TW201833749A - 積層膜、顯示裝置及輸入裝置 - Google Patents

積層膜、顯示裝置及輸入裝置 Download PDF

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Abstract

本發明有關於一種積層膜，其為依序積層有第1層、第2層及第3層的積層膜。第1層為電阻率為15 μΩ·cm以下的金屬薄膜；第2層為包含40原子%以上、61原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜；第3層為包含50原子%以上、60原子%以下的氧的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜，包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜，或包含50原子%以上、60原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜。本發明的積層膜可提供一種電阻率與反射率均低的積層薄膜（低反射導電膜）。

Description

積層膜、顯示裝置及輸入裝置
本發明是有關於一種具有光吸收性、且用於輸入裝置內的金屬電極中的積層膜，具備所述積層膜的顯示裝置及輸入裝置。
以下，作為輸入裝置的代表例，列舉觸控面板感測器為例來加以說明，但本發明並不限定於此。觸控面板感測器可作為輸入裝置貼合於液晶顯示裝置或有機電致發光（Organic Electro-Luminescence，OEL）裝置等顯示裝置的顯示畫面上而使用。
關於觸控面板感測器的輸入點的檢測方式，可列舉：電阻膜方式、靜電電容方式、光學式或壓電式等。
關於靜電電容方式的觸控面板感測器，作為一例，具有如下結構：於玻璃基板等透明基板上，兩個方向的透明電極正交而配置，並將保護玻璃之類的作為絕緣體的罩被覆於其表面。
作為所述構成的觸控面板感測器中所使用的透明基板，亦可使用顯示裝置中所使用的透明基板。具體而言，可列舉液晶顯示裝置中所使用的彩色濾光片基板或有機EL裝置中所使用的玻璃基板等作為例子。
最近，作為輸入裝置內的電極薄膜，正在研究低電阻的金屬電極薄膜的使用。金屬電極薄膜對於提高接觸靈敏度或降低雜訊而言有效。然而，金屬電極薄膜的反射率高，使用者的肉眼可觀察到即可見，因此，對比度比下降。
因此，專利文獻1揭示了一種觸控面板的電極的形成方法，其特徵在於，為解決將導電性透明圖案單元相互連接的橋電極中的可見性的問題，而於基板上形成互相隔離的多個導電性圖案單元，並於所述導電性圖案單元上形成絕緣層，於所述絕緣層上使用黑色的導電材料而形成所述橋電極。具體而言，作為橋電極，可例示：將Al或Ti等金屬藉由與化學品的反應而黑色化成氧化物、氮化物或氟化物等的方法。
另外，專利文獻2中揭示了一種抗反射膜，其為形成於透明性基板上的抗反射膜，其具備：於膜厚25 nm下波長550 nm的透射率小於10%且主成分為Al的Al系膜；以及形成於所述Al系膜的上層或/及下層，於膜厚25 nm下波長550 nm的透射率為10%以上，並且主成分為Al且至少包含N元素作為添加物的鋁系含N膜，比電阻值為1.0×10-2 Ω·cm以下，所述Al系含N膜面的於可見光區域中的反射率為50%以下。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2013-127792號公報 專利文獻2：日本專利5197418號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，對於專利文獻1所記載的使用化學液的黑化處理而言，於使用膜厚為數百奈米（nm）左右的薄膜作為金屬薄膜時，難以控制黑化層的成長，藉由含有形成黑化層的化合物的高電阻層的增加而容易產生配線的斷線，從而金屬部的膜厚變薄，因而會導致電阻增加。
另外，專利文獻2所記載的Al系膜於膜厚25 nm下的透射率通常為1%以下。因此，若僅將比電阻值為1.0×10-2 Ω·cm以下、所述Al系含N膜面的於可見光區域中的反射率為50%以下的抗反射膜積層於Al系膜，則無法達成如專利文獻2的實施例3-1所示般的，上層膜面側的於波長550 nm下的反射率值為1.6%這一值。
