置於前述投影光學系統的物體面側的光罩台 (RST)、及、 設置了配置於前述投影光學系統的像面側的基板台 (WST)、及、 設置了配置於前述光罩台，並係沿著與前述光罩的同 步移動的第1方向垂直的第2方向的複數的角落立方體 (31Y1 ' 31Y2、31Y3)、及、 設置了使測長光束(π〇沿著前述第1方向而照射至前 述光罩台，而且接受由依據前述光罩台在前述第2方向的 位置所選擇的前述複數的角落立方體之一所反射的測長光 束而受光的第1干涉計(30Υ)。 ____^20____ _ 本紙仏尺度逆川屮1.¾¾家扰今（> Λ..04格（21()X297公犮） _______________丁------象 ("t""片而之-¾ 事Jr!4iA荇本頁} 4083647 B7 五、發明说明（ 在此方法中’爲了要將前述光罩(R)的圖案轉寫至前述 基板(W)，也設置了至少使前述光罩台(RST)沿著前述第1 方向做1次往返’而且在前述往返移動之間，使前述光罩 台沿著前述第2方向而移動的驅動控制系統(33，80)，而 前述複數的角落立方體(31Y1、31Y2、31Y3)之中的2個最 好是配置爲其之間的距離係對應於前述光罩台在前述第2 方向的移動量。 本發明的第E態樣的方法係一種製造出使光罩(R)及基 板(W)同步並持續的使其在第1方向做相對的移動，並經 由投影光學系統(PL)而將形成於前述光罩的圖案轉寫至前 述基板上的掃描型曝光裝置的方法，其特徵係包含： 設置了投影光學系統(PL)、及、 設置了支撐前述光罩並使其可做2度空間移動的光罩 台(RST)、及、 設置了支撐前述基板並使其可在前述第1方向移動的 基板台(WST)、及、 在前述光罩台設置了沿伸向前述第1方向的第1反射 面(84a)、及、 在前述光罩台設置了以特定間隔的配置於與前述第1 方向垂直的第2方向的複數的角落立方體(31Y1、31Y2、 31Y3)、及、 設置了依據前述光罩台在前述第2方向的位置而使前 述第1方向的測長光束(IY)照射至前述複數的角落立方體 之一，並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在前述第1 -_ ...____21______ 木紙恨尺度適;π屮四1¾家杧々（(.NS ) Λ4现格（210X297公筇) ~ ---------------訂------味 (-•'fc閱讀背而之汰意事項再填艿本頁) Α7 Β7 五、發明説明（β) 方向的位置的第1干渉計(30Y)、及、 設置了使前述第2方向的測長光束(1X1)照射至前述第 1反射面’並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在前述 第2方向的位置的第2干涉計(30X1)。 在此方法中，前述複數的角落立方體最好是被設置爲 分別對應於沿著前述光罩上的第2方向而配置的複數的區 域。 本發明的第F態樣的方法係一種使光罩(R)在第1方向 做往返移動，並沿著與前述光罩上的前述第1方向垂直的 第2方向分別以照明光照射並列的第1及第2區域(P1及 P2)，而且藉由與光罩的移動同步的使基板移動，而將前述 光罩的圖案轉寫至前述基板的掃描曝光方法，其特徵係： 爲了要以前述照明光照射前述光罩上的第1區域(P1)，而 將測長光束照射至設置於支撐前述光罩的光罩台(RST)的第 1鏡子(31Y1)，並依據干涉計(30Y)的輸出而在前述第1方 向驅動前述光罩台，而爲了要以前述照明光照射前述光罩 上的第2區域(P2)，而將前述干涉計的測長光束照射至與 設置於前述光罩台的第1鏡子不同的第2鏡子(31Y2)，並 同時在前述第1方向驅動前述光罩台。 在第F態樣的方法中，在以照明光照射光罩上的第1 區域時，將測長光束照射至設置於支撐光罩的光罩台的第 1鏡子，並依據干涉計的輸出而在第1方向驅動光罩台， 在以照明光照射光罩上的第2區域時，將干涉計的測長光 束照射至與設置於光罩台的第1鏡子不同的第2鏡子，並 22 ""閱讀背而之注总事項再功艿本頁) "t
T ,νν 木紙中 <'N‘S ) 格（210x297公犛) 408364 Α7 Β7 五、發明説明（yO) 同時在前述第1方向驅動光罩台==如此，無論是在進行第 1區域的轉寫時或是在進行第2區域的轉寫時，均是由同 一千涉計來持續的管理光罩台在第1方向的位置，並在第 1方向驅動光罩台’藉由同步的來驅動基板及光罩，便能 夠使光罩上的第1區域及第2區域被轉寫至基板上。在此 發明中，以用以測量光罩台在第1方向（掃描方向）的位置 的鏡子而言’由於並不是單一的長反射面（平面鏡），而是 可使用短反射面（平面鏡等）’所以能夠使成本降低。在此 場合，可以是使用角落立方體來做爲第1鏡子、第2鏡子 。在此場合，由於會是經由照射了來自於千涉計的測長光 束所照射的角落立方體來測量光罩台在第1方向的位置， 所以在使光罩台及基板台在第1方向同步的移動之前(或是 在此同步移動中），即使是與以往相同的對光罩台進行旋轉 控制，由於從角落立方體送回的光束也永遠會與來自於固 定鏡側的參照光束重合，因此便能夠正確的管理掃描曝光 中的光罩台在第1方向（掃描方向）的位置。因此便能夠藉 由使用大型光罩來以縫補來實現大面積的曝光及二重曝光 等的多重曝光，而能夠改善其生產能’再者，藉由對光罩 台進行旋轉控制便可進行高精確度的曝光。 在第F態樣的方法中，也可以是將前述光罩上的第2 區域(P2)重合至轉寫了前述光罩(R)上的第'1區域(P1)的前 述基板(W)上的區劃區域（譬如說S1)而後再進行轉寫，而 在前述區劃區域形成前述第1區域內的第1圖案及前述第 2區域內的第2圖案的合成圖案。在此場合，可不用交換 23 木紙汴尺度询川( (，NS ) Μ現格（乂 297公释) Α7 408364 五、發明( yl ) 光罩便能夠實現二重曝光，而能夠改善其生產能，並能夠 由改善焦點深度來改善其曝光的精確度。
I 再者，在第F態樣的方法中，爲了要依序的將前述光 罩(R)的圖案轉寫至前述基板(W)上的複數的區劃區域(S1、 S2、S3)，可以將前述光罩上的第1區域(P1)依序的轉 寫至前述複數的區劃區域，而且，在前述第2方向移動前 述光罩之後，將前述光罩上的第2區域(P2)依序的轉寫至 前述複數的區劃區域即可。在此場合，在將前述光罩(R)上 的第2區域（P2)轉寫至前述複數的區劃區域（SI、S2、 S3.....)之前，也可以改變前述照明光的強度分布，即是射 出照明光的照明源(譬如說2次光源）的形狀及大小中的至 少一方。在此場合，即使是在適合於光罩上的第1區域的 圖案及第2區域的圖案曝光的照明條件不同的場合，由於 也能夠分別的配合其圖案來設定適當的照明條件，所以能 夠更加改善其曝光的精確度。 在第F態樣的方法中，在以前述照明光照射光罩(R)上 的第1區域(P1)後的前述光罩台(RST)的減速中（或是在光 罩台的第1方向的速度成分變爲零之前），也可以是使前述 光罩台對前述第1方向做傾斜的移動。如此，在第1區域 內的圖案的轉寫之後，在將第2區域內的圖案轉寫至基板 上時，由於光罩台的路徑並不是]字型，而會是沿著更短的 路徑來移動，因此便能夠藉由縮短移動時間來改善其生產 育b。 在第F態樣的方法中’在以前述照明光照射光罩(R)上 24 -先閱請货而之';|-竞亨項再^巧本頁) *-0 木紙乐尺政鸿^丨，丨-MUM 了(_NS ) 格（210X297公筇） ——^08364 R1-___ 五、發明説明（γ) 的第2區域(P2)之前，也可以是使前述光罩台向著前述第1 方向及前述第2方向交叉的方向做加速，以使前述光罩上 的第2區域會接近前述照明光。或者是，在光罩台結束在 第2方向的步進動作之前，或者是，在以前述照明光照射 光罩上的第1區域(P1)之後的光罩台的第2方向的速度成 分變爲零之前，也可以是使光罩台開始向著第1方向做加 速。再者，由生產能的觀點而言，最好是控制光罩台的移 動以使其移動軌跡成爲拋物線狀(或者是U字狀）。 在第F態樣的方法中，在將前述照明光照射至前述光 罩(R)上的第1區域(P1)、及、將前述照明光照射至前述光 罩(R)上的第2區域(P2)之間，最好是不停止的持續驅動控 制前述光罩台(RST)。在此場合，由於光罩台不會停止，因 此使光罩台移動所需要的時間約會是最短。 在第F態樣的方法中，在將前述光罩(R)上的第1區域 (P1)轉寫至前述基板(W)上的第1區劃區域的第1掃描曝光 、及、在將前述光罩上的第2區域(P2)轉寫至與前述基板 上的前述第1區劃區域鄰接的第2區劃區域的第2掃描曝 光之間，最好是不停止的持續驅動控制前述基板台(WST) 。這是因爲在此場合，雖然基板台的移動軌跡並不一定會 是最短(譬如說V字狀），但是由於基板台不會停止，因此 基板台在鄰接區域間的移動（步進)所需要的時間約會是最 短。特別是，在縫補中，在光罩台不會停止而且基板台也 不會停止的持續驅動的場合，從完成第1掃描曝光開始到 第2掃描曝光開始爲止之間的時間會是最短。 ___________25_ 本紙张尺度滴( (.NS ) MR格（2U)x297公筇） -----------I..... m n n HI It T nf n n ____ V*--s•’ (ίΛ先閱讀背而之注*事項再填r-:T本頁) A7 五、發明説明) 在第F態樣的方法中，在前述第2掃描曝光之前，最 好是使前述基板台(WST)向著前述第1及第2方向交叉的 方向做加速。在此場合，基板台會一邊做加速，一邊對著 第1及第2方向傾斜的前進。 在第F態樣的方法中，前述光罩也可以是包含沿著前 述第2方向而配列的第1及第2光罩，而在前述第1光罩 形成了前述第1區域內的第1圖案，而在前述第2光罩形 成了前述第2區域內的第2圖案。即是，在光罩台上也可 以是載置了複數個的光罩。即使是複數個的光罩，在分別 將各光罩的圖案依序轉寫至基板的場合，也還是會具有前 述各發明的作用。 本發明的第G態樣的方法係一種使光罩(R)在第1方 向做往返移動，並沿著與前述光罩上的前述第1方向垂直 的第2方向分別以照明光照射並列的第1及第2區域(P1 及P2) ’而且藉由與光罩的移動同步的使基板移動，而將 前述光罩的圖案轉寫至前述基板的的掃描曝光方法，其特 徵係：在將前述照明光照射至前述光罩上的第1區域、及 、將前述照明光照射至前述光罩上的第2區域之間，係不 停止的持續的移動前述光罩。由此，雖然光罩的移動軌跡 並不一定會是最短，但是由於光罩不會停止，因此從完成 光罩上的第1區域的圖案轉寫開始到第2區域的圖案轉寫 開始爲止的光罩移動時間約略會是最短。 本發明的第G態樣的方法係一種將電路圖案轉寫至基 板(W)的掃描曝光方法，其特徵係包含：使具有前述電路 ------------------26_ 本紙乐尺度ill川巾1¾¾家d ( ΓΜ ) 格（2丨公筇） ---------Λ-------?τ------線 (y先閱讀背而之注意事項再MVCT本页〕 A7 408364 [i7______ 五、發明説明（4 ) 圖案的第1及第2分解圖案的光罩在第1方向移動，並以 照明光照射前述第1分解圖案，並與前述光罩的移動同步 的移動基板，而將前述第1分解圖案轉寫至前述基板上的 區劃區域(譬如說S1)的第1過程、及、沿著前述第1方向 使前述光罩係與前述第1過程逆向的移動，使照明光照射 前述第2分解圖案，並與前述光罩的移動同步的移動前述 基板，而將前述第2分解圖案轉寫至前述基板上的前述區 劃區域的第2過程。由此，在光罩的1往返之間，只要使 基板做1往返便能夠實現使光罩上的第1分解圖案及第2 分解圖案重合於基板上的同一區劃區域而轉寫的二重曝光 ，結果便能夠以良好的精確度將由第1分解圖案及第2分 解圖案所構成的電路圖案轉寫。 在此場合，在前述第1過程及前述第2過程之間，最 好是使前述光罩的移動在前述第1方向及與其垂直的第2 方向的速度成分的至少一方係不爲零。 本發明的第G態樣係提供具備有：支撐基板(W)並使 其可在2度空間平面內移動的第1可動體(WST)、及、設 置於前述第1可動體(WST)，並在前述2度空間平面內沿 伸向特定的第1軸(Y軸)及與其垂直的第2軸(X軸)的交叉 的方向的第1反射面(6〇a)、及、垂直的將測長光束照射至 前述第1反射面，並藉由接收其反射光而測量出前述第1 可動體在第3軸方向的位置的第1干涉計(76X1)、及、依 據前述第1干涉計的測量値而計算出前述第1可動體在前 述第1軸及第2軸所規定的直角座標系統上的位置座標的 ______J7_ _____ 石紙 乂歧 ί 7^ΤΛ4ϋΐ〇χϋ^ ) 一 ---------A------tr----- (¾1間讀背而之.·:ί·竞事邛再填艿本頁) 408364 A7 B7 五、發明説明 演算裝置(78)，的台裝置。 --tf 裳却屮為黑!'. 在本發明的台裝置中，在第丨可動體設置了在2度空 間平面內沿伸向特定的第1軸及與其垂直的第2軸的交叉 的方向的第1反射面，在第1干涉計則藉由垂直的將測長 光束照射至此第1反射面，並藉由接收其反射光而測量出 第1可動體在做爲測長光束的方向的第3軸方向的位置。 譬如說，一開始在將第1干渉計的測長光束照射至第ί反 射面時’將干涉計重置，並將此時的台位置設定爲由第1 軸(Υ軸)及第2軸(X軸)所規定的直角座標系統的原點位虞 (〇，〇)。移動後的台的位置(X，Υ)則可由第1干涉計所測 量的第3軸方向的移動距離、及、第1反射面與第i軸或 是第2軸的交叉角度算出。即是，演算裝置可僅使用第1 干渉計的測量値便能夠計算出第1可動體在第1軸及第2 軸所規定的直角座標系統上的位置座標。由於在第1可動 體上僅設置與上述直角座標系統上的座標軸交叉的方向的 第1反射面便足夠’因此，相較於沿著直角座標系統上的 垂直軸方向而分別在可動體上設置反射鏡，而且要使用複 數的干渉計來分別測量可動體在垂直軸方向的位置的以往 例，本發明可減少干涉計及反射面的數目，並能夠實現具 有簡單構成的台裝置。再者，本發明也能夠使基板的位置 铷量及位置控制單純化。再者，可改善反射面配置的自由 ®，結果便能夠改善支撐基板的第1可動體的形狀的設計 的自由度。結果’以第1可動體而言，便不再需要使用正 方形或是長方形狀等的矩形的台，譬如說，在矩形的台上 28 （<，NS ) Λ4^格（210X297公犮） 經-!;·部十"η^^π-τ;/;4^ 合 K·社 408364 五、發明説明（> ) 傾斜的配置反射面的場合，便能夠除去較此反射面爲外側 的部分。因此，便能夠使第1可動體，即是支撐基板並進 行2度空間移動的台小型化及輕量化。 在此場合’也可以是具備：設置於前述第1可動體 (WST) ’並延伸於前述第2軸方向的第2反射面、及、垂 直的將測長光束照射至前述第2反射面，並藉由接收其反 射光而測量出前述第1可動體在前述第1軸方向的置的第 2干涉計(76Y);且前述演算裝置(78)係依據前述第1干涉 計的測量値而計算出前述第1可動體在前述第2軸方向的 位置座標。譬如說’也能夠以第2干渉測量量第1可動體 在第1軸方向的位置’並使用第1干涉計及演算器來求出 第1可動體在第2軸方向的位置。在此場合，第2反射面 雖然一定需要是配置爲與第1軸垂直，但是第1反射面的 配置有其自由度’而能夠使支撐第1可動體，即是，基板 並使其在2度空間移動的台小型化。 前述演算裝置(78)也可以是同時依據前述第〖干涉計 (76X1)的測量値及依據前述第2干涉計(76Y)的測量値而至 少計算出前述第1可動體(WST)在前述第1軸方向的位置 及前述第2軸方向的位置之一。如此，便能夠由前述第2 干涉計(76Y)的測量値而進行前述第1軸方向的測量，並求 出此結果與第1干涉計(76X1)在第1軸方向的測量結果的 差，而能夠對應於此而對前述第1干涉計(76X1)在第2軸 方向的測量誤差進行補正。由此，便能夠使台持續的小型 化，並能夠以良好的精確度進行前述第1及第2軸方向的 _______________29___— 木紙乐尺度冲（( NS ) ( 210x797/^^ ) — " ---------Λ------------φ (^尤閒"背而之注"事項4功奸？本頁) 406364 五、發明説明) 測量。 再者，也可以是具備：設置於前述第1可動體(WST) ，並在前述2度空間平面內與前述第1軸及與其垂直的第 2軸交叉，並延伸於與前述第1反射面不同方向的第3反 射面(60c)、及、垂直的將測長光束照射至前述第3反射面 ，並藉由接收其反射光而測量出前述第1可動體在第4軸 方向的置的第3干涉計(76X2);且前述演算裝置(78)係依 據前述第1及第3干涉計的測量値而計算出由前述前述第 1軸及第2軸所規定的台座標系統上的前述第2軸方向的 位置。 即是，使用第2干涉計來測量第1可動體在第1軸方 向的位置，第2軸方向的位置便能夠由與第1軸不同的方 向分別測量第1可動體的位置的第1、第3千涉計的測量 値而計算出來。第1、第2及第3反射面是可以配置爲三 角形狀，結果便也能夠將第1可動體本身做成爲三角形狀 。而且，相較於以往的矩形的台，本發明能夠使第1可動 體維持高剛性，並且可獲致相當小型化及輕量化。 在台裝置中，也可以是使前述第1干涉計(76X1)係將 2條測長軸的測長光束在與前述2度空間平面垂直的方向 係互相遠離的照射至前述第1反射面(60a)，並由分別接受 其反射光而在每一個測長軸測量前述第1可動體在第3軸 方向的位置，而前述演算裝置(78)則依據前述第1 +涉計 的前述測量値而計算出前述第1可動體(WST)對前述2度 空間平面的傾斜度。 ______________30 ____ 木紙仏尺度垧州，卜内内家栉肀（（.NS )八4規掊（2i〇x297公泣） ---------Λ------iT-----％ (切1間讀背而之;'.£意事項再4艿本頁) Α7 Β7 五、發明説明（彳） 再者，在台裝置中，也可以是使前述第1干涉計 (76X1)係將在與前述2度空間平面平行的方向係互相遠離 的2條測長軸的測長光束照射至前述第1反射面(60a)，並 由分別接受其反射光而在每一個測長軸測量前述第1可動 體在第3軸方向的位置，而前述演算裝置(78)則也可依據 前述第1干渉計的前述測量値而計算出前述第1可動體 (WST)在前述2度空間平面內的旋轉。 再者，在台裝置中，在第1可動體上配置反射鏡，雖 然也可以是以此反射鏡來做爲上述第1反射面，但是前述 第1反射面(60a)最好是形成於前述第1可動體(WST)的端 面或是側壁。如此，便能夠使第1可動體更輕量化，再者 ，也能夠在與基板垂直的方向使第1可動體的寬度變窄。 而且，前述第1可動體係約爲三角形狀，而前述2度反射 面(60b)則也可以是形成於前述第1可動體的端面。 在台裝置中，在第1可動體係約爲三角形狀的場合， 在3個角落(corner)之中的至少1個角落附近，也可以是具 有會依據前述第1、第2及第3干涉計的至少一個輸出而 在垂直於前述2度空間平面的方向進行驅動的驅動裝置。 在此場合，驅動裝置會依據前述第1、第2及第3干涉計 的至少1個輸出而在垂直於前述2度空間平面的方向進行 驅動第1可動體的各頂角附近的特定3點之內的至少1點 。即是，可調整第1可動體(基板)對2度空間平面的傾斜 。此時，由於係驅動遠離於第1可動體的重心位置的3個 頂點附近，所以便能夠獲致高的控制應答(仰角(tUt))。 31 _____ 本紙尺度逆州（（、S ) Λ4^格（2丨0/297公錄) 4先間讀背而之;i_i.u·事項再填ΐ-:τ本頁) ，y5 灶於部屮屮疔消费合ίί-‘ΐ.)·£Ύ _____^08364 B7 五、發明説明（vl ) 在台裝置中，也可以是前述各干渉計（76X1、76Y、 76X2)將3測長軸的測長光束分別照射至對應的反射面(60a 、60b、60c)，並使其入射點並不配列於同一直線，並由分 別接受其反射光而在每一個測長軸測量前述第1可動體 (WST)在各測長軸的方向的位置，而前述演算裝置(78)則也 可以使用前述第1、第2及第3干涉計之中的任何1個， 或是任何2個，或是3個干渉計的測量値而計算出前述第 1可動體(WST)在前述2度空間平面內的旋轉及對前述2度 空間平面的傾斜度。 在此場合，前述第1可動體(WST)也可以是具有在前 述2度空間平面內移動的第2金屬板(Plate)(52)、及、搭載 於此第2金屬板的測平(leveling)驅動機構(58)、及、由此 測平驅動機構所支撐，並支撐前述基板(W)的第1金屬板 (TB);前述第1、第2及第3反射面係設置於前述第1金 屬板(TB)，而前述測平驅動機構(58)則包含約分別在前述 第1、第2及第3干涉計的測長軸的延長線上的不同的3 點支撐前述第1金屬板，而且在各支撐點能夠在與前述2 度空間平面垂直的方向獨立的進行驅動的3個致動器 (ZACX1 ' ZACY、ZCX2);前述演算裝置(78)貝ij也可以是 具有使用前述第1、第2及第3干涉計的測量値而分別計 算出前述第1反射面、第2反射面、第3反射面對前述2 度空間平面的傾斜度，並依據前述演算裝置的計算結果而 控制前述3個致動器的致動器控制裝置(56)。在此場合’ 由於可依據由各個干涉計所對應測量的反射面的仰角角度 ______32__ 本纸張八yH川屮W W ΐ d ( (’NS > Λ4規格（210X297公f ) (Jl-f先閱讀背而之;£意事項再^本I )
^08364 37 五、發明説明（从） 乂#先間讀背而之注念事項再頊ftT本頁) 而獨立的控制致動器，所以便能夠以良好的效率來確實的 調整其傾斜度。在此場合’在前述第1金屬板(TB)係爲正 三角形狀的場合，最好是將前述3個致動器分別配置於第 1金屬板的正三角形狀的頂點附近。如此便能夠獲致高的 仰角驅動控制應答。 再者，在台裝置中，也可以是具備：定盤(22)、及、 將前述第1可動體(WST)配置於其上部’且係配置於前述 定盤上，且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移 動的第2可動體(38);而前述第2可動體則係對應於由前 述第1可動體的移動所產生的反作用力而移動。這是因爲 如此，由於可藉由第2可動體的重心移動來抵銷(cancel)由 第1可動體的重心移動所造成的重心偏移，所以便能夠將 台裝置全體的重心保持於特定位置。 " 在此場合，最好是也具備：能夠以特定的頻率來驅動 設置於前述定盤(22)上的前述第2可動體(38)的驅動系統 (44)、及、經由前述驅動系統而以數Hz以下的應答頻率來 控制前述第2可動體的位置的控制裝置(78);這是S爲如 此，即使是在定盤傾斜時，也能夠以上述的數Hz以下的 應答頻率來做位置控制，以使第2可動體不會因其自身的 重量而自行移動。 本發明的第J態樣係提供一種將形成於光罩的圖案轉 寫至基板的掃描型曝光裝置，此掃描型曝光裝置係具備： 具有：支撐基板並使其在2度空間平面內移動1的基板 台(WST)、及、設置於前述基板台，並沿伸向與在前述2 ^紙张尺歧地州屮丨屮.y家拉彳T'cns ) A4/W& ( 210X 297*# ) 4083 份 五'發明説明（y) 度空間平面內的特定的第1軸及與其垂直的第2軸交叉的 方向的第1反射面、及、垂直的將測長光束照射至前述第 1反射面，並藉由接收其反射光而測量出前述基板台在第3 軸方向的位置的第1千涉計、及、依據前述第1干涉計的 測量値而計算出前述基板台(WST)在前述第1軸及第2軸 所規定的直角座標系統上的位置座標的演算裝置，的台裝 置、及、
11T 支撐光罩(R)的光罩台(RST)、及、使前述光罩台(RST) 及構成前述台裝置的基板台（WST)同步，並沿著前述第1 軸方向(Y方向)做相對移動的台控制系統(33、78、80)。其 特徵係：在前述台控制系統使前述光罩台及前述基板台做 相對移動時，將形成於前述光罩的圖案轉寫至前述基板台 上的基板(W)。由此，如上所述的，相較於以往的矩形的 台，由於就基板台而言可使用相當小型的三角形狀，所以 ，便能夠改善基板台的位置控制應答性，在台控制系統在 第1軸方向使光罩台及基板台做相對移動時，可縮短同步 調整時間，結果。便能夠改善其生產能。 在第J態樣中，前述第1及第3干涉計(76X1及 76X2)係分別具有2個測長軸的干涉計；在也具備有：其光 軸係分別與前述光罩(R)及前述基板(W)垂直的投影光學系 統(PL)、及、在前述投影光學系統之外，另外設置的校準 (alignment)光學系統(ALG)的場合，最好是設定前述第1及 第3干涉計的各個測長軸’以使前述第1及第3千涉計的 1測長軸(RIXU、RIX21)的延長的焦點會約與前述投影光 34 —- _ 本紙張尺度Ms f iip、1 ( (_NS ) Λ4#见格（21〇>〇97公筇） 408364 A7 __B7 五、發明说明（从） 學系統中心一致，其另外的測長軸(R〖X12、RIX22)的延長 的焦點會約與前述校準光學系統中心一致。這是因爲在此 場合’無論是在曝光時及校準時，均能夠在無所謂的阿倍 誤差的狀態下來管理基板的位置，而能夠改善其重合的精 確度。 再者’在第J態樣的掃描型曝光裝置中，最好是設定 曝光時的前述基板台（WST)的加速度、最高速度及調整時 間’以使前述第卜第2、及、第3干涉計(76RDH、RIY 、RIX2)的各個測長軸在對前述基板(w)的周邊區域進行掃 描曝光時’均不會從前述第1、第2、及、第3反射面之中 所對應的反射面露出到外面。這是因爲在此場合，由於能 夠將反射面設定在基板台的3各側面的範圍內，因此基板 台的平衡(balance)會變好而能夠提高其剛性。 再者，在第J態樣的掃描型曝光裝置中，最好是在前 述基板台(WST)上的特定位置配置使用前述第1、第2、及 、第3干涉計的測量値，並用以進行與曝光處理有關的特 定量測的基準標誌(FM)及檢知器(sensor)(KES)，以使前述 第1、第2、及、第3干涉計(76RIX1、RIY、RIX2)的各個 測長軸均不會從前述第1、第2、及、第3反射面之中所對 應的反射面露出到外面。這是因爲在此場合，爲了要進行 使用基準標誌的，譬如說，基準線(base line)量測、及、使 用檢知器的，譬如說，結像特性量測、照射量量測，均不 須要使反射面延長，所以由此也能夠使基板台輕量化。 再者，在第J態樣的掃描型曝光裝置中，也可以是： ___________35_—___ 木紙張尺政岣川中W内孓拉4 ( ('NS ) A4im ( 21〇Χ297^ίί 1 " '~* "先間讀背而之;i意事殒再項巧本！) --6 ^08364 l] 五、發明説明（ή ) 前述各干涉計將在各反射面上爲非同一値線狀的3軸的測 長光束分別照射至所對應的反射面，並由分別接受其反射 光而在每一個測長軸測量前述基板台在各個測長軸方向的 位置； 訂 前述演算裝置則使用前述第1、第2及第3干涉計之 中的任何1個，或是任何2個，或是3個干涉計在各個測 長軸的測量値而計算出前述基板台在前述2度空間平面內 的旋轉及對前述2度空間平面的傾斜度。或者是，前述基 板台具有在前述2度空間平面內移動的第2金屬板、及、 搭載於此第2金屬板的測平驅動機構、及' 由此測平驅動 機構所支撐，並支撐前述基板的第1金屬板；在前述第1 金屬板並設置了前述第1、第2及第3反射面； 來 前述測平驅動機構則包含約分別在前述第1、第2及 第3干涉計的測長軸的延長線上的不同的3點支撐前述第 1金屬板，而且在各支撐點能夠在與前述2度空間平面垂 直的方向獨立的進行驅動的3個致動器； 部 tJ,'-Jin-?n 1,"fr^'M"·印 前述演算裝置則是使用前述第1、第2及第3干涉計 的測量値而分別計算出前述第1反射面、第2反射面、第 3反射面對前述2度空間平面的傾斜度： 而且也可以是具有依據前述演算裝置的計算結果而控 制前述3個致動器的致動器控制裝置。在此類的場合，在 前述光罩台(RST)在前述2度空間平面內係能夠旋轉的場合 ，前述演算裝置(78)會依據前述第2干涉計的測量値而計 算出前述基板台(WST)在前述2度空間平面內的旋轉偏差 36 木紙ft尺度说⑴中网内糸忙彳（（AS )从圯格（公# ) 408364 Λ7 Β7 五、發明説明（w) 量，使前述台控制系統(33、78、80)會旋轉控制前述光罩 台而對前述的旋轉偏差量進行補正。如此，由於便不再需 要在基板台側支撐旋轉控制機構，便可因此而使台裝置輕 量化。 在第】態樣的掃描型曝光裝置中，也可以是具有：定 盤、及、將前述基板台配置於其上部，且係配置於前述定 盤上•，且可分別對前述定盤及前述基板台做相對移動的第 2可動體、及、能夠以特定的應答頻率來驅動配置於前述 定盤上的第2可動體的驅動系統、及、經由前述驅動系統 而以數Hz以下的應答頻率來控制前述第2可動體的位置 的控制裝置；並且前述第2可動體則對應於由前述基板台 的移動所產生的反作用力而移動。在此場合，前述基板台 (WST)的重量係前述第2可動體(38)的重量的1/9以下，而 藉由使前述曝光裝置在曝光或是校準前的前述第2可動體 的應答頻率、及、其他的應答頻率係爲可變的，而且在進 行需要基板台的位置控制精確度的曝光或是校準時，若是 使第2可動體的應答頻率低到約無法在基板台的加減速時 進行應答的話，則便可藉由以第2可動體的重心移動來抵 銷基板台的重心移動，而且也能夠使此時的第2可動體在 相反方向的移動距離在1/10以下，而在上述的曝光及校準 以外的驅動動作時，便可藉由調高第2可動體的應答頻率 來進丫了位置控制’結果便能夠使其軌跡變小。而且，在此 場合’也可以是具有：監視（monitor)前述第2可動體(38) 的二度空間位置的位置測量裝置(45)，而前述控制裝置(78) ___________ 37 ?先閱請背而之注4事項再幼巧本页) *-0 Λ'· 本紙^乂政琦扪（（AS ) Λ4ί1格（公炸） B7 408364 五、發明説明（；<) 則依據前述基板台（WST)在曝光及校準以外的移動時的前 述位置測量裝置的測量結果來使前述第2可動體的位置補 正至特定的位置。 本發明的第σ態樣係提供了：一種對於能量束(energy beam)所投射的區域，藉由使彤成了圖案的光罩及感應基板 同步的移動，而以該圖案使感應基板並曝光的掃描曝光裝 置；而此掃描曝光裝置，係具備： 載置了前述光罩且能夠移動的光罩台、及、 載置了前述感應基板且能夠移動的感應基板台，且係 在基板台的側面至少具有第1、第2及第3反射面，且第 1~第3反射面或是其延長線係形成了三角形，的基板台、 及、 分別將測長光束送光至第卜第3反射面的干涉計系統 (system)。形成於第卜第3反射面的三角形可以是正三角 形。而能量束則可以是使用如可見光、紫外線、X光的任 意波長的光，或者是使用電池波、電子等的粒子線。 本發明的第K態樣係提供了一種台裝置，而此台裝置 的特徵係具備：定盤(22)、及、可相對於前述定盤(22)而做 相對移動，且可支撐基板的第1可動體(WST)、及、將前 述第1可動體配置於其上部，且係配置於前述定盤上，而 且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動的第2 可動體(38)、及、設置於前述第2可動體且可在2度空間 平面內移動前述第1可動體的驅動裝置(42);而前述第2 可動體則係對應於由前述第1可動體的移動所產生的反作 __ ______ — — ____^__ 木紙ifiK度垅 W ( (，NS ) Λ4现格（2I0X ) — {ilflg·讀汴而之：_;ί.意事吲再蛸巧本s ) -=0 40J364 _______________________________ ____Β7 ___ 五、發明説明（4 ) 用力而移動。 u n I_ 1^1 I 1 +··、^^1 .- ----I ί Τ» V <-:ι-;ι>ι5?ί;ϊϊ-;'ϊ·而-5/1.¾ 事項再堉的本方) 在第K態樣的台裝置中，由於可藉由以第2可動體的 重心移動來抵銷第1可動體的重心移動，所以便能夠將台 裝置全體的重心保持在特定的位置。在此場合，也可以是 前述驅動裝置(42)具有在前述第2可動體上驅動前述第1 可動體的線性致動器(linear actuator)，而前述第1可動體 (WST)及前述第2可動體(；38)係分別的以非接觸支撐於前述 第2可動體及前述定盤上。 再者，在第K態樣的台裝置中，前述第1可動體 (WST)也可以是具有：在前述2度空間平面上沿伸向第1 及第2軸的交叉的方向的第1反射面(60a)、及、沿伸向前 述第2軸方向的第2反射面(60b)、及、對前述第1軸而言 ，係配置爲約與前述第1反射面對稱的第3反射面(60c); 而且也可以是具有：分別將測長光束照射至前述第1第2 及第3反射面的3個干涉計(76X1、76X2、76Y)。在此場 合，由於能夠採用2等邊三角形狀的第1可動體，因此相 較於以往的基板台，可使其小型化。 再者，在第K態樣的台裝置中，前述第1可動體 (WST)也可以是具有：載置了前述基板（W)的第1金屬板 (TB)、及、使前述第1金屬板在前述2度空間平面垂直的 方向移動，且相對於前述2度空間平面係)頃斜的驅動機構 (58)、及、載置了前述驅動機構的第2金屬板。 在第K態樣的台裝置中，如本發明的第2實施形態所 示的，第1可動體可以是包含複數的可動部（WST1、 _______—_____39____ 木紙乐尺及坨；I1,屮㈨( (.NS ) 格（210 /297公筇） 40_4 _______________H7 五、發明説明（V]) -1Τ WST2)。如此，藉由在第2可動體上配置複數的可動部， 並由驅動裝置來驅動任何一個可動部的場合，第2可動體 可由此驅動力的反作用力所驅動，而能夠藉由第2可動體 的重心移動來抵銷由可動部的重心移動所造成的重心偏移 ，結果便能夠將台裝置全體的重心保持於特定位置。同樣 的，在由驅動裝置來同時驅動複數的可動部的場合，第2 可動體會移動而且會藉由第2可動體的重心移動來抵銷由 對應於此驅動力的合力的反作用力所驅動的複數的可動部 的重心移動所造成的重心偏移，結果便能夠將台裝置全體 的重心保持於特定位置。因此，由於便不再需要調整可動 部間的動作來使某一個可動部的動作不會作用成爲另一個 可動部的外亂，所以除了可減輕其控制負擔.，也能夠同時 維持各可動部的高位置控制性。 再者，在第K態樣的台裝置中，最好是前述第1可動 體(WST)的重量係約爲前述第2可動體(38)的重量的1/9以 下，而且最好是也具有在前述定盤(22)上以低應答頻率來 驅動前述第2可動體的第2驅動裝置(44、78) °在此場合 ，可藉由以第2可動體的重心移動來抵銷第1可動體重心 移動所造成的重心偏移，而且也能夠使此時的第2可動體 在相反方向的移動距離在1/10以下’再者’由於第2可動 體係由第2驅動裝置在定盤上以無法對應於第1可動體在 加減速時的反作用力應答的低應答頻率來驅動’所以便能 夠不對第1可動體的動作造成影響的驅動第2可動體。 本發明的第L態樣係提供了一種具備了第樣的台 木紙张尺度0川( rss ) Λ4见格（公筇） 408^B4 m~ ~~ ·~*^———— — —---—— ™ * * ~ _ “ 五、發明説明（β) 裝置的掃描型曝光裝置，而此掃描型曝光裝置的特徵係具 備：支撐光罩(R)的光罩台（RST)、及、具有分別與前述光 罩(R)及前述基板(W)垂直的光軸的投影光學系統(PL)、及 、支撐前述投影光學系統，而且懸架了前述定盤(22)的第1 架台（16)、及、支撐前述第1架台的防震裝置(20);而且係 由前述光罩台及前述台裝置使前述光罩及前述基板同步移 動，並經由前述投影光學系統而將前述光罩的圖案轉寫至 前述基板上。由此，便可藉由以第2可動體的重心移動來 抵銷在上述的光罩圖案的轉寫時等的基板的第1可動體的 重心移動所造成的重心偏移’由此便能夠減輕防震裝置的 負擔，而且也能夠將重心偏移所造成的第1架台部的歪斜 抑制到最小，結果便能夠改善光罩及基板的位置決定精確 度。 在此掃描型曝光裝置的場合，也可以是也具有：載置 了前述光罩台的第2架台(26、28)、及、設置於配置了前 述防震裝置(20)，而且會將對應於由前述光罩台的移動所 產生的反作用力的力供應至前述光罩台或是前述第2架台 的致動器的框架(72)。在此場合，由於致動器會將對應於 由光罩台的移動所產生的反作用力的力供應至光罩台或是 第2架台，所以便能夠防止光罩台在加減速時的震動會經 由第2架台而傳播至第1架台。再者，此處也可以是兼用 移動光罩台的致動器及供應力到前述第2架台的致動器。 在此場合，最好是也具有：載置了前述防震裝置(20)的底 板(BS)、及、接續前述底板及前述框架(72)的彈性體(7〇)。 ΐ纸乐尺度碎；1卜卜 W1¾:彳:rNsT/\4nLfc'( 210X297^^ ) _' ~ Γ..Ί1ίρ!';ν-]ΐΑ^··\5 之..4达事項4功v':7 本釘) 訂 40 ⑽ ϋ4 in 一~——·— ---------------- - _____________ 五、發明説明（q) 這是因爲在此場合，彈性體能夠防止在第1架台及框架之 間的震動的相互傳達。 在第L態樣的曝光裝置中，也可以是，第1可動體 (WST)具有：在前述2度空間平面上沿伸向分別與前述基 板(W)的掃描方向及與其垂直的非掃描方向交叉的方向的 第1反射面(70a)、及' 沿伸向前述非掃描方向的第2反射 面(7〇b)、及、對前述掃描方向而言，係配置爲約與前述第 1反射面對稱的第3反射面(70c);而且也可以是，具有： 分別將測長光束照射至前述第1、第2及第3反射面的3 組干涉計(76X1、76X2、76Y)。在此場合，由於能夠採用2 等邊三角形狀的第1可動體，因此相較於以往的基板台， 可使其小型化，所以便能夠使其軌跡變得更小，並能夠藉 由改善第1可動體的位置控制應答性，而能夠縮短基板的 同步調整時間，並可由此而改善其生產能。在此場合，可 藉由改善位置決定精確度來改善其重合的精確度。 再者，在第L態樣的曝光裝置中’最好是也具有：定 盤(22)、及、可測量前述第2可動體相對於前述定盤(22)的 相對位置的位置測量裝置(45)、及、在前述基板(W)做曝光 動作及校準動作以外的動作時，會依據前述位置測量裝置 的輸出而將前述第2可動體的位置決定於前述定盤上的特 定點的第2驅動裝置(44、78)。在此場合，在基板做曝光 動作及校準動作以外的動作時’由於第2驅動裝置會依據 位置測量裝置的輸出而將第2可動體的位置決定於前述定 盤上的特定點，結果便能夠使其軌跡變爲更小。 __________42___ 木紙依尺度述W ΐ ϋ ( CNS ) Λ4ίί格公筇） 邛先間讀分而之""事項再項艿本頁) 訂 ___—_ Β7 ----—--------------- 五、發明説明（w) 本發明的第Μ態樣係提供了一種同步的移動光罩(R) 及基板(W)，而使前述光罩(R)的圖案轉寫至前述基板上的 掃描型曝光裝置，而此曝光裝置的特徵係具備：具有沿伸 向前述基板所同步移動的第1方向及與其垂直的第2方向 分別的交叉的方向的第1反射面(60a)、及、沿伸向前述第 2方向的第2反射面(60b)，並載置了前述基板的基板台 (WST) '及、分別將測長光束照射至前述第i及第2反射 面的第1、第2干涉計(76X1、76X2)。 在第Μ態樣的曝光裝置中，也可以是具備：具有分別 垂直於前述光罩及前述基板的光軸的投影光學系統(PL)， 而且前述第1及第2干涉計係配置爲使其測長軸係與前述 投影光學系統的光軸交叉。在此場合，也可以是具備：將 光束照射至前述基板上的標誌的離軸•校準感知器(off axis • alignment sensor)(ALG);而前述第 1 干涉計（76X1)則具 有：與前述投影光學系統(PL)的光軸交叉的第1測長軸 (RIX11)、及、與前述離軸•校準感知器的檢測中心交叉的 第2測長軸(RIX12)。 再者’在此場合，前述第2千渉計(76Y)最好是將遠離 前述第1干涉計(76X1)方向的2條測長光束照射至前述第 2反射面(60b)，並將前述離軸•校準感知器(ALG)的檢測 中心配置於由前述的2條測長光束所規定'，且係通過前述 投影光學系統(PL)的光軸的前述第2干涉計的測長軸上。 再者，在此場合，前述基板台（WST)係具備：對前述第1 方向而言，係配置爲約與前述第1反射面(60a)對稱的第3 ______—_____ 43_ 木紙 ⑴屮內㈣* （「N—S ) 格(：Ι〇Χ：^7^^ ) * 砧尤閱讀竒而之注竞事項再楨朽本頁) ,-=1° 五、發明説明（α ) 反射面（60c)，而且也可以是也具備：將測長光束照射至前 述第3反射面的第3干涉計(76X2)。在此場合，前述第3 干涉計(76X2)最好是具備：與前述投影光學系統的光軸交 叉的第3測長軸(RIX21)、及、與前述離軸•校準感知器的 檢測中心交叉的第4測長軸(RIX22)。 本發明的第N態樣係提供了一種藉由R步的移動光罩 (R)及感應基板(W)，而使前述光罩的圖案轉寫至前述感應 基板上的曝光方法，而此曝光方法的特徵係.：在前述感應 基板(W)的前述同步移動的方向及與此垂直的非掃描方向 之中，至少在非掃描方向係使用與該非掃描方向不同的方 向的測長光束，來進行持續控制位置的曝光動作。由此， 至少在非掃描方向便可使用與該方向不同的方向的測長光 束來進行控制的位置。即是，由於係使用在傾斜的交叉於 掃描方向的方向的測長光束，來進行非掃描方向的位置控 制，因此只要是具有垂直於前述測長光束的方向的反射面 的台，不論是任何形狀的台均能夠被採用做爲感應基板的 台，而不需要使用正方形或是長方形狀等的矩形的台’而 可改善在台的形狀的設計的自由度，結果便能夠使感應基 板的台小型化。 本發明的第〇態樣係提供台裝置的製造方法’而此台 裝置的製造方法係包括： 設置支撐基板並使其可在2度空間平面內移動的第1 可動體、及、 在前述第1可動體設置在前述2度空間平面內沿伸向 44 _ ......... ... -- . I ' . 木紙讥尺度鸿丨丨1屮囚丨（rNS ) /\4见格（210〆]耵公筇） m I I - - I - I— SI . ..... 士卜 I: - n _ n 1^1---- k, _ _ _ ._ _ _ V --" (-先間-背而之注意事項再填朽本頁) 4〇^3β4 _____________________ B7 __ 五、發明説明（P) ^ 特定的第1軸及與其垂直的第2軸的交叉的方向的第1反 射面、及、 設置垂直的將測長光束照射至前述第1反射面，並藉 由接收其反射光而測量出前述第1可動體在第3軸方向的 位置的第1干涉計、及、 設置依據前述第1干涉計的測量値而計算出前述第1 可動體在前述第1軸及第2軸所規定的直角座標系統上的 位置座標的演算裝置。 本發明的第Ρ態樣係提供一種掃描型曝光裝置的製造 方法’係對基板曝光並將形成於光罩的圖案轉寫至基板上 的掃描型曝光裝置的製造方法，而此掃描型曝光裝置的製 造方法係包括： 藉由分別的設置：支撐基板並使其在2度空間平面內 移動的基板台、及、設置於前述基板台，並沿伸向與在前 述2度空間平面內的特定的第1軸及與其垂直的第2軸交 叉的方向的第1反射面、及、垂直的將測長光束照射至前 述第1反射面’並藉由接收其反射光而測量出前述基板台 在第3軸方向的位置的第1干涉計、及、依據前述第i千 涉計的測量値而計算出前述基板台在前述第1軸及第2軸 所規定的直角座標系統上的位置座標的演算裝置；而製造 出台裝置，而且， 也設置支撐光罩的光罩台、及、 設置使前述光罩台及基板台同步，並沿著前述第1軸 方向做相對移動的台控制系統； _____________________45_ 木紙张尺度崎川thUN家（)八4现格（21i)x2W公郑） ΐί,ιΙίίί讀背而之·;ί.意事項再填艿本只) 丁 Λ7 五、發明説明（θ) 此處，掃描型曝光裝置係在前述台控制系統使前述光 罩台及前述基板台做相對移動時，將形成於前述光罩的圖 案轉寫至前述基板台上的基板。 本發明的第Q態樣係提供台裝置的製造方法，而此台 裝置的製造方法係包括： 設置定盤、及、 設置可相對於前述定盤而做相對移動，而且可支撐基 板的第1可動體、及、 設置將前述第1可動體配置於其上部，而且可分別對 前述定盤及前述第1可動體做相對移動的第2可動體、及 、 在前述第2可動體設置可在2度空間平面內移動前述 第1可動體的驅動裝置； 此處，前述第2可動體係對應於由前述第1可動體的 移動所産生的反作用力而移動。 本發明的第R態樣係提供一種掃描型曝光裝置的製造 方法，而此掃描型曝光裝置的製造方法係包括： 製造出藉由分別的設置：定盤、及、可相對於前述定 盤而做相對移動，而且可支撐基板的第1可動體、及、將 前述第1可動體配置於其上部，且係配置於前述定盤上， 而且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動的第 2可動體、及、設置於前述第2可動體，並可在2度空間 平面內移動前述第1可動體的驅動裝置，而使前述第2可 動體係對應於由前述第1可動體的移動所產生的反作用力 ___________________46____ 木紙張尺度沟川屮ΙΧΡΆ:#·';1 (rNS)AiiUi, ( 公你} ----------- A--------.訂------φ (¾1¾請背而之·‘15-意事項再4艿本頁)
