TW393745B - Manufacturing method of a semiconductor device and apparatus used to process epoxy encapsulation operation - Google Patents

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TW393745B
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TW
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resin
cavity
mold
semiconductor device
flip
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Application number
TW087116822A
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Teikou Odashima
Mikio Matsui
Yoshiaki Sugizaki
Takahito Nakazawa
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

五、發明説明^ ) 【發明之所屬技術領域】 本發明係關於倒裝片（flip-chip)型半導體裝置之樹 脂塡充者，特別是關於使用液狀樹脂之塡充方法。 【習知之技術】 將矽半導體等之半導體元件（以下，稱爲半導體晶片 )倒裝片式地連接於電路基板而構成之倒裝片型半導體裝 置爲所周知。倒裝片式連接係將作爲外部連接電極被安裝 之凸點（bump )電極或突起電極（以下，稱爲凸點）連接 於電路基板之連接方法。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (讀先閱讀背面之注意事項再填湾本頁) 丁 圖16 (b)係習知之倒裝片型半導體裝置之剖面圖 。具備凸點3之半導體晶片2經由凸點3被連接於配線基 板1。在配線基板1之例如裡面形成連接電極（未圖示出 )，由被形成於半導體晶片2之積體電路來之信號或進入 此積體電路之信號進出外部電路地被構成。被安裝於半導 體晶片2之凸點3與被形成於配線基板1之連接電極係經 由被形成於配線基板1內部之內部配線（未圖示出）而電 氣地被連接著。此配線基板1與半導體晶片2之間，即凸 點3存在之空間係以樹脂封裝體5被保護著。依據習知之 技術之樹脂封裝體5之形成方法係以如下之工程進行之。 首先，在配線基板1之周邊，由分配噴嘴4 9供給環 氧樹脂等之液狀樹脂3 9。分配噴嘴4 9被安裝於儲存液 狀樹脂之注射器。液狀樹脂3 9利用毛細管現象之毛細管 力量滲透於配線基板1與半導體晶片2之間之內部（圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公楚） -4 - 五、發明説明g ) 15 (a))。即由分配噴嘴49來之液狀樹脂39被滴 下於配線基板1上之周邊（圖15 (b))，其滲透於內 部（圖16 (a))、形成樹脂封裝體5 (圖16 (b) 【發明欲解決之課題】 如上述般地，習知之倒裝片型半導體裝置之樹脂塡充 方法係在被倒裝片接合之半導體晶片之外周的1邊乃至3 邊之一部份，滴下液狀樹脂，將加熱軟化之樹脂利用毛細 管現象使之滲透於半導體晶片與配線基板之間隙。又’對 間隙之樹脂塡充終了後，爲了形成圓角’於預先沒有塗布 之2邊乃至4邊之一部份再度塗布液狀樹脂。此情形之樹 脂塗布工程所需要之時間，在塗布裝置以一台塡補之情形 ，不單是塗布時間，由半導體晶片外周於配線基板之間隙 塡充樹脂之時間也須合計，生產性低。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 又，適用於將半導體晶片搭載於導線架之元件搭載部 ，將被形成於半導體晶片之連接電極與導線架之導線以黏 線（wire bonding )連接之半導體裝置之樹脂封裝體，通常 以下注塑形法被形成。