TWI604066B - A multilayer wiring film for electronic components and a sputtering target for forming a coating layer - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種例如可適用於觸控面板等的電子零件用積層配線膜、以及用於形成覆蓋該電子零件用積層配線膜之導電層的被覆層的濺鍍靶材。
近年來，作為新型便携式終端設備的智慧型手機(smartphone)及平板電腦(平板PC：tablet personal computer)等實現了產品化，上述的新型便携式終端設備在其玻璃基板上形成薄膜器件的液晶顯示器(Liquid Crystal Display：以下稱作“LCD”)、有機電致發光顯示器(organic electroluminescence display：有機EL顯示器)或用於電子紙等的電泳型顯示器等平面顯示裝置(平板顯示器(Flat Panel Display)：以下稱作“FPD”)中組合有觸控面板，該觸控面板在觀看其畫面的同時可賦予直接的操作性。
在作為上述觸控面板之位置檢測電極的感測膜中，通常使用作為透明導電膜的銦-錫氧化物(Indium Tin Oxide：以下稱作“ITO”)。而且，在其橋接配線(bridge wire)或牽引配線中，作為具有更低電阻值(以下稱作低電阻。)的金屬配線膜，例如使用
將導電層的Al(鋁)或Al合金和作為被覆層的純Mo(鉬)或Mo合金積層而獲得的積層配線膜。
作為形成上述之積層配線膜的方法，使用了濺鍍靶材的濺鍍法最為適合。濺鍍法是物理蒸鍍法之一，與其他的真空蒸鍍或離子鍍相比，濺鍍法能夠容易地進行大面積的成膜，同時組成變動少，是獲得優異的薄膜層的有效方法。另外，濺鍍法給基板帶來的熱影響亦少，還可適用於樹脂膜基板。
作為改善純Mo之特性的方法，本發明人提出了一種在Mo中添加了3~50原子%的V(釩)或Nb(鈮)的Mo合金膜，該Mo合金膜的耐蝕性、耐熱性及與基板的密合性優異、且電阻低(參照專利文獻1)。
另外，本發明人還提出了：在基底膜上組合包含Al的導電層和作為被覆層的面心立方晶格結構的Ni(鎳)合金，所述Ni合金含有7~30原子%的選自Ti(鈦)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、V、Nb、Ta(鉭)、Cr(鉻)、Mo、W(鎢)、Cu(銅)、Si(矽)、Ge(鍺)的一種或兩種以上的元素，藉此能夠抑制Al的突起缺陷(hillock)並提高耐熱性。(參照專利文獻2)。
本發明人更提出了：藉由在以Al為主要成分的導電層上採用Mo100-x-y-Nix-Tiy(10x30、3y20)所表示的Mo合金作為被覆層，比Mo或Mo-Nb更能改善耐氧化性、耐濕性。(參照專利文獻3)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]：日本專利特開2002-190212號公報
[專利文獻2]：日本專利特開2006-279022號公報
[專利文獻3]：日本專利特開2013-60655號公報
為了實現智慧型手機或平板PC等便携式終端設備的薄型化，上述觸控面板的基板還採用了如下的方式：使用了可由玻璃基板進一步薄型化的樹脂膜基板，而上述被覆層還需要具有與樹脂膜基板的密合性。
另外，作為家電產品的調理設備的操作面板或遙控裝置(remote control)等用濕潤的手進行操作，或者產業設備或車載設備的操作面板是在高溫高濕下進行操作，而且與便携式終端設備相比使用時間更長。特別是，車載設備在人不操作期間也放置在室外，有時還會在高溫狀況或極冷狀況下長期放置，因此要求進一步提高積層配線膜的高耐蝕性。
另一方面，在上述觸控面板的製造中，形成於基板上的積層配線膜在進入下一個製程時，有時會在大氣中長時間放置。另外，在FPD的端子部等處安裝信號線電纜時，有時會在大氣中加熱。因此，要求提高積層配線膜的耐氧化性。