因此，先前，關於如專利文獻2所記載般的於膜厚25 nm下波長550 nm的透射率小於10%且主成分為Al的Al系膜，藉由氧化或氮化抑或添加元素而使其低反射化，或者藉由使膜厚變薄、提高透射率而降低反射率。於利用此種方法使主成分為Al的Al系膜低反射化時，若將包含該Al系膜的積層膜用於配線，則會導致電阻增加，因此，無法用作低反射且低電阻的配線材料。然而，專利文獻2中關於積層膜的電阻並未加以考慮。
本發明是鑒於所述而成者，其目的在於提供一種電阻率及反射率均低的積層薄膜（低反射導電膜）。 [用以解決課題之手段]
本發明者等人反覆進行努力研究的結果發現，藉由採用如下的積層膜可解決所述課題，從而完成了本發明，所述積層膜依序積層有：第1層，電阻率為特定範圍以下且為金屬薄膜；第2層，具有特定組成且為鋁或鋁合金的氮化膜；第3層，具有特定組成且為鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜。
即，本發明為以下的[1]～[3]所述者。 [1]一種積層膜，其為依序積層有第1層、第2層及第3層的積層膜，其中 第1層為電阻率為15 μΩ·cm以下的金屬薄膜； 第2層為包含40原子%以上、61原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜； 第3層為包含50原子%以上、60原子%以下的氧的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜，包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜，或包含50原子%以上、60原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜。 [2]一種顯示裝置，其具備如[1]所記載的積層膜。 [3]一種輸入裝置，其具備如[1]所記載的積層膜。 [發明的效果]
根據本發明，依序積層所述為金屬薄膜的第1層，為鋁或鋁合金的氮化膜的第2層，及為鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的第3層，藉此，可獲得電阻率低，反射性低、導電性及蝕刻加工性優異，且廉價的光吸收薄膜及低反射導電膜，同時能夠穩定地製造。
以下，對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以下的實施形態，於不脫離本發明主旨的範圍內，可任意地進行變形來實施。另外，本說明書中表示數值範圍的「～」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義來使用。「反射率」是指於波長450 nm、550 nm及650 nm下的反射率。另外，「at%」與「原子%」為相同含義。
＜積層膜＞ 圖1～圖4是表示本發明的積層膜10的一結構例的概略剖面圖。圖1的積層膜10於基板1上具備作為導電層的為金屬薄膜的第1層2，於第1層2上具備為鋁氮化膜或鋁合金氮化膜的第2層3，於第2層3上具備為鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的第3層4。只要於第1層與第3層之間配置有第2層即可，亦可如圖2所述般於基板1上具備第3層4，於第3層4上具備第2層3，於第2層3上進而具備第1層2。
另外，亦可如圖3或圖4所示般，於基板1與第1層2的界面、或第1層2的上下層積層密接層或保護層5。較佳為根據成為第1層2的金屬膜的種類，以改善密接性及改善耐蝕性為目的來設置該密接層或保護層5。
（基板） 作為基板的材料，可自聚對苯二甲酸乙二酯（Poly Ethylene Terephthalate，PET）膜或塑膠等的樹脂基板、玻璃基板、矽基板或彩色濾光片基板等先前公知的材料中適宜選擇。基板的厚度根據用途而不同，但通常較佳為0.1 mm～3 mm。
（金屬薄膜：第1層） 關於作為導電層的金屬電極薄膜（以下亦稱為「金屬膜」）即第1層2，作為單膜的電阻率為15 μΩ·cm以下，較佳為10 μΩ·cm以下，更佳為8 μΩ·cm以下。電阻率的下限並無特別限定，但通常為1.5 μΩ·cm以上。若金屬膜的電阻率超過15 μΩ·cm，則需要以作為製成積層膜時的標準的片電阻成為1.5 Ω/cm2 以下的方式積層厚膜。電阻率及片電阻利用四端子法進行測定。
