TWI493624B - 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種要求耐濕性、耐氧化性的電子零件用積層配線膜及用以形成覆蓋該積層配線膜的主導電層的一面及/或另一面的被覆層的被覆層形成用濺鍍靶材。
除了在玻璃基板上形成薄膜裝置的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,以下稱為LCD)、電漿顯示器面板(Plasma Display Panel,以下稱為PDP)、電子紙等中所利用的電泳型顯示器等平面表示裝置(平板顯示器(Flat Panel Display)、以下稱為FPD)外,在各種半導體裝置、薄膜感測器、磁頭等薄膜電子零件中,必需有較低電阻的配線膜。例如LCD、PDP、有機EL顯示器(organic electroluminescence display)等FPD隨著大畫面、高精細、高速響應化,而對其配線膜要求低電阻化。而且近年來,開發了在FPD中增加操作性的觸控面板或使用樹脂基板的軟性(flexible)FPD等新的製品。
近年來,可用作FPD的驅動元件的薄膜電晶體(Thin-Film Transistor,TFT)的配線膜必需低電阻化,因而主配線材料一直在被研究,使用從Al至更低電阻的Cu。另外,能於觀看FPD的畫面的同時賦予直接操作性的觸控面板基板畫面亦朝大型化發展。為了低電阻化而將Cu用於主配線材料的研究目前取得了進展。
目前,TFT是使用Si半導體膜,若Cu與Si直接接觸,
則因TFT製造中的加熱步驟而發生熱擴散,而使TFT的特性劣化。因此,在Cu與Si之間使用耐熱性優異的將Mo或Mo合金作為障壁膜的積層配線膜。
另外,與TFT有關的畫素電極或便攜式終端或平板電腦(Tablet Personal Computer)等中使用的觸控面板的位置檢測電極,通常使用作為透明導電膜的銦-錫氧化物(Indium Tin Oxide,以下稱為ITO)。Cu雖然可獲得與ITO的接觸性,但與基板的密接性較低,因此為了確保密接性,而必須製成用Mo或Mo合金被覆Cu的積層配線膜。
而且,一直在進行,使用由至今為止的非晶質Si半導體到可實現更高速響應的氧化物之透明的半導體膜的應用研究,並且在研究這些氧化物半導體的配線膜中亦使用Cu與純Mo等的積層配線膜。
本申請人提出,藉由將與玻璃等密接性低的Cu或Ag、與Mo為主體含有V及/或Nb的Mo合金進行積層,而可維持Cu或Ag所具有的較低的電阻值且可改善耐蝕性、耐熱性或與基板的密接性。(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-140319號公報
上述專利文獻1中所提出的Mo-V、Mo-Nb合金等與純Mo相比,耐蝕性、耐熱性或與基板的密接性更優異,因此可廣泛用於形成於玻璃基板上的FPD用途中。
但是,在製造FPD時,有在基板上形成積層配線膜
後,在移動至下一步驟時會長時間放置在大氣中的情況。另外,在為了提高便利性而使用樹脂膜的輕量且軟性的FPD等中,樹脂膜與至今為止的玻璃基板等相比,更具有透濕性,因此對於積層配線膜要求更高的耐濕性。
而且,有在FPD的端子部等安裝信號線纜時會在大氣中加熱的情況,因此對於積層配線膜亦要求提高耐氧化性。此外,在使用氧化物的半導體膜中,為了提高特性或穩定化,而有時會在含有氧氣的環境、或形成含有氧氣的保護膜後,在350℃以上的高溫下進行加熱處理。因此,為了使積層配線膜在經過這些加熱處理後亦可維持穩定的特性,而加強了耐氧化性提高的要求。