將被適用於此種半導體裝置之下注 塑形法適用於上述倒裝片型半導體裝置，半導體晶片與配 線基板之間隙爲0.2mm之程度，非常之小之故，塡充 不良產生以及成形時之樹脂黏度與塑膠封裝之黏度比較， 十分低乃引起樹脂之滲於四周，會有引起連不要樹脂塡充 之部份也附著之外觀不良之問題。上述半導體晶片與配線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ κ - Λ/ Λ/ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明$ ) 基板之間隙有變窄至0.01〜0.1mm之傾向，問題 更爲擴大。 本發明係鑑於此種情事而成者，在於提供：於半導體 晶片與配線基板之間隙樹脂封裝體均勻地短時間被形成之 倒裝片型半導體裝置之製造方法及此倒裝片型半導體裝置 之樹脂封裝體可以容易地被形成之樹脂封裝裝置。 【解決課題用之手段】 本發明係在倒裝片型半導體裝置之半導體晶片與配線 基板之間隙以及其之外周形成樹脂封裝體之樹脂塡充方法 ，其特徵爲：經由下注塑形或藉由螺桿加壓注入，使用收 容半導體晶片之成形模，由被設於加熱、減壓狀態下之成 形模之內部（模穴）之入口（澆口），藉由柱塞將液狀樹 脂押入塡充於模穴內。 又，本發明之樹脂封裝裝置之特徵爲具有：收容倒裝 片型半導體裝置之半導體晶片與配線基板，至少具有1個 之澆口之模穴被形成之成形模，以及使模穴成爲減壓狀態 之手段，以及使成形模昇溫之手段，以及具有將液狀樹脂 由澆口加壓注入之柱塞或螺桿之手段。 與圖1 5以及圖1 6所示之樹脂塡充法比較，在半導 體晶片與配線基板之間隙，樹脂封裝體均勻地被短時間內 形成。又，本發明之樹脂封裝裝置，在被設置複數之模穴 之情形，經由在成形模之外部設置彈性體可以成形模補正 配線基板之偏差，可以獲得均勻之靠模。又，藉由在配線 (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 訂 .•泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規将< 210X297公摄) -6-
五、發明説明# ) 基板上抵接彈性體，可以防止配線基板上之流出於不必要 之地方。再者，藉由在成形模之上模與下模之間，設置荷 重承受部，可以控制模穴厚度。 經满部中夹標準局員工消費合作社印製 【發明之實施型態】 以下，參考圖面說明發明之實施型態。 本發明之特徵爲：將至少1個之半導體晶片之凸點被 電氣地連接於被外端子被形成之配線基板之倒裝片型半導 體裝置搭載於被加熱、減壓狀態下之樹脂封裝用成形模， 在此減壓狀態之樹脂封裝用成形模藉由下注塑形方式加壓 注入樹脂，以將上述半導體晶片以及配線基板樹脂封裝之 。以下分別使用樹脂封裝成形模說明第1實施例以及第2 實施例。 首先，參考圖1至圖4說明第1實施例之半導體裝置 之製造方法以及藉由此方法被形成之倒裝片型半導體裝置 〇 圖1以及圖2係說明樹脂之塡充方法之樹脂封裝用成 形模之剖面圖，圖3係倒裝片型半導體裝置之剖面圖以及 平面圖，圖4係詳細說明使用於圖3之半導體裝置之配線 基板以及半導體晶片之部份剖面圖。 成形模係密閉上模（第1模）3 0以及下模（第2模 )3 2以形成收容半導體晶片等之被封裝體之模穴3 8。 在此實施例中，被封裝體之倒裝片型半導體裝置之配線基 板1以及被fe·載於此之半導體晶片2被收容著。接近模穴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l· Γ
L 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A<l規格（210X297公t) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _ 五、發明説明έ ) 38 ’排氣溝（排氣孔）36被形成於上模30。排氣溝 3 6係被形成於接近模穴3 8之一部份，例如4角落，在 排氣溝3 6之前端形成排氣溝以上之深度之偷料部5 0以 作爲切斷配線基板1之面之偷料部份。在下模3 2形成收 容熱硬化性之環氧樹脂等之液狀樹脂之孔口（ port) 3 3 。孔口 3 3之中柱塞4 0可以進出自如地移動。