作為金屬膜，就導電性的觀點而言，較佳為純鋁薄膜、鋁合金薄膜、純銅薄膜、銅合金薄膜、純銀薄膜或銀合金薄膜。若鑒於耐熱性及耐化學品性，則更佳為鋁合金薄膜、銅合金薄膜或銀合金薄膜。
作為金屬膜的合金薄膜中可包含的合金成分，例如可列舉：Al、Cu、Ag、Ni、La、Ge、Nd、Ta、Zr、Mn、Bi及Zn等。該些並非主元素的成分的合計含量通常為0.1原子%～3.0原子%。再者，將具體的金屬膜的例子及其電阻率示於表1。
金屬膜可藉由濺鍍法或蒸鍍法等進行成膜。金屬膜的膜厚較佳為50 nm以上，就片電阻的方面而言更佳為80 nm以上。另外，若膜厚變厚，則成膜製程時間變長，因此，較佳為500 nm以下，更佳為350 nm以下。於使用濺鍍法使金屬膜成膜時，可藉由改變濺鍍條件來調整膜厚。
（鋁氮化膜或鋁合金氮化膜：第2層） 為鋁氮化膜或鋁合金氮化膜的第2層3作為光吸收膜而發揮功能。因此，第2層較佳為設於光的入射側或可見側。第2層設於為金屬膜的第1層與為鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的第3層之間。
第2層以金屬膜的低反射化為目的，因此，例如可如圖1所示般設於表面側，亦可如圖2所示般設於基板側，其位置依存於光的入射側或可見側。藉此，實現積層膜的低反射化。
鋁氮化膜或鋁合金氮化膜中，氮的含量為40原子%以上，較佳為45原子%以上。若氮的含量小於40原子%，則單膜反射率高，即使製成積層結構亦無法達成反射率為15.0%以下。氮的含量為61原子%以下，較佳為58原子%以下。若氮的含量超過61原子%，則透射率高，即使製成積層結構亦無法達成反射率為15.0%以下。
關於鋁氮化膜或鋁合金氮化膜的膜厚，根據其組成及積層的金屬膜的種類等而不同，就可進一步降低反射率而言，較佳為20 nm以上，更佳為25 nm以上。若膜厚過厚，則會導致超出成膜製程時間，因此，較佳為200 nm以下，更佳為150 nm以下。
鋁氮化膜或鋁合金氮化膜可藉由濺鍍法或蒸鍍法等進行成膜。於使用濺鍍法使鋁氮化膜或鋁合金氮化薄膜成膜時，可藉由改變濺鍍條件來調整膜厚。
鋁氮化膜或鋁合金氮化膜亦可包含氧（O）、銅（Cu）、釔（Y）、矽（Si）、鈦（Ti）或釹（Nd）等元素或者不可避免的雜質來作為所述成分以外的其他成分。其他成分的含量根據鋁氮化膜或鋁合金氮化膜中的氮含量或其他元素組成而不同。
通常而言，鋁氮化膜或鋁合金氮化膜中氧的含量較佳為10.0原子%以下，更佳為5.0原子%以下。另外，氧的含量較佳為3原子%以上，更佳為5原子%以上。
鋁合金氮化膜中Cu的含量較佳為3原子%以上，更佳為5原子%以上。另外，Cu的含量較佳為20原子%以下，更佳為15原子%以下。
鋁合金氮化膜中Y的含量較佳為1原子%以上，更佳為2原子%以上。另外，Y的含量較佳為2.9原子%以下，更佳為2.5原子%以下。
鋁合金氮化膜中Si的含量較佳為1原子%以上，更佳為1.5原子%以上。另外，Si的含量較佳為3原子%以下，更佳為2.5原子%以下。
鋁合金氮化膜中Ti的含量較佳為0.5原子%以上，更佳為1原子%以上。另外，Ti的含量較佳為7原子%以下，更佳為5原子%以下。
鋁合金氮化膜中Nd的含量較佳為1原子%以上，更佳為2原子%以上。另外，Nd的含量較佳為5原子%以下，更佳為4.5原子%以下。
作為不可避免的雜質，可列舉C、Fe或Mg等金屬元素。不可避免的雜質的含量的上限以合計來計較佳為小於0.1原子%。
（鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜：第3層） 為鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的第3層4是作為用以實現積層膜的低反射化的光學調整層來發揮功能。因此，第3層較佳為設於為鋁或鋁合金的氮化膜的第2層的正上面或正下面。以金屬膜的低反射化為目的，因此，例如可如圖1所示般將第3層設於表面側，亦可如圖2所示般設於基板側，其位置依存於光的入射側或可見側。