根據本發明者的研究,由於Cu與Al相比,密接性、耐濕性或耐氧化性會更大地劣化,因此有必須形成用以確保密接性的基底膜、成為保護Cu的表面的上層膜(上覆膜)的被覆層。有時會產生以下問題:上述Mo-V、Mo-Nb合金等或純Mo的耐濕性或耐氧化性不充分,在FPD的製造步驟中製成Cu的被覆層時會導致變色,並且會透過氧氣,從而Cu的電阻值大大地增加。另外,若被覆層發生變色,則會使電接觸性劣化,並導致電子零件的可靠性降低。
而且,為了FPD的大畫面化或高速驅動,有TFT製造步驟中的加熱溫度上升的傾向。因此存在以下情況,在與作為主導電層的Cu形成成為障壁膜或密接膜的被覆層的積層配線膜中,構成被覆層的原子向Cu進行熱擴散,
而無法維持較低的電阻值。因此,對以Cu為主導電層的積層配線膜的被覆層,要求維持能夠適用於各種新環境的較高的耐濕性或耐氧化性與較低的電阻值。
本發明的目的在於提供使用包含Mo合金的被覆層的電子零件用積層配線膜及用以形成被覆層的濺鍍靶材,上述包含Mo合金的被覆層可改善耐濕性或耐氧化性,而且在與作為低電阻的主導電層的Cu積層時,即便經過加熱步驟亦可維持較低的電阻值。
本發明者鑒於上述課題,而致力於新添加至Mo中的元素的最佳化。其結果發現,藉由在Mo中複合添加特定量的Ni與Ti,而可提高耐濕性、耐氧化性,並且在製成作為主導電層的Cu的被覆層時,即便經過加熱步驟亦可維持較低的電阻值,從而完成了本發明。
即,本發明是一種電子零件用積層配線膜,其在基板上形成有金屬膜,包括:以Cu為主成分的主導電層、以及覆蓋該導電層的一面及/或另一面的被覆層;該被覆層是以原子比的組成式為Mo100-x-y
-Nix
-Tiy
、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53來表示,其餘部分包含不可避免的雜質。
另外,本發明中更佳為,將上述組成式的x、y分別設為20≦x≦30、9≦y≦20。
另外,本發明是一種被覆層形成用濺鍍靶材,其包含Mo合金,該被覆層形成用濺鍍靶材用以形成上述被覆層,
且以原子比的組成式為Mo100-x-y
-Nix
-Tiy
、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53來表示,其餘部分包含不可避免的雜質。
另外,本發明中較佳為,上述組成式的x、y分別為20≦x≦30、9≦y≦20。
本發明的電子零件用積層配線膜可提高耐濕性、耐氧化性。另外,在與Cu積層時的加熱步驟中,可抑制電阻值的增加,並維持較低的電阻值。藉此,具有藉由用於各種電子零件(例如形成於樹脂基板上的FPD等)的配線膜,而可對電子零件的穩定製造或可靠性提高作出較大貢獻的優點,而成為電子零件的製造所不可或缺的技術。特別是成為對觸控面板或使用樹脂基板的軟性FPD非常有用的積層配線膜。原因是:這些製品中,特別是耐濕性、耐氧化性非常重要。
圖1表示本發明的電子零件用積層配線膜的剖面示意圖。本發明的電子零件用積層配線膜包含:覆蓋以Cu為主成分的主導電層3的一面及/或另一面的被覆層2、被覆層4,例如形成於基板1上。圖1中,雖然在主導電層3的兩面形成有被覆層2、被覆層4,但亦可僅覆蓋一面,且可適當地選擇。另外,在僅以本發明的被覆層覆蓋主導電層的一面的情形時,可根據電子零件的用途,藉由與本發明不同的組成的被覆層覆蓋主導電層的另一面。
本發明的重要特徵在於發現新的Mo合金,其在圖1所示的電子零件用積層配線膜的被覆層中,藉由對Mo複合添加特定量的Ni與Ti,而提高耐濕性、耐氧化性,並與Cu膜的積層時的加熱步驟中可維持較低的電阻值。以下,對本發明的電子零件用積層配膜進行詳細地說明。
另外,以下的說明中,所謂「耐濕性」,是指在高溫高濕環境下引起配線膜的電阻值變化的難易性。另外,所謂「耐氧化性」,是指高溫環境下的電接觸性的劣化的難易性,可藉由配線膜的變色來確認,例如可藉由反射率進行定量評價。