,··ί;:":”；Γ+ψ·ί?ΤΊην-"ί^^^:·7ι!νV .Λ A 7 —__—__________4〇^3β4 ΚΊ_______ 五、發明说明（W) 而移動；的台裝置，而且， 也設置支撐光罩的光罩台、及、 設置具有分別與前述光罩及前述基板垂直的光軸的投 影光學系統、及、 設置支撐前述第1架台的防震裝置； 此處，掃描型曝光裝置係藉由前述光罩台及前述台裝 置兒童部的移動述光罩及前述基板，並經由前述投影光學 系統而將前述光罩的圖案轉寫至基板上。 本發明的第S態樣係提供了：一種掃描型曝光裝置的 製造方法，係使光罩及基板同步的移動，並將前述光罩的 圖案轉寫至前述基板上的掃描型曝光裝置的製造方法；而 此掃描曝光裝置的製造方法係包含： 設置載置了前述基板的基板台、及、 在前述基板台設置在沿伸向分別與前述基板同步移動 的第1方向及與其垂直的第2方向交叉的方向的第1反射 面、及、沿伸向前述第2方向的第2反射面、及、 設置分別將測長光束照射至前述第1及第2反射面的 第1、第2干涉計。 本發明的第T態樣係提供了一種掃描型曝光裝置，係 藉由使光罩(R)及感應基板(W)同步的移動，而將前述光罩 的圖案依序轉寫至前述感應基板上的複數^1攝影區域(S1、 S2等）的掃描型曝光裝置；而此掃描曝光裝置係具有：支 撐前述感應基板並使其可在2度空間平面內移動的基板台 OVST)、及、支撐前述光罩並使其可做移動的光罩台(RST) ----—--------. _ _______47_____ 木紙乐尺度岣州中阳（（.NS )2】Ox 297公;~) ~ 背而之注意事,[!'再"寫本頁) 訂 線 Λ7 ΙΪ7 五、發明説明（α) 、及、對前述兩台進行控制的台控制系統（33、78、， 而此台控制系統係使爲了在前述基板台完成曝光後進行下 —次曝光的助走動作及爲了下一次曝光而步進向非掃描方 向的步進動作可同時的進行，並使步進向前述非掃描方向 的步進動作係在下一次曝光前的前述兩台的同步調整期間 之前結束。 -s 哝 τ'--Γ 屮々：in:-rJn'-T;iif 合 β.71印；^ 如此，在依序將光罩的圖案轉寫至感應基板上的複數 的攝影區域時’在台控制系統對前述兩台進行控制，而在 某一次攝影的掃描曝光結束後，可同時的進行在基板台完 成曝光後進行下一次曝光的助走動作(在對攝影做掃描曝光 的曝光時間的前後的前置掃描、後置掃描)及爲了下一次曝 光而步進向非掃描方向的步進動作’並使步進向前述非掃 描方向的步進動作係在下一次曝光前的前述兩台的同步調 整期間之前結束。因此，便可使在基板台的掃描方向的助 走動作及在非掃描方向對下一次攝影(在非掃描方向的攝影 )的步進動作同時的進行，而相較於由（ih(3)的動作所構成 的以往的基板台在攝影間的移動控制，可使移動時間縮短 。當然，如果以往的基板台也是由掃描方向移動台及非掃 描方向移動台所構成的2段構造的基板台’則雖然也可以 使上述的（1)及(2)的動作同時的進行，但是，在此場合， 在步進完成時’由於下一次的掃描還沒有開始，所以步進 動作在下一次攝影曝光前的兩台的同步調整期間之前便會 結束。換言之，在步進動作完成時，（3)的動作已經開始且 力°口速期間已經結束，而本發明即是可改善這一部份的生產 木机极乂政托川屮W ί·+Κ· d 48 五、發明説明（仏 Α7 B7 ί'ι ,1- ί/ί ϋ· 卬 能。再者’在本發明中，由於步進動作係在下一次攝影曝 光前的光罩台及基板台的同步調整期間之前結束，因此， 在同步調整期間便僅需要注意兩台的等速同步控制，因此 調整時間也不會變長。 在第T態樣的曝光裝置中，前述台控制系統(33、78、 80)最好是控制前述兩台，以使在由前一次攝影曝光後的前 述光罩台(RST)的等速移動時間及減速移動時間所構成的後 置掃描時，所對應的前述基板台（WST)在非掃描方向的加 速度係大於，在下一次的曝光開始之前的前述光罩台(光罩 台）的前置掃描時，所對應的在非掃描方向的減速度的絕對 値。在此場合，由於在步進時的高加速時所產生的曝光裝 置本身的搖晃（震動）等會在機減速期間衰減，所以在步進 完成時，即是在光罩台及基板台的同步調整期間，便能夠 使前述震動完全衰減，衰減，便能夠改善此一部份的控制 性，而能夠縮短調整時間並改善其生產能。 本發明的第U態樣係提供了一種方法，係將光罩(R) 的圖案依序轉寫至基板(W)上的複數的區劃區域(si、S2)的 掃描曝光方法，而此方法的特徵係：同步的移動前述光罩 及前述基板，並對前述複數的區劃區域之一(S1)進行掃描 曝光，並爲了要對在與前述基板同步移動的第1方向垂直 的第2方向上係與前述的1區劃區域鄰接的另一個區劃區 域(S2)進行掃描曝光，而在前述的1區劃區域(S1)的掃描曝 光結束後的前述基板在前述第2方向上的步進動作結束之 前，使前述基板在前述第1方向上開始進行加速。 49 閱讀卄而之注竞事項再劫巧本I ) 、ar 線 木紙❻尺度碎州屮格丨21〇乂297公筇>
•'"'''f十^^mn 7;,1f Α"κί!·印 V 408364 A7 _____—________ Η 7 五、發明説明（〜,1 ) 由此，雖然是在同步的移動光罩及基板，並對複數的 區劃區域之一進行掃描曝光後，爲了要對在與第1方向(掃 描方向)垂直的第2方向(非掃描方向)上係與前述的1區劃 區域鄰接的另一個區劃區域進行掃描曝光，而在前述的1 區劃區域的掃描曝光結束後，使基板在前述第2方向上進 行步進動作，但是在此步進動作結束之前，基板已經在前 述第1方向上開始進行加速。即是，在1區劃區域的曝光 結束後，雖然是要開始移動向與前述的1區劃區域的非掃 描方向鄰接的另一個區劃區域，但是在途中，基板也會在 掃描方向開始進行加速，所以便能夠使用以對鄰接區域曝 光的掃描方向加速時間係至少有一部份是與前述的移動向 非掃描方向鄰接的另一個區劃區域的移動時間重疊 (overlap)，而相較於以往的，在用以步進向非掃描方向鄰 接的另一個區劃區域以做曝光的步進動作完成之後’才開 始進行用以對鄰接區域做曝光的’在掃描方向的加速的以 往例，本發明的方法可改善其生產能。 在此場合，最好是前述基板(W)在前述的另一個區劃 區域（S2)做掃描曝光之前’會由於前述加速而傾斜的移動 向前述第1及第2方向’而且最好是將前述第1方向的移 動速度設定爲對應於前述基板的感度特性的速度。在此場 合，由於在對另一個區劃區域（S2)做掃描曝光之前’第1 方向的移動速度係設定爲對應於前述基板的感度特性的速 度，所以在曝光中只要維持此速度來同步控制光罩即可’ 因此很容易進行控制。再者’在早期的掃描曝光方法中’ ____ 50_______ ΐΛ'ι ；!Ί ( CNS ) ( ) -(-1)尤閲讀ιϊ-而之vifi事項再iilK·本頁) 訂 ^ Ο δ 3 6 4 Α7 ____________________ Β7 五、發明説明（^) . ^ 在對前述的1區劃區域(S1)完成掃描曝光之後，也可以是 在前述爭1方向上使前述基板離開用以對前述的另一個區 劃區域做掃描曝光所需要的助走距離，而使前述基板在第 1方向上持續的減速的在前述第2方向上移動。 再者，在上述的掃描型曝光裝置中，最好是在前述的 1區劃區域(S1)的掃描曝光及前述的另一個區劃區域(S2)的 掃描曝光之間，使前述基板(W)的移動係至少是前述第1 方向的速度成分及前述第2方向的速度成分之一不爲零。 在此場合，在1區劃區域(S1)的掃描曝光及前述的另一個 區劃區域(S2)的掃描曝光之間，由於基板會不停止的進行 移動，便能夠因此而改善其生產能。 再者，在上述的掃描型曝光裝置中，也可以是在前述 的1區劃區域(S1)的掃描曝光及前述的另一個區劃區域(S2) 的掃描曝光之間，使前述基板(W)的移動係：在前述第1 方向的移動速度爲零時的前述第2方向的位置係較接近前 述的另一個區劃區域而較遠離於的1區劃區域。在此場合 ，即使是在基板在前述的1區劃區域(S1)的掃描曝光及前 述的另一個區劃區域(S2)的掃描曝光之間，其在非掃描方 向的加速度及減速度相等的場合，由於一定會在另一個區 劃區域的掃描曝光開始之前的某特定時間，基板在非掃描 方向的速度會變爲零，因此，在另一個區劃區域的掃描曝 光開始之前的某特定時間，便會結束基板在非掃描方向的 移動。因此，在1區劃區域的掃描曝光及另一個區劃區域 的掃描曝光之間，便不需要使基板在非掃描方向的加速後 -先間-·1'而之：;1-"事^!4"{:>1本頁) -:5 本紙乐及政垅川 twines* ( ('N_S ) ( 2ΙΟΧ21)7公筇） 408364 A7 __ ΙΠ·* 五、發明説明（4) 一 ' ^ 的減速度變大，所以在另一個區劃區域的掃描曝光開始時 ，便不會有殘留的影響，而便不需要使同步調整時間變長 0 本發明的第V態樣係提供了 一種方法，係同步的移動 光罩(R)及基板（W)，並以前述光罩的圖案來分別對沿著與 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2)進 行掃描曝光的方法，而此方法的特徵係：在對前述第1區 劃區域完成掃描曝光後，在一直到前述基板在第1方向的 速度變爲零爲止，係持續的使前述基板減速並使其在第2 方向上移動；而且在對前述第2區劃區域進行掃描曝光前 ，係持續的使前述基板在前述第1方向上加速的在第2方 向上移動。由此，由於在對前述第1區劃區域完成掃描曝 光後，基板會沿著拋物線狀的路徑移動，所以會已接近最 短距離的路徑移動，因此便能夠改善其生產能。 本發明的第W態樣係提供了一種方法，係同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並以前述光罩的圖案來分別對與沿著 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2)進 行掃描曝光的方法，而此方法的特徵係：在對前述第1區 劃區域(S1)完成掃描曝光後，在移動前述基板以使其移動 軌跡約爲放物線狀之後，以前述光罩的圖案來對前述第2 區劃區域（S2)進行掃描曝光。由此，由於在對第1區劃區 域完成掃描曝光後，在開始對第2區劃區域進行掃描曝光 ______________ 52 _ ---------A------ΐτ------4 (ΐτι閱诸背而之;1^-事項再填巧本頁} 木紙泣尺度逆叫中WtKd ( 格（210〆；^?公兑} Λ7 408364 Β7 五、發明説明（jc ) 之前，係移動基板以使其移動軌跡約爲放物線狀，所以在 此移動的終了部分，基板會約沿著第1方向而移動，因此 ，在掃描曝光開始後，基板在非掃描方向的速度成份便不 會影響到掃描曝光。 在此場合，最好是在前述基板(W)在前述第2方向的 速度成份變爲零之前，前述光罩(R)便開始加速。在此場合 ，由於在基板在第2方向的速度成份變爲零之前，光罩便 開始加速，因此相較於在基板在第2方向的速度成份變爲 零之後，光罩才開始加速的場合，可縮短光罩及基板到達 等速同步狀態爲止的時間，因此便能夠就此部分來改善其 生產能。
ltT 泉 Λ·· 又;) j ^ J. ；ϊί t： Λ 7! 卬 5” 本發明的第X態樣係提供了一種方法，係同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案分別轉寫至與沿 著前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而 配列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2) 的掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1區劃區 域(S1)完成掃描曝光後的前述基板的減速中、及、在對前 述第2區劃區域(S2)進行掃描曝光前的前述基板的加速中 ，使前述基板移動向與前述第1及第2方向交叉的方向。 由此，由於在第1區劃區域完成掃描曝光後的基板的減速 中、及、在對第2區劃區域進行掃描曝光前的基板的加速 中，基板會移動向與的前述第1及第2方向交叉的方向， 結果，基板的移動軌跡便會短於以往的]字路徑，因此便能 夠就此部分來改善其生產能。 53 /二 Λ7 408364 Β7 、發明说明（fI ) 再者，在此場合，雖然基板的移動軌跡也可以是v字 狀，但晕，最好是在第1區劃區域的掃描曝光及第2區劃 域的掃描曝光之間，使前述基板係不停止的移動，而使 其軌跡成爲放物線狀(或者是U字狀）。在此場合，雖然基 板的移動軌跡並不會是最短，但是由於基板並不會停止， 因此，後置掃描、步進、及、前置掃描的總需要時間(攝影 間的基板的移動時間)會是最短。 本發明的第Y態樣係提供了一種方法，係同步的移動 &輩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫與沿著 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2)的 掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1區劃區域 (sl)完成掃描曝光之後，在前述基板在前述第2方向的位 眞係成爲與前述第2區劃區域(S2)的前述第2方向的位置 >致之前，便使前述基板爲了前述第2區劃區域的掃描曝 光而開始加速。由此，在第1區劃區域完成掃描曝光之後 ，雖然基板會向著第2區劃區域而在第2方向開始移動， 但是，由於在此途中，基板會爲了第2區劃區域的掃描曝 光而在第1方向開始加速，所以相較於在基板在第2方向 爲了第2區劃區域的掃描曝光的移動結束之後，才開始爲 了第2區劃區域的掃描曝光進行加速的場合，可改善其生 產能。 在此場合，最好是移動前述基板，而在前述第1區劃 區域(S1)完成掃描曝光之後，在前述基板(W)在前述第1方 54 -(•••|先閱讀汴而之ίΐ.έ事項再4K*本頁) -:5 Φ 木紙张尺戍砷⑴屮内K家I.;:彳（（IS ) Λ4叱格（2I0X 公筇） at408364 —---------------------]^ι_____________ 五、發明説明（pj 向的速度成份變爲零之前，便使前述基板開始對前述第1 方向做傾斜的移動，而且，在前述基板開始加速之後的瞬 間’使前述第1及第2方向的各速度成份均不會變爲零。 本發明的第Z態樣係提供了一種方法，係同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿 著前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而 配列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2) 的掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在對前述第1區劃 區域(S1)完成掃描曝光後，在前述基板(W)在前述第2方向 的速度成份變爲零之前，便使前述基板爲了前述第2區劃 區域的掃描曝光而開始加速。由此，在對第1區劃區域完 成掃描曝光後，雖然基板會向著第2區劃區域而在第2方 向進行移動，但是由於完成此移動而在基板在第2方向的 速度成份變爲零爲之前，基板便會爲了第2區劃區域的掃 描曝光而開始加速，所以相較於在基板在第2方向爲了第 2區劃區域的掃描曝光的移動結束之後，才開始爲了第2 區劃區域的掃描曝光進行加速的場合’可改善其生產能。 在此場合，最好是使前述基板(W)在前述第1方向加 速，並在前述第2方向減速；即是’在基板在第2方向減 速中便在第2區劃區域的掃描曝光前開始在第1方向加速 〇 在第Z態樣的方法中’最好是在對第1區劃區域完成 掃描曝光後，前述基板在前述第1方向的速度成份變爲零 之前，便使前述基板開始在前述第2方向上加速。 _ — 一 — —______55 _ - . 木紙尕尺攻垧⑴（（'〉、s ) /V1叱格（2ΐ0χ297公筇） -it.-.'ll閱讀背而之;1意事項再楨1.:?本页 丁 *-t ^408364 B7 五、發明説明（勹） 本發明的第α態樣係提供了一種方法’係同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿 著前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而 配列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2) 的掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1區劃區 域(S1)完成掃描曝光之後，使前述基板在前述第1方向的 速度成份變爲零時的前述基板在前述第2方向的位置，係 較前述第2區劃區域在前述第2方向的位置更爲靠近前述 第1區劃區域側，而且也相對於前述第1及第2方向，來 傾斜的移動前述基板。如此，相較於以往的]字路徑，在前 述第1區劃區域完成掃描曝光後的基板的移動軌跡會變短 ，而可以接近於最短路徑的使基板移動，因此便能夠就此 部分來改善其生產能。再者，在此場合，雖然基板的移動 軌跡也可以是V字狀，但是，最好是在第1區劃區域的掃 描曝光及第2區劃區域的掃描曝光之間，使前述基板係不 停止的移動，而使其軌跡成爲放物線狀(或者是U字狀）。 本發明的第β態樣係提供了一種方法，係同步的移動 光罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿 著前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而 配列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2) 的掃描曝光方法，而此方法的特徵係：爲了要使前述基板 在前述第1區劃區域(S1)的第1掃描曝光及前述第2區劃 區域(S2)的第2掃描曝光進行逆向移動，而在前述第1區 劃區域完成掃描曝光之後，使前述基板在前述第1方向的 __________________________ 56 木紙弧反度埼（（_NS ) Λ4以格（2⑴公筇） ---------A------IT------線 4^8364 _______________ 1ί7 五、發明説明（) 速度成份變爲零，並在前述第2掃描曝光之前，使前述基 板加速而使其在前述第1及第2方向的各速度成份不會變 爲零。如此’在前述第2掃描曝光之前，基板便會沿著曲 線狀(或是直線狀)的路徑而以相對於前述第1及第2方向 爲傾斜的移動。 本發明的第γ態樣係提供了一種方法，係同步的移動光 罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2)的 掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1區劃區域 (S1)的第1掃描曝光及前述第2區劃區域(S2)的第2掃描曝 光之間，使在前述第1區劃區域完成掃描曝光之後，使前 述基板在前述第1方向的速度成份變爲零時的前述基板在 前述第2方向的位置，係位於前述第1區劃區域在前述第 2方向的位置及前述第2區劃區域在前述第2方向的位置 之間。如此，在第1掃描曝光結束時，基板在第1方向的 速度會持續的減速的移動向第2方向，此時，會使基板移 動而使基板在第1方向的速度成份變爲零時的基板在第2 方向的位置，會是位於第1區劃區域在第2方向的位置及 第2區劃區域在第2方向的位置之間。因此，在第1掃描 曝光結束時，基板便會沿著曲線狀(或是直線狀）的路徑而 以相對於前述第1及第2方向爲傾斜的移動。 本發明的第δ態樣係提供了一種方法，係同步的移動光 罩(R)及基板（W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著 _ 一 — ___________57____ 木队仏尺度逆⑴屮WW糸d (rNS)A4*^fe ( 2!〇Χ297^>^ ) ("""讀背而之注意事項再-^巧本頁) 丁 、-β- 線 Λ74〇δ364 ____________________Β7 五、發明説明（< ) 訂 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域(S1)及第2區劃區域(S2)的 掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1掃描曝光 後的前述基板的減速中、及、在前述第2掃描曝光前的前 述基板的加速中，均不會使前述基板在前述第2方向的速 度成份變爲零的移動前述基板，並使在前述第1區劃區域 (S1)的第1掃描曝光及前述第2區劃區域(S2)的第2掃描曝 光之間的前述基板的移動軌跡會約爲放射線狀。如此，由 於在第1區劃區域的第1掃描曝光及第2區劃區域的第2 掃描曝光之間的基板的移動軌跡會約爲放射線狀，而且係 不會使基板在第2方向的速度成份變爲零的移動基板，因 此，基板不會停止而後置掃描、步進、及、前置掃描的總 需要時間(攝影間的基板的移動時間)會約是最短。 線 在此場合，在前述第1掃描曝光結束之後及前述第2 掃描曝光開始之前，也可以是使前述基板(W)在前述第2 方向的速度成份約爲零。 本發明的第ζ態樣係提供了一種方法，係同步的移動光 罩(R)及基板(W)，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著 前述基板的同步移動方向的第1方向垂直的第2方向而配 列的前述基板上的第1區劃區域（S1)及第2區劃區域(S2)的 掃描曝光方法，而此方法的特徵係：在前述第1區劃區域 (S1)的第1掃描曝光及前述第2區劃區域(S2)的第2掃描曝 光之間，使在前述第1區劃區域完成掃描曝光之後，在前 述基板在前述第1方向的速度成份變爲零之前，便使前述 ______________________________58 __ ___ 木紙张尺/H:!l 中 K Κ々（（) ( 210 X^7^^ )~~" ^ ~ 408H4 ΒΊ - I _国· _ ^ I •… 五、發明説明（沙） 基板在則述第2方向開始加速；而且’在即述基板在則述 第2方向的速度成份變爲零之前，便使前述基板在前述第 1方向開始加速。由此，在第1區劃區域的第1掃描曝光 及第2區劃區域的第2掃描曝光之間的基板的移動軌跡便 會是U字狀或是接近於U字狀路徑。在此場合，最好是前 述基板在前述第2方向進行減速中，便使前述基板開始在 前述第1方向加速。再者，最好是在前述第1掃描曝光結 束之後的前述基板的減速中，便使前述基板(W)開始在前 述第2方向加速。 在上述的第V態樣〜在第ζ態樣中，最好是使前述基板 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域的掃 描曝光之間，係不會停止的持續移動。 本發明的第η態樣係提供了一種方法，係對基板(W)上 的每一個區劃區域，同步的移動光罩(R)及前述基板，並將 前述光罩的圖案依序轉寫至前述基板上的複數的區劃區域 (_S1、S2、S3··..)的步進掃描方式的掃描曝光方法，而此方 法的特徵係：在藉由前述光罩的往返移動而轉寫了前述光 罩的圖案的2個區劃區域之間，使前述基板係不會停止的 持續移動。如此，在基板上的轉寫了接續的光罩的圖案的 2個區劃區域(通常是鄰接區域)的掃描曝光之間，由於基板 係不會停止的持續移動，因此便能夠就此部分來改善其生 產能。 在此場合’最好是一直到應該轉寫的前述光罩(R)的圖 案在前述基板(R)上的最後的區劃區域的掃描曝光完成爲止 --------------------59__ 本紙乐凡度4 川屮 W 丨今（（'、S ) Λ-1 I 2]〇x2in.i>^ )' -- ---------A!----·1 .^.-----——Φ (e先閱請背而之注念事項再Ji3':?本Π ) li .7 f 合 ΐί 卬 五、發明説明 ，前述基板(W)會持續的移動並使則述基板在做问步移動 的第1方向及與其垂直的第2方向的至少一方的速度成份 不會變爲藥。在此場合，由於結果在對所有複數的區劃區 域進行步進掃描方式的掃描曝光之間’基板均不會停止的 持續移動’因此最能夠改善其生產能。 本發明的第μ態樣係提供了 一種曝光裝置，係將光罩 的圖案轉寫至基板上的曝光裝置’其特徵係具有··定盤' 及、分別支撐基板並使其可對前述定盤做相對移動的至少2 個第1可動體、及、將前述各第1可動體配置於其上部， 且係配置於前述定盤上，且可分別對前述定盤及前述各第 1可動體做相對移動的第2可動體、及' 設置於前述第2 可動體，並可在2度空間平面內驅動前述各第1可動體的 驅動裝置； 而前述第2可動體係對應於在驅動前述各第1可動體 時的反作用力而移動， 而轉寫了前述光罩的圖案的基板係被支撐於前述各第 1可動體。在此曝光裝置中，也可以是前述各第1可動體 的質量係約爲前述第2可動體的質量的1/9以下，而且也 可以是具有在前述定盤上以低應答頻率來驅動前述第2可 動體的第2驅動裝置。再者，在也具有將前述光罩的圖案 投影至前述基板的投影光學系統的場合，在將前述光罩的 圖案轉寫至分別被支撐於前述各第1可動體的基板時，前 述驅動裝置也可以是使此支撐做爲圖案投影對像的基板的 前述第1可動體及前述光罩同步，而對前述投影光學系統
_6fL 「1閘#背而之';1.'1-;0事項再域«?本頁) TJ *-0 本紙張尺度邊川屮( rxs )格（2l〇，x]t)7公筇） 4〇83β4 Λ7 B7
fr A 五、發明说明（β) 在掃描方向驅動。 本發明的第i態樣係提供了一種方法，係同步的移動光 罩及基板’並將前述光罩的圖案依序轉寫至前述基板上的 1或2以上的區劃區域的掃描曝光方法，而此方法的特徵 係：在對前述各區劃區域進行掃描曝光時，在同步的移動 前述光罩及前述基板之前，會至少使前述光罩及前述基板 之一係沿著前述同步移動方向而加速，而且其加速度係爲 逐漸的收束至零的加速曲線。 由此’由於在對各區劃區域進行掃描曝光時，在同步 的移動光罩及基板之前，至少光罩及基板之一會沿著同步 移動方向而加速，而且其加速度係爲逐漸的收束至零的加 速曲線，因此，就如同在以一定加速度加速至目標掃描速 度的場合一般的，在完成加速時其加速度會是不連續的， 即是不會有急速的變化。因此，便能夠抑制造成此種加速 度會是急速的變化的光罩及基板至少之一的高頻震動，而 能夠迅速地將相對於目標位置(這當然會隨著時間而變化) 的位置誤差收束至容許範圍內，結果便能夠縮短光罩及基 板的同步調整時間。 此處’在使光罩及基板係依據如上所述的加速度變化 曲線而沿著同步移動方向加速的場合，雖然最能夠縮短調 整時間’但是’通常在掃描曝光裝置中，由於光罩(光罩台 )及基板(基板台）的特定的一方的最高加速度會是其限制條 件’因此只要使上述的加速方法適用於做爲此限制條件的 一方，便能夠獲致充分的效果。 #"閱讀背而之：;ί4事項再"朽本页)
11T 像 木紙尺度埤川1卜N内ΐ彳(( \.,s) 4 卟 364 Λ7 ____________ B7 _
五、發明説明（D 在此場合，也可以是在將前述光罩的圖案依序轉寫至 與沿著與前述基板的同步移動的第1方向垂直的第2方向 而配列的前述基板上的第1區劃區域及第2區劃區域時， 在前述第1區劃區域的掃描曝光後的前述基板在第1方向 的減速中、及、在前述第2區劃區域的掃描曝光前的前述 基板在第1方向的加速中，均使前述基板在與前述第1及 第2方向交叉的方向移動。在此場合，由於結果基板便會 以接近最短距離的路徑而移動，所以隨著上述的調整時間 的縮短，便能夠更加改善其生產能。 本發明的第κ態樣係提供了一種方法，係同步的移動 光罩及基板，並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著與前 述基板的同步移動的第1方向垂直的第2方向而配列的前 述基板上的第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法 ，而此方法的特徵係：在至少對前述第1區劃區域進行掃 描曝光時，在同步的移動前述光罩及前述基板之前，會至 少使前述光罩及前述基板之一係沿著前述第1向而加速， 而且其加速度係爲逐漸的收束至零的加速曲線；而且在完 成前述同步移動後，使其以一定的減速度而沿著前述第1 向減速。 由此，在對各區劃區域進行掃描曝光時，在同步的移 動光罩及基板之前，至少光罩及基板之一會沿著第1方向 而加速，而且其加速度係爲逐漸的收束至零的加速曲線： 而且在完成同步移動後，會使其以一定的減速度而沿著前 述第1向減速。因此，由於就如同在以一定加速度加速至 ___________—________62____ 木紙张尺度( (A'S ) Λ4η[格（公并）
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— —-*—，w w , -- — -·· I 五、.终明说明（y ) 目標揷描速度的場合一般的，其加速度會是不會有急速的 變化，P此，便能夠至少使光罩及基板之一迅速地將其位 置誤差收束至容許範圍內’結果便能夠縮短光罩及基板的 同步調整時間；而且，由於在完成同步移動後的減速時’ 會以一定減速度（對應於通常最大加速度的減速度）進行減 速。所以相較於在依據與加速時對稱的加速曲線來進行減 速的場合，便能夠縮短減速所需要的時ή °因此’至少在 對前述第1區劃區域進行掃描曝光時’至少對光罩及基板 之一而言，便能夠更從加速開始到減速爲止的總共(total) 時間。 在此場合，在光罩(光罩台)及基板(基板台)之中，若是 兩者或是至少做爲限制條件的一方係採用上述的加速方法 ，便能夠獲致充分的效果。在上述的方法中，也可以是在 前述第1區劃區域的掃描曝光後的前述基板在第1方向的 減速中、及、在前述第2區劃區域的掃描曝光前的前述基 板在第1方向的加速中，使前述基板在與前述第1及第2 方向交叉的方向移動β在此場合，由於結果基板便會以接 近最短距離的路徑而移動，所以隨著上述的同步調整時間 及減速時間的縮短，便能夠更加改善其生產能。 本發明的第λ態樣係提供了一種掃描曝光方法，係相 對於照射了能量束的區域來同步的移動光罩及基板，並將 前述光罩的圖案轉寫至前述基板上的掃描曝光方法，而此 掃描曝光方法的特徵係： —邊加速光罩及基板，一邊開始移動， _______—______________63 _ 木紙认尺度迖⑴屮( ('NS ) ,，\4现格（2Π)Χ 297^^Ί " (訃1間讀背而之注*事項再41'-:?本頁
‘IT 味 Λ 7 Η 7 - — _ _____________ ;'發明説明（q) 使光罩及基板之一的加速度連續的下降直到使光罩及 基板變爲等速度爲止， :先闓-背而之·.'^-"平項再填艿本頁) 在該光罩及基板以等速度移動時，進行掃描曝光。 在該光罩及基板以等速度移動之後，能夠以一定的減 速度使光罩及基板之一減速。 本發明的第V態樣係提供了一種掃描型曝光裝置的製 造方法，係藉由使光罩及感應基板同步的移動，而將前述 光罩的圖案依序轉寫至前述感應基板上的複數的攝影區域 的掃描型曝光裝置的製造方法；而此掃描曝光裝置的製造 方法的特徵係包含： 設置支撐前述感應基板並使其可在2度空間平面內移 動的基板台、及、 設置支撐前述光罩並使其可做移動的光罩台、及、 線 設置對前述兩台進行控制的台控制系統，而此台控制 系統係使爲了在前述基板台完成曝光後進行下一次曝光的 助走動作及爲了下一次曝光而步進向非掃描方向的步進動 作可同時的進行，並使步進向前述非掃描方向的步進動作 係在下一次曝光前的前述兩台的同步調整期間之前結束。 而且，本發明的第π態樣係提供了 ：使用依循第C、F 、G、及、Η態樣中的任何一種態樣的曝光方法’所製造 出來的半導體元件及液晶元件等的微小元件(micro device) ο 而且，本發明的第Ρ態樣係提供了 ：使用依循第Ν、U 、ν'\ν、Χ、Υ、Ζ、α、β、γ、δ、ζ、η、ι、&、ι^^φ ___________________________________________________________ 木纸烺尺度滴州屮（（.NS ) 格UI0X：!97公犛） 408364 A1 _____________ B7 五、發明説明（p) 的任何一種態樣的曝光方法，所製造出來的半導體元件及 液晶元怦等的微小元件。 [附圖說明] 第1圖係顯示本發明的一實施形態的掃描型曝光裝置 的斜視圖。 第2圖係槪略的顯示圖1的掃描型曝光裝置的內部構 成的圖。 第3圖係用以說明反應致動器(reaction actuator)及反 應框架(reaction frame)的圖。 第4圖的(A)係標線底板定盤附近的平面圖，（B)係從 (A)的箭頭B方向所看到的標線底板定盤附近的側面圖。 第5圖係用以更詳細的說明圖2的雷射干涉計系統的 圖，（A)係同時顯示來自於構成雷射干涉計系統的3個干涉 計的干涉計光束及基板桌(table)TB的平面圖，（B)係更詳 細的同時顯示來自於第2干涉計的干涉計光束及構成該干 涉計的一部份的光學系統的圖，（C)係用以說明來自於第2 干涉計的測長光束RIY1(或是RIY2)及測長光束RIY3的位 置關係的圖。 第6圖係槪略的顯示安裝於基板桌的空間像檢器的構 成及與其關聯的信號處理系統的構成的圖。 第7圖係用以說明可動型定盤的作用及其控制方法的 圖，（A)係定盤附近的槪略平面圖，（B)係從(A)的箭頭A方 向所看到的槪略正面圖。 第8圖的(A)係9英吋標線的一例的平面圖，（B)係顯 ---------------------------65_ _一 本紙乐凡度诚川屮«^柢彳（（^>八4現格（2丨0<297公雄.> -:?>1閱-..(.?汴而之;1.汔事項再填.：.';本1)
、1T 竦 4〇836i Λ 7 B7 —________________ 五、發明説明（η ) 示9英吋標線的另外一例的平面圖。 第9圖係用以說明標線校準及基準線測量的圖。 第10圖係顯示內接於投影光學系統的有效區域的晶圓 上的狹縫狀的照明區域及攝影區域S1的關係的平面圖， (B)係顯示提移動時間及台速度的關係的線圖，（C)係用以 說明在對晶圓周邊的攝影區域曝光的場合，晶圓週邊攝影 s及移動鏡長延長份的關係的圖。 第11圖的(A)係顯示在依序對攝影區域si、S2、S3 曝光的場合，晶圓上的照明狹縫ST的中心P通過各攝影 上的軌跡的圖，（B)係顯示在(A)的場合，晶圓台在掃描方 向的速度及時間的關係的線圖，（C)係顯示對應於此的非掃 描方向的速度及時間的關係的線圖。 第12圖係在晶圓台係位置於用以交換晶圓的上機位置 (loading position)時的可動型定盤附近的平面圖。 第13圖係顯示在校準測量時的晶圓台的移動的樣子的 可動型定盤附近的平面圖。 第Μ圖係在晶圓台係位置於曝光開始時的位置時的可 動型定盤附近的平面圖。 第15圖係在晶圓台係位置於曝光結束時的位置時的可 動型定盤附近的平面圖。 第16圖的(A)係顯示在進行變則的二重曝光時的標線 R(標線台RST)的移動記錄的圖，（B)係顯示最適合於變則 的二重曝光的標線上的第1區域及第2區域的圖案的一例 〇 |?1閱讀-;'而之..;,-"事項诉^巧本艽)
,1T :'0「t-'J,,Ji7"J:JG 1·;ϊί^"Η"·!ν j _" ——— »_ —· , ___ 6石 _ ^08364 H7 五、發明説明（W) 第17圖係用以說明本實施形態的圖，係顯示即使是有 干涉計多軸化及由前置掃描'後置掃描所造成的移動鏡距 離惡化份，相較於以往的四角形形狀的台，本實施形態的 晶圓台係可使其小型化的圖。 第18圖的(A)係顯示以投影光學系統來做爲反射曲折 光學系統的一例的圖，（B)係顯示以投影光學系統來做爲反 射曲折光學系統的其他的例子的圖。
，1T 第19圖的(A)係顯示在以1/4的投影倍率，（標線加速 度 Ar、調整時間 t2)=(3G、22ms)、（4G、36ms)、（4G、 22mS)的3種條件下，在使標線掃描最高速度Vr改變時， 所需要的晶圓側移動鏡的延長距離的圖，（B)係在與(A)相 同的條件下，在使標線掃描最高速度Vr改變時，對1片晶 圓曝光所需要的時間的圖表。 線 第20圖的(A)係顯示在以對應於圖19(A)的圖的橫軸 爲標線掃描最高速度，縱軸爲移動鏡的延長距離的圖，第 20圖的(B)係顯示在以對應於圖19(B)的圖的橫軸爲標線掃 描最高速度’縱軸爲對1片晶圓曝光所需要的時間的圖。 第21圖係顯示第2實施形態的曝光裝置的槪略構成的 圖。 第22圖係顯示2個晶圓台及標線台及投影光學系統及 校準系統的位置關係的斜視圖。 f： 合 f, if 印 第23圖係顯示在圖21的裝置中的定盤附近的槪略平 面圖。 第24圖係顯示在使用2個晶圓台來進行晶圓交換•校 Λ7 A7 B7 408364 五、發明説明（β) 準序列(alignment sequence)及曝光序列的狀態的平面圖。 第：25圖係顯示進行圖24的晶圓交換·校準序列及曝 光序列的切換的狀態的平面圖。 第26圖係顯示第2實施形態的變形例的槪略平面圖， 係使用2個三角形狀的晶圓台來做爲第1可動體的例子。 第27圖的(A)係顯示在採用第1加速度控制方法的場 合的標線台在掃描方向的速度指令値的時間變化的線圖， (B)係顯示對應於圖11(B)的標線台在掃描方向的速度指令 値的時間變化的線圖，（C)係顯示在採用第2加速度控制方 法的場合的標線台在掃描方向的速度指令値的時間變化的 線圖。 第28圖的(A)及(B)係分別對應於圖27(A)及(B)，而顯 示相對於調整時間Ts附近的標線台的目標位置的位置誤差 的時間變化的線圖。 [用以實施發明之最佳形態] 包含於本國際專利的發明槪念的共通之處爲：要達成 前述的本發明之目的；如前所述的，大槪可以分類爲下述 的五種槪念。但是，這種分類的目的係用以理解開示於本 說明書及申請專利範圍的發明群的槪要，而並不是要藉由 這種分類而限定解釋請求項及發明的態樣。 第1槪念係關於掃描曝光方法及裝置的槪念，係一種 使具有大型的圖案或是區畫了的複數的圖案的光罩與基板 同步移動’並使大型的圖案對準到基板上或是使該複數的 圖案重合至基板的同一區域以進行轉寫的掃描曝光方法及 木紙认尺度垅m十丨X 孓扛（（.NS )〜叫格（TlOx 297公择 /-S0 線
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卬 .V _68_ 卿 364 Λ7 _______ __ H7 五、發明説明（认） 裝置的槪念，其主要的特徵係具有：光罩台的移動方法、 爲了要進行位置控制而使用的反射鏡的構造及配置、二重 曝光法等。第1槪念的特徵，譬如說，可見於本發明的前 述第A〜Η及π的態樣。 訂 第2槪念係關於台裝置的槪念，係一種具有傾斜的延 伸於相對於台的移動方向的反射鏡及將測長光束送至此反 射鏡的千涉計的台裝置的槪念，其特徵係具有：反射鏡的 安裝位置' 台裝置的形狀及構造、測長光束的照射方法、 具備台裝置的掃描曝光裝置、藉由如上所述的照射測長光 束而對台進行位置控制的掃描曝光方祛、台及掃描曝光裝 置的製造光法等。第2槪念的特徵，譬如說，可見於本發 明的第I、J、Μ、Ν、Ο、Ρ、S、ρ及σ的態樣。 竦 -.T.iiifr 合 ΐΤ .η-印^· 第3槪念係關於台裝置及包含此台裝置的曝光裝置的 槪念，係一種使第2可動體及第1可動體分別浮上並支撐 的偏荷重防止台裝置及包含此台裝置的掃描曝光裝置的槪 念，其特徵係具有：利用第1可動體的移動所產生的反作 用力來造成第2可動體的移動、第1及第2可動體的重量 比、防震裝置、第1及第2可動體的構造、使用此台裝置 來做爲基板台的曝光裝置、台裝置及曝光裝置的製造方法 。第3槪念的特徵，譬如說，可見於本發明的第Κ、L、Q 、化及4的態樣。 第4槪念係關於時刻控制的槪念，係一種在使光罩及 基板同步移動的掃描曝光中，在掃描曝光了區劃於基板上 的某一個區域之後，在對下一區劃區域進行掃描曝光時， -----------------------69 木紙佐尺及地⑴中(. 格（2丨0〆297公筇） 4.08364 ΑΊ B7 ...... 一 ---- '' — _.— — . ______ _________ 五、發明説明（d) 對在與掃描方向垂直的方向控制基扳的步進移動的時刻及 在掃描方向控制基板的掃描移動的時刻的時刻控制的槪念 ，其特徵係特別是具有：移動的時刻及掃描曝光的開始或 是結束的時刻的關係、基板的移動軌跡、步進移動及掃描 移動的關係。第4槪念的特徵，譬如說，可見於本發明的 第τ~ζ及α、β、γ、δ、ζ、η及p的態樣。 第5槪念係關於控制加速度的槪念，係一種在掃描曝 光中，爲了縮短用以使光罩及基板同步的調整時間，而控 制光罩或是基板移動時的加速度的槪念，其特徵係具有： 使基板台的加速度持續的減少直到其變成爲等速度爲止的 加速方法、以一定的減速度減速的方法。第5槪念的特徵 ，譬如說，可見於本發明的第ι、κ、λ及ρ的態樣。 以下，依據圖卜圖20來說明本發明的第1實施形態 °爲了要使本說明書的構成易於理解，在主要顯示出上述 第1~第5槪念之處附加上了適當的標題。但是，發明的槪 念的說明並不會受限定於此附加上了標題之處。 [第1實施形態] 在第1實施形態中，將第卜第4槪念具體化。圖1係 顯示本發明的一實施形態的掃描型曝光裝置1〇的斜視圖， 圖2則係槪略的顯示了其內部構成。此掃描型曝光裝置10 係爲目前做爲製造半導體元件的光學微影裝置的主流的， 以步進掃描方式來進行曝光動作的投影曝光裝置。此掃描 型曝光裝置10係經由投影光學系統PL而將描畫於做爲光 罩的標線R(參照圖2)的電路圖案的一部份的像持續的投影 ... ______________________________70____ }\) ΊΊ^Ι^Ϋΐί·-；1 ( i 'NS ) ( 210X297^^ ) ii:iL^-背而之^意事項再碩巧本頁) 訂 線 A7 B7 五、發明说明（β ) :1¾¾背而之注念事項再4-'':?本1 至做爲基板的晶圓W上，並藉由使標線及晶圓W相對於 投影光學系統PL的視野的在1度空間方向(此處爲Y方向） 進行相對掃描，而以步進掃描方式的將標線R的電路圖案 全體分別轉寫至晶圓W上的複數的攝影區域。 ，-° 如圖1所示的，此掃描型曝光裝置10係由：準分子雷 射光源11、及' 曝光裝置本體12、及、做爲統籌處理的主 控制系統的控制架子(rack)14所構成。準分子雷射光源11 係設置於與通常設置了曝光裝置本體12的超無塵室(clean room)隔離的另外的房間（潔淨（clean)度低的服務房間 (service room))。再者，雖然曝光裝置本體12通常係設置 於超無塵室內，內部空間係高度防塵，而且係收容於高精 確度溫度控制了的環境腔體(environmental chamber)，但是 在圖1僅是槪略的顯示收容於此腔體內的本體構造。 其次，依據圖1及圖2來說明準分子雷射光源11、及 、曝光裝置本體12、及 '控制架子14的構成。 前述準分子雷射光源11具有操作面板(panel)llA。再 者，在準分子雷射光源11內藏了與該操作面板11A介面 (interface)了的控制用電腦（computer)llB(在圖1未示，參 照圖2)，此控制用電腦11B在通常的曝光動作期間，會與 由曝光裝置控制用的微電腦(mini-computer)所構成的主控 制裝置50的指令應答而控制準分子雷射光源11的脈衝發 光。 準分子雷射光源11係作用爲曝光光源，譬如說，係以 脈衝發出波長爲248nm的KrF準分子雷射光或是波長爲 _______________________________21__ ___ 木紙张尺度 ( CNS ) AA^Jtr (ϋ 297 公你) Λ7 408364 η? ___ 五、發明説明（d) 193nm的ArF準分子雷射光。此處，使用來自於準分子雷 射光源Π的紫外光域的脈衝雷射光來做爲曝光用照明光源 的原因是爲了要獲至具有相當於256M位元〜4G位元等級 (class)以上的半導體記憶體（memory)元件（D-RAM)的集積 度即微細度的微(micro)電路元件的量產製造所需要的最小 線寬0.25〜左右的圖案解析度。 線 將此脈衝雷射光（準分子雷射光）的波長寬度狹帶化， 以使由構成曝光裝置的照明系統及投影光學系統(PL)的各 種折射光學元件所造成的色像差會是在容許範圍內。除了 將需要狹帶化的中心波長的絕對値及狹帶化寬度 (0.2pm〜300pm)之間的値顯示於前述操作面板11A之外， 也依需要而可由前述操作面板11A來進行爲調整。再者， 從操作面板11A也可設定脈衝發光的模式(mode)(以自行發 振、外部觸發(trigger)發振、維修（maintenance)用發振的3 種模式爲代表）。以使用準分子雷射來做爲光源的曝光裝置 的例子而言，由於已經在第1實施形態做了說明，因此請 參照其說明^ 前述曝光裝置本體12具備了 ：做爲第1架台的架台部 16、標線台RST、照明光學系統18、投影光學系統PL、 結像特性調整裝置(以下稱之爲「LC/MAC系統」）、台裝 置1、晶圓搬送機器人(robot)19、及、校準系統等。 在此對其做更詳細的敘述，如圖1所示的，架台部(第 1架台）16係經由4個防震裝置20而被支撐於地板面上。 各個防震裝置20則除了經由圖所未示的空氣氣筒（air _________ _____—__72___一― 龙:] ii .1 40B364 Λ7 H7 五、發明説明（ cylinder)(防震墊片(pad))來支撐曝光裝置本體12本身的重 量之外，也具有用以由圖所未示的控制系統的回授（feed back)控制及前授(feed forward)控制來對曝光裝置本體12 全體的傾斜、Z方向的變位、及、曝光裝置本體12全體的 在圖1中的X、Y方向的變位進行主動(active)補正的致動 器及各種的感知器。以這種主動防震裝置而言，已經開示 於，譬如說，特開平9-74061號公報及對應於此的美國專 利第707216號（1996年9月3日申請專利），在指定國的國 內法令所容許的限制下，可引用此開示來做爲本文的記載 的一部份。 架台部16具有與地板面平行的定盤22、及、與此定 盤22對向且係設置於上方的支撐板部24,其形狀爲內部 係爲空洞的箱狀。支撐板部24係由在中央形成了圓形的開 口部的矩形的板狀部材所構成，而且投影光學系統PL係 以與該支撐板部24垂直的狀態下插入至此中央開口部。而 且，此投影光學系統PL係經由設置於其外週部的一部份 的凸源(flange)部而被支撐於支撐板部24。 在支撐板部24的上面立設了 4根腳部26，而且係包 圍住投影光學系統PL。在這4根腳部26的上部則設置了 :由這4根腳部26所支撐，而且其上端係互相接續的標線 基準(reticule base)定盤28。而此4根腳部26及標線基準 定盤28並構成第2圓柱(第2架台）。再者，在圖1中雖然 是省略掉了，但是實際上在支撐板部24的上面也立設了， 如圖3所示的，有別於第2圓柱的第1框架40，此第1框 ____73 _ 41聞讀1').0之;1.总事頊再填_:^本頁 訂 線 木紙张尺度述⑴屮家彳（（'NS ) 格（2丨(1X297公雄 5： A7 _______________________ H7 ____ 五、發明説明（，刀） 架4〇並支撐了照明光學系統18的一部份(射出端部附近) 。在此第1框架40的與照明光學系統18的射出端部對向 的部份則設置了開口部40a。