於第3層為單層時，其特徵在於以下的（1）～（3）中的任一者。 （1）包含50原子%以上、60原子%以下的氧的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜 （2）包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜 （3）包含50原子%以上、60原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜
所述（1）的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜中氧的含量為50原子%以上。另外，氧的含量為60原子%以下。藉由氧的含量為50原子%以上，可實現低反射性。另外，藉由氧的含量為60原子%以下，可確保利用濕式蝕刻法的加工性。
所述（2）的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜中氧的含量為50原子%以上。另外，氧的含量為60原子%以下。藉由氧的含量為50原子%以上，可實現低反射性，另外，藉由氧的含量為60原子%以下，可確保利用濕式蝕刻法的加工性。
所述（2）的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜中氮的含量為1原子%以上。另外，氮的含量為10原子%以下，較佳為7原子%以下。藉由氮的含量為所述範圍，可確保低反射性與濕式蝕刻加工性。
所述（2）的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜中氧與氮的含量的合計較佳為50原子%以上，更佳為55原子%以上。另外，較佳為65原子%以下，更佳為62原子%以下。藉由氧與氮的含量的合計為55原子%以上，可確保低反射性與高透射性。另外，藉由氧與氮的含量的合計為65原子%以下，可確保濕式蝕刻加工性。
所述（3）的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜中氮的含量為50原子%以上，較佳為55原子%以上。另外，氮的含量為60原子%以下。藉由氮的含量為50原子%以上，可實現低反射性。另外，藉由氮的含量為60原子%以下，可確保濕式蝕刻加工性。
鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的膜厚根據其組成及積層的金屬膜的種類等而不同，就可進一步降低反射率而言，較佳為20 nm以上，更佳為25 nm以上。若膜厚過厚，則會導致超出成膜製程時間，因此，較佳為200 nm以下，更佳為150 nm以下。
鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜可藉由濺鍍法或蒸鍍法等進行成膜。於使用濺鍍法使鋁合金氮化薄膜成膜時，可藉由改變濺鍍條件來調整膜厚。
鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜可包含銅（Cu）、釹（Nd）、鐵（Fe）、碳（C）等元素或不可避免的雜質來作為所述成分以外的其他成分。其他成分的含量根據鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜中的氧含量或氮含量或者其他元素組成而不同。
鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜中Cu的含量較佳為3原子%以上，更佳為5原子%以上。Cu的含量較佳為20原子%以下，更佳為15原子%以下。
鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜中Nd的含量較佳為1原子%以上，更佳為2.0原子%以上。Nd的含量較佳為5原子%以下，更佳為4.5原子%以下。
作為不可避免的雜質，可列舉C、Fe或Mg等金屬元素。不可避免的雜質的含量的上限以合計來計較佳為小於0.1原子%。
（密接層或保護層） 密接層或保護層5根據金屬電極薄膜的種類，以改善密接性或改善耐蝕性為目的而適宜設置。具體而言，例如，於金屬電極薄膜為純鋁薄膜或鋁合金薄膜時，為了抑制由加熱而導致凸起（hillock）的產生，較佳為積層Ti、Mo、TiN或MoN來作為保護層。