由孔口 3 3至模穴3 8止，形成流道3 4、澆口 3 5與樹脂路徑 〇 於成形時，倒裝片型半導體裝置之半導體晶片2以及 配線基板1被置於成形模之例如下模32(圖1(a)) 。接著，被儲存於注射器（未圖示出）之液狀樹脂3 9藉 由分配噴嘴4 9 (參考圖15)，利用空氣壓力適量地供 給於孔口 3 3。在成形模藉由模之閉合，於成形部形成模 穴（密閉空間）3 8。爲了使此模穴成爲高真空度空間， 在成形模周圍配置例如氟橡膠之減壓用封環3 7。減壓用 封環3 7爲了縮短真空到達時間，做成在完全模閉前上下 模間爲1 m m程度，即使保持數秒間之情形，也可以獲得 高真空度之構造。在進行成形時’最初在完全模閉前，使 模穴38成爲lOTo r r以下之高真空。而且，完全閉 合成形模。孔口 3 3之液狀樹脂3 9被押入柱塞40 ’通 過流道34，由澆口 35往模穴38移動（圖1 (b)) 。液狀樹脂3 9雖然在孔口 3 3內預先被供給有相當於適 量樹脂量之體積份以上之空間’但是使用之液狀樹脂之黏 度低之故，會有樹脂流出於孔口與柱塞之間隙。因此，爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（21〇'乂297公赴) _8_ (誚先閱讀背面之注意事項再填本頁)
五、發明説明$ ) 了使孔口與柱塞之間隙儘可能地小，也可能在柱塞外周形 成相當於封環之鐵氟龍（Teflon)之環，以使柱塞外型合 於孔口內徑。當然最好做成環可以更換，在磨耗等產生時 可以快速地更換之構造。 往模穴3 8之樹脂注入口之澆口 3 5雖然被設於倒裝 片型半導體裝置外周之一部份，但是在形成於側面之情形 ，也有在半導體晶片2之1邊形成澆口之情形。又，爲了 防止在倒裝片型半導體裝置之配線基板1上，樹脂成形後 殘留之問題，也可以將澆口設置於半導體晶片上面部。 液狀樹脂3 9以1〜2 OMP a之程度被持續加壓（ 圖2 ( a ))。加壓至液狀樹脂3 9沒有空隙（void )止 ，也確認在凸點存在之配線基板1與半導體晶片2之間被 均勻地塡充了樹脂後，才停止加壓（圖2 ( b ))。被注 入之樹脂被硬化，去除半導體晶片2被封裝之樹脂封裝體 4之多餘的樹脂，形成了倒裝片型半導體裝置。 藉由此樹脂塡充方法，在短時間內液狀樹脂可以均勻 地塡充於配線基板1與半導體晶片2之間、及凸點間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 接著，參考圖3說明經由上述方法被形成之倒裝片型 半導體裝置1 0。圖3 ( a )係半導體晶片2露出於半導 體裝置之上面之形式，圖3 ( c )係半導體晶片2被覆蓋 於樹脂封裝體4之中之形式，在圖1以及圖2記載之成形 模中，圖3 ( c )之形式之半導體裝置被形成。在配線基 板1上形成配線（未圖示出）爲半導體晶片2之連接端子 之凸點3被電氣地連接於該配線。配線基板1上之半導體 -9 - 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 五'發明説明f ) 晶片1與凸點3被環氧樹脂等之樹脂封裝體4完全地覆蓋 ’配線基板1之表面之一部份也被樹脂封裝體4覆蓋。 如圖3 ( a )所示般地，配線基板1與半導體晶片2 之間隙d，即凸點3間也均勻地被形成。配線基板與半導 體晶片之間隙d即使在0 . 2 m m以下，凸點間被樹脂均 勻地塡充。又，隨著半導體裝置之小型化，配線基板與半 導體晶片之間隙即使成爲〇.01〜0.1mm之程度， 使用此方法也可以均勻地塡充樹脂。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 接著，參考圖4更詳細說明倒裝片型半導體裝置之半 導體晶片與配線基板之狀態。具備凸點3之半導體晶片2 經由凸點3被連接於配線基板1。鋁等之連接電極2 1被 形成於半導體晶片2之主面。在主面之連接電極2 1被形 成之領域以外藉由氧化膜等之鈍化膜2 2被覆蓋保護著。 在連接電極2 1之表面形成銅等之電鍍膜3 1，在其上連 接由P b _ S b焊錫形成之凸點3。另一方面，在配線基 板1之表面形成配線1 1，其之外藉由光阻膜1 4被覆蓋 。在配線基板1之裡面形成連接電極1 3，連接電極1 3 經由被形成於配線基板1之內部之銅等之內部配線1 2， 與主面之配線1 1電氣地連接。