另外，隨著作為顯示裝置的LCD的高精細化，觸控面板用的金屬配線膜也要求具有蝕刻性，以沿著顯示像素進行寬度窄且高精度的加工。
根據本發明人的研究確認到了：在將上述專利文獻1的
Mo-V、Mo-Nb合金或純Mo應用於被覆層時，由於被覆層與可撓性基板等的密合性及耐氧化性不充分，因此有時會出現被覆層的表面因氧化而變色的問題。另外，在人接觸後附著的油脂或鹽殘留的狀況下，在高溫高濕環境中長期放置時，有時會發生腐蝕，特別是在車載設備中確認到了在與耐蝕性有關的長期可靠性方面存在課題。
另外，專利文獻2記載的包含Ni合金的被覆層，在對其進行濕法蝕刻以加工成細長的配線或四方形的襯墊時，根據所添加的元素而容易在基板面內發生蝕刻不均，配線寬度產生偏差，因此近年來確認到了存在難以穩定地獲得寬度窄的配線膜的新課題。
另外，專利文獻3的積層配線膜在人接觸後附著的油脂或鹽殘留的狀況下，在高溫高濕環境中長期放置時，有時會發生腐蝕，特別是在車載設備中確認到了在與耐蝕性有關的長期可靠性方面存在課題。
本發明的目的在於：提供一種電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材，上述的積層配線膜在覆蓋包含Al或Al合金的導電層的至少一個面的被覆層上具有新的被覆層，該新的被覆層在確保密合性、耐蝕性、耐氧化性的同時能夠穩定地進行高精度的濕法蝕刻(wet etching)。
鑒於上述課題，本發明人對積層於包含Al或Al合金的導電層上的被覆層的合金組成進行了深入研究。其結果，藉由在Mo中添加特定的元素，發現了在確保密合性、耐蝕性、耐氧化性的同時能夠穩定地進行高精度的濕法蝕刻的新的被覆層，從而完成了本發明。
即，本發明是有關於一種電子零件用積層配線膜的發明，該電子零件用積層配線膜具有：包含Al或Al合金的導電層，和覆蓋該導電層的至少一個面的被覆層，其中上述被覆層含有30~75原子%的Ni、以及選自Mn和Cu的一種以上的元素，而剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
上述被覆層優選含有30~75原子%的上述Ni、3~25原子%的上述Mn，並且含有總計不足80原子%的上述Ni和上述Mn。
上述被覆層優選含有30~65原子%的上述Ni、5~25原子%的上述Cu，並且含有總計不足75原子%的上述Ni和上述Cu。
上述被覆層優選含有總計為5~40原子%的上述Mn和上述Cu，並且含有總計不足75原子%的上述Cu、上述Mn和上述Ni。
上述被覆層更優選上述Mo的一部分用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素以總計1~15原子%的範圍取代。
本發明是有關於一種被覆層形成用濺鍍靶材的發明，上述濺鍍靶材用於形成電子零件用積層配線膜中的覆蓋包含Al或Al合金的導電層的被覆層，其含有30~75原子%的Ni、以及選自Mn和Cu的一種以上的元素，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜
質。
上述被覆層形成用濺鍍靶材優選含有30~75原子%的上述Ni、3~25原子%的上述Mn，並且含有總計不足80原子%的上述Ni和上述Mn。
上述被覆層形成用濺鍍靶材優選含有30~65原子%的上述Ni、5~25原子%的上述Cu，並且含有總計不足75原子%的上述Ni和上述Cu。
上述被覆層形成用濺鍍靶材優選含有總計為5~40原子%的上述Mn和上述Cu，並且含有總計不足75原子%的上述Cu、上述Mn和上述Ni。
上述被覆層形成用濺鍍靶材更優選上述Mo的一部分用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素以總計1~15原子%的範圍取代。
本發明能夠提供一種將被覆層與包含Al或Al合金的導電層積層而獲得的新型電子零件用積層配線膜及其被覆層形成用的濺鍍靶材，上述被覆層的密合性、耐蝕性、耐氧化性優異，且能夠穩定地進行高精度的濕法蝕刻。藉此，對於各種電子零件、例如形成於樹脂膜基板上的觸控面板而言成為非常有用的技術，對穩定製造電子零件或提高可靠性貢獻巨大。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基底層(被覆層)