在形成本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層的Mo合金中添加Ni的理由,在於提高被覆層的耐氧化性。純Mo若在大氣中加熱,則會導致膜表面氧化,從而導致電接觸性劣化。本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層藉由在Mo中添加特定量的Ni,而具有可提高耐氧化性,並抑制電接觸性的劣化的效果。該效果在Ni的添加量為10原子%以上時變得顯著。
另一方面,Ni是與Mo相比對Cu更易熱擴散的元素。若在Mo中的Ni的添加量超過50原子%,則在製造FPD等電子零件時的加熱步驟中,導致被覆層的Ni容易擴散至主導電層的Cu中,而難以維持較低的電阻值。因此,Ni的添加量設為10原子%~50原子%。另外,在主導電層的Cu上形成被覆層,並在高於350℃的高溫下加熱時,有被覆層的Ni容易擴散至主導電層的Cu中,而電阻值上升的
情況。本發明中為了維持較低的電阻值,較佳為將Ni添加量設為30原子%以下。
在形成本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層的Mo合金中添加Ti的理由,是提高耐濕性。Ti是具有容易與氧氣或氮氣結合的性質的金屬,具有在高溫高濕環境下在表面形成鈍化膜(passive film)而保護配線膜內部的效果。因此,本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層藉由在Mo中添加特定量的Ti而可大幅提高耐濕性。該效果在Ti的添加量為3原子%以上時變得顯著。
另一方面,若Ti的添加量超過30原子%,則耐蝕性過於提高而導致利用Cu用蝕刻劑時的蝕刻速度降低,在與主導電層的Cu的積層膜的蝕刻時產生殘渣,或無法蝕刻。因此,本發明中將Ti的添加量設為3原子%~30原子%。
另外,為了穩定地獲得比先前的Mo-Nb合金更高的耐濕性,Ti的添加量較佳為9原子%以上。另外,為了利用Cu的蝕刻劑進行更穩定地蝕刻,Ti的添加量較佳為20原子%以下。
另外,為了在作為主導電層的Cu的一面及/或另一面形成被覆層,應對製造步驟中的加熱溫度為350℃的高溫的情況,而將在形成被覆層的Mo合金中所複合添加的Ni與Ti的總和設為53原子%以下。其理由是:不僅Ni,Ti亦是會熱擴散至Cu中的元素,若Ni與Ti的總和超過53原子%,則Ni或Ti擴散至主導電層的Cu層中,而難以維
持較低的電阻值。
另外,在形成被覆層的Mo合金中所複合添加的Ni與Ti,較佳為以原子比計Ni/Ti為1以上。如上所述,Ti雖是參與耐濕性提高的元素,但耐氧化性會降低,因此根據本發明者的研究,在Ti的添加量多於Ni的添加量時,難以獲得耐氧化性的提高效果。因此,藉由以Ni與Ti的原子比為1以上的方式分別添加,而可穩定地獲得被覆層的耐濕性與耐氧化性。
在本發明的電子零件用積層配線膜中,為了穩定地獲得較低的電阻值與耐濕性或耐氧化性,較佳為將主導電層的膜厚設為100nm~1000nm。若主導電層的膜厚比100nm薄,則由於薄膜特有的電子的散射的影響而容易使電阻值增加。另一方面,若主導電層的膜厚比1000nm厚,則為了形成膜而花費時間,或由於膜應力而容易在基板上產生翹曲(warp)。
另外,以Cu為主成分的主導電層中純Cu可獲得最低的電阻值。另外,考慮到耐熱性、耐蝕性等可靠性,可使用在Cu中添加了過渡金屬或半金屬等的Cu合金。此時,為了獲得儘可能低的電阻值,在Cu中的添加元素的添加量較佳為5原子%以下。
另外,在本發明的電子零件用積層配線膜中,為了穩定地獲得較低的電阻值與耐濕性或耐氧化性,較佳為將被覆層的膜厚設為20nm~100nm。在被覆層的膜厚小於20nm時,存在導致Mo合金膜的連續性變低,而無法充分獲