'1T 在標線基準定盤28的中央部則形成了開口部28a(參 照圖2)。照明光學系統18的射出端部則係配置微與此開 口部28a對向。再者，在標線基準定盤28上則配置了以真 空(vacuum)及靜電吸著來吸著支撐做爲大型光罩的9英吋 大小的標線R，並使其可在2度空間平面內自由移動的標 線台RST。再者，在圖2中顯示了 X方向(第2軸方向或是 第2方向）、Y方向(第1軸方向或是第1方向）、及、Z方 向。在由此標線台RST上的圖所未示的靜電電荷(charge) 等所產生吸著強度係約爲即使是4G程度(level)的加速度在 作用，也完全不會使標線R產生橫向的移位(shift)等的強 度。 在本實施形態中，標線台RST係由磁氣浮上型2度空 間平面馬達所驅動。但是，在圖2中爲了易於圖示及說明 ，僅以驅動系統29來圖示此磁氣浮上型2度空間平面馬達 。再者，標線台的驅動系統可以是使用聲音線圈馬達 (voice coil motor)、壓電馬達(piezo motor)等任何的驅動系 統。在此場合，標線台RST也可藉由驅動系統29的驅動 而在投影光學系統PL的光軸AX周圍的旋轉方向(Θ)方向 做微小的驅動。再者，由於標線台RST的位置量測系統係 本實施形態的構成的特徵部分，因此後面會對此做詳細的 敘述。 __________—_______________2^_ 木紙支過川巾（（NS ) Λ4Μ格（21()/297公筇） 408364 Λ7 B7 -- -~-〜.…· — — . - - — _ ________ _ 五、發明説明（衿） 照明光學系統18係，如圖2所示的，具備了：可變檢 光器18A、光束整形光學系統18B、第1飛眼透鏡(fly eye iens)系統18C、震動鏡子18D、集光透鏡系統18E、照明 NA補正板18F、第2飛眼透鏡系統18G、照明系統開口絞 板 18H、分光器（beam splitter)18J、第 1 接續透鏡（relay lens)18K、固定標線遮簾(reticule blind)18L、可動標線遮 簾18M、第2接續透鏡18N、照明遠心(telecentric)補正板( 可傾斜的石英的平行平板）18P、鏡子18Q、及、主聚光透 鏡(condenser lens)系統18R等。此處，對此照明光學系統 18的上述構成各部進行說明。 可變檢光器18A係用以調整準分子雷射的每一個脈衝 的平均能量(energy)，譬如說，可以是切換的使用減光率不 同的複數的光學濾光片（filter)而階段的改變其減光率，或 是，使透過率係爲連續的改變的2片光學濾光片重合並藉 由調整其重合情形來連續的改變改變其減光率。構成此可 變檢光器18A的光學濾光片係由由主控制裝置50所控制 的驅動機構35所驅動。 光束整形光學系統18B將由可變檢光器18A調整爲特 定的峰値強度的準分子雷射光的斷面彤狀整形，以使其與 構成設置於該準分子雷射光的光路後方的後述的雙飛眼透 鏡(double fly eye lens)系統的入射端的第1飛眼透鏡系統 18C的入射端的全體形狀類似，並使其可有效的入射至該 第1飛眼透鏡系統18C，譬如說，係由圓筒透鏡(cylinder lens)及光束擴大器（beam expander)(均省略其圖示）等所構 -先間請背而之注总事項再峭朽木Η )
-1T 線 木紙iiUUi迖川'丨'KFaU.,1:;? (('NS)A4AL柁（2IOX2?7公犛） 408064 五、發明説明（乃） 成。 -1間讀背而之."憑事項443木万 前述的雙飛眼透鏡系統係用以使照明光的強度分布均 勻化，係由依序的配置於光束整形光學系統18B後方的準 分子雷射光的光路上的第1飛眼透鏡系統18C、及、集光 透鏡系統18E、及、第2飛眼透鏡系統18G所構成。在此 場合，在第1飛眼透鏡系統18C及集光透鏡系統18E之間 設置了：用以使產生於被照射面（標線面或是晶圓面）的干 涉條紋及微弱的光譜(spectral)平滑化的震動鏡子18D。此 震動鏡子18D的震動(偏向角)係經由驅動系統36而由主控 制裝置50所控制。 在第2飛眼透鏡系統18G的入射端側配置了：在照明 光的被照射面調整開口數的方向性(照明NA差)的照明NA 補正板18F。
""部十次"-^-^β 1·消於Α"κ"印 V 對如本實施形態的雙飛眼透鏡系統及震動鏡子18D的 組合的構成已經詳細的開示於，譬如說，特開平1-235289 號公報及對應於此的美國專利第5,307,207號，以及，特 開平7-142354號公報及對應於此的美國專利第5,534,970 號，在指定國的國內法令所容許的限制下，可引用此開示 來做爲本文的記載的一部份。 在前述的第2飛眼透鏡系統18G的射出面的附近配置 了：由圓板狀部材所構成的照明系統開口絞板18H。在此 照明系統開口絞板18H以約相等的角度間隔配置了 ：譬如 說’由通常的圓形開口所構成的開口絞、由小型的圓形開 口所構成’用以使做爲結合係數(coherence facter)的σ質變 ,» I Hi ---~ ί 76 本紙浓尺度蝻川t Κ Ιϋ ( < 'NS )八4現樁（210 X：97.i>^ ) _ B7_ 五、發明说明（W ) 小的開口絞（小σ絞）、輪帶照明用的輪帶狀的開口絞(輪帶 絞）、及.、使用於變形光源法的，譬如說，由配置4個偏心 的開口所構成的變形開口絞等。由主控制裝置50所控制的 ，圖所未示的馬達(motor)等會使此照明系統開口絞扳18Η 旋轉，並由此而選擇其中的1個開口絞並將其設定在脈衝 照明光的光路上，而將照明的光源面形狀限制爲輪帶、小 圓形、大圓形、或是、4點狀等。 在照明系統開口絞板18H後方的脈衝照明光的光路上 ，配置了：反射率大而穿透率小的分光器18J ;在更後方 的光路上，配置了 ：中間存在著固定標線遮簾18L及可動 標線遮簾18M，並係由第1接續透鏡18K及第2接續透鏡 18N所構成的接續光學系統。 固定標線遮簾18L係配置於稍微遠離對標線R的圖 案面的共役面的非聚焦(de-focus)面，並形成了規定標線R 上的照明區域的特定形狀的開口部。在本實施形態中，此 開口部係形成爲直線的延伸於與掃描曝光時的標線R的移 動方向(Y方向)垂直的X方向的狹縫狀或是矩形狀。 再者，在固定標線遮簾18L的附近配置了 ：具有可改 變掃描方向的位置及寬度的開口部的可動標線遮簾18M; 在掃描曝光開始時及結束時，藉由經由此可動標線遮簾 18M來進一步限制照明區域，便能夠防止曝光到不要的部 分。而此可動標線遮簾18M係經由驅動系統42而由主控 制裝置50所控制。 在構成接續光學系統的第2接續透鏡18N的出口部分 _________________________77___ 本紙 if： 乂度岣 w ( (Ή 現你（2Ι()Χ 公你） A7 -i08364 五、發明説明（汀） 「尤聞讀背而之注总事項再"艿本页 配置了照明遠心補正板ISP ;而在脈衝照明光的更後方的 光路上；配置了：使通過第2接續透鏡18N及照明遠心補 正板18P的脈衝照明光向著標線R而反射的鏡子18Q ;在 此鏡子18Q後方的脈衝照明光的光路上，配置了：主聚光 透鏡系統18R。 此處，簡單的說明如上所述而構成的照明光學系統18 的作用。 線 來自於準分子雷射光源11的準分子雷射光會經由管 34、光束受光器32而入射至照明光學系統18內，而此準 分子雷射光在由可變檢光器18A調整爲特定的峰値強度後 ，會入射至光束整形光學系統18B。而且，此準分子雷射 光會在光束整形光學系統18B整形，以使其能以高效率入 射至後方的第1飛眼透鏡系統18C。其次，當此準分子雷 射光入射至第1飛眼透鏡系統18C時，便會在第1飛眼透 鏡系統18C的射出端側形成複數的2次光源。發散自這些 複數的點光源的紫外脈衝光會經由震動鏡子18D、集光透 鏡系統18E、照明NA補正板18F而入射至第2飛眼透鏡 系統18G。由此，在第2飛眼透鏡系統18G的射出端會形 成由使複數的微小光源像均勻的分布在特定形狀的區域內 的各個光源像所構成的複數的2次光源。射出自此複數的 2次光源的脈衝紫外光會在通過照明系統開口絞板18H上 的任何一個開口絞之後，到達反射率大而穿透率小的分光 器 18J。 做爲由此分光器18J所反射的曝光光的脈衝紫外光會 __ 78 本紙張尺度鸿川中呤（Γ!^)Λ‘^ί枋I 公兑） A7 408364 、發明説明（/) _第1接續透鏡18K而以均勻的強度分布照明至固定標線 遮簾18L的開口部。但是，依存於來自於準分子雷射光源 U的紫外脈衝光的可千涉性的干涉條紋及微弱的光譜有可 能會以數°/。左右的對比(contrast)而重疊於此強度分布。因 此，雖然有可能會由於干涉條紋及微弱的光譜而在晶圓面 上造成曝光量不均勻，但是如前述的特開平7-142354號公 報所示的，藉由使掃描曝光時的標線R及晶圓W的移動及 紫外脈衝光的震盪同步的震動震動鏡子18D，便能夠使此 曝光量不均勻平滑化。 如此，通過固定標線遮簾18L的開口部的紫外脈衝光 在通過可動標線遮簾18M之後，會通過第2接續透鏡18N 及照明遠心補正板18P，並在由鏡子18Q使光路曲折向垂 直下方之後，會經由主聚光透鏡系統18R而以均勻的照度 分布照明至保持於標線台RST上的標線R上的特定的照明 區域(直線的延伸於X方向的狹縫狀或是矩形狀的照明區域 )。此處，照射至標線R的矩形狹縫狀的照明光係設定爲在 圖1的投影光學系統PL的圓形投影視野的中央，係細長 的延伸於X方向(非掃描方向），且此照明光在Y方向(掃描 方向)則係約設定爲一定的寬度。 另一方面，穿透過分光器18J的脈衝照明光會經由圖 所未示的集光透鏡而入射至由光電轉換元件所構成的積分 檢知器（integrator sensor)46，並在此處進行光電轉換。而 且，此積分檢知器46的光電轉換信號會經由後述的峰値保 持(peak holder)電路及A/D轉換器而供應至主控制裝置50 忒-------訂------線 (-I'·.1)先閜请背而之·;Ι.δ 事項4^ί-:?本 πο 79 A7 B7 五、發明説明（巧） 。以積分檢知器46而言，可以是使用，譬如說，在遠紫外 區域具有靈敏度，而且爲了要檢測出準分子雷射光源11的 脈衝發光而具有高應答頻率的PIN型的光二極體 (photodiode)等。事先要求出此積分檢知器46的輸出與晶 圓W表面上的脈衝紫外光的照度(曝光量)的相關係數，並 將其儲存至主控制裝置50內的記憶體。 以前述的投影光學系統PL而言，此處係使用了：物 體面(標線R)側及像面(晶圓W)側兩者均爲遠心性且具有圓 形的投影視野，並且是僅由以石英及螢石來做爲光學硝材 的折射光學元件(透鏡元件)所構成的，縮小倍率爲1/4(或 是1/5)的折射光學元件。而且，在標線R上的電路圖案區 域之中，來自於由脈衝紫外光所照明的部分的結像光束會 經由投影光學系統PL，而被縮小爲1/4或是1/5的投影至 被靜電吸著(或是被真空吸著)於後述的晶圓台WST上的支 撐器(holder)的晶圓W上的光阻(photo resist)層。 再者，當然也可以是如開示於特開平3-282527號公報 及對應於此的美國專利第5,220,454號一般的，使投影光 學系統PL係爲組合折射光學元件及反射光學元件（凹面鏡 及分光器等）的所謂的反射折射光學（catadi〇Ptric)系統。在 指定國的國內法令所容許的限制下，可引用此開示來做爲 本文的記載的一部份。 第1槪念的說明 其次，參照圖4來詳細的敘述標線台RST的位置量測 系統。在圖4(A)顯示了標線底板定盤28附近的平面圖， 80 *{-------訂------- 線 (1ί·1閱請汴而之注4事^1再續贫？本頁) 木紙乐尺度 ί_ϊ·:ΐ ( (_NS )Λ4 化松（_ 210X 297 公郯） 4 r〇 i] ii'i IV 社 印 408364 a7 β7 五、發明说明（π) 圖4 (Β)則顯示了從箭頭Β方向所看到的標線底板定盤28 附近的側面圖。 如圖4(A)所示的，投影光學系統PL的視野ST(與由 標線遮簾所規定的最大的狹縫狀照明區域一致）只有 100mmx32rnm(投影至晶圓W上的視野的4倍）’在9英吋 標線R上，1次的掃描曝光只能夠對鄰接於非掃描方向(X 方向）的第1區域P1、第2區域P2(這些均爲 100mmx200mm)或是點線所示的中心區域 P3(100mmx200mm)之一來進行曝光。 爲了要對這些區域PI、P2、P3全部進行曝光(將圖案 轉寫至晶圓W上），必須要以圖4(A)所示的區域P1的曝光 位置爲基準的，使標線台RST在非掃描方向進行50ηιη(在 點線所示的中心區域P3的場合)或是l〇〇nm(在區域P2的 場合)的移位。 因此，在標線台RST的Y方向的一端側(在圖4(A)爲 下端側)的側面設置：分別對應於區域P2、P3、P1，並做 爲第1鏡子的第1角落立方體31Y1、做爲第2鏡子旳第2 角落立方體31Y2、做爲第3鏡子的第3角落立方體31Y3 。在此場合，雖然3個角落立方體31Y1 ' 31Y2、31Y3係 以50mm的間隔而沿著X方向而配置，但是其間隔並不限 定於此’而是不論是何種間隔，只要是預先決定下的間隔( 通常’此間隔會依據標線台RST上的標線的圖案配置來決 定)即可。 在標線基準定盤28上，如圖4(A)所示的，固定了：
h1T 本紙乐尺戍泊川( ) Μ現格（2I0X 297公筇 408364 A7 Η 7 五、發明説明（） 做爲將Y方向的測長光束照射至數述3個角落立方體 31Y1、；31Y2、31Y3之一，並藉由接受其反射光而測量標 線台RST在掃描方向的位置的第1干涉計，的標線干涉計 30Υ。在此場合，可以使用角落立方體31Υ1、31Υ2、31Υ3 來做爲在掃描方向(Υ方向）測量位置的移動鏡。譬如說， 在圖4(A)所示的非掃描方向(X方向）的位置，係存在了標 線台RST的狀態下，從干涉計30Υ照射向標線台RST的 測長光束ΙΥ會依序在角落立方體31Υ1、反射鏡82、角落 立方體31Υ1被反射。而來自於此角落立方體31Υ1的折回 光會約經由與入射光路相同的光路，而以相反方向折回(所 謂的雙通路(double pass)構成）。因此，即使是標線台RST 旋轉了角度Θ，反射光也能夠確實的回到干涉計30Y，而能 夠正確的測量標線台RST在掃描方向的位置。在此場合， 標線千涉計30Y的測長軸(入射光及折回光相對於角落立方 體31Y1的中心位置)係位置於與投影光學系統Pl的光軸 中心交叉的位置。再者，來自於標線干涉計3〇γ的測長光 束ΙΥ在Ζ方向的位置會與標線R的下面(圖案形成面)—致 。因此，便能夠沒有阿倍誤差的正確的測量出標線R在掃 描方向的位置。 對沿著標線台RST的掃描方向(Υ方向）的2個側面進 行鏡面加工，而形成延伸於Υ方向的第1反射面84&、第 2反射面84b。與這些反射面對向的，在標線基準定盤28 上的非掃描方向(X方向）的兩端部分別設置做爲第2干涉 計的標線X干涉計3〇Χ1、做爲第3干涉計的標線X干涉 --------------------------- 木纸彳，WlKd ( ) A4( 210X ) -•1間讀背而之·;1δ事項再Ji1rtT本頁) 訂 線 408364 A? B7 五、發明説明（π ) (ιΐι間請背而之·;ί4事項再填ίί?本茛) 計3〇X2。這些標線X干涉計30X卜30X2均是使用將2條 測長光束（測長光束IXU、IXU、及、測長光束ΪΧ21、 IX22)照射至第1、第2反射面84a、84b的2軸干涉計。 這些標線X干涉計30X1、30X2的測長軸(各2條測長光束 的中心位置)係與投影光學系統PL的光軸中心相交。再者 ，來自於這些標線X干涉計30X1、30X2的測長光束IY 在Z方向的位置係與標線R的下面(圖案形成面)一致(參照 圖4(B))。因此，也能夠沒有阿倍誤差的正確的測量出標線 台RST在非掃描方向的位置。 其次，說明如上速構成的標線台RST的位置量測系統 的動作。 (a)首先，說明在進行將標線R上的第1區域P1的圖 案轉寫至晶圓W上的掃描曝光的場合。在此場合，如圖 4(A)所示的，將來自於其中之一的標線X干涉計30X1的 測長光束1X11、1X12照射至標線台RST的第1反射面 84a，並藉由分別接受其反射光而測量(測長)在各個測長光 束1X11、1X12的照射位置的第1反射面84a在X軸方向 的位置，並由此測量値XI、X2的平均値來求出標線台 RST在非掃描方向的位置。此平均値的計算係在輸入了來 自於標線X干涉計30X1的輸出的標線台控制器(reticule stage controller)33(參照圖2)所執行。在此場合，在標線台 控制器33便能夠依據XI、X2的差來求出標線台RST的Θ 旋轉。另一方面，標線Y干涉計30Y會將測長光束IY照 射至第1角落立方體31Y1，並藉由接受其反射光而測量標 83 木紙張尺度泷( ( NS )以叱格（210/297公焓}
-A % P A il 408364 五、發明説明（i叫 A7 ΙΪ7 線台RST在掃描方向的位置。 (b)再者，在進行將標線R上的第2區域P2的圖案轉 寫至晶圓W上的掃描曝光的場合，驅動系統29會使標線 台RST在從圖4(A)的狀態向著+X方向驅動l〇〇mm的狀態 下進行掃描曝光。在此場合，將來自於另一個標線X干涉 計30X2的測長光束1X21、1X22照射至標線台RST的第2 反射面84b，並藉由分別接受其反射光而測量(測長)在各個 測長光束1X21、1X22的照射位置的第2反射面84b在X 軸方向的位置。並與前述相同的，標線台控制器33便能夠 由此測量値X3、X4的平均値來求出標線台RST在非掃描 方向的位置。在標線台控制器33也同樣的能夠依據X3、 X4的差來求出標線台RST的Θ旋轉。另一方面，標線Y干 涉計30Y會將測長光束IY照射至第2角落立方體31Y2， 並藉由接受其反射光而測量標線台RST在掃描方向的位置 〇 (C)再者，在進行將標線R上的第3區域P3的圖案轉 寫至晶圓W上的掃描曝光的場合，驅動系統29會使標線 台RST在從圖4(A)的狀態向著+X方向驅動50mm的狀態 下進行掃描曝光。在此場合，係使用標線X干涉計30X1 、30X2來測量標線台RST在非掃描方向的位置。即是， 由上述(a)、（b)的標線X干涉計30X1、30X2來同時進行對 標線台RST的量測。而且，在標線台控制器33會使用標 線X干涉計30X1、30X2的量測値，XI、X2、X3、X4， 並由下式來求出標線台RST在非掃描方向的位置。 訂 ^ — 84 A7 408364 五、發明説明（，?>) Χ=[{(Χ1+Χ2)/2}-{(Χ3+Χ4)/2}]/2 再者，在此場合，在標線台控制器33在求出標線台 RST的Θ旋轉的場合，以L來做爲測長光束1X11、1X12的 間隔’測長光束1X21、1X22的間隔，並由下式來求出標 線台RST的Θ旋轉。 θ={ (X1-X2 )/L+(X4-X3 )/L} /2 另一方面，標線台RST在掃描方向的位置係將標線Y 干涉計30Υ的測長光束ΙΥ照射至第3角落立方體31Υ3， 並藉由接受其反射光而測量標線台RST在掃描方向的位置 〇 由到目前爲止的說明可知，在本實施形態中，在將標 線R的圖案掃描曝光的轉寫至晶圓W上時，由於係使用第 1 '第2、及、第3角落立方體31Υ1、31Υ2、31Υ3之一來 測量標線台RST在掃描方向的位置，所以即使是標線台 RST有著Θ旋轉(或是旋轉誤差)等，也能夠正確的測量出標 線台RST在掃描方向的位置。再者，係使用距離與測長光 束對向的反射面較近的標線X干涉計的測量値來求出標線 台RST在非掃描方向的位置。再者，即使是第1、第2反 射面84a、84b爲平面鏡，只要是標線台RST有著Θ旋轉很 微小，便不會陷入無法測量的狀態。 如上所述的，在本實施形態中，雖然標線台RST的位 置測量系統的構成包括：3個角落立方體31Y1、31Y2、 31Y3、及、由第1、第2反射面84a、84b所構成的移動鏡 、及、標線Y干涉計3〇Y、2個標線X干涉計30X1、 85 木紙队尺度適川十孓代+々（) Λ4^格（210X^97^^ 1 ' 『1閱讀背而之注意事項再填寫本頁 ，訂 408364 Λ7 -----------------------________ 五、發明説明（ϋ) 30X2 ;但是在圖2中僅代表性的顯示了標線雷射干涉計30 '移動f竟31。 在本實施形態中，標線台控制器33係，如上所述的， 依據標線雷射干渉計30的測量値來分別進行標線台rst 在X、Y、Θ方向的位置測量。而且，標線台控制器33會 控制：移動標線台RST以基本上使輸出自干涉計30的位 置資訊(或是速度資訊)會與指令値（目標位置、目標速度)一 致的驅動系統(磁氣浮上型2度空間馬達)29。 而且’作用爲重置裝置的標線台控制器33會持續的監 視標線X干渉計3〇Χ1、30X2的測量値，而且會依據標線 台RST在非掃描方向的位置而將干涉計30重置。 此處，干涉計的重置係指使干涉計的測量値回復至特 定的値，但是並不一定是指回復至零點。 而再切換做爲掃描曝光的對象的圖案區域時，雖然需 要使標線台RST在非掃描方向(X方向)移動，但是由於在 此途中，來自於標線Y干涉計30Y的測長光束IY會不會 射到任何一個的角落立方體，因此便會變爲無法由標線Y 干涉計30Y來進行位置測量的狀態。所以，在本實施形態 中，另外設置了在無法由干涉計來進行測量期間，可監視 標線位置的感知器（圖示省略）。以此感知器而言，譬如說 ，可以是使用：在標線台RST的反射面84a(或是84b)的下 半部形成特定間距(pitch)的格子標誌，並由圖所未不的光 源系統以極小的入射角對此格子標誌由對稱的方向投射入 震動述僅稍微不同的一對光束，而在形成了此格子標誌的 ____- —___ 木认乐尺度进川中WIKd (, rMS ) Λ‘“ [林（2I0X 公沖) 「先閱讀背而之·""事項再功艿本頁 訂 線 ^ ,u τ- MV. - ?> >ΜΜ. 4〇^64 Λ7 H7 五、發明説明（种） 面上產生在Y軸方向以特定速度移動的干涉條紋，並從此 格子標誌接受產生於 X軸方向的折回光的合成光束，並依據此合成光束的 光電變換信號的相位變化而測量標線台RST的位置的外差 法(heterodyne)方式的感知器。此感知器已經開示於，譬如 說’特開平5-40184號公報，蓝援用此開示來做爲本文的 記載的一部份。 在此場合，標線台控制器33雖然也可以是在來自於標 線Y干涉計30Y的測長光束IY射到對應於做爲下一次掃 描曝光對像的標線R上的區域(PI ' P2、P3內的特定區域) 的角落立方體31Y之後，立刻對標線Y干渉計30Y進行重 置’但是’在本實施形態中，考慮到有可能在標線台RST 在非掃描方向的移動中，標線台RST會有在掃描方向(Y方 向）的微小的位置偏差或是Θ旋轉，所以在干涉計的重置之 前，會進行後述的標線校準(reticule alignment)及基準線測 再者，由於在非掃描方向，來自於標線X干渉計 30X1、3〇X：2的測長光束會永遠射到第1反射面、第2反 射面，所以標線台控制器33只要依據需要來選擇任何一方 的千涉計的測量値，或是兩者的測量値即可。即是，標線 台控制器33會依據存在於投影光學系統PL的投影視野內 的光罩上的區域PI、P2或是P3的位置資訊，來選擇並使 用標線X干涉計30X1、30X2的測量値。 而且，雖然在圖1及圖2省略了其圖示，但是實際上 _____________________________87____ ill ( CNS ) ( 2I0X ) " #先"請背而之注悉事項再螭巧本頁) '1Τ ‘屬 364 Λ7 ____________ 1ϊ7 五、發明説明（朽） ，在本實施形態的掃描型曝光裝置1〇中，在進行掃描曝光 時，由於爲了要使對應於在質量Rm的標線台RST在以等 速移動的前後的前置掃描時、後置掃描時所產生的加減速 度Ar，而從質量Rm的標線台RST作用到標線基準定盤 28的反作用力-ArXRm並不會經由支柱26而被傳遞至架 台部16，所以設置了反應致動器(reaction actuator)74。 此反應致動器74係，如圖3所示的，相對於支撐架台 部16的底板BS，而由彈性體70來大略的決定其位置的反 應框架72所支撐，並係配置於與由標線台RST、標線基準 定盤28等的重量所決定的重心部約爲相同的高度。 '1Τ ^ "-'=.部屮·,;,"^'·'^π n 以反應致動器74而言，雖然實際上係如圖4(A)所示 的，在非掃描方向的兩側設置了一對的反應致動器74L、 R74 ;但是在圖3終止代表性的顯示了反應致動器74。此 反應致動器74在標線台RST的加減速時，會將反作用立 即反對的力作用到標線基準定盤28,來抵銷上述重心的橫 向位移及旋轉，並係由圖所未示的控制裝置所控制；由此 ，標線台RST在加減速時的震動便不會經由支柱26而被 傳遞至架台部16。在此反應致動器係使用如本實施形態的 磁氣浮上型二度空間線性致動器(linear actuator)的場合， 可以說其必要性及效果都會比在使用螺絲方式的標線台的 場合要高。此處，反應致動器74係使用聲音線圏馬達來作 爲其構成的一例。但是，在如本實施形態的，以磁氣浮上 型二度空間平面馬達來構成標線台RST的驅動系統場合， 也可以是以構成此平面馬達的線圈的一部份來做爲固定子 ».7"" ------ --- 88_____ 木紙ί〆尺度1¾ 屮（（.NS )八4叱松（2丨Οχ 408364 A7 ___ ___ B7__ 五、發明説明（4 ) ，並由共用的線性致動器來構成反應致動器，並兼用做爲 移動標線台的驅動系統(致動器)及供應力至前述的第2架 台的致動器的一部份的構成要素。 前述的LC/MAC系統係用以對投影光學系統PL的各 種光學特性(結像性能)進行微調整，在本實施形態中，如 圖2所示的，其構成係包含了 ：設置於接近於投影光學系 統PL內的物體面的位置，並由可在光軸方向做微小移動 並可對與光軸垂直面做微小傾斜的遠心部透鏡系統G2及 可驅動此透鏡系統G2在光軸方向(包含傾斜)做微小移動的 驅動機構96所構成的MAC、及、經由通管(pipe)94而使 相對於投影光學系統PL內的外部氣體係爲密封了的特定 的空氣間隔室（密封室）內的氣體壓力在，譬如說，約± 20mmHg左右的範圍內加減壓，並由此而對投影像的結像 倍率的進行微調整的透鏡控制器(lens contr〇Uer)102。而前 述的MAC則能夠調整投影像的倍率或是歪斜(distortion)( 等方向的歪曲像差，或是，樽形、捲絲形、台形等的非等 方向的歪曲像差）。 在此場合，透鏡控制器1〇2也是對透鏡系統G2的驅 動機構96的控制系統，可切換的藉由驅動透鏡系統G2來 改變投影像的倍率或是藉由控制投影光學系統PL內的密 封室內的壓力來改變投影像的倍率，或者是對此二者同時 進行控制。透鏡控制器也是在主控制裝置50的管理下 動作。 但是，在使用波長爲BSnm的ArF準分子雷射光源來 89___ _ ^ iiitK W ^ ^ ( cns ) i ) 40W64 1Ϊ7 五、發明説明（) 做爲照明光的場合，由於在照明光路內及投影光學系統PL 的鏡筒內置換了氮氣氣體（nitrogen gas)或是氦氣氣體 (helium gas)，因此不易改變投影光學系統PL內的空氣間 隔室內的折射率，所以也可以省略掉對此空氣間隔室內壓 力做加減壓的機構。 再者，在接近於投影光學系統PL內的像面的位置也 包含了：用以減少特別是在所投影的像之中的像高較大的 部分（接近於投影視野內的周邊的部分）所容易產生的灰像 差(ashes coma)的灰像差補正板G3。 而且，在本實施形態中，在投影光學系統PL的透鏡 系統G2及標線R之間配置了用以有效的減少包含於形成 於圓形視野內的有效的像投影區域(規定於固定標線遮簾 18L開口部）的投影像的隨機(random)的歪斜成分的像歪斜 補正板G1。此補正板G1係局部的硏磨於具有約數毫米 (millimeter)左右的平行的石英板的表面，並使通過此硏磨 部分的結像光束做微小的偏向。此種補正板G1的製造方 法的一例已經詳細的開示於特開平8-203805號公報及對應 於此的美國專利第5S1016號（1996年1月3日申請專利）， 在本實施形態中，基本上也是應用開示於此公報的方法。 在指定國的國內法令所容許的限制下，可引用此開示來做 爲本文的記載的一部份。 ^ 2槪念的說明-(Π 其次，說明本發明的台裝置1。此台裝置1係如圖1 及圖2所示的，具備了：構成前述架台部(第1架台或是第 _______________________90_— _ 2ΙΟΧ^97λχ^) " 一― -1閱請背而之注"事項再峭艿本頁) -=•5 u^S〇64 a7 B7 五、發明説明（汉） 1圓柱(column))16的定盤22、及、被支擦於此疋盤22上 並可在XY面內做相對移動’並做爲第2可動體的可動型 定盤38、及、被支撐於此可動型定盤38上並可在XY面 內做相對於該可動型定盤38的相對移動’並做爲基板台的 晶圓台WST(第1可動體）。 訂 線 晶圓台WST係由在投影光學系統PL下方’做爲設置 於可動型定盤38上的驅動裝置的第1平面磁氣浮上型線性 致動器42(參照圖7(B))所浮上支撐’而且在與投影光學系 統PL的光軸AX垂直的XY2度空間平面內可自由的驅動 。再者，可動型定盤38係，與晶圓台WST相同的，由設 置於定盤22上的第2平面磁氣浮上型線性致動器44(參照 圖5(B))所浮上支撐，而且在XY2度空間平面內可自由的 驅動。再者，在圖2中，爲了便於圖示，係將上述的平面 磁氣浮上型線性致動器42、44 一起圖示爲驅動系統48。 此驅動系統48，即是，平面磁氣浮上型線性致動器42、44 係由晶圓台控制器(wafer stage controller)78所控制。再者 ，可動型定盤38的控制方法，作用等在後面會詳細說明。 前述的晶圓台WST係具備了：做爲可在可動型定盤 38上的XY2度空間平面內自由的移動的第2金屬板的移 動台52、及、搭載於此移動台52上的測平驅動機構58、 及 '由此測平驅動機構58所支撐’並做爲支撐晶圓的第1 金屬板的基板桌TB。 在本實施形態中，移動台52係形成爲正三角形狀，並 係配置於可動型定盤38上，並使其一端面係向著與做爲標 ------....______________________ 91 本紙ifdUi详叫 t « 卜^:彳〇 ( Γ) ) ----- 408364 邮 卑 ίί .τ. 消 IV A η 卬 Α7 117 五、發明説明（Μ) 線台RST的掃描方向的γ軸方向(第1軸方向)垂直的方向 〇 則述的基板桌ΤΒ係形成爲與移動台52完全相同形狀 的正三角形狀，並在從平面看過去會使移動台52變重的狀 態下’係由構成測平驅動機構58的3個致動器ZAC所支 撐。在此基板桌ΤΒ上設置了約爲圓形的晶圓支撐器(wafer holcler)54(參照圖5(C))，晶圓則被靜電吸著於此晶圓支撐 器54 ’而可對其進行平坦化矯正，並將其支撐。爲了要抑 制在晶圓W曝光時的熱蓄積所造成的膨漲變形而對此晶圓 支撐器54進行了溫度控制。 前述的測平驅動機構58係由：分別在正三角形的3個 頂點附近支撐基板桌TB，並能夠在各個支撐點在垂直於 XY平面的Z方向獨立的進行驅動的3個致動器(壓電）、聲 音線圈馬達等)ZACX1、ZACX2、ZACY(參照圖5(A))、及 、藉由獨立的控制此3個致動器ZACX1、ZACX2、ZACY 而使基板桌TB在光軸AX的方向(Z方向)微動，並使其傾 斜於XY平面的致動器控制裝置56。對致動器控制裝置56 的驅動指令則係輸出自晶圓台控制器78。 再者，在圖2中雖然將其省略掉了，但是在投影光學 系統PL的附近設置了檢測出投影光學系統PL的結像面與 晶圓W表面在Z方向的誤差(聚焦(focus)誤差)及傾斜(測平 誤差)的聚焦•測平感知器(focus · leveling sensor)，晶圓台 控制器78則依據來自於此感知器的聚焦誤差信號及測平誤 差信號而輸出驅動指令到致動器控制裝置56。此種聚焦· 92 /先"請背而之""事項4"〈"本万 訂 木紙队尺度逆,，!丨中闪( r\S ) Λ4说格（2]〇 x 297公筇） 408364 A7 ---------------- B7_______ 五、發明説明（0 ) ' ' ^ 測平減測系統的一例已經開示於特開平7—201699號公報及 對應於此的美國專利第5473424號，在指定國的國內法令 所容許的限制下，可引用此開示來做爲本文的記載的一部 份。 圖2所示的雷射干涉計系統76會逐次的測量晶圓台 WST ’即是’基板桌TB的圖5(A)的各干涉計光束的方向 的位置’並將此位置資訊送至晶圓台控制器78。晶圓台控 制器78則經由特定的運算而求出XY位置座標，並依據此 求出的位置座標即要決定位置的目標位置座標資訊而將用 以驅動晶圓台WST的指令信號輸出至驅動系統48。 此處，使用圖5(A)~(C)來詳述上述的雷射干涉計系統 76的具體的構成。 圖5(A)係以平面圖來顯示來自於構成雷射干涉計系統 76的第1、第2及第3干涉計76X1、76Y，76X2及來自 於此3個干涉計的干涉計光束RIY1 ' RIY、RIY2及基板桌 TB。 由此圖5(A)可知，在本實施形態中，基板桌TB以平 面視係形成爲正三角形狀，並在其3個側面分別進行了鏡 面加工而形成了第1、第2、及、第3反射面60a、60b、 60c。而且，第2干涉計76Y係將做爲掃描方向的Y軸方 向(第1軸方向)的干涉計光束RIY垂直的照射至第2反射 面60b，並藉由接受其反射光而測量基板桌ΤΒ在Υ軸方 向的位置(或是速度）。再者，第1干涉計76X1係將以特定 角度Θ1(此處，Θ1係爲-6(T)的傾斜於Y軸方向的干渉計光 ________________________ 93__ 孓紙依尺度❿ ”1屮闷( rNS ) Λ4ί 210X29?^^ ) ^ A7 B7
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五、發明説明（W 束RIX1垂直的照射至第1反射面60a，並藉由接受其反射 光而測暈做爲干涉計光束RIX1的第3軸方向的位置(或是 速度）。同樣的，第3干涉計76X2係將以特定角度Θ2(此處 ，Θ2係爲+60°)的傾斜於γ軸方向的干涉計光束RIX2垂直 的照射至第3反射面60c，並藉由接受其反射光而測量做 爲干涉計光束RIX2的第4軸方向的位置(或是速度）。 若是考慮到由於晶圓台WST的XY移動及基板桌TB 的微動而可能會在XY面內產生的微小旋轉誤差(包含搖晃 (yawing)誤差)對曝光精確度所造成的惡影響，在本實施形 態中，係使用複數軸的干涉計來做爲構成雷射干涉計系統 76的各干渉計。 圖5(B)係更詳細的顯示來自於第2干涉計76Y的干涉 計光束RIY及構成該干涉計的一部份的光學系統。如圖 5(B)所示的，從射出自干涉計76Y的平面看過去，做爲2 軸的測長光束的第1、第2測長光束RIY1、RIY2會照射 至基板桌TB的第2反射面60b。這些測長光束RIY1、 RIY2在同一水平面上，會在X方向距離特定距離的垂直 的照射至第2反射面60b。這些測長光束RIY1、RIY2係 做爲射出自圖所未示的光源的直線偏光的入射光束，並在 分別通過偏光分光器62A、62B之後，經由λ/4板64A、 64Β而成爲圓形偏光的照射至第2反射面60b。而其回光 會在再度通過λ/4板64A、64B之後，變成爲與入射光束的 偏光方向垂直的直線偏光的射出光束，並分別由偏光分光 器62A、62B所反射而入射至角落立方體部66A ' 66B。此 94 ¾先聞讀背而之ii.i_e事項再Jil.;·1!本页) 丁 ,-5° 木紙張尺度讳丨丨丨屮ΚΚΐΚό* ( (AS ) Λ4叱格（210X297公筇） ηίΐί^^Μτι.ίΓ^' A 7 「-__________—__________B7 五、發明説明（p) 處，由角落立方體的3個面所反射的光束會再度通過偏光 分光器62A、62B、λΜ板64A、64B而成爲圓形偏光的到 達到第2反射面60b。而且，此反射光在通過λ/4板64Α、 MB時，會變成爲與最初的偏光方向相同的直線偏光，並 在通過偏光分光器62A、62B後，會與入射光束平行的回 到干渉計本體側。即是，各測長光束Rm、RIY2係以所 謂的雙路徑構成來進行量測。 前述的折回光束在千涉計本體部內會與來自於圖所未 示的固定鏡的參照光束的折回光束重合，藉由計算(count) 這些重合光束的干涉條紋便可分別獨立的測量，在圖5(B) 中以一點鎖線所顯示的，基板桌TB的第2反射面60b在 軸Yl、Y2上的位置。再者，也能夠依據這些測長光束 RIY1、RIY2的測量値的差來求得基板桌TB的旋轉。 但是，特別是在如本實施形態一般的，在對基板桌TB 側面進行鏡面加工來構成移動鏡的場合，僅能夠測量其旋 轉是不夠的。這是因爲在此場合並無法將來自於干涉計的 測長光束設定爲與晶圓W表面同樣的高度。考慮到這一點 ，而如圖5(C)所示的，從第2干涉計76Y將第3測長光束 RIY3照射至：在垂直於XY平面的面方向(下方），在距雛 來自於第2干涉計76Y的測長光束RIY1(或是RIY2)的照 射位置特定距離的位置。由此，便能夠依據測長光束 RIY1(或是RIY2)及測長光束RIY3的差來求得基板桌ΤΒ 對ΧΥ平面的傾斜。 這意味著：也可以是分別將第3測長光束、第4測長 ----- ...____________________95 木纸沾尺㈣⑴ 210χ^97λ>^ ) 一^ {1Λ.先閱讀背而之;|.恧事項再填«7本頁) 訂 4 408364 A7 B7 il J. 消 t: i' ί! 印 t 五、發明説明（的） 光束照射至：在垂直於XY平面的面方向（下方），在分別 距離測晕光束RIY1或是RIY2的照射位置特定距離的位置 。即是，在第2反射面60b上，最好是從第2干涉計76Y 照射並不爲同一直線狀的最少3條測長光束到第2反射面 ，以能夠求得基板桌TB在XY平面內的旋轉及對χγ平面 的傾斜。再者，當然，爲了要改善其測量精確度，第3、 第4測長光束最好也是以所謂的雙路徑構成來進行量測。 其他的干涉計76X1、76X2也是與上述的干涉計76Y 相同的，將3條測長光束照射到第1反射面60a、第3反 射面60c，並藉由分別的接受其反射光而分別獨立的測量 第1反射面、第3反射面的各測長光束的照射點(point)的 各測長光束方向的位置。在圖5(A)中，係代表性的以干涉 計光束RIX1、RIX2、RIY來顯示分別來自於干涉計76X1 、76X2、76Y的3條(或是4條)的測長光束。 在此場合，如圖5(A)所示的，干渉計76X1、76X2、 76Y將至少由各3條的測長光束所構成的干涉計光束垂直 的照射至正三角形狀的基板桌TB的各側面的反射面60a、 60b、60c ;並在做爲與各千涉計光束對向的位置的基板桌 TB的各頂點附近，配置了用以驅動仰角、Z方向的致動器 ZACX1、ZACY、ZACX2。因此，由於便能夠依據由各個 干涉計所測量的，對應的反射面的仰角角度來獨立的控制 致動器ZACX1、ZACY、ZACX2，所以便能夠以良好的效 率來確實的對基板桌ΤΒ進行傾斜調整，而且，由於係驅 動控制位於最遠離基板桌ΤΒ的重心的致動器ZACX1、 96 -- n n - - n n-ϋ - - n - - T ΐ ,-14 (^先閱讀背而之;5.意事項再功寫本1.) ；n t ( f'NS ) ( 210X297^^ 408364 A7 B7 五、發明説明（叫） ZACY、ZACX2，所以便能夠獲至咼的仰角驅動控制應答 0 回到圖2，在基板桌TB的—部份上固定了 ：用以光電 的檢測出通過投影光學系統PL而投影的標線R上的測試 圖案(test pattern)的像及校準標誌(aliSnment mark)的像的空 間像檢知器KES。此空間像檢知器KES係被安裝爲其表面 的高度位置約與晶圓的表面的高度位置相同。但是在實際 上，在將基板桌TB上定於Z方向的全移動範圍(stroke)(譬 如說1mm)的中心時，係將其設定爲使投影光學系統PL的 結像面係與空間像檢知器KES的表面一致。 空間像檢知器KES係被使用於曝光量測量、照度均勻 測量、結像特性測量等。此處’針對空間像檢知器KES的 構成及使用此空間像檢知器KES的結像特性測量來做詳細 的敘述。圖6係槪略的顯示安裝於圖2中的基板桌TB上 的空間像檢知器的構成及與其關聯的信號處理系統的構成 〇 在此圖6中，空間像檢知器KES具備了 ：被設置爲約 與基板桌TB上的晶圓W的表面爲相同高度(譬如說在約土 1mm左右的範圍)的遮光板140、形成於此遮先板140的特 定位置的數十μιη〜數百Pm左右的矩形開口（刀口型(knife-edge)開口）141、使來自於穿過開口 141的投影光學系統PL 的結像光束以較大的NA(numerical aperture)(開口數）入射 的石英的光通管142、及、光電的檢測出在光通管W2約 無損耗的傳送的結像光束的半導體受光元件（矽光二極體 __________ __— 07 木紙乐尺及蝻川中网吡格（21〇·〆297公筇） -----------4------訂------Φ {-"間讀背而之·"憑事頊再^巧本乔) Α7 Η7 五、發明説明（π ) (silicon photodiode)、PIN 光—·極體等）143 等。 如卒實施形態的，在從準分子雷射光源11獲至曝光用 照明光的場合，來自於空間像檢知器KES的受光元件M3 的光電信號會是應答於準分子雷射光源11的脈衝發光的脈 衝波形。即是’若是以來自於設置於投影光學系統PL的 物體面的圖所未示的測試標線上的某一物點的像光路爲 MLe，並在將基板桌TB(即是晶圓台WST)在X、Y方向的 位置決定爲使此像光路爲MLe係與空間像檢知器KES的 矩形開口 141 一致的狀態下，使圖2中的準分子雷射光源 11做脈衝發光，則來自於受光元件143的光電信號也會成 爲時間寬度爲i〇~2〇ns左右的脈衝波形。 訂 Λί!( 考慮此情形而在本實施形態中’在空間像檢知器KES 的信號處理系統內設置了：輸入來自於受光元件143的光 電信號並將其放大，而且會應答於由前述的雷射干涉計系 統76的接收器(receiver)76E所做成的對每10nm計數的計 數用脈衝信號，而交互的進行取樣（sample)動作及保持 (hold)動作的取樣保持(sample hold)電路(以下稱之爲「S/H 」電路)150A。此外，在上述的信號處理系統內，也具備了 :將S/Η電路150A的輸出轉換爲數位(digital)値的A-D變 換器152A、及、儲存此數位値的波形記憶體(memory)電路 (RAM)153A、及、波形分析用電腦154。再者，在此場合 ，也設置了 ：對從雷射干涉計系統76送出來的對每l〇nm 計數的計數用脈衝信號進行計數，並做爲RAM153A的位 址計數器（address counter)的上下計數器（up down __________________98_________ ( 210x297^^1 — — A7 B7 五、發明説明（扑） counter)151 〇 在本實施形態中’控制準分子雷射光源11的控制用電 腦ΠΒ(參照圖2)係依據來自於雷射干涉計系統76的測量 値而在晶圓台控制器(wafer stage controller)78進行運算， 並依據被送至後述的同步控制系統80、主控制裝置50的 座標位置資訊而進行脈衝發光的觸發(trigger)。即是，在本 實施形態中，準分子雷射光源11的脈衝發光係對應於基板 桌TB的座標位置而進行，S/Η電路150A則與此脈衝發光 同步的將來自於受光元件143的脈衝信號波形保持柱。而 且，被保持於此S/Η電路150A的峰(peak)値會由A-D變 換器152A轉換爲數位値，並將此數位値儲存於波形記憶 體電路（RAM)153A。前述的上下計數器151會做成 RAM153A在做儲存動作時的位址，而且基板桌ΤΒ的位置 與RAM153A在做儲存動作時的位址係爲一對一的對應的 〇 而來自於準分子雷射光源11的脈衝光的峰値強度’對 每一個脈衝而言，會有數。/❹左右的變動。此處’爲了要防 止由此變動我造成的像測量精確度的劣化’在本實施形態 的信號處理電路內，如圖6所示的’設置了 ：輸入了來自 於設置於前述的照明光學系統內的強度檢測用的光電檢知 器(積分檢知器)46的光電信號(脈衝波形)的S/H電路150Β( 此與前述的S/Η電路150Α具有相同的功能）、及、將該 S/Η電路150Β的輸出轉換爲數位値的A_D變換器152Β、 及 '儲存此數位値的波形記憶體電路(RAM)153B(在進行儲 99 *1Τ J-l? ·Ί‘ ί 卬 r< 本紙乐又度鸿川十( rNS ) 叱格（210X2W公疗） ί· r·) li 权 印 ¢-1 408364 A7 B7 五、發明説明（1) 存動作時的位址生成係與RAM153A共通）。 