3‧‧‧導電層
4‧‧‧覆蓋層(被覆層)
圖1是本發明之電子零件用積層配線膜的剖面示意圖之
一例。
圖1顯示本發明之電子零件用積層配線膜的剖面示意圖之一例。本發明的電子零件用積層配線膜具有：包含Al或Al合金的導電層3；以及被覆層，其覆蓋該導電層3的至少一個面，例如形成於基板1上。圖1中，於導電層3的兩面形成被覆層(基底層2、覆蓋層4)時，可以僅形成基底層2或覆蓋層4中的任意一層，可以適當選擇。尚需說明的是，在用本發明的被覆層僅覆蓋導電層的一個面時，根據電子零件的用途，還可以用不同於本發明的另外組成的被覆層覆蓋導電層的另一個面。
本發明的重要特徵在於：在圖1所示的電子零件用積層配線膜中，藉由在Mo中添加Ni、Mn、Cu，發現了在確保密合性、耐蝕性、耐氧化性的同時在進行濕法蝕刻時不易產生不均的被覆層。下面，對本發明之電子零件用積層配線膜進行詳細說明。
尚需說明的是，在以下的說明中，“密合性”是指與玻璃基板或樹脂膜基板的剝離難度，可根據使用膠帶的剝離情況進行評價。“耐蝕性”是指在高溫高濕環境下因表面變質引起的電接觸性的劣化難度，可根據配線膜的變色來確認，例如可根據反射率定量地進行評價。另外，“耐氧化性”是指在含氧環境下加熱時的表面氧化所伴隨的電接觸性的劣化難度，可根據配線膜的變色來確認，例如可根據反射率定量地進行評價。
本發明的特徵在於：在覆蓋包含Al或Al合金的導電層
的至少一個面的被覆層中，含有30~75原子%的Ni、以及選自Mn和Cu的一種以上的元素，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
本發明的被覆層中所含的Mo元素，其與作為透明導電膜的ITO膜的電接觸性和濕法蝕刻性、及其均勻性優異，但另一方面其耐蝕性、耐氧化性差。
在本發明中，為了確保耐蝕性和耐氧化性，Ni必需在30原子%以上。另一方面，若Ni超過75原子%，則Ni容易向導電層的Al中熱擴散，使積層配線膜的電阻值增加，同時會使濕法蝕刻性下降。因此，本發明的被覆層中添加的Ni設為30~75原子%。
另外，Mn元素與玻璃基板或樹脂膜基板的密合性優異，改善濕法蝕刻性的效果好，但另一方面若增加Mn的添加量，則會使耐氧化性降低。
另外，Cu能夠改善與ITO膜的密合性和濕法蝕刻性，但另一方面若Cu的添加量多，則與玻璃基板的密合性降低，同時還會使耐氧化性降低。而且，Cu和Ni一樣容易向導電層的Al中熱擴散，容易使積層配線膜的電阻值增加。
本發明的被覆層除了含有Mo和Ni以外，還含有選自Mn和Cu的一種以上的元素，藉此可確保耐氧化性，而且還能夠提高與玻璃基板、樹脂膜基板或ITO膜的密合性和濕法蝕刻性。下面，對選擇Mn和Cu的理由進行說明。
首先，對選擇Mn作為在構成本發明之被覆層的Mo、Ni
以外而添加的元素的情形進行說明。Mn所具有的改善密合性和濕法蝕刻性的效果從3原子%開始顯現。另一方面，若Mn超過25原子%，則耐氧化性有時會降低。因此，被覆層中的Mn的添加量優選為3~25原子%，更優選為7~20原子%。另外，為了確保Mo所具有的與ITO膜的接觸性和濕法蝕刻的均勻性，優選Ni和Mn總計不足80原子%。
接下來，對選擇Cu作為在構成本發明之被覆層的Mo、Ni以外而添加的元素的情形進行說明。Cu所具有的改善與ITO膜的密合性和濕法蝕刻性的效果從5原子%開始顯現。另一方面，若Cu超過25原子%，則與玻璃基板的密合性降低，而且耐氧化性也會降低，同時容易被蝕刻劑(etchant)潤濕，側蝕(side etching)量增加，濕法蝕刻精度有時會降低。因此，被覆層中的Cu的添加量優選為5~25原子%，更優選為10~20原子%。此時，考慮到與導電層的Al的熱擴散，Ni的添加量優選達到65原子%以下。另外，為了確保Mo所具有的濕法蝕刻的均勻性，優選Ni與Cu總計不足75原子%。
接下來，對選擇Mn和Cu作為在構成本發明之被覆層的Mo、Ni以外而添加的元素的情形進行說明。藉由使被覆層的Mn和Cu的總計達到5原子%以上，可抑制密合性和濕法蝕刻性的降低。另一方面，若被覆層的Mn和Cu的總計超過40原子%，則耐氧化性、密合性有時會降低。因此，優選Mn和Cu總計為5~40原子%、並且含有總計不足75原子%的Ni、Mn、Cu。為了確保更