得上述特性的情況。另一方面,若被覆層的膜厚超過100nm,則導致被覆層的電阻值變高,與主導電層的Cu膜積層時,電子零件用積層配線膜變得難以獲得較低的電阻值。
另外,在本發明中,在350℃以上的高溫下進行大氣加熱時,為了抑制因主導電層的Cu的氧化所導致的電阻值的增加,被覆層的膜厚較佳為30nm以上。另外,為了抑制在350℃以上的高溫下加熱時的在向主導電層的Cu的原子擴散所導致的電阻值的增加,被覆層的膜厚較佳為70nm以下。因此,本發明中,更佳為將被覆層的膜厚設為30nm~70nm。
為了形成本發明的電子零件用積層配線膜的各層,較佳為使用濺鍍靶的濺鍍法。在形成被覆層時,例如可應用:使用與被覆層的組成相同的組成的Mo合金濺鍍靶進行成膜的方法;或使用Mo-Ni合金濺鍍靶與Mo-Ti合金濺鍍靶並藉由共濺鍍進行成膜的方法等。就濺鍍的條件設定的簡易性、或容易獲得所期望的組成的被覆層的方面而言,最理想為使用與被覆層的組成相同的組成的Mo合金濺鍍靶進行濺鍍成膜。
因此,為了形成本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層,藉由使用原子比的組成式以Mo100-x-y
-Nix
-Tiy
、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53表示,其餘部分包含不可避免的雜質的濺鍍靶材,而可穩定地形成被覆層。
另外,如上所述,為了即便在350℃的高溫的加熱步驟時亦可獲得較低的電阻值的電子零件用積層配線膜,較
佳為含有20原子%~30原子%的Ni,含有9原子%~20原子%的Ti。
本發明的被覆層形成用濺鍍靶材的製造方法例如可應用粉末燒結法。粉末燒結法中,例如可藉由氣體霧化法製造合金粉末製成原料粉末;或者可將以成為本發明的最終組成的方式混合多種合金粉末或純金屬粉末而成的混合粉末製成原料粉末。原料粉末的燒結方法可使用:熱均壓製(hot isostatic pressing)、熱壓製、放電電漿燒結、擠出壓製燒結等加壓燒結。
在形成本發明的電子零件用積層配線膜的被覆層的Mo合金中,Mo以外的不可避免的雜質佔有除了為確保耐氧化性、耐濕性而必需的元素即Ni、Ti以外的其餘部分的含量,較佳為較少,但在不損及本發明的作用的範圍內,可含有:作為氣體成分的氧氣、氮氣或碳、作為過渡金屬的Fe、Cu、半金屬的Al、Si等不可避免的雜質。例如較佳為:氣體成分的氧氣、氮氣分別為1000質量ppm以下,碳為200質量ppm以下,Fe、Cu為200質量ppm以下,Al、Si為100質量ppm以下,且以除去氣體成分的純度計為99.9質量%以上。
[實例1]
列舉以下的實例對本發明進行詳細說明。
首先,製作用以形成成為被覆層的Mo-Ni-Ti合金膜的濺鍍靶材。以成為特定組成的方式混合平均粒徑為6μm的Mo粉末、平均粒徑為100μm的Ni粉末以及平均粒徑
為150μm的Ti粉末,填充至軟鋼製的罐中後,一邊加熱一邊真空排氣而將罐內的氣體成分除去後進行密封。接著,將經密封的罐放入至熱均壓製裝置中,以800℃、120MPa、5小時的條件燒結後,藉由機械加工製作直徑100mm、厚度5mm的濺鍍靶材。另外,亦同樣地製作成為比較的Mo、Mo-Nb、Mo-Ni濺鍍靶材。另外,Cu靶材是自日立電線股份有限公司製造的無氧銅的板材切出而製成。
將上述所得的各濺鍍靶材焊接於銅製支撐板(backing plate)上而安裝於濺鍍裝置中。濺鍍裝置是使用佳能安內華股份有限公司製造的SPF-440H。