由此，在基板桌ΤΒ的位置與RAMI53Β在做儲存動 作時的位址係爲一對一的對應的狀態下’將來自於準分子 雷射光源11的各脈衝光的峰値強度儲存於RAM153B。 如上所述的，將儲存於RAM153A、RAM153B的數位 波形讀入至波形分析用電腦（CPU)154，並以儲存於 RAM153B的照明脈衝光的強度偏差來將對應於儲存於 RAM153A的像強度的測量波形規格化(相除）。再將規格化 了的測量波形暫時的儲存於波形分析用電腦154內的記憶 體，而且由各種的波形處理程式(program)來求出所要測量 的像強度的中心位置。 在本實施形態中，由於係使用空間像檢知器KES的開 口 141的邊緣(edge)來檢測出測試標線上的測試圖案像， 所以在測試圖案像的中心與開口 H1的邊緣在XY面內係 爲一致的場合，由波形分析用電腦154所分析出的像的中 心位置便可以被求出來做爲由雷射干涉計系統76所測量的 基板桌TB(晶圓台14)的座標位置。 如此而被分析出的測試圖案像的中心位置的資訊會被 送至主控制裝置50，主控制裝置50則指示準分子雷射光 源11的控制用電腦11B、晶圓台控制器78、及、波形分 析用電腦154來進行用以依序對形成於測試標線上的複數 點（譬如說，理想格子點）的測試圖案的各投影像的位置進 行測量的動作。 如上所述的，由空間像檢知器KES來測量投影光學系 100 木紙川中( r!s；s ) Λ4叱格（210/297公筇 .V6 408S61 A7 —— _ B7 五、發明説明（β) 統PL的結像性能及照明光學系統的照明特性，變能夠依 據此測掌結果來調整圖2中所示的各種光學要素及機構。 而且，在本實施形態的基板桌TB上設置了：基準標 誌板FM(參照圖7)，且使其表面的高度位置約與晶圓的表 面的局度位置相同。在此基準標誌板FM的表面形成了可 由後述的各種校準系統來檢測出的基準標誌(這一點在後面 會另做敘述），這些基準標誌係用以進行：檢查(check)各校 準系統的檢測中心點(校正(calibration))、測量這些檢測中 心點間的基準線長、檢查標線R相對於晶圓座標系統的位 置、或是 '檢查與標線R的圖案面共役的最佳結像面在Z 方向的位置等。再者，上述的基準標誌若是形成於前述的 KES的表面，則由於便能夠以同一基準板來進行X、γ、z 仰角方向的校正，因此便能夠減少對應於各基準板的累積 誤差。再者，使用基準標誌板FM的標線校準、基準線4 測在後面會另做敘述。 圖1所示的晶圓搬送機器人19係構成般送晶圓從圖未 示的晶圓載置部開始到晶圓台WST爲止的晶圓般送系統的 一部份，並具備了：在與移動至特定的上機位置(接受位置 )的晶圓台WST的支撐器之間，進行晶圓的接受的機器手 臂(robot arm)(晶圓上機/下機)(wafer load/unload)21。 在本實施形態的掃描型曝光裝置1〇中，設置了 ：不經 由投影光學系統PL便光學的檢測出-成於晶圓上的每〜 個攝影區域的校準標誌及基準標誌板FM上的基準檩誌的 離軸•校準感知器(off axis· alignmeiU sensor)(校準光學系 __________________________ιοί__ 本紙ίί<尺度蝻扣屮 « N’i: d ( ) .'\4圯格（21〇x297^J^ ) -— 408364 A7 ______________________ _B7 五、發明説明（Μ ) 統），以做爲校準系統。此校準光學系統ALG係，如圖2 所示的，配置於投影光學系統PL的側方。此校準光學系 統ALG係通過接物透鏡而將非感光性的照明光(均勻照明 或是點（spot)照明）照射至晶圓上的光阻層，並經由接物透 鏡而光電的檢測出反射自校準標誌及基準標誌的反射光。 將光電的檢測出的標誌檢測信號輸入至信號處理電路68, 並經由晶圓台控制器78、同步控制系統80、及、主控制裝 置50而將雷射千涉計系統76的測量値輸入至此信號處理 電路68。而且’信號處理電路68係在特定的算法 (algorithm)下對上述的光電的檢測出的標誌檢測信號做波 形處理’並依據此處理結果及雷射干涉計系統76的測量値 而求出使標誌的中心係與校準光學系統ALG內的檢測中心 (指標標誌、攝像面上的基準畫素、受光狹縫、或是點光等 )一致的晶圓台WST的座標位置(攝影校準位置），或是， 晶圓標誌、基準標誌對檢測中心的位置偏差量。將如此而 求得的校準位置或是位置偏差量的資訊送至主控制裝置5〇 ，並將其使用於決定晶圓台WST在校準時的位置、對晶圓 上的各攝影區域開始進行掃描曝光時的位置的設定等。 再者，在本實施形態的掃描型曝光裝置10中，如圖2 所示的’在標線台RST的上方設置了 ：用以進行標線校準 的標線顯微鏡110。標線顯微鏡110實際上雖然是沿著非 掃描方向以特定間隔配置了 2個，但是在圖2中，由於在 紙面後方的標線顯微鏡U0會被前方的標線顯微鏡U0所 遮住，因此只圖示了 1個標線顯微鏡110。 __ · - 一_ I II ，一 . —J__ 木纸仏尺度沖.丨丨1 （) ( 21 公席) " 408364 Λ7 B7 五、發明説明.( 而且，在本實施形態的掃描型曝光裝置10中，用以使 標線台尽ST及晶圓台WST同步移動的同步控制系統80係 設置於控制系統內。特別是在掃描曝光時，此同步控制系 統S0在使標線台RST及晶圓台WST同步移動時，由於標 線台控制器對驅動系統29的控制及晶圓台控制器78對 驅動系統48的控制會互相連動，因此需要實時(real time) 的監視由標線雷射干涉計30、干涉計系統76所測量的標 線R及晶圓W的各位置及各速度的狀態，並進行管理以使 這些値的相互關係會是特定的關係。此同步控制系統80係 由來自於主控制裝置50的各種指令（command)及參數 (parameter)所控制。 其次，說明圖1所示的控制架子14的構成。 控制架子14係爲單一架子(single rack)，且係重疊的 堆積了 ：構築爲做爲分別個別的控制曝光裝置本體12各部 的單元(unit)(準分子雷射光源11、照明光學系統18、標線 台RST、晶圓台WST、搬送機器人19等)的分散型系統， 並收容了複數個的各單元控制用的處理器•機板(processor .board)的處理器•機板•架子（processor . board * rack)部 104、收容了統籌的控制各處理器•機板的主控制裝置(微 電腦）5〇(參照圖2)的架子部、以及、用以與操作員 (operator)做人•機器介面(man . machine . interface)的操作 面板(panel)106、及' 收容了顯示器(display)108等的架子 部。曝光裝置本體12的整體動作係由此控制架子14所管 理。 本紙张文巧⑴中丨切\1:疗々（（'\.S ) Λ4Α!,格（公犛） ---------Α·-----ί ^------φ {-先閱請汴而之注总亨^再填艿本頁) 40836 j a7 _________B7 五、發明説明) 在處理器•機板•架子部104內的各處理器•機板設 置了微霄腦等的單元側電腦，這些單元側電腦會藉由與主 控制裝置(微電腦)50連攜而對複數片的晶圓執行一連的曝 光處理。 此一連串的曝光處理的整體的順序(sequence)會依循主 控制裝置50內的，圖所未示的，記憶體所儲存的程式 (program)來進行統籌的控制。 製程程式(process program)在操作員所做成的曝光處理 檔案(file)名之下，儲存了做爲參數群的程序包(package)的 :關於需要曝光的晶圓的資訊（處理片數、攝影尺寸（shot size)、攝影配列資料(data)、校準標誌配置資料、校準條件 等）、關於所使用的標線的資訊（圖案的種別資料、各標誌 的配置資料、電路圖案區域的尺寸等）、以及、關於曝光條 件的資訊(曝光量、聚焦誤差(focus offset)量、掃描速度的 誤差量、投影倍率誤差量、各種像差及像歪斜的補正量、 照明系統的σ値及照明光NA等的設定、投影光學系統的 ΝΑ値設定等）。 主控制裝置50會對所被實行指示了的製程程式進行解 讀，並一個接著一個的對所對應的單元側電腦下達指令以 進行晶圓的曝光處理所需要的各構成要素的動作。此時， 各單元側電腦在正常的結束1個指令時，便會接與其相關 的狀態(status)送到主控制裝置50;而接受了此狀態的主控 制裝置50便會將下一個指令送到單元側電腦。 在此一連串的動作中，譬如說，在主控制裝置50送出 ______________________104______
Jfi'r ( cns ) A^fm 1210x297^^ ) — _ ~^ "1間讀背而之注悉事項再",?5本頁) 訂 40836^ Λ7 B7 五、發明1見明（,θ) ^ 一 晶圓交換的指令時，做爲晶圓台WST的控制單元的晶圓台 控制器78便會協同晶圓搬送機器人19的控制單元，而將 晶圓台WST及機器手臂21 (晶圓W)設定爲圖1所示的位 置關係。 而且’在主控制裝置50內的記憶體中，儲存了複數的 應用軟體(utility software)。此軟體中，具有代表性者包括 :(1)用以自動的測量投影光學系統及照明光學系統的光學 特性’並對投影像的品質(歪斜(distortion)特性、灰像差特 性、遠心特性、照明開口數特性等)進行評估的測量程式； (2)用以依據所評估的投影像的品質而實施各種補正處理的 補正程式，的2種類。 第3槪念的說明 其次，持續的參照圖7(A)、（B)來說明可動型定盤38 的作用及其控制方法。圖7(A)顯示了定盤22附近的槪略 平面圖，而圖7 (B)係從圖7 (A)的箭頭A方向所看到的槪 略正面圖。在圖7(A)中，以箭頭C來顯示：在晶圓台 WST在移動箭頭B的距離時，其加速度對可動型定盤38 所產生的反作用力使可動型定盤38移動的距離。 在可動型定盤38的上面，除了設置於晶圓台WST的 下面的圖所未示的永久磁鐵之外，在XY2度空間方向上， 也張設了構成平面磁氣浮上型線性致動器42的複數的線圈 。而且，晶圓台WST係由磁氣浮上型線性致動器42而被 浮上支撐於可動型定盤38的上方，並可藉由控制流入前述 線圏的電流來將其任意的驅動於2度空間方向。 _____________________— 本紙依尺度中（CNS ) Λ4叱祀（2丨297公众） ^閱讀背而.之..;1·-事項再"艿本頁) 訂 408364 A7 B7 五、發明说明（β) (-先聞绩背而之.，;1憑事項再4.^木頁) 同樣的，在定盤22的上面，除了設置於可動型定盤 38的下面的圖所未示的永久磁鐵之外，在ΧΥ2度空間方 向上，也張設了構成平面磁氣浮上型線性致動器44的複數 的線圏(圖示省略）。而且，可動型定盤38係由平面磁氣浮 上型線性致動器44而被浮上支撐於定盤22的上方，並可 藉由控制流入前述線圈的電流來將其任意的驅動於2度空 間方向。 在此場合，由於晶圓台WST及可動型定盤38、可動 型定盤38及定盤22均爲非接觸，因此其間的摩擦會變得 非常小，結果，以包含晶圓台WST、可動型定盤38的系 統整體而言，便可保持動量守衡原則。 因此，若是以m爲晶圓台WST的質量，Μ爲可動型 定盤38的質量，並使晶圓台WST以速度ν來相對於可動 型定盤38的移動，則由動量守衡原則可知，可動型定盤 38會在與此相反的方向以V=mv/(M+m)的速度來相對於定 盤22而移動。因此，由於加速度是速度對時間的微分，所 以在晶圓台WST以加速度a加速度的場合(作用力F=ma 的場合），可動型定盤38會由於力F的反作用力而在與此 相反的方向接受到A=ma/(M+m)的加速度。 在此場合，由於晶圓台WST係搭載於可動型定盤38 上，因此該晶圓台WST會相對於定盤22以νΧ{1_ m/(M+m)}的速度，即是，aX{l-m/(M+m)}的加速度而移動 。因此，若是晶圓台WST的質量m(重量mg)及可動型定 盤38的質量Μ(重量Mg)很接近，則便會無法獲至所希望 -------------------L〇6__ A7 Η 7 408364 五、發明説明U,〇 的晶圓台WST的加速度、最高速度。再者，由於移動距離 係與速度成正比，因此可動型定盤38的移動量會變大並使 其軌跡變差。 譬如說，若是使m:M=l:4，則在使12英吋的晶圓全面 曝光而移動300mm晶圓台WST的場合，由前述公式 V=mv/(M+m)，變需要確保300mm的1/5的60mm份的可 動型定盤38的移動範圍。 此處，在本實施形態中，爲了要將晶圓台加速度、最 高速度、軌跡的惡化抑制在1位數以下，而將晶圓台WST 的質量m及可動型定盤38的質量Μ的比例設定爲 ηκΜ=1:9以下，即是將晶圓台WST的重量設定爲可動型定 盤38的重量的1/9以下。 再者，爲了要使可動型定盤38的必要範圍變小，晶圓 台控制器78對可動型定盤38驅動用的平面磁氣浮上型線 性致動器44的控制應答頻率在曝光，校準時、及、其他時 候會是可以改變的。 更詳細的對此進行敘述。在曝光時，若是將可動型定 盤38驅動用的平面磁氣浮上型線性致動器44的控制應答 頻率調整爲數Hz以使用於晶圓台WST及標線台RST的同 步移動，則會幾乎完全跟不上以數十Hz來控制的晶圓台 WST驅動用的平面磁氣浮上型線性致動器42對可動型定 盤38的反作用力，而由動量守衡原則可知，可動型定盤 38會自由的運動並吸收其反作用力，使此反作用力不會對 外部造成影響。 ___________________107 本紙依尺过逆川中( rNS ) ( 2丨0>〇97公筇） Π間-"而之"-总事項再",:"木^) '-0 五、發明说明（/代） 再者，在由於標線台RST的位置及晶圓台WST的位 置的變it使曝光裝置本體12整體的傾斜的場合，晶圓台控 制器78會藉由將平面磁氣浮上型線性致動器44的控制應 答頻率控制在數Hz，便能夠防止可動型定盤38在其傾斜 的方向的移動的低頻位置偏差。 再者，即使是設定爲m:M=：L9，由於若是晶圓台WST 做了 300mm的全(full)移動，則可動型定盤38也會在與其 相反方向移動約30mm，使攝影曝光間在非掃描方向步進 長度最多也只有約30mm左右，所以此時的可動型定盤38 的移動會約爲3mm。此處，在本實施形態中，晶圓台控制 器78可在不會影響到掃描曝光後的同步控制性能的晶圓台 減速時(非掃描方向步進加速時），將與可動型定盤38驅動 用的平面磁氣浮上型線性致動器44的步進同方向應答頻率 升高至數十Hz，並藉由使用做爲對可動型定盤38的定盤 22量測其在XY方向的相對移動位置的位置測量裝置的線 性編碼器(linear enC〇der)45(參照圖7(B))的回授控制，而控 制可動型定盤38使其回到步進前的原來的位置。由此，便 能夠使可動型定盤38的移動量變小(參照圖7(A)中的假想 線38’），而且，由於在此期間’可動型定盤38及定盤22 可以是在固定狀態，因此便能夠使加速度 '最高定盤22均 改善10%。 此種控制方法也同樣的能夠適用於在其他的校準間的 晶圓台WST的移動、在交換晶圓時的移動向上機位置的時 候。 ___ 108___ 木紙張反度鸿m屮闪円:七彳:{^;) A‘mL格(2丨oxm7公筘） ”51間讀背而之"-意丰項再4(4本釘) •-° 408364 A7 --------------- B7 五、發明説明（4) 再者’支撐架台部16的防震裝置20雖然是搭載了用 以防止神板震動等的高頻震動的空氣氣囊(air back)、及、 用以除去伴隨於此的低頻震動的線性致動器，但是，有時 候會由於標線台RST '晶圓台WST的位置而使裝置稍微有 一點傾斜。在此場合，雖然需要持續的將特定的電壓印加 至構成防震裝置20的前述線性致動器以修正此傾斜，但是 由於會一直對致動器造成負荷，所以會使致動器等的部品 的壽命縮短。在此場合，在本實施形態中，晶圓台控制器 78會如上所述的使可動型定盤38做特定量的移動，並藉 由矯正裝置整體的重心來修正裝置傾斜，便不會對致動器 造成負荷，而能夠延長致動器等的部品的壽命。 在本實施形態中，藉由上述的種種的方法，便能夠依 據晶圓台WST的形狀而使可動型定盤38的形狀及其移動 範圍分別變成爲如圖7(A)中的實線及假想線所示的，不具 有頂點的三角形狀(八角形狀）。在此場合，晶圓台WST的 掃描方向會是圖7(A)中的紙面的上下方向。在本實施形態 中，雖然是使定盤22形成爲約正方形，並爲了增強其剛性 而使支撐定盤22的4個防震裝置20配置爲4角形，但是 爲了要活用空間(space)，而也可以是使定盤22的形狀係爲 與由圖7(A)中的假想線38’所示的形狀相同，並使防震裝 置20係配置爲由圖7(A)中的點線20’所示的3點配置。由 此，很明顯的，便能夠改善其軌跡。但是，在此場合’需 要增強防震裝置的剛性。 其次，使用圖8及圖9來說明在掃描曝光之前所進行 ______________Ϊ09 _ W 1¾ ΐ： k ( i NS ) ( 210x1^7^1 408364 a? ______________B7 五、發明説明U’7) 的標線校準及基準線測量。 圖，8(A)顯示了支撐於標線台RST上的9英吋大小 (inch size)的標線R的平面圖。如此圖8(A)所示的，在區 劃圖案區域P的遮光帶EB的γ方向的一端側，沿著X方 向在標線R形成了 3個標線校準標誌MR1、MR2、MR3。 另一方面，如圖9所示的，第1基準標誌Mrl、Mr2 、及、第2基準標誌Mw會形成特定的位置關係。此處， 譬如說，在對標線R上的區域P1進行掃描曝光之前，會 如下所述的進行標線校準及基準線測量。 即是，主控制裝置50會經由標線台控制器33而移動 標線台直到可由2個標線顯微鏡110同時的測量標線校準 標誌MR1、MR2的位置爲止，而且，經由晶圓台控制器 78而移動晶圓台WST直到可由2個標線顯微鏡110同時 的測量基準標誌板FM上的第1基準標誌Mrl、Mr2及前 述的標線校準標誌MR1、MR2的位置爲止。圖9顯示了此 時的2個標線顯微鏡110及基準標誌板FM、及、校準感 知器ALG的相對位置關係。 在此場合，由圖9可知，可由校準感知器ALG來測量 出第2基準標誌Mw。即是，在此種位置關係下，在基準 標誌板FM上形成第1基準標誌Mrl、Mr2及第2基準標 誌Mw，並確定2個標線顯微鏡110及校準感知器ALG的 位置關係。 而且，在圖9的狀態下，主控制裝置50會使用校準感 知器ALG來測量出相對於第2基準標誌Mw的校準感知器 __________________________ __110 木紙 i?c 尺度坤；丨！屮《丨（(' VO a ( 210X297^^ ) ' ! - n --- n n 1· ]— - _ n _ n <n In T - - ---- n ΛΚ. 408364 at __________H7 五、發明説明（〆） ALG的指標Ma的中心的位置AW，約與此同時，並會使 用2個標線顯微鏡110來測量出相對於第1基準標誌MH 、Mr2的第1基準標誌Mrl、Mr2的位置AR。 在此場合，由於已經知道從第1基準標誌Mrl、Mr2 開始到第2基準標誌Mw爲止的距離L，因此，也能夠求 出從由標線校準標誌MR1、MR2的所代表的標線R上的 第1區域P1的投影位置開始到校準感知器ALG的檢知中 心(即是，指標Ma的中心)爲止的距離，即是，求出基準線 量BL。由圖9可知，考慮個量的符號(箭頭的方向），此求 出的基準線量BL可由下式表示。
BL=L+AW-AR 此處，主控制裝置50在測量上述的AW、AR之後， 會進行上式的運算，而算出從標線R上的第1區域P1的 投影位置開始到校準感知器ALG的檢知中心(即是，指標 Ma的中心)爲止的距離。 與上述完全相同的，在對標線R上的區域P2進行掃 描曝光之前，會進行標線校準及基準線測量。但是，在此 場合，在標線校準係使用標線校準標誌Mr2、Mr3。 再者，譬如說，如圖8(B)所示的，在標線R上的區域 P1及區域P2的境界存在著遮光帶EB的場合，也可以是 分別在各個區域Pi、P2的較長的方向的中央部的遮光帶 EB上設置標線校準標誌MR4、MRS、MR6。同樣的’在 即使是在圖案區域內設置標線校準標誌也不會有問題的場 合，也可以是在此區域內設置標線校準標誌。 _________________________in _______ 408364 Λ7 ΙΪ7 五、發明説明（ 再者，如同到目前爲止的說明可知的，在本實施形態 中，能_以特定的應答頻率來驅動做爲第2可動體的可動 型定盤38的驅動系統係由平面磁氣浮上型線性致動器44 所構成；經由此驅動系統而以數Hz以下的應答頻率來位 置控制可動型定盤38的控制裝置係由晶圓台控制器78所 構成。而且，在本實施形態中，由平面磁氣浮上型線性致 動器44及晶圓台控制器78來構成第2驅動裝置，在定盤 22上以低應答頻率來驅動可動型定盤38，在晶圓W的曝 光動作、及、校準動作以外，並可依據位置測量裝置(線性 編碼器45)的輸出而將可動型定盤38位置決定於定盤22 上的特定點。 第4槪念的說明 其次，持續的參照圖10來簡單的說明由使標線台 RST及晶圓台WST在掃描方向(Y方向)做相對移動的台控 制系統(晶圓台控制系統78、標線台控制系統33、同步控 制系統80)所進行的，1個攝影區域的1次曝光時的晶圓台 的基本的掃描順序。 圖10(A)顯示了內接於投影光學系統PL的有效區域 (field)PL’的晶圓上的狹縫狀的照明區域（與標線R上的照 明區域共役的區域；以下稱之「照明狹縫」）ST及做爲1 個區劃區域的攝影區域S1的關係的平面圖。圖10(B)則顯 示了台移動時間t及台速度Vy的關係。再者，雖然在實際 上，攝影區域S1係藉由相對於照明狹縫ST的移動向箭頭 Y的相反方向，而來進行曝光，但是在此處，由於爲了要 ______—____________LL2_ -先閱-背而之；;1总事項再"艿本頁) 訂 五、發明説明（"p) 對應於圖10(B)的台移動時間及台速度的關係表’所以顯 示了晶_上照明狹縫ST對攝影區域S1的移動。 首先，以基本的(一般的)順序而言，使照明狹縫ST的 中心P係位置於以特定量離開攝影區域S1的攝影端的位 置，並使晶圓台WST開始加速。在晶圓台WST約具有特 定的速度時，開始同步的控制標線台RST及晶圓台WST。 稱呼此從加速開始時開始到同步控制開始時爲止的時間u 爲加速時間。在同步控制開始後’由標線台RST進行追從 控制，直到晶圓及標線的變位誤差變成爲特定的關係爲止 ，並開始曝光。將此同步控制開始後’到曝光開始時爲止 的時間t2稱呼爲調整時間。 訂 將從上述的加速開始開始到曝光開始爲止的時間 (tl+t2)稱呼爲前置掃描時間。若是使在加速時間.u的平均 加速度爲a，調整時間爲b ’則在前置掃描時的移動距離可 以以（l/2)XaXtl2+aXtl Xt2 表示。 線 再者，在使由等速移動所做的曝光的曝光時間爲t3 ’ 攝影長度爲L，照明狹縫ST在掃描方向的寬度爲w的場 合*則t3=(L+w)/(aXtl)，而移動距離會是L+w ° 在此β結束時，雖然已經結束了將標線圖案轉寫至攝 影區域S1，但是爲了要改善其生產能’在步進掃描方式中 ，由於通常是藉由使標線R做交互掃描(往複掃描），而依 序對下一個攝影進行曝光，所以需要移動標線R，使其從 曝光結束時的位置移動與在前述前置掃描的移動相同的距 離，並使標線R回到爲了下一次攝影曝光的掃描開始位置( ___113_____ ㈣( (.NS ) Λ视ί 210X297公兑） 408364 A7 ______________________B7 五、發明説明（"/ ) ' ~ #先間請背而之.""事項再iAftv木頁) 因此’使晶圓w也對應於此的在掃描方向移動）。因此而 需要的時間係：等速度後置掃描時間t4、減速後置掃描時 間t5，總共的後置掃描時間會是(t4+t5卜若是使在減速後 置掃描時間t5的減速度爲b，則在此後置掃描時間的移動 距離會是-(1/2)乂匕父1524乂15\14;並設定科、15、減速度 13以使此距離會等於（1/2)\&父112+&\11乂12。 由於在一般的控制系統中a=-b，因此最容易的控制方 法係設定爲使tl=t5、t2=t4。如此，由於在掃描曝光需要 進行等速同步掃描，因此，會需要前置掃描距離、及、後 置掃描距離’即使是在對晶圓週邊攝影進行曝光的場合， 在前置掃描及後置掃描時之間，干涉計光束不可以偏離於 反射面(移動鏡）。因此，需要使反射面變長。 味 其次，使用圖10(c)來說明，在本實施形態中，對基 板桌TB的各反射面的長度設定。圖10(c)顯示了在由晶圓 台WST(基板桌TB)在Y方向進行掃描以對晶圓周邊的攝 影區域進行曝光的場合，晶圓週邊攝影S及移動鏡長延長 份(LO、L1+L2、L3)的關係。在此圖10(c)中，在干涉計光 束RIX1、RIX2的延長線與晶圓W外周交叉時，反射面 60a、60c的長度會是反射面的最少需要的長度。而且，在 攝影S在缺少晶圓外周的狀態下便能夠進行曝光時，在使 缺少的假想攝影長爲L3，前述的前置掃描及後置掃描所需 要的距離爲L1+L2，且干涉計光束在XY面內係爲2條測 長光束的場合，若是使該2條測長光束的中心位置(點線部 )及到各測長光束的中心爲止的距離及各光束的半徑及特定 _ - ______Π4 本紙張尺歧逆；t! ψΉπΚί::;* ( O.S ) ( 210X297^^ ~) * Λ7 Β7 五、發明説明（fA) 的緩衝（margin)的總和爲L0 ’則反射面的延長份會是 LO+L1+L2+L3，並設定反射面的長度，以使此値會小於基 板桌TB的三角形的頂點。由此’在掃描曝光時，便能夠 防止測長光束偏離於反射面的缺點。但是，由於在晶圓外 周的攝影並不需要對攝影長L完全曝光，因此也可以是藉 由僅對晶圓上曝光的部分來進行曝光，而使延長份爲 L0+L1+L2 〇 第2槪念的說明αι) 訂 前面已經說明了在1個攝影區域的曝光時的晶圓台的 基本的掃描順序，其次，針對在鄰接的複數的攝影區域依 序將標線圖案曝光的場合，詳細的敘述晶圓台WST(基板 桌ΤΒ)的移動控制方法。此處，以一例而言，針對依序對 圖11(A)所示的鄰接的攝影SI、S2、S3進行曝光的場合來 做說明。 線 圖11(A)係顯示在依序對攝影SI、S2、S3進行曝光的 場合，晶圓上照明狹縫ST的中心通過各攝影上的軌跡。 如由此圖11(A)可知的，在晶圓台控制器78及同步控制系 統80中，會以同樣的時刻來進行晶圓台WST在掃描方向 (Υ方向)的前置掃描及後置掃描、及' 晶圓台WST在非掃 描方向(X方向)的步進。由此，便能夠縮短晶圓台WST在 攝影間的移動距離，而縮短其所需要的移動時間，以改善 其生產能。 此外，如前所述的，由於前置掃描時間係包含了使標 線R完全追蹤晶圓W的調整時間t2，因此對於在在非掃描 木紙张尺度述（（、s )八视格(210x 297^^ ) ' ^ -- f A V\ ΰ 印 4!Ά Α7 »7 五、發明説明（/，々） 方向的加減速控制最好是儘可能的比調整時間t2的開始時 要早結東。爲了實現此點，在本實時形態中，在晶圓台控 制器78及同步控制系統80中進行控制，以在曝光結束後 的晶圓台WST在掃描方向的等速後置掃描時間t4的期間 ，晶圓台WST便開始在非掃描方向進行步進，並在此等速 後置掃描時間t4前便結束在非掃描方向的加減速控制。在 圖11(B)中顯示了在此場合的晶圓台WST在掃描方向的速 度Vy與時間的關係，在圖11(C)中則顯示了對應於此的非 掃描方向的速度Vx與時間的關係。此晶圓台的移動控制 方法係在調整時間t2的期間不需進行非掃描方向的控制， 只要進行掃描方向的同步控制即可。 此處，在以X軸爲步進方向，Y軸爲掃描方向，-VY 爲攝影S1在曝光時的掃描速度，VX爲步進時的最高速度 的場合，具體的考慮到各軸的時間分配。 首先，對掃描方向而言，在結束攝影S1的曝光的等 速後置掃描時間t4後，晶圓台WST會開始減速（在圖 11(A)中的方向具有速度時的+ γ方向的加速）。若是使 此時的減速度爲ay，則以圖11(A)中的點0(0，0)做爲基準 點的晶圓台WST在時間t4的期間會在掃描方向前進-VYX Μ ’其後，以時間t4經過之時做爲時間的基準點，會變成 爲-VYxt +(l/2)XayXt2，而在滿足-VYxt +(l/2)XayXt2=-VYXtX(l/2)時，即是 t=ty5=VY/ay(參照圖 11(B))時，便會 成爲與開始對做爲另一個區劃區域的攝影S2的前置掃描的 分歧點(參照圖11(A))。在其後的加速期間，會以加速開始 116 (rNS ) ( 2l〇x 公筇） {-先聞請背而之""事項再填r':7本頁)
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"-.;!/·部屮4'"··'·"^，-^ 乂消於 <"κ'ή V 408364 η 3 Α7 ------------------ Β7 五、發明説明（4 ) ~~ 點來做爲時間的基準，並遵循（l/2)XayXt2的軌跡，並持 續的加速直到tyl=VY/ay爲止，其後，會經過做爲標線R 與晶圓W的同步控制期間的t2而開始曝光。曝光時間t3 則會是t3=(攝影長Ly+照明狹縫寬度W)/Vy。 其次，對步進方向而言，在結束攝影S1的曝光後， 晶圓台WST便會開始加速。若是使此時的加速度爲ax， 則以圖11(A)中的點〇做爲基準點的晶圓台WST的X座標 會變成爲（l/2)XaxXt2，而在t=tx5=VX/ax(參照圖11(C))時 ，便會到達最高速度。此處，在步進長Lx$axXtx52的場 合，會從tx5=(Lx/ax)時開始減速(在+X方向具有速度時的-X方向的加速）。在此減速期間，以減速開始點做爲時間的 基準，並會變成爲axXtx5Xt-(l/2)XaxXt2，並在變成爲 axXtx5Xt-(l/2)XaxXt2=(l/2)XaxXtx5xt 時，即是，從減 (速開始點開始到經過時間tl爲止時爲止會做減速，停止。 即是，如圖11(B)所示的’雖然掃描方向在從結束上 —次攝影的曝光時開始經過t4+ty5+ty1+t2 ’便會開始下一 次攝影的曝光’但是步進方向則如圖u(c)所示的’在從 結束上一次攝影的曝光時開始經過U5+t4+tXl，便會結束 加減速；由此’在使^1==ίχ1、ty5=tx5的場合’若是考慮 到如前所述的t2=t4，則便可知’步進動作的結束會比在掃 描方向的調整時間t2的同步控制開始要早t4。此時晶圓台 wst的軌跡會是拋物線狀。雖然實際的拋物線是以y=x2或 是y=xl/2表示’但是由於此處若是消去t則會變成包含X2 或是x1/2的函數’所以爲了方便起見，此處的拋物線是指 ___—117__ ("先閱讀背而之注憑事項再禎'Ί5本頁 訂 Λ.7 Η7 五、發明説明（，/ ) 包含此種函數者。 若最以其他的方式來進行說明’則就是使晶圓台WST 在掃描方向的後置掃描及前置掃描並行，以使在掃描方向 的速度爲零的點，即是，在做爲完成減速並開始用以下一 次攝影的曝光的加速的點的圖11(A)的B(Bx，By)的X座 標Bx從攝影S1及S2的境界算起會較接近S2 ;且晶圓台 控制器78及同步控制系統80會分別控制晶圓台WST在X 、Y方向的移動，以在非掃描方向進行步進動作。 再者，雖然到目前爲止的說明係以土ax來做爲步進時 的加速度，但是若是相對於加速度時的ax使減速時的加速 度爲-b，並設定丨-bx丨<ax的條件，則步進時間雖然會變 長，但是由於可抑制加速本身使其變小，因此會具有能夠 抑制裝置震動本身使其變小的效果。 再者，在上述的說明中，雖然是對在步進長LxSaxX tx52的場合進行了說明，但是在步進長Lx>axXtx52的場合 ，只要控制晶圓台WST在X方向的位置，以使在掃描後 的最高速度VX，僅在滿足tx6=(Lx- axXtx52)/VX的時間 進入減速動作即可。但是，無論如何，重要的是要設定加 速度 ax、最高速度 VX，以使 t4+ty5+tylgtx5+tx6+txl。 如此，在所有的步進時間內均會使前置掃描及後置掃描並 行動作，而能夠就此部分來改善其生產能。 即是，在採用以上述的圖11(A)~(C)來說明的晶圓台 WST(基板桌TB)的移動控制方法的掃描曝光方法中，係使 標線R及晶圓W在做爲掃描方向的Y方向(第1方向)做同 __________________________U8_______ 木紙张凡度述⑴( ) Λ4%格（：Π0κ 297公筇） r:r. ίίί A f: 社 印 A7 Ii7 4〇 ⑽ 64 五、發明説明（4) 步移動，在攝影si掃描曝光後，對X方向（非掃描方向)而 言，在畢圓w到達鄰接於攝影S1的攝影S2的位置之前( 攝影間在非掃描方向的步進結束之前的減速中晶圓w 在掃描方向便開始加速，並以標線R的圖案對攝影S2進 行掃描曝光。換言之，雖然在結束攝影S1的曝光後會開始 移動向攝影S2 ’但是在此途中’由於晶圓會開始在掃描方 向加速，因此便能夠使爲了攝影S2的曝光的掃描方向加速 時間係完全的與在非掃描方向移動向攝影S2的時間重疊； 很明顯的’相較於在晶圓w到達晶圓W位置後才開始爲 了攝影S2的曝光而在掃描方向加速的以往例’能夠改善其 生產能。 再者，在圖11的場合，係指雖然在結束攝影S1的掃 描曝光後，在掃描方向以等速移動時’晶圓w在非掃描方 向便已經開始加速，但是步進動作的結束會比在掃描方向 的調整時間t2的同步控制開始要早t4 ;而且並不僅限定於 此，而也可以是在晶圓的減速中便使晶圓W在非掃描方向 的加速開始。 在此場合，在攝影S2的掃描曝光之前，晶圓W會沿 著與掃描方向交叉的方向加速，且係依據晶圓W的感度特 性來設定其在掃描方向的移動速度，所以在曝光中，只要 維持此速度並對標線進行同步控制即可，因此較容易進行 控制。 再者，由圖U(B)、（C)可知，在攝影S1的掃描曝光 及攝影S2的掃描曝光之間，由於係移動晶圓W使其在掃 119 (爿先閒讀汴而之..;i.-AAi-f項再楨!·:·:本页)
木紙仏尺心ί丨中闪彳( (NS ) 格（2丨0/2<^7公你 40B364 l] 五、發明説明（W) 描方向的移動速度及在非掃描方向的移動速度之中，至少 有一方不爲零，因此，在攝影S1的掃描曝光及攝影S2的 掃描曝光之間’晶圓w會不停的移動’由此也能夠改善其 生產能。 丁 •-β 再者，由圖11(A)可知，在攝影S1的掃描曝光及攝影 S2的掃描曝光之間’由於會被移動晶圓W ’以使做爲其在 掃描方向的移動速度爲零的B點在X方向的位置會是較接 近攝影S2而較遠離攝影S1，因此’如上所述的’即使是 在攝影S1的掃描曝光及攝影S2的掃描曝光之間’在晶圓 W在非掃描方向的加速度及減速度相等的場合’在攝影S2 的曝光開始前的某一定時間（在上述的例子中爲t2)之前’ 其在掃描方向的速度一定會變爲零。因此’在攝影S1的掃 描曝光及攝影S2的掃描曝光之間’便不需要使晶圓W在 非掃描方向的加速度後的減速度變大，而在曝光開始時便 不會受其影響，而不需要使同步調整時間變長》 但是，在攝影S1的掃描曝光及攝影S2的掃描曝光之 間，晶圓W並不需要以如圖11(A)所示的移動軌跡來移動 ，譬如說，可以是在攝影S1結束掃描曝光後，使晶圓W 在掃描方向的速度成分爲零的晶圓在非掃描方向的位置(B 點在X方向的位置)係較接近攝影S1側而較遠離攝影S2 在方向的位置，而且爲了對攝影S2進行掃描曝光，而傾斜 於掃描方向及非掃描方向的來移動晶圓W。或者是，在攝 影S1的掃描曝光及攝影S2的掃描曝光之間，可以是在攝 影S1結束掃描曝光後，移動晶圓W而使做爲其在掃描方 _________________________120 孓紙^度地川屮 i i.NS ) AAiVM ( 2\ΟχΊ^Ί^^,) 408364 Λ7 Β7 五、發明説明（) 向的速度成分爲零的晶圓在非掃描方向的位置(B點在X方 向的位寧)會是位於攝影S1在非掃描方向的位置及攝影S2 在非掃描方向的位置之間。在适些場合’當攝影Si結束掃 描曝光時，晶圓w回持續的在掃描方向減速，並移動向非 掃描方向，而基板則沿著曲線狀(或是直線狀）的路徑’而 傾斜於掃描方向及非掃描方向的來移動。因此’在攝影S1 結束掃描曝光後，晶圓w的移動軌跡會短於以往的]字路 徑，藉由以接近於最短距離的路徑來移動基板’便能夠就 此部分來改善其生產能。 再者，在此場合，雖然也可以是使晶圓W的移動軌跡 爲V字狀，但是最好是在攝影si的掃描曝光及攝影S2的 掃描曝光之間，不停止的持續移動基板，而使其軌跡會是 拋物線狀(或者是U字狀）。 再者，由圖11(A)、（圖11(c))可知’在攝影S1結束 掃描曝光後，由於是在使晶圓W加速向與掃描方向及非掃 描方向交叉的方向之後，在特定時間(t2+a)使其在掃描方 向以定速移動後才開始曝光，所以基板在非掃描方向的速 度成分並不會對掃描曝光造成影響。 再者，在此場合，在晶圓w向與掃描方向及非掃描方 向交叉的方向的移動中，也就是在晶圓W在非掃描方向的 速度成分變爲零之前，由於標線R便會開始加速，因此相 較於在晶圓w變爲定速移動後，標線R才開始加速的場合 ，可縮短標線R及晶圓W到達等速同步狀態爲止的時間’ 因此便能夠就此部分來改善其生產能。再者’前述的加速 __________________________121_____ 木紙 ifc 尺度珣 m 十 （) ( 210>〇97 公势） -尤閱請背而之注έ事項""ν·:7本頁)
,1T 線 ^08364 A7 B7 五、發明説明（/if ) 度、減速度（負的加速度)係指動作中的平均加減速度，當 然對用以進行圓滑的加減速的加減速構圖(maP)控制而言’ 也是會具有與本實施形態相同的效果。 其次，說明在與上述的前置掃描及後置掃描有關的’ 其所需要的晶圓台非掃描方向測量用反射面（移動鏡)的延 長距離及爲了對1片晶圓進行曝光所需要的時間’對掃描 速度的關係15 圖19(A)、（B)係顯示了在前述的t4+ty5+tyl 2 tx5+tx6+txl的場合，在使狹縫寬度：8mm、攝影長： 33mm、攝影寬度：25mm、攝影數：65(在12英吋晶圓’ 以33 X25的攝影尺寸所能夠獲至的晶圓攝影數）、爲了進 行1次曝光所需要的雷射脈衝的最小脈衝數：32、曝光用 雷射脈衝的調變頻率：Ik〜2kHz可變控制、千涉計光束直 徑：5mm、雙路徑干涉計間隔：19mm、偏航(yawing)測量 用干涉計間隔：35mm時’使用以往的4角形型台的部進 掃描方式的投影曝光裝置的實測數據(data)。在此其中，圖 19(A)是以1/4的投影倍率，（標線加速度Ar、調整時間 t2)=(3G、22ms)、（4G、36ms)、（4G、22ms)的 3 種條件下 ，在使標線掃描最高速度Vr改變時，所需要的晶圓側移動 鏡的延長距離的圖，圖I9 (B)係顯示：在與圖19 (A)相同 的條件下，在使標線掃描最高速度Vr改#時，對1片晶圓 曝光所需要的時間。 再者，圖20(A)係對應於圖19(A)的圖，其橫軸顯示了 標線掃描最高速度而縱軸顯示了移動鏡的延長距離：圖 _122 本紙汴尺度地 m I· N ( ( NS ) Λ4^格（210 X^97公郏Τ' 一^ JI?先聞請背而之注意事項:本頁) 訂 線 408364 Α7 Β7
$ 消 IV 印 五、發明説明（
20(B)係對應於圖19(B)的圖，其橫軸顯示了標線掃描最高 速度而_軸顯示了對1片晶圓曝光所需要的時間(晶圓加速 度、速度係對標線條件乘上投影倍率P 由此圖19、圖20可知，譬如說，在(4G、36ms)的條 件下改變Vr的場合，若是使Vr增加至1600~2000mm/s的 範圍，則曝光時間會變爲16.5秒/晶圓，便能夠改善其生 產能。但是，在1600mm/s以上的Vr便無法使曝光時間縮 的更短。另一方面，若是使Vr從1600增加至2000mm/s， 則移動鏡的延長距離會增加，在2000mm/s時會變爲61mm 。即是，比較1500mm/s時與2000mm/s時，曝光所需要的 時間Vr僅相差0.2秒，即使是在使其他的晶圓交換時間、 校準時間爲15秒的場合，每單位時間的晶圓處理片數， 3600/(16.7+15)=114.28 片/h、3600/(16.5+15)=1 13.56 片/h ，會只有約1片左右的差別。相對於此，在相同的條件下 ，移動鏡的延長距離的差會變爲61.0-41.1 = 19.9mm(單方向 )，以一邊爲300mm的4角形台而言，台的面積的增加份 ，即是，重量的增加份會變爲19.9X2/300約會是13%， 而會對其控制性有很大的影響。因此，相對於將掃描時加 速度Ar/4(在晶圓側加速度ay)及掃描速度Vr/4(在晶圓側速 度VY)設定於tyl+t2+t3+t+ty5爲最小時的條件(使tyl=ty5 ' t2=t4、並使 ay 固定），即是，由 VY/ay+t2+(Ly+w)/VY 的最小點所決定的晶圓速度條件，由晶圓台控制性的觀點 而言，最好是將速度條件降低的設定於使其生產能劣化被 抑制於1°/。以內。 123 ---------A------訂------1 (# 先閱請背1&之；/i.At-項再M-KT本 P' ) 本纸张尺度诚⑴中WKt彳:（（NS ) ΛΑ岘格（2K1X2W公筇） 408364 :77 五、發明説明（el) 譬如說，若是比較(4G、36ms)、（4G、22ms)的條件， 便能夠磾認由晶圓台控制性差所造成的調整時間變差，更 是會嚴重的使生產能變差。 以上雖然是針對4角形台而言，相較於此雖然在程度 上有所差別，但是可以說再本實施彤態的正三角形的晶圖 台WST的場合也會是一樣，最好是由與上述者同樣的觀點 來設定其速度條件。 其次，使用圖π來詳細的敘述構成圖2的干涉計系統 的第1、第2、及、第3干涉計76X1、76Y、76X2的測長 光束的裝置中的配置及晶圓台控制器78對基板桌TB的X 、Y位置及旋轉的計算方法等。圖12係在晶圓台WST係 位置於用以交換晶圓W的上機位置時的可動型定盤38附 近的平面圖。 如此圖12所示的，以平面是而言，用以在XY座標系 統(台座標系統)上監視晶圓台WST的位置的干涉計76X1 、76Y、76X2分別有2條測長光束，爲了要進行搖晃測量 ，這些的各2條的測長光束係做爲分別爲2條獨立光束的 照射至基板桌TB的3個反射面60a ' 60b、60c(再者，傾 斜方向測量用的干涉計測長光束則省略其圖示）。 投影光學系統PL的光軸係位置於：分別射出自第1、 第3干涉計76X1、76X2的測長光束之一的測長光束(第1 測長軸RIX11、第3測長軸RIX21)的延長線、及、射出自 第2干涉計MY的2條測長光束的中心線的延長線的交叉 的位置；再者，校準光學系統ALG的檢測中心係位置於： ---—-------------------—-------124_____ 木紙味八度述⑴ (.NS )格（21ί)Χ^97^>^ ) ~ "先間讀背而之：13-意事项再4"本頁) -1Τ 泉 —1'·· ^08364 A 7 ____ 1Ϊ7 五、發明説明（ 分別射出自干涉計76X1、76X2的另一條測長光束(第2測 長軸RIX12、第4測長軸RIX22)的延長線所交叉的位置， 也是射出自第2干涉計70Y的2條測長光束的中心線的延 長線的交叉的位置。 在此場合，晶圓台控制器78會一直計算出：射出自干 涉計76Y的2條測長光束的Y軸方向位置的測量値yl、 y2的平均値(yl+y2)/2，並做爲基板桌TB的Y位置。即是 ’干涉計76Y的實質的測長軸便會是通過投影光學系統 PL的光軸及校準光學系統ALG的檢測中心的γ軸。而射 出自此干涉計76Y的2條測長光束無論是在任何的場合， 即是’無論晶圓台WST是在任何X方向位置，都不會偏 離於基板桌TB的第2反射面60b。再者，基板桌TB的旋 轉(搖晃)雖然也可以是使用千涉計76X1、76X2、76Y中任 何一個的各2個的測量値來求出，但是如後所述的，由於 在校準時，干涉計76X1、76X2的測長光束的其中1條有 可能會偏離於基板桌反射面，因此，晶圓台控制器78也會 依據射出自干渉計76Y的2條測長光束的γ軸方向位置的 測量値yi、y2的差來計算出基板桌tb的旋轉。再者，在 .1 | 分別依據干涉計70X1、76X2、"76Y的測量値來分別求出 I： 其旋轉的場合’晶圓台控制器78可以是由所分別求出的旋 f 轉量中的任何1個’或是任何2個或3個的加法平均値來 f 求出其旋轉。 ‘ ί\·