高的濕法蝕刻性，Mn和Cu的總量更優選為20原子%以上。而且，Ni、Mn、Cu的總計進一步優選為50原子%以上。
另外，本發明的被覆層還可以將上述Mo的一部分用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素取代。所選擇的這些元素雖然改善耐蝕性的效果好，但有時會使蝕刻速度降低。因此，取代的量優選總計達到1~15原子%的範圍。
為了穩定地獲得低電阻和耐蝕性及耐氧化性，本發明的電子零件用積層配線膜優選使包含Al或Al合金的導電層的膜厚達到100~1000nm。若導電層的膜厚小於100nm，則電阻值容易因薄膜特有的電子散射的影響而增加。另一方面，若導電層的膜厚大於1000nm，則為了形成膜而花費時間，或者因膜應力而容易使基板發生翹曲。導電層的膜厚的更優選的範圍是200~500nm。
在本發明的導電層中，能夠獲得低電阻的純Al較佳，但除了上述的耐蝕性及耐氧化性以外，還考慮到耐熱性等可靠性，可以使用在Al中添加有過渡金屬或半金屬等的Al合金。此時，添加的元素優選總計達到5原子%以下的範圍，使獲得盡可能低的電阻。
為了穩定地獲得低電阻和耐蝕性及耐氧化性，本發明的電子零件用積層配線膜優選使被覆層的膜厚達到10~100nm。當採用被覆層作為基底層時，藉由使膜厚達到10nm以上，可以改善與基板的密合性。另外，當採用被覆層作為覆蓋膜(cap film)時，藉由使膜厚達到20nm以上，可以使被覆層的缺陷等充分消失，可
以提高耐蝕性及耐氧化性。
另一方面，若被覆層的膜厚超過100nm，則被覆層的電阻值升高，在與導電層積層時，作為電子零件用積層配線膜難以獲得低電阻。因此，被覆層的膜厚更優選達到20~100nm。
在形成本發明之電子零件用積層配線膜的各層時，使用了濺鍍靶的濺鍍法最為適合。在形成被覆層時，還可以採用下述方法：例如使用組成與被覆層的組成相同的濺鍍靶進行成膜的方法；或者使用各元素的濺鍍靶、或Mo、Mo-Ni合金、Ni-Cu合金、Ni-Mn合金等濺鍍靶材藉由共濺鍍進行成膜的方法。
從濺鍍的條件設定的簡易度、或容易獲得所期望的組成的被覆層的角度考慮，更優選使用組成與被覆層的組成相同的濺鍍靶進行濺鍍成膜。
為了得到上述的被覆層，本發明是有關於一種被覆層形成用濺鍍靶材，該濺鍍靶材含有30~75原子%的Ni、以及選自Mn和Cu的一種以上的元素，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
在作為本發明之構成元素的Mo、Ni、Mn、Cu中，Ni雖然是磁性體，但在本發明的組成範圍內時，本發明的被覆層形成用濺鍍靶材的居裏溫度(Curie temperature)為常溫(25℃)以下、即呈非磁性，因此藉由普通的磁控濺鍍(magnetron sputtering)即可容易地進行濺鍍。而且，本發明的被覆層形成用濺鍍靶材優選含有30~75原子%的Ni、3~25原子%的Mn，並且含有總計不足
80原子%的Ni與Mn，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
另外，本發明的被覆層形成用濺鍍靶材優選含有30~65原子%的Ni、5~25原子%的Cu，並且Ni與Cu總計不足75原子%，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
另外，本發明的被覆層形成用濺鍍靶材優選含有總計為5~40原子%的Mn和Cu，並且含有總計不足75原子%的Ni、Mn、Cu，剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
另外，本發明的被覆層形成用濺鍍靶材中，上述Mo的一部分可以用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素取代。取代的量優選總計達到1~15原子%的範圍。