也可以在連接電極1 3裝 置凸點。上述凸點3被連接於配線1 1，由被形成於半導 體晶片2之積體電路來之信號或進入此積體電路之信號由 連接電極13進出外部電路地被構成之。 如本發明之藉由下注塑料方式以形成樹脂封裝體，在 圖1 5所示之習知之技術中，將液狀樹脂塗布於1個之基 -10 - (誚先閱讀背面之注意事項再功5ΐτ本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公t ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 __—_ jr 五、發明説明§ ) 板至形成未塡滿（underfill )止必須1分鐘，但在如本發 明之利用下注塑料方式之樹脂封裝體之形成方法中，只需 其一半程度之時間即可以同時地形成複數的半導體裝置。 接著，參考圖5以及圖6說明第2實施例之半導體裝 置之製造方法。 圖5以及圖6皆係說明樹脂之塡充方法之樹脂封裝用 成形膜之剖面圖。成形模係密閉上膜（第1膜）3 0以及 下膜（第2膜）32以形成收容半導體晶片以及搭載半導 體晶片之配線基板之模穴3 8。在此實施例中，倒裝片型 半導體裝置支配線基板1以及被搭載於此之半導體晶片2 被收容著。排氣溝接近模穴3 8被形成於上膜3 0。在此 成形膜有複數之模穴3 8，排氣溝被形成於此模穴間。而 且，排氣閥4 1被配置於排氣溝。在下膜3 2形成環氧樹 脂等之液狀樹脂被收容之孔口 3 3。柱塞4 0在孔口 3 3 中可以出入自如地移動。由孔口 3 3至模穴3 8形成流道 34、澆口35與樹脂路徑。 於成形時，倒裝片型半導體裝置之半導體晶片2以及 配線基板1被置於成形膜之下膜32 (圖5 (a))。接 著，將被儲存於注射器（未圖示出）之液狀樹脂3 9經由 分配噴嘴，利用空氣壓力被適量地供給於孔口 3 3。在成 形膜藉由膜閉合在成形部形成模穴3 8。爲了使此模穴 3 8成爲高真空度空間，在成形模周圍配置例如氟橡膠之 減壓用封環3 7。此封環3 7爲了縮短真空到達時間，做 成在完全模閉前上下模間爲1 m m程度，即使保持數秒間 本ί氏張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公- 11 -— (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝.
、eT 、泉 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 ____ in 五、發明説明$ ) 之情形，也可以獲得高真空度之構造。 在完全膜閉合前使模穴3 8成爲1 Ο τ 0 r r以下之 高真空。而且’完全閉合成形膜。此時，排氣閥4 1阻止 孔口 3 3與流道3 4之間之樹脂通路（圖5 ( b ))。孔 口 3 3之液狀樹脂3 9受柱塞4 0之壓，將排氣閥4 1上 頂密封住排氣溝。而且，液狀樹脂3 9通過流道3 4，由 澆口35往模穴38移動（圖6 (a))。液狀樹脂39 雖然在孔口 3 3內預先被供給有相當於適量樹脂量之體積 份以上之空間，但是使孔口與柱塞之間隙儘可能小之故， 也可能在柱塞外周形成相當於封環之鐵氟龍（Teflon)之 環，以使柱塞外型合於孔口內徑。當然最好做成環可以更 換，在磨耗等產生時可以快速地更換之構造。 往模穴3 8之樹脂注入口之澆口 3 5雖然被設於倒裝 片型半導體裝置外周之一部份，但是在形成於側面之情形 ，也有在半導體晶片2之1邊形成澆口之情形。又，爲了 防止在倒裝片型半導體裝置之配線基板1上，樹脂成形後 殘留之問題，也可以將澆口設置於半導體晶片上面部。 液狀樹脂3 9以1〜2 OMP a之程度被持續加壓。 加壓至液狀樹脂3 9沒有空隙止，也確認在凸點存在之配 線基板1與半導體晶片2之間被均勻地塡充了樹脂後，才 停止加壓（圖6 ( b ))。之後，被注入之樹脂被硬化， 去除半導體晶片2被封裝之樹脂封裝體4之多餘的樹脂， 形成了倒裝片型半導體裝置。 藉由此樹脂塡充方法，在短時間內液狀樹脂可以均勻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •Γ 裝.