& 再者’在本實施形態中，第1干涉計76X1係將對Y ? 軸方向爲傾斜特定角度Θ1(此處，Θ1爲-60。)的方向的干涉 _____________________ ________125 本紙怵尺政逆⑴屮N ί (’NS ) ΛΌί格（2ΙΟΧ ) -尤"讀^而之.江"事項再墒3本頁) 訂 Λ7 117 40S364 五、發明説明（θ) 計光束RIX1垂直的照射至第1反射面6〇a ;第3千涉計 76X2係將對Y軸方向爲傾斜特定角度Θ2(此處，Θ2爲+60°) 的方向的干涉計光束RIX2垂直的照射至第3反射面60c。 因此，若是以XI來做爲依據千涉計光束RIX1的反射 光所測量的測量値，並以X2來做爲依據干涉計光束RIX2 的反射光所測量的測量値，則便可由下式（1)來求出晶圓台 WST的X座標位置。 X={(Xl/sin01)-(X2/sin92)} X(l/2) ...·(1) 在此場合，由於干涉計光束RIX1及干涉計光束RIX2 在Y軸係爲對稱的方向，而使sinei=Sin Θ2=3ίηθ，所以便 可由 X=(Xl-X2)/(2sin02) ,.·(1)’ 來求出晶圓台WST的X座標位置。 η >·} ίί J— ；ΐ； A 印 ν 但是，由於不使其產生所謂的阿倍誤差也很重要，因 此，晶圓台控制器78會使用在曝光時從干涉計76X1、 76X2分別射向投影光學系統PL的光軸的第1、第3測長 軸的測長光束的測量値，而由上式（1)計算出晶圓台WST 的X位置；並使用在曝光時從干渉計76X1、76X2分別射 向校準光學系統ALG的檢測中心的第2、第4測長軸的測 長光束的測量値，而由上式（1)’計算出晶圓台WST的X位 置。 但是，必須要將第1、第3反射面60a、60c相對於晶 圓台WST的掃描方向的傾斜角度設定爲預先決定了的角度 (Θ1+90。）、（Θ2-90。）。將第 1、第 3 反射面 60a ' 60c 的傾斜 _________________________126 木紙佐尺度埤；Π屮丨( os ( :::0/297公筇） 4〇836i Α7 157 五、發明説明（〆） 預先調整好’其後’在使用晶圓台WST上的基準標誌板 FM的標線校準時’測量Θ1及Θ2的殘留傾斜差，並依據此 差而對以上述式（1)或是（1)’所求得的X進行補正，便能夠 進行安定的台位置的測量。 再者，在本實施形態的場合，與以往的2方向千涉計 不同的，由於是在各相互間隔120°的旋轉位置具有各干涉 計光束，所以若是從某—方向來進行干涉計光路用空調， 則至少位於某一處的干涉計光束會被隱藏於晶圓台WST的 影子下而難以進行空調。因此，在3處的干涉計光束之中 ，至少設置可獨立的對2處進行空調的吹氣出口，而能夠 不停滯的將溫度控制了的氣體送風至3處的干涉計光束。 以此種送風方法而言，雖然有從干涉計側送風至台的光束 平行空調方法、及、從光束之上向下送風的光束垂直空調 方法，但是只要是選擇各軸獨立的空調方法，以對應於熱 源的位置使熱源係位於風下即可。 《第1曝光方法》 其次，持續的參照圖12〜圖15，並以與晶圓台WST 有關的動作爲中心的來說明：在本實施形態的掃描形曝光 裝置中，從晶圓交換開始到曝光結束爲止的動作；並係以 在將圖4(A)及圖8(A)所示的標線R上的第1區域P1內的 第1圖案依序的轉寫至晶圓上的攝影區域SI、S2、.....後 ，將第2區域P2內的第2圖案重複的轉寫至前述的攝影區 域SI、S2、..…的二重曝光的場合爲例。 將圖12所示的晶圓上機位置設計爲可使來自於干涉計 ___ 127 本紙迠⑴十Ίλ;Ρ，α: (;，:々（（'NS ) Λ4况格(710 x797^^1 ' -1¾¾背而之-;i"事項再"巧本頁 ,1Τ 4〇8364 Α7 ____ Β7 - ·ι —--- - —.....- - __ — _ 五、發明説明（义） 系統76的所有的干涉計的所有的測長光束均可分別的照射 至基板寒ΤΒ的反射面。這是因爲在與晶圓交換的同時， 爲了要進行如以圖9的關係所說明的標線的校準及基準線 測量的緣故。 即是，在圖12所示的晶圓台WST的位置，由於基準 標誌板FM係配置於基板桌ΤΒ的三角形頂點部的一端， 因此，以使用穿透過投影光學系統PL內的曝光光的前述 一對的標線顯微鏡110來觀察基準標誌板FM上的第1基 準標誌Mrl、Mr2，同時也能夠由校準光學系統(離軸•校 準感知器)ALG來觀察第2基準標誌Mw。在此觀測時，使 測長軸分別不會偏離基板桌TB的各反射面，便能夠由測 長光束來測量台的位置。由此，在晶圓交換時，便能夠同 時的進行：（1)前述的標線校準及基準線測量、（2)在第2區 域P2結束曝光後，用以對第1區域進行曝光的標線干涉計 30Y的重置動作、（3)在對下機了的完成曝光了的晶圓進行 曝光時，也能夠同時的對其測長光束係偏離於反射面(移動 鏡)的校準光學系統ALG用的干涉計進行重置動作。再者 ，此標線校準及基準線測量也可以是使用開示於特開平7-176468號公報的快速校準模式(quick alignment mode)。在 指定國的國內法令所允許的範圍內，援用這些開示來做爲 本文的一部份。在圖12中，在晶圓W上，1次掃描所能 夠曝光的攝影係被寫入於實線的四角形內；四角形的破線 則顯示了在後置掃描中，晶圓台WST所必須移動的位置。 在完成上述的晶圓交換、干涉計重置、此標線校準及 ______________________________________128 _ ；ίί t « ^ ( fNS ) [ 2^297公筇） -"間^汴1^之·，11--4·'1'-亨項再楨{'^本頁 訂 A7 ______________________B7^___^ 五、發明説明（d ) ^1^^"'5--"-^事Jf!^M、:!i本负 基準線測量時，晶圓台WST會依循，譬如說，記入於圖 13的聶圓台WST上的箭頭(θ)的順序而由校準光學系統 ALG檢測岀形成於晶圓台WST上的各攝影的校準檩誌， 並使用在各標誌檢測位置的校準光學系統用的干渉計測長 軸，來進行測量代表性的複數的標誌的位置的 EGA(enhanced . global . alignment ;增強型整體校準）測量 。EGA測量已經開示於，譬如說，特開昭61-44429號公 報即與其對應的美國專利第4,780,617號。在指定國的國 內法令所允許的範圍內，援用這些開示來做爲本文的一部 份。在此場合的校準標誌的測量順序的一例係如以下所述 的決定。 即是，在晶圓台控制器78會考慮到上機位置及總曝光 攝影行係偶數行或是奇數行，並做決定以進行生產能最高 的完全交互掃描的二重曝光爲前提，在基準標誌板FM的 測量之後，以從接近於此位置的攝影開始進行校準，並在 接近於曝光開始攝影的位置結束校準的高效率(處理時間快 )的校準標誌的測量順序。 在依循上述的測量順序而完成EGA測量時，在晶圓台 控制器78將使用於晶圓台WST的位置測量的干涉計的測 長軸切換爲曝光用干涉計光軸(測長光束RIXU、測長光束 RIX21的第1及第3測長軸)後，便爲了將標線R上的第1 區域P1轉寫至晶圓W上的複數的攝影區域，而開始步進 掃描方式的曝光。在此場合，如圖14所示的，由於總曝光 行係爲偶數行，因此從左下開始曝光，並進行依序交互的 _ 129 _ — - — — . " _______ __ 本紙仏凡政坤⑴( r\.S ) Λ4Α!,格（UD·〆νπ公筇） ' Λ7 _____________________ »7 五、發明説明（d) 掃描曝光。若是一開始的第1行係以由左—右的順序來進 行曝光,，則下一行則由右一左的進行交互的步進，最後則 如圖15所示的 > 在左上的曝光結束時，便完成了用以做標 線R上的第1區域P1的轉寫的掃描曝光(第1掃描曝光）。 其次，進行爲了將標線R上的第2區域P2轉寫的準 備動作。以此準備動作而言，係包含：與前面所說明的 (1)~(3)相同的動作，即是，前述的標線校準及基準線測量 、在第1區域P1的曝光結束後，爲了第2區域的曝光的標 線Y干涉計30Y的重置動作、及、在必要的場合再加上， 在第1區域曝光時，對其測長光束係偏離於反射面(移動鏡 )的校準光學系統ALG用的干涉計進行重置動作、照明條 件的變更等。 此處，照明條件的變更係，譬如說，在第1區域P1 內的圖案係爲L/S密集圖案，第2區域的圖案係爲接觸孔 (contact hole)或是孤立圖案等的場合，由於各個圖案的最 佳照明條件不同，因此會使圖2的照明系統開口絞板18H 旋轉，譬如說，並由輪帶照明條件而變更爲使照明系統 N.A.變小的小σ照明條件。即是，此照明條件的變更係指至 少改變了照射標線R的狹縫狀照明光(照明光束)的強度分 布，換言之，射出此照明光的照明源（由飛眼透鏡所形成的 2次光源)的形狀及大小之一。由此，在適合於標線R上的 第1區域Ρ1的圖案及第2區域Ρ2的圖案的曝光的照明條 件不同的場合，便能夠配合各個圖案來設定適當的照明條 件，而能夠更進一步的改善其曝光精確度。 _______________________________ 130________ 木紙張尺度( CM >以化格（2Ι0-Χ297公筇> ---------..^------11------4 {-17 先，:'i:ir('Jl-."lFJ之·./J.-5事項再功.!>:?本釘) 408364 Λ7 Β7 .- --- ------------ ~ Γ '' — ~ ~ 一~· ' - _____ 五、發明説明（W) 『先聞讀评而之注意事項再Μβ本頁) 其次，使用先前所測量的EGA測量的結果，以與上述 第1掃描曝光時相反的路徑來持續的移動晶圓台WST，並 爲了第2區域P2的圖案的轉寫’而進行步進掃描方式的掃 描曝光。由此，便會在晶圓W上已經轉寫了第1區域P1 的第1圖案的所有的攝影區域重合的轉寫上第2區域P2的 第2圖案(重合燒寫）。而且，在結束最後的攝影(即是，攝 影S1)的曝光時’將晶圓台WST移動至圖12的晶圓交換 位置，其後則對下一片晶圓重複同樣的動作。在上述的交 互掃描時，標線台RST雖然只是重複的在掃描方向做往返 移動，但是由圖14及圖15可知’也對晶圓台WST進行了 前述的效率良好的步進控制。 再者，在上述的同步的移動標線R及晶圓W，並將標 線R的圖案依序轉寫至晶圓w上的複數的攝影區域S1、 S2、S3....的步進掃描方式的掃描曝光方法中，最好是藉由 標線R的往返移動而在轉寫了標線R的圖案的晶圓W上 的任意2個攝影區域’譬如說’在攝影SI、S2的掃描曝 光間，使晶圓W不會停止的持續移動。這是因爲在此場合 ，由於在晶圓W上的連續轉寫了標線R的圖案的鄰接區域 ，譬如說，在攝影SI、S2的掃描曝光間，晶圓W並不會 停止，所以就此部分便能夠更進一步的改善其生產能。 就此意義而言，最好是一直到要轉寫標線R的圖案的 晶圓W上的最後的攝影區域完成掃描曝光爲止’晶圓w 會不停止的持續移動，並至少使晶圔w在掃描方向及非掃 描方向的速度成分之一係不爲零。這是因爲在此場合’由 ___________________________131 _ 本紙乐（CNS ) Λ4現格（2丨()〆297公筇） ^08364 Λ7 B7 又:) ίί .1 ί/ί IV 合
卞I 五、發明説明（d 於結果對所有的複數的攝影區域而言，在進行步進掃描方 式的掃描曝光期間，晶圓W都不會停止，因此會最能夠改 善其生產能。再者，在本實施形態中，雖然是在將標線上 的第1區域轉寫至各攝影區域及在將標線上的第2區域轉 寫至各攝影區域之間，是可以改變其照明條件，但是也可 以是不改變此標線上的第1區域及第2區域的圖案的照明 條件，而僅改變，譬如說，投影光學系統PL的開口數， 或者，也可以是使照明條件及投影光學系統PL的開口數 均改變。 《第2曝光方法》 在本實施形態的掃描型曝光裝置10中，通常的二重曝 光的流程係如上所述者，但是也並不僅限定於此，而也有 可能是如下所述的變則的二重曝光。即是，依序將標線R 上的第1區域P1的第1圖案、及、第2區域P2的第2圖 案重合的轉寫至同一攝影區域S1，其次，依循與前述相反 的順序而將第2區域P2的第2圖案、及、第1區域P1的 第1圖案重合的轉寫至下一個攝影區域S2的二重曝光。 在此場合，在同一攝影區域S的曝光之間，與前述相 反的，在晶圓台WST在掃描方向(Y方向)進行往返移動期 間，標線台RST會沿著與在前述的通常的二重曝光的場合 的對鄰接攝影區域SI、S2進行曝光期間的晶圓台WST同 樣的路徑而做往返的移動。圖16(A)顯示了在此場合的標 線R(標線台RST)的移動軌跡T。再者，實際上雖然標線R 係相對於照明狹縫ST以與軌跡T相反的移動來進行曝光 -"^請背而之..;ί·"事項再蟥“VT本頁〕 木紙 ί;(乂政（（NS ) Λ4 叱格（2I0X 297 公;^ A7 40^3β4 •一一 - 五、發明説明（，ν) ’但是在此處，爲了便於說明，僅顯示了照明狹縫st(中 心Q)係相對於標線R的移動於標線R上。與由圖11的(B) ' (C)所說明的晶圓台WST的控制相同的，藉由進行標線 台RST在掃描方向、非掃描方向的速度控制，便能夠達成 沿著此軌跡T的移動。 再者，在將做爲曝光對像的標線R上的區域從第1區 域P1切換至P2(或者是做與此相反的切換)時，如前所說明 的，雖然標線干涉計30Y會變成爲無法測量的狀態，但是 在進行此變則的二重曝光時，係預先實驗性的在從第1區 域P1切換至P2(或者是做與此相反的切換)時，分別測量在 此場合的標線台在掃描方向位置的變化，並將其儲存於記 憶體以做爲補正資料。而且，在實際的曝光時，則在掃描 方向進行位置測量，儲存在區域切換前的標線干涉計30Y 的測量値，並在區域切換後，以在對標線干涉計30Y進行 重置的瞬間的標線台RST的Y座標來做爲求得自前述的區 域切換前的標線干涉計30Y的測量値及上述補正値的値。 此處所說明的變則的二重曝光係，譬如說如圖16(B) 所示的，在第1區域P1形成特定間距(譬如說，2μιη)的Y 方向L/S圖案，並在第2區域Ρ2形成與其在Υ方向差了 1/2間距的同一間距的Υ方向L/S圖案的場合是最適合於 進行二重曝光。這是因爲在此變則的二重曝光中，在第1 區域的圖案轉寫及第2區域的圖案轉寫之間，並不需要去 改變照明條件，而不會因此改變而造成其生產能的下降。 在圖16(B)的場合，若是使投影光學系統PL的縮小倍率爲 _________________________________ 133 木紙 ίί；尺及鸿 ίΙ! t W Ι.Χ 孓匕:..,·（（.NS )八4岘枯（2 ! () xlyT^T) ~ ----------A------訂------^ < Tiit聞讀背而之ίί.ώ事項再^f-:T本I) Λ7 B7 五、發明説明（β~ 1/4 ’則最後會在晶圓W上形成0.25μηι的L/S圖案。再者 ’在本方法中’在依序將標線R上的第1圖案及第2圖案 轉寫至晶圓W上的攝影區域S1之後，雖然是以與前所述 者相反的順序而將標第2圖案及第1圖案轉寫至下一個攝 影區域S2，但是也可以是在以照明光照射標線R上的第2 區域Ρ2之後，控制標線台RST的移動使其移動軌跡成爲 拋物線狀，並在2個攝影區域的掃描曝光之間，使標線台 RST不會停止的持續被驅動。由此，便能夠以同樣的順序 將標線R上的第1圖案及第2圖案轉寫至晶圓W上的各攝 影區域，而且，一直到晶圓W上的的攝影區域結束掃描曝 光爲止，會不會停止的持續的驅動標線台RST。而且，與 前述的第1曝光方法同樣的，在鄰接的2個攝影區域之間 ，控制晶圓台WST的移動使晶圓台WST的移動軌跡成爲 拋物線狀，並在2個攝影區域之間，會不會停止的持續的 驅動晶圓台WST。 《第3曝光方法》 此外，在本實施形態的掃描型曝光裝置1〇中，也可以 進行將標線R上的第1區域Ρ1、第2區域Ρ2的圖案分別 轉寫至晶圓W上在非掃描方向爲鄰接區域的連繫曝光(縫 補曝光）。在此場合，係藉由同時且同步的來進行前述的通 常的二重曝光方法(第1曝光方法)時的晶圓台WST的移動 控制、及、變則的二重曝光方法(第2曝光方法)時的標線 台RST的移動控制而達成。在此場合，會在晶圓W上形 成連繫了標線R上的第1區域Ρ1、第2區域Ρ2的圖案的 ________________________Π4 木紙乐尺度砘 ΗΪ十 Κν< ϊ： ίί^?'7'(-NsTa^UM 210x297公芹) 「;1閒讀竹而之-"事項再"{巧本頁) 丁 -*0 線 "•;!,··41屮":^:-'rrrJu π 消贽合 κίι·,ν!,'1— A 7 ______________________B7 五、發明说明（（β) 大面積圖案。 在上述的第2、第3曝光方法中，也可以是在將照明 光照射標線R上的第1區域Ρ1之後的標線台RST的減速 中，或者是在標線台RST在掃描方向(Υ方向)的速度成分 變爲零之前，使標線台RST係傾斜於掃描方向的來進行移 動。如此，在第1區域內的圖案的轉寫之後，在將第2區 域內的圖案轉寫至晶圓W上時，由於標線台RST並不是 經由]字狀的路徑來移動，而是沿著較其更短的路徑來移動 ，所以便能夠藉由縮短移動來改善其生產能。 再者，在將照明光照射標線R上的第2區域Ρ2之前 ，也可以是使標線台RST向著與掃描方向及非掃描方向交 叉的方向加速，以使標線R上的第2區域Ρ2會接近照明 光。再者，在標線台RST向著非掃描方向(X方向)完成步 進動作之前，或者是，在將照明光照射標線R上的第1區 域之後的標線台RST在非掃描方向的速度成分變爲零之前 ，便使標線台RST開始向著掃描方向加速。再者，從生產 能的觀點而言，最好是控制其移動以使標線台RST的移動 軌跡會變爲拋物線狀(或者是U字狀）。 再者，在上述的第2、第3曝光方法中，在以照明光 照射標線R上的第1區域Ρ1、及、以照明光照射標線R 上的第2區域Ρ2之間，最好是不會停止的持續的驅動標線 台RST。在此場合，由於標線台RST並不會停止，所以移 動標線台所需要的時間就大約會是最短。 再者，在上述的第3曝光方法中，在將標線R上的第 ~―'-—----------------------------- 133___________ ill'1··^；^^ j；；.：：；. ( rNS ) A-mLft ( ) ----------/------iT------^ (別先闇-竹而之注憑事項再"?,;:〃本刃) Α7 _______________________Η7________ 五、發明説明（— 1區域Ρ1轉寫至晶圓W上的攝影區域Si的第1掃描曝光 、及、將標線R上的第2區域P2轉寫至晶圓W上的攝影 區域S2的第2掃描曝光之間，最好是不會停止的持續的驅 動晶圓台WST。這是因爲在此場合，雖然晶圓台WST的 移動軌跡並不一定會是最短，但是由於晶圓台WST並不會 停止’所以會是最短在鄰接區域間的移動(步進)所需要的 時間就大約會是最短。特別是在縫補中，在標線台RST不 會停止而且晶圓台WST也不會停止的持續的被驅動的場合 ’從第1掃描曝光結束開始到第2掃描曝光開始爲止之間 的時間會是最短。再者，在第2掃描曝光之前，最好是使 晶圓台WST向著與掃描方向及非掃描方向交叉的方向加速 °在此場合，晶圓台WST會以傾斜於掃描方向及非掃描方 向的來前進並進行加速。 如以上所說明的，在本實施形態的掃描型曝光裝置10 中’至少以干涉計30X1、30X2之一來測量標線台RST在 非掃描方向的位置，並依據此位置而從干涉計30Y照射掃 描方向的測長光束到3個角落立方體31Y1、31Y2、31Y3 之一，干涉計30Y並藉由接受其反射光而測量標線台RST 在掃描方向的位置：便能夠由干涉計30Y來管理標線台 RST在掃描方向的位置。因此，若是標線台RST在非掃描 方向的位置係位於角落立方體之一所選擇的位置，則藉由 干涉計30Y持續的來管理標線台RST在掃描方向的位置， 並使晶圓台WST係與標線台RST同步的在掃描方向移動 ，便能夠經由投影光學系統PL而將標線R的圖案轉寫至 ---------式------^------"' (41¾讀背而之注盘事項再"巧本頁) 木紙浓八度岣；( 210X24 7公兑） ΑΊ _________—____’ H7___ __ 五、發明説明（) 晶圓W上；且不需要交換標線R，便能夠經由投影光學系 統PL而將標線R上的複數區域的圖案轉寫至晶圓W上。 再者，在此場合，由於來自於千涉計30Y的測長光束 IY係經由角落立方體而測量標線台RST在掃描方向的位置 ，因此，在標線台RST與晶圓台WST同步的在掃描方向 移動之前(或者是在其移動中），即使是與以往一樣的對標 線台RST進行旋轉控制，由於從角落立方體回來的折回光 永遠會與來自於固定鏡側的參照光束重合，因此便能夠正 確的管理掃描曝光中的標線台RST在掃描方向的位置。因 此不需交換光罩便能夠經由投影光學系統PL而將標線R 上的複數區域或是標線R上的複數區域的圖案轉寫至晶圓 w上；而在掃描曝光中’能夠正確的管理標線台RST在第 1方向(掃描方向)的位置。因此便能夠藉由使用大型光罩的 縫補來實現大面積的曝光，而能夠改善其生產能’再者’ 藉由對標線台RST進行旋轉控制便可進行高精確度的曝光 。而且，即使是在進行二重曝光的場合’由不需交換光罩 這〜點便能夠改善其生產能’並能夠由改善焦點深度來改 善其曝光的精確度。 再者，在本實施形態中’由於角落立方體31Y1、 31Υ2、31Υ3係設置爲分別對應於標線R上的區域P1、Ρ2 、卩3，所以無論是再轉寫任何一個區域時，干涉計3〇Υ藉 由使用對應於此區域的角落立方體’便能夠確實且正確的 管壞檩線台RST在掃描方向的位置。再者’由於角落立方 體3lY3係配置於標線台RST在非掃描方向的中央部，因 137_ 木紙公及） "尤阳讀吖而之：;ί·ί事項再填巧本頁 Ή 線 4〇83β4 β7 —_______— ------^ -〜一·——... ______. jc . ..... 五、發明説明（AS) 此能夠對應於：使用通常的標線（標線）的通常曝光、使用 在標線R上配置了複數的圖案區域的標線的二重曝光等的 多重曝光、縫補曝光中的任何一種曝光。 再者’在上述實施形態中，由於標線台控制器33具有 對應於標線台RST在非掃描方向的位置資訊而重置干涉計 3〇Y的功能，因此在標線台RST在非掃描方向的移動中， 在干涉計30Υ的測長軸接觸到任何一個角落立方體的瞬間 ，便能夠依據標線台RST在非掃描方向的位置資訊而重置 干涉計30Υ。 而且，在標線台RST在非掃描方向的兩側面設置第i 反射面8如、第2反射面S4b，並與此對向的設置了干涉計 30X1、干涉計30X2，標線台控制器33則使用在干涉計 30X1、干涉計30X2之中，分別至其反射面爲止的測長光 束之中的較短的測長光束的測量値來計算出標線台RST在 非掃描方向的位置。因此，標線台RST的旋轉對測量値的 影響會變小，而即使是在非掃描方向，也能夠更正確的求 出標線台RST的位置。 再者，在本實施形態中，由於在晶圓台WST上設置了 基準標誌板FM，並會依據標線台RST在非掃描方向的位 置資訊而重置干涉計30Y，所以主控制裝置50便可分別藉 由標線顯微鏡110、校準光學系統ALG來測量基準標誌板 FM上的基準標誌，來測量標線R及晶圓台WST的位置關 係，因此，在通常曝光、通常的二重曝光時，即使是爲了 對標線R上的不同區域進行曝光而在非掃描方向移動標線 __________________________]38____ 木紙乐尺度珣;丨1屮夕（1 梢（210.〆公筇） —----- -- "ft7 五、發明説明（4) 一 台RST，也不會有會使標線R及晶圓W的重合精確度變差 的缺點。 再者，在本實施形態中，由於係具備了具有會將對應 於標線台RST的移動所產生的反作用力的力供應至標線台 RST或是第2架台(26、28)的致動器74R、74L的框架72 ，因此，由於致動器74R、74L會將對應於標線台RST的 移動所產生的反作用力的力供應至標線台RST或是第2架 台，所以便能夠防止標線台RST在加減速時的震動經由第 2架台而被傳遞至架台部16。 再者，在上述的第2、第3曝光方法中，爲了要將標 線R的圖案轉寫至晶圓W，雖然驅動控制系統(此爲由構 成台控制系統的標線台控制器33、同步控制系統80所構 成)會使標線台RST沿著掃描方向至少往返1次，並在此 往返移動的期間使標線台RST沿著非掃描方向移動，但是 由於2個角落立方體31Y1、31Y2在非掃描方向係配置於 距離對應於此移動量的距離，因此無論是在移動前後的任 何位置，干渉計30Y均能夠確實的管理標線台RST的位置 ，而在標線台RST的1次往返移動的期間。便能夠將標線 R上的不同區域的圖案轉寫至晶圓W上的同一區域或是不 同的區域。在此場合也不需要交換標線。 再者，在本實施形態的掃描型曝光裝置10在進行前述 的第1曝光方法、第3曝光方法或者是通常的掃描曝光的 場合，會進行由標線R及晶圓W的曝光前的晶圓助走（加 速時間）的前置掃描、及、與晶圓曝光後的等速移動時間及 -------------------------—_________________t39 ______ 木紙ίί‘乂政 1¾ 中 ( （2]0·〆.297公筇） 11閱請fr而之ίί.;δ事項再楨巧本頁j 、-° _3β4 Α7 Β7 五、發明説明（Μ ) 減速時間的後置掃描同步的’爲了下一次的曝光而在晶圓 的非掃描方向的步進；由於在從前置掃描開始到移至曝光 動作爲止的調整時間前’便會使在非掃描方向的步進動作 結束，因此，便能夠使掃描曝光前後的前置掃描、前置掃 描時間係完全的與步進至鄰接的攝影的步進時間重疊；相 較於分別的進行前置掃描、前置掃描動作及步進至鄰接的 攝影的步進動作的以往例，在此場合便能夠改善其生產能 。再者，由於在調整時間只要在掃描方向進行晶圓及標線 的同步控制，因此結果便能夠縮短調整時間’而能夠就此 部分來改善其生產能。 再者，在本實施形態中，由於也能夠控制在晶圓曝光 後的等速移動時間及減速時間中，對應於後置掃描的部分 在非掃描方向加速度，使其絕對値會大於在晶圓助走（加速 時間）中，對應於前置掃描的部分在非掃描方向的負的加 速度的絕對値，因此由於在甩以同步控制的調整時間前便 能夠使高加速所造成的本體(body)的搖晃等完全的衰減， 所以這一部份的控制性會變好，而能夠改善其生產能。 再者，對本實施形態的掃描型曝光裝置10及台裝置1 而言，在曝光時，係依據：相對於做爲掃描方向的Y軸， 具有分別形成角度、Θ2的2個不同方向的光軸的第1及 第3干涉計76X1、76X2的測量値，而計算求出晶圓台 WST在非掃描方向的位置；而晶圓台WST在掃描方向的 位置係由在具有Y方向的測長軸的第2干涉計76Y來進行 測長而得，因此便能夠使基板桌TB(因此，晶圓台WST)的 ________________________________140 _____ ；ίΐ ί < ) ( 21()χΊ^7^5Π ' ίιΜΜ背νζ之ii-总事項4切巧本打) 訂 φ ! ίι1) 4〇8〇e4 A7 ________________ _H7 五、發明説明（4) ^ + 形狀爲三角形狀（在上述的實施形態係爲正三角形狀）。由 此’如圖17所示的，相較於以往的四角形狀的台st3，便 能夠使晶圓台WST輕量化。即使是在將來晶圓台的加減速 變大或者是在最高速度上升的場合，晶圓台的輕量化會更 加有效。再者，三角形狀的台除了能夠使軌跡變小之外， 也能夠改善其生產能。圖17顯示了 ：相對於四角形狀的台 st3會由於爲了要使圖中以箭頭—表示的干渉計光軸不會由 於干涉計多軸化及前置掃描、前置掃描而偏離的移動鏡補 足距離分DX、Dy而會變爲比用以支撐晶圓的必要最低限 的大小的四角形狀的台sil大的很多；在本實施形態的台 WST則即使是有Dx、Dy的補足距離分，其台形狀也會比 四角形狀的台st3小很多。 再者，由於是依據測量晶圓台WST在掃描方向的位置 的第2干渉計76Y的測量値來計算出晶圓台WST的搖晃 ，因此便可在支撐標線R的標線R台側對做爲曝光時的晶 圓台旋轉誤差的此搖晃量進行補正，因此晶圓台WST便不 再需要旋轉控制機構，而能夠就此部分來使晶圓台輕量化 〇 再者，由於是分別使第1及第3千涉計76X1、76X2 的1光軸(測長光束RIX11(第1測長軸）、測長光束RIX21( 第3測長軸))的延長的交點會與投影光學系統PL的光軸一 致，並分別使另1光軸(測長光束RIX12(第2測長軸）、測 長光束RIX22(第4測長軸))的延長的交點會與校準光學系 統ALG的光軸一致’所以在曝光及校準時，也能夠無阿倍 141 --> ---ID I ___——____ 丨，、 - ^^^1 ^^^1 I n V--6. (：^1間請背而之;1._*.:?事項再切巧本1〕 本紙队玟政❸川中々（rNS ) Λ4叱格1 21ί)〆2^?公筇 ^°S364 A7 B7 % ib n Λ 消 f： /, <{ 印 五、發明説明（叫） 誤差的測量出台的位置，並可改善其重合精確度。 再者’第1、第2及第3干涉計76X1、76Y、76X2會 測量與分別形成於支撐晶圓W的晶圓台WST的不同側面 的反射面60a、60b、60c的距離，在對晶圓台周邊進行曝 光時，由於會決定晶圓台WST的加速度、及、最高速度、 調整時間，以使在標線R及晶圓W進行相對掃描時晶圓的 助走，到等速移動爲止的調整時間的前置掃描距離、及、 在晶圓W曝光後的等速移動時間及減速時間的後置掃描距 離，並不會造成各干涉計光軸分別偏離於晶圓台WST的不 同的反射面60a、60b、60c，所以便不需要使反射面做過 多的延伸。因此，由於便能夠將反射面設定於晶圓台（基板 桌TB)的3個側面的範圍內，所以晶圓台WST的平衡 (balance)會變好，也能夠提高台的剛性，結果，便能夠改 善晶圓台的聚焦，仰角控制應答。 再者，由於在前述的第1、第2及第3干涉計76X1、 76Y、76X2的光軸不會分別的偏離於前述的晶圓台WST 的不同的反射面60a、60b、60c的晶圓台上的位置配置了 :進行基準線測量、照射測量的基準標誌板FM及空間像 檢知器KES，所以便不需要延伸移動鏡(或者是反射面)即 可由基準標誌板FM及空間像檢知器KES來做測量，而這 也會使晶圓台WST輕量化。 再者，由於設置了用以驅動晶圓台WST的驅動系統的 可動型定盤38係依據晶圓台WST移動時的加減速所產生 的反作用力來移動，所以便能夠藉由可動型定盤38的重心 142 ίι間讀背而之ii-意事項再:本茛) 4 本紙度埤川十 ) 格（210·Χ：147公 tt ) 4 Λ7 Η7 五、發明説明（，叫 移動來抵銷晶圓台WST的重心移動所造成的偏荷重；由此 便能夠減輕防震裝置20的負荷，而且也能夠將由偏荷重所 造成的本體的歪斜抑制到最小，而能夠改善決定標線R及 晶圓W的位置的精確度。 再者，可以用數Hz的應答頻率來驅動可動型定盤38 ，在晶圓台WST移動時的加減速時，便進行驅動控制以抵 銷其反作用力；再者，由於也能夠以前述的應答頻率來進 行控制，以防止台姿勢(偏荷重)使可動型定盤38在任意的 方向移動，所以便能夠防止標線位置的改變、及、環境變 化所造成的偏荷重。 而且，由於係將晶圓台WST的重量設定爲可動型定盤 38的重量的1/9以下，所以可動型定盤38對應於晶圓台 WST移動時的加減速所產生的反作用力而移動的距離也會 是晶圓台WST的移動距離的1/1〇以下，而可將可動型定 盤38的必要移動範圍設定爲很小。 再者，由於係使需要位置控制精確度的曝光及校準前 的可動型定盤38的應答頻率、及、此外的應答頻率爲可變 的，而且可動型定盤38的2方向位置係由線性編碼器45 所監視，在需要位置控制精確度的曝光及校準以外的驅動 動作時，會將可動型定盤38的位置補正至特定的位置，所 以對晶圓加減速時的反作用能夠使可動型定盤38在相反方 向移動的距離減少1位數以上。即是，不但在曝光及校準 時能夠以高精確度來進行控制’而且在其他的條件時也能 夠將可動型定盤38的位置重新設定爲任意的位置，而能夠 143 木紙张尺度.;ΐ川屮rN.S ) 格I 2丨297公处） 「"閃讀背而之：;1-"事'!、4堉('^本頁) 訂 竦 40^h. \\Ί 五、發明説明（a丨） 使其軌跡變小。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了使用角落 立方體來做爲用以測量標線台RST在掃描方向的位置的鏡 子，但是爲了實現本發明的掃描曝光方法則並不限定於此 ，而也可以是使用短的反射面（平面鏡）。在此場合，由於 相較於以往的的平面鏡子，其製作校爲容易，因此就此部 份可降低其成本。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在標線R 上存在著第1區域、第2區域的2個區域的二重曝光用標 線，但是並不限定於此 > 不用說也知道，本發明當然也適 用於使用更小徑的投影光學系統PL，而在標線R上存在著 3個以上的細長的區域(或者是分割區域)的場合。 線 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在標線台 RST上支撐了單一的標線R的場合，但是也可以是，譬如 說，沿著非掃描方向配列了標線R1及標線R2，而在標線 R1上形成了第1區域P1內的第1圖案，在標線R2上則 形成了第2區域P2內的第2圖案。而即使是具有複數的標 ,, 線，在依序而分別將各標線的圖案轉寫至晶圓W的場合， S 前述的實施形態的作用仍然會有效。 | 再者’在上述的實施形態中，雖然係使用圖 t 11(A)~(C)來詳細的說明了晶圓台WST的移動方法，但是 | 本發明當然是並不限定於此。若是以與先前的說明中相同 | 的圖號來說明其他的例子，則也可以是在結束攝影S1的掃 V 描曝光後’一直到晶圓W在掃描方向的移動速度變爲零爲 _____________________— 144 4'v fk ik >1 Jl ΐ ' l·' :'v ( c' N S ) Λ Λ ( 2Ι(^Χ：97λ>^ ) '~ - A7 H7 立、發明説明（ 止，會使晶圓w持續的減速並向著與掃描方向交叉的方向 移動。如此，則在結束攝影si的掃描曝光後，由於晶圓 W會沿著V字狀的路徑移動，所以晶圓W係以接近於最 短距離的路徑移動，而便能夠就此部分來改善其生產能。 或者是，也可以是在結束攝影S1的掃描曝光後的晶圓W 的減速中、及、在攝影S2的掃描曝光前的晶圓w的加速 中，使晶圓w移動向與掃描方向及非掃描方向交叉的方向 。在此場合，結果由於晶圓W會沿著V字狀的路徑移動， 所以晶圓W係以接近於最短距離的路徑移動，而便能夠就 此部分來改善其生產能。 在此場合，不用說也知道，最好是在攝影S1的掃描 曝光及攝影S2的掃描曝光之間，晶圓W會是不停止的持 續移動。 ·;/)· 合 ii 印 先":^背而之：;1-"事'!'再",;^本玎
•1T 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在採用正 三角形狀的台來做爲晶圓台WST，並與此配合的採用了由 從3個不同方向來分別測量晶圓台WST的位置的3個的第 卜第2及第3干涉計70X1、76Y、76X2所構成的千涉計 系統的場合；但是，這是爲了要更有效果的達成做爲本發 明的目的的改善生產能，當然本發明是並不限定於此的。 即是，即使是通常的正方形、長方形的晶圓台，本發明也 會與在上述的實施形態同樣的，會非常的適用；而在改善 生產能的效果方面，雖然在程度上會有差，但是還是可獲 至充分的效果。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在晶圓台 145 Ό^〇4 A7 _____________ — B7 五、發明説明（,〇) WST係具備了驅動台52、測平驅動機構 '基板桌TB等的 場合；但是’本發明並不限定於此，譬如說，也可以是使 用僅爲板狀的部材來做爲基板台。這是因爲即使是此種板 狀部材’只要是使用所謂的2度空間平面馬達(具備Z驅動 線圈者)等’便能夠進行對XY平面的傾斜驅動、Z方向驅 動。 再者’在上述的實施形態中，雖然係說明了：做爲第 1可動體的晶圓台WST具備完整的第1、第2及第3反射 面(60a、60b、60c)，對應於此的，干涉計也具備第1、第 2及第3干涉計的台裝置1及包含此的掃描型曝光裝置10 ;但是，本發明當然並不限定於此，而也可以是第1可動 體僅具備第1反射面或是僅具備第3反射面、此二者中的 任何一個及第2反射面，對應於此的，也可以是僅具備第 1干涉計或是僅具備第3干涉計、此二者中的任何一個及 第2干涉計。 譬如說，若是使用上述實施形態的圖號來說明在第1 可動體僅具有與掃描方向(第1軸方向)及非掃描方向(第2 軸方向）交叉的第1反射面的場合；則由於藉由在非掃描方 向使用第1干涉計的測量値，X=X1/ I sinei |，在掃描方 向使用第1干涉計的測量値，γ=χι/丨c〇sei |，便能夠計 算出第丨可動體的(X，Y)位置座標，所以做爲演算壯志的 晶圓台控制器78只要進行此種計算即可。 再者，譬如說，在第1可動體具有與掃描方向(第1軸 方向)及非掃描方向(第2軸方向）交叉的第1反射面 '及' ___________________ 146 ___ 木紙浓尺度鴻（（*:vs > 格（210xTy7^^ ~ -1間讀τ1·而之注总事項再"寫本頁 *1Τ 奸 14^^·^θ τ-;,,^'ϊΜ·ί,,1,,·κ 40咖“ ___— B7 五、發明説明（叫） 「先閱-"而之注悉事項再"'艿本订) 非掃描方向的第2反射面的場合；做爲演算壯志的晶圓台 控制器78只要在非掃描方向進行x=xi/ | sinei I的計算 ，在掃描方向則只要使用第2干涉計的測量値即可。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在做爲第 1可動體的晶圓台WST係具備了驅動台52、測平驅動機構 、基板桌TB等的場合；但是，本發明並不限定於此，譬 如說，也可以是使用僅爲板狀的部材來做爲基板台。這是 因爲即使是此種板狀部材，只要是使用所請的2度空間平 面馬達等，便能夠進行對XY平面的傾斜驅動、Z方向驅 動。在此場合，在第1可動體係爲三角形狀的場合，在對 XY平面進行傾斜驅動時，最好是依據前述的第1、第2及 第3干涉計(76X1、76Y、76X2)中的至少一個的輸出，而 由對應的線圈將Z方向的驅動力供應至：構成做爲在垂直 於XY平面的方向進行驅動的驅動裝置的2度空間平面馬 達的線圏內的第1可動體的各頂角附近的特定的3點之中 的至少一點。這是因爲如此的話，由於便能夠驅動遠離於 重信位置的3個頂點附近，而能夠進行傾斜調整，因此此 時便能夠獲至高的控制應答(仰角驅動控制應答）。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在基板桌 TB的側面以鏡面加工而形成了所有的第1、第2及第3反 射面60a、60b、60c的場合；但是，本發明並不限定於此 ，當然也可以是以平面鏡所構成的移動鏡的反射面來做爲 其中的任意的1個或是2個反射面。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在將做爲 ________________— — 147 木纸认尺度垅⑴屮 ( (_、S ) A4UL格( 210^ 297^^ } ' — ' _3β4 A1
^ HI II· I _ - · —· — 一 · ' 1 — — ^ --—1 _ 五、發明説明（乂） 第1千涉計的標線γ干涉計30Y '做爲第2、第3干涉計 的標線X干涉計30X1、30X2全部都設置於第2架台上的 場合；但是，本發明並不限定於此’而也可以是至少將這 些干涉計中的1個千涉計設置於’如圖3所示的第1框架 40 —般的，其他的框架上。 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在使用僅 以石英及螢石來做爲光學硝材的折射光學元件(透鏡)而構 成的縮小投影透鏡來做爲投影光學系統PL的場合：但是 ，本發明並不限定於此，而是同樣的也能夠適用其他形式 的投影光學系統。此處，參照圖18來簡單的說明其他形式 的投影光學系統。 圖18(A)係爲組合了折射光學元件(透鏡)GS卜GS4、凹 面鏡MRs、分光器PBS的縮小投影光學系統；此系統的特 徵係：使來自於標線R的結像光束經過大的分光器PBS ’ 而在分光器PBS被反射後再度回到分光器PBS ’在折射透 鏡系統GS4被縮小而結像於投影像面PF3(晶圓W)。詳細 之處係開示於特開平>282527號公報及美國專利第 5220454號，在指定國的國內法令所容許的限制下，可引 用此開示來做爲本文的記載的一部份。 圖18(B)係爲組合了折射光學元件(透鏡)GS1〜GS4、小 鏡子MRa、凹面鏡MRs、的縮小投影光學系統；此系統的 特徵係：使來自於標線R的結像光束通過由透鏡系統GS1 、GS2、凹面鏡MRs所構成的約爲等倍的第1結像系統 PL1、偏心配置的小鏡子MRa、以及、由透鏡系統GS3 ' _____ 148______ '本紙仏乂政询川屮 孓（ΐ:々((NS ) ( 210x297^^ ) ~ •^間請背而之注^事項再^巧本11;.) T '-6 線 _______________4〇8^4 ^__ 五、發明説明（w) GS4所構成的約具有所需要的縮小倍率的第2結像系統 PL2，而結像於投影像面PF3(晶圓W)。詳細之處係開示於 特開平8-304705號公報及與此對應的美國專利第5691802 號，在指定國的國內法令所容許的限制下，可引用此開示 來做爲本文的記載的一部份。 -^1° 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在使用離 軸•校準感知器ALG來做爲校準光學系統的場合；但是， 本發明並不限定於此，當然也可以是使用TTL(貫穿透鏡 (through the lenz))型等的正軸•校準（on axis · alignment)光 學系統。在此場合使投影光學系統PL的光軸係位置於， 與干涉計76Y相同的，射出自干涉計76X1、76X2的2條 光束(測長光束)的中心線所交叉的位置，而且若是由3處 均是以2軸光束所測量的結果的差分的平均値來決定晶圓 台搖晃，則便能夠使搖晃的測量精確度改善(1/3)1/2。 再者，在上述的實施形態中，雖然係使用了雙飛眼透 鐃，但是也可以是僅使用1個飛眼透鏡(或者是，棒(rod)型 積分器(integrator))，或者，也可以是使用飛眼透鏡與棒型 積分器的組合。在配置了此種棒型積分器的照明系統中， 只要，譬如說，移動或者是交換配置爲較接近光源側而較 遠離於棒型積分器的至少1個光學元件（透鏡原件（lens element))以在棒型積分器的入射面上改變其照明光的強度 分布，則便能夠實現其σ値的改變及輪帶照明等的變形照 明。 而且，以曝光用照明光而言，除了 KrF準分子雷射及 _________________________142_ ill W W % ί：ί： ( r\S ) A4im { ：IOx297^^ ) 4〇8364 at _________Π7 五、發明説明（W)
ArF準分子雷射之外，譬如說，也可以是波長爲157nm的 F2準分子雷射。在以F2準分子雷射來做爲光源的掃描型曝 光裝置中，除了採用反射折射光學系統來做爲投影光學系 統之外，使用於照明光學系統及投影光學系統的光學元件( 透鏡原件）及標線均會是螢石，而且要以氦器氣體(helium gas)來置換照明光學系統及投影光學系統內的空氣。再者 ，也可以是使用具有震盪光譜（spectral)爲，譬如說，波長 爲248nm、193nm、及、157nm中的任何1種的YAG雷射 等的固體雷射的高調波。
11T 再者，在上述的實施形態中，雖然係說明了在使用波 長爲lOOnm以上的準分子雷射來做爲曝光用照明光的的場 合；但是，本發明當然並不限定於此。譬如說，近年來爲 了要進行對lOOnm或者是70mn以下的圖案的曝光，已經 開發了以SOR及電漿雷射(plasma laser)來做爲光源，並使 用曝光波長13.5〜6nm之間的EUV(極紫外(extreme ultra violet))光、反射縮小光學系統、及、反射型標線的EUV 曝光裝置。在此裝置中，由於係考慮到使用圓弧照明，並 使標線及晶圓同步掃描的掃描曝光，因此此裝置也係包含 於本發明的適用範圍。再者，在上述的實施形態中，雖然 係也考慮到要使收藏EUV曝光裝置的腔體(chamber)內變 成真空，並以磁氣浮上型線性致動器來做爲台的驅動系統 ，並也在吸著(Chuck)系統使用靜電吸著方式，但是對曝光 波長在lOOnm以上的光曝光裝置而言，也可以是使用空氣 流動(air flow)的台驅動系統及使用真空來進行吸著。 ______________________isn______ 木紙ft 尺度迖( (_NS ) Λ4叹格（210X297公筇） a7 ____________________B7_—__________ 五、發明说明（4) 而本發明人主要是著眼於再進行二重曝光時的生產能 的改善，而曾經提出了具有2個晶圓台(基板台），且在對 其中1個晶圓台上的晶圓進行曝光動作中，會並行的在另 外1個晶圓台上進行校準等的其他的動作的曝光裝置(參照 特開平10-163097號公報、特開平10-163098號公報、及 、對應於此的國際公開W098/24115)。記載於這些公報的 曝光裝置若是不採用二重曝光而採用通常的曝光’則很明 顯的會比在二重曝光的場合更能夠改善其生產能。再者’ 記載於這些公報的曝光裝置若是採用在上述的第1實施形 態中所說明的方法，則無論是在通常曝光及二重曝光中的 任何1種方法，均能夠更進一步的改善其生產能。本發明 援用特開平10-163097號公報、特開平10-163098號公報 、及、對應於此的國際公開W098/24115來做爲本文的一 部份。 但是，在此場合，如特開平10-163098號公報所記載 的，要使其中1個晶圓台側及另外1個晶圓台側的動作互 相不會干擾的同步的進行，如了在控制上不容易之外，由 於必須要進行如在上述的第1實施形態中所說明的晶圓台 的控制，因此會使台控制系統的控制程式(program)變的非 常複雜。而接下來的第2實施形態便是爲了要改善此不方 便之處。 [第2實施形態] 其次，依照圖2卜圖來說明本發明的第2實施形態 °在此第2實施形態中，特別是開示了本發明的第2-第5 —II I »»1.^-0- + .^ _______J_ - . 131 本紙认尺度垆州丨(「NS ) A‘m丨，格（21()乂 297公筇） " ' - ^先"讀背而之"-意事项4填巧本頁} 訂 A7 B7 五、發明説明（ 槪念。 圖，21顯示了第2實施形態的曝光裝置110的槪略構 成。此處，對與前述的第1實施形態相同或是同等的部分 使用相同的圖號，並僅做簡略的說明，或者是省略其說明 。此曝光裝置110係所謂的部進掃描方式的掃描曝光型@ 投影曝光裝置。 此曝光裝置no具備：具有分別獨立的支撐做爲基板 的晶圓Wl、W2，並做爲在2度空間方向移動的第1可動 體的2個正方形的晶圓台WST1、WST2的台裝置101、配 置於此台裝置1〇1的上方的投影光學系統PL '在投影光學 系統PL的上方，主要在特定的掃描方向，此處爲Y軸方 向(在圖21中爲垂直於紙面的方向)驅動做爲光罩的標線R 的驅動機構、從上方對標線R進行照明的照明光學系統18 、及、控制這些部位的控制系統。 前述的台裝置101具備：構成前述架台部(第1圓柱 )16的定盤22、及、做爲被支撐於此定盤22上，並可在 XY平面內做相對移動的第2可動體的長方形的可動型定 盤138、及、做爲被支撐於此可動型定盤138上，並可在 XY平面內做相對於可動型定盤138的移動的前述的2個 正方形的晶圓台WST1、WST2、及、測量晶圓台WST1、 WST2的位置的干涉計系統。以可動型定盤138而言，係 使用與前述的第1實施形態的可動型定盤38相同的構成者 。再者，後面會再詳細敘述此可動型定盤138的作用等。 晶圓台WST1、WST2係在投影光學系統PL的下方， ---- ---...-_______________- 15?___ 木紙 ίΑ 尺戍城川屮( ) 7i〇x297^^ ) - 先聞請背而之;j.意事項-S4f-:T本艽) I *-& ^08364 ΑΊ ______ ^ Β7__ 五、發明说明（印） 分別由做爲設置於可動型定盤138上的驅動裝置的平面磁 氣浮上型線性致動器42a、42b所浮上支撐，而且在與投影 光學系統PL的光軸AX垂直的XY2度空間內係被相互獨 立的驅動。再者，可動型定盤138係與晶圓台WST1、 WST2相同的，係由做爲設置於定盤22上的第2驅動裝置 的平面磁氣浮上型線性致動器44所浮上支撐，而且在 XY2度空間內可自由的被驅動。再者，平面磁氣浮上型線 性致動器42a、42b、44則係由圖21的台控制裝置160所 控制。 經由圖所未示的晶圓支撑器(wafer holder)而以靜電吸 著或是真空吸著來將晶圓Wl、W2固定於前述的晶圓台 WS：H、WST2上。圖所未示的Z、Θ驅動機構則在與XY平 面垂直的Z軸方向及Θ方向(Z軸周圍的旋轉方向)對晶圓支 撐器進行微小驅動。再者，將形成了各種標誌的基準標誌 板FM1 ' FM2設置於晶圓台WST1、WST2的上面，並使 其高度係約與晶圓Wl、W2的高度相同。譬如說，在測量 各晶圓台的基準位置時，便會使用到這些基準標誌板FM1 、FM2 °