另外，例如於金屬電極薄膜為純Cu薄膜或Cu合金薄膜時，以提高密接性或提高耐熱性為目的，較佳為積層Ti、TiN、Ta、TaN、SiN或SiCN。另外，例如於金屬電極薄膜為純Ag薄膜或Ag合金薄膜時，以提高密接性或提高耐熱性為目的，較佳為積層以氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）薄膜為代表的透明導電膜。
密接層或保護層可藉由濺鍍法、化學氣相沈積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）或蒸鍍法等進行成膜。密接層或保護層的膜厚根據金屬電極薄膜的種類等而不同，為了連續獲得表面平坦的膜，較佳為10 nm以上。更佳為15 nm以上。另外，膜厚增加則成膜製程時間變長，因此，較佳為500 nm以下，更佳為300 nm以下。於使用濺鍍法使密接層或保護層成膜時，可藉由改變濺鍍條件來調整膜厚。
以下，列舉實施例及比較例對本發明進行進一步具體說明，但本發明並不限定於該些實施例，亦能夠於可符合其主旨的範圍內加以變更而實施，該些均包含於本發明的技術範圍。 [實施例]
[評價方法] （1）氮化薄膜中的氮量 關於純鋁氮化薄膜及鋁合金氮化薄膜中的膜中氮量（膜中N濃度）（原子%），使用珀金埃默爾（PerkinElmer）公司製造的PHI650掃描型歐傑（Auger）電子分光裝置，以75°的角度對膜表面照射能量為3 keV、電流約為50 nA的電子束，測定歐傑（Auger）光譜。關於膜的深度方向，於藉由Ar+ 的離子濺鍍進行蝕刻的同時，利用與所述相同的條件進行測定。
（2）單膜的反射率、透射率及吸收率 關於純鋁氮化薄膜及鋁合金氮化薄膜中的反射率及透射率，使用日本分光公司製造的V-570分光光度計，測定波長400 nm～800 nm的反射率光譜與透射率光譜。於表2中記載有於波長450 nm、550 nm及650 nm下的反射率與透射率。另外，各波長下的吸收率是藉由下述式而求出。 吸收率（%）=100-反射率（%）-透射率（%）
（3）氮化薄膜、金屬電極薄膜及鋁合金氮化積層薄膜的電阻率及片電阻 氮化薄膜、金屬電極薄膜及鋁合金氮化積層薄膜的片電阻分別利用四端子法進行測定。再者，氮化薄膜及金屬電極薄膜的單膜的電阻率是藉由將以上所獲得的片電阻的值與膜厚相乘而算出。
（4）積層薄膜的反射率 關於積層薄膜的反射率，使用日本分光公司製造的V-570分光光度計，測定波長400 nm～800 nm的反射率光譜。
[金屬電極薄膜的評價：試驗例1-1～試驗例1-22] 為了進行金屬電極薄膜的評價，以成為表1所示的組成的方式，利用下述條件並藉由濺鍍法使金屬電極薄膜成膜。基板使用厚度為0.7 mm的康寧（Corning）公司製造的易格（EAGLE）XG玻璃。
（濺鍍條件） ・成膜裝置：愛發科（ULVAC）公司製造 型式CS-200 ・氣壓：2 mTorr ・成膜氣體：Ar氣體 ・成膜功率：DC500 W ・基板溫度：室溫
再者，鋁合金氮化薄膜及金屬電極薄膜的厚度藉由變更成膜時間而進行調整。所獲得的薄膜的膜厚利用觸針式階差計進行測定。將所獲得的試驗例1-1～試驗例1-22的金屬電極薄膜的組成及評價結果示於表1。
[表1]
如表1所示般可知，任一金屬電極薄膜均為電阻率為15 μΩ·cm以下，顯示出了高導電性，能夠用作第1層。
[鋁氮化薄膜或鋁合金氮化薄膜的評價：試驗例2-1～試驗例2-27] 為了進行關於鋁合金氮化薄膜的光吸收特性的評價，將純鋁薄膜或純鋁氮化薄膜（試驗例2-1～試驗例2-4）、及鋁合金氮化薄膜（試驗例2-5～試驗例2-27）以成為表2所記載的組成的方式，利用下述條件並藉由濺鍍法進行成膜。基板使用厚度為0.7 mm的康寧公司製造的EAGLE XG玻璃。
（濺鍍條件） ・成膜裝置：愛發科公司製造 型式CS-200 ・氣壓：2 mTorr ・成膜氣體：含有Ar氣體及N2 氣體的混合氣體 ・成膜功率：DC500 W ・基板溫度：室溫
再者，藉由以成為表2所示的膜中氮量（膜中N濃度）（原子%）的方式使Ar氣體及N2 氣體的混合量變化的成膜氣體進行成膜。將所獲得的試驗例2-1～試驗例2-27的純鋁薄膜、純鋁氮化薄膜或鋁合金氮化薄膜的組成及評價結果示於表2。表2中，若於波長450 nm、550 nm及650 nm下的反射率為50%以下，則將評價設為「○」。
[表2]