、1T 丨^ • LH .^ϋ It · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公t ) -12- 五、發明説明彳〇 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 地塡充於配線基板1與半導體晶片2之間、及凸點間。 接著，參考圖7說明第3實施例。 圖7係被使用於半導體裝置之製造方法之樹脂封裝用 成形膜之剖面圖。此實施例在成形膜之構造上有特徵，孔 口等之樹脂流路部份以及排氣部份之圖示被省略。在此成 形膜中，形成沒有被塗布厚的塗層之樹脂封裝體之圖3 ( a)所示的薄的倒裝片型半導體裝置。 成形膜係密閉上模（第1模）3 0以及下模（第2模 )3 2以形成收容半導體晶片等之被封裝體之複數的模穴 3 8。在此實施例中，被封裝體之倒裝片型半導體裝置之 配線基板1以及被搭載於此之半導體晶片2被收容著。上 膜3 0被第1保持器4 4保持著，下膜3 2被第2保持器 保持著。 於成形時，倒裝片型半導體裝置之半導體晶片2以及 藉由凸點3半導體晶片2被連接著之配線基板1被置於成 形模之下模3 2。在成形模藉由模之閉合，於成形部形成 模穴（密閉空間）3 8。爲了使此模穴成爲高真空度空間 ，在第1以及第2保持器44、4 5之周圍配置氟橡膠等 之減壓用封環4 3。此封環4 3爲了縮短真空到達時間， 做成在完全模閉前上下模間爲1 mm程度，即使保持數秒 間之情形，也可以獲得高真空度之構造。在進行成形時， 最初在完全模閉前，使模穴38成爲lOTo r r以下之 高真空。之後，完全閉合成形膜往模穴3 8注入液狀樹脂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 裝_ 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐〉 -13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印黎 A" ]Γ Γ η | | -------I ι·* ... » . .一•一 .. _| ·ι· _—·* ... ·--«，-“· >» 1 1 Ι· 五、發明説明彳1 ) 在下膜3 2之模穴3 8沒有形成之領域設置突起部 4 2，使其抵接於上模3 0。此突起部4 2係荷重承受部 ，抑制對配線基板之過負荷，可以控制模穴3 8之厚度。 接著，參考圖8說明第4實施例。 圖8係被使用於半導體裝置之製造方法之樹脂封裝用 成形膜之剖面圖。此實施例在成形膜之構造上有特徵，孔 口等之樹脂流路部份以及排氣部份之圖示被省略。在此成 形膜中，形成沒有被塗布厚的塗層之樹脂封裝體之半導體 晶片露出之圖3 ( a )所示的薄的倒裝片型半導體裝置。 成形膜係密閉上模（第1模）3 0以及下模（第2模 )3 2以形成收容半導體晶片等之被封裝體之複數的模穴 3 8。在此實施例中，被封裝體之倒裝片型半導體裝置之 配線基板1以及被搭載於此之半導體晶片2被收容著。上 膜3 0被第1保持器4 4保持著，下膜3 2被第2保持器 保持著。 於成形時，倒裝片型半導體裝置之半導體晶片2以及 藉由凸點3半導體晶片2被連接著之配線基板1被置於成 形模之下模3 2 »在成形模藉由模之閉合，於成形部形成 模穴（密閉空間）3 8。爲了使此模穴成爲高真空度空間 ，在第1以及第2保持器44、4 5之周圍配置氟橡膠等 之減壓用封環4 3。此封環4 3爲了縮短真空到達時間， 做成在完全模閉前上下模間爲1 mm程度，即使保持數秒 間之情形，也可以獲得高真空度之構造。 在進行成形時，最初在完全模閉前，使模穴3 8成爲 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本莨) Γ 裝· 丁 --0 • LI m Lr 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -14- 五、發明説明彳2 ) 1 OTo r r以下之高真空。而且，完全閉合成形膜往模 穴3 8注入液狀樹脂》在下膜3 2之模穴3 8沒有形成之 領域設置突起部4 2，使其抵接於上模3 0。此突起部 4 2係荷重承受部，抑制對配線基板之過負荷，可以控制 模穴3 8之厚度。 在此實施例之成形模中，其特徵爲：在與上模3 0之 配線基板1接觸部份設置氟橡膠等之第1彈性體4 6，在 上模3 0之上部設置氟橡膠等之第2彈性體4 7。