再者，如圖22所示的，晶圓台WST1的X軸方向一 側的面(在圖21中爲左側面）120及Y軸方向一側的面(在圖 21中爲紙面內側的面）121係做了鏡面處理的反射面，同樣 的，晶圓台WST2的X軸方向另外一側的面(在圖21中爲 右側面）122及Y軸方向一側的面123也是做了鏡面處理的 反射面。構橫後述的干渉計系統的各測長軸（BI1X、BUX jTTTTi· ——------------ — 153 ________ 本.人仫足焱味川中氏内孓d (rNS)M叱招（2!0χ2(π^筇） ^08364 A7 B7 五、發明说明（|7丨 等)的干涉計光束會投射至這些反射面，並藉由在各干渉計 接受此屄射光而測量來自於各反射面的基準位置(一般係將 固定鏡子配置於投影光學系統側面及校準光學系統的側面 ，並以此爲基準面）的變位，並由此而分別測量出晶圓台 WST1、WST2的2度空間位置。再者’後面也會詳細敘述 干涉計系統的測長軸的構成。
、1T 如圖21所示的，在投影光學系統PL的雨側設至具有 相同功能的離軸(off-axis)方式的校準系統124a、124b ;並 將其設置於分別距離投影光學系統PL的光軸中心(與標線 圖案項的投影中心一致)相同的距離。這些校準系統124a、 12朴係具有雷射费進校準(Laser Step Alignment)LSA系統 、場影像校準(Field Image Alignment)FIA系統、雷射干涉 校準(Laser Interferometric Alignment)LIA 系統等 3 種類的 校準感知器，並能夠對基準標誌板上的基準標誌及晶圓上 的校準標誌進行X、Y2度空間方向的位置測量。 線 Γ> .7. ili 此處，LSA系統係將雷射光照射至標誌，並利用折射 、散射的光來測量標誌位置的，最具泛用性的感知器；從 以往便被廣泛的使用於各種製程晶圓(process wafer)。FIA 系統係將齒素燈(Halgon lamp)等的廣帶域(broad band)光照 射至標誌，並藉由對此標誌影像進行影像處理而測量標誌 位置的感知器；並可被有效.的使用於鋁(aluminium)層及晶 圓表面的非對稱標誌》再者，LIA系統則從2方向將頻率 僅稍微不同的雷射光照射至折射格子狀的標誌，並使所產 生的2個折射光發生干涉，而從其相位測量出標誌的位置 本紙张尺度诞用中（rNS ) UAL你（_ 21()>^97公筇 4〇83β4 A 7 \Μ «,部 t^ff:iv..XJn.T;i!)费合 c^'vs-i··
15S 五、發明说明（t5T>: 胃|只的感知器，並可被有效的使用於低段差及表面粗糙的 晶圓。： 在本第2實施形態中，適當的依據其目的來分別的使 用這3種類的校準感知器，而來進行：測量出晶圓上的3 點的1度空間標誌的位置，並測量晶圓的槪略位置的所謂 的檢索校準（search alignment)、及、正確的測量出晶圓上 的個攝影區域的位置的微細校準（fine alignment)等。 在此場合，校準系統124a係被使用於測量：被支撐於 晶圓台WST1上的晶圓W1上的校準標誌及形成於基準標 誌板FM1上的基準標誌的位置。再者，校準系統124b則 係被使用於測量：被支撐於晶圓台WST2上的晶圓W2上 的校準標誌及形成於基準標誌板FM2上的基準標誌的位置 〇 來自於構成此校準系統124a、124b的各校準感知器的 資訊會在校準控制裝置180進行A/D轉換，並對數位 (digital)化了的波形信號進行運算處理而測量出標誌的位置 。將此結果送至主控制裝置190，而主控制裝置190則會 依據此結果而將曝光時的同步位置補正等的指示送至台控 制裝置160。 再者，雖然省略了其圖示，但是在校準系統124a、 124b分別設置了，如開示於上述特開平1〇_163〇98嚆公報 的’用以檢查合焦位置的自動聚焦/自動測平（aut0 focusing/auto leveling)(AF/AL)測量機構。 其次，依照圖21及圖22來說明標線驅動機構。 木紙( (.NS ),識精:（210X2”公# ---------Λ,-------訂------線 (#先聞讀开而之汉总事項·?}ΜΚ·本Π ) A7 B7 五、發明説明（，ο) 此標線驅動機構具備了：將標線R支撐於標線基準定 盤28上，並使其在ΧΥ2度空間方向能夠移動的標線台 RST、及、由驅動此標線台RST的，圖所未示的，線性馬 達等所構成的驅動系統29、及、經由固定於標線台RST的 移動鏡31，而測量標線台RST的位置的標線雷射干涉計 30。 訂 對此縱更詳綑的敘述，如圖22所示的，在標線台 RST的掃描方向(Υ方向)設置了可以直列的2片標線R1、 R2 ;此標線台RST係經由圖所未示的空氣軸承（air bearing)而被浮上支撐於標線基準定盤28上，並由驅動系 統29來進行X軸方向的微小驅動、Θ方向的微小旋轉、及 、Y軸方向的掃描軸方向的。再者，雖然驅動系統29係以 線性馬達爲驅動源的機構，但是在圖21爲了要便於圖示及 便於說明，所以僅將其顯示爲區塊(block)。因此，標線台 RST上的標線Rl、R2在，譬如說，被選擇性的使用於二 重曝光時，無論是對任何一個標線而言，均能夠與晶圓側 做同步掃描。 ^Α.^ψ^^^^π^^^^^.^'ν 在標線台RST上，在X軸方向的另外一側的端部，在 γ軸方向延設了由與標線台RST相同素材（譬如說陶瓷 (ceramic))所構成的平行平板移動鏡31X，並藉由鏡面加工 而在此移動鏡3IX的X軸方向的另一側的面形成反射面。 將來自於以測長軸BI6X所示的干涉計(圖示省略)的干涉計 光束照射向此移動鏡31X的反射面’在此干涉計並藉由接 受其反射光來測量相對於基準面的相對變位，而測量出標 _______________________ 156____ 木队怅尺政迸川屮WHim· ( ( NS ) Λ.1%格（210x57公筇} ______________________0 吻《__ 五、發明説明（π) 線台RST的位置。此處，具有此測長軸ΒΙ6Χ的干涉計係 具有實障上能夠獨立的進行測量的2條干涉計光束，並能 夠測量出標線台在X軸方向的位置及搖晃量。在依據來自 於具有後述的晶圓台側的測長軸BI1X、BI2X的干涉計 116、118的晶圓台WST卜WST2的搖晃資訊及位置資訊 ’而在抵銷標線及晶圓的相對旋轉(旋轉誤差）的方向對標 線台RST進行旋轉控制、及、進行X方向同步控制時，便 會使用到具有此測長光軸BI6X的干涉計的測量値。 另一方面，在做爲標線台RST的掃描方向的Y軸方向 的另外一側(在圖21爲紙面的前方側），設置了一對的角落 立方體鏡子（corner cube mirror)31yi、31y2 °而且，從圖所 未示的的一對的雙路徑干涉計照射，在圖22以測長軸 BI7Y、BI8Y所示的，干涉計光束至這些角落立方體鏡子 31yl、31y2 ;從角落立方體鏡子31yl、31y2射回，並在標線 基準定盤28上的反射面被的各個反射光會被射回同一光路 ，並分別由其雙路徑干涉計接受其光，而分別測量來自於 各個角落立方體鏡子31yl ' 31y2的基準位置（做爲參考 (reference)位置的前述標線基準定盤28上的反射面)的相對 變位。而且，將這些雙路徑干涉計的測量値供應至圖21的 台控制裝置160，並依據其平均値來測量出標線台RST在 Y軸方向的位置。在依據具有晶圓側的測長軸BI3Y的干 涉計的測量値而計算出標線台RST及晶圓台WST1或是 WST2的相對位置、及、依據此値而在掃描曝光時，在掃 描方向（Y軸方向）對標線及晶圓進行同步控制時，便會使 _ „ __ 157 本紙仏尺及详川屮4 （( 210X297公筇） 邛先間請背而之注竞事項再"寫本") 訂 A7
五、發明説明（) 用到此Y軸方向的位置資訊。 如此，在此第2實施形態中，係由以測長軸BI6X所 示的千涉計及以測長軸BI7Y、BI8Y所示的一對的雙路徑 干涉計的共計3個干涉計來構成圖21所示的標線雷射干涉 計30。 其次，持續的參照圖21〜圖23來說明管理晶圓台 WST1、WST2的位置的干涉計系統。 訂 線 如這些圖所示的，沿著分別通過投影光學系統PL的 投影中心及校準系統124a、124b的測量中心的X軸，將 以來自於圖21的干涉計116的測長軸ΒΠΧ所示的干涉計 光束照射至晶圓台WST1的X軸方向一側的面；同樣的， 沿著X軸，將以來自於圖21的干涉計118的測長軸BI2X 所示的千涉計光束照射_至晶圓台WST2的X軸方向的另外 一側的面。而且，藉由在干涉計116、118接受這些的反射 光，而測量來自於各反射面的基準位置的相對變位，並測 量出晶圓台WST1、WST2的X軸方向位置》 此處，如圖22所示的，干涉計116、118係各具有3 條光軸的3軸干涉計，除了測量晶圓台WST1、WST2的X 軸方向位置之外，也能夠進行仰角測量及Θ測量。在此場合 ，實際上，由於使晶圓台WST1、WST2進行Θ旋轉的，圖 所未示的，Θ台、及、使其在Z軸方向進行微小驅動及傾斜 驅動的’圖所未示的，Z ·測平台係位於反射面（120-123) 之下’因此由這些干涉計116 ' 118便能夠完全的監視到晶 圓台在仰角控制時的驅動量。
一 —— _________________ 15R 以交场耐辦料、1，（ rNS > Λ‘格势）—~ " ' "?-''屮^^τ;ν-^π 3消贽 At πίι印ali— 五、發明説明Ub) 再者，測長軸ΒΗΧ、BI2X的各千涉計光束會在晶圓 台WST.1、WST2的移動範圍的全域永遠射中晶圓台WST1 、WST2，因此，對X軸方向而言，無論是在使用投影光 學系統PL的曝光時，或是在使用校準系統124a、124b時 的任何時候，均能夠依據測長軸BI1X、BI2X的測量値而 測量出晶圓台WST1、WST2的位置。 再者，如圖22及圖23所示的，設置了 ：具有在投影 光學系統PL的投影中心與X軸垂直的交叉的測長軸BI3Y 的干涉計132、及、具有分別在校準系統124a、124b的測 量中心與X軸分別垂直的交叉的測長軸BI4Y、BI5Y的干 涉計 131、133。 在本實施形態的場合，在使用投影光學系統PL的曝 光時，係使用投影光學系統PL的投影中心，即是，通過 光軸AX的測長軸BI3Y的千涉計132的測量値來測量晶圓 台WST1、WST2在Y方向的位置；而在使用校準系統 124a時，係使用校準系統12h的測量中心，即是，通過 光軸SX的測長軸BI4Y的干涉計131的測量値來測量晶圓 台WST1在Y方向的位置；而在使用校準系統124b時， 係使用校準系統l24b的測量中心，即是，通過光軸SX的 測長軸Βί5Υ的干涉計133的測量値來測量晶圓台WST2 在Υ方向的位置。 因此，雖然在各種使用條件下，Υ軸方向的干涉計測 長軸有可能會偏離於晶圓台WST1、WST2的反射面，但是 由於至少會有1條測長軸，即是，測長軸ΒΙ1Χ、ΒΙ2Χ係 _________________________159 _____ 本紙佐尺度垧⑴屮（rNS)A ‘ ;叱格(210x5公冷) --- ---------A------ή!-----φ (# 先閲讀汴而之.""'事ir!'ft^i'1,J本订) _________________ 五、發明説明U7) '~' ' 不會分別的偏離於晶圓台WST1、WST2的反射面，因此， 便能夠辛所使用的干渉計光軸進入反射面的適當位置對γ 側的干渉計進行重置。 再者，上述的Y測量用的測長軸BI3Y、BI4Y、BI5Y 的各千涉計132、131、133係具有2條光軸的2軸干涉計 ;除了夠進行晶圓台WST1、WST2的Y軸方向測量之外 ，也能夠進行仰角測量。在本實施形態中，係由干涉計 116、118、132、131、133的共計5個的干涉計來構成管 理晶圓台WST1、WST2的2度空間座標的干涉計系統。 而且，在圖21所示的主控制裝置190中，設置了儲 存用以管理晶圓台WST1、WST2的移動的條件式(譬如說 ，千涉化條件)的記憶體191^ 再者，在本第2實施形態中，如後所述的，在晶圓台 WSTi、WST2中的一方在執行曝光序列期間，雖然另外一 方也在執行晶圓交換、晶圓校準序列，但是主控制裝置 190會依據各干涉計的輸出値而下達指令至台控制裝置160 ，並由台控制裝置160來管理晶圓台WSTI、WST2的移動 ，使此時的兩晶圓台不會互相干涉。 其次，簡單的說明可動型定盤138的功用及其控制方 法等。基本上，此可動型定盤138也具有與前述第1實施 形態的可動型定盤38相同的功用，也同樣的是由台控制裝 置160所控制。 即是，在可動型定盤138的上面，除了設置於晶圓台 WSTI、WST2的下面的圖所未示的永久磁鐵之外，在XY2 _____________________________1ή〇____ 木紙中·( ) Λ4圯杞（公犮） A7 五、發明説明（β) 度空間方向上，也張設了構成平面磁氣浮上型線性致動器 42a、42b的複數的線圈（圖示省略）。而且，晶圓台WST1 、WST2係由磁氣浮上型線性致動器42a、42b而被浮上支 撐於可動型定盤138的上方，並可藉由控制流入前述線圈 之中的與各晶圓台WST1、WST2對向的部分的線圈的電流 來將其獨立而任意的驅動於2度空間方向。 使此可動型定盤138與前述第1實施形態的可動型定 盤38相同的，係由平面磁氣浮上型線性致動器44而浮上 支撐於定盤22的上方，而且可藉由控制流入前述線圈的電 流來將其任意的驅動於2度空間方向。 在此場合，由於晶圓台WST1、WST2與可動型定盤 138、及、可動型定盤138與定盤22均爲非接觸，因此其 間的摩擦會變得非常小，結果，以包含晶圓台WST1、 WST2、可動型定盤138的系統整體而言，便可保持動量守 衡原則。即是，這是因爲在晶圓台WST1、WST2中的一方 移動的場合，會與上述第1實施形態完全相同；而在晶圓 台WST1、WST2同時移動的場合，則相對於這些台的驅動 ,, 力的合力的反作用力便會使可動型定盤138移動。 f 在本第2實施形態也是與上述第1實施形態完全相同 Ί η 的，爲了要將晶圓台加速度、最高速度、軌跡的惡化抑制 -Τι*- f 在1位數以下，而將晶圓台WST1、WST2的質量m及可 | 動型定盤38的質量Μ的比例設定爲m:M=l:9以下，即是 I 將晶圓台WST1、WST2的重量設定爲可動型定盤38的重 ί 量的1 /9以下。 (^尤聞讀介而之iiis肀項再楨寫本ΤΓ;)
沾尺度適扪中 ( 210.x ) — ________________40^3G^_ 五、發明説明（（si) * ,·!?先閱讀背而之注竞事項再頊苟本頁) 再者，爲了要使可動型定盤138的必要範圍變小，台 控制器；160對可動型定盤138驅動用的平面磁氣浮上型線 性致動器44的控制應答頻率在曝光，校準時、及、其他時 候會是可以改變的。 因此，在曝光時，雖然晶圓台WST1或是WST2係與 標線台RST同步的移動，但是若是將可動型定盤138驅動 用的平面磁氣浮上型線性致動器44的控制應答頻率控制爲 數Hz，則會幾乎完全跟不上以數十Hz來控制的晶圓台 WST1、WST2驅動用的平面磁氣浮上型線性致動器42a、 42b對可動型定盤138的反作用力，而由動量守衡原則可 知，可動型定盤138會自由的運動並吸收其反作用力，使 此反作用力不會對外部造成影響。 噪 再者，在由於標線台RST的位置及晶圓台WST的位 置及晶圓台WST1、WST2的位置的變化使曝光裝置本體 12整體的傾斜的場合，台控制裝置160會藉由將平面磁氣 浮上型線性致動器44的控制應答頻率控制在數Hz，便能 夠防止可動型定盤138在其傾斜的方向的移動的低頻位置 偏差。 在本實施形態也是藉由使用做爲測量出可動型定盤 138在XY方向對定盤22的相對移動位置的位置測量裝置 的線性編碼器45(參照圖21)的回授控制，而與上述第1實 施形態完全相同的，台控制裝置160便會在特定的時刻， 藉由將可動型定盤138驅動用的平面磁氣浮上型線性致動 器44的應答頻率提高到數十Hz等的動作’而使可動型定 408, Λ7 B7 、發明说明（々） 盤138的移動量變小(約維持在特定的位置）。 -(?1閱請背而之;'|.总亨項再蛾?.:;?本1 前稗的控制系統係以統籌的控制裝置全體的主控制裝 置190爲中心，並由配置在此主控制裝置190之下的曝光 量控制裝置170及台控制裝置160所構成。 此處，以構成控制系統的上述的各部分的動作爲中心 ，來說明本實施形態的曝光裝置110在曝光時的動作。 曝光量控制裝置170在標線R及晶圓(W1或是W2)開 始進行同步掃描之前，便經由圖所未示的快門(shutter)驅動 部而將照明光學系統18內的圖所未示的快門打開(open)。 訂 其後，台控制裝置160會依據主控制裝置190的指示 而使標線R及晶圓(W1或是W2)，即是，標線台RST及晶 圓台(WST1或是WST2)開始進行同步掃描。係藉由持續的 監視前述的干涉計系統的測長軸BI3Y及測長軸BI1X或是 BI2X及標線雷射千涉計30的測長軸BI7Y、BI8Y及測長 軸BI6X的測量値，並由台控制裝置160來控制標線驅動 部29及晶圓台的驅動系統(平面磁氣浮上型線性致動器42a 或是42b)而來進行此同步掃描。 而且，在兩台係在特定的容許誤差之內做等速度控制 時’曝光量控制裝置Π0會使準分子雷射開始發出脈衝光 。由此，來自於照明光學系統18的照明光會使在其下面鉻 (chromium)蒸著了圖案的標線R的前述矩形的照明區域IA 受到照明，由投影光學系統PL將此照明區域內的圖案的 像縮小爲1/4(或者是1/5)倍，而投影曝光至表面圖上了光 阻的晶圓(W1或是W2)上。此處，由圖22也可知，相較於 -----------------163
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印 ?'P 408S64 A7 B7 五、發明说明（,4丨） 標線R·上的圖案區域’照明區域ΙΑ在掃描方向的狹縫寬 度會比較窄，而藉由如上所述的使標線R及晶圓(W1或是 W2)進行同步掃描，便能夠依序將圖案的全面的像形成於 晶圓上的攝影區域。 此處，在與前述的開始發出脈衝光同時的’曝光量控 制裝置170會驅動震動鏡子18D ’並藉由持續的進行此控 制，直到標線R上的圖案區域完全的通過照明區域IA(參 照圖22)爲止，即是’直到在晶圓上的攝影區域形成圖案 的全面的像爲止，而來減少在2個飛眼透鏡所產生的干涉 條紋的部均勻。 再者，與標線R及晶圓W同步的，驅動系統43會驅 動控制可動標線遮簾18M ’以在上述的掃描曝光中’使照 明光也不會從攝影邊緣(shot edge)部的標線上的遮光區域 漏出；而台控制裝置160會對這一連的同步動作進行管理 〇 在上述的掃描曝光中，如特開平10-163098號公報所 開示的，在主控制裝置190或是曝光量控制裝置170會依 據照射能量及震盪頻率的可變量進行所有的計算，並藉由 控制設置於光源部內的減光系統而改變照射能量及震盪頻 率，控制快門及震動鏡子，以獲至對應於光阻靈敏度的總 曝光量。 而且，譬如說，在掃描曝光時對進行同步掃描的標線 台及晶圓台的移動開始位置（同步位置）進行補正的場合， 主控制裝置190會對移動控制各台的台控制裝置160發出 ___ 164 訂 本紙伖尺度過川屮WFdd ( CNS ) A4UL格（W7公筇 A7 B7 五、發明説明（ 指示，以進行對應於補正量的台位置的補正。 而且，在本實施形態的曝光裝置Π0中，設置了：在 與晶圓台WST1之間進行晶圓的交換的第1搬送系統 '及 、在與晶圓台WST2之間進行晶圓的交換的第2搬送系統 〇 如圖24所示的，第1搬送系統係與位於左側的晶圓上 機位置的晶圓台WST1之間進行如後所述的晶圓交換。此 第1搬送系統係由：包含延伸於Y軸方向的第1上機引導 (loading guide)182、沿著此第1上機引導182而移動的第 1滑塊(slider)186及第2滑塊187、安裝於第1滑塊186的 第1下機手臂(unload arm)184、安裝於第2滑塊187的第 1上機手臂(load arm)188等而構成的第1晶圓上機裝置 (wafer loader)、及、由設置於晶圓台WST1上的3條上下 動部材所構成的第1中央向上器(center up)181，所構成。 此處，簡單的說明此第1搬送系統的晶圓交換動作。 如圖24所示的，此處係說明在對位置於左側的晶圓上機位 置的晶圓台WST1上的晶圓W1’及由第1晶圓上機裝置所 搬來的晶圓W1進行交換的場合。 乂,J .1. ίΐί 合 η 印 ^^而之..11·"—^再^νΐτ 本玎) 首先，在主控制裝置190會經由圖所未示的開關 (switch)而關閉(off)晶圓台WST1上的圖所未示的晶圓支撐 器的真空，而解除晶圓W1’的吸著。 其次，主控制裝置190會經由圖所未示的中央向上器 驅動系統而將第1中央向上器181上昇驅動特定的量。由 此，晶圓W1’的會被往上支撐至特定的位置。主控制裝置 165 40^64 A7 ________________ B7 五、發明説明（叫） 190會對圖所未示的晶圓上機(wafer loader)控制裝置下達 移動第.1下機手臂184的指令。由此，晶圓上機控制裝置 會對第1滑塊186進行驅動控制，而使第1下機手臂184 會沿著第1上機引導182而移動至晶圓台WST1上爲止， 並會位置於晶圓wr的正下方。 在此狀態，主控制裝置190會下降驅動中央向上器 181直到特定的位置爲止。由於在此中央向上器181的下 降途中，晶圓W1’會被傳送至第1下機手臂184，因此， 主控制裝置190會指示晶圓上機控制裝置以使第1下機手 臂184開始抽真空。由此，晶圓W1’便會被吸著支撐於第 1下機手臂184。 其次，主控制裝置190會指示晶圓上機控制裝置以使 第1下機手臂184退避並使第1上機手臂188開始移動。 由此，第1下機手臂184便會與第1滑塊186 —體的開始 在-Y方向移動，同時，第2滑塊187會與支撐晶圓W1的 第1上機手臂188 —體的開始在+Y方向移動。而且，在第 1上機手臂188到達晶圓台WST1的上方時，晶圓上機控 制裝置會使第2滑塊187停止並會解除第1上機手臂188 的真空。 在此狀態，主控制裝置190會上昇驅動中央向上器 181，並由中央向上器181將晶圓W1從卞方支撐上來。其 次，主控制裝置190會指示晶圓上機控制裝置以使第1上 機手臂188退避。由此，第2滑塊187便會與第1上機手 臂188 —體的開始在-Y方向移動，而進行第1上機手臂 ________________________166___ 木紙張尺度坷川屮1¾⑼( 格（2丨Ox2l)7公筇) " ---------A------IX------.¾. (-;lv先聞請背而之·;ί-Α事項再填巧本玎) 朽-·'邱屮"ίί;?-^θ-τ·-·',-·ί,-"<";ς:"·ή'ν A7 __________________ B7 五、發明説明（I叫） 188的退避。與此第1上機手臂188的退避開始同時的， 主控制裝置190會開始下降驅動中央向上器181並將晶圓 W1載置至晶圓台WST1上的圖所未示的晶圓支撐器，並 使該當晶圓支撐器的真空打開。由此，便完成了晶圓交換 的一連串的序列。 如圖25所示的，同樣的，第2搬送系統係與位於右側 的晶圓上機位置的晶圓台WST2之間進行與上述同樣的晶 圓交換。此第2搬送系統係由：包含延伸於γ軸方向的第 2上機引導192、沿著此第1上機引導192而移動的第3滑 塊196及第4滑塊200、安裝於第3滑塊196的第2下機 手臂194、安裝於第4滑塊200的第2上機手臂198等而 構成的第2晶圓上機裝置、及 '由設置於晶圓台WST2上 的圖所未示的第2中央向上器，所構成》 其次，依據圖24及圖25來說明2個晶圓台WST1、 WST2的並行處理。 圖24顯示在經由投影光學系統PL而對晶圓台WST2 上的晶圓W2進行曝光動作期間，在左側上機位置進行， 與上述相同的，在晶圓台WST1及第1搬送系統之間進行 晶圓交換的狀態的平面圖。在此場合，在晶圓台WST1上 ，在晶圓交換之後，進行如後所述的校準動作。再者，在 圖24中，曝光動作中，係依據干涉計系統的測長軸ΒΪ2Χ 、BI3X的測量値來對晶圓台WST2進行位置控制；並係依 據干涉計系統的測長軸BI1X、BI4X的測量値來對進行了 晶圓交換及校準動作的晶圓台WST1進行位置控制。 纠先間讀背而之洼悉事項再蛸巧本頁) *1Τ 線 木紙张尺度珅丨丨1中( ΓΝί； ) 格（2丨0>〇97公筇） A 7 ______ B7 _ ______ 五、發明説明（，π) 在此圖24所示的左側的上機位置’係配置爲會使晶圓 台WST1的基準標誌板FM1上的基準標誌會來到校準系統 124a的正下方。因此，在校準系統124a對基準標誌板 FM1上的基準標誌進行測量之前’主控制裝置190會對千 涉計系統的測長軸BI4Y進行干涉計的重置。 緊接著上述的晶圓交換及干涉計的重置’會進行檢索 校準。在此晶圓交換後所進行的檢索校準是指：如果僅僅 是在搬送晶圓W1的途中所進行的前置校準(Pre-alingment) ’則由於其位置誤差會很大，所以要在晶圓台WST1上所 再度進行的前置校準。具體而言，使用校準系統124a的 LSA系統的感知器等來對形成於載置於晶圓台WST1上的 晶圓W1的3個檢索校準標誌(圖未示)進行位置的測量。 並依據此測量結果來使晶圓W1的X、Υ、Θ方向的位置互 相配合。在此檢索校準時的各部位的動作係由主控制裝置 190所控制。 ^ 在結束此檢索校準之後，此處係使用EGA來進行求出 晶圓W1上的各攝影區域的配列的微細校準。具體而言， 由干涉計系統(測長軸BI1X、BI4Y)來持續的管理晶圓台 WST1上的位置，並依據設計上的攝影配列資料(校準標誌 位置資料)而依序使晶圓台WST1進行持續的移動，並由校 準系統12½的FIA系統的感知器等來對晶圓台WST1上的 特定的取樣攝影(sample shot)的校準標誌進彳了位置的測量 ;並依據此測量結果及。攝影配列的設計座標資料並以最 小自乘法來進行統計計算，而計算出所有的攝影配列資料 _ __ 168 (|!W 1¾ % ( CNS ) ( 2!0X ) ~ A7 1Ϊ7 五、發明説明（>) 。再者，在此EGA時的各部位的動作係由主控制裝置190 所控制.，且上述的計算也是由主控制裝置190所進行。再 者，最好是換算爲以基準標誌板FM1上的基準標誌位置爲 基準的座標系統。 在本實施形態的場合，如前所述的，在校準系統124a 進行測量時，會藉由進行與曝光時相同的AF/AL機構的測 量、控制而持續的進行自動聚焦/自動測平以測量出基準標 誌的位置；在校準時與曝光時之間，便能夠使台的姿勢不 會產生誤差(offset)。 在晶圓台WST1側進行上述的晶圓交換及校準動作的 期間，在晶圓台WST2側則使用2片的標線Rl、R2，並一 邊改變曝光條件，同時也連續的以步進掃描方式來進行二 重曝光。 具體而言，與前述的晶圓台WST1側同樣的，在事前 以EGA來進行微細校準；並依據此結果所獲致的晶圓W2 上的攝影配列資料而依序向著鄰接於晶圓W2的攝影進行 攝影間的移動(步進）；並依序對晶圓台WST2上的各攝影 區域進行前述的掃描曝光。在進行上述的攝影間移動動作 時，會對晶圓台WST2進行，與在前述的第1實施形態中 ，使用圖H(A)~(C)來說明者相同的，移動控制。 在標線交換後也會連續的進行此種對晶圓台WST2上 的所有的攝影所進行曝光。以具體的二重曝光的曝光順序 而言，譬如說，使用標線R2在依序對晶圓台WST1的各 攝影區域進行掃描曝光後，在掃描方向使標線台RST移動 _________________________ _ 169 ί紙怅尺度迖川 IK: (.NS ) ( 210χ297λ>^. } ~ ' 一 ul間請开而之注¾事項再峭ΐ-:?本π; '-• 線 /:;.逆.<'|t ^if--/l-v-.>(:π 1..,-·.π^·ί,'ϊ,::ίι.ή 侧364 A1 B7 ____—--------------------—_____________ 五、發明说明（，吖） 特定的量，並在將標線R1設定置曝光位置後，以與上述 者相反的順序來進行掃描曝光。此時，由於在標線R2及 標線R1的曝光條件及(AF/AL、曝光量)即透過率會不一樣 ，因此需要在標線校準時分別測量其條件，並依其結果而 改變其條件。 在此晶圓W2的二重曝光中的各部位的動作也是由主 控制裝置190所控制。 上述的圖24所示的，在2個晶圓台WST1、WST2上 並行的進行的曝光序列及晶圓交換•校準序列是指：較早 結束的晶圓台會進入等待狀態，而在2個晶圓台的動作均 結束時，會控制晶圓台WST1、WST2使其移動至圖25所 示的位置爲止。而且，在右側上機位置會對結束了曝光序 列的晶圓台WST2上的晶圓W2進行晶圓交換；而結束了 校準序列的晶圓台WST1上的晶圓W1則會在投影光學系 統PL之下進行曝光序列。 與左側上機位置同樣的，在圖25所示的右側上機位置 ，係配置爲會使基準標誌板FM2上的基準標誌會來到校準 系統124b的下方，而能夠進行前述的晶圓交換動作及校準 序列。當然，在校準系統12处檢測出對基準標誌板FM2 上的基準標誌之前，會先對干涉計系統的測長軸BI5Y進 行干涉計的重置。 再者，在上述的一連串的並行處理動作的過程中’主 控制裝置190所進行的干涉計的重置動作係與開示於上述 特開平10-163098號公報的動作完全相同；由於是眾所週 _________________-____LZQ___ ________ 木紙乐尺政適W屮( (+、S ) ( 210X297公释） ---------丄------訂------«.- (对先閱請背而之>1.总事項再^.ϊΐ本玎) 扣8364 A7 ___—__________________ m_ 五、發明説明（W) 知，因此省略其詳細的說明。 f 邛^"讀背而之^--#^4^{'°本巧 如本實施形態一般的，在使用2個晶圓台WST1、 WST2以同時並行處理不同的動作的場合，有時候在—方 的台所進行的動作會影響（外亂）到另外一方的台的動作。 在此場合，在上述特開平10-163098號公報所記載的曝光 裝置中，如同公報的圖1卜圖13及其說明部分所開示的， 由於必須要調整進行於2個晶圓台WST1、WST2上的動作 的時刻，因此控制動作會很複雜。 訂 相對於此，在本實施形態中，如前所述的，由於晶圓 台WST1、WST2係經由可動型定盤138而配置於定盤22 上，因此，在以平面磁氣浮上型線性致動器42a或是42b 來驅動任何一個的晶圓台(WST1或者是WST2)的場合，此 驅動力的反作用力會移動可動型定盤138,而能夠藉由可 動型定盤138的重心移動來抵銷晶圓台（WST1或者是 WST2)的重心移動所造成的偏荷重：結果不僅能夠將台裝 置101全體的保持於特定的位置，在以平面磁氣浮上型線 性致動器42a、42b來同時的驅動晶圓台WST1、WST2的 場合，該驅動力的合力的反作用力會移動可動型定盤138 ，而也能夠藉由可動型定盤138的重心移動來抵銷晶圓台 WST1、WST2的重心移動所造成的偏荷重，結果便能夠將 台裝置101全體保持於特定的位置。因此，便不再需要調 整晶圓台間的動作而使晶圓台WST1、WST2 —方的動作不 會影饗到另外一方，所以不但能夠減輕控制負擔，也能夠 高度的維持各晶圓台的位置控制性。 ——-—•一 — — _________ 木紙張尺歧鸿）1丨屮WK'm) ( 2丨0X297公筇） A7 A7 B7 五、發明説明（別 再者，如上所述的，在使用複數片的標線R來進行二 重曝光的場合，便能夠獲致高解析度及改善DOF(焦點深度 )的效果。但是，由於此二重曝光法在曝光過程中至少要進 行2次的重複，因此，以往的曝光裝置會有曝光時間變長 而生產能大幅下降的缺點。相對於此，本第2實施形態由 於可藉由同時並行處理一方的晶圓台上的曝光動作及另外 一方的晶圓台上的校準動作，而能夠大幅的改善其生產能 ，因此不使生產能下降便能夠獲致高解析度及改善DOF的 效果。 再者，如也開示於上述特開平10-163098號公報的， 在具備雙晶圓台(double wafer stage)的曝光裝置中，譬如說 ，在以Tl(晶圓交換時間）、T2(檢索校準時間）、T3(微細校 準時間）、Τ4(一次曝光時間）來代表各處理時間的場合，在 一邊並列處理ΤΙ、Τ2、Τ3、及、Τ4，一邊進行二重曝光 的場合，在8英吋晶圓的場合由於曝光時間會較其他的時 間長，因此會以該曝光時間來做爲限制條件的決定全體的 生產能；但是在本第2實施形態可藉由縮短晶圓台WST1 、WST2在攝影間的移動時間，而能夠縮短此曝光時間Τ4 ，因此便能夠以約與通常的一重曝光同樣高的生產能來進 行二重曝光。 再者，在上述的第2實施形態中，雖然是說明了將本 發明的台裝置適用於使用二重曝光法來進行晶圓的曝光的 場合，但是也能夠是適用於做爲相同的技術的縫補，在此 場合，在一方的晶圓台側’在2片標線進行2次曝光的期 ____172 4先聞請背而之；;1-迕|項再"-朽本打) 丁 -° "' 木纸仄尺玟讳⑴孓牡彳（（'NS ) ( 210X297公荩） __________________________________ 五、發明説明（，π) 間，藉由在可獨力的移動的另外的一方的晶圓台側，並行 的來進行晶圓交換及晶圓校準，便可獲致較以往的曝光裝 置的縫補更高的生產能。 但是，本發明的台裝置的適用範圍並不僅限定於此， 而是本發明也能夠非常良好的適用於以一重曝光來進行曝 光的場合。 再者，在上述的第2實施形態中，雖然是說明了並行 處理了校準動作及晶圓交換動作、及、曝光動作的場合， 但是並不僅限定於此，譬如說，同樣的也可以是使基準線 檢查(base line checkXBCHK)、每次進行晶圓交換所伴隨的 校正(calibration)等的序列與曝光動作做並行處理。 再者，在上述的第2實施形態中，雖然是說明了使用 正方形的晶圓台來做爲2個晶圓台WST1、WST2的曝光裝 置的場合，但是並不僅限定於此，譬如說如圖26所示的， 也可以是將與第1實施形態相同的三角形的晶圓台WST3 、WST4配置於定盤22上的可動型定盤138上。在此圖26 的裝置中，如此圖所示的，投影光學系統PL、相對於校準 系統l24a、124b的中心所交叉的XY軸，具有傾斜爲特定 角度的測長軸的各一對，共計6各的干涉計211、212、 213、214、215、216 所構成即可。 再者，在上述的第2實施形態中，雖然是說明了做爲 台裝置101的第1可動體的晶圓台WST1、WST2係由平面 磁氣浮上型線性致動器所驅動的場合，但是本發明的台裝 置並不僅限定於此，而是驅動各第1可動體的驅動裝置也 ____________________________173 本祇浓尺度（（) 12ΐ〇χ7 ---------d------訂------味 f兑先間請背而之;1..*.«'事項4^1>:7本頁) 五、發明説明（，71 ) 可以是通常的線性馬達(linear motor)等。 再者，在上述的第2實施形態中，雖然是說明了以步 進掃描方式來進行掃描曝光的場合，但是本發明的台裝置 的適用範圍並不僅限定於此，而當然也可以同樣的適用於 以步進掃描方式來進行靜止曝光的步進機的投影曝光裝置 、及 '不使用投影光學系統而是使光罩及基板密接，而將 光罩的圖案轉寫至基板的接近(proximity)曝光裝置、及、 EB曝光裝置、及、X光曝光裝置等。
-1T 再者，在上述的實施形態的說明中，使用了圖11(B) 、（C)來說明了在將晶圓台WST在攝影間移動時的移動軌 跡設定爲如圖11(A)—般的U字狀的場合，此時，對掃描 方向而言，雖然是說明了以一定的加速度將晶圓台WST( 及標線台RST)加速至目標掃描速度爲止，並在以目標掃描 速度結束掃描曝光之後，以一定的加速度（一定的減速度) 來進行減速的場合(參照圖10(B)、圖11(B))，但是藉由改 變標線台RST、晶圓台WST在掃描方向的加速度控制方法 ，便能夠更進一步的改善其生產能。 以下，使用上述的第1實施形態的掃描曝光裝置1〇並 依照圖27及圖28來說明：在以相互的掃描來依序對(A)所 示的鄰接的攝影SI、S2、S3進行曝光時》台控制系統對 台的加速度控制方法。 第5槪念的說明 在掃描曝光裝置10中，由於標線台RST需要以晶圓 台WST的4倍(或者是5倍)的目標掃描速度來進行掃描’ JTwTT--___________ 174___ .. 侧識 五、發明説明（π) 而由於要考慮到掃描的加速能力會成爲限制條件，因此此 處以標線台RST的加速度控制爲中心來做說明。 圖27(A)係顯示，在本發明的掃描曝光方法中，在對 上述的各攝影進行掃描曝光時，在採用第1加速度控制方 法的場合的標線台RST在掃描方向(Υ方向）的速度指令値 的時間變化。再者，圖27(B)係顯示，做爲比較例的，對 應於先前所說明的圖11(B)的標線台RST在掃描方向(Υ方 向）的速度指令値的時間變化。圖27 (C)係顯示，在對上述 的各攝影進行掃描曝光時，在採用第2加速度控制方法的 場合的標線台RST在掃描方向(Υ方向）的速度指令値的時 間變化。在這些圖中，橫軸顯示時間而縱軸顯示標線台 RST在Υ方向的速度指令値。 ♦ 再者，在以下的說明中，是以Ta代表由零開始到目 標掃描速度Vr爲止的加速時間；以Ts代表標線及晶圓的 同步調整時間；以Te代表曝光時間；以Tw代表調整時間 ，即是，等速後置掃描時間；以Td代表由目標掃描速度 Vr開始到零爲止的減速時間》 如圖27(A)所示的，在第1加速度控制方法中，並不 是由構成圖29的線性馬達所能夠產生的最高推力的最高加 速度來進行等加速度控制；而是依照其加速度會慢慢的收 斂到零的加速度變化曲線，而在同步移動方向（Y方向）使 標線台RST的速度係由零開始而加速到目標掃描速度Vr 爲止。此處’係使用2次曲線(拋物線)或是高次曲線來做 爲上述的加速度變化曲線。
• I I I · - ---—— - - - . I I 木紙乐尺度地丨U中丨心；.々（（'NS ) /\.：1坨格（210X2W公龙) * -- Λ7 B7 五、發明説明（0) ' 在此第1加速度控制方法中，在對各攝影進行掃描曝 光時，由於在標線R及晶圓W進行同步掃描之前，標線R 會依據其加速度係慢慢的收斂到零的加速度變化曲線而在 同步Y方向進行加速，因此如圖27(B)所示的，並不會如 再以一定的加速度加速至目標掃描速度Vr的場合一般的， 在結束加速時會造成加速度的不連續，即是不會產生急劇 的變化。 圖28(A)、（B)係分別對應於圖27(A)、（B)，而係顯示 相對於調整時間Ts附近的標線台RST的目標位置的位置 誤差的時間變化。再者’雖然目標位置當然是會隨著時間 而改變’但是在圖28(A)、（B)係顯示以各時點的目標位置( 圖中的〇)爲基準的位置誤差。若是比較此圖28(A)、（B)， 則可明顯的看出’相較於圖27(B)的場合，上述的第1加 速度控制方法能夠使相對於目標位置的位置誤差迅速的收 斂至容許範圍內。這是因爲能夠抑制住由上述的加速度的 急劇的變化所造成的標線台RST的高頻震動。在此場合， 很明顯的’由於能夠很快的到達做爲其加速能力會是限制 條件的標線台RST的目標位置，即是很快的收斂至目標掃 描速度，因此，便能夠縮短標線R(標線台RST)及晶圓W( 晶圓台WST)的同步調整時間Ts(參照圖27(A)、（B))。 再者，若是採用上述的第1加速度控制方法，則相對 於以一定加速度加速的場合，雖然加速時間Ta本身會變得 比較長，但是同步調整時間Ts的縮短會比加速時間的增加 更多；若是比較圖27(A)、（B)，則可明顯的看出，在採 ______ 176 本紙张尺度埤⑴屮闪以孓杜今（)八4悅格（2 I Ο ~' 一~~ 「先間讀背而之ii.-4事項再iAriir本頁) 、νή B7 a: Μι !i .1. ii'i t- 印 用上述的第1加速度控制方法的場合，前置掃描時間 (Ta+Ts)會縮短ΔΠ。如前所述的，由於係將同步調整時間 Ts及等速後置掃描時間Tw設定爲同一時間’因此，等速 後置掃描時間Tw也是圖27(A)會比較短，而在將非常容易 進行控制的加速側及減速側的速度變化設定爲左右對稱的 ，如圖27(A)—般的場合，便能夠將用以進行1次攝影曝 光的，從標線台RST的加速開始到減速結束爲止的總共時 間縮短2 ΔΠ，而就此部分便能夠改善其生產能。 在上述的第1加速度控制方法中，由於控制方法非常 的簡單，因此係說明了將加速側及減速側的速度變化設定 爲左右對稱的場合，但是在減速結束時，由於並沒有用以 同步控制標線及晶圓的調整時間，所以即使是在減速時使 加速度產生急劇的變化，也不會造成任何問題。 此處，在第2加速度控制方法中著眼於此點，而如圖 27(C)所示的，係只有在減速時以對應於最高加速度的一定 的加速度(減速度)來使標線台RST減速。在此場合，可以 看出相較於圖27(A)的第1加速度控制方法的場合，雖然 等速後置掃描時間Tw會變得比較長，但是由於減速時間 Td會變得非常的短，因此，總共的後置掃描時間(Tw+Td) 會比第1加速度控制方法要短Δί2(參照圖27(C)、（D))。因 此，在對攝影SI、S2、S3進行掃描曝光時，便能夠更進 一步的來縮短從標線台RST的加速開始到減速結束爲止的 總共時間。此處，若是使圖27(A)及圖27(C)的斜線部分的 面積相同，則便能夠使標線台RST正確的停止於下一次攝 177 「先閱讀1'而之：;ί;δ-事項再功苟本s )
-1T I—. 木紙⑴屮丨·⑴V窣（（-、、卜）八4叹把（210/297公你） ____________… 侧 ______________ 五、發明説明（『?$) 影的掃描開使位置。 上_的第1、第2加速度控制方法也同樣的能夠被適 用於晶圓台側；以改善生產能的觀點而言，最好是將上述 的第1、第2加速度控制方法同時適用於標線台及晶圓台 〇 再者，在對如圖11(A)所示的攝影S1進行掃描曝光及 對攝影S2進行掃描曝光之間，在沿著如同圖所示的υ字 狀(或者是V字狀)的移動軌跡來移動晶圓台WST時，也可 以是採用上述的第1、第2加速度控制方法進行掃描方向 (Υ方向）的加速度控制。譬如說，在採用第1加速度控制 方法的場合，由於結果是以接近於最短距離的路徑來移動 晶圓W，因此隨著上述調整時間的縮短而能夠更進一步的 改善其生產能。再者，在採用第2加速度控制方法的場合 ，由於能夠更進一步的縮短其減速時間，因此便能夠更進 一步的改善其生產能。 雖然也可以是依據各攝影的掃描曝光情形、干涉計測 量値等，而由特定的計算來求出加速度的控制量以進行上 述的第1、第2加速度控制方法，但是也可以是事先準備 好特定的加速度控制構圖，並使用此加速度控制構圖而以 時間爲基準的來的進行上述的第1、第2加速度控制方法 〇 再者，不用說也知道，上述的第1、第2加速度控制 方法也同樣的能夠被適用於前述的第2實施形態的曝光裝 置Π0，而同樣的能夠獲致改善其生產能的效果。 __________________________178______ 木纸仏尺度逆圯屮内1.^-仕彳（（'、5)/\..11也松（21()><.297公筇） ；1間讀背而之.;5.憑亨項再^1'.:?本頁) 訂 B7 五、發明説明（>) 再者，在上述的第1、第2實施形態中’雖然是說明 了將本發明適用於半導體製造用的曝光裝置的場合，但是 並不僅限定於此，譬如說，本發明也能夠被適用於：將液 晶顯示元件圖案曝光至角型的玻璃板(glass plate)的液晶用 的曝光裝置 '及 '將薄膜磁氣讀取頭(head)轉寫至陶瓷晶 圓（ceramic wafer)的曝光裝置、及、用以製^3丨取像兀件 (CCD等）的曝光裝置；在爲了要製造標線或是光罩而使用 遠紫外(DUV)光、真空紫外(VUV)光等來做爲曝光光的場合 ，能夠適用於石英玻璃、摻雜（doPe) 了氟的石英玻璃、或 者是螢石；而且，在使用軟X光區域的EUV(Extreme Ultra 、1Τ