在平衡狀態圖中，Mo和Ni元素雖然在Mo側Ni幾乎不具有固熔區，但在Ni側具有寬固熔區，在中間組成中發現了多種金屬間化合物。另外，Mo和Mn元素在Mo側具有寬固熔區，在Mn側在高溫區也具有寬固熔區。Mo和Cu元素在Mo側、Cu側幾乎都不具有固熔區。
而且，Ni和Mn、Ni和Cu、Mn和Cu均為具有寬固熔區的元素。而且，Ni和Cu是完全固熔，Ni和Mn、Mn和Cu也是在高溫區完全固熔且容易進行合金化的元素，但若包含Mn，則在低溫區因相變而容易發現金屬間化合物。
由以上的結果可知：本發明之被覆層形成用濺鍍靶材儘管包含不易合金化的Mo和Cu，但藉由含有Ni或Mn，根據組成也能夠使之合金化。在本發明中，根據結合著必需的被覆層的膜特性
而調整的組成，可以選定濺鍍靶材的最佳製造方法。下面，對本發明之被覆層形成用濺鍍靶材的製造方法進行說明。
本發明之被覆層形成用濺鍍靶材的製造方法例如還可以採用下述方法：將調整成了規定之組成的原料溶解並製作成鑄錠(ingot)，對該鑄錠實施機械加工以製造濺鍍靶材；或粉末燒結法。在粉末燒結法中，例如可以藉由氣體霧化(gas atomize)法製造合金粉末而作為原料粉末；或者混合多種合金粉末或純金屬粉末使達到本發明的最終組成，以所得的混合粉末作為原料粉末。
原料粉末的燒結方法可以採用熱靜水壓加壓、熱壓(hot press)、放電電漿燒結、擠出加壓燒結等加壓燒結。如上所述，由於本發明包含不易合金化的Mo和Cu，而且根據Mo與Ni的組成比而容易出現金屬間化合物，導致塑性加工性下降，因此為了穩定製造例如觸控面板用的大型濺鍍靶材，優選將形成了最終組成的合金粉末加壓燒結的製造方法。
另外，由於本發明的被覆層形成用濺鍍靶材含有作為磁性體的Ni，所以優選選定所添加的元素，並將居裏點(Curie point)在常溫以下的合金粉末加壓燒結。此時，上述合金粉末藉由霧化法即可容易地獲得已調整成了最終組成的合金金屬溶液。而且，利用霧化法與Mo進行合金化，這對形成居裏點在常溫以下的合金粉末較為有效。
另外，合金粉末還可以藉由粉碎已溶解的鑄錠來製作。另外，還可以採用下述方法：將各種Ni合金粉末與Mo粉末混合；或者，
製造各種合金粉末，再將其混合使達到最終組成。
若合金粉末的平均粒徑不足5μm，則所得的濺鍍靶材中的雜質會增加。另一方面，若合金粉末的平均粒徑超過300μm，則不易獲得高密度的燒結體。因此，合金粉末的平均粒徑優選達到5~300μm。尚需說明的是，本發明中所說的平均粒徑用JIS Z 8901中規定的、藉由使用了雷射光的光散射法得到的球相當徑表示。
本發明的被覆層形成用濺鍍靶材，優選除主要構成元素Mo、Ni、Mn、Cu以外的不可避免的雜質的含量少，在不損及本發明作用的範圍內，可以含有氧、氮、碳、鐵(Fe)、鋁(Al)、矽(Si)等不可避免的雜質。這裏，各主要構成元素以相對於主要構成元素整體的原子%表示，而主要元素以外的不可避免的雜質以其在濺鍍靶材整體中的質量ppm表示。例如，氧、氮分別優選為1000質量ppm以下，碳優選為200質量ppm以下，Al、Si優選為100質量ppm以下等。而且，本發明之被覆層形成用濺鍍靶材中的金屬成分整體的純度優選為99.9質量%以上。
首先，製作了表1所示的用於形成被覆層的濺鍍靶。尚需說明的是，No.4、No.5、No.8是稱量電解Ni和塊狀的Mo原料、無氧銅的塊、Mn片、Ti塊至規定的量，之後使用真空熔解爐藉由熔解鑄造法製作了鑄錠。
另外，No.1~No.3、No.6、No.7、No.9、No.10、No.11是將非磁性的Ni-30原子%的Mo的霧化粉末和Mo粉末和Cu粉末、
Mn粉末、Ti粉末混合使達到規定的組成，並填充在軟鋼製的罐中，之後邊加熱邊進行真空排氣以進行密封。接下來，將密封罐放入熱靜水壓加壓裝置中，在900℃、100MPa、3小時的條件下燒結，製作了燒結體。
在使SmCo磁石靠近所得的各鑄錠和各燒結體時，確認到了它們沒有附著在磁石上。另外，將上述得到的各鑄錠和各燒結體的一部分放入磁特性測定用箱中，使用理研電子株式會社製造的振動樣品型磁力計(型號：VSM-5)在常溫(25℃)下測定磁特性時，確認到了它們呈非磁性。