第1彈 性體4 6係爲了防止往配線基板1之不必要的液狀樹脂之 流出而形成，第2彈性體4 7係爲了以成形模補正配線基 板1之偏差以獲得均勻之靠模而形成。 接著，參考圖9以及圖1 0說明第5實施例。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖9以及圖11係被使用於半導體裝置之製造方法之 樹脂封裝用成形模之模穴以及澆口之位置關係剖面圖。此 實施例之特徵在於成形模之模穴與澆口之配置。澆口 3 5 係使液狀樹脂由孔口通過流道以供給於模穴之入口。利用 習知之下注塑料方式係被搭載於導線架之半導體裝置。此 以下注塑料形成此半導體裝置之樹脂封裝體上，必須在搭 載導線架之樣子下收容於成形模。此情形，在模穴之周邊 由於導線架存在之故，澆口位置及大小有限制。在本發明 中，不利用導線架之故，液狀樹脂在均勻狀態下被注入模 穴地，可以將任意數目之澆口配置於任意之位置。圖皆係 顯示被配置於半導體晶片2被收容之模穴3 8之澆口 3 5 之狀態。如圖示般地，澆口以可以形成於半導體晶片之上 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規掊（210X297公1 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ___ ΙΓ 五、發明説明彳3 ) 面。澆口之長度適當爲設定成晶片周長之5〜9 5%。 接著，參考圖1 0以及圖1 2說明第6實施例。 圖10以及圖12係被使用於半導體裝置之製造方法 之樹脂封裝用成形模之模穴以及排氣溝之位置關係剖面圖 。此實施例之特徵在於成形模之模穴與排氣溝之配置。在 本發明中，使模穴3 8成爲減壓狀態以成形之故，排氣溝 3 6很重要。排氣溝3 6例如接近模穴3 8之4角落被形 成。與澆口同樣地被形成於模穴3 8之周圍。在本發明中 ，如果不在澆口之上配置排氣溝3 6，排氣溝3 6可以在 均勻狀態使模穴成爲減壓狀態地，可以將任意數目、任意 大小之澆口配置於任意之位置。圖也都是顯示被配置於半 導體晶片2被收容之模穴3 8之排氣溝3 6之狀態。 接著，參考圖13說明第7實施例。 圖13係說明樹脂之塡充方法之樹脂封裝用成形模之 剖面圖。成形膜係密閉上模（第1模）3 0以及下模（第 2模）3 2以形成收容半導體晶片以及搭載半導體晶片之 配線基板之模穴3 8。排氣溝接近模穴3 8被形成於上模 3 0。在排氣溝之前端形成排氣溝以上之深度的偷料部 5 0以作爲切斷配線基板1之面之偷料部。在排氣溝被配 置有排氣閥5 1，液狀樹脂在被注入模穴3 8時，排氣閥 5 1封住排氣溝地構成之。在下模3 2形成環氧樹脂等之 液狀樹脂被收容之孔口 33。孔口 33之中，柱塞40可 以進出自如地移動。由孔口 3 8至模穴3 8形成流道、澆 口及樹脂路徑。 {"先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝· 、1T. '泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公t ) -16- 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 to. \v *·· 1 1 ι·ι I —I «·» . . . · . >. ^, - ·ι . , , 五、發明説明Η ) 成形時，半導體晶片2以及配線基板1被置於成形模 之下模3 2。半導體晶片2被配置於極爲接近上模之內面 之故，不會形成過厚之塗層，而形成圖3 ( a )所示之半 導體裝置。在成形膜藉由膜閉合在成形部形成模穴3 8。 爲了使此模穴3 8成爲高真空度空間，在成形模周圍配置 氟橡膠等之減壓用封環3 7。此封環3 7爲了縮短真空到 達時間，做成在完全模閉前上下模間爲1 m m程度，即使 保持數秒間之情形，也可以獲得高真空度之構造。進行成 形時，最初在完全膜閉合前使模穴3 8成爲1 Ο T 〇 r r 以下之高真空（圖13 (a))。而且，完全閉合成形膜 (圖13 (b))。以下，樹脂注入工程與之前之實施例 相同。 接著，參考圖1 4說明第8實施例。 圖14係說明樹脂之塡充方法之樹脂封裝用成形模之 剖面圖。此成形模與圖5係同樣之構造，排氣溝與排氣閥 4 1被形成於模穴3 8之間。 成形時，半導體晶片2以及配線基板1被置於成形模 之下模3 2。半導體晶片2被配置於極爲接近上模之內面 之故，不會形成過厚之塗層，而形成圖3 ( a )所示之半 導體裝置。