Violet)光、硬X光、電子束等來做爲曝光光的場合，也能 夠廣泛的適用於將電路圖案轉寫至矽晶圓(siHcon wafer)等 的曝光裝置。 再者，上述各實施形態的曝光裝置的曝光用照明光’ 並不僅限於KrF準分子雷射光(248nm)、ArF準分子雷射光 (193nm)，除了當然可以是使用F2雷射光（157nm)之外，也 可以是使用g線(436nm)、i線(365nm)、X光及電子束等的 帶電荷電子束等。譬如說，在使用電子束的場合，也能夠 是使用熱電子放射型的鑭化硼(LaB6)、鉅(tantalum) « 再者，本發明也能夠被適用於：在使標線及晶圓約在 靜止的狀態下，經由投影光學系統而將標線的圖案轉寫至 晶圓的步進重複（step and repeat)方式的投影曝光裝置 (stepper)、鏡子投影·對準機（mirror projection · aligner)、 接近(proximity)方式的曝光裝置(譬如說，相對於照射了 χ —______________________179 ( CNS ) AAiU^r [ 2Ι()χϋ公於 _____________________i〇MS4-___—— 五、發明说明（ 光的圓弧狀照明區域’使標線及晶圓係一體的相對移動的 掃描型的X光曝光裝置)等。再者，也能夠被適用於：使用 於光學微影(photolithography)過程的曝光裝置以外的各種 裝置，譬如說，雷射維修(laser rePair)裝置、檢查裝置等》 再者，投影光學系統並不僅限於縮小系統，而也可以 是使用等倍系統。但是，投影光學系統的硝材必須要依據 照明光而分開使用；在使用準分子雷射等的遠紫外線的場 合，使用石英及螢石等遠紫外線可穿透的材料來做爲硝材 ，而在使用F2雷射及X光的場合，使用反射折射系統或者 是反射系統的光學系統(標線也要使用反射型者）、再者， 在使用電子束場合，使用由電子透鏡及偏向器所構成的電 子光學系統即可。再者，不用說也知道，要使電子束所通 過的光路變成真空狀態。 再者’藉由將由複數的透鏡所構成的照明光學系統、 投影光學系統組裝至曝光裝置本體並進行光學調整，而且 也將由複數的機械部品所構成的標線台及晶圓台組裝至曝 光裝置本體並進行配線及配管接續，而且也進行了綜合調 整(電性調整、動作確認等），便能夠製造出上述各實施形 態的曝光裝置。再者，最好是在進行了溫度及潔淨(dean) 度的管理的無塵室(clean ro〇m)內來製造出曝光裝置。 再者’係經由·,進行了元件的功能•性能設計的步驟 (step)、依據此設計步驟而製造出標線的步驟、從矽材料製 造出晶圓的步驟、由前述的實施形態的曝光裝置來將標線 的圖案轉寫至晶H的步驟、元件組裝的步驟（切晶粒 --一"— _3姐 Λ7 B7 五、 發明説明（^) (dicing)過程、打線（bonding)過程 '封裝（Package)過程）、 檢查步驟等，而製造出半導體元件。 [產業上利用之可能性] 如以上所說明的，在本發明的掃描型曝光裝置及掃描 曝光方法中，從基板上的1個區劃區域的曝光結束開始到 另外1個區劃區域的曝光開始爲止，藉由在基板(基板台) 的移動方法上進行各種改變，便能夠改善其生產能。再者 ’本發明的台裝置不但能夠減輕控制負擔，而且同時能夠 高度的維持支撐基扳的第1可動體的位置控制性。再者， 由於使能夠使台裝置本身小型輕量化，所以非常適合做爲 掃描曝光裝置的基板台，特別是，對於9英吋以上的大型 晶圓進行曝光的掃描曝光裝置而言，會非常有用。 f先間讀背而之;1-竞事項再"'艿木頁 .11 lb Π .1 in f： 181 木紙诂尺卜 彳.ii (r、、S),\·;·%梢丨 2丨()y：197 公龙）

Claims (1)

  1. A8 B8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種掃描型曝光裝置，係同步的移動光罩及基板， 並經由投影光學系統而將前述光罩的圖案轉寫至前述基板 的掃描型曝光裝置，係具備： 配置於前述投影光學系統的物體面側的光罩台； 配置於前述投影光學系統的像面側的基板台； 配置於前述光罩台，並係沿著與前述光罩的同步移動 的第1方向垂直的第2方向而配置的複數的角落立方體； 及 使測長光束沿著前述第1方向而照射至前述光罩台， 而且接受由依據前述光罩台在前述第2方向的位置所選擇 的前述複數的角落立方體之一所反射的測長光束而受光的 第1干涉計。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 爲了要將前述光罩的圖案轉寫至前述基板，而更具備 了 ：使前述光罩台沿著前述第1方向至少往返1次，而且 在前述往返移動之間使前述光罩台沿著前述第2方向移動 的驅動控制系統； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而前述複數的角落立方體之中的2個最好是配置爲其 之間的距離係對應於前述光罩台在前述第2方向的移動量 〇 3. 如申請專利範圍第1項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 將特定的基準標誌配置於前述基板上， 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
    A8 B8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種掃描型曝光裝置，係同步的移動光罩及基板， 並經由投影光學系統而將前述光罩的圖案轉寫至前述基板 的掃描型曝光裝置，係具備： 配置於前述投影光學系統的物體面側的光罩台； 配置於前述投影光學系統的像面側的基板台； 配置於前述光罩台，並係沿著與前述光罩的同步移動 的第1方向垂直的第2方向而配置的複數的角落立方體； 及 使測長光束沿著前述第1方向而照射至前述光罩台， 而且接受由依據前述光罩台在前述第2方向的位置所選擇 的前述複數的角落立方體之一所反射的測長光束而受光的 第1干涉計。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 爲了要將前述光罩的圖案轉寫至前述基板，而更具備 了 ：使前述光罩台沿著前述第1方向至少往返1次，而且 在前述往返移動之間使前述光罩台沿著前述第2方向移動 的驅動控制系統； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而前述複數的角落立方體之中的2個最好是配置爲其 之間的距離係對應於前述光罩台在前述第2方向的移動量 〇 3. 如申請專利範圍第1項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 將特定的基準標誌配置於前述基板上， 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ABCD 408364 六、申請專利範圍 爲了要依據前述光罩台在第2方向的位置而對第1干 涉計進行重置，而更具備了 ：使用前述基準標誌來測量前 述光罩及前述基板台的位置關係的測量裝置。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任何一項所記載之掃描 型曝光裝置，其更具備： 支撐前述投影光學系統的第1架台； 配置了前述光罩台的第2架台； 支撐前述第1架台的防震裝置；及 具有設置於配置了前述防震裝置的地板上，並將對應 於由前述光罩台的移動所產生的反作用力的力供應至前述 光罩台或是前述第2架台的致動器的框架。 5. 如申請專利範圍第1~3項中任何一項所記載之掃描 型曝光裝置，其中： 前述第1干涉計的測長光束的延長線最好是與前述投 影光學系統的光軸相交。 6. —種掃描型曝光裝置，係一種使光罩及基板同步並 持續的使其在第1方向做相對的移動，並經由投影光學系 統而將形成於前述光罩的圖案轉寫至前述基板上的掃描型 曝光裝置，係具備： 支撐前述光罩並使其可做2度空間移動的光罩台； 支撐前述基板並使其可在前述第1方向移動的基板台 設置於前述光罩台，並沿伸向前述第1方向的第1反 射面； 2 本紙張纽逍用中國國家樣準（CNS )八4祕（210X297公釐） {請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) -訂 丨線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 408364 六、申請專利範圍 設置於前述光罩台，並以特定間隔的配置於與前述第 1方向垂直的第2方向的複數的角落立方體； 依據前述光罩台在前述第2方向的位置而使前述第1 方向的測長光束照射至前述複數的角落立方體之一，並藉 由接受其反射光而測量前述光罩台在前述第1方向的位置 的第1干涉計；及 使前述第2方向的測長光束(1X1)照射至前述第1反射 面，並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在前述第2方 向的位置的第2干涉計。 7.如申請專利範圍第6項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 前述複數的角落立方體係設置爲分別對應於沿著前述 光罩上的第2方向而配置的複數區域。 8_如申請專利範圍第7項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 前述複數的角落立方體係也包含配置於前述光罩上的 第2方向的中央部的角落立方體。 9. 如申請專利範圍第6項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 更具備了：依據前述光罩台在第2方向的位置資訊而 對第1干涉計進行重置的重置裝置。 10. 如申請專利範圍第6〜9項中任何一項所記載之掃描 型曝光裝置，其中： 設置了使前述第2方向的測長光束從與前述第2干涉 本紙張尺度適用中國困家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 .—銀 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 3 00 ο ABCD 六、申請專利托圍 計的相反側照射至前述光罩台的第3干涉計， 而且前述光罩台也具有與來自於前述第3干涉計的測 長光束所照射的前述第1反射面平行的第2反射面(84b)， 並具備了可至少依據第2及第3干涉計的測量値之一 而計算出前述光罩台在第2方向的位置的演算裝置。 11. 如申請專利範圍第6項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 前述演算裝置係對應與做爲一種前述光罩台的位置資 訊的前述投影光學系統的投影視野對向而位置的前述光罩 上的區域的資訊，並依據前述第2及第3干涉計的測量値 之一或是兩方來求出前述光罩台在第2方向的位置。 12. 如申請專利範圍第6-9項中任何一項所記載之掃描 型曝光裝置，其中： 將特定的基準標誌配置於前述基板上， 爲了要依據前述光罩台在第2方向的位置而對第1干 涉計進行重置，而更具備了 ：使用前述基準標誌來測量前 述光罩及前述基板台的位置關係的測量裝置。 13. 如申請專利範圍第10項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 將特定的基準標誌配置於前述基板上， 爲了要依據前述光罩台在第2方向的位置而對第1干 渉計進行重置，而更具備了 ：使用前述基準標誌來測量前 述光罩及前述基板台的位置關係的測量裝置== 14. 如申請專利範圍第6〜9項中任何一項所記載之掃描 本紙張尺度適用中S國家榇準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 —線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ABCD ^08364 六、申請專利範圍 型曝光裝置，其更具備： 支撐前述投影光學系統的第1架台； 配置了前述光罩台的第2架台； 支撐前述第1架台的防震裝置； 具有設置於配置了前述防震裝置的地板上，並將對應 於由前述光罩台的移動所產生的反作用力的力供應至前述 光罩台或是前述第2架台的致動器的框架。 15. 如申請專利範圍第10項所記載之掃描型曝光裝置 ，其 更具備= 支撐前述投影光學系統的第1架台； 配置了前述光罩台的第2架台； 支撐前述第1架台的防震裝置；及 具有設置於配置了前述防震裝置的地板上，並將對應 於由前述光罩台的移動所產生的反作用力的力供應至前述 光罩台或是前述第2架台的致動器的框架。 16. 如申請專利範圍第6項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 前述第1干涉計的測長光束的延長線係與前述投影光 學系統的光軸相交。 Π.如申請專利範圍第10項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述第1干涉計的測長光束的延長線係與前述投影光 學系統的光軸相交。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408^64 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 18. 如申請專利範圍第12項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述第1干涉計的測長光束的延長線係與前述投影光 學系統的光軸相交。 19. 如申請專利範圍第16項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述第2干渉計係使2條測長光束沿著前述第2方向 而照射至前述第1反射面，且前述的2條測長光束之一的 延長線係與前述投影光學系統的光軸相交。 20. 如申請專利範圍第6項所記載之掃描型曝光裝置， 其中： 前述第1反射面係形成於前述光罩台的側面。 21. 如申請專利範圍第1〇項所記載之掃描型曝光裝置 ’其中： 前述第1反射面係形成於前述光罩台的側面。 22. 如申請專利範圍第12項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述第1反射面係形成於前述光罩台的側面。 23. —種掃描曝光方法，係一種使支撐光罩的光罩台及 支撐基板的基板台同步並持續的使其在第1方向做相對的 移動，並將形成於前述光罩的圖案轉寫至前述基板的掃描 曝光方法，係包含： 將測長光束照射至沿著前述第1方向而言設於前述光 罩台的第1反射面，並接受其反射光而管理前述光罩台在 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -"^. 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4〇8364 a8 B8 C8 DB 六、申請專利範圍 第2方向的位置，而且將測長光束照射至設置於前述光罩 台的第1角落立方體，並接受其反射光而持續的管理前述 光罩台在第1方向的位置，而將前述光罩上的第1區域 (P1)的圖案轉寫至前述基板上的特定區域的第1掃描曝光 過程；及 將測長光束照射至前述第1反射面，並接受其反射光 而管理前述光罩台在第2方向的位置，而且將測長光束照 射至與設置於前述光罩台的第1角落立方體不同的第2角 落立方體，並接受其反射光而持續的管理前述光罩台在第 1方向的位置，而將鄰接於前述光罩上的第1區域的第2 方向的第2區域的圖案轉寫至前述基板上的前述特定區域 的第2掃描曝光過程。 24. 如申請專利範圍第23項所記載之掃描曝光方法， 其中： 係將第_1區域的圖案及第2區域的圖案重合於基板上 ，並藉由曝光而形成特定的電路圖案。 25. 如申請專利範圍第23項所記載之掃描曝光方法， 其中： 第1角落立方體係設置於對應於第1區域的圖案的光 罩台位置，而第2角落立方體係設置於對應於第2區域的 圖案的光罩台位置。 26. —種掃描型曝光裝置的製造方法，係一種製造出可 同步的移動光罩及基板，並經由投影光學系統而將前述光 罩的圖案轉寫至前述基板的的掃描曝光裝置的方法，係包 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先鬩讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ll _____D8 六、申請專利範圍 含： 設置了投影光學系統； 設置了配置於前述投影光學系統的物體面側的光罩台 1 設置了配置於前述投影光學系統的像面側的基板台； 設置了配置於前述光罩台，並係沿著與前述光罩的同 步移動的第1方向垂直的第2方向的複數的角落立方體； 及 設置了使測長光束沿著前述第1方向而照射至前述光 罩台’而且接受由依據前述光罩台在前述第2方向的位置 所選擇的前述複數的角落立方體之一所反射的測長光束而 受光的第1干涉計^ 27·如申請專利範圍第26項所記載之掃描型曝光裝置 的製造方法，其中： 爲了要將前述光罩的圖案轉寫至前述基板，也設置了 至少使前述光罩台沿著前述第1方向做1次往返，而且在 前述往返移動之間’使前述光罩台沿著前述第2方向而移 動的驅動控制系統，而前述複數的角落立方體之中的2個 係配置爲其之間的距離係對應於前述光罩台在前述第2方 向的移動量。 28.—種掃描型曝光裝置的製造方法，係一種製造出使 光罩及基板同步並持續的使其在第1方向做相對的移動， 並經由投影光學系統而將形成於前述光罩的圖案轉寫至前 述基板上的掃描型曝光裝置的方法，係包含： $ 本紙張尺度逋用中囷國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. i線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 六、申請專利範圍 設置了投影光學系統； 設置了支撐前述光罩並使其可做2度空間移動的光罩 台； 設置了支撐前述基板並使其可在前述第1方向移動的 基板台； 在前述光罩台設置了沿伸向前述第1方向的第1反射 面； 在前述光罩台設置了以特定間隔的配置於與前述第1 方向垂直的第2方向的複數的角落立方體； 設置了依據前述光罩台在前述第2方向的位置而使前 述第1方向的測長光束照射至前述複數的角落立方體之一 ，並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在前述第1方向 的位置的第1干涉計；及 設置了使前述第2方向的測長光束照射至前述第1反 射面，並藉由接受其反射光而測量前述光罩台在前述第2 方向的位置的第2干涉計。 29. 如申請專利範圍第28項所記載之掃描型曝光裝置 的製造方法，其中： 前述複數的角落立方體係設置爲分別對應於沿著前述 光罩上的第2方向而配置的圖案的複數的區域。 30. 如申請專利範圍第28項所記載之掃描型曝光裝置 的製造方法，其中： 更設置了將前述第2方向的測長光束從前述第2干涉 計側照射向前述光罩台的第3干涉計， 9 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------A-------訂.------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 408364 六、申請專利範圍 在前述光罩台設置了與照射了來自於第3干涉計的測 長光束的前述第1反射面平行的第2反射面， 至少依據前述第2及第3干涉計的測量値而計算前述 光罩台在第2方向的位置的演算裝置。 31. —種掃描曝光方法，係一種使光罩在第1方向做往 返移動，並沿著與前述光罩上的前述第1方向垂直的第2 方向分別以照明光照射並列的第1及第2區域，而且藉由 與光罩的移動同步的使基板移動，而將前述光罩的圖案轉 寫至前述基板的掃描曝光方法，其特徵係： 爲了要以前述照明光照射前述光罩上的第1區域，而 將測長光束照射至設置於支撐前述光罩的光罩台的第1鏡 子，並依據千涉計的輸出而在前述第1方向驅動前述光罩 台， 而爲了要以前述照明光照射前述光罩上的第2區域， 而將前述干涉計的測長光束照射至與設置於前述光罩台的 第1鏡子不同的第2鏡子，並同時在前述第1方向驅動前 述光罩台。 32. 如申請專利範圍第31項所記載之掃描曝光方法， 其中： 將前述光罩上的第2區域重合至轉寫了前述光罩上的 第1區域的前述基板上的區劃區域而後再進行轉寫，而在 前述區劃區域形成前述第1區域內的第1圖案及前述第2 區域內的第2圖案的合成圖案。 33. 如申請專利範圍第31或是32項所記載之掃描曝光 10 本紙3L尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（2!0X2们公P "~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1T •-線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS CS D8__ 六、申請專利範圍 方法，其中： 爲了要依序的將前述光罩的圖案轉寫至前述基板上的 複數的區劃區域，而將前述光罩上的第1區域依序的轉寫 至前述複數的區劃區域，而且，在前述第2方向移動前述 光罩之後，將前述光罩上的第2區域依序的轉寫至前述複 數的區劃區域。 34·如申請專利範圍第33項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在將前述光罩上的第2區域轉寫至前述複數的區劃區 域之前，改變前述照明光的強度分布。 35.如申請專利範圍第31項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在以前述照明光照射光罩上的第1區域後的前述光罩 台的減速中，使前述光罩台對前述第1方向做傾斜的移動 〇 36·如申請專利範圍第31或是35項所記載之掃描曝光 方法，其中： 在以前述照明光照射光罩上的第2區域之前，使前述 光罩台向著前述第1及第2方向交叉的方向做加速，以使 前述光罩上的第2區域會接近前述照明光。 37·如申請專利範圍第31或是35項所記載之掃描曝光 方法，其中： 在將前述照明光照射至前述光罩上的第1區域、及、 將前述照明光照射至前述光罩上的第2區域之間，係不停 _ 11 本紙張纽適用中ϋ®家揉準（CNS)从胁（21GX297公兼） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 408364 i D8 六、申請專利範圍 止的持續驅動控制前述光罩台。 38.如申請專利範圍第36項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在將前述照明光照射至前述光罩上的第1區域、及、 將前述照明光照射至前述光罩上的第2區域之間，係不停 止的持續驅動控制前述光罩台。 39·如申請專利範圍第31或是35項所記載之掃描曝光 方法，其中： 在將前述光罩上的第1區域轉寫至前述基板上的第1 區劃區域的第1掃描曝光、及、在將前述光罩上的第2區 域轉寫至與前述基板上的前述第1區劃區域鄰接的第2區 劃區域的第2掃描曝光之間，最好是不停止的持續驅動控 制前述基板台。 40.如申請專利範圍第36項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在將前述光罩上的第1區域轉寫至前述基板上的第1 區劃區域的第1掃描曝光、及、在將前述光罩上的第2區 域轉寫至與前述基板上的前述第1區劃區域鄰接的第2區 劃區域的第2掃描曝光之間，最好是不停止的持續驅動控 制前述基板台。 41·如申請專利範圍第40項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在前述第2掃描曝光之前，最好是使前述基板台向著 前述第1及第2方向交叉的方向做加速。 12 本紙用中gg國家樣率（CNS)以胁（21()χ297公董 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 訂 ί線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4GS364 A8 BS C8 __ D8 六、申請專利範圍 42. 如申請專利範圍第31項所記載之掃描曝光方法， 其中： 前述光罩係包含沿著前述第2方向而配列的第1及第 2光罩，而在前述第1光罩形成了前述第1區域內的第1 圖案，而在前述第2光罩形成了前述第2區域內的第2圖 案。 43. 如申請專利範圍第35項所記載之掃描曝光方法， 其中： 前述光罩係包含沿著前述第2方向而配列的第1及第 2光罩，而在前述第1光罩形成了前述第1區域內的第1 圖案，而在前述第2光罩形成了前述第2區域內的第2圖 案。 44·如申請專利範圍第40項所記載之掃描曝光方法， 其中： 前述光罩係包含沿著前述第2方向而配列的第1及第 2光罩，而在前述第1光罩形成了前述第1區域內的第1 圖案，而在前述第2光罩形成了前述第2區域內的第2圖 案。 45. 如申請專利範圍第31項所記載之掃描曝光方法， 其中： 第1及第2鏡子係爲角落立方體。 46. —種掃描曝光方法，係一種使光罩在第1方向做往 返移動，並沿著與前述光罩上的前述第1方向垂直的第2 方向分別以照明光照射並列的第1及第2區域，而且藉由 13 表紙張尺度逋用中覉國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) *?τ- 4〇S364 A8 ?88 D8 六、申請專利範圍 與光罩的移動同步的使基板移動，而將前述光罩的圖案轉 寫至前述基板的的掃描曝光方法，其特徵係： 在將前述照明光照射至前述光罩上的第1區域、及、 將前述照明光照射至前述光罩上的第2區域之間，係不停 止的持續的移動前述光罩。 47. —種掃描曝光方法，係一種將電路圖案轉寫至基板 的掃描曝光方法’係包含： 使具有前述電路圖案的第1及第2分解圖案的光罩在 第1方向移動，並以照明光照射前述第1分解圖案，並與 前述光罩的移動同步的移動基板，而將前述第1分解圖案 轉寫至前述基板上的區劃區域的第1過程；及 沿著前述第1方向使前述光罩係與前述第1過程逆向 的移動，使照明光照射前述第2分解圖案，並與前述光罩 的移動同步的移動前述基板，而將前述第2分解圖案轉寫 至前述基板上的前述區劃區域的第2過程。 48. 如申請專利範圍第47項所記載之掃描曝光方法， 其中： 在前述第1過程及前述第2過程之間，係使前述光罩 的移動在前述第1方向及與其垂直的第2方向的速度成分 的至少一方係不爲零。 49. 一種台裝置，係具備有： 支撐基板並使其可在2度空間平面內移動的第1可動 體； 設置於前述第1可動體，並在前述2度空間平面內沿 14 本紙張尺度適用中國國家搮準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 a C8 D8 六、申請專利範圍 伸向特定的第1軸及與其垂直的第2軸的交叉的方向的第 1反射面； 垂直的將測長光束照射至前述第1反射面’並藉由接 收其反射光而測量出前述第1可動體在第3軸方向的位置 的第1干渉計；及 依據前述第1干涉計的測量値而計算出前述第1可動 體在前述第1軸及第2軸所規定的直角座標系統上的位置 座標的演算裝置。 50. 如申請專利範圍第49項所記載之台裝置’其更具 備： 設置於前述第1可動體，並延伸於前述第2軸方向的 第2反射面；及 垂直的將測長光束照射至前述第2反射面，並藉由接 收其反射光而測量出前述第1可動體在前述第1軸方向的 置的第2干涉計； 且前述演算裝置係依據前述第1干涉計的測量値而計 算出前述第1可動體在前,述第2軸方向的位置座標。 51. 如申請專利範圍第49項所記載之台裝置，其中： 前述演算裝置係同時依據前述第1干涉計的測量値及 依據前述第2干涉計的測量値而至少計算出前述第1可動 體在前述第1軸方向的位置及前述第2軸方向的位置之一 〇 52. 如申請專利範圍第49項所記載之台裝置，其更具 備： 15_____ 本紙張尺度適用中國囷家揉率（CNS > A4规格（210X297公襞） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、νβ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 68 C8 D8 408364 六、申請專利範圍 設置於前述第1可動體，並在前述2度空間平面內與 前述第1軸及與其垂直的第2軸交叉，並延伸於與前述第 1反射面不同方向的第3反射面；及 垂直的將測長光束照射至前述第3反射面，並藉由接 收其反射光而測量出前述第1可動體在第4軸方向的置的 第3干涉計； 且前述演算裝置係依據前述第1及第3千涉計的測量 値而計算出由前述前述第1軸及第2軸所規定的台座標系 統上的前述第2軸方向的位置。 53. 如申請專利範圍第49〜S2項中任何一項所記載之台 裝置，其中： 係使前述第1干涉計將2條測長軸的測長光束在與前 述2度空間平面垂直的方向係互相遠離的照射至前述第1 反射面，並由分別接受其反射光而在每一個測長軸測量前 述第1可動體在第3軸方向的位置， 而前述演算裝置則依據前述第1干涉計的前述測量値 而計算出前述第1可動體對前述2度空間平面的傾斜度。 54. 如申請專利範圍第49~52項中任何一項所記載之台 裝置，其中： 係是使前述第1干涉計將在與前述2度空間平面平行 的方向係互相遠離的2條測長軸的測長光束照射至前述第 1反射面，並甶分別接受其反射光而在每一個測長軸測量 前述第1可動體在第3軸方向的位置， 而前述演算裝置則依據前述第1干涉計的前述測量値 16 本紙張尺度適用中蹰國家梯準（CNS ) Α4規格（2j〇X297公釐） (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 ^u no ο 4- 8888 ABCD 六、申請專利耗圍 而計算出前述第1可動體在前述2度空間平面內的旋轉。 55·如申請專利範圍第S3項所記載之台裝置，其中： 係是使前述第1干涉計將在與前述2度空間平面平行 的方向係互相遠離的2條測長軸的測長光束照射至前述第 1反射面’並由分別接受其反射光而在每一個測長軸測量 前述第1可動體在第3軸方向的位置， 而前述演算裝置則依據前述第1干涉計的前述測量値 而計算出前述第1可動體在前述2度空間平面內的旋轉。 56. 如申請專利範圍第50〜52項中任何一項所記載之台 裝置，其中： 係使前述第2干涉計將3測長軸的測長光束分別照射 至前述第2反射面，並使其對前述第2反射面的入射點並 不配列於第2反射面上的同一直線，並由分別接受其反射 光而在每一個測長軸測量前述第1可動體在前述第1軸方 向的位置， 而前述演算裝置則係依據前述第2干涉計的測量値而 計算出前述第1可動體在前述2度空間平面內的旋轉及對 前述2度空間平面的傾斜度。 57. 如申請專利範圍第49項所記載之台裝置，其中： 前述第1反射面係形成於前述第1可動體的端面。 58. 如申請專利範圍第53項所記載之台裝置’其中： 前述第1反射面係形成於前述第1可動體的端面。 59. 如申請專利範圍第56項所記載之台裝置’其中： 前述第1反射面係形成於前述第1可動體的端面° 17 _ 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂· i線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 A、申請專利範圍 60. 如申請專利範圍第50項所記載之台裝置，其中： 前述第1可動體係約爲三角形狀，而前述第2反射面 則係形成於前述第1可動體的端面° 61. 如申請專利範圍第50項所記載之台裝置，其中： 前述第1可動體係約爲三角形狀，而前述第2反射面 則係形成於前述第1可動體的端面。 62. 如申請專利範圍第60項所記載之台裝置，其中： 在約爲三角形狀的第1可動體的3個角落之中的至少 1個角落附近，更具有會依據前述第1、第2及第3干涉計 的至少一個輸出而在垂直於前述2度空間平面的方向進行 驅動的驅動裝置。 6 3.如申請專利章Η圍弟61項所記載之台裝置，其中： 在約爲三角形狀的第1可動體的3個角落之中的至少 1個角落附近，更具有會依據前述第1、第2及第3干涉計 的至少一個輸出而在垂直於前述2度空間平面的方向進行 驅動的驅動裝置。 64.如申請專利範圍第52項所記載之台裝置，其中： 係使前述各干涉計將具有3測長軸的測長光束分別照 射至與其對應的反射面上，並使其入射點並不配列於同一 直線，並由分別接受其反射光而在每一個測長軸測量前述 第1可動體在各測長軸方向的位置， 而前述演算裝置則係使用前述第1、第2及第3干涉 計之中的任何1個，或是任何2個，或是3個干涉計的測 量値而計算出前述第1可動體在前述2度空間平面內的旋 18 本紙張尺度適用中國两家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ^^1 1^1 —mu n^i ii I (請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ '線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 轉及對前述2度空間平面的傾斜度。 65. 如申請專利範圍第64項所記載之台裝置，其中： 前述第1可動體係具有在前述2度空間平面內移動的 第2金屬板、及、搭載於此第2金屬板的測平驅動機構、 及、由此測平驅動機構所支撐，並支撐前述基板的第1金 屬板； 前述第i、第2及第3反射面係設置於前述第1金屬 板， 而前述測平驅動機構則包含約分別在前述第1、第2 及第3千涉計的測長軸的延長線上的不同的3點支撐前述 第1金屬板，而且在各支撐點能夠在與前述2度空間平面 垂直的方向獨立的進行驅動的3個致動器； 前述演算裝置則係具有使用前述第1、第2及第3干 渉計的測量値而分別計算出前述第1反射面、第2反射面 、第3反射面對前述2度空間平面的傾斜度，並依據前述 演算裝置的計算結果而控制前述3個致動器的致動器控制 裝置。 66. 如申請專利範圍第49~52項中任何一項所記載之台 裝置，其更具備： 定盤；及 將前述第1可動體配置於其上部，且係配置於前述定 盤上’且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動 的第2可動體； 而前述第2可動體則係對應於由前述第1可動體的移 _；__ 19 本紙張/Ut適用中關c叫从胁（21Gx297公金） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. ，線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 β c° 8 ο 4- ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 動所產生的反作用力而移動。 67. 如申請專利範圍第53項所記載之台裝置，其更具 備： 定盤；及 將前述第1.可動體配置於其上部，且係配置於前述定 盤上，且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動 的第2可動體； 而前述第2可動體則係對應於由前述第1可動體的移 動所產生的反作用力而移動。 68. 如申請專利範圍第57-59或6卜65項中任何一項所 記載之台裝置，其更具備： 定盤；及 將前述第1可動體配置於其上部，且係配置於前述定 盤上，且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動 的第2可動體； 而前述第2可動體則係對應於由前述第1可動體的移 動所產生的反作用力而移動。 69. 如申請專利範圍第66項所記載之台裝置，其更具 備： 能夠以特定的頻率來驅動設置於前述定盤上的前述第 2可動體的驅動系統；及 經由前述驅動系統而以數Hz以下的應答頻率來控制 前述第2可動體的位置的控制裝置。 70. 如申請專利範圍第67項所記載之台裝置，其更具 20 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS > A4規格（210X297公釐） ---------、在--1----<τ------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^08364 as Bg C8 ______D8 六、申請專利範圍 /-μ-. 備· 能夠以特定的頻率來驅動設置於前述定盤上的前述第 2可動體的驅動系統；及 經由前述驅動系統而以數Hz以下的應答_率來控制 前述第2可動體的位置的控制裝置。 71.如申請專利範圍第68項所記載之台裝鼇，其更具 備： 能夠以特定的頻率來驅動設置於前述定盤上的前述第 2可動體的驅動系統；及 經由前述驅動系統而以數Hz以下的應答頻率來控制 前述第2可動體的位置的控制裝置。 72·—種掃描型曝光裝置，係一種將形成於光罩的圖案 轉寫至基板的掃描型曝光裝置，係具備： 具有：支撐基板並使其在2度空間平面內移動的基板 台、及、設置於前述基板台，並沿伸向與在前述2度空間 平面內的特定的第1軸及與其垂直的第2軸交叉的方向的 第1反射面、及、垂直的將測長光束照射至前述第1反射 面’並藉由接收其反射光而測量出前述基板台在第3軸方 向的位置的第1干涉計、及、依據前述第1干涉計的測量 値而計算出前述基板台在前述第i軸及第2軸所規定的直 角座標系統上的位置座標的演算裝置，的台裝置； 支撐光罩的光罩台；及 使前述光罩台及基板台同步，並沿著前述第1軸方向 做相對移動的台控制系統； 21 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4現格（210X297公釐） (请先閱讀背面之注f項再球寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 A8 B8 C8 D8 ________ 六、申請專利範圍 在前述台控制系統使前述光罩台及前述基板台做相對 移動時，將形成於前述光罩的圖案轉寫至前述基板台上的 基板。 73.如申請專利範圍第72項所記載之掃描型曝光裝置 ，其更具備： 設置於前述基板台，並延伸於前述第2軸方向的第2 反射面；及 垂直的將測長光束照射至前述第2反射面’並藉由接 受其反射光而測量前述基板台在前述第1軸方向的位置的 第2干涉計； 而前述演算裝置則係依據前述第1干涉計的測量値而 計算出前述基板台在前述第1軸方向的座標位置。 74·如申請專利範圍第73項所記載之掃描型曝光裝置 ，其 更具備： 設置於前述基板台，並沿伸向與在前述2度空間平面 內的前述第1軸及與其垂直的第2軸交叉，並係與前述第 1反射面爲不同的方向的第3反射面；及 垂直的將測長光束照射至前述第3反射面，並藉由接 收其反射光而測量出前述基板台在第4軸方向的位置的第 3干涉計； 而前述演算裝置則係依據前述第1及第3干涉計的測 量値而計算出前述基板台在由前述第1軸及第2軸所規定 的台座標系統上的則述第2軸方向的位置。 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ---------Λ-------訂.------0 (請先聞讀背面之注$項再填寫本筲) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^08364 A8 ?88 D8 六、申請專利範圍 75. 如申請專利範圍第74項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述第1及第3干涉計係分別具有2個測長軸的干涉 計； 而且更具備： 其光軸係分別與前述光罩及前述基板垂直的投影光學 系統；及 在前述投影光學系統之外，另外設置的校準光學系統 而且也設定前述第1及第3干涉計的各個測長軸，以 使前述第1及第3干涉計的1測長軸的延長的焦點會約與 前述投影光學系統中心一致，其另外的測長軸的延長的焦 點會約與前述校準光學系統中心一致。 76. 如申請專利範圍第74或是75項所記載之掃描型曝 光裝置，其中： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設定曝光時的前述基板台的加速度、最高速度及調整 時間，以使前述第1、第2、及、第3干涉計的各個測長軸 在對前述基板的周邊區域進行掃描曝光時，均不會從前述 第1、第2、及、第3反射面之中所對應的反射面露出到外 面。 77. 如申請專利範圍第74或是75項所記載之掃描型曝 光裝置，其中： 在前述基板台上的特定位置配置使用前述第1、第2、 及、第3干渉計的測量値’並用以進行與曝光處理有關的 23 本紙張尺度適用中國國家椟率（CNS ) A4规格（210X297公羞） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 特定量測的基準標誌及檢知器，以使前述第1、第2、及、 第3干涉計的各個測長軸均不會從前述第1、第2、及、第 3反射面之中所對應的反射面露出到外面。 78·如申請專利範圍第74項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述各干涉計將在各反射面上爲非同一値線狀的3軸 的測長光束分別照射至所對應的反射面，並由分別接受其 反射光而在每一個測長軸測量前述基板台在各個測長軸方 向的位置； 而前述演算裝置則使用前述第1、第2及第3干涉計 之中的任何1個，或是任何2個，或是3個干渉計在各個 測長軸的測量値而計算出前述基板台在前述2度空間平面 內的旋轉及對前述2度空間平面的傾斜度。 79.如申請專利範圍第74項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述基板台具有在前述2度空間平面內移動的第2金 屬板、及、搭載於此第2金屬板的測平驅動機構、及、由 此測平驅動機構所支撐’並支撐前述基板的第1金屬板； 在前述第1金屬板並設置了則述第1、第2及第3反 射面； 前述測平驅動機構則包含約分別在前述第1、第2及 第3干渉針的測長軸的延長線上的不同的3點支撐前述第 1金屬板，而且在各支撐點能夠在與前述2度空間平面垂 直的方向獨立的進行驅動的3個致動器； 24 本紙張尺度適用中國國家揲準（CNS ) A4規格（2l〇x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) <1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 Ο 8 ν» 6 4 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述演算裝置則是使用前述第1、第2及第3干涉計 的測量値而分別計算出前述第1反射面、第2反射面' 第 3反射面對前述2度空間平面的傾斜度； 而且係更具備了依據前述演算裝置的計算結果而控制 前述3個致動器的致動器控制裝置。 80. 如申請專利範圍第78或是79項所記載之掃描型曝 光裝置，其中： 前述光罩台在前述2度空間平面內係能夠旋轉，而前 述演算裝置會依據前述第2干涉計的測量値而計算出前述 基板台在前述2度空間平面內的旋轉偏差量， 而前述台控制系統會旋轉控制前述光罩台以對前述的 旋轉偏差量進行補正。 81. 如申請專利範圍第72項所記載之掃描型曝光裝置 ，其 更具備： 定盤； 將前述基板台配置於其上部，且係配置於前述定盤上 ，且可分別對前述定盤及,前述基板台做相對移動的第2可 動體； 能夠以特定的應答頻率來驅動配置於前述定盤上的第 2可動體的驅動系統；及 經由前述驅動系統而以數Hz以下的應答頻率來控制 前述第2可動體的位置的控制裝置； 且前述第2可動體則對應於由前述基板台的移動所產 25 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------Λ--i If ------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS BS C8 D8 六、申請專利範圍 生的反作用力而移動。 82. 如申請專利範圍第81項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述基板台的重量係前述第2可動體的重量的1/9以 下， 而前控制裝置會使曝光或是校準前的前述第2可動體 的應答頻率、及、其他的應答頻率係爲可變的。 