如表2所示般，試驗例2-1～試驗例2-4為純鋁薄膜或純鋁氮化薄膜。膜中的氮量為40原子%以上的試驗例2-4的反射率為50%以下，滿足要求。另一方面，膜中的氮量小於40原子%的試驗例2-1～試驗例2-3的反射率超過50%，不滿足要求。
試驗例2-5～試驗例2-10為包含Al與Cu的鋁合金氮化薄膜。膜中的氮量為40原子%以上的試驗例2-7～試驗例2-10的反射率為50%以下，滿足要求。另一方面，膜中的氮量小於40%原子的試驗例2-5～試驗例2-6的反射率超過50%。
試驗例2-11～試驗例2-27為包含Al與Cu，且包含選自Y、Si、Ti及Nd中的至少一種的鋁合金氮化薄膜。膜中的氮量為40原子%以上的試驗例2-12～試驗例2-27的反射率為50%以下。滿足要求。另一方面，膜中的氮量小於40原子%的試驗例2-11的反射率超過50%，不滿足要求。
由該些結果可知，藉由將鋁或鋁合金的氮化膜中的氮量設為40原子%以上，反射率成為50%以下。
[鋁氧化膜、氮化膜或氧氮化膜以及鋁合金氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的評價：試驗例3-1～試驗例3-11] 為了評價鋁氧化膜、氮化膜或氧氮化膜以及鋁合金氧化膜、氮化膜或氧氮化膜的分光特性，將純鋁氧化薄膜（試驗例3-1）、純鋁氧氮化薄膜（試驗例3-2）、純鋁氮化薄膜（試驗例3-3）、鋁合金氧化薄膜（試驗例3-4及試驗例3-10）、鋁合金氧氮化薄膜（試驗例3-5～試驗例3-7及試驗例3-11）、鋁合金氮化薄膜（試驗例3-8及試驗例3-9）以成為表3所示的組成的方式，利用下述條件並藉由濺鍍法進行成膜。基板使用厚度為0.7 mm的康寧公司製造的EAGLE XG玻璃。
（濺鍍條件） ・成膜裝置：愛發科公司製造 型式CS-200 ・氣壓：2 mTorr ・成膜氣體：含有Ar氣體、N2 氣體及O2 氣體的混合氣體 ・成膜功率：DC500 W ・基板溫度：室溫
再者，成膜氣體以成為表3所示的膜中氮量（膜中N濃度）（原子%）的方式，改變Ar氣體、N2 氣體及O2 氣體的混合量而進行成膜。將所獲得的試驗例3-1～試驗例3-11的薄膜的組成及評價結果示於表3。表3中，若反射率為35%以下，電阻率為1.0×107 μΩ·cm以上，則將評價設為「○」。
[表3]
如表3所示般，為包含50原子%以上、60原子%以下的氧的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜的試驗例3-1、試驗例3-4及3-10的反射率為35%以下，電阻率為1.0×107 μΩ·cm以上，滿足要求。
另外，為包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜或鋁合金氮化膜的試驗例3-2、試驗例3-5～試驗例3-7及試驗例3-11的反射率為35%以下，電阻率為1.0×107 μΩ·cm以上，滿足要求。
進而，為包含50原子%以上、60原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜的試驗例3-3及3-9的反射率為35%以下，電阻率為1.0×107 μΩ·cm以上，滿足要求。
另一方面，為膜中的氮濃度小於50原子%的鋁合金氮化膜的試驗例3-8的反射率高至超過35%，電阻率小於1.0×107 μΩ·cm，不滿足要求。
[試驗例4-1～試驗例4-22] 表4示出了將第1層製成表1示出的各金屬電極薄膜，且將表4所示的第2層及第3層積層於該第1層時的積層膜的例子。表4中，若能夠進行成批濕式蝕刻加工，則將濕式蝕刻加工性視為「OK」。
[表4]
如表4所示般可知，藉由將為電阻率為15 μΩ·cm以下的金屬薄膜的第1層，為包含40原子%以上、61原子%以下的氮的鋁合金氮化膜的第2層，以及為包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜的第3層積層，可獲得兼具低反射性、導電性及蝕刻加工性的積層膜。
[試驗例5-1～試驗例5-27] 表5示出了將第2層製成表2示出的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜，且將表5所示的第1層及第3層積層於該第2層的積層膜的例子。表5中，若能夠進行成批濕式蝕刻加工，則將濕式蝕刻加工性視為「OK」。