在成形膜藉由膜閉合在成形部形成模穴3 8 » 爲了使此模穴3 8成爲高真空度空間，在成形模周圍配置 氟橡膠等之減壓用封環3 7。此封環3 7爲了縮短真空到 達時間，做成在完全模閉前上下模間爲1 m m程度，即使 保持數秒間之情形’也可以獲得高真空度之構造。進行成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297'>T1 ) 「17- ；--「^-- ("先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 '東 .L·. 1 lb 經濟部中央標準局貝工消費合作社印家 h' ____ in - --— -- I I . . —. •一. - * _— - - . ._ _ ,·ι M，—_ 五、發明説明p ) 形時’最初在完全膜閉合前使模穴38成爲1 OTo r r 以下之高真空（圖14 (a))。而且，完全閉合成形膜 (圖14(b))。以下，樹脂注入工程與之前之實施例 相同。 以上，藉由本發明之樹脂塡充方法在短時間內，液狀 樹脂即使在配線基板與半導體晶片之間隙爲0 . 2 m m以 下，也可以在凸點間均勻地塡充樹脂。特別是隨著半導體 裝置之小型化之進展，配線基板與半導體晶片之間隙即使 成爲0.01〜0.1mm之程度也可以充分地應對。 本發明並不限定於上述實施例，包含製造倒裝片型裝 置之種種製造方法以及樹脂封裝裝置。例如，在上述實施 例中，雖然說明了將上述液狀樹脂於上述模穴內藉由柱塞 加壓注入之方法，但在本發明也可以使用經由螺桿加壓注 入之方法（參考圖17)。 【發明之效果】 如上述般地，依據本發明與習知者比較，於短時間內 液狀樹脂可以均勻地塡充於配線基板與半導體晶片之微細 的間隙中。 【圖面之簡單說明】 圖1係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成形 模之剖面圖。 圖2係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成形 (請先閲讀背面之注意事項再"寫本頁 裝· 訂 '年 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS M4規格（210Χ25Π公釐） -18- 五、發明説明(!6 ) 模之剖面圖。 圖3係本發明之倒裝片型半導體裝置之剖面圖以及平 面圖。 圖4係詳細說明圖3使用之板導體裝置之配線基板以 及半導體晶片之部份剖面圖。 圖5係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成形 模之剖面圖。 圖6係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成形 模之剖面圖。 圖7係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之樹 脂封裝用成形模之剖面圖。 圖8係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之樹 脂封裝用成形模之剖面圖。 圖9係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之樹 脂封裝用成形模之模穴與澆口之位置關係剖面圖。 /圖1 0係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之 樹脂封裝用成形模之模穴與排氣溝之位置關係剖面圖。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印家 圖11係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之 樹脂封裝用成形模之模穴與澆口之位置關係剖面圖。 圖12係被使用於本發明之半導體裝置之製造方法之 樹脂封裝用成形模之模穴與排氣溝之位置關係剖面圖。 圖13係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成 形模之剖面圖。 圖14係說明本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝用成 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297次t ) A Η 7 圖 明S 説0 明之 發模 、 形 五 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖15係說明習知之樹脂塡充方法之半導體裝置之剖 面圖。 