83. 如申請專利範圍第82項所記載之掃描型曝光裝置 ，其 更具備： 監視前述第2可動體的二度空間位置的位置測量裝置 1 而前述控制裝置則依據前述基板台在曝光及校準以外 的移動時的前述位置測量裝置的測量結果來使前述第2可 動體的位置補正至特定的位置。 84. 如申請專利範圍第75項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 爲了要調整第1、第2及第3干涉計的光束路的溫度 ，而至少具有2個供應溫度溫度了的氣體的裝置。 85. 如申請專利範圍第72項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述第1反射面係形成於前述基板台的端面。 86. 如申請專利範圍第85項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 26 本紙張尺度適用申國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------/------i?T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 基板台在其端面至少具有3個反射面，而該3個反射 面之一即爲第1反射面。 87. 如申請專利範圍第85項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 前述的台控制系統不僅控制生產能，也會依據第1反 射面的延在長而決定基板的掃描速度。 88. 如申請專利範圍第72項所記載之掃描型曝光裝置 ，其 更具備： 沿著前述光罩及基板所移動的方向而安裝於前述光罩 台的複數的角落立方體；及 送光至前述複數的角落立方體之一，並接受來自於此 的反射光的干涉計系統。 89_—種掃描型曝光裝置，係一種對於能量束所投射的 區域，藉由使形成了圖案的光罩及感應基板同步的移動， 而以該圖案使感應基板並曝光的掃描曝光裝置，係具備： 載置了前述光罩且能夠移動的光罩台； 載置了前述感應基板且能夠移動的感應基板台，且係 在基板台的側面至少具有第1、第2及第3反射面，且第 1〜第3反射面或是其延長線係形成了三角形，的基板台； 及 分別將測長光束送光至第1〜第3反射面的干涉計系統 〇 9〇·如申請專利範圍第89項所記載之掃描型曝光裝置 27 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------Λ-------訂.------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 六、申請專利範圍 ，其中I : 前述的三角形係爲正三角形。 91. 如申請專利範圍第89項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中I : 第卜第3反射面之中的1個反射面係沿著掃描方向或 是與其垂直的方向而延在著。 92. 如申請專利範圍第89項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 光罩台在台的側部具備了複數的角落立方體。 93·如申請專利範圍第89〜92項中任何一項所記載之掃 描型曝光裝置，其更具備： 定盤；及 浮上支撐於其上的可動定盤； 而基板台係浮上支撐於可動定盤上，並使可動定盤 可對應於由前述基板台在掃描方向移動時所產生的反作用 力而移動。 94. 如申請專利範圍第93項所記載之掃描型曝光裝置 ，其中： 上述基板台係由分別支撐基板的複數的三角台所構成 〇 95. —種台裝置，係具備有： 定盤； 可相對於前述定盤而做相對移動，且可支撐基板的第 1可動體； 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 、申請 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，、1可動翻δ®於其J:部，且係置於前述定 ，而且可分別對前述定盤及前述第丨 動的第2可重力體；及 則體做相封移 設^前述第2可動體且可在2度空間平面內移動前 xl弟1可動體的驅動裝置； 祕^述第2可__對應於由前述第丨可動體的移 動所產生的反作用力而移動。 96. 如申請專利範圍第％項所記載之台裝置，其中： 即述驅動裝置係具有在前述第2可動體上驅動前述第 1可動體的線性致動器， 而前述第1可動體及前述第2可動體係分別的以非接 觸支撐於前述第2可動體及前述定盤上。 97. 如申請專利範圍第95項所記載之台裝置，其中： 前述第1可動體係具有：在前述2度空間平面上沿伸 向第1及第2軸的交叉的方向的第1反射面、及、沿伸向 前述第2軸方向的第2反射面 '及、對前述第1軸而言， 係配置爲約與前述第1反射面對稱的第3反射面； 而且更是具有：分別將測長光束照射至前述第1第2 及第3反射面的3個干渉計。 98. 如申請專利範圍第95〜97項中任何一項所記載之台 裝置，其中： 前述第1可動體係具有：載置了前述基板的第1金屬 板、及、使前述第1金屬板在前述2度空間平面垂直的方 向移動，且相對於前述2度空間平面係傾斜的驅動機構、 29 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐） ---------A---------訂------0 ί請先閲讀背面之注項再填寫本頁) Α8 Β8 _____^__ 六、申請專利範圍 及、載置了前述驅動機構的第2金屬板。 99. 如申請專利範圍第95〜97項中任何一項所記載之台 裝置，其中： 第1可動體係由複數的可動部所構成，而各可動部係 配置於第2可動體上，而前述驅動裝置則在2度空間平面 內驅動各可動部，而且第2可動體係依據各可動部在驅動 時的反作用力而移動。 100. 如申請專利範圍第98項所記載之台裝置，其中： 第1可動體係由複數的可動部所構成，而各可動部係 配置於第2可動體上，而前述驅動裝置則在2度空間平面 內驅動各可動部’而且第2可動體係依據各可動部在驅動 時的反作用力而移動。 101. 如申請專利範圍第95〜97項中任何一項所記載之 台裝置，其中： 前述第1可動體的重量係約爲前述第2可動體的重量 的1/9以下， 而且更具有在前述定盤上以低應答頻率來驅動前述第 2可動體的第2驅動裝置. 102. 如申請專利範圍第98項所記載之台裝置，其中： 則述第1可動體的重量係約爲前述第2可動體的重量 的1/9以下， 而且更具有在前述定盤上以低應答頻率來驅動前述第 2可動體的第2驅動裝置。 1〇3.如申請專利範圍第99項所記載之台裝置，其中： ____ 30 本紙張尺度適用中( CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述第1可動體的重量係約爲前述第2可動體的重量 的1/9以下， 而且更具有在前述定盤上以低應答頻率來驅動前述第 2可動體的第2驅動裝置。 104. —種曝光裝置，其特徵係： 具備：申請專利範圍第49或者是95項所記載之台裝 置； 並會將光罩的圖案轉寫至被支撐於前述台裝置的感光 基板。 105. —種曝光裝置，其特徵係： 具備：申請專利範圍第95項所記載之台裝置； 並會將光罩的圖案轉寫至被支撐於前述第1可動體的 感光基板。 106. 如申請專利範圍第98項所記載之曝光裝置，其更 具備: 在前述定盤上驅動第2可動體的第2驅動裝置；及 以包含前述感光基板的曝光動作的複數的動作，來改 變前述第2驅動裝置的控制應答的控制裝置。 107. 如申請專利範圍第106項所記載之曝光裝置，其 中： 前述控制裝置會在前述第1可動體的移動後，在第2 驅動裝置移動前述第2可動體，並會在前述第2可動體的 移動時，使前述第2可動體的應答頻率變高，而使其高於 前述第1可動體的移動時的應答頻率。 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------1—-----訂·------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 108. —種掃描型曝光裝置，其特徵係具備： 具有：定盤、及、可相對於前述定盤而做相對移動， 且可支撐基板的第1可動體、及、將前述第1可動體配置 於其上部，且係配置於前述定盤上，而且可分別對前述定 盤及前述第1可動體做相對移動的第2可動體、及、設置 於前述第2可動體且可在2度空間平面內移動前述第1可 動體的驅動裝置；而前述第2可動體則係對應於由前述第 1可動體的移動所產生的反作用力而移動，的台裝置、及 支撐光罩的光罩台、及、 具有分別與前述光罩及前述基板垂直的光軸的投影光 學系統、及、w 支撐前述投影光學系統，而且懸架了前述定盤的第1 架台、及、 支撐前述第1架台的防震裝置； 而且係由前述光罩台及前述台裝置使前述光罩及前述 基板同步移動，並經由前述投影光學系統而將前述光罩的 圖案轉寫至前述基板上。 109. 如申請專利範圍第108項所記載之曝光裝置，其 更具備： 載置了前述光罩台的第2架台；及 具有設置於配置了前述防震裝置的地板上，並將對應 於由前述光罩台的移動所產生的反作用力的力供應至前述 光罩台或是前述第2架台的致動器的框架。 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 I 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 110.如申請專利範圍第109項所記載之曝光裝置，其 更具備： 載置於前述防震裝置的底板；及 連接前述底板及前述框架的彈性體。 m.如申請專利範圍第1〇8~11〇項中任何一項所記載 之曝光裝置，其中： 前述第1可動體係具有：在前述2度空間平面上沿伸 向第1及第2軸的交叉的方向的第〗反射面、及、沿伸向 前述第2軸方向的第2反射面、及、對前述第1軸而言， 係配置爲約與前述第1反射面對稱的第3反射面； 而且更是具有：分別將測長光束照射至前述第1第2 及第3反射面的3個干涉計。 112. 如申請專利範圍第108〜110項中任何一項所記載 之曝光裝置，其更具備= 可測量前述第2可動體相對於前述定盤的相對位置的 位置測量裝置；及 在前述基板做曝光動作及校準動作以外的動作時，會 依據前述位置測量裝置的輸出而將前述第2可動體的位置 決定於前述定盤上的特定點的第2驅動裝置。 113. 如申請專利範圍第108〜110項中任何一項所記載 之曝光裝置，其中： 第1可動體係由複數的可動部所構成，而各可動部係 配置於第2可動體上，而前述驅動裝置則在2度空間平面 內驅動各可動部，而且第2可動體係依據各可動部在驅動 ---------β--1----訂-------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 時的反作用力而移動。 114·如申請專利範圍第U1項所記載之曝光裝置，其 更具備： 可測量前述第2可動體相對於前述定盤的相對位置的 位置測量裝置；及 在前述基板做曝光動作及校準動作以外的動作時，會 依據前述位置測量裝置的輸出而將前述第2可動體的位置 決定於前述定盤上的特定點的第2驅動裝置。 115·如申請專利範圍第1〇8項所記載之曝光裝置，其 中： 〆、 第1可動體係爲基板台。 II6·如申請專利範圍第1〇8項所記載之曝光裝置，其 更具備： 沿著前述光罩及基板所移動的方向而安裝於前述光罩 台的複數的角落立方體；及 送光至前述複數的角落立方體之一，並接受來自於此 的反射光的干涉計系統。 、 1Π_—種曝光裝置’係將光罩的圖案轉寫至基板上的 曝光裝置，其特徵係具備： . 定盤； 分別支撐基板並使其可對前述定盤做相對移動的至少2 個第1可動體； / 將前述各第1可動體配置於其上部，且係配置於前述 定盤上’且可分別對前述定盤及前述各第1可動體做相^ 34 5·紙浪尺度遒用t理覉家榇準（CNS ) Μ規格（2跑297公釐） ---------^—-----ir------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 移動的第2可動體；及 口又置於則述第2可動體，並可在2度空間平面內驅動 前述各第1可動體的驅動裝置； 而前述第2可動體係對應於在驅動前述各第丨可動體 時的反作用力而移動， 而轉寫了前述光罩的圖案的基板係被支撐於前述各第 1可動體。 118·如申請專利範圍第II7項所記載之曝光裝置，其 中： 前述第1可動體的質量係約爲前述第2可動體的質量 的1/9以下， 而且更具有在前述定盤上以低應答頻率來驅動前述第 2可動體的第2驅動裝置。 U9·如申請專利範圍第118項所記載之曝光裝置，其 更具備：將前述光罩的圖案投影至前述基板的投影光學系 統； 而且在將前述光罩的圖案轉寫至分別被支撐於前述各 第1可動體的基板時，前述驅動裝置會使此支撐做爲圖案 投影對像的基板的前述第1可動體及前述光罩同步，而對 前述投影光學系統在掃描方向驅動。 120.—種掃描型曝光裝置，係一種同步的移動光罩及 基板’而使前述光罩的圖案轉寫至前述基板上的掃描型曝 光裝置，其特徵係具備： 具備沿伸向前述基板所同步移動的第1方向及與其垂 35 ___ 本紙張尺度適用中困國家棵準< CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂. ，線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408264 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 直的第2方向分別的交叉的方向的第1反射面、及、沿伸 向前述第2方向的第2反射面，並載置了前述基板的基板 台、及、 分別將測長光束照射至前述第1及第2反射面的第i 、第2干渉計。 121·如申請專利範圍第12〇項所記載之掃描型曝光裝 置，其 更具備：分別垂直於前述光罩及前述基板的光軸的投 影光學系統； 而且前述第1及第2干涉計係配置爲使其測長軸係與 前述投影光學系統的光軸交叉。 122.如申請專利範圍第項所記載之掃描型曝光裝 置，其更具備：將光束照射至前述基板上的標誌的離軸· 校準感知器； 而前述第1干涉計則具有：與前述投影光學系統的光 軸交叉的第1測長軸、及、與前述離軸•校準感知器的檢 測中心交叉的第2測長軸。 I23·如申請專利範圍第I22項所記載之掃描型曝光裝 置，其中： 前述第2干涉計最好是將遠離前述第1干涉計方向的 2條測長光束照射至前述第2反射面’ 並將前述離軸•校準感知器的檢測中心配置於由前述 的2條測長光束所規定，且係通過前述投影光學系統(PL〇 的光軸的前述第2干涉計的測長軸上。 36 本紙張尺度逍用中國覉家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） ---------装--^-----訂------線 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 124.如申請專利範圍第123項所記載之掃描型曝光裝 置，其中： 前述基板台係具備：對前述第1方向而言，係配置爲 約與前述第1反射面對稱的第3反射面， 而且更具備了 ：將測長光束照射至前述第3反射面的 第3干涉計。 125·如申請專利範圍第124項所記載之掃描型曝光裝 置，其中： 前述第3干涉計係具備：與前述投影光學系統的光軸 交叉的第3測長軸、及、與前述離軸•校準感知器的檢測 中心交叉的第4測長軸。 126. 如申請專利範圍第120項所記載之掃描型曝光裝 置，其 更具備： 光罩台： 沿著前述光罩及基板所移動的方向而安裝於前述光罩 台的複數的角落立方體；及 送光至前述複數的角落立方體之一，並接受來自於此 的反射光的干涉計系統。 127. —種曝光方法，係一種藉由同步的移動光罩及感 應基板’而使前述光罩的圖案轉寫至前述感應基板上的曝 光方法，其特徵係： 在前述感應基板的前述同步移動的方向及與此垂直的 非掃描方向之中，至少在非掃描方向係使用與該非掃描方 請 先 聞 意 本 訂 37 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 408364 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 向不同的方向的測長光束，來進行持續控制位置的曝光動 作。 128·如申請專利範圍第127項所記載之曝光方法，其 中： 係使用約與前述同步移動方向平行的測長光束，而在 前述同步移動方向控制前述感應基板的位置。 129. —種曝光方法，係一種將光罩的圖案轉寫至感光 基板上的曝光方法，其特徵係： 在將前述圖案轉寫至前述感光基板上的第1區域及將 前述圖案轉寫至前述感光基板上的第2區域之間，使用配 列了前述第1及第2區域的第1方向及與此垂直的第2方 向係爲不同方向的測長光束，而對前述感光基板進行位置 控制。 130. 如申請專利範圍第129項所記載之曝光方法，其 中： 爲了要分別將前述圖案轉寫至前述第1及第2區域， 而使前述光罩及前述感光基板係沿著前述的第2方向來同 步的移動。 131•如申請專利範圍第129或者是130項所記載之曝 光方法，其中： 在前述感光基板在前述的第1方向移動時，使其在加 速度時及在減速度時的加速度的大小係爲不同。 132. —種台裝置的製造方法，係包括： 設置支撐基板並使其可在2度空間平面內移動的第1 38 ---------装--^----訂.------0 {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺i逋用中8國家榇準（CNS ) A4规格（210X297公釐) ^ 8 8 oo 8 ABCD 408364 六、申請專利It圍 可動體： 在前述第1可動體設置在前述2度空間平面內沿伸向 特定的第1軸及與其垂直的第2軸的交叉的方向的第1反 射面； 設置垂直的將測長光束照射至前述第1反射面’並藉 由接收其反射光而測量出前述第1可動體在第3軸方向的 位置的第1干渉計；及 設置依據前述第1干涉計的測量値而計算出前述第1 可動體在前述第1軸及第2軸所規定的直角座標系統上的 位置座標的演算裝置。 133.如申請專利範圍第132項所記載之台裝置的製造 在靖述第1可動體設置沿伸向前述的第2軸方向的第 2反射面； 設置將測長光束垂直的照射至前述第2反射面’並藉 由接受其反射光而測量前述第1可動體在前述第1軸方向 的位置的第2干涉計； 前述演算裝置會依據前述第1干渉計的測量値而計算 出前述第1可動體在前述第2軸方向的位置座標。 B4如，請專利範圍第133項所記載之台裝置的製造 中: Wrnmm 1可動體，設置在前述2度空間平面內與前 述第1軸及與其垂直的第2軸交叉，並延伸於與前述第1 反射面不同方向的第3反射面； 39 本紙張纽適用中關家標準（CNS ) A4AMS· ( 21GX297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ___g " 1 '' .............. 一 六、申請專利範園 設置垂直的將測長光束照射至前述第3反射面，並籍 由接收其反射光而測量出前述第1可動體在第4軸方向的 置的第3干涉計； 且前述演算裝置會依據前述第1及第3干涉計的測量 値而計算出由前述前述第1軸及第2軸所規定的台座標系 統上的前述第2軸方向的位置。 135·—種掃描型曝光裝置的製造方法，係對基板曝光 並將形成於光罩的圖案轉寫至基板上的掃描型曝光裝置的 製造方法，係包括： 藉由分別的設置：支撐基板並使其在2度空間平面內 移動的基板台、及、設置於前述基板台，並沿伸向與在前 述2度空間平面內的特定的第1軸及與其垂直的第2軸交 叉的方向的第1反射面、及、垂直的將測長光束照射至前 述第1反射面，並藉由接收其反射光而測量出前述基板台 在第3軸方向的位置的第1干涉計、及、依據前述第1干 涉計的測量値而計算出前述基板台在前述第1軸及第2軸 所規定的直角座標系統上的位置座標的演算裝置；而製'造 出台裝置，而且， 也設置支撐光罩的光罩台、及、 設置使前述光罩台及基板台同步，並沿著前述第1軸 方向做相對移動的台控制系統； 此處，掃描型曝光裝置係在前述台控制系統使前述光 罩台及前述基板台做相對移動時’將形成於前述光罩的圖 案轉寫至前述基板台上的基板。 40 本紙張尺度速用中圉國家搮準（CNS ) A4洗格（210Χ29ϋ) _ " 〜-- C#先《讀背面之注意事項再填寫本頁) '1Τ 線 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 136. —種台裝置的製造方法，係包括： 設置定盤； (請先聞讀背面之注^h項再填寫本頁) 設置可相對於前述定盤而做相對移動，而且切支撐基 板的第〗可動體； $ 設置將前述第1可動體配置於其上部，而且耐分別對 前述定盤及前述第1可動體做相對移動的第2可動體；及 在前述第2可動體設置可在2度空間平面內移動前述 弟1可動體的驅動裝置； 此處，前述第2可動體係對應於由前述第1耐動P的 移動所產生的反作用力而移動。 137. —種掃描型曝光裝置的製造方法，係包括： 製造出藉由分別的設置：定盤、及、可相對於前述定 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 盤而做相對移動，而且可支撐基板的第1可動體、及、將 前述第1可動體配置於其上部，且係配置於前述定盤上， 而且可分別對前述定盤及前述第1可動體做相對移動的第 2可動體、及、設置於前述第2可動體，並可在2度空間 平面內移動前述第1可動體的驅動裝置，而使前述第2司1 動體係對應於由前述第1可動體的移動所產生的反作用力 而移動；的台裝置，而且， 也設置支撐光罩的光罩台、及、 設置具有分別與前述光罩及前述基板垂直的光軸的投 影光學系統、及、 設置支撐前述第1架台的防震裝置； 此處，掃描型曝光裝置係藉由前述光罩台及前述台裝 41 冢紙張尺度適用中國圃家揉準（CNS > A4規格（210X297公嫠) ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置兒童部的移動述光罩及前述基板，並經由前述投影光學 系統而將前述光罩的圖案轉寫至基板上。 138. —種掃描型曝光裝置的製造方法，係使光罩及基 板同步的移動，並將前述光罩的圖案轉寫至前述基板上的 掃描型曝光裝置的製造方法；係包含： 設置載置了前述基板的基板台； 在前述基板台設置在沿伸向分別與前述基板同步移動 的第1方向及與其垂直的第2方向交叉的方向的第1反射 面、及、沿伸向前述第2方向的第2反射面；及 設置分別將測長光束照射至前述第1及第2反射面的 第1、第2干涉計。 139. —種掃描型曝光裝置，係藉由使光罩及感應基板 同步的移動，而將前述光罩的圖案依序轉寫至前述感應基 板上的複數的攝影區域的掃描型曝光裝置：係具有： 支撐前述感應基板並使其可在2度空間平面內移動的 基板台； 支撐前述光罩並使其可做移動的光罩台；及 對前述兩台進行控制的台控制系統，而此台控制系統 係使爲了在前述基板台完成曝光後進行下一次曝光的助走 動作及爲了下一次曝光而步進向非掃描方向的步進動作可 同時的進行，並使步進向前述非掃描方向的步進動作係在 下一次曝光前的前述兩台的同步調整期間之前結束。 140. 如申請專利範圍第139項所記載之掃描型曝光裝 置，其中： 42 本紙張尺度適用中Ϊ國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 408364 A8 BB C8 D8 六、申請專利範圍 前述台控制系統會控制前述兩台，以使在由前一次攝 影曝光後的則述光罩台的等速移動時間及減速移動時間所 構成的後置掃描時，所對應的前述基板台在非掃描方向的 加速度係大於，在下一次的曝光開始之前的前述光罩台的 前置掃描時，所對應的在非掃描方向的減速度的絕對値。 141.一種掃描曝光方法，係將光罩的圖案依序轉寫至 基板上的複數的區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係： 同步的移動前述光罩及前述基板，並對前述複數的區 劃區域之一進行掃描曝光， 並爲了要對在與削述基板问步移動的第1方向垂直的 第2方向上係與前述的1區劃區域鄰接的另一個區劃區域 進行掃描曝光，而在前述的1區劃區域的掃描曝光結束後 的前述基板在前述第2方向上的步進動作結束之前，使前 述基板在前述第1方向上開始進行加速。 I42·如申請專利範圍第H1項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 前述基板在前述的另一個區劃區域做掃描曝光之前， 會由於前述加速而傾斜的移動向前述第1及第2方向，而 且前述第1方向的移動速度係設定爲對應於前述基板的感 度特性的速度。 143.如申請專利範圍第141項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在對前述的1區劃區域完成掃描曝光之後，在前述第 1方向上使前述基板離開用以對前述的另一個區劃區域做 43 本紙張尺度逍用中國囲家揲準< CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先間讀背面之注$項再填寫本頁) T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 掃描曝光所需要的助走距離，而使前述基板在第1方向上 持續的減速的在前述第2方向上移動。 144. 如申請專利範圍第142項所記載之掃描曝光方法 ，其中·_ 在對則述的1區劃區域完成掃描曝光;之後，在前述第 1方向上使前述基板離開用以對前述的另一個區劃區域做 掃描曝光所需要的助走距離，而使前述基板在第1方向上 持續的減速的在前述第2方向上移動。 145. 如申請專利範圍第141-144項中任何一項所記載 之掃描曝光方法，其中： 在前述的1區劃區域的掃描曝光及前述的另一個區劃 區域的掃描曝光之間，使前述基板的移動係至少是前述第 1方向的速度成分及前述第2方向的速度成分之一不爲零 〇 146•如申請專利範圍第141〜144項中任何一項所記載 之掃描曝光方法，其中： 在則述的1區劃區域的掃描曝光及前述的另一個區劃 區域的掃描曝光之間，使前述基板的移動係：在前述第1 方向的移動速度爲零時的前述第2方向的位置係較接近前 述的另一個區劃區域而較遠離於的1區劃區域。 •如申請專利範圍第145項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述的1區劃區域的掃描曝光及前述的另一個區劃 區域的掃描曝光之間，使前述基板的移動係：在前述第1 I ^1 ^ ^ 11 n n »1, 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中固國家橾準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 as _§__ 六、申請專利範圍 方向的移動速度爲零時的前述第2方向的位置係較接近前 述的另一個區劃區域而較遠離於的1區劃區域。 148.—種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板’ 並以前述光罩的圖案來分別對沿著與前述基板的同步移動 方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的第 1區劃區域及第2區劃區域進行掃描曝光的方法，其特徵 係： 在對前述第1區劃區域完成掃描曝光後，在一直到前 述基板在第1方向的速度變爲零爲止，係持續的使前述基 板減速並使其在第2方向上移動；而且在對前述第2區劃 區域進行掃描曝光前，係持續的使前述基板在前述第1方 向上加速的在第2方向上移動。 如申請專利範圍第148項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 15〇_—種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並以前述光罩的圖案來分別對與沿著前述基板的同步移動 方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的第 1區劃區域及第2區劃區域進行掃描曝光的方法，其特徵 係： 在對前述第1區劃區域完成掃描曝光後，在移動前述 基板以使其移動軌跡約爲放物線狀之後，以前述光罩的圖 案來對前述第2區劃區域進行掃描曝光。 45 本紙張尺度適用中國囷家標丰（CNS ) A4規格（210X297公 --------——-----ΐτ-----^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 151. 如申請專利範圍第150項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述基板在前述第2方向的速度成份變爲零之前， 前述光罩便開始加速。 152. 如申請專利範圍第151項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 153. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案分別轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 在前述第1區劃區域完成掃描曝光後的前述基板的減 速中、及、在對前述第2區劃區域進行掃描曝光前的前述 基板的加速中，使前述基板移動向與前述第1及第2方向 交叉的方向。 154. 如申請專利範圍第153項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 155. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫與沿著前述基板的同步移動 方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的第 46 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國®家揉牟（CNS ) A4洗格（210X297公釐） A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍 1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係： 在前述第1區劃區域完成掃描曝光之後，在前述基板 在前述第2方向的位置係成爲與前述第2區劃區域的前述 第2方向的位置一致之前，便使前述基板爲了前述第2區 劃區域的掃描曝光而開始加速。 156. 如申請專利範圍第155項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 157. 如申請專利範圍第M5項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 會移動前述基板，而在前述第1區劃區域完成掃描曝 光之後，在前述基板在前述第1方向的速度成份變爲零之 前，便使前述基板開始對前述第1方向做傾斜的移動，而 且，在前述基板開始加速之後的瞬間，使前述第1及第2 方向的各速度成份均不會變爲零 158. 如申請專利範圍第157項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 i 159.—種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 47 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > Μ規格（210X297公^ ^ (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 A8 ΰΒ C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 在對前述第1區劃區域完成掃描曝光後’在前述基板 在前述第2方向的速度成份變爲零之前’便使前述基板爲 了前述第2區劃區域的掃描曝光而開始加速。 160. 如申請專利範圍第159項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 使前述基板在前述第1方向加速’並在前述第2方向 減速。 161. 如申請專利範圍第159或者是16〇項所記載之掃 描曝光方法，其中： 在對第1區劃區域完成掃描曝光後，前述基板在前述 第1方向的速度成份變爲零之前，便使前述基板開始在前 述第2方向上加速。 162. 如申請專利範圍第159項所記載之掃描曝光方法 ’其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 163. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 在前述第1區劃區域完成掃描曝光之後，使前述基板 在前述第1方向的速度成份變爲零時的前述基板在前述第 48 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-β i 適用中國爾家揉準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408364 A8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 2方向的位置，係較前述第2區劃區域在前述第2方向的 位置更爲靠近前述第1區劃區域側，而且也相對於前述第 1及第2方向，來傾斜的移動前述基板。 164. 如申請專利範圍第163項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 165. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 爲了要使前述基板在前述第1區劃區域的第1掃描曝 光及前述第2區劃區域的第2掃描曝光進行逆向移動，而 在前述第1區劃區域完成掃描曝光之後，使前述基板在前 述第1方向的速度成份變爲零，並在前述第2掃描曝光之 前，使前述基板加速而使其在前述第1及第2方向的各速 度成份不會變爲零。 166·如申請專利範圍第165項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 1ό7·—種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 49 本紙張尺度適用中ΐ國家檁準（CNS ) A4現格（210X297公釐） ---------^—-----訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 40^64 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，而此方法 的特徵係：在前述第1區劃區域的第1掃描曝光及前述第 2區劃區域的第2掃描曝光之間，使在前述第1區劃區域 完成掃描曝光之後，使前述基板在前述第1方向的速度成 份變爲零時的前述基板在前述第2方向的位置，係位於前 述第1區劃區域在前述第2方向的位置及前述第2區劃區 域在前述第2方向的位置之間。 168. 如申請專利範圍第167項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 169. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在前述第1掃描曝光後的前述基板的減速中、及、在 前述第2掃描曝光前的前述基板的加速中，均不會使前述 基板在前述第2方向的速度成份變爲零的移動前述基板， 並使在前述第1區劃區域的第1掃描曝光及前述第2區劃 區域的第2掃描曝光之間的前述基板的移動軌跡會約爲放 射線狀。 Π0.如申請專利範圍第169項所記載之掃描曝光方法 50 本紙張尺度逍用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 408264 I _______S___ 六、申請專利範圍 ，其中I : 在前述第1掃描曝光結束之後及前述第2掃描曝光開 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 始之前，係使前述基板在前述第2方向的速度成份約爲零 〇 Π1.如申請專利範圍第169項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 172.—種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著前述基板的同步移 動方向的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的 第1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在前述第1區劃區域的第1掃描曝光及前述第2區劃 區域的第2掃描曝光之間，使在前述第1區劃區域完成掃 描曝光之後，在前述基板在前述第1方向的速度成份變爲 零之前，便使前述基板在前述第2方向開始加速；而且， 在前述基板在刖述第2方向的速度成份變爲零之前，便使 前述基板在則述第1方向開始加速。 W3.如申請專利範圍第172項所記載之掃描曝光方法 ，其φ : 在前述基板在前述第2方向進行減速中，便使前述基 板開始在前述第1方向加速。 174.如申請專利範圍第Π3項所記載之掃描曝光方法 51 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 400^64 六、申請專利範圍 ，其中： &MI述第1掃描曝光結束之後的前述基板的減速中， 便使前述基板開始在前述第2方向加速。 1?5.如申請專利範圍第173項所記載之掃描曝光方法 ，其中： ^前述第1掃描曝光結束之後的前述基板的減速中， 便使前述基板開始在前述第2方向加速。 176.如申請專利範圍第Π2〜Π5項中任何一項所記載 之掃描曝光方法，其中： 在刖述第1區劃區域的掃描曝光及前述第2區劃區域 的掃描曝光之間，前述基板會是不停止的持續的移動。 177·—種掃描曝光方法，係對基板上的每一個區劃區 域’同步的移動光罩及前述基板，並將前述光罩的圖案依 序轉寫至前述基板上的複數的區劃區域的步進掃描方式的 掃描曝光方法，其特徵係： 在藉由前述光罩的往返移動而轉寫了前述光罩的圖案 的2個區劃區域之間，使前述基板係不會停止的持續移動 〇 1M.如申請專利範圍第項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 一直到應該轉寫的前述光罩的圖案在前述基板上的最 後的區劃區域的掃描曝光完成爲止，會持續的移動前述基 板並使前述基板在做同步移動的第1方向及與其垂直的第 2方向的至少一方的速度成份不會變爲零。 52 本紙張凡度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 訂-----線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 64 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 179. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至前述基板上的1或2以上 的區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係： 在對前述各區劃區域進行掃描曝光時，在同步的移動 前述光罩及前述基板之前，會至少使前述光罩及前述基板 之一係沿著前述同步移動方向而加速，而且其加速度係爲 逐漸的收束至零的加速曲線。 180. 如申請專利範圍第179項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著與前述基板的 同步移動的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上 的第1區劃區域及第2區劃區域時， 在前述第1區劃區域的掃描曝光後的前述基板在第1 方向的減速中在前述第2區劃區域的掃描曝光前的前述基 板在第1方向的加速中，均使前述基板在與前述第1及第 2方向交叉的方向移動》 181. —種掃描曝光方法，係同步的移動光罩及基板， 並將前述光罩的圖案依序轉寫至與沿著與前述基板的同步 移動的第1方向垂直的第2方向而配列的前述基板上的第 1區劃區域及第2區劃區域的掃描曝光方法，其特徵係： 在至少對前述第1區劃區域進行掃描曝光時’在同步 的移動前述光罩及前述基板之前’會至少使前述光罩及前 述基板之一係沿著前述第1向而加速’而且其加速度係爲 逐漸的收束至零的加速曲線；而且在完成前述同步移動後 53 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4说格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4〇ΒΖβ4 Η D8 六、申請專利範圍 ，使其以一定的減速度而沿著前述第1向減速。 182·如申請專利範圍第iso項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在前述第1區劃區域的掃描曝光後的前述基板在第】 方向的減速中在前述第2區劃區域的掃描曝光前的前述基 板在第1方向的加速中，均使前述基板在與前述第1及第 2方向交叉的方向移動。 183. —種掃描曝光方法’係相對於照射了能量束的區 域來同步的移動光罩及基板，並將前述光罩的圖案轉寫至 前述基板上的掃描曝光方法，其特徵係： 一邊加速光罩及基板，一邊開始移動， 使光罩及基板之一的加速度連續的下降直到使光罩及 基板變爲等速度爲止， 在該光罩及基板以等速度移動時，進行掃描曝光。 184. 如申請專利範圍第183項所記載之掃描曝光方法 ，其中： 在該光罩及基板以等速度移動之後，以一定的減速度 使光罩及基板之一減速。 185. —種掃描型曝光裝置的製造方法，係藉由使光罩 及感應基板同步的移動，而1將前述光罩的圖案依序轉寫至 前述感應基板上的複數的攝影區域的掃描型曝光裝置的製 造方法；其特徵係包含： 設置支撐前述感應基板並使其可在2度空間平面內移 動的基板台； 54 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-0 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8
    408364 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設置支撐前述光罩並使其可做移動的光罩台；及 設置對前述兩台進行控制的台控制系統，D而此台控制 系統係使爲了在前述基板台完成曝光後進行下一次曝光的 助走動作及爲了下一次曝光而步進向非掃描方向的步進動 作可同時的進行’並使步進向前述非掃描方向的步進動作 係在下一次曝光前的前述兩台的同步調整期間之前纟士 186_—種光學微影裝置；其特徵係具備了：申α請專利 範圍第49或是95項所記載之台裝置。 187·如申請專利範圍第186項所記載之光學微影裝置 ’其更具備：以照明光束來對被支撐於第1可動體的感光 基板進行曝光的曝光系統。 188‘如申請專利範圍第187項所記載之光學微影裝窗 ，其中： 前述曝光系統係包含：將前述照明光束照射至光章白勺 照明系統、及、將前述照明光束投射至前述感光基板的投 影系統。 189.如申請專利範圍第187或是188項所記載之光攀 微影裝置，其中： 前述照明光束係遠紫外線、真空紫外線、X光、及、 帶電粒子束之一。 190. —種微小元件，係： 使用申請專利範圍第23、31、46 項所記載之曝光方法所製造。 191. 一種微小元件，係： 55 及、47項中任何 m n ^1 ^1! - n n n n u n I I I» in , 線 (請先閱讀背面之注寒項再填寫本頁} 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Λ8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍 使用申請專利範圍第127、141、148、150、153、155 、157、159、163、165、167、172、177、179、及、181 項中任何一項所記載之曝光方法所製造。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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