[表5]
如表5所示般可知，關於試驗例5-1～試驗例5-3、試驗例5-5、試驗例5-6及試驗例5-11，由於第2層的單膜反射率高至50%以上，因此即使積層第1層及第3層，反射率亦高至超過15.0%，無法滿足所要求的低反射性。
[試驗例6-1～試驗例6-13] 於表6中示出了將第3層製成表3所示出的鋁合金氧化膜、氮化膜或氧氮化膜，且將表6所示的第1層及第2層積層於該第3層的積層膜的例子。表6中，若能夠利用濕式蝕刻法進行成批加工，則將濕式蝕刻加工性視為「OK」，若不能成批加工，則視為「NG」。
表6中，若反射率（450 nm、550 nm及650 nm）為15.0%以下且濕式蝕刻加工性為「OK」，則評價為「○」，若反射率（450 nm、550 nm及650 nm）為15.0%以下且濕式蝕刻加工性為「NG」，則評價為「△」，若反射率（450 nm、550 nm及650 nm）超過15.0%時，則評價為「×」。
[表6]
如表6所示般可知，關於將為電阻率為15 μΩ·cm以下的金屬薄膜的第1層，為包含40原子%以上、61原子%以下的氮的鋁合金氮化膜的第2層，以及為包含50原子%以上、60原子%以下的氧的鋁氧化膜或鋁合金氧化膜，包含50原子%以上、60原子%以下的氧及1原子%以上、10原子%以下的氮的鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜，或包含50原子%以上、60原子%以下的氮的鋁氮化膜或鋁合金氮化膜的第3層積層的試驗例6-2～試驗例6-9及試驗例6-11～試驗例6-13，可獲得兼具低反射性，導電性及蝕刻加工性的積層膜。
另一方面，試驗例6-1的反射率高至15.0%以上，不滿足要求。另外，關於積層有單膜反射率高的試驗例3-8的第3層的試驗例6-10，反射率高至15.0%以上，不滿足要求。
參照特定的態樣對本發明進行了詳細說明，但對於本領域從業人員而言明確的是，能夠不脫離本發明的精神與範圍地進行各種變更及修正。再者，本申請案基於2016年6月7日提出申請的日本專利申請案（日本專利特願2016-113599），將其全部內容以引用的方式併入至本申請案。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第1層（導電層）
3‧‧‧第2層（鋁氮化膜或鋁合金氮化膜）
4‧‧‧第3層（鋁或鋁合金的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜）
5‧‧‧密接層或保護層
10‧‧‧積層膜
圖1是表示本發明的積層膜的一結構例的概略剖面圖。 圖2是表示本發明的積層膜的一結構例的概略剖面圖。 圖3是表示本發明的積層膜的一結構例的概略剖面圖。 圖4是表示本發明的積層膜的一結構例的概略剖面圖。

Claims (3)

  1. 一種積層膜，其為依序積層有第1層、第2層及第3層的積層膜，其中 所述第1層為電阻率為15 μΩ·cm以下的金屬薄膜； 所述第2層為鋁氮化膜或鋁合金氮化膜；其中所述鋁氮化膜包含40原子%以上、61原子%以下的氮；所述鋁合金氮化膜包含40原子%以上、61原子%以下的氮，且包含氧（O）、銅（Cu）、釔（Y）、矽（Si）、鈦（Ti）或釹（Nd）的其中至少一者； 所述第3層為鋁氧化膜、鋁合金氧化膜、鋁氧氮化膜或鋁合金氧氮化膜；其中所述鋁氧化膜包含50原子%以上、60原子%以下的氧；所述鋁合金氧化膜包含50原子%以上、60原子%以下的氧，且包含銅（Cu）、釹（Nd）、鐵（Fe）、碳（C）的其中至少一者；所述鋁氧氮化膜包含50原子%以上、60原子%以下的氧，以及1原子%以上、10原子%以下的氮；所述鋁合金氧氮化膜包含50原子%以上、60原子%以下的氧，以及1原子%以上、10原子%以下的氮，且包含銅（Cu）、釹（Nd）、鐵（Fe）、碳（C）的其中至少一者；以及 所述第2層的膜厚為20 nm～200 nm，以及所述第3層的膜厚為15 nm～200 nm。
  2. 一種顯示裝置，其具備如申請專利範圍第1項所述的積層膜。
  3. 一種輸入裝置，其具備如申請專利範圍第1項所述的積層膜。
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