圖1 6係說明習知之樹脂塡充方法之半導體裝置之剖 面圖。 圖17係被使用於本發明之樹脂塡充方法之樹脂封裝 用成形模之模型剖面圖。 【標號之說明】 1:配線基板、 2 :板導體晶片、 3 :凸點、 4、5 :樹脂封裝體 10:倒裝片型半導體裝置、 1 1 :配線、 1 2 :內部配線、 13:連接電極 1 4 :光阻膜、 21:連接電極、 2 2 :鈍化膜、 3 0 :上膜、 31:電鍍膜 3 2 :下膜、 3 3 :孔口、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 -裝' 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公t ) - 20 - 五、發明説明彳8 ) 、 部 環 受 封 、承 用 閥重、 、 、 、 壓 、 氣荷器器體體、 、減 脂 排丨持持性性嘴 、、溝：、樹、··部保保彈彈噴部 道口氣 3 穴狀塞 1 起 1212 配料 流澆排 4 模液柱 5 突第第第第分偷 '·# '·····'_ _··_···· 456789012456790 333333444444445 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A8 B8 C8 _ D8六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置之製造方法，其特徵爲具備： 將至少1個之半導體元件經由其之凸點電極被電氣地 連接於具有外部端子之配線基板之倒裝片型半導體裝置搭 載於樹脂封裝用成形膜之工程， 以及在上述半導體裝置被搭載之樹脂封裝用成形模， 將樹脂藉由下注塑料成形加壓注入以將上述半導體元件及 配線基板樹脂封裝之工程。 2 .如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置之製造 方法，其中更加上：於上述樹脂封裝用成形模加壓注入樹 脂之前，將上述半導體裝置被搭載之樹脂封裝用成形模加 熱之工程，以及使上述被加熱之樹脂封裝用成形模內部成 爲減壓狀態之工程。 3 .如申請專利範圍第1或第2項記載之半導體裝置 之製造方法，其中上述被加壓注入之樹脂爲液狀樹脂。 4 . 一種樹脂封裝裝置，其特徵爲具備： 收容至少1個之半導體元件經由其之凸點電極被電氣 地連接於具有外部端子之配線基板之倒裝片型半導體裝置 ，而且以第1模與第2模被形成之模穴， 以及液狀樹脂被注入於上述模穴內之樹脂注入口， 以及使上述模穴內爲減壓狀態之手段， 以及加熱上述第1以及第2模之手段， 以及將上述液狀樹脂藉由柱塞加壓注入或藉由螺桿加 壓注入上述模穴內之手段。 5 .如申請專利範圍第4項記載之樹脂封裝裝置，其 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 - 經濟部中央揉準局男工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中上述樹脂注入口係複數地形成於上述模穴周圍之任意位 置。 6 .如申請專利範圍第5項記載之樹脂封裝裝置，其 中上述模穴平面形狀實質上爲矩形，上述樹脂注入口係被 形成於上述模穴之1整邊。 7 .如申請專利範圍第4項記載之樹脂封裝裝置，其 中更具有將上述模穴內排氣之排氣手段，在塡充液狀樹脂 前使上述模穴成爲減壓狀態。 8 .如申請專利範圍第7項記載之樹脂封裝裝置，其 中在上述第1以及第2模設置排氣閥，在使上述模穴內成 爲減壓狀態時，打開此排氣閥以使上述模穴內排氣，在塡 充液狀樹脂時，使上述排氣閥關閉。 9 .如申請專利範圍第4項記載之樹脂封裝裝置，其 中於上述模穴內，使彈性體接觸上述半導體元件被配置之 領域之上述配線基板。 1 0 .如申請專利範圍第4項記載之樹脂封裝裝置， 其中上述模穴被複數設置，在構成上述模穴之上述第1模 或第2模之外表面，設置補正配線基板之偏差，進行均勻 靠模之彈性體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23-
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