藉由機械加工將這些鑄錠和燒結體製作成了直徑為100mm、厚5mm的濺鍍靶材。另外，用於形成導電層的純Al的濺鍍靶材使用了三菱Material株式會社製造的純度為4N的材料。
接下來，將上述的各被覆層形成用濺鍍靶材焊接在銅製的背板上，之後安裝在ULVAC株式會社製造的濺鍍裝置(型號：CS-200)上，在Ar環境、壓力0.5Pa、功率500W的條件下進行濺鍍試驗時，所有的濺鍍靶材均可進行濺鍍。
接下來，將Corning公司製造的25mm×50mm的玻璃基板(產品編號：EagleXG)安裝在上述濺鍍裝置的基板支架上，依次形成厚50nm的基底膜、厚300nm的Al導電層、以及厚50nm的覆蓋層以製作樣品，評價了密合性和耐氧化性。另外，關於薄膜基板和帶ITO膜的薄膜基板，也按照與玻璃基板相同的方法製作了樣品。
密合性的評價按照JIS K 5400中規定的方法在玻璃基板上進行。首先，使用切刀在上述形成的被覆層表面刻入邊長為2mm的正方形，貼上住友3M株式會社製造的透明膠帶(產品名稱：透明美色)，剝下透明膠帶，根據是否殘留有被覆層來進行評價。將1個正方形的被覆層也沒有剝離的樣品評價為○、將1~10個正方形的被覆層被剝離的樣品評價為△、將11個正方形以上的被覆層被剝離的樣品評價為×。在薄膜基板和帶ITO膜的薄膜基板中，在膜表面貼上透明膠帶(產品名稱：透明美色)，之後剝下透明膠帶，完全沒有剝離的樣品評價為○、有10%以下的面積被剝離的樣品評價為△、有超過10%的面積被剝離的樣品評價為×。
另外，在耐氧化性的評價中，將各樣品在大氣環境中、在150℃~300℃的溫度下進行30分鐘的加熱處理，測定了反射率和電阻值。反射率使用KONICA MINOLTA株式會社製造的分光測色計(型號：CM2500d)進行測定。另外，電阻值使用DIA Instrument製造的四端子薄膜電阻率計(型號：MCP-T400)進行測定。評價結果見表1。
如表1所示，作為比較例的樣品No.1在薄膜基板、帶ITO的薄膜基板上的密合性低，發生了膜剝離。另外，作為比較例的樣品No.3在玻璃基板、薄膜基板上發生了部分剝離。
另一方面，可以確認：作為本發明例的於基底膜中使用了在Mo中含有規定量的Ni、Mn、Cu的被覆層的樣品No.4~No.9的積層配線膜沒有發生剝離，具有高的密合性。
另外還可知：作為比較例的樣品No.2、No.3、No.10、No.11、No.12、No.14、No.17在250℃以上反射率降低，耐氧化性差。另外，樣品No.3、No.10、No.11、No.17在進行300℃的加熱時，電阻值增加。
相對於此，可以確認：在作為本發明例的樣品No.4~No.9、No.13、No.15、No.16中，反射率的降低、以及電阻值的增加亦少，具有高的耐氧化性。
接下來，使用實施例1中製作的各樣品，進行了耐蝕性評價。在耐蝕性的評價中，將各樣品在溫度85℃、相對濕度85%的環境中放置100小時、200小時、300小時，按照與實施例1相同的方法測定了反射率。其結果見表2。
如表2所示，確認到了：作為比較例的樣品No.1~No.3、No.12、No.14、No.17在高溫高濕環境下放置100小時以上時，反射率大幅降低，耐蝕性差。
相對於此，可以確認：作為本發明例的樣品No.4~No.9、No.13、No.15、No.16即使暴露在高溫高濕環境下變色也少，經過300小時後仍維持高的反射率，具有高的耐蝕性。
接下來，使用實施例1中製作的被覆層形成用濺鍍靶材，在玻璃基板上形成被覆層的單層膜，進行了濕法蝕刻性的評價。蝕刻劑使用了將用於Al膜的硝酸、磷酸、醋酸和水混合而獲得的蝕刻劑。為了形成側蝕少的被覆層，需要抑制蝕刻時間的不均，減少過度蝕刻(over etching)時間，同時需要適度抑制對蝕刻劑的潤濕性。將各樣品浸在蝕刻劑溶液中，測定直至被覆層的整個面完全透過為止所花費的時間，作為適量蝕刻(just etching)時間。另外，通過目視確認蝕刻不均，同時測定了一部分膜透過的時間與適量蝕刻時間的時間差，以確定更明確的差異。該時間差越小，則意味著蝕刻不均越少。
另外，在被覆層的膜表面滴加20μm的蝕刻劑，測定2分鐘後