在25mm×50mm的玻璃基板上,分別以表1所示的膜厚構成,藉由濺鍍法形成添加了表1所示的特定量的Ni及Ti的作為被覆層的Mo合金膜,在Mo合金膜的上表面形成作為主導電層的Cu膜,接著在Cu膜的上表面形成Mo合金膜,而獲得電子零件用積層配線膜。另外,為了比較,將純Mo、Mo-Ni合金膜、Mo-Nb合金膜分別與Cu膜積層,亦製作積層配線膜。
耐氧化性的評價方式,是測定在大氣中以250℃、350℃加熱1小時後的反射率與電阻值的變化。反射率的測定是使用柯尼卡美能達(Konica Minolta)製造的分光測色計CM-2500d測定可見光區域的反射特性。另外,電阻值是使用DIA INSTRUMENTS股份有限公司製造的4端子薄膜電阻率測定器MCP-T400進行測定。將其結果示於表1。
如表1所示,在主導電層的Cu膜單體中,若在大氣中在250℃以上加熱,則會導致氧化,並且反射率會大大地降低,而無法測定電阻值。另外,比較例的Mo合金與Cu的積層配線膜的反射率,存在若在大氣中加熱,則會有降低的傾向。特別是確認到,純Mo或Mo-10原子%Nb的積層配線膜的反射率,若在大氣中進行350℃加熱,則會大大地降低,並且耐氧化性較低。另外認為,電阻值直至250℃為止可維持較低的值,但在350℃會大大地增加,而導致氧氣透過被覆層,從而將Cu膜氧化。
另外確認到,比較例的Mo-35原子%Ti的積層膜在350℃下反射率大大地降低,電阻值亦增加,在僅添加Ti時無法充分改善耐氧化性。
相對於此可確認到,本發明的被覆層中,在Mo中添加了特定量的Ni與Ti的Mo-Ni-Ti合金的反射率,即便在350℃的大氣中加熱,其降低亦較少,並可大大地改善耐氧化性。另外可確認到,本發明的被覆層中,在Mo中添加了特定量的Ni與Ti的Mo-Ni-Ti合金的電阻值,即便在350℃的大氣中加熱,其增加亦較少,並可大大地改善耐氧化性。該改善效果藉由添加20原子%以上的Ni、3原子%以上的Ti而變得更加明確,並可確認是適合於電子零件的積層配線膜。
[實例2]
選定實例1中所製作的一部分積層配線膜,測定在85℃×85%的高溫高濕環境下放置50小時、100小時、200
小時、300小時之時的反射率的變化,以作為耐濕性的評價。將其結果示於表2。
如表2所示確認到,比較例的被覆層中使用純Mo或Mo-10Nb、Mo-Ni合金的積層配線膜,若放置於高溫高濕環境下,則反射率會大大地降低,並且電阻值增加。特別是可知,被覆層中使用Mo-Ni合金的積層配線膜,若Ni的添加量增加,則該傾向變得更加顯著,並且耐濕性較低。
相對於此可確認,本發明的被覆層中,在Mo中添加了特定量的Ni與Ti的積層配線膜的反射率,在高溫高濕環境下放置後亦可抑制反射率降低,而且維持較低的電阻值,大大地改善耐濕性。並且可確認,該改善效果在Ti添加量為3原子%以上時變得明顯,在9原子%時耐濕性得到大大地改善。
[實例3]
接著,選定實例1中所製作的一部分積層配線膜,對在真空中進行加熱處理時的電阻值的變化進行研究。以加熱溫度為250℃、350℃、450℃加熱1小時。將測定結果示於表3。
如表3所示確認到,若比較例的Ni的添加量超過50原子%、或者Ni或Ti添加量超過50原子%,則溫度越高特別是350℃以上時則電阻值越增加。
相對於此可確認,本發明的積層配線膜藉由將被覆層的Ni與Ti的添加量的總量設為50原子%以下,而可抑制加熱時的電阻值的增加。
[實例4]
接著,進行蝕刻性的評價。僅在形成了實例3中所用的積層配線膜的基板的一半面積上塗佈光阻劑(photoresist)而乾燥,並浸漬於關東化學股份有限公司製造的Cu用蝕刻劑溶液中,將未塗佈部分蝕刻。然後,用純水清洗基板並乾燥,藉由光學顯微鏡觀察溶解部分與塗佈了光阻劑的未溶解部分的界線附近。將其結果示於表3。
在比較例的Mo-Ni合金與Cu的積層配線膜中,界線附近的膜浮起,端部剝落。其原因可認為,主導電層的Cu膜與玻璃基板之間所形成的被覆層的Mo合金膜被蝕刻。另外,在比較例的被覆層中使用Mo-10原子%Nb的積層配線膜中確認到殘渣。這是發現主導電層的Cu膜被過蝕刻(overetching),在其上部所形成的被覆層的Mo-10原子%Nb合金膜浮起。
另外確認到,將比較例的Mo-35原子%Ti或Mo-10原子%Ni-33原子%Ti作為被覆層後,無法進行蝕刻,Ti的添加量對蝕刻性造成很大的干擾。
相對於此可確認,本發明的Mo中複合添加特定量的
Ni與Ti的被覆層無膜剝落,且可進行蝕刻。但是,在Ti的添加量為22原子%的Mo合金中在基板上確認到殘渣,並且確認到,為了更穩定地進行蝕刻,Ti的添加量更佳為20原子%以下。
如以上所述可知,為了滿足耐氧化性、耐濕性、加熱時的電阻值的增加的抑制、蝕刻性,較佳為將Ni的添加量設為10原子%~50原子%,將Ti的添加量設為3原子%~30原子%。另外可知,為了高溫下的耐氧化性、抑制電阻值的增加、確保較高的蝕刻性,更佳為將Ni設為20原子%~30原子%,將Ti設為9原子%~20原子%。
[實例5]
首先,製作成為被覆層的Mo-20%Ni-15%Ti(原子%)濺鍍靶材。以成為特定組成的方式混合平均粒徑為6μm的Mo粉末、平均粒徑為80μm的Ni粉末以及平均粒徑為25μm的Ti粉末,填充至軟鋼製的罐中後,一邊加熱一邊真空排氣將罐內的氣體成分除去後進行密封。接著,將經密封的罐放入至熱均壓製裝置中,以800℃、120MPa、5小時的條件進行燒結後,藉由機械加工製作直徑100mm、厚度5mm的濺鍍靶材。
將上述所得的各濺鍍靶材焊接於銅製支撐板上並安裝於濺鍍裝置中。濺鍍裝置是使用佳能安內華股份有限公司製造的SPF-440H。
接著,在25mm×50mm的玻璃基板上,使作為主導電層的Cu膜及作為被覆層的Mo-Ni-Ti膜的膜厚發生變
化,藉由濺鍍法形成如表4所示的膜厚構成的電子零件用積層配線膜。然後,與實例1同樣測定在大氣中進行加熱處理時的反射率及電阻值的變化。將其結果示於表4。
可知,在作為主導電層的Cu膜的膜厚相同時,被覆層的膜厚越薄,則成膜時的電阻值越低。可確認,若在大氣中加熱,則上被覆層為10nm而較薄時,反射率自250℃起降低,在350℃時,電阻值增加,但上被覆層為20nm以上時,反射率的降低以及電阻值的增加皆變少,而獲得較高的耐氧化性。
可確認到,本發明的電子零件用積層配線膜藉由形成200nm~500nm厚的作為主導電層的Cu膜、形成20nm~70nm厚的被覆層的膜,而可獲得較低的電阻值與較高的耐氧化性。
1‧‧‧基板
2、4‧‧‧被覆層
3‧‧‧主導電層
圖1是本發明的電子零件用積層配線膜的剖面示意圖。
1‧‧‧基板
2、4‧‧‧被覆層
3‧‧‧主導電層
Claims (4)
- 一種電子零件用積層配線膜,其在基板上形成有金屬膜,其特徵在於包括:以Cu為主成分的主導電層、以及覆蓋該主導電層的一面及/或另一面的被覆層;該被覆層是以原子比的組成式為Mo100-x-y -Nix -Tiy 、10≦x≦30、3≦y≦20、x+y≦50來表示,其餘部分包含不可避免的雜質。
- 如申請專利範圍第1項所述之電子零件用積層配線膜,其中上述組成式的x、y分別為20≦x≦30、9≦y≦20。
- 一種被覆層形成用濺鍍靶材,其特徵在於:其是用以形成如申請專利範圍第1項所述之電子零件用積層配線膜中的被覆層的濺鍍靶材,且以原子比的組成式為Mo100-x-y -Nix -Tiy 、10≦x≦30、3≦y≦20、x+y≦50來表示,其餘部分包含不可避免的雜質。
- 如申請專利範圍第3項所述之被覆層形成用濺鍍靶材,其中上述組成式的x、y分別為20≦x≦30、9≦y≦20。
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