的擴散徑。擴散徑越小，則越能夠抑制側蝕，意味著能夠進行精度高的濕法蝕刻。各樣品的濕法蝕刻的評價結果見表3。
關於濕法蝕刻性，作為比較例的樣品No.11的Al膜在200秒時擴散也少，發生了均勻的蝕刻。另一方面，作為比較例的樣品No.1雖然起泡，但在35秒的短時間內即可進行蝕刻。另外，
在作為比較例的樣品No.10中確認到了：與其他的被覆層相比，蝕刻時間長達156秒，存在蝕刻快的部分和蝕刻慢的部分，因發生蝕刻不均，故時間差也大，蝕刻劑容易擴散。因此可知：難以進行均勻的蝕刻，不適合於精度高的蝕刻。
相對於此，可知作為本發明例的樣品No.4~No.9、No.13、No.15、No.16能夠在75秒以內進行濕法蝕刻，其時間差也少，擴散徑亦小。
由以上的結果可以確認：本發明的被覆層蝕刻不均和側蝕少，能夠進行精度高的蝕刻。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基底層(被覆層)
3‧‧‧導電層
4‧‧‧覆蓋層(被覆層)
Claims (8)
- 一種電子零件用積層配線膜，包括：由Al或Al合金構成的導電層，和直接覆蓋所述導電層的至少一個面的被覆層，該電子零件用積層配線膜的特徵在於：所述被覆層含有30~75原子%的Ni、3~25原子%的Mn，並且含有總計不足80原子%的所述Ni和所述Mn，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 一種電子零件用積層配線膜，包括：由Al或Al合金構成的導電層，和直接覆蓋所述導電層的至少一個面的被覆層，該電子零件用積層配線膜的特徵在於：所述被覆層含有30~65原子%的Ni、5~25原子%的Cu，並且含有總計不足75原子%的所述Ni和所述Cu，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 一種電子零件用積層配線膜，包括：由Al或Al合金構成的導電層，和直接覆蓋所述導電層的至少一個面的被覆層，該電子零件用積層配線膜的特徵在於：所述被覆層含有總計為5~40原子%的Mn和Cu，並且含有總計不足75原子%的所述Cu、所述Mn和Ni，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的電子零件用積層配線膜，其中：所述被覆層的所述Mo的一部分用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素以總計1~15原子%的範圍取代。
- 一種被覆層形成用濺鍍靶材，用於形成電子零件用積層配線膜中的直接覆蓋導電層的被覆層，其中所述導電層由Al或Al 合金構成，其特徵在於：含有3o~75原子%的Ni、3~25原子%的Mn，並且含有總計不足80原子%的所述Ni和所述Mn，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 一種被覆層形成用濺鍍靶材，用於形成電子零件用積層配線膜中的直接覆蓋導電層的被覆層，其中所述導電層由Al或Al合金構成，其特徵在於：含有30~65原子%的Ni、5~25原子%的Cu，並且含有總計不足75原子%的所述Ni和所述Cu，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 一種被覆層形成用濺鍍靶材，用於形成電子零件用積層配線膜中的直接覆蓋導電層的被覆層，其中所述導電層由Al或Al合金構成，其特徵在於：含有總計為5~40原子%的Mn和Cu，並且含有總計不足75原子%的所述Cu、所述Mn和Ni，且剩餘部分包含Mo和不可避免的雜質。
- 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述的被覆層形成用濺鍍靶材，其中：所述Mo的一部分用選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W的一種以上的元素以總計1~15原